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JP2013061488A - Optical scanner - Google Patents

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JP2013061488A
JP2013061488A JP2011199918A JP2011199918A JP2013061488A JP 2013061488 A JP2013061488 A JP 2013061488A JP 2011199918 A JP2011199918 A JP 2011199918A JP 2011199918 A JP2011199918 A JP 2011199918A JP 2013061488 A JP2013061488 A JP 2013061488A
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JP
Japan
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optical
voltage
light
electro
optical scanning
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Withdrawn
Application number
JP2011199918A
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Japanese (ja)
Inventor
Tsuyoshi Hashiguchi
強 橋口
Shuichi Suzuki
修一 鈴木
Atsushi Sakai
篤 坂井
Atsushi Nakagawa
淳 中川
Kazuhiko Tsukamoto
和彦 塚本
Koichiro Nakamura
孝一郎 中村
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Ricoh Co Ltd
Original Assignee
Ricoh Co Ltd
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Publication date
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  • Optical Integrated Circuits (AREA)
  • Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an optical scanner capable of obtaining deviated light flux free from distortion when applying an intense electric field.SOLUTION: An optical scanner comprises an optical waveguide for transmitting incident light. The optical waveguide includes an electro-optical element in which refractive index changes according to the applied electric field. Voltage of a predetermined frequency is applied to the electro-optical element to change the refractive index of the electro-optical element, and the incident light is blinked according to the changed refractive index.

Description

本発明は、電気光学素子を用いた光走査装置に関する。   The present invention relates to an optical scanning device using an electro-optical element.

光束の進行方向を制御して光を走査させる装置として、ポリゴンミラー、ガルバノミラーあるいは電気光学素子を用いた光走査装置が知られている。   As an apparatus for scanning light by controlling the traveling direction of a light beam, an optical scanning apparatus using a polygon mirror, a galvano mirror, or an electro-optical element is known.

ポリゴンミラー及びガルバノミラーを用いた光走査装置では、光の偏向可能な角度(偏向角)が大きいが、光学系(ミラーなど)及び可動部を必要とするため、小型化が難しい場合がある。また、可動部の振動が問題になる場合がある。   In an optical scanning device using a polygon mirror and a galvanometer mirror, the angle at which light can be deflected (deflection angle) is large. However, since an optical system (such as a mirror) and a movable part are required, downsizing may be difficult. In addition, vibration of the movable part may be a problem.

一方、電気光学素子を用いた光走査装置では、偏向角は小さいが、電気光学効果(電気光学結晶の屈折率が電界強度に依存して変化する効果)を利用しているため、可動部がなく、高応答性を実現できる。また、小型化も比較的容易である。   On the other hand, in an optical scanning device using an electro-optic element, the deflection angle is small, but the electro-optic effect (the effect that the refractive index of the electro-optic crystal changes depending on the electric field strength) is utilized. High responsiveness can be realized. Further, it is relatively easy to reduce the size.

特許文献1は、複数の三角形の分極反転ドメインを有する強誘電性基体を用いて、高速のランダムアクセスが可能であると共に、偏向可能な偏向角が大きく、高分解能の電気光学素子に関する技術を開示している。   Patent Document 1 discloses a technique relating to a high-resolution electro-optic element that enables high-speed random access using a ferroelectric substrate having a plurality of triangular domain-inverted domains, has a large deflection angle, and can be deflected. doing.

強誘電体(電気光学素子)を用いた光走査装置は、強誘電体に連続して一方向に電圧を印加することで強誘電体内の電気光学結晶の屈折率を変化させ、電気光学結晶を透過する光を偏向する。このとき、大きな偏向角を得るためには、電気光学結晶に高い電界を印加する必要がある。具体的には、電気光学結晶として用いられているニオブ酸リチウム結晶では、分極反転によるプリズム構造(プリズム幅D=2mm、プリズム長L=20mm)により光を偏向させる場合において、偏向角度を5°以上とするために、パルス波のパルス幅に対応する時間の間、電圧を一方向に印加し、ニオブ酸リチウム結晶に約10kV/mm以上の電界を印加する。   An optical scanning device using a ferroelectric material (electro-optic element) changes the refractive index of the electro-optic crystal in the ferroelectric material by applying a voltage in one direction continuously to the ferroelectric material. It deflects transmitted light. At this time, in order to obtain a large deflection angle, it is necessary to apply a high electric field to the electro-optic crystal. Specifically, in a lithium niobate crystal used as an electro-optic crystal, when deflecting light with a prism structure (prism width D = 2 mm, prism length L = 20 mm) by polarization inversion, the deflection angle is 5 °. In order to achieve the above, a voltage is applied in one direction for a time corresponding to the pulse width of the pulse wave, and an electric field of about 10 kV / mm or more is applied to the lithium niobate crystal.

特許文献1に開示されている技術において、電気光学結晶に高い電界を印加する場合では、空間電荷効果により、結晶内に注入された電子によって陽極からの電界が影響を受け、電極間の電界(電荷分布)が不均一になる場合があった。これにより、電気光学結晶の屈折率が不均一となり、偏向して出射される出射光に歪みが生じ、出射光の品質が保たれない場合があった。   In the technique disclosed in Patent Document 1, when a high electric field is applied to the electro-optic crystal, the electric field from the anode is affected by the electrons injected into the crystal due to the space charge effect, and the electric field between the electrodes ( In some cases, the charge distribution was non-uniform. As a result, the refractive index of the electro-optic crystal becomes non-uniform, the output light deflected and emitted is distorted, and the quality of the emitted light may not be maintained.

本発明は、高い電界を印加する場合でも、歪みが生じていない偏向した光束を得ることができる光走査装置を提供することを課題とする。   An object of the present invention is to provide an optical scanning device capable of obtaining a deflected light beam that is not distorted even when a high electric field is applied.

上記課題を解決するために、本発明は、入射光が透過する光導波路を有する光走査装置であって、前記光導波路は、印加される電界に基づいて屈折率が変化する電気光学素子を含み、前記電気光学素子に所定の周波数の電圧を印加することにより、該電気光学素子の屈折率を変化させ、前記変化した屈折率に対応させて、前記入射光を点滅する、ことを特徴とする光走査装置を提供する。   In order to solve the above-described problems, the present invention provides an optical scanning device having an optical waveguide through which incident light is transmitted, the optical waveguide including an electro-optic element whose refractive index changes based on an applied electric field. Applying a voltage having a predetermined frequency to the electro-optical element to change a refractive index of the electro-optical element, and flashing the incident light according to the changed refractive index. An optical scanning device is provided.

本発明によれば、光走査装置において、電気光学素子に印加する電界が高い場合でも、歪みが生じていない偏向した光束を得ることができる。   According to the present invention, in the optical scanning device, it is possible to obtain a deflected light beam without distortion even when the electric field applied to the electro-optic element is high.

光偏向器の一例を示す概略構成図である。It is a schematic block diagram which shows an example of an optical deflector. 光偏向器の要部の一例を示す概略図である。図(a)は、光偏向器の要部の側面図である。図(b)は、光偏向器の要部の平面図である。It is the schematic which shows an example of the principal part of an optical deflector. FIG. 1A is a side view of the main part of the optical deflector. FIG. 2B is a plan view of the main part of the optical deflector. 光偏向器の動作の一例を説明する説明図である。図(a)は、光偏向器から出射される出射光の照射位置を説明する説明図である。図(b)は、光導波路に印加する電圧の波形及び光源のオン/オフの動作を説明する説明図である。It is explanatory drawing explaining an example of operation | movement of an optical deflector. FIG. 4A is an explanatory diagram for explaining the irradiation position of the emitted light emitted from the optical deflector. FIG. 4B is an explanatory diagram for explaining the waveform of the voltage applied to the optical waveguide and the on / off operation of the light source. 光導波路に印加する電圧の波形の比較例を説明する説明図である。図(a)は、任意のパルス幅の電圧を印加する場合の比較例を示す説明図である。図(b)は、印加する電圧の中間値がプラスの電圧レベルの場合の比較例を示す説明図である。It is explanatory drawing explaining the comparative example of the waveform of the voltage applied to an optical waveguide. FIG. (A) is an explanatory view showing a comparative example in the case of applying a voltage having an arbitrary pulse width. FIG. 7B is an explanatory diagram showing a comparative example when the intermediate value of the applied voltage is a positive voltage level. 光走査装置の一例を示す概略構成図である。It is a schematic block diagram which shows an example of an optical scanning device. 光走査装置の動作の一例を説明する説明図である。図(a)は、光走査装置から出射される出射光の光走査位置を説明する説明図である。図(b)は、光導波路に印加する電圧の波形及び光源のオン/オフの動作を説明する説明図である。It is explanatory drawing explaining an example of operation | movement of an optical scanning device. FIG. 4A is an explanatory diagram for explaining an optical scanning position of outgoing light emitted from the optical scanning device. FIG. 4B is an explanatory diagram for explaining the waveform of the voltage applied to the optical waveguide and the on / off operation of the light source.

電気光学効果により光束の進行方向を偏向する光偏向器を用いて、本発明を詳細に説明する。本発明は、光偏向器以外でも、プリンタ、スキャナ、車載用レーザレーダ、波長可変レーザ、及び、メディカル用レーザ等において用いられる入射光を電気光学効果を用いて偏向し、偏向した光束(入射光)を出射光として照射するものであれば、いずれのものにも用いることができる。   The present invention will be described in detail using an optical deflector that deflects the traveling direction of a light beam by an electro-optic effect. In addition to the optical deflector, the present invention deflects incident light used in a printer, a scanner, an in-vehicle laser radar, a wavelength tunable laser, a medical laser, and the like by using an electro-optic effect, and deflects the luminous flux (incident light ) Can be used as long as it emits as emitted light.

(光偏向器の構成)
図1は、本実施形態の光偏向器の例を示す概略構成図である。
(Configuration of optical deflector)
FIG. 1 is a schematic configuration diagram illustrating an example of an optical deflector according to the present embodiment.

図1において、光偏向器10は、制御手段11、入射光手段12、光導波路13、電極14、及び、基板15を含む。光偏向器10は、本実施形態では、入射光手段12から入射された入射光を光導波路13で偏向し、偏向後の光束(入射光)を出射光として出射する。また、光偏向器10は、制御手段11により、電極14に印加する電圧を制御し、電気光学効果により、光導波路13の屈折率を変化させ、光導波路13内を透過する光束を偏向する。ここで、電気光学効果とは、電気光学結晶の屈折率が電界強度に依存して変化する効果をいう。   In FIG. 1, the optical deflector 10 includes a control unit 11, an incident light unit 12, an optical waveguide 13, an electrode 14, and a substrate 15. In this embodiment, the optical deflector 10 deflects the incident light incident from the incident light means 12 by the optical waveguide 13 and emits the deflected light beam (incident light) as outgoing light. Further, the optical deflector 10 controls the voltage applied to the electrode 14 by the control means 11, changes the refractive index of the optical waveguide 13 by the electro-optic effect, and deflects the light beam transmitted through the optical waveguide 13. Here, the electro-optic effect refers to an effect in which the refractive index of the electro-optic crystal changes depending on the electric field strength.

制御手段11は、光偏向器10全体の制御を行う手段である。制御手段11は、入射光手段12等の動作を制御する。また、制御手段11は、電極14に印加する電圧を制御することにより、光導波路13の屈折率を制御する。   The control means 11 is a means for controlling the entire optical deflector 10. The control unit 11 controls the operation of the incident light unit 12 and the like. The control unit 11 controls the refractive index of the optical waveguide 13 by controlling the voltage applied to the electrode 14.

入射光手段12は、光を発し、その光を入射光として、光導波路13に入射する手段である。入射光手段12は、本実施形態では、光源及び光学系を含む。入射手段12は、光源が射出する光束(半導体レーザなど)を光学系(レンズ及びミラーなど)により集光し、光導波路13(後述するコア層)に入射する。   The incident light means 12 emits light and is incident on the optical waveguide 13 as incident light. In the present embodiment, the incident light means 12 includes a light source and an optical system. The incident means 12 condenses the light beam (semiconductor laser or the like) emitted from the light source by an optical system (lens and mirror or the like), and enters the optical waveguide 13 (core layer to be described later).

光導波路13は、入射光手段12により入射された入射光の進行方向を偏向し、偏向後の光束(入射光)を出射光として出射するものである。光導波路13は、本実施形態では、コア層13c及びクラッド層(13up及び13dw)を含む。   The optical waveguide 13 deflects the traveling direction of the incident light incident by the incident light means 12, and emits the deflected light beam (incident light) as outgoing light. In the present embodiment, the optical waveguide 13 includes a core layer 13c and a cladding layer (13up and 13dw).

コア層13cは、電気光学素子として、本実施形態では、強誘電性体により構成される。また、コア層13cは、強誘電性体の一部に自発分極の方向(電気光学結晶の分極軸の方向)が反転した領域(後述する分極反転領域)を有する。クラッド層は、コア層13cから漏れる光を反射する被覆層である。クラッド層は、本実施形態では、上部クラッド層13up及び下部クラッド層13dwを有する。上部クラッド層13up及び下部クラッド層13dwは、コア層13cを被覆するため、入射光の入射方向と交差する方向側のコア層13cの表面上に形成される。   In the present embodiment, the core layer 13c is made of a ferroelectric material as an electro-optic element. In addition, the core layer 13c has a region (a polarization inversion region to be described later) in which the direction of spontaneous polarization (the direction of the polarization axis of the electro-optic crystal) is reversed in a part of the ferroelectric material. The cladding layer is a coating layer that reflects light leaking from the core layer 13c. In this embodiment, the clad layer has an upper clad layer 13up and a lower clad layer 13dw. The upper clad layer 13up and the lower clad layer 13dw are formed on the surface of the core layer 13c on the direction side that intersects the incident direction of incident light in order to cover the core layer 13c.

電極14は、光導波路13(コア層13c)に、電圧を印加するものである。電極14は、本実施形態では、上部クラッド層13up及び下部クラッド層13dwのコア層13cと接する側の反対側(以下、外側という。)の表面に、一対の電極(上部電極層及び下部電極層)として形成される。詳細は後述の(光導波路及び電極の構成)で説明する。   The electrode 14 applies a voltage to the optical waveguide 13 (core layer 13c). In the present embodiment, the electrode 14 has a pair of electrodes (an upper electrode layer and a lower electrode layer) on the surface of the upper clad layer 13up and the lower clad layer 13dw opposite to the side in contact with the core layer 13c (hereinafter referred to as the outer side). ). Details will be described later (configuration of optical waveguide and electrode).

基板15は、光導波路13及び電極14を支持するものである。詳細は後述の(光導波路及び電極の構成)で説明する。   The substrate 15 supports the optical waveguide 13 and the electrode 14. Details will be described later (configuration of optical waveguide and electrode).

(光導波路及び電極の構成)
光偏向器の光導波路及び電極の構成を、図2(a)を用いて、説明する。図2(a)は、光偏向器の要部の側面図である。
(Configuration of optical waveguide and electrode)
The configuration of the optical waveguide and electrodes of the optical deflector will be described with reference to FIG. Fig.2 (a) is a side view of the principal part of an optical deflector.

図2(a)において、光偏向器は、光導波路として、光を透過する薄膜導波路であるコア層13cと、コア層から漏れた光を反射するクラッド層(13up及び13dw)と、を有する。コア層13cは、自発分極の方向が図中のz軸の正方向である正領域13cpと、光を偏向させるために自発分極の方向を反転(z軸の負方向に)した領域(以下、分極反転領域という。)13crと、を有する。クラッド層は、コア層13cの図中のz軸方向側の両端面に被覆された上部クラッド層13up及び下部クラッド層13dwを有する。クラッド層は、コア層13cから漏れた光を反射する。   In FIG. 2A, the optical deflector includes, as optical waveguides, a core layer 13c that is a thin film waveguide that transmits light, and cladding layers (13up and 13dw) that reflect light leaking from the core layer. . The core layer 13c has a positive region 13cp in which the direction of spontaneous polarization is the positive direction of the z axis in the drawing, and a region in which the direction of spontaneous polarization is reversed (in the negative direction of the z axis) in order to deflect light (hereinafter referred to as the z axis). It is referred to as a domain-inverted region.) 13cr. The clad layer has an upper clad layer 13up and a lower clad layer 13dw coated on both end faces of the core layer 13c on the z-axis direction side in the drawing. The clad layer reflects light leaking from the core layer 13c.

また、光偏向器は、光導波路に電界を印加するための電極として、上部クラッド層13up及び下部クラッド層13dwの外側に形成された上部電極層14up及び下部電極層14dwを有する。更に、光偏向器は、光導波路及び電極を支持する支持基板15sと、光導波路等と支持基板15sを接着する接着層15gと、を有する。   The optical deflector includes an upper electrode layer 14up and a lower electrode layer 14dw formed outside the upper cladding layer 13up and the lower cladding layer 13dw as electrodes for applying an electric field to the optical waveguide. Furthermore, the optical deflector includes a support substrate 15s that supports the optical waveguide and the electrode, and an adhesive layer 15g that bonds the optical waveguide and the support substrate 15s.

ここで、コア層13cの材質は、本実施形態では、電気光学素子として、電気光学効果を有する強誘電体のニオブ酸リチウム材料(LiNbO)を用いることができる。また、支持基板15sもニオブ酸リチウム材料を用いることができ、光偏向器の熱膨張による損傷を低減することができる。 In this embodiment, as the material of the core layer 13c, a ferroelectric lithium niobate material (LiNbO 3 ) having an electro-optic effect can be used as the electro-optic element. Also, the support substrate 15s can be made of a lithium niobate material, and damage due to thermal expansion of the optical deflector can be reduced.

上部クラッド層13up及び下部クラッド層13dwは、膜厚約1μmのTa膜またはSiO膜を用いることができる。上部電極層14up及び下部電極層14dwは、膜厚約200nmのTi膜またはCr膜を用いることができる。 As the upper cladding layer 13up and the lower cladding layer 13dw, a Ta 2 O 5 film or SiO 2 film having a film thickness of about 1 μm can be used. For the upper electrode layer 14up and the lower electrode layer 14dw, a Ti film or a Cr film having a film thickness of about 200 nm can be used.

コア層13cは、コア層13c上に下部クラッド層13dw及び下部電極層14dwを成膜後、コア層13cを上下反転(z軸方向に反転)し、コア層13cの成膜されていない表面を研磨することができる。これにより、コア層13cの膜厚を調整することができる。コア層13cの膜厚は、本実施形態では、約20μmとする。研磨後、コア層13cは、コア層13cの研磨した表面上に上部クラッド層13up等を成膜される。   The core layer 13c is formed by forming the lower clad layer 13dw and the lower electrode layer 14dw on the core layer 13c, and then inverting the core layer 13c upside down (inverted in the z-axis direction) so that the surface on which the core layer 13c is not formed is formed. Can be polished. Thereby, the film thickness of the core layer 13c can be adjusted. In the present embodiment, the thickness of the core layer 13c is about 20 μm. After polishing, the core layer 13c is formed by depositing the upper cladding layer 13up and the like on the polished surface of the core layer 13c.

(光束を偏向する動作)
光偏向器が光束の進行方向を偏向する動作を、図2(a)及び図2(b)を用いて、説明する。図2(b)は、図2(a)の光偏向器の要部の平面図である。
(Operation to deflect the luminous flux)
An operation in which the optical deflector deflects the traveling direction of the light beam will be described with reference to FIGS. 2A and 2B. FIG. 2B is a plan view of the main part of the optical deflector of FIG.

図2(b)より、コア層13c内の分極反転領域13crの形状は、三角形の断面形状(以下、プリズム形状という。)である。また、分極反転領域13crは、入射光の進行方向(図中のy軸方向)に、複数、配置されている。プリズム形状は、本実施形態では、断面の三角形の高さ(図中のx軸方向の長さ)を2mmとし、複数のプリズム形状を有する分極反転領域の全長(図中のy軸方向の長さ)を20mmとする。   From FIG. 2B, the shape of the domain-inverted region 13cr in the core layer 13c is a triangular cross-sectional shape (hereinafter referred to as a prism shape). A plurality of polarization inversion regions 13cr are arranged in the traveling direction of incident light (the y-axis direction in the figure). In this embodiment, the prism shape is such that the height of the triangular section (the length in the x-axis direction in the figure) is 2 mm, and the total length of the domain-inverted regions having a plurality of prism shapes (the length in the y-axis direction in the figure). Is 20 mm.

次に、光偏向器が光束を偏向する動作について、具体的に説明する。   Next, the operation of the light deflector for deflecting the light beam will be specifically described.

図2(a)及び図2(b)において、図示しない光源(入射光手段)から発せられた光は、図示しないレンズ等により集光され、入射光B1として、光導波路のコア層13cに入射される。このとき、入射光B1は、光束B2として、コア層13c内の正領域13cp及び分極反転領域13crを伝播する。   2 (a) and 2 (b), light emitted from a light source (incident light means) (not shown) is collected by a lens (not shown) or the like and is incident on the core layer 13c of the optical waveguide as incident light B1. Is done. At this time, the incident light B1 propagates through the positive region 13cp and the polarization inversion region 13cr in the core layer 13c as a light beam B2.

ここで、コア層13cの上方及び下方の上部電極層14up及び下部電極層14dw間に電圧を印加すると、コア層13cに電界が印加され、コア層13cの電気光学効果により、コア層13c内の正領域13cp及び分極反転領域13crの屈折率が変化する。このとき、正領域13cpと分極反転領域13crとは自発分極の方向が180度異なるため、屈折率の変化量が異なる。この結果、コア層13c内の光束B2は、コア層13c内の正領域13cp及び分極反転領域13crを透過する際に、正領域13cpと分極反転領域13crとの界面(屈折率の異なる界面)で屈折し、図中のXY平面内で偏向する。   Here, when a voltage is applied between the upper electrode layer 14up and the lower electrode layer 14dw above and below the core layer 13c, an electric field is applied to the core layer 13c, and due to the electro-optic effect of the core layer 13c, The refractive indexes of the positive region 13cp and the polarization inversion region 13cr change. At this time, the positive region 13cp and the polarization inversion region 13cr are different in the amount of change in refractive index because the direction of spontaneous polarization is different by 180 degrees. As a result, the light beam B2 in the core layer 13c passes through the positive region 13cp and the domain-inverted region 13cr in the core layer 13c, and is at the interface between the positive region 13cp and the domain-inverted region 13cr (interface having a different refractive index). Refracts and deflects in the XY plane in the figure.

その後、偏向された光束B2は、出射光B3として、コア層13cの端面から出射される。   Thereafter, the deflected light beam B2 is emitted from the end face of the core layer 13c as the outgoing light B3.

ここで、コア層13c内の正領域13cp及び分極反転領域13crの屈折率差Δnは、次式となる。   Here, the refractive index difference Δn between the positive region 13cp and the polarization inversion region 13cr in the core layer 13c is expressed by the following equation.

Δn=−1/2×r×n×V/d
上記の式において、rは電気光学定数(ポッケルス定数)、nはコア層13cの屈折率、dはコア層13cの厚さ、Vはコア層13cに印加する電圧である。
Δn = −1 / 2 × r × n 3 × V / d
In the above formula, r is an electro-optic constant (Pockels constant), n is the refractive index of the core layer 13c, d is the thickness of the core layer 13c, and V is a voltage applied to the core layer 13c.

以上より、光偏向器は、コア層(光導波路)に印加する電圧を制御することによって、電気光学効果によりコア層の屈折率を制御し、コア層を透過する光束の進行方向を偏向することができる。   From the above, the optical deflector controls the refractive index of the core layer by the electro-optic effect by controlling the voltage applied to the core layer (optical waveguide), and deflects the traveling direction of the light beam passing through the core layer. Can do.

なお、電圧を印加するコア層の領域を上記の分極反転領域のプリズム形状と同様の形状の領域とすることで、コア層内に電圧が印加された領域と印加されていない領域とを形成し、局所的に屈折率を変化させることができる。その結果、電圧が印加された領域と印加されていない領域との界面(屈折率の異なる界面)を透過する光束を屈折させ、光束の進行方向を偏向することもできる。   In addition, by forming the region of the core layer to which the voltage is applied into a region having the same shape as the prism shape of the polarization inversion region, a region where the voltage is applied and a region where the voltage is not applied are formed in the core layer. The refractive index can be locally changed. As a result, it is possible to refract the light beam that passes through the interface between the region to which the voltage is applied and the region to which the voltage is not applied (interface having a different refractive index), and to deflect the traveling direction of the light beam.

(光導波路に電圧を印加する動作)
光偏向器が、光導波路に電圧を印加する動作について、図3を用いて説明する。図3(a)は、光偏向器から出射される出射光の照射位置を示す。図3(b)は、光偏向器に印加する電圧の波形及び光源の点滅の動作を示す。
(Operation to apply voltage to the optical waveguide)
The operation in which the optical deflector applies a voltage to the optical waveguide will be described with reference to FIG. FIG. 3A shows the irradiation position of the outgoing light emitted from the optical deflector. FIG. 3B shows the waveform of the voltage applied to the optical deflector and the blinking operation of the light source.

図3(a)において、光偏向器は、出射光を、任意の時間ごとに、任意の照射位置に照射することができる。具体的には、光偏向器の制御手段は、任意の時間帯(図中のt=0、0〜t、t〜t、t〜t、及び、t〜)において、任意の照射位置(図中のx、x、0、−x、及び、−x)に、出射光を出射することができる。ここで、図3(a)のx軸は、図2のx軸に対応する。 In FIG. 3A, the optical deflector can irradiate the emitted light to an arbitrary irradiation position every arbitrary time. Specifically, the control means of the optical deflector can be any time period (t = 0,0~t 1 in FIG, t 1 ~t 2, t 2 ~t 3, and, t 3 ~) at, The emitted light can be emitted to arbitrary irradiation positions (x 1 , x 2 , 0, −x 3 , and −x 1 in the drawing). Here, the x-axis in FIG. 3A corresponds to the x-axis in FIG.

次に、図3(a)の動作中に、光偏向器の制御手段が光導波路に印加する電圧を図3(b)に示す。図3(b)の横軸の経過時間tは、図3(a)の横軸の経過時間tに対応する。また、図3(b)の縦軸の印加電圧Vは光導波路(コア層)に印加する電圧である。   Next, FIG. 3B shows a voltage applied to the optical waveguide by the control unit of the optical deflector during the operation of FIG. The elapsed time t on the horizontal axis in FIG. 3B corresponds to the elapsed time t on the horizontal axis in FIG. Further, the applied voltage V on the vertical axis in FIG. 3B is a voltage applied to the optical waveguide (core layer).

図3(b)より、制御手段は、電圧を所定の周波数以上で変化させながら、光導波路に印加する。ここで、所定の周波数は、電界が印加された光導波路内において、空間電荷効果により、光導波路(電気光学結晶)内に注入された電子の分布(電荷分布)が不均一とならない周波数以上の値とすることができる。また、所定の周波数を、数値計算及び実験等により定められる値とすることができる。   From FIG. 3B, the control means applies the voltage to the optical waveguide while changing the voltage at a predetermined frequency or higher. Here, the predetermined frequency is equal to or higher than a frequency at which the distribution (charge distribution) of electrons injected into the optical waveguide (electro-optic crystal) is not uniform due to the space charge effect in the optical waveguide to which an electric field is applied. Can be a value. Further, the predetermined frequency can be set to a value determined by numerical calculation, experiment, or the like.

図3(b)において、制御手段は、図3(a)の横軸の各時間帯(t=0、t=0〜t、t〜t、t〜t、及び、t〜)に対応する照射位置(図3(a)のx、x、0、−x、及び、−xの位置)に出射光を照射するため、光偏向器の光源を点滅(点灯及び消灯)する。具体的には、制御手段は、t=0において、偏向しない出射光を照射するために、印加電圧が0Vのタイミングで光源を点灯する。次に、制御手段は、t=0〜tの時間帯で、照射位置xに出射光を照射するために、印加電圧がVのタイミングのみで光源を点灯し、それ以外の電圧のときは光源を消灯する。以下、同様に、t=t〜t等の時間帯で、照射位置−x等に出射光を照射するため、印加電圧が−V等のタイミングのみで光源を点灯する。 3 (b), the control means 3 each time period on the horizontal axis in (a) (t = 0, t = 0~t 1, t 1 ~t 2, t 2 ~t 3 and,, t 3 ~) corresponding to the irradiated position x 1, x 2, 0 (FIG. 3 (a), -x 3, and, for irradiating the emitted light to the position) of -x 1, flashing light source of the optical deflector (Lit and extinguished). Specifically, the control means turns on the light source at a timing when the applied voltage is 0 V in order to irradiate the outgoing light that is not deflected at t = 0. Next, the control means turns on the light source only at the timing when the applied voltage is V 1 in order to irradiate the emitted light to the irradiation position x 1 in the time zone of t = 0 to t 1 , and the other voltage. Turn off the light source. Hereinafter, similarly, in order to irradiate the emitted light to the irradiation position −x 1 or the like in the time zone such as t = t 1 to t 2 , the light source is turned on only at the timing when the applied voltage is −V 1 or the like.

この場合、印加する電圧を所定の周波数以上で変化させることにより、電気光学結晶内の電圧勾配の方向が交互に変更されるため、電子が電気光学結晶内に不均一に分布するのを防止し、空間電荷効果が発生するのを抑制することができる。このため、電荷分布が不均一にならず、印加する電界が不均一にならないため、屈折率が一様となり、歪みがない出射光を出射することができる。また、印加する電圧の周波数を高くすることにより、出射光を点灯できるタイミングが増加し、スムーズな光束の照射が可能となる。   In this case, by changing the applied voltage at a predetermined frequency or more, the direction of the voltage gradient in the electro-optic crystal is alternately changed, so that the electrons are prevented from being unevenly distributed in the electro-optic crystal. The space charge effect can be suppressed from occurring. For this reason, the charge distribution does not become non-uniform and the applied electric field does not become non-uniform, so that the refractive index becomes uniform and outgoing light without distortion can be emitted. In addition, by increasing the frequency of the voltage to be applied, the timing at which the emitted light can be turned on increases, and smooth light beam irradiation is possible.

以上により、光導波路に所定の周波数以上で電圧を印加し、印加する電圧に対応して光源を点滅することにより、歪みがない出射光を出射し、任意の照射位置に出射光を照射することができる。   As described above, a voltage is applied to the optical waveguide at a predetermined frequency or more, and the light source is blinked in response to the applied voltage, thereby emitting undistorted emission light and irradiating the emission light at an arbitrary irradiation position. Can do.

次に、図4に、光偏向器に印加する電圧の比較例を示す。図4(a)は、任意のパルス幅の電圧を印加する場合の比較例を示す。図4(b)は、印加する電圧の中間値がプラスの電圧レベルの場合の比較例を示す。   Next, FIG. 4 shows a comparative example of the voltage applied to the optical deflector. FIG. 4A shows a comparative example when a voltage having an arbitrary pulse width is applied. FIG. 4B shows a comparative example when the intermediate value of the applied voltage is a positive voltage level.

図4(a)において、任意の照射位置に出射光を照射する場合、パルス幅に対応する時間において、連続して光導波路に電圧が印加される。このため、パルス幅に対応する時間において光導波路に一方向の電界が印加され、空間電荷効果により、電気光学結晶内で不均一な電荷分布が発生し、屈折率が不均一になる場合がある。このとき、出射光に歪みが生じる。   In FIG. 4A, when the emitted light is irradiated to an arbitrary irradiation position, a voltage is continuously applied to the optical waveguide for a time corresponding to the pulse width. For this reason, an electric field in one direction is applied to the optical waveguide at a time corresponding to the pulse width, and the space charge effect may cause non-uniform charge distribution in the electro-optic crystal, resulting in non-uniform refractive index. . At this time, distortion occurs in the emitted light.

膜厚20μmの光導波路の材料にマグネシウムが添加されたニオブ酸リチウム結晶を用いる場合、1kHz以上の三角波の波形で±250Vの電圧を印加するとき、偏向された出射光の形状に歪みは生じない。一方、周波数を1kHz未満にすると、偏向された出射光の形状に歪みが生じる。これは、周波数を小さくすると、電気光学結晶内の電子が滞留する時間が確保され、空間電荷効果が生じ易くなるためである。したがって、マグネシウムが添加されたニオブ酸リチウム結晶を用いる場合、光導波路に印加する電圧の波形の周波数は1kHz以上とすることが好ましい。   When a lithium niobate crystal added with magnesium is used as a material for an optical waveguide with a thickness of 20 μm, when a voltage of ± 250 V is applied with a triangular wave waveform of 1 kHz or more, the shape of the deflected outgoing light is not distorted. . On the other hand, when the frequency is less than 1 kHz, the shape of the deflected outgoing light is distorted. This is because when the frequency is decreased, the time for the electrons in the electro-optic crystal to stay is secured, and the space charge effect is likely to occur. Therefore, when using a lithium niobate crystal to which magnesium is added, the frequency of the waveform of the voltage applied to the optical waveguide is preferably 1 kHz or more.

図4(b)において、印加する電圧の中間の電圧レベルがゼロでない場合(図中のプラス側の電圧レベルVmの場合)、図4(a)と同様に、電気光学結晶内で不均一な電荷分布が発生し、屈折率が不均一になり、出射光に歪みが生じる場合がある。これは、光導波路に電圧を印加することにより、電気光学結晶内に中間の電圧レベルに対応する電圧勾配が存在するため、電気光学結晶内に電子が不必要に滞留するためである。これにより、不均一な電荷分布が電気光学結晶内に形成され、屈折率が不均一になる。   In FIG. 4B, when the intermediate voltage level of the applied voltage is not zero (in the case of the voltage level Vm on the plus side in the drawing), as in FIG. Charge distribution occurs, the refractive index becomes nonuniform, and the emitted light may be distorted. This is because when a voltage is applied to the optical waveguide, a voltage gradient corresponding to an intermediate voltage level exists in the electro-optic crystal, and thus electrons are unnecessarily retained in the electro-optic crystal. Thereby, a non-uniform charge distribution is formed in the electro-optic crystal and the refractive index becomes non-uniform.

光導波路の材料にマグネシウムが添加されたニオブ酸リチウム結晶を用いる場合、印加する電圧の中間の電圧レベルがゼロでないとき、出射光の歪みが顕著となる。これは、マグネシウムの添加により、空間電荷効果が発生し易くなるからである。したがって、光偏向器の印加する電圧の波形は、図3(b)に示すように、中間の電圧レベルがゼロとなる波形が好ましい。   When using a lithium niobate crystal to which magnesium is added as the material of the optical waveguide, the distortion of the emitted light becomes significant when the voltage level in the middle of the applied voltage is not zero. This is because the addition of magnesium facilitates the generation of space charge effects. Therefore, the waveform of the voltage applied by the optical deflector is preferably a waveform in which the intermediate voltage level is zero, as shown in FIG.

(実施例)
光走査装置の実施例を用いて、本発明を説明する。本発明は、光走査装置以外でも、プリンタ、スキャナ、車載用レーザレーダ、波長可変レーザ、及び、メディカル用レーザ等において、入射光を電気光学効果を用いて偏向し、偏向した光束(入射光)を出射光として対象物に照射するものであれば、いずれのものにも用いることができる。
(Example)
The present invention will be described using an embodiment of an optical scanning device. The present invention is not limited to an optical scanning device, but in a printer, a scanner, an in-vehicle laser radar, a wavelength tunable laser, a medical laser, or the like, incident light is deflected by using an electro-optic effect, and the deflected light beam (incident light) Can be used for any object as long as it irradiates the object as emitted light.

実施例1の光走査装置を用いて、本発明を説明する。   The present invention will be described using the optical scanning device of the first embodiment.

(光走査装置の構成)
本実施例の光走査装置100の構成を図5に示す。
(Configuration of optical scanning device)
FIG. 5 shows the configuration of the optical scanning device 100 of this embodiment.

図5において、光走査装置100は、光偏向器110、制御回路121、光源駆動回路122、及び、光偏向器駆動回路123を含む。光走査装置100は、本実施例では、光源駆動回路122の制御により、光源111からの入射光を光導波路112に入射する。また、光走査装置100は、制御回路121等の制御により電極A(113a)等に印加する電圧を制御し、電気光学効果により光導波路112の屈折率を変化させる。このとき、光導波路112内を透過する光束(入射光)は、進行方向を偏向し、偏向後の光束を出射光として出射(以下、光走査という。)する。   In FIG. 5, the optical scanning device 100 includes an optical deflector 110, a control circuit 121, a light source driving circuit 122, and an optical deflector driving circuit 123. In this embodiment, the optical scanning device 100 makes incident light from the light source 111 enter the optical waveguide 112 under the control of the light source driving circuit 122. Further, the optical scanning device 100 controls the voltage applied to the electrode A (113a) or the like by the control of the control circuit 121 or the like, and changes the refractive index of the optical waveguide 112 by the electro-optic effect. At this time, the light beam (incident light) transmitted through the optical waveguide 112 deflects the traveling direction, and the deflected light beam is emitted as outgoing light (hereinafter referred to as optical scanning).

光偏向器110の構成は、光偏向器10(図1)と同様のため、説明を省略する。   Since the configuration of the optical deflector 110 is the same as that of the optical deflector 10 (FIG. 1), description thereof is omitted.

制御回路121は、光走査の動作を開始するための光走査信号に基づいて、光源111の点灯及び消灯のタイミングを制御するための信号(以下、点灯信号という。)を生成し、光源駆動回路122に出力する。また、制御回路121は、光走査信号に基づいて、電極A(113a)等に印加する電圧を制御するための信号(以下、印加電圧信号という。)を生成し、光偏向器駆動回路123に出力する。   The control circuit 121 generates a signal (hereinafter referred to as a lighting signal) for controlling the lighting and extinguishing timing of the light source 111 based on the optical scanning signal for starting the optical scanning operation, and the light source driving circuit. It outputs to 122. The control circuit 121 generates a signal for controlling the voltage applied to the electrode A (113a) or the like (hereinafter referred to as an applied voltage signal) based on the optical scanning signal, and supplies it to the optical deflector driving circuit 123. Output.

光源駆動回路122は、点灯信号に基づいて、光源111を点灯及び消灯するタイミングを制御する。光偏向器駆動回路123は、印加電圧信号に基づいて、電極A及び電極B(113a及び113b)に印加する電圧を制御する。   The light source driving circuit 122 controls the timing for turning on and off the light source 111 based on the lighting signal. The optical deflector drive circuit 123 controls the voltage applied to the electrode A and the electrode B (113a and 113b) based on the applied voltage signal.

(光走査する動作)
光走査装置が、光走査する動作を、図6を用いて、説明する。図6(a)は、光走査装置から出射される出射光の照射位置(以下、光走査位置という。)を示す。図6(b)は、光導波路に印加する電圧の波形及び光源の点滅の動作を示す。
(Optical scanning operation)
The operation of the optical scanning device for optical scanning will be described with reference to FIG. FIG. 6A shows an irradiation position (hereinafter referred to as an optical scanning position) of outgoing light emitted from the optical scanning device. FIG. 6B shows the waveform of the voltage applied to the optical waveguide and the blinking operation of the light source.

図6(a)において、光走査装置は、先ず、制御回路により、光走査信号に基づいて、光走査をする対象物に対応する印加電圧の所定の周波数を決定し、所定の周波数に関する印加電圧信号を光偏向器駆動回路に出力する。このとき、光偏向器駆動回路は、印加電圧信号に基づいて、電極A及び電極Bに電圧を印加する。また、光走査装置は、所定の周波数に関する点灯信号を光源駆動回路に出力する。このとき、光源駆動回路は、点灯信号に基づいて、出射光を任意の経過時間(図中の横軸)に任意の光走査位置(図中の縦軸)に照射するため、光源を点灯及び消灯する。   In FIG. 6A, the optical scanning device first determines a predetermined frequency of the applied voltage corresponding to the object to be scanned by the control circuit based on the optical scanning signal, and applies the applied voltage related to the predetermined frequency. The signal is output to the optical deflector drive circuit. At this time, the optical deflector drive circuit applies a voltage to the electrode A and the electrode B based on the applied voltage signal. Further, the optical scanning device outputs a lighting signal relating to a predetermined frequency to the light source driving circuit. At this time, based on the lighting signal, the light source driving circuit irradiates the light source with an arbitrary light scanning position (vertical axis in the figure) at an arbitrary elapsed time (horizontal axis in the figure). Turns off.

ここで、所定の周波数とは、空間電荷効果により、光導波路内に注入された電子の分布(電荷分布)が不均一とならない周波数の値とすることができる。また、所定の周波数の値を、数値計算又は実験等により定められる光走査する対象物に対応する値とすることができる。   Here, the predetermined frequency can be a frequency value at which the distribution (charge distribution) of electrons injected into the optical waveguide does not become non-uniform due to the space charge effect. Further, the value of the predetermined frequency can be set to a value corresponding to an object to be optically scanned, which is determined by numerical calculation or experiment.

次に、図6(a)の動作中に、光走査装置が光導波路に印加する電圧の波形及び光源を点灯及び消灯する動作を図6(b)に示す。ここで、図6(b)の横軸の経過時間tは、図6(a)の横軸の経過時間tに対応する。また、図6(b)の縦軸の印加電圧Vは光導波路(コア層)に印加する電圧である。   Next, FIG. 6B shows the waveform of the voltage applied to the optical waveguide by the optical scanning device and the operation of turning on and off the light source during the operation of FIG. Here, the elapsed time t on the horizontal axis in FIG. 6B corresponds to the elapsed time t on the horizontal axis in FIG. Further, the applied voltage V on the vertical axis in FIG. 6B is a voltage applied to the optical waveguide (core layer).

図6(b)において、光走査装置は、光走査位置を経過時間に対応して変化させる場合、先ず、光導波路に所定の周波数で電圧を印加する。次に、光走査装置は、経過時間に対応する光走査位置に出射光を照射するため、光偏向器の光源を点灯及び消灯する。具体的には、光走査装置は、光源駆動回路の制御により、経過時間t=0において、偏向しない出射光を照射するために、印加電圧が0Vのタイミングで光源を点灯する。次いで、光走査装置は、光走査位置X1(図6(a))に出射光を照射するために、印加電圧がV1(図6(b))のタイミングで光源を点灯する。以下、同様に、光走査位置に対応する印加電圧のときに、出射光を照射するため、光源を点灯する。   In FIG. 6B, when changing the optical scanning position corresponding to the elapsed time, the optical scanning device first applies a voltage at a predetermined frequency to the optical waveguide. Next, the optical scanning device turns on and off the light source of the optical deflector in order to irradiate the emitted light to the optical scanning position corresponding to the elapsed time. Specifically, the optical scanning device turns on the light source at the timing when the applied voltage is 0 V in order to irradiate the emitted light that is not deflected at the elapsed time t = 0 under the control of the light source driving circuit. Next, the optical scanning device turns on the light source at the timing when the applied voltage is V1 (FIG. 6B) in order to irradiate the emitted light to the optical scanning position X1 (FIG. 6A). Hereinafter, similarly, the light source is turned on in order to irradiate the emitted light at the applied voltage corresponding to the optical scanning position.

この場合、印加する電圧を所定の周波数で変化させることによって、電気光学結晶内の電圧勾配の方向が交互に変更されるため、電子が電気光学結晶内に不均一に分布することを防止し、空間電荷効果が発生することを抑制することができる。このため、電荷分布が不均一にならず、印加する電界が不均一にならないため、屈折率が一様となり、歪みがない出射光を出射することができる。また、印加する電圧の周波数を高くすることにより、出射光を点灯できるタイミングが増加し、スムーズな光走査を可能とする。   In this case, by changing the applied voltage at a predetermined frequency, the direction of the voltage gradient in the electro-optic crystal is alternately changed, so that electrons are prevented from being unevenly distributed in the electro-optic crystal, Generation of the space charge effect can be suppressed. For this reason, the charge distribution does not become non-uniform and the applied electric field does not become non-uniform, so that the refractive index becomes uniform and outgoing light without distortion can be emitted. In addition, by increasing the frequency of the applied voltage, the timing at which the emitted light can be turned on increases, and smooth optical scanning is possible.

なお、光走査装置は、常時、高速かつ一定の周波数で光走査する場合においては、光導波路に一定の周波数で電圧を印加し、光源を常時点灯させることで、光走査を行うことも可能である。ここで、一定の周波数とは、100kHz以上の三角波とすることができる。   In addition, when optical scanning is always performed at high speed and at a constant frequency, the optical scanning device can also perform optical scanning by applying a voltage at a constant frequency to the optical waveguide and turning on the light source at all times. is there. Here, the constant frequency can be a triangular wave of 100 kHz or more.

以上より、光導波路に所定の周波数以上で電圧を印加し、印加する電圧に対応して光源を点灯及び消灯することにより、歪みがない出射光を出射し、任意の光走査位置に出射光を照射する光走査を行うことが可能となる。   As described above, a voltage is applied to the optical waveguide at a predetermined frequency or more, and the light source is turned on and off according to the applied voltage, thereby emitting outgoing light with no distortion and outgoing light at an arbitrary optical scanning position. Irradiation light scanning can be performed.

10 : 光偏向器
11 : 制御手段
12 : 入射光手段(光源)
13 : 光導波路
13c: コア層(電気光学素子)
14 : 電極
15 : 基板
100 : 光走査装置
10: Optical deflector 11: Control means 12: Incident light means (light source)
13: Optical waveguide 13c: Core layer (electro-optic element)
14: Electrode 15: Substrate 100: Optical scanning device

特開平9−146128JP-A-9-146128

Claims (6)

入射光が透過する光導波路を有する光走査装置であって、
前記光導波路は、印加される電界に基づいて屈折率が変化する電気光学素子を含み、
前記電気光学素子に所定の周波数の電圧を印加することにより、該電気光学素子の屈折率を変化させ、
前記変化した屈折率に対応させて、前記入射光を点滅する、
ことを特徴とする光走査装置。
An optical scanning device having an optical waveguide through which incident light is transmitted,
The optical waveguide includes an electro-optic element whose refractive index changes based on an applied electric field,
By applying a voltage of a predetermined frequency to the electro-optic element, the refractive index of the electro-optic element is changed,
Flashing the incident light in response to the changed refractive index;
An optical scanning device.
前記入射光を発する光源を有し、
前記光源は前記入射光を点滅することを特徴とする請求項1に記載の光走査装置。
A light source that emits the incident light;
The optical scanning device according to claim 1, wherein the light source blinks the incident light.
前記光導波路を透過する前記入射光が所望の光走査位置に照射するときの前記屈折率に変化したタイミングで、前記光源は前記入射光を点滅することを特徴とする請求項2に記載の光走査装置。   The light according to claim 2, wherein the light source blinks the incident light at a timing when the incident light transmitted through the optical waveguide changes to the refractive index when irradiating a desired optical scanning position. Scanning device. 前記光導波路に対向する一対の電極を有し、
前記電気光学素子は、前記一対の電極に対応する位置に配置され、
前記一対の電極に、前記所定の周波数の電圧を印加することにより、前記屈折率を変化させる、
ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の光走査装置。
Having a pair of electrodes facing the optical waveguide;
The electro-optic element is disposed at a position corresponding to the pair of electrodes,
The refractive index is changed by applying a voltage of the predetermined frequency to the pair of electrodes.
The optical scanning device according to claim 1, wherein the optical scanning device is an optical scanning device.
前記電圧は、該電圧の中間の電圧レベルがゼロであることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の光走査装置。   5. The optical scanning device according to claim 1, wherein an intermediate voltage level of the voltage is zero. 6. 前記所定の周波数は、1kHz以上であることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項に記載の光走査装置。   6. The optical scanning device according to claim 1, wherein the predetermined frequency is 1 kHz or more.
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