JP2012217089A - Variable bandwidth filter - Google Patents
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Abstract
Description
この発明は、遮断帯域で良好な遮断特性が得られる帯域可変フィルタに関するものである。 The present invention relates to a band-variable filter capable of obtaining a good cutoff characteristic in a cutoff band.
図14は以下の特許文献1に開示されている従来の帯域可変フィルタを示す構成図である。
この帯域可変フィルタでは、結合回路の通過端子に片側が接地されている可変容量素子が接続されるとともに、その結合回路のアイソレーション端子に片側が接地されている可変容量素子が接続されており、これらの可変容量素子に印加するバイアス電圧を制御することで、通過帯域を制御するようにしている。
FIG. 14 is a block diagram showing a conventional variable band filter disclosed in Patent Document 1 below.
In this band-variable filter, a variable capacitance element that is grounded on one side is connected to the passing terminal of the coupling circuit, and a variable capacitance element that is grounded on one side is connected to the isolation terminal of the coupling circuit, The pass band is controlled by controlling the bias voltage applied to these variable capacitance elements.
従来の帯域可変フィルタは以上のように構成されているので、可変容量素子に印加するバイアス電圧を制御することで、通過帯域を制御することができる。しかし、結合回路の周波数選択性のみで、遮断帯域の特性が決まるため、大きな遮断特性が得られないなどの課題があった。 Since the conventional band variable filter is configured as described above, the pass band can be controlled by controlling the bias voltage applied to the variable capacitance element. However, since the cutoff band characteristic is determined only by the frequency selectivity of the coupling circuit, there is a problem that a large cutoff characteristic cannot be obtained.
この発明は上記のような課題を解決するためになされたもので、遮断帯域で良好な遮断特性を得ることができる帯域可変フィルタを得ることを目的とする。 The present invention has been made to solve the above-described problems, and an object of the present invention is to obtain a band-variable filter capable of obtaining a good cutoff characteristic in the cutoff band.
この発明に係る帯域可変フィルタは、一端が接地されている可変容量素子の他端と一端が接地されている伝送線路の他端とが接続されている第1の可変共振器と、第1の可変共振器と隣接配置されており、一端が接地されている可変容量素子の他端と一端が接地されている伝送線路の他端とが接続されている第2の可変共振器と、一端が第1の入出力端子と接続され、他端が第1の可変共振器の伝送線路と接続されている第1のインダクタと、一端が第2の入出力端子と接続され、他端が第2の可変共振器の伝送線路と接続されている第2のインダクタとを備えるようにしたものである。 The band-variable filter according to the present invention includes a first variable resonator in which the other end of the variable capacitance element whose one end is grounded and the other end of the transmission line whose one end is grounded are connected, A second variable resonator disposed adjacent to the variable resonator and connected to the other end of the variable capacitance element having one end grounded and the other end of the transmission line having one end grounded; A first inductor connected to the first input / output terminal, the other end connected to the transmission line of the first variable resonator, one end connected to the second input / output terminal, and the other end to the second And a second inductor connected to the transmission line of the variable resonator.
この発明によれば、一端が接地されている可変容量素子の他端と一端が接地されている伝送線路の他端とが接続されている第1の可変共振器と、第1の可変共振器と隣接配置されており、一端が接地されている可変容量素子の他端と一端が接地されている伝送線路の他端とが接続されている第2の可変共振器と、一端が第1の入出力端子と接続され、他端が第1の可変共振器の伝送線路と接続されている第1のインダクタと、一端が第2の入出力端子と接続され、他端が第2の可変共振器の伝送線路と接続されている第2のインダクタとを備えるように構成したので、遮断帯域で良好な遮断特性を得ることができる効果がある。 According to this invention, the first variable resonator in which the other end of the variable capacitance element whose one end is grounded and the other end of the transmission line whose one end is grounded are connected, and the first variable resonator. And a second variable resonator connected to the other end of the variable capacitance element having one end grounded and the other end of the transmission line having one end grounded, and one end being the first A first inductor connected to the input / output terminal, the other end connected to the transmission line of the first variable resonator, one end connected to the second input / output terminal, and the other end to the second variable resonance Since it comprises the 2nd inductor connected with the transmission line of a device, there exists an effect which can obtain a favorable cutoff characteristic in a stop zone.
実施の形態1.
図1はこの発明の実施の形態1による帯域可変フィルタを示す構成図である。
図1において、入出力端子1aは信号を入出力する端子であり、第1の入出力端子を構成している。
入出力端子1bは信号を入出力する端子であり、第2の入出力端子を構成している。
制御端子1cはバイアス電圧を入力する端子である。
Embodiment 1 FIG.
FIG. 1 is a block diagram showing a variable band filter according to Embodiment 1 of the present invention.
In FIG. 1, an input /
The input /
The
第1の可変共振器は伝送線路2a及び可変容量素子3aから構成されている。
第1の可変共振器を構成している伝送線路2aは一端が接地されており、他端がキャパシタ4aを介して可変容量素子3aと接続されている。
第1の可変共振器を構成している可変容量素子3aは一端が接地されており、他端がキャパシタ4aを介して伝送線路2aと接続されている。
The first variable resonator is composed of a
One end of the
One end of the
第2の可変共振器は第1の可変共振器と隣接配置されており、伝送線路2b及び可変容量素子3bから構成されている。
第2の可変共振器を構成している伝送線路2bは一端が接地されており、他端がキャパシタ4bを介して可変容量素子3bと接続されている。
第2の可変共振器を構成している可変容量素子3bは一端が接地されており、他端がキャパシタ4bを介して伝送線路2bと接続されている。
なお、第1の可変共振器と第2の可変共振器から結合回路が構成されている。
The second variable resonator is disposed adjacent to the first variable resonator and includes a
One end of the
One end of the
The first variable resonator and the second variable resonator form a coupling circuit.
抵抗5aは一端が制御端子1cと接続され、他端が可変容量素子3a及びキャパシタ4aの接続点と接続されており、制御端子1cから抵抗5aを介してバイアス電圧が第1の可変共振器が供給されて、可変容量素子3aの容量値が制御される。
抵抗5bは一端が制御端子1cと接続され、他端が可変容量素子3b及びキャパシタ4bの接続点と接続されており、制御端子1cから抵抗5bを介してバイアス電圧が第2の可変共振器が供給されて、可変容量素子3bの容量値が制御される。
The
The
インダクタ6aは一端が入出力端子1aと接続され、他端が第1の可変共振器の伝送線路2aと接続されており、第1のインダクタを構成している。
インダクタ6bは一端が入出力端子1bと接続され、他端が第2の可変共振器の伝送線路2bと接続されており、第2のインダクタを構成している。
One end of the
The
次に動作について説明する。
第1の可変共振器は、可変容量素子3aの呈する容量値に応じて共振周波数が変化し、
第2の可変共振器は、可変容量素子3bの呈する容量値に応じて共振周波数が変化する。
第1の可変共振器及び第2の可変共振器の共振周波数が変化することで、入出力端子1aと入出力端子1b間の通過周波数が変化する。
図1の帯域可変フィルタでは、制御端子1cから供給されるバイアス電圧によって、可変容量素子3a及び可変容量素子3bの容量値を変化させることができるので、入出力端子1aと入出力端子1b間の通過周波数を変化させることができる。
Next, the operation will be described.
In the first variable resonator, the resonance frequency changes according to the capacitance value exhibited by the
The resonance frequency of the second variable resonator changes according to the capacitance value exhibited by the
By changing the resonance frequency of the first variable resonator and the second variable resonator, the passing frequency between the input /
In the variable band filter of FIG. 1, the capacitance values of the
また、図1の帯域可変フィルタでは、入出力端子1aと第1の可変共振器の伝送線路2aの間にインダクタ6aが接続され、入出力端子1bと第2の可変共振器の伝送線路2bの間にインダクタ6bが接続されており、そのインダクタ6a,6bの接続点が第1及び第2の可変共振器の接地点近傍であるため、高周波数において高い遮断特性を得ることができる。
In the band-variable filter shown in FIG. 1, an
ここで、図2は図1の帯域可変フィルタの電気特性の計算例を示す説明図である。
図2において、S11は反射振幅を示し、S21は通過振幅を示している。
S11,S21の線が3本ずつあるのは、可変容量素子3a,3bの容量値を変化させているためである。
この計算例では、通過帯域が約380〜440MHzまで変化している。
一方、図15はインダクタ6a,6bが接続されていない従来の帯域可変フィルタの電気特性の計算例を示す説明図である。
双方の電気特性を比べると、この実施の形態1による帯域可変フィルタは、従来の帯域可変フィルタより、遮断帯域(通過帯域以外の周波数)での遮断特性が優れていることが分かる。
Here, FIG. 2 is an explanatory diagram showing an example of calculation of electrical characteristics of the variable band filter of FIG.
In FIG. 2, S11 indicates the reflection amplitude, and S21 indicates the passage amplitude.
The reason why there are three lines S11 and S21 is that the capacitance values of the
In this calculation example, the pass band changes from about 380 to 440 MHz.
On the other hand, FIG. 15 is an explanatory diagram showing a calculation example of electrical characteristics of a conventional band-variable filter to which the
Comparing the electrical characteristics of both, it can be seen that the variable band filter according to the first embodiment is superior in the cutoff characteristic in the cutoff band (frequency other than the pass band) than the conventional variable band filter.
以上で明らかなように、この実施の形態1によれば、一端が接地されている可変容量素子3aの他端と一端が接地されている伝送線路2aの他端とが接続されている第1の可変共振器と、第1の可変共振器と隣接配置されており、一端が接地されている可変容量素子3bの他端と一端が接地されている伝送線路2bの他端とが接続されている第2の可変共振器と、一端が入出力端子1aと接続され、他端が第1の可変共振器の伝送線路2aと接続されているインダクタ6aと、一端が入出力端子1bと接続され、他端が第2の可変共振器の伝送線路2bと接続されているインダクタ6bとを備えるように構成したので、遮断帯域で良好な遮断特性を得ることができる効果を奏する。
As apparent from the above, according to the first embodiment, the other end of the
即ち、図1の帯域可変フィルタでは、入出力端子1aと第1の可変共振器の伝送線路2aの間にインダクタ6aを接続するとともに、入出力端子1bと第2の可変共振器の伝送線路2bの間にインダクタ6bを接続することで、高周波数での遮断特性を高めることができる効果を奏する。
これにより、高周波数からの干渉信号を抑圧することが可能となる。また、インダクタ6a,6bと可変共振器の接続を接地点から物理的に離すことができるため、ばらつきの少ない回路を得ることが可能となる。
1, the
Thereby, it becomes possible to suppress the interference signal from a high frequency. Further, since the connection between the
実施の形態2.
図3はこの発明の実施の形態2による帯域可変フィルタを示す構成図であり、図において、図1と同一符号は同一または相当部分を示すので説明を省略する。
第1の可変共振器は伝送線路2a及びキャパシタ11aから構成されている。
第1の可変共振器を構成している伝送線路2aは一端が接地されており、他端がキャパシタ11aと接続されている。
第1の可変共振器を構成しているキャパシタ11aは一端が接地されており、他端が伝送線路2aと接続されている。
Embodiment 2. FIG.
3 is a block diagram showing a variable band filter according to Embodiment 2 of the present invention. In the figure, the same reference numerals as those in FIG.
The first variable resonator includes a
One end of the
The
第2の可変共振器は伝送線路2b及びキャパシタ11bから構成されている。
第2の可変共振器を構成している伝送線路2bは一端が接地されており、他端がキャパシタ11bと接続されている。
第2の可変共振器を構成しているキャパシタ11bは一端が接地されており、他端が伝送線路2bと接続されている。
The second variable resonator is composed of a
The
One end of the
可変容量素子12aは一端が入出力端子1aと接続されている。
可変容量素子12bは一端が入出力端子1bと接続され、他端が可変容量素子12aの他端と接続されている。
抵抗5は一端が制御端子1cと接続され、他端が可変容量素子12a,12bの他端と接続されており、制御端子1cから抵抗5を介してバイアス電圧が供給されて、可変容量素子12a,12bの容量値が制御される。
One end of the
The
One end of the
次に動作について説明する。
図3の帯域可変フィルタでは、入出力端子1aと入出力端子1b間の通過帯域が、第1の可変共振器及び第2の可変共振器の共振周波数によって決定される。
また、図3の帯域可変フィルタでは、入力信号が可変共振器側の経路を通る成分と、その入力信号が分岐されて可変容量素子12a,12b側の経路を通る成分との打ち消し合いによって、通過帯域近傍の遮断帯域での遮断量にピークを持たせることができる。
この遮断帯域の周波数は、可変容量素子12a,12bの容量値によって変化させることができる。
Next, the operation will be described.
In the variable band filter of FIG. 3, the pass band between the input /
In the band-variable filter of FIG. 3, the input signal passes by canceling out the component that passes through the path on the variable resonator side and the component that branches the input signal and passes through the path on the
The frequency of this cutoff band can be changed according to the capacitance values of the
ここで、図4は図3の帯域可変フィルタの電気特性の計算例を示す説明図である。
この計算例では、通過帯域が約420MHzである。
図4より、通過帯域近傍の遮断帯域において、遮断量のピークが生じることが分かる。
図4において、重ね書きしている線は、可変容量素子12a,12bの容量値を変えたときの特性であり、ピークの生じる周波数を変化できることが分かる。
以上のことから、図3の帯域可変フィルタでは、遮断帯域で良好な遮断特性が得られる。
Here, FIG. 4 is an explanatory diagram showing a calculation example of the electrical characteristics of the band variable filter of FIG.
In this calculation example, the pass band is about 420 MHz.
FIG. 4 shows that the peak of the cutoff amount occurs in the cutoff band near the pass band.
In FIG. 4, the overwritten lines are characteristics when the capacitance values of the
From the above, the band-variable filter of FIG. 3 can obtain a good cutoff characteristic in the cutoff band.
以上で明らかなように、この実施の形態2によれば、一端が接地されているキャパシタ11aの他端と一端が接地されている伝送線路2aの他端とが接続されている第1の可変共振器と、第1の可変共振器と隣接配置されており、一端が接地されているキャパシタ11bの他端と一端が接地されている伝送線路2bの他端とが接続されている第2の可変共振器と、一端が入出力端子1aと接続され、他端が第1の可変共振器の伝送線路2aと接続されているインダクタ6aと、一端が入出力端子1bと接続され、他端が第2の可変共振器の伝送線路2bと接続されているインダクタ6bと、一端が入出力端子1aと接続されている可変容量素子12aと、一端が入出力端子1bと接続され、他端が可変容量素子12aの他端と接続されている可変容量素子12bとを備えるように構成したので、遮断帯域で良好な遮断特性を得ることができる効果を奏する。
As is apparent from the above, according to the second embodiment, the first variable is connected to the other end of the
即ち、図3の帯域可変フィルタでは、入出力端子1aと入出力端子1bを可変容量素子12a,12bで直結することによって、通過帯域近傍での遮断特性を高めることができる効果を奏する。
これにより、通過帯域近傍における干渉信号を抑圧することが可能となる。
In other words, the band variable filter of FIG. 3 has an effect of improving the cutoff characteristic in the vicinity of the pass band by directly connecting the input /
As a result, it is possible to suppress interference signals in the vicinity of the passband.
実施の形態3.
図5はこの発明の実施の形態3による帯域可変フィルタを示す構成図であり、図において、図3と同一符号は同一または相当部分を示すので説明を省略する。
伝送線路21aは一端が入出力端子1aと接続され、他端がキャパシタ23aを介して可変容量素子22aと接続されている。
可変容量素子22aは一端が接地されており、他端がキャパシタ23aを介して伝送線路21aと接続されている。なお、伝送線路21aと可変容量素子22aから第1の可変反射回路が構成されている。
Embodiment 3 FIG.
FIG. 5 is a block diagram showing a variable band filter according to Embodiment 3 of the present invention. In the figure, the same reference numerals as those in FIG.
The
One end of the
伝送線路21bは一端が入出力端子1bと接続され、他端がキャパシタ23bを介して可変容量素子22bと接続されている。
可変容量素子22bは一端が接地されており、他端がキャパシタ23bを介して伝送線路21bと接続されている。なお、伝送線路21bと可変容量素子22bから第2の可変反射回路が構成されている。
The
One end of the
図5の帯域可変フィルタでは、入出力端子1a,1bの双方に可変反射回路が接続されている例を示しているが、入出力端子1a,1bの少なくとも一方に可変反射回路が接続されていればよい。
5 shows an example in which a variable reflection circuit is connected to both the input /
次に動作について説明する。
図5の帯域可変フィルタでは、第1の可変共振器及び第2の可変共振器が通過帯域を形成し、第1の可変反射回路及び第2の可変反射回路が減衰特性を形成している。
ここで、図6は図5の帯域可変フィルタの電気特性の計算例を示す説明図である。
この計算例では、通過帯域が約420MHzであり、220MHz付近と670MHz付近の遮断帯域において、遮断量のピークが生じることが分かる。
図6において、重ね書きしている線は、可変容量素子22a,22bの容量値を変えたときの特性であり、ピークの生じる周波数を変化できることが分かる。
Next, the operation will be described.
In the band variable filter of FIG. 5, the first variable resonator and the second variable resonator form a pass band, and the first variable reflection circuit and the second variable reflection circuit form an attenuation characteristic.
Here, FIG. 6 is an explanatory diagram showing a calculation example of the electrical characteristics of the variable band filter of FIG.
In this calculation example, it is understood that the pass band is about 420 MHz, and the peak of the cutoff amount occurs in the cutoff bands near 220 MHz and 670 MHz.
In FIG. 6, the overwritten line is a characteristic when the capacitance values of the
図5の帯域可変フィルタでは、220MHz付近の遮断特性が第1の可変反射回路によって形成され、670MHz付近の遮断特性が第2の可変反射回路によって形成されている。
なお、可変反射回路を片方だけにすれば、ピークを1つにすることができ、このような可変反射回路を増やすことによって、減衰特性のピークを増やすことも可能である。
In the band variable filter of FIG. 5, the cutoff characteristic near 220 MHz is formed by the first variable reflection circuit, and the cutoff characteristic near 670 MHz is formed by the second variable reflection circuit.
If only one variable reflection circuit is provided, the number of peaks can be reduced to one. By increasing the number of such variable reflection circuits, the peak of the attenuation characteristic can be increased.
以上のことから、図5の帯域可変フィルタでは、遮断帯域で良好な遮断特性が得られる。
なお、インダクタ6a,6bは、高周波数での減衰特性を良好にするとともに、可変反射回路と可変共振器とを分離する役割を果たしている。
これにより、遮断特性にピークを持たせた場合でも、通過帯域内の特性に与える影響を軽減することができる。
From the above, the band-variable filter of FIG. 5 can obtain a good cutoff characteristic in the cutoff band.
The
Thereby, even when the cutoff characteristic has a peak, the influence on the characteristic in the pass band can be reduced.
以上で明らかなように、この実施の形態3によれば、一端が接地されているキャパシタ11aの他端と一端が接地されている伝送線路2aの他端とが接続されている第1の可変共振器と、第1の可変共振器と隣接配置されており、一端が接地されているキャパシタ11bの他端と一端が接地されている伝送線路2bの他端とが接続されている第2の可変共振器と、一端が入出力端子1aと接続され、他端が第1の可変共振器の伝送線路2aと接続されているインダクタ6aと、一端が入出力端子1bと接続され、他端が第2の可変共振器の伝送線路2bと接続されているインダクタ6bとを備え、一端が接地されている可変容量素子22と伝送線路21が接続されている可変反射回路が、入出力端子1a,1bの少なくとも一方に接続されているように構成したので、遮断帯域で良好な遮断特性を得ることができる効果を奏する。
As apparent from the above, according to the third embodiment, the first variable is connected to the other end of the
即ち、図5の帯域可変フィルタでは、通過帯域よりも低周波数あるいは高周波数の少なくとも一方での遮断特性を高めることができる効果を奏する。
これにより、当該遮断帯域における干渉信号を抑圧することが可能となる。
That is, the variable band filter of FIG. 5 has an effect of improving the cutoff characteristic at least one of a lower frequency and a higher frequency than the pass band.
Thereby, it is possible to suppress the interference signal in the cutoff band.
実施の形態4.
図7はこの発明の実施の形態4による帯域可変フィルタを示す構成図であり、図において、図3と同一符号は同一または相当部分を示すので説明を省略する。
可変容量素子31aは一端がキャパシタ32aを介して入出力端子1aと接続され、他端が第1の可変共振器の伝送線路2aと接続されており、第1の可変容量素子を構成している。
可変容量素子31bは一端がキャパシタ32bを介して入出力端子1bと接続され、他端が第2の可変共振器の伝送線路2bと接続されており、第2の可変容量素子を構成している。
Embodiment 4 FIG.
FIG. 7 is a block diagram showing a variable band filter according to Embodiment 4 of the present invention. In the figure, the same reference numerals as those in FIG.
One end of the
One end of the
次に動作について説明する。
図7の帯域可変フィルタでは、第1の可変共振器及び第2の可変共振器が通過帯域を形成し、可変容量素子31aが入出力端子1aと第1の可変共振器間の結合量を変え、可変容量素子31bが入出力端子1bと第2の可変共振器間の結合量を変える。
これにより、通過帯域の帯域幅を変化させることができる。
Next, the operation will be described.
In the variable band filter of FIG. 7, the first variable resonator and the second variable resonator form a pass band, and the
Thereby, the bandwidth of a pass band can be changed.
ここで、図8は図7の帯域可変フィルタの電気特性の計算例を示す説明図である。
この計算例では、通過帯域が約380MHzである。
図8において、重ね書きしている線は、可変容量素子31a,31bの容量値を変えたときの特性であり、通過帯域の帯域幅を変化できることが分かる。
以上のことから、図7の帯域可変フィルタでは、遮断帯域で良好な遮断特性が得られる。
Here, FIG. 8 is an explanatory view showing a calculation example of the electrical characteristics of the variable band filter of FIG.
In this calculation example, the pass band is about 380 MHz.
In FIG. 8, the overwritten lines are characteristics when the capacitance values of the
From the above, the band-variable filter of FIG. 7 can obtain a good cutoff characteristic in the cutoff band.
以上で明らかなように、この実施の形態4によれば、一端が接地されているキャパシタ11aの他端と一端が接地されている伝送線路2aの他端とが接続されている第1の可変共振器と、第1の可変共振器と隣接配置されており、一端が接地されているキャパシタ11bの他端と一端が接地されている伝送線路2bの他端とが接続されている第2の可変共振器と、一端が入出力端子1aと接続され、他端が第1の可変共振器の伝送線路2aと接続されている可変容量素子31aと、一端が入出力端子1bと接続され、他端が第2の可変共振器の伝送線路2bと接続されている可変容量素子31bとを備えるように構成したので、遮断帯域で良好な遮断特性を得ることができる効果を奏する。
As is apparent from the above, according to the fourth embodiment, the first variable is connected to the other end of the
即ち、図7の帯域可変フィルタでは、通過帯域近傍での遮断特性を高めることができる効果を奏する。
これにより、当該遮断帯域における干渉信号を抑圧することが可能となる。
That is, the variable band filter of FIG. 7 has an effect of improving the cutoff characteristic in the vicinity of the pass band.
Thereby, it is possible to suppress the interference signal in the cutoff band.
実施の形態5.
上記実施の形態1〜4に開示している帯域可変フィルタは、適宜組み合わせることが可能である。
例えば、上記実施の形態1による図1の帯域可変フィルタに対して、上記実施の形態2による図3の帯域可変フィルタで用いられる可変容量素子12a,12bを適用させると、図9に示すような帯域可変フィルタになる。
図9の帯域可変フィルタでは、図1及び図3の帯域可変フィルタの特徴である高周波数における良好な遮断特性と、通過帯域近傍における良好な遮断特性とを併せ持つことができる。
The band variable filters disclosed in the first to fourth embodiments can be appropriately combined.
For example, when the
The band-variable filter of FIG. 9 can have both a good cutoff characteristic at a high frequency, which is a feature of the band-variable filter of FIGS. 1 and 3, and a good cutoff characteristic near the passband.
例えば、上記実施の形態1による図1の帯域可変フィルタに対して、上記実施の形態3による図5の帯域可変フィルタで用いられる第1及び第2の可変反射回路の可変容量素子22a,22bを適用させると、図10に示すような帯域可変フィルタになる。
図10の帯域可変フィルタでは、図1及び図5の帯域可変フィルタの特徴である高周波数における良好な遮断特性と、通過帯域よりも低周波あるいは高周波における良好な遮断特性とを併せ持つことができる。
For example, the
The band-variable filter of FIG. 10 can have both a good cutoff characteristic at a high frequency, which is a feature of the band-variable filters of FIGS. 1 and 5, and a good cutoff characteristic at a low frequency or high frequency than the passband.
例えば、上記実施の形態1による図1の帯域可変フィルタに対して、上記実施の形態4による図7の帯域可変フィルタで用いられる可変容量素子31a,31bを適用させると、図11に示すような帯域可変フィルタになる。
図11の帯域可変フィルタでは、図1及び図7の帯域可変フィルタの特徴である高周波数における良好な遮断特性と、通過帯域近傍における良好な遮断特性とを併せ持つことができる。
For example, when the
The band-variable filter of FIG. 11 can have both a good cutoff characteristic at a high frequency, which is a feature of the band-variable filters of FIGS. 1 and 7, and a good cutoff characteristic near the passband.
ここでは、上記実施の形態1と上記実施の形態2の組み合わせ、上記実施の形態1と上記実施の形態3の組み合わせ、上記実施の形態1と上記実施の形態4の組み合わせについて示したが、他の実施の形態で用いられる可変容量素子を組み合わせることで、各々の特徴を併せ持った帯域可変フィルタを実現することができる。
例えば、図12は上記実施の形態1,2,4で用いられる可変容量素子を組み合わせた帯域可変フィルタであり、図13は上記実施の形態1〜4で用いられる可変容量素子を組み合わせた帯域可変フィルタである。
Here, the combination of the first embodiment and the second embodiment, the combination of the first embodiment and the third embodiment, and the combination of the first embodiment and the fourth embodiment are described. By combining the variable capacitance elements used in the embodiment, it is possible to realize a variable band filter having both characteristics.
For example, FIG. 12 is a band variable filter that combines the variable capacitors used in the first, second, and fourth embodiments, and FIG. 13 shows a variable band that combines the variable capacitors used in the first to fourth embodiments. It is a filter.
上記のいずれの実施の形態においても、可変容量素子に同一のバイアス電圧を印加することを想定しているが、それぞれの可変容量素子に異なるバイアス電圧を印加することも可能であり、これにより減衰特性のピークの位置や通過帯域での反射特性を任意に調整することができる。 In any of the above embodiments, it is assumed that the same bias voltage is applied to the variable capacitance elements, but it is also possible to apply different bias voltages to the respective variable capacitance elements. The position of the characteristic peak and the reflection characteristic in the passband can be arbitrarily adjusted.
なお、本願発明はその発明の範囲内において、各実施の形態の自由な組み合わせ、あるいは各実施の形態の任意の構成要素の変形、もしくは各実施の形態において任意の構成要素の省略が可能である。 In the present invention, within the scope of the invention, any combination of the embodiments, or any modification of any component in each embodiment, or omission of any component in each embodiment is possible. .
1a 入出力端子(第1の入出力端子)、1b 入出力端子(第2の入出力端子)、1c 制御端子、2a,2b 伝送線路、3a,3b 可変容量素子、4a,4b キャパシタ、5,5a,5b 抵抗、6a インダクタ(第1のインダクタ)、6b インダクタ(第2のインダクタ)、11a,11b キャパシタ、12a,12b 可変容量素子、21a,21b 伝送線路(可変反射回路)、22a,22b 可変容量素子(可変反射回路)、23a,23b キャパシタ、31a 可変容量素子(第1の可変容量素子)、31b 可変容量素子(第2の可変容量素子)、32a,32b キャパシタ。 1a input / output terminal (first input / output terminal), 1b input / output terminal (second input / output terminal), 1c control terminal, 2a, 2b transmission line, 3a, 3b variable capacitance element, 4a, 4b capacitor, 5, 5a, 5b resistance, 6a inductor (first inductor), 6b inductor (second inductor), 11a, 11b capacitor, 12a, 12b variable capacitance element, 21a, 21b transmission line (variable reflection circuit), 22a, 22b variable Capacitance elements (variable reflection circuits), 23a, 23b capacitors, 31a Variable capacitance elements (first variable capacitance elements), 31b Variable capacitance elements (second variable capacitance elements), 32a, 32b capacitors.
Claims (7)
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