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JP2012243726A - Automatic processing system - Google Patents

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JP2012243726A
JP2012243726A JP2011115933A JP2011115933A JP2012243726A JP 2012243726 A JP2012243726 A JP 2012243726A JP 2011115933 A JP2011115933 A JP 2011115933A JP 2011115933 A JP2011115933 A JP 2011115933A JP 2012243726 A JP2012243726 A JP 2012243726A
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JP
Japan
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fib
sample
reference body
processing
unit
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP2011115933A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yosuke Sugiyama
陽介 杉山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Renesas Electronics Corp
Original Assignee
Renesas Electronics Corp
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Publication date
Application filed by Renesas Electronics Corp filed Critical Renesas Electronics Corp
Priority to JP2011115933A priority Critical patent/JP2012243726A/en
Publication of JP2012243726A publication Critical patent/JP2012243726A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

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Abstract

【課題】FIB装置による試料の自動加工を行うにあたって、加工領域の位置を特定する識別マークを正常に検知出来ずに、加工が失敗する場合がある。識別マークを正常に検知するためには、各種設定値を適宜に調整する必要があるが、この調整作業は加工領域および識別マークにダメージを与えてしまう。
【解決手段】加工対象である試料の表面に、加工領域と、識別マークとに加えて、基準形状を形成する。この基準形状を、識別マークを検出するために必要な設定値群を調整するために用いることで、識別マークや加工領域にダメージを与えることなく設定値群の調整を行うことが出来る。
【選択図】図2A
In automatic processing of a sample by a FIB apparatus, an identification mark for specifying the position of the processing region cannot be normally detected and processing may fail. In order to detect the identification mark normally, it is necessary to appropriately adjust various setting values. However, this adjustment operation damages the processing region and the identification mark.
In addition to a processing region and an identification mark, a reference shape is formed on the surface of a sample to be processed. By using this reference shape for adjusting a set value group necessary for detecting the identification mark, the set value group can be adjusted without damaging the identification mark or the processing region.
[Selection] Figure 2A

Description

本発明は、試料を自動的に加工する自動加工システムと、この加工を行う自動加工方法とに係り、特に、試料を集束イオンビームで自動的に加工する自動加工システムと、この加工を行う自動加工方法とに係る。   The present invention relates to an automatic processing system that automatically processes a sample and an automatic processing method that performs this processing, and more particularly, to an automatic processing system that automatically processes a sample with a focused ion beam and an automatic that performs this processing. Related to the processing method.

半導体や電子デバイスなどの分野において、LSI(Large Scale Integration:大規模集積回路)の構造解析や不良解析を行うに当たって、SEM(Scanning Electron Microscope:走査型電子顕微鏡)やTEM(Transmission Electron Microscope:透過型電子顕微鏡)で観察する手法が用いられている。しかし、半導体や電子デバイスにおける微細化や多層化が進む中、観察箇所の位置を特定したり、観察面の微細加工を行ったりするためには、FIB(Focused Ion Beam:集束イオンビーム)装置が不可欠である。   In the field of semiconductors and electronic devices, in order to perform structural analysis and failure analysis of LSI (Large Scale Integration), SEM (Scanning Electron Microscope) and TEM (Transmission Electron Microscopy: Microscopy Microscopy: An observation method using an electron microscope is used. However, with the progress of miniaturization and multilayering in semiconductors and electronic devices, an FIB (Focused Ion Beam) apparatus is used to specify the position of an observation point or perform fine processing of an observation surface. It is essential.

FIB装置は、鋭利に加工した金属部と、引き出し電極とを有している。金属部と、引き出し電極との間に電界をかけて、金属部の先端にGa(ガリウム)などの液体金属が供給することによって、イオンを引き出すことの出来る構成を持つ。引き出されたイオンは、加速電圧源による電圧で加速されて、イオンビームとなって試料の表面に衝突する。FIB装置は、このような原理によって試料を加工することが出来る。   The FIB apparatus has a sharply processed metal part and a lead electrode. By applying an electric field between the metal part and the extraction electrode and supplying a liquid metal such as Ga (gallium) to the tip of the metal part, ions can be extracted. The extracted ions are accelerated by a voltage from an accelerating voltage source to become an ion beam and collide with the surface of the sample. The FIB apparatus can process a sample according to such a principle.

ここで、試料を可動ステージ上に設置し、試料と、FIB装置との位置関係を適宜に制御することで、試料の特定箇所に対する微細加工が可能となる。また、イオンビームが照射された試料の表面からは二次電子が放出される。試料表面の任意領域をイオンビームで走査して、発生する二次電子を検出器で検出することで、試料表面の状態をSIM(Scanning Ion Microscope:走査イオン顕微鏡)像として観察することが出来る。   Here, by setting the sample on the movable stage and appropriately controlling the positional relationship between the sample and the FIB apparatus, it is possible to finely process a specific portion of the sample. Further, secondary electrons are emitted from the surface of the sample irradiated with the ion beam. By scanning an arbitrary region of the sample surface with an ion beam and detecting the generated secondary electrons with a detector, the state of the sample surface can be observed as a SIM (Scanning Ion Microscope) image.

上記に関連して、特許文献1(特開2000−215838号公報)には、マーク検出方法およびビーム加工装置に係る記載が開示されている。図1Aは、特許文献1によるビーム加工装置100の構成を簡単に示す構成図である。図1Aのビーム加工装置100は、イオン源111と、加速電圧源112と、ビーム調整機構113と、可動ステージ116と、二次電子検出器120とを具備している。   In relation to the above, Patent Document 1 (Japanese Patent Laid-Open No. 2000-215838) discloses a description relating to a mark detection method and a beam processing apparatus. FIG. 1A is a configuration diagram simply showing a configuration of a beam processing apparatus 100 according to Patent Document 1. As shown in FIG. The beam processing apparatus 100 in FIG. 1A includes an ion source 111, an acceleration voltage source 112, a beam adjustment mechanism 113, a movable stage 116, and a secondary electron detector 120.

図1Bは、特許文献1によるマーク検出方法で用いられる試料130の構成を示す平面図である。図1Bの試料130は、加工領域131と、参照画像領域132とを具備している。参照画像領域132には、特定形状マーク133が形成されている。   FIG. 1B is a plan view showing a configuration of a sample 130 used in the mark detection method according to Patent Document 1. The sample 130 in FIG. 1B includes a processing area 131 and a reference image area 132. A specific shape mark 133 is formed in the reference image area 132.

試料130は、可動ステージ116に設置されている。可動ステージ116は、平面方向に移動することで、試料130と、イオン源111との位置関係を適宜に調整する。加速電圧源112は、イオン源111に加速電圧を供給する。加速電圧を供給されたイオン源111は、試料130に向けてFIB114を照射する。ビーム調整機構113は、イオン源111から照射されるFIB114を調整する。試料130の表面にFIB114が当たると、試料130がエッチングや堆積が行われる他に、二次電子115が発生する。二次電子検出器120は、この二次電子115を検出する。   The sample 130 is installed on the movable stage 116. The movable stage 116 moves in the plane direction to adjust the positional relationship between the sample 130 and the ion source 111 as appropriate. The acceleration voltage source 112 supplies an acceleration voltage to the ion source 111. The ion source 111 supplied with the acceleration voltage irradiates the sample 130 with the FIB 114. The beam adjustment mechanism 113 adjusts the FIB 114 irradiated from the ion source 111. When the FIB 114 hits the surface of the sample 130, the sample 130 is etched and deposited, and secondary electrons 115 are generated. The secondary electron detector 120 detects the secondary electrons 115.

特許文献1によるマーク検出方法では、試料130の、加工領域131の外に、参照画像領域132が設けられている。この参照画像領域132には、特定形状マーク133が形成されている。イオン源111から特定形状マーク133に向けてFIB114が照射されると、特定形状マーク133から二次電子115が発生する。この二次電子115を、二次電子検出器120が検出することで、SIM像が得られる。特許文献1によるマーク検出方法では、このFIB114の照射を繰り返し、その前後で得られるSIM像のズレ量に基づいて、加工位置ズレの補正量を得るとしている。また、同時に、この箇所でコントラストの調整をも行うとしている。   In the mark detection method according to Patent Document 1, a reference image region 132 is provided outside the processing region 131 of the sample 130. A specific shape mark 133 is formed in the reference image area 132. When the FIB 114 is irradiated from the ion source 111 toward the specific shape mark 133, secondary electrons 115 are generated from the specific shape mark 133. When the secondary electron 115 is detected by the secondary electron detector 120, a SIM image is obtained. In the mark detection method according to Patent Document 1, the irradiation of the FIB 114 is repeated, and the correction amount of the processing position deviation is obtained based on the deviation amount of the SIM image obtained before and after that. At the same time, the contrast is adjusted at this point.

このFIB装置の中には、解析TAT(TurnAround Time:検査所要時間)を向上させるために自動加工機能を有している装置がある。自動加工を行えるFIB装置を用いれば、事前に試料上の加工箇所を指定することで、試料の作製を文字通り自動的に行うことが出来る。FIB装置による自動加工方法の手順としては、例えば、まず、FIB装置の自動加工前の設定が行われ、次に、FIB装置の自動加工時の動作が行われる。   Among the FIB apparatuses, there is an apparatus having an automatic processing function in order to improve an analysis TAT (Turn Around Time). If an FIB apparatus capable of automatic processing is used, a sample can be literally automatically manufactured by designating a processing location on the sample in advance. As a procedure of the automatic processing method by the FIB apparatus, for example, first the setting before the automatic processing of the FIB apparatus is performed, and then the operation at the time of the automatic processing of the FIB apparatus is performed.

FIB装置の自動加工前の設定としては、例えば、以下に示す第1〜第3の、合計3つの工程がある。第1の工程として、加工したい領域の近傍に識別マークを設ける。この識別マークは、FIB装置による加工で作製する。第2の工程として、試料表面に作製した識別マークが、FIB装置によって識別可能な形状を有しているかどうかの判断を行う。この判断は、識別マークをFIB装置のパターン認識アルゴリズムによって処理することで行われる。第2の工程で識別マークが識別可能と判断された場合には、第3の工程として、識別マークの位置を記憶する。   As a setting before automatic processing of the FIB apparatus, for example, there are a total of three steps, which are shown below. As a first step, an identification mark is provided in the vicinity of the region to be processed. This identification mark is produced by processing using an FIB apparatus. As a second step, it is determined whether or not the identification mark produced on the sample surface has a shape that can be identified by the FIB apparatus. This determination is made by processing the identification mark by the pattern recognition algorithm of the FIB apparatus. If it is determined in the second step that the identification mark can be identified, the position of the identification mark is stored as a third step.

FIB装置の自動加工時の動作としては、例えば、以下に示す第4〜第7の、合計4つの工程がある。第4の工程として、第3の工程で記憶した位置に可動ステージを移動する。第5の工程として、試料全体をFIB装置で走査して得られるSIM像を用いて、コントラストおよび輝度の自動調整を実施する。第6の工程として、第4の工程で得られたSIM像の中から、第1の工程で作製した識別マークの位置を、パターン認識アルゴリズムによって探し出す。探し出した位置と、第3の工程で記憶された位置との間にズレがある場合には、FIB装置内で位置ズレ補正値を計算し、可動ステージを設定段階と同じ位置に移動する。第7の工程として、あらかじめプログラムされた加工条件に沿って、試料の作製を行う。   As an operation at the time of automatic processing of the FIB apparatus, there are a total of four steps, for example, the fourth to seventh shown below. As a fourth step, the movable stage is moved to the position stored in the third step. As a fifth step, automatic adjustment of contrast and brightness is performed using a SIM image obtained by scanning the entire sample with an FIB apparatus. As a sixth step, the position of the identification mark produced in the first step is searched from the SIM image obtained in the fourth step by a pattern recognition algorithm. If there is a deviation between the found position and the position stored in the third step, the position deviation correction value is calculated in the FIB apparatus, and the movable stage is moved to the same position as the setting stage. As a seventh step, a sample is prepared according to processing conditions programmed in advance.

特開2000−215838号公報JP 2000-215838 A

上述したように、FIB装置の自動加工機能を用いて観察試料を作製する場合、加工箇所を指定する識別マークをFIB装置が正しく検知することが出来ずに作製が失敗するケースがある。識別マークを検知出来ない要因の一つとしては、第5の工程で行われるコントラストおよび輝度の自動調整において、識別マークを検知するために十分なコントラストが得られない現象が挙げられる。実際、識別マークには形成できる深さや大きさに制限がある一方で、試料表面にも凹凸があるため、この凹凸によるコントラストが識別マークを検知しにくくしている。したがって、識別マークを検知するためには、識別マークのコントラストを大きくすることが必要である。   As described above, when an observation sample is manufactured using the automatic processing function of the FIB apparatus, there are cases in which the FIB apparatus cannot correctly detect an identification mark that designates a processing location and the manufacturing fails. One of the factors that prevents the identification mark from being detected is a phenomenon in which sufficient contrast for detecting the identification mark cannot be obtained in the contrast and brightness automatic adjustment performed in the fifth step. In fact, while the depth and size that can be formed in the identification mark are limited, the surface of the sample is also uneven, and the contrast due to this unevenness makes it difficult to detect the identification mark. Therefore, in order to detect the identification mark, it is necessary to increase the contrast of the identification mark.

そこで、第5の工程で行われるコントラストおよび輝度の自動調整を、例えば、以下の用に行うことが出来る。第5−1の工程として、コントラストおよび輝度を自動調整する。第5−2の工程として、輝度のみを下げる方向で調整する。第5−3の工程として、コントラストのみを下げる方向に調整する。第5−4の工程として、識別マークを検知出来るかどうかの確認を行う。第5−1〜5−3の工程を5回繰り返し、それでも識別マークが検知出来なければ、試料の加工作業をストップする。   Therefore, the automatic adjustment of contrast and brightness performed in the fifth step can be performed, for example, for the following. As the step 5-1, the contrast and brightness are automatically adjusted. As a 5-2 process, it adjusts in the direction which reduces only a brightness | luminance. As a fifth step, adjustment is made in the direction of reducing only the contrast. In step 5-4, it is confirmed whether the identification mark can be detected. The steps 5-1 to 5-3 are repeated five times, and if the identification mark is still not detected, the sample processing operation is stopped.

しかし、第5−1の工程で、適正値から大きくかけ離れた値が設定されてしまうと、第5−2の工程における輝度のみの調整や、第5−3の工程におけるコントラストのみの調整では、十分な調整が行えない。また、第5−1の工程は、試料表面にGaイオンの照射を伴うため、試料に対しても、識別マークに対しても、エッチングによる物理的なダメージを与えてしまう。したがって、調整作業の回数を低減させることも必要である。   However, if a value far from the appropriate value is set in the step 5-1, the adjustment of only the luminance in the step 5-2 or the adjustment of only the contrast in the step 5-3 Insufficient adjustment is possible. Further, since the step 5-1 involves irradiation of Ga ions on the sample surface, physical damage due to etching is given to both the sample and the identification mark. Therefore, it is also necessary to reduce the number of adjustment operations.

以下に、(発明を実施するための形態)で使用される番号を用いて、課題を解決するための手段を説明する。これらの番号は、(特許請求の範囲)の記載と(発明を実施するための形態)との対応関係を明らかにするために付加されたものである。ただし、それらの番号を、(特許請求の範囲)に記載されている発明の技術的範囲の解釈に用いてはならない。   The means for solving the problem will be described below using the numbers used in the (DETAILED DESCRIPTION). These numbers are added to clarify the correspondence between the description of (Claims) and (Mode for Carrying Out the Invention). However, these numbers should not be used to interpret the technical scope of the invention described in (Claims).

本発明による自動加工システム(200)は、FIB装置(211など)と、二次電子検出器(220)と、制御部(240)とを具備する。ここで、FIB装置(211など)は、加工対象である試料(230)に向けてFIB(214)を照射する。二次電子検出器(220)は、FIB(214)を照射された試料(230)から発生する二次電子(215)を検出する。制御部(240)は、FIB装置(211など)および二次電子検出器(220)を制御する。制御部(240)は、基準体群形成部(241)と、基準体群走査部(242)と、適正値演算部(243)と、記憶部(244)と、識別体検知部(245)と、加工位置演算部(246)と、加工部(247)とを具備する。ここで、基準体群形成部(241)は、FIB装置(211など)を制御して試料(230)の表面に基準体群(235B、236Bなど)を形成する。基準体群走査部(242)は、FIB装置(211など)および二次電子検出器(220)を制御して基準体群(235B、236Bなど)のSIM像を取得する。適正値演算部(243)は、SIM像に基づいてコントラストおよび輝度を適正値に調整する。記憶部(244)は、調整された適正値を記憶する。識別体検知部(245)は、FIB装置(211など)および二次電子検出器(220)を制御して、かつ、記憶された適正値を用いて、試料(230)の表面に設けられた識別体(233)の位置を検知する。加工位置演算部(246)は、検知された識別体(233)の位置に基づいて、試料(233)の表面に設けられた加工領域(231)の位置を算出する。加工部(247)は、FIB装置(211など)を制御して加工領域(231に加工を行う。   The automatic processing system (200) according to the present invention includes an FIB device (211 etc.), a secondary electron detector (220), and a control unit (240). Here, the FIB apparatus (211 etc.) irradiates the FIB (214) toward the sample (230) to be processed. The secondary electron detector (220) detects secondary electrons (215) generated from the sample (230) irradiated with the FIB (214). The control unit (240) controls the FIB apparatus (211 etc.) and the secondary electron detector (220). The control unit (240) includes a reference body group formation unit (241), a reference body group scanning unit (242), an appropriate value calculation unit (243), a storage unit (244), and an identification object detection unit (245). And a machining position calculation unit (246) and a machining unit (247). Here, the reference body group forming unit (241) controls the FIB apparatus (211 etc.) to form the reference body group (235B, 236B etc.) on the surface of the sample (230). The reference body group scanning unit (242) controls the FIB device (such as 211) and the secondary electron detector (220) to acquire a SIM image of the reference body group (such as 235B and 236B). The appropriate value calculation unit (243) adjusts the contrast and brightness to appropriate values based on the SIM image. The storage unit (244) stores the adjusted appropriate value. The identifier detection unit (245) is provided on the surface of the sample (230) by controlling the FIB apparatus (211 etc.) and the secondary electron detector (220) and using the stored appropriate value. The position of the identification body (233) is detected. The processing position calculation unit (246) calculates the position of the processing region (231) provided on the surface of the sample (233) based on the detected position of the identification body (233). The processing unit (247) controls the FIB apparatus (211 etc.) to process the processing area (231).

本発明による自動加工方法は、加工対象である試料(230)に向けてFIB(214)を照射するFIB装置(211など)を制御して試料(230)の表面に基準体群(235B、236Bなど)を形成するステップと、FIB装置(211など)と、FIB(214)を照射された試料(230)から発生する二次電子(215)を検出する二次電子検出器(220)とを制御して基準体群(235B、236Bなど)のSIM像を取得するステップと、SIM像に基づいてコントラストおよび輝度を適正値に調整するステップと、調整された適正値を記憶するステップと、FIB装置(211など)および二次電子検出器(220)を制御して、かつ、記憶された適正値を用いて、試料(230)の表面に設けられた識別体(233)の位置を検知するステップと、検知された識別体(233)の位置に基づいて、試料(230)の表面に設けられた加工領域(231)の位置を算出するステップと、FIB装置(211など)を制御して加工領域(231)に加工を行うステップとを具備する。   The automatic processing method according to the present invention controls the FIB device (211 etc.) that irradiates the FIB (214) toward the sample (230) to be processed to control the reference body group (235B, 236B) on the surface of the sample (230). And the like, a FIB apparatus (211 etc.), and a secondary electron detector (220) for detecting secondary electrons (215) generated from the sample (230) irradiated with the FIB (214). Obtaining a SIM image of the reference body group (235B, 236B, etc.) by controlling, adjusting the contrast and brightness to appropriate values based on the SIM image, storing the adjusted appropriate values, and FIB An identifier (233) provided on the surface of the sample (230) by controlling the apparatus (211 etc.) and the secondary electron detector (220) and using the stored appropriate value. A step of detecting the position of the workpiece, a step of calculating the position of the processing region (231) provided on the surface of the sample (230) based on the detected position of the identification body (233), and an FIB device (211 etc.) ) To control the processing region (231).

本発明による自動加工システムおよび自動加工方法では、加工対象である試料の表面に、加工領域と、加工領域の位置を特定する識別体とに加えて、基準体群を形成する。この基準体群を、識別体を検出するために必要なコントラストおよび輝度を適正値に調整するために用いることで、識別体や加工領域にエッチングや堆積によるダメージを与えずに済む。   In the automatic processing system and the automatic processing method according to the present invention, the reference body group is formed on the surface of the sample to be processed, in addition to the processing area and the identification body for specifying the position of the processing area. By using the reference body group to adjust the contrast and brightness necessary for detecting the identification body to appropriate values, the identification body and the processing region are not damaged by etching or deposition.

図1Aは、特許文献によるビーム加工装置の構成を簡単に示す構成図である。FIG. 1A is a configuration diagram simply showing the configuration of a beam processing apparatus according to the patent literature. 図1Bは、特許文献によるマーク検出方法で用いられる試料の構成を示す平面図である。FIG. 1B is a plan view showing a configuration of a sample used in a mark detection method according to a patent document. 図2Aは、本発明の第1の実施形態による自動加工システムの全体的な構成を示す構成図である。FIG. 2A is a configuration diagram showing an overall configuration of the automatic machining system according to the first embodiment of the present invention. 図2Bは、本発明の第1の実施形態による試料の構成を示す平面図である。FIG. 2B is a plan view showing the configuration of the sample according to the first embodiment of the present invention. 図2Cは、本発明の第1の実施形態による基準領域の構成を示す俯瞰図である。FIG. 2C is an overhead view showing the configuration of the reference region according to the first embodiment of the present invention. 図2Dは、本発明の第1の実施形態による制御部の構成を機能ブロックごとに示すブロック図である。FIG. 2D is a block diagram illustrating the configuration of the control unit according to the first embodiment of the present invention for each functional block. 図2Eは、本発明の第1の実施形態による自動加工方法の手順を示すフローチャートである。FIG. 2E is a flowchart showing the procedure of the automatic machining method according to the first embodiment of the present invention. 図3は、本発明の第2の実施形態による基準領域の構成を示す俯瞰図である。FIG. 3 is an overhead view showing the configuration of the reference region according to the second embodiment of the present invention.

添付図面を参照して、本発明による自動加工システムおよび自動加工方法を実施するための形態を以下に説明する。   DESCRIPTION OF EMBODIMENTS Embodiments for carrying out an automatic machining system and an automatic machining method according to the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings.

(第1の実施形態)
図2Aは、本発明の第1の実施形態による自動加工システム200の全体的な構成を示す構成図である。図2Aの自動加工システム200の構成要素について説明する。図2Aの自動加工システム200は、イオン源211と、加速電圧源212と、ビーム調整機構213と、可動ステージ216と、二次電子検出器220と、制御部240とを具備している。
(First embodiment)
FIG. 2A is a configuration diagram showing an overall configuration of the automatic machining system 200 according to the first embodiment of the present invention. Components of the automatic machining system 200 in FIG. 2A will be described. 2A includes an ion source 211, an acceleration voltage source 212, a beam adjustment mechanism 213, a movable stage 216, a secondary electron detector 220, and a control unit 240.

図2Aの自動加工システム200の構成要素の接続関係について説明する。加速電圧源212は、イオン源211に接続されている。可動ステージ216には、試料230を設置可能である。制御部は、ビーム調整機構213と、二次電子検出器220と、可動ステージ216とに接続されている。イオン源211と、ビーム調整機構213と、可動ステージ216とは、イオン源211から照射されるFIB214がビーム調整機構213を介して可動ステージ216上に設置された試料230に当たるような位置関係にある。二次電子検出器220と、可動ステージ216とは、可動ステージ216上に設置された試料230がFIB214を照射されて発生する二次電子215を検出出来る位置関係にある。   The connection relationship of the components of the automatic machining system 200 in FIG. 2A will be described. The acceleration voltage source 212 is connected to the ion source 211. A sample 230 can be installed on the movable stage 216. The control unit is connected to the beam adjustment mechanism 213, the secondary electron detector 220, and the movable stage 216. The ion source 211, the beam adjustment mechanism 213, and the movable stage 216 are in a positional relationship such that the FIB 214 irradiated from the ion source 211 hits the sample 230 placed on the movable stage 216 via the beam adjustment mechanism 213. . The secondary electron detector 220 and the movable stage 216 are in a positional relationship in which secondary electrons 215 generated when the sample 230 placed on the movable stage 216 is irradiated with the FIB 214 can be detected.

図2Aの自動加工システム200の動作について説明する。イオン源211、加速電圧源212、ビーム調整機構213、可動ステージ216、二次電子検出器220および制御部240は、自動加工機能を有するFIB装置として動作する。   The operation of the automatic machining system 200 in FIG. 2A will be described. The ion source 211, the acceleration voltage source 212, the beam adjustment mechanism 213, the movable stage 216, the secondary electron detector 220, and the control unit 240 operate as an FIB apparatus having an automatic processing function.

試料230は、可動ステージ216に設置されている。可動ステージ216は、制御部240に制御されて平面方向に移動することで、試料230と、イオン源211との位置関係を適宜に調整する。イオン源211は、その先端部分にGaなどの液体金属が供給される。加速電圧源212は、イオン源211に加速電圧を供給する。イオン源211に加速電圧が印加されると、液体金属からイオンが引き出される。引き出されたイオンは、FIB214となり、試料230に向けて照射される。このとき、ビーム調整機構213が、制御部240に制御されて、イオン源211から照射されるFIB214の特性を調整する。試料230の表面にFIB114が当たると、試料230がエッチングや堆積が行われる他に、二次電子215が発生する。二次電子検出器220は、この二次電子215を検出する。試料230における表面の一部または全てをFIB214で走査し、発生する二次電子を二次電子検出器220で検出することで、SIM像が得られる。適切なSIM像を得るために、コントラストおよび輝度の調整を行う。この調整の詳細については、後述する。   The sample 230 is installed on the movable stage 216. The movable stage 216 is controlled by the control unit 240 to move in the plane direction, thereby adjusting the positional relationship between the sample 230 and the ion source 211 as appropriate. The ion source 211 is supplied with a liquid metal such as Ga at its tip. The acceleration voltage source 212 supplies an acceleration voltage to the ion source 211. When an acceleration voltage is applied to the ion source 211, ions are extracted from the liquid metal. The extracted ions become FIB 214 and are irradiated toward the sample 230. At this time, the beam adjustment mechanism 213 is controlled by the control unit 240 to adjust the characteristics of the FIB 214 irradiated from the ion source 211. When the FIB 114 hits the surface of the sample 230, the sample 230 is etched and deposited, and secondary electrons 215 are generated. The secondary electron detector 220 detects the secondary electrons 215. A SIM image is obtained by scanning a part or all of the surface of the sample 230 with the FIB 214 and detecting the generated secondary electrons with the secondary electron detector 220. In order to obtain an appropriate SIM image, the contrast and brightness are adjusted. Details of this adjustment will be described later.

図2Bは、本発明の第1の実施形態による試料230の構成を示す平面図である。図2Bの試料の表面には、加工領域231と、識別領域232と、基準領域234とが設けられている。加工領域231は、目的となる加工を試料に施す領域である。識別領域232には、加工領域231の位置を特定するために用いられる識別体233が形成されている。基準領域には、後述する基準体群235Bおよび236Bが形成されている。   FIG. 2B is a plan view showing the configuration of the sample 230 according to the first embodiment of the present invention. A processing area 231, an identification area 232, and a reference area 234 are provided on the surface of the sample in FIG. 2B. The processing region 231 is a region where the target processing is performed on the sample. In the identification area 232, an identification body 233 used for specifying the position of the processing area 231 is formed. Reference body groups 235B and 236B described later are formed in the reference region.

図2Cは、本発明の第1の実施形態による基準領域234の構成を示す俯瞰図である。基準領域234には、コントラストおよび輝度を適正値に調整するために用いられる基準体群235A、236A、235Bおよび236Bの一部または全てが形成されている。基準体群235Aおよび235Bは、試料230表面に対して上方向に突出した凸部である。基準体群236Aおよび236Bは、試料230表面と同じ水準の平面である。   FIG. 2C is an overhead view showing the configuration of the reference region 234 according to the first embodiment of the present invention. In the reference region 234, a part or all of the reference body groups 235A, 236A, 235B, and 236B used for adjusting the contrast and brightness to appropriate values are formed. The reference body groups 235 </ b> A and 235 </ b> B are convex portions protruding upward with respect to the surface of the sample 230. The reference body groups 236A and 236B are flat surfaces at the same level as the surface of the sample 230.

ここで、基準体群235Aおよび236Aの組み合わせ、または、基準体群235Bおよび236Bの組み合わせは、後述するように、必要なコントラストおよび輝度の適正値を調整するに十分な高低差を有する必要がある。したがって、以下、基準領域234に基準体群235Bおよび236Bの組み合わせを形成する場合について説明する。   Here, the combination of the reference body groups 235A and 236A or the combination of the reference body groups 235B and 236B needs to have a height difference sufficient to adjust the appropriate values of necessary contrast and brightness, as will be described later. . Therefore, hereinafter, a case where a combination of the reference body groups 235B and 236B is formed in the reference region 234 will be described.

図2Dは、本発明の第1の実施形態による制御部240の構成を機能ブロックごとに示すブロック図である。図2Eは、本発明の第1の実施形態による自動加工方法の手順を示すフローチャートである。図2Dおよび図2Eを参照して、本実施形態による自動加工システムの動作、すなわち本実施形態による自動加工方法について説明する。   FIG. 2D is a block diagram illustrating the configuration of the control unit 240 according to the first embodiment of the present invention for each functional block. FIG. 2E is a flowchart showing the procedure of the automatic machining method according to the first embodiment of the present invention. With reference to FIG. 2D and FIG. 2E, operation | movement of the automatic processing system by this embodiment, ie, the automatic processing method by this embodiment, is demonstrated.

図2Dの制御部240の構成要素について説明する。図2Dの制御部240は、基準体群形成部241と、基準体群走査部242と、適正値演算部243と、記憶部244と、識別体検知部245と、加工位置演算部246と、加工部247と、バス248とを具備している。バス248は、基準体群形成部241と、基準体群走査部242と、適正値演算部243と、記憶部244と、識別体検知部245と、加工位置演算部246と、加工部247とに接続されている。   The components of the control unit 240 in FIG. 2D will be described. The control unit 240 in FIG. 2D includes a reference body group forming unit 241, a reference body group scanning unit 242, an appropriate value calculation unit 243, a storage unit 244, an identification object detection unit 245, a machining position calculation unit 246, A processing unit 247 and a bus 248 are provided. The bus 248 includes a reference body group forming unit 241, a reference body group scanning unit 242, an appropriate value calculation unit 243, a storage unit 244, an identification object detection unit 245, a processing position calculation unit 246, and a processing unit 247. It is connected to the.

図2Dの制御部240は、例えば、入力部、出力部、演算部、記憶部およびこれらを接続するバスを有する一般的な計算機であっても良い。この場合、基準体群形成部241、基準体群走査部242、適正値演算部243、記憶部244、識別体検知部245、加工位置演算部246および加工部247の一部または全ては、上記の入力部、出力部、演算部および記憶部を共有することで実現される各種機能部であっても良い。また、基準体群形成部241、基準体群走査部242、適正値演算部243、記憶部244、識別体検知部245、加工位置演算部246および加工部247の一部または全ては、独立していても構わない。   The control unit 240 in FIG. 2D may be, for example, a general computer having an input unit, an output unit, a calculation unit, a storage unit, and a bus connecting them. In this case, some or all of the reference body group forming unit 241, the reference body group scanning unit 242, the appropriate value calculation unit 243, the storage unit 244, the identification object detection unit 245, the processing position calculation unit 246, and the processing unit 247 Various function units realized by sharing the input unit, the output unit, the calculation unit, and the storage unit may be used. Further, the reference body group forming unit 241, the reference body group scanning unit 242, the appropriate value calculation unit 243, the storage unit 244, the identification object detection unit 245, the processing position calculation unit 246, and a part or all of the processing unit 247 are independent. It does not matter.

図2Eのフローチャートは、第1〜第7のステップS1〜S7を有する。本実施形態による自動加工方法が開始すると、まず、第1のステップS1が実行される。   The flowchart of FIG. 2E includes first to seventh steps S1 to S7. When the automatic machining method according to the present embodiment is started, first step S1 is first executed.

第1のステップS1では、基準体群形成部241が、基準体群の形成を行う。すなわち、基準体群形成部241に制御されて、自動加工システム200のFIB装置が、基準領域234に、基準体群235Bおよび236Bを形成する。このとき、基準体235Bは、FIBによって試料230の表面に堆積することで形成することが出来る。なお、基準体236Bとしては、試料230の表面をそのまま、何ら加工することなく用いても良い。第1のステップS1の次に、第2のステップS2が実行される。   In the first step S1, the reference body group forming unit 241 forms a reference body group. That is, under the control of the reference body group forming unit 241, the FIB apparatus of the automatic machining system 200 forms the reference body groups 235 </ b> B and 236 </ b> B in the reference region 234. At this time, the reference body 235B can be formed by depositing on the surface of the sample 230 by FIB. As the reference body 236B, the surface of the sample 230 may be used as it is without being processed. Following the first step S1, a second step S2 is performed.

第2のステップS2では、基準体群走査部242が、基準体群235Bおよび236Bの走査を行う。すなわち、基準体群走査部242に制御されて、自動加工システム200のFIB装置が、基準領域234を走査し、基準体群235Bおよび236BのSIB像を得る。このとき、基準体235Bと、基準体236Bとで発生する二次電子215のうち、二次電子検出器220で検出される量には十分な差があるものとする。第2のステップS2の次に、第3のステップS3が実行される。   In the second step S2, the reference body group scanning unit 242 scans the reference body groups 235B and 236B. That is, under the control of the reference body group scanning unit 242, the FIB apparatus of the automatic machining system 200 scans the reference region 234 to obtain SIB images of the reference body groups 235 </ b> B and 236 </ b> B. At this time, it is assumed that there is a sufficient difference in the amount detected by the secondary electron detector 220 among the secondary electrons 215 generated by the reference body 235B and the reference body 236B. Following the second step S2, a third step S3 is performed.

第3のステップS3では、適正値演算部243が、適正値の算出を行う。すなわち、第2のステップS2で得られた、検出された二次電子215の差に基づいて、適正値演算部243が、コントラストおよび輝度の適正値を算出する。第3のステップS3の次に、第4のステップS4が実行される。   In the third step S3, the appropriate value calculation unit 243 calculates an appropriate value. That is, based on the difference between the detected secondary electrons 215 obtained in the second step S2, the appropriate value calculator 243 calculates appropriate values for contrast and brightness. Following the third step S3, a fourth step S4 is performed.

第4のステップS4では、記憶部244が、適正値の記憶を行う。すなわち、第3のステップS3で算出された、コントラストおよび輝度の適正値が、記憶部244に格納される。第4のステップS4の次に、第5のステップS5が実行される。   In the fourth step S4, the storage unit 244 stores an appropriate value. That is, the appropriate values of contrast and brightness calculated in the third step S3 are stored in the storage unit 244. Following the fourth step S4, a fifth step S5 is executed.

第5のステップS5では、識別体検知部245が、識別体233の検知を行う。すなわち、識別体検知部245に制御されて、自動加工システム200のFIB装置が、識別領域232を走査し、その結果発生する二次電子215を検出し、識別体233の位置および形状を得る。第5のステップS5の次に、第6のステップS6が実行される。   In the fifth step S5, the identification object detection unit 245 detects the identification object 233. That is, under the control of the identification object detection unit 245, the FIB apparatus of the automatic machining system 200 scans the identification region 232, detects the secondary electrons 215 generated as a result, and obtains the position and shape of the identification object 233. Following the fifth step S5, a sixth step S6 is executed.

第6のステップS6では、加工位置演算部246が、加工位置の算出を行う。すなわち、第5のステップS5で得られた、識別体233の位置および形状に基づいて、加工位置演算部246が、加工領域231の位置や範囲などを算出する。ここで、識別体233および加工領域231の位置関係は、例えば記憶部244などに、予め格納されていることが好ましい。第6のステップS6の次に、第7のステップS7が実行される。   In the sixth step S6, the machining position calculation unit 246 calculates the machining position. That is, the processing position calculation unit 246 calculates the position and range of the processing region 231 based on the position and shape of the identification body 233 obtained in the fifth step S5. Here, the positional relationship between the identifier 233 and the processing region 231 is preferably stored in advance in the storage unit 244, for example. After the sixth step S6, a seventh step S7 is executed.

第7のステップS7では、加工部247が、加工領域231の加工を行う。すなわち、加工部247に制御されて、自動加工システム200のFIB装置が、加工領域231に対する加工を、自動的に行う。この加工の具体的な内容は、例えば、どの場所にどの順番でどんな特性のFIB214をどの程度照射するか、などが設定されたプログラムに沿って実行されることが好ましい。また、このプログラムは、例えば記憶部244に予め格納されていることが好ましい。加工領域231の加工は、従来技術の場合と同じであるので、そのさらなる詳細な説明を省略する。第7のステップS7が完了すると、本実施形態による自動加工方法は終了する。   In 7th step S7, the process part 247 processes the process area | region 231. FIG. That is, under the control of the processing unit 247, the FIB apparatus of the automatic processing system 200 automatically performs processing on the processing region 231. The specific content of this processing is preferably executed in accordance with a program in which, for example, how much FIB 214 of which characteristic is irradiated in which order and in what order. Further, this program is preferably stored in advance in the storage unit 244, for example. Since the processing of the processing region 231 is the same as that in the case of the prior art, further detailed description thereof is omitted. When the seventh step S7 is completed, the automatic machining method according to the present embodiment ends.

上記に説明したように、コントラストおよび輝度の調節を行う際に、従来技術では識別領域232をFIB214で走査していたが、本実施形態では別の基準領域234を走査する。基準領域234には、基準体群235Bおよび236Bを、識別体233に課せられた形状の制限とは関係無く、さらに大きな高低差をもって形成することが出来る。したがって、本実施形態によれば、コントラストおよび輝度の調整を、従来技術よりも高い精度で行うことが可能となっている。   As described above, when the contrast and brightness are adjusted, the identification area 232 is scanned by the FIB 214 in the conventional technique, but another reference area 234 is scanned in the present embodiment. In the reference region 234, the reference body groups 235B and 236B can be formed with a greater height difference regardless of the shape restriction imposed on the identification body 233. Therefore, according to the present embodiment, it is possible to adjust the contrast and the brightness with higher accuracy than in the prior art.

また、従来技術の場合と比べて、本実施形態の場合は、識別体233をFIB214で走査する回数が少なくて済む。したがって、FIB214の照射による識別体233へのダメージも少なくて済む。このことは、加工領域231の位置をより高い精度で特定出来ることに繋がる。   Further, in the case of the present embodiment, the number of times of scanning the identification body 233 with the FIB 214 is smaller than in the case of the prior art. Therefore, damage to the identification body 233 due to irradiation of the FIB 214 can be reduced. This leads to the ability to specify the position of the processing region 231 with higher accuracy.

(第2の実施形態)
本発明の第2の実施形態による自動加工システムおよび自動加工方法は、本発明の第1の実施形態による自動加工システムおよび自動加工方法に、以下の変更を加えたものに等しい。すなわち、本実施形態による試料230には、本発明の第1の実施形態による基準領域234の代わりに、基準領域334を設ける。ここで、基準領域334には、基準体群235A、235B、236Aおよび236Bを、FIBを用いたエッチングによって形成する。
(Second Embodiment)
The automatic machining system and the automatic machining method according to the second embodiment of the present invention are equivalent to the automatic machining system and the automatic machining method according to the first embodiment of the present invention with the following changes. That is, the sample 230 according to the present embodiment is provided with the reference region 334 instead of the reference region 234 according to the first embodiment of the present invention. Here, the reference body groups 235A, 235B, 236A and 236B are formed in the reference region 334 by etching using FIB.

図3は、本発明の第2の実施形態による基準領域334の構成を示す俯瞰図である。図3の基準領域334には、基準体335A、335B、336Aおよび336Bの一部または全てが形成されている。基瞬体335Aおよび335Bは、試料230表面に対して下方向に凹んだ凹部である。基準体群336Aおよび336Bは、試料230表面と同じ水準の平面である。   FIG. 3 is an overhead view showing the configuration of the reference region 334 according to the second embodiment of the present invention. Part or all of the reference bodies 335A, 335B, 336A, and 336B are formed in the reference region 334 of FIG. The basic bodies 335A and 335B are concave portions that are recessed downward with respect to the surface of the sample 230. The reference body groups 336A and 336B are flat surfaces at the same level as the surface of the sample 230.

ここでも、第1の実施形態の場合と同様に、基準体群335Aおよび336Aの組み合わせ、または、基準体群335Bおよび336Bの組み合わせは、後述するように、必要なコントラストおよび輝度の適正値を調整するに十分な高低差を有する必要がある。したがって、本実施形態でも、基準領域334には、より大きい高低差が得られるように、基準体群335Bおよび336Bの組み合わせを形成するものとする。   Again, as in the first embodiment, the combination of the reference body groups 335A and 336A or the combination of the reference body groups 335B and 336B adjusts the appropriate values of necessary contrast and brightness, as will be described later. It is necessary to have a sufficient height difference. Therefore, also in the present embodiment, a combination of the reference body groups 335B and 336B is formed in the reference region 334 so that a greater difference in height is obtained.

ここで、やはり第1の実施形態の場合と同様に、基準体群335Aおよび336Aの組み合わせよりも、基準体群335Bおよび336Bの組み合わせの方が、コントラストおよび輝度の適正値の調整に用いるに適している。その理由は、以下のとおりである。すなわち、基準体群335Aおよび336Aの組み合わせでは、FIB214の照射に伴い発生する二次電子215のほぼ全てが二次電子検出器220によって検出される。その一方で、基準体群335Bおよび336Bの組み合わせでは、FIB214の照射に伴い発生する二次電子215の一部が、基準体335Bの内壁に妨げられて二次電子検出器220によって検出されない。   Here, as in the case of the first embodiment, the combination of the reference body groups 335B and 336B is more suitable for adjusting the appropriate values of contrast and brightness than the combination of the reference body groups 335A and 336A. ing. The reason is as follows. That is, in the combination of the reference body groups 335 </ b> A and 336 </ b> A, almost all of the secondary electrons 215 generated by the irradiation of the FIB 214 are detected by the secondary electron detector 220. On the other hand, in the combination of the reference body groups 335B and 336B, a part of the secondary electrons 215 generated by the irradiation of the FIB 214 is blocked by the inner wall of the reference body 335B and is not detected by the secondary electron detector 220.

なお、この変更に伴い、基準体群形成部241および第1のステップS1や、適正値演算部243および第3のステップS3や、記憶部244に格納される各種プログラムなども、その動作や演算の内容を適宜に変更する必要がある。   With this change, the reference body group forming unit 241 and the first step S1, the appropriate value calculating unit 243 and the third step S3, and various programs stored in the storage unit 244 are also operated and calculated. It is necessary to change the contents of.

その他の、自動加工システムの構成要素および自動加工方法の手順と、その結果得られる効果は、本発明の第1の実施形態の場合と同様であるので、さらなる詳細な説明を省略する。   Other components of the automatic machining system, the procedure of the automatic machining method, and the effects obtained as a result are the same as in the case of the first embodiment of the present invention, and further detailed description is omitted.

本発明における、以上に説明した実施形態による自動加工システムおよび自動加工方法は、技術的に矛盾しない範囲で自由に組み合わせることが可能である。   The automatic machining system and the automatic machining method according to the above-described embodiments in the present invention can be freely combined within a technically consistent range.

100 ビーム加工装置
111 イオン源
112 加速電圧源
113 ビーム調整機構
114 FIB装置
116 可動ステージ
120 二次電子検出器
130 試料
131 加工領域
132 参照画像領域
133 特定形状マーク
200 自動加工システム
211 イオン源
212 加速電圧源
213 ビーム調整機構
214 FIB
215 二次電子
216 可動ステージ
220 二次電子検出器
230 試料
231 加工領域
232 識別領域
233 識別体
234 基準領域
235A、235B 基準体
236A、236B 基準体
240 制御部
241 基準体群形成部
242 基準体群走査部
243 適正値演算部
244 記憶部
245 識別体検知部
246 加工位置演算部
247 加工部
248 バス
334 基準領域
335A、335B 基準体
336A、336B 基準体
DESCRIPTION OF SYMBOLS 100 Beam processing apparatus 111 Ion source 112 Acceleration voltage source 113 Beam adjustment mechanism 114 FIB apparatus 116 Movable stage 120 Secondary electron detector 130 Sample 131 Processing area 132 Reference image area 133 Specific shape mark 200 Automatic processing system 211 Ion source 212 Acceleration voltage Source 213 Beam adjustment mechanism 214 FIB
215 Secondary electron 216 Movable stage 220 Secondary electron detector 230 Sample 231 Processing area 232 Identification area 233 Identification body 234 Reference area 235A, 235B Reference body 236A, 236B Reference body 240 Control section 241 Reference body group formation section 242 Reference body group Scan unit 243 Appropriate value calculation unit 244 Storage unit 245 Identification object detection unit 246 Processing position calculation unit 247 Processing unit 248 Bus 334 Reference area 335A, 335B Reference object 336A, 336B Reference object

Claims (5)

加工対象である試料に向けてFIB(Focused Ion Beam:集束イオンビーム)を照射するFIB装置と、
前記FIBを照射された前記試料から発生する二次電子を検出する二次電子検出器と、
前記FIB装置および前記二次電子検出器を制御する制御部と
を具備し、
前記制御部は、
前記FIB装置を制御して前記試料の表面に基準体群を形成する基準体群形成部と、
前記FIB装置および前記二次電子検出器を制御して前記基準体群のSIM(Scanning Ion Microscope:走査イオン顕微鏡)像を取得する基準体群走査部と、
前記SIM像に基づいてコントラストおよび輝度を適正値に調整する適正値演算部と、
前記調整された適正値を記憶する記憶部と、
前記FIB装置および前記二次電子検出器を制御して、かつ、前記記憶された適正値を用いて、前記試料の表面に設けられた識別体の位置を検知する識別体検知部と、
前記検知された識別体の位置に基づいて、前記試料の表面に設けられた加工領域の位置を算出する加工位置演算部と、
前記FIB装置を制御して前記加工領域に加工を行う加工部と
を具備する
自動加工システム。
An FIB apparatus that irradiates a sample to be processed with an FIB (Focused Ion Beam);
A secondary electron detector for detecting secondary electrons generated from the sample irradiated with the FIB;
A controller that controls the FIB device and the secondary electron detector;
The controller is
A reference body group forming unit that controls the FIB apparatus to form a reference body group on the surface of the sample;
A reference body group scanning unit that controls the FIB device and the secondary electron detector to obtain a SIM (Scanning Ion Microscope) image of the reference body group;
An appropriate value calculation unit that adjusts contrast and brightness to appropriate values based on the SIM image;
A storage unit for storing the adjusted appropriate value;
An identifier detection unit that controls the FIB device and the secondary electron detector and detects the position of the identifier provided on the surface of the sample using the stored appropriate value;
Based on the detected position of the identifier, a processing position calculation unit that calculates the position of the processing region provided on the surface of the sample;
An automatic processing system comprising: a processing unit that controls the FIB apparatus to perform processing in the processing region.
請求項1に記載の自動加工システムにおいて、
前記基準体群は、
前記識別体を識別するために必要な前記コントラスト値と、前記輝度値とを前記適正値に調整するに十分な高低差を有する第1および第2の基準体
を具備する
自動加工システム。
In the automatic processing system according to claim 1,
The reference body group is:
An automatic processing system comprising first and second reference bodies having a height difference sufficient to adjust the contrast value necessary for identifying the identification body and the luminance value to the appropriate value.
請求項1または2に記載の自動加工システムにおいて、
前記FIB装置は、
液体金属からイオンを生成するイオン源と、
前記イオンを加速する電圧を前記イオン源に供給する加速電圧源と、
前記加速されたイオンから前記FIBを生成するビーム調整機構と、
前記試料を設置して、前記試料の表面における前記FIBの照射位置を移動する可動ステージ
を具備する
自動加工システム。
In the automatic processing system according to claim 1 or 2,
The FIB device
An ion source for generating ions from a liquid metal;
An acceleration voltage source for supplying a voltage for accelerating the ions to the ion source;
A beam adjustment mechanism for generating the FIB from the accelerated ions;
An automatic processing system comprising a movable stage that sets the sample and moves the irradiation position of the FIB on the surface of the sample.
加工対象である試料に向けてFIBを照射するFIB装置を制御して前記試料の表面に基準体群を形成するステップと、
前記FIB装置と、前記FIBを照射された前記試料から発生する二次電子を検出する二次電子検出器とを制御して前記基準体群のSIM像を取得するステップと、
前記SIM像に基づいてコントラストおよび輝度を適正値に調整するステップと、
前記調整された適正値を記憶するステップと、
前記FIB装置および前記二次電子検出器を制御して、かつ、前記記憶された適正値を用いて、前記試料の表面に設けられた識別体の位置を検知するステップと、
前記検知された識別体の位置に基づいて、前記試料の表面に設けられた加工領域の位置を算出するステップと、
前記FIB装置を制御して前記加工領域に加工を行うステップと
を具備する
自動加工方法。
Forming a reference body group on the surface of the sample by controlling an FIB apparatus that irradiates the FIB toward the sample to be processed;
Obtaining a SIM image of the reference body group by controlling the FIB device and a secondary electron detector that detects secondary electrons generated from the sample irradiated with the FIB;
Adjusting the contrast and brightness to appropriate values based on the SIM image;
Storing the adjusted appropriate value;
Controlling the FIB device and the secondary electron detector and detecting the position of an identifier provided on the surface of the sample using the stored proper value;
Calculating the position of the processing region provided on the surface of the sample based on the detected position of the identifier;
An automatic processing method comprising: controlling the FIB apparatus to perform processing on the processing region.
請求項4に記載の自動加工方法において、
前記基準体群を形成するステップは、
第1の基準体を形成するステップと、
前記第1の基準体との高低差を有する第2の基準体を形成するステップと
を具備し、
前記高低差は、前記識別体を識別するために必要な前記コントラスト値と、前記輝度値とを前記適正値に調整するに十分である
自動加工方法。
In the automatic processing method of Claim 4,
The step of forming the reference body group includes:
Forming a first reference body;
Forming a second reference body having a height difference from the first reference body,
The height difference is sufficient to adjust the contrast value and the luminance value necessary for identifying the identifier to the appropriate value.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2014006524A (en) * 2012-06-26 2014-01-16 Fei Co Three dimensional fiducial mark

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