JP2012195606A - 露光装置、デバイス製造方法、及びクリーニング方法 - Google Patents
露光装置、デバイス製造方法、及びクリーニング方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012195606A JP2012195606A JP2012134164A JP2012134164A JP2012195606A JP 2012195606 A JP2012195606 A JP 2012195606A JP 2012134164 A JP2012134164 A JP 2012134164A JP 2012134164 A JP2012134164 A JP 2012134164A JP 2012195606 A JP2012195606 A JP 2012195606A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid
- substrate
- exposure apparatus
- exposure
- recovery port
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 81
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 36
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 13
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 338
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 229
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 151
- 238000011084 recovery Methods 0.000 claims description 126
- 238000007654 immersion Methods 0.000 claims description 80
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 76
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 52
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical compound O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- OEYIOHPDSNJKLS-UHFFFAOYSA-N choline Chemical compound C[N+](C)(C)CCO OEYIOHPDSNJKLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229960001231 choline Drugs 0.000 claims description 4
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 claims description 3
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 claims description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 3
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229930188620 butyrolactone Natural products 0.000 claims 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims 2
- QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N hydrogen peroxide;hydrate Chemical compound O.OO QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 abstract description 13
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 3
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 description 12
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 10
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 5
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 5
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 3
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 2
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 2
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 241000218645 Cedrus Species 0.000 description 1
- NMKSBNZBSLHAKW-UHFFFAOYSA-N Cl.ClO Chemical compound Cl.ClO NMKSBNZBSLHAKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000018 DNA microarray Methods 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- CMBZEFASPGWDEN-UHFFFAOYSA-N argon;hydrate Chemical compound O.[Ar] CMBZEFASPGWDEN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- 239000010436 fluorite Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 230000005499 meniscus Effects 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 239000005871 repellent Substances 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 230000002195 synergetic effect Effects 0.000 description 1
- -1 thinners Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
【課題】汚染に起因する性能の劣化を抑制できる露光装置を提供する。
【解決手段】露光装置は、第1液体を介して露光光で基板を露光する。露光装置は、基板の露光時に、第1液体の少なくとも一部を回収する第1回収口と、第1液体と接触した所定部材のクリーニング時に、所定部材と接触するように供給された第2液体を回収する第2回収口とを備え、クリーニング時に、第1回収口の回収動作を停止した状態で、第2回収口の回収動作を実行する。
【選択図】図1
【解決手段】露光装置は、第1液体を介して露光光で基板を露光する。露光装置は、基板の露光時に、第1液体の少なくとも一部を回収する第1回収口と、第1液体と接触した所定部材のクリーニング時に、所定部材と接触するように供給された第2液体を回収する第2回収口とを備え、クリーニング時に、第1回収口の回収動作を停止した状態で、第2回収口の回収動作を実行する。
【選択図】図1
Description
本発明は、基板を露光する露光装置、デバイス製造方法、及び露光装置のクリーニング方法に関する。
フォトリソグラフィ工程で用いられる露光装置において、下記特許文献に開示されているような、露光光の光路空間を液体で満たすように液浸空間を形成し、その液体を介して基板を露光する液浸露光装置が知られている。
液浸露光装置において、液体と接触する部材が汚染する可能性があり、その部材が汚染された状態を放置しておくと、汚染が拡大し、露光装置の性能が劣化し、基板を良好に露光できなくなる可能性がある。
本発明は、汚染に起因する性能の劣化を抑制できる露光装置、及びその露光装置を用いるデバイス製造方法を提供することを目的とする。また本発明は、露光装置を良好にクリーニングできるクリーニング方法を提供することを目的とする。
本発明の第1の態様に従えば、第1液体を介して露光光で基板を露光する露光装置であって、基板の露光時に、第1液体の少なくとも一部を回収する第1回収口と、第1液体と接触した所定部材のクリーニング時に、所定部材と接触するように供給された第2液体を回収する第2回収口と、を備え、クリーニング時に、第1回収口の回収動作を停止した状態で、第2回収口の回収動作を実行する露光装置が提供される。
本発明の第2の態様に従えば、上記態様の露光装置を用いて基板を露光することと、露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法が提供される。
本発明の第3の態様に従えば、第1液体を介して露光光で基板を露光する露光装置のクリーニング方法であって、基板の露光時に、第1液体の少なくとも一部を第1回収口より回収することと、第1液体と接触した所定部材のクリーニング時に、所定部材と接触するように第2液体を供給することと、クリーニング時に、第1回収口の液体回収動作を停止した状態で、第1回収口とは異なる第2回収口より第2液体の少なくとも一部を回収することと、を含むクリーニング方法が提供される。
本発明によれば、汚染に起因する露光装置の性能の劣化を抑制でき、基板を良好に露光できる。
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されない。なお、以下の説明においては、XYZ直交座標系を設定し、このXYZ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。水平面内の所定方向をX軸方向、水平面内においてX軸方向と直交する方向をY軸方向、X軸方向及びY軸方向のそれぞれに直交する方向(すなわち鉛直方向)をZ軸方向とする。また、X軸、Y軸、及びZ軸まわりの回転(傾斜)方向をそれぞれ、θX、θY、及びθZ方向とする。
<第1実施形態>
第1実施形態について説明する。図1は、第1実施形態に係る露光装置EXを示す概略構成図である。本実施形態においては、露光装置EXが、例えば米国特許第6,897,963号公報、欧州特許出願公開第1,713,113号公報等に開示されているような、基板Pを保持して移動可能な基板ステージ2と、基板Pを保持せずに、露光に関する所定の計測を実行可能な計測器を搭載して移動可能な計測ステージ3とを備えた露光装置である場合を例にして説明する。
第1実施形態について説明する。図1は、第1実施形態に係る露光装置EXを示す概略構成図である。本実施形態においては、露光装置EXが、例えば米国特許第6,897,963号公報、欧州特許出願公開第1,713,113号公報等に開示されているような、基板Pを保持して移動可能な基板ステージ2と、基板Pを保持せずに、露光に関する所定の計測を実行可能な計測器を搭載して移動可能な計測ステージ3とを備えた露光装置である場合を例にして説明する。
図1において、露光装置EXは、マスクMを保持して移動可能なマスクステージ1と、基板Pを保持して移動可能な基板ステージ2と、基板Pを保持せずに、露光に関する所定の計測を実行可能な計測器を搭載し、基板ステージ2とは独立して移動可能な計測ステージ3と、マスクステージ1を移動する第1駆動システム4と、基板ステージ2及び計測ステージ3を移動する第2駆動システム5と、各ステージの位置情報を計測するレーザ干渉計6A、6Bを含む干渉計システム6と、マスクMを露光光ELで照明する照明系ILと、露光光ELで照明されたマスクMのパターンの像を基板Pに投影する投影光学系PLと、露光装置EX全体の動作を制御する制御装置7とを備えている。
なお、ここでいう基板Pは、デバイスを製造するための露光用基板であって、シリコンウエハのような半導体ウエハ等の基材に感光材(フォトレジスト)等の膜を形成したものを含む。マスクMは、基板Pに投影されるデバイスパターンが形成されたレチクルを含む。本実施形態においては、マスクとして透過型のマスクを用いるが、反射型のマスクを用いることもできる。
本実施形態の露光装置EXは、露光用液体LQを介して露光光ELで基板Pを露光する液浸露光装置であって、露光光ELの光路空間の少なくとも一部が露光用液体LQで満たされるように、露光用液体LQで第1液浸空間LS1を形成する。本実施形態においては、投影光学系PLの複数の光学素子のうち、投影光学系PLの像面に最も近い終端光学素子11と、その終端光学素子11と対向する物体との間の露光光ELの光路空間が露光用液体LQで満たされるように第1液浸空間LS1が形成される。終端光学素子11は、投影光学系PLの像面に向けて露光光ELを射出する下面(射出面)11Aを有し、第1液浸空間LS1は、終端光学素子11の下面11Aと、その終端光学素子11の下面11Aと対向する物体との間の露光光ELの光路空間を露光用液体LQで満たすように形成される。露光装置EXは、露光用液体LQを介して基板Pに露光光ELを照射して、その基板Pを露光する。
本実施形態の露光装置EXは、第1液浸空間LS1を形成可能なノズル部材8を備えている。ノズル部材8は、終端光学素子11の近傍に配置されている。ノズル部材8は、終端光学素子11の下面11Aと対向する位置に配置される物体と対向可能な下面8Aを有する。本実施形態においては、終端光学素子11及びノズル部材8と、その終端光学素子11及びノズル部材8と対向する位置に配置される物体との間に保持される露光用液体LQによって第1液浸空間LS1が形成される。
終端光学素子11及びノズル部材8と対向可能な物体は、終端光学素子11の下面11Aと対向する位置を含む所定領域内で移動可能な物体を含む。すなわち、終端光学素子11及びノズル部材8と対向可能な物体は、終端光学素子11の射出側(投影光学系PLの像面側)で移動可能な物体を含む。本実施形態においては、終端光学素子11の射出側で移動可能な物体は、基板ステージ2、基板ステージ2に保持された基板P、及び計測ステージ3の少なくとも1つを含む。
また、本実施形態においては、所定のタイミングで、終端光学素子11及びノズル部材8と、その終端光学素子11及びノズル部材8と対向する物体との間に、クリーニング用液体LCで第2液浸空間LS2が形成される。クリーニング用液体LCで第2液浸空間LS2を形成することによって、その第2液浸空間LS2のクリーニング用液体LCと接触する部材の表面をクリーニングすることができる。
本実施形態においては、上述の物体の表面の一部の領域(局所的な領域)が液体で覆われるように液浸空間が形成され、その物体の表面とノズル部材8の下面8Aとの間に液体の界面(メニスカス、エッジ)が形成される。基板Pの露光時には、投影光学系PLの投影領域ARを含む基板P上の一部の領域が露光用液体LQで覆われるように第1液浸空間LS1が形成される。すなわち、本実施形態の液浸露光装置EXは、局所液浸方式を採用する。
なお、上述した、露光光ELの光路空間は、露光光ELが通過する光路を含む空間である。液浸空間は、液体で満たされた空間である。また、以下の説明においては、露光用液体LQを適宜、第1液体LQ、と称し、クリーニング用液体LCを適宜、第2液体LC、と称する。
照明系ILは、マスクM上の所定の照明領域を均一な照度分布の露光光ELで照明する。照明系ILから射出される露光光ELとしては、例えば水銀ランプから射出される輝線(g線、h線、i線)及びKrFエキシマレーザ光(波長248nm)等の遠紫外光(DUV光)、ArFエキシマレーザ光(波長193nm)及びF2レーザ光(波長157nm)等の真空紫外光(VUV光)などが用いられる。本実施形態においては、露光光ELとして、ArFエキシマレーザ光が用いられる。
マスクステージ1は、マスクMを保持した状態で、第1駆動システム4により、X軸、Y軸、及びθZ方向の3つの方向に移動可能である。第1駆動システム4は、例えばリニアモータ等のアクチュエータを含む。マスクステージ1(マスクM)の位置情報は、干渉計システム6のレーザ干渉計6Aによって計測される。レーザ干渉計6Aは、マスクステージ1に設けられた計測ミラー1Fを用いて、マスクステージ1のX軸、Y軸、及びθZ方向に関する位置情報を計測する。制御装置7は、干渉計システム6の計測結果に基づいて、第1駆動システム4を用いて、マスクステージ1(マスクM)の位置制御を行う。
投影光学系PLは、マスクMのパターンの像を所定の投影倍率で基板Pに投影する。投影光学系PLの光学素子は、鏡筒PKで保持されている。本実施形態の投影光学系PLは、その投影倍率が例えば1/4、1/5、1/8等の縮小系である。なお、投影光学系PLは等倍系及び拡大系のいずれでもよい。本実施形態においては、投影光学系PLの光軸AXはZ軸方向と平行である。また、投影光学系PLは、反射光学素子を含まない屈折系、屈折光学素子を含まない反射系、反射光学素子と屈折光学素子とを含む反射屈折系のいずれであってもよい。また、投影光学系PLは、倒立像と正立像とのいずれを形成してもよい。
基板ステージ2は、ステージ本体21と、ステージ本体21上に搭載された基板テーブル22とを有する。基板テーブル22は、基板Pを着脱可能に保持する保持部23を有する。保持部23は、基板Pの表面とXY平面とがほぼ平行となるように、基板Pを保持する。基板テーブル22は、第1凹部22Rを有し、保持部23は、第1凹部22Rに配置されている。第1凹部22Rの周囲には、基板テーブル22の上面24が配置される。基板テーブル22の上面24は、保持部23に保持された基板Pの表面の周囲に配置される。上面24は、ほぼ平坦であり、保持部23に保持された基板Pの表面とほぼ同一平面内(XY平面内)に配置される。すなわち、基板テーブル22の上面24と、保持部23に保持された基板Pの表面とは、ほぼ面一である。保持部23に保持された基板Pの表面、及び基板テーブル22の上面24は、終端光学素子11の下面11A及びノズル部材8の下面8Aと対向可能である。
計測ステージ3は、ステージ本体31と、ステージ本体31上に搭載された計測テーブル32とを有する。計測テーブル32には、計測器の少なくとも一部が搭載されている。計測器は、基準マークが形成された基準部材、各種の光電センサを含む。計測テーブル32の上面34は、ほぼ平坦であり、XY平面とほぼ平行である。計測テーブル32の上面34は、終端光学素子11の下面11A及びノズル部材8の下面8Aと対向可能である。
第2駆動システム5は、基板ステージ2及び計測ステージ3のそれぞれを移動可能である。第2駆動システム5は、ベース部材BP上で各ステージ本体21、31を移動する粗動システム13と、各ステージ本体21、31上で各テーブル22、32を移動する微動システム14とを備えている。
粗動システム13は、リニアモータ等のアクチュエータを含み、ベース部材BP上の各ステージ本体21、31を、X軸、Y軸、及びθZ方向に移動可能である。粗動システム13によって各ステージ本体21、31がX軸、Y軸、及びθZ方向に移動することによって、その各ステージ本体21、31上に搭載されている各テーブル22、32も、各ステージ本体21、31と一緒に、X軸、Y軸、及びθZ方向に移動する。
微動システム14は、各ステージ本体21、31と各テーブル22、32との間に介在された、例えばボイスコイルモータ等のアクチュエータ14Vと、各アクチュエータ14Vの駆動量を計測する不図示の計測装置(エンコーダなど)とを含み、各ステージ本体21、31上の各テーブル22、32を、少なくともZ軸、θX、及びθY方向に移動可能である。また、微動システム14は、各ステージ本体21、31上の各テーブル22、32を、X軸、Y軸、及びθZ方向に移動(微動)可能である。
粗動システム13及び微動システム14を含む第2駆動システム5によって、基板テーブル22は、保持部23に基板Pを保持した状態で、X軸、Y軸、Z軸、θX、θY、及びθZ方向の6つの方向に移動可能である。同様に、第2駆動システム5によって、計測テーブル32は、計測器を搭載した状態で、X軸、Y軸、Z軸、θX、θY、及びθZ方向の6つの方向に移動可能である。
基板テーブル22(基板P)の位置情報、及び計測テーブル32の位置情報は、干渉計システム6のレーザ干渉計6Bによって計測される。レーザ干渉計6Bは、各テーブル22、32それぞれの計測ミラー22F、32Fを用いて、各テーブル22、32のX軸、Y軸、及びθZ方向に関する位置情報を計測する。また、基板テーブル22の保持部23に保持されている基板Pの表面の面位置情報(Z軸、θX、及びθY方向に関する位置情報)、及び計測テーブル32の上面の所定領域の面位置情報は、フォーカス・レベリング検出システム(不図示)によって検出される。制御装置7は、干渉計システム6のレーザ干渉計6Bの計測結果及びフォーカス・レベリング検出システムの検出結果に基づいて、第2駆動システム5を用いて、基板テーブル22(基板P)の位置制御、及び計測テーブル32の位置制御を行う。
図2は、基板テーブル22及びノズル部材8の近傍を示す側断面図、図3は、ノズル部材8を下側(−Z側)から見た図である。図2及び図3において、ノズル部材8は、終端光学素子11の近傍に配置されている。ノズル部材8は、環状の部材であって、終端光学素子11(露光光ELの光路空間)の周囲に配置されている。例えば基板P上に第1液浸空間LS1を形成する場合、終端光学素子11の下面11A及びノズル部材8の下面8Aと基板Pの表面との間に第1液体LQが保持される。
ノズル部材8は、第1液体LQを供給可能な供給口81と、第1液体LQを回収可能な第1回収口82とを有する。第1回収口82は、ノズル部材8の下面8Aの一部に配置されている。第1回収口82には、プレート状の多孔部材(メッシュ部材)82Mが配置されている。ノズル部材8の下面8Aは、多孔部材82Mの下面を含む。なお、第1課異種口82に配置される多孔部材82Mは、プレート状のメッシュ部材に限られず、複数の孔(pore)が形成された焼結金属、発泡金属などを用いることもできる。第1回収口82は、露光光ELの光路空間の周囲に配置されている。また、終端光学素子11の下面11Aと対向するノズル部材8の一部に開口8Kが形成されている。終端光学素子11の下面11Aから射出された露光光ELは、開口8Kを通過し、基板Pに照射される。
また、ノズル部材8は、第1回収口82と異なる第2回収口182を有する。第2回収口182は、ノズル部材8の下面8Aの一部に配置されている。第2回収口182は、露光光ELの光路空間に対して、第1回収口82の外側に配置されている。第2回収口182は、露光光ELの光路空間の周囲に配置されている。
本実施形態において、ノズル部材8の下面8Aは、開口8Kの周囲に配置された平坦面8Rを含み、第1回収口82は、平坦面8Rの周囲に配置されている。第2回収口182は、第1回収口82の周囲に配置されている。なお、本実施形態においては、XY平面内における平坦面8Rの外形は、矩形状である。また、開口8Kは、X軸方向に長い矩形状(スリット状)である。
図2に示すように、露光装置EXは、第1液体LQを発生する第1液体供給装置86と、第2液体LCを発生する第2液体供給装置96と、液体を回収可能な第1液体回収装置89と、液体を回収可能な第2液体回収装置189とを備えている。第1液体供給装置86、第2液体供給装置96、第1液体回収装置89、及び第2液体回収装置189は、制御装置7に制御される。
第1液体供給装置86と供給口81とは、ノズル部材8の内部に形成された供給流路84、及び供給管85を介して接続されている。第2液体供給装置96は、流路切替機構160を介して、供給管85と接続されている。流路切替機構160は、制御装置7に制御される。第1液体回収装置89と第1回収口82とは、ノズル部材8の内部に形成された回収流路87、及び回収管88を介して接続されている。第2液体回収装置189と第2回収口182とは、ノズル部材8の内部に形成された回収流路187、及び回収管188を介して接続されている。
上述のように、第1液体LQは、露光用液体である。第1液体供給装置86は、清浄で温度調整された第1液体LQを、供給口81に向けて送出可能である。第2液体LCは、クリーニング用液体である。第2液体供給装置96は、第2液体LCを、供給口81に向けて送出可能である。第1液体回収装置89、及び第2液体回収装置189のそれぞれは、真空システムを含み、第1液体LQ及び第2液体LCを回収可能である。
本実施形態において、制御装置7は、流路切替機構160、第1液体供給装置86、及び第2液体供給装置96を制御して、第1液体供給装置86から送出された第1液体LQが供給口81へ供給されるとき、第2液体供給装置96から供給口81への第2液体LCの供給を停止することができる。また、制御装置7は、第2液体供給装置96から送出された第2液体LCが供給口81へ供給されるとき、第1液体供給装置86から供給口81への第1液体LQの供給を停止することができる。
例えば、第1液体LQで第1液浸空間LS1を形成するために、制御装置7は、第2液体供給装置96から供給口81への第2液体LCの供給を停止し、第1液体供給装置86から第1液体LQを送出する。第1液体供給装置86から送出された第1液体LQは、供給管85、及びノズル部材8の供給流路84を流れた後、供給口81に供給される。供給口81は、第1液体LQで第1液浸空間LS1を形成するために、第1液体供給装置86からの第1液体LQを供給する。
また、第2液体LCで第2液浸空間LS2を形成するために、制御装置7は、第1液体供給装置86から供給口81への第1液体LQの供給を停止し、第2液体供給装置96から第2液体LCを送出する。第2液体供給装置96から送出された第2液体LCは、供給管85、及びノズル部材8の供給流路84を流れた後、供給口81に供給される。供給口81は、第2液体LCで第2液浸空間LS2を形成するために、第2液体供給装置96からの第2液体LCを供給する。
このように、本実施形態においては、供給口81は、第1液体LQ及び第2液体LCのそれぞれを供給可能である。
本実施形態において、第1回収口82は、基板Pの露光時に、第1液体LQの少なくとも一部を回収する。第1液体回収装置89の作動によって、第1回収口82から回収された第1液体LQは、ノズル部材8の回収流路87を流れた後、回収管88を介して第1液体回収装置89に回収される。
制御装置7は、供給口81を用いる第1液体LQの供給動作と並行して、第1回収口82を用いる第1液体LQの回収動作を実行することによって、終端光学素子11及びノズル部材8と、基板ステージ2及び計測ステージ3の少なくとも一方との間に、第1液体LQで第1液浸空間LS1を形成可能である。ノズル部材8は、少なくとも基板Pの露光時に、終端光学素子11の射出側の露光光ELの光路空間が第1液体LQで満たされるように、第1液体LQで第1液浸空間LS1を形成する。第1液浸空間LS1を形成することによって、終端光学素子11、ノズル部材8、基板ステージ2、及び計測ステージ3の少なくとも1つは、第1液体LQと接触する。
また、本実施形態において、第2回収口182は、基板Pの露光時に、第1液体LQを回収可能である。第2回収口182は、基板Pの露光時に、例えば第1回収口82で回収しきれなかった第1液体LQを回収する。第2液体回収装置189の作動によって、第2回収口182から回収された第1液体LQは、ノズル部材8の回収流路187を流れた後、回収管188を介して第2液体回収装置189に回収される。これにより、第1液浸空間LS1から第1液体LQが漏出したり、基板P上に第1液体LQが残留したりすることを抑制することができる。
また、本実施形態において、第2回収口182は、第1液体LQと接触した物体のクリーニング時に、その物体と接触するように供給された第2液体LCを回収する。第2液体回収装置189の作動によって、第2回収口182から回収された第2液体LCは、ノズル部材8の回収流路187を流れた後、回収管188を介して第2液体回収装置189に回収される。
制御装置7は、供給口81を用いる第2液体LCの供給動作と並行して、第2回収口182を用いる第2液体LCの回収動作を実行することによって、ノズル部材8及び終端光学素子11と、基板ステージ2及び計測ステージ3の少なくとも一方との間に、第2液体LCで第2液浸空間LS2を形成可能である。ノズル部材8は、少なくとも第1液体LQと接触した物体のクリーニング時に、第2液体LCで第2液浸空間LS2を形成する。第2液浸空間LS2を形成することによって、終端光学素子11、ノズル部材8、基板ステージ2、及び計測ステージ3の少なくとも1つは、第2液体LCと接触する。
本実施形態においては、第1液体LQとして、水(純水)を用いる。
また、本実施形態においては、第2液体LCとして、第1液体LQと異なるものを用いる。本実施形態においては、第2液体LCとして、水素ガスを水に溶解させた水素水(水素溶解水)を用いる。
なお、第2液体LCとして、オゾンガスを水に溶解させたオゾン水(オゾン溶解水)、窒素ガスを水に溶解させた窒素水(窒素溶解水)、アルゴンガスを水に溶解させたアルゴン水(アルゴン溶解水)、二酸化炭素ガスを水に溶解させた二酸化炭素水(二酸化炭素溶解水)等、所定のガスを水に溶解させた溶解ガス制御水を用いてもよい。また、大気圧下の溶解度以上にガスを溶解させたガス過飽和水でもよい。また、第2液体LCとして、過酸化水素を水に添加した過酸化水素水、塩酸(次亜塩素酸)を水に添加した塩素添加水、アンモニアを水に添加したアンモニア水、コリンを溶解させたコリン水、及び硫酸を水に添加した硫酸添加水等、所定の薬液を水に添加した薬液添加水を用いてもよい。また、第2液体LCとして、エタノール、及びメタノール等のアルコール類、エーテル類、ガンマブチロラクトン、シンナー類、界面活性剤、HFE等のフッ素系溶剤を用いてもよい。
基板テーブル22の上面24は、第1液体LQ及び第2液体LCに対して撥液性を有する。第1液体LQ及び第2液体LCに対する基板テーブル22の上面24の接触角は、90度以上である。本実施形態においては、基板テーブル22の上面24は、例えばフッ素系樹脂(PTFE、PFAなど)等、撥液性を有する材料の膜で形成されている。
同様に、計測テーブル32の上面34は、第1液体LQ及び第2液体LCに対して撥液性を有する。第1液体LQ及び第2液体LCに対する計測テーブル32の上面34の接触角は、90度以上である。本実施形態においては、計測テーブル32の上面34は、例えばフッ素系樹脂(PTFE、PFAなど)等、撥液性を有する材料の膜で形成されている。なお、基板テーブル22、計測テーブル32で使用される撥液性の膜は、それぞれ同じ材料(物質)で構成されていてもよいし、異なる材料(物質)で構成されていてもよい。
次に、上述の構成を有する露光装置EXを用いて基板Pを露光する方法について説明する。
例えば、制御装置7は、第2駆動システム5を用いて、終端光学素子11及びノズル部材8と対向する位置に計測テーブル32を配置し、終端光学素子11及びノズル部材8と計測テーブル32との間に、第1液体LQで第1液浸空間LS1を形成する。そして、制御装置7は、第1液浸空間LS1の第1液体LQを介して、計測テーブル32に配置された各種計測器による計測を実行する。そして、制御装置7は、その計測器の計測結果に基づいて、例えば投影光学系PLの結像特性等、基板Pを露光するときの露光条件を調整し、基板Pの露光動作を開始する。基板Pを露光するときには、制御装置7は、第2駆動システム5を用いて、終端光学素子11及びノズル部材8と対向する位置に、基板Pを保持した基板ステージ2を配置し、終端光学素子11及びノズル部材8と基板テーブル22(基板P)との間に、第1液浸空間LS1を形成する。
本実施形態においては、例えば欧州特許出願公開第1,713,113号公報、米国特許公開第2006/0023186号公報等に開示されているように、制御装置7は、基板テーブル22及び計測テーブル32の少なくとも一方が終端光学素子11及びノズル部材8との間で第1液体LQ1を保持可能な空間を形成し続けるように、基板テーブル22の上面24と計測テーブル32の上面34とを接近又は接触させた状態で、基板テーブル22の上面24及び計測テーブル32の上面34の少なくとも一方と終端光学素子11の下面11A及びノズル部材8の下面8Aとを対向させつつ、終端光学素子11及びノズル部材8に対して、基板テーブル22と計測テーブル32とをXY方向に同期移動させる。これにより、制御装置7は、第1液体LQの漏出を抑制しつつ、基板テーブル22の上面24と計測テーブル32の上面34との間で第1液体LQの第1液浸空間LS1を移動可能である。なお、基板テーブル22の上面24と計測テーブル32の上面34との間で第1液体LQ1の第1液浸空間LS1を移動するときに、基板テーブル22の上面24と計測テーブル32の上面34とはほぼ同じ高さ(面一)となるように調整される。
そして、制御装置7は、第1液浸空間LS1の第1液体LQを介して、マスクMからの露光光ELを基板Pに照射する。これにより、マスクMのパターンの像が基板Pに投影され、基板Pが露光される。
制御装置7は、基板Pの露光が終了した後、第1液浸空間LS1を計測テーブル32上に移動する。そして、制御装置7は、露光が終了した基板Pを保持した基板テーブル22を、所定の基板交換位置に移動し、露光が終了した基板Pを基板テーブル22から搬出(アンロード)するとともに、露光すべき基板Pを基板テーブル22に搬入(ロード)する。また、基板交換位置における基板交換中、制御装置7は、必要に応じて、計測テーブル32を用いた計測動作を第1液浸空間LS1の第1液体LQを介して実行する。基板テーブル22に対する基板Pの搬入が終了した後、上述同様、制御装置7は、第1液浸空間LS1を基板テーブル22(基板P)上に移動し、第1液浸空間LS1の第1液体LQを介して基板Pを露光する。そして、制御装置7は、上述の動作を繰り返して、複数の基板Pを順次露光する。
基板Pを露光するとき、第1液浸空間LS1の第1液体LQは、基板Pの表面、終端光学素子11の下面11A、ノズル部材8の下面8Aのそれぞれに接触する。また、第1液浸空間LS1の第1液体LQは、基板テーブル22の上面24、及び計測テーブル32の上面34のそれぞれにも接触する。
基板Pと接触した第1液体LQに、例えば基板Pの一部の物質(例えば感光材の一部)が溶出(混入)する可能性がある。その液体LQが、終端光学素子11の下面11A、ノズル部材8の下面8A、基板テーブル22の上面24、計測テーブル32の上面34等に接触すると、基板Pから溶出した物質によって、下面11A、8A、上面24、34等が汚染される可能性がある。また、基板Pから溶出した物質に限られず、例えば、露光装置EXが置かれている空間中を浮遊する物質(異物)によっても、下面11A、8A、上面24、34等が汚染される可能性がある。
そこで、本実施形態においては、第2液体LCを用いて、終端光学素子11、ノズル部材8、基板テーブル22、及び計測テーブル32の少なくとも1つをクリーニングする。本実施形態においては、終端光学素子11及びノズル部材8と、基板テーブル22及び計測テーブル32の少なくとも一方との間に第2液体LCで第2液浸空間LS2を形成し、その形成された第2液浸空間LS2の第2液体LCによって、終端光学素子11、ノズル部材8、基板テーブル22、及び計測テーブル32の少なくとも1つをクリーニングする。
次に、第2液体LCの第2液浸空間LS2を用いて露光装置EXの少なくとも一部をクリーニングする動作の一例について説明する。以下の説明では、第2液体LCを用いて、第1液体LQと接触した終端光学素子11、ノズル部材8、及び基板テーブル22をクリーニングする場合を例にして説明する。
図4に示すように、終端光学素子11及びノズル部材8と対向する位置に基板テーブル22が配置される。制御装置7は、第1液体LQの供給を停止した状態で、供給口81より第2液体LCを供給する。終端光学素子11及びノズル部材8は、基板テーブル22との間に、第2液体LCで第2液浸空間LS2を形成する。第2液体LCは、終端光学素子11、ノズル部材8、及び基板テーブル22のそれぞれと接触するように供給される。
第2液体LCは、第1液体LQと接触した面、あるいは接触した可能性のある面(例えば下面11A、下面8A、上面24)と接触するように供給される。これにより、第1液体LQと接触した面あるいは接触した可能性のある面は、第2液体LCによってクリーニングされる。
本実施形態においては、クリーニング時に、第2回収口182が、第2液体LCを回収する。制御装置7は、クリーニング時に、第1回収口82の回収動作を停止した状態で、第2回収口182の回収動作を実行する。すなわち、本実施形態においては、終端光学素子11、ノズル部材8、及び基板テーブル22のクリーニング時に、制御装置7は、第1回収口82の回収動作を停止した状態で、供給口81を用いる第2液体LCの供給動作と並行して、第2回収口182を用いる第2液体LCの回収動作を実行する。なお、図4においては、クリーニング時に動作が停止されている第1液体供給装置86、第1液体回収装置89等の図示が省略してある。
また、図4に示すように、本実施形態においては、第2液体LCを用いたクリーニング動作において、基板テーブル22の保持部23には、ダミー基板DPが保持される。ダミー基板DPは、露光用の基板Pとは別の、異物を放出しにくい高い清浄度を有する(クリーンな)部材である。ダミー基板DPは、露光用の基板Pとほぼ同じ外形を有し、保持部23に保持可能である。本実施形態においては、保持部23は、ピンチャック機構を有し、基板P及びダミー基板DPのそれぞれを着脱可能に保持する。ダミー基板DPの表面は、第2液体LCに対して撥液性を有している。なお、保持部23でダミー基板DPを保持せずに、保持部23を露出させた状態で、クリーニング用液体LCを用いたクリーニング動作を実行することもできる。
以上説明したように、本実施形態によれば、終端光学素子11、ノズル部材8、基板テーブル22等、第1液体LQと接触した部材を良好にクリーニングすることができる。したがって、終端光学素子11、ノズル部材8、基板テーブル22等の汚染に起因する露光装置EXの性能の劣化を抑制できる。
本実施形態においては、露光時に主に使用される第1回収口82とは異なる第2回収口182で、クリーニング時の液体が回収される。これにより、第1回収口82(例えば多孔部材82Mの下面)を良好にクリーニングできる。例えば、終端光学素子11、ノズル部材8、及び基板テーブル22を第2液体LCでクリーニングすることによって、その第2液体LCが汚染される可能性がある。例えば、クリーニングによって、終端光学素子11、ノズル部材8、基板テーブル22等に付着していた異物が除去され、第2液体LCに混入する可能性がある。第2液体LCを第1回収口82から回収した場合、第1回収口82が汚染される可能性がある。第1回収口82が汚染された状態で基板Pを液浸露光すると、例えば第1液体LQに異物が混入し、パターン欠陥等、露光不良が発生する可能性がある。
本実施形態においては、クリーニング時に、第1回収口82の回収動作を停止するので、第1回収口82の汚染を抑制することができる。したがって、基板Pを良好に露光することができる。
また、本実施形態においては、第2回収口182は、露光光ELの光路空間に対して第1回収口82の外側に配置されており、制御装置7は、第1回収口82の回収動作を停止した状態で、供給口81を用いる第2液体LCの供給動作と並行して、第2回収口182を用いる第2液体LCの回収動作を実行する。これにより、図4に示すように、ノズル部材8の下面8Aのほぼ全域に第2液体LCを接触させることができる。したがって、ノズル部材8の下面8Aのほぼ全域を第2液体LCでクリーニングすることができる。
<第2実施形態>
次に、第2実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
次に、第2実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
図5は、第2実施形態を示す図である。本実施形態の特徴的な部分は、クリーニング時に、第1回収口82より液体(第1液体LQ、第2液体LCの少なくとも一方を含む)を送出する点にある。
図5において、回収管88には、流路切替機構161を介して第3液体供給装置162が接続されている。本実施形態において、制御装置7は、クリーニング時に、流路切替機構161、及び第3液体供給装置162を制御して、第1回収口82より液体を、第1回収口82に対向する物体(例えばダミー基板DP)上に送出する。第3液体供給装置162からの液体の流れによって、第1回収口82の汚染をより一層抑制することができる。
<第3実施形態>
次に、第3実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
次に、第3実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
図6は、第3実施形態を示す図である。本実施形態の特徴的な部分は、クリーニング時に、第2液体LCに振動を与える点にある。
図6に示すように、本実施形態の露光装置EXは、基板テーブル22に搭載された振動部材150と、振動部材150を振動させる振動発生装置10とを備えている。振動発生装置10は、振動部材150を振動させることによって、振動部材150上に形成される液浸空間の液体に振動を与える。
振動発生装置10は、振動部材150に接続されている。本実施形態においては、振動発生装置10は、振動部材150の下面152に接続されている。振動発生装置10は、基板テーブル22に形成されている第2凹部150Rの内側に配置されており、その第2凹部150Rの内側において、振動部材150の下面152に接続されている。
振動発生装置10は、超音波発生装置を含み、振動部材150に超音波を与える。本実施形態において、振動発生装置10は、圧電素子を含む。振動発生装置10は、制御装置7によって制御される。制御装置7は、振動発生装置10を用いて、振動部材150を振動させる。以下の説明において、振動発生装置10を適宜、超音波発生装置10、と称する。
制御装置7は、クリーニング時に、第2液体LCで第2液浸空間LS2を形成した状態で、超音波発生装置10で振動部材150を振動させる。超音波発生装置10は、振動部材150を振動させることによって、その振動部材150上に形成されている第2液浸空間LS2の第2液体LC2に超音波(振動)を与える。本実施形態においては、超音波発生装置10は、20kHz〜5000kHzの振動を振動部材150に与えることができる。超音波発生装置10は、終端光学素子11及びノズル部材8と振動部材150及び基板テーブル22との間に形成された第2液浸空間LS2の第2液体LCに超音波(振動)を与えることによって、終端光学素子11、ノズル部材8、基板テーブル22等に付着している異物(汚染物)を剥離させ、終端光学素子11、ノズル部材8、及び基板テーブル22の少なくとも1つをクリーニングする。
本実施形態においては、第2液浸空間LS2の第2液体LCに超音波を与える超音波発生装置10を設けたので、クリーニング効果を高めることができる。本実施形態においては、クリーニングに適した第2液体LC(水素水)と超音波との相乗効果によって、終端光学素子11、ノズル部材8、及び基板テーブル22のそれぞれを良好にクリーニングすることができる。
本実施形態においては、第2液浸空間LS2の第2液体LCに超音波を与えるために、基板テーブル22に搭載可能な、小型の振動部材150を振動させている。これにより、振動部材150を高い周波数(振動数)で円滑に振動させることができ、第2液浸空間LS2の第2液体LCに高い周波数の超音波を円滑に与えることができる。第2液浸空間LS2の第2液体LCに与える超音波の周波数が高いほうが、より良好なクリーニング効果が得られる場合には、基板テーブル22に搭載された振動部材150を、例えば1MHz以上の高い周波数(振動数)で振動させることが有効である。なお、第2液体LCに与える振動は超音波でなくてもよく、20kHz未満の周波数で第2液体LCを振動させてもよい。
また、本実施形態においては、振動部材150の上面151と基板テーブル22の上面24とはほぼ面一なので、第2液浸空間LS2を良好に形成することができる。
また、振動部材150と基板テーブル22とは所定のギャップGを介して配置されているので、振動部材150は円滑に振動可能である。また、振動部材150と基板テーブル22とは、所定のギャップGを介して配置されているので、振動部材150の振動が基板テーブル22に悪影響を与えない。また、振動部材150(上面151)と基板テーブル22(上面24)との間のギャップGは微小(約0.1mm)であり、かつ振動部材150の上面151及び基板テーブル22の上面24は、第1液体LQ、及び第2液体LCに対して撥液性を有しているので、上面151、24に第1液体LQ及び第2液体LCが残留したり、振動部材150(上面151)と基板テーブル22の(上面24)との間のギャップGから基板テーブル22の内部に液体が浸入したりすることを抑制することができる。
なお、振動部材150と基板テーブル22との間に、基板テーブル22の内部へ液体が浸入することを抑制するシール部材を配置することができる。例えば、Oリング等、弾性(可撓性)を有するシール部材を配置することによって、振動部材150の振動を妨げることなく、基板テーブル22の内部への液体の浸入を抑制することができる。
また、振動部材150と基板テーブル22との間の液体を回収する回収口を設けることができる。例えば、第2凹部150Rの内側に、振動部材150を囲むように回収口を設けることによって、振動部材150と基板テーブル22との間に浸入した液体を良好に回収することができる。
なお、本実施形態においては、振動部材150が基板テーブル22に1つだけ搭載されている場合を例にして説明したが、基板テーブル22の複数の位置のそれぞれに搭載されていてもよい。
<第4実施形態>
次に、第4実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
次に、第4実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
図7は、第4実施形態を示す図である。第3実施形態と異なる第4実施形態の特徴的な部分は、第2駆動システム5(微動システム14)を用いて、第2液体LCに振動を与える点にある。
図7において、制御装置7は、終端光学素子11及びノズル部材8と基板テーブル22との間に第2液体LCで第2液浸空間LS2を形成した状態で、第2駆動システム5(微動システム14)を用いて、基板テーブル22を振動させる。制御装置7は、第2駆動システム5を用いて基板テーブル22を振動させることによって、基板テーブル22上に形成されている第2液浸空間LS2の第2液体LCに振動(超音波)を与えることができる。
なお、上述の第3及び第4本実施形態において、ノズル部材8を振動させて、第2液浸空間LS2の液体に超音波(振動)を与えるようにしてもよい。
なお、上述の第3及び第4実施形態においては、終端光学素子11及びノズル部材8のクリーニングを促進するために、液体に20kHz以上の振動(超音波)を与えるようにしているが、液体に20kHz未満の振動を与えるようにしてもよい。
なお、上述の第1〜第4実施形態においては、終端光学素子11及びノズル部材8と基板テーブル22との間に第2液体LCで第2液浸空間LS2を形成する場合を例にして説明したが、終端光学素子11及びノズル部材8と計測テーブル32との間に第2液体LCで第2液浸空間LS2を形成することができる。これにより、第2液浸空間LS2の第2液体LCを用いて、終端光学素子11、ノズル部材8、及び計測テーブル32をクリーニングすることができる。
また、上述の第3実施形態で説明したような振動発生装置(超音波発生装置)及び振動部材を、計測テーブル32に搭載し、その振動部材を用いて、終端光学素子11及びノズル部材8と計測テーブル32との間に形成された第2液浸空間LS2の第2液体LCに振動(超音波)を与えることができる。また、計測テーブル32を動かす微動システム14(第2駆動システム5)を用いて、終端光学素子11及びノズル部材8と計測テーブル32との間に形成された第2液浸空間LS2の第2液体LCに振動(超音波)を与えることができる。
なお、上述の第1〜第4実施形態においては、ノズル部材8に形成された供給口81が第2液体LCと第1液体LQとの両方を供給可能である場合を例にして説明したが、ノズル部材8に、第2液体LCを供給する供給口と、第1液体LQを供給する供給口との両方を形成してもよい。
なお、上述の第1〜第4実施形態において、第1液体LQで第2液浸空間を形成して、終端光学素子11、ノズル部材8、基板テーブル22、計測テーブル32をクリーニングしてもよい。例えば、使用される第1液体LQがクリーニング能力を有するもの(例えばフッ素系液体)であったり、あるいは発生した汚染が第1液体LQで良好に除去可能(クリーニング可能)である場合には、第1液体LQで良好にクリーニングできる。
なお、上述の各実施形態において、ノズル部材8と基板テーブル22(又は計測テーブル32)との間に第2液浸空間LS2を形成するために、第1液体LQと、第1液体LQと異なる第2液体LCとを時系列的に使用してもよい。例えば第1液体LQが水(純水)であり、第2液体LCが所定の気体を水に溶解させた溶解ガス制御水(水素水、窒素水等)である場合には、第2液体LCを用いたクリーニング動作後、第1液体LQを用いたクリーニング動作を実行することができる。クリーニング動作終了後に第1液体LQに置換する処理の時間を短くすることができる。
なお、上述の各実施形態において、終端光学素子11及びノズル部材8に対するクリーニング動作は、例えば所定枚数の基板Pを露光する毎に、あるいはロット毎に、あるいは所定時間間隔毎に実行することができる。
また、終端光学素子11及びノズル部材8の少なくとも一方の汚染状態を検出可能な検出装置を設け、その検出装置の検出結果に基づいて、終端光学素子11及びノズル部材8の少なくとも一方が汚染されていると判断したときに、クリーニング動作を実行するようにしてもよい。例えば、計測テーブル32に光量検出器を配置し、終端光学素子11の下面11Aから射出される露光光ELの光量を、計測テーブル32に配置されている光量検出器で検出し、その検出結果に基づいて、クリーニング動作を実行するかどうかを判断することができる。終端光学素子11の下面11Aが汚染されている状態と汚染されていない状態とでは、光量検出器に照射される露光光ELの光量が変化する可能性が高い。したがって、光量検出器の検出結果に基づいて、終端光学素子11の下面11Aの汚染状態を求めることができる。
また、終端光学素子11の下面11A、ノズル部材8の下面8A等の画像(光学像)情報を取得可能な撮像装置(カメラ)を設け、その撮像装置の撮像結果に基づいて、終端光学素子11の下面11A、ノズル部材8の下面8A等が汚染されているかどうかを判断し、その判断の結果に基づいて、クリーニング動作を実行するかどうかを判断するようにしてもよい。
同様に、基板テーブル22及び計測テーブル32の汚染状態を検出可能な検出装置を設け、その検出結果に基づいて、クリーニング動作を実行するかどうかを判断するようにしてもよい。例えば、基板テーブル22の上面24及び計測テーブル32の上面34の画像(光学像)を取得可能な撮像装置(カメラ)を用いて、基板テーブル22の上面24及び計測テーブル32の上面34の汚染状態を検出することができる。
また、マスクM及び投影光学系PLを介した露光光ELで基板Pを露光し、現像処理を行った後、その基板P上に形成されたパターンの形状を所定の計測装置で計測し、その計測結果に基づいて、クリーニング動作を実行するかどうかを判断するようにしてもよい。例えば、パターンの形状の計測結果に基づいて、パターンの欠陥が許容範囲でないと判断した場合、例えば終端光学素子11の下面11Aの汚染状態も許容範囲でないと判断し、クリーニング動作を実行する。
なお、上述の各実施形態で説明したクリーニング動作、クリーニング機構を適宜組み合わせて使用できることは言うまでもない。
なお、上述の各実施形態の露光用液体LQは水であるが、水以外の液体であってもよい、例えば、露光光ELの光源がF2レーザである場合、このF2レーザ光は水を透過しないので、液体LQとしてはF2レーザ光を透過可能な例えば、過フッ化ポリエーテル(PFPE)やフッ素系オイル等のフッ素系流体であってもよい。また、液体LQとしては、その他にも、露光光ELに対する透過性があってできるだけ屈折率が高く、投影光学系PLや基板P表面に塗布されているフォトレジストに対して安定なもの(例えばセダー油)を用いることも可能である。また、液体LQとしては、屈折率が1.6〜1.8程度のものを使用してもよい。更に、石英及び蛍石よりも屈折率が高い(例えば1.6以上)材料で、液体LQと接触する投影光学系PLの光学素子(最終光学素子FLなど)を形成してもよい。液体LQとして、種々の流体、例えば、超臨界流体を用いることも可能である。
なお、上述の各実施形態においては、投影光学系の終端光学素子の射出側(像面側)の光路空間を液体で満たしているが、国際公開第2004/019128号パンフレットに開示されているように、終端光学素子の光入射側(物体面側)の光路空間も液体で満たす投影光学系を採用することもできる。
なお、上述の各実施形態においては、投影光学系PLと基板Pとの間に局所的に液体を満たす露光装置を採用しているが、米国特許第5,825,043号などに開示されているような、露光対象の基板の表面全体が液体中に浸かっている状態で露光を行う液浸露光装置を採用可能である。
なお、上述の各実施形態の基板Pとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版(合成石英、シリコンウエハ)等が適用される。
露光装置EXとしては、マスクMと基板Pとを同期移動してマスクMのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置(スキャニングステッパ)の他に、マスクMと基板Pとを静止した状態でマスクMのパターンを一括露光し、基板Pを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置(ステッパ)を採用することができる。
さらに、露光装置EXとして、ステップ・アンド・リピート方式の露光において、第1パターンと基板Pとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第1パターンの縮小像を基板P上に転写した後、第2パターンと基板Pとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第2パターンの縮小像を第1パターンと部分的に重ねて基板P上に一括露光するスティッチ方式の一括露光装置を採用してもよい。また、スティッチ方式の露光装置としては、基板P上で少なくとも2つのパターンを部分的に重ねて転写し、基板Pを順次移動させるステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置を採用することもできる。
また、露光装置EXとして、例えば米国特許第6,611,316号に開示されているように、2つのマスクのパターンを、投影光学系を介して基板上で合成し、1回の走査露光によって基板上の1つのショット領域をほぼ同時に二重露光する露光装置などを採用することができる。また、露光装置EXとして、プロキシミティ方式の露光装置、ミラープロジェクション・アライナーなどを採用することができる。
また、露光装置EXとして、米国特許6,341,007号、米国特許6,400,441号、米国特許6,549,269号、及び米国特許6,590,634号、米国特許6,208,407号、米国特許6,262,796号等に開示されているような複数の基板ステージを備えたツインステージ型の露光装置を採用することもできる。また、複数の基板ステージと計測ステージとを備えた露光装置を採用することができる。
露光装置EXの種類としては、基板Pに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置、薄膜磁気ヘッド、撮像素子(CCD)、マイクロマシン、MEMS、DNAチップ、あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。
なお、上述の各実施形態においては、レーザ干渉計を含む干渉計システムを用いてマスクステージ、基板ステージ、及び計測ステージの各位置情報を計測するものとしたが、これに限らず、例えば各ステージに設けられるスケール(回折格子)を検出するエンコーダシステムを用いてもよい。この場合、干渉計システムとエンコーダシステムとの両方を備えるハイブリッドシステムとし、干渉計システムの計測結果を用いてエンコーダシステムの計測結果の較正(キャリブレーション)を行うことが好ましい。また、干渉計システムとエンコーダシステムとを切り換えて用いる、あるいはその両方を用いて、ステージの位置制御を行うようにしてもよい。
また、上述の各実施形態では、露光光ELとしてArFエキシマレーザ光を発生する光源装置として、ArFエキシマレーザを用いてもよいが、例えば、米国特許7,023,610号に開示されているように、DFB半導体レーザ又はファイバーレーザなどの固体レーザ光源、ファイバーアンプなどを有する光増幅部、及び波長変換部などを含み、波長193nmのパルス光を出力する高調波発生装置を用いてもよい。さらに、上記実施形態では、前述の各照明領域と、投影領域がそれぞれ矩形状であるものとしたが、他の形状、例えば円弧状などでもよい。
なお、上述の実施形態においては、光透過性の基板上に所定の遮光パターン(又は位相パターン・減光パターン)を形成した光透過型マスクを用いたが、このマスクに代えて、例えば米国特許第6,778,257号公報に開示されているように、露光すべきパターンの電子データに基づいて透過パターン又は反射パターン、あるいは発光パターンを形成する可変成形マスク(電子マスク、アクティブマスク、あるいはイメージジェネレータとも呼ばれる)を用いてもよい。可変成形マスクは、例えば非発光型画像表示素子(空間光変調器)の一種であるDMD(Digital Micro-mirror Device)等を含む。また、可変成形マスクとしては、DMDに限られるものでなく、DMDに代えて、以下に説明する非発光型画像表示素子を用いても良い。ここで、非発光型画像表示素子は、所定方向へ進行する光の振幅(強度)、位相あるいは偏光の状態を空間的に変調する素子であり、透過型空間光変調器としては、透過型液晶表示素子(LCD:Liquid Crystal Display)以外に、エレクトロクロミックディスプレイ(ECD)等が例として挙げられる。また、反射型空間光変調器としては、上述のDMDの他に、反射ミラーアレイ、反射型液晶表示素子、電気泳動ディスプレイ(EPD:Electro Phonetic Display)、電子ペーパー(または電子インク)、光回折型ライトバルブ(Grating Light Valve)等が例として挙げられる。
また、非発光型画像表示素子を備える可変成形マスクに代えて、自発光型画像表示素子を含むパターン形成装置を備えるようにしても良い。この場合、照明光学系は不要となる。ここで自発光型画像表示素子としては、例えば、CRT(Cathode Ray Tube)、無機ELディスプレイ、有機ELディスプレイ(OLED:Organic Light Emitting Diode)、LEDディスプレイ、LDディスプレイ、電界放出ディスプレイ(FED:Field Emission Display)、プラズマディスプレイ(PDP:Plasma Display Panel)等が挙げられる。また、パターン形成装置が備える自発光型画像表示素子として、複数の発光点を有する固体光源チップ、チップを複数個アレイ状に配列した固体光源チップアレイ、または複数の発光点を1枚の基板に作り込んだタイプのもの等を用い、該固体光源チップを電気的に制御してパターンを形成しても良い。なお、固体光源素子は、無機、有機を問わない。
上述の各実施形態においては、投影光学系PLを備えた露光装置を例に挙げて説明してきたが、投影光学系PLを用いない露光装置及び露光方法に採用することができる。このように投影光学系PLを用いない場合であっても、露光光はレンズ等の光学部材を介して基板に照射され、そのような光学部材と基板との間の所定空間に液浸空間が形成される。
また、露光装置EXとして、例えば国際公開第2001/035168号パンフレットに開示されているように、干渉縞を基板P上に形成することによって、基板P上にライン・アンド・スペースパターンを露光する露光装置(リソグラフィシステム)を採用することができる。
本願実施形態の露光装置EXは、本願請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図8に示すように、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップ201、この設計ステップに基づいたマスク(レチクル)を製作するステップ202、デバイスの基材である基板を製造するステップ203、前述した実施形態に従って、マスクからの露光光で基板を露光すること、及び露光した基板を現像することを含む基板処理ステップ204、デバイス組み立てステップ(ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む)205、検査ステップ206等を経て製造される。上述の各実施形態で説明した露光装置EXにおけるクリーニング方法は、基板処理ステップ204に含まれ、そのクリーニング方法でクリーニングされた露光装置EXを用いて、基板Pを露光することが行われる。
なお、上述のように本発明の実施形態を説明したが、本発明は上述した全ての構成要素を適宜組み合わせて用いることが可能であり、また、一部の構成要素を用いない場合もある。
なお、上述の各実施形態及び変形例で引用した露光装置等に関する全ての公開公報及び米国特許の開示を援用して本文の記載の一部とする。
2…基板ステージ、3…計測ステージ、5…第2駆動システム、8…ノズル部材、8A…下面、11…終端光学素子、11A…下面、22…基板テーブル、24…上面、32…計測テーブル、34…上面、81…供給口、82…第1回収口、150…振動部材、182…第2回収口、EL…露光光、EX…露光装置、LC…第2液体、LQ…第1液体、LS1…第1液浸空間、LS2…第2液浸空間、P…基板
Claims (40)
- 第1液体を介して露光光で基板を露光する露光装置であって、
前記基板の露光時に、前記第1液体の少なくとも一部を回収する第1回収口と、
前記第1液体と接触した所定部材のクリーニング時に、前記所定部材と接触するように供給された第2液体を回収する第2回収口と、を備え、
前記クリーニング時に、前記第1回収口の回収動作を停止した状態で、前記第2回収口の回収動作を実行する露光装置。 - 前記第2液体を供給する供給口を備える請求項1記載の露光装置。
- 前記供給口は、前記第1液体も供給する請求項2記載の露光装置。
- 前記第2回収口は、前記露光光の光路に対して前記第1回収口の外側に配置されている請求項1〜3のいずれか一項記載の露光装置。
- 前記第2回収口は、前記露光光の光路の周囲に配置されている請求項4記載の露光装置。
- 前記第2回収口は、前記基板の露光時に、前記第1液体を回収可能である請求項1〜5のいずれか一項記載の露光装置。
- 前記クリーニング時に、前記第1回収口より液体を出す請求項1〜6のいずれか一項記載の露光装置。
- 前記露光光を射出する射出面を有する光学素子と、
前記光学素子の射出面と対向する位置を含む所定領域内で移動可能な可動部材と、
前記基板の露光時に、前記光学素子の射出側の光路が前記第1液体で満たされるように液浸空間を形成可能な液浸部材とを備え、
前記所定部材は、前記光学素子、前記可動部材、及び前記液浸部材の少なくとも1つを含む1〜7のいずれか一項記載の露光装置。 - 前記可動部材は、前記基板を保持して移動可能な基板ステージ、及び前記基板を保持せずに、露光に関する計測を実行可能な計測器を搭載して移動可能な計測ステージの少なくとも一方を含む請求項8記載の露光装置。
- 前記クリーニング時に、前記第2液体に振動を与える振動発生装置をさらに備える請求項8又は9記載の露光装置。
- 前記振動発生装置は、前記可動部材の駆動機構を含む請求項10記載の露光装置。
- 前記振動発生装置は、前記可動部材に搭載されている請求項10記載の露光装置。
- 前記液浸部材は、前記第2液体で液浸空間を形成可能である請求項8〜12のいずれか一項記載の露光装置。
- 前記第2液体は、前記第1液体と異なるクリーニング用液体を含む請求項1〜13のいずれか一項記載の露光装置。
- 前記第2液体は、前記第1液体を含む請求項1〜13のいずれか一項記載の露光装置。
- 請求項1〜15のいずれか一項記載の露光装置を用いて基板を露光することと、
露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。 - 第1液体を介して露光光で基板を露光する露光装置のクリーニング方法であって、
前記基板の露光時に、前記第1液体の少なくとも一部を第1回収口より回収することと、
前記第1液体と接触した所定部材のクリーニング時に、前記所定部材と接触するように第2液体を供給することと、
前記クリーニング時に、前記第1回収口の液体回収動作を停止した状態で、前記第1回収口とは異なる第2回収口より前記第2液体の少なくとも一部を回収することと、を含むクリーニング方法。 - 第1液体を介して露光光で基板を露光する露光装置であって、
前記第1液体、およびクリーニング用の第2液体を供給可能な供給口と、
前記第1液体の少なくとも一部を回収するとともに、クリーニング用の第3液体を供給可能な第1回収口と、を備える露光装置。 - 前記第2液体は、前記第1液体と接触した所定部材と接触するように前記供給口を介して供給される請求項18に記載の露光装置。
- 前記第3液体は、前記第1液体と接触した所定部材と接触するように前記第1回収口を介して供給される請求項18または19に記載の露光装置。
- 前記第3液体は、前記第1液体と前記第2液体の少なくとも一方を含む請求項18〜20のいずれか一項に記載の露光装置。
- 前記第1回収口とは異なる第2回収口を有し、
前記供給口から供給された前記第2液体または前記第1回収口から供給された前記第3液体が、前記第2回収口を介して回収される請求項18〜21のいずれか一項に記載の露光装置。 - 前記第2回収口は、前記露光光の光路に対して前記第1回収口の外側に配置されている請求項22に記載の露光装置。
- 前記露光光を射出する射出面を有する光学素子と、
前記光学素子の射出面と対向する位置を含む所定領域内で移動可能な可動部材と、
前記光学素子の射出側の光路が前記第1液体で満たされるように液浸空間を形成可能な液浸部材とを備え、
前記所定部材は、前記光学素子、前記可動部材、及び前記液浸部材の少なくとも1つを含む19または20に記載の露光装置。 - 前記可動部材は、前記基板を保持して移動可能な基板ステージ、及び前記基板を保持せずに露光に関する計測を実行可能な計測器を搭載して移動可能な計測ステージの少なくとも一方を含む請求項24に記載の露光装置。
- 前記第2液体に振動を与える振動発生装置をさらに備える請求項18〜25のいずれか一項に記載の露光装置。
- 前記振動発生装置は、前記露光光を射出する射出面を有する光学素子の下を移動可能な可動部材に搭載されている請求項26に記載の露光装置。
- 前記液浸部材は、前記供給口、および前記第1回収口を有する請求項24または25に記載の露光装置。
- 前記供給口へ前記第1液体を供給する第1液体供給装置と、
前記供給口へ前記第2液体を供給する第2液体供給装置と、
前記第1回収口へ前記第3液体を供給する第3液体供給装置と、をさらに有する請求項18〜28のいずれか一項に記載の露光装置。 - 前記第2液体は、オゾン溶解水、窒素溶解水、アルゴン溶解水、二酸化炭素溶解水、過酸化水素水、塩素添加水、アンモニア水、コリン水、硫酸添加水、エタノール、メタノール、エーテル類、ガンマブチロラクトン、シンナー類、界面活性剤、フッ素系溶剤の少なくとも1つを含む請求項18〜29のいずれか一項に記載の露光装置。
- 供給口を介して第1液体を供給するとともに第1回収口を介して前記第1液体を回収し、前記供給された第1液体を介して露光光で基板を露光する露光装置に用いられるクリーニング方法であって、
クリーニング用の第2液体を前記供給口から供給することと、
クリーニング用の第3液体を前記第1回収口から供給することと、を含むクリーニング方法。 - 前記第2液体は、前記第1液体と接触した所定部材と接触するように前記供給口を介して供給される請求項31に記載のクリーニング方法。
- 前記第3液体は、前記第1液体と接触した所定部材と接触するように前記第1回収口を介して供給される請求項31または32に記載のクリーニング方法。
- 前記第3液体は、前記第1液体と前記第2液体の少なくとも一方を含む請求項31〜33のいずれか一項に記載のクリーニング方法。
- 前記供給口から供給された前記第2液体または前記第1回収口から供給された前記第3液体が、前記第1回収口とは異なる第2回収口を介して回収される請求項31〜34のいずれか一項に記載のクリーニング方法。
- 前記第2回収口は、前記露光光の光路に対して前記第1回収口の外側に配置されている請求項35に記載のクリーニング方法。
- 前記所定部材は、前記露光光を射出する射出面を有する光学素子、前記光学素子の射出面と対向する位置を含む所定領域内で移動可能な可動部材、及び前記光学素子の射出側の光路が前記第1液体で満たされるように液浸空間を形成可能な液浸部材の少なくとも1つを含む32または33に記載のクリーニング方法。
- 前記可動部材は、前記基板を保持して移動可能な基板ステージ、及び前記基板を保持せずに露光に関する計測を実行可能な計測器を搭載して移動可能な計測ステージの少なくとも一方を含む請求項37に記載のクリーニング方法。
- 前記第2液体に振動を与えることをさらに含む請求項31〜38のいずれか一項に記載のクリーニング方法。
- 前記第2液体は、オゾン溶解水、窒素溶解水、アルゴン溶解水、二酸化炭素溶解水、過酸化水素水、塩素添加水、アンモニア水、コリン水、硫酸添加水、エタノール、メタノール、エーテル類、ガンマブチロラクトン、シンナー類、界面活性剤、フッ素系溶剤の少なくとも1つを含む請求項31〜39のいずれか一項に記載のクリーニング方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012134164A JP2012195606A (ja) | 2012-06-13 | 2012-06-13 | 露光装置、デバイス製造方法、及びクリーニング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012134164A JP2012195606A (ja) | 2012-06-13 | 2012-06-13 | 露光装置、デバイス製造方法、及びクリーニング方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007173829A Division JP5018277B2 (ja) | 2007-07-02 | 2007-07-02 | 露光装置、デバイス製造方法、及びクリーニング方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012195606A true JP2012195606A (ja) | 2012-10-11 |
Family
ID=47087158
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012134164A Pending JP2012195606A (ja) | 2012-06-13 | 2012-06-13 | 露光装置、デバイス製造方法、及びクリーニング方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2012195606A (ja) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2005122218A1 (ja) * | 2004-06-09 | 2005-12-22 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2007123882A (ja) * | 2005-10-24 | 2007-05-17 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co Ltd | 液浸リソグラフィ装置及び方法 |
-
2012
- 2012-06-13 JP JP2012134164A patent/JP2012195606A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2005122218A1 (ja) * | 2004-06-09 | 2005-12-22 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2007019548A (ja) * | 2004-06-09 | 2007-01-25 | Nikon Corp | 露光装置及び露光方法、メンテナンス方法、デバイス製造方法 |
JP2007123882A (ja) * | 2005-10-24 | 2007-05-17 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co Ltd | 液浸リソグラフィ装置及び方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI508130B (zh) | An exposure apparatus, an element manufacturing method, a cleaning method, and a cleaning member | |
TWI610147B (zh) | 液浸構件、曝光裝置、曝光方法、以及元件製造方法 | |
US8189168B2 (en) | Exposure apparatus, device production method, cleaning apparatus, cleaning method, and exposure method | |
TWI569105B (zh) | A liquid recovery system, a liquid immersion exposure apparatus, a liquid immersion exposure method, and a device manufacturing method | |
JP5264504B2 (ja) | 洗浄用液体、洗浄方法、液体発生装置、露光装置、及びデバイス製造方法 | |
JP2008288589A (ja) | 露光装置、液浸システム、露光方法、及びデバイス製造方法 | |
JP5018249B2 (ja) | クリーニング装置、クリーニング方法、露光装置、及びデバイス製造方法 | |
JP2008160101A (ja) | 液浸露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 | |
TWI595323B (zh) | Stage apparatus, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method | |
JP2009016422A (ja) | クリーニング装置、露光装置、デバイス製造方法、及びクリーニング方法 | |
JP2009021498A (ja) | 露光装置、液浸システム、及びデバイス製造方法 | |
JP5018277B2 (ja) | 露光装置、デバイス製造方法、及びクリーニング方法 | |
JP5515742B2 (ja) | 露光装置、露光方法、クリーニング装置、及びデバイス製造方法 | |
JP2009267401A (ja) | 露光装置、クリーニング方法、及びデバイス製造方法 | |
JP2009260352A (ja) | 露光装置、クリーニング方法、及びデバイス製造方法 | |
JP2008300771A (ja) | 液浸露光装置、デバイス製造方法、及び露光条件の決定方法 | |
JP2012195606A (ja) | 露光装置、デバイス製造方法、及びクリーニング方法 | |
JP4992558B2 (ja) | 液浸露光装置、デバイス製造方法、及び評価方法 | |
JP2009060029A (ja) | クリーニング装置、クリーニング方法、露光装置及びデバイス製造方法 | |
JP2013510437A (ja) | 露光装置、露光方法、露光装置のメンテナンス方法、露光装置の調整方法、及びデバイス製造方法 | |
JP2010267808A (ja) | 露光装置、クリーニング方法、及びデバイス製造方法 | |
JP2012094794A (ja) | 洗浄方法、露光装置及びデバイスの製造方法 | |
JP2009044089A (ja) | 露光方法、デバイス製造方法、及びデバイス製造システム | |
JP2011029326A (ja) | 露光装置、メンテナンス方法、及びデバイス製造方法 | |
JP2009147235A (ja) | 露光方法、露光装置、デバイス製造方法、リソグラフィシステム及びメンテナンス方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130705 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130709 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20131105 |