JP2013084729A - 多層配線基板、電子装置、及び多層配線基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】
折り曲げた構造を容易に製造できる配線基板、電子装置、及び配線基板の製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】
多層配線基板は、複数の絶縁体と、前記絶縁体と交互に積層される導電体と、を有する多層配線基板であって、前記多層配線基板の表面から前記多層配線基板の厚さ方向に形成される複数の穴であって、少なくとも前記絶縁体のうち一の絶縁体を残して形成される穴を含む。
【選択図】図４

Description

本発明は、多層配線基板、電子装置、及び多層配線基板の製造方法に関する。

従来より、ベースとして硬質シートを用い、ベースとベース表面に接合された導体箔とを有する薄板状の印刷回路用材料があった。この印刷回路用材料のベースには、曲げ加工を容易にさせる曲げ加工用溝が形成される。

曲げ加工用溝が形成されたベースの周囲を打ち抜いて曲げ加工用溝でベースを分断した後に、分断されたベースに裏打ちシート及び銅箔を貼り付け、曲げ加工用溝が内側又は外側に位置するように印刷回路用材料を折り曲げていた。

特開昭５５−０９９７８９号公報

ところで、従来の印刷回路用材料は、硬質シートに曲げ加工用溝を形成した後に硬質シートの周囲を打ち抜いて曲げ加工用溝で硬質シートを分断し、分断した硬質シートに裏打ちシート及び銅箔を貼り付けている。

このため、従来の印刷回路用材料のような基板は、折り曲げた構造を製造するために必要な工程数が多く、折り曲げた構造の基板を容易に製造できないという問題があった。

そこで、折り曲げた構造を容易に製造できる多層配線基板、電子装置、及び多層配線基板の製造方法を提供することを目的とする。

本発明の実施の形態多層配線基板は、複数の絶縁体と、前記絶縁体と交互に積層される導電体と、を有する多層配線基板であって、前記多層配線基板の表面から前記多層配線基板の厚さ方向に形成される複数の穴であって、少なくとも前記絶縁体のうち一の絶縁体を残して形成される穴を含む。

折り曲げた構造を容易に製造できる多層配線基板、電子装置、及び多層配線基板の製造方法を提供することができる。

比較例の配線基板を電子装置の筐体内に配設した状態を示す断面図である。 リジッドフレキシブル基板を示す図である。 実施の形態１の多層配線基板１００を含む携帯電話端末機５００を示す斜視図である。 実施の形態１の多層配線基板１００の断面構造を示す斜視図である。 実施の形態１の多層配線基板１００を折り曲げた状態を示す断面図である。 実施の形態１の多層配線基板１００に穴部４１Ａ〜４１Ｂ及び５１Ａ〜５５Ａを形成する工程を示す斜視図である。 実施の形態１の多層配線基板１００の折り曲げ工程を示す図である。 実施の形態２の多層配線基板２００の断面構造を示す斜視図である。

以下、本発明の多層配線基板、電子装置、及び多層配線基板の製造方法を適用した実施の形態について説明する。

実施の形態の多層配線基板、電子装置、及び多層配線基板の製造方法について説明する前に、まず、図１乃至図２を用いて、比較例の配線基板の問題点について説明する。

携帯電話端末機、デジタルカメラ、又はデジタルビデオカメラのような電子装置では、ＣＰＵ（Central Processing Unit：中央演算処理装置）、メモリ、及びその他の周辺装置等の電子部品を配線基板に実装している。

配線基板としては、例えば、ガラス繊維にエポキシ系の樹脂を染み込ませて熱硬化処理を施したＦＲ（Flame Retardant type）４基板、又は、熱硬化性のあるポリイミドに熱硬化処理を施した配線基板がある。

ところで、例えば、携帯電話端末機、デジタルカメラ、又はデジタルビデオカメラのような電子装置は小型であるため、配線基板を収容する筐体の内部のスペースが限られている。

しかしながら、上述のような配線基板は、基板全体に熱硬化処理を施しており、全体的に剛性が高いリジッド型の配線基板であるため、折り曲げる必要のある用途には不向きである。

このため、小型の電子装置では、筐体の内部のスペースを有効利用するために、リジッド型ではなく容易に折り曲げることのできる配線基板を用いて、ＣＰＵ等の電子部品を実装している。

この容易に折り曲げることのできる配線基板としては、例えば、フレキシブル基板、又は、リジッドフレキシブル基板がある。

フレキシブル基板はポリイミド製の可撓性のあるフィルムで形成されているため、どの部分でも折り曲げることが可能であり、比較的自由に折り曲げることができる。

また、リジッドフレキシブル基板は、一部分にフレキシブル基板を用いて折り曲げ可能にし、その他の部分にリジッド型の基板を用いたものである。

図１は、比較例の配線基板を電子装置の筐体内に配設した状態を示す断面図である。図１に示す電子装置１は、一例として、携帯電話端末機である。

電子装置１の筐体２の内部には、筐体２の内部の段差２Ａに沿って折り曲げられたフレキシブル基板３が配設されている。

フレキシブル基板３の表面（図１中における上面）には、導電体３Ａがパターニングされている。導電体３Ａは、例えば、フレキシブル基板３の表面に形成した銅箔をエッチング処理等によってパターニングすることによって形成される。図１には、理解しやすさの観点から、フレキシブル基板３の表面の全体に導電体３Ａを示すが、実際には、フレキシブル基板３に実装される電子部品の端子等の位置に合わせてパターニングされている。

フレキシブル基板３には、電子部品として、ＲＦ（Radio Frequency）通信部４Ａ、ＡＤ（Analog/Digital）コンバータ４Ｂ、ベースバンド処理部４Ｃ、ＣＰＵ４Ｄ、Ｉ／Ｆ（Inter Face）４Ｅ、及びメモリ４Ｆが実装されている。各電子部品（４Ａ〜４Ｆ）は、導電体３Ａによって電気的に接続されている。

ポリイミド製の可撓性のあるフィルムで形成されるフレキシブル基板３は、筐体２の内部の段差２Ａに沿って折り曲げることが可能であるため、小型の電子装置１の筐体２の内部のスペースを有効利用することができる。

フレキシブル基板３は、基板全体に可撓性があるため、スペース的な制約が多く、折り曲げる部位の多い用途に特に適している。

次に、図２を用いて、リジッドフレキシブル基板について説明する。

図２は、リジッドフレキシブル基板を示す図である。

リジッドフレキシブル基板５は、フレキシブル基板部６、導電体７Ａ、７Ｂ、リジッド基板部８Ａ１、８Ａ２、８Ｂ１、８Ｂ２、及び導電体９Ａ１、９Ａ２、９Ｂ１、９Ｂ２を含む。

フレキシブル基板部６は、例えば、ポリイミド製の可撓性のあるフィルムで形成されており、リジッド基板部８Ａ１、８Ａ２、８Ｂ１、８Ｂ２が存在しない折り曲げ部５Ａ、５Ｂにおいて折り曲げることができる。

導電体７Ａ、７Ｂは、それぞれ、フレキシブル基板６の表面（図２中の上面）及び裏面（図２中の下面）に形成されている。導電体７Ａ、７Ｂは、例えば、フレキシブル基板６の表面及び裏面に形成した銅箔をエッチング処理等によってパターニングすることによって形成される。図２には、理解しやすさの観点から、フレキシブル基板６の表面及び裏面の全体に導電体７Ａ、７Ｂを示すが、実際には、フレキシブル基板６に実装される電子部品の端子等の位置に合わせてパターニングされている。

リジッド基板部８Ａ１、８Ａ２は、リジッドフレキシブル基板５の折り曲げ部５Ａを隔てて導電体７Ａの上面に形成されている。また、リジッド基板部８Ｂ１、８Ｂ２は、リジッドフレキシブル基板５の折り曲げ部５Ｂを隔てて導電体７Ｂの下面に形成されている。

リジッド基板部８Ａ１、８Ａ２、８Ｂ１、８Ｂ２は、例えば、ガラス繊維にエポキシ系の樹脂を染み込ませて熱硬化処理を施したＦＲ（Flame Retardant type）４基板である。

導電体９Ａ１、９Ａ２は、それぞれ、リジッド基板部８Ａ１、８Ａ２の上面に形成されている。また、導電体９Ｂ１、９Ｂ２は、それぞれ、リジッド基板部８Ｂ１，８Ｂ２の下面に形成されている。

導電体９Ａ１、９Ａ２、９Ｂ１、９Ｂ２は、それぞれ、例えば、リジッド基板部８Ａ１、８Ａ２、８Ｂ１、８Ｂ２の上面又は下面に形成した銅箔をエッチング処理等によってパターニングすることによって形成される。図２には、理解しやすさの観点から、リジッド基板部８Ａ１、８Ａ２、８Ｂ１、８Ｂ２の上面又は下面の全体に導電体９Ａ１、９Ａ２、９Ｂ１、９Ｂ２を示すが、実際には、リジッド基板部８Ａ１、８Ａ２、８Ｂ１、８Ｂ２に実装される電子部品の端子等の位置に合わせてパターニングされている。

このようなリジッドフレキシブル基板５は、リジッド基板部８Ａ１、８Ａ２、８Ｂ１、８Ｂ２が存在する部分では折り曲げることはできないが、リジッド基板部８Ａ１、８Ａ２、８Ｂ１、８Ｂ２の存在しない折り曲げ部５Ａ、５Ｂにおいて折り曲げることが可能である。

例えば、折り曲げ部５Ａを谷折りにするとともに折り曲げ部５Ｂを山折りにして折り曲げれば、リジッドフレキシブル基板５をＵ字型に折り曲げることができる。これとは逆に、折り曲げ部５Ａを山折りにするとともに折り曲げ部５Ｂを谷折りにして折り曲げれば、リジッドフレキシブル基板５を逆Ｕ字型に折り曲げることができる。

また、図２の左側に示すリジッド基板部８Ａ１、８Ｂ１と、右側に示すリジッド部８Ａ２、８Ｂ２との間で段差を吸収するように、折り曲げ部５Ａ、５Ｂを折り曲げることも可能である。すなわち、図１に示すフレキシブル基板３のような形状にリジッドフレキシブル基板５を折り曲げることも可能である。

このように、リジッドフレキシブル基板５は、折り曲げ部５Ａ、５Ｂで自由に折り曲げることができるので、例えば、小型の電子装置１の筐体２（図１参照）のように、段差２Ａがある場合においても、スペースを有効利用することができる。

また、ポリイミド製のフレキシブル基板３は、金型等を用いてビア等の孔開けを行うが、リジッドフレキシブル基板５のリジッド基板部８Ａ１、８Ａ２、８Ｂ１、８Ｂ２は硬質であるため、レーザ加工又はドリル加工等によるビア等のための孔開け加工が可能である。

このため、リジッドフレキシブル基板５は、フレキシブル基板３よりも微細な加工が可能であり、リジッド基板部８Ａ１、８Ａ２、８Ｂ１、８Ｂ２における実装密度を向上させること（高密度化）が可能である。

また、リジッドフレキシブル基板５は、リジッド基板部８Ａ１、８Ａ２、８Ｂ１、８Ｂ２の上面又は下面に導電体９Ａ１、９Ａ２、９Ｂ１、９Ｂ２を形成できるため、フレキシブル基板３よりも多層化を図ることができるという利点がある。

このように、リジッドフレキシブル基板５は、フレキシブル基板３（図１参照）に比べると折り曲げることのできる部分に制約があるものの、フレキシブル基板３よりも高密度化及び多層化を実現できるという利点がある。

以上のような比較例のフレキシブル基板３（図１参照）とリジッドフレキシブル基板５（図２参照）は、折り曲げることによって限られたスペースを有効利用できるため、小型の電子装置１に多く用いられている。

しかしながら、フレキシブル基板３及びリジッドフレキシブル基板５は、全体がリジッドな材料で形成された配線基板に比べると、同一の配線パターンを得る場合において、約１．５倍から２倍程度高価である。このような製造コストの違いは、主に材料費の違いによるものである。

このような製造コストの違いは、最終製品としての電子装置１のコストの違いとしても現れていた。

以上のように、比較例のフレキシブル基板３及びリジッドフレキシブル基板５は、リジッド型の配線基板に比べて、製造コストが高かった。それにも拘わらず、電子装置１の小型化に伴う筐体２内のスペースが益々限られて行くことから、フレキシブル基板３及びリジッドフレキシブル基板５は、電子装置１に多く用いられていた。

リジッド型の配線基板を容易に折り曲げることができれば、低コスト化を図ることができるため、比較例のフレキシブル基板３及びリジッドフレキシブル基板５の代替として有望であるが、そのような配線基板は実現されていないという問題があった。

従って、以下では、上述のような問題を解決した実施の形態１及び２の配線基板、電子装置、及び配線基板の製造方法について説明する。

＜実施の形態１＞
図３は、実施の形態１の多層配線基板１００を含む携帯電話端末機５００を示す斜視図である。図３（Ａ）は、折りたたみ式の携帯電話端末機５００の筐体５０１Ａ、５０１Ｂを開いた状態を示す。図３（Ｂ）は、理解しやすさの観点から、携帯電話端末機５００の内部について透視図として示す。また、図３（Ｃ）は、図３（Ｂ）のＡ−Ａ断面における筐体５０１Ｂ及び多層配線基板１００を示す。ここで、携帯電話端末機５００は電子装置の一例である。

図３（Ａ）に示すように、携帯電話端末機５００の筐体５０１Ａ及び５０１Ｂには、それぞれ、表示部５０２及び操作部５０３が設けられている。また、図３（Ｂ）に示すように、筐体５０１Ｂの内部には多層配線基板１００が収納されている。

筐体５０１Ａ及び５０１Ｂは、樹脂製又は金属製の筐体であり、それぞれ、表示部５０２及び操作部５０３を配設するための開口部を有する。表示部５０２は、例えば、文字、数字、画像等を表示できる液晶パネルであればよい。また、操作部５０３は、テンキーに加え、携帯電話端末機５００の機能を選択するための種々の選択キーを含む。なお、携帯電話端末機５００は、近接通信装置（赤外線通信装置、電子マネー用の通信装置等）又はカメラ等の付属装置を含んでもよい。

また、図３（Ｂ）に示す多層配線基板１００には、ＲＦ（Radio Frequency）通信部５１１、ＡＤ（Analog/Digital）コンバータ５１２、ベースバンド処理部５１３、ＣＰＵ５１４、Ｉ／Ｆ（Inter Face）５１５、及びメモリ５１６が実装されている。各電子部品（５１１〜５１６）は、多層配線基板１００の導電体によって電気的に接続されている。また、筐体５０１Ｂには、アンテナ５１７が設けられている。アンテナ５１７は、ＲＦ通信部５１１に接続されている。

アンテナ５１７で受信された通話用の信号は、ＲＦ通信部５１１でフィルタ処理等が行われた後に、ＡＤコンバータ５１２でデジタル信号に変換される。ＡＤコンバータ５１２から出力されるデジタル信号は、ベースバンド処理部５１３でベースバンド処理が行われた後に、ＣＰＵ５１４を介して、図示しないスピーカから音声として出力される。また、ＣＰＵ５１４は、音声を表す信号を処理する際に、ＩＦ５１５を介してメモリ５１６にアクセスし、必要なプログラム等を読み出し、実行する。

図３（Ｂ）、（Ｃ）に示すように、多層配線基板１００は、２カ所の折り曲げ部１０１、１０２で折り曲げられている。折り曲げ部１０１、１０２は、図３（Ｃ）に示すように、筐体５０１Ｂ内の段差５０１Ｃに沿って折り曲げられている。これは、段差５０１Ｃを含む筐体５０１Ｂ内のスペースを有効利用するためである。なお、多層配線基板１００の具体的な構成については、図４及び図５を用いて後述する。

なお、図３には、電子装置の一例として携帯電話端末機５００を示したが、電子装置は、携帯電話端末機５００に限定されず、例えば、デジタルカメラ又はデジタルビデオカメラ等の小型の電子装置であってもよい。

図４は、実施の形態１の多層配線基板１００の断面構造を示す斜視図である。図４（Ａ）は多層配線基板１００を表面１００Ａ側から示す斜視図であり、図４（Ｂ）は多層配線基板１００を裏面１００Ｂ側から示す斜視図である。

図４（Ａ）、（Ｂ）に示す多層配線基板１００の断面構造は、折り曲げ部１０１、１０２（図３（Ｂ）、（Ｃ）参照）で折り曲げる前の状態における多層配線基板１００の断面の一部を拡大して示したものである。

ここでは、図４（Ａ）、（Ｂ）に示すように、三次元座標であるＸＹＺ座標を定義する。ＸＹＺ座標は、多層配線基板１００の各構成要素の位置を表すための座標である。

図３（Ｂ）のＡ−Ａ断面の方向は、図４（Ａ）、（Ｂ）におけるＸ軸方向に対応する。Ｘ軸方向は、多層配線基板１００の長手方向に対応し、Ｙ軸方向は、多層配線基板１００の短手方向に対応し、Ｚ軸方向は、多層配線基板１００の厚さ方向に対応する。

実施の形態１の多層配線基板１００は、５層の絶縁体１１、１２、１３、１４、１５と、６層の導電体２１、２２、２３、２４、２５、２６、及び、ビア３１、３２、３３、３４を含む。また、多層配線基板１００は、さらに、穴部４１Ａ、４２Ａ、４３Ａ、４４Ａ、４５Ａ、４１Ｂ、４２Ｂ、４３Ｂ、４４Ｂ、４５Ｂ、５１Ａ、５２Ａ、５３Ａ、５４Ａ、５５Ａ、５１Ｂ、５２Ｂ、５３Ｂ、５４Ｂ、５５Ｂを含む。

多層配線基板１００は、例えば、ＦＲ４（Flame Retardant Type 4）又はＦＲ５（Flame Retardant Type 5）等のガラス布基材とエポキシ樹脂で形成されるリジッド型のプリント基板（ＰＣＢ：Printed Circuit Board）である。

なお、多層配線基板１００は、ＦＲ４又はＦＲ５に限られるものではなく、ＦＲ規格の他のグレードのものであってもよく、あるいは、他の規格のものであってもよい。

絶縁体１１、１２、１３、１４、１５（以下、絶縁体１１〜１５と記す）は、２つのグループに分けることができる。例えば、絶縁体１１、１３、１５は、繊維に熱硬化性樹脂を含浸させることによって形成される層である。すなわち、絶縁体１１、１３、１５は、例えば、ガラス布基材にエポキシ樹脂を含浸させたプリプレグである。また、絶縁体１２、１４は、繊維層で実現されるコアである。ただし、プリプレグもコアも、放熱性や強度が維持可能なものであればよく、ガラス布基材にエポキシ樹脂を含浸させたものでも、エポキシ樹脂にフィラーを混ぜたものでも、繊維を含まないエポキシ樹脂で形成されたものであってもよい。

導電体２１、２２、２３、２４、２５、２６（以下、導電体２１〜２６と記す）は、例えば、銅箔である。但し、銅箔の上にメッキが施される導電体もある。導電体２１〜２６は、例えば、配線層、電源層、又はグランド層等として用いられる。

上述の例では、絶縁体１１、１３、１５をプリプレグ、絶縁体１２、１４をコアとするグループ分けを説明したが、グループ分けはこれに限られるものではない。例えば、絶縁体１３をコアとし、絶縁体１１、１２、１４、１５をプリプレグとするグループ分けでも構わない。更には、絶縁体１１、１２、１３、１４、１５の全てがプリプレグであってもよい。

絶縁体１１〜１５と導電体２１〜２６は、コアである絶縁体１２と絶縁体１４の両面に、それぞれ、導電体２２、２３と導電体２４、２５を形成した状態で熱硬化処理が施されることによって固着される。

ビア３１、３２、３３、３４（以下、ビア３１〜３４と記す）は、貫通孔３１Ａ、３２Ａ、３３Ａ、３４Ａ（以下貫通孔３１Ａ〜３４Ａと記す）の内壁に沿って筒状に形成されている。ビア３１〜３４は、Ｚ軸方向に延在しており、すべての導電体２１〜２６に接続されている。

ビア３１〜３４は、例えば、熱硬化処理で接着された絶縁体１１〜１５と導電体２１〜２６に貫通孔３１Ａ〜３４Ａを形成し、貫通孔３１Ａ〜３４Ａの内壁に無電解メッキ層を形成し、その上に電解メッキ層を形成することによって形成される。

ビア３１〜３４を構築する無電解メッキ層と電解メッキ層は、例えば、銅メッキで形成することができる。ただし、ビア３１〜３４は銅メッキに限定されず、他の材料（例えば、ニッケル、錫、亜鉛等）のメッキであってもよい。

ここで、図４には、多層配線基板１００に含まれるすべてのビア３１〜３４がすべての導電体２１〜２６に接続される形態を示す。しかしながら、ビア３１〜３４は、導電体２１〜２６のうちのいずれかと接続されていればよい。導電体２１〜２６は、ビア３１〜３４と接続されない場合は、ビア（３１〜３４のうちのいずれか）を避けるように、平面視における形状がパターニングされる。

穴部４１Ａ、４２Ａ、４３Ａ、４４Ａ、４５Ａ（以下、穴部４１Ａ〜４５Ａと記す）は、図４（Ａ）に示すように、Ｙ軸方向に配列されており、表面１００ＡからＺ軸マイナス方向に形成されている。

穴部４１Ａ〜４５Ａは、それぞれ、表面１００Ａから導電体２１、絶縁体１１、導電体２２、及び絶縁体１２を貫通し、導電体２３の表面（図４（Ａ）中の上面）にまで達している。

穴部４１Ｂ、４２Ｂ、４３Ｂ、４４Ｂ、４５Ｂ（以下、穴部４１Ｂ〜４５Ｂと記す）は、図４（Ｂ）に示すように、Ｙ軸方向に配列されており、裏面１００ＢからＺ軸プラス方向に形成されている。

穴部４１Ｂ〜４５Ｂは、それぞれ、裏面１００Ｂから導電体２６、絶縁体１５、導電体２５、及び絶縁体１４を貫通し、導電体２４の表面（図４（Ｂ）中の上面）にまで達している。

穴部４１Ｂ〜４５Ｂが形成されるＸＹ平面内における位置は、それぞれ、穴部４１Ａ〜４５ＡのＸＹ平面内における位置と等しい。

穴部５１Ａ、５２Ａ、５３Ａ、５４Ａ、５５Ａ（以下、穴部５１Ａ〜５５Ａと記す）は、図４（Ａ）に示すように、Ｙ軸方向に配列されており、表面１００ＡからＺ軸マイナス方向に形成されている。

穴部５１Ａ〜５５Ａは、それぞれ、表面１００Ａから導電体２１、絶縁体１１、導電体２２、及び絶縁体１２を貫通し、導電体２３の表面（図４（Ａ）中の上面）にまで達している。

穴部５１Ｂ、５２Ｂ、５３Ｂ、５４Ｂ、５５Ｂ（以下、穴部５１Ｂ〜５５Ｂと記す）は、図４（Ｂ）に示すように、Ｙ軸方向に配列されており、裏面１００ＢからＺ軸プラス方向に形成されている。

穴部５１Ｂ〜５５Ｂは、それぞれ、裏面１００Ｂから導電体２６、絶縁体１５、導電体２５、及び絶縁体１４を貫通し、導電体２４の表面（図４（Ｂ）中の上面）にまで達している。

穴部５１Ｂ〜５５Ｂが形成されるＸＹ平面内における位置は、それぞれ、穴部５１Ａ〜５５ＡのＸＹ平面内における位置と等しい。

このように、穴部４１Ａ〜４５Ａ及び４１Ｂ〜４５Ｂは、多層配線基板１００の厚さ方向（Ｚ軸方向）において、導電体２３、絶縁体１３、及び導電体２４を残して形成されている。

同様に、穴部５１Ａ〜５５Ａ及び５１Ｂ〜５５Ｂは、多層配線基板１００の厚さ方向（Ｚ軸方向）において、導電体２３、絶縁体１３、及び導電体２４を残して形成されている。

穴部４１Ａ〜４５Ａ及び４１Ｂ〜４５Ｂは、それぞれ、導電体２３、絶縁体１３、及び導電体２４を残して多層配線基板１００の表面１００Ａ及び裏面１００Ｂから形成される穴の一例である。

また、穴部５１Ａ〜５５Ａ及び５１Ｂ〜５５Ｂは、それぞれ、導電体２３、絶縁体１３、及び導電体２４を残して多層配線基板１００の表面１００Ａ及び裏面１００Ｂから形成される穴の一例である。

穴部４１Ａ〜４５Ａ、４１Ｂ〜４５Ｂ、５１Ａ〜５５Ａ、及び５１Ｂ〜５５Ｂは、絶縁体１１〜１５、導電体２１〜２６、及びビア３１〜３４を含む多層配線基板１００が完成した後に、後述するレーザ加工によって形成される。このため、穴部４１Ａ〜４５Ａ、４１Ｂ〜４５Ｂ、５１Ａ〜５５Ａ、及び５１Ｂ〜５５Ｂを形成する箇所を多層配線基板１００の完成後に選択することができる。

ここで、穴部４１Ａ〜４５Ａ、４１Ｂ〜４５Ｂ、５１Ａ〜５５Ａ、及び５１Ｂ〜５５Ｂのそれぞれの直径は、例えば、５０μｍ〜４００μｍに設定される。

穴部４１Ａ〜４５Ａ、４１Ｂ〜４５Ｂ、５１Ａ〜５５Ａ、及び５１Ｂ〜５５Ｂの隣同士の間のＹ軸方向における距離Ｙ１は、例えば、１ｍｍに設定される。

穴部４１Ａ〜４５Ａの中心と、穴部５１Ａ〜５５Ａの中心とのＸ軸方向の距離Ｘ１は、それぞれ、５ｍｍに設定される。なお、穴部４１Ｂ〜４５Ｂの中心と、穴部５１Ｂ〜５５Ｂの中心とのＸ軸方向の距離もＸ１であり、それぞれ、５ｍｍに設定される。

また、穴部４１Ａ〜４５Ａ、４１Ｂ〜４５Ｂ、５１Ａ〜５５Ａ、及び５１Ｂ〜５５Ｂのそれぞれの深さＺ１は、例えば、０．１ｍｍに設定される。深さＺ１は、多層配線基板１００の表面１００Ａ又は裏面１００Ｂからの深さである。

このような多層配線基板１００において、穴部４１Ａ〜４５Ａが形成された部分を山折りにするとともに、穴部４１Ｂ〜４５Ｂが形成された部分を谷折りにするように、穴部４１Ａ〜４５Ａ及び４１Ｂ〜４５Ｂの両側に多層配線基板１００を折り曲げるための応力をかける。

この結果、穴部４１Ａ〜４５Ａに沿って導電体２１、絶縁体１１、導電体２２、及び絶縁体１２が断絶又は引き延ばされるとともに、穴部４１Ｂ〜４５Ｂに沿って導電体２６、絶縁体１５、導電体２５、及び絶縁体１４が圧縮される。

これにより、多層配線基板１００は、穴部４１Ａ〜４５Ａが形成された部分で山折りになるとともに、穴部４１Ｂ〜４５Ｂが形成された部分で谷折りになるように変形し、導電体２３、絶縁体１３、及び導電体２４が折り曲げられる。

また、穴部５１Ａ〜５５Ａが形成された部分を谷折りにするとともに、穴部５１Ｂ〜５５Ｂが形成された部分を山折りにするように、穴部５１Ａ〜５５Ａ及び５１Ｂ〜５５Ｂの両側に応力をかける。

この結果、穴部５１Ａ〜５５Ａに沿って導電体２１、絶縁体１１、導電体２２、及び絶縁体１２が圧縮されるとともに、穴部５１Ｂ〜５５Ｂに沿って導電体２６、絶縁体１５、導電体２５、及び絶縁体１４が断絶又は引き延ばされる。

これにより、多層配線基板１００は、穴部５１Ａ〜５５Ａの部分で谷折りになるとともに、穴部５１Ｂ〜５５Ｂの部分で山折りになるように変形し、導電体２３、絶縁体１３、及び導電体２４が折り曲げられる。

以上のように多層配線基板１００を折り曲げた状態を図５に示す。

図５は、実施の形態１の多層配線基板１００を折り曲げた状態を示す断面図である。図５に示す断面は、図４（Ａ）に示す穴部４１Ａ、４１Ｂ、５１Ａ、５１Ｂ、及びビア３１〜３４を含む断面である。

図５に示すように、多層配線基板１００は、穴部４１Ａ及び穴部５１Ｂが形成された部分で山折りとなり、穴部４１Ｂ及び５１Ａが形成された部分で谷折りとなるように折り曲げられている。

すなわち、図５に示す断面においては、穴部４１Ａ及び４１Ｂを含む破線で示す部分が折り曲げ部１０１（図３（Ｂ）、（Ｃ）参照）になり、穴部５１Ａ及び５１Ｂを含む破線で示す部分が折り曲げ部１０２（図３（Ｂ）、（Ｃ）参照）になる。

図５には、穴部４１Ａ、４１Ｂ、５１Ａ、及び５１Ｂを含む断面を示すが、多層配線基板１００は、穴部４１Ａ〜４５Ａ及び５１Ｂ〜５５Ｂに沿って山折りにされるとともに、穴部４１Ｂ〜４５Ｂ及び５１Ａ〜５５Ａに沿って谷折りにされるように折り曲げられることになる。

すなわち、折り曲げ部１０１は、Ｙ軸に沿って、穴部４１Ａ〜４５Ａ及び４１Ｂ〜４５Ｂを含む部分に形成される。同様に、折り曲げ部１０２は、Ｙ軸に沿って、穴部５１Ａ〜５５Ａ及び５１Ｂ〜５５Ｂを含む部分に形成される。

このように多層配線基板１００を折り曲げ部１０１、１０２で折り曲げることにより、多層配線基板１００の裏面１００Ｂ側には、図５に示すように、多層配線基板１００の左側部分と右側部分との間に高さｄの段差を形成することができる。

多層配線基板１００の段差の高さｄは、絶縁体１１〜１５の厚さ、導電体２１〜２６の厚さ、穴部４１Ａ〜４５Ａ及び４１Ｂ〜４５Ｂと穴部５１Ａ〜５５Ａ及び５１Ｂ〜５５Ｂとの間の距離Ｘ１、及び各穴部の直径及び深さＺ１等によって決まる。

ここで、図５に示すように、多層配線基板１００のうち穴部４１Ａ〜４５Ａ及び４１Ｂ〜４５Ｂよりも左側の部分と、穴部５１Ａ〜５５Ａ及び５１Ｂ〜５５Ｂよりも右側の部分とがＸ軸に平行になるように、多層配線基板１００を折り曲げた場合に、図５に示すように角度θを定義する。

角度θは、多層配線基板１００のうち穴部５１Ａ〜５５Ａ及び５１Ｂ〜５５Ｂよりも右側の部分と、穴部４１Ａ〜４５Ａ及び４１Ｂ〜４５Ｂと穴部５１Ａ〜５５Ａ及び５１Ｂ〜５５Ｂとの間の部分とがなす角度である。なお、図５には図示しないが、多層配線基板１００のうち穴部４１Ａ〜４５Ａ及び４１Ｂ〜４５Ｂよりも左側の部分と、穴部４１Ａ〜４５Ａ及び４１Ｂ〜４５Ｂと穴部５１Ａ〜５５Ａ及び５１Ｂ〜５５Ｂとの間の部分とがなす角度もθである。

このような角度θを用いると、多層配線基板１００の段差の高さｄは、ｄ＝Ｘ１×ｔａｎθに略等しい高さとして求めることができる。例えば、Ｘ１が２ｍｍで、３０度折り曲げられる場合（θ＝３０度）、段差の高さｄは１ｍｍとなる。

角度θは、絶縁体１３の厚さ及びヤング率、導電体２３、２４の厚さ及びヤング率等によって異なるため、絶縁体１３及び導電体２３、２４の厚さ及びヤング率等に応じて、長さＸ１を設定するようにすればよい。

従って、多層配線基板１００の段差の高さｄが筐体５０１Ｂの段差５０１Ｃ（図３（Ｃ）参照）に合うように配線基板を設計すれば、段差５０１Ｃのある筐体５０１Ｂの内部において、効率よく多層配線基板１００を配設することができる。

なお、図４及び図５には、多層配線基板１００の全体ではなく一部の断面を示すため、実際の多層配線基板１００には、より多くの穴部が形成されることになる。

次に、図６及び図７を用いて、実施の形態１の多層配線基板１００の製造方法について説明する。

図６（Ａ）〜（Ｃ）は、実施の形態１の多層配線基板１００に穴部４１Ａ〜４１Ｂ及び５１Ａ〜５５Ａを形成する工程を示す斜視図である。

まず、図６（Ａ）に示すように、多層配線基板１００の表面１００Ａに穴部４１Ａ〜４５Ａ及び５１Ａ〜５５Ａを形成する位置を決定する。穴部４１Ａ〜４５Ａ及び５１Ａ〜５５Ａは、レーザ加工で形成するため、穴部４１Ａ〜４５Ａ及び５１Ａ〜５５Ａの中心位置、直径、深さをＸＹＺ座標系で決定する。

レーザは、例えば、炭酸ガスレーザ又はＹＡＧ（Yttrium Aluminum Garnet）レーザを用いればよい。

なお、多層配線基板１００の裏面１００Ｂ（図６（Ｃ）参照）に形成する穴部４１Ｂ〜４５Ａ及び５１Ａ〜５５Ａの中心位置、直径、深さについてもＸＹＺ座標系で決定しておく。

次に、図６（Ｂ）に示すように、レーザ３００を走査しながら多層配線基板１００に照射して、穴部４１Ａ〜４５Ａを順次形成する。穴部４１Ａ〜４５Ａを形成した後に、レーザ３００を走査しながら多層配線基板１００に照射して、穴部５１Ａ〜５５Ａを形成する。

ここで、レーザ３００の走査は、例えば、ガルバノミラーを含むレーザスキャナ装置で行えばよい。レーザ発振器から発振されるレーザ３００をレーザスキャナ装置で走査するとともに、ｆθレンズでレーザ３００を所望の直径に集光し、穴部４１Ａ〜４５Ａ及び５１Ａ〜５５Ａを形成する中心位置にレーザ３００を順次照射する。このようにして、穴部４１Ａ〜４５Ａ、５１Ａ〜５５Ａを形成すればよい。

多層配線基板１００の表面１００Ａ側に穴部４１Ａ〜４５Ａ及び５１Ａ〜５５Ａを形成した後に、図６（Ｃ）に示すように多層配線基板１００を裏返して、レーザ３００を照射することによって穴部５１Ｂ〜５５Ｂを形成し、さらに穴部４１Ｂ〜４５Ｂを形成する。

穴部４１Ａ〜４５Ａ、４１Ｂ〜４５Ｂ、５１Ａ〜５５Ａ、及び５１Ｂ〜５５Ｂを形成した状態では、各穴部の内部で導電体２３又は２４が露出している。導電体２３、２４が銅箔である場合は、多層配線基板１００を防錆処理用の有機酸溶液に含浸させることにより、各穴部内の導電体２３、２４の表面に、例えば、０．２μｍ〜０．３μｍ程度の有機被膜を形成すればよい。

以上により、多層配線基板１００に穴部４１Ａ〜４５Ａ、４１Ｂ〜４５Ｂ、５１Ａ〜５５Ａ、及び５１Ｂ〜５５Ｂを形成する工程が終了する。穴部４１Ａ〜４５Ａ、４１Ｂ〜４５Ｂ、５１Ａ〜５５Ａ、及び５１Ｂ〜５５Ｂは、ミシン目のように形成される。

なお、穴部４１Ａ〜４５Ａ、４１Ｂ〜４５Ｂ、５１Ａ〜５５Ａ、及び５１Ｂ〜５５Ｂを形成するために必要なレーザ３００の出力、直径、照射時間、ショット数（照射回数）等は、絶縁体１１〜１５及び導電体２１〜２６の材質、厚さ、及び密度等によって異なる。

このため、絶縁体１１〜１５及び導電体２１〜２６の材質、厚さ、及び密度等に応じて、穴部４１Ａ〜４５Ａ、４１Ｂ〜４５Ｂ、５１Ａ〜５５Ａ、及び５１Ｂ〜５５Ｂを形成するために必要なレーザの出力、直径、照射時間、ショット数等のデータを予め取得しておけばよい。穴部４１Ａ〜４５Ａ、４１Ｂ〜４５Ｂ、５１Ａ〜５５Ａ、及び５１Ｂ〜５５Ｂの形成は、予め取得したレーザの出力、直径、照射時間、ショット数等のデータを用いて行えばよい。

また、絶縁体１１、１２、１４、１５を貫通させるために必要なレーザ３００の出力は、導電体２１、２２、２５、２６を貫通するために必要なレーザ３００の出力よりも小さい。

このため、絶縁体１１、１２、１４、１５に穴部を形成する加工を行う際に、レーザ３００が導電体２１〜２６に達すると、レーザ３００は導電体２１〜２６で反射され、穴部の加工が導電体２１〜２６の各々に達したことを検出できる。

従って、導電体２１、２２、２５、２６に達した場合は、レーザ３００の出力を増大させて導電体２１、２２、２５、２６を貫通するように加工を行えばよく、導電体２３、２４に到達した場合には、加工を終了させればよい。

このようにレーザ３００の出力を調整しながら加工を行うことにより、導電体２３、絶縁体１３、及び導電体２４を残して、穴部４１Ａ〜４５Ａ、４１Ｂ〜４５Ｂ、５１Ａ〜５５Ａ、及び５１Ｂ〜５５Ｂを形成することができる。

また、レーザ３００による加工は、例えば、穴部４１Ａ〜４５Ａ、４１Ｂ〜４５Ｂ、５１Ａ〜５５Ａ、及び５１Ｂ〜５５Ｂの直径が５０μｍ〜４００μｍ程度になるように設定して高速で行うことができる。このため、微細な穴部を短時間で形成することができる。

なお、ここでは、レーザ３００を用いて穴部４１Ａ〜４５Ａ、４１Ｂ〜４５Ｂ、５１Ａ〜５５Ａ、及び５１Ｂ〜５５Ｂを加工する形態について説明したが、ドリルを用いて穴部４１Ａ〜４５Ａ、４１Ｂ〜４５Ｂ、５１Ａ〜５５Ａ、及び５１Ｂ〜５５Ｂを形成してもよい。

ドリル加工を行う場合は、例えば、ビア３１〜３４用の貫通孔３１Ａ〜３４Ａを形成するためのドリルを利用すればよい。穴部４１Ａ〜４５Ａ、４１Ｂ〜４５Ｂ、５１Ａ〜５５Ａ、及び５１Ｂ〜５５Ｂの直径は、ドリルの直径によって決まる。穴部４１Ａ〜４５Ａ、４１Ｂ〜４５Ｂ、５１Ａ〜５５Ａ、及び５１Ｂ〜５５Ｂの深さは、ドリルのＺ軸方向における送り量によって制御すればよい。

レーザ３００又はドリルを用いて穴部４１Ａ〜４５Ａ、４１Ｂ〜４５Ｂ、５１Ａ〜５５Ａ、及び５１Ｂ〜５５Ｂを加工することにより、比較例のフレキシブル基板３（図１参照）では実現できない高密度化を達成することができる。

次に、図７を用いて、多層配線基板１００を折り曲げる折り曲げ工程について説明する。

図７は、実施の形態１の多層配線基板１００の折り曲げ工程を示す図である。図７（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は実施の形態１の多層配線基板１００の折り曲げ工程を段階的に示す側面図であり、図７（Ｄ）は図７（Ａ）に示す工程で用いる治具のうちの一つを示す正面図である。

ここでは、実施の形態１の多層配線基板１００にＲＦ通信部５１１、ＡＤコンバータ５１２、ベースバンド処理部５１３、ＣＰＵ５１４、Ｉ／Ｆ５１５、及びメモリ５１６を実装した後に、折り曲げ工程を行う形態について説明する。

図７（Ａ）〜（Ｃ）に示すように、実施の形態１の多層配線基板１００の折り曲げ工程では、治具４０１、４０２、４０３を用いる。

治具４０１は、台座となる治具であり、例えば、直方体の金属プレートを用いることができる。治具４０１は、折り曲げ工程によって多層配線基板１００に生じる段差ｄよりも厚い厚さを有していればよく、例えば、銅又は鉄の金属プレート、または硬質樹脂成型品を用いることができる。治具４０１は、金属プレートの表面に樹脂がコーティングされていてもよい。樹脂あるいは金属への樹脂コーティングは配線基板へのダメージを低減することを目的としている。治具４０１は、折り曲げ部１０１を折り曲げる際に用いられる。

治具４０２は、昇降式の押圧機構に取り付けられており、図７（Ａ）において治具４０１の右側面４０１Ａから所定距離だけ離れた位置において昇降可能である。

治具４０３は、治具４０１を上面側からくり抜いた凹部４０３Ｂを有するコの字型の台座である。治具４０３は、折り曲げ部１０２を折り曲げる際に用いられる。

ここで、折り曲げ部１０１には、穴部４１Ａ〜４５Ａ及び４１Ｂ〜４５Ｂが形成されており、折り曲げ部１０２には、穴部５１Ａ〜５５Ａ及び５１Ｂ〜５５Ｂが形成されている。折り曲げ部１０１、１０２は、それぞれ、穴部４１Ａ〜４５Ａ及び４１Ｂ〜４５Ｂ、穴部５１Ａ〜５５Ａ及び５１Ｂ〜５５Ｂにより、多層配線基板１００の剛性が低くなっている部分である。

まず、図７（Ａ）に示すように、多層配線基板１００の折り曲げ部１０１が治具４０１の右側面４０１Ａと治具４０２の間に位置するように位置合わせを行い、多層配線基板１００の折り曲げ部１０１よりも左側の部分を治具４０１に載置する。このとき、治具４０２は、折り曲げ加工を行う前には多層配線基板１００の上方に位置している。

次に、図７（Ｂ）に示すように、押圧機構によって治具４０２を下降させて、多層配線基板１００の表面１００Ａに当接した状態で下方に押圧することにより、多層配線基板１００の折り曲げ部１０１にせん断応力を発生させる。これにより、多層配線基板１００は、図７（Ｂ）に示すように、折り曲げ部１０１よりも右側が下方に折れ曲がる。

最後に、多層配線基板１００の上下を反転させ、多層配線基板１００の折り曲げ部１０２よりも左側の部分を治具４０３に載置する。このとき、ＲＦ通信部５１１とＡＤコンバータ５１２の破損を防ぐために、ＲＦ通信部５１１とＡＤコンバータ５１２が凹部４０３内に収容されるように、治具４０３に多層配線基板１００を載置すればよい。

治具４０３は、治具４０２に対して、図７（Ａ）、（Ｂ）に示す治具４０１と同じ位置に設置されており、治具４０２は、治具４０３の右側面４０３Ｂから所定距離だけ離れた位置に置いて昇降可能である。

多層配線基板１００の折り曲げ部１０２が治具４０３の右側面４０３Ｂと治具４０２の間に位置するように位置合わせを行い、押圧機構で治具４０２を下降させる。多層配線基板１００の裏面１００Ｂに治具４０２を当接させた状態で、治具４０２をさらに下方に押圧することにより、多層配線基板１００の折り曲げ部１０２にせん断応力を発生させる。

これにより、図７（Ｃ）に示すように、多層配線基板１００の折り曲げ部１０２は折り曲げられ、高さｄの段差を形成することができる。

ここで、図７（Ｄ）に示すように、治具４０２の底部４０２Ａは、幅方向における中央部が下側に凸になるように丸められていてもよい。このように底部４０２Ａを丸めておけば、多層配線基板１００を折り曲げる際に、多層配線基板１００の幅方向における中央部から両端にかけて徐々にせん断応力を発生させることはでき、多層配線基板１００を効率的に折り曲げることができる。

以上のように、実施の形態１によれば、多層配線基板１００を完成させた後に、穴部４１Ａ〜４５Ａ、４１Ｂ〜４５Ｂ、５１Ａ〜５５Ａ、及び５１Ｂ〜５５Ｂを形成することにより、折り曲げ工程を行うことができ、多層配線基板１００の折り曲げ構造を容易に製造できる。

なお、多層配線基板１００を折り曲げた後に、ＲＦ通信部５１１、ＡＤコンバータ５１２、ベースバンド処理部５１３、ＣＰＵ５１４、Ｉ／Ｆ５１５、及びメモリ５１６を配線１００に実装することができる場合は、折り曲げた後に実装してもよい。

以上、実施の形態１によれば、多層配線基板１００が完成した後に、穴部４１Ａ〜４５Ａ、４１Ｂ〜４５Ｂ、５１Ａ〜５５Ａ、及び５１Ｂ〜５５Ｂを形成することにより、絶縁体１１、１２、１３、１４、１５を含むリジッド型の多層配線基板１００において、折り曲げ構造を容易に製造できる。

従来のリジッド型の配線基板は、剛性が高く（例えば、約３０ＧＰａ）、容易には折り曲げることができないので、例えば、高さが０．１ｍｍ程度の段差があるだけでも、電子装置に用いることはできない。

これに対して、実施の形態１の多層配線基板１００は、段差の高さに応じて折り曲げることができるため、段差５０１Ｃ（図３参照）を含む筐体５０１Ｂ内のスペースを有効利用することができる。

多層配線基板１００は、レーザ加工又はドリル加工等で容易に形成できる穴部４１Ａ〜４５Ａ、４１Ｂ〜４５Ｂ、５１Ａ〜５５Ａ、及び５１Ｂ〜５５Ｂを折り曲げ部１０１、１０２として折り曲げるため、従来の配線基板に比べて折り曲げるために必要な工程数が大幅に少ない。

このため、実施の形態１によれば、折り曲げた構造を容易に製造できる多層配線基板１００を提供することができる。

また、多層配線基板１００は、プリプレグである絶縁体１１、１３、１５と、コアである絶縁体１２、１４を含むリジッド型の基板であるため、比較例のフレキシブル基板３及びリジッドフレキシブル基板５に比べて、製造コストを大幅に低減することができる。

また、多層配線基板１００は、リジッド型の基板であるため、高密度化も図ることができる。

また、リジッド型の多層配線基板１００を折り曲げることにより、電子装置１の小型化と低コスト化を実現できる。

なお、以上では、穴部４１Ａ〜４５Ａと穴部４１Ｂ〜４５ＢのＸＹ平面内における位置がそれぞれ等しい形態について説明したが、穴部４１Ａ〜４５Ａと穴部４１Ｂ〜４５ＢのＸＹ平面内における位置は異なっていてもよい。例えば、穴部４１Ａ〜４５Ａと穴部４１Ｂ〜４５Ｂとは、それぞれ、Ｙ軸方向において、重ならないように互い違いに位置するように形成されていてもよい。

同様に、穴部５１Ａ〜５５Ａと穴部５１Ｂ〜５５ＢのＸＹ平面内における位置は、ＸＹ平面内における位置は異なっていてもよい。例えば、穴部５１Ａ〜５５Ａと穴部５１Ｂ〜５５Ｂとは、それぞれ、Ｙ軸方向において、重ならないように互い違いに位置するように形成されていてもよい。

また、以上では、穴部４１Ａ〜４５Ａ、４１Ｂ〜４５Ｂ、５１Ａ〜５５Ａ、５１Ｂ〜５５Ｂがそれぞれ間隔Ｙ１を隔てて形成される形態について説明した。しかしながら、穴部４１Ａ〜４５Ａ、４１Ｂ〜４５Ｂ、５１Ａ〜５５Ａ、５１Ｂ〜５５Ｂは、それぞれ、間隔Ｙ１を隔てずにＹ軸方向に連続するように形成されてもよい。

また、表面１００Ａ側の穴部４１Ａ〜４５Ａ、５１Ａ〜５５Ａ、又は、裏面１００Ｂ側の穴部４１Ｂ〜４５Ｂ、５１Ｂ〜５５Ｂのいずれか一方だけが形成されてもよい。

また、以上では、穴部４１Ａ〜４５Ａ、４１Ｂ〜４５Ｂ、５１Ａ〜５５Ａ、５１Ｂ〜５５Ｂが導電体２３、絶縁体１３、及び導電体２４を残して、深さがＺ１になるように形成される形態について説明した。しかしながら、穴部は、少なくともいずれか１層の導電体（プリプレグ又はコア）と、少なくともいずれか１層の絶縁体とを残して形成されるのであれば、任意の組み合わせで形成することができる。従って、穴部４１Ａ〜４５Ａ、４１Ｂ〜４５Ｂ、５１Ａ〜５５Ａ、５１Ｂ〜５５Ｂの深さＺ１は、少なくともいずれか１層の導電体（プリプレグ又はコア）と、少なくともいずれか１層の絶縁体とを残して形成されるのであれば、任意の値に設定可能である。すなわち、表面１００Ａ側から形成される穴部４１Ａ〜４５Ａ、５１Ａ〜５５Ａと、裏面１００Ｂ側から形成される４１Ｂ〜４５Ｂ、５１Ｂ〜５５Ｂとの深さは異なっていてもよい。

また、この場合に、穴部４１Ａ〜４５Ａ及び４１Ｂ〜４５Ｂと、穴部５１Ａ〜５５Ａ及び５１Ｂ〜５５Ｂとが残す絶縁体及び導電体が異なっていてもよい。

また、穴部４１Ａ〜４５Ａ及び４１Ｂ〜４５Ｂと、穴部５１Ａ〜５５Ａ及び５１Ｂ〜５５Ｂとによって残される絶縁体（１１〜１５のいずれか）の厚さは、例えば、比較例のフレキシブル基板３（図１参照）と同等の厚さに設定すればよい。このような厚さに設定することにより、絶縁体（１１〜１５のいずれか）を折り曲げることができる。複数の絶縁体（１１〜１５のいずれか）を残す場合は、複数の絶縁体（１１〜１５のいずれか）の合計の厚さが比較例のフレキシブル基板３（図１参照）と同等の厚さになるように設定すればよい。

また、以上では、穴部４１Ａ〜４５Ａ、４１Ｂ〜４５Ｂ、５１Ａ〜５５Ａ、５１Ｂ〜５５ＢがそれぞれＹ軸に沿って同一直線上に配列されるように形成される形態について説明した。しかしながら、穴部４１Ａ〜４５Ａ、４１Ｂ〜４５Ｂ、５１Ａ〜５５Ａ、５１Ｂ〜５５Ｂは、それぞれ、Ｙ軸に対して曲線的に配列されるように形成されてもよい。例えば、穴部４１Ａ〜４５Ａ、４１Ｂ〜４５Ｂ、５１Ａ〜５５Ａ、５１Ｂ〜５５Ｂは、それぞれ、弧を描くように配列されてもよいし、Ｓ字状に配列されてもよい。

また、以上では、Ｘ軸方向において、２列の穴部４１Ａ〜４５Ａ、４１Ｂ〜４５Ｂ、５１Ａ〜５５Ａ、５１Ｂ〜５５Ｂが形成される形態について説明したが、穴部は、３列以上形成されてもよいし、１列であってもよい。穴部の列数は、多層配線基板１００を折り曲げる回数に応じて決定すればよい。なお、１列の形態については、実施の形態２として後述する。

また、以上では、穴部４１Ａ〜４５Ａ、４１Ｂ〜４５Ｂ、５１Ａ〜５５Ａ、５１Ｂ〜５５Ｂが平面視で円形の形態について説明したが、穴部は平面視で長く形成される長穴であってもよい。例えば、レーザ加工で穴部を形成するときに、レーザを穴部４１Ａのある位置から穴部４２Ａのある位置まで照射することにより、穴部４１Ａから穴部４２Ａまでを繋げて一体にした長穴を形成してもよい。このような長穴は、例えば、穴部４２Ａ〜４５Ａについても任意の組み合わせで繋げることによって形成してもよい。また、穴部４１Ｂ〜４５Ｂ、５１Ａ〜５５Ａ、５１Ｂ〜５５Ｂについても、同様である。

＜実施の形態２＞
実施の形態２の多層配線基板２００は、折り曲げ部が１つである点が実施の形態１の多層配線基板１００と異なる。すなわち、実施の形態２の多層配線基板２００には、穴部４１Ａ〜４５Ａ及び４１Ｂ〜４５Ｂが形成される点は実施の形態１の多層配線基板１００と同様であるが、穴部５１Ａ〜５５Ａ及び５１Ｂ〜５５Ｂが形成されない点において実施の形態１の多層配線基板１００と異なる。

以下では、実施の形態１の多層配線基板１００と同一又は同等の構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。

図８は、実施の形態２の多層配線基板２００の断面構造を示す斜視図である。

図８（Ａ）、（Ｂ）に示す多層配線基板２００の断面構造は、折り曲げる前の状態における多層配線基板２００の断面の一部を拡大して示したものである。

実施の形態２の多層配線基板２００は、５層の絶縁体１１〜１５と、６層の導電体２１〜２６、及び、ビア３１〜３４を含む。また、多層配線基板２００は、さらに、穴部４１Ａ〜４５Ａ、４１Ｂ〜４５Ｂを含む。

穴部４１Ａ〜４５Ａ、４１Ｂ〜４５Ｂは、折り曲げ部２０１に含まれる。実施の形態２の多層配線基板２００は、折り曲げ部２０１で折り曲げることができる。

このため、例えば、折り曲げない状態では小型の電子装置１（図３参照）の筐体２内に収納できないが、折り曲げ部２０１で折り曲げることによって筐体２内に収容できるような場合に、筐体２内のスペースを有効利用できる。

以上、実施の形態２によれば、多層配線基板２００が完成した後に、穴部４１Ａ〜４５Ａ、４１Ｂ〜４５Ｂを形成することにより、プリプレグである絶縁体１１、１３、１５と、コアである絶縁体１２、１４を含むリジッド型の多層配線基板２００において、折り曲げ構造を容易に製造できる。

多層配線基板２００は、レーザ加工又はドリル加工等で容易に形成できる穴部４１Ａ〜４５Ａ、４１Ｂ〜４５Ｂを折り曲げ部２０１として折り曲げるため、従来の配線基板に比べて折り曲げるために必要な工程数が大幅に少ない。

このため、実施の形態２によれば、折り曲げた構造を容易に製造できる多層配線基板２００を提供することができる。

また、多層配線基板２００は、プリプレグである絶縁体１１、１３、１５と、コアである絶縁体１２、１４を含むリジッド型の基板であるため、比較例のフレキシブル基板３及びリジッドフレキシブル基板５に比べて、製造コストを大幅に低減することができる。

また、多層配線基板２００は、リジッド型の基板であるため、高密度化も図ることができる。

以上、本発明の例示的な実施の形態の配線基板、電子装置、及び配線基板の製造方法について説明したが、本発明は、具体的に開示された実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲から逸脱することなく、種々の変形や変更が可能である。

１１、１２、１３、１４、１５ 絶縁体
２１、２２、２３、２４、２５、２６ 導電体
３１、３２、３３、３４ ビア
３１Ａ、３２Ａ、３３Ａ、３４Ａ 貫通孔
４１Ａ、４２Ａ、４３Ａ、４４Ａ、４５Ａ、４１Ｂ、４２Ｂ、４３Ｂ、４４Ｂ、４５Ｂ、５１Ａ、５２Ａ、５３Ａ、５４Ａ、５５Ａ、５１Ｂ、５２Ｂ、５３Ｂ、５４Ｂ、５５Ｂ 穴部
１００ 配線基板
１００Ａ 表面
１００Ｂ 裏面
１０１、１０２ 折り曲げ部
２００ 配線基板
２０１ 折り曲げ部
３００ レーザ
５００ 携帯電話端末機
５０１Ａ、５０１Ｂ 筐体
５０２ 表示部
５０３ 操作部
５１１ ＲＦ通信部
５１２ ＡＤコンバータ
５１３ ベースバンド処理部
５１４ ＣＰＵ
５１５ Ｉ／Ｆ
５１６ メモリ
５１７ アンテナ

Claims (5)

1. 複数の絶縁体と、
   前記絶縁体と交互に積層される導電体と、
   を有する多層配線基板であって、
   前記多層配線基板の表面から前記多層配線基板の厚さ方向に形成される複数の穴であって、少なくとも前記絶縁体のうち一の絶縁体を残して形成される穴を含む多層配線基板。
2. 前記穴は、前記多層配線基板の表面及び他方の表面から前記多層配線基板の厚さ方向に形成されており、前記表面から形成される穴と、前記他方の表面から形成される穴とは、平面視において互い違いに配列される、請求項１に記載の多層配線基板。
3. 請求項１又は２に記載の多層配線基板と、
   前記多層配線基板に搭載される電子部品と
   を含む、電子装置。
4. 複数の絶縁体と、前記絶縁体と交互に積層される導電体とを含む多層配線基板の前記多層配線基板の表面から、前記多層配線基板の厚さ方向に形成され、少なくとも前記絶縁体のうち一の絶縁体を残して穴を形成する工程を含む、多層配線基板の製造方法。
5. 前記穴において、前記多層配線基板を折り曲げる工程をさらに含む、請求項５記載の多層配線基板の製造方法。

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