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JP2013225711A - Wiring board with component incorporated therein - Google Patents

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JP2013225711A
JP2013225711A JP2013164081A JP2013164081A JP2013225711A JP 2013225711 A JP2013225711 A JP 2013225711A JP 2013164081 A JP2013164081 A JP 2013164081A JP 2013164081 A JP2013164081 A JP 2013164081A JP 2013225711 A JP2013225711 A JP 2013225711A
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JP
Japan
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insulating layer
wiring
wiring board
solder
layer
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JP2013164081A
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Japanese (ja)
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Kenji Sasaoka
賢司 笹岡
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Dai Nippon Printing Co Ltd
Original Assignee
Dai Nippon Printing Co Ltd
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a wiring board with a component incorporated therein which can be manufactured at low cost while maintaining soundness as a wiring board and electrical reliability in incorporating the component.SOLUTION: A wiring board with a component incorporated therein comprises a first insulating layer, a second insulating layer which is positioned while being laminated thereon, an electric/electronic component buried in the second insulating layer and including two or more terminals, and a plurality of lands for mounting the electric/electronic component. A plane figure comprised of substantial planar spreading of the plurality of lands is a 180° point-symmetric graphic. The wiring board further comprises a wiring pattern which is provided while being held between and in contact with the first and second insulating layers, and formed from copper up to a top layer, a solder which electrically and mechanically connects the plurality of lands and the terminals of the electric/electronic component, and a resin pattern which is provided on the wiring pattern to partition a first region which is located on the lands and with which the solder is contacted, and a second region which is located on the wiring pattern extending from the first region and with which the solder is not contacted.

Description

本発明は、絶縁板中に部品が埋設、実装された部品内蔵配線板に係り、特に、部品の実装信頼性向上に好適な部品内蔵配線板に関する。   The present invention relates to a component built-in wiring board in which components are embedded and mounted in an insulating plate, and more particularly to a component built-in wiring board suitable for improving the mounting reliability of components.

電気/電子部品が内蔵された配線板構造の例として下記特開2003-197849号公報記載のものがある。この構造では、内蔵部品ははんだを用いて内層の配線層に実装、接続されている。はんだは、部品実装のために用いられるごく一般的な部材であり、これを用いる実装基板の製造工程および装置において多くの技術蓄積が存在している。   An example of a wiring board structure in which electric / electronic components are built is described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2003-197849. In this structure, the built-in components are mounted and connected to the inner wiring layer using solder. Solder is a very common member used for component mounting, and a lot of technical accumulation exists in the manufacturing process and apparatus of a mounting board using the solder.

ただし、一般的な実装基板と異なり、部品が内蔵される配線板構造では、配線板として構造的な信頼性確保、および内蔵部品の電気的接続の信頼性確保のため一般とは別の考慮が必要である。例えば、内蔵部品の端子に連続して形状の整ったフィレットをいかに形成するのかという点がある。配線板の主面上に部品を実装する場合には、この目的のため部品実装のランド部分を除きはんだレジストの層を形成しておくのが一般的である。はんだレジストにより、溶融時のはんだの濡れ広がり領域が限定され形状の整ったフィレットが形成される。   However, unlike a general mounting board, a wiring board structure with built-in components has different considerations from the general public in order to ensure the structural reliability of the wiring board and the reliability of the electrical connection of the built-in components. is necessary. For example, there is a point how to form a fillet having a uniform shape continuously on the terminal of the built-in component. When a component is mounted on the main surface of the wiring board, a solder resist layer is generally formed for this purpose except for a land portion for component mounting. The solder resist forms a fillet with a well-defined shape by limiting the wet-spread area of the solder at the time of melting.

このようなはんだレジストの形成を、部品実装が内層配線層になされる部品内蔵配線板に適用すると、他の絶縁層との密着性が悪く剥離の恐れを生じさせるなど構造的な信頼性を劣化させる。また、内蔵部品のフィレット形状が部品の端子ごとにばらついたものになると、それらのはんだ部分に発生する応力に違いが生じる。したがって、電気的な接続の信頼性にも影響がある。   When such solder resist formation is applied to a component-embedded wiring board where component mounting is performed on the inner wiring layer, structural reliability deteriorates, such as poor adhesion to other insulating layers and the possibility of peeling. Let Further, when the fillet shape of the built-in component varies for each terminal of the component, a difference occurs in the stress generated in those solder portions. Therefore, the reliability of electrical connection is also affected.

また、特開2003-197849号公報には、半導体素子としての半導体チップがフリップ接続により埋設、実装された配線板構造が開示されている。半導体チップ(ベアチップ)をフリップ接続すればその実装で生じる厚さは最小限近くに節約されるので、半導体素子を配線板中に内蔵する場合の有力な方法になる。   Japanese Unexamined Patent Publication No. 2003-197849 discloses a wiring board structure in which a semiconductor chip as a semiconductor element is embedded and mounted by flip connection. If a semiconductor chip (bare chip) is flip-connected, the thickness generated by the mounting is saved to a minimum, which is an effective method for incorporating a semiconductor element in a wiring board.

フリップ接続は、例えば、半導体チップ上に形成された端子パッド上にさらにAuバンプを形成し、これを接着剤(アンダーフィル樹脂)を介して配線板上に形成された配線パターンに圧接することでなすことができる(ACF[異方性導電性フィルム:anisotropic conductive film]やACP[異方性導電性ペースト:anisotropic conductive paste]を間に挟む場合もある)。ここで考慮点は、Auバンプと配線パターンとの低抵抗接続およびその接続信頼性の確保である。このため配線パターン表面には高い洗浄度が求められ、よく行われる方法として、配線パターンの表層にもAuめっき層を形成しておく。   In the flip connection, for example, an Au bump is further formed on a terminal pad formed on a semiconductor chip, and this is press-contacted to a wiring pattern formed on a wiring board via an adhesive (underfill resin). (ACF [anisotropic conductive film] or ACP [anisotropic conductive paste] may be sandwiched between them). The consideration here is the low resistance connection between the Au bump and the wiring pattern and the securing of the connection reliability. Therefore, a high degree of cleaning is required on the surface of the wiring pattern, and as a common method, an Au plating layer is also formed on the surface layer of the wiring pattern.

一般には、配線板の主面上に半導体チップをフリップ接続する場合には、配線パターンのうち接続に供する部位のみを残してはんだレジストのような保護層を形成し、そのあと、接続に供する部位にAuめっき層を形成している。これにより、安価とは言えないAuめっきを最小限の面積に留めて施すことができる。   Generally, when flip-connecting a semiconductor chip on the main surface of a wiring board, a protective layer such as a solder resist is formed, leaving only a portion of the wiring pattern to be connected, and then a portion to be connected An Au plating layer is formed on the substrate. As a result, Au plating, which is not inexpensive, can be applied with a minimum area.

半導体チップを配線板中に埋設する場合であって、これをフリップ接続する場合には、上記のような主面上への半導体チップのフリップ接続とはいくつか事情が異なってくる。まず、はんだレジストが内層の絶縁層の一部になってしまうことの影響である。一般的に、はんだレジストと配線板で使用される絶縁板材料との密着性は、絶縁板材料同士のそれほどには強くない。そこで、内層としてのはんだレジストを省略した構成を採用すると、Auめっきを広い面積に施すことになり製造コストに影響する。Auめっき層と絶縁板材料との接着性も強いとは言えず、この点でも課題が残る。また、Auめっき層を限定的領域に形成するとしても、マスク形成、除去等の工程が増加しコスト高となる。   In the case of embedding a semiconductor chip in a wiring board and flip-connecting it, there are some differences from the flip-connection of the semiconductor chip on the main surface as described above. First, there is an influence of the solder resist becoming a part of the inner insulating layer. Generally, the adhesion between the solder resist and the insulating plate material used in the wiring board is not so strong between the insulating plate materials. Therefore, if a configuration in which the solder resist as the inner layer is omitted is adopted, Au plating is performed over a large area, which affects the manufacturing cost. It cannot be said that the adhesion between the Au plating layer and the insulating plate material is strong, and a problem remains in this respect. Further, even if the Au plating layer is formed in a limited region, the steps such as mask formation and removal increase and the cost increases.

加えて、フリップ接続は、配線パターンで作られたランドに対して、半導体チップ上に形成された、微細ピッチの接続パッドを位置合わせする技術を含んでおり、位置精度の確保上、配線パターンを有するワークのサイズをあまり大きくすることはできない。したがって、生産性の点で不利な分コスト高となる。フリップ接続用の装置を準備しなければならない点でもコスト高になる。   In addition, the flip connection includes a technique for aligning a fine pitch connection pad formed on a semiconductor chip with respect to a land made of the wiring pattern. It is not possible to make the size of the workpiece to be too large. Therefore, the cost is increased due to the disadvantage of productivity. The cost is also high in that a device for flip connection must be prepared.

特開2003−197849号公報JP 2003-197849 A

本発明は、上記した事情を考慮してなされたもので、絶縁板中に電気/電子部品が埋設、実装された部品内蔵配線板において、配線板としての健全性および部品内蔵の電気的信頼性を維持した上で、低コストで製造が可能な部品内蔵配線板を提供することを目的とする。   The present invention has been made in consideration of the above-described circumstances. In a wiring board with a built-in component in which an electric / electronic component is embedded and mounted in an insulating plate, soundness as a wiring board and electrical reliability with a built-in component are provided. It is an object to provide a component built-in wiring board that can be manufactured at low cost while maintaining the above.

参考態様である部品内蔵配線板は、第1の絶縁層と、前記第1の絶縁層に対して積層状に位置する第2の絶縁層と、前記第2の絶縁層に埋設された、2つ以上の端子を有する電気/電子部品と、前記電気/電子部品を実装するための複数のランドと該複数のランドからの延設パターンとを有し、該複数のランドと該延設パターンの方向および太さとを要素とする平面図形が180度点対称図形であり、かつ、前記第1の絶縁層と前記第2の絶縁層とに接して挟まれて設けられている、表層まで銅でできた配線パターンと、前記配線パターンの前記複数のランドと前記電気/電子部品の前記2つ以上の端子とを電気的、機械的に接続するはんだとを具備することを特徴とする。   The component built-in wiring board which is a reference mode includes a first insulating layer, a second insulating layer positioned in a laminated form with respect to the first insulating layer, and 2 embedded in the second insulating layer. An electrical / electronic component having one or more terminals, a plurality of lands for mounting the electrical / electronic component, and an extended pattern from the plurality of lands. The plane figure having the direction and the thickness as elements is a 180-degree point-symmetric figure, and is provided in contact with the first insulating layer and the second insulating layer. And a solder that electrically and mechanically connects the plurality of lands of the wiring pattern and the two or more terminals of the electrical / electronic component.

すなわち、この部品内蔵配線板では、絶縁層に挟まれた内層の配線パターンが有する部品実装用のランドが、このランドから延設されるパターンの方向および太さを含めて、180度点対称図形になっている。よって、ランド上ではんだが溶融したときの各広がりおよびその溶融時表面張力を、電気/電子部品を中心にバランスさせ、フィレットに代表される接続部形状のバランスおよび部品実装位置のずれ防止が実現する。したがって、構造的に、配線板としての健全性および部品内蔵の電気的信頼性を維持した上で、低コスト化が図れる。   That is, in this component built-in wiring board, the component mounting land included in the inner layer wiring pattern sandwiched between the insulating layers includes a 180 degree point-symmetric figure including the direction and thickness of the pattern extending from the land. It has become. Therefore, each spread when the solder is melted on the land and the surface tension at the time of melting are balanced around the electrical / electronic parts, and the balance of the connecting part shape represented by the fillet and the prevention of deviation of the parts mounting position are realized. To do. Therefore, the cost can be reduced while maintaining the soundness of the wiring board and the electrical reliability of the built-in components structurally.

本発明の一態様である部品内蔵配線板は、第1の絶縁層と、前記第1の絶縁層に対して積層状に位置する第2の絶縁層と、前記第2の絶縁層に埋設された、2つ以上の端子を有する電気/電子部品と、前記電気/電子部品を実装するための複数のランドを含み、該複数のランドの実質的な平面的広がりからなる平面図形が180度点対称図形であり、かつ、前記第1の絶縁層と前記第2の絶縁層とに接して挟まれて設けられている、表層まで銅でできた配線パターンと、前記配線パターンの前記複数のランドと前記電気/電子部品の前記2つ以上の端子とを電気的、機械的に接続するはんだと、前記配線パターンの前記ランド上であって前記はんだが接触する第1の領域と、該第1の領域から延設された前記配線パターン上であって前記はんだが接触しない領域である第2の領域とを隔てるように該配線パターン上に設けられた樹脂パターンとを具備することを特徴とする。   A component built-in wiring board according to an aspect of the present invention is embedded in a first insulating layer, a second insulating layer positioned in a stacked manner with respect to the first insulating layer, and the second insulating layer. In addition, an electrical / electronic component having two or more terminals and a plurality of lands for mounting the electrical / electronic component, a plane figure formed of a substantially planar spread of the plurality of lands is 180 degrees. A wiring pattern made of copper up to the surface layer, which is a symmetrical figure and is provided between and in contact with the first insulating layer and the second insulating layer, and the plurality of lands of the wiring pattern And a solder for electrically and mechanically connecting the two or more terminals of the electrical / electronic component, a first region on the land of the wiring pattern and in contact with the solder, the first On the wiring pattern extending from the region of There characterized by comprising a resin pattern provided on the wiring pattern so as to separate the second region is a region that does not contact.

すなわち、この部品内蔵配線板では、絶縁層に挟まれた内層の配線パターンが有する部品実装用のランドにおいて、その実質的な平面的広がりからなる平面図形が180度点対称図形になっている。そして、配線パターンのランド上であってはんだが接触する第1の領域と、該第1の領域から延設された配線パターン上であってはんだが接触しない領域である第2の領域とを隔てるように該配線パターン上に設けられた樹脂パターンとを具備する。よって、ランド上ではんだが溶融したときの各広がりを揃ったものにし(形状制御性向上)、かつ、その溶融時表面張力が電気/電子部品を中心にバランスして、フィレットに代表される接続部形状の均一化および部品実装位置のずれ防止を実現する。したがって、構造的に、配線板としての健全性および部品内蔵の電気的信頼性を維持した上で、低コスト化が図れる。なお、ランドの実質的な平面的広がりとは、はんだが必ず濡れ広がることを意図して提供されている、配線パターン上の領域を意味している。   That is, in this component built-in wiring board, in the component mounting land of the inner layer wiring pattern sandwiched between the insulating layers, the plane figure formed by the substantial planar spread is a 180-degree point-symmetric figure. Then, the first region on the land of the wiring pattern that contacts the solder is separated from the second region on the wiring pattern that extends from the first region and that does not contact the solder. And a resin pattern provided on the wiring pattern. Therefore, the spread of solder on the land is made uniform (improves shape controllability), and the surface tension at the time of melting balances around electrical / electronic components, and is represented by fillets. Uniform part shape and prevention of component mounting position shift. Therefore, the cost can be reduced while maintaining the soundness of the wiring board and the electrical reliability of the built-in components structurally. Note that the substantially planar spread of the lands means a region on the wiring pattern that is provided with the intention that the solder is always spread.

本発明によれば、絶縁板中に電気/電子部品が埋設、実装された部品内蔵配線板において、配線板としての健全性および部品内蔵の電気的信頼性を維持した上で、低コストで製造が可能な部品内蔵配線板を提供することができる。   According to the present invention, a wiring board with a built-in component in which an electrical / electronic component is embedded and mounted in an insulating plate is manufactured at low cost while maintaining soundness as a wiring board and electrical reliability with a built-in component. It is possible to provide a wiring board with a built-in component that can be used.

参考例に係る部品内蔵配線板の構成を模式的に示す断面図。Sectional drawing which shows typically the structure of the component built-in wiring board which concerns on a reference example. 図1に示した部品内蔵配線板に使用の半導体素子41を模式的に、やや詳細に示す下面図および断面図。The bottom view and sectional drawing which show the semiconductor element 41 used for the component built-in wiring board shown in FIG. 1 typically in some detail. 図1中に示した配線層22の一部構成を模式的に示す平面図。FIG. 2 is a plan view schematically showing a partial configuration of a wiring layer 22 shown in FIG. 1. 図1に示した部品内蔵配線板に使用の半導体素子41についてその製造過程例を模式的断面で示す工程図。Process drawing which shows the example of a manufacture process in the cross section about the semiconductor element 41 used for the component built-in wiring board shown in FIG. 図1に示した部品内蔵配線板の製造過程の一部を模式的断面で示す工程図。Process drawing which shows a part of manufacturing process of the component built-in wiring board shown in FIG. 図1に示した部品内蔵配線板の製造過程の別の一部を模式的断面で示す工程図。Process drawing which shows another part of manufacturing process of the component built-in wiring board shown in FIG. 図1に示した部品内蔵配線板の製造過程のさらに別の一部を模式的断面で示す工程図。FIG. 9 is a process diagram schematically showing still another part of the manufacturing process of the component built-in wiring board shown in FIG. 1. 別の参考例に係る部品内蔵配線板の構成を模式的に示す断面図およびそのうちの配線層22の一部構成を模式的に示す平面図。Sectional drawing which shows the structure of the component built-in wiring board which concerns on another reference example, and the top view which shows typically a partial structure of the wiring layer 22 among them. 本発明の一実施形態に係る部品内蔵配線板の構成を模式的に示す断面図およびそのうちの配線層22の一部構成を模式的に示す平面図。1 is a cross-sectional view schematically showing a configuration of a component built-in wiring board according to an embodiment of the present invention, and a plan view schematically showing a partial configuration of a wiring layer 22 among them.

なお、以下の説明において、各図の説明に言及するときには上記の説明とは異なる説明がされる場合がある。その場合には上記の説明が優先する。ただし、参考例として挙げた例であっても、実施形態として参照すべき事項が含まれる。   In the following description, when referring to the description of each drawing, a description different from the above description may be given. In that case, the above description has priority. However, even the example given as a reference example includes matters to be referred to as the embodiment.

参考態様において、前記配線パターンにおける前記複数のランドそれぞれの実質的な平面的広がりが、該配線パターン自体の広がりによって限定されている、とすることができる。ランドの実質的な平面的広がりとは、はんだが必ず濡れ広がることを意図して提供されている、配線パターン上の領域である。このような領域が、配線パターン自体の広がりによって限定されていると、例えばはんだレジストのような樹脂パターンをその目的のため形成するには及ばず、低コスト化に向く。   In the reference mode, the substantial planar spread of each of the plurality of lands in the wiring pattern may be limited by the spread of the wiring pattern itself. The substantial planar spread of the land is a region on the wiring pattern provided with the intention of always spreading the solder. If such a region is limited by the spread of the wiring pattern itself, for example, a resin pattern such as a solder resist cannot be formed for that purpose, and the cost is reduced.

また、参考態様において、前記配線パターンの前記複数のランドのうちの少なくも一部が、島状パターンであってパターンとしての配線引き出しがなく、前記第1の絶縁層の前記配線パターンがある側とは反対の側に設けられた第2の配線パターンと、前記第1の絶縁層を貫通して前記少なくとも一部の前記ランドの面と前記第2の配線パターンの面との間に挟設された層間接続体とをさらに具備する、とすることができる。   Further, in the reference aspect, at least a part of the plurality of lands of the wiring pattern is an island-shaped pattern without wiring drawing as a pattern, and the side of the first insulating layer on which the wiring pattern is present And sandwiched between the second wiring pattern provided on the opposite side to the first insulating layer and the at least part of the land surface and the second wiring pattern surface through the first insulating layer And an interlayer connection body formed.

この態様は、電気/電子部品を実装するためのランドの少なくとも一部が、配線引き出しのない島状パターンであるとするものである。パターン配線として引き出しがないため、その電気的な接続には、ランドの電気/電子部品が実装された側とは反対側に設けられた層間接続体を利用する。ランドを島状パターンとすることで、ランドと電気/電子部品の端子とを相互接続するはんだの形状の制御性をさらに高めることができる。すなわち、パターン配線の引き出し部がないため、これにはんだが広がらないためである。   According to this aspect, at least a part of the land for mounting the electric / electronic component is an island pattern without wiring drawing. Since there is no lead as the pattern wiring, an interlayer connection provided on the side opposite to the side where the electric / electronic parts are mounted is used for the electrical connection. By making the land into an island pattern, the controllability of the shape of the solder that interconnects the land and the terminals of the electrical / electronic component can be further enhanced. That is, since there is no lead portion for the pattern wiring, the solder does not spread over this.

また、参考態様において、前記電気/電子部品が、端子パッドを有する半導体チップと、前記2つ以上の端子としての、該端子パッドに電気的接続された、グリッド状配列の表面実装用端子とを備えた半導体素子であり、前記はんだが、前記半導体素子の前記表面実装用端子と前記複数のランドとを電気的に接続する部材である、とすることができる。この態様は、電気/電子部品としてグリッド状配列の表面実装用端子を有する半導体素子を用いるものである。この場合には、半導体素子を内蔵する形態として、フリップチップ接続ではなく、表面実装技術を利用でき、より低コスト化することに向く。   Further, in the reference aspect, the electrical / electronic component includes a semiconductor chip having a terminal pad, and a grid-mounting surface-mounting terminal electrically connected to the terminal pad as the two or more terminals. The solder may be a member that electrically connects the surface mounting terminals of the semiconductor element and the plurality of lands. In this embodiment, a semiconductor element having grid-shaped array surface mounting terminals is used as an electrical / electronic component. In this case, as a form in which the semiconductor element is incorporated, surface mounting technology can be used instead of flip chip connection, which is suitable for further cost reduction.

また、参考態様において、前記層間接続体が、導電性組成物からなり、かつ積層方向に一致する軸を有し該軸の方向に径が変化している形状である、とすることができる。この層間接続体は、第1の絶縁層を貫通する層間接続体の一例であり、例えば導電性組成物のスクリーン印刷により形成された導電性バンプを由来とする層間接続体である。このような層間接続体に限らず、めっきを由来とする層間接続体や、開口内に充填された導電性組成物による層間接続体を利用することもできる。   In the reference embodiment, the interlayer connection body may be made of a conductive composition and has a shape that has an axis that coincides with the stacking direction and has a diameter that changes in the direction of the axis. This interlayer connection body is an example of an interlayer connection body penetrating the first insulating layer, and is an interlayer connection body derived from conductive bumps formed by screen printing of a conductive composition, for example. Not only such an interlayer connection body but also an interlayer connection body derived from plating and an interlayer connection body made of a conductive composition filled in the opening can be used.

本発明の実施態様として、前記第2の絶縁層が、少なくとも2つの絶縁層の積層であり、前記少なくとも2つの絶縁層の間に挟まれて設けられた第2の配線パターンと、前記第2の絶縁層の積層方向一部を貫通して前記配線パターンの面と前記第2の配線パターンの面との間に挟設され、かつ導電性組成物からなり、かつ積層方向に一致する軸を有し該軸の方向に径が変化している形状である層間接続体とをさらに具備する、とすることができる。この層間接続体は、電気/電子部品を埋め込んでいる第2の絶縁層の積層方向一部を貫通する層間接続体の一例であり、例えば導電性組成物のスクリーン印刷により形成された導電性バンプを由来とする層間接続体である。   As an embodiment of the present invention, the second insulating layer is a laminate of at least two insulating layers, and a second wiring pattern provided between the at least two insulating layers, and the second An axis that penetrates part of the insulating layer in the stacking direction and is sandwiched between the surface of the wiring pattern and the surface of the second wiring pattern, and is made of a conductive composition and coincides with the stacking direction. And an interlayer connection body having a shape whose diameter changes in the direction of the axis. This interlayer connection body is an example of an interlayer connection body that penetrates a part in the stacking direction of the second insulating layer in which the electric / electronic component is embedded. For example, conductive bumps formed by screen printing of a conductive composition Is an interlayer connection body derived from

また、参考態様において、前記半導体素子の前記表面実装用端子が、LGAの端子である、とすることができる。LGAを利用した表面実装では、はんだボールなどのバンプを使用せずに配線板に実装することが可能であり、高さ方向のサイズを抑えることができるので、より内蔵することに適性がある。   In the reference mode, the surface mounting terminal of the semiconductor element may be an LGA terminal. In surface mounting using LGA, it is possible to mount on a wiring board without using bumps such as solder balls, and the size in the height direction can be suppressed.

また、実施態様として、前記樹脂パターンが、平面形状として枠状に形成されている、とすることができる。樹脂パターンを枠状に形成すれば、はんだの広がりを平面上全方向に対して必然的に抑制的にすることができる。   As an embodiment, the resin pattern may be formed in a frame shape as a planar shape. If the resin pattern is formed in a frame shape, the spread of solder can be inevitably suppressed in all directions on the plane.

以上を踏まえ、以下では本発明の実施形態を図面を参照しながら説明する。図1は、本発明の一実施形態に係る部品内蔵配線板の構成を模式的に示す断面図である。図1に示すように、この部品内蔵配線板は、絶縁層11(第1の絶縁層)、同12、同13、同14、同15(12、13、14、15で第2の絶縁層)、配線層21(第2の配線パターン)、同22(もうひとつの第2の配線パターン)、同23、同24、同25、同26(=合計6層配線)、層間接続体31、同31a、同32、同34、同35、スルーホール導電体33、半導体素子(ウエハレベル・チップスケールパッケージによる)41、はんだ51、はんだレジスト61、62を有する。配線層22は、実装用ランド22aを含む。   Based on the above, embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing a configuration of a component built-in wiring board according to an embodiment of the present invention. As shown in FIG. 1, this component built-in wiring board includes an insulating layer 11 (first insulating layer), 12, 12, 13, 14, and 15 (12, 13, 14, 15 second insulating layer). ), Wiring layer 21 (second wiring pattern), 22 (another second wiring pattern), 23, 24, 25, and 26 (= total 6-layer wiring), interlayer connector 31, 31a, 32, 34, 35, through-hole conductor 33, semiconductor element (by wafer level / chip scale package) 41, solder 51, and solder resists 61, 62. The wiring layer 22 includes a mounting land 22a.

この配線板は内蔵部品として半導体素子41を有する。半導体素子41は、ウエハレベル・チップスケールパッケージによる素子であり、半導体チップと、該半導体チップ上に形成されたグリッド状配列の表面実装用端子41aとを少なくとも備えている。その構造例および製造工程例については詳細を後述する(図2、図4)。表面実装用端子41aは、半導体チップがもともと有する端子パッドから再配線層を介して電気的に導通しつつその位置を再配置して設けられた端子であり、このような再配置により端子としての配置密度が半導体チップ上の端子パッドのそれより粗くなっている。これにより、半導体素子41は、表面実装技術により配線層22による実装用ランド22aにはんだ51を介して実装され得る。   This wiring board has a semiconductor element 41 as a built-in component. The semiconductor element 41 is an element based on a wafer level chip scale package, and includes at least a semiconductor chip and a grid-shaped array of surface mounting terminals 41a formed on the semiconductor chip. Details of the structural example and the manufacturing process example will be described later (FIGS. 2 and 4). The surface mounting terminal 41a is a terminal provided by rearranging its position while electrically conducting from the terminal pad that the semiconductor chip originally has via the rewiring layer. The arrangement density is coarser than that of the terminal pads on the semiconductor chip. Thereby, the semiconductor element 41 can be mounted on the mounting land 22a of the wiring layer 22 via the solder 51 by the surface mounting technique.

また、半導体素子41をはんだ51を介して実装するための実装用ランド22aは、後述するように(図3)、半導体素子41の表面実装用端子41aそれぞれに対応して設けられており、複数のランド22aとこれらランド22aから引き出されているパターンの方向および太さとを要素とする平面形状が180度点対称図形になっている。このため、製造時に実装用ランド22a上ではんだ51が溶融したとき、はんだ51の各広がりおよびその溶融時表面張力を、半導体素子41に対してバランスさせて、各はんだ51の形状バランスと半導体素子41の実装位置ずれ防止とが実現する。したがって、構造的に、配線板としての健全性および部品内蔵の電気的信頼性を向上できる。   Further, the mounting lands 22a for mounting the semiconductor element 41 via the solder 51 are provided corresponding to the surface mounting terminals 41a of the semiconductor element 41, as will be described later (FIG. 3). The planar shape whose elements are the land 22a and the direction and thickness of the pattern drawn from these lands 22a is a 180-degree point-symmetrical figure. Therefore, when the solder 51 is melted on the mounting land 22a at the time of manufacture, the spread of the solder 51 and the surface tension at the time of melting are balanced with respect to the semiconductor element 41, and the shape balance of each solder 51 and the semiconductor element In this way, the mounting position shift prevention of 41 is realized. Therefore, structurally, the soundness as a wiring board and the electrical reliability with built-in components can be improved.

部品内蔵配線板としてのほかの構造について述べると、配線層21、26は、配線板としての両主面上の配線層であり、その上に各種の部品(不図示)が実装され得る。実装ではんだ(不図示)が載るべき配線層21、26のランド部分を除いて両主面上には、はんだ接続時に溶融したはんだをランド部分に留めかつその後は保護層として機能するはんだレジスト61、62が形成されている(厚さはそれぞれ例えば20μm程度)。ランド部分の表層には、耐腐食性の高いNi/Auのめっき層(不図示)を形成するようにしてもよい。   Describing another structure as a component built-in wiring board, the wiring layers 21 and 26 are wiring layers on both main surfaces as a wiring board, and various components (not shown) can be mounted thereon. Solder resist 61 is provided on both main surfaces except for the land portions of the wiring layers 21 and 26 on which solder (not shown) is to be mounted in mounting, so that the solder melted at the time of solder connection is held on the land portions and thereafter functions as a protective layer. , 62 (thickness is about 20 μm, for example). An Ni / Au plating layer (not shown) with high corrosion resistance may be formed on the surface layer of the land portion.

また、配線層22、23、24、25は、それぞれ、内層の配線層であり、順に、配線層21と配線層22の間に絶縁層11が、配線層22と配線層23の間に絶縁層12が、配線層23と配線層24との間に絶縁層13が、配線層24と配線層25との間に絶縁層14が、配線層25と配線層26との間に絶縁層15が、それぞれ位置しこれらの配線層21〜26を隔てている。各配線層21〜26は、例えばそれぞれ厚さ18μmの金属(銅)箔からなっている。   The wiring layers 22, 23, 24, and 25 are inner wiring layers, and the insulating layer 11 is insulated between the wiring layer 21 and the wiring layer 22, and the wiring layer 22 and the wiring layer 23 are insulated in this order. The insulating layer 13 is provided between the wiring layer 23 and the wiring layer 24, the insulating layer 14 is provided between the wiring layer 24 and the wiring layer 25, and the insulating layer 15 is provided between the wiring layer 25 and the wiring layer 26. However, the wiring layers 21 to 26 are separated from each other. Each of the wiring layers 21 to 26 is made of, for example, a metal (copper) foil having a thickness of 18 μm.

各絶縁層11〜15は、絶縁層13を除き例えばそれぞれ厚さ100μm、絶縁層13のみ例えば厚さ300μmで、それぞれ例えばガラスエポキシ樹脂からなるリジッドな素材である。特に絶縁層13は、内蔵された半導体素子41に相当する位置部分が開口部となっており、半導体素子41を埋設するための空間を提供する。絶縁層12、14は、内蔵された半導体素子41のための絶縁層13の上記開口部および絶縁層13のスルーホール導電体33内部の空間を埋めるように変形進入しており内部に空隙となる空間は存在しない。   Each of the insulating layers 11 to 15 is a rigid material made of, for example, a glass epoxy resin, each having a thickness of 100 μm, for example, only the insulating layer 13 has a thickness of, for example, 300 μm, excluding the insulating layer 13. In particular, the insulating layer 13 has an opening at a position corresponding to the built-in semiconductor element 41, and provides a space for embedding the semiconductor element 41. The insulating layers 12 and 14 are deformed so as to fill the opening of the insulating layer 13 for the built-in semiconductor element 41 and the space inside the through-hole conductor 33 of the insulating layer 13 and become voids inside. There is no space.

配線層21と配線層22とは、それらのパターンの面の間に挟設されかつ絶縁層11を貫通する層間接続体31、31aにより導通し得る。同様に、配線層22と配線層23とは、それらのパターンの面の間に挟設されかつ絶縁層12を貫通する層間接続体32により導通し得る。配線層23と配線層24とは、絶縁層13を貫通して設けられたスルーホール導電体33により導通し得る。配線層24と配線層25とは、それらのパターンの面の間に挟設されかつ絶縁層14を貫通する層間接続体34により導通し得る。配線層25と配線層26とは、それらのパターンの面の間に挟設されかつ絶縁層15を貫通する層間接続体35により導通し得る。   The wiring layer 21 and the wiring layer 22 can be electrically connected by interlayer connectors 31 and 31 a that are sandwiched between the surfaces of the patterns and penetrate the insulating layer 11. Similarly, the wiring layer 22 and the wiring layer 23 can be conducted by an interlayer connector 32 that is sandwiched between the surfaces of the patterns and penetrates the insulating layer 12. The wiring layer 23 and the wiring layer 24 can be conducted by a through-hole conductor 33 provided through the insulating layer 13. The wiring layer 24 and the wiring layer 25 can be conducted by an interlayer connector 34 that is sandwiched between the surfaces of these patterns and penetrates the insulating layer 14. The wiring layer 25 and the wiring layer 26 can be conducted by an interlayer connector 35 that is sandwiched between the surfaces of these patterns and penetrates the insulating layer 15.

層間接続体31、31a、32、34、35は、それぞれ、導電性組成物のスクリーン印刷により形成される導電性バンプを由来とするものであり、その製造工程に依拠して軸方向(図1の図示で上下の積層方向)に径が変化している。その直径は、太い側で例えば200μmである。このうち特に層間接続体31aは、実装用ランド22aのうちの配線引き出しのないパターン(すなわち島状のパターン)の直下に設けられたものであり、これにより、当該実装用ランド22aは配線層21に対して電気的導通が可能になっている。   The interlayer connectors 31, 31a, 32, 34, and 35 are derived from conductive bumps formed by screen printing of a conductive composition, and depend on the manufacturing process in the axial direction (FIG. 1). The diameter changes in the upper and lower stacking directions in FIG. The diameter is, for example, 200 μm on the thick side. Among these, in particular, the interlayer connection body 31a is provided directly below the pattern (that is, the island-like pattern) in the mounting land 22a that does not lead to wiring, so that the mounting land 22a is connected to the wiring layer 21. Can be electrically connected.

実装用ランド22aを島状パターンとすることで、ランド22aと表面実装用端子41aとを相互接続するはんだ51の形状の制御性を高めることができる。すなわち、パターン配線の引き出し部がないため、これにはんだ51が広がらないためである。   By making the mounting land 22a into an island pattern, the controllability of the shape of the solder 51 that interconnects the land 22a and the surface mounting terminal 41a can be improved. That is, since there is no lead portion for pattern wiring, the solder 51 does not spread.

以上、本実施形態に係る部品内蔵配線板の構造をひと通り述べた。次に、この部品内蔵配線板に使用の半導体素子41についてその構成を、図2を参照してやや詳細に説明する。図2は、図1に示した部品内蔵配線板に使用の半導体素子41を模式的に、やや詳細に示す下面図(図2(a))および断面図(図2(b))である。図2(a)におけるA−Aa位置における矢視方向断面が、図2(b)である。図2において、図1中に示した構成要素と同一のものには同一符号を付している。なお、図1中に示した半導体素子41とは端子41aの配置構成が異なるが、これは図1が説明の便宜上、省略を含むものであるためである。   The structure of the component built-in wiring board according to this embodiment has been described above. Next, the configuration of the semiconductor element 41 used for this component built-in wiring board will be described in some detail with reference to FIG. FIG. 2 is a bottom view (FIG. 2 (a)) and a cross-sectional view (FIG. 2 (b)) schematically showing the semiconductor element 41 used in the component built-in wiring board shown in FIG. FIG. 2B is a cross-sectional view in the arrow direction at the position A-Aa in FIG. In FIG. 2, the same components as those shown in FIG. 1 is different from the semiconductor element 41 shown in FIG. 1 in that the arrangement of the terminals 41a is different for the sake of convenience of explanation.

図2(a)に示すように、この半導体素子41は、表面実装用端子41aがグリッド状に配置されている。端子41aの配置ピッチは、例えば0.3mmないし1.0mmである。端子41aが配置された面の中央付近は、半導体素子41として必要な端子数が少ない場合は、端子41aが配置されない態様とすることもできる。   As shown in FIG. 2A, the semiconductor element 41 has surface mounting terminals 41a arranged in a grid. The arrangement pitch of the terminals 41a is, for example, 0.3 mm to 1.0 mm. If the number of terminals necessary for the semiconductor element 41 is small near the center of the surface on which the terminal 41a is disposed, the terminal 41a may not be disposed.

この半導体素子41は、配線板中に内蔵のため実装される前の形態として、端子41a上にはんだボールのない、いわゆるLGA(land grid array)の形態である。このようなはんだボールのない構成とすることで高さ方向の実装サイズを抑制し、より内蔵への適性を向上させている。内蔵される配線板の厚さが許せば、端子41a上にはんだボールが搭載されたいわゆるBGA(ball grid array)の形態も利用できる。   This semiconductor element 41 is in the form of a so-called LGA (land grid array) in which there is no solder ball on the terminal 41a as a form before being mounted because it is built in the wiring board. By adopting such a configuration without solder balls, the mounting size in the height direction is suppressed and the suitability for incorporation is further improved. If the thickness of the built-in wiring board permits, a so-called BGA (ball grid array) form in which solder balls are mounted on the terminals 41a can also be used.

半導体素子41の断面方向には、図2(b)に示すように、表面実装用端子41aが、絶縁層41e上に、かつ、絶縁層41eを貫通する部分を介して再配線層41bに接触するように形成されている。さらに、再配線層41bは、絶縁層41eと半導体チップとの間に設けられた絶縁層41d上に、かつ、絶縁層41dを貫通する部分を介して半導体チップ上の端子パッド41cに接触するように形成されている。   In the cross-sectional direction of the semiconductor element 41, as shown in FIG. 2B, the surface mounting terminal 41a is in contact with the rewiring layer 41b on the insulating layer 41e and through a portion penetrating the insulating layer 41e. It is formed to do. Furthermore, the rewiring layer 41b is in contact with the terminal pad 41c on the semiconductor chip on the insulating layer 41d provided between the insulating layer 41e and the semiconductor chip and through a portion penetrating the insulating layer 41d. Is formed.

端子パッド41cは、通常、半導体チップの各辺に沿って一列に列設されているので、その配置ピッチは比較上狭い。すなわち、その配置ピッチと、グリッド状に配置され、配置ピッチが比較上広くなっている表面実装用端子41aの配置ピッチとの導通を仲介するために、再配線層41bが設けられる。このような構成により、この半導体素子41は表面実装可能な形態であるにもかかわらず、平面的には半導体チップと同じ面積であり、厚さ方向にも半導体チップそのものよりわずかに厚い程度の大きさとなっている。なお、半導体素子41としてより薄くするために、半導体チップの裏面を、研削工程を設けて研削しておくようにしてもよい。例えば、総厚を0.3mm程度以下としておくことができる。   Since the terminal pads 41c are usually arranged in a line along each side of the semiconductor chip, the arrangement pitch is relatively narrow. That is, the rewiring layer 41b is provided to mediate conduction between the arrangement pitch and the arrangement pitch of the surface mounting terminals 41a that are arranged in a grid and have a relatively large arrangement pitch. With such a configuration, the semiconductor element 41 has a surface area that is the same as that of the semiconductor chip in spite of being capable of being surface-mounted, and is slightly thicker than the semiconductor chip itself in the thickness direction. It has become. In order to make the semiconductor element 41 thinner, the back surface of the semiconductor chip may be ground by providing a grinding step. For example, the total thickness can be about 0.3 mm or less.

次に、図3は、図1中に示した配線層22の一部構成を模式的に示す平面図である。より具体的には、上記で説明した半導体素子41を実装するためのランド22aを含む配線層22のパターンを平面的に示すものである。図3において、すでに説明した図中に示したものと同一のものには同一符号を付してある。   Next, FIG. 3 is a plan view schematically showing a partial configuration of the wiring layer 22 shown in FIG. More specifically, the pattern of the wiring layer 22 including the land 22a for mounting the semiconductor element 41 described above is shown in a plan view. In FIG. 3, the same reference numerals are given to the same components as those shown in the already described drawings.

図3に示すように、配線層22が含む実装用ランド22aは、上記説明した半導体素子41の表面実装用端子41aそれぞれに対応して設けられており、複数のランド22aとこれらランド22aから引き出されているパターンの方向および太さとを要素とする平面形状が180度点対称図形になっている。このため、すでに述べたように、製造時に実装用ランド22a上ではんだ51が溶融したとき、はんだ51の各広がりおよびその溶融時の表面張力を、半導体素子41からみてバランスできる。これにより、各はんだ51の溶融後の形状バランスと半導体素子41の実装位置ずれ防止とが得られる。すなわち、通常用いられるようなはんだレジストの形成は必要ない。したがって、積層する材料同士の密着性の問題が生じない。   As shown in FIG. 3, the mounting lands 22a included in the wiring layer 22 are provided corresponding to the surface mounting terminals 41a of the semiconductor element 41 described above, and are drawn out from the lands 22a and the lands 22a. The planar shape having the direction and thickness of the pattern as elements is a 180-degree point-symmetric figure. Therefore, as described above, when the solder 51 is melted on the mounting land 22a at the time of manufacture, the spread of the solder 51 and the surface tension at the time of melting can be balanced as viewed from the semiconductor element 41. Thereby, the shape balance after each solder 51 is melted and the mounting position deviation of the semiconductor element 41 can be prevented. That is, it is not necessary to form a solder resist that is normally used. Therefore, the problem of adhesion between the materials to be laminated does not occur.

換言すると、実装用ランド22aから引き出される配線パターンは、はんだ51の形状に制御性を持たせる目的やはんだ51の溶融時の表面張力を制御する目的においては外乱要因であって、はんだ51の溶融後形状の不均一化をもたらしたり、溶融時のはんだ51の表面張力の不平衡により半導体素子41が実装位置ずれを招いたりする。そこで、上記のように、複数のランド22aとこれらランド22aから引き出されているパターンの方向および太さとを要素とする平面形状を180度点対称図形としている。なお、上記外乱要因を小さくする目的で、ランド22aがなるべく島状のパターンとなるように、パターン直下の層間接続体31aを活用するのも好ましい。   In other words, the wiring pattern drawn out from the mounting land 22a is a disturbance factor for the purpose of giving controllability to the shape of the solder 51 and controlling the surface tension when the solder 51 is melted. The rear shape may become non-uniform, or the semiconductor element 41 may be displaced due to an imbalance in the surface tension of the solder 51 during melting. Therefore, as described above, the planar shape including the plurality of lands 22a and the direction and thickness of the pattern drawn from the lands 22a as elements is a 180-degree point-symmetric figure. For the purpose of reducing the disturbance factor, it is also preferable to utilize the interlayer connector 31a immediately below the pattern so that the land 22a has an island pattern as much as possible.

次に、上記説明した半導体素子41の製造工程例について図4を参照して説明する。図4は、図1に示した部品内蔵配線板に使用の半導体素子41についてその製造過程例を模式的断面で示す工程図である。図4において、すでに説明の図中に示した構成要素と同一のものには同一符号を付している。   Next, an example of a manufacturing process of the semiconductor element 41 described above will be described with reference to FIG. FIG. 4 is a process diagram schematically showing a manufacturing process example of the semiconductor element 41 used in the component built-in wiring board shown in FIG. In FIG. 4, the same reference numerals are given to the same components as those already shown in the drawings.

まず、図4(a)に示すように、半導体ウエハ41wであってその面上に複数の半導体デバイスがすでに形成されたものを用意する。半導体ウエハ41wの面上には、それぞれの半導体デバイスの外部接続部として端子パッド41cが形成されている。端子パッド41cは、通常、ワイヤボンディングを行なうのに必要な面積を有しており、かつワイヤボンディングを行うのに支障のない程度の配置ピッチを有して各半導体デバイスの四辺に沿って設けられている。この配置ピッチは、一般的な表面実装を行う端子の配置ピッチより狭い。   First, as shown in FIG. 4A, a semiconductor wafer 41w having a plurality of semiconductor devices already formed on its surface is prepared. On the surface of the semiconductor wafer 41w, terminal pads 41c are formed as external connection portions of the respective semiconductor devices. The terminal pads 41c are usually provided along the four sides of each semiconductor device having an area necessary for wire bonding and having an arrangement pitch that does not hinder wire bonding. ing. This arrangement pitch is narrower than the arrangement pitch of terminals for general surface mounting.

次に、図4(b)に示すように、パッド41cを覆うように半導体ウエハ41w上全面に絶縁層41dを形成する。形成方法は、周知の方法を用いてよいが、例えば、半導体ウエハ41w上に絶縁材料であるポリイミドを滴下してスピンコートし厚さ例えば1μm程度に形成することができる。   Next, as shown in FIG. 4B, an insulating layer 41d is formed on the entire surface of the semiconductor wafer 41w so as to cover the pad 41c. As a forming method, a known method may be used. For example, a polyimide which is an insulating material is dropped on the semiconductor wafer 41w and spin-coated, and the thickness can be formed to about 1 μm, for example.

次に、図4(c)に示すように、パッド41c上の絶縁層41dを選択的にエッチング除去し絶縁層41dに、パッド41cに通じる開口部71を形成する。選択的にエッチングするには、フォトリソグラフィなどの周知の方法を適用することができる。なお、図4(b)および図4(c)に示す方法に代えて、パッド41c上を除き選択的に絶縁層41dを形成する方法を用いてもよい。選択的に絶縁層41dを形成するのも同様に周知の方法により行なうことができる。   Next, as shown in FIG. 4C, the insulating layer 41d on the pad 41c is selectively removed by etching to form an opening 71 leading to the pad 41c in the insulating layer 41d. For selective etching, a known method such as photolithography can be applied. Instead of the method shown in FIGS. 4B and 4C, a method of selectively forming the insulating layer 41d except on the pad 41c may be used. The insulating layer 41d can be selectively formed by a well-known method.

開口部71を形成したら、次に、図4(d)に示すように、開口部71内を充填しかつ必要なパターンを有するように導電材料で再配線層41bを絶縁層41d上に形成する。再配線層41bは、材料として例えばAlやAu、Cuなどを用いることができる。形成方法としては、スパッタ、蒸着、めっきなどの中から使用する材料を考慮して適当なものを選択することができる。パターン化のためには、使用する材料を考慮の上、絶縁層41d上に全面的に形成したあと不要部分をエッチング除去するか、または絶縁層41d上に所定パターンのレジストマスクを形成しさらに再配線層41bとなる層を形成することによりこれを行うことができる。再配線層41bの厚さは例えば1μm程度とすることができる。   After the opening 71 is formed, next, as shown in FIG. 4D, a rewiring layer 41b is formed on the insulating layer 41d with a conductive material so as to fill the opening 71 and have a necessary pattern. . For example, Al, Au, Cu, or the like can be used for the rewiring layer 41b. As a formation method, an appropriate one can be selected in consideration of a material to be used among sputtering, vapor deposition, plating, and the like. For patterning, in consideration of the material to be used, unnecessary portions are etched away after being formed on the entire surface of the insulating layer 41d, or a resist mask having a predetermined pattern is formed on the insulating layer 41d. This can be done by forming a layer to be the wiring layer 41b. The thickness of the rewiring layer 41b can be set to about 1 μm, for example.

再配線層41bを形成したら、次に、図4(e)に示すように、再配線層41b上を覆って絶縁層41eを形成し、さらに絶縁層41eを選択的にエッチング除去して絶縁層41eに再配線層41bに通じる開口部72を形成する。この図4(e)に示す工程は、絶縁層41dの形成およびその加工の工程である図4(b)、図4(c)と同様の要領により行うことができる。絶縁層41eを選択的に形成する方法を選択した場合も同様である。   After the rewiring layer 41b is formed, next, as shown in FIG. 4E, an insulating layer 41e is formed so as to cover the rewiring layer 41b, and the insulating layer 41e is selectively removed by etching. An opening 72 leading to the rewiring layer 41b is formed in 41e. The process shown in FIG. 4 (e) can be performed in the same manner as in FIG. 4 (b) and FIG. 4 (c), which are processes for forming and processing the insulating layer 41d. The same applies when a method for selectively forming the insulating layer 41e is selected.

開口部72を形成したら、次に、図4(f)に示すように、開口部72内を充填しかつ絶縁層41e上の所定の配置位置を占めるように表面実装用端子41aを導電材料で形成する。この導電材料には、例えばAlやAu、Cuなどを用いることができる。形成方法としては、スパッタ、蒸着、めっきなどの中から使用する材料を考慮して適当なものを選択することができる。選択的に形成するには、使用する材料を考慮の上、絶縁層41e上に全面的に形成したあと不要部分をエッチング除去するか、または絶縁層41d上に所定パターンのレジストマスクを形成しさらに表面実装用端子41aとなる層を形成するかによりこれを行なうことができる。表面実装用端子41aの層は、その厚さを例えば1μm程度とすることができる。   After the opening 72 is formed, next, as shown in FIG. 4F, the surface mounting terminal 41a is made of a conductive material so as to fill the opening 72 and occupy a predetermined arrangement position on the insulating layer 41e. Form. For example, Al, Au, Cu, or the like can be used as the conductive material. As a formation method, an appropriate one can be selected in consideration of a material to be used among sputtering, vapor deposition, plating, and the like. In order to form it selectively, in consideration of the material to be used, unnecessary portions are etched away after being formed on the entire surface of the insulating layer 41e, or a resist mask having a predetermined pattern is formed on the insulating layer 41d. This can be done by forming a layer to be the surface mounting terminal 41a. The layer of the surface mounting terminal 41a can have a thickness of about 1 μm, for example.

表面実装用端子41aは、さらに、その導電材料がCuやAlであればその表層をNi/Auのめっき層、またはSn(すず)のめっき層で覆うように処理を加えてもよい。このようなめっきを施すには例えば無電解めっき工程を用いることができる。所定材料のめっき層を有することにより、配線板内への内蔵のための表面実装において良好なはんだ付けとその接続信頼性を得ることができる。   If the conductive material is Cu or Al, the surface mounting terminal 41a may be further processed so that its surface layer is covered with a Ni / Au plating layer or a Sn (tin) plating layer. For example, an electroless plating process can be used to perform such plating. By having a plating layer of a predetermined material, it is possible to obtain good soldering and connection reliability in surface mounting for incorporation in a wiring board.

表面実装用端子41aが形成されたら、最後に、図4(g)に示すように、半導体ウエハ41wをダイシングし個々の半導体素子41を得る。このようにして得られた半導体素子41は、表面実装用端子41aにより、チップ部品と同様の表面実装工程に供することができる。   When the surface mounting terminals 41a are formed, finally, as shown in FIG. 4G, the semiconductor wafer 41w is diced to obtain individual semiconductor elements 41. The semiconductor element 41 thus obtained can be subjected to the same surface mounting process as that of the chip component by the surface mounting terminal 41a.

なお、図4においては、ダイシングする前のウエハ41wを用いて表面実装用端子41aを形成する方法を説明したが、これは、より生産性を上げて形成する例を示したものであり、当然ながらダイシングしたあとの個々の半導体チップに対して同様の方法で表面実装用端子41aを形成することもできる。   In FIG. 4, the method of forming the surface mounting terminals 41a using the wafer 41w before dicing has been described. However, this shows an example of forming with higher productivity. However, the surface mounting terminals 41a can be formed by the same method on the individual semiconductor chips after dicing.

図4に示した半導体素子41の変形例としては、再配線層41bと表面実装用端子41aとを同一層として形成する例を挙げることができる。この場合には、再配線として必要なパターンを有するように、かつこのパターンに連絡して表面実装用端子41aのパターンを有するように導電材料の層を絶縁層41d上に形成する。この導電材料の層は、絶縁層41dに形成された開口部71内を充填している。そして、この導電材料の層のうちの表面実装用端子41aの部分を除いて全面を絶縁層41eで覆うように形成する。これによっても、半導体デバイスの端子パッド41cを再配置した表面実装用端子41aを有する半導体素子を得ることができる。   As a modification of the semiconductor element 41 shown in FIG. 4, an example in which the rewiring layer 41b and the surface mounting terminal 41a are formed as the same layer can be given. In this case, a layer of a conductive material is formed on the insulating layer 41d so as to have a pattern necessary for rewiring and to have a pattern of the surface mounting terminals 41a in contact with this pattern. This layer of conductive material fills the opening 71 formed in the insulating layer 41d. Then, the conductive material layer is formed so as to cover the entire surface with the insulating layer 41e except for the portion of the surface mounting terminal 41a. This also makes it possible to obtain a semiconductor element having the surface mounting terminals 41a in which the terminal pads 41c of the semiconductor device are rearranged.

以上ひと通り説明のように、この実施形態に係る部品内蔵配線板は、内蔵・埋設された半導体素子41が、半導体チップとグリッド状配列の表面実装用端子41aとを有しており、半導体チップは端子パッドを有している。半導体チップの端子パッドと表面実装用端子41aとは電気的に接続されている。つまり、この半導体素子41は、グリッド状配列の表面実装用端子41aにより配線板に内蔵実装されている。さらに、ここで、絶縁層11、12に挟まれた内層の配線パターン22が有する部品実装用のランド22aが、このランド22aから延設されるパターンの方向および太さを含めて、180度点対称図形になっている。   As described above, in the component built-in wiring board according to this embodiment, the built-in / embedded semiconductor element 41 has a semiconductor chip and a surface-mounting terminal 41a arranged in a grid pattern. Has terminal pads. The terminal pads of the semiconductor chip and the surface mounting terminals 41a are electrically connected. That is, the semiconductor element 41 is built in and mounted on the wiring board by the surface mounting terminals 41a arranged in a grid. Further, here, the component mounting land 22a of the inner wiring pattern 22 sandwiched between the insulating layers 11 and 12 is 180 degrees including the direction and thickness of the pattern extending from the land 22a. It is a symmetrical figure.

半導体素子41が表面実装用端子41aを有することにより、これを配線板へ内蔵実装するには表面実装技術を用い得る。よって、フリップ接続用の装置を用意する必要がない。また、フリップ接続の場合のように、ランドに対する半導体チップの位置合わせ精度確保のため、配線パターンを有するワークのサイズをあまり大きくできない、ということもない。さらに、表面実装用端子41aが特にグリッド状配列であること、すなわち面配置であることにより、半導体素子41としての平面面積を極力狭くすることが可能になっていて、半導体チップと同様に面積的な内蔵のしやすさが確保されている。内蔵部品のためのランド22aには、特段、Auめっきの形成は必要なく、その周りにはんだレジストの形成も必要ない。   Since the semiconductor element 41 has the surface mounting terminals 41a, the surface mounting technology can be used to mount this on the wiring board. Therefore, it is not necessary to prepare a device for flip connection. Further, unlike the case of flip connection, the size of the work having the wiring pattern cannot be increased so much in order to ensure the alignment accuracy of the semiconductor chip with respect to the land. Furthermore, since the surface mounting terminals 41a are particularly in a grid arrangement, that is, in a plane arrangement, the planar area as the semiconductor element 41 can be reduced as much as possible, and the area as in the semiconductor chip can be reduced. The built-in ease is secured. The land 22a for the built-in component does not require the formation of Au plating, and does not require the formation of a solder resist around it.

特に、絶縁層11、12に挟まれた内層の配線パターン22が有する部品実装用のランド22aが、このランド22aから延設されるパターンの方向および太さを含めて、180度点対称図形になっているため、実装用ランド22aと表面実装用端子41aとを相互接続するはんだ51の形状バランスがよくかつ半導体素子41の実装位置ずれ防止を図ることができる。以上により、構造的に、配線板としての健全性および部品内蔵の電気的信頼性を維持した上で、低コスト化が図れる。   In particular, the component mounting land 22a of the inner layer wiring pattern 22 sandwiched between the insulating layers 11 and 12 is formed into a 180-degree point-symmetric figure including the direction and thickness of the pattern extending from the land 22a. Therefore, the shape balance of the solder 51 that interconnects the mounting lands 22a and the surface mounting terminals 41a is good, and the mounting position deviation of the semiconductor element 41 can be prevented. As described above, the cost can be reduced while maintaining the soundness of the wiring board and the electrical reliability built in the components structurally.

なお、内蔵、埋設する半導体素子41として、上記説明のようなウエハレベル・チップスケールパッケージのものでなく、ほかのパッケージ品(例えば半導体チップと表面実装用素子41aとの間にインターポーズ基板を有する形態)とすることも可能である。この場合は、素子としての面積および厚みが、ウエハレベル・チップスケールパッケージのものより必然的に大きくなるが、部品内蔵に供する基板側の仕様次第では対応できる。この場合も、チップ部品に適用するのと同様の表面実装技術を、半導体素子41に適用し得る利点は維持される。   The semiconductor element 41 to be embedded or buried is not a wafer level chip scale package as described above, but another package product (for example, an interpose substrate is provided between the semiconductor chip and the surface mounting element 41a). Form). In this case, the area and thickness of the element are inevitably larger than those of the wafer level / chip scale package, but this can be dealt with depending on the specifications of the board side used for component incorporation. Also in this case, the advantage that the same surface mounting technology as that applied to the chip component can be applied to the semiconductor element 41 is maintained.

次に、図1に示した部品内蔵配線板の製造工程を図5ないし図7を参照して説明する。図5ないし図7は、それぞれ、図1に示した部品内蔵配線板の製造過程の一部を模式的断面で示す工程図である。これらの図において図1中に示した構成要素と同一または同一相当のものには同一符号を付してある。   Next, the manufacturing process of the component built-in wiring board shown in FIG. 1 will be described with reference to FIGS. 5 to 7 are process diagrams schematically showing a part of a manufacturing process of the component built-in wiring board shown in FIG. In these figures, the same or equivalent components as those shown in FIG.

図5から説明する。図5は、図1中に示した各構成のうち絶縁層11を中心とした部分の製造工程を示している。まず、図5(a)に示すように、厚さ例えば18μmの金属箔(電解銅箔)22A上に例えばスクリーン印刷により、層間接続体31、31aとなるペースト状の導電性組成物をほぼ円錐形のバンプ状(底面径例えば200μm、高さ例えば160μm)に形成する。この導電性組成物は、ペースト状の樹脂中に銀、金、銅などの金属微細粒または炭素微細粒を分散させたものである。説明の都合で金属箔22Aの下面に印刷しているが上面でもよい(以下の各図も同じである)。層間接続体31、31aの印刷後これを乾燥させて硬化させる。   It demonstrates from FIG. FIG. 5 shows a manufacturing process of a portion centering on the insulating layer 11 in each configuration shown in FIG. First, as shown in FIG. 5 (a), a paste-like conductive composition that becomes the interlayer connection bodies 31 and 31a is substantially cone-shaped by, for example, screen printing on a metal foil (electrolytic copper foil) 22A having a thickness of 18 μm, for example. It is formed in a bump shape (bottom diameter, for example, 200 μm, height, for example, 160 μm). This conductive composition is obtained by dispersing fine metal particles such as silver, gold and copper or fine carbon particles in a paste-like resin. For convenience of explanation, printing is performed on the lower surface of the metal foil 22A, but it may be printed on the upper surface (the following drawings are also the same). After the interlayer connectors 31, 31a are printed, they are dried and cured.

次に、図5(b)に示すように、金属箔22A上に厚さ例えば公称100μmのFR−4のプリプレグ11Aを積層して層間接続体31、31aを貫通させ、その頭部が露出するようにする。露出に際してあるいはその後その先端を塑性変形でつぶしてもよい(いずれにしても層間接続体31、31aの形状は、積層方向に一致する軸を有しその軸方向に径が変化している。)。続いて、図5(c)に示すように、プリプレグ11A上に金属箔(電解銅箔)21Aを積層配置して加圧・加熱し全体を一体化する。このとき、金属箔21Aは層間接続体31、31aと電気的導通状態となり、プリプレグ11Aは完全に硬化して絶縁層11になる。   Next, as shown in FIG. 5B, an FR-4 prepreg 11A having a thickness of, for example, 100 μm is laminated on the metal foil 22A to penetrate the interlayer connectors 31, 31a, and the head is exposed. Like that. At the time of exposure or thereafter, the tip thereof may be crushed by plastic deformation (in any case, the shape of the interlayer connection bodies 31 and 31a has an axis coinciding with the stacking direction, and the diameter changes in the axial direction). . Subsequently, as shown in FIG. 5C, a metal foil (electrolytic copper foil) 21A is laminated on the prepreg 11A, and the whole is integrated by pressing and heating. At this time, the metal foil 21A is in electrical continuity with the interlayer connectors 31, 31a, and the prepreg 11A is completely cured to become the insulating layer 11.

次に、図5(d)に示すように、片側の金属箔22Aに例えば周知のフォトリソグラフィによるパターニングを施し、これを、実装用ランド22aを含む配線層22に加工する。そして、加工により得られた実装用ランド22a上に、図5(e)に示すように、例えばスクリーン印刷によりクリームはんだ51Aを印刷・適用する。クリームはんだ51Aは、スクリーン印刷を用いれば容易に所定パターンに印刷できる。スクリーン印刷に代えてディスペンサを使用することもできる。   Next, as shown in FIG. 5D, patterning by, for example, well-known photolithography is performed on the metal foil 22A on one side, and this is processed into the wiring layer 22 including the mounting land 22a. Then, as shown in FIG. 5E, cream solder 51A is printed and applied on the mounting land 22a obtained by the processing, for example, by screen printing. The cream solder 51A can be easily printed in a predetermined pattern by using screen printing. A dispenser can be used instead of screen printing.

次に、半導体素子41をクリームはんだ51Aを介して実装用ランド上に例えばマウンタで載置し、さらにその後クリームはんだ51Aをリフローさせるべく加熱を行う。以上により、図5(f)に示すように、はんだ51を介して半導体素子41が配線層22の実装用ランド22a上に接続された状態の配線板素材1が得られる。この配線板素材1を用いる後の工程については図7で述べる。   Next, the semiconductor element 41 is mounted on the mounting land through the cream solder 51A, for example, with a mounter, and then heated to reflow the cream solder 51A. As described above, the wiring board material 1 in a state where the semiconductor element 41 is connected to the mounting land 22a of the wiring layer 22 through the solder 51 as shown in FIG. A subsequent process using the wiring board material 1 will be described with reference to FIG.

次に、図6を参照して説明する。図6は、図1中に示した各構成のうち絶縁層13および同12を中心とした部分の製造工程を示している。まず、図6(a)に示すように、両面に例えば厚さ18μmの金属箔(電解銅箔)23A、24Aが積層された例えば厚さ300μmのFR−4の絶縁層13を用意し、その所定位置にスルーホール導電体を形成するための貫通孔82をあけ、かつ内蔵する半導体素子41に相当する部分に部品用開口部81を形成する。   Next, a description will be given with reference to FIG. FIG. 6 shows a manufacturing process of a portion centering on the insulating layer 13 and the same 12 in each configuration shown in FIG. First, as shown in FIG. 6A, for example, an FR-4 insulating layer 13 having a thickness of, for example, 300 μm in which metal foils (electrolytic copper foils) 23A and 24A having a thickness of 18 μm are laminated on both surfaces is prepared. A through hole 82 for forming a through-hole conductor is formed at a predetermined position, and a component opening 81 is formed in a portion corresponding to the built-in semiconductor element 41.

次に、無電解めっきおよび電解めっきを行い、図6(b)に示すように、貫通孔82の内壁にスルーホール導電体33を形成する。このとき開口部81の内壁にも導電体が形成される。さらに、図6(c)に示すように、金属箔23A、24Aを周知のフォトリソグラフィを利用して所定にパターニングして配線層23、24を形成する。配線層23、24のパターニング形成により、開口部81の内壁に形成された導電体も除去される。   Next, electroless plating and electrolytic plating are performed to form the through-hole conductor 33 on the inner wall of the through hole 82 as shown in FIG. At this time, a conductor is also formed on the inner wall of the opening 81. Further, as shown in FIG. 6C, the metal foils 23A and 24A are patterned in a predetermined manner using well-known photolithography to form wiring layers 23 and 24. By patterning the wiring layers 23 and 24, the conductor formed on the inner wall of the opening 81 is also removed.

次に、図6(d)に示すように、配線層23上の所定の位置に層間接続体32となる導電性バンプ(底面径例えば200μm、高さ例えば160μm)をペースト状導電性組成物のスクリーン印刷により形成する。続いて、図6(e)に示すように、絶縁層12とすべきFR−4のプリプレグ12A(公称厚さ例えば100μm)を配線層23側にプレス機を用い積層する。プリプレグ12Aには、絶縁層13と同様の、内蔵する半導体素子41に相当する部分の開口部をあらかじめ設けておく。   Next, as shown in FIG. 6 (d), conductive bumps (bottom diameter: 200 μm, height: 160 μm, for example) that will become the interlayer connector 32 are formed at predetermined positions on the wiring layer 23 of the paste-like conductive composition. It is formed by screen printing. Subsequently, as shown in FIG. 6E, an FR-4 prepreg 12A (nominal thickness, for example, 100 μm) to be the insulating layer 12 is laminated on the wiring layer 23 side using a press. In the prepreg 12A, an opening corresponding to the built-in semiconductor element 41, similar to the insulating layer 13, is provided in advance.

図6(e)の積層工程では、層間接続体32の頭部をプリプレグ12Aに貫通させる。なお、図6(e)における層間接続体32の頭部の破線は、この段階でその頭部を塑性変形させてつぶしておく場合と塑性変形させない場合の両者あり得ることを示す。以上により得られた配線板素材を配線板素材2とする。   In the stacking step of FIG. 6E, the head of the interlayer connector 32 is made to penetrate the prepreg 12A. In addition, the broken line of the head part of the interlayer connection body 32 in FIG. 6 (e) indicates that there are both cases where the head part is plastically deformed and crushed at this stage, and when it is not plastically deformed. The wiring board material obtained as described above is referred to as a wiring board material 2.

以上の図6に示した工程は、以下のような手順とすることも可能である。図6(a)の段階では、貫通孔82のみ形成し内蔵部品用の開口部81を形成せずに続く図6(b)から図6(d)までの工程を行う。次に、図6(e)に相当する工程として、プリプレグ12A(開口のないもの)の積層を行う。そして、絶縁層13およびプリプレグ12Aに部品内蔵用の開口部を同時に形成する、という工程である。   The steps shown in FIG. 6 can be performed as follows. In the stage of FIG. 6A, only the through hole 82 is formed and the subsequent steps from FIG. 6B to FIG. 6D are performed without forming the opening 81 for the built-in component. Next, as a step corresponding to FIG. 6E, prepreg 12A (without opening) is stacked. And it is the process of forming simultaneously the opening part for components incorporation in the insulating layer 13 and the prepreg 12A.

次に、図7を参照して説明する。図7は、上記で得られた配線板素材1、2などを積層する配置関係を示す図である。ここで、図示上側の配線板素材3は、下側の配線板素材1と同様な工程を適用し、かつそのあと層間接続体34およびプリプレグ14Aを、図示中間の配線板素材2における層間接続体32およびプリプレグ12Aと同様にして形成し得られたものである。   Next, a description will be given with reference to FIG. FIG. 7 is a diagram showing an arrangement relationship in which the wiring board materials 1 and 2 obtained as described above are stacked. Here, the upper wiring board material 3 shown in the figure applies the same process as that of the lower wiring board material 1, and thereafter, the interlayer connector 34 and the prepreg 14A are connected to the interlayer connector in the intermediate wiring board material 2 shown in the figure. 32 and the prepreg 12A.

ただし、配線板素材3は、部品(半導体素子41)およびこれを接続するための部位(実装用ランド)のない構成であり、さらにプリプレグ14Aには開口部を設けない。そのほかは、金属箔(電解銅箔)26A、絶縁層15、層間接続体35、配線層25、プリプレグ14A、層間接続体34とも、それぞれ配線板素材1の金属箔21A、絶縁層11、層間接続体31、配線層22、配線板素材2のプリプレグ12A、層間接続体32と同じである。   However, the wiring board material 3 is configured without a component (semiconductor element 41) and a portion (mounting land) for connecting the component (semiconductor element 41), and further, no opening is provided in the prepreg 14A. Other than that, the metal foil (electrolytic copper foil) 26A, the insulating layer 15, the interlayer connection body 35, the wiring layer 25, the prepreg 14A, and the interlayer connection body 34 are the metal foil 21A of the wiring board material 1, the insulating layer 11, and the interlayer connection, respectively. The same as the body 31, the wiring layer 22, the prepreg 12 </ b> A of the wiring board material 2, and the interlayer connection body 32.

図7に示すような配置で各配線板素材1、2、3を積層配置してプレス機で加圧・加熱する。プレス機での加圧・加熱により、プリプレグ12A、14Aが完全に硬化し全体が積層・一体化する。このとき、加熱により得られるプリプレグ12A、14Aの流動性により、半導体素子41の周りの空間およびスルーホール導電体33内部の空間にはプリプレグ12A、14Aが変形進入し空隙は発生しない。また、配線層22、24は、層間接続体32、34にそれぞれ電気的に接続される。   The respective wiring board materials 1, 2, and 3 are laminated and arranged in the arrangement as shown in FIG. The prepregs 12A and 14A are completely cured by pressurization and heating in the press machine, and the whole is laminated and integrated. At this time, due to the fluidity of the prepregs 12 </ b> A and 14 </ b> A obtained by heating, the prepregs 12 </ b> A and 14 </ b> A are deformed into the space around the semiconductor element 41 and the space inside the through-hole conductor 33, and no gap is generated. The wiring layers 22 and 24 are electrically connected to the interlayer connectors 32 and 34, respectively.

図7に示す積層工程の後、上下両面の金属箔26A、21Aを周知のフォトリソグラフィを利用して所定にパターニングし、さらにはんだレジスト61、62の層を形成することにより、図1に示したような部品内蔵配線板を得ることができる。   After the laminating process shown in FIG. 7, the upper and lower metal foils 26A and 21A are patterned in a predetermined manner using well-known photolithography, and further, layers of solder resists 61 and 62 are formed, as shown in FIG. Such a component built-in wiring board can be obtained.

変形例として、中間の絶縁層13に設けられたスルーホール導電体33については、層間接続体31や同32と同様なものとする構成も当然ながらあり得る。また、層間接続体31、31a、32、34、35について、説明した導電性組成物印刷による導電性バンプを由来とするもの以外に、例えば、金属板エッチングにより形成された金属バンプ、導電性組成物充填による接続体、めっきにより形成された導体バンプなどを由来とするものなどのうちから適宜選択、採用することもできる。また、外側の配線層21、26は、最後の積層工程のあとにパターニングして得る以外に、各配線板素材1、3の段階で(例えば図5(d)の段階で)形成するようにしてもよい。   As a modification, the through-hole conductor 33 provided in the intermediate insulating layer 13 can naturally have a configuration similar to the interlayer connector 31 or 32. Further, for the interlayer connectors 31, 31a, 32, 34, 35, in addition to those derived from the conductive bumps obtained by printing the conductive composition described above, for example, metal bumps formed by metal plate etching, conductive compositions It is possible to appropriately select and employ a connection body by filling an object, a conductor bump formed by plating, or the like. In addition, the outer wiring layers 21 and 26 are formed at the stage of each wiring board material 1 and 3 (for example, at the stage of FIG. 5D) other than patterning after the last lamination step. May be.

また、図7に示した積層工程において、配線板素材1、2については、プリプレグ12Aおよび層間接続体32の部分を配線板素材2の側ではなく配線板素材1の側に設けておくようにしてもよい。すなわち、層間接続体32の形成およびプリプレグ12Aの積層を、配線板素材1の配線層22上(絶縁層11上)であらかじめ行うようにする。この場合、実装された半導体素子41が、一見、層間接続体32をスクリーン印刷で形成するときに干渉要因となるように見えるが、半導体素子41として十分薄い部品の場合は実際上干渉要因とはならない。プリプレグ12Aの積層工程のときには、半導体素子41の厚さを吸収できるクッション材を介在させて加圧・加熱すれば面内方向均一にプリプレグ12Aを積層できる。   Further, in the laminating process shown in FIG. 7, for the wiring board materials 1 and 2, the prepreg 12 </ b> A and the interlayer connector 32 are provided not on the wiring board material 2 side but on the wiring board material 1 side. May be. That is, the formation of the interlayer connector 32 and the lamination of the prepreg 12A are performed in advance on the wiring layer 22 (on the insulating layer 11) of the wiring board material 1. In this case, the mounted semiconductor element 41 seems to be an interference factor when the interlayer connection body 32 is formed by screen printing at first glance. However, in the case of a sufficiently thin component as the semiconductor element 41, what is actually an interference factor? Don't be. In the step of laminating the prepreg 12A, the prepreg 12A can be uniformly laminated in the in-plane direction by pressing and heating with a cushioning material capable of absorbing the thickness of the semiconductor element 41 interposed.

次に、本発明の別の実施形態について図8を参照して説明する。図8は、本発明の別の実施形態に係る部品内蔵配線板の構成を模式的に示す断面図(図8(a))およびそのうちの配線層22の一部構成を模式的に示す平面図(図8(b))である。図8において、すでに説明した図中に示した構成要素と同一または同一相当のものには同一符号を付す。その部分の説明は特に加えることがない限り省略する。この実施形態は、内蔵の電気/電子部品として、半導体素子ではなくチップ抵抗141を内蔵させたものである。   Next, another embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 8 is a cross-sectional view (FIG. 8A) schematically showing a configuration of a component built-in wiring board according to another embodiment of the present invention, and a plan view schematically showing a partial configuration of the wiring layer 22 among them. (FIG. 8B). In FIG. 8, the same reference numerals are given to the same or equivalent components as those shown in the already described drawings. The description of that part is omitted unless otherwise specified. In this embodiment, a chip resistor 141 is incorporated instead of a semiconductor element as a built-in electric / electronic component.

チップ抵抗141は、例えばその平面的な大きさが例えば0.6mm×0.3mmである。両端に端子(電極)141aを有し、その下側が内層の配線層22による内蔵部品実装用ランド22aに対向位置している。チップ抵抗141の端子141aと実装用ランド22aとははんだ51により電気的・機械的に接続されている。はんだ51は、端子141a周りに形成されたフィレットを含む形状で配線層22の実装用ランド22a上に位置している。   The chip resistor 141 has a planar size of, for example, 0.6 mm × 0.3 mm. Terminals (electrodes) 141 a are provided at both ends, and the lower side thereof is opposed to the built-in component mounting land 22 a formed by the inner wiring layer 22. The terminal 141 a of the chip resistor 141 and the mounting land 22 a are electrically and mechanically connected by solder 51. The solder 51 is located on the mounting land 22a of the wiring layer 22 in a shape including a fillet formed around the terminal 141a.

このようにチップ抵抗141を内蔵した部品内蔵配線板を製造する方法は、すでに説明した図5ないし図7に示される工程を参照して容易に理解することができる。表面実装技術を利用する点では共通だからである。この実施形態も、内蔵されている部品の種類が図1に示した実施形態と異なるものの、効果では共通する面がある。   The method of manufacturing the component built-in wiring board with the built-in chip resistor 141 in this way can be easily understood with reference to the steps shown in FIGS. This is because they are common in using surface mount technology. Although this embodiment is different from the embodiment shown in FIG. 1 in the types of built-in components, there is a common aspect in effect.

すなわち、チップ抵抗141をはんだ51を介して実装するためのランド22aは、チップ抵抗141の端子141aそれぞれに対応して設けられており、2つのランド22aとこれらランド22aから引き出されているパターンの方向および太さとを要素とする平面形状が180度点対称図形になっている。このため、製造時にランド22a上ではんだ51が溶融したとき、はんだ51の各広がりおよびその溶融時表面張力を、チップ抵抗141を中心にバランスさせて、各はんだ51の形状バランスとチップ抵抗141の実装位置ずれ防止とが実現する。したがって、構造的に、配線板としての健全性および部品内蔵の電気的信頼性を向上できる。   That is, the land 22a for mounting the chip resistor 141 via the solder 51 is provided corresponding to each of the terminals 141a of the chip resistor 141, and has two lands 22a and a pattern drawn from these lands 22a. The planar shape having the direction and thickness as elements is a 180-degree point-symmetric figure. For this reason, when the solder 51 is melted on the land 22a at the time of manufacture, the spread of the solder 51 and the surface tension at the time of melting are balanced around the chip resistance 141, and the shape balance of each solder 51 and the chip resistance 141 Prevents mounting position deviation. Therefore, structurally, the soundness as a wiring board and the electrical reliability with built-in components can be improved.

次に、本発明のさらに別の実施形態について図9を参照して説明する。図9は、本発明のさらに別の実施形態に係る部品内蔵配線板の構成を模式的に示す断面図(図9(a))およびそのうちの配線層22の一部構成を模式的に示す平面図(図9(b))である。図9において、すでに説明した図中に示した構成要素と同一または同一相当のものには同一符号を付す。その部分の説明は特に加えることがない限り省略する。この実施形態は、内蔵部品としてチップ抵抗141を内蔵させた点で図8に示したものと共通しているが、はんだ51の形状制御の手法の点で異なる。   Next, still another embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 9 is a cross-sectional view (FIG. 9A) schematically showing a configuration of a component built-in wiring board according to still another embodiment of the present invention, and a plan view schematically showing a partial configuration of the wiring layer 22 among them. It is a figure (FIG.9 (b)). In FIG. 9, the same reference numerals are given to the same or equivalent components as those shown in the already described drawings. The description of that part is omitted unless otherwise specified. This embodiment is the same as that shown in FIG. 8 in that a chip resistor 141 is incorporated as a built-in component, but differs in the method of shape control of the solder 51.

すなわち、この目的で、図示するように堰き止め樹脂パターン52を設けている。堰き止め樹脂パターン52は、配線層22のランド22a上に位置するはんだ51の溶融時の広がりを制限するため設けられた、実線状部分を含む堰き止め部である。その厚さは例えば20μm程度とすることができる。はんだ51の広がりを平面上の全方向に抑制的にするため、図9(b)に示すように、これを例えば矩形枠状に形成するのがひとつの好ましい形状である。   That is, for this purpose, a damming resin pattern 52 is provided as shown. The damming resin pattern 52 is a damming portion including a solid line portion provided to limit the spread of the solder 51 located on the land 22a of the wiring layer 22 when melted. The thickness can be about 20 μm, for example. In order to suppress the spread of the solder 51 in all directions on the plane, as shown in FIG. 9B, it is preferable to form the solder 51 in a rectangular frame shape, for example.

この部品内蔵配線板は、絶縁層11、12に挟まれた内層の配線パターン22が有するランド22aが、その平面的広がりとして実線状部分を含む樹脂パターン52によって限定されており、さらに複数のランド22aの実質的な平面的広がりからなる平面図形が180度点対称図形になっている。よって、ランド22a上ではんだ51が溶融したときの各広がりを揃ったものにし(形状制御性向上)、かつ、その溶融時表面張力がチップ抵抗141を中心にバランスして、フィレットに代表される接続部形状の均一化および部品実装位置のずれ防止が実現する。   In this component built-in wiring board, the land 22a of the inner layer wiring pattern 22 sandwiched between the insulating layers 11 and 12 is limited by a resin pattern 52 including a solid line portion as a planar extension, and a plurality of lands 22a. A planar figure composed of a substantially planar spread of 22a is a 180-degree point-symmetric figure. Therefore, each spread when the solder 51 is melted on the land 22a is made uniform (improvement of shape controllability), and the surface tension at the time of melting is balanced around the chip resistance 141, and is represented by a fillet. Uniformity of the connecting part shape and prevention of deviation of the component mounting position are realized.

したがって、構造的に、配線板としての健全性および部品内蔵の電気的信頼性を維持した上で、低コスト化が図れる。ここで、ランド22aの実質的な平面的広がりとは、はんだ51が必ず濡れ広がることを意図して提供されている、配線パターン22上の領域を意味している。   Therefore, the cost can be reduced while maintaining the soundness of the wiring board and the electrical reliability of the built-in components structurally. Here, the substantially planar spread of the land 22a means a region on the wiring pattern 22 provided with the intention that the solder 51 is always spread by being wet.

なお、この実施形態では、堰き止め樹脂パターン52を設けるものの、この堰き止めパターン52より外の領域に、さらに樹脂パターンを延設するには及ばないので、例えば絶縁層12との密着性劣化のおそれはほとんどなく、問題となるような構造的な信頼性劣化は生じない。   In this embodiment, although the damming resin pattern 52 is provided, it is not necessary to further extend the resin pattern in a region outside the damming pattern 52. For example, the adhesion with the insulating layer 12 is deteriorated. There is almost no fear, and structural reliability deterioration that causes problems does not occur.

この実施形態を、図1、図8に示した実施形態と比較すると、図1、図8では、配線パターン22における複数のランド22aそれぞれの実質的な平面的広がりが、配線パターン22自体の広がりによって限定されていると言える。図9に示す実施形態では、この目的で堰き止め樹脂パターン52を設けて、はんだ51の広がり制御をより確実化している。また、堰き止め樹脂パターン52を設けることにより、ランド22aからの引き出しパターンの方向および太さについての限定がほぼ不要になる。   When this embodiment is compared with the embodiment shown in FIGS. 1 and 8, in FIGS. 1 and 8, the substantial planar spread of each of the plurality of lands 22a in the wiring pattern 22 is the spread of the wiring pattern 22 itself. It can be said that it is limited by. In the embodiment shown in FIG. 9, a damming resin pattern 52 is provided for this purpose, and the spread control of the solder 51 is further ensured. Further, by providing the damming resin pattern 52, it is almost unnecessary to limit the direction and thickness of the drawing pattern from the land 22a.

1…配線板素材、2…配線板素材、3…配線板素材、11…絶縁層、11A…プリプレグ、12…絶縁層、12A…プリプレグ、13…絶縁層、14…絶縁層、14A…プリプレグ、15…絶縁層、21…配線層(配線パターン)、21A…金属箔(銅箔)、22…配線層(配線パターン)、22a…実装用ランド、22A…金属箔(銅箔)、23…配線層(配線パターン)、23A…金属箔(銅箔)、24…配線層(配線パターン)、24A…金属箔(銅箔)、25…配線層(配線パターン)、26…配線層(配線パターン)、26A…金属箔(銅箔)、31,31a,32,34,35…層間接続体(導電性組成物印刷による導電性バンプ)、33…スルーホール導電体、41…半導体素子(ウエハレベル・チップスケールパッケージによる電気/電子部品)、41a…表面実装用端子、41b…再配線層、41c…端子パッド、41d,41e…絶縁層、41w…半導体ウエハ、51…はんだ、51A…クリームはんだ、61,62…はんだレジスト、71,72…開口部、81…部品用開口部、82…貫通孔、141…チップ抵抗(電気/電子部品)、141a…端子。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Wiring board material, 2 ... Wiring board material, 3 ... Wiring board material, 11 ... Insulating layer, 11A ... Prepreg, 12 ... Insulating layer, 12A ... Prepreg, 13 ... Insulating layer, 14 ... Insulating layer, 14A ... Prepreg, DESCRIPTION OF SYMBOLS 15 ... Insulating layer, 21 ... Wiring layer (wiring pattern), 21A ... Metal foil (copper foil), 22 ... Wiring layer (wiring pattern), 22a ... Land for mounting, 22A ... Metal foil (copper foil), 23 ... Wiring Layer (wiring pattern), 23A ... metal foil (copper foil), 24 ... wiring layer (wiring pattern), 24A ... metal foil (copper foil), 25 ... wiring layer (wiring pattern), 26 ... wiring layer (wiring pattern) 26A ... Metal foil (copper foil), 31, 31a, 32, 34, 35 ... Interlayer connection body (conductive bump by conductive composition printing), 33 ... Through-hole conductor, 41 ... Semiconductor element (wafer level Chip scale package 41a ... terminal for surface mounting, 41b ... redistribution layer, 41c ... terminal pad, 41d, 41e ... insulating layer, 41w ... semiconductor wafer, 51 ... solder, 51A ... cream solder, 61,62 ... Solder resist, 71, 72 ... opening, 81 ... opening for component, 82 ... through hole, 141 ... chip resistance (electrical / electronic component), 141a ... terminal.

Claims (3)

第1の絶縁層と、
前記第1の絶縁層に対して積層状に位置する第2の絶縁層と、
前記第2の絶縁層に埋設された、2つ以上の端子を有する電気/電子部品と、
前記電気/電子部品を実装するための複数のランドを含み、該複数のランドの実質的な平面的広がりからなる平面図形が180度点対称図形であり、かつ、前記第1の絶縁層と前記第2の絶縁層とに接して挟まれて設けられている、表層まで銅でできた配線パターンと、
前記配線パターンの前記複数のランドと前記電気/電子部品の前記2つ以上の端子とを電気的、機械的に接続するはんだと、
前記配線パターンの前記ランド上であって前記はんだが接触する第1の領域と、該第1の領域から延設された前記配線パターン上であって前記はんだが接触しない領域である第2の領域とを隔てるように該配線パターン上に設けられた樹脂パターンと
を具備することを特徴とする部品内蔵配線板。
A first insulating layer;
A second insulating layer positioned in a stack with respect to the first insulating layer;
An electrical / electronic component having two or more terminals embedded in the second insulating layer;
A plane figure including a plurality of lands for mounting the electrical / electronic component, the plane figure consisting of a substantial planar spread of the plurality of lands is a 180-degree point-symmetric figure, and the first insulating layer and the A wiring pattern made of copper up to the surface layer, provided in contact with the second insulating layer;
Solder for electrically and mechanically connecting the plurality of lands of the wiring pattern and the two or more terminals of the electrical / electronic component;
A first region on the land of the wiring pattern that contacts the solder, and a second region that is on the wiring pattern extended from the first region and that does not contact the solder And a resin pattern provided on the wiring pattern so as to be separated from each other.
前記第2の絶縁層が、少なくとも2つの絶縁層の積層であり、
前記少なくとも2つの絶縁層の間に挟まれて設けられた第2の配線パターンと、
前記第2の絶縁層の積層方向一部を貫通して前記配線パターンの面と前記第2の配線パターンの面との間に挟設され、かつ導電性組成物からなり、かつ積層方向に一致する軸を有し該軸の方向に径が変化している形状である層間接続体と
をさらに具備することを特徴とする請求項1記載の部品内蔵配線板。
The second insulating layer is a stack of at least two insulating layers;
A second wiring pattern provided between the at least two insulating layers;
The second insulating layer penetrates a part in the stacking direction and is sandwiched between the surface of the wiring pattern and the surface of the second wiring pattern, and is made of a conductive composition and coincides with the stacking direction. 2. The component built-in wiring board according to claim 1, further comprising: an interlayer connection body having a shaft that has a shape that changes in diameter in a direction of the shaft.
前記樹脂パターンが、平面形状として枠状に形成されていることを特徴とする請求項1記載の部品内蔵配線板。   The component built-in wiring board according to claim 1, wherein the resin pattern is formed in a frame shape as a planar shape.
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