JP2013133522A - Film deposition apparatus and particle capturing plate - Google Patents
Film deposition apparatus and particle capturing plate Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013133522A JP2013133522A JP2011285869A JP2011285869A JP2013133522A JP 2013133522 A JP2013133522 A JP 2013133522A JP 2011285869 A JP2011285869 A JP 2011285869A JP 2011285869 A JP2011285869 A JP 2011285869A JP 2013133522 A JP2013133522 A JP 2013133522A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- unevenness
- film forming
- plate
- particle capturing
- capturing plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
- C23C16/4404—Coatings or surface treatment on the inside of the reaction chamber or on parts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C4/00—Coating by spraying the coating material in the molten state, e.g. by flame, plasma or electric discharge
- C23C4/01—Selective coating, e.g. pattern coating, without pre-treatment of the material to be coated
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Description
本発明は、被成膜材に成膜材料を成膜する成膜装置及び成膜装置に取り付けられるパーティクル捕獲板に関する。 The present invention relates to a film forming apparatus for forming a film forming material on a film forming material and a particle trap plate attached to the film forming apparatus.
ITO(Indium Tin Oxide:インジウム錫酸化物)膜などの薄膜を形成する成膜装置では、成膜室内において基板などの被成膜材以外の内壁などに成膜原子(成膜材料)が付着し、パーティクルと呼ばれる粗大粒子が内壁に堆積することがある。このパーティクルが堆積した膜は、成膜室の内壁から剥離することがあり、それが成膜室内及び基板に飛散して付着し、成膜品質の低下などといった問題を招来する。 In film deposition equipment that forms thin films such as ITO (Indium Tin Oxide) films, film deposition atoms (film deposition materials) adhere to the inner walls of the substrate other than the film deposition material. Coarse particles called particles may accumulate on the inner wall. The film on which the particles are deposited may be peeled off from the inner wall of the film forming chamber, and the film is scattered and attached to the film forming chamber and the substrate, resulting in problems such as deterioration in film forming quality.
そこで、例えば特許文献1に記載の成膜装置では、成膜室内にシールド部材を配置している。このシールド部材は、その表面にアルミニウムまたはアルミニウム合金からなるプラズマ溶射膜が形成されており、さらに、プラズマ溶射膜の表面が粗面化されている。これにより、シールド部材では、パーティクルの剥離防止を図っている。
Therefore, for example, in the film forming apparatus described in
また、例えば特許文献2に記載の成膜装置では、ビッカーズ硬度100〜130Hvのエンボス加工面を備える電解銅箔を成膜室の内部に配置し、電解銅箔によりパーティクルの剥離防止を図っている。 For example, in the film forming apparatus described in Patent Document 2, an electrolytic copper foil having an embossed surface having a Vickers hardness of 100 to 130 Hv is disposed inside the film forming chamber, and particle peeling is prevented by the electrolytic copper foil. .
しかしながら、上記従来の構成では、成膜材料の捕獲機能及びパーティクルが堆積してなる堆積膜の保持性が十分ではなく、堆積膜の剥離がどうしても生じてしまう。したがって、堆積膜の剥離に関して、更なる改善が望まれている。 However, in the above-described conventional configuration, the film forming material capturing function and the retention of the deposited film formed by the deposition of particles are not sufficient, and the deposited film is inevitably peeled off. Therefore, further improvement is desired regarding peeling of the deposited film.
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、堆積膜の剥離を効果的に抑制できる成膜装置及びパーティクル捕獲板を提供することを目的とする。 The present invention has been made to solve the above-described problems, and an object of the present invention is to provide a film forming apparatus and a particle trap plate that can effectively suppress peeling of a deposited film.
本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意研究を重ねた結果、成膜材料が付着する表面を特定の形状とすることにより、成膜材料を効果的に捕獲して保持できることを見出し、本発明に至った。 As a result of intensive studies to solve the above problems, the present inventors have found that the film forming material can be effectively captured and held by making the surface to which the film forming material adheres into a specific shape. The present invention has been reached.
すなわち、本発明に係る成膜装置は、被成膜材に成膜材料を成膜するための成膜処理を行う成膜室を備える成膜装置であって、成膜室内に配置されるパーティクル捕獲板を備え、パーティクル捕獲板の表面には、第1の凹凸と、第1の凹凸上に設けられ、第1の凹凸よりも微細な第2の凹凸とが形成されていることを特徴とする。 That is, a film forming apparatus according to the present invention is a film forming apparatus including a film forming chamber for performing a film forming process for forming a film forming material on a film forming material, and includes particles disposed in the film forming chamber. A capture plate is provided, and on the surface of the particle capture plate, a first unevenness and a second unevenness that is provided on the first unevenness and is finer than the first unevenness are formed. To do.
この成膜装置では、パーティクル捕獲板の表面に、第1の凹凸と、この第1の凹凸よりも微細な第2の凹凸とが形成されている。パーティクル捕獲板では、第1の凹凸及び第2の凹凸により表面積が拡大されているため、成膜材料の付着面が確保されている。また、微細な第2の凹凸のアンカー効果により、成膜材料を効果的に捕獲できる。さらに、第2凹凸よりも凹凸の大きい第1の凹凸により、第2の凹凸により捕獲した成膜材料(パーティクル)を堆積させて保持できる。したがって、成膜材料を効果的に捕獲して保持できる。その結果、堆積膜の剥離を効果的に抑制できる。 In this film forming apparatus, first irregularities and second irregularities finer than the first irregularities are formed on the surface of the particle capturing plate. In the particle trap plate, the surface area is enlarged by the first unevenness and the second unevenness, so that an adhesion surface of the film forming material is secured. Further, the film forming material can be effectively captured by the anchor effect of the fine second unevenness. Furthermore, the film-forming material (particles) captured by the second unevenness can be deposited and held by the first unevenness that is larger than the second unevenness. Therefore, the film forming material can be effectively captured and held. As a result, the peeling of the deposited film can be effectively suppressed.
第1の凹凸は、第1の加工により形成され、第2の凹凸は、第1の加工の後に実施される第2の加工により形成されている。このように、第1の加工後に第2の加工を施すことにより、第1の凹凸の全面に亘って第2の凹凸が形成される。 The 1st unevenness | corrugation is formed by the 1st process, and the 2nd unevenness | corrugation is formed by the 2nd process implemented after a 1st process. As described above, by performing the second processing after the first processing, the second unevenness is formed over the entire surface of the first unevenness.
第1の加工は、ローレット加工であり、第2の加工は、エアーブラスト加工である。このような加工方法を用いることにより、第1の凹凸及び第2の凹凸をそれぞれ良好に形成できる。 The first process is a knurling process, and the second process is an air blast process. By using such a processing method, the first unevenness and the second unevenness can be satisfactorily formed.
第1の凹凸は、ローレット加工により形成されたあや目である。第1の凹凸をあや目とすることにより、パーティクル捕獲板における表面積を拡大でき、その結果、第2の凹凸の形成面も増加する。したがって、成膜材料の捕獲面をより一層確保できる。また、あや目とすることにより、多方向から成膜材料を捕獲できる。 The first unevenness is a twill formed by knurling. By setting the first unevenness as a rough eye, the surface area of the particle capturing plate can be increased, and as a result, the formation surface of the second unevenness is also increased. Therefore, it is possible to further secure a capture surface for the film forming material. In addition, the film formation material can be captured from a plurality of directions by using a rough eye.
パーティクル捕獲板は、銅製であることが好ましい。銅板を用いることにより、第1の凹凸及び第2の凹凸の加工を良好に行うことができる。 The particle capturing plate is preferably made of copper. By using a copper plate, the first unevenness and the second unevenness can be processed satisfactorily.
パーティクル捕獲板は、板厚が略3mmであることが好ましい。このように、板厚を3mmとすることで、剛性を確保できる。そのため、パーティクル捕獲板に付着した成膜材料の除去(洗浄)作業を良好に行うことができる。 The particle capturing plate preferably has a plate thickness of about 3 mm. Thus, rigidity can be secured by setting the plate thickness to 3 mm. Therefore, it is possible to satisfactorily perform the removal (cleaning) operation of the film forming material attached to the particle trap plate.
また、本発明に係るパーティクル捕獲板は、成膜装置の成膜室内に配置されるパーティクル捕獲板であって、表面には、第1の凹凸と、第1の凹凸上に設けられ、第1の凹凸よりも微細な第2の凹凸とが形成されていることを特徴とする。 The particle trap plate according to the present invention is a particle trap plate disposed in a film formation chamber of a film formation apparatus, and is provided with a first unevenness and a first unevenness on a surface thereof. Second irregularities finer than the irregularities are formed.
このパーティクル捕獲板では、第1の凹凸と、この第1の凹凸よりも微細な第2の凹凸とが形成されている。これにより、第1の凹凸及び第2の凹凸により表面積が拡大されているので、成膜材料の付着面が確保されている。また、微細な第2の凹凸のアンカー効果により、成膜材料を効果的に捕獲できる。さらに、第2凹凸よりも凹凸の大きい第1の凹凸により、第2の凹凸により捕獲した成膜材料(パーティクル)を堆積させて保持できる。したがって、成膜材料を効果的に捕獲して保持できる。その結果、堆積膜の剥離を抑制できる。 In this particle capturing plate, first irregularities and second irregularities finer than the first irregularities are formed. Thereby, since the surface area is expanded by the first unevenness and the second unevenness, an adhesion surface of the film forming material is secured. Further, the film forming material can be effectively captured by the anchor effect of the fine second unevenness. Furthermore, the film-forming material (particles) captured by the second unevenness can be deposited and held by the first unevenness that is larger than the second unevenness. Therefore, the film forming material can be effectively captured and held. As a result, peeling of the deposited film can be suppressed.
本発明によれば、堆積膜の剥離を効果的に抑制できる。 According to the present invention, peeling of the deposited film can be effectively suppressed.
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図面の説明において同一又は相当要素には同一符号を付し、重複する説明は省略する。 Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the description of the drawings, the same or equivalent elements will be denoted by the same reference numerals, and redundant description will be omitted.
図1は、一実施形態に係る成膜装置の構成を示す図である。図2は、図1に示す成膜装置を横から見た図である。成膜装置1は、成膜室である真空容器3と、真空容器3中にプラズマビームPBを供給するプラズマ源であるプラズマガン5と、真空容器3内の底部に配置されてプラズマビームPBが入射する陽極部材7と、真空容器3上部に配置されてトレイTを陽極部材7の上方で移動させる搬送機構10とを備える。
FIG. 1 is a diagram illustrating a configuration of a film forming apparatus according to an embodiment. FIG. 2 is a side view of the film forming apparatus shown in FIG. The
ここで、プラズマガン5は、プラズマビームPBを発生する圧力勾配型のプラズマガンであり、プラズマガン5と真空容器3との間には、プラズマビームPBを真空容器3まで導く中間電極12,14、ステアリングコイル(図示を省略)などが配置されている。また、陽極部材7は、プラズマガン5からのプラズマビームPBを下方に導くとともに成膜材料を収容するハース本体18を有するハース16と、その周囲に配置された環状の補助陽極20とからなる。搬送機構10は、搬送路22内に水平方向に配列された複数のコロ24と、これらのコロ24を適当な速度で回転させてトレイTを一定速度で移動させる駆動装置(図示を省略)とを備える。搬送路22内には、ガラス基板(被成膜材)Wを加熱するヒータ26が配置されている。
Here, the plasma gun 5 is a pressure gradient type plasma gun that generates a plasma beam PB. Between the plasma gun 5 and the
この成膜装置1においては、プラズマガン5の陰極(図示を省略)と真空容器3内のハース16との間で放電が生じ、これによりプラズマビームPBが生成される。このプラズマビームPBは、ステアリングコイルや補助陽極20内の永久磁石等により決定される磁界に案内されてハース16に到達する。ハース本体18に収納された例えばITO(インジウム錫酸化物)等の成膜材料は、プラズマビームPBにより加熱されて蒸発する。この蒸発した成膜材料(蒸発粒子)は、プラズマビームPBによりイオン化され、搬送機構10によって一定速度で移動するトレイTの下面に露出するガラス基板Wの表面に付着し、ここにITO(インジウム錫酸化物)等の被膜が形成される。
In the
上記の構成を有する成膜装置1の真空容器3内においては、成膜材料が真空容器3の内側面(内壁)に付着して、パーティクル(粗大粒子)が堆積する。このパーティクルがある程度堆積すると、真空容器3の内側面から堆積したパーティクル(膜)が剥離し、真空容器3内に飛散しガラス基板Wに付着するおそれがある。これにより、ガラス基板Wが汚染され、品質が低下するといった問題が生じる。
In the
そこで、成膜装置1は、真空容器3内に配置されるパーティクル捕獲板30を備えている。パーティクル捕獲板30は、真空容器3の内側面に沿って配置されており、成膜材料を捕獲して保持する機能を有している。パーティクル捕獲板30は、例えば銅製の板部材であり、その厚みが例えば3mm程度である。以下、パーティクル捕獲板30について、図3及び図4を参照しながら詳細に説明する。
Therefore, the
図3は、パーティクル捕獲板の表面を示す図である。図4は、図3に示すパーティクル捕獲板の表面を拡大して示す断面図である。 FIG. 3 is a view showing the surface of the particle capturing plate. FIG. 4 is an enlarged cross-sectional view showing the surface of the particle capturing plate shown in FIG.
図3及び図4に示すように、パーティクル捕獲板30の表面30aには、第1凹凸(第1の凹凸)32と、第2凹凸(第2の凹凸)34とが形成されている。第1凹凸32は、ローレット加工により形成されたローレット目のあや目である。ローレット目(英文名称:Knurling)は、JIS B 0951に規定されているものである。
As shown in FIGS. 3 and 4, a first unevenness (first unevenness) 32 and a second unevenness (second unevenness) 34 are formed on the
第1凹凸32は、凸部分の断面が略山形を呈している。第1凹凸32のピッチtは、例えば1.6mm程度である。第1凹凸32における溝の深さ(底部から頂部までの高さ)hは、例えば0.7mm程度である。第1凹凸32は、例えば、銅板にローレット工具を押し当てて銅板の表面を押し潰して塑性変形をさせたり、銅板の表面を切削したりすることによりことにより形成される。
As for the 1st unevenness |
第2凹凸34は、第1凹凸32上に形成されている。第2凹凸34は、エアーブラスト加工により形成される微細な凹凸であり、第1凹凸32に比べて凹凸が非常に小さい。第2凹凸34は、第1凹凸32をローレット加工により形成した後に、その第1凹凸32の表面にエアーブラスト加工により形成される。すなわち、第1凹凸32の表面(パーティクル捕獲板30の表面30a)は、梨地面となっている。
The
第2凹凸34は、例えば粒径が300〜355μm程度の投射物(例えば、アルミナ)を衝突させて形成することが好ましく、中心線平均粗さRzは、例えば20〜40μm程度であることが好ましい。
The
パーティクル捕獲板30は、第1凹凸32及び第2凹凸34が形成された表面30aが真空容器3の内側を向くように、真空容器3内に配置される。具体的には、パーティクル捕獲板30は、陽極部材7を取り囲むように、真空容器3の内側面に沿って配置されている。
The
パーティクル捕獲板30の表面30aの反対側の裏面30bは、光沢面(無加工面)となっている。この裏面30bには、冷却板40が設けられている。冷却板40は、例えば厚みが5mm程度の板状の部材であり、真空容器3内において、真空容器3の内側面とパーティクル捕獲板30との間に配置されている。
The
冷却板40は、パーティクル捕獲板30にスタッドボルト50と袋ナット52とにより取り付けられている。図5は、パーティクル捕獲板と冷却板との取り付け構造を拡大して示す断面図である。図5に示すように、冷却板40は、その一面40aがパーティクル捕獲板30の裏面30bに対向して配置され、裏面30bと密着している。なお、ここでいう密着とは、パーティクル捕獲板30の裏面30bと冷却板40の一面40aとが少なくとも面接触していればよい。このような構成により、冷却板40は、パーティクル捕獲板30と一体に設けられている。
The cooling
パーティクル捕獲板30に冷却板40を取り付けるときには、真空容器3の内側面側から、スタッドボルト50に対して、冷却板40、パーティクル捕獲板30、押さえ座金54及び袋ナット52の順でセットし、袋ナット52をスタッドボルトにスバナ締めする。なお、スタットボルト50には、ナット56が設けられており、ナット56には、噛み止め用セットねじ58が取り付けられている。
When attaching the cooling
図1及び図2に示すように、冷却板40には、冷却剤(水)が通される冷却管42が設けられている。冷却管42は、冷却板40の他面40b側に配置されている。冷却管42は、冷却板40の全面にわたって配置されている。冷却板40及び冷却管42により、冷却機構が構成されている。
As shown in FIGS. 1 and 2, the cooling
以上説明したように、本実施形態では、真空容器3内にパーティクル捕獲板30が配置されている。パーティクル捕獲板30の表面30aには、第1凹凸32と、この第1凹凸32よりも微細な第2凹凸34とが形成されている。パーティクル捕獲板30では、第1凹凸32及び第2凹凸34により表面積が拡大されており、成膜材料の付着面が確保されている。また、微細な第2凹凸34のアンカー効果により、成膜材料を効果的に捕獲できる。さらに、第2凹凸34よりも凹凸の大きい第1凹凸32により、第2凹凸34により捕獲したパーティクルを堆積させて保持できる。したがって、成膜材料を効果的に捕獲して保持できる。その結果、堆積膜の剥離を効果的に抑制できる。
As described above, in this embodiment, the
また、パーティクル捕獲板30は、その厚みが3mm程度であるため、剛性が確保されている。そのため、付着物の除去作業を良好に行うことができる。また、パーティクル捕獲板30では、深さhが0.7mm程度の第1凹凸32が形成されているため、再生時は、第1凹凸32にエアーブラスト加工を行って第2凹凸34を形成すればよい。したがって、再生作業を簡易に行うことができる。その結果、作業性の向上及びコストの低減が図れる。
Further, since the thickness of the
また、第1凹凸32は、ローレット加工により形成されたあや目であるため、表面積の拡大を図れると共に、一方向に沿って目が形成されている(平目)場合に比べて、成膜材料を多方向で捕獲できる。したがって、成膜材料の捕獲性の向上を図れる。
Moreover, since the 1st unevenness |
また、パーティクル捕獲板30と冷却板40とを一体に設けているため、パーティクル捕獲板30自体に冷却機能を付加することができる。したがって、冷却機構の構成、ひいては成膜装置1の構成の簡易化を図れる。
Moreover, since the
また、パーティクル捕獲板30と冷却板40とは、スタッドボルト50及び袋ナット52により取り付けられているため、冷却板40の板厚が薄い場合(例えば、5mm程度)であっても、冷却板40の取り付けねじを保護でき、パーティクル捕獲板30と冷却板40とを強固に固定できる。
Further, since the
本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。例えば、上記実施形態では、第1凹凸32をローレット加工により形成し、第2凹凸34をエアーブラスト加工により形成しているが、第1凹凸32及び第2凹凸34は、その他の加工方法により形成してもよい。
The present invention is not limited to the above embodiment. For example, in the above embodiment, the
また、上記実施形態では、プラズマを用いたイオンプレーティングによる成膜処理を行う成膜装置1にパーティクル捕獲板30が配置される構成について説明したが、パーティクル捕獲板30は、スパッタリングなどによる成膜処理を行う装置に配置されてもよい。
Moreover, although the said embodiment demonstrated the structure by which the
また、上記実施形態では、パーティクル捕獲板30と一体的に冷却板40を設けているが、成膜装置1における真空容器3の温度環境によっては冷却板40を設けなくてもよい。
In the above embodiment, the cooling
また、上記実施形態では、パーティクル捕獲板30を銅製の板部材としているが、パーティクル捕獲板30はその他の素材から構成されていてもよい。加工容易性の観点からは、パーティクル捕獲板30が銅製であることが好ましい。
Moreover, in the said embodiment, although the
また、上記実施形態では、第1凹凸32における凹部にも微細な第2凹凸34が設けられた形態について説明したが、第1凹凸32の凹部には、第2凹凸34が設けられていなくてもよい。パーティクル捕獲板30において、微細な第2凹凸32に主として成膜材料を捕獲する機能をもたせ、第1凹凸32の凹部に主として堆積した成膜材料を保持する機能を持たせる場合には、上記のように第1凹部32の凹部に第2凹凸34を形成しなくとも、堆積膜の剥離を効果的に抑制できる。
Moreover, although the said embodiment demonstrated the form in which the fine 2nd unevenness |
1…成膜装置、3…真空容器(成膜室)、30…パーティクル捕獲板、30a…表面、30b…裏面、32…第1凹凸(第1の凹凸)、34…第2凹凸(第2の凹凸)、40…冷却板、50…スタッドボルト、52…袋ナット。
DESCRIPTION OF
Claims (11)
前記成膜室内に配置されるパーティクル捕獲板を備え、
前記パーティクル捕獲板の表面には、第1の凹凸と、前記第1の凹凸上に設けられ、前記第1の凹凸よりも微細な第2の凹凸とが形成されていることを特徴とする成膜装置。 A film forming apparatus including a film forming chamber for performing a film forming process for forming a film forming material on a film forming material,
A particle capturing plate disposed in the film forming chamber;
On the surface of the particle capturing plate, there are formed first irregularities and second irregularities that are provided on the first irregularities and are finer than the first irregularities. Membrane device.
前記第2の凹凸は、前記第1の加工の後に実施される第2の加工により形成されていることを特徴とする請求項1記載の成膜装置。 The first unevenness is formed by a first processing,
The film forming apparatus according to claim 1, wherein the second unevenness is formed by a second process performed after the first process.
前記第2の加工は、エアーブラスト加工であることを特徴とする請求項2記載の成膜装置。 The first processing is knurling,
The film forming apparatus according to claim 2, wherein the second processing is air blast processing.
表面には、第1の凹凸と、前記第1の凹凸上に設けられ、前記第1の凹凸よりも微細な第2の凹凸とが形成されていることを特徴とするパーティクル捕獲板。 A particle capturing plate disposed in a film forming chamber of the film forming apparatus,
A particle capturing plate, wherein a first unevenness and a second unevenness which is provided on the first unevenness and is finer than the first unevenness are formed on a surface.
前記第2の凹凸は、前記第1の加工の後に実施される第2の加工により形成されていることを特徴とする請求項9記載のパーティクル捕獲板。 The first unevenness is formed by a first processing,
The particle capturing plate according to claim 9, wherein the second unevenness is formed by a second process performed after the first process.
前記第2の加工は、エアーブラスト加工であることを特徴とする請求項10記載のパーティクル捕獲板。 The first processing is knurling,
The particle capturing plate according to claim 10, wherein the second processing is air blast processing.
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011285869A JP2013133522A (en) | 2011-12-27 | 2011-12-27 | Film deposition apparatus and particle capturing plate |
KR1020120094823A KR20130075639A (en) | 2011-12-27 | 2012-08-29 | A film forming apparatus and a plate for capturing particles |
TW101132733A TWI475123B (en) | 2011-12-27 | 2012-09-07 | Film forming apparatus and particle collecting plate |
CN2012104394450A CN103184409A (en) | 2011-12-27 | 2012-11-06 | A film forming apparatus and a particle capture board |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011285869A JP2013133522A (en) | 2011-12-27 | 2011-12-27 | Film deposition apparatus and particle capturing plate |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013133522A true JP2013133522A (en) | 2013-07-08 |
JP2013133522A5 JP2013133522A5 (en) | 2014-01-23 |
Family
ID=48675852
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011285869A Pending JP2013133522A (en) | 2011-12-27 | 2011-12-27 | Film deposition apparatus and particle capturing plate |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2013133522A (en) |
KR (1) | KR20130075639A (en) |
CN (1) | CN103184409A (en) |
TW (1) | TWI475123B (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020507674A (en) * | 2017-01-20 | 2020-03-12 | ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッドHoneywell International Inc. | Particle trap for sputtering coil and manufacturing method |
JP2020537043A (en) * | 2017-10-11 | 2020-12-17 | ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッドHoneywell International Inc. | Multi-patterned sputter trap and manufacturing method |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI671430B (en) * | 2017-12-15 | 2019-09-11 | 日商住友重機械工業股份有限公司 | Film forming device |
JP2019157144A (en) * | 2018-03-07 | 2019-09-19 | シャープ株式会社 | Film deposition apparatus |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08277460A (en) * | 1995-04-06 | 1996-10-22 | Ulvac Japan Ltd | Parts constituting film forming device and their production |
JPH08333678A (en) * | 1995-06-05 | 1996-12-17 | Teijin Ltd | Ito film sputtering device |
JPH10321559A (en) * | 1997-05-19 | 1998-12-04 | Hitachi Ltd | Method for manufacturing semiconductor device |
JP2001140054A (en) * | 1999-11-15 | 2001-05-22 | Nec Kagoshima Ltd | Cleaning method for vacuum film depositing system, and vacuum film depositing system |
JP2001250814A (en) * | 2000-03-06 | 2001-09-14 | Hitachi Ltd | Plasma processing equipment |
JP2002222767A (en) * | 2001-01-26 | 2002-08-09 | Seiko Epson Corp | Method of forming jig for vacuum device |
JP2006057172A (en) * | 2004-08-24 | 2006-03-02 | Neos Co Ltd | Thin film manufacturing apparatus and manufacturing method thereof |
JP2009084651A (en) * | 2007-10-01 | 2009-04-23 | Toshiba Corp | Component for vacuum film deposition system, and vacuum film deposition system |
JP2009097063A (en) * | 2007-10-19 | 2009-05-07 | Toppan Printing Co Ltd | Vacuum deposition system |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20060121862A (en) * | 2003-09-11 | 2006-11-29 | 허니웰 인터내셔널 인코포레이티드 | Method of treating a vapor deposition process member for forming a particle trap, and a vapor deposition process member having a particle trap thereon |
CN101050519A (en) * | 2006-04-05 | 2007-10-10 | 精工爱普生株式会社 | Evaporation apparatus, evaporation method, method of manufacturing electro-optical device, and film-forming apparatus |
TW200837807A (en) * | 2007-03-07 | 2008-09-16 | Chi Mei Optoelectronics Corp | Physical vapor deposition apparatus and chamber deposit-resisting assembly thereof |
TWM321903U (en) * | 2007-03-09 | 2007-11-11 | Taiwan Sputtering Prec Machine | Cooling device of sputter |
CN102011085B (en) * | 2010-10-29 | 2013-05-01 | 宁波江丰电子材料有限公司 | Method for processing surface of attachment-resisting plate |
-
2011
- 2011-12-27 JP JP2011285869A patent/JP2013133522A/en active Pending
-
2012
- 2012-08-29 KR KR1020120094823A patent/KR20130075639A/en not_active Ceased
- 2012-09-07 TW TW101132733A patent/TWI475123B/en active
- 2012-11-06 CN CN2012104394450A patent/CN103184409A/en active Pending
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08277460A (en) * | 1995-04-06 | 1996-10-22 | Ulvac Japan Ltd | Parts constituting film forming device and their production |
JPH08333678A (en) * | 1995-06-05 | 1996-12-17 | Teijin Ltd | Ito film sputtering device |
JPH10321559A (en) * | 1997-05-19 | 1998-12-04 | Hitachi Ltd | Method for manufacturing semiconductor device |
JP2001140054A (en) * | 1999-11-15 | 2001-05-22 | Nec Kagoshima Ltd | Cleaning method for vacuum film depositing system, and vacuum film depositing system |
JP2001250814A (en) * | 2000-03-06 | 2001-09-14 | Hitachi Ltd | Plasma processing equipment |
JP2002222767A (en) * | 2001-01-26 | 2002-08-09 | Seiko Epson Corp | Method of forming jig for vacuum device |
JP2006057172A (en) * | 2004-08-24 | 2006-03-02 | Neos Co Ltd | Thin film manufacturing apparatus and manufacturing method thereof |
JP2009084651A (en) * | 2007-10-01 | 2009-04-23 | Toshiba Corp | Component for vacuum film deposition system, and vacuum film deposition system |
JP2009097063A (en) * | 2007-10-19 | 2009-05-07 | Toppan Printing Co Ltd | Vacuum deposition system |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020507674A (en) * | 2017-01-20 | 2020-03-12 | ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッドHoneywell International Inc. | Particle trap for sputtering coil and manufacturing method |
JP2020537043A (en) * | 2017-10-11 | 2020-12-17 | ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッドHoneywell International Inc. | Multi-patterned sputter trap and manufacturing method |
JP7265544B2 (en) | 2017-10-11 | 2023-04-26 | ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド | Multi-patterned sputter trap and manufacturing method |
US12051573B2 (en) | 2017-10-11 | 2024-07-30 | Honeywell International Inc. | Multi-patterned sputter traps and methods of making |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201346048A (en) | 2013-11-16 |
TWI475123B (en) | 2015-03-01 |
KR20130075639A (en) | 2013-07-05 |
CN103184409A (en) | 2013-07-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6858116B2 (en) | Sputtering target producing few particles, backing plate or sputtering apparatus and sputtering method producing few particles | |
JP5921048B2 (en) | Sputtering method | |
JP2013133522A (en) | Film deposition apparatus and particle capturing plate | |
JP2007250529A5 (en) | ||
JP2006328522A (en) | Multiple target tiles with mutually inclined edges forming an inclined gap | |
TW380278B (en) | Back sputtering shield | |
JP5654939B2 (en) | Deposition equipment | |
US8080813B2 (en) | Ion implanter, internal structure of ion implanter and method of forming a coating layer in the ion implanter | |
JP5708472B2 (en) | Magnetron sputtering cathode and sputtering apparatus equipped with the same | |
US20140110248A1 (en) | Chamber pasting method in a pvd chamber for reactive re-sputtering dielectric material | |
JP2002004038A (en) | Sputtering target with less particle generation | |
JP2013544967A (en) | Apparatus and method for coating the surface of a substrate | |
JP2019157144A (en) | Film deposition apparatus | |
JP2000188265A (en) | Sputtering apparatus and sputtering method | |
JP2008144214A (en) | Deposition equipment | |
CN112334591A (en) | Adhesion preventing member and vacuum processing apparatus | |
JP2012153942A (en) | Sheet for film forming apparatus and method of manufacturing the same | |
CN210826335U (en) | Target with structure convenient to assemble and disassemble | |
KR100609378B1 (en) | Contamination preventing plate for thin film forming apparatus and manufacturing method thereof | |
CN210085559U (en) | Etching anode shielding and insulating device | |
JP6196732B2 (en) | Mirrortron sputtering equipment | |
JP2007291478A (en) | Sputtering equipment | |
JP2017155282A (en) | Film deposition apparatus and platen ring | |
JP2004315948A (en) | Contamination prevention device for thin film deposition system | |
CN205590795U (en) | Vertical target structure and sputtering equipment |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131203 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140217 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140630 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140805 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20150120 |