JP2013157432A - 基板集合体、電子デバイス、及び基板集合体の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】基板集合体から基板を個片化するに際し、基板集合体に形成された溝の方向以外の方向への亀裂の発生を低減して基板の個片化の歩留を高めた基板集合体、これを包含する電子デバイス、及び基板集合体の製造方法を提供する。
【解決手段】平行に延びている２本の第１の溝（溝４８Ａ）と、前記第１の溝（溝４８Ａ）と交差して平行に延びている２本の第２の溝（溝４８Ｃ）と、前記第１の溝（溝４８Ａ）と前記第２の溝（溝４８Ｃ）とで囲まれた領域（中央部４２）を複数の基板領域４４に分割する分割溝（溝４８Ｂ、溝４８Ｄ）と、を備える基板集合体４０である。前記基板集合体４０において、前記溝（溝４８Ａ〜４８Ｄ）は、長手方向の端部に陥部２４を有していることを特徴とする。
【選択図】図７

Description

本発明は、基板集合体、電子デバイス、及び基板集合体の製造方法に関し、特に基板の個片化の歩留を高める技術に関するものである。

圧電デバイス（電子デバイス）を大量生産する技術としては、マトリックス状に配置された複数個の基板領域を有する基板集合体において、各基板領域に圧電振動片を配置し、分割する前にリッドの集合体を基板集合体に接合して圧電振動片を気密封止する。そして、基板領域の境界に沿って基板集合体及びリッドの集合体に対してダイシングを行なうことにより、基板、圧電振動片、及びリッドからなる圧電デバイスを個片化する方法がある（特許文献１参照）。

しかし、この方法では、ダイシング時にリッドと基板との接合部がダメージを受けるため、気密封止が破壊される虞があった。
そこで、ダイシングではなく基板集合体の折り取りにより圧電デバイスを個片化する方法が提案されている。

図１７に、従来技術に係る圧電デバイスの製造工程を示し、図１７（ａ）は溝形成工程、図１７（ｂ）は圧電振動片取り付け工程、図１７（ｃ）はキャップ接合工程、図１７（ｄ）はブレードによる折り取り工程を示す。

従来技術に係る圧電デバイス１１４（電子デバイス）の製造工程は、まず図１７（ａ）に示すように、セラミックの基板集合体１００において折り取る基板領域１０２の境界となる位置に溝１０６を形成する。
図１７（ｂ）に示すように、基板領域１０２に圧電振動片１０８を配置する。図１７（ｃ）に示すように、下面が開口したキャップ１１０を基板領域１０２に接合し、キャップ１１０と基板領域１０２により形成された内部空間において圧電振動片１０８を気密封止する。

図１７（ｄ）に示すように、基板集合体１００の裏面の溝１０６に対向する位置にブレード１１２を押し当てて溝１０６に沿って亀裂を生じさせ、基板集合体１００から基板１０４を折り取る。これにより、基板１０４、圧電振動片１０８、キャップ１１０からなる圧電デバイス１１４を折り取ることができる。
なお、特許文献２、３においては、セラミックの基板集合体の基板領域の境界となる部分に分割溝を設け、基板集合体から基板を折り取る技術が開示されている。

特開２０１０−１７７６７４号公報 特開２００５−５０９３５号公報 特開２００４−２２１５１４号公報

しかし、ブレードを基板集合体の裏面から押し当てても溝に沿った方向からずれた方向に亀裂が入る場合がある。この場合、一部が欠けた基板と、周囲に基板の断片が残った基板と、が生成されることになり、基板の製造歩留が低下するといった問題があった。

そこで、本発明は上記問題点に着目し、基板集合体から基板を個片化するに際し、基板集合体に形成された溝の方向以外の方向への亀裂の発生を低減して基板の個片化の歩留を高めた基板集合体、これを包含する電子デバイス、及び基板集合体の製造方法を提供することを目的とする。

本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の適用例として実現することが可能である。
［適用例１］平行に延びている２本の第１の溝と、前記第１の溝と交差して平行に延びている２本の第２の溝と、前記第１の溝と前記第２の溝とで囲まれた領域を複数の基板領域に分割する分割溝と、を備え、前記溝は、長手方向の端部に陥部を有していることを特徴とする基板集合体。
上記構成において、基板集合体の裏面の第１の溝の対向する位置、及び第２の溝に対向する位置からブレードを押し当てる。すると、第１の溝、第２の溝の長手方向の両端部に応力が集中し、端部同士を結ぶ線、即ち第１の溝、第２の溝の長手方向に沿って亀裂が生じやすくなる。したがって、第１の溝、第２の溝の長手方向以外の方向への亀裂の発生を低減した基板集合体となる。

［適用例２］前記第２の溝の端部が、前記第１の溝と接続していることを特徴とする適用例１に記載の基板集合体。
上記構成により、第２の溝の端部が、前記第１の溝と重なる位置に配置される。よって、第１の溝は、第１の溝の端部に配置された陥部の近傍において、第２の溝の端部に配置された陥部を共有することになる。そして、第１の溝に沿って基板集合体を分割する場合、第１の溝の陥部と、これに近接した第２の溝の陥部とを結ぶ第１の溝上の位置で亀裂が生じやすくなる。したがって、第１の溝に沿った亀裂をさらに容易に形成することができる。

［適用例３］前記分割溝の端部が、第１の溝と前記第２の溝とで囲まれた領域の外側にあることを特徴とする適用例１に記載の基板集合体。
上記構成により、適用例２と同様の理由により、分割溝に沿った亀裂を容易に形成することができる。

［適用例４］前記第１の溝の端部が、基板集合体の縁辺にあることを特徴とする適用例１乃至３のいずれか１例に記載の基板集合体。
上記構成により、基板集合体の第１の溝に沿った分割を容易に行うことができる。

［適用例５］深さ方向に貫通している前記陥部を備えていることを特徴とする適用例１乃至４のいずれか１例に記載の基板集合体。
上記構成により、陥部は貫通孔となるが、このように貫通孔を形成することにより、基板集合体に容易に亀裂を発生させることができる。

［適用例６］前記陥部の幅は、前記溝の前記陥部以外の部分の幅よりも大きいことを特徴とする適用例１乃至５のいずれか１例に記載の基板集合体。
上記構成により、基板集合体に容易に亀裂を発生させることができる。

［適用例７］適用例１乃至６のいずれか１例に記載の基板と、電子部品と、蓋体とからなることを特徴とする電子デバイス。
上記構成により、基板の欠損を低減した歩留の高い電子デバイスとなる。

［適用例８］焼結前の素板材料と、溝の端部を形成する部分が、前記溝の端部以外の部分を形成する部分より突出させている型と、を用意する工程と、前記基板材料に、前記型を押し当てて前記素板材料に溝と陥部とを同時に形成する工程と、前記素板材料を焼結する工程と、を含むことを特徴とする基板集合体の製造方法。
上記方法により、基板集合体の裏面の溝の対向する位置からブレードを押し当てることにより、溝の長手方向の両端部に応力が集中し、端部同士を結ぶ線、即ち溝の長手方向に沿って亀裂が生じやすくなる。したがって、溝の方向以外の方向への亀裂の発生を低減した基板集合体を製造することができる。

第１実施形態の基板集合体の斜視図である。 図１のＡ−Ａ線断面図である。 第１実施形態の基板集合体の製造工程を示す図であり、図３（ａ）は型を焼結前の素板材料に押し当てる前、図３（ｂ）は型を、素板材料に押し当てたとき、図３（ｃ）は、型を素板材料から引き抜いたときを示す。 第２実施形態の基板集合体の断面図である。 第３実施形態の基板集合体の斜視図である。 第４実施形態の基板集合体の斜視図である。 第５実施形態の基板集合体の平面図である。 第６実施形態の基板集合体の平面図である。 第７実施形態の基板集合体の平面図である。 第７実施形態の基板集合体の製造工程を示す図であり、図１０（ａ）は型を焼結前の素板材料に押し当てる前、図１０（ｂ）は型を素板材料に押し当てたとき、図１０（ｃ）は、型を素板材料から引き抜いたときを示す図である。 第８実施形態の基板集合体の平面図である。 第９実施形態の基板集合体の平面図である。 第１０実施形態の基板集合体の平面図である。 第１１実施形態の基板集合体の平面図である。 第１２実施形態の基板集合体の平面図である。 図１５のＡ−Ａ線断面図であって基板集合体に圧電振動片及びリッドを配置して圧電デバイスを構築したものを示す図である。 従来技術に係る圧電デバイスの製造工程を示す図であり、図１７（ａ）は溝形成工程、図１７（ｂ）は圧電振動片取り付け工程、図１７（ｃ）はキャップ接合工程、図１７（ｄ）はブレードによる折り取り工程を示す。

以下、本発明を図に示した実施形態を用いて詳細に説明する。但し、この実施形態に記載される構成要素、種類、組み合わせ、形状、その相対配置などは特定的な記載がない限り、この発明の範囲をそれのみに限定する主旨ではなく単なる説明例に過ぎない。

図１に、第１実施形態の基板集合体の斜視図を示し、図２に、図１のＡ−Ａ線断面図を示す。なお、第１実施形態乃至第４実施形態までの基板集合体は、本発明の作用効果を端的に説明するものであり、基板集合体上の溝の配置や圧電振動片等の関係については、後述の第５実施形態（図７）以降で説明する。

図１に示すように第１実施形態の基板集合体１０は、素板１２と、素板１２の搭載面１４（後述の圧電振動片６０が搭載される）に掘り込まれた溝１８と、により構成されている。図１において、溝１８は、一本であるので、基板集合体１０は、２つの基板領域（基板）が集合したものとなっている。

素板１２は、セラミック若しくはガラス等の絶縁体で形成されている。溝１８は、一方向に長手方向を有するように形成されており、図１に示すように断面が矩形となっている。そして溝１８の長手方向の端部２０の位置となる溝１８の底面２２には陥部２４が形成されている。

陥部２４は、溝１８の底面２２を更に深く掘り込むものである。陥部２４は、図１に示すように底部を有する場合もあるし、後述のように底部を有さずに、基板集合体１０を厚み方向に貫通した貫通孔を形成する場合もある。図１においては、陥部２４の幅が溝１８の幅と一致し、陥部２４の側面と溝１８の側面とが同一平面を形成しているが、幅は一致させる必要はなく、また側面同士で同一平面を形成する必要もない。なお、溝１８の幅とは、溝１８の、基板集合体１０の厚み方向及び溝１８の長手方向に垂直な方向の幅をいう。

第１実施形態の基板集合体１０では、溝１８の部分の強度は他の部分の強度より小さくなり、溝１８において陥部２４が設けられた端部２０は更に強度が小さくなる。なお、端部２０とは、文字通り、溝１８の長手方向の終端のみを示すものではなく、溝部１８において陥部２４を含む終端部近傍の一定の領域も包含するものとする。

次に、本実施形態の基板集合体１０を溝１８に沿って分割する工程について説明する。まず、基板集合体１０の実装面１６（溝１８が形成されていない面）に、ブレード２６を押し当てる（図１）。この作業を行う場合、たとえば、基板集合体１０の実装面１６を上に向けた状態で、基板集合体１０を作業台（不図示）に載せ、基板集合体１０の実装面１６の溝１８に対向する位置にブレード２６を押し当てればよい。ブレード２６は、基板集合体１０の縁辺よりも長い部材であって、その長手方向が溝１８の長手方向と平行に向けられ、平面視で溝１８とブレード２６とが重なるように配置される。この状態で基板集合体１０の実装面１６にブレード２６を押し当てると、最も強度の小さい陥部２４に応力が集中する。

よって、ブレード２６を一定以上の力で基板集合体１０に押し当てると陥部２４を基点として亀裂が発生する。この亀裂の方向は応力が集中する部分同士を結ぶ線上に最も発生しやすく、本実施形態では陥部２４同士を結ぶ線と溝１８の長手方向が一致する。さらに基板集合体１０の溝１８が形成された部分も、基板集合体１０の溝１８以外の部分よりも強度が小さいので、亀裂が基板集合体１０の溝１８以外の部分に進行する割合は小さくなる。よって、亀裂は溝１８の底面２２において溝１８の長手方向に発生し、さらに亀裂が入った衝撃で溝１８の延長線上にも応力が集中し、その延長線上にも亀裂が発生する。これにより、亀裂は溝１８とその延長線に沿って一直線に形成され、これにより基板集合体１０を分割することができる。したがって、溝１８の方向以外の方向への亀裂の発生を低減した基板集合体１０となる。

図３に、第１実施形態の基板集合体の製造工程を示し、図３（ａ）は型を焼結前の素板材料に押し当てる前、図３（ｂ）は型を、素板材料に押し当てたとき、図３（ｃ）は、型を素板材料から引き抜いたときを示す。

図３に示すように、第１実施形態の基板集合体１０をセラミックで形成する場合は、型抜きにより形成することができる。まず、図３（ａ）に示すように、焼結前のセラミックの素板材料２８と型３０を用意する。型３０は、溝１８の形状に倣って全体的に凸形状を有しており、溝１８の長手方向の全体形状を形成する稜線部３０ａと、陥部２４の形成する凸部３０ｂと、を有する。そして、図３（ｂ）に示すように、型３０を素板材料２８に押し当て、溝１８と陥部２４を同時に形成する。最後に、図３（ｃ）に示すように型３０を素板材料２８から引き抜き、素板材料２８を焼結させることにより溝１８（陥部２４）を備えた基板集合体１０となる。

また焼結後のセラミックの素板１２であれば、加工用のレーザー光を照射して溝１８を形成することができる。すなわち、レーザー光源（不図示）を焼結後の素板１２上で移動させながら、一定の強度でレーザー光を素板１２の搭載面１４に照射することにより溝１８を形成する。このとき、溝１８の端部２０となるところで、一定時間レーザー光源（不図示）の移動を停止させる、または停止させるとともにレーザー光の出力を高めて、レーザー光の照射量を増やせばよい。なおレーザー光源ではなく、素板１２を移動させてもよく、溝１８の形成位置に倣ってレーザー光が照射できるような素板１２の面方向の相対運動が、レーザー光源（不図示）と素板１２との間で実現できればよい。

基板集合体１０をガラスや水晶で形成する場合は、これらの材料を用いた素板１２にサンドブラストを用いて溝１８を形成することができる。この場合もサンドブラストの照射源（不図示）と素板１２との相対運動を上述同様に行なえばよい。また基板集合体１０を、水晶で形成する場合は、水晶の素板１２に対してフッ酸等を用いたエッチングを行なって溝１８を形成することができる。この場合、素板１２に溝１８を形成するエッチング工程と、溝１８の長手方向の端部２０に陥部２４を形成するエッチング工程を必要とする。

図４に、第２実施形態の基板集合体の断面図を示す。図４に示すように第２実施形態の基板集合体１０Ａは、陥部２４Ａの底部が基板集合体１０Ａの実装面１６に貫通し、陥部２４Ａが貫通孔となっているものである。これにより、陥部２４Ａ（貫通孔）に対して応力をより多く集中させることができる。

図５に、第３実施形態の基板集合体の斜視図を示す。図５に示すように第３実施形態の基板集合体１０Ｂは、溝１８の端部２０が基板集合体１０Ｂの縁辺にまで及んでいるものである。よって、溝１８の端部２０Ｂ及び陥部２４Ｂは、素板１２の縁辺側で開口している。よって溝１８に発生した亀裂のみで基板集合体１０Ｂを分割することができるので、容易に基板集合体１０Ｂを分割することができる。

図６に、第４実施形態の基板集合体の斜視図を示す。図６に示すように第６実施形態の基板集合体１０Ｃは、溝１８の端部２０に配置された陥部２４Ｃの幅（直径）が、溝１８の端部２０以外の部分より大きくなっている。これにより、陥部２４Ｃに対して応力をより多く集中させることができる。

第２実施形態乃至第４実施形態の基板集合体１０Ａ、１０Ｂにおける溝１８の形成方法は第１実施形態と同様である。第４実施形態において、レーザー光で陥部２４Ｃを形成する場合は、溝１８の端部２０となるところでレーザー光が素板１２上で同心円状の軌跡を描くようにレーザー光源（不図示）と素板１２を相対運動させればよい。また、レーザー光をガルバノミラー（不図示）に反射させ、ガルバノミラー（不図示）の回動によりレーザー光が素板１２上で同心円状の軌跡を描くようにしてもよい。

図７に、第５実施形態の基板集合体の平面図を示す。図７に示すように、第５実施形態の基板集合体４０は、溝４８（溝４８Ａ〜溝４８Ｄ）が格子状に形成され、格子の外枠となる第１の溝（溝４８Ａ）、第２の溝（溝４８Ｃ）に囲まれた部分を外周とする中央部４２と、中央部４２の外周を内周とし基板集合体４０の縁辺を外周とする周縁部４６と、を有する。

基板集合体４０において、第１の溝（溝４８Ａ）が基板集合体４０の長辺方向に配置され、第２の溝（溝４８Ｃ）が基板集合体４０の短辺方向に配置されているが、第１の溝（溝４８Ａ）を基板集合体４０の長辺方向に配置し、第２の溝（溝４８Ｃ）を基板集合体４０の短辺方向に配置してもよい。基板集合体４０において、溝４８Ａの端部と溝４８Ｂの端部とが互いに接続している。また溝４８Ｂの端部が、溝４８Ｃの端部以外の部分で接続し、溝４８Ｄの端部が、溝４８Ａの端部以外の部分で接続している。

中央部４２は、溝４８Ａ、４８Ｃにより周縁部４６から分割される。また中央部４２は、溝４８Ｂ、４８Ｄにより格子状に１６分割される。そして、溝４８Ｂ、４８Ｄにより分割された一つ一つの領域がデバイス用の基板５０（基板１０４、図１７）の元となる基板領域４４となる。基板領域４４は、基板集合体４０においてマトリックス状に配列形成される。また第１実施形態でも述べたように、溝４８の端部２０には陥部２４が設けられている。よって、本実施形態では、格子の外枠を形成する溝４８Ａ、４８Ｃ同士の交差位置（外枠の角の部分）と、溝４８Ａと格子の内枠を形成する溝４８Ｄ（分割溝）との交差位置と、溝４８Ｃと格子の内枠を形成する溝４８Ｂ（分割溝）との交差位置と、に陥部２４が設けられている。

ブレード２６は、第１実施形態と同様に基板集合体４０の実装面（溝４８が形成されていない面）から押し当てられるが、平面視で溝４８と重なる位置に押し当てられる。そして基板集合体４０は、中央部４２の溝４８に沿った部分と、周縁部４６のブレード２６に対向する部分、即ち溝４８の延長線と重なる位置で分割され、基板集合体４０を全ての部分で分割することにより、基板領域４４がデバイス用の基板５０として個片化される。

本実施形態では、中央部４２の周囲が周縁部４６に支持される形となるため、基板集合体４０の全体の強度は維持され、基板集合体４０の取り扱いが容易となる。なお、第５実施形態の基板集合体４０は、第１実施形態と同様に型抜き等により形成することができる。

図８に、第６実施形態の基板集合体の平面図を示す。図８に示すように第６実施形態の基板集合体４０Ａは、溝４８の端部２０が中央部４２の外側に延出し、周縁部４６において、基板集合体４０Ａの縁辺の内側となる位置にまで延出している。そして、溝４８の長手方向の端部２０には、第２の陥部５２が設けられている。

本実施形態では、第５実施形態と同様にブレード２６を用いて基板集合体４０Ａを分割するが、ブレード２６による応力は陥部２４と、第２の陥部５２に集中する。そして、溝４８の周縁部４６に設けられた部分、すなわち陥部２４と第２の陥部５２との間の部分に応力が集中することになるので、陥部２４と第２の陥部５２との間の部分に優先的に亀裂が発生する。よって、その亀裂の延長線となる溝４８全体に亀裂が発生し、周縁部４６の溝４８の延長線となる部分に亀裂が発生し、これにより基板集合体４０Ａを分割することができる。よって第６実施形態では、第５実施形態よりも溝４８に亀裂が発生しやすくなるので、基板集合体４０Ａの分割を容易に行うことができる。

図９に、第７実施形態の基板集合体の平面図を示す。図９に示すように、第７実施形態の基板集合体４０Ｂは、第６実施形態の基板集合体４０Ａにおいて、格子の内枠を形成する溝４８Ｂ、４８Ｄ同士の交差位置に第３の陥部５４が設けられたものである。これにより、溝４８において応力の集中箇所が増えるので、第６実施形態よりも更に容易に基板集合体４０Ｂを分割することができる。

図１０に、第７実施形態の基板集合体の製造工程を示し、図１０（ａ）は型を焼結前の素板材料に押し当てる前、図１０（ｂ）は型を素板材料に押し当てたとき、図１０（ｃ）は、型を素板材料から引き抜いたときを示す。第７実施形態の基板集合体４０Ｂの製造工程は、第１実施形態の基板集合体１０の製造工程と同様であるが、図１０（ａ）に示すように、型３０の稜線部３０ａをその長手方向にさらに延長し、その端部に第２の陥部５２を形成する第２の凸部３０ｃを配置し、稜線部３０ａにおいて第３の陥部５４に対応する位置に第３の凸部３０ｄを形成する。そして図１０（ｂ）に示すように、焼結前の素板材料２８に型３０を押し当て、図１０（ｃ）に示すように素板材料２８から型３０を抜き取った上で素板材料２８を焼結させればよい。

第７実施形態の基板集合体４０Ｂを型抜きにより形成する場合、基板集合体４０Ｂの縦方向の溝４８を形成する型３０、及び横方向の溝４８を形成する型３０のいずれか一方を、図１０に示す型３０のように形成し、他方の型３０を図３に示す型３０のように形成すればよい。第６実施形態の基板集合体４０Ａも上述と同様の方法で形成することができるが、図１０に示す型３０のうち、第３の凸部３０ｄを取り去ったものを用いればよい。

また第７実施形態の基板集合体４０を焼結後の素板１２にレーザー光を照射して形成する場合には、第１実施形態と同様に形成することができる。すなわち、溝４８の端部２０において、第２の陥部５２が形成される。そして、レーザー光は溝４８同士の交差位置において２回照射されることになるので、溝４８の交差位置において、陥部２４、及び第３の陥部５４が必然的に形成される。
また第５実施形態乃至第７実施形態の基板集合体４０、４０Ａ、４０Ｂを、ガラスまたは水晶で形成する場合は、第１実施形態と同様の方法で形成することができる。

図１１に、第８実施形態の基板集合体の平面図を示し、図１２に、第９実施形態の基板集合体の平面図を示す。第８実施形態の基板集合体４０Ｃは、第５実施形態の基板集合体４０において、格子の外枠を形成する溝４８Ａ、４８Ｃが基板集合体４０（素板１２）の縁辺に配置されたものである。また、第９実施形態の基板集合体４０Ｄは、第８実施形態の基板集合体４０Ｂにおいて、格子の内枠を形成する溝４８Ｂ，４８Ｄが、周縁部４６の基板集合体４０（素板１２）の縁辺より内側の位置に配置されたものとなっている。

これにより、基板集合体４０Ｃにおいて周縁部４６を分割することが容易となり、中央部４２と周縁部４６との分割を容易して、第５実施形態の場合よりも個片化を容易に行うことができる。なお、第８実施形態の基板集合体４０Ｃには、第３の陥部５４も設けられ、第７実施形態と同様に中央部４２が分割しやすくなっている。

図１３に、第１０実施形態の基板集合体の平面図を示し、図１４に、第１１実施形態の基板集合体の平面図を示す。第１０実施形態の基板集合体４０Ｅは、第７実施形態の基板集合体４０Ｂにおいて、全ての溝４８の端部２０が周縁部４６の素板１２の縁辺となる位置まで達するように設けられている。そして第１１実施形態の基板集合体４０Ｆは、第１０実施形態の基板集合体４０Ｅであって、周縁部４６の縦方向及び横方向の幅を、それぞれ基板領域４４の縦方向及び横方向の幅に一致させたものである。

このような構成とすることにより、ブレード２６を用いなくとも基板集合体４０Ｅ、４０Ｆから基板５０を個片化することができる。すなわち、基板集合体４０Ｅ，４０Ｆの溝４８が形成された搭載面１４（図１）を下に向けた状態で一定の弾性を有する台（不図示）の上に載置する。そして基板集合体４０Ｅ、４０Ｆの実装面１６（図１参照、この段階で上に向いている面）から荷重ローラー（不図示）を押し当てて、基板集合体４０Ｅ、４０Ｆを台（不図示）とともに変形させつつローラー（不図示）を基板集合体４０Ｅ、４０Ｆの対角線方向に移動させる。このとき、平面視でローラー（不図示）が通過した陥部２４、第２の陥部５２、第３の陥部５４には応力が集中するが、各陥部同士を結ぶ最短の線は、溝４８の長手方向と一致する。したがって、基板集合体４０Ｅ、４０Ｆは、結果的に格子状に形成された溝４８の外枠及び内枠の部分で分割され、基板集合体４０Ｅ、４０Ｆから基板５０を折り取る（個片化する）ことができる。特に、第１１実施形態の場合は、周縁部４６も基板５０と同一寸法で分割されるので、周縁部４６も基板５０として用いることができる。

第１実施形態乃至第１１実施形態では、基板集合体１０、４０は平板である。そして、図１７に倣うと、基板領域４４（基板領域１０２）に後述の圧電振動片６０（圧電振動片１０８）を配置するとともに基板領域４４（基板領域１０２）に後述の圧電振動片６０（圧電振動片１０８）を気密封止するための収容空間を有するキャップ１１０（図１７）を接合したのち、溝１８、４８（溝１０６）の部分で基板集合体１０、４０を分割して圧電デバイス（圧電デバイス１１４）を個片化することができる。

一方、次の第１２実施形態ではキャップ１１０（図１７）の代わりにリッド６２（図１６）を用いて圧電デバイス６４が製造可能な基板集合体４０Ｇについて説明する。
図１５に、第１２実施形態の基板集合体の平面図を示し、図１６に、図１５のＡ−Ａ線断面図であって基板集合体に圧電振動片及びリッドを配置して圧電デバイスを構築したものを示す。

本実施形態の基板集合体４０Ｇは、基板領域４４（溝４８に囲まれた部分）の中央に配置された薄肉部５６と、薄肉部５６の周囲を囲むとともに、基板領域４４の外周を外周とし薄肉部５６よりも厚さが厚い矩形のリング形状の厚肉部５８（側壁部）と、を有している。

よって、図１６に示すように、第１２実施形態では、薄肉部５６を底面とし、厚肉部５８の内側側面を側面とする凹部が形成され、この凹部に圧電振動片６０（電子部品）を配置する。そして、圧電振動片６０を気密封止するために厚肉部５８の開口部をリッド６２で封止することにより、圧電デバイス６４（電子デバイス）を構築することができる。図１６に示す圧電デバイス６４の個片化は、前述のようにブレード２６により行ってもよいし、荷重ローラー（不図示）により行ってもよい。

なお、圧電振動片６０は、水晶等の圧電材料により形成され、音叉型振動子、双音叉型振動子、ＡＴカット水晶基板による厚みすべり振動子、ＳＡＷ共振子、ジャイロ振動子等を適用することができる。

また、圧電デバイス６４においては、圧電振動片６０は、導電性接着剤６６を介して薄肉部５６（搭載面１４）に配置された接続電極（不図示）に電気的に接続されている。そして接続電極（不図示）と、基板５０の実装面１６に配置された外部電極（不図示）と、が基板５０を厚み方向に貫通する貫通電極（不図示）により電気的に接続されている。

なお、本実施形態において、溝１８、４８の断面は矩形としてきたが、図１７に示すように、溝１８、４８の断面をＶ字にしてもよい。第５実施形態以降において各陥部は、陥部２４Ａ、２４Ｃのような形態としてもよい。

１０、１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ………基板集合体、１２………素板、１４………搭載面、１６………実装面、１８，１８Ｂ………溝、２０………端部、２２………底面、２４，２４Ａ，２４Ｂ，２４Ｃ………陥部、２６………ブレード、２８………素板材料、３０………型、３０ａ………稜線部、３０ｂ………凸部、３０ｃ………第２の凸部、３０ｄ………第３の凸部、４０，４０Ａ，４０Ｂ，４０Ｃ，４０Ｄ，４０Ｅ，４０Ｆ………基板集合体、４２………中央部、４４………基板領域、４６………周縁部、４８，４８Ａ，４８Ｂ，４８Ｃ，４８Ｄ………溝、５０………基板、５２………第２の陥部、５４………第３の陥部、５６………薄肉部、５８………厚肉部、６０………圧電振動片、６２………リッド、６４………圧電デバイス、６６………導電性接着剤、１００………基板集合体、１０２………基板領域、１０４………基板、１０６………溝、１０８………圧電振動片、１１０………キャップ、１１２………ブレード、１１４………圧電デバイス。

Claims (8)

1. 平行に延びている２本の第１の溝と、
   前記第１の溝と交差して平行に延びている２本の第２の溝と、
   前記第１の溝と前記第２の溝とで囲まれた領域を複数の基板領域に分割する分割溝と、を備え、
   前記溝は、長手方向の端部に陥部を有していることを特徴とする基板集合体。
2. 前記第２の溝の端部が、前記第１の溝と接続していることを特徴とする請求項１に記載の基板集合体。
3. 前記分割溝の端部が、第１の溝と前記第２の溝とで囲まれた領域の外側にあることを特徴とする請求項１に記載の基板集合体。
4. 前記第１の溝の端部が、基板集合体の縁辺にあることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の基板集合体。
5. 深さ方向に貫通している前記陥部を備えていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の基板集合体。
6. 前記陥部の幅は、
   前記溝の前記陥部以外の部分の幅よりも大きいことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の基板集合体。
7. 請求項１乃至６のいずれか１項に記載の基板と、電子部品と、蓋体とからなることを特徴とする電子デバイス。
8. 焼結前の素板材料と、溝の端部を形成する部分が、前記溝の端部以外の部分を形成する部分より突出させている型と、を用意する工程と、
   前記基板材料に、前記型を押し当てて前記素板材料に溝と陥部とを同時に形成する工程と、
   前記素板材料を焼結する工程と、
   を含むことを特徴とする基板集合体の製造方法。

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