JP2012518812A - 酸感応性、現像剤可溶性の下層反射防止膜 - Google Patents

Abstract

酸感応性、現像剤可溶性の下層反射防止膜組成物、その組成物の使用方法、および組成物から形成されるマイクロエレクトロニクス構造を提供する。組成物は好ましくは、溶剤系に溶解または分散された架橋可能なポリマーを含む。ポリマーは好ましくはアダマンチル基を有する繰り返しモノマー単位を含む。また組成物は、好ましくは、ポリマーと共に溶剤系中に分散または溶解しているビニルエーテル架橋剤のような架橋剤を含む。いくつかの実施態様では、組成物は光酸発生剤（ＰＡＧ）および／または消光剤を含むこともある。下層反射防止膜組成物は、熱的に架橋可能であるが、酸の存在下では脱架橋し、現像剤可溶性にさせることができる。
【選択図】なし

Description

（関連出願）
本願は２００９年２月１９日提出の、第６１／１５３，９０９号「ＡＮＴＩ−ＲＥＦＬＥＣＴＩＶＥ ＣＯＡＴＩＮＧＳ ＷＩＴＨ ＡＣＩＤ−ＣＬＥＡＶＡＢＬＥ，ＡＤＡＭＡＮＴＩＬ ＭＯＮＯＭＥＲ ＩＮ ＢＩＮＤＥＲ ＰＯＬＹＭＥＲ（結合剤ポリマー中に、酸開裂性、アダマンチルモノマーを含有する、反射防止膜）」の優先権の利益を主張するものであり、当該出願を引用として本明細書に含める。

（発明の分野）
本発明は、ポリマー中にアダマンチルモノマーを用いて形成され、優れた反射制御および良好なフォトレジスト適合性を有する、新規の湿式現像可能な下層反射防止膜に関する。

集積回路（ＩＣ）業界が、形状寸法を微細化し情報格納容量を増大化する動きを継続するにつれて、１９３−ｎｍリソグラフィーに必要とされる限界寸法（ＣＤ）制御を提供するために、優れた反射防止技術が求められてくる。下層反射防止膜は、臨界的適用にも注入などの非臨界的適用にさえも選択される反射防止材料であろう。４５−、３２−、および２２−ｎｍノードの注入層にとっては、上部反射防止膜を有する染色レジストを使用することは十分ではない。４５−ｎｍノードのための注入に所望されるＣＤは約１５０ｎｍであり、３２−および２２−ｎｍノードのための注入に所望されるＣＤは約１３０ｎｍである。

現在多くの適用で用いられている下層反射防止膜はプラズマ現像される（乾式）が、あまり用いられていない現像剤可溶性（湿式）の下層反射防止膜は、乾式現像では必要となる反応性イオンエッチング（ＲｌＥ）工程を省略し、積層中のプラズマ感応性層に対する潜在的なダメージを軽減する、などの一定の利点を提供する。露光したレジストと、現像剤可溶性の下層反射防止膜が、同じ工程でフォトレジスト現像剤（例えば、水性テトラメチルアンモニウム水酸化物（ＴＭＡＨ））を用いて除去される。これら現像剤可溶性反射防止膜は、下層反射防止膜の現像工程中に、露光していないレジストの除去を最小化することによって、エッチング域を増大させる。しかし、現像剤可溶性下層反射防止膜は、乾式下層反射防止膜によって達成可能な解像度を常に提供するとは限らず、通常は、解像度がそれほど厳しく求められない注入層のような非臨界的適用を目的とする。

感光性、ポジ型の現像剤可溶性下層反射防止膜を作製するために、多くの様々な化学的プラットフォームが既に論じられている。これらの下層反射防止膜は、通常、熱硬化性であって、（ａ）ポリマー結合剤を用いた、染料−充填、下層反射防止膜、（ｂ）ポリマー結合した発色団を持つ、酸分解性、ハイパーブランチポリマーを用いて形成された膜、または（ｃ）染料−結合、線形ポリマーを用いて形成された膜、を含有する。上述の３種類のアプローチでは、ポリマー膜は、ホットプレート焼成工程中に、溶剤不溶性になる（架橋される）。適切な光源に露光し、その後露光後焼成（ＰＥＢ）を行うと、これらは分解して現像剤−または水―可溶性物質になる。それにもかかわらず、臨界的なマイクロリソグラフィーの適用に必要な改善された解像度と処理許容度とを有する下層反射防止膜プラットフォームに対する必要性は今なお存在する。

本発明は、広くマイクロエレクトロニクス構造の形成方法に関する。本発明の方法は、表面を有する基板を準備する工程と、基板表面の上に反射防止層を形成する工程と、反射防止層にフォトレジストを塗布し、画像形成層を形成する工程とを含む。反射防止層は、溶剤系中に溶解または分散された架橋可能なポリマーを含有する反射防止組成物から形成される。該ポリマーはアダマンチル基を有する繰り返しモノマー単位を含む。

また本発明は、表面を有する基板と、前記基板表面に隣接する硬化した反射防止層と、該反射防止層に隣接するフォトレジスト層と、を含むマイクロエレクトロニクス構造に関する。反射防止層は、溶剤系中に溶解または分散された架橋可能なポリマーを含有する反射防止膜組成物から形成される。該ポリマーはアダマンチル基を有する繰り返しモノマー単位を含む。

また、溶剤系中に溶解または分散された架橋可能なポリマーと架橋剤とを含む、反射防止膜組成物を提供する。ポリマーは、アダマンチル基を持つ繰り返しモノマー単位と、酸基を持つ繰り返しモノマー単位とを含む。

図１は、本発明の組成物およびプロセスによって形成された構造を示す概略図（スケール表記なし）である。 図２の（ａ）は、実施例の項の、実施例２、５、８、１４、および１６のために作製された、フォトレジスト無しで露光し、１１０℃のＰＥＢを用いた、様々な下層反射防止膜の対比曲線のグラフである。図２の（ｂ）は、実施例の項の、実施例２、５、８、１４、および１６のために作製された、フォトレジスト無しで露光し、１２０℃のＰＥＢを用いた、様々な下層反射防止膜の対比曲線のグラフである。図２の（ｃ）は、実施例の項の、実施例２、５、８、１４、および１６のために作製された、フォトレジストで覆って露光し、１１０℃のＰＥＢを用いた、様々な下層反射防止膜の対比曲線のグラフである。 図３は、表示された露光時間で、各種の下層反射防止膜を用いて、実施例２、５、８、および１４において実施された１９３−ｎｍリソグラフィーの走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）断面写真である。 図４は、実施例３において実施された１９３−ｎｍリソグラフィーのＳＥＭ断面写真であり（ａ）は各露光時間において３８ｎｍの下層反射防止膜を用いたものであり、（ｂ）は各露光時間において５４〜５５ｎｍの下層反射防止膜を用いたものである。 図５は、各露光時間で、実施例６で作製した下層反射防止膜を用いて実施された１９３−ｎｍリソグラフィーのＳＥＭ断面写真である。 図６は、各露光時間で、実施例１０で作製した下層反射防止膜を用いて実施された１９３−ｎｍリソグラフィーのＳＥＭ断面写真である。 図７は、各露光時間で、実施例１７で作製した下層反射防止膜を用いて実施された１９３−ｎｍリソグラフィーのＳＥＭ断面写真である。 図８の（ａ）は、各露光時間で、実施例１８で作製した下層反射防止膜を用いて実施した１９３−ｎｍリソグラフィーの、密集（ｄｅｎｓｅ）または孤立（ｉｓｏｌａｔｅｄ）ラインのＳＥＭ断面の写真である。図８の（ｂ）は、図８の（ａ）の密集および孤立ラインの最も良好なＳＥＭ断面の拡大図である。 図９の（ａ）は、各露光時間で、実施例２０で作製した下層反射防止膜を用いて実施した１９３−ｎｍリソグラフィーの、密集または孤立ラインの、ＳＥＭ断面写真である。図９の（ｂ）は、図９の（ａ）の密集および孤立ラインの最良のＳＥＭ断面拡大図である。 図１０は、、各露光時間で、実施例２１で作製した下層反射防止膜および市販されている２種のフォトレジスト（ａ）ＴａｒＦ−Ｐｉ６−００１（ＴＯＫ社製）および（ｂ）ＳＡＩＬ−Ｘ−１８１（Ｓｈｉｎ−Ｅｔｓｕ社製）を用いて実施した１９３−ｎｍリソグラフィーのＳＥＭ断面写真である。 図１１は実施例２２で作製した下層反射防止膜の、時間経過による昇華物を、２種の市販の１９３−ｎｍ乾式下層反射防止膜と比較したグラフである。 図１２は、各反射防止膜について、実施例２２において回収した総昇華物の棒グラフである。 図１３は、各露光線量において、実施例２３の本発明の下層反射防止膜の、シリコンウエハ上の現像後残滓と、市販の湿式現像可能な反射防止膜の残滓とを比較した２種類のグラフである。 図１４は、実施例２４の、本発明の下層反射防止膜の窒化ケイ素上の、現像後の残滓を市販の湿式現像可能な反射防止膜の残滓と比較したグラフである。 図１５の（ａ）は、解像度が１１０ｎｍ〜１６０ｎｍで、ＰＥＢ温度が１０６℃の、実施例２５の１９３−ｎｍリソグラフィーの、密集、半密集および孤立ラインの、ＳＥＭ断面写真である。図１５の（ｂ）は、異なるＰＥＢ温度を用いた、実施例２５で実施した１９３ｎｍリソグラフィーのＳＥＭ断面写真である。 図１６は、本発明の反射防止膜組成物を用いて、異なるＰＥＢ温度を用いた、実施例２６で実施した１９３ｎｍリソグラフィーのＳＥＭ断面写真である。

本発明は新規な下層反射防止膜組成物、これらの組成物の使用方法、およびこれらの組成物から形成される構造に関する。組成物は、硬化すると、好ましくは、有機溶剤およびフォトレジスト現像剤の双方において、不溶性であるが、酸の存在下では、脱架橋可能であり、現像剤を用いて除去できる。いくつかの態様では、硬化した（すなわち、架橋した）反射防止膜組成物は、放射線に露光し、その後ＰＥＢを行うことによって、脱架橋する。すなわち、組成物は感光性である。別の態様では、組成物は、本質的には感光性ではないが、露光中、別の層（例えば、フォトレジスト）からの酸拡散に依存して、硬化した組成物を脱架橋させる。いずれの場合でも、これにより、反射防止膜に、溶解速度の異なる、露光された部分と露光されない部分ができ、それによって露光されていない部分を除去することなく、露光された部分を除去することが可能になる。従って、これら両態様においては、本発明の下層反射防止膜組成物は、湿式現像可能である。本明細書中で用いられる、「現像剤可溶性」または「湿式現像可能」という用語は、組成物が、脱架橋すると、塩基性現像剤中または水中で、可溶化されうるための、本書中に記載されるような従来の水性現像剤または水によって、実質的に、除去されうるという意味である。

組成物は、溶剤系中に溶解または分散された、架橋可能なポリマー（ポリマー結合剤）を含有することが好ましく、熱的に架橋可能なポリマーを含有することがより好ましい。また、組成物は溶剤系中にポリマーと共に分散または溶解した架橋剤（架橋用薬剤と称することもある）を含有することが好ましい。いくつかの実施態様では、組成物は、また、光酸発生剤（ＰＡＧ）および／または消光剤を含有することもある。

ポリマーは、好ましくは、アダマンチル基を有する繰り返しモノマー単位を含む。アダマンチル基はポリマーの主鎖の一部であってもよく、または側鎖のアダマンチル基であってもよい。１つの実施態様では、アダマンチル基は、好ましくは、連結基（例えば、エステル、またはエーテルなど）を介してポリマー主鎖に結合する。アダマンチル基は、好ましくは、酸に不安定（開裂性）である。本明細書中、「酸に不安定な」または「酸開裂性」アダマンチルとは、ポリマーへの連結基上の酸素に結合した炭素（α−炭素）のところに、置換基（例えば、メチル、エチル、イソプロピル、またはシアノメチル）を持つアダマンチル基を意味する。アダマンチル基を持つ繰り返しモノマー単位は、好ましくは、熱的架橋中は、ポリマーの架橋に関与しない。また、アダマンチル基は、それ自体、酸基を含まない（例えば、−ＯＨ基がない）ことが好ましい。ポリマーの形成に用いるのに特に好ましいアダマンチルモノマーとしては、アダマンチルアクリレートおよびメタクリレートが含まれ、ここで、アダマンチルメタクリレートが特に好ましく、２−イソプロピル−２−アダマンチルメタクリレート（ＩＰＭ）、２−エチル−２−アダマンチルメタクリレート（ＥＭ）、（２−アダマンチロキシ）メチルメタクリレート（ＡＭ）、２−（シアノメチル）−２−アダマンチルメタクリレート（ＣＡＭ）、および２−［（２−メチル−アダマンチル）−オキシ］−カルボニルメチルメタクリレート（ＭＡＣＭ）から成る群から選択される。アダマンチルモノマーは、ポリマーの総重量を１００重量％とするときに、好ましくは約１０重量％以上、より好ましくは約１０重量％〜約６０重量％、更により好ましくは約１５重量％〜約５５重量％のレベルでポリマー中に存在する。

また、好ましいポリマーは、酸官能基を有する繰り返しモノマー単位を含む（すなわち、側鎖に酸性官能性を持つ）ことがある。好ましい酸基は、ヒドロキシル基（−ＯＨ）、カルボキシル基（−ＣＯＯＨ）、フェノール樹脂（−Ａｒ−ＯＨ）、フルオロアルコール（−Ｃ（ＣＦ_３）_２ＯＨ）、およびそれらの混合物から成る群から選択される。上述したように、側鎖アダマンチル基は、好ましくは、酸含有ではない。同様に、本発明では、酸性官能性を有する繰り返しモノマー単位は、好ましくは、非アダマンチルを主体とするモノマーである（すなわち、アダマンチルを含まない）。好ましくは酸基は、ポリマーの総重量を１００重量％とするときに、約３重量％以上、好ましくは約４重量％〜約３０重量％、さらにより好ましくは約５重量％〜約２５重量％のレベルでポリマー中に存在する。先行技術の組成物と異なり、架橋部位（または架橋部分）として機能する酸基は、保護基によって保護されていないことが好ましい。すなわち、酸基の約９５％以上、好ましくは約９８％以上、好ましくは約１００％が保護基を含まない。保護基とは、酸基が反応するのを防ぐ基である。

このように、特に好ましいポリマーは、次の繰り返しモノマー単位を含む。

式中、各Ｒｌは、−Ｈ、分岐および非分岐アルキル（好ましくはＣ_１〜Ｃ_６アルキル、より好ましくはＣ_１〜Ｃ_４アルキル）、および環状基（複素環を含む；好ましくは３〜１２環員、より好ましくは４〜８環員）から成る群から選択される。各Ｒ２は、−ＯＨ、−Ｌ−ＯＨ、−ＣＯＯＨ、−Ｌ−ＣＯＯＨ、および−Ｌ−Ｃ（ＣＦ_３）_２ＯＨ、から成る群から独立に選択され、ここで、Ｌは任意の適切な連結基（例えば、分岐および非分岐アルキル（Ｃ_１〜Ｃ_１００、好ましくはＣ_１〜Ｃ_２０、更に好ましくはＣ_１〜Ｃ_６）、芳香族（−Ａｒ）、またはアミド）でありうる。各Ｒ３は、以下から成る群から独立に選択される。

式中、各Ｒ４は、分岐および非分岐アルキル（Ｃ_１〜Ｃ_４アルキル、好ましくはＣ_１〜Ｃ_３アルキル）、およびシアノアルキル、から成る群から独立に選択される。ポリマー中のｘ、ｙのパーセントモル比は、好ましくは約９０：１０〜約３０：７０、より好ましくは約８５：１５〜約６０：４０である。

あるいは、側鎖アダマンチル基を有する繰り返しモノマー単位の代わりに、またはそれに追加して、酸に不安定なアダマンチル基を上述の方法でポリマーの主鎖に組み込んでもよい。当業者であれば、別の重合技術を用いて、例えば次のようなポリマーに１つの基を含むこともできるであろう。

式中、各Ｒ４は、上記で定義したものと同じであるが、Ｒ４基の１つは、−Ｈであってもよい。各Ｒ５基は重合可能な官能基を含む。また、異なるレベルの、酸に不安定な、感応度を示す、異なるモノマーを選択することもできる。

染料（例えば、光減衰部分、または化合物または発色団）を、組成物中に含むこともできる。染料は、例えば、ポリマーを用いて、染料を、溶剤系中に溶解または分散させることなどによって、簡単に反射防止組成物の中に物理的に混合することができる。染料を組成物中に物理的に混合するときは、適切な染料としては、低分子の、およびオリゴマーまたはポリマーの発色団（例えば、分岐ポリ（４−ヒドロキシスチレン）、ポリ（ビニル安息香酸）；３，７−ジヒドロキシ２−ナフトエ酸；３，７−ジヒドロキシ２−ナフトエ酸−結合トリス（２、３−エポキシプロピル）イソシアネート（ＴＥＰＩＣ）；スチレン−無水マレイン酸共重合体、９−アントラセンカルボン酸：ヒドロキシ−安息香酸−結合ＴＥＰＩＣ；シアノ安息香酸−結合ＴＥＰＩＣ：およびそれらの混合物、のような、ポリ（ヒドロキシスチレン））が含まれる。

より好ましくは、染料は、ポリマーの官能基に結合している、または更により好ましくは、ポリマーの主鎖に直接（すなわち、それ自体のモノマー繰り返し単位から）結合している。また、染料はポリマー主鎖に組み込むことができる（すなわち、上述の方法でモノマー単位の一部として、またはそれ自体追加のモノマー単位として）。反射防止膜組成物に用いるのに適切な染料は、好ましくは、スチレン、フェニル、ナフタレン、アントラセン、それらの誘導体およびそれらの組合せ、から成る群から選択される。染料が結合される実施態様に関しては、染料は、好ましくは、ポリマーの総重量を１００重量％とするときに、約１５重量％以上、好ましくは約１８重量％〜約６５重量％、更により好ましくは約２０重量％〜約５５重量％のレベルでポリマー中に存在する。

更に詳細には、ポリマーは好ましくは、アダマンチルアクリレートおよびアダマンチルメタクリレートから成る群から選択される第１の化合物と、スチレン、アクリル、メタクリル、ビニル、ビニルエーテル、それらの誘導体、およびそれらの組合せ、から成る群から選択される、少なくとも１つの、第２の化合物との重合から形成される。

ポリマー中に組み込むことができる追加のモノマーとしては、架橋部位に加えて、側鎖多環式芳香族官能基、または任意の潜在的に酸の架橋基、または、その他の基、例えば、ポリマーの極性または疎水性を変換することができ、反射防止膜の架橋密度、疎水性、または極性を修正するのに用いることができ、それによって、膜を更に脱架橋が困難にすることができ、かつ／または、より疎水性になり、そして膜の露光していない領域は、現像剤の影響をより受けなくすることを可能にするような基が含まれる。適切なモノマーは、２−ナフトエ酸−３−メタクリレート（ＮＡＭＡ）、モノ−２−（メタクリロイロキシ）エチルサクシネート、フッ化アルコールメタクリレート、およびｔ−Ｂｏｃ−オキシスチレン（ｔＢＳＭ）、から成る群から選択される。存在するときは、これらのモノマーは、好ましくは、ポリマーの総重量を１００重量％とするときに、約０．５重量％〜約５０重量％、より好ましくは約２重量％〜約２２重量％、更により好ましくは約３重量％〜約２０重量％、そして最も好ましくは約４重量％〜約１５重量％のレベルでポリマー中に存在する。

更なる実施態様において、本発明に用いる特に好ましいポリマーは、本質的に、アダマンチル基を持つ繰り返し第１のモノマー単位と、酸基を持つ繰り返し第２のモノマー単位と、染料を持つ繰り返し第３のモノマー単位とから成る。

実施態様にかかわらず、ポリマーは、反射防止組成物の総重量を１００重量％とするときに、約１０重量％以下、好ましくは約０．６重量％〜約３．６重量％、より好ましくは約０．７重量％〜約３．２重量％、そして更により好ましくは約０．８重量％〜約３重量％のレベルで、反射防止組成物中に存在する。また、好ましくは、ポリマーの重量平均分子量（Ｍ_Ｗ）は、約１００，０００ｇ／ｍｏｌ以下、より好ましくは約２，５００ｇ／ｍｏｌ〜約７０，０００ｇ／ｍｏｌ、そして更により好ましくは約４，０００ｇ／ｍｏｌ〜約６０，０００ｇ／ｍｏｌである。

上述したように、組成物は、また、好ましくは、架橋剤を含有する。好ましい架橋剤はビニルエーテル架橋剤である。架橋剤が多官能性（２−、３−、および４−官能性）であることが特に好ましい。市販のビニルエーテルの例としては、商品名ＶＥＣＴｏｍｅｒ^（ＴＭ）（Ａｌｄｒｉｃｈ社、Ｓｔ．Ｌｏｕｉｓ、ＭＯ州）として販売されているものが含まれる。適切なビニルエーテル架橋剤は、本明細書の記載に従って作製することができる。架橋剤は、好ましくは、組成物の総重量を１００重量％とするときに、約０．１５重量％〜約１．０８重量％、好ましくは約０．２重量％〜約０．９重量％、そして更により好ましくは約０．２２重量％〜約０．８重量％のレベルで組成物中に存在する。

より好ましくは、ビニルエーテル架橋剤は、存在する場合は、次の一般式を持つ。
Ｒ^１−（Ｘ−Ｏ−ＣＨ＝ＣＨ_２）_ｎ、
式中、Ｒ^１は、アリール（好ましくはＣ_６〜Ｃ_１４）およびアルキル（好ましくはＣ_１〜Ｃ_１８、およびより好ましくはＣ_１〜Ｃ_１０）から成る群から選択される。各Ｘは、アルキル（好ましくはＣ_１〜Ｃ_１８、より好ましくはＣ_１〜Ｃ_１０）、アルコキシ（好ましくはＣ_１〜Ｃ_１８、より好ましくはＣ_１〜Ｃ_１０）、カルボニル、およびそれらの２種またはそれ以上の組合せから成る群から独立に選択される。ｎは２以上であり、好ましくは２〜６である。最も好ましいビニルエーテルは、エチレングリコールビニルエーテル、トリメチロールプロパントリビニルエーテル、１，４−シクロヘキサンジメタノールジビニルエーテル、およびそれらの混合物から成る群から選択されるものを含む。他の好ましいビニルエーテルは、以下から成る群から選択される一般式を持つ。

反射防止組成物に用いられるのに好ましいＰＡＧは：オニウム塩（例えば、ＴＰＳノナフレート、ＴＰＳトリフレート、ＴＰＳトシレートのような、トリフェニルスルフォニウムペルフルオロスルフォネート、およびそれらの置換基、トリス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）スルフォニウムペルフルオロ−１−ブタンスルフォネート（アルキル−置換ＦＰＳモノフレート）のような、それらの置換された形態（すべて、Ｓｉｇｍａ−Ａｌｄｒｉｃｈ社から市販されているもの））；オキシム−スルフォネート（例えば、商品名ＣＧｌ^（Ｒ）としてＣＩＢＡ社から市販されているもの）；トリアジン（例えば、ＴＡＺ１０８^（Ｒ）としてＭｉｄｏｒｉ Ｋａｇａｋｕ Ｃｏｍｐａｎｙ社から市販されているもの）；サクシニミジル主体のスルフォネート（Ｍｉｄｏｒｉ Ｋａｇａｋｕ Ｃｏｍｐａｎｙ社）；ナフタリミジル主体のスルフォネート（Ｍｉｄｏｒｉ Ｋｄｇａｋｕ Ｃｏｍｐａｎｙ社）；ヨードニウム塩、およびそれらの組合せ、から成る群から選択される。存在する時は、ＰＡＧは、組成物の総重量を１００重量％とするときに、約０．００５重量％〜約０．０８重量％、好ましくは約０．００８重量％〜約０．０７重量％、より好ましくは約０．０１重量％〜約０．０６重量％のレベルで組成物に存在するものとする。

いくつかの実施態様において、反射防止組成物は、好ましくは、実質的に酸発生剤（ＰＡＧまたは熱的酸発生剤（ＴＡＧ））を含まず、従って、非感光性である。すなわち、膜組成物は、好ましくは約０．０１重量％未満の酸発生剤、より好ましくは約０．００５重量％未満の酸発生剤、より好ましくは約０重量％の酸発生剤を含む。そのような実施態様において、上述したように、反射防止膜は、積層中の他の層からの酸拡散に依存して、脱架橋反応を開始し、組成物を現像剤可溶性にさせる。

組成物に用いるのに好ましい消光剤は、好ましくは、主鎖または側鎖部分の一部として塩基官能性を有する、アミンまたはポリマーのような低分子である。適切な消光剤は、１−Ｂｏｃ−４−ヒドロキシピペリジン、トリエタノールアミン、トリエチルアミン、トリメタノールアミン、トリメチルアミン、トリイソプロパノールアミン、トリイソプロピルアミン、トリ−ｔ−ブタノールアミン、トリ−ｔ−ブチルアミン、トリ−ｎ−ブタノールアミン、トリ−ｎ−ブチルアミン、ジエタノールアミン、ジエチルアミン、ジメタノールアミン、ジメチルアミン、ジイソプロパノールアミン、ジイソプロピルアミン、ジ−ｔ−ブタノールアミン、ジ−ｔ−ブチルアミン、ジ−ｎ−ブタノールアミン、ジ−ｎ−ブチルアミン、エタノールアミン、エチルアミン、メタノールアミン、メチルアミン、イソプロパノールアミン、イソプロピルアミン、ｔ−ブタノールアミン、ｔ−ブチルアミン、ｎ−ブタノールアミン、およびｎ−ブチルアミン、ｔ−Ｂｏｃ−オキシスチレン／４−ビニルピリジン共重合体、および４−ビニルピリジンをモノマーとして用いる任意のポリマー、およびそれらの組合せ、から成る群から選択されるものを含む。

反射防止膜組成物が存在する場合は、組成物の総重量を１００重量％とするときに、好ましくは約０．０５重量％未満の消光剤、より好ましくは約０．０００２重量％〜約０．０２重量％の消光剤、より好ましくは約０．０００２５重量％〜約０．０１８重量％、更により好ましくは約０．０００３重量％〜約０．０１７重量％、を含有することになる。また、反射防止膜組成物は、実質的に消光剤を含まないこともある。それらの実施態様において、組成物は、好ましくは、約０．０００１重量％未満の消光剤、より好ましくは、約０．００００５重量％未満の消光剤、更により好ましくは約０重量％の消光剤を含有する。

組成物中に随意的に含有しうる他の成分としては、界面活性剤、接着促進剤、抗酸化剤、光開始剤、拡散促進剤、溶解阻害剤、およびそれらの組合せが含まれる。

実施態様にかかわらず、反射防止膜組成物は、好ましくは周囲条件で、実質的に均質な溶液を形成するように十分な時間をかけて、ポリマーを適切な溶剤系中に分散または溶解することによって簡単に形成される。ポリマーと一緒に、任意の付加的な成分を溶剤系中に分散することも好ましい。

好ましい溶剤系としては、エチルラクテート（ＥＬ）、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、プロピレングリコールメチルエーテル（ＰＧＭＥ）、プロピレングリコールｎ−プロピルエーテル（ＰｎＰ）、シクロヘキサノン、ガンマブチロラクテートおよびそれらの混合物から成る群から選択される溶剤が含まれる。好ましくは、溶剤系の沸点は、約１１８℃〜約１６０℃であり、より好ましくは約１１８℃〜約１４６℃である。溶剤系は、組成物の総重量を１００重量％とするときに、約９０重量％以上、好ましくは約９６．５重量％〜約９９．４重量％、より好ましくは約９６．９重量％〜約９９．２重量％、更により好ましくは約９７．５重量％〜約９９重量％のレベルで用いられるべきである。組成物は、好ましくは、組成物の総重量を１００重量％とするときに、約０．６重量％〜約３．５重量％、好ましくは約０．８重量％〜約３１重量％、更により好ましくは約１重量％〜約２．５重量％、の固形物を含む。

図１の（Ａ）〜（Ｄ）は本発明の新規な反射防止膜を用いて構造を形成する方法を示す。この方法では、表面１０ａを有する基板１０を準備する。本発明では、任意のマイクロエレクトロニクス基板を使用することができる。好ましい基板としては、ケイ素、ＳｉＧｅ、ＳｉＯ_２、Ｓｉ_３Ｎ_４、アルミニウム、タングステン、ケイ化タングステン、ガリウム砒素、ゲルマニウム、タンタル、窒化タンタル、サンゴ、ブラックダイヤ、リンまたはホウ酸ドープガラス、イオン注入層、窒化チタン、酸化ハフニウム、酸窒化ケイ素、およびそれらの混合物から成る群から選択されるものが含まれる。方法は、一定量の本発明の反射防止組成物を基板１０の上に塗布し、基板１０の表面１０ａの上に組成物の層１２を形成する工程を含む。組成物は、任意の公知の方法によって塗布することができるが、好ましい方法の１つは、組成物を、約７５０ｒｐｍ〜約５，０００ｒｐｍ（好ましくは約７５０ｒｐｍ〜約４，０００ｒｐｍ、より好ましくは約１，０００ｒｐｍ〜約３．５００ｒｐｍ）の速度で、約２０秒〜約９０秒（好ましくは約３０秒〜約６０秒）の間スピンコートすることである。基板１０は、平坦な表面を備えることもあり、あるいはトポグラフィー特徴（ビア孔、トレンチ、コンタクトホール、隆起構造的特徴、線など）を備えることもある。本書中「トポグラフィー」とは、基板表面の中あるいは上にある構造の高さまたは深さを意味する。例えば、基板１０は、ホールと定義される構造を備えることができ、それは側壁と下層壁とを持つ。このように、反射防止組成物を基板に塗布する方法は、好ましくは、組成物を、これらホールの側壁と下層壁と一部分以上に、塗布することを含む。

所望の被覆を達成した後、熱的架橋を誘引するために、組成物の層１２を焼成して、硬化した層１２を形成する。好ましい焼成条件は、温度が約１２５℃以上、好ましくは約１５０℃〜約２３０℃、より好ましくは約１５０℃〜約２０５℃、更により好ましくは約１５５℃〜約１８０℃であり、時間は、約３０秒〜約９０秒（好ましくは約４５秒〜約７５秒）間である。焼成後の反射防止膜層１２の厚みは、好ましくは約２０ｎｍ〜約８５ｎｍ、より好ましくは約３０ｎｍ〜約７５ｎｍ、更により好ましくは約３２ｎｍ〜約７０ｎｍ、最も好ましくは約３３ｎｍ〜約６５ｎｍである。基板表面１０ａが、トポグラフィーを備える場合は、反射防止膜１２は、その厚みが十分で、実質的に基板のトポグラフィーを覆うような厚みで塗布することが好ましい。

ポリマーの酸基がカルボン酸基であり、架橋剤がビニルエーテル架橋剤である実施態様おいて、架橋したポリマーは、次の一般式を持つアセタール結合を含む。

式中、Ｒは、アリール（好ましくは約Ｃ_６〜約Ｃ_１２）、−ＣＯ−、および分岐および非分岐、アルキル、から成る群から選択される。上述したように、アダマンチル基を持つ繰り返しモノマー単位は、好ましくは、架橋には、関与しない。

架橋した層１２は、十分に架橋しているので、一般のフォトレジスト溶剤には、実質的に不溶性である。従って剥離試験を行うと、本発明の膜層の剥離率は約５％未満、好ましくは約１％未満、更により好ましくは約０％になる。剥離試験では、先ず硬化層の（異なる５箇所の測定値の平均を取ることによって）厚みを決定する。これが初期平均層厚である。次に、エチルラクテート（ＥＬ）を硬化した膜に約２０秒間塗り付け、その後約３，０００ｒｐｍで約３０秒間スピンドライを行い溶剤を除去する。偏光解析法を用いてウエハ上の異なる５箇所の厚みを再度測定し、これらの測定値の平均を算出する。これが最終平均膜厚である。初期と最終の平均膜厚の差が剥離量である。剥離率は、下記式で求められる。
％剥離率＝（剥離量／初期の平均膜厚）×１００

また、架橋した層１２は、好ましくは、記載したように、一般的なフォトレジスト現像剤中では、実質的に不溶性である。架橋した反射防止膜の現像剤中の溶解度は、上述の剥離試験と同じ手順と計算を用いて評価するが、フォトレジスト溶剤（ＥＬ）の代わりに現像剤を用いる。架橋した層に、また、１１０℃で６０秒間のＰＥＢを行う。次に、０．２６Ｎ ＴＭＡＨ現像剤を、層の上に、４５秒間塗り付け、その後、５秒間脱イオン水のすすぎ洗いを行い、スピンドライを行う。硬化した層の厚みにおけるいかなる損失も、「暗損失」として定義する。硬化した層の暗損失は、約５％未満、好ましくは約１．５％未満、より好ましくは約１％未満、更により好ましくは約０．８％未満、最も好ましくは約０％となる。

また、膜の湿式現像は、剥離試験と同様の手順と計算を用いて評価することができる。硬化した層を、最初にＯｒｉｅｌ^（ＴＭ）ＤＵＶ広帯域露光装置上で、広帯域光を用いて、２０ｍＪ／ｃｍ^２で露光する。次いで露光された層に、１３０℃で９０秒間ＰＥＢを行う。次に、フォトレジスト現像剤（０．２６Ｎ ＴＭＡＨ）を膜の上に６０秒間塗り付け、その後、３００ｒｐｍで回転させながら、５秒間の脱イオン水すすぎ洗いを行い、次いで約３，０００ｒｐｍで約３０秒間スピンドライを行って、現像剤を除去する。再び層の厚みを測定し、％現像率を算出する。感光性反射防止膜の、％現像率は、好ましくは、約９５％〜約１００％、より好ましくは約９９％〜約１００％になる。反射防止膜組成物が、非−感光性である実施態様において、％湿式現像は、好ましくは約１．５％未満、好ましくは約０．８％未満、更により好ましくは約０％になる。

硬化した反射防止層または膜１２の屈折率（ｎ値）は、約１．３以上、好ましくは約１．４〜約２、より好ましくは約１．４５〜約１．８、更により好ましくは約１．５〜約１．７５になる。また好ましくは反射防止膜層１２の吸光係数（ｋ値）は、使用波長（例えば、１９３ｎｍ、２４８ｎｍ、または３６５ｎｍ）において、約０．２以上、好ましくは約０．２５〜約０．６５、更に好ましくは約０．３〜約０．６である。

図１の（Ｂ）を参照すると、フォトレジスト組成物を硬化した層１２に塗布して、画像形成層１４を形成し、その結果、積層１６を形成することができる。次に画像形成層１４は、約９５℃以上、好ましくは約１００℃〜約１３５℃、より好ましくは約１００℃〜約１３０℃の温度で、約４５秒間〜約７５秒間の間、塗布後焼成（ＰＡＢ）を行うことが好ましい。画像形成層１４の厚みは、約５０ｎｍ〜約２，０００ｎｍの範囲でありうる、ことが理解されるであろう。好ましくは、画像形成層１４の厚みは、約１００ｎｍ〜約２５０ｎｍ、より好ましくは約１２０ｎｍ〜約２４０ｎｍ、更により好ましくは約１３０ｎｍ〜約２３０ｎｍ、最も好ましくは約１７０ｎｍ〜約２２５ｎｍである。適切な画像形成組成物としては、市販されているフォトレジスト（例えば、ＴａｒＦ−Ｐｉ６−００１、ＴＯＫ社、神奈川県川崎市（日本）から販売）；ＡＲＸ３００１ＪＮ、ＡＲＸ３３４０Ｊ、およびＡＭ２０７３Ｊ、ＪＳＲ Ｍｉｃｒｏ社、Ｓｕｎｎｙｖａｌｅ、ＣＡ州；ＳＡｌＬ−Ｘ−１８１、Ｓｈｉｎ−Ｅｔｓｕ社、東京（日本））、またはその他の感光性組成物が含まれる。反射防止膜組成物が、本質的に感光性ではない（すなわち、ＰＡＧ−無し、反射防止膜）場合、適切なフォトレジスト組成物は、酸発生剤（好ましくはＰＡＧ）を含有することが好ましく、また、後述するように、隣接する反射防止膜を、脱架橋および脱保護し、それによって現像剤可溶性にするのに十分な酸を発生可能であることが好ましい。

画像形成層１４は、適切な波長の光に露光し、その後、露光したフォトレジストを現像することによってパターン形成することができる。更に詳細には、図１の（Ｃ）を参照すると、画像形成層１４は、画像形成層１４の表面の上に配置したマスク１８を用いて露光する。マスク１８は、放射線（ｈν）がマスク１８を通過し、画像形成層１４に接触するように設計された、開口領域１８ａを有する。マスク１８の残りの固形部分１８ｂは、一定部分の画像形成層１４の表面に、放射線が接触するのを防ぐように、設計されている。画像形成層１４の中に、そして最終的には基板１０の中に形成すべき所望のパターンに基づいて開口領域１０ａおよび固形部分１０ｂの配置が設計されることは、当業者であれば容易に理解できるであろう。

有利なこととして、画像形成層１４が放射線（すなわち、光）に露光すると、本発明の反射防止膜層１２も露光する。光に露光すると、ＰＡＧ（反射防止膜自体の中の、またはフォトレジスト組成物中からの）から酸が発生し、この酸が反射防止膜層１２のポリマーを「脱架橋」する。すなわち、反射防止膜が本質的に感光性でなくても、画像形成層１４の露光した部分から、画像形成層１４に隣接する反射防止層１２の対応する部分へ酸が拡散することによって、反射防止膜層１２の露光した部分は、光に露光すると、現像剤可溶性になる。酸（フォトレジストまたは反射防止膜のどちらからでも）が、熱的架橋によって反射防止膜のポリマーと架橋剤との間に形成された結合を破壊する。例えば、カルボン酸がポリマー上の酸基である場合は、脱架橋することによって、次の一般式を持つリンク結合の結合（^＊）が破壊される。

また、酸は、酸に不安定なアダマンチル基を開裂し、ポリマーの可溶性を更に促進するすることが好ましい。このように、反射防止層１２の露光した部分は、遊離アダマンチルを含有し、これらは現像中に除去される。現像後、画像形成層１４および反射防止膜層１２は、好ましくは、約８５℃〜約１４０℃、より好ましくは約９５℃〜約１３５℃、より好ましくは約１０５℃〜約１３０℃の温度で、約４５秒間〜約７５秒間の間、ＰＥＢを行う。

上述のプロセスにより可溶性にされた画像形成層１４および反射防止膜層１２の露光部分は、次に現像剤に接触し、露光部分が除去される。画像形成層１４の露光部分の下側の、反射防止膜層１２の露光部分は、画像形成層１４が除去されるときに、現像剤によって除去され、画像形成層１４および反射防止膜層１２に、同時に、所望のパターン２０を形成する。パターン２０は、エッチングまたはイオン注入プロセスを用いて最終的に、基板１０へ転写される、ビア穴、トレンチ、線、スペース、などでありうる。好ましくは、画像形成層１４および反射防止膜層１２の露光部分の約９５％以上が除去され、より好ましくは約９９％以上、更に好ましくは約１００％が現像剤によって除去される。

適切な現像剤は、水酸化カリウム（ＫＯＨ）、ＴＭＡＨ、のような有機、または無機の、アルカリ性溶液であり、好ましくは、濃度０．２６Ｎまたはそれ以下のＴＭＡＨの水溶液を含有する。これらの現像剤のいくつかは、ＰＤ５２３ＡＤ（Ｍｏｓｅｓ Ｌａｋｅ Ｉｎｄｕｓｔｒｉｅｓ、Ｉｎｃ社、Ｍｏｓｅｓ Ｌａｋｅ、ＷＡ州、から入手可能）、ＭＦ−３１９（Ｓｈｉｐｌｅｙ社、Ｍａｓｓａｃｈｕｓｅｔｔｓから入手可能）、ＭＦ−３２０（Ｓｈｉｐｌｅｙ社から入手可能）、およびＮＭＤ３（ＴＯＫ社、日本、から入手可能）の商品名で市販されている。

別の実施態様において、フォトレジストにパターン形成するのに、ＡｒＦ浸漬リトグラフィー（図示せず）を用いることもできる。空気（従来のリソグラフィーの場合）の代わりに、露光中、放射線が通過する媒体は、液体である。リソグラフ系の光学投影要素（すなわち、レンズ）を介して、少なくとも、そのリソグラフ系の光学要素の１部分と、構造の一部分（すなわち、積層）に、浸漬液を、接触させながら、画像形成層を、放射線に露光する。更に、より好ましくは、リソグラフ系の、最後の、光学要素と、画像形成層との間の空間に、浸漬液を満たして、その光学要素がを浸漬液中に浸漬するようにする。適切な、浸漬液は、好ましくは、その屈折率が、１より大きく（好ましくは、約１〜約２、より好ましくは約１．３〜約１．４）、そして、水（好ましくは純水）または有機溶剤から成る群から選択される。この分野で公知の浸漬リソグラフィー系としては、Ａｍｐｈｉｂｉａｎ^（ＴＭ） Ｓｙｓｔｅｍｓ社（Ｒｏｃｈｅｓｔｅｒ、ＮＹ州）製のＡｍｐｈｉｂｉａｎ 干渉計、およびＡＳＭＬ社（Ｖｅｌｄｈｏｖｅｎ、オランダ）製の１９００ｉが含まれる。

実施態様に関係なく、次に、パターン形成された積層の上に、従来のエッチング、メタライゼーション等を実施して、デバイス製造を完成させることができる。また、多重の露光プロセスを所望するときは、パターン形成された反射防止膜に隣接して第２の画像形成層を塗布して、露光−現像プロセスを、繰り返すことができる。

以下の実施例では、本発明に係る方法を記載する。しかしながら、これらの実施例は、説明のために提供されるものであり、本発明の全体の範囲を制限するものではないことを理解されたい。

（ターポリマーＩの合成およびその沈殿）

この手順では、１２．９ｍｏｌ％のＩＰＭ、メタクリル酸およびスチレンを用いて、ターポリマーを合成し、その後沈殿させた。磁気攪拌棒および温度計を備える５００−ｍｌ三つ口フラスコに、９．０８ｇ（１０５．５ｍｍｏｌ）のメタクリル酸（Ｓｉｇｍａ−Ａｌｄｒｉｃｈ社、Ｓｔ．Ｌｏｕｉｓ、ＭＯ州）、１２，３８ｇ（１１８．９ｍｍｏｌ）のスチレン（Ｓｉｇｍａ−Ａｌｄｒｉｃｈ社、Ｓｔ．Ｌｏｕｉｓ、ＭＯ州）、８．７１ｇ（３３．２ｍｍｏｌ）のＡｄａｍａｎｔａｔｅ^（Ｒ）Ｘ−Ｍ−１０５（ＩＰＭ；出光興産、東京、日本）、および２０３．７２ｇのＰＧＭＥを投入した。この混合物を室温で５分間攪拌し、溶液を生成した。次に、窒素吸気アダプタを備える滴下漏斗と、窒素排気アダプタを備える凝縮機をフラスコに取り付けた。

透明の１２５−ｍｌナルゲンボトルに、０．６８ｇ（４．１４ｍｍｏｌ）の２．２’−アゾビスイソブチルニトリル（ＡＩＢＮ、Ｓｉｇｍａ−Ａｌｄｒｉｃｈ社、Ｓｔ．Ｌｏｕｉｓ、ＭＯ州）および６７．６３ｇのＰＧＭＥを投入した。この混合物を室温で０．６４時間の間混転して、溶液を生成した。フラスコに取付けられている滴下漏斗に、ＡＩＢＮ溶液を投入し、そして次に反応系を、室温で２．０時間の間、窒素でパージした。次にフラスコを１０２．５〜１０３℃のオイルバス中に浸漬した。反応混合物を窒素下で攪拌した。反応溶液温度が１０３℃で、ＡＩＢＮ溶液を３分間にわたり徐々に反応フラスコに加えた。その結果の反応混合物を、次に、９８℃〜１０５℃で２４時間の間、窒素下で攪拌した。収量は、２９９．５ｇ溶液（９９％回収）、１０．１８重量％のポリマー固形物であった。ゲル浸透クロマトグラフィー（ＧＰＣ）による溶液中のターポリマーＩのＭ_ｗは１５，１５０ｇ／ｍｏｌ、分散度（Ｄ）は２．８であった。

溶液からターポリマーＩを沈殿させるために、頭上攪拌器と攪拌棒とを備えた４−リットルビーカーに２リットルのヘキサンを投入した。滴下漏斗に、２００．７ｇのＩＰＭ ターポリマー溶液を投入し、これを次に、漏斗から攪拌されたヘキサンへ、０．５時間の間、滴下添加した。混合物を、室温で更に５分間攪拌し、次に沈降させた。真空ろ過によって溶剤を除去した。次にターポリマー固形物を、２００ｍｌの新鮮なヘキサンを用いて、２分間攪拌し、その後、真空ろ過によって溶剤を除去した。再び２０２ｍｌの新鮮なヘキサンを用いて、ターポリマー固形物を５分間の間攪拌し、その後、真空ろ過によって溶剤を除去した。ターポリマー固形物を４０℃の真空オーブンの中で乾燥し、乳鉢と乳棒を用いて粉砕して粉末にし、４０℃の真空オーブン中で乾燥して、恒量にした。収量は、１２．６ｇ粉末（６２％収率）であった。ＧＰＣによるターポリマーのＭ_ｗは、１６，０５０ｇ／ｍｏｌ、Ｄは２．１であった。

（ターポリマーＩを用いる下層反射防止膜の作製）
この手順では、上述の実施例１のターポリマーＩ（ＩＰＭ）を、ＰＡＧおよび消光剤と共に用いて、下層反射防止膜を作製した。２５０−ｍｌアンバーナルゲンボトルに、０．７１８ｇの自製ビニルエーテル架橋剤（実施例２７参照）、２．４２３ｇのターポリマーＩ、１５６．１８６１ｇのＰＧＭＥ、および３９．３６ｇのＰＧＭＥＡを投入した。この混合物を室温で１５．２時間混転した。次に、ＰＧＭＥ溶液中の、１．２５９６ｇの１％消光剤（ｌ−Ｂｏｃ−４−ヒドロキシピペリジン：Ｓｉｇｍａ Ａｌｄｒｉｃｈ社、Ｓｔ．Ｌｏｕｉｓ、ＭＯ州）を加え、その後、０．０４２３ｇのＣＧＩＴＰＳ−Ｃｌ（Ｃｉｂａ社、Ｔａｒｒｙｔｏｗｎ、ＮＹ州）を加えた。次にボトルを室温で一晩混転し、その内容物を、０．１μｍのエンドポイントフィルタを通して２回ろ過して、４個の６０ｍｌアンバーナルゲンボトルに入れた。

その結果の下層反射防止膜の様々な特性について試験した。光学および膜特性の試験では、下層反射防止膜を、最初に１．５００ｒｐｍで３０秒または６０秒間の間、シリコンウエハにスピン塗布し、熱硬化させた（すなわち、１６０℃で６０秒間焼成した）。その結果の膜の初期厚みを、ガートナーエリプソメータを用いて測定し、記録した。

層の耐溶剤性を試験するために、フォトレジスト溶剤（エチルラクテート）を膜に２０秒間塗り付け、その後、約３，０００ｒｐｍで約３０秒間スピン乾燥させ、溶剤を除去した。再び、エリプソメータを用いて厚みを測定し、上述の方法で、％剥離率または隆起率を計算した。

露光していない（暗損失）膜の上のフォトレジスト現像剤（０．２６Ｎ 水性ＴＭＡＨ）の効果も測定した。暗損失を評価するために、別のウエハを反射防止膜でコーティングし、上述の方法で焼成し、膜の初期厚みを測定し、記録した。露光していない層に、１１０℃で６０秒間、ＰＥＢを行った。次にフォトレジスト現像剤（０．２６Ｎ ＴＭＡＨ）を膜の上に４５秒間塗り付け、その後５−秒間の脱イオン水によるすすぎ洗いを行い、スピン乾燥を行った。エリプソメータを用いて層の厚みを測定し、暗損失を計算した。ＥＬ剥離試験、または暗損失について、正の数値は、膜の隆起を意味する。

次に、Ｊ．Ａ．Ｗｏｏｌｌａｍ Ｃｏ．Ｉｎｃ社のＶＡＳＥ^（Ｒ）エリプソメータを用いて、１９３ｎｍにおいて、膜のｎおよびｋ値を測定した。この下層反射防止膜の膜および光学特性を、実施例１〜１７の結果の表２に示す。

光が２４８−ｎｍのバンドパスフィルタを介してから露光する、Ｏｒｉｅｌ^（ＴＭ） ＤＵＶ 露光装置を用い、下層反射防止膜の対比曲線を決定した。下層反射防止膜を、シリコンウエハに、１．５００ｒｐｍで３０または６０秒間スピン塗布し、１６０℃で６０秒間焼成した。２つのウエハを露光し、その後１００℃で６０秒間、または１２０℃で６０秒間、ＰＥＢを行った。次に膜用レジスト（ＡＲＸ３００１ＪＮ；ＪＳＲ Ｍｉｃｒｏ社）を１９５−ｎｍの厚みで塗布し、その後、１１０℃で６０秒間のＰＡＢを行い，露光し、そして、１１０℃で６０秒間のＰＥＢを行った。レジストを含むものと、含まないものの、双方のＰＥＢの対比曲線の結果を、図２の（ａ）〜（ｃ）に示す。この下層反射防止膜は、図２の（ａ）〜（ｃ）に示す下層反射防止膜の中で、最も低いＥ_０を示した。

次に、膜用レジスト（ＡＲＸ３００１ＪＮ）を用い、リソグラフィーのための１９３−ｎｍ露光を実施した。その際、Ａｍｐｈｉｂｉａｎ ＸＩＳ 干渉計（Ａｍｐｈｉｂｉａｎ Ｓｙｓｔｅｍｓ社）の上で、図３に示すように各種の露光時間で露光し、１１０℃で６０秒間のＰＡＢおよびＰＥＢを行った。１５０−ｎｍＬ／Ｓ（１：１）は崩れた。

（ターポリマーＩを用いる、ＰＡＧ−無し、下層反射防止膜の作製）
この手順では、ターポリマーＩ（ＩＰＭ）を用い、ＰＡＧまたは消光剤を用いずに、下層反射防止膜を作製した。１２５−ｍｌアンバーナルゲンボトルに、１．２１５６ｇのターポリマーＩ、０．３５９ｇの実施例２７の架橋剤、７４．３０９ｇのＰＧＭＥ、および１９，６７９ｇのＰＧＭＥＡ、を投入した。混合物を、室温で一晩混転し、次に、０．１−ｕｍフィルタを用いて、エンドポイントろ過した。その結果の下層反射防止膜を、（ａ）１，５００ｒｐｍで３０〜６０秒間、または（ｂ）２．７３８ｒｐｍで３０または６０秒間、のいずれかでシリコンウエハにスピン塗布し、それぞれ、その後１６０℃で６０秒間焼成を行った。スピンパラメータ（ａ）は、５４〜５５ｎｍの熱硬化下層反射防止膜を生成し、スピンパラメータ（ｂ）は、３８ｎｍの熱硬化下層反射防止膜を生成した。次に、膜用レジストＡＲＸ３００１ＪＮを、１９５−ｎｍの厚みで用いて、実施例２に記載した方法で、１９３−ｎｍリソグラフィーを実施した。ＳＥＭ写真（Ｃａｒｌ Ｚｅｉｓｓ ＳＭＴ Ｉｎｃ社製のＬＥＯ１５６０を用いて作成したもの）を、図４に示す。双方の厚みに関し、非常に良好な１５０−ｎｍ Ｌ／Ｓ（１：１）が得られた。

次に、この下層反射防止膜の膜および光学特性を、実施例２に記載した方法で、決定した。結果を表２に示す。

（ターポリマーＩＩの合成およびその沈殿）

この手順では、１２．９ｍｏｌ％ＥＭ、メタクリル酸、およびスチレンを用いて、ターポリマーを合成した。磁気攪拌棒と温度計を備える５００−ｍｌ三つ口フラスコに、９．１ｇ（１０６ｍｍｏｌ）のメタクリル酸、１２．４０ｇ（１１９．１５ｍｍｏｌ）のスチレン、８．２６ｇ（３３．３ｍｍｏｌ）のＡｄａｍａｎｔａｔｅ^（Ｒ） ＥＭ（出光興産、東京、日本）、および２００．７８ｇのＰＧＭＥを投入した。混合物を、室温で、６分間攪拌し、溶液を得た。窒素排気アダプタを備える凝縮器と、窒素吸気アダプタを備える滴下漏斗を、フラスコに取り付けた。

次に、１２５−ｍｌナルゲンボトルに、０．６５４ｇ（３．９８ｍｍｏｌ）のＡＩＢＮおよび６６．８８ｇのＰＧＭＥを投入した。混合物を、室温で０．６時間、混転し、溶液を生成した。ＡＩＢＮ溶液を、次に、滴下漏斗に移した。反応系は、窒素で１５分間、フラッシし、そして、次にフラスコをＩ００℃のオイルバス中に浸漬した。混合物を窒素下で、２４時間、９８℃〜１０４℃で攪拌した。収量は、２９４．４ｇの溶液（９９％回収）、１０．１８重量％のポリマー固形物であった。ＧＰＣによる、溶液中の、ターポリマーのＭ_ｗは１５，２５０ｇ／ｍｏｌ、Ｄは２．５であった。

溶液からターポリマーＩＩを沈殿させるために、４−リットルビーカーに、２．００リットルのヘキサンを投入した。滴下漏斗に、１９９．８ｇのターポリマーＩＩ溶液を投入し、それを次に、室温で１３．２分間、攪拌したヘキサンに滴下添加した。次に、混合物を更に６分間室温で攪拌した。溶剤を真空ろ過によって除去した。約２００ｍｌの新鮮なヘキサンを、すすぎ洗い液として、ターポリマーに加え、混合物を更に６分間攪拌し、その後、再び、真空ろ過によって溶剤を除去した。追加の２００ｍｌの新鮮なヘキサンを加え、混合物を５分間攪拌した。溶剤を、再び、真空ろ過によって除去した。４０℃の真空オーブンでターポリマーを恒量まで乾燥した。収量は１４．０ｇ（６９％回収）であった。ＧＰＣによるターポリマーのＭ_ｗは１６，８５０ｇ／ｍｏｌ、Ｄは２．１であった。

（ターポリマーＩＩを用いる、下層反射防止膜の作製）
この手順では、上述の実施例４のターポリマーＩＩ（ＥＭ）、ＰＡＧおよび消光剤を用いて、下層反射防止膜を作製した。２５０−ｍｌナルゲンボトルに、０．５３５３ｇの実施例２７の架橋剤、１．８２１５ｇのターポリマーＩＩ、１１７．１５７９ｇのＰＧＭＥ、２９．５２１０ｇのＰＧＭＥＡ、ＰＧＭＥ中の０．９４５６ｇの１％消光剤（１−Ｂｏｃ−４−ヒドロキシピペリジン）、および０．０３１６ｇのＴＰＳ−Ｃ１、を投入した。混合物を、一晩混転し、次に、０．１μｍのエンドポイントフィルタを通してろ過した。

次にターポリマーＩＩの下層反射防止膜の膜および光学特性を、上述の実施例２に記載の方法で決定した。その結果を表２に示す。

また、ターポリマーＩＩ下層反射防止膜の対比曲線を、実施例２の記載の方法で、決定した。それを図２に示す。次に、実施例２の記載の方法で、１９３−ｎｍリソグラフィーを実施した。各露光時間のＳＥＭ写真（Ｃａｒｌ Ｚｅｉｓｓ ＳＭＴ Ｉｎｃ社製のＬＥＯ １５６０を用いて作成した）を、図３に示す。図３からわかるように、膜厚が、５２〜５６ｎｍのときに、１．２−秒露光から、１５０−ｎｍ Ｌ／Ｓ（１：１）が得られた。

（ターポリマーＩＩを用いる、ＰＡＧ−無し、下層反射防止膜の作製）
この手順では、実施例４のターポリマーＩＩ（ＥＭ）を用いて、ＰＡＧまたは消光剤を用いずに、下層反射防止膜を作製した。２５０−ｍｌアンバーナルゲンボトルに、０．３５９ｇの実施例２７の架橋剤、７８．７１５ｇのＰＧＭＥ、１９．６７６ｇのＰＧＭＥＡ、１．２１４ｇのターポリマーＩＩ、を投入した。混合物を、室温で、３．５時間より長く、混転した。次に、膜を０．１−μｍエンドポイントフィルタを通してろ過した。

この反射防止膜の膜および光学特性を、決定し、その後、上述の方法で、１９３−ｎｍリソグラフィーを実施した。この反射防止膜の膜および光学特性を表２に示す。ＳＥＭ写真を、図５に示す。

（ターポリマーＩＩＩの合成およびその沈殿）

この手順では、１２．９ｍｏｌ％のＡＭ、メタクリル酸、およびスチレンを用いて、ターポリマーを合成した。磁気攪拌棒および温度計を備える、５００−ｍｌ三つ口フラスコに、９，０７ｇ（１０５．４ｍｍｏｌ）のメタクリル酸、１２．３７ｇ（１１８．８ｍｍｏｌ）のスチレン、８．３２ｇ（３３．２ｍｍｏｌ）のＡｄａｍａｎｔａｔｅ^（Ｒ）Ｍ−１０１（ＡＭ；出光興産、東京、日本）、および２００．９４ｇのＰＧＭＥを投入した。混合物を室温で約３分間攪拌した。窒素排気アダプタ付の凝縮器、および窒素吸気アダプタ付の滴下漏斗を三つ口フラスコに取付けた。

次に、６０−ｍｌナルゲンボトルに、０．６８ｇ（４．１４ｍｍｏｌ）のＡＩＢＮおよび５４．５９５ｇのＰＧＭＥを投入した。混合物を２時間室温で混転し、溶液を生成し、次にその溶液を滴下漏斗に加えた。約１２．１１ｇのＰＧＭＥを６０ｍｌナルゲンボトルに加え、ボトルの内部を完全にすすぎ洗いし、このすすぎ液を、また、滴下漏斗に加えた。反応系を、窒素で１５分間室温でフラッシし、次にそのフラスコを９９．５℃のオイルバス中に浸漬した。反応混合物を、窒素雰囲気下で攪拌した。反応溶液の温度を１０２．５℃にし、ＡＩＢＮ溶液を、フラスコに、約３分間にわたり、滴下添加した。反応混合物を、窒素下で２４時間約９７℃〜１０５℃で攪拌した。収量は、２９５．４ｇの溶液（９９％回収）、１０．１７重量％の固形物であった。ＧＰＣによる溶液中の、ターポリマーＩＩＩのＭ_ｗは、１８，６５０ｇ／ｍｏｌ、Ｄは２．６であった。

溶液からターポリマーを沈殿させるために、４−リットルビーカーに、２．０リットルのヘキサンを投入した。約１９９．９ｇのターポリマーＩＩＩ溶液を、攪拌したヘキサンに、０．５時間にわたり滴下して加えた。次に混合物を室温で５分間攪拌した。真空ろ過を用いて、ターポリマー固形物から溶剤を除去した。新鮮な２００ｍｌのヘキサンを用いて、ターポリマー固形物を室温で５分間攪拌し、再び、真空ろ過によって溶剤を除去した。その後、別の２００ｍｌのヘキサンを続いて５分間攪拌しながら加えた。溶剤のすすぎ液を真空ろ過によって除去した。ターポリマーを４０℃の真空オーブン中で乾燥させ、乳鉢と乳棒を用いて粉砕して粉末にし、そして４０℃の真空オーブン中で恒量まで乾燥させた。収量は、１５．４ｇ（７６％回収）であった。ＧＰＣによるターポリマーＩＩＩのＭ_ｗは、１９．１５０ｇ／ｍｏｌ、Ｄは２，３であった。

（ターポリマーＩＩＩを用いる下層反射防止膜の作製）
この手順では、実施例７のターポリマーＩＩＩ（ＡＭ）、ＰＡＧ、および消光剤を用いて、下層反射防止膜を作製した。２５０−ｍｌアンバーナルゲンボトルに、０．７１５ｇの実施例２７の架橋剤、２．４２１ｇのターポリマーＩＩＩ、１５７．０６０ｇのＰＧＭＥ、および３９．５４ｇのＰＧＭＥＡを投入した。

次に、ＰＧＭＦ溶液中の約１．２５６ｇの１％消光剤（１−Ｂｏｃ−４−ヒドロキシピペリジン）を加え、その後、０．０４２７ｇのＴＰＳ−Ｃｌを加えた。混合物を一晩室温で混転し、次に、０．１μｍのエンドポイントフィルタを通してろ過した。

次に、ターポリマーＩＩＩ下層反射防止膜の膜および光学特性を、実施例２で記載した方法で決定した。それを後の結果の表２に示す。

ターポリマーＩＩＩ下層反射防止膜の対比曲線を、上述した方法で、決定した。それを図２に示す。

次に、１９３−ｎｍリソグラフィーを、実施例２で記載した方法で、実施した。図３のＳＥＭ写真から、１５０−ｎｍ Ｌ／Ｓ（１：１）は、１．２−および１．４−秒間の露光の後に存在したことがわかる。

（ターポリマーＩＶの合成およびその沈殿）

この手順では、１２．９ｍｏｌ％のＣＡＭ、メタクリル酸、およびスチレンを用いてターポリマーを合成した。磁気攪拌棒および温度計を備える５００−ｍｌ三つ口フラスコに、８．５９ｇ（３３．１ｍｍｏｌ）のＡｄａｍａｎｔａｔｅ^（Ｒ）Ｍ−１０２（ＣＡＭ：出光興産、東京、日本）、９．１０ｇ（１０５．７ｍｍｏｌ）のメタクリル酸、１２．３８ｇ（１１８．９ｍｍｏｌ）のスチレン、および２０２．７０ｇのＰＧＭＥ、を投入した。混合物を２分間攪拌して溶液を生成した。窒素排気アダプタ付の凝縮器および窒素吸気アダプタ付の滴下漏斗を、三つ口フラスコに取付けた。

次に、６０−ｍｌナルゲンボトルに、０．６５ｇ（３．９６ｍｍｏｌ）のＡＩＢＮおよび、５４．９１ｇのＰＧＭＥを投入した。混合物を室温で０．５時間混転し、溶液を得た。溶液を滴下漏斗に加えた。約１２．１９ｇのＰＧＭＥを用いて、ナルゲンボトルをすすぎ洗いし、ＰＧＭＥすすぎ液を滴下漏斗に加えた。反応系を、窒素で１５分間フラッシュし、次にフラスコを１０３．５℃のオイルバス中に浸漬した。反応混合物を窒素雰囲気下で攪拌した。反応溶液の温度を１０１．５℃にし、ＡＩＢＮ溶液を約３分間にわたりフラスコに滴下添加した。反応溶液を窒素下で２４時間９７℃〜１０６℃で攪拌した。収量は、２９５．９ｇの溶液（９８．５％回収）、１０．１９重量％のポリマー固形物であった。ＧＰＣによる、溶液中の、ターポリマーＩＶのＭ_ｗは、１４，８５０ｇ／ｍｏｌ、Ｄは２．６であった。

溶液からターポリマーを沈殿させるために、頭上攪拌器を備える４−リットルビーカーに２リットルのヘキサンを投入した。滴下漏斗に２００．０ｇのターポリマーＩＶ溶液を投入した。ターポリマー溶液を、攪拌したヘキサンに、１７分間にわたり滴下添加した。混合物を室温で更に７分間攪拌し、その後、真空ろ過により溶剤を除去した。２００ｍｌの新鮮なヘキサンをフラスコに加えて、このプロセスを繰り返し、その後、７．５分間攪拌し、真空ろ過により溶剤を除去した。最終すすぎ洗いでは、２００ｍｌのヘキサンをターポリマー固形物に加え、混合物を８分間攪拌し、その後、真空ろ過により溶剤を除去した。ターポリマーを４０℃の真空オーブン中で乾燥させ、乳鉢と乳棒を用いて粉砕して粉末にし、次に４０℃で真空下で恒量まで乾燥させた。収量は、１４．０ｇ（６９％回収）であった。ＧＰＣによる、ターポリマーＩＶのＭ_ｗは１４，９５０ｇ／ｍｏｌ、Ｄは２．２であった。

（ターポリマーＩＶを用いる下層反射防止膜の作製）
この手順では、上述の実施例９のターポリマーＩＶ（ＣＡＭ）、ＰＡＧ、および消光剤を用いて、下層反射防止膜を作製した。１２５−ｍｌアンバーナルゲンボトルに、０．３５８５ｇの実施例２７の架橋剤、ＰＧＭＥ中の、０．６３３５ｇの１．００１％消光剤（ｌ−Ｂｏｃ−４−ヒドロキシピペリジン）、１．２１３ｇのターポリマーＩＶ、７８．０９８５ｇのＰＧＭＥ、および９．６８７ｇのＰＧＭＥＡ、を投入した。混合物を室温で３３分間混転し、その後、２０．９ｍｇのＴＰＳ−Ｃｌを加えた。混合物を室温でおよそ７２時間混転し、その後、０．１−μｍのエンドポイントフィルタを通してろ過した。

その結果の下層反射防止膜の膜および光学特性を、上述の実施例２に記載した方法で、決定した。それを後の結果の表２に示す。

次に、１９５−ｎｍの厚みのＡＲＸ３００１ＪＮを用いて、上述の実施例２に記載した方法で、１９３−ｎｍリソグラフィーを実施した。ＳＥＭ写真を、図６に示す。

（ターポリマーＶの合成およびその沈殿）

この手順では、１２．９ｍｏｌ％のＭＡＣＭ、メタクリル酸、およびスチレンを用いて、ターポリマーを合成した。温度計と磁気攪拌棒を備えた５００−ｍｌ三つ口フラスコに、９．０９ｇ（１０５．６ｍｍｏｌ）のメタクリル酸、９．７０ｇ（３３．２ｍｍｏｌ）のＡｄａｍａｎｔａｔｅ^（Ｒ）Ｍ−１０３（ＭＡＣＭ：出光興産、東京、日本）、１２．３６５ｇ（１１８．７ｍｍｏｌ）のスチレン、および２０９．９３ｇのＰＧＭＥを投入した。混合物を室温で３分間攪拌した。窒素吸気アダプタを備える滴下漏斗および窒素排気アダプタを備える凝縮器をフラスコに取付けた。

次に、１２５−ｍｌナルゲンボトルに、０．６５０ｇ（３．９６ｍｍｏｌ）のＡＩＢＮおよび６９．６５ｇのＰＧＭＥを投入した。混合物を０．６５時間混転し、溶液を生成し、次に、滴下漏斗に投入した。反応系を、窒素を用いて０．４時間およそ室温でパージし、そして次にフラスコを９９．５℃のオイルバス中に浸漬した。反応混合物を窒素下で攪拌した。攪拌した溶液の温度を１０２℃にし、窒素を流して、ＡＩＢＮ溶液を、反応溶液に２．７５分間にわたり徐々に加えた。次に、反応溶液を約９５℃〜１０６℃で２４時間窒素下で攪拌した。収量は、３０８．５ｇの溶液（９９％回収）、１０．１８重量％のポリマー固形物であった。ＧＰＣによる、溶液中のターポリマーＶのＭ_ｗは、１７，９００ｇ／ｍｏｌ、Ｄは２．６であった。

溶液からターポリマーを沈殿させるために、滴下漏斗に９２．０ｇのターポリマーＶ溶液を投入し、頭上攪拌器を備える１−リットルビーカーに８７５ｍｌのヘキサンを投入した。ターポリマー溶液を攪拌したヘキサンに、８．５分間の間滴下添加した。次に、混合物を更に０．２時間攪拌し、その後、真空ろ過により溶剤を除去した。約８５ｍｌのヘキサンをビーカーへ加え、室温で５分間攪拌することにより、ターポリマーをすすぎ洗いした。真空ろ過により溶剤を除去した。８７ｍｌの新鮮なヘキサンを用いて、室温で０．１２時間攪拌することにより、プロセスを繰り返した。真空ろ過により溶剤を除去した。ターポリマーを４０℃の真空オーブンで乾燥させ、乳鉢と乳棒を用いて粉砕して粉末にし、４０℃の真空オーブンで恒量まで乾燥させた。収量は、７．２８ｇ（７８％回収）であった。ＧＰＣによる、ターポリマーＶのＭ_ｗは１７，９００ｇ／ｍｏｌ、Ｄは２．２であった。

（ターポリマーＶを用いる下層反射防止膜の作製）
この手順では、実施例１１のターポリマーＶ（ＭＡＣＭ）、ＰＡＧ、および消光剤を用いて、下層反射防止膜を作製した。２５０−ｍｌアンバーナルゲンボトルに、０．５３５ｇの実施例２７の架橋剤、１．８１２ｇのターポリマーＶ、１１７．１３１ｇのＰＧＭＥ、および２９．５１７ｇのＰＧＭＥＡ、を投入した。混合物を室温で２．１時間混転し、その後、ＰＧＭＥ中の、０．９４３ｇの１．００１重量％消光剤（１−Ｂｏｃ−４−ヒドロキシピペリジン）を加えた。混合物を室温で０．５時間、混転し、その後、３２．０ｍｇのＴＰＳ−Ｃｌを加えた。生成物を約７２時間室温で混転し、０．１−μｍのエンドポイントフィルタを通してろ過した。

その結果の下層反射防止膜の膜および光学特性を、実施例２に記載の方法で、決定した。それを後の結果の表２に示す。

（ターポリマーＶＩの合成およびその沈殿）
この手順では、比較のために、１２．９ｍｏｌ％のｔ−ブチルメタクリレート、メタクリル酸、およびスチレンを用いて、従来の、酸に不安定なターポリマーを合成した。磁気攪拌棒、温度計、窒素吸気付きの追加の漏斗、および窒素排気付きの凝縮器、を備える、三つ口フラスコに、２５．９８ｇ（３０１．８ｍｍｏｌ）のメタクリル酸、１３．５ｇ（９４．９ｍｍｏｌ）のｔ−ブチルメタクリレート、３５．３７ｇ（３３９．６ｍｍｏｌ）のスチレン、および５０５．１１ｇのＰＧＭＥを投入した。

別の容器において、１６８，３ｇのＰＧＭＥ中の約１．８６４ｇ（１１．３５ｍｍｏｌ）のＡＩＢＮの混合物を、室温で作製し、溶液を生成した。ＡＩＢＮ溶液を、滴下漏斗に加えた。反応系を、窒素で１５分間周囲条件でパージし、そして次にフラスコを、窒素下で攪拌しながら、〜１０３℃のオイルバス中に浸漬した。反応溶液の温度が１００℃に達した時に、滴下漏斗からＡＩＢＮ溶液を、高速で滴下して添加した。攪拌した混合物を、窒素下で約１００℃で２４時間維持した。ＧＰＣによる、溶液中の、ターポリマーＶＩのＭ_ｗは、１７，９００ｇ／ｍｏｌであり、Ｄは２．５であった。

溶液からターポリマーを沈殿させるために、ターポリマーＶＩ溶液の一部分（〜３００ｍｌ）を、攪拌棒を備え約１，２００ｍｌのヘキサンを収容した、４−リットルフラスコに加えた。ターポリマーがフラスコの下層に張り付くので、ヘキサンをこぼして捨て、ターポリマーを別のフラスコの中に回収した。残りの重合溶液を用いて、沈殿を繰り返した。溶液から残りのターポリマーが沈殿した後、その物質をヘキサンで２回すすいだ。ターポリマーを室温で１時間１−リットルビーカー内で乾燥させ、次に、５０℃の真空オーブン内に置いて、乾燥させた。ＧＰＣによる、ターポリマーＶＩのＭ_ｗは、１９，６００ｇ／ｍｏｌであり、Ｄは２．１であった。

（ターポリマーＶＩを用いる下層反射防止膜の作製）
この手順では、実施例１３のターポリマーＶＩ、ＰＡＧ、および消光剤を用いて、下層反射防止膜を作製した。容器に、１．２１３６ｇのターポリマーＶＩ、０．３５８８ｇの実施例２７の架橋剤、７８．７２０ｇのＰＧＭＥ、１９．６８０ｇのＰＧＭＥＡ、０．００６３ｇの消光剤（１−Ｂｏｃ−４−ヒドロキシピペリジン）、および０．０２１３ｇのＴＰＳ−Ｃｌ、を投入した。混合物を室温で攪拌し、溶液を生成し、次にそれを０．ｌ−μｍのエンドポイントフィルタを通してろ過した。
次に、その結果の下層反射防止膜の膜および光学特性を、実施例２に記載の方法で、決定した。それを後の結果の表２に示す。
ターポリマーＩＩＩ下層反射防止膜の対比曲線を、上述の方法で、決定した。それを図２に示す。
次に、実施例２に記載した方法で、１９３−ｎｍリソグラフィーを実施した。その結果、図３に示す。

（ターポリマーＶＩＩの合成およびその沈殿）
この手順では、２１．９ｍｏｌ％のＥＭ、メタクリル酸、およびスチレンを用いて、ターポリマーを合成した。磁気攪拌棒と温度計を備える５００−ｍｌ三つ口フラスコに、１７．７２ｇ（７１．３ｍｍｏｌ）のＡｄａｍａｎｔａｔｅ^（Ｒ） ＥＭ、１５．８４ｇ（１５２．１ｍｍｏｌ）のスチレン、８．８０ｇ（１０２．２ｍｍｏｌ）のメタクリル酸、および２６７．６６ｇのＰＧＭＥ、を投入した。窒素排気アダプタ付きの凝縮器と窒素吸気アダプタ付きの滴下漏斗を、フラスコに取付けた。

次に、１２５−ｍｌナルゲンボトルに、０．８３７ｇ（５．１０ｍｍｏｌ）のＡＩＢＮおよび８９．１９６ｇのＰＧＭＥを投入した。これらの物質を室温で溶解するまで混合し、次に、滴下漏斗に加えた。反応フラスコを１０５℃のオイルバス中に浸漬した。反応溶液の温度が約１００℃に達した時に、ＡＩＢＮ溶液を、高速で滴下し、加えた。反応混合物を２４時間、温度を保ち、次に冷却させた。ＧＰＣによる、溶液中のターポリマー ＶＩＩのＭ_ｗは１３，３００ｇ／ｍｏｌ、Ｄは２．３であった。

ターポリマーＶＩＩ溶液の一部（〜３８０ｇ）が、１，９００ｍｌのヘキサン中に沈殿した。このターポリマーを、〜５０ｍｌアリコートのヘキサンを用いて、３回すすぎ洗いし、次に、４０℃の真空オーブンで乾燥させた。収量は、１６．６５ｇ（〜４４％回収）であった。ＧＰＣによる、ターポリマーＶＩｌのＭ_ｗは１５，７００ｇ／ｍｏｌ、Ｄは１．７であった。

（ターポリマーＶＩＩを用いる下層反射防止膜の作製）
この手順では、実施例１５のターポリマーＶＩＩ（２１．９ｍｏｌ％ＥＭ）、ＰＡＧ、および消光剤を用いて、下層反射防止膜を作製した。容器に、１．２１２９ｇのターポリマーＶＩＩ、０．３６０ｇの実施例２７の架橋剤、７８．０８ｇのＰＧＭＥ、１９．６７ｇのＰＧＭＥＡ、ＰＧＭＥ中の０．６３９ｇの１％消光剤（１−Ｂｏｃ−４−ヒドロキシピペリジン）、および０．０２２０ｇのＴＰＳ−Ｃｌ、を投入した。混合物を室温で攪拌し、溶液を生成し、次に、０．１μｍのエンドポイントフィルタを通して、ろ過した。

次に、ターポリマーＶＩＩ下層反射防止膜の膜および光学特性を、実施例２に記載の方法で、決定した。その結果を表２に示す。

また、ターポリマーＶＩＩ下層反射防止膜の対比曲線を、実施例２に記載の方法で、決定した。それを図２に示す。

（ターポリマーＶＩＩを用いるＰＡＧ−無し、下層反射防止膜の作製）
この手順では、実施例１５のターポリマーＶＩＩを用いて、ＰＡＧまたは消光剤を用いずに、下層反射防止膜を作製した。１２５−ｍｌアンバーナルゲンボトルに、１．２１３３ｇのターポリマーＶＩＩ、０．１８３ｇの実施例２７の架橋剤、６８．６７９ｇのＰＧＭＥ、および１７．１６９ｇのＰＧＭＥＡ、を投入した。混合物を、室温で、４．１時間、混転し、次に、０．１μｍのエンドポイントフィルタを通して、ろ過した。

その結果の下層反射防止膜を、１５００ｒｐｍで３０または６０秒間、シリコンウエハにスピン塗布し、１６０℃で６０秒間焼成した。その結果、膜厚は５３．３ｎｍであった。レジストＡＲＸ３００１ＪＮを用い、１１０℃、６０秒間のＰＡＢ／ＰＥＢを用いる、この下層反射防止膜の１９３−ｎｍリソグラフィーを図７に示す。

（実施例１〜１７の結果）
高活性化エネルギーグループである、ｔ−ブチルエステルのような、従来の酸に不安定なモノマー（実施例１３および１４参照）を、実施例１〜１２および１５〜１７では、活性化エネルギーが低くてよいアダマンチルメタクリレートモノマーに置き換えた。酸に不安定なモノマーが全体のポリマーに占めるパーセンテージが低いことを考慮すると、この小規模の変更によって、（１）誘導された下層反射防止膜の対比曲線と、ドーズツークリア（ｄｏｓｅ−ｔｏ−ｃｌｅａｒ（クリアにするのに必要な線量））（Ｅ_０）：および（２）１９３−ｎｍリソグラフィーにおける、下層反射防止膜の性能、において、劇的な、予想外の変化が起った。

（ターポリマーＩおよびポリマーアミン添加剤を用いる、ＰＡＧ−無し、下層反射防止膜の作製）
この手順では、実施例１のターポリマーＩ（ＩＰＭ）を、ポリマーアミン添加剤（消光剤）と共に用いて、ＰＡＧ−無し、下層反射防止膜を作製した。２５０−ｍｌアンバーナルゲンボトルに、０．５３６ｇの実施例２７の架橋剤、４−ビニルピリジンとｔ−Ｂｏｃ−オキシスチレン（自社合成）の０．５２ｍｇの１：１ｍｏｌの共重合体、１１６．７１０ｇのＰＧＭＥ、２９．１８６ｇのＰＧＭＥＡ、および１．８１７ｇのターポリマーＩ、を投入した。混合物を室温で１７時間混転し、溶液を生成した。次に、０．１μｍのエンドポイントフィルタを通して２回ろ過した。

その結果の下層反射防止膜を、１，５００ｒｐｍで６０秒間、シリコンウエハにスピン塗布し、次に、１６０℃で６０秒間焼成した。その結果の下層反射防止膜の光学および膜特性を、上述の実施例３（アミン添加剤無し）の手順に従って作製した、ＰＡＧ−無し、ターポリマーＩ下層反射防止膜の特性と共に、下の表３に示す。

１９３−ｎｍリソグラフィーのために、この反射防止膜をシリコンウエハ上に１，５００ｒｐｍで３０秒間スピン塗布し、その後、１６０℃で６０秒間焼成した。その結果の膜の厚みは、約５２ｎｍであった。フォトレジスト（１９０ｎｍのＡＲＸ３００１ＪＮ）を塗布し、その後、１１０℃で６０秒間ＰＡＢを行った。露光にはＡＳＭＬ１１００−ＡｒＦスキャナを用い、その後１０６℃で６０秒間ＰＥＢを行った。露光条件は次のとおりである。

照明様式− 環状（ａｎｎｕｌａｒ）
ＮＡ− ０．７５
シグマ− ０．８５／０．５７
目標ＣＤ− １３０−ｎｍＬ／２６０−ｎｍＰ（明視野）
現像 − ４５秒間のＯＰＤ２６２^Ａ
ＡＴＭＡＨ、ＡＲＣＨ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ社

図８の（ａ）および図８の（ｂ）に示すように、１３０−ｎｍの密集（１：１）および孤立ラインは、僅かなアンダーカットを示した。露光線量が２７ｍＪ／ｃｍ^２のときの、密集または孤立ラインの双方の、焦点深度（ＤＯＦ）は約０．３μｍであった。密集パターンに、いくつかのレジストのマイクロブリッジングが観察されたほかは、スペースはクリーンであった。この下層反射防止膜は、更なるＣＤの低減化への潜在性を示した。

（ＮＡＭＡを含むアダマンチルポリマーの合成）
この手順では、第４のモノマー、２−ナフトエ酸−３−メタクリレート（ＮＡＭＡ）を、ターポリマーＩ結合剤に、モノマー混合物の１４重量％の量で、組み込むことによって、新規なポリマー溶液を作製した。磁気攪拌棒および温度計を備える５００−ｍｌ三つ口フラスコに、９．０９ｇ（１０５．６ｍｍｏｌ）のメタクリル酸、１０．５６ｇ（１０１．４ｍｍｏｌ）のスチレン、８．７２ｇ（３３．２ｍｍｏｌ）のＡｄａｍａｎｔａｔｅ^（Ｒ）Ｍ−１０５（ＩＰＭ；出光興産、東京、日本）、４．５６ｇ（１７．８ｍｍｏｌ）のＮＡＭＡ、および２２１．５５ｇのＰＧＭＥ、を投入した。窒素排気アダプタ付きの凝縮器および窒素吸気アダプタ滴下漏斗を、フラスコに取付けた。混合物を室温で約４．５分間攪拌し、塵状の懸濁剤／溶液を得た。

７３．６０ｇのＰＧＭＥ中で、０．６８０ｇ（４．１４ｍｍｏｌ）のＡＩＢＮの溶液を作製し、滴下漏斗に投入した。反応混合物を室温で約１５分間、窒素でパージし、次にフラスコを１０６℃のオイルバスに浸漬した。攪拌した反応溶液が１０４℃に到達した時に、ＡＩＢＮ溶液を２分間にわたり滴下添加した。反応混合物を、約９６〜１０４℃で２４時間攪拌し、次に冷却させた。収量は、３２１．１ｇの溶液（９８％回収）、１０．１９重量％のポリマー固形物であった。ＧＰＣによる、溶液中の、ＮＡＭＡ−アダマンチルポリマーのＭ_ｗは、１３．２００ｇ／ｍｏｌ、Ｄは２．３４であった。

溶液からポリマーを沈殿させるために、頭上攪拌器と攪拌棒を備える４−リットルビーカーに、１リットルのヘキサンを投入した。滴下漏斗に、１００．５ｇのポリマー溶液を投入し、次に、攪拌したヘキサンに、９分間にわたって滴下添加し、室温で更に１０分間攪拌した。真空ろ過によって溶剤を除去した。ポリマーの入ったビーカーを５０℃の真空オーブンに０．５時間入れ、その後、室温で３日間乾燥した。次にビーカーを５０℃の真空オーブンに戻し、２１．５時間、静置した。次に、ポリマーを乳鉢と乳棒で粉砕して粉末にし、その後５０℃の真空オーブン内で、恒量まで乾燥した。収量は、６．３６ｇ（６２％回収）であった。ＧＰＣによる、沈殿したポリマーのＭ_ｗは、１３，４５０ｇ／ｍｏｌ、Ｄは２．１６であった。

（ＮＡＭＡ−アダマンチルポリマーからの下層反射防止膜の作製）
この手順では、実施例２０で作製したＮＡＭＡ−含有アダマンチルポリマーを用いて、下層反射防止膜を作製した。２５０−ｍｌアンバーナルゲンボトルに、０．５４２ｇの実施例２７の架橋剤、１．８２６ｇのＮＡＭＡポリマー、１１８．０１１ｇのＰＧＭＥ、および２９．１６９ｇのＰＧＭＥＡを投入した。混合物を室温で一晩混転し、次に、０．１μｍのエンドポイントフィルタを通して、２回ろ過した。

その結果の下層反射防止膜を、シリコンウエハに、１，５００ｒｐｍで３０秒間スピン塗布し、その後、１６０℃で６０秒間焼成した。その結果のＮＡＭＡ−含有アダマンチル下層反射防止膜の膜および光学特性を、上述の実施例３の手順に従って作製したＰＡＧ−無し、ターポリマーＩ下層反射防止膜の特性と共に、表３に示す。

次に、ＡＳＭＬ １１００−ＡｒＦスキャナを用いて、１９３−ｎｍリソグラフィーを実施した。この反射防止膜をシリコンウエハに１，５００ｒｐｍで３０秒間、スピン塗布し、その後、１６０℃で６０秒間焼成した。その結果生成された膜の厚みは、約４９ｎｍであった。フォトレジスト（１９０ｎｍのＡＲＸ３００１ＪＮ）を塗布し、ＰＡＢおよびＰＥＢを、双方とも、１１０℃で６０秒間行った。１０６℃で６０秒間のＰＥＢを行うと、密集Ｌ／Ｓおよび孤立ラインの双方とも、スペースがより汚損することが見出された。露光条件は、次のとおりである。

照明様式− 環状（ａｎｎｕｌａｒ）
ＮＡ− ０．７５
シグマ− ０．８５／０．５６７
目標ＣＤ− １３０−ｎｍＬ／２６０−ｎｍＰ（明視野）
現像 − ４５秒間のＯＰＤ２６２

図９の（ａ）および図９の（ｂ）ＳＬＭ断面写真でわかるように、露光線量２５ｍＪ／ｃｍ^２のときに、密集および孤立ラインの双方ともに約０．２μｍのＤＯＦを用いて、良好な１３０−ｎｍ Ｌ／Ｓ（１：１および孤立ライン）が、得られた。

（膜および光学結果、実施例１８〜２０）
表示した膜厚は、ＥＬ剥離に用いたウエハからのみのものである。暗損失評価のために、溶剤を塗り付ける前に、膜に１１０℃で６０秒間ＰＥＢを実施した。

（ＰＡＧ−無し、ターポリマーＩ反射防止膜および追加の１９３−ｎｍフォトレジストを用いたリソグラフィー比較）
この手順では、２種の市販のフォトレジストおよび、上述の実施例３の手順に従って作製したＰＡＧ−無し、下層反射防止膜（ＩＭＰターポリマーＩ）を用いて、選択したリソグラフィーを実施した。各試験のために、下層反射防止膜を１，５００ｒｐｍで３０秒間シリコンウエハにスピン塗布し、その後１６０℃で６０秒間焼成した。膜の厚みは、５５ｎｍであった。次に市販のフォトレジスト（ＴＡｒＦ−Ｐｉ６−００１、ＴＯＫ社製；またはＳＡＩＬ−Ｘ−Ｉ８１、Ｓｈｉｎ−Ｅｔｓｕ社製）を、この膜に塗布した。各フォトレジトの条件および露光パラメータを以下に示す。

（ＴＡｒＦ−Ｐｉ６−００１） （ＳＡＩＬ−Ｘ−１８１）
ＰＡＢ １１０℃で６０秒間 １０５℃で６０秒間
レジスト厚み １３０ｎｍ １５５ｎｍ
照明様式 従来式 ダイポール３５Ｙ
ＮＡ ０．７５ ０．７５
シグマ ０．８９ ０．８９：０．６５
目標ＣＤ 130-nm L/260-nm P（明視野） 80-nm L/l60-nm P（明視野）
ＰＥＢ １１４℃で６０秒間 １１０℃で６０ 秒間
現像 ＯＰＤ２６２ ４５秒間 ＯＰＤ２６２ ４５秒間

露光には、ＡＳＭＬ １１００−ＡｒＦスキャナを使用した。ＳＥＭ断面写真を、図１０に示す。レジストＴＡｒＦ−Ｐｉ６−００１（ａ）については、０．０μｍ焦点での、選択した解像度毎（ｔｈｒｏｕｇｈ−ｒｅｓｏｌｕｔｉｏｎ）のリソグラフィーの結果を、示す。レジストＳＡＩＬ−Ｘ−１８１（ｂ）については、０．０および＋０．１μｍ焦点で、１：１および１：１．５ Ｌ／Ｓにおいて、解像度は１３０ｎｍであった。このレジストは、より少ない、光酸拡散／活性を示す。

全般的には、この実施例は、本発明のＰＡＧ−無し、ターポリマーＩ下層反射防止膜が、様々なレジストとの、驚くべき適合性を示すことを明らかに示した。

（ＰＡＧ−無し、ターポリマーＩの反射防止膜の昇華物）
この手順では、実施例３の手順に従って作製されたＰＡＧ−無し、反射防止膜からの、焼成工程中の、昇華物を、２種の市販の１９３−ｎｍの乾式下層反射防止膜からの、昇華物と比較した。ガラスのベルジャーに取付けられたノズルの上に、水晶振動子の微量天秤（ＱＣＭ）を取付けた。回収のために、真空を適用して昇華物を水晶まで上に移動させた。そこで凝縮昇華物を、水晶振動の変化に基づいて、記録する。凝縮しない溶剤は測定されない。電極を水晶に接続し、次に、データをコンピュータに転送し、コンピュータは振動の変化を、リアルタイムでグラフ化する。これを計算して、昇華物対加熱時間（秒）のナノグラムにした。標準の１９３−ｎｍ乾式現像下層反射防止膜コントロールは、ＡＲＣ^（Ｒ） ２９Ａ−８およびＡＲＣ^（Ｒ）１６２−３０４−２（双方ともＢｒｅｗｅｒ Ｓｃｉｅｎｃｅ Ｉｎｃ社製，ＲｏＩｋ、ＭＯ州）であった。焼成パラメータは、ＰＡＧ−無し、ターポリマーＩ下層反射防止膜（厚みは４９．５ｎｍ）に関しては、１６０℃で１２０秒間であり、乾式下層反射防止膜（厚みは、それぞれ７５．３ｎｍおよび３９．１ｎｍ）に関しては、２０５℃で１２０秒間であった。昇華物回収のために、ホットプレートを指定された温度でおよそ１分間保持してから、コーティングしたばかりのウエハを、ガラスベルジャーの下の配置した。その結果および比較を図１〜１２に示す。ＰＡＧ−無し、ターポリマー１下層反射防止膜の昇華物は、乾式下層反射防止膜ＡＲＣ^（Ｒ）２９Ａ−８に比べてかなり低く、乾式下層反射防止膜ＡＲＣ^（Ｒ）１６２−３０４−２の昇華物とほぼ同じレベルであった。

（シリコンウエハ上の現像後残滓の比較）
この手順では、実施例３に従って作製されたＰＡＧ−無し、ターポリマーＩ下層反射防止膜のシリコン基板上の現像後の残滓の量を、市販の湿式現像可能な反射防止膜の残滓と比較した。膜ウエハは、ＰＡＧ−無し、ターポリマーＩ下層反射防止膜、およびＡＲＣ^（Ｒ）ＤＳ−Ａ５２０（Ｂｒｅｗｅｒ Ｓｃｉｅｎｃｅ Ｉｎｃ社製）の双方とも、フォトレジスト（ＡＲＸ３００１ＪＮ）を用いて作製し、そしてＡＣＴ８ＴｅｌトラックおよびＡＳＭＬ ＰＡＳ５５００^（ＴＭ）／１１００スキャナを用いて露光を行った。膜厚は、双方の反射防止膜とも、同じ（５５ｎｍ）であった。ＰＡＧ−無し、下層反射防止膜のＰＥＢは、１０６℃で６０秒間であったが、一方ＡＲＣ^（Ｒ）ＤＳ−Ａ５２０には１１０℃で６０秒間のＰＥＢを行った。フォトレジスト膜の厚みは１９０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲であり、ＰＡＢはＩ１０℃で６０秒間であった。従来の照明を用いて、オープンフレーム露光を用いて、蛇行（ｍｅａｎｄｅｒｉｎｇ）線量マトリックスを作成した。ＯＰＤ２６２で、４５秒間、現像した後、Ｗｏｏｌｌａｍ Ｍ２０００エリプソメータを用いて、残りの有機残滓を測定した。

結果を図１３に示したが、シリコン基板上のＰＡＧ−無し、下層反射防止膜の現像後残滓は、前世代のＡＲＣ^（Ｒ）ＤＳ−Ａ５２０に比べると、初期膜厚に対する依存度がはるかに低いことを証明している。ＰＡＧ−無し、ターポリマーＩ反射防止膜については、膜厚が増加すると、残滓が減少するという傾向が僅かに見られる。露光線量毎（ｔｈｒｏｕｇｈ−ｅｘｐｏｓｕｒｅ ｄｏｓｅ）の測定から同じような傾向が観察された。基板上のトポグラフィーの厚みの変化は、本発明のＰＡＧ−無し、下層反射防止膜が、従来の湿式現像膜より、残滓の問題が少ないことを示す結果を示している。１５ｍＪ／ｃｍ^２〜６１ｍＪ／ｃｍ^２の範囲の放射線エネルギーの変化がＡＲＣ^（Ｒ）ＤＳ−Ａ５２０を用いる場合の現像後残滓に変化をもたらした。しかし、レジストＡＲＸ３００１ＪＮおよびＰＡＧ−無し、下層反射防止膜を用いる場合は、１５ｍＪ／ｃｍ^２〜６１ｍＪ／ｃｍ^２の露光線量範囲にわたり、現像後残滓には最小限の変化しかなかった。

（窒化ケイ素基板上の現像後残滓の比較）
この手順では、窒化ケイ素を蒸着したシリコン基板上の残滓の量を、２種の湿式現像可能な反射防止膜を用いて比較した。実施例３に従って作製されたＰＡＧ−無し、ターポリマーＩ下層反射防止膜およびＡＲＣ^（Ｒ）ＤＳ−Ａ５２０（Ｂｒｅｗｅｒ Ｓｃｉｅｎｃｅ Ｉｎｃ社製）を、同一の窒化ケイ素基板にスピン塗布し、次に各組成物に関し、１６０℃で６０秒間焼成し、比較のために、膜厚を５５ｎｍにした。次に双方の膜ウエハを、フォトレジスト（ＡＲＸ３００１ＪＮ）でスピンコートし、その結果、１１０℃で６０秒間のＰＡＢの後、１９０ｎｍのレジスト膜を得た。オープンフレームＡｒＦ放射を、Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−Ｓ３０７Ｅ装置を用いて、実施し、その後、１０６℃で６０秒間のＰＥＢを、本発明のＰＡＧ−無し、下層反射防止膜に行い、１１４℃で６０秒間のＰＥＢを、ＡＲＣ^（Ｒ）ＤＳ−Ａ５２０に行った。露光した積層を、次に、ＮＭＤ−３ ２．３８％（ＴＭＡＨ；Ｏｈｋａ Ａｍｅｒｉｃａ， Ｉｎｃ社、 Ｍｉｌｐｉｔａｓ、ＣＡ州）を６０秒間用いて現像した。双方の下層反射防止膜に関する残滓データを残滓厚み対露光線量として、図１４に図示する。各データポイント測定値で、またはその近くで、窒化物の厚みを測定した。ＰＡＧ−無し、ターポリマーＩ下層反射防止膜からの残滓は、漸近線が１８ｍＪ／ｃｍ^２近辺に到達するまでは、線量毎に、急速に減少し、その後、残滓の量は、線量毎に、安定してとどまった。従って、１４〜２５ｍＪ／ｃｍ^２のＡｒＦ露光線量に関しては、ＰＡＧ−無し、ターポリマーＩ下層反射防止は、窒化ケイ素基板上の従来の湿式現像可能な膜に比べて、より少ない残滓を生成すると予想される。また、本発明のＰＡＧ−無し、下層反射防止膜が、特に、ドーズツークリア（Ｅ_０）において、最も少ない残滓を生成したことも観察された。

（ＰＡＧ−無し、ターポリマーＩ下層反射防止膜を用いる、追加のリソグラフィー）
この手順では、フォトレジストＡＲＸ３００１ＪＮ（１９０−ｎｍの厚み）を用いて、実施例３に従って作製したＰＡＧ−無し、アダマンチルＩ下層反射防止膜の解像度性能を試験した。ＡＳＭＬ １１００−ＡｒＦスキャナを用いて、露光し、１１０℃で６０秒間のＰＡＢを行い、様々な温度（１０２℃、１０６℃、１１０℃、１１４℃）で、６０秒間のＰＥＢを行った。露光条件は、次のとおりである。

照明様式− 従来式
ＮＡ− ０．７５
シグマ− ０．８９
目標ＣＤ− １３０−ｎｍＬ／２６０−ｎｍＰ（明視野）
現像 − ４５秒間のＯＰＤ２６２

ＳＥＭ断面で識別した最良の露光線量である２５ｍＪ／ｃｍ^２、および０．０μｍ焦点で、断面のＳＥＭ写真を作成した。１０６℃のＰＥＢの、解像度１１０ｎｍ〜１６０ｎｍの写真を図１５の（ａ）に示す。解像度１３０−、１４０−、１５０−、および１６０−ｎｍにおいて、許容可能なＬ／Ｓ（１：１、１：３、および孤立ライン）が得られた。密集（１：１）Ｌ／Ｓは、解像度１２０−ｎｍにおいて、許容可能であったが、孤立ラインは損失した。最少量の残滓が開口領域において観察された。

解像度１３０−ｎｍにおいて、ＫＬＡ ８１００ＸＰを用いたＣＤ−ＳＥＭによる、孤立／密集のバイアスは、約１０ｎｍであった。これは、１：３Ｌ／Ｓおよび孤立ラインに関し、目標ＣＤの１０％以内である。表示したＳＥＭ写真のすべてにおいて、解像度１２０ｎｍ〜１６０ｎｍにおいて、ラインは、その基部でアンダーカット、またはピンチを示した。１０２℃および１０６℃のＰＥＢのＤＯＦは、０．３０μｍであり、一方１１０℃のＰＥＢは０．４０μｍという僅かに高いＤＯＦを示した。ＰＥＢにおける上昇とともにアンダーカットが増加するので、１１４℃のＰＥＢは０．１０μｍのＤＯＦを示した。図１５の（ｂ）にはＰＥＢ毎（ｔｈｒｏｕｇｈ−ＰＥＢ）に行った試験に関するリソグラフィーの結果が、示されている。これらのデータは、ＰＥＢが上昇すると、下層反射防止膜は、更に厳しいアンダーカットが発生し、それによって露光していない部分への実質的な酸拡散を示すことを証明している。この反射防止膜とフォトレジストとの組合せは、約８℃のＰＥＢウインドウを持つと考えられる。図１５（ａ）〜（ｂ）のプロファイルに示すように、このフォトレジストは下層反射防止膜への一貫した酸拡散をもたらしている。

（ＰＡＧ−無し、ターポリマーＩ下層反射防止膜を用いる、追加のリソグラフィー）
この手順では、フォトレジスト ＡＲＸ３３４０Ｊ（ＪＳＲ Ｍｉｃｒｏ社）を２３０−ｎｍの厚みで用いて、実施例３に従って作製したＰＡＧ−無し、ターポリマー１下層反射防止膜の解像度性能を試験した。ＡＳＭＬ １２５０−ＡｒＦスキャナを用いて、露光し、１１０℃で６０秒間のＰＡＢを行い、様々な温度（１０６℃、１１０℃、１１４℃および１１８℃）で、６０秒間のＰＥＢを行った。露光条件は、次のとおりである。

照明様式− 従来式
ＮＡ− ０．８５
シグマ− ０．５
目標ＣＤ− １５０−ｎｍＳ／３７５−ｎｍＰ（暗視野）
現像 − ４５秒間のＯＰＤ２６２

その結果生成された断面のＳＥＭ写真を図１６に示す。これらのパターンは、露光線量がそれぞれ２１、２０、および２０ｍＪ／ｃｍ^２であり、ＰＥＢ温度が低い、３種すべてについては、ＤＯＦが約０．２５μｍであったが、露光線量が２０ｍＪ／ｃｍ^２で、ＰＥＢ温度が最も高い場合は、ＤＯＦは僅か約０．１０μｍであった。これらの結果は、８℃のＰＥＢウインドウを示している。レジストラインの上側はインデントする傾向があった。また、ラインの基部において、いくつかの僅かなアンダーカットが発生した。しかしながらアンダーカットの出現は、フォトレジストＡＲＸ３００１ＪＮを用いたときよりも、はるかに少なかった。ＰＥＢ温度が上昇したとしても、反射防止膜のアンダーカットは、図１５（ｂ）に示すように、フォトレジストＡＲＸ３００１ＪＮを用いたときの行動よりも一貫性が高い。概して、フォトレジストＡＲＸ３３４０Ｊは、反射防止膜との良好な適合性を有し、それによって、酸が膜の脱架橋および脱保護を行うことに、十分貢献し、一方、露光していない部分へのアンダーカットを限定するように維持することを示した。従って、ＰＥＢウインドウはフォトレジストＡＲＸ３００１ＪＮの場合と同等であるが、一方、下層反射防止膜プロファイルの行動は改善された。

（ビニルエーテル架橋剤の調合）

この手順では、２５．１５ｇのテトラメチレングリコールモノビニルエーテル（Ａｌｄｒｉｃｈ社、Ｓｔ Ｌｏｕｉｓ、ＭＯ州）、２２．９１ｇのトリエチルアミン（Ａｌｄｒｉｃｈ社、Ｓｔ Ｌｏｕｉｓ、ＭＯ州）、および２５０ｍｌのテトラヒドロフラン（ＴＨＦ；Ａｌｄｒｉｃｈ社、Ｓｔ Ｌｏｕｉｓ、ＭＯ州）を、５００−ｍｌ二口フラスコに添加することによって、実施例２、３、５、６、８、１０、１２、１４、１６〜１８、および２０で用いられる、自製のビニルエーテル架橋剤（トリス［４−（ビニロキシ）ブチル］−ベンゼントリカボキシレート）を作製した。フラスコは、攪拌棒、追加の漏斗、凝縮器、および窒素吸気および排気を備える。フラスコを冷水槽に浸漬し、溶液を窒素流下で攪拌した。

次に、２０．００ｇの１、３、５−ベンゼントリカルボニルトリクロリド（Ａｌｄｒｉｃｈ社、Ｓｔ Ｌｏｕｉｓ、ＭＯ州）を２５０−ｍｌエリレンメイヤーフラスコ中の、５０ｍｌのＴＨＦに溶解した。この溶液を、５００−ｍｌ二口フラスコの追加の漏斗に移し、攪拌中のテトラメチレングリコールモノビニルエーテル／トリエチルアミン／ＴＨＦ溶液に、約１５分間の間、滴下添加し、添加を完了させた。接触により、白色の沈殿が形成された。次にフラスコを氷槽から取り出し、フラスコ内でスラリーが室温になるように放置した。それにはおよそ１６時間を要した。次にスラリーを加熱して、４時間還流した。フラスコを加熱から外し、室温まで冷却させた。次に吸引ろ過装置を用いてスラリーをろ過し、ロータリーエバポレータを用いて、凝縮し、粘性の黄色い液体を得た。

この液体を、１００ｍｌのジエチルエーテル（Ａｌｄｒｉｃｈ社、Ｓｔ Ｌｏｕｉｓ、ＭＯ州）中に溶解し、２５−ｍｌ部の水、１２．５％のＴＭＡＨ（Ａｌｄｒｉｃｈ社、Ｓｔ Ｌｏｕｉｓ、ＭＯ州）、を用いて、２回洗浄した。エーテル層を、分液漏斗を用いて抽出し、次に、５０−ｍｌ部の脱イオン水を用いて、２回洗浄した。次にエーテル層を沈降させ回収した。５．０ｇの活性塩基性アルミナと混合することによって、エーテル層を乾燥した。混合物を１時間攪拌し、重力ろ過した。ロータバップ中に、透明の黄色い液体が凝縮し、黄色の粘性のオイルを得た。全体の歩留まりは、およそ、２９．２８ｇ（７７％収率）であった。

（追加のビニルエーテル架橋剤の調合）

この実施例では、別の架橋剤の作製を記載する。架橋剤は、２４．７０ｇの２−（ビニロキシ）エタノール、２７．４４ｇのトリエチルアミン、および３００ｍｌのＴＨＦを、５００−ｍｌ二口フラスコに添加することによって作製しうる。溶液を氷水槽中に浸漬し、窒素流下で攪拌する。

次に、２４．０１ｇの１、３、５−ベンゼントリカルボニルトリクロリドを、２５０−ｍｌエルレンメイヤーフラスコ中の、１００ｍｌのＴＨＦ中に、溶解する。次にこの溶液を、２−（ビニロキシ）エタノール／トリエチルアミン／ＴＨＦ溶液に、、滴下添加し、添加を完了させる。次に、スラリーを室温にさせ、加熱し、約４時間還流させる。スラリーを、室温まで冷却させ、次に、吸引ろ過装置を用いてろ過する。次に、この溶液を、ロータリーエバポレータを用いて、凝縮させ、粘性の黄色の液体を得る。

次に、この液体を、１００ｍｌのエーテルに溶解し、５０−ｍｌ部の水性ＴＭＡＨを用いて、２回洗浄する。次に、エーテル層を抽出し、５０−ｍｌ部の脱イオン水を用いて、２回洗浄する。次に、エーテル層を無水硫酸マグネシウムの上で乾燥させる。最後に、圧力下で溶剤を除去する。

Claims (30)

1. 以下の工程を含む、マイクロエレクトロニクス構造を形成する方法：
   （ａ） 表面を有する基板を準備する工程；
   （ｂ） 前記表面の上に反射防止層を形成する工程であって、前記反射防止層は、溶剤系中に溶解または分散されたポリマーを含有する反射防止組成物から形成され、前記ポリマーはアダマンチル基を有する繰り返しモノマー単位を含む、工程；および
   （ｃ） 前記反射防止層にフォトレジストを塗布し、画像形成層を形成する工程。
2. 前記アダマンチル基は酸に不安定である、請求項１に記載の方法。
3. 前記反射防止組成物はビニルエーテル架橋剤を更に含む請求項１に記載の方法。
4. 前記形成工程（ｂ）の後に、前記反射防止層を架橋する工程を更に含む、請求項１に記載の方法。
5. 前記架橋工程は、フォトレジスト溶剤に実質的に不溶性である反射防止層を生成する請求項４に記載の方法。
6. 前記アダマンチル基は、前記架橋工程には、関与しない、請求項４に記載の方法。
7. 以下の工程を更に含む、請求項４に記載の方法：
   （ｄ） 前記画像形成層および前記反射防止層を放射線に露光して、前記画像形成層および前記反射防止層に露光部分を、生成する工程。
8. 以下の工程を更に含む、請求項７に記載の方法：
   （ｃ） 前記画像形成層および前記反射防止層を、現像剤に接触させ、前記基板表面から前記露光部分を除去する工程。
9. 前記露光工程は、前記反射防止層に脱架橋をもたらす、請求項７に記載の方法。
10. 前記脱架橋した反射防止層は遊離アダマンチルを含有する、請求項９に記載の方法。
11. 前記反射防止層は、塩基性現像剤中で、初期溶解度を有し、前記露光工程（ｄ）の後、前記反射防止層の前記露光部分は、塩基性現像剤中で、最終溶解度を有し、前記最終溶解度は、前記初期溶解度よりも大きい、請求項７に記載の方法。
12. 前記反射防止組成物は、実質的に、酸発生剤を含まず、前記画像形成層は、前記露光工程（ｄ）の間に酸を発生し、それによって、前記反射防止層の前記露光部分を脱架橋する、請求項７に記載の方法。
13. 前記ポリマーは、アダマンチルアクリレートおよびアダマンチルメタクリレートから成る群から選択される第１の化合物と、スチレン、アクリル、メタクリル、ビニル、ビニルエーテル、それらの誘導体，およびそれらの組合せ、から成る群から選択される第２の化合物との重合から形成される、請求項１に記載の方法。
14. 以下を含む、マイクロエレクトロニクス構造：
    表面を有する基板；
    前記基板表面に隣接する、硬化した反射防止層であって、該反射防止層は、溶剤系中に溶解または分散されたポリマーを含有する反射防止組成物から形成され、前記ポリマーはアダマンチル基を有する繰り返しモノマー単位を含む、反射防止層；および
    前記反射防止層に隣接するフォトレジスト層。
15. 前記反射防止組成物は、ビニルエーテル架橋剤を更に含む、請求項１４に記載の構造。
16. 前記反射防止組成物は、実質的に酸発生剤を含まない、請求項１４に記載の構造。
17. 前記反射防止層は湿式現像可能である、請求項１６に記載の構造。
18. 前記アダマンチル基は、酸に不安定である、請求項１４に記載の構造。
19. 前記基板は、ケイ素、ＳｉＧｅ、ＳｉＯ_２、Ｓｉ_３Ｎ_４、アルミニウム、タングステン、ケイ化タングステン、ガリウム砒素、ゲルマニウム、タンタル、窒化タンタル、サンゴ、ブラックダイヤ、リンまたはホウ酸ドープガラス、イオン注入層、窒化チタン、酸化ハフニウム、酸窒化ケイ素、およびそれらの混合物、から成る群から選択される、請求項１４に記載の構造。
20. 溶剤系中に溶解または分散された架橋可能なポリマーと架橋剤とを含有する反射防止組成物であって、前記ポリマーはアダマンチル基を有する繰り返しモノマー単位と、酸基を有する繰り返しモノマー単位とを含む、反射防止組成物。
21. 前記アダマンチル基は、酸に不安定である、請求項２０に記載の組成物。
22. 前記酸基を有する繰り返しモノマー単位は、以下から成る群から選択される、請求項２０に記載の組成物：
    

    

    式中、
    各Ｒｌは、−Ｈ、分岐および非分岐アルキル、および環状系、から成る群から選択され；
    各Ｒ２は、−ＯＨ、−Ｌ−ＯＨ、−ＣＯＯＨ、Ｌ−ＣＯＯＨ、および−Ｌ−Ｃ（ＣＦ_３）_２ＯＨ、から成る群から独立に選択され、ここでＬは、任意の適切な連結基でありうる。
23. 前記繰り返しモノマー単位は、以下から成る群から選択されるアダマンチル基を有する、請求項２０に記載の組成物：
    

    

    式中：
    各Ｒｌは、−Ｈ、分岐および非分岐アルキル、および環状系、から成る群から選択され：そして
    各Ｒ３は、以下から成る群から独立に選択され、
    

    

    式中、
    Ｒ４は、分岐および非分岐アルキルおよびシアノアルキルから成る群から独立に選択される。
24. 前記ポリマーは以下の繰り返しモノマーを含有する請求項２０に記載の組成物：
    

    

    式中：
    各Ｒｌは、−Ｈ、分岐および非分岐アルキル、および環状系、から成る群から選択され；
    各Ｒ２は、−ＯＨ、−Ｌ−ＯＨ、−ＣＯＯＨ、−Ｌ−ＣＯＯＨ、および−Ｌ−Ｃ（ＣＦ_３）_２ＯＨ、から成る群から独立に選択され、ここで、Ｌは、任意の適切な連結基であり；そして
    各Ｒ３は、以下から成る群から独立に選択され、
    

    

    式中、
    Ｒ４は、分岐および非分岐アルキルおよびシアノアルキルから成る群から独立に選択される。
25. 染料を更に含む、請求項２０に記載の組成物。
26. 前記染料は前記ポリマーに結合している、請求項２５に記載の組成物。
27. 前記架橋剤はビニルエーテル架橋剤である、請求項２０に記載の組成物。
28. 前記溶剤系中に分散または溶解した光酸発生剤を更に含む、請求項２０に記載の組成物。
29. 実質的に酸発生剤を含まない、請求項２０に記載の組成物。
30. 前記溶剤系は、エチルラクテート、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールメチルエーテル、プロピレングリコール ｎ−プロピル エーテル、シクロヘキサノン、ガンマ‐ブチロラクテーン、およびそれらの混合物、から成る群から選択される、請求項２０に記載の組成物。

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