JP2012206875A - APPARATUS FOR GROWING SiC - Google Patents
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Abstract
【課題】昇華法によるＳｉＣの結晶成長において、温度測定用の穴に昇華した物質が析出することを抑制して、精度の良い温度測定が長時間可能なＳｉＣ成長装置を提供する。
【解決手段】種基板１５及びＳｉＣ原料１８を収容する成長容器１４と、該成長容器１４を囲う断熱材１１と、該断熱材１１に設けた温度測定用の穴２１を通して、前記成長容器内１４の温度を測定する温度測定器１３と、前記ＳｉＣ原料１８を加熱するヒーター１７とを備え、昇華法により、前記ＳｉＣ原料１８を加熱して昇華させ、前記種基板１５上にＳｉＣ１６を結晶成長させるＳｉＣ成長装置１０であって、前記温度測定用の穴２１の内周は、前記断熱材１１の他の部分よりもかさ密度が高く、かつ、研磨された内壁部１２が形成されたものであるＳｉＣ成長装置。
【選択図】図１The present invention provides an SiC growth apparatus capable of performing accurate temperature measurement for a long time by suppressing deposition of sublimated substances in a hole for temperature measurement in SiC crystal growth by a sublimation method.
A growth vessel 14 containing a seed substrate 15 and a SiC raw material 18, a heat insulating material 11 surrounding the growth vessel 14, and a temperature measurement hole 21 provided in the heat insulating material 11, the inside of the growth vessel 14 is provided. And a heater 17 for heating the SiC raw material 18. The SiC raw material 18 is heated and sublimated by a sublimation method to grow SiC 16 on the seed substrate 15. In the SiC growth apparatus 10, the inner circumference of the temperature measurement hole 21 has a higher bulk density than the other part of the heat insulating material 11 and a polished inner wall 12 is formed. SiC growth equipment.
[Selection] Figure 1
Description
本発明は、昇華法によってＳｉＣの結晶成長を行うＳｉＣ成長装置に関する。 The present invention relates to a SiC growth apparatus that performs SiC crystal growth by a sublimation method.
近年、電気自動車や電気冷暖房器具にインバーター回路が多用されるにいたり、電力ロスが少なく、半導体Ｓｉ結晶を用いた素子より耐圧を高くとれるという特性から、ＳｉＣ（炭化珪素）の半導体結晶が求められている。
半導体用途のＳｉＣ結晶の成長には、一般的に昇華法が用いられている（特許文献１、２参照）。昇華法は、成長容器内で２０００℃前後ないしそれ以上の高温で、原材料である固体のＳｉＣを昇華させて、種基板上にＳｉＣを結晶成長させる方法である。
In recent years, as inverter circuits are frequently used in electric vehicles and electric air-conditioning appliances, SiC (silicon carbide) semiconductor crystals have been demanded because of their low power loss and higher breakdown voltage than elements using semiconductor Si crystals. ing.
In general, a sublimation method is used for the growth of SiC crystals for semiconductor applications (see Patent Documents 1 and 2). The sublimation method is a method in which solid SiC as a raw material is sublimated at a high temperature of about 2000 ° C. or higher in a growth vessel to grow SiC on a seed substrate.
成長容器は、石英管内かチャンバー内に配置されて、高真空状態にし、活性の低いガスを供給しながら、ＳｉＣの昇華速度を上げるために大気圧より低い圧力に制御される。また、成長容器は通気性があり、成長容器内外の圧力は等しくなる。
成長容器の外側には、成長容器内の熱が失われるのを抑制するために断熱材が配置されている。断熱材には、パイロメーターで温度測定するための穴が少なくとも一つ設けられ、その穴からは多少の熱がもれる。
The growth vessel is placed in a quartz tube or in a chamber and is controlled to a pressure lower than atmospheric pressure in order to increase the sublimation rate of SiC while supplying a gas having a low vacuum and a low activity. Further, the growth vessel is air permeable, and the pressure inside and outside the growth vessel becomes equal.
A heat insulating material is disposed outside the growth vessel in order to prevent the heat in the growth vessel from being lost. The heat insulating material is provided with at least one hole for measuring the temperature with a pyrometer, and some heat is leaked from the hole.
このようなＳｉＣの結晶成長は、原料を昇華させるために高温が必要で、成長装置は高温での温度制御を行う。また、昇華した物質の圧力を安定させるために、成長容器内の圧力、温度が安定していることが重要である。 Such SiC crystal growth requires a high temperature to sublimate the raw material, and the growth apparatus performs temperature control at a high temperature. Further, in order to stabilize the pressure of the sublimated substance, it is important that the pressure and temperature in the growth vessel are stable.
昇華法によるＳｉＣの結晶成長は、昇華によるものであるため、Ｓｉの結晶を作製するチョクラルスキー法や、ＧａＡｓ等の結晶を作製するＬＰＥ（液相エピタキシャル成長）法などと比較して、相対的に成長速度が非常に遅い。従って、長い時間をかけて成長させることとなる。ただし、近年の制御機器、コンピュータ、パソコン等の発達で、圧力、温度の調節を長期間行うことは、容易である。 Since SiC crystal growth by the sublimation method is based on sublimation, it is relatively compared to the Czochralski method for producing Si crystals and the LPE (liquid phase epitaxial growth) method for producing crystals such as GaAs. The growth rate is very slow. Therefore, it takes a long time to grow. However, with the recent development of control devices, computers, personal computers, etc., it is easy to adjust the pressure and temperature for a long time.
昇華法において、昇華を開始すると、成長容器の外部に昇華した気体が漏れ、成長容器の外側に配置されている断熱材の温度測定用の穴を通過する。
断熱材と成長容器の間は、成長容器と同様の温度であるが、断熱材の温度測定用の穴の付近は温度が低くなっているため、昇華した気体が、穴を通過する際に析出する。析出した物質は、主にはＳｉＣの結晶であるが、一度表面に析出すると、更に成長を続け、図３に示すように多結晶化し、図４に示すように温度測定用の穴をふさぐこととなる。このため、温度測定が困難になり、温度調節器に正確な温度データを送れなくなる。これによって、成長容器内の温度の制御ができず、成長させる結晶の品質や、生産性に影響を及ぼしてしまう。
図３は、ＳｉＣ成長装置の温度測定用の穴の内壁への多結晶の成長を説明するための図である。図４は、多結晶の成長によりつまりかけた温度測定用の穴を観察した図である。
In the sublimation method, when sublimation is started, the sublimated gas leaks to the outside of the growth vessel, and passes through a hole for temperature measurement of a heat insulating material disposed outside the growth vessel.
The temperature between the heat insulating material and the growth vessel is the same as that of the growth vessel, but the temperature near the hole for measuring the temperature of the heat insulating material is low, so that the sublimated gas is deposited when passing through the hole. To do. The deposited material is mainly SiC crystals, but once it is deposited on the surface, it continues to grow and becomes polycrystallized as shown in FIG. 3, and the temperature measurement hole is closed as shown in FIG. It becomes. For this reason, temperature measurement becomes difficult, and accurate temperature data cannot be sent to the temperature controller. As a result, the temperature inside the growth vessel cannot be controlled, which affects the quality of the crystal to be grown and the productivity.
FIG. 3 is a view for explaining the growth of polycrystals on the inner wall of the hole for temperature measurement of the SiC growth apparatus. FIG. 4 is a view observing a hole for temperature measurement which is applied by growing a polycrystal.
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであって、昇華法によるＳｉＣの結晶成長において、温度測定用の穴に昇華した物質が析出することを抑制して、精度の良い温度測定が長時間可能なＳｉＣ成長装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above problems, and in the crystal growth of SiC by the sublimation method, it is possible to suppress the precipitation of the sublimated substance in the hole for temperature measurement, and to perform accurate temperature measurement. An object of the present invention is to provide a SiC growth apparatus that can be used for a long time.
上記目的を達成するために、本発明は、種基板及びＳｉＣ原料を収容する成長容器と、該成長容器を囲う断熱材と、該断熱材に設けた温度測定用の穴を通して、前記成長容器内の温度を測定する温度測定器と、前記ＳｉＣ原料を加熱するヒーターとを備え、昇華法により、前記ＳｉＣ原料を加熱して昇華させ、前記種基板上にＳｉＣを結晶成長させるＳｉＣ成長装置であって、前記温度測定用の穴の内周は、前記断熱材の他の部分よりもかさ密度が高く、かつ、研磨された内壁部が形成されたものであることを特徴とするＳｉＣ成長装置を提供する。 In order to achieve the above object, the present invention provides a growth vessel containing a seed substrate and a SiC raw material, a heat insulating material surrounding the growth vessel, and a temperature measurement hole provided in the heat insulating material. A SiC growth apparatus that includes a temperature measuring device that measures the temperature of the SiC and a heater that heats the SiC raw material, heats the SiC raw material by a sublimation method, and sublimates SiC to grow SiC on the seed substrate. The SiC growth apparatus characterized in that the inner circumference of the hole for temperature measurement has a bulk density higher than that of the other part of the heat insulating material and a polished inner wall part is formed. provide.
このように、断熱材の他の部分よりもかさ密度が高く、かつ、研磨された内壁部であれば、その表面に昇華した物質が析出しにくいため、長時間の成長でも温度測定用の穴がふさがることを防止できる。また、断熱材のその他の部分は、通常の材質を用いることができるため、コストアップも少ない。従って、長時間の成長でも精度良く温度測定を行うことができるため成長容器内の温度を良好に制御でき、高品質のＳｉＣ結晶を生産性良く成長させることができる装置となる。 In this way, if the bulk density is higher than the other parts of the heat insulating material and the polished inner wall part, the sublimated substance is unlikely to be deposited on the surface. Can be blocked. Moreover, since the other part of a heat insulating material can use a normal material, there is also little cost increase. Therefore, since the temperature can be accurately measured even during long-time growth, the temperature in the growth vessel can be controlled well, and a high-quality SiC crystal can be grown with high productivity.
このとき、前記内壁部のかさ密度は、０．１〜２．０ｇ／ｃｍ３であることが好ましい。
このようなかさ密度であれば、内壁部への昇華した物質の析出をより効果的に抑制することができる装置となる。
At this time, the bulk density of the inner wall portion is preferably 0.1 to 2.0 g / cm 3 .
If it is such a bulk density, it becomes an apparatus which can suppress precipitation of the sublimated substance to an inner wall part more effectively.
このとき、前記内壁部の表面粗さＲａは、５μｍ未満であることが好ましい。
このような表面粗さであれば、表面が十分に平滑であるため昇華した物質の析出をより効果的に抑制することができる装置となる。
At this time, the surface roughness Ra of the inner wall portion is preferably less than 5 μm.
With such a surface roughness, since the surface is sufficiently smooth, the apparatus can more effectively suppress the precipitation of sublimated substances.
このとき、前記温度測定用の穴の断面形状は、丸又は多角形であることが好ましい。
このような断面形状であれば、温度測定用の穴及び内壁部の形成が容易な装置となる。
At this time, the cross-sectional shape of the temperature measurement hole is preferably a circle or a polygon.
With such a cross-sectional shape, a device for easily forming a hole for temperature measurement and an inner wall portion is obtained.
このとき、前記内壁部の材質は、グラファイトとすることができる。
このような材質であれば、高温下でも長時間使用でき、表面の平滑化も容易であるため、温度測定用の穴の閉塞を確実に防止できる装置となる。
At this time, the material of the inner wall portion may be graphite.
Such a material can be used for a long time even at a high temperature, and the surface can be easily smoothed. Therefore, the device can reliably prevent the temperature measurement hole from being blocked.
また、前記内壁部は、前記断熱材の温度測定用の穴の内周にペースト状のカーボンをコートし、表面を研磨して形成されたものとすることができる。
内壁部がこのように形成されたものであれば、形成が容易で、昇華した物質がより析出しにくい表面となり、温度測定用の穴の閉塞を確実に防止できる装置となる。
Further, the inner wall portion may be formed by coating paste-like carbon on the inner periphery of the temperature measurement hole of the heat insulating material and polishing the surface.
If the inner wall portion is formed in this way, the surface is easy to form and the sublimated substance is more difficult to precipitate, and the device can reliably prevent the temperature measurement hole from being blocked.
また、前記内壁部は、前記断熱材の温度測定用の穴の内周にペースト状のカーボンを含浸させて固体化させた後、表面を研磨して形成されたものとすることができる。
内壁部がこのように形成されたものであれば、形成が容易で、昇華した物質がより析出しにくい表面となり、温度測定用の穴の閉塞を確実に防止できる装置となる。
Further, the inner wall portion may be formed by impregnating paste-like carbon into the inner periphery of the temperature measurement hole of the heat insulating material and solidifying it, and then polishing the surface.
If the inner wall portion is formed in this way, the surface is easy to form and the sublimated substance is more difficult to precipitate, and the device can reliably prevent the temperature measurement hole from being blocked.
このとき、前記温度測定用の穴は、前記断熱材に２つ設けられたものであることが好ましい。
このような温度測定用の穴が２つ設けられたものであれば、成長容器内の温度をより正確に検出することができ、この場合も、本発明の内壁部であれば穴が閉塞することがないため、より精度の良い温度制御が可能な装置となる。
At this time, it is preferable that two holes for temperature measurement are provided in the heat insulating material.
If two such holes for temperature measurement are provided, the temperature in the growth vessel can be detected more accurately, and in this case as well, the hole is blocked if it is the inner wall portion of the present invention. Therefore, it becomes an apparatus capable of temperature control with higher accuracy.
以上のように、本発明によれば、長時間の成長でも精度良く温度測定を行うことができるため成長容器内の温度を良好に制御でき、高品質のＳｉＣ結晶を生産性良く成長させることができる装置となる。 As described above, according to the present invention, the temperature in the growth vessel can be controlled well because the temperature can be accurately measured even during long-time growth, and a high-quality SiC crystal can be grown with high productivity. It becomes a device that can.
以下、本発明について、実施態様の一例として、図を参照しながら詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
図１は、本発明のＳｉＣ成長装置の一例を示す概略断面図である。
Hereinafter, the present invention will be described in detail as an example of an embodiment with reference to the drawings, but the present invention is not limited thereto.
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing an example of the SiC growth apparatus of the present invention.
図１に示す本発明のＳｉＣ成長装置１０は、種基板１５及びＳｉＣ原料１８を収容する成長容器１４と、該成長容器１４を囲う断熱材１１と、該断熱材１１に設けた温度測定用の穴２１を通して、成長容器１４内の温度を測定する温度測定器１３と、ＳｉＣ原料１８を加熱するヒーター１７とを備えている。
成長容器１４は、種基板１５を配置する成長室２０と、ＳｉＣ原料１８を配置する昇華室１９とからなり、例えば耐熱性のあるグラファイトで形成される。また、結晶成長の際には、不図示の石英管又はチャンバー内に成長容器１４をセットして、真空排気しながらＡｒ等の不活性ガスを供給することにより、不活性ガス雰囲気の減圧下で結晶成長を行う。
An
The
ヒータ１７は、ＲＨ（抵抗加熱）又はＲＦ（高周波）加熱を行うものを用いることができる。また、温度測定器１３としては、パイロメーターを用いることで、成長容器１４の外部から、断熱材１１の温度測定用の穴２１を通して、非接触で温度測定を精度良く行うことができる。
As the
そして、本発明の装置１０では、温度測定用の穴２１の内周は、断熱材１１の他の部分よりもかさ密度が高く、かつ、研磨された内壁部１２が形成されたものである。
断熱材１１は、炭素繊維の成形材等で作製され、成長容器等よりも密度が低く、かつ、表面が粗い。また、温度測定用の穴の付近は、断熱材の内側よりも温度が低くなっている。このため、従来では、成長容器から漏れ出たＳｉＣ原料の昇華した物質やガスが、温度測定用の穴の内壁表面に微小な結晶として析出しやすく、それを種として多結晶が結晶成長して、最後には穴をふさいでしまっていた。これに対する対策として、温度測定用の穴を大きく設けるという方法もあるが、当該穴から漏れ出る熱が大きくなり、温度制御が不安定になったり、より大きな電力が必要となる。本発明では、温度測定用の穴２１の内周に、断熱材１１の他の部分よりもかさ密度が高く、研磨された内壁部１２が形成されているため、穴２１の内壁の表面に昇華した物質等が析出することを効果的に抑制でき、長時間の結晶成長でも穴２１がふさがることがない。このため、温度測定用の穴２１を最低限の大きさにできるため、熱の漏れは低減される。以上より、本発明であれば、成長容器の温度を安定して正確に測定でき、精度の良い温度制御が可能な装置となる。
And in the
The heat insulating material 11 is made of a carbon fiber molding material or the like, has a density lower than that of the growth vessel or the like, and has a rough surface. Further, the temperature in the vicinity of the hole for temperature measurement is lower than that inside the heat insulating material. For this reason, conventionally, the sublimated substance or gas of the SiC raw material leaking from the growth vessel is likely to be precipitated as a fine crystal on the inner wall surface of the temperature measurement hole, and the polycrystalline is grown as a seed. Finally, the hole was blocked. As a countermeasure against this, there is a method of providing a large hole for temperature measurement, but heat leaking from the hole becomes large, temperature control becomes unstable, and a larger electric power is required. In the present invention, the inner wall portion 12 having a higher bulk density and polished than the other portions of the heat insulating material 11 is formed on the inner circumference of the
このような内壁部１２の材質は、耐熱性が高く、表面の平滑化が容易であるグラファイトとすることできる。例えば、断熱材１１の他の部分よりかさ密度の高い密度のグラファイト部材を断熱材１１に設けた穴２１にはめ込んで固定し、表面を研磨する等により内壁部１２を形成できる。この際、グラファイト部材に予め穴を開けておいても、はめ込んで固定した後に穴を開けてもよい。
上記のような内壁部１２であれば、かさ密度を高く形成することが容易で、平滑化も効率的にできる。また、上記のように断熱材１２とは別体としてはめ込み式の内壁部１２とすれば、交換が容易で、たとえ内壁部１２が劣化しても断熱材１１は繰り返し使用可能であるため、低コストの装置にできる。
The material of the inner wall portion 12 can be made of graphite having high heat resistance and easy surface smoothing. For example, the inner wall portion 12 can be formed by fitting a graphite member having a higher bulk density than other portions of the heat insulating material 11 into the
If it is the above inner wall part 12, it is easy to form a bulk density high and smoothing can also be performed efficiently. Further, as described above, if the inner wall portion 12 of the fitting type is separate from the heat insulating material 12, the replacement is easy, and the heat insulating material 11 can be used repeatedly even if the inner wall portion 12 deteriorates. Can be a cost device.
また、内壁部１２は、断熱材１１の温度測定用の穴２１の内周にペースト状のカーボンをコートし、表面を研磨して形成することもでき、または、穴２１の内周にペースト状のカーボンを含浸させて固体化させた後、表面を研磨して形成することもできる。いずれの場合にも、ペースト状のカーボンを固体化する際には、熱処理等を施すことができ、固体化後には所望の穴形状になるように表面を加工してもよい。
このような方法でも、かさ密度が高く、十分に平滑な内壁部１２とすることが容易にできる。
また、いずれの場合にも、研磨の際には、温度測定用の穴２１の周囲の表面（穴２１の内壁に直交する面）も研磨して鏡面にすれば、穴２１の閉塞防止をより確実に達成できるため好ましい。
The inner wall portion 12 can also be formed by coating the inner periphery of the
Even with such a method, it is possible to easily obtain a sufficiently smooth inner wall portion 12 having a high bulk density.
In any case, if the surface around the
このような内壁部１２のかさ密度としては、０．１〜２．０ｇ／ｃｍ３とすることが好ましい。
このような範囲のかさ密度であれば、多結晶の形成を十分に防止することができ、上記のような方法で容易に形成できる。
The bulk density of the inner wall portion 12 is preferably 0.1 to 2.0 g / cm 3 .
When the bulk density is in such a range, the formation of polycrystals can be sufficiently prevented, and can be easily formed by the method described above.
また、内壁部１２の表面粗さＲａは、５μｍ未満が好ましく、特に、３μｍ以下、さらに１μｍ以下であることがより好ましい。
内壁部１２を治具等によって研磨して鏡面にし、上記のような表面粗さとすることで、表面への結晶の析出を確実に抑制することができる。
Further, the surface roughness Ra of the inner wall portion 12 is preferably less than 5 μm, particularly preferably 3 μm or less, and more preferably 1 μm or less.
By polishing the inner wall portion 12 with a jig or the like to give a mirror surface and having the above surface roughness, it is possible to reliably suppress the precipitation of crystals on the surface.
温度測定用の穴２１の断面形状としても、特に限定されないが、丸、又は、三角形を含む多角形であれば、穴２１を通して温度測定を良好にでき、さらに、研磨等が施しやすく、内壁部１２の形成も容易である。
The cross-sectional shape of the
また、このような温度測定用の穴２１は、図１のように種基板１５が配置される側のみに形成してもよいが、穴２１を２つ設けるのが好ましく、反対側のＳｉＣ原料１８側にも設けて上下両側から温度測定してもよい。この場合、一方にのみ内壁部１２を形成しても良いが、２つの温度測定用の穴２１に本発明のような内壁部１２を形成するのが好ましい。
上下両側から温度測定することで、昇華室１９と成長室２０の温度をそれぞれ正確に求めることができるため、より効率的な結晶成長を行うことができる装置となる。なお、穴２１を設ける位置としては上記に限られない。
Further, such a
By measuring the temperature from both the upper and lower sides, the temperatures of the
このような本発明のＳｉＣ成長装置を用いて、図２に示すフローで昇華法によるＳｉＣ結晶成長を行うことができる。図２は、昇華法によるＳｉＣ結晶成長を行う際のフロー図である。 Using such a SiC growth apparatus of the present invention, it is possible to perform SiC crystal growth by the sublimation method according to the flow shown in FIG. FIG. 2 is a flowchart for performing SiC crystal growth by the sublimation method.
まず、ＳｉＣ原料１８としてＳｉＣの粉末原材料を成長容器１４の昇華室１９に収容し（図２（ａ））、ＳｉＣ単結晶の種基板１５を成長室２０に配置し（図２（ｂ））、成長容器１４の蓋を閉じる（図２（ｃ））。
そして、成長容器１４を炉内にセットし、Ａｒ雰囲気にして、高真空状態にする（図２（ｄ））。その後、ヒーター１７で加熱して２０００℃以上の温度にまで昇温して、温度測定用の穴２１を通して温度測定器１３により成長容器１４内の温度を測定し、該測定結果を基にヒーター１７の出力を制御して温度を調節しながらＳｉＣ原料を昇華させ（図２（ｅ））、種基板１５上にＳｉＣ結晶１６を成長させる（図２（ｆ））。当該結晶成長時には、成長室２０内の温度が昇華室１９内の温度より低くなるように温度制御する。
First, a SiC powder raw material as a SiC
Then, the
この際、本発明の装置であれば、長時間の結晶成長を行っても、温度測定用の穴がふさがることがないため、連続して正確な温度測定を行うことができる。従って、精度の良い温度制御を行いながら結晶性の良いＳｉＣを生産性良く成長させることができる装置となる。 At this time, if the apparatus of the present invention is used, the temperature measurement hole will not be blocked even if the crystal growth is performed for a long time, so that accurate temperature measurement can be performed continuously. Therefore, an apparatus capable of growing SiC with good crystallinity with high productivity while performing temperature control with high accuracy.
以下、実施例及び比較例を示して本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
（実施例）
図１に示すようなＳｉＣ成長装置を用いて、昇華法によりＳｉＣ結晶成長を２００時間行った。
用いた装置の温度測定用の穴は、カーボンコート材の断熱材に穴を形成した後、穴の内壁を密度の高いカーボンでコートして他の部分よりもかさ密度を高くし、その表面を研磨して鏡面に仕上げた。
この結果、２００時間通して、正確な温度測定を行うことができた。結晶成長後、温度測定用の穴の表面の汚れは確認できたが、穴全体が析出物で閉塞するほどの堆積は起きなかった。
EXAMPLES Hereinafter, although an Example and a comparative example are shown and this invention is demonstrated more concretely, this invention is not limited to these.
(Example)
Using an SiC growth apparatus as shown in FIG. 1, SiC crystal growth was performed for 200 hours by the sublimation method.
The hole for measuring the temperature of the equipment used was to form a hole in the heat insulating material of the carbon coating material, and then coat the inner wall of the hole with high density carbon to make the bulk density higher than other parts, and the surface Polished to a mirror finish.
As a result, it was possible to perform accurate temperature measurement over 200 hours. After the crystal growth, contamination of the surface of the hole for temperature measurement could be confirmed, but deposition so as to block the entire hole with the precipitate did not occur.
（比較例）
実施例と同様の装置を用いて、ただし、温度測定用の穴は断熱材に穴を形成したのみで、カーボンコート、研磨を行わないで形成した。その後、実施例と同様に、昇華法により、ＳｉＣ結晶成長を行った。
この結果、多結晶の成長により短時間で温度測定用の穴が閉塞し、２００時間行う前に結晶成長を停止した。同様の成長を複数回行った場合、２０％の割合で成長中に温度測定用の穴が閉塞し、２００時間の成長を行うことができなかった。
(Comparative example)
The same apparatus as in the example was used, except that the hole for temperature measurement was formed by merely forming a hole in the heat insulating material, without performing carbon coating and polishing. Thereafter, similarly to the example, SiC crystal growth was performed by a sublimation method.
As a result, the hole for temperature measurement was closed in a short time due to the growth of the polycrystal, and the crystal growth was stopped before performing for 200 hours. When the same growth was performed a plurality of times, the hole for temperature measurement was blocked during the growth at a rate of 20%, and the growth for 200 hours could not be performed.
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。 The present invention is not limited to the above embodiment. The above-described embodiment is an exemplification, and the present invention has substantially the same configuration as the technical idea described in the claims of the present invention, and any device that exhibits the same function and effect is the present invention. It is included in the technical scope of the invention.
１０…ＳｉＣ成長装置、 １１…断熱材、 １２…内壁部、 １３…温度測定器、
１４…成長容器、 １５…種基板、 １６…ＳｉＣ結晶、 １７…ヒーター、
１８…ＳｉＣ原料、 １９…昇華室、 ２０…成長室、 ２１…温度測定用の穴。
DESCRIPTION OF
14 ... Growth vessel, 15 ... Seed substrate, 16 ... SiC crystal, 17 ... Heater,
18 ... SiC raw material, 19 ... Sublimation chamber, 20 ... Growth chamber, 21 ... Hole for temperature measurement.
Claims (8)
The SiC growth apparatus according to any one of claims 1 to 7, wherein two holes for temperature measurement are provided in the heat insulating material.
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