JP2013240846A - Polishing device and manufacturing method of semiconductor device - Google Patents
Polishing device and manufacturing method of semiconductor device Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013240846A JP2013240846A JP2012114528A JP2012114528A JP2013240846A JP 2013240846 A JP2013240846 A JP 2013240846A JP 2012114528 A JP2012114528 A JP 2012114528A JP 2012114528 A JP2012114528 A JP 2012114528A JP 2013240846 A JP2013240846 A JP 2013240846A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing
- holding
- unit
- target
- pad
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
【課題】研磨対象を研磨している間に、十分な精度で、効率的に、研磨の進行状況を把握する。
【解決手段】研磨対象40を保持し、第1の平面内で所定の経路を繰り返し移動する保持部30を有し、保持部30に保持された研磨対象40が所定の経路を1サイクル分移動する間に、研磨パッド10が研磨対象40の研磨対象面を研磨し、その後、クリーニングパッド20が研磨対象面を洗浄し、その後、乾燥部50が研磨対象面を乾燥させ、その後、撮像装置60が研磨対象面を撮像する研磨装置。
【選択図】図1While polishing an object to be polished, the progress of polishing is grasped efficiently with sufficient accuracy.
A polishing unit includes a holding unit that holds a polishing target and repeatedly moves a predetermined path in a first plane, and the polishing target held by the holding unit moves through the predetermined path by one cycle. In the meantime, the polishing pad 10 polishes the polishing target surface of the polishing target 40, then the cleaning pad 20 cleans the polishing target surface, and then the drying unit 50 dries the polishing target surface, and then the imaging device 60. Is a polishing apparatus for imaging the surface to be polished.
[Selection] Figure 1
Description
本発明は、研磨装置、及び、半導体装置の製造方法に関する。 The present invention relates to a polishing apparatus and a method for manufacturing a semiconductor device.
半導体装置の製造工程や不良解析時に、CMP(Chemical Mechanical Polishing)で一部の層または層の一部を研磨・除去する場合がある。例えば、複数層で構成された半導体装置の不良解析時に、所望の層を露出させるため、所望の層の上層に位置する層をCMPで除去する場合がある。また、半導体装置の製造工程において、例えば、絶縁層に形成された配線溝を埋め込むように当該絶縁層の上に金属層を形成した後、配線パターンが露出するまで当該金属層の一部を除去する場合がある。 At the time of manufacturing a semiconductor device or analyzing defects, some layers or parts of layers may be polished and removed by CMP (Chemical Mechanical Polishing). For example, in order to expose a desired layer during failure analysis of a semiconductor device composed of a plurality of layers, a layer located above the desired layer may be removed by CMP. Also, in the semiconductor device manufacturing process, for example, after a metal layer is formed on the insulating layer so as to fill the wiring groove formed in the insulating layer, a part of the metal layer is removed until the wiring pattern is exposed. There is a case.
このような研磨は、所望のタイミングでストップする必要がある。例えば、所望の層が除去されたタイミング、または、所望の部分が除去されたタイミングでストップする必要がある。研磨をストップするタイミングを誤ると、研磨し過ぎ、または、研磨不足な状態になる。このため、研磨開始後、所望の研磨を完了して所望のタイミングで研磨をストップするまでの間に、研磨の進行状況を把握する必要がある。 Such polishing needs to be stopped at a desired timing. For example, it is necessary to stop at a timing when a desired layer is removed or when a desired portion is removed. If the timing for stopping the polishing is wrong, the polishing will be excessive or insufficient. For this reason, it is necessary to grasp the progress of the polishing after the start of polishing and before the polishing is stopped at a desired timing after the completion of the desired polishing.
特許文献1には、研磨パッドが表面に設けられたプラテンと、回転する研磨パッドにウエハを押し付けるように保持しながら回転するウエハ保持機構とを備えるCMP装置が開示されている。研磨パッドは少なくとも中心付近から外周方向に伸びる溝を備え、当該溝は研磨パッドの他の部分より薄く、実質的に光透過性となっている。また、プラテンの少なくとも研磨パッドの溝が配置される部分は透明となっている。このような構成のCMP装置の場合、研磨パッドの溝部分を介してウエハの表面を観察することで、研磨中のウエハの表面状態をほぼリアルタイムで検出することができると記載されている。 Patent Document 1 discloses a CMP apparatus including a platen having a polishing pad provided on the surface and a wafer holding mechanism that rotates while holding the wafer so as to press the wafer against the rotating polishing pad. The polishing pad includes a groove extending at least from the vicinity of the center in the outer peripheral direction, and the groove is thinner than other portions of the polishing pad and is substantially light-transmitting. Further, at least a portion of the platen where the groove of the polishing pad is disposed is transparent. In the case of the CMP apparatus having such a configuration, it is described that the surface state of the wafer being polished can be detected almost in real time by observing the surface of the wafer through the groove portion of the polishing pad.
特許文献1に記載の技術の場合、研磨パッド上に供給されたスラリーにより、ウエハの表面状態観察の精度が劣化する。また、溝部分を介した観察であるので、一度に観察できる領域が限られる。すなわち、ウエハの全面を一度に観察することはできない。 In the case of the technique described in Patent Document 1, the accuracy of observation of the wafer surface state deteriorates due to the slurry supplied onto the polishing pad. In addition, since the observation is through the groove portion, the region that can be observed at a time is limited. That is, the entire surface of the wafer cannot be observed at once.
このような特許文献1に記載の技術の問題点を解決する手段として、次のような手法が考えられる。 As means for solving the problems of the technique described in Patent Document 1, the following method can be considered.
まず、図11に示すように、研磨パッド1が表面に設けられたプラテン7と、研磨対象(例:半導体装置、ウエハ)4を保持する保持部3とを用い、研磨対象4の研磨対象面を研磨する。具体的には、プラテン7を回転させることで研磨パッド1を回転させるとともに、保持部3を回転させることで研磨対象4を回転させる。そして、研磨パッド1上にスラリーを供給する。当該状態で、研磨対象4の研磨対象面を研磨パッド1に押し付けることで、研磨対象4の研磨対象面を研磨する。
First, as shown in FIG. 11, a polishing target surface of a
研磨開始後、適当なタイミングで当該研磨をストップし、研磨対象4を保持したまま保持部3を装置から取り外す。このタイミングが遅れると研磨し過ぎの状態になってしまう。その後、保持部3に保持されている研磨対象4の研磨対象面を洗浄液2で洗浄し、次いで、当該研磨対象面にドライエアー5を当てて乾燥させる。その後、観察装置(例:金属顕微鏡)6を用いて研磨対象4の研磨対象面を観察することで、研磨の進行状況を把握する。
After the polishing is started, the polishing is stopped at an appropriate timing, and the holding unit 3 is removed from the apparatus while holding the
観察の結果、研磨が不足している場合には、研磨対象4を保持している保持部3を再び装置に装着し、再び研磨対象4の研磨対象面を研磨する。そして、適当なタイミングで当該研磨をストップし、同様の手順で研磨対象面を観察する。このような処理を、所望の研磨が完了するまで繰り返す。
As a result of the observation, if the polishing is insufficient, the holding unit 3 holding the
当該手法の場合、研磨の進行状況を確認するため、その都度、研磨対象4を保持している保持部3を装置から取り外す必要があり、手間である。研磨をストップするタイミングをより正確に特定するためには、一回の研磨量を少なくし、研磨対象4の研磨対象面を観察する回数を増やす必要があり、時間と手間は増大する。
In the case of this method, in order to check the progress of polishing, it is necessary to remove the holding unit 3 holding the
その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面から明らかになるであろう。 Other problems and novel features will become apparent from the description of the specification and the accompanying drawings.
一実施の形態によれば、
研磨対象を保持し、第1の平面内で所定の経路を繰り返し移動する保持部と、
前記保持部に保持されて前記所定の経路を繰り返し移動している前記研磨対象の研磨対象面を研磨する研磨パッドと、
前記保持部に保持されて前記所定の経路を繰り返し移動している前記研磨対象の前記研磨対象面を洗浄するクリーニングパッドと、
前記保持部に保持されて前記所定の経路を繰り返し移動している前記研磨対象の前記研磨対象面を乾燥させる乾燥部と、
前記保持部に保持されて前記所定の経路を繰り返し移動している前記研磨対象の前記研磨対象面を撮像する撮像装置と、
を有し、
前記保持部に保持された前記研磨対象が前記所定の経路を1サイクル分移動する間に、前記研磨パッドが前記研磨対象の前記研磨対象面を研磨し、その後、前記クリーニングパッドが前記研磨対象面を洗浄し、その後、前記乾燥部が前記研磨対象面を乾燥させ、その後、前記撮像装置が前記研磨対象面を撮像する研磨装置が提供される。
According to one embodiment,
A holding unit that holds an object to be polished and repeatedly moves along a predetermined path in the first plane;
A polishing pad that polishes the polishing target surface of the polishing target that is held by the holding unit and repeatedly moves along the predetermined path;
A cleaning pad for cleaning the polishing target surface of the polishing target that is held by the holding unit and repeatedly moves along the predetermined path;
A drying unit that dries the polishing target surface of the polishing target that is held by the holding unit and repeatedly moves along the predetermined path;
An imaging device that images the polishing target surface of the polishing target that is held by the holding unit and repeatedly moves along the predetermined path;
Have
The polishing pad polishes the polishing target surface of the polishing target while the polishing target held by the holding unit moves on the predetermined path by one cycle, and then the cleaning pad cleans the polishing target surface. Then, the drying unit dries the surface to be polished, and then a polishing apparatus is provided in which the imaging device images the surface to be polished.
他の実施の形態によれば、
上記研磨装置を用いて研磨対象である半導体装置の研磨対象面を研磨する工程を有する半導体装置の製造方法が提供される。
According to other embodiments,
Provided is a method for manufacturing a semiconductor device, which includes a step of polishing a polishing target surface of a semiconductor device to be polished using the polishing apparatus.
研磨対象を研磨している間(研磨開始後、所望の研磨を完了して所望のタイミングで研磨をストップするまでの間)に、十分な精度で、効率的に、研磨の進行状況を把握することが可能となる。 While polishing the object to be polished (after starting polishing, until the polishing is stopped at the desired timing after the completion of the desired polishing), the progress of the polishing is efficiently grasped with sufficient accuracy. It becomes possible.
以下、実施の形態について図面を用いて説明する。 Hereinafter, embodiments will be described with reference to the drawings.
なお、本実施形態の装置は、任意のコンピュータのCPU、メモリ、メモリにロードされたプログラム、そのプログラムを格納するハードディスク等の記憶ユニット、ネットワーク接続用インタフェイスを中心にハードウェアとソフトウェアの任意の組合せによって実現される。プログラムには、あらかじめ装置を出荷する段階からメモリ内に格納されているプログラムのほか、CD等の記憶媒体やインターネット上のサーバ等からダウンロードされたプログラムも含む。そして、その実現方法、装置にはいろいろな変形例があることは、当業者には理解されるところである。 The apparatus according to the present embodiment includes an arbitrary computer CPU, memory, a program loaded in the memory, a storage unit such as a hard disk for storing the program, and an interface for network connection. Realized by combination. The programs include programs downloaded from a storage medium such as a CD or a server on the Internet in addition to programs stored in the memory from the stage of shipping the device in advance. It will be understood by those skilled in the art that there are various modifications to the implementation method and apparatus.
また、本実施形態の説明において利用する機能ブロック図は、ハードウェア単位の構成ではなく、機能単位のブロックを示している。これらの図においては、各装置は1つの機器により実現されるよう記載されているが、その実現手段はこれに限定されない。すなわち、物理的に分かれた構成であっても、論理的に分かれた構成であっても構わない。 In addition, the functional block diagram used in the description of the present embodiment shows a functional unit block, not a hardware unit configuration. In these drawings, each device is described as being realized by one device, but the means for realizing it is not limited to this. That is, it may be a physically separated configuration or a logically separated configuration.
<第1の実施形態>
本実施形態の研磨装置は、保持部と、研磨パッドと、クリーニングパッドと、乾燥部と、撮像装置と、を有する。
<First Embodiment>
The polishing apparatus according to this embodiment includes a holding unit, a polishing pad, a cleaning pad, a drying unit, and an imaging device.
保持部は、研磨対象を保持する。研磨対象は、例えば、半導体装置やウエハである。研磨対象に対する研磨は、例えば、複数層で構成された半導体装置の不良解析時に、所望の層(例:絶縁層に配線を埋め込んだ配線層、絶縁層にビアを埋め込んだビア層等)を露出させるため、当該所望の層の上層に位置する1つ又は複数の層をCMPで除去する研磨であってもよい。または、半導体装置の製造工程において、例えば、絶縁層に形成された配線溝(またはビア孔)を埋め込むように当該絶縁層の上に金属層を形成した後、配線パターン(またはビアパターン)が露出するまで当該金属層の一部を除去する研磨であってもよい。保持部が研磨対象を保持する手段は特段制限されず、従来技術に準じて実現することができる。研磨対象は、保持部の保持面に接して保持される。 The holding unit holds the object to be polished. The object to be polished is, for example, a semiconductor device or a wafer. For example, polishing of an object to be polished exposes a desired layer (eg, a wiring layer in which wiring is embedded in an insulating layer, a via layer in which vias are embedded in an insulating layer, etc.) during failure analysis of a semiconductor device composed of multiple layers. Therefore, the polishing may be performed by removing one or a plurality of layers located above the desired layer by CMP. Alternatively, in a semiconductor device manufacturing process, for example, after a metal layer is formed on the insulating layer so as to fill a wiring groove (or via hole) formed in the insulating layer, the wiring pattern (or via pattern) is exposed. Polishing may be performed to remove a part of the metal layer until it is completed. The means by which the holding unit holds the object to be polished is not particularly limited, and can be realized according to the prior art. The object to be polished is held in contact with the holding surface of the holding unit.
保持部は、研磨対象を保持した状態のまま、第1の平面内で所定の経路を繰り返し移動する。すなわち、保持部が繰り返し移動する移動軌跡は、第1の平面と平行である。例えば、保持部は、第1の平面内の第1の点と第2の点間を往復移動する。すなわち、保持部は、第1の平面内で、第1の点から第2の点に所定の経路で移動した後、当該経路と同じ経路を通って、第2の点から第1の点に戻る動作を繰り返し行ってもよい。第1の点及び第2の点間の移動は直線的な移動であってもよいし、曲線的な移動であってもよい。なお、保持部は、第1の平面内で、第1の点から第2の点に所定の経路で移動した後、当該経路と異なる所定の経路を通って、第2の点から第1の点に戻る動作を繰り返し行ってもよい。例えば、保持部は円軌道や楕円軌道等、リング状の軌道を描く動作を繰り返し行ってもよい。 The holding unit repeatedly moves along a predetermined path in the first plane while holding the polishing target. That is, the movement trajectory in which the holding unit repeatedly moves is parallel to the first plane. For example, the holding unit reciprocates between a first point and a second point in the first plane. That is, the holding unit moves from the first point to the second point in a first plane along a predetermined route, and then passes through the same route as the route from the second point to the first point. The returning operation may be repeated. The movement between the first point and the second point may be a linear movement or a curved movement. The holding unit moves from the first point to the second point in a first plane along a predetermined route, and then passes through a predetermined route different from the route to the first point from the second point. You may repeat the operation | movement which returns to a point. For example, the holding unit may repeatedly perform an operation of drawing a ring-shaped orbit such as a circular or elliptical orbit.
保持部は、その他の平面に移動することなく、第1の平面内で所定の経路を繰り返し移動することができる。すなわち、保持部は、第1の平面内で所定の経路を繰り返し移動している間、第1の平面内に存在し続けることができる。保持部は、第1の平面内で所定の経路を繰り返し移動している間、当該移動のみを繰り返し行ってもよい。なお、保持部は、研磨対象を保持する保持面(研磨対象と接する面)が当該第1の平面と略平行になるように、研磨装置に取り付けられる。このため、保持部が第1の平面内で所定の経路を繰り返し移動している間、保持部の保持面は、第1の平面と平行な所定の平面(以下、「第2の平面」)内に存在し続け、第2の平面内で所定の経路を繰り返し移動することとなる。 The holding unit can repeatedly move along a predetermined path in the first plane without moving to another plane. In other words, the holding unit can continue to exist in the first plane while repeatedly moving along a predetermined path in the first plane. The holding unit may repeatedly perform only the movement while repeatedly moving along the predetermined path in the first plane. The holding unit is attached to the polishing apparatus such that a holding surface that holds the object to be polished (a surface in contact with the object to be polished) is substantially parallel to the first plane. For this reason, while the holding unit repeatedly moves along the predetermined path in the first plane, the holding surface of the holding unit is a predetermined plane parallel to the first plane (hereinafter, “second plane”). It continues to exist within the second plane and repeatedly moves along a predetermined path in the second plane.
このような保持部の動作を実現する手段は特段制限されず、モータやガイド機構等の従来技術を利用して実現することができる。 Means for realizing the operation of the holding unit is not particularly limited, and can be realized by using a conventional technique such as a motor or a guide mechanism.
研磨パッドは、保持部に保持されて所定の経路を繰り返し移動している研磨対象の研磨対象面を研磨する。研磨パッドは、従来技術に準じた構成とすることができる。研磨パッドは、研磨対象の研磨対象面と当接する研磨パッド面を有する。当該研磨パッド面上にはスラリーなどの研磨液が供給され、当該状態で研磨パッド面と研磨対象面が当接する。 The polishing pad polishes the polishing target surface to be polished that is held by the holding portion and repeatedly moves along a predetermined path. The polishing pad can be configured according to the prior art. The polishing pad has a polishing pad surface that comes into contact with the polishing target surface to be polished. A polishing liquid such as slurry is supplied onto the polishing pad surface, and the polishing pad surface and the surface to be polished come into contact with each other in this state.
なお、上述の通り、保持部が第1の平面内で所定の経路を繰り返し移動している間、保持部の保持面は第2の平面内に存在し続け、第2の平面内で所定の経路を繰り返し移動することとなる。研磨パッドは、研磨パッド面と、第2の平面内に存在する保持面に接して保持されている研磨対象の研磨対象面とが当接するように、研磨装置に取り付けられる。研磨パッド面は、上記第1の平面と略平行になるように研磨装置に取り付けられる。 As described above, while the holding unit repeatedly moves along a predetermined path in the first plane, the holding surface of the holding unit continues to exist in the second plane, and the predetermined surface in the second plane. The route will be moved repeatedly. The polishing pad is attached to the polishing apparatus such that the polishing pad surface and the polishing target surface to be polished held in contact with the holding surface existing in the second plane are in contact with each other. The polishing pad surface is attached to the polishing apparatus so as to be substantially parallel to the first plane.
クリーニングパッドは、保持部に保持されて所定の経路を繰り返し移動している研磨対象の研磨対象面を洗浄する。クリーニングパッドは、従来技術に準じた構成とすることができる。クリーニングパッドは、研磨対象の研磨対象面と当接するクリーニングパッド面を有する。当該クリーニングパッド面上には純水などの洗浄液が供給され、当該状態でクリーニングパッド面と研磨対象面が当接する。 The cleaning pad cleans the polishing target surface to be polished that is held by the holding unit and repeatedly moves along a predetermined path. The cleaning pad can be configured according to the prior art. The cleaning pad has a cleaning pad surface that comes into contact with the surface to be polished. A cleaning liquid such as pure water is supplied onto the cleaning pad surface, and the cleaning pad surface and the surface to be polished come into contact with each other in this state.
なお、上述の通り、保持部が第1の平面内で所定の経路を繰り返し移動している間、保持部の保持面は第2の平面内に存在し続け、第2の平面内で所定の経路を繰り返し移動することとなる。クリーニングパッドは、クリーニングパッド面と、第2の平面内に存在する保持面に接して保持されている研磨対象の研磨対象面とが当接するように、研磨装置に取り付けられる。クリーニングパッド面は、上記第1の平面と略平行になるように研磨装置に取り付けられる。 As described above, while the holding unit repeatedly moves along a predetermined path in the first plane, the holding surface of the holding unit continues to exist in the second plane, and the predetermined surface in the second plane. The route will be moved repeatedly. The cleaning pad is attached to the polishing apparatus so that the cleaning pad surface and the polishing target surface to be polished held in contact with the holding surface existing in the second plane come into contact with each other. The cleaning pad surface is attached to the polishing apparatus so as to be substantially parallel to the first plane.
乾燥部は、保持部に保持されて所定の経路を繰り返し移動している研磨対象の研磨対象面を乾燥させる。乾燥部は、例えば、エアーを噴出するよう構成されている。 The drying unit dries the polishing target surface to be polished that is held by the holding unit and repeatedly moves along a predetermined path. The drying unit is configured to eject air, for example.
なお、上述の通り、保持部が第1の平面内で所定の経路を繰り返し移動している間、保持部の保持面は第2の平面内に存在し続け、第2の平面内で所定の経路を繰り返し移動することとなる。乾燥部は、第2の平面内に存在する保持面に接して保持されている研磨対象の研磨対象面にエアーを当てることができるように、研磨装置に取り付けられている。 As described above, while the holding unit repeatedly moves along a predetermined path in the first plane, the holding surface of the holding unit continues to exist in the second plane, and the predetermined surface in the second plane. The route will be moved repeatedly. The drying unit is attached to the polishing apparatus so that air can be applied to the surface to be polished that is held in contact with the holding surface that exists in the second plane.
撮像装置は、保持部に保持されて所定の経路を繰り返し移動している研磨対象の研磨対象面の一部又は全部を撮像する。 The imaging device captures an image of a part or all of the polishing target surface that is held by the holding unit and repeatedly moves along a predetermined path.
なお、上述の通り、保持部が第1の平面内で所定の経路を繰り返し移動している間、保持部の保持面は第2の平面内に存在し続け、第2の平面内で所定の経路を繰り返し移動することとなる。撮像装置は、第2の平面内に存在する保持面に接して保持されている研磨対象の研磨対象面に焦点を合わせ、研磨対象面を撮像できるように、研磨装置に取り付けられている。 As described above, while the holding unit repeatedly moves along a predetermined path in the first plane, the holding surface of the holding unit continues to exist in the second plane, and the predetermined surface in the second plane. The route will be moved repeatedly. The imaging device is attached to the polishing device so that the polishing target surface can be focused and focused on the polishing target surface held in contact with the holding surface existing in the second plane.
研磨パッド、クリーニングパッド、乾燥部、及び、撮像装置による研磨対象に対する処理はいずれも、保持部に保持されて所定の経路を繰り返し移動している研磨対象が所定の経路を1サイクル分移動する間に行われる。 The polishing pad, the cleaning pad, the drying unit, and the processing for the polishing target by the imaging device are all performed while the polishing target that is held by the holding unit and repeatedly moves along the predetermined path moves through the predetermined path for one cycle. To be done.
具体的には、研磨対象が所定の経路を1サイクル分移動する間に、まず、研磨パッドの研磨パッド面が研磨対象の研磨対象面と当接して研磨対象面を研磨する。その後、クリーニングパッドのクリーニングパッド面が研磨対象面と当接して研磨対象面を洗浄し、その後、乾燥部が研磨対象面を乾燥させる。その後、撮像装置が研磨対象面を撮像する。なお、研磨対象が所定の経路を繰り返し移動している間、研磨パッド、クリーニングパッド、乾燥部、及び、撮像装置による当該処理は繰り返し行われる。 Specifically, while the polishing target moves along a predetermined path by one cycle, first, the polishing pad surface of the polishing pad comes into contact with the polishing target surface to be polished to polish the polishing target surface. Thereafter, the cleaning pad surface of the cleaning pad contacts the surface to be polished to clean the surface to be polished, and then the drying unit dries the surface to be polished. Thereafter, the imaging device images the surface to be polished. Note that while the object to be polished is repeatedly moved along a predetermined path, the processing by the polishing pad, the cleaning pad, the drying unit, and the imaging device is repeatedly performed.
上述のような順番での処理を実現するため、第1の平面を平面視した場合、研磨対象が繰り返し移動する所定の経路上に、研磨パッド、クリーニングパッド、乾燥部、及び、撮像装置がこの順に並んで配置されている。 In order to realize the processing in the order as described above, when the first plane is viewed in plan, the polishing pad, the cleaning pad, the drying unit, and the imaging device are arranged on a predetermined path along which the polishing object repeatedly moves. They are arranged in order.
このような本実施形態の研磨装置によれば、研磨対象が所定の経路を1サイクル分移動する度に、研磨パッドにより研磨対象を所定量研磨し、次いで、クリーニングパッドにより研磨対象面を洗浄し、次いで、乾燥部により研磨対象面を乾燥し、次いで、撮像装置により研磨対象面を撮像することができる。このため、本実施形態の研磨装置によれば、研磨対象が1サイクル分研磨されるごとに、研磨対象面の状態を確認することができる。そして、1サイクルで研磨される量(1サイクルでの研磨時間)を適当に調整することで、研磨対象面を研磨し過ぎる不都合を回避することができる。 According to the polishing apparatus of this embodiment, each time the polishing target moves along a predetermined path by one cycle, the polishing target is polished by a predetermined amount, and then the polishing target surface is cleaned by the cleaning pad. Then, the surface to be polished can be dried by the drying unit, and then the surface to be polished can be imaged by the imaging device. For this reason, according to the polishing apparatus of this embodiment, the state of the surface to be polished can be confirmed each time the object to be polished is polished for one cycle. Then, by appropriately adjusting the amount polished in one cycle (polishing time in one cycle), it is possible to avoid the disadvantage of excessively polishing the surface to be polished.
また、本実施形態の撮像装置によれば、研磨対象面を撮像する前に、研磨対象面はクリーニングパッドにより洗浄され、次いで、乾燥部により乾燥されている。このため、撮像時には、研磨対象面からスラリーや研磨クズ等が十分に除去されている。また、洗浄液等の液体も十分に除去されている。よって、異物を取り除いた状態で研磨対象面を撮像することができ、撮像画像の解析や観察の精度が向上する。 Moreover, according to the imaging device of this embodiment, before imaging a surface to be polished, the surface to be polished is cleaned with a cleaning pad and then dried by a drying unit. For this reason, during imaging, slurry, polishing debris, and the like are sufficiently removed from the surface to be polished. Further, the liquid such as the cleaning liquid is sufficiently removed. Therefore, the surface to be polished can be imaged with the foreign matter removed, and the accuracy of analysis and observation of the captured image is improved.
ここで、研磨対象面内における研磨量のバラつきを抑制するためには、保持部に保持された研磨対象の研磨対象面と、研磨パッドの研磨パッド面とを平行に保つ必要がある。研磨対象面が研磨パッド面と平行でないと、研磨対象面内における研磨パッド面との距離が近い箇所の研磨は進み、研磨パッド面との距離が遠い箇所の研磨は遅れてしまう。 Here, in order to suppress variation in the amount of polishing in the surface to be polished, it is necessary to keep the surface to be polished held by the holding portion parallel to the surface of the polishing pad. If the surface to be polished is not parallel to the surface of the polishing pad, polishing at a location close to the polishing pad surface within the surface to be polished proceeds and polishing at a location far from the surface of the polishing pad is delayed.
図11を用いて説明した手段の場合、上述の通り、研磨対象4を保持した保持部3を装置から取り外し、再び取り付ける作業を繰り返し行う必要がある。このような作業を繰り返し何度も行えば行うほど、研磨対象の研磨対象面と、研磨パッドの研磨パッド面とを平行度が損なわれる可能性が高くなる。
In the case of the means described with reference to FIG. 11, as described above, it is necessary to repeatedly perform the work of removing and reattaching the holding unit 3 holding the polishing
これに対し、本実施形態の撮像装置によれば、保持部の保持面を所定の平面(第2の平面)内に存在させた状態のまま、研磨対象面の研磨、洗浄、乾燥、及び、撮像を行うことができる。このため、保持部を研磨装置に取り付ける際に、保持部の保持面が研磨パッドの研磨パッド面と平行になるように調整すれば、その後、当該平行な状態が大きく損なわれることなく、研磨対象面の研磨、洗浄、乾燥、及び、撮像を繰り返し行うことができる。よって、研磨対象面の洗浄、乾燥、及び、撮像等に起因して、研磨対象の研磨対象面と、研磨パッドの研磨パッド面との位置関係(平行度)がずれる不都合を軽減することができる。結果、研磨対象面内における研磨量のバラつきを抑制することができる。 On the other hand, according to the imaging apparatus of the present embodiment, the surface to be polished is polished, cleaned, dried, and the holding surface of the holding unit is in a predetermined plane (second plane), and Imaging can be performed. For this reason, when the holding unit is attached to the polishing apparatus, if the holding surface of the holding unit is adjusted to be parallel to the polishing pad surface of the polishing pad, then the parallel state is not greatly impaired, Surface polishing, cleaning, drying, and imaging can be repeated. Therefore, it is possible to reduce inconvenience that the positional relationship (parallelism) between the polishing target surface to be polished and the polishing pad surface of the polishing pad is shifted due to cleaning, drying, imaging, and the like of the polishing target surface. . As a result, variation in the polishing amount in the surface to be polished can be suppressed.
次に、本実施形態の研磨装置の具体例を説明する。以下説明する研磨装置はあくまで一例であり、本実施形態の研磨装置の構成はこれに限定されない。なお、上記説明と重なる部分は、適宜省略する。 Next, a specific example of the polishing apparatus of this embodiment will be described. The polishing apparatus described below is merely an example, and the configuration of the polishing apparatus of the present embodiment is not limited to this. In addition, the part which overlaps with the said description is abbreviate | omitted suitably.
図1に、本実施形態の研磨装置の全体模式図の一例を示す。図2に、本実施形態の研磨装置の上面模式図の一例を示す。図3に、図1に示す研磨装置の一部を抽出した図を示す。なお、各図において、その他の図に示す構成を一部省略している。 In FIG. 1, an example of the whole schematic diagram of the polisher of this embodiment is shown. FIG. 2 shows an example of a schematic top view of the polishing apparatus of the present embodiment. FIG. 3 shows a diagram in which a part of the polishing apparatus shown in FIG. 1 is extracted. In each figure, a part of the configuration shown in the other figures is omitted.
図1に示すように、本実施形態の研磨装置は、プラテン部70を有する。プラテン部70の形状は、中心部に空洞が存在するリング状である。図1においては、空洞の内部を観察できるよう、プラテン部70の断面図を示している。空洞は、プラテン部70の上面側から下面側まで貫通している。プラテン部70の上面側には、研磨パッド10及びクリーニングパッド20が設けられている。
As shown in FIG. 1, the polishing apparatus of this embodiment has a
プラテン部70は、回転駆動装置90から駆動力を受け、回転するようになっている。図1及び2に示す例の場合、回転駆動装置90はモータなどの駆動部を備えるとともに、当該駆動部の駆動力を受けて回転運動する回転軸を備える。当該回転軸は、ベルト機構を介してプラテン部70の軸部80と繋がり、回転運動の力をプラテン部70の軸部に伝達する。そして、プラテン部70は軸部80を介して回転駆動装置90から受けた力を利用して、回転運動を行う。
The
プラテン部70は、研磨パッド10の研磨パッド面(図2に示されている面)に垂直な回転軸であって、研磨パッド面を平面視した場合(図2参照)、プラテン部70が有する空洞に位置する回転軸(以下、「プラテン部回転軸」)を中心にして回転する。
The
研磨パッド10は、プラテン部70の上面側に位置する。研磨パッド10の平面形状は、図2に示すように、中心部に第1の空洞が存在するリング状である。プラテン部70が回転すると、研磨パッド10も回転する。研磨パッド10は、プラテン部回転軸を中心にして回転する。
The
図2に示すように、研磨パッド10の研磨パッド面(図2に示されている面)を平面視した場合、第1の空洞内に、プラテン部回転軸(第1の回転軸)から研磨パッド面に向かって、撮像装置60、乾燥部50、及び、クリーニングパッド20がこの順に並んで配置されている。
As shown in FIG. 2, when the polishing pad surface (the surface shown in FIG. 2) of the
クリーニングパッド20は、プラテン部70の上面側に位置する。クリーニングパッド20の平面形状は、図2に示すように、中心部に第2の空洞が存在するリング状である。プラテン部70が回転すると、クリーニングパッド20も回転する。クリーニングパッド20は、プラテン部回転軸を中心にして回転する。
The
図2に示すように、クリーニングパッド20のクリーニングパッド面(図2に示されている面)を平面視した場合、第2の空洞内に、プラテン部回転軸(第2の回転軸)からクリーニングパッド面に向かって、撮像装置60、及び、乾燥部50がこの順に並んで配置されている。
As shown in FIG. 2, when the cleaning pad surface (the surface shown in FIG. 2) of the
なお、研磨パッド10の研磨パッド面とクリーニングパッド20のクリーニングパッド面は、同一平面上に存在する。
The polishing pad surface of the
図2に示すように、研磨装置は、研磨パッド10の研磨面にスラリー等の研磨液を供給する研磨液供給機構11を有する。また、研磨装置は、クリーニングパッド20のクリーニングパッド面に洗浄液(例:純水)を供給する洗浄液供給機構21を有する。
As shown in FIG. 2, the polishing apparatus includes a polishing
そして、プラテン部70は、研磨パッド10とクリーニングパッド20の間に、液体を排出する排出溝(図示せず)を有する。クリーニングパッド20のクリーニングパッド面上に供給された洗浄液は、プラテン部70の回転運動に起因した遠心力により、外周方向、すなわち、研磨パッド10の方向に移動する。しかし、洗浄液は、研磨パッド10上に到達する前に、その手前に位置する排出溝内に入る。排出溝は、排出経路15(図1参照)と繋がっており、排出溝に入った洗浄液は、排出経路15を介して外部に排出される。なお、図1では、排出経路15の出口をプラテン部70の側面部に設けているが、これはあくまで一例である。
The
プラテン部70の中心部の空洞には、乾燥部50、及び、撮像装置60が位置する。乾燥部50及び撮像装置60は、プラテン部70の回転運動の力を受けない。すなわち、プラテン部70が回転しても、乾燥部50及び撮像装置60は回転しない。例えば、プラテン部70は、乾燥部50、撮像装置60、及び、これらを支える土台部と非接触である。
In the central cavity of the
図2に示すように、撮像装置60は、例えば、平面視でプラテン部回転軸と重なる位置に配置される。乾燥部50は、撮像装置60の周囲を取り囲むように配置される。なお、図2においては、模式的に、乾燥部50が配置される領域のみを示している。
As illustrated in FIG. 2, the
保持部30は、研磨対象40を保持した状態のまま、平面視(図2参照)で、撮像装置60上と、研磨パッド10の研磨パッド面上の任意の位置とを結ぶ直線上を繰り返し往復移動する。当該往復移動は、研磨パッド10の研磨パッド面、及び、クリーニングパッド20のクリーニングパッド面と平行な移動である。また、保持部30は、このような往復移動を行いながら、自転できるように構成されている。
The holding
当該研磨装置によれば、図3に示すように、研磨対象40を保持した保持部30が研磨パッド10の研磨パッド面上の任意の位置から撮像装置60上に移動する間に、研磨対象40に対して次の処理が行われる。まず、研磨パッド10が研磨対象40の研磨対象面と当接して研磨対象面を研磨する。その後、クリーニングパッド20が研磨対象面と当接して研磨対象面を洗浄し、その後、乾燥部50が研磨対象面にエアーを吹き付けて乾燥させる。その後、撮像装置60が研磨対象面を撮像する。そして、研磨対象が往復移動を繰り返し行っている間、研磨パッド10、クリーニングパッド20、乾燥部50、及び、撮像装置60による当該処理は繰り返し行われる。
According to the polishing apparatus, as shown in FIG. 3, while the holding
研磨、洗浄、乾燥、及び、撮像各々の処理時間は設計的事項であるが、例えば、研磨:10秒程度、洗浄:2秒程度、乾燥:1秒程度、撮像:2秒程度で設計することができる。研磨パッド10、クリーニングパッド20の平面形状の大きさ、乾燥部50を配置した領域の大きさ、及び、保持部30の移動速度を調整することで、所望の処理時間を実現することができる。
The processing time of each of polishing, cleaning, drying, and imaging is a design matter. For example, polishing: about 10 seconds, cleaning: about 2 seconds, drying: about 1 second, imaging: about 2 seconds Can do. By adjusting the size of the planar shape of the
なお、撮像装置60が研磨対象40の研磨対象面を撮像する時には、保持部30の自転をストップさせるのが好ましい。プラテン部70の回転はストップさせてもよいし、ストップさせなくてもよいが、処理効率を考えると、ストップさせずに回転させ続けておくのが好ましい。
In addition, when the
次に、図4に、図1に示すデータ処理装置100の機能ブロック図の一例を示す。図示するように、データ処理装置100は、撮像データ取得部101と、比較データ保持部102と、ストップタイミング判断部103と、研磨制御部104とを有する。
Next, FIG. 4 shows an example of a functional block diagram of the
撮像データ取得部101は、有線又は無線で撮像装置60と通信可能に構成されている。そして、撮像データ取得部101は、撮像装置60が撮像した撮像データ(研磨対象40の研磨対象面を撮像した画像:以下、「撮像画像」)を、リアルタイムに取得する。
The imaging
比較データ保持部102は、撮像画像をパターンマッチングするための比較データを保持する。比較データは、例えば、研磨対象40に対して所定の研磨を完了した時点で研磨対象面に露出するパターン(以下、「対象パターン」)の特徴を示すデータある。対象パターンは、例えば、配線パターンやビアパターン等である。
The comparison
ストップタイミング判断部103は、撮像データ取得部101が取得した撮像データ、及び、比較データ保持部102が保持する比較データを利用して、撮像画像をパターンマッチングし、研磨対象面に対象パターンが現れているか否かを判断する。
The stop
ストップタイミング判断部103は、研磨対象面に対象パターンが現れていると判断した場合、研磨対象40への研磨をストップするよう決定する。そして、その旨を示す情報(信号)を、研磨制御部104に送信する。
When it is determined that the target pattern appears on the surface to be polished, the stop
一方、研磨対象面に対象パターンが現れていないと判断した場合、ストップタイミング判断部103は、研磨対象40への研磨を継続するよう決定する。継続する場合、保持部30は第1の平面内での繰り返し移動を継続する。そして、保持部30に保持された研磨対象40に対する研磨、洗浄、乾燥、及び、撮像処理が継続される。
On the other hand, when it is determined that the target pattern does not appear on the polishing target surface, the stop
なお、ストップタイミング判断部103による当該処理は、撮像データ取得部101が撮像データを取得すると、リアルタイムに実行される。
Note that the processing by the stop
研磨制御部104は、ストップタイミング判断部103が判断したタイミングに従い、研磨対象40の研磨対象面に対する研磨をストップさせる。すなわち、研磨制御部104は、ストップタイミング判断部103から研磨対象40への研磨をストップする旨を示す情報(信号)を受信すると、リアルタイムに、研磨対象40の研磨対象面に対する研磨をストップさせる処理を実行する。
The polishing
研磨対象40の研磨対象面に対する研磨をストップさせる処理は特段制限されないが、例えば、以下のような構成が考えられる。
The process for stopping the polishing of the polishing target surface of the polishing
研磨制御部104と保持部30とが、有線又は無線で通信できるように構成しておく。そして、研磨制御部104は、研磨をストップさせる処理として、保持部30に研磨をストップする命令を送信する。すると、保持部30は、研磨制御部104からの命令に従い、第1の平面から離れる、すなわち、研磨パッド10、及び、クリーニングパッド20と当接しない位置に移動する。このような保持部30の構成は従来技術に準じて実現できる。
The polishing
その他、以下のような例が考えられる。研磨制御部104と回転駆動装置90とが、有線又は無線で通信できるように構成しておく。そして、研磨制御部104は、研磨をストップさせる処理として、回転駆動装置90に研磨をストップする命令を送信する。すると、回転駆動装置90は、研磨制御部104からの命令に従い、駆動部を停止する。
In addition, the following examples can be considered. The polishing
以上説明した本実施形態の研磨装置によれば、上述した作用効果に加えて、さらに、研磨対象40に対する所定の研磨を完了した時点で、自動的に研磨をストップさせることができる。このため、作業者の手間を省くことができ、研磨処理の効率をより向上させることができる。また、コンピュータが研磨ストップタイミングを判断するので、人間が判断する場合に比べて、複数の研磨対象40間における研磨量のばらつきを小さくすることができ、結果、複数の研磨対象40間の品質のブレを軽減することができる。
According to the polishing apparatus of the present embodiment described above, in addition to the above-described effects, the polishing can be automatically stopped when a predetermined polishing for the polishing
<第2の実施形態>
本実施形態の研磨装置は、データ処理装置100の構成が第1の実施形態と異なる。その他の構成は第1の実施形態と同様であるので、説明を省略する。
<Second Embodiment>
The polishing apparatus of the present embodiment is different from the first embodiment in the configuration of the
図5に、データ処理装置100の機能ブロック図の一例を示す。図示するように、データ処理装置100は、撮像データ取得部101と、研磨制御部104と、撮像画像表示部105と、ストップ入力受付部106と、を有する。
FIG. 5 shows an example of a functional block diagram of the
撮像データ取得部101の構成は第1の実施形態と同様である。よって、ここでの説明は省略する。
The configuration of the imaging
撮像画像表示部105は、撮像データ取得部101が取得した撮像データを利用し、撮像装置60が撮像した撮像画像をディスプレイに表示する。なお、撮像画像表示部105は、撮像データ取得部101が撮像データを取得すると、リアルタイムに当該表示処理を実行する。そして、撮像画像表示部105は、1つの画像を表示中に撮像データ取得部101が新たな撮像データを取得すると、当該撮像データを利用して、表示する撮像画像を新たな撮像画像に変更(更新)することができる。なお、撮像画像表示部105は、撮像データ取得部101が取得した複数の撮像データを利用し、撮像データ取得部101が取得した順番を把握できるように時系列に複数の撮像画像を一覧表示してもよい。
The captured
ストップ入力受付部106は、ユーザ(作業者等)から研磨対象への研磨をストップする入力を受付ける。ストップ入力受付部106がユーザから入力を受付ける手段は特段制限されず、マイク、マウス、タッチパネルディスプレイ、キーボード、操作ボタン等のあらゆる入力装置を利用することができる。
The stop
例えば、ユーザは、撮像画像表示部105が表示する撮像画像をモニターしておく。すなわち、ユーザは、研磨対象40の研磨対象面の変化をリアタイムにモニターしておく。そして、研磨対象面に対象パターン(第1の実施形態で説明した対象パターンと同じ概念)が現れると、研磨対象40に対する研磨をストップする入力を行う。
For example, the user monitors a captured image displayed by the captured
研磨制御部104は、ストップ入力受付部106が研磨をストップする入力を受付けると、それをトリガに、研磨対象40の研磨対象面に対する研磨をストップさせる処理を実行し、研磨をストップさせる。研磨対象40の研磨対象面に対する研磨をストップさせる処理は第1の実施形態で説明したとおりであるので、ここでの説明は省略する。
When the stop
本実施形態によれば、第1の実施形態と同様の作用効果を実現できる。 According to the present embodiment, it is possible to achieve the same operational effects as the first embodiment.
なお、本実施形態では、ユーザが研磨対象40の研磨対象面の変化をモニターしておき、研磨をストップする入力を行う。このため、第1の実施形態に比べてユーザの手間は多くなる。しかし、コンピュータでは検知できない予期せぬ不都合が生じた場合であっても、人間が観察することで、当該不都合を即座に検出することが可能となる。
In the present embodiment, the user monitors the change of the polishing target surface of the polishing
<第3の実施形態>
本実施形態の研磨装置は、保持部30の構成が第1の実施形態及び第2の実施形態と異なる。その他の構成は、第1の実施形態又は第2の実施形態と同様であるので、ここでの説明は省略する。
<Third Embodiment>
The polishing apparatus according to this embodiment is different from the first and second embodiments in the configuration of the holding
図6に、本実施形態の研磨装置の上面図の一例を示す。なお、図6において、研磨液供給機構11、洗浄液供給機構21、回転駆動装置90、及び、データ処理装置100は省略している。
FIG. 6 shows an example of a top view of the polishing apparatus of the present embodiment. In FIG. 6, the polishing
図6に示すように、本実施形態の研磨装置は、複数の保持部30を有する。図では、研磨装置は4つの保持部30を有するが、当該数に限定されない。
As shown in FIG. 6, the polishing apparatus according to the present embodiment includes a plurality of holding
研磨装置を平面視した場合(図6に示す状態)、複数の保持部30各々は、撮像装置60上と、研磨パッド10の研磨パッド面上とを結ぶ直線上を、繰り返し往復移動している。複数の保持部30各々が移動する経路は互いに異なる。複数の保持部30各々が移動する経路は、撮像装置60上で重なるが、往復移動の他端側の位置(研磨パッド面上の位置)は互いに異なる。複数の保持部30の経路は互いに交錯しない。
When the polishing apparatus is viewed in plan (the state shown in FIG. 6), each of the plurality of holding
そして、複数の保持部30は、撮像装置60上に戻ってくるタイミングが互いに異なるように(撮像装置60上に戻ってくるタイミングずれるように)、往復移動している。
The plurality of holding
なお、図示しないが、保持部30の第1の平面内で所定の経路が円軌道や楕円軌道等、リング状の軌道である場合、複数の保持部30は、同じ経路を並んで移動してもよい。当然、複数の保持部30の移動スピード及び移動向きは同じであり、複数の保持部30の互いの間隔は一定に保たれるように調整される。
Although not shown, when the predetermined path is a ring-shaped orbit such as a circular or elliptical orbit in the first plane of the holding
本実施形態の場合、撮像装置60は、複数の研磨対象40の研磨対象面を順次、繰り返し撮像することとなる。すなわち、図6に示すように保持部30が4つ存在する場合、撮像装置60は、第1の保持部30に保持された研磨対象40を撮像後、第2の保持部30に保持された研磨対象40を撮像し、その後、第3の保持部30に保持された研磨対象40を撮像し、その後、第4の保持部30に保持された研磨対象40を撮像する。その後、撮像装置60は、再び、第1の保持部30に保持された研磨対象40を撮像し、上記撮像を繰り返す。
In the case of this embodiment, the
本実施形態のデータ処理装置100は、このような複数の研磨対象40各々の撮像画像を識別し、所定の処理を実行するよう構成してもよい。
The
例えば、本実施形態において、データ処理装置100を図4に示す構成とする場合、ストップタイミング判断部103は、以下のような処理を行ってもよい。まず、ストップタイミング判断部103は、M個の保持部30に保持されたM個の研磨対象40を順に撮像して得られた撮像データを、撮像データ取得部101が取得した順にM個のグループに振り分ける。そして、グループごとに、研磨対象40の研磨対象面に対象パターンが現れているか否かを判断してもよい。そして、少なくとも1つのグループにおいて研磨対象40の研磨対象面に対象パターンが現れた場合、または、全てのグループにおいて研磨対象40の研磨対象面に対象パターンが現れた場合に、研磨をストップするよう決定してもよい。
For example, in the present embodiment, when the
その他、本実施形態において、データ処理装置100を図5に示す構成とする場合、撮像画像表示部105は、M個の保持部30に保持されたM個の研磨対象40を順に撮像して得られた撮像データを、撮像データ取得部101が取得した順にM個のグループに振り分け、各グループを識別できるように撮像画像を表示してもよい。例えば、M個のグループの最新の撮像画像を画面に一覧表示してもよい。
In addition, in the present embodiment, when the
本実施形態によれば、第1の実施形態及び第2の実施形態と同様の作用効果を実現することができる。また、本実施形態によれば、複数の研磨対象40への研磨を並行して行うことができるので、処理効率がよくなる。
According to the present embodiment, it is possible to achieve the same effects as the first embodiment and the second embodiment. Moreover, according to this embodiment, since the grinding | polishing to the some grinding | polishing
<第4の実施形態>
本実施形態の研磨装置は、保持部30、撮像装置60、及び、データ処理装置100の構成が第1の実施形態乃至第3の実施形態と異なる。その他の構成は、第1の実施形態、第2の実施形態、又は、第3の実施形態と同様であるので、ここでの説明は省略する。
<Fourth Embodiment>
The polishing apparatus of the present embodiment is different from the first to third embodiments in the configurations of the holding
図7に、データ処理装置100の機能ブロック図の一例を示す。図示するように、データ処理装置100は、撮像データ取得部101と、比較データ保持部102と、ストップタイミング判断部103と、研磨制御部104と、研磨状態判断部107と、保持面制御部108とを有する。なお、比較データ保持部102及びストップタイミング判断部103を有する代わりに、撮像画像表示部105及びストップ入力受付部106を備えることもできる。
FIG. 7 shows an example of a functional block diagram of the
撮像データ取得部101、比較データ保持部102、ストップタイミング判断部103、研磨制御部104、撮像画像表示部105、及び、ストップ入力受付部106の構成は、第1の実施形態乃至第3の実施形態と同様であるので、ここでの説明は省略する。
The configurations of the imaging
研磨状態判断部107は、撮像データ取得部101が取得した撮像データ(撮像装置60により撮像された撮像画像のデータ)を利用して、研磨対象40の研磨対象面内において研磨状態(研磨量)にばらつきが存在するか否かを判断する。すなわち、研磨対象面内におけるある箇所が、他の箇所に比べて研磨が進んでいる、遅れているなどのばらつきが存在するか否かを判断する。以下、研磨状態(研磨量)にばらつきが存在するか否かを判断する処理の一例を説明する。
The polishing
ここでは、複数層で構成された半導体装置の不良解析時に、所望の層(絶縁層に配線を埋め込んだ配線層、絶縁層にビアを埋め込んだビア層等)を露出させるため、当該所望の層の上層に位置する1つ又は複数の層をCMPで除去する研磨を行う場合を例に説明する。 Here, a desired layer (a wiring layer in which wiring is embedded in an insulating layer, a via layer in which vias are embedded in an insulating layer, or the like) is exposed during failure analysis of a semiconductor device including a plurality of layers. An example in which polishing is performed to remove one or a plurality of layers positioned in an upper layer by CMP will be described.
例えば、保持部30の保持面側に、位置合わせマークを付しておく。当該位置合わせマークは、撮像装置60が研磨対象40の研磨対象面を撮像した際に撮像画像内に写りこむ位置に設けられる。撮像データ取得部101が時系列に複数の撮像データを取得すると、研磨状態判断部107は、撮像データ取得部101が1つの撮像データを取得するたびに、撮像画像に写りこんでいる位置合わせマークを利用して研磨対象面上の所定の位置に複数の観測点を定める。複数の観測点は、例えば、研磨対象面の外周沿いに所定の間隔で定めることができる。なお、複数の観測点各々は、位置合わせマークからの相対的な位置関係を利用して、互いに識別される。
For example, an alignment mark is attached to the holding surface side of the holding
そして、研磨状態判断部107は、各観測点における研磨状態をモニターする。具体的には、研磨状態判断部107は、時系列に取得される複数の撮像データを順に観察することで、各観測点に露出している層が何層目の層であるかを特定する。例えば、研磨状態判断部107は、各観測点における色が所定量変化すると、層が変わったと判断してもよい。または、あらかじめ、各観測点の観察場所の各層のパターン(局所的なパターン)を入手しておき、パターン形状から現在露出している層を判断しても良い。パターン情報はレイアウトデータから得られるビアや配線のパターン情報でも良いし、別サンプルであらかじめ各層の研磨後の状態を観察しデータとして比較し、同じ状態を認識した時に層を判断しても良い。
Then, the polishing
そして、研磨状態判断部107は、複数の観測点間において、露出している層にずれがある場合、研磨状態(研磨量)にばらつきが存在すると判断する。例えば、研磨状態判断部107は、ある観測点において露出している層が1層目の層であり、他の観測点において露出している層が、1層目の層を除去すると露出する2層目の層である場合、前者の観測点における研磨量は、後者の観測点における研磨量に比べて少ないと判断することができる。
Then, the polishing
保持面制御部108は、研磨状態判断部107の判断に従い、保持部30の保持面の傾きを変更する。
The holding
研磨対象40の研磨対象面内における研磨量のばらつきは、保持部30の保持面と、研磨パッド10の研磨パッド面とが平行でない場合に生じうる。かかる場合、研磨対象40の研磨対象面における研磨パッド面までの距離が小さい箇所の研磨量が多くなり、研磨パッド面までの距離が大きい箇所の研磨量は少なくなる。
The variation of the polishing amount in the polishing target surface of the polishing
そこで、保持面制御部108は、研磨量が多い箇所(研磨が進んでいる箇所)が研磨パッド面から離れ、一方、研磨量が少ない箇所(研磨が遅れている箇所)が研磨パッド面に近づくように、保持部30の保持面の傾きを変更する。保持面制御部108は、保持部30の保持面側に設けられた位置合わせマークを利用して、研磨パッド面に近づける保持面上の位置、及び、研磨パッド面から遠ざける保持面上の位置を特定することができる。
Therefore, the holding
保持部30は、研磨対象40を保持する保持面の傾きをコンピュータ制御により変更可能に構成されている。保持面の傾きを変更する手段は特段制限されないが、以下、一例を説明する。
The holding
図8に、本実施形態の保持部30の側面模式図の一例を示す。図示する保持部30は、研磨対象40を保持している。そして、データ処理装置100と通信可能になっている。
In FIG. 8, an example of the side surface schematic diagram of the holding |
保持部30は、保持面と垂直な方向に積層された複数の支持層33及び34と、複数の支持層33及び34を互いに接合するとともに、締め具合をコンピュータ制御により個別に変更可能に構成されている複数の調整ねじ31及び32とを有する。そして、保持面制御部108は、複数の調整ねじ31及び32の締め具合を個別に変更することで、保持部30の保持面の傾きを変更する。なお、支持層の数、及び、調整ねじの数は設計的事項である。
The holding
なお、本実施形態の撮像装置60は、保持部30が所定の経路を繰り返し移動している第1の平面と平行に移動できるよう構成されてもよい。そして、移動後の各位置で、研磨対象40の研磨対象面を撮像することできてもよい。
Note that the
例えば、図9に示すように、撮像装置60は図示するx方向及びy方向に移動可能な移動ステージ111上に配置されてもよい。移動ステージ111は、撮像位置制御装置110の制御に従い、x−y平面上を移動する。
For example, as illustrated in FIG. 9, the
このように構成すれば、研磨対象40の研磨対象面の外周部に焦点を合わせて、研磨対象面の外周部分をより高精度に撮像することができる。すなわち、保持面制御部108が設定する複数の観測点の状態を高精度に撮像することができる。結果、研磨対象面内における研磨量のばらつきを精度よく特定することが可能となる。
If comprised in this way, it can focus on the outer peripheral part of the grinding | polishing target surface of the grinding | polishing
本実施形態によれば、第1の実施形態乃至第3の実施形態と同様の作用効果を実現することができる。また、本実施形態によれば、研磨対象面内における研磨量のばらつきを低減することができる。 According to the present embodiment, it is possible to achieve the same operational effects as those of the first to third embodiments. Moreover, according to this embodiment, the dispersion | variation in the grinding | polishing amount in a grinding | polishing target surface can be reduced.
<第5の実施形態>
本実施形態の研磨装置は、研磨パッド10、クリーニングパッド20、乾燥部50、及び、撮像装置60の配置方法が、第1の実施形態乃至第4の実施形態と異なる。
<Fifth Embodiment>
The polishing apparatus of the present embodiment is different from the first to fourth embodiments in the arrangement method of the
図10に、本実施形態の研磨装置の全体模式図の一例を示す。なお、図10において、研磨液供給機構11、洗浄液供給機構21、回転駆動装置90、及び、データ処理装置100は省略している。以下、他の実施形態と異なる部分について説明する。
FIG. 10 shows an example of an overall schematic diagram of the polishing apparatus of the present embodiment. In FIG. 10, the polishing
本実施形態のプラテン部70は、第1の実施形態と異なり、中心部に空洞を有さない。プラテン部70の上面側に設けられた研磨パッド10の平面形状は例えば円形である。そして、プラテン部70の上面側に設けられたクリーニングパッド20の平面形状はリング状であり、研磨パッド10の外周を取り囲んでいる。乾燥部50及び撮像装置60は、プラテン部70から離れた位置に配置されている。
Unlike the first embodiment, the
本実施形態においても、研磨対象40を保持した保持部30は、撮像装置60上と、研磨パッド10の研磨パッド面上の任意の位置とを結ぶ直線上を繰り返し往復移動する。そして、第1の平面を平面視した場合、研磨対象40が繰り返し移動する所定の経路上に、研磨パッド10、クリーニングパッド20、乾燥部50、及び、撮像装置60がこの順に並んで配置されている。
Also in this embodiment, the holding
このため、本実施形態においても、保持部30に保持されて所定の経路を繰り返し移動している研磨対象40が所定の経路を1サイクル分移動する間に、以下のような処理が研磨対象40に対して行われる。まず、研磨パッド10の研磨パッド面が研磨対象40の研磨対象面と当接して研磨対象面を研磨する。その後、クリーニングパッド20のクリーニングパッド面が研磨対象面と当接して研磨対象面を洗浄し、その後、乾燥部50が研磨対象面を乾燥させる。その後、撮像装置60が研磨対象面を撮像する。このような処理が繰り返し行われる。
For this reason, also in the present embodiment, while the polishing
本実施形態によれば、第1の実施形態乃至第4の実施形態と同様の作用効果を実現することができる。 According to the present embodiment, it is possible to achieve the same operational effects as those of the first to fourth embodiments.
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。 As mentioned above, the invention made by the present inventor has been specifically described based on the embodiment. However, the present invention is not limited to the embodiment, and various modifications can be made without departing from the scope of the invention. Needless to say.
10 研磨パッド
11 研磨液供給機構
15 排出経路
20 クリーニングパッド
21 洗浄液供給機構
30 保持部
31 調整ねじ
32 調整ねじ
33 支持層
34 支持層
40 研磨対象
50 乾燥部
60 撮像装置
70 プラテン部
80 軸部
90 回転駆動装置
100 データ処理装置
101 撮像データ取得部
102 比較データ保持部
103 ストップタイミング判断部
104 研磨制御部
105 撮像画像表示部
106 ストップ入力受付部
107 研磨状態判断部
108 保持面制御部
110 撮像位置制御装置
111 移動ステージ
DESCRIPTION OF
Claims (16)
前記保持部に保持されて前記所定の経路を繰り返し移動している前記研磨対象の研磨対象面を研磨する研磨パッドと、
前記保持部に保持されて前記所定の経路を繰り返し移動している前記研磨対象の前記研磨対象面を洗浄するクリーニングパッドと、
前記保持部に保持されて前記所定の経路を繰り返し移動している前記研磨対象の前記研磨対象面を乾燥させる乾燥部と、
前記保持部に保持されて前記所定の経路を繰り返し移動している前記研磨対象の前記研磨対象面を撮像する撮像装置と、
を有し、
前記保持部に保持された前記研磨対象が前記所定の経路を1サイクル分移動する間に、前記研磨パッドが前記研磨対象の前記研磨対象面を研磨し、その後、前記クリーニングパッドが前記研磨対象面を洗浄し、その後、前記乾燥部が前記研磨対象面を乾燥させ、その後、前記撮像装置が前記研磨対象面を撮像する研磨装置。 A holding unit that holds an object to be polished and repeatedly moves along a predetermined path in the first plane;
A polishing pad that polishes the polishing target surface of the polishing target that is held by the holding unit and repeatedly moves along the predetermined path;
A cleaning pad for cleaning the polishing target surface of the polishing target that is held by the holding unit and repeatedly moves along the predetermined path;
A drying unit that dries the polishing target surface of the polishing target that is held by the holding unit and repeatedly moves along the predetermined path;
An imaging device that images the polishing target surface of the polishing target that is held by the holding unit and repeatedly moves along the predetermined path;
Have
The polishing pad polishes the polishing target surface of the polishing target while the polishing target held by the holding unit moves on the predetermined path by one cycle, and then the cleaning pad cleans the polishing target surface. A polishing apparatus in which the drying unit dries the surface to be polished, and then the imaging device images the surface to be polished.
前記第1の平面を平面視した場合、前記所定の経路上に、前記研磨パッド、前記クリーニングパッド、前記乾燥部、及び、前記撮像装置がこの順に並んで配置されている研磨装置。 The polishing apparatus according to claim 1, wherein
A polishing apparatus in which the polishing pad, the cleaning pad, the drying unit, and the imaging device are arranged in this order on the predetermined path when the first plane is viewed in plan.
前記研磨パッドは、前記保持部に保持されて前記所定の経路を繰り返し移動している前記研磨対象の前記研磨対象面と当接して、前記研磨対象面を研磨する研磨パッド面を有し、
前記クリーニングパッドは、前記保持部に保持されて前記所定の経路を繰り返し移動している前記研磨対象の前記研磨対象面と当接して、前記研磨対象面をクリーニングするクリーニングパッド面を有し、
前記研磨パッド面と前記クリーニングパッド面は、同一平面上に存在する研磨装置。 The polishing apparatus according to claim 1, wherein
The polishing pad has a polishing pad surface that contacts the polishing target surface of the polishing target that is held by the holding portion and repeatedly moves along the predetermined path, and polishes the polishing target surface.
The cleaning pad has a cleaning pad surface that cleans the polishing target surface in contact with the polishing target surface of the polishing target that is held by the holding unit and repeatedly moves along the predetermined path;
The polishing apparatus wherein the polishing pad surface and the cleaning pad surface are on the same plane.
前記研磨パッド面と前記クリーニングパッド面の間には、液体を排出する排出溝が存在する研磨装置。 The polishing apparatus according to claim 3, wherein
A polishing apparatus in which a discharge groove for discharging a liquid exists between the polishing pad surface and the cleaning pad surface.
前記乾燥部は、前記保持部に保持されて前記所定の経路を繰り返し移動している前記研磨対象の前記研磨対象面にエアーを吹き付けるよう構成されている研磨装置。 The polishing apparatus according to claim 1, wherein
The said drying part is a grinding | polishing apparatus comprised so that air may be sprayed on the said grinding | polishing target surface of the said grinding | polishing target currently hold | maintained at the said holding | maintenance part and is moving the said predetermined path | route repeatedly.
前記研磨パッドは、前記保持部に保持されて前記所定の経路を繰り返し移動している前記研磨対象の前記研磨対象面と当接して、前記研磨対象面を研磨する研磨パッド面を有し、
前記研磨パッド面の平面形状は、中心部に第1の空洞が存在するリング状であり、
前記研磨パッドは、前記研磨パッド面に垂直な回転軸であって、前記研磨パッド面を平面視した場合に前記第1の空洞内に位置する第1の回転軸を中心にして回転可能に構成されており、
前記研磨パッド面を平面視した場合、前記第1の空洞内に、前記第1の回転軸から前記研磨パッド面に向かって、前記撮像装置、前記乾燥部、及び、前記クリーニングパッドがこの順に並んで配置されている研磨装置。 The polishing apparatus according to claim 1, wherein
The polishing pad has a polishing pad surface that contacts the polishing target surface of the polishing target that is held by the holding portion and repeatedly moves along the predetermined path, and polishes the polishing target surface.
The planar shape of the polishing pad surface is a ring shape in which a first cavity is present at the center,
The polishing pad has a rotation axis perpendicular to the polishing pad surface, and is configured to be rotatable around a first rotation axis located in the first cavity when the polishing pad surface is viewed in plan. Has been
When the polishing pad surface is viewed in plan, the imaging device, the drying unit, and the cleaning pad are arranged in this order in the first cavity from the first rotating shaft toward the polishing pad surface. Polishing device arranged in.
前記クリーニングパッドは、前記保持部に保持されて前記所定の経路を繰り返し移動している前記研磨対象の前記研磨対象面と当接して、前記研磨対象面をクリーニングするクリーニングパッド面を有し、
前記クリーニングパッド面の平面形状は中心部に第2の空洞が存在するリング状であり、
前記クリーニングパッドは、前記クリーニングパッド面に垂直な回転軸であって、前記クリーニングパッド面を平面視した場合に前記第2の空洞内に位置する第2の回転軸を中心にして回転可能に構成されており、
前記クリーニングパッド面を平面視した場合、前記第2の空洞内に、前記第2の回転軸から前記クリーニングパッド面に向かって、前記撮像装置、及び、前記乾燥部がこの順に並んで配置されている研磨装置。 The polishing apparatus according to claim 6, wherein
The cleaning pad has a cleaning pad surface that cleans the polishing target surface in contact with the polishing target surface of the polishing target that is held by the holding unit and repeatedly moves along the predetermined path;
The planar shape of the cleaning pad surface is a ring shape having a second cavity in the center,
The cleaning pad has a rotation axis perpendicular to the cleaning pad surface, and is configured to be rotatable around a second rotation axis located in the second cavity when the cleaning pad surface is viewed in plan view. Has been
When the cleaning pad surface is viewed in plan, the imaging device and the drying unit are arranged in this order in the second cavity from the second rotating shaft toward the cleaning pad surface. Polishing equipment.
前記第1の平面を平面視した場合、前記保持部は、前記撮像装置上と、前記研磨パッド面上の任意の位置とを結ぶ直線上を往復移動している研磨装置。 The polishing apparatus according to claim 6 or 7,
When the first plane is viewed in plan, the holding unit reciprocates on a straight line connecting the imaging device and an arbitrary position on the polishing pad surface.
前記保持部は複数存在し、
前記第1の平面を平面視した場合、前記複数の保持部各々は、前記撮像装置上と、前記研磨パッド面上の互いに異なる位置とを結ぶ直線上を往復移動している研磨装置。 The polishing apparatus according to claim 8, wherein
There are a plurality of the holding parts,
When the first plane is viewed in plan, each of the plurality of holding units is reciprocatingly moved on a straight line connecting the imaging device and different positions on the polishing pad surface.
前記第1の平面を平面視した場合、前記複数の保持部は、前記撮像装置上に戻ってくるタイミングが互いに異なるように往復移動している研磨装置。 The polishing apparatus according to claim 9, wherein
When the first plane is viewed in plan, the plurality of holding units are reciprocatingly moved so that the timing of returning to the imaging device is different from each other.
前記撮像装置が撮像した撮像画像を利用して、前記研磨対象への研磨をストップするタイミングを判断するストップタイミング判断部と、
前記ストップタイミング判断部が判断したタイミングに従い、前記研磨対象の前記研磨対象面に対する研磨をストップさせる研磨制御部と、
をさらに有する研磨装置。 The polishing apparatus according to claim 1, wherein
Using a captured image captured by the imaging device, a stop timing determination unit that determines a timing to stop polishing on the polishing target;
In accordance with the timing determined by the stop timing determination unit, a polishing control unit that stops polishing the polishing target surface of the polishing target;
A polishing apparatus further comprising:
前記撮像装置が撮像した撮像画像をディスプレイに表示する撮像画像表示部と
ユーザから前記研磨対象への研磨をストップする入力を受付けるストップ入力受付部と、
前記ストップ入力受付部が研磨をストップする入力を受付けると、それをトリガに、前記研磨対象の前記研磨対象面に対する研磨をストップさせる研磨制御部と、
をさらに有する研磨装置。 The polishing apparatus according to claim 1, wherein
A captured image display unit that displays a captured image captured by the imaging device on a display; a stop input reception unit that receives an input to stop polishing from the user to the polishing target;
When the stop input receiving unit receives an input to stop polishing, a polishing control unit that uses the trigger as a trigger to stop polishing on the polishing target surface of the polishing target;
A polishing apparatus further comprising:
前記保持部は、前記研磨対象を保持する保持面の傾きをコンピュータ制御により変更可能に構成されており、
前記撮像装置が撮像した撮像画像を利用して、前記研磨対象面内において研磨状態にばらつきが存在するか判断する研磨状態判断部と、
前記研磨状態判断部の判断に従い、前記保持部の前記保持面の傾きを変更する保持面制御部と、
をさらに有する研磨装置。 The polishing apparatus according to claim 1, wherein
The holding unit is configured to be able to change the inclination of the holding surface holding the object to be polished by computer control,
Using a captured image captured by the imaging device, a polishing state determination unit that determines whether there is a variation in the polishing state in the surface to be polished,
A holding surface control unit that changes the inclination of the holding surface of the holding unit according to the determination of the polishing state determination unit;
A polishing apparatus further comprising:
前記保持部は、前記保持面と垂直な方向に積層された複数の支持層と、前記複数の支持層を互いに接合するとともに、締め具合をコンピュータ制御により個別に変更可能に構成されている複数の調整ねじとを有し、
前記保持面制御部は、前記複数の調整ねじの締め具合を変更することで、前記保持部の前記保持面の傾きを変更する研磨装置。 The polishing apparatus according to claim 13, wherein
The holding unit is configured to join a plurality of support layers stacked in a direction perpendicular to the holding surface and the plurality of support layers to each other, and a plurality of support layers can be individually changed by computer control. An adjustment screw,
The said holding surface control part is a grinding | polishing apparatus which changes the inclination of the said holding surface of the said holding part by changing the tightening degree of these adjustment screws.
前記撮像装置は、前記第1の平面と平行に移動可能であり、移動後の各位置で、前記研磨対象の前記研磨対象面を撮像することができる研磨装置。 The polishing apparatus according to claim 13, wherein
The polishing apparatus is capable of moving in parallel with the first plane, and can image the polishing target surface of the polishing target at each position after the movement.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012114528A JP2013240846A (en) | 2012-05-18 | 2012-05-18 | Polishing device and manufacturing method of semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012114528A JP2013240846A (en) | 2012-05-18 | 2012-05-18 | Polishing device and manufacturing method of semiconductor device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013240846A true JP2013240846A (en) | 2013-12-05 |
Family
ID=49842259
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012114528A Pending JP2013240846A (en) | 2012-05-18 | 2012-05-18 | Polishing device and manufacturing method of semiconductor device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2013240846A (en) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104972387A (en) * | 2014-04-01 | 2015-10-14 | 福吉米株式会社 | Polishing method and holder |
KR20160126705A (en) * | 2015-04-24 | 2016-11-02 | (주) 진우테크 | Apparatus for wafer polishing |
WO2021112034A1 (en) * | 2019-12-03 | 2021-06-10 | 株式会社荏原製作所 | Polishing device and polishing method |
JP2021088021A (en) * | 2019-12-03 | 2021-06-10 | 株式会社荏原製作所 | Polishing device and polishing method |
JP7553917B2 (en) | 2020-11-13 | 2024-09-19 | 株式会社荏原製作所 | Polishing apparatus and polishing method |
-
2012
- 2012-05-18 JP JP2012114528A patent/JP2013240846A/en active Pending
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104972387A (en) * | 2014-04-01 | 2015-10-14 | 福吉米株式会社 | Polishing method and holder |
KR20160126705A (en) * | 2015-04-24 | 2016-11-02 | (주) 진우테크 | Apparatus for wafer polishing |
KR101677248B1 (en) * | 2015-04-24 | 2016-11-17 | (주) 진우테크 | Apparatus for wafer polishing |
WO2021112034A1 (en) * | 2019-12-03 | 2021-06-10 | 株式会社荏原製作所 | Polishing device and polishing method |
JP2021088021A (en) * | 2019-12-03 | 2021-06-10 | 株式会社荏原製作所 | Polishing device and polishing method |
CN114746214A (en) * | 2019-12-03 | 2022-07-12 | 株式会社荏原制作所 | Polishing apparatus and polishing method |
KR20220103736A (en) * | 2019-12-03 | 2022-07-22 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | Polishing device and polishing method |
US20230026751A1 (en) * | 2019-12-03 | 2023-01-26 | Ebara Corporation | Polishing apparatus and polishing method |
JP7468856B2 (en) | 2019-12-03 | 2024-04-16 | 株式会社荏原製作所 | Polishing apparatus and polishing method |
CN114746214B (en) * | 2019-12-03 | 2024-07-12 | 株式会社荏原制作所 | Polishing apparatus and polishing method |
KR102793516B1 (en) * | 2019-12-03 | 2025-04-11 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | Polishing device and polishing method |
JP7553917B2 (en) | 2020-11-13 | 2024-09-19 | 株式会社荏原製作所 | Polishing apparatus and polishing method |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102344807B1 (en) | A polishing machine and a polishing method for a substrate | |
JP2013240846A (en) | Polishing device and manufacturing method of semiconductor device | |
JP6541491B2 (en) | Falling determination method, falling determination device and discharge device | |
KR20190039171A (en) | Polishing system with annular platen or polishing pad | |
JP2007290111A (en) | Polishing method and polishing apparatus | |
JP7536039B2 (en) | SUBSTRATE CLEANING APPARATUS, POLISHING APPARATUS, BUFFING APPARATUS, SUBSTRATE CLEANING METHOD, SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, AND MACHINE LEARNING MACHINE | |
JP2018134710A5 (en) | ||
TW200531166A (en) | Polishing apparatus and substrate processing apparatus | |
KR20020077677A (en) | System and method for controlled polishing and planarization of semiconductor wafers | |
JP2018015890A (en) | Apparatus and method for polishing a surface of a substrate | |
TW200705563A (en) | Semiconductor wafer and process for producing a semiconductor wafer | |
JP2016058724A (en) | Processing module, processor, and processing method | |
JP2015035595A (en) | Polishing method and polishing device | |
JP2018190898A (en) | Cleaning apparatus, substrate processing apparatus, maintenance method of the cleaning apparatus, and program | |
JP2016025293A (en) | Substrate holding inspection method and substrate processing apparatus | |
KR20200023184A (en) | Substrate processing apparatus, substrate processing method, and storage medium storing program for causing computer to execute method for controlling substrate processing apparatus | |
JP6494367B2 (en) | Work processing equipment | |
JP2007255957A (en) | Inspection method of wafer chuck | |
KR102482181B1 (en) | Substrate polishing device and polishing method | |
US11534886B2 (en) | Polishing device, polishing head, polishing method, and method of manufacturing semiconductor device | |
JP2018114582A (en) | Polishing method | |
KR20160035977A (en) | Method for grinding workpiece | |
US20240353344A1 (en) | Film thickness measurement device, film thickness measurement method and substrate polishing device | |
JP2017147334A (en) | Device and method for cleaning backside of substrate | |
JP2003188125A (en) | Polishing apparatus |