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JP2012208257A - Anti-reflection structure and optical member - Google Patents

Anti-reflection structure and optical member Download PDF

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JP2012208257A
JP2012208257A JP2011073019A JP2011073019A JP2012208257A JP 2012208257 A JP2012208257 A JP 2012208257A JP 2011073019 A JP2011073019 A JP 2011073019A JP 2011073019 A JP2011073019 A JP 2011073019A JP 2012208257 A JP2012208257 A JP 2012208257A
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JP
Japan
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medium
layer
refractive index
eff
antireflection
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Application number
JP2011073019A
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Japanese (ja)
Inventor
Yoshimi Ota
佳実 大田
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Kuraray Co Ltd
Original Assignee
Kuraray Co Ltd
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Publication date
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Abstract

【課題】異なる波長の光や斜め入射の光に対しても低い反射率を得ることができ、かつ製造が容易で、機械的な強度が高い反射防止構造を提供する。
【解決手段】反射防止構造は、媒体1と媒体3とによって形成され、反射防止構造の有効屈折率をNeffとしたときに、
Neff=rANA+rCNC
ただし、rA、rC:第1の媒体、第3の媒体の体積率
NA、NC:第1の媒体、第3の媒体の屈折率
で表される有効屈折率が異なる2層(層A、層B)を備え、層Aは、反射防止波長域の最小波長以下の凸形微細構造4が配列されている。
【選択図】図1
Provided is an antireflection structure which can obtain a low reflectance with respect to light of different wavelengths and obliquely incident light, is easy to manufacture, and has high mechanical strength.
An antireflection structure is formed by a medium 1 and a medium 3, and when an effective refractive index of the antireflection structure is N eff ,
N eff = r A N A + r C N C
Where r A , r C : volume ratio of the first medium and the third medium
N A , N C : two layers (layer A and layer B) having different effective refractive indexes represented by the refractive indexes of the first medium and the third medium, and the layer A is the minimum wavelength in the antireflection wavelength region The following convex microstructures 4 are arranged.
[Selection] Figure 1

Description

本発明は、微細な2次元凹凸構造を有する反射防止構造、及び該反射防止構造を表面に有する光学部材に関する。   The present invention relates to an antireflection structure having a fine two-dimensional uneven structure and an optical member having the antireflection structure on the surface.

照明機器、ディスプレイ装置、情報機器、撮影機器などの光を利用する各種製品には、ガラスやプラスチックなどからなる透光性を有する光学部材が多く用いられている。これら光学部材は、光の方向を制御して集光する、製品内部を汚れや衝撃などから保護するなどの機能を有している。しかし一方で、光学部材に光が入射、或いは出射する際に界面で生じる反射光は、照明機器の効率を低下させる、ディスプレイ機器の視認性を低下させる、情報機器のノイズの原因となる、撮影機器による撮影画像の画質を低下させるなど性能低下の一因ともなる。   In various products using light, such as lighting equipment, display devices, information equipment, and photography equipment, optical members having translucency made of glass or plastic are often used. These optical members have functions such as condensing light by controlling the direction of light and protecting the inside of the product from dirt and impacts. However, on the other hand, the reflected light generated at the interface when light enters or exits the optical member lowers the efficiency of the lighting device, reduces the visibility of the display device, and causes noise in the information device. This also contributes to a decrease in performance, such as lowering the image quality of the image taken by the device.

即ち、これら光学部材の界面で生じる反射光は、空気など周囲の媒体の屈折率と光学部材の屈折率とが異なることに起因して生じる。これは、屈折率の異なる媒体に光が入射する際に、界面における波の連続性によって入射側へ戻る成分が生じるためである。   That is, the reflected light generated at the interface of these optical members is generated due to the difference between the refractive index of the surrounding medium such as air and the refractive index of the optical member. This is because when light enters a medium having a different refractive index, a component returning to the incident side is generated due to the continuity of the wave at the interface.

例えば、照明機器では、光学部材の表面で生じた反射光は光源側へと戻り、出射面から放射されずに吸収されてしまうことから、照明効率が低下する要因となる。また、ディスプレイ機器を備えた画像表示装置では、外光の一部がディスプレイ装置のパネル表面で反射され観察者へと届くために、本来このパネル表面から出射している光の割合が低下し、コントラストが低下する要因となる。   For example, in a lighting device, reflected light generated on the surface of the optical member returns to the light source side and is absorbed without being emitted from the emission surface, which causes a reduction in illumination efficiency. In addition, in an image display device provided with a display device, a part of the external light is reflected on the panel surface of the display device and reaches the observer, so that the ratio of light originally emitted from the panel surface is reduced, It becomes a factor that the contrast is lowered.

このため、従来では上記したような性能低下の原因となる光学部材の界面での反射を低減するために、光学部材の表面に薄膜をコーティングする方法が一般的に用いられている。光学部材の表面に薄膜をコーティングすることによって、周囲の媒体、薄膜、光学部材のそれぞれの界面で生じる反射光を干渉させて、入射側へと戻る光の振幅を低減させることができる。   For this reason, conventionally, a method of coating a thin film on the surface of the optical member is generally used in order to reduce reflection at the interface of the optical member, which causes the above-described performance degradation. By coating the surface of the optical member with a thin film, reflected light generated at the interfaces of the surrounding medium, thin film, and optical member can interfere with each other, and the amplitude of the light returning to the incident side can be reduced.

ところで、近年、より優れた反射防止効果を得るために、上記したような光学部材の表面に薄膜をコーティングして反射防止する構造とは原理的に全く異なる技術として、光学部材の表面に微細な凹凸構造、いわゆる「モスアイ構造」を形成して反射防止効果を得る技術が提案されている(例えば、特許文献1、2参照)。   By the way, in recent years, in order to obtain a better antireflection effect, as a technique that is completely different from the structure in which a thin film is coated on the surface of the optical member as described above to prevent the reflection, A technique for obtaining an antireflection effect by forming a concavo-convex structure, a so-called “moth eye structure” has been proposed (see, for example, Patent Documents 1 and 2).

前記特許文献1に記載の技術では、「モスアイ構造」と呼ばれる光の波長よりも小さい構造の形を制御することにより、段階的に屈折率を変化させる効果と、光の干渉効果を組み合わせて、低い反射率を実現している。   In the technology described in Patent Document 1, by combining the effect of changing the refractive index stepwise and the light interference effect by controlling the shape of the structure smaller than the wavelength of the light called the “moth eye structure”, Low reflectivity is achieved.

また、前記特許文献2に記載の技術では、「モスアイ構造」と呼ばれる光の波長よりも小さい構造の形を制御することにより、段階的に屈折率を変化させて反射光の発生を抑制し、低い反射率を実現している。   Further, in the technique described in Patent Document 2, by controlling the shape of a structure called “moth eye structure” smaller than the wavelength of light, the refractive index is changed stepwise to suppress the generation of reflected light, Low reflectivity is achieved.

特許第4398507号公報Japanese Patent No. 4398507 特表2008−508553号公報Special table 2008-508553

ところで、前記特許文献1の技術では、干渉効果を利用することにより、異なる波長の光や斜め入射の光では反射率が上昇する問題がある。また、波長よりも小さい構造の形を高さ方向にも精密に制御する必要があることから、量産製造が難しく生産性が低い。   By the way, with the technique of the said patent document 1, there exists a problem that a reflectance raises with respect to the light of a different wavelength, or the light of diagonal incidence by utilizing an interference effect. Further, since it is necessary to precisely control the shape of the structure smaller than the wavelength in the height direction, mass production is difficult and productivity is low.

また、前記特許文献2の技術では、原理的に非常に低い反射率を実現可能であるものの、波長よりも小さい構造の形を高さ方向にも制御する必要があることから、量産製造が難しく生産性が低い。また、先端が非常に尖った構造となるために、他の部材や指先等が接触した場合にこの構造が倒れたり、傷が生じたりするなど強度が低い。   In addition, although the technique of Patent Document 2 can realize a very low reflectance in principle, it is necessary to control the shape of the structure smaller than the wavelength in the height direction, which makes mass production difficult. Productivity is low. In addition, since the tip has a very sharp structure, the strength of the structure is low when another member, a fingertip or the like comes into contact with the structure, or the structure may be damaged.

そこで、本発明は、異なる波長の光や斜め入射の光に対しても低い反射率を得ることができ、かつ製造が容易で、機械的な強度が高い反射防止構造、及び該反射防止構造を表面に有する光学部材を提供することを目的とする。   Accordingly, the present invention provides an antireflection structure capable of obtaining a low reflectance with respect to light of different wavelengths and obliquely incident light, is easy to manufacture, and has high mechanical strength, and the antireflection structure. It aims at providing the optical member which has on the surface.

前記目的を達成するために請求項1に記載の発明は、第1の媒体と第2の媒体との境界に設けられた反射防止構造であって、前記反射防止構造は、前記第1の媒体と第3の媒体とによって形成され、前記反射防止構造の有効屈折率をNeffとしたときに、
Neff=rANA+rCNC
ただし、rA、rC:第1の媒体、第3の媒体の体積率
NA、NC:第1の媒体、第3の媒体の屈折率
で表される有効屈折率が異なる2層を備え、前記2層のうちの少なくとも1層は、反射防止波長域の最小波長以下の2次元凹凸構造を有することを特徴としている。
In order to achieve the above object, an invention according to claim 1 is an antireflection structure provided at a boundary between a first medium and a second medium, and the antireflection structure is formed on the first medium. And the third medium, and when the effective refractive index of the antireflection structure is N eff ,
N eff = r A N A + r C N C
Where r A , r C : volume ratio of the first medium and the third medium
N A , N C : two layers having different effective refractive indexes represented by the refractive indexes of the first medium and the third medium, and at least one of the two layers is the minimum wavelength in the antireflection wavelength region It has the following two-dimensional uneven structure.

請求項2に記載の発明は、前記反射防止構造は、高さ方向において前記第3の媒体の体積率が異なる、2段の2次元凹凸構造を有することを特徴としている。   The invention according to claim 2 is characterized in that the antireflection structure has a two-stage two-dimensional uneven structure in which the volume ratio of the third medium is different in the height direction.

請求項3に記載の発明は、前記第1の媒体の屈折率をNA、前記第2の媒体の屈折率をNB、前記第3の媒体の屈折率をNCとしたときに、NA<NC<NBであることを特徴としている。 According to a third aspect of the present invention, when the refractive index of the first medium is N A , the refractive index of the second medium is N B , and the refractive index of the third medium is N C , A <N C <N B.

請求項4に記載の発明は、前記第1の媒体の屈折率をNA、前記第2の媒体の屈折率をNB、前記第3の媒体の屈折率をNCとしたときに、NA<NC=NBであることを特徴としている。 According to a fourth aspect of the present invention, when the refractive index of the first medium is N A , the refractive index of the second medium is N B , and the refractive index of the third medium is N C , N A <N C = N B.

請求項5に記載の発明は、前記第2の媒体と前記第3の媒体とが同じ物質であることを特徴としている。   The invention according to claim 5 is characterized in that the second medium and the third medium are the same substance.

請求項6に記載の発明は、前記有効屈折率の異なる2層のうち、前記第1の媒体側の層を第1の層、前記第2の媒体側の層を第2の層とし、反射防止波長域の任意の波長をλとして、前記第1の層の有効屈折率をNeff_1、厚みをd1、前記第2の層の有効屈折率をNeff_2、厚みをd2としたときに、
d1=λ/4Neff_1
d2=λ/4Neff_2
であることを特徴としている。
According to a sixth aspect of the present invention, of the two layers having different effective refractive indexes, the first medium side layer is a first layer, the second medium side layer is a second layer, and reflection is performed. When an arbitrary wavelength in the prevention wavelength range is λ, the effective refractive index of the first layer is N eff_1 , the thickness is d 1 , the effective refractive index of the second layer is N eff_2 , and the thickness is d 2. ,
d 1 = λ / 4N eff_1
d 2 = λ / 4N eff_2
It is characterized by being.

請求項7に記載の発明は、前記有効屈折率の異なる2層のうち、前記第1の媒体側の層を第1の層、前記第2の媒体側の層を第2の層とし、前記第1の層の有効屈折率をNeff_1、厚みをd1、前記第2の層の有効屈折率をNeff_2、厚みをd2、反射防止波長域の任意の波長をλ、λ1、λ2として、λ1<λ<λ2、またはλ2<λ<λ1での関係を満たすときに、
d1=λ1/4Neff_1
d2=λ2/4Neff_2
0.02λ<|λ1−λ2|<0.08λ
であることを特徴としている。
According to a seventh aspect of the present invention, of the two layers having different effective refractive indexes, the first medium side layer is a first layer, the second medium side layer is a second layer, and The effective refractive index of the first layer is N eff_1 , the thickness is d 1 , the effective refractive index of the second layer is N eff_2 , the thickness is d 2 , and arbitrary wavelengths in the antireflection wavelength region are λ, λ 1 , λ 2 , when satisfying the relationship of λ 1 <λ <λ 2 or λ 2 <λ <λ 1 ,
d 1 = λ 1 / 4N eff_1
d 2 = λ 2 / 4N eff_2
0.02λ <| λ 1 −λ 2 | <0.08λ
It is characterized by being.

請求項8に記載の発明は、前記2次元凹凸構造が、第1の層の構造と第2の層の構造を、第1の媒体と第2の媒体との境界に平行な面に投影した場合に、前記第3の媒体の占める面積の割合が、それぞれ10〜90%であることを特徴としている。   In the invention according to claim 8, the two-dimensional uneven structure projects the structure of the first layer and the structure of the second layer onto a plane parallel to the boundary between the first medium and the second medium. In this case, the ratio of the area occupied by the third medium is 10 to 90%.

請求項9に記載の光学部材は、光学部材の透光性基材上に、請求項1乃至8のいずれか一項に記載の反射防止構造を有することを特徴としている。   The optical member according to claim 9 has the antireflection structure according to any one of claims 1 to 8 on the translucent substrate of the optical member.

本発明に係る反射防止構造によれば、異なる波長の光や斜め入射の光に対しても低い反射率を得ることができ、かつ製造が容易で、機械的な強度が高い反射防止構造を提供することができる。   The antireflection structure according to the present invention provides an antireflection structure that can obtain low reflectivity even for light of different wavelengths and obliquely incident light, is easy to manufacture, and has high mechanical strength. can do.

また、本発明に係る光学部材によれば、光学部材の透光性基材上に本発明に係る反射防止構造を有しているので、高い反射防止効果を得ることができる光学部材を提供することができる。   Moreover, according to the optical member which concerns on this invention, since it has the reflection preventing structure which concerns on this invention on the translucent base material of an optical member, the optical member which can acquire a high reflection preventing effect is provided. be able to.

次に、本発明に係る反射防止構造について説明する前に、例えば図35に示すような、媒体1と媒体2の間に媒体3を有する場合の反射防止構造において、反射光が低減できる原理について以下に説明する。   Next, before describing the antireflection structure according to the present invention, for example, as shown in FIG. 35, the principle that the reflected light can be reduced in the antireflection structure when the medium 3 is provided between the medium 1 and the medium 2. This will be described below.

図35に示すように、媒体1側から、光の波長と同等程度の厚さの媒体3を通り、媒体2へ光が入射する場合、媒体1と媒体3の界面、媒体3と媒体2の界面で、それぞれ入射側へ戻る成分I1,I2が発生する。I1,I2の波の振幅が同じで、位相が逆になる場合、この2つの成分I1,I2は打ち消しあい、合成された反射光は低減される。 As shown in FIG. 35, when light enters the medium 2 from the medium 1 side through the medium 3 having a thickness equivalent to the wavelength of the light, the interface between the medium 1 and the medium 3, the medium 3 and the medium 2 Components I 1 and I 2 returning to the incident side are generated at the interface. When the amplitudes of the waves I 1 and I 2 are the same and the phases are reversed, the two components I 1 and I 2 cancel each other, and the synthesized reflected light is reduced.

干渉によって反射光を低減するためには、それぞれの界面で入射側に戻る成分が、干渉によってそれぞれ打ち消しあう振幅を有する必要がある。この振幅は界面を形成している媒体の屈折率によって決まるため、望む振幅が得られる材料を用いればよいが、屈折率の低い材料など得ることが困難である場合が多い。   In order to reduce the reflected light by interference, it is necessary that the components returning to the incident side at the respective interfaces have amplitudes that cancel each other by the interference. Since this amplitude is determined by the refractive index of the medium forming the interface, a material capable of obtaining the desired amplitude may be used, but it is often difficult to obtain a material having a low refractive index.

媒体1と媒体3を用いて、反射防止波長域の最小波長以下の構造を設けることによって、通常の物質では実現不可能な、反射防止に効果的な屈折率を得ることが可能である。波長以下の構造では、光はその構造を認識することができず、構造を形成する媒体それぞれの平均的な媒体が存在するものとして振る舞う。   By using the medium 1 and the medium 3 and providing a structure having a wavelength equal to or smaller than the minimum wavelength in the antireflection wavelength region, it is possible to obtain an effective antireflective index that cannot be realized with a normal substance. In a structure below the wavelength, light cannot recognize the structure, and behaves as if there is an average medium for each medium forming the structure.

このとき、この平均的な媒体の屈折率は、有効屈折率をNeffとして、以下の式で求められる。
Neff=rANA+rCNC
rA、rC:媒体1,3の体積率
NA、NC:媒体1,3の屈折率
At this time, the average refractive index of the medium can be obtained by the following equation, where N eff is the effective refractive index.
N eff = r A N A + r C N C
r A , r C : Volume ratio of media 1 and 3
N A , N C : Refractive index of media 1 and 3

また、干渉の効果は、ベクトル図を用いて説明することができる。各界面での入射側に戻る成分を、例えば、図36で示すようなベクトルで表すことができる。このベクトルは、X軸の正方向からの傾きが波の位相を、長さが振幅を表し、波の重ね合わせはこのベクトルの和で表現される。よって、各界面での入射側に戻る成分をベクトルで表し、和を取ることによって反射光の波の振幅を考えることができる。   The effect of interference can be explained using a vector diagram. The component returning to the incident side at each interface can be represented by a vector as shown in FIG. 36, for example. In this vector, the inclination of the X axis from the positive direction represents the wave phase, the length represents the amplitude, and the wave superposition is represented by the sum of the vectors. Therefore, the component returning to the incident side at each interface is represented by a vector, and the sum of the components can be considered to determine the wave amplitude of the reflected light.

図37(a)は、図35に示した反射防止構造の場合のベクトルを表した図である。この図に示すように、IとI2が同じ振幅で、逆の位相であるために、反射光はゼロとなる。ここで、IとI2の振幅は、反射防止構造がない場合を「1」とするとその半分である。 FIG. 37A shows a vector in the case of the antireflection structure shown in FIG. As shown in this figure, since I 1 and I 2 have the same amplitude and opposite phases, the reflected light becomes zero. Here, the amplitudes of I 1 and I 2 are half that of “1” when there is no antireflection structure.

これに対して、例えば、図37(b)に示した図は、波長が異なる、斜めから入射するなどの反射防止の条件から外れた場合のベクトルを表したものである。この図に示すように、波長が異なる光や、斜めから入射する場合などは、I1に対してI2の位相がずれ、合成された波I1+I2が発生する。位相ずれをφとして、I1+I2は1/2×sinφ(φが十分小さい場合には、≒φ/2)である。例えば、図37(a)に示した場合の波長より20%長い波長に対しては、φ=0.52rad(=30°)、振幅が0.50/2(=0.25)となり、反射率は、反射防止構造を設けない場合に対し、前記振幅の2乗である6%分存在することになる。 On the other hand, for example, the diagram shown in FIG. 37 (b) represents a vector when the wavelength is different from the anti-reflection condition such as incidence from an oblique direction. As shown in this figure, the light and having different wavelengths, such as when the obliquely incident, the phase of the I 2 is displaced with respect to I 1, and thus the synthesized wave I 1 + I 2 occurs. When the phase shift is φ, I 1 + I 2 is 1/2 × sinφ (≈φ / 2 when φ is sufficiently small). For example, for a wavelength 20% longer than the wavelength shown in FIG. 37 (a), φ = 0.52 rad (= 30 °) and the amplitude is 0.50 / 2 (= 0.25). The rate is 6%, which is the square of the amplitude, compared to the case where no antireflection structure is provided.

図37(b)に示すように、異なる波長では位相が異なってくるために、干渉による打ち消し合いが不十分となる。また、斜めの方向からの入射など、光から見た通過距離が異なるにも位相が異なり、反射の低減効果が不十分となる。   As shown in FIG. 37B, since the phases are different at different wavelengths, cancellation due to interference becomes insufficient. In addition, the phase is different even when the passing distance viewed from the light is different, such as incidence from an oblique direction, and the effect of reducing reflection becomes insufficient.

これに対し、図38に示すように、媒体1と媒体2の間に設ける反射防止構造(媒体3+媒体1)を、有効屈折率の異なる2層(層A、層B)として界面を3つ設け、3つの波の干渉によって打ち消し合いを実現することによって、広い波長域や広い入射角度でも低い反射率を実現することができる。   On the other hand, as shown in FIG. 38, the antireflection structure (medium 3 + medium 1) provided between the medium 1 and the medium 2 has two interfaces (layer A and layer B) having different effective refractive indexes, and has three interfaces. By providing and canceling each other by interference of three waves, a low reflectance can be realized even in a wide wavelength range and a wide incident angle.

図38に示すように、媒体1と反射防止構造(媒体3+媒体1)の境界である界面1、反射防止構造内での有効屈折率の異なる境界である界面2、反射防止構造と媒体2との境界である界面3の3つの界面で、入射側に戻る成分I1、I2、I3が発生する。例えば、ある波長でI1とI3は同じ位相、振幅となるように、I2はI1と逆の位相、2倍の振幅となるように反射防止構造を制御する。このとき、この波長では、I1とI3の和がI2と打ち消しあい、低い反射率が実現可能である。 As shown in FIG. 38, the interface 1 that is the boundary between the medium 1 and the antireflection structure (medium 3 + medium 1), the interface 2 that is a boundary having a different effective refractive index in the antireflection structure, the antireflection structure and the medium 2 The components I 1 , I 2 , and I 3 returning to the incident side are generated at the three interfaces of the interface 3 that is the boundary of For example, the antireflection structure is controlled so that I 1 and I 3 have the same phase and amplitude at a certain wavelength, and I 2 has a phase opposite to I 1 and a double amplitude. At this time, at this wavelength, the sum of I 1 and I 3 cancels with I 2, and a low reflectance can be realized.

以下、本発明の反射防止構造について、図39〜図41に示したベクトル図を用いて、斜め入射光や異なる波長に対しても低い反射率を実現可能であることを説明する。   Hereinafter, the antireflection structure of the present invention will be described with reference to the vector diagrams shown in FIGS. 39 to 41, to explain that low reflectance can be realized even with respect to obliquely incident light and different wavelengths.

図39(a)は、本発明の反射防止構造に対して、目的とする波長、角度で入射した場合のベクトルを表した図である。図39(a)に示すように、図38の界面2での波I2を位相の基準とし、図38の界面1と界面3での波、I1とI3が逆の位相、I2のベクトルの長さはI1とI3の2倍となっており、3つの波の和がゼロになる。ここで、I2では1/2、I1とI3では1/4である。 FIG. 39 (a) is a diagram showing a vector when the light is incident on the antireflection structure of the present invention at a target wavelength and angle. As shown in FIG. 39 (a), a wave I 2 at the interface 2 in Figure 38 as a phase reference, the waves at the interface 1 and interface 3 in FIG. 38, I 1 and I 3 are opposite in phase, I 2 The length of the vector is twice I 1 and I 3 , and the sum of the three waves is zero. Here, I 2 is 1/2, and I 1 and I 3 are 1/4.

これに対して、目的とする波長や角度からずれた場合、I2を基準としてI1とI3の位相がずれ、図39(b)に示すベクトルのような関係になる。このときI1とI3の波の和は、I2よりも(1−cosφ)だけ小さくなり、1/2×(1−cosφ)(φが十分小さい場合には、≒(φ/2)2)に比例した振幅をもつ反射が発生する。 On the other hand, when it deviates from the target wavelength or angle, the phases of I 1 and I 3 are deviated with reference to I 2 , resulting in a relationship like the vector shown in FIG. At this time, the sum of the waves of I 1 and I 3 is smaller than I 2 by (1−cos φ) and becomes 1/2 × (1−cos φ) (approximate (φ / 2) when φ is sufficiently small. 2 ) A reflection with an amplitude proportional to 2 ) occurs.

しかしながら、多くの場合においてφ/2は絶対値が1より小さいため、反射光は低く抑えることができる。例えば、図39(a)の場合における波長より20%長い波長に対してはφ=0.52radであり、I1+I2+I3の振幅は0.13/2(≒(0.52/2))=0.066であり、反射率は反射防止構造を設けない場合の0.4%に抑えることができる。 However, in many cases, the absolute value of φ / 2 is smaller than 1, so that the reflected light can be kept low. For example, for a wavelength 20% longer than the wavelength in the case of FIG. 39A, φ = 0.52 rad, and the amplitude of I 1 + I 2 + I 3 is 0.13 / 2 (≈ (0.52 / 2) 2 ) = 0.066, and the reflectance can be suppressed to 0.4% in the case where the antireflection structure is not provided.

また、いわゆる「モスアイ構造」と呼ばれる、段階的に屈折率が変化する反射防止構造の場合は、例えば、図40(a)に示すようなベクトル図で表すことができる。段階的に屈折率が変化していることによって、長さの短いベクトルが各位相で連続的に繋がるが、ここでは、10のベクトルで代表させている。この場合、長さは1/10である。   In addition, in the case of an antireflection structure called a “moth eye structure” whose refractive index changes stepwise, it can be represented by a vector diagram as shown in FIG. By changing the refractive index stepwise, short-length vectors are continuously connected in each phase, but here, 10 vectors are represented. In this case, the length is 1/10.

そして、図40(a)から位相がずれた場合には、図40(b)に示すような関係となる。このとき、連続的に繋がったベクトルの過不足分の面積分だけ、反射の波の振幅が発生する。この面積は、φ/(2π)に比例し、例えば、図40(a)の波長より20%長い波長に対しては、φ=0.52rad、合成波の振幅は0.52/(2π)=0.083、反射率は反射防止構造を設けていない場合の0.7%であり、本発明の反射防止構造よりも大きくなる。   And when a phase shifts from Drawing 40 (a), it becomes a relation as shown in Drawing 40 (b). At this time, the amplitude of the reflected wave is generated by the area of the excess and deficiency of the continuously connected vectors. This area is proportional to φ / (2π). For example, for a wavelength 20% longer than the wavelength of FIG. 40A, φ = 0.52 rad, and the amplitude of the synthesized wave is 0.52 / (2π). = 0.083, and the reflectance is 0.7% when the antireflection structure is not provided, which is larger than the antireflection structure of the present invention.

また、本発明の反射防止構造は、例えば、図41に示すような媒体2上に周知の2層薄膜a,bで形成された反射防止膜と比較して、低い反射率を実現可能である。これは、各層a,bでの入射側に戻る成分が小さく、異なる波長や角度となった場合に、合成された振幅を低く抑えることが可能であるためである。   In addition, the antireflection structure of the present invention can realize a low reflectance as compared with, for example, an antireflection film formed of the well-known two-layer thin films a and b on the medium 2 as shown in FIG. . This is because when the components returning to the incident side in each of the layers a and b are small and have different wavelengths and angles, the synthesized amplitude can be kept low.

請求項1に記載の本発明の反射防止構造は、第1の媒体と第3の媒体の体積率によってのみ決定される有効屈折率の異なる2層によって形成され、少なくとも1層は、反射防止波長域の最小波長以下の2次元凹凸構造を有する構成としている。   The antireflection structure of the present invention according to claim 1 is formed by two layers having different effective refractive indexes determined only by volume ratios of the first medium and the third medium, and at least one layer has an antireflection wavelength. The structure has a two-dimensional concavo-convex structure with a wavelength less than the minimum wavelength.

このような構成により、特殊な異種材料を用いる必要がないため、量産製造が容易であり、生産性が高い。また、波長以下の構造の精密制御が要らず、また先端が鋭利な構造を必要としないため、量産製造が容易であり、かつ構造の強度が高い。   With such a configuration, since it is not necessary to use a special different material, mass production is easy and productivity is high. Moreover, since precise control of the structure below the wavelength is not required and a structure having a sharp tip is not required, mass production is easy and the strength of the structure is high.

請求項2に記載の発明によれば、第3の媒体の体積率が異なる2段の2次元凹凸構造とすることによって、反射防止構造の有効屈折率を任意に選択することが可能であり、目的の反射防止域で、より低い反射率が実現できる。また、反射防止構造を、2次元凹凸構造を一括で形成するのみで作製可能であり、精密な膜厚の制御を必要とせず、生産性が高い。   According to the invention described in claim 2, it is possible to arbitrarily select an effective refractive index of the antireflection structure by using a two-stage two-dimensional uneven structure in which the volume ratio of the third medium is different. Lower reflectivity can be achieved in the desired antireflection area. In addition, the antireflection structure can be manufactured only by forming a two-dimensional uneven structure in a lump, so that precise film thickness control is not required and productivity is high.

請求項3に記載の発明によれば、反射防止構造を形成する第3の媒体の屈折率を、第1の媒体と第3の媒体の屈折率の間とすることによって、各界面における、入射側に戻る成分の振幅を小さくすることが可能である。従って、広い波長域や、広い入射角度に対して反射率を低くすることができる。また、第1の媒体と第3の媒体によって形成される反射防止構造において、第3の媒体の体積率を大きくすることが可能であり、より強度の高い、傷が付きにくい反射防止構造が得られる。   According to the third aspect of the present invention, the refractive index of the third medium forming the antireflection structure is set between the refractive index of the first medium and the third medium, so that the incident light at each interface is incident. It is possible to reduce the amplitude of the component returning to the side. Therefore, the reflectance can be lowered with respect to a wide wavelength range and a wide incident angle. Further, in the antireflection structure formed by the first medium and the third medium, the volume ratio of the third medium can be increased, and an antireflection structure having higher strength and less scratches can be obtained. It is done.

更に、第1の媒体と第3の媒体によって形成される、反射防止域の最小波長以下の2次元凹凸構造の背面側に、前記第3の媒体による基材層を一体に形成することができる。このような基材層を設けることによって、反射防止構造の強度をより高めることが可能である。   Furthermore, a base material layer made of the third medium can be integrally formed on the back side of the two-dimensional concavo-convex structure formed by the first medium and the third medium and having a wavelength equal to or less than the minimum wavelength of the antireflection area. . By providing such a base material layer, the strength of the antireflection structure can be further increased.

請求項4に記載の発明によれば、反射防止構造を形成する第3の媒体の屈折率と、第2の媒体の屈折率を同じにすることによって、第3の媒体と第2の媒体の界面での反射光をなくし、より小さい反射率を実現することができる。   According to the fourth aspect of the present invention, the third medium and the second medium can be made the same by making the refractive index of the third medium forming the antireflection structure the same as the refractive index of the second medium. The reflected light at the interface can be eliminated, and a smaller reflectance can be realized.

請求項5に記載の発明によれば、反射防止構造を構成する第3の媒体を第2の媒体と同じ物質とすることによって、光学部材に転写などで簡便に、かつ低コストで反射防止構造を形成できる。   According to the fifth aspect of the present invention, the third medium constituting the antireflection structure is made of the same material as that of the second medium, so that the antireflection structure can be easily and inexpensively transferred to an optical member. Can be formed.

請求項6に記載の発明によれば、その層の中での波長の1/4とすることによって、目的の波長で、図38に示した界面1、3と、界面2との位相を反転することができ、反射率を低減することができる。   According to the sixth aspect of the present invention, the phase between the interfaces 1 and 3 and the interface 2 shown in FIG. 38 is inverted at the target wavelength by setting the wavelength to 1/4 of the wavelength in the layer. The reflectance can be reduced.

請求項7に記載の発明によれば、異なる波長や角度において、各界面で入射側に戻る成分の位相のずれを打ち消すような厚みの層を設けることによって、幅広い波長や角度範囲で、反射率を低減することができる。   According to the seventh aspect of the present invention, by providing a layer having a thickness that cancels the phase shift of the component returning to the incident side at each interface at different wavelengths and angles, the reflectivity can be obtained over a wide range of wavelengths and angles. Can be reduced.

請求項8に記載の発明によれば、第3の媒体の占める割合をこの範囲とすることによって、反射率の低減に必要な有効屈折率を得ることができる。また、傷付き難いなど、強度を高めることができる。   According to the eighth aspect of the present invention, the effective refractive index necessary for reducing the reflectivity can be obtained by setting the ratio of the third medium in this range. Further, the strength can be increased, such as being hard to be damaged.

請求項9に記載の光学部材によれば、透光性基材上に本発明の反射防止構造を有しているので、表面の反射を小さく抑えることができ、照明や表示素子、情報機器などの高効率化、高品位化、低ノイズ化を実現することができる。   According to the optical member of the ninth aspect, since the antireflection structure of the present invention is provided on the translucent base material, the reflection on the surface can be suppressed to a small level, and illumination, display elements, information equipment, etc. High efficiency, high quality, and low noise can be realized.

ここで光学部材とは、例えば、照明の内部を保護するための保護部材や、光を均一に出射するための拡散板や導光板などが挙げられる。また、ディスプレイの画面を保護するための保護部材、タッチパネル、カメラなど情報機器に用いられるレンズなどが挙げられる。また、本発明の反射防止構造を有したフィルムを指す。このフィルムを貼り付けることによって、目的とする部材の反射防止を簡易に実現することができる。   Here, examples of the optical member include a protective member for protecting the interior of the illumination, and a diffusion plate and a light guide plate for emitting light uniformly. Moreover, the lens etc. which are used for information equipment, such as a protection member for protecting the screen of a display, a touch panel, a camera, are mentioned. Moreover, the film which has the reflection preventing structure of this invention is pointed out. By sticking this film, it is possible to easily realize the antireflection of the target member.

本発明の実施形態1に係る反射防止構造を有する光学素子を示す概略斜視図。1 is a schematic perspective view showing an optical element having an antireflection structure according to Embodiment 1 of the present invention. 本発明の実施形態1に係る反射防止構造を有する光学素子を示す断面図。Sectional drawing which shows the optical element which has the reflection preventing structure which concerns on Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施形態1の変形例に係る反射防止構造を有する光学素子を示す概略斜視図。The schematic perspective view which shows the optical element which has the reflection preventing structure which concerns on the modification of Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施形態2に係る反射防止構造を有する光学素子を示す概略斜視図。The schematic perspective view which shows the optical element which has the reflection preventing structure which concerns on Embodiment 2 of this invention. 本発明の実施形態2の変形例に係る反射防止構造を有する光学素子を示す概略斜視図。The schematic perspective view which shows the optical element which has the reflection preventing structure which concerns on the modification of Embodiment 2 of this invention. 本発明の実施形態2の変形例に係る反射防止構造を有する光学素子を示す概略斜視図。The schematic perspective view which shows the optical element which has the reflection preventing structure which concerns on the modification of Embodiment 2 of this invention. 本発明の実施形態2の変形例に係る反射防止構造を有する光学素子を示す概略斜視図。The schematic perspective view which shows the optical element which has the reflection preventing structure which concerns on the modification of Embodiment 2 of this invention. 本発明の実施例1に係る反射防止構造を示す概略斜視図。1 is a schematic perspective view showing an antireflection structure according to Embodiment 1 of the present invention. 本発明の実施例2、11に係る反射防止構造を示す概略斜視図。The schematic perspective view which shows the reflection preventing structure which concerns on Example 2, 11 of this invention. 本発明の実施例3に係る反射防止構造を示す概略斜視図。The schematic perspective view which shows the reflection preventing structure which concerns on Example 3 of this invention. 本発明の実施例4〜10に係る反射防止構造を示す概略斜視図。The schematic perspective view which shows the anti-reflective structure which concerns on Examples 4-10 of this invention. 本発明の比較例1に係る反射防止構造を示す概略斜視図。The schematic perspective view which shows the reflection preventing structure which concerns on the comparative example 1 of this invention. 本発明の比較例2に係る反射防止構造を示す概略斜視図。The schematic perspective view which shows the reflection preventing structure which concerns on the comparative example 2 of this invention. 本発明の比較例3に係る反射防止構造を示す概略斜視図。The schematic perspective view which shows the reflection preventing structure which concerns on the comparative example 3 of this invention. 本発明の比較例4に係る反射防止構造を示す概略斜視図。The schematic perspective view which shows the reflection preventing structure which concerns on the comparative example 4 of this invention. 本発明の比較例5に係る反射防止構造を示す概略斜視図。The schematic perspective view which shows the reflection preventing structure which concerns on the comparative example 5 of this invention. 本発明の比較例6に係る反射防止構造を示す概略斜視図。The schematic perspective view which shows the reflection preventing structure which concerns on the comparative example 6 of this invention. 本発明の実施例1に係る反射防止構造による反射率の算出結果を示す図。The figure which shows the calculation result of the reflectance by the reflection preventing structure which concerns on Example 1 of this invention. 本発明の実施例2に係る反射防止構造による反射率の算出結果を示す図。The figure which shows the calculation result of the reflectance by the reflection preventing structure which concerns on Example 2 of this invention. 本発明の実施例3に係る反射防止構造による反射率の算出結果を示す図。The figure which shows the calculation result of the reflectance by the reflection preventing structure which concerns on Example 3 of this invention. 本発明の実施例4に係る反射防止構造による反射率の算出結果を示す図。The figure which shows the calculation result of the reflectance by the reflection preventing structure which concerns on Example 4 of this invention. 本発明の実施例5に係る反射防止構造による反射率の算出結果を示す図。The figure which shows the calculation result of the reflectance by the reflection preventing structure which concerns on Example 5 of this invention. 本発明の実施例6に係る反射防止構造による反射率の算出結果を示す図。The figure which shows the calculation result of the reflectance by the reflection preventing structure which concerns on Example 6 of this invention. 本発明の実施例7に係る反射防止構造による反射率の算出結果を示す図。The figure which shows the calculation result of the reflectance by the reflection preventing structure which concerns on Example 7 of this invention. 本発明の実施例8に係る反射防止構造による反射率の算出結果を示す図。The figure which shows the calculation result of the reflectance by the reflection preventing structure which concerns on Example 8 of this invention. 本発明の実施例9に係る反射防止構造による反射率の算出結果を示す図。The figure which shows the calculation result of the reflectance by the reflection preventing structure which concerns on Example 9 of this invention. 本発明の実施例10に係る反射防止構造による反射率の算出結果を示す図。The figure which shows the calculation result of the reflectance by the reflection preventing structure which concerns on Example 10 of this invention. 本発明の実施例11に係る反射防止構造による反射率の算出結果を示す図。The figure which shows the calculation result of the reflectance by the reflection preventing structure which concerns on Example 11 of this invention. 本発明の比較例1に係る反射防止構造による反射率の算出結果を示す図。The figure which shows the calculation result of the reflectance by the reflection preventing structure which concerns on the comparative example 1 of this invention. 本発明の比較例2に係る反射防止構造による反射率の算出結果を示す図。The figure which shows the calculation result of the reflectance by the reflection preventing structure which concerns on the comparative example 2 of this invention. 本発明の比較例3に係る反射防止構造による反射率の算出結果を示す図。The figure which shows the calculation result of the reflectance by the reflection preventing structure which concerns on the comparative example 3 of this invention. 本発明の比較例4に係る反射防止構造による反射率の算出結果を示す図。The figure which shows the calculation result of the reflectance by the reflection preventing structure which concerns on the comparative example 4 of this invention. 本発明の比較例5に係る反射防止構造による反射率の算出結果を示す図。The figure which shows the calculation result of the reflectance by the reflection preventing structure which concerns on the comparative example 5 of this invention. 本発明の比較例6に係る反射防止構造による反射率の算出結果を示す図。The figure which shows the calculation result of the reflectance by the reflection preventing structure which concerns on the comparative example 6 of this invention. 本発明の反射防止構造を説明するための図。The figure for demonstrating the reflection preventing structure of this invention. 本発明の反射防止構造を説明するための図。The figure for demonstrating the reflection preventing structure of this invention. 本発明の反射防止構造を説明するための図。The figure for demonstrating the reflection preventing structure of this invention. 本発明の反射防止構造を説明するための図。The figure for demonstrating the reflection preventing structure of this invention. 本発明の反射防止構造を説明するための図。The figure for demonstrating the reflection preventing structure of this invention. 本発明の反射防止構造を説明するための図。The figure for demonstrating the reflection preventing structure of this invention. 従来の反射防止構造を説明するための図。The figure for demonstrating the conventional antireflection structure.

以下、本発明を図示の実施形態に基づいて説明する。   Hereinafter, the present invention will be described based on the illustrated embodiments.

〈実施形態1〉
図1は、本発明の実施形態1に係る反射防止構造を有する光学素子を示す概略斜視図、図2は、その側面図である。
<Embodiment 1>
FIG. 1 is a schematic perspective view showing an optical element having an antireflection structure according to Embodiment 1 of the present invention, and FIG. 2 is a side view thereof.

図1、図2に示すように、本実施形態に係る反射防止構造は、媒体1と、この媒体1と光学素子の透光性基材としての媒体2との境界に設けた媒体3とによって形成され、この反射防止構造の有効屈折率をNeffとしたときに、
Neff=rANA+rCNC
ただし、rA:媒体1の体積率
rC:媒体3の体積率
NA:媒体1の屈折率
NC:媒体3の屈折率
で表される有効屈折率が異なる2層(層A,層B)を備えている。層Aは、平坦状の層B上に形成され、2次元に配列された凸形微細構造4とその間にある空気などの媒体1によって構成されている。
As shown in FIGS. 1 and 2, the antireflection structure according to the present embodiment includes a medium 1 and a medium 3 provided at the boundary between the medium 1 and the medium 2 as a light-transmitting substrate of the optical element. When the effective refractive index of this antireflection structure is N eff ,
N eff = r A N A + r C N C
Where r A : volume ratio of medium 1
r C : Volume ratio of medium 3
N A : Refractive index of medium 1
N C : Two layers (layer A and layer B) having different effective refractive indexes represented by the refractive index of the medium 3 are provided. The layer A is formed on the flat layer B, and is composed of the convex microstructures 4 arranged two-dimensionally and a medium 1 such as air between them.

媒体1は、例えば、空気や水などであり、使用環境の周囲の媒体を選択することができる。   The medium 1 is, for example, air or water, and a medium around the usage environment can be selected.

媒体2は、光学素子を構成する透光性基材であり、反射率を低減したい部材の材質を選択することができる。媒体2の材質としては、例えば、ガラス、Siやサファイヤなどの無機物、樹脂などが挙げられる。   The medium 2 is a translucent base material constituting the optical element, and a material of a member whose reflectance is desired to be reduced can be selected. Examples of the material of the medium 2 include glass, inorganic materials such as Si and sapphire, and resins.

層Bと、層Aの2次元に配列された凸形微細構造4は、媒体3によって形成される。図1では、層Aは円柱状の凸形微細構造4を有している。   The layer B and the convex microstructure 4 arranged in two dimensions of the layer A are formed by the medium 3. In FIG. 1, layer A has a cylindrical convex microstructure 4.

また、図3に示すように、層Aは、層B上に2次元に配列された、媒体3からなる円柱状の凹形微細構造4aを有する構成としてもよい。このように凹形構造とすることによって、繋がった平坦面が境界にくるため、より強度を高めることができる。更に、円柱状の凸形微細構造4や凹形微細構造4a以外にも、例えば、四角柱状の凸形微細構造や四角柱状の凹形微細構造としてもよい。このように、媒体3の層Aは、2次元に配列された凹凸構造を有している。   Further, as shown in FIG. 3, the layer A may be configured to have a cylindrical concave microstructure 4 a made of the medium 3, which is two-dimensionally arranged on the layer B. By adopting such a concave structure, the connected flat surfaces come to the boundary, so that the strength can be further increased. Further, in addition to the cylindrical convex microstructure 4 and the concave microstructure 4a, for example, a quadrangular prism-shaped convex microstructure or a quadrangular prism-shaped concave microstructure may be used. Thus, the layer A of the medium 3 has a concavo-convex structure arranged two-dimensionally.

媒体3からなる層Aの凹凸構造(図1では円柱状の凸形微細構造4)は、例えば、ガラス、無機物などを用いて、エッチングなどで形成することができる。また、MgF2などの低屈折率材料を選択した場合は、層Aの凹凸構造の体積率を大きくして、強度を高くできる。 The concavo-convex structure of the layer A made of the medium 3 (cylindrical convex fine structure 4 in FIG. 1) can be formed, for example, by etching or the like using glass, an inorganic substance, or the like. When a low refractive index material such as MgF 2 is selected, the volume ratio of the concavo-convex structure of the layer A can be increased to increase the strength.

媒体3からなる層Aの凹凸構造(図1では円柱状の凸形微細構造4)の製造方法としては、例えば、フォトリソグラフィーによるレジストの露光後に、レジストをマスクにしてエッチングする。また、電子線リソグラフィーによるレジストの露光後に、レジストをマスクにしたエッチングを行う。更に、粒子を配列させ、粒子をマスクにしたエッチングを行う。これらの製造方法によって、反射防止波長域の最小波長以下の凹凸構造(図1では円柱状の凸形微細構造4)を形成することができる。   As a manufacturing method of the concavo-convex structure of the layer A made of the medium 3 (cylindrical convex fine structure 4 in FIG. 1), for example, after exposure of the resist by photolithography, etching is performed using the resist as a mask. Further, after exposure of the resist by electron beam lithography, etching using the resist as a mask is performed. Further, the etching is performed by arranging the particles and using the particles as a mask. By these manufacturing methods, a concavo-convex structure (columnar convex fine structure 4 in FIG. 1) having a wavelength equal to or smaller than the minimum wavelength in the antireflection wavelength region can be formed.

また、媒体3の層Aの凹凸構造(図1では円柱状の凸形微細構造4)は、光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂などを用いて型から転写することで形成することもできる。この場合は、媒体2(光学素子を構成する透光性基材)の形と媒体3を一括で転写することが可能であり、生産性の向上と低コスト化を図ることができる。   Further, the concavo-convex structure of the layer A of the medium 3 (cylindrical convex fine structure 4 in FIG. 1) is formed by transferring from a mold using a photocurable resin, a thermosetting resin, a thermoplastic resin, or the like. You can also In this case, it is possible to transfer the shape of the medium 2 (the translucent base material constituting the optical element) and the medium 3 at once, so that the productivity can be improved and the cost can be reduced.

層Aの凹凸構造の大きさ(図1では円柱状の凸形微細構造4の凸部間隔であり、図3では凹部微細構造4aの凹部間隔)は、反射防止波長域の最小波長以下に設定されている。この層Aの凹凸構造の大きさが最小波長以下より大きいと、回折光が発生し、反射率の上昇や着色の原因となる。   The size of the concavo-convex structure of the layer A (in FIG. 1, the interval between the convex portions of the cylindrical convex microstructure 4 and in FIG. 3, the interval between the concave portions of the concave microstructure 4a) is set to be equal to or less than the minimum wavelength of the antireflection wavelength region. Has been. When the size of the concavo-convex structure of the layer A is larger than the minimum wavelength or less, diffracted light is generated, which causes an increase in reflectance and coloring.

層Aの凹凸構造(図1では円柱状の凸形微細構造4の凸部間隔であり、図3では凹部微細構造4aの凹部間隔)は、生産性や構造の強度に応じて適切な間隔に選択可能であり、例えば、波長380nm〜780nmの可視光に対しては、最小波長の380nm以下、望ましくは300nm以下、更に望ましくは250nm以下の大きさに形成する。   The concavo-convex structure of the layer A (in FIG. 1, the interval between the convex portions of the cylindrical convex microstructure 4 and in FIG. 3 the interval between the concave portions of the concave microstructure 4a) is an appropriate interval according to the productivity and the strength of the structure. For example, for visible light having a wavelength of 380 nm to 780 nm, the minimum wavelength is 380 nm or less, desirably 300 nm or less, and more desirably 250 nm or less.

層Aの凹凸構造(図1では円柱状の凸形微細構造4の凸部間隔であり、図3では凹部微細構造4aの凹部間隔)が300nm以下の大きさの場合には、斜め入射光に対しても回折光が生じることはなく、250nm以下の大きさの場合には、周期的な構造であっても幅広い入射角度に対して、回折光が生じない。   When the concavo-convex structure of the layer A (in FIG. 1, the interval between the convex portions of the cylindrical convex microstructure 4 and in FIG. 3 the interval between the concave portions of the concave microstructure 4 a) is 300 nm or less, the incident light is obliquely incident. On the other hand, no diffracted light is generated, and in the case of a size of 250 nm or less, no diffracted light is generated for a wide incident angle even with a periodic structure.

なお、層Aの2次元に配列される凹凸構造(図1では円柱状の凸形微細構造4であり、図3では凹部微細構造4a)の周期性に関しては、例えば、フォトリソグラフィーや電子線リソグラフィーによる製造の場合には、規則的な構造の作製が容易である。   In addition, regarding the periodicity of the concavo-convex structure (the cylindrical convex fine structure 4 in FIG. 1 and the concave fine structure 4a in FIG. 3) arranged two-dimensionally in the layer A, for example, photolithography or electron beam lithography In the case of the production by, it is easy to produce a regular structure.

本実施形態の反射防止構造では、媒体1の屈折率をNA、媒体2の屈折率をNB、媒体3の屈折率をNCとした場合に、NA<NC<NBを満足するように、媒体1、2,3の各屈折率NA、NB、NCを設定している。これにより、各界面において、入射側に戻る成分の振幅が小さく、反射率をより低減させることが可能となる。 In the antireflection structure of the present embodiment, when the refractive index of the medium 1 is N A , the refractive index of the medium 2 is N B , and the refractive index of the medium 3 is N C , N A <N C <N B is satisfied. As described above, the refractive indexes N A , N B , and N C of the media 1, 2, and 3 are set. Thereby, at each interface, the amplitude of the component returning to the incident side is small, and the reflectance can be further reduced.

また、層Aの有効屈折利率をNeff_1、層Bの有効屈折利率をNeff_2とした場合に、NA<Neff_1<Neff_2<NBであることが望ましい。これにより、各界面で、入射側に戻る成分の振幅を更に小さくすることができる。 Furthermore, an effective refractive rate of the layer A N eff_1, when the effective refractive rate of the layer B was N eff_2, N A <N eff_1 <N eff_2 < it is desirable that N B. Thereby, the amplitude of the component returning to the incident side can be further reduced at each interface.

更に、層Aの有効屈折利率Neff_1と層Bの有効屈折利率Neff_2を、以下の条件を満足するように設定することが望ましい。 Furthermore, an effective refractive rate N Eff_2 effective refractive rate N Eff_1 and Layer B of the layer A, it is preferable to set so as to satisfy the following condition.

((NA 3NB1/4−1)×0.5+1<Neff_1<((NA 3NB1/4−1)×1.5+1
((NANB 31/4−1)×0.5+1<Neff_2<((NANB 31/4−1)×1.5+1
((N A 3 N B ) 1/4 −1) × 0.5 + 1 <N eff_1 <((N A 3 N B ) 1/4 −1) × 1.5 + 1
((N A N B 3 ) 1/4 −1) × 0.5 + 1 <N eff_2 <((N A N B 3 ) 1/4 −1) × 1.5 + 1

更に望ましくは、層Aの有効屈折利率Neff_1と層Bの有効屈折利率Neff_2を、以下の条件を満足するように設定する。
((NA 3NB1/4−1)×0.8+1<Neff_1<((NA 3NB1/4−1)×1.3+1
((NANB 31/4−1)×0.8+1<Neff_2<((NANB 31/4−1)×1.3+1
More preferably, the effective refractive rate N Eff_2 effective refractive rate N Eff_1 and Layer B of the layer A, is set to satisfy the following condition.
((N A 3 N B ) 1/4 −1) × 0.8 + 1 <N eff_1 <((N A 3 N B ) 1/4 −1) × 1.3 + 1
((N A N B 3 ) 1/4 −1) × 0.8 + 1 <N eff_2 <((N A N B 3 ) 1/4 −1) × 1.3 + 1

そして、最も望ましくは、層Aの有効屈折利率Neff_1と層Bの有効屈折利率Neff_2を、以下の条件を満足するように設定する。
((NA 3NB1/4−1)×0.9+1<Neff_1<((NA 3NB1/4−1)×1.1+1
((NANB 31/4−1)×0.9+1<Neff_2<((NANB 31/4−1)×1.1+1
And most desirably, the effective refractive rate N Eff_2 effective refractive rate N Eff_1 and Layer B of the layer A, is set to satisfy the following condition.
((N A 3 N B ) 1/4 −1) × 0.9 + 1 <N eff_1 <((N A 3 N B ) 1/4 −1) × 1.1 + 1
((N A N B 3 ) 1/4 −1) × 0.9 + 1 <N eff_2 <((N A N B 3 ) 1/4 −1) × 1.1 + 1

このように、層Aの有効屈折利率Neff_1と層Bの有効屈折利率Neff_2を最も望ましい条件に設定することにより、図38に示したように、界面1と界面3での入射側に戻る成分の振幅がほぼ等しく、界面2で入射側に戻る成分の振幅が界面1の倍となる。この場合、界面1と界面3の合成波を、界面2と打ち消し合わせることができ、低い反射率を実現することが可能である。 Thus, by setting the effective refractive rate N Eff_2 effective refractive rate N Eff_1 and Layer B of the layer A to the most desirable conditions, as shown in FIG. 38, returns to the incident side of the interface 1 and interface 3 The amplitude of the component is almost equal, and the amplitude of the component returning to the incident side at the interface 2 is double that of the interface 1. In this case, the combined wave of the interface 1 and the interface 3 can be canceled with the interface 2, and a low reflectance can be realized.

また、最も望ましい層Aの有効屈折利率Neff_1と層Bの有効屈折利率Neff_2の別の条件としては、以下の関係を満足することである。
((NA 3NB1/4−1)×1.01+1<Neff_1<((NA 3NB1/4−1)×1.3+1
Neff_2 =NANB/Neff_1
As another condition, the effective refraction rate N Eff_2 effective refractive rate N Eff_1 and Layer B of the most desired layer A, is to satisfy the following relation.
((N A 3 N B ) 1/4 −1) × 1.01 + 1 <N eff — 1 <((N A 3 N B ) 1/4 −1) × 1.3 + 1
N eff_2 = N A N B / N eff_1

この場合には、界面1と界面3での入射側に戻る成分の振幅がほぼ等しく、界面2で入射側に戻る成分の振幅の1/2よりも僅かに大きくなる。これにより、斜め入射光や異なる波長に対して、界面1と界面3の合成波を、界面2と打ち消し合わせることができ、幅広い波長や角度に対して低い反射率を実現することが可能である。   In this case, the amplitude of the component returning to the incident side at the interface 1 and the interface 3 is substantially equal, and is slightly larger than ½ of the amplitude of the component returning to the incident side at the interface 2. As a result, the combined wave of the interface 1 and the interface 3 can be canceled with the interface 2 for obliquely incident light and different wavelengths, and a low reflectance can be realized for a wide range of wavelengths and angles. .

更に、媒体3の体積率を大きくすることが可能であり、より強度の高い、傷が付きにくい反射防止構造を得ることが可能となる。   Furthermore, it is possible to increase the volume ratio of the medium 3, and it is possible to obtain an antireflection structure with higher strength and less scratching.

また、本実施形態における反射防止構造において、層Aの有効屈折利率をNeff_1、厚みをd1、層Bの有効屈折利率をNeff_2、厚みをd2、反射防止波長域の任意の波長をλとした場合、d1、d2が以下の条件を満足するように設定した。
d1=λ/4Neff_1
d2=λ/4Neff_2
このように、この場合は、層Aと層Bの厚みd1、d2が、それぞれその媒体内での波長の1/4に相当する反射防止構造である。層Aと層Bの厚さを波長の1/4とすることによって、図38に示したように、目的の波長で界面1、界面3と、界面2との位相を反転することができ、反射率を低減することが可能である。
In the antireflection structure in the present embodiment, the effective refractive index of layer A is N eff_1 , the thickness is d 1 , the effective refractive index of layer B is N eff_2 , the thickness is d 2 , and an arbitrary wavelength in the antireflection wavelength region is set. In the case of λ, d 1 and d 2 were set so as to satisfy the following conditions.
d 1 = λ / 4N eff_1
d 2 = λ / 4N eff_2
Thus, in this case, the thicknesses d 1 and d 2 of the layers A and B are antireflection structures corresponding to 1/4 of the wavelength in the medium. By setting the thicknesses of the layer A and the layer B to 1/4 of the wavelength, as shown in FIG. 38, the phases of the interface 1, the interface 3 and the interface 2 can be reversed at the target wavelength. It is possible to reduce the reflectance.

更に、本実施形態における反射防止構造において、層Aの有効屈折利率をNeff_1、厚みをd1、層Bの有効屈折利率をNeff_2、厚みをd2、反射防止波長域の任意の波長をλ、λ1、λ2として、λ1<λ<λ2、またはλ2<λ<λ1とした場合、d1、d2、及び波長λの範囲が以下の条件を満足するように設定した。 Further, in the antireflection structure in the present embodiment, the effective refractive index of layer A is N eff_1 , the thickness is d 1 , the effective refractive index of layer B is N eff_2 , the thickness is d 2 , and an arbitrary wavelength in the antireflection wavelength region is set. When λ 1 <λ <λ 2 or λ 2 <λ <λ 1 as λ, λ 1 , and λ 2 , the ranges of d 1 , d 2 , and wavelength λ satisfy the following conditions: did.

d11/4Neff_1
d22/4Neff_2
0.02λ<|λ1−λ2|<0.08λ
このように、この場合は、層Aと層Bの厚みd1、d2が、それぞれその媒体内での波長λから0.02λ〜0.08λの範囲でずれた反射防止構造である。異なる波長や角度において、各界面で入射側に戻る成分の位相のずれを打ち消すような厚みの層を設けることによって、幅広い波長や角度範囲で、反射率を低減することが可能である。
d 1 = λ 1 / 4N eff_1
d 2 = λ 2 / 4N eff_2
0.02λ <| λ 1 −λ 2 | <0.08λ
Thus, in this case, the thicknesses d 1 and d 2 of the layer A and the layer B are antireflection structures in which the wavelength λ in the medium is shifted in the range of 0.02λ to 0.08λ, respectively. By providing a layer having a thickness that cancels the phase shift of the component returning to the incident side at each interface at different wavelengths and angles, it is possible to reduce the reflectance in a wide range of wavelengths and angles.

また、本実施形態における反射防止構造において、層Aの構造と層Bの構造を、媒体1と媒体2との境界に平行な面に投影した場合に、媒体3の占める面積の割合が、それぞれ10〜90%となるように設定する。   Further, in the antireflection structure in the present embodiment, when the structure of the layer A and the structure of the layer B are projected on a plane parallel to the boundary between the medium 1 and the medium 2, the ratio of the area occupied by the medium 3 is respectively It sets so that it may become 10 to 90%.

層A、層Bにおける媒体3の占める面積の割合が10%より小さく、90%より大きいと、反射防止に必要な屈折率差が得られない。また、望ましくは、層A、層Bにおける媒体3の占める面積の割合が、層Aに関しては20〜70%、層Bに関しては40〜80%の範囲とすることで、高い反射防止効果が得られる。更に望ましくは、層A、層Bにおける媒体3の占める面積の割合が、層Aに関しては20〜50%、層Bに関しては50〜80%の範囲とすることで、より高い反射防止効果が得られる。   If the ratio of the area occupied by the medium 3 in the layers A and B is smaller than 10% and larger than 90%, a difference in refractive index necessary for preventing reflection cannot be obtained. Desirably, the ratio of the area occupied by the medium 3 in the layers A and B is in the range of 20 to 70% for the layer A and 40 to 80% for the layer B, so that a high antireflection effect is obtained. It is done. More desirably, the ratio of the area occupied by the medium 3 in the layers A and B is in the range of 20 to 50% for the layer A and 50 to 80% for the layer B, thereby obtaining a higher antireflection effect. It is done.

このように、層A、層Bにおける媒体3の占める面積の割合を上記の範囲とすることによって、反射率の低減に必要な有効屈折率を得ることが可能である。また、傷付き難いなど、強度を高めることが可能である。   Thus, by making the ratio of the area occupied by the medium 3 in the layer A and the layer B within the above range, it is possible to obtain an effective refractive index necessary for reducing the reflectance. Further, it is possible to increase the strength such as being hard to be damaged.

〈実施形態2〉
本発明の実施形態2に係る反射防止構造では、前記層Aと前記層Bがそれぞれ2次元に配列される凹凸構造を有し、前記媒体3の高さ方向において体積率が異なる構成である。他の構成は実施形態1と同様であり、重複する説明は省略する。
<Embodiment 2>
In the antireflection structure according to Embodiment 2 of the present invention, the layer A and the layer B have a concavo-convex structure in which the layers A and B are two-dimensionally arranged, and the volume ratios are different in the height direction of the medium 3. Other configurations are the same as those of the first embodiment, and redundant description is omitted.

図4は、本発明の実施形態2に係る反射防止構造を有する光学素子を示す概略斜視図である。図4に示した実施形態2の反射防止構造では、層Aと層Bは、媒体3からなる2次元に配列された凸形微細構造4を有している。この凸形微細構造4は、層Aと層Bで幅(径)の異なる円柱である。これにより、媒体3は、層Aと層Bにおいて体積率が異なり、有効屈折率を変えることができる。なお、層Aと層Bに形成する凸型微細構造を、四角柱としてもよい。   FIG. 4 is a schematic perspective view showing an optical element having an antireflection structure according to Embodiment 2 of the present invention. In the antireflection structure of Embodiment 2 shown in FIG. 4, the layer A and the layer B have the convex microstructures 4 made of the medium 3 and arranged in two dimensions. The convex microstructure 4 is a cylinder having a different width (diameter) between the layer A and the layer B. Thereby, the volume ratio of the medium 3 is different between the layer A and the layer B, and the effective refractive index can be changed. Note that the convex microstructures formed in the layers A and B may be quadrangular columns.

また、図5に示すように、層Aと層Bは、媒体3からなる、その高さ(深さ)方向において幅(径)の異なる2段の円柱状の凹形微細構造4aを2次元に配列してもよい。なお、層Aと層Bを、高さ方向において幅(径)の異なる四角状の凹形微細構造を有する構成としてもよい。   In addition, as shown in FIG. 5, the layer A and the layer B are two-dimensional cylindrical concave microstructures 4a made of the medium 3 and having different widths (diameters) in the height (depth) direction. You may arrange in. Note that the layer A and the layer B may have a rectangular concave microstructure with different widths (diameters) in the height direction.

更に、図6に示した反射防止構造では、層Aと層Bは、媒体3からなる2次元に配列された凸形微細構造4を有し、この凸形微細構造4は高さの異なる円柱を配列して構成されている。なお、層Aと層Bを、高さの異なる四角柱を配列した凸形微細構造としてもよい。   Further, in the antireflection structure shown in FIG. 6, the layer A and the layer B have a convex microstructure 4 made of the medium 3 and arranged in a two-dimensional manner, and the convex microstructure 4 is a cylinder having a different height. Are arranged. Note that the layer A and the layer B may have a convex fine structure in which square pillars having different heights are arranged.

また、図7に示すように、層Aと層Bは、媒体3からなる、深さの異なる円柱状の凹形微細構造4aを2次元に配列してもよい。   Further, as shown in FIG. 7, the layer A and the layer B may be two-dimensionally arranged with cylindrical concave microstructures 4 a made of the medium 3 and having different depths.

なお、図4〜図7に示した実施形態2の層Aの凹凸構造は、例えば、フォトリソグラフィーによるレジストの露光量を変化させたり、あるいは電子線リソグラフィーによるレジストの露光量を変化させることで形成することができる。   The concavo-convex structure of the layer A of Embodiment 2 shown in FIGS. 4 to 7 is formed, for example, by changing the resist exposure amount by photolithography or changing the resist exposure amount by electron beam lithography. can do.

このように、前記実施形態1、2の反射防止構造によれば、異なる波長の光や斜め入射の光に対しても低い反射率を得ることができ、かつ製造が容易で、機械的な強度が高い反射防止構造を提供することができる。   As described above, according to the antireflection structures of the first and second embodiments, low reflectance can be obtained even for light of different wavelengths and obliquely incident light, and manufacturing is easy, and mechanical strength is improved. Can provide a high antireflection structure.

また、前記実施形態1、2の反射防止構造を有する光学部材によれば、高い反射防止効果を得ることができる光学部材を提供することができる。   Moreover, according to the optical member which has the antireflection structure of the said Embodiment 1, 2, the optical member which can acquire a high antireflection effect can be provided.

次に、本発明の反射防止構造による反射率の低減効果を評価するために、以下に示す実施例1〜11と比較用の比較例1〜6の反射防止構造を作製した。   Next, in order to evaluate the effect of reducing the reflectance by the antireflection structure of the present invention, the antireflection structures of Examples 1 to 11 and Comparative Examples 1 to 6 shown below were prepared.

なお、反射率の低減効果を評価するために、RCWA(厳密結合波解析)法による電磁波解析シミュレーションソフトDiffract MOD(R-Soft社)を用いて、反射率計算を行った。実施例1〜11と比較例1〜6の設定条件と、反射率の算出結果は、以下の表1に記載したとおりである。   In order to evaluate the effect of reducing the reflectance, the reflectance was calculated using the electromagnetic wave analysis simulation software Diffract MOD (R-Soft) by the RCWA (strict coupling wave analysis) method. The setting conditions of Examples 1 to 11 and Comparative Examples 1 to 6 and the calculation results of the reflectance are as described in Table 1 below.

この反射率計算における条件を、以下のように設定した。
反射防止波長域:380〜780nm(可視域)
媒体1:屈折率1(空気)
媒体2:屈折率1.5(ガラスや樹脂)
界面の法線から0deg、40deg、60degで光を入射し、380〜780nmの波長範囲での反射率の平均値を算出した。
The conditions in this reflectance calculation were set as follows.
Antireflection wavelength range: 380 to 780 nm (visible range)
Medium 1: Refractive index 1 (air)
Medium 2: Refractive index 1.5 (glass or resin)
Light was incident at 0 deg, 40 deg, and 60 deg from the normal line of the interface, and the average value of reflectance in the wavelength range of 380 to 780 nm was calculated.

〈実施例1〉
図8に示すように、層Bの凹凸構造として、四角柱状の凸形微細構造4が2次元に配列された構造であり、以下のような条件に設定した。
<Example 1>
As shown in FIG. 8, the concavo-convex structure of the layer B is a structure in which square columnar convex microstructures 4 are two-dimensionally arranged, and the following conditions are set.

媒体3の屈折率NC:1.38
層A:媒体3で形成された、周期:200nm、高さ:110nm、幅:125nmの凸状の構造と空気(媒体1)によって形成(有効屈折率Neff_1:1.15)
層B:高さ:100nmの媒体3からなる構造(有効屈折率Neff_2:1.38)
Refractive index N C of medium 3: 1.38
Layer A: formed of a convex structure having a period of 200 nm, a height of 110 nm, a width of 125 nm and air (medium 1) formed of the medium 3 (effective refractive index N eff — 1.15)
Layer B: Height: Structure made of medium 3 having a thickness of 100 nm (effective refractive index N eff —2 : 1.38)

図18は、実施例1における反射率の算出結果を示す図である。   FIG. 18 is a diagram illustrating a calculation result of the reflectance in the first embodiment.

〈実施例2〉
図9に示すように、媒体3からなる層A、層Bの凹凸構造として、2段に重なった四角柱状の凸形微細構造4が2次元に配列された構造であり、以下のような条件に設定した。
<Example 2>
As shown in FIG. 9, the concavo-convex structure of the layer A and the layer B made of the medium 3 is a structure in which square columnar convex microstructures 4 stacked in two steps are two-dimensionally arranged, and the following conditions Set to.

媒体3の屈折率NC:1.46
層A:媒体3で形成された、周期:200nm、高さ:110nm、幅:114nmの凸状の構造と空気によって形成(有効屈折率Neff_1:1.15)
層B:媒体3で形成された、周期:200nm、高さ:110nm、幅:174nmの凸状の構造と空気によって形成(有効屈折率Neff_2:1.35)
Refractive index N C of medium 3: 1.46
Layer A: formed of a convex structure having a period of 200 nm, a height of 110 nm, and a width of 114 nm formed from the medium 3 and air (effective refractive index N eff — 1.15)
Layer B: formed of a convex structure formed of the medium 3 and having a period of 200 nm, a height of 110 nm, and a width of 174 nm and air (effective refractive index N eff_2 : 1.35)

図19は、実施例2における反射率の算出結果を示す図である。   FIG. 19 is a diagram illustrating a calculation result of the reflectance in the second embodiment.

〈実施例3〉
図10に示すように、媒体2(=媒体3)からなる層A、層Bの凹凸構造として、2段に重なった四角柱状の凸形微細構造4が2次元に配列された構造であり、以下のような条件に設定した。
<Example 3>
As shown in FIG. 10, the concave and convex structure of the layer A and the layer B made of the medium 2 (= medium 3) is a structure in which quadrangular prism-like convex microstructures 4 stacked in two steps are two-dimensionally arranged. The following conditions were set.

媒体3を媒体2と同じ媒体で形成した。屈折率NC:1.50
層A:媒体2で形成された、周期:200nm、高さ:110nm、幅:110nmの凸状の構造と空気によって形成(有効屈折率Neff_1:1.15)
層B:媒体2で形成された、周期:200nm、高さ:100nm、幅:167nmの凸状の構造と空気によって形成(有効屈折率Neff_2:1.35)
Medium 3 was formed of the same medium as medium 2. Refractive index N C : 1.50
Layer A: formed of a convex structure having a period of 200 nm, a height of 110 nm, and a width of 110 nm formed from the medium 2 and air (effective refractive index N eff — 1.15)
Layer B: formed of a convex structure having a period of 200 nm, a height of 100 nm, and a width of 167 nm, formed of the medium 2, and air (effective refractive index N eff_2 : 1.35)

図20は、実施例3における反射率の算出結果を示す図である。   FIG. 20 is a diagram illustrating a calculation result of the reflectance in the third embodiment.

〈実施例4〉
図11に示すように、媒体2(=媒体3)からなる層A、層Bの凹凸構造として、2段に重なった四角柱のホール(凹形微細構造4a)が2次元に配列された構造であり、以下のような条件に設定した。
<Example 4>
As shown in FIG. 11, as the concavo-convex structure of layer A and layer B made of medium 2 (= medium 3), a structure in which square pillar holes (concave microstructure 4a) overlapped in two steps are two-dimensionally arranged. Therefore, the following conditions were set.

媒体3を媒体2と同じ媒体で形成した。屈折率NC:1.50
層A:媒体2で形成された、周期:200nm、高さ:120nm、幅:179nmの凹状の構造と空気によって形成(有効屈折率Neff_1:1.10)
層B:媒体2で形成された、周期:200nm、高さ:100nm、幅:110nmの凹状の構造と空気によって形成(有効屈折率Neff_2:1.35)
Medium 3 was formed of the same medium as medium 2. Refractive index N C : 1.50
Layer A: formed of a concave structure formed of the medium 2 and having a period of 200 nm, a height of 120 nm, and a width of 179 nm and air (effective refractive index N eff — 1.10)
Layer B: formed of medium 2 with a concave structure of period: 200 nm, height: 100 nm, width: 110 nm and effective refractive index Neff_2 : 1.35

図21は、実施例4における反射率の算出結果を示す図である。   FIG. 21 is a diagram illustrating a calculation result of the reflectance in the fourth embodiment.

〈実施例5〉
図11に示すように、媒体2(=媒体3)からなる層A、層Bの凹凸構造として、2段に重なった四角柱のホール(凹形微細構造4a)が2次元に配列された構造であり、以下のような条件に設定した。
<Example 5>
As shown in FIG. 11, as the concavo-convex structure of layer A and layer B made of medium 2 (= medium 3), a structure in which square pillar holes (concave microstructure 4a) overlapped in two steps are two-dimensionally arranged. Therefore, the following conditions were set.

媒体3を媒体2と同じ媒体で形成した。屈折率NC:1.50
層A:媒体2で形成された、周期:200nm、高さ:110nm、幅:155nmの凹状の構造と空気によって形成(有効屈折率Neff_1:1.20)
層B:媒体2で形成された、周期:200nm、高さ:90nm、幅:110nmの凹状の構造と空気によって形成(有効屈折率Neff_2:1.35)
Medium 3 was formed of the same medium as medium 2. Refractive index N C : 1.50
Layer A: formed of a concave structure formed of medium 2 and having a period of 200 nm, a height of 110 nm, and a width of 155 nm and air (effective refractive index Neff_1 : 1.20)
Layer B: formed of a concave structure formed of the medium 2 and having a period of 200 nm, a height of 90 nm, and a width of 110 nm and air (effective refractive index Neff_2 : 1.35)

図22は、実施例5における反射率の算出結果を示す図である。   FIG. 22 is a diagram illustrating a calculation result of the reflectance in the fifth embodiment.

〈実施例6〉
図11に示すように、媒体2(=媒体3)からなる層A、層Bの凹凸構造として、2段に重なった四角柱のホール(凹形微細構造4a)が2次元に配列された構造であり、以下のような条件に設定した。
<Example 6>
As shown in FIG. 11, as the concavo-convex structure of layer A and layer B made of medium 2 (= medium 3), a structure in which square pillar holes (concave microstructure 4a) overlapped in two steps are two-dimensionally arranged. Therefore, the following conditions were set.

媒体3を媒体2と同じ媒体で形成した。屈折率NC:1.50
層A:媒体2で形成された、周期:200nm、高さ:120nm、幅:167nmの凹状の構造と空気によって形成(有効屈折率Neff_1:1.15)
層B:媒体2で形成された、周期:200nm、高さ:100nm、幅:89nmの凹状の構造と空気によって形成(有効屈折率Neff_2:1.40)
Medium 3 was formed of the same medium as medium 2. Refractive index N C : 1.50
Layer A: formed of a concave structure formed of medium 2 and having a period of 200 nm, a height of 120 nm, and a width of 167 nm and air (effective refractive index N eff — 1.15)
Layer B: formed with a concave structure formed of medium 2 and having a period: 200 nm, height: 100 nm, width: 89 nm and air (effective refractive index N eff —2 : 1.40)

図23は、実施例6における反射率の算出結果を示す図である。   FIG. 23 is a diagram illustrating the calculation result of the reflectance in the sixth embodiment.

〈実施例7〉
図11に示すように、媒体2(=媒体3)からなる層A、層Bの凹凸構造として、2段に重なった四角柱のホール(凹形微細構造4a)が2次元に配列された構造であり、以下のような条件に設定した。
<Example 7>
As shown in FIG. 11, as the concavo-convex structure of layer A and layer B made of medium 2 (= medium 3), a structure in which square pillar holes (concave microstructure 4a) overlapped in two steps are two-dimensionally arranged. Therefore, the following conditions were set.

媒体3を媒体2と同じ媒体で形成した。屈折率NC:1.50
層A:媒体2で形成された、周期:200nm、高さ:124nm、幅:177nmの凹状の構造と空気によって形成(有効屈折率Neff_1:1.11)
層B:媒体2で形成された、周期:200nm、高さ:101nm、幅:106nmの凹状の構造と空気によって形成(有効屈折率Neff_2:1.36)
Medium 3 was formed of the same medium as medium 2. Refractive index N C : 1.50
Layer A: formed of a concave structure formed of the medium 2 and having a period of 200 nm, a height of 124 nm, and a width of 177 nm and air (effective refractive index N eff_1 : 1.11)
Layer B: formed of a concave structure formed of the medium 2 and having a period of 200 nm, a height of 101 nm, and a width of 106 nm and air (effective refractive index Neff_2 : 1.36)

そして、本実施例では、波長λ=550nmとして、d1=λ/4Neff_1、d2=λ/4Neff_2となるように制御した。 In this embodiment, the wavelength λ is set to 550 nm, and d 1 = λ / 4N eff1 and d 2 = λ / 4N eff2 are controlled.

図24は、実施例7における反射率の算出結果を示す図である。   FIG. 24 is a diagram illustrating the calculation result of the reflectance in the seventh embodiment.

〈実施例8〉
図11に示すように、媒体2(=媒体3)からなる層A、層Bの凹凸構造として、2段に重なった四角柱のホール(凹形微細構造4a)が2次元に配列された構造であり、以下のような条件に設定した。
<Example 8>
As shown in FIG. 11, as the concavo-convex structure of layer A and layer B made of medium 2 (= medium 3), a structure in which square pillar holes (concave microstructure 4a) overlapped in two steps are two-dimensionally arranged. Therefore, the following conditions were set.

媒体3を媒体2と同じ媒体で形成した。屈折率NC:1.50
層A:媒体2で形成された、周期:200nm、高さ:122nm、幅:172nmの凹状の構造と空気によって形成(有効屈折率Neff_1:1.13)
層B:媒体2で形成された、周期:200nm、高さ:103nm、幅:117nmの凹状の構造と空気によって形成(有効屈折率Neff_2:1.33)
Medium 3 was formed of the same medium as medium 2. Refractive index N C : 1.50
Layer A: formed of a concave structure formed of medium 2 and having a period of 200 nm, a height of 122 nm, and a width of 172 nm and air (effective refractive index N eff — 1.13)
Layer B: formed of a concave structure formed of medium 2 and having a period of 200 nm, a height of 103 nm, and a width of 117 nm and air (effective refractive index N eff_2 : 1.33)

そして、本実施例では、波長λ=550nmとして、d1=λ/4Neff_1、d2=λ/4Neff_2となるように制御した。 In this embodiment, the wavelength λ is set to 550 nm, and d 1 = λ / 4N eff1 and d 2 = λ / 4N eff2 are controlled.

図25は、実施例8における反射率の算出結果を示す図である。   FIG. 25 is a diagram illustrating a calculation result of reflectance in Example 8.

〈実施例9〉
図11に示すように、媒体2(=媒体3)からなる層A、層Bの凹凸構造として、2段に重なった四角柱のホール(凹形微細構造4a)が2次元に配列された構造であり、以下のような条件に設定した。
<Example 9>
As shown in FIG. 11, as the concavo-convex structure of layer A and layer B made of medium 2 (= medium 3), a structure in which square pillar holes (concave microstructure 4a) overlapped in two steps are two-dimensionally arranged. Therefore, the following conditions were set.

媒体3を媒体2と同じ媒体で形成した。屈折率NC:1.50
層A:媒体2で形成された、周期:200nm、高さ:119nm、幅:177nmの凹状の構造と空気によって形成(有効屈折率Neff_1:1.11)
層B:媒体2で形成された、周期:200nm、高さ:105nm、幅:106nmの凹状の構造と空気によって形成(有効屈折率Neff_2:1.36)
Medium 3 was formed of the same medium as medium 2. Refractive index N C : 1.50
Layer A: formed of a concave structure formed of medium 2 and having a period of 200 nm, a height of 119 nm, and a width of 177 nm and air (effective refractive index N eff — 1 : 1.11)
Layer B: formed of a concave structure formed of medium 2 and having a period of 200 nm, a height of 105 nm, and a width of 106 nm and air (effective refractive index N eff — = 1.36)

そして、本実施例では、波長λ=550nmとして、λ1=528nm、λ2=571nm、|λ1−λ2|=0.078λとなるように制御した。 In this embodiment, the wavelength λ is set to 550 nm, and λ 1 = 528 nm, λ 2 = 571 nm, and | λ 1 −λ 2 | = 0.078λ.

図26は、実施例9における反射率の算出結果を示す図である。   FIG. 26 is a diagram illustrating a calculation result of the reflectance in the ninth embodiment.

〈実施例10〉
図11に示すように、媒体2(=媒体3)からなる層A、層Bの凹凸構造として、2段に重なった四角柱のホール(凹形微細構造4a)が2次元に配列された構造であり、以下のような条件に設定した。
<Example 10>
As shown in FIG. 11, as the concavo-convex structure of layer A and layer B made of medium 2 (= medium 3), a structure in which square pillar holes (concave microstructure 4a) overlapped in two steps are two-dimensionally arranged. Therefore, the following conditions were set.

媒体3を媒体2と同じ媒体で形成した。屈折率NC:1.50
層A:媒体2で形成された、周期:200nm、高さ:117nm、幅:172nmの凹状の構造と空気によって形成(有効屈折率Neff_1:1.13)
層B:媒体2で形成された、周期:200nm、高さ:107nm、幅:117nmの凹状の構造と空気によって形成(有効屈折率Neff_2:1.33)
Medium 3 was formed of the same medium as medium 2. Refractive index N C : 1.50
Layer A: formed of a concave structure formed of medium 2 and having a period of 200 nm, a height of 117 nm, and a width of 172 nm and air (effective refractive index N eff — 1.13)
Layer B: formed of a concave structure formed of medium 2 and having a period of 200 nm, a height of 107 nm, and a width of 117 nm and air (effective refractive index N eff_2 : 1.33)

そして、本実施例では、波長λ=550nmとして、λ1=529nm、λ2=569nm、|λ1−λ2|=0.073λとなるように制御した。 In this embodiment, the wavelength λ is set to 550 nm, and λ 1 = 529 nm, λ 2 = 569 nm, and | λ 1 −λ 2 | = 0.073λ.

図27は、実施例10における反射率の算出結果を示す図である。   FIG. 27 is a diagram illustrating the calculation result of the reflectance in the tenth embodiment.

〈実施例11〉
図10に示すように、媒体2からなる層A、層Bの凹凸構造として、2段に重なった四角柱状の凸形微細構造4が2次元に配列された構造であり、以下のような条件に設定した。
<Example 11>
As shown in FIG. 10, the concave and convex structure of the layer A and the layer B made of the medium 2 is a structure in which quadrangular columnar convex microstructures 4 stacked in two steps are two-dimensionally arranged, and the following conditions Set to.

媒体3を媒体2と同じ媒体で形成した。屈折率NC:1.46
層A:媒体2で形成された、周期:200nm、高さ:100nm、幅:132nmの凸状の構造と空気によって形成(有効屈折率Neff_1:1.20)
層B:媒体2で形成された、周期:200nm、高さ:80nm、幅:162nmの凸状の構造と空気によって形成(有効屈折率Neff_2:1.33)
Medium 3 was formed of the same medium as medium 2. Refractive index N C : 1.46
Layer A: formed of a convex structure having a period of 200 nm, a height of 100 nm, and a width of 132 nm, formed of the medium 2, and air (effective refractive index N eff — 1.20)
Layer B: formed of a convex structure having a period of 200 nm, a height of 80 nm, and a width of 162 nm formed of the medium 2 and air (effective refractive index N eff_2 : 1.33)

図28は、実施例11における反射率の算出結果を示す図である。   FIG. 28 is a diagram illustrating a calculation result of reflectance in Example 11.

上記した各実施例1〜11に対する比較例の反射防止構造を以下のように設定した。
〈比較例1〉
図12に示すように、比較例1では、反射防止構造を何も設けていない構成であり、屈折率1の媒体1(空気)から屈折率1.5の媒質2へ光が入射する。
The antireflection structure of the comparative example for each of the above-described Examples 1 to 11 was set as follows.
<Comparative example 1>
As shown in FIG. 12, the comparative example 1 has no antireflection structure, and light is incident on the medium 2 having a refractive index of 1.5 from the medium 1 having a refractive index of 1 (air).

図29は、比較例1における反射率の算出結果を示す図である。   FIG. 29 is a diagram showing a calculation result of reflectance in Comparative Example 1.

〈比較例2〉
図13に示すように、比較例2では、媒体2の表面に屈折率1.38、厚さ100nmの薄膜(LR膜)10を形成した構成した。
<Comparative example 2>
As shown in FIG. 13, in Comparative Example 2, a thin film (LR film) 10 having a refractive index of 1.38 and a thickness of 100 nm was formed on the surface of the medium 2.

図30は、比較例2における反射率の算出結果を示す図である。   FIG. 30 is a diagram showing a calculation result of reflectance in Comparative Example 2.

〈比較例3〉
図14に示すように、比較例3では、媒体2の表面にAR膜(3層)を形成した構成であり、下から順に、屈折率1.64、厚さ83.8nmの第1の薄膜11、屈折率2.0、厚さ137.5nmの第2の薄膜12、屈折率1.38、厚さ99.6nmの第3の薄膜13を形成している。
<Comparative Example 3>
As shown in FIG. 14, Comparative Example 3 has a configuration in which an AR film (three layers) is formed on the surface of the medium 2, and the first thin film having a refractive index of 1.64 and a thickness of 83.8 nm in order from the bottom. 11, a second thin film 12 having a refractive index of 2.0 and a thickness of 137.5 nm, and a third thin film 13 having a refractive index of 1.38 and a thickness of 99.6 nm are formed.

図31は、比較例3における反射率の算出結果を示す図である。
〈比較例4〉
図15に示すように、比較例4では、媒体2からなる層Aの凹凸微細構造として、四角柱状の凸形微細構造4が2次元に配列された構造であり、以下のような条件に設定した。
FIG. 31 is a diagram showing the calculation result of the reflectance in Comparative Example 3.
<Comparative example 4>
As shown in FIG. 15, the comparative example 4 is a structure in which the quadrangular columnar convex microstructures 4 are two-dimensionally arranged as the concave and convex microstructures of the layer A made of the medium 2, and the following conditions are set. did.

層A(媒体3)を媒体2と同じ媒体で形成した。屈折率NC:1.50
層A:媒体2で形成された、周期:200nm、高さ:112nm、幅:174nmの凸状の構造と空気によって形成(有効屈折率Neff_1:1.22)
Layer A (medium 3) was formed from the same medium as medium 2. Refractive index N C : 1.50
Layer A: formed of a convex structure formed of the medium 2 and having a period of 200 nm, a height of 112 nm, and a width of 174 nm and air (effective refractive index N eff — 1 : 1.22)

図32は、比較例4における反射率の算出結果を示す図である。
〈比較例5〉
図16に示すように、比較例5では、媒体2上に同じ媒体で高さ300nmの四角錐状のモスアイ構造14を形成した。
FIG. 32 is a diagram showing a calculation result of reflectance in Comparative Example 4.
<Comparative Example 5>
As shown in FIG. 16, in Comparative Example 5, a square pyramid-shaped moth-eye structure 14 having a height of 300 nm was formed on the medium 2 using the same medium.

モスアイ構造14を媒体2と同じ媒体で形成した。屈折率NC:1.50 The moth eye structure 14 was formed from the same medium as the medium 2. Refractive index N C : 1.50

図33は、比較例5における反射率の算出結果を示す図である。
〈比較例6〉
図17に示すように、比較例6では、媒体2上に同じ媒体で高さ225nmの先端が砲弾状に突起した円錐状のモスアイ構造15を形成した。
FIG. 33 is a diagram showing a calculation result of reflectance in Comparative Example 5.
<Comparative Example 6>
As shown in FIG. 17, in Comparative Example 6, the conical moth-eye structure 15 with the tip of a 225 nm height projecting like a bullet in the same medium was formed on the medium 2.

モスアイ構造15を媒体2と同じ媒体で形成した。屈折率NC:1.50 The moth eye structure 15 was formed of the same medium as the medium 2. Refractive index N C : 1.50

図34は、比較例6における反射率の算出結果を示す図である。   FIG. 34 is a diagram showing a calculation result of reflectance in Comparative Example 6.

このように、実施例1〜11の反射防止構造によれば、380〜780nmの波長域全域で、比較例1〜6の場合よりも低い反射率を実現することができる。また、界面の法線から傾いて入射した光に対しても、低い反射率を維持することができる。   As described above, according to the antireflection structures of Examples 1 to 11, a lower reflectance than that of Comparative Examples 1 to 6 can be realized in the entire wavelength range of 380 to 780 nm. In addition, a low reflectance can be maintained even for light incident with an inclination from the normal line of the interface.

また、実施例3〜11の反射防止構造では、媒体2の構造のみで反射防止性能が実現可能であり、屈折率の異なる材料を使用する必要がないため、低コストで、かつ生産性が高い。   Further, in the antireflection structures of Examples 3 to 11, the antireflection performance can be realized only by the structure of the medium 2, and it is not necessary to use materials having different refractive indexes, so that the cost is low and the productivity is high. .

また、例えば、実施例11で示した反射防止構造を、屈折率1.5など屈折率の異なる透明基板上に形成することが可能である。媒体2部分は光学的なコヒーレンスが消失する厚さを有していれば、媒体2と前記透明基板との反射光による干渉は考える必要はない。この厚さは1μm程度であり、媒体2はこれ以上の厚さを有していればよい。また、透明基板の屈折率が1.5の場合、界面に法線方向から0degの入射で、0.01%、界面の法線方向から60deg傾いた入射で、0.15%と十分に小さい。従って、透明基板上に1μm以上の厚さを持たせて構造を転写することなどにより、簡易に反射率を低減することが可能である。   Further, for example, the antireflection structure shown in Example 11 can be formed on transparent substrates having different refractive indexes such as a refractive index of 1.5. As long as the medium 2 portion has such a thickness that optical coherence disappears, it is not necessary to consider interference caused by reflected light between the medium 2 and the transparent substrate. This thickness is about 1 μm, and the medium 2 only needs to have a thickness greater than this. In addition, when the refractive index of the transparent substrate is 1.5, the incident angle is sufficiently small at 0.01% when incident at 0 deg from the normal direction and 0.15% when incident at 60 deg from the normal direction of the interface. . Therefore, the reflectance can be easily reduced by transferring the structure with a thickness of 1 μm or more on the transparent substrate.

1 媒体(第1の媒体)
2 媒体(第2の媒体)
3 媒体(第3の媒体)
4 凸形微細構造(2次元凹凸構造)
4a 凹形微細構造(2次元凹凸構造)
1 medium (first medium)
2 Medium (second medium)
3 Medium (3rd medium)
4 Convex microstructure (two-dimensional concavo-convex structure)
4a Concave microstructure (two-dimensional uneven structure)

Claims (9)

第1の媒体と第2の媒体との境界に設けられた反射防止構造であって、
前記反射防止構造は、前記第1の媒体と第3の媒体とによって形成され、前記反射防止構造の有効屈折率をNeffとしたときに、
Neff=rANA+rCNC
ただし、rA、rC:第1の媒体、第3の媒体の体積率
NA、NC:第1の媒体、第3の媒体の屈折率
で表される有効屈折率が異なる2層を備え、
前記2層のうちの少なくとも1層は、反射防止波長域の最小波長以下の2次元凹凸構造を有することを特徴とする反射防止構造。
An antireflection structure provided at a boundary between the first medium and the second medium,
The antireflection structure is formed by the first medium and the third medium, and when the effective refractive index of the antireflection structure is N eff ,
N eff = r A N A + r C N C
Where r A , r C : volume ratio of the first medium and the third medium
N A , N C : two layers having different effective refractive indexes represented by the refractive indexes of the first medium and the third medium,
At least one of the two layers has a two-dimensional concavo-convex structure having a wavelength equal to or less than the minimum wavelength of the antireflection wavelength region.
前記反射防止構造は、高さ方向において前記第3の媒体の体積率が異なる、2段の2次元凹凸構造を有することを特徴とする請求項1に記載の反射防止構造。   The antireflection structure according to claim 1, wherein the antireflection structure has a two-stage two-dimensional uneven structure in which a volume ratio of the third medium is different in a height direction. 前記第1の媒体の屈折率をNA、前記第2の媒体の屈折率をNB、前記第3の媒体の屈折率をNCとしたときに、
NA<NC<NB
であることを特徴とする請求項1又は2に記載の反射防止構造。
When the refractive index of the first medium is N A , the refractive index of the second medium is N B , and the refractive index of the third medium is N C ,
N A <N C <N B
The antireflection structure according to claim 1 or 2, wherein
前記第1の媒体の屈折率をNA、前記第2の媒体の屈折率をNB、前記第3の媒体の屈折率をNCとしたときに、
NA<NC=NB
であることを特徴とする請求項2に記載の反射防止構造。
When the refractive index of the first medium is N A , the refractive index of the second medium is N B , and the refractive index of the third medium is N C ,
N A <N C = N B
The antireflection structure according to claim 2, wherein
前記第2の媒体と前記第3の媒体とが同じ物質であることを特徴とする請求項4に記載の反射防止構造。   The antireflection structure according to claim 4, wherein the second medium and the third medium are made of the same material. 前記有効屈折率の異なる2層のうち、前記第1の媒体側の層を第1の層、前記第2の媒体側の層を第2の層とし、
反射防止波長域の任意の波長をλとして、前記第1の層の有効屈折率をNeff_1、厚みをd1、前記第2の層の有効屈折率をNeff_2、厚みをd2としたときに、
d1=λ/4Neff_1
d2=λ/4Neff_2
であることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項に記載の反射防止構造。
Of the two layers having different effective refractive indexes, the first medium side layer is the first layer, and the second medium side layer is the second layer,
When an arbitrary wavelength in the antireflection wavelength region is λ, the effective refractive index of the first layer is N eff_1 , the thickness is d 1 , the effective refractive index of the second layer is N eff_2 , and the thickness is d 2 In addition,
d 1 = λ / 4N eff_1
d 2 = λ / 4N eff_2
The antireflection structure according to any one of claims 1 to 5, wherein the antireflection structure is provided.
前記有効屈折率の異なる2層のうち、前記第1の媒体側の層を第1の層、前記第2の媒体側の層を第2の層とし、
前記第1の層の有効屈折率をNeff_1、厚みをd1
前記第2の層の有効屈折率をNeff_2、厚みをd2
反射防止波長域の任意の波長をλ、λ1、λ2として、
λ1<λ<λ2、またはλ2<λ<λ1での関係を満たすときに、
d1=λ1/4Neff_1
d2=λ2/4Neff_2
0.02λ<|λ1−λ2|<0.08λ
であることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項に記載の反射防止構造。
Of the two layers having different effective refractive indexes, the first medium side layer is the first layer, and the second medium side layer is the second layer,
The effective refractive index of the first layer is N eff_1 , the thickness is d 1 ,
The effective refractive index of the second layer is N eff_2 , the thickness is d 2 ,
Arbitrary wavelengths in the antireflection wavelength region are λ, λ 1 , and λ 2 ,
When satisfying the relationship of λ 1 <λ <λ 2 or λ 2 <λ <λ 1 ,
d 1 = λ 1 / 4N eff_1
d 2 = λ 2 / 4N eff_2
0.02λ <| λ 1 −λ 2 | <0.08λ
The antireflection structure according to any one of claims 1 to 5, wherein the antireflection structure is provided.
前記2次元凹凸構造が、第1の層の構造と第2の層の構造を、第1の媒体と第2の媒体との境界に平行な面に投影した場合に、前記第3の媒体の占める面積の割合が、それぞれ10〜90%であることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか一項に記載の反射防止構造。   When the two-dimensional concavo-convex structure projects the structure of the first layer and the structure of the second layer onto a plane parallel to the boundary between the first medium and the second medium, the structure of the third medium The ratio of the area to occupy is 10 to 90%, respectively, The antireflection structure as described in any one of Claims 1 thru | or 7 characterized by the above-mentioned. 光学部材の透光性基材上に、請求項1乃至8のいずれか一項に記載の反射防止構造を有することを特徴とする光学部材。   An optical member comprising the antireflection structure according to any one of claims 1 to 8 on a light-transmitting substrate of the optical member.
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