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JP2013133522A - Film deposition apparatus and particle capturing plate - Google Patents

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JP2013133522A JP2011285869A JP2011285869A JP2013133522A JP 2013133522 A JP2013133522 A JP 2013133522A JP 2011285869 A JP2011285869 A JP 2011285869A JP 2011285869 A JP2011285869 A JP 2011285869A JP 2013133522 A JP2013133522 A JP 2013133522A
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a film deposition apparatus and a particle capturing plate capable of effectively suppressing peeling of a deposited film.SOLUTION: The film deposition apparatus 1 has the particle capturing plate 30 disposed in a vacuum vessel 3. A first unevenness 32, and a second unevenness 34 provided on the first unevenness 32 and finer than the first unevenness 32 are formed on a surface 30a of the particle capturing plate 30. Thus, peeling of a deposited film can be effectively suppressed.

Description

本発明は、被成膜材に成膜材料を成膜する成膜装置及び成膜装置に取り付けられるパーティクル捕獲板に関する。   The present invention relates to a film forming apparatus for forming a film forming material on a film forming material and a particle trap plate attached to the film forming apparatus.

ITO(Indium Tin Oxide:インジウム錫酸化物)膜などの薄膜を形成する成膜装置では、成膜室内において基板などの被成膜材以外の内壁などに成膜原子(成膜材料)が付着し、パーティクルと呼ばれる粗大粒子が内壁に堆積することがある。このパーティクルが堆積した膜は、成膜室の内壁から剥離することがあり、それが成膜室内及び基板に飛散して付着し、成膜品質の低下などといった問題を招来する。   In film deposition equipment that forms thin films such as ITO (Indium Tin Oxide) films, film deposition atoms (film deposition materials) adhere to the inner walls of the substrate other than the film deposition material. Coarse particles called particles may accumulate on the inner wall. The film on which the particles are deposited may be peeled off from the inner wall of the film forming chamber, and the film is scattered and attached to the film forming chamber and the substrate, resulting in problems such as deterioration in film forming quality.

そこで、例えば特許文献1に記載の成膜装置では、成膜室内にシールド部材を配置している。このシールド部材は、その表面にアルミニウムまたはアルミニウム合金からなるプラズマ溶射膜が形成されており、さらに、プラズマ溶射膜の表面が粗面化されている。これにより、シールド部材では、パーティクルの剥離防止を図っている。   Therefore, for example, in the film forming apparatus described in Patent Document 1, a shield member is arranged in the film forming chamber. The shield member has a plasma sprayed film made of aluminum or an aluminum alloy formed on the surface thereof, and the surface of the plasma sprayed film is roughened. Thereby, in the shield member, prevention of particle peeling is achieved.

また、例えば特許文献2に記載の成膜装置では、ビッカーズ硬度100〜130Hvのエンボス加工面を備える電解銅箔を成膜室の内部に配置し、電解銅箔によりパーティクルの剥離防止を図っている。   For example, in the film forming apparatus described in Patent Document 2, an electrolytic copper foil having an embossed surface having a Vickers hardness of 100 to 130 Hv is disposed inside the film forming chamber, and particle peeling is prevented by the electrolytic copper foil. .

特開2008−291299号公報JP 2008-291299 A 特開2001−234325号公報JP 2001-234325 A

しかしながら、上記従来の構成では、成膜材料の捕獲機能及びパーティクルが堆積してなる堆積膜の保持性が十分ではなく、堆積膜の剥離がどうしても生じてしまう。したがって、堆積膜の剥離に関して、更なる改善が望まれている。   However, in the above-described conventional configuration, the film forming material capturing function and the retention of the deposited film formed by the deposition of particles are not sufficient, and the deposited film is inevitably peeled off. Therefore, further improvement is desired regarding peeling of the deposited film.

本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、堆積膜の剥離を効果的に抑制できる成膜装置及びパーティクル捕獲板を提供することを目的とする。   The present invention has been made to solve the above-described problems, and an object of the present invention is to provide a film forming apparatus and a particle trap plate that can effectively suppress peeling of a deposited film.

本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意研究を重ねた結果、成膜材料が付着する表面を特定の形状とすることにより、成膜材料を効果的に捕獲して保持できることを見出し、本発明に至った。   As a result of intensive studies to solve the above problems, the present inventors have found that the film forming material can be effectively captured and held by making the surface to which the film forming material adheres into a specific shape. The present invention has been reached.

すなわち、本発明に係る成膜装置は、被成膜材に成膜材料を成膜するための成膜処理を行う成膜室を備える成膜装置であって、成膜室内に配置されるパーティクル捕獲板を備え、パーティクル捕獲板の表面には、第1の凹凸と、第1の凹凸上に設けられ、第1の凹凸よりも微細な第2の凹凸とが形成されていることを特徴とする。   That is, a film forming apparatus according to the present invention is a film forming apparatus including a film forming chamber for performing a film forming process for forming a film forming material on a film forming material, and includes particles disposed in the film forming chamber. A capture plate is provided, and on the surface of the particle capture plate, a first unevenness and a second unevenness that is provided on the first unevenness and is finer than the first unevenness are formed. To do.

この成膜装置では、パーティクル捕獲板の表面に、第1の凹凸と、この第1の凹凸よりも微細な第2の凹凸とが形成されている。パーティクル捕獲板では、第1の凹凸及び第2の凹凸により表面積が拡大されているため、成膜材料の付着面が確保されている。また、微細な第2の凹凸のアンカー効果により、成膜材料を効果的に捕獲できる。さらに、第2凹凸よりも凹凸の大きい第1の凹凸により、第2の凹凸により捕獲した成膜材料(パーティクル)を堆積させて保持できる。したがって、成膜材料を効果的に捕獲して保持できる。その結果、堆積膜の剥離を効果的に抑制できる。   In this film forming apparatus, first irregularities and second irregularities finer than the first irregularities are formed on the surface of the particle capturing plate. In the particle trap plate, the surface area is enlarged by the first unevenness and the second unevenness, so that an adhesion surface of the film forming material is secured. Further, the film forming material can be effectively captured by the anchor effect of the fine second unevenness. Furthermore, the film-forming material (particles) captured by the second unevenness can be deposited and held by the first unevenness that is larger than the second unevenness. Therefore, the film forming material can be effectively captured and held. As a result, the peeling of the deposited film can be effectively suppressed.

第1の凹凸は、第1の加工により形成され、第2の凹凸は、第1の加工の後に実施される第2の加工により形成されている。このように、第1の加工後に第2の加工を施すことにより、第1の凹凸の全面に亘って第2の凹凸が形成される。   The 1st unevenness | corrugation is formed by the 1st process, and the 2nd unevenness | corrugation is formed by the 2nd process implemented after a 1st process. As described above, by performing the second processing after the first processing, the second unevenness is formed over the entire surface of the first unevenness.

第1の加工は、ローレット加工であり、第2の加工は、エアーブラスト加工である。このような加工方法を用いることにより、第1の凹凸及び第2の凹凸をそれぞれ良好に形成できる。   The first process is a knurling process, and the second process is an air blast process. By using such a processing method, the first unevenness and the second unevenness can be satisfactorily formed.

第1の凹凸は、ローレット加工により形成されたあや目である。第1の凹凸をあや目とすることにより、パーティクル捕獲板における表面積を拡大でき、その結果、第2の凹凸の形成面も増加する。したがって、成膜材料の捕獲面をより一層確保できる。また、あや目とすることにより、多方向から成膜材料を捕獲できる。   The first unevenness is a twill formed by knurling. By setting the first unevenness as a rough eye, the surface area of the particle capturing plate can be increased, and as a result, the formation surface of the second unevenness is also increased. Therefore, it is possible to further secure a capture surface for the film forming material. In addition, the film formation material can be captured from a plurality of directions by using a rough eye.

パーティクル捕獲板は、銅製であることが好ましい。銅板を用いることにより、第1の凹凸及び第2の凹凸の加工を良好に行うことができる。   The particle capturing plate is preferably made of copper. By using a copper plate, the first unevenness and the second unevenness can be processed satisfactorily.

パーティクル捕獲板は、板厚が略3mmであることが好ましい。このように、板厚を3mmとすることで、剛性を確保できる。そのため、パーティクル捕獲板に付着した成膜材料の除去(洗浄)作業を良好に行うことができる。   The particle capturing plate preferably has a plate thickness of about 3 mm. Thus, rigidity can be secured by setting the plate thickness to 3 mm. Therefore, it is possible to satisfactorily perform the removal (cleaning) operation of the film forming material attached to the particle trap plate.

また、本発明に係るパーティクル捕獲板は、成膜装置の成膜室内に配置されるパーティクル捕獲板であって、表面には、第1の凹凸と、第1の凹凸上に設けられ、第1の凹凸よりも微細な第2の凹凸とが形成されていることを特徴とする。   The particle trap plate according to the present invention is a particle trap plate disposed in a film formation chamber of a film formation apparatus, and is provided with a first unevenness and a first unevenness on a surface thereof. Second irregularities finer than the irregularities are formed.

このパーティクル捕獲板では、第1の凹凸と、この第1の凹凸よりも微細な第2の凹凸とが形成されている。これにより、第1の凹凸及び第2の凹凸により表面積が拡大されているので、成膜材料の付着面が確保されている。また、微細な第2の凹凸のアンカー効果により、成膜材料を効果的に捕獲できる。さらに、第2凹凸よりも凹凸の大きい第1の凹凸により、第2の凹凸により捕獲した成膜材料(パーティクル)を堆積させて保持できる。したがって、成膜材料を効果的に捕獲して保持できる。その結果、堆積膜の剥離を抑制できる。   In this particle capturing plate, first irregularities and second irregularities finer than the first irregularities are formed. Thereby, since the surface area is expanded by the first unevenness and the second unevenness, an adhesion surface of the film forming material is secured. Further, the film forming material can be effectively captured by the anchor effect of the fine second unevenness. Furthermore, the film-forming material (particles) captured by the second unevenness can be deposited and held by the first unevenness that is larger than the second unevenness. Therefore, the film forming material can be effectively captured and held. As a result, peeling of the deposited film can be suppressed.

本発明によれば、堆積膜の剥離を効果的に抑制できる。   According to the present invention, peeling of the deposited film can be effectively suppressed.

一実施形態に係る成膜装置の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the film-forming apparatus which concerns on one Embodiment. 図1に示す成膜装置を横から見た図である。It is the figure which looked at the film-forming apparatus shown in FIG. 1 from the side. パーティクル捕獲板の表面を示す図である。It is a figure which shows the surface of a particle capture plate. 図3に示すパーティクル捕獲板の表面を拡大して示す断面図である。It is sectional drawing which expands and shows the surface of the particle capture plate shown in FIG. パーティクル捕獲板と冷却板との取り付け構造を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the attachment structure of a particle capture plate and a cooling plate.

以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図面の説明において同一又は相当要素には同一符号を付し、重複する説明は省略する。   Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the description of the drawings, the same or equivalent elements will be denoted by the same reference numerals, and redundant description will be omitted.

図1は、一実施形態に係る成膜装置の構成を示す図である。図2は、図1に示す成膜装置を横から見た図である。成膜装置1は、成膜室である真空容器3と、真空容器3中にプラズマビームPBを供給するプラズマ源であるプラズマガン5と、真空容器3内の底部に配置されてプラズマビームPBが入射する陽極部材7と、真空容器3上部に配置されてトレイTを陽極部材7の上方で移動させる搬送機構10とを備える。   FIG. 1 is a diagram illustrating a configuration of a film forming apparatus according to an embodiment. FIG. 2 is a side view of the film forming apparatus shown in FIG. The film forming apparatus 1 includes a vacuum vessel 3 that is a film forming chamber, a plasma gun 5 that is a plasma source that supplies a plasma beam PB into the vacuum vessel 3, and a plasma beam PB that is disposed at the bottom of the vacuum vessel 3. An incident anode member 7 and a transport mechanism 10 that is disposed above the vacuum vessel 3 and moves the tray T above the anode member 7 are provided.

ここで、プラズマガン5は、プラズマビームPBを発生する圧力勾配型のプラズマガンであり、プラズマガン5と真空容器3との間には、プラズマビームPBを真空容器3まで導く中間電極12,14、ステアリングコイル(図示を省略)などが配置されている。また、陽極部材7は、プラズマガン5からのプラズマビームPBを下方に導くとともに成膜材料を収容するハース本体18を有するハース16と、その周囲に配置された環状の補助陽極20とからなる。搬送機構10は、搬送路22内に水平方向に配列された複数のコロ24と、これらのコロ24を適当な速度で回転させてトレイTを一定速度で移動させる駆動装置(図示を省略)とを備える。搬送路22内には、ガラス基板(被成膜材)Wを加熱するヒータ26が配置されている。   Here, the plasma gun 5 is a pressure gradient type plasma gun that generates a plasma beam PB. Between the plasma gun 5 and the vacuum vessel 3, intermediate electrodes 12 and 14 that guide the plasma beam PB to the vacuum vessel 3. A steering coil (not shown) and the like are arranged. The anode member 7 includes a hearth 16 having a hearth body 18 for guiding the plasma beam PB from the plasma gun 5 downward and containing a film forming material, and an annular auxiliary anode 20 disposed around the hearth. The transport mechanism 10 includes a plurality of rollers 24 arranged in the horizontal direction in the transport path 22, a driving device (not shown) that rotates the rollers 24 at an appropriate speed and moves the tray T at a constant speed. Is provided. A heater 26 for heating the glass substrate (film forming material) W is disposed in the transport path 22.

この成膜装置1においては、プラズマガン5の陰極(図示を省略)と真空容器3内のハース16との間で放電が生じ、これによりプラズマビームPBが生成される。このプラズマビームPBは、ステアリングコイルや補助陽極20内の永久磁石等により決定される磁界に案内されてハース16に到達する。ハース本体18に収納された例えばITO(インジウム錫酸化物)等の成膜材料は、プラズマビームPBにより加熱されて蒸発する。この蒸発した成膜材料(蒸発粒子)は、プラズマビームPBによりイオン化され、搬送機構10によって一定速度で移動するトレイTの下面に露出するガラス基板Wの表面に付着し、ここにITO(インジウム錫酸化物)等の被膜が形成される。   In the film forming apparatus 1, a discharge is generated between the cathode (not shown) of the plasma gun 5 and the hearth 16 in the vacuum vessel 3, thereby generating a plasma beam PB. The plasma beam PB reaches the hearth 16 while being guided by a magnetic field determined by a steering coil, a permanent magnet in the auxiliary anode 20 or the like. A film forming material such as ITO (indium tin oxide) housed in the hearth body 18 is heated by the plasma beam PB to evaporate. The evaporated film forming material (evaporated particles) is ionized by the plasma beam PB and adheres to the surface of the glass substrate W exposed on the lower surface of the tray T that moves at a constant speed by the transport mechanism 10. A film such as an oxide) is formed.

上記の構成を有する成膜装置1の真空容器3内においては、成膜材料が真空容器3の内側面(内壁)に付着して、パーティクル(粗大粒子)が堆積する。このパーティクルがある程度堆積すると、真空容器3の内側面から堆積したパーティクル(膜)が剥離し、真空容器3内に飛散しガラス基板Wに付着するおそれがある。これにより、ガラス基板Wが汚染され、品質が低下するといった問題が生じる。   In the vacuum container 3 of the film forming apparatus 1 having the above configuration, the film forming material adheres to the inner side surface (inner wall) of the vacuum container 3 and particles (coarse particles) are deposited. If these particles are deposited to some extent, the particles (film) deposited from the inner surface of the vacuum vessel 3 may be peeled off and scattered in the vacuum vessel 3 and attached to the glass substrate W. Thereby, the problem that the glass substrate W is contaminated and quality deteriorates arises.

そこで、成膜装置1は、真空容器3内に配置されるパーティクル捕獲板30を備えている。パーティクル捕獲板30は、真空容器3の内側面に沿って配置されており、成膜材料を捕獲して保持する機能を有している。パーティクル捕獲板30は、例えば銅製の板部材であり、その厚みが例えば3mm程度である。以下、パーティクル捕獲板30について、図3及び図4を参照しながら詳細に説明する。   Therefore, the film forming apparatus 1 includes a particle capturing plate 30 disposed in the vacuum container 3. The particle capturing plate 30 is disposed along the inner surface of the vacuum vessel 3 and has a function of capturing and holding the film forming material. The particle capturing plate 30 is a copper plate member, for example, and has a thickness of about 3 mm, for example. Hereinafter, the particle capturing plate 30 will be described in detail with reference to FIGS. 3 and 4.

図3は、パーティクル捕獲板の表面を示す図である。図4は、図3に示すパーティクル捕獲板の表面を拡大して示す断面図である。   FIG. 3 is a view showing the surface of the particle capturing plate. FIG. 4 is an enlarged cross-sectional view showing the surface of the particle capturing plate shown in FIG.

図3及び図4に示すように、パーティクル捕獲板30の表面30aには、第1凹凸(第1の凹凸)32と、第2凹凸(第2の凹凸)34とが形成されている。第1凹凸32は、ローレット加工により形成されたローレット目のあや目である。ローレット目(英文名称:Knurling)は、JIS B 0951に規定されているものである。   As shown in FIGS. 3 and 4, a first unevenness (first unevenness) 32 and a second unevenness (second unevenness) 34 are formed on the surface 30 a of the particle capturing plate 30. The first irregularities 32 are knurled eyelets formed by knurling. The knurled eye (English name: Knurling) is defined in JIS B 0951.

第1凹凸32は、凸部分の断面が略山形を呈している。第1凹凸32のピッチtは、例えば1.6mm程度である。第1凹凸32における溝の深さ(底部から頂部までの高さ)hは、例えば0.7mm程度である。第1凹凸32は、例えば、銅板にローレット工具を押し当てて銅板の表面を押し潰して塑性変形をさせたり、銅板の表面を切削したりすることによりことにより形成される。   As for the 1st unevenness | corrugation 32, the cross section of the convex part is exhibiting the substantially mountain shape. The pitch t of the first irregularities 32 is, for example, about 1.6 mm. The depth (height from the bottom to the top) h of the groove in the first unevenness 32 is, for example, about 0.7 mm. The first irregularities 32 are formed, for example, by pressing a knurled tool against the copper plate and crushing the surface of the copper plate to cause plastic deformation or cutting the surface of the copper plate.

第2凹凸34は、第1凹凸32上に形成されている。第2凹凸34は、エアーブラスト加工により形成される微細な凹凸であり、第1凹凸32に比べて凹凸が非常に小さい。第2凹凸34は、第1凹凸32をローレット加工により形成した後に、その第1凹凸32の表面にエアーブラスト加工により形成される。すなわち、第1凹凸32の表面(パーティクル捕獲板30の表面30a)は、梨地面となっている。   The second unevenness 34 is formed on the first unevenness 32. The second unevenness 34 is a fine unevenness formed by air blasting, and the unevenness is very small compared to the first unevenness 32. The second irregularities 34 are formed on the surface of the first irregularities 32 by air blasting after the first irregularities 32 are formed by knurling. That is, the surface of the first unevenness 32 (the surface 30a of the particle capturing plate 30) is a pear ground.

第2凹凸34は、例えば粒径が300〜355μm程度の投射物(例えば、アルミナ)を衝突させて形成することが好ましく、中心線平均粗さRzは、例えば20〜40μm程度であることが好ましい。   The second unevenness 34 is preferably formed, for example, by colliding a projectile (for example, alumina) having a particle size of about 300 to 355 μm, and the center line average roughness Rz is preferably about 20 to 40 μm, for example. .

パーティクル捕獲板30は、第1凹凸32及び第2凹凸34が形成された表面30aが真空容器3の内側を向くように、真空容器3内に配置される。具体的には、パーティクル捕獲板30は、陽極部材7を取り囲むように、真空容器3の内側面に沿って配置されている。   The particle capturing plate 30 is disposed in the vacuum container 3 so that the surface 30 a on which the first unevenness 32 and the second unevenness 34 are formed faces the inside of the vacuum container 3. Specifically, the particle capturing plate 30 is disposed along the inner surface of the vacuum vessel 3 so as to surround the anode member 7.

パーティクル捕獲板30の表面30aの反対側の裏面30bは、光沢面(無加工面)となっている。この裏面30bには、冷却板40が設けられている。冷却板40は、例えば厚みが5mm程度の板状の部材であり、真空容器3内において、真空容器3の内側面とパーティクル捕獲板30との間に配置されている。   The back surface 30b opposite to the front surface 30a of the particle capturing plate 30 is a glossy surface (unprocessed surface). A cooling plate 40 is provided on the back surface 30b. The cooling plate 40 is a plate-like member having a thickness of about 5 mm, for example, and is disposed between the inner surface of the vacuum vessel 3 and the particle trap plate 30 in the vacuum vessel 3.

冷却板40は、パーティクル捕獲板30にスタッドボルト50と袋ナット52とにより取り付けられている。図5は、パーティクル捕獲板と冷却板との取り付け構造を拡大して示す断面図である。図5に示すように、冷却板40は、その一面40aがパーティクル捕獲板30の裏面30bに対向して配置され、裏面30bと密着している。なお、ここでいう密着とは、パーティクル捕獲板30の裏面30bと冷却板40の一面40aとが少なくとも面接触していればよい。このような構成により、冷却板40は、パーティクル捕獲板30と一体に設けられている。   The cooling plate 40 is attached to the particle capturing plate 30 with stud bolts 50 and cap nuts 52. FIG. 5 is an enlarged cross-sectional view showing a structure for attaching the particle capturing plate and the cooling plate. As shown in FIG. 5, the cooling plate 40 is disposed so that one surface 40 a faces the back surface 30 b of the particle capturing plate 30 and is in close contact with the back surface 30 b. Note that the term “adhesion” used here only means that the back surface 30b of the particle capturing plate 30 and the one surface 40a of the cooling plate 40 are at least in surface contact. With such a configuration, the cooling plate 40 is provided integrally with the particle capturing plate 30.

パーティクル捕獲板30に冷却板40を取り付けるときには、真空容器3の内側面側から、スタッドボルト50に対して、冷却板40、パーティクル捕獲板30、押さえ座金54及び袋ナット52の順でセットし、袋ナット52をスタッドボルトにスバナ締めする。なお、スタットボルト50には、ナット56が設けられており、ナット56には、噛み止め用セットねじ58が取り付けられている。   When attaching the cooling plate 40 to the particle capturing plate 30, set the cooling plate 40, the particle capturing plate 30, the press washer 54 and the cap nut 52 in this order from the inner surface side of the vacuum vessel 3 to the stud bolt 50. The cap nut 52 is fastened to the stud bolt with a swab. The stat bolt 50 is provided with a nut 56, and a set screw 58 for preventing biting is attached to the nut 56.

図1及び図2に示すように、冷却板40には、冷却剤(水)が通される冷却管42が設けられている。冷却管42は、冷却板40の他面40b側に配置されている。冷却管42は、冷却板40の全面にわたって配置されている。冷却板40及び冷却管42により、冷却機構が構成されている。   As shown in FIGS. 1 and 2, the cooling plate 40 is provided with a cooling pipe 42 through which a coolant (water) is passed. The cooling pipe 42 is disposed on the other surface 40 b side of the cooling plate 40. The cooling pipe 42 is disposed over the entire surface of the cooling plate 40. The cooling plate 40 and the cooling pipe 42 constitute a cooling mechanism.

以上説明したように、本実施形態では、真空容器3内にパーティクル捕獲板30が配置されている。パーティクル捕獲板30の表面30aには、第1凹凸32と、この第1凹凸32よりも微細な第2凹凸34とが形成されている。パーティクル捕獲板30では、第1凹凸32及び第2凹凸34により表面積が拡大されており、成膜材料の付着面が確保されている。また、微細な第2凹凸34のアンカー効果により、成膜材料を効果的に捕獲できる。さらに、第2凹凸34よりも凹凸の大きい第1凹凸32により、第2凹凸34により捕獲したパーティクルを堆積させて保持できる。したがって、成膜材料を効果的に捕獲して保持できる。その結果、堆積膜の剥離を効果的に抑制できる。   As described above, in this embodiment, the particle capturing plate 30 is disposed in the vacuum vessel 3. On the surface 30 a of the particle capturing plate 30, first irregularities 32 and second irregularities 34 that are finer than the first irregularities 32 are formed. In the particle capturing plate 30, the surface area is enlarged by the first unevenness 32 and the second unevenness 34, and the adhesion surface of the film forming material is secured. Further, the film forming material can be effectively captured by the anchor effect of the fine second unevenness 34. Furthermore, particles captured by the second unevenness 34 can be deposited and held by the first unevenness 32 having a larger unevenness than the second unevenness 34. Therefore, the film forming material can be effectively captured and held. As a result, the peeling of the deposited film can be effectively suppressed.

また、パーティクル捕獲板30は、その厚みが3mm程度であるため、剛性が確保されている。そのため、付着物の除去作業を良好に行うことができる。また、パーティクル捕獲板30では、深さhが0.7mm程度の第1凹凸32が形成されているため、再生時は、第1凹凸32にエアーブラスト加工を行って第2凹凸34を形成すればよい。したがって、再生作業を簡易に行うことができる。その結果、作業性の向上及びコストの低減が図れる。   Further, since the thickness of the particle capturing plate 30 is about 3 mm, rigidity is ensured. Therefore, the deposit removal operation can be performed satisfactorily. In addition, since the first unevenness 32 having a depth h of about 0.7 mm is formed on the particle capturing plate 30, the second unevenness 34 is formed by performing air blast processing on the first unevenness 32 during reproduction. That's fine. Therefore, the reproduction work can be easily performed. As a result, workability can be improved and costs can be reduced.

また、第1凹凸32は、ローレット加工により形成されたあや目であるため、表面積の拡大を図れると共に、一方向に沿って目が形成されている(平目)場合に比べて、成膜材料を多方向で捕獲できる。したがって、成膜材料の捕獲性の向上を図れる。   Moreover, since the 1st unevenness | corrugation 32 is the eye which was formed by knurling, it can aim at the expansion of a surface area, and compared with the case where the eye is formed along one direction (flat eye), the film-forming material is used. Can capture in multiple directions. Therefore, the trapping property of the film forming material can be improved.

また、パーティクル捕獲板30と冷却板40とを一体に設けているため、パーティクル捕獲板30自体に冷却機能を付加することができる。したがって、冷却機構の構成、ひいては成膜装置1の構成の簡易化を図れる。   Moreover, since the particle trap plate 30 and the cooling plate 40 are provided integrally, a cooling function can be added to the particle trap plate 30 itself. Therefore, the configuration of the cooling mechanism, and hence the configuration of the film forming apparatus 1 can be simplified.

また、パーティクル捕獲板30と冷却板40とは、スタッドボルト50及び袋ナット52により取り付けられているため、冷却板40の板厚が薄い場合(例えば、5mm程度)であっても、冷却板40の取り付けねじを保護でき、パーティクル捕獲板30と冷却板40とを強固に固定できる。   Further, since the particle capturing plate 30 and the cooling plate 40 are attached by the stud bolt 50 and the cap nut 52, the cooling plate 40 is used even when the thickness of the cooling plate 40 is thin (for example, about 5 mm). Can be protected, and the particle capturing plate 30 and the cooling plate 40 can be firmly fixed.

本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。例えば、上記実施形態では、第1凹凸32をローレット加工により形成し、第2凹凸34をエアーブラスト加工により形成しているが、第1凹凸32及び第2凹凸34は、その他の加工方法により形成してもよい。   The present invention is not limited to the above embodiment. For example, in the above embodiment, the first unevenness 32 is formed by knurling and the second unevenness 34 is formed by air blasting. However, the first unevenness 32 and the second unevenness 34 are formed by other processing methods. May be.

また、上記実施形態では、プラズマを用いたイオンプレーティングによる成膜処理を行う成膜装置1にパーティクル捕獲板30が配置される構成について説明したが、パーティクル捕獲板30は、スパッタリングなどによる成膜処理を行う装置に配置されてもよい。   Moreover, although the said embodiment demonstrated the structure by which the particle capture plate 30 is arrange | positioned in the film-forming apparatus 1 which performs the film-forming process by ion plating using plasma, the particle capture plate 30 is formed into a film by sputtering etc. You may arrange | position in the apparatus which processes.

また、上記実施形態では、パーティクル捕獲板30と一体的に冷却板40を設けているが、成膜装置1における真空容器3の温度環境によっては冷却板40を設けなくてもよい。   In the above embodiment, the cooling plate 40 is provided integrally with the particle capturing plate 30, but the cooling plate 40 may not be provided depending on the temperature environment of the vacuum container 3 in the film forming apparatus 1.

また、上記実施形態では、パーティクル捕獲板30を銅製の板部材としているが、パーティクル捕獲板30はその他の素材から構成されていてもよい。加工容易性の観点からは、パーティクル捕獲板30が銅製であることが好ましい。   Moreover, in the said embodiment, although the particle capture plate 30 is made into the copper plate member, the particle capture plate 30 may be comprised from the other raw material. From the viewpoint of ease of processing, the particle trap plate 30 is preferably made of copper.

また、上記実施形態では、第1凹凸32における凹部にも微細な第2凹凸34が設けられた形態について説明したが、第1凹凸32の凹部には、第2凹凸34が設けられていなくてもよい。パーティクル捕獲板30において、微細な第2凹凸32に主として成膜材料を捕獲する機能をもたせ、第1凹凸32の凹部に主として堆積した成膜材料を保持する機能を持たせる場合には、上記のように第1凹部32の凹部に第2凹凸34を形成しなくとも、堆積膜の剥離を効果的に抑制できる。   Moreover, although the said embodiment demonstrated the form in which the fine 2nd unevenness | corrugation 34 was provided also in the recessed part in the 1st unevenness | corrugation 32, the 2nd unevenness | corrugation 34 was not provided in the recessed part of the 1st unevenness | corrugation 32. Also good. In the case where the particle capturing plate 30 has a function of mainly capturing the film forming material on the fine second unevenness 32 and a function of retaining the film forming material deposited mainly on the concave portion of the first unevenness 32, Thus, even if the second unevenness 34 is not formed in the concave portion of the first concave portion 32, it is possible to effectively suppress the peeling of the deposited film.

1…成膜装置、3…真空容器(成膜室)、30…パーティクル捕獲板、30a…表面、30b…裏面、32…第1凹凸(第1の凹凸)、34…第2凹凸(第2の凹凸)、40…冷却板、50…スタッドボルト、52…袋ナット。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Film-forming apparatus, 3 ... Vacuum container (film-forming chamber), 30 ... Particle capture plate, 30a ... Front surface, 30b ... Back surface, 32 ... 1st unevenness | corrugation (1st unevenness | corrugation), 34 ... 2nd unevenness | corrugation (2nd 40 ... cooling plate, 50 ... stud bolt, 52 ... cap nut.

Claims (11)

被成膜材に成膜材料を成膜するための成膜処理を行う成膜室を備える成膜装置であって、
前記成膜室内に配置されるパーティクル捕獲板を備え、
前記パーティクル捕獲板の表面には、第1の凹凸と、前記第1の凹凸上に設けられ、前記第1の凹凸よりも微細な第2の凹凸とが形成されていることを特徴とする成膜装置。
A film forming apparatus including a film forming chamber for performing a film forming process for forming a film forming material on a film forming material,
A particle capturing plate disposed in the film forming chamber;
On the surface of the particle capturing plate, there are formed first irregularities and second irregularities that are provided on the first irregularities and are finer than the first irregularities. Membrane device.
前記第1の凹凸は、第1の加工により形成され、
前記第2の凹凸は、前記第1の加工の後に実施される第2の加工により形成されていることを特徴とする請求項1記載の成膜装置。
The first unevenness is formed by a first processing,
The film forming apparatus according to claim 1, wherein the second unevenness is formed by a second process performed after the first process.
前記第1の加工は、ローレット加工であり、
前記第2の加工は、エアーブラスト加工であることを特徴とする請求項2記載の成膜装置。
The first processing is knurling,
The film forming apparatus according to claim 2, wherein the second processing is air blast processing.
前記第1の凹凸は、前記ローレット加工により形成されたあや目であることを特徴とする請求項3記載の成膜装置。   The film forming apparatus according to claim 3, wherein the first unevenness is a round eye formed by the knurling process. 前記パーティクル捕獲板の前記表面の反対側の裏面に、冷却板が設けられていることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項記載の成膜装置。   The film forming apparatus according to claim 1, wherein a cooling plate is provided on a back surface of the particle capturing plate opposite to the front surface. 前記パーティクル捕獲板は、銅製であることを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項記載の成膜装置。   The film forming apparatus according to claim 1, wherein the particle capturing plate is made of copper. 前記パーティクル捕獲板は、板厚が略3mmであることを特徴とする請求項1〜6のいずれか一項記載の成膜装置。   The film forming apparatus according to claim 1, wherein the particle capturing plate has a thickness of about 3 mm. 前記冷却板は、スタットボルト及びナットにより前記パーティクル捕獲板に一体に設けられていることを特徴とする請求項5〜7のいずれか一項記載の成膜装置。   The film forming apparatus according to claim 5, wherein the cooling plate is provided integrally with the particle capturing plate by a stat bolt and a nut. 成膜装置の成膜室内に配置されるパーティクル捕獲板であって、
表面には、第1の凹凸と、前記第1の凹凸上に設けられ、前記第1の凹凸よりも微細な第2の凹凸とが形成されていることを特徴とするパーティクル捕獲板。
A particle capturing plate disposed in a film forming chamber of the film forming apparatus,
A particle capturing plate, wherein a first unevenness and a second unevenness which is provided on the first unevenness and is finer than the first unevenness are formed on a surface.
前記第1の凹凸は、第1の加工により形成され、
前記第2の凹凸は、前記第1の加工の後に実施される第2の加工により形成されていることを特徴とする請求項9記載のパーティクル捕獲板。
The first unevenness is formed by a first processing,
The particle capturing plate according to claim 9, wherein the second unevenness is formed by a second process performed after the first process.
前記第1の加工は、ローレット加工であり、
前記第2の加工は、エアーブラスト加工であることを特徴とする請求項10記載のパーティクル捕獲板。
The first processing is knurling,
The particle capturing plate according to claim 10, wherein the second processing is air blast processing.
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