[go: up one dir, main page]

JP2012517068A - メモリ装置、メモリ管理装置、およびメモリ管理方法 - Google Patents

メモリ装置、メモリ管理装置、およびメモリ管理方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2012517068A
JP2012517068A JP2011547758A JP2011547758A JP2012517068A JP 2012517068 A JP2012517068 A JP 2012517068A JP 2011547758 A JP2011547758 A JP 2011547758A JP 2011547758 A JP2011547758 A JP 2011547758A JP 2012517068 A JP2012517068 A JP 2012517068A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
memory
inspection
information
data pattern
data
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2011547758A
Other languages
English (en)
Inventor
ヒュン モ チャン
ヨン スク イ
Original Assignee
インディリンクス カンパニー リミテッド
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by インディリンクス カンパニー リミテッド filed Critical インディリンクス カンパニー リミテッド
Publication of JP2012517068A publication Critical patent/JP2012517068A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/04Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
    • G11C29/08Functional testing, e.g. testing during refresh, power-on self testing [POST] or distributed testing
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F11/00Error detection; Error correction; Monitoring
    • G06F11/07Responding to the occurrence of a fault, e.g. fault tolerance
    • G06F11/08Error detection or correction by redundancy in data representation, e.g. by using checking codes
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F30/00Computer-aided design [CAD]
    • G06F30/30Circuit design
    • G06F30/32Circuit design at the digital level
    • G06F30/33Design verification, e.g. functional simulation or model checking
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C16/00Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/34Determination of programming status, e.g. threshold voltage, overprogramming or underprogramming, retention
    • G11C16/349Arrangements for evaluating degradation, retention or wearout, e.g. by counting erase cycles
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/04Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
    • G11C29/08Functional testing, e.g. testing during refresh, power-on self testing [POST] or distributed testing
    • G11C29/12Built-in arrangements for testing, e.g. built-in self testing [BIST] or interconnection details
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C16/00Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/04Erasable programmable read-only memories electrically programmable using variable threshold transistors, e.g. FAMOS

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Evolutionary Computation (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Quality & Reliability (AREA)
  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
  • For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)

Abstract

【課題】CPUがRAMに対してアクセスすることなく、メモリの所定領域に記録されているデータのパターンを検査すること。
【解決手段】メモリ装置は、CPUから検査命令および検査情報を受信すると、前記検査命令に対応して前記検査情報に基づいてメモリの所定領域に記録されているデータを読み出した後、前記検査情報に基づいて前記読み出されたデータのデータパターンを検査する。
【選択図】図1

Description

本発明にはメモリ装置、メモリ管理装置、およびメモリ管理方法が開示される。特に、システム性能が低下することなく、メモリに記録されているデータのパターンを検査することのできるメモリ装置、メモリ管理装置、およびメモリ管理方法が開示される。
データを格納するストレージ装置として、磁気ディスク、半導体メモリなどがあり得る。ストレージ装置は、種類ごとに互いに異なる物理的な特性を有するため物理的な特性に対応する管理方法が必要である。
従来におけるストレージ装置として磁気ディスクが広く用いられている。磁気ディスクは、平均的にキロバイト(kilobyte)当たり数ミリ秒の読み出しおよび書き込み時間を特性として有する。また、磁気ディスクは、データの格納された物理的な位置に応じて、アーム(arm)の達する時間が異なるために読み出しおよび書き込み時間が変わる特性を有する。
最近では磁気ディスクに比べて読み出しおよび書き込み時間が短く、小さい電力の消耗や小さい体積を占める不揮発性メモリが急速に磁気ディスクに代替されている。これは不揮発性メモリの大容量化が行われることからの結果である。
不揮発性メモリは、電気的に読み出し、書き込み、および消去が可能であり、供給電源のない状態でも格納されたデータを維持することのできる半導体記憶装置である。不揮発性メモリ装置に対するデータの格納過程は、書き込みの他にプログラミングと呼ばれる。
不揮発性メモリの代表的なものとしてフラッシュメモリが挙げられ、フラッシュメモリは従来のハードディスクドライブ(Hard Disk Drive、HDD)に比較すると大きさが小さく、電力消費量が小さく、読み出し速度が向上するという利点がある。最近では大容量のフラッシュメモリを用いてHDDを代替するためのSSD(Solid State Disk)が提案されたりもする。
フラッシュメモリの種類として代表的なものがNAND方式のフラッシュメモリおよびNORフラッシュメモリなどが挙げられる。NAND方式およびNOR方式は、セルアレイの構成および動作方式によって区別され得る。
フラッシュメモリは複数のメモリセルの配列からなり、1つのメモリセルは1つ以上のデータビットを格納してもよい。1つのメモリセルはコントロールゲート(control gate)およびフローティングゲート(floating gate)を含み、コントロールゲートおよびフローティングゲートの間には絶縁体が挿入され、フローティングゲートおよびサブストレートの間にも絶縁体が挿入される。
このような不揮発性メモリは、所定のコントローラによって管理される。そして、このようなコントローラの性能に応じて不揮発性メモリ全体の性能が決定され得る。
したがって、メモリを効率的に管理および制御できる方案に対する研究が求められている。
特開2007−272982号公報 特開2007−201786号公報 特開2007−010606号公報 特開2002−170397号公報
本発明の目的は、CPUがRAMに対してアクセスすることなく、メモリの所定領域に記録されているデータのパターンを検査することのできるメモリ装置、メモリ管理装置、およびメモリ管理方法を開示することによって、データパターンの検査時に発生し得るシステムの性能低下を防止することにある。
本発明の一実施形態に係るメモリ装置は、CPUから検査命令および検査情報を受信する受信部と、前記検査命令に対応して前記検査情報に基づいてメモリの所定領域に記録されているデータを読み出す読み出し部と、前記検査情報に基づいて前記読み出されたデータのデータパターンを検査する検査部とを備える。
また、本発明の一実施形態に係るメモリ管理装置は、CPUによって検査命令および検査情報が記録される制御レジスタと、前記制御レジスタに前記検査命令および検査情報が記録されると、前記検査命令に対応して前記検査情報に基づいてメモリの所定領域に記録されているデータを読み出す読み出し部と、前記検査情報に基づいて前記読み出されたデータのデータパターンを検査する検査部と、前記検査部の検査結果が記録される状態レジスタとを備える。
また、本発明の一実施形態に係るメモリ管理方法は、CPUから検査命令および検査情報を受信するステップと、前記検査命令に対応して前記検査情報に基づいてメモリの所定領域に記録されているデータを読み出すステップと、前記検査情報に基づいて前記読み出されたデータのデータパターンを検査するステップとを含む。
本発明によると、CPUがRAMに対してアクセスすることなく、メモリの所定領域に記録されているデータのパターンを検査できるメモリ装置、メモリ管理装置、およびメモリ管理方法を開示することによって、データパターンの検査時に発生し得るシステムの性能低下を防止することができる。
本発明の一実施形態に係るメモリ装置の構造を示す図である。 本発明の一実施形態に係るメモリ管理装置の構造を示す図である。 本発明の一実施形態に係るメモリ管理方法を示すフローチャートである。
以下は、添付する図面を参照しながら本発明に係る実施形態を詳説する。しかし、本発明が実施形態によって制限されたり限定されたりすることはない。また、各図面に提示された同一の参照符号は同一の部材を示す。
一般的に、不揮発性メモリに対するプログラミングはページ単位に行われてもよく、消去はブロック単位に行われてもよい。ここで、ブロックは複数のページを含んでもよい。
また、不揮発性メモリを管理するメモリコントローラは外部のホストまたはプロセッサに論理アドレスを提供し、不揮発性メモリに対して物理アドレスを提供してもよい。
ここで、メモリコントローラは、物理アドレスを用いて不揮発性メモリを管理し、物理アドレスを論理アドレスに変換してもよい。
ここで、物理アドレスおよび論理アドレスの変換が行われる階層をフラッシュ変換階層(Flash Translation Layer:FTL)と呼んでもよい。
不揮発性メモリの代表的なものとしてフラッシュメモリが挙げられるが、このようなフラッシュメモリは、代表的にNAND方式のフラッシュメモリおよびNOR方式のフラッシュメモリなどに分類されてもよい。
NAND方式のフラッシュメモリは、NOR方式のフラッシュメモリに比べて集積度が高くて容量対価格比が高いことから、不揮発性メモリに多く用いられているものの、NOR方式のフラッシュメモリとは異なってランダムアクセスが不可能である。
したがって、NAND方式におけるフラッシュメモリの特定領域に記録されているデータのパターンを検査するためには、特定領域の内容をRAMで読み出した後、RAMに複写された内容を検査する方法を使用しなければならない。
この場合、メモリからRAMにデータを読み込む過程と、データ内容を検査するためにCPU(Central Processing Unit)がRAMにアクセスする過程が必要であるため、2回にかけたメモリバス(bus)のアクセスが求められることで、全般的なシステムの性能低下が発生する恐れがある。
したがって、本発明の一実施形態に係るメモリ装置およびメモリ管理装置は、CPUから選定された(predetermined)データパターンが伝達され、メモリの特定領域に記録されているデータのパターンと前記選定されたデータパターンとを比較し、前記メモリの特定領域に記録されているデータのパターンを検査することによって、CPUおよびメモリバスの占有によるシステムの性能低下を防止することができる。
したがって、以下では図1および図2を参照して本発明の一実施形態に係るメモリ装置およびメモリ管理装置に対して詳説する。
図1は、本発明の一実施形態に係るメモリ装置の構造を示す図である。
図1を参照すると、CPU110、メモリ装置120が図示されている。
メモリ装置120は、受信部121、読み出し部122、検査部123を備えてもよい。
本発明の一実施形態によると、メモリ124はNAND方式のフラッシュメモリであってもよい。
受信部121は、CPU110から検査命令および検査情報を受信する。
読み出し部122は、受信部121が受信した前記検査命令に対応して前記検査情報に基づいてメモリ124の所定領域に記録されているデータを読み出す。
本発明の一実施形態によると、前記検査情報はメモリ領域情報を含んでもよい。
ここで、本発明の一実施形態によると、前記メモリ領域情報は、メモリ124の所定領域に対する開始アドレス情報および大きさ情報を含んでもよい。
ここで、本発明の一実施形態によると、読み出し部122は、メモリ領域情報に基づいてメモリ124の所定領域に記録されている前記データを読み出してもよい。
すなわち、受信部121がCPU110からメモリ124の所定領域に対する開始アドレス情報および大きさ情報などを受信すると、読み出し部122は、開始アドレス情報および大きさ情報を用いてメモリ124の所定領域からデータを読み出してもよい。
検査部123は、前記検査情報に基づいて読み出し部122が読み出したデータのデータパターンを検査する。
本発明の一実施形態によると、検査情報は選定されたデータパターンに関する情報を含んでもよい。
ここで、本発明の一実施形態によると、検査部123は、前記選定されたデータパターンと前記読み出されたデータのデータパターンとを比較し、前記選定されたデータパターンと前記読み出されたデータのデータパターンとが互いに一致するか否かを判断してもよい。
もし、前記選定されたデータパターンと前記読み出されたデータのデータパターンとが互いに一致しない場合、検査部123はエラーメッセージを生成してもよい。
例えば、CPU110がメモリ124の所定領域に記録されているデータが「1234567b」のような値と一致するか否かを検査する場合、CPU110は、メモリ装置120に「1234567b」のデータパターンに関する情報を送信してもよい。
そして、検査部123は、読み出し部122が読み出したデータのデータパターンと「1234567b」のデータパターンとが互いに一致するか否かを判断し、もし、2つのデータパターンが互いに一致しない場合にエラーを発生させてもよい。
本発明の一実施形態によると、メモリ装置120は、検査部123がデータパターンの検査を終了する場合、前記読み出されたデータをRAMに格納することなく廃棄してもよい。
結局、本発明の一実施形態に係るメモリ装置120は、CPUがメモリ124に記録されているデータのパターンを検査しようとする場合、RAMに対してアクセスすることなく、メモリ装置120内に含まれている受信部121、読み出し部122、および検査部123によってデータパターンの検査を可能にすることによって、従来のRAMを用いてデータパターンを検査する場合とは異なり、全般的なシステムの性能低下を防止することができる。
以上、図1を参照して本発明の一実施形態に係るメモリ装置120について説明した。
本発明の一実施形態によると、データパターンの検査を行うための本発明の基本アイディアは図1に示すように、メモリ装置120内に所定の機能を行う構成を含むことで具体化してもよく、メモリ装置120とは別にメモリ装置120に接続され得る所定のメモリ管理装置に具体化してもよい。
以下は図2を参照して本発明の一実施形態に係るメモリ管理装置に対して詳説する。
図2は、本発明の一実施形態に係るメモリ管理装置の構造を示す図である。
図2を参照すると、CPU210、メモリ管理装置220、およびメモリ230が図示されている。
メモリ管理装置220、は制御レジスタ221、読み出し部222、検査部223、および状態レジスタ224を備えてもよい。
本発明の一実施形態によると、メモリ230は、NAND方式のフラッシュメモリであってもよい。
制御レジスタ221は、CPUによって検査命令および検査情報が記録される。
読み出し部222は、制御レジスタ221に前記検査命令および検査情報が記録されると、前記検査命令に対応して前記検査情報に基づいてメモリ230の所定領域に記録されているデータを読み出す。
本発明の一実施形態によると、前記検査情報はメモリ領域情報を含んでもよい。
ここで、本発明の一実施形態によると、前記メモリ領域情報はメモリ230の所定領域に対する開始アドレス情報および大きさ情報を含んでもよい。
ここで、本発明の一実施形態によると、読み出し部222は、前記メモリ領域情報に基づいてメモリ230の所定領域に記録されている前記データを読み出してもよい。
すなわち、CPU210が制御レジスタ221にメモリ230の所定領域に対する開始アドレス情報および大きさ情報などを記録すると、読み出し部222は、前記開始アドレス情報および大きさ情報を用いてメモリ230の所定領域からデータを読み出してもよい。
検査部223は、前記検査情報に基づいて読み出し部222が読み出したデータのデータパターンを検査する。
状態レジスタ224は検査部223の検査結果が記録される。
本発明の一実施形態によると、前記検査情報は選定されたデータパターンに関する情報を含んでもよい。
ここで、本発明の一実施形態によると、検査部223は、前記選定されたデータパターンと前記読み出されたデータのデータパターンとを比較し、前記選定されたデータパターンと前記読み出されたデータのデータパターンとが互いに一致するか否かを判断してもよい。
もし、前記選定されたデータパターンと前記読み出されたデータのデータパターンとが互いに一致しない場合、検査部223はエラーメッセージを生成し、前記エラーメッセージを状態レジスタ224に記録してもよい。
例えば、CPU210がメモリ230の所定領域に記録されているデータが「1234567b」の値と一致するか否かを検査する場合、CPU210は、制御レジスタ221に「1234567b」のデータパターンに関する情報を記録してもよい。
そして、検査部223は、読み出し部222が読み出したデータのデータパターンが「1234567b」のデータパターンと一致するか否かを判断し、もし、前記2つのデータパターンが互いに一致しない場合にはエラーが発生する。
その後、検査部223は、前記ミスマッチ(mismatch)エラーが発生したことを状態レジスタ224に表示してもよい。
結局、CPU210は、状態レジスタ224によってメモリ230の所定領域に記録されているデータのパターンが誤ったことを判断することができる。
本発明の一実施形態によると、メモリ管理装置220は検査部223がデータパターンの検査を終了する場合、前記読み出されたデータをRAMに格納することなく廃棄してもよい。
結局、本発明の一実施形態に係るメモリ管理装置220は、CPU210がメモリ230に記録されているデータのパターンを検査する場合、RAMに対してアクセスすることなく、メモリ管理装置220によってデータパターンの検査を可能にすることによって、従来のRAMを用いてデータパターンを検査する場合とは異なり、全般的なシステムの性能低下を防止することができる。
図3は、本発明の一実施形態に係るメモリ管理方法を示すフローチャートである。
ステップS310において、CPUから検査命令および検査情報を受信する。
ステップS320において、前記検査命令に対応して前記検査情報に基づいてメモリの所定領域に記録されているデータを読み出す。
本発明の一実施形態によると、前記検査情報はメモリ領域情報を含んでもよい。
ここで、本発明の一実施形態によると、前記メモリ領域情報は、前記メモリの所定領域に対する開始アドレス情報および大きさ情報を含んでもよい。
ここで、本発明の一実施形態によると、ステップS320では前記メモリ領域情報に基づいて前記メモリの所定領域に記録されている前記データを読み出してもよい。
ステップS330において、前記検査情報に基づいてステップS320で読み出されたデータのデータパターンを検査する。
本発明の一実施形態によると、前記検査情報は選定されたデータパターンに関する情報を含んでもよい。
ここで、本発明の一実施形態によると、ステップS330において、前記選定されたデータパターンと前記読み出されたデータのデータパターンとを比較し、前記選定されたデータパターンと前記読み出されたデータのデータパターンとが互いに一致しない場合、エラーメッセージを生成してもよい。
以上、図3を参照して本発明の一実施形態に係るメモリ管理方法について説明した。ここで、本発明の一実施形態に係るメモリ管理方法は、図1および図2を用いて説明したメモリ装置およびメモリ管理装置の構成と対応し得るため、これに対する詳説は省略する。
本発明の一実施形態に係るメモリ管理方法は、多様なコンピュータ手段を介して様々な処理を実行することができるプログラム命令の形態で実現され、コンピュータ読取可能な記録媒体に記録されてもよい。コンピュータ読取可能な媒体は、プログラム命令、データファイル、データ構造などのうちの1つまたはその組み合わせを含んでもよい。媒体に記録されるプログラム命令は、本発明の目的のために特別に設計されて構成されたものでもよく、コンピュータソフトウェア分野の技術を有する当業者にとって公知のものであり使用可能なものであってもよい。コンピュータ読取可能な記録媒体の例としては、ハードディスク、フロッピー(登録商標)ディスク及び磁気テープのような磁気媒体、CD−ROM、DVDのような光記録媒体、光ディスクのような光磁気媒体、及びROM、RAM、フラッシュメモリなどのようなプログラム命令を保存して実行するよう特別に構成されたハードウェア装置が含まれてもよい。プログラム命令の例としては、コンパイラによって生成されるような機械語コード(machine code)だけでなく、インタプリタなどを用いてコンピュータによって実行され得る高級言語コード(higher level code)を含む。上述したハードウェア装置は、本発明の動作を行うために1つ以上のソフトウェアのレイヤで動作するように構成されてもよい。
上述したように本発明を限定された実施形態と図面によって説明したが、本発明は、上記の実施形態に限定されることなく、本発明が属する分野における通常の知識を有する者であれば、このような実施形態から多様な修正及び変形が可能である。
したがって、本発明の範囲は、開示された実施形態に限定されて定められるものではなく、特許請求の範囲だけではなく特許請求の範囲と均等なものなどによって定められるものである。

Claims (13)

  1. CPUから検査命令および検査情報を受信する受信部と、
    前記検査命令に対応して前記検査情報に基づいてメモリの所定領域に記録されているデータを読み出す読み出し部と、
    前記検査情報に基づいて前記読み出されたデータのデータパターンを検査する検査部と、
    を備えることを特徴とするメモリ装置。
  2. 前記検査情報は、選定されたデータパターンに関する情報を含み、
    前記検査部は、前記選定されたデータパターンと前記読み出されたデータのデータパターンとを比較し、前記選定されたデータパターンと前記読み出されたデータのデータパターンとが互いに一致しない場合、エラーメッセージを生成することを特徴とする請求項1に記載のメモリ装置。
  3. 前記検査情報はメモリ領域情報を含み、
    前記読み出し部は、前記メモリ領域情報に基づいて前記メモリの所定領域に記録されている前記データを読み出すことを特徴とする請求項1に記載のメモリ装置。
  4. 前記メモリ領域情報は、前記メモリの所定領域に対する開始アドレス情報および大きさ情報を含むことを特徴とする請求項3に記載のメモリ装置。
  5. CPUによって検査命令および検査情報が記録される制御レジスタと、
    前記制御レジスタに前記検査命令および検査情報が記録されると、前記検査命令に対応して前記検査情報に基づいてメモリの所定領域に記録されているデータを読み出す読み出し部と、
    前記検査情報に基づいて前記読み出されたデータのデータパターンを検査する検査部と、
    前記検査部の検査結果が記録される状態レジスタと、
    を備えることを特徴とするメモリ管理装置。
  6. 前記検査情報は、選定されたデータパターンに関する情報を含み、
    前記検査部は、前記選定されたデータパターンと前記読み出されたデータのデータパターンとを比較し、前記選定されたデータパターンと前記読み出されたデータのデータパターンとが互いに一致しない場合、エラーメッセージを生成し、前記エラーメッセージを前記状態レジスタに記録することを特徴とする請求項5に記載のメモリ管理装置。
  7. 前記検査情報はメモリ領域情報を含み、
    前記読み出し部は、前記メモリ領域情報に基づいて前記メモリの所定領域に記録されている前記データを読み出すことを特徴とする請求項5に記載のメモリ管理装置。
  8. 前記メモリ領域情報は、前記メモリの所定領域に対する開始アドレス情報および大きさ情報を含むことを特徴とする請求項7に記載のメモリ管理装置。
  9. CPUから検査命令および検査情報を受信するステップと、
    前記検査命令に対応して前記検査情報に基づいてメモリの所定領域に記録されているデータを読み出すステップと、
    前記検査情報に基づいて前記読み出されたデータのデータパターンを検査するステップと、
    を含むことを特徴とするメモリ管理方法。
  10. 前記検査情報は
    選定されたデータパターンに関する情報を含み、
    前記検査するステップは、前記選定されたデータパターンと前記読み出されたデータのデータパターンとを比較し、前記選定されたデータパターンと前記読み出されたデータのデータパターンとが互いに一致しない場合、エラーメッセージを生成することを特徴とする請求項9に記載のメモリ管理方法。
  11. 前記検査情報はメモリ領域情報を含み、
    前記読み出すステップは、前記メモリ領域情報に基づいて前記メモリの所定領域に記録されている前記データを読み出すことを特徴とするメモリ請求項9に記載の管理方法。
  12. 前記メモリ領域情報は、前記メモリの所定領域に対する開始アドレス情報および大きさ情報を含むことを特徴とする請求項9に記載のメモリ管理方法。
  13. コンピュータに、請求項9〜請求項12のいずれか1項記載のメモリ管理方法の各ステップを実行させるプログラムを記録したコンピュータで読み出し可能な記録媒体。
JP2011547758A 2009-02-05 2009-12-02 メモリ装置、メモリ管理装置、およびメモリ管理方法 Pending JP2012517068A (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2009-0009229 2009-02-05
KR1020090009229A KR101028901B1 (ko) 2009-02-05 2009-02-05 메모리 장치, 메모리 관리 장치 및 메모리 관리 방법
PCT/KR2009/007124 WO2010090390A1 (ko) 2009-02-05 2009-12-02 메모리 장치, 메모리 관리 장치 및 메모리 관리 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2012517068A true JP2012517068A (ja) 2012-07-26

Family

ID=42542261

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011547758A Pending JP2012517068A (ja) 2009-02-05 2009-12-02 メモリ装置、メモリ管理装置、およびメモリ管理方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US9123443B2 (ja)
EP (1) EP2395513A1 (ja)
JP (1) JP2012517068A (ja)
KR (1) KR101028901B1 (ja)
CN (1) CN102301428A (ja)
WO (1) WO2010090390A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9805802B2 (en) 2015-09-14 2017-10-31 Samsung Electronics Co., Ltd. Memory device, memory module, and memory system

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10445229B1 (en) 2013-01-28 2019-10-15 Radian Memory Systems, Inc. Memory controller with at least one address segment defined for which data is striped across flash memory dies, with a common address offset being used to obtain physical addresses for the data in each of the dies
US9652376B2 (en) 2013-01-28 2017-05-16 Radian Memory Systems, Inc. Cooperative flash memory control
US11249652B1 (en) 2013-01-28 2022-02-15 Radian Memory Systems, Inc. Maintenance of nonvolatile memory on host selected namespaces by a common memory controller
US10552085B1 (en) 2014-09-09 2020-02-04 Radian Memory Systems, Inc. Techniques for directed data migration
US9542118B1 (en) 2014-09-09 2017-01-10 Radian Memory Systems, Inc. Expositive flash memory control
US10552058B1 (en) 2015-07-17 2020-02-04 Radian Memory Systems, Inc. Techniques for delegating data processing to a cooperative memory controller
CN105573676B (zh) * 2015-12-16 2019-02-15 浪潮(北京)电子信息产业有限公司 一种存储系统中验证数据一致性的方法
CN108335718B (zh) * 2017-12-15 2020-11-24 北京兆易创新科技股份有限公司 一种测试方法及装置
US10747611B2 (en) * 2018-01-15 2020-08-18 Microchip Technology Incorporated Safety enhancement for memory controllers
US11175984B1 (en) 2019-12-09 2021-11-16 Radian Memory Systems, Inc. Erasure coding techniques for flash memory
US11586385B1 (en) 2020-05-06 2023-02-21 Radian Memory Systems, Inc. Techniques for managing writes in nonvolatile memory
CN111625199B (zh) * 2020-05-28 2023-07-04 深圳忆联信息系统有限公司 提升固态硬盘数据通路可靠性的方法、装置、计算机设备及存储介质

Citations (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0528798A (ja) * 1991-07-19 1993-02-05 Toshiba Corp 半導体メモリの検定装置
JPH10320984A (ja) * 1997-05-15 1998-12-04 Sharp Corp 記憶装置
JPH1173799A (ja) * 1997-06-20 1999-03-16 Oki Micro Design Miyazaki:Kk 半導体記憶装置
JP2001202799A (ja) * 1999-11-17 2001-07-27 Motorola Inc 回路内メモリ・アレイ・ビット・セル・スレシホルド電圧分布測定
JP2002208300A (ja) * 2001-01-12 2002-07-26 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置
JP2002367399A (ja) * 2001-06-08 2002-12-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd 不揮発性半導体記憶装置及びその検査方法
JP2002373500A (ja) * 2001-03-27 2002-12-26 Samsung Electronics Co Ltd 半導体メモリ装置及びチップ選択信号発生方法
JP2003297100A (ja) * 2002-03-29 2003-10-17 Fujitsu Ltd 半導体装置
JP2004158098A (ja) * 2002-11-06 2004-06-03 Renesas Technology Corp システム・イン・パッケージ型半導体装置
JP2005100542A (ja) * 2003-09-25 2005-04-14 Toshiba Corp 半導体記憶装置とそのテスト方法
JP2006040421A (ja) * 2004-07-28 2006-02-09 Toshiba Microelectronics Corp 半導体メモリ
JP2006114078A (ja) * 2004-10-12 2006-04-27 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置及びその動作方法
JP2007188620A (ja) * 2006-11-06 2007-07-26 Epson Toyocom Corp 記憶回路の検査方法
JP2010262715A (ja) * 2009-05-11 2010-11-18 Renesas Electronics Corp メモリ検査システム及びメモリ検査方法
JP2012133843A (ja) * 2010-12-21 2012-07-12 Toshiba Corp 半導体記憶装置

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5661729A (en) * 1995-04-28 1997-08-26 Song Corporation Semiconductor memory having built-in self-test circuit
JPH10125092A (ja) * 1996-10-22 1998-05-15 Advantest Corp フラッシュメモリ試験装置
JP3972089B2 (ja) 2000-11-30 2007-09-05 株式会社ルネサステクノロジ 半導体メモリのテスト用ボードおよびテスト方法並びに製造方法
CN100442395C (zh) * 2001-04-25 2008-12-10 Nxp股份有限公司 具有自测试器件的集成电路及相关测试方法
JP2002365338A (ja) * 2001-06-08 2002-12-18 Fujitsu Ltd 半導体装置、半導体装置の試験方法、及び半導体装置試験システム
US20030154426A1 (en) * 2002-02-11 2003-08-14 David Chow Method and apparatus for programmable BIST and an optional error counter
US20050289287A1 (en) * 2004-06-11 2005-12-29 Seung-Man Shin Method and apparatus for interfacing between test system and embedded memory on test mode setting operation
JP2007010606A (ja) 2005-07-04 2007-01-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd Lsi検査モジュール、lsi検査モジュールの制御方法、lsi検査モジュールとlsi検査装置との通信方法、およびlsi検査方法
JP2007041665A (ja) 2005-08-01 2007-02-15 Nec Engineering Ltd Ecc機能検査回路およびecc機能検査方法
JP2007201786A (ja) 2006-01-26 2007-08-09 Nec Engineering Ltd 伝送誤り検出方式および伝送装置
JP2007272982A (ja) 2006-03-31 2007-10-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体記憶装置およびその検査方法
KR100770749B1 (ko) * 2006-07-11 2007-10-26 삼성전자주식회사 셀프 테스트 기능을 추가한 메모리 컨트롤러 및 이를이용한 방법
US7941722B2 (en) * 2007-06-24 2011-05-10 Texas Instruments Incorporated Testing of integrated circuits using test module
JP4351280B2 (ja) 2007-11-26 2009-10-28 パナソニック株式会社 不揮発性メモリ内蔵マイクロコンピュータチップ、及びその検査方法

Patent Citations (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0528798A (ja) * 1991-07-19 1993-02-05 Toshiba Corp 半導体メモリの検定装置
JPH10320984A (ja) * 1997-05-15 1998-12-04 Sharp Corp 記憶装置
JPH1173799A (ja) * 1997-06-20 1999-03-16 Oki Micro Design Miyazaki:Kk 半導体記憶装置
JP2001202799A (ja) * 1999-11-17 2001-07-27 Motorola Inc 回路内メモリ・アレイ・ビット・セル・スレシホルド電圧分布測定
JP2002208300A (ja) * 2001-01-12 2002-07-26 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置
JP2002373500A (ja) * 2001-03-27 2002-12-26 Samsung Electronics Co Ltd 半導体メモリ装置及びチップ選択信号発生方法
JP2002367399A (ja) * 2001-06-08 2002-12-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd 不揮発性半導体記憶装置及びその検査方法
JP2003297100A (ja) * 2002-03-29 2003-10-17 Fujitsu Ltd 半導体装置
JP2004158098A (ja) * 2002-11-06 2004-06-03 Renesas Technology Corp システム・イン・パッケージ型半導体装置
JP2005100542A (ja) * 2003-09-25 2005-04-14 Toshiba Corp 半導体記憶装置とそのテスト方法
JP2006040421A (ja) * 2004-07-28 2006-02-09 Toshiba Microelectronics Corp 半導体メモリ
JP2006114078A (ja) * 2004-10-12 2006-04-27 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置及びその動作方法
JP2007188620A (ja) * 2006-11-06 2007-07-26 Epson Toyocom Corp 記憶回路の検査方法
JP2010262715A (ja) * 2009-05-11 2010-11-18 Renesas Electronics Corp メモリ検査システム及びメモリ検査方法
JP2012133843A (ja) * 2010-12-21 2012-07-12 Toshiba Corp 半導体記憶装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9805802B2 (en) 2015-09-14 2017-10-31 Samsung Electronics Co., Ltd. Memory device, memory module, and memory system

Also Published As

Publication number Publication date
EP2395513A1 (en) 2011-12-14
CN102301428A (zh) 2011-12-28
US9123443B2 (en) 2015-09-01
KR101028901B1 (ko) 2011-04-12
KR20100090001A (ko) 2010-08-13
WO2010090390A1 (ko) 2010-08-12
US20120030435A1 (en) 2012-02-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2012517068A (ja) メモリ装置、メモリ管理装置、およびメモリ管理方法
CN108172262B (zh) 包含可修复的易失性存储器的存储器件及其操作方法
US8910002B2 (en) NAND flash-based storage device with built-in test-ahead for failure anticipation
US8887027B2 (en) Solid-state mass storage device and method for failure anticipation
US8055834B2 (en) Method for preventing read-disturb happened in non-volatile memory and controller thereof
US20110047322A1 (en) Methods, systems and devices for increasing data retention on solid-state mass storage devices
KR102233400B1 (ko) 데이터 저장 장치 및 그것의 동작 방법
KR20100104903A (ko) 디램 버퍼 관리 장치 및 방법
US20070294588A1 (en) Performing a diagnostic on a block of memory associated with a correctable read error
US12272418B2 (en) Performing select gate integrity checks to identify and invalidate defective blocks
CN113741798A (zh) 数据存储装置及其操作方法
US9778862B2 (en) Data storing method for preventing data losing during flush operation, memory control circuit unit and memory storage apparatus
TW200941216A (en) Method for managing defect blocks in non-volatile memory
KR101070511B1 (ko) Ssd 컨트롤러 및 ssd 컨트롤러의 동작 방법
KR20180047808A (ko) 데이터 저장 장치 및 그것의 동작 방법
US20110087828A1 (en) Method for enhancing performance of accessing a flash memory, and associated memory device and controller thereof
US20230031193A1 (en) Memory system and operating method thereof
US20090300272A1 (en) Method for increasing reliability of data accessing for a multi-level cell type non-volatile memory
US20120311243A1 (en) Method for increasing reliability of data accessing for a multi-level cell type non-volatile memory
KR20200142698A (ko) 데이터 저장 장치 및 그것의 동작 방법
US20250022529A1 (en) Block health detector for block retirement in a memory sub-system
US12045509B2 (en) Data storage device with weak bits handling
TWI823649B (zh) 快閃記憶體控制器的控制方法、快閃記憶體控制器以及電子裝置
KR20190099570A (ko) 데이터 저장 장치 및 그것의 동작 방법
KR20010091565A (ko) 플래시 메모리 구조 및 그 관리 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120508

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120806

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120911

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20121210

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20121221

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130111

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130205

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20130625