JP2012532434A - 透明導電性酸化物(tco)および虹色防止アンダーコートから構成されるoled基板 - Google Patents
透明導電性酸化物(tco)および虹色防止アンダーコートから構成されるoled基板 Download PDFInfo
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Abstract
Description
11sLpmの窒素担体ガス中に1.2モル%のZnMe2−MeTHFを混入した気体混合物を、160℃において1次供給管内に供給した。ドーパントはステンレス鋼のバブラーから1次供給管内に導入し、バブラーは66℃のAlMe2acacドーパントを含んでいた。Al前駆物質は、70℃に予熱した流量310sccmの窒素によってピックアップした。酸化剤は、2つのステンレス鋼のバブラーから2次供給管内に導入した。第1および第2バブラーは、H2Oおよび2−プロパノールをそれぞれ60℃および65℃で含んでいた。H2Oは、65℃に予熱した流量400sccmの窒素によってピックアップし、2−プロパノールは、70℃に予熱した流量600sccmの窒素によってピックアップした。2次供給物質は、混合チャンバ内部の1次流れと同時供給した。混合チャンバは1.25インチ長さであり、1次および2次供給流れの間の250msecの混合時間に相当する。使用した堆積用基板は厚さ0.7mmのホウケイ酸塩ガラスである。基板は、抵抗加熱されたニッケルブロックのセットの上で550℃に加熱した。これらの膜に対する堆積時間は静的モードにおいて55秒であり、得られたZnO膜の厚さは、13.2nm/sの堆積速度において725nmであった。膜のシート抵抗は自動化4点プローブ走査ステーションを用いて測定した。表1に提示される平均シート抵抗データは、6×6インチウエハ上に測定された14×14データマトリックスを横切る平均シート抵抗である。透過率および反射スペクトルはLambda950分光測光器を用いて測定した。すべてのスペクトルにおいて、計器のゼロ設定を大気空気で行った。
55(Ryk6−1)、65(Ryk6−3)および75(Ryk6−2)nmの厚さのアンダーコートを備えたガラス/Al2O3/AZO膜に対する透過率曲線が図6に示されている。AZO膜の厚さは175nmであった(表2)。アンダーコートを用いることによってコーティングの虹色カラーは大幅に低下する。アンダーコートを有しないAZOサンプルに対する可視反射率における変動は79.5〜88%である。この変動は、可視透過率における谷底からピークまでの9.6%の差を表す。ガラス/Al2O3/AZO構造に対する可視反射率の変動は2.3%に低減される。透過率曲線のこの平坦化は、反射率の劇的な低下によるものである(図6)。
ホウケイ酸塩ガラス基板の上にAl2O3層(厚さ65nm)を堆積させ、ガラス/Al2O3アンダーコートの頂部に厚さ165nmのAZO膜を堆積させた。OLEDデバイスを、表3に示すすべてのサンプルに対して同様の条件の下で、ガラス/AZO/HILおよびガラス/Al2O3/AZO/HIL積層体の頂部に作製した。外部量子効率(external quantum efficiency:EQE)を、アンダーコートを備えた基板およびアンダーコートを備えない基板について計算した(表3)。デバイスは、有機正孔注入層(hole injection layer:HIL)をAZO膜の頂部に堆積させて製作した。表3においては、9.1〜11.6%のOLED効率の増大が示されている。
Claims (21)
- 発光デバイスの形成方法であって、
第1屈折率を有する基板を用意するステップと、
透明電極を有機層に結合するステップであり、前記透明電極は、前記第1屈折率とは異なる第2屈折率を有するステップと、
前記第1屈折率を前記第2屈折率に実質的に整合させるために、第3の屈折率を有するアンダーコート層を選択するステップと、
前記基板および前記透明電極の間に前記アンダーコート層を設けるステップと、
を含む方法。 - 前記有機層が前記透明電極を通して光を放出し、さらに、
前記アンダーコートを選択するステップが、前記透明電極および前記基板の間の界面における前記放出される光の反射を最小化することを含む、
請求項1に記載の方法。 - 前記アンダーコートを選択するステップが、前記透明電極から前記基板に透過する光の量を増大することを含む、請求項2に記載の方法。
- 前記アンダーコートを選択するステップが、前記透明電極の抵抗率を低減することを含む、請求項2に記載の方法。
- アンダーコート層を選択する前記ステップが、前記第3屈折率を生成するために、いくつかの副層を選択することを含み、
前記基板および前記透明電極の間に設けられる前記アンダーコート層が前記いくつかの選択された副層を含む、
請求項1に記載の方法。 - 前記アンダーコート層を選択するステップが、前記透明電極の虹色を低減するように前記アンダーコート層を選択することを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記アンダーコート層を選択するステップが、前記基板から前記透明電極へのナトリウムイオンの移動を低減するように前記アンダーコート層を選択することを含む、請求項1に記載の方法。
- 第1屈折率を有する基板と、
有機層に結合されると共に、前記有機層および前記基板の間に配備される透明電極であり、前記第1屈折率とは異なる第2屈折率を有する透明電極と、
前記基板および前記透明電極の間に配備されるアンダーコート層であり、第3の屈折率を有するアンダーコート層と、
を含む発光デバイスであって、
前記アンダーコート層は、前記第1屈折率を前記第2屈折率に実質的に整合させるように、前記第3屈折率をもって形成される、
発光デバイス。 - 前記アンダーコート層が、前記第3屈折率を形成するように選択された1つ以上の副層を含む、請求項8に記載の発光デバイス。
- 前記1つ以上の副層が同一材料を用いて形成される、請求項9に記載の発光デバイス。
- 前記アンダーコート層の材料が、酸化ケイ素、酸化スズ、酸化チタン、酸化アルミニウムまたは酸化亜鉛の少なくとも一つを含む、請求項8に記載の発光デバイス。
- 前記基板が透明な材料から形成される、請求項8に記載の発光デバイス。
- 前記基板の材料がソーダ石灰ガラスまたはホウケイ酸塩ガラスを含む、請求項12に記載の発光デバイス。
- 前記透明電極の材料が、ドープ酸化亜鉛、インジウムスズ酸化物(ITO)、インジウム亜鉛酸化物(IZO)、Fドープ酸化スズ、またはニオブドープ二酸化チタンを含む、請求項8に記載の発光デバイス。
- 前記有機層の上に配備される金属電極をさらに含む、請求項8に記載の発光デバイス。
- 有機発光ダイオード(OLED)を含む、請求項8に記載の発光デバイス。
- 発光デバイスの製造方法であって、
基板の上にアンダーコート層を第1の化学蒸着(CVD)法によって形成するステップと、
前記アンダーコート層の上に透明電極を第2の化学蒸着(CVD)法によって形成するステップと、
前記透明電極の上に有機層を形成するステップと、
を含み、さらに、
前記基板は第1屈折率を有し、前記透明電極は、前記第1屈折率とは異なる第2屈折率を有し、かつ、
前記アンダーコート層は、前記第1屈折率を前記第2屈折率に実質的に整合させるような第3屈折率を有するように形成される、
方法。 - 前記アンダーコート層を形成するステップが、前記第3屈折率を形成するために、1つ以上の副層を化学蒸着(CVD)法によって形成することを含む、請求項17に記載の方法。
- 前記化学蒸着(CVD)法が300℃〜650℃の温度で実施される、請求項17に記載の方法。
- 前記化学蒸着(CVD)法が大気圧において実施される、請求項17に記載の方法。
- 前記有機層の上に金属電極を形成するステップをさらに含む、請求項17に記載の方法。
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