JP2012191039A - Electronic circuit module and ceramic component calcined at low temperature - Google Patents
Electronic circuit module and ceramic component calcined at low temperature Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012191039A JP2012191039A JP2011054179A JP2011054179A JP2012191039A JP 2012191039 A JP2012191039 A JP 2012191039A JP 2011054179 A JP2011054179 A JP 2011054179A JP 2011054179 A JP2011054179 A JP 2011054179A JP 2012191039 A JP2012191039 A JP 2012191039A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- low
- module
- substrate
- fired ceramic
- temperature fired
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 114
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 169
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 24
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 24
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 15
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 15
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 15
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 5
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 2
- 238000004382 potting Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- XLJMAIOERFSOGZ-UHFFFAOYSA-M cyanate Chemical compound [O-]C#N XLJMAIOERFSOGZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 1
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 1
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000005549 size reduction Methods 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Combinations Of Printed Boards (AREA)
- Transceivers (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
Description
本発明は、電子回路モジュールおよび低温焼成セラミック部品に関する。 The present invention relates to an electronic circuit module and a low-temperature fired ceramic component.
携帯電話、無線LAN(Local Area Network)およびモバイルWiMAX(Worldwide Interoperability for Microwave Access)などの無線通信装置の利用の拡大に伴って、機器の小型化および低コスト化が強く求められている。 With the expansion of use of wireless communication devices such as mobile phones, wireless LAN (Local Area Network) and mobile WiMAX (Worldwide Interoperability for Microwave Access), miniaturization and cost reduction of devices are strongly demanded.
一般的に、無線通信機装置のアンテナ端には、送信受信切替えスイッチ、バンド選択のためのデュプレクサー、不要波除去のためのフィルター、受信信号を増幅するためのロウノイズアンプ、送信信号を増幅するためのパワーアンプ、さらに平衡信号を不平衡信号に変換するバランなどからなるフロントエンド部と呼ばれる回路が構成されている。 Generally, at the antenna end of a wireless communication device, a transmission / reception changeover switch, a duplexer for band selection, a filter for removing unnecessary waves, a low noise amplifier for amplifying a received signal, and amplifying a transmission signal In addition, a circuit called a front end unit is configured which includes a power amplifier for performing the above operation and a balun for converting a balanced signal into an unbalanced signal.
図18は、フロントエンド部の構成の一例を示す回路図である。図18に示すように、アンテナ端子(ANT)は、送受切替えスイッチ(SW)により送信側または受信側に切り替えられる。アンテナ端子が送信側と接続されているときは、バラン(BALUN)のTx端子から入力された信号がパワーアンプ(PA)により増幅されてアンテナ端子に送信される。 FIG. 18 is a circuit diagram showing an example of the configuration of the front end unit. As shown in FIG. 18, the antenna terminal (ANT) is switched to the transmission side or the reception side by a transmission / reception changeover switch (SW). When the antenna terminal is connected to the transmission side, the signal input from the Tx terminal of the balun (BALUN) is amplified by the power amplifier (PA) and transmitted to the antenna terminal.
帯域外の不要な信号を除去するために、バンドパスフィルター(BPF)がパワーアンプ(PA)の入力部と出力部とに設けられている。2つのバンドの周波数を扱えるように送信側にはパワーアンプ(PA1,PA2)をそれぞれ備えた2つの系がアンテナ端子(ANT)へと繋がっており、これらはデュプレクサー(DUPLEXER)を介してバンド分離されている。 In order to remove unnecessary signals outside the band, bandpass filters (BPF) are provided at the input and output of the power amplifier (PA). Two systems with power amplifiers (PA1, PA2) are connected to the antenna terminal (ANT) on the transmitting side so that the frequencies of the two bands can be handled. These are banded via a duplexer (DUPLEXER). It is separated.
アンテナ端子(ANT)が受信側にあるときには、アンテナ端子(ANT)からの受信信号は,ロウノイズアンプ(LNA)で増幅されてバラン(BALUN)のRx端子に出力される。受信側においても2つのバンドの周波数を扱えるようにロウノイズアンプ(LNA1,LNA2)をそれぞれ備えた2つの系が接続され、デュプレクサー(DUPLEXER)でそれぞれのバンドの系に振り分けられるように構成されている。 When the antenna terminal (ANT) is on the receiving side, the received signal from the antenna terminal (ANT) is amplified by the low noise amplifier (LNA) and output to the Rx terminal of the balun (BALUN). Two systems with low noise amplifiers (LNA1, LNA2) are connected so that the frequencies on the receiving side can also handle the two bands. ing.
フロントエンド部は通信信号の周波数を直接処理する部分であり、特にGHzオーダーの帯域では分布定数回路としての特殊な設計が要求される。フロントエンド部の性能を安定させ、取り扱いを容易にするため、フロントエンド部またはその一部をモジュール化した部品が提案され実用化されている。 The front end part is a part that directly processes the frequency of the communication signal, and a special design as a distributed constant circuit is required particularly in the band of GHz order. In order to stabilize the performance of the front end part and facilitate handling, a part in which the front end part or a part thereof is modularized has been proposed and put into practical use.
スイッチおよびフィルターを一体化したスイッチ・フィルターモジュールを開示した先行文献として特許文献1,2がある。これらのスイッチ・フィルターモジュールにおいては、フィルターは積層基板内の導電パターンで構成され、スイッチは積層基板の表面に実装されている。
パワーアンプおよびフィルターを一体化したパワーアンプ・フィルターモジュールを開示した先行文献として特許文献3がある。特許文献3に記載されたパワーアンプ・フィルターモジュールにおいては、フィルターは積層基板内の導電パターンで構成され、パワーアンプは積層基板の表面に実装されている。
高周波モジュールを開示した先行文献として特許文献4がある。特許文献4に記載された高周波モジュールにおいては、デュプレクサー、フィルターおよびバランは積層基板内の導電パターンで構成されている。スイッチ、ロウノイズアンプおよびパワーアンプは積層基板の表面に実装されている。 There exists patent document 4 as a prior art document which disclosed the high frequency module. In the high-frequency module described in Patent Document 4, the duplexer, the filter, and the balun are composed of conductive patterns in the multilayer substrate. The switch, the low noise amplifier, and the power amplifier are mounted on the surface of the multilayer substrate.
上記のように、積層基板内の導電パターンにより構成された共振回路および伝送線路を用いてフィルター回路を構成し、さらに基板表面に機能部品を実装することにより、一体化した電子回路モジュールを形成することができる。 As described above, an integrated electronic circuit module is formed by configuring a filter circuit using a resonance circuit and a transmission line configured by a conductive pattern in a multilayer substrate, and further mounting functional parts on the surface of the substrate. be able to.
フィルターなどの回路を導電パターンで構成する場合、高精度で誘電体と導電パターンとを積層可能であり温度特性にも優れた低温焼成セラミック基板が適しており、広く実用されている。 When a circuit such as a filter is formed of a conductive pattern, a low-temperature fired ceramic substrate that can be laminated with a dielectric and a conductive pattern with high accuracy and has excellent temperature characteristics is suitable and widely used.
その他の方法で形成されたフロントエンドモジュールを開示した先行文献として特許文献5がある。特許文献5に記載されたフロントエンドモジュールにおいては、積層セラミックで形成したフィルターなどの共振回路部品を、スイッチなどその他の部品とともに樹脂基板上に実装してモジュールを構成している。 There is Patent Document 5 as a prior document disclosing a front end module formed by other methods. In the front-end module described in Patent Document 5, a resonant circuit component such as a filter formed of multilayer ceramic is mounted on a resin substrate together with other components such as a switch to constitute a module.
低温焼成セラミック基板を用いて電子回路モジュールを製造する場合、樹脂基板と同様に基板上に実装部品をハンダにより接合する。このとき、自動機を使用して樹脂基板と同じ工程で効率的に部品実装を行なうために、複数の低温焼成セラミック基板が縦横にマトリックス状に設けられた綴り基板を使用することがある。 When an electronic circuit module is manufactured using a low-temperature fired ceramic substrate, a mounting component is joined to the substrate by soldering in the same manner as the resin substrate. At this time, in order to efficiently mount components in the same process as the resin substrate using an automatic machine, a spelled substrate in which a plurality of low-temperature fired ceramic substrates are provided in a matrix form vertically and horizontally may be used.
図19は、綴り基板の外観を示す斜視図である。図19に示すように、綴り基板3000には、複数の低温焼成セラミック基板3001がマトリックス状に設けられている。フロントエンドモジュールを作製する際には、複数の低温焼成セラミック基板3001に実装部品を搭載した後、綴り基板3000の状態でリフロー処理することにより、複数の低温焼成セラミック基板3001の各々に実装部品を実装させる。その後、複数の低温焼成セラミック基板3001をそれぞれ個片に分離して製品を得る。
FIG. 19 is a perspective view showing the appearance of the spelling substrate. As shown in FIG. 19, the
綴り基板3000は焼成して作製されるため、焼成によるひずみを有している。そのため、綴り基板3000の状態で複数の低温焼成セラミック基板3001に実装部品を実装する場合、ひずみによる寸法誤差の積み重ねによって、実装部品の実装位置を補正する必要が生じる場合がある。
Since the
また、低温焼成セラミック基板3001の電気検査においては、綴り基板3000の状態で一括プロービング検査を行なうため、全ての低温焼成セラミック基板3001に対して高周波検査を行なうことが困難である。このため、高周波検査は抜き取り検査で行なわれる。この場合、低温焼成セラミック基板3001の品質のバラツキが存在する限り、製造された低温焼成セラミック基板3001の中に性能規格を満たさない規格外品が含まれる可能性が残る。
Further, in the electrical inspection of the low-temperature fired
本発明は上記の問題点に鑑みてなされたものであって、電子回路モジュールの小型化を図りつつ、電子回路モジュールの組立を容易にすることができる、電子回路モジュールおよび低温焼成セラミック部品を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above problems, and provides an electronic circuit module and a low-temperature fired ceramic component that can facilitate the assembly of the electronic circuit module while reducing the size of the electronic circuit module. The purpose is to do.
本発明に基づく電子回路モジュールは、少なくとも一方の主面に端子を有する親基板に接続される電子回路モジュールである。電子回路モジュールは、両方の主面に端子を有し、一方の主面に電子部品が実装されるモジュール基板と、両方の主面に端子を有し、内部に導体パターンを有する低温焼成セラミック部品とを備える。低温焼成セラミック部品の一方の主面の端子がモジュール基板の他方の主面の端子と接続されることにより、低温焼成セラミック部品がモジュール基板に実装される。低温焼成セラミック部品の他方の主面の端子が親基板の端子と接続されることにより、モジュール基板が低温焼成セラミック部品を間に挟んで親基板に実装される。 The electronic circuit module based on this invention is an electronic circuit module connected to the parent board | substrate which has a terminal in at least one main surface. The electronic circuit module has terminals on both main surfaces, a module substrate on which electronic components are mounted on one main surface, and a low-temperature fired ceramic component having terminals on both main surfaces and having a conductor pattern inside With. The terminals on one main surface of the low-temperature fired ceramic component are connected to the terminals on the other main surface of the module substrate, whereby the low-temperature fired ceramic component is mounted on the module substrate. By connecting the terminals of the other main surface of the low-temperature fired ceramic component to the terminals of the parent substrate, the module substrate is mounted on the parent substrate with the low-temperature fired ceramic component interposed therebetween.
本発明の一形態においては、モジュール基板と低温焼成セラミック部品とが、平面視において略同形状を有する。 In one embodiment of the present invention, the module substrate and the low-temperature fired ceramic component have substantially the same shape in plan view.
本発明の一形態においては、電子部品が、パワーアンプ部品、ロウノイズアンプ部品および高周波スイッチ部品の少なくともいずれかを含む。 In one embodiment of the present invention, the electronic component includes at least one of a power amplifier component, a low noise amplifier component, and a high frequency switch component.
本発明に基づく低温焼成セラミック部品は、両方の主面に端子を有して一方の主面に電子部品が実装されるモジュール基板に実装され、少なくとも一方の主面に端子を有する親基板にモジュール基板が実装された状態において親基板とモジュール基板との間に介在する低温焼成セラミック部品である。一方の主面に形成され、モジュール基板の他方の主面の端子と接続される第1端子と、他方の主面に形成され、親基板の端子と接続される第2端子と、内部に形成され、第1端子および第2端子と電気的に接続された導電パターンとを備える。 The low-temperature fired ceramic component according to the present invention is mounted on a module substrate having terminals on both main surfaces and electronic components mounted on one main surface, and a module on a parent substrate having terminals on at least one main surface This is a low-temperature fired ceramic component that is interposed between the parent substrate and the module substrate in a state where the substrate is mounted. A first terminal formed on one main surface and connected to a terminal on the other main surface of the module substrate, a second terminal formed on the other main surface and connected to a terminal on the parent substrate, and formed inside And a conductive pattern electrically connected to the first terminal and the second terminal.
本発明の一形態においては、導電パターンが高周波フィルターとして機能する回路を構成している。 In one embodiment of the present invention, the conductive pattern constitutes a circuit that functions as a high-frequency filter.
本発明の一形態においては、導電パターンがさらに、バランおよびデュプレクサーの少なくともいずれかの機能を有する回路を構成している。 In one embodiment of the present invention, the conductive pattern further constitutes a circuit having at least one function of a balun and a duplexer.
本発明によれば、電子回路モジュールの小型化を図りつつ、電子回路モジュールの組立を容易にすることができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, an assembly of an electronic circuit module can be made easy, aiming at size reduction of an electronic circuit module.
以下、本発明の一実施形態に係る電子回路モジュールおよび低温焼成セラミック部品について図面を参照して説明する。以下の実施形態の説明においては、図中の同一または相当部分には同一符号を付して、その説明は繰り返さない。 Hereinafter, an electronic circuit module and a low-temperature fired ceramic component according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following description of the embodiments, the same or corresponding parts in the drawings are denoted by the same reference numerals, and the description thereof will not be repeated.
以下の実施形態においては、無線LAN用のシングルバンドフロントエンドモジュールについて説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。本発明は、たとえば、携帯電話、WiMAXおよびLTE(Long Term Evolution)などの無線通信システムなどに適用可能である。 In the following embodiments, a single band front-end module for wireless LAN will be described, but the present invention is not limited to this. The present invention is applicable to, for example, a wireless communication system such as a mobile phone, WiMAX, and LTE (Long Term Evolution).
また、本発明は、シングルバンドに限らずマルチバンドモジュールへ拡張して適用することも容易である。後述するが、本発明は、アンテナスイッチモジュールおよびパワーアンプモジュールなどの異なる回路ブロックからなる電子回路モジュールへの適用も容易である。 The present invention is not limited to a single band and can be easily applied to a multiband module. Although described later, the present invention can be easily applied to an electronic circuit module including different circuit blocks such as an antenna switch module and a power amplifier module.
図1は、本発明の一実施形態に係る電子回路モジュールの構成を示す回路図である。図1に示すように、本発明の一実施形態に係る電子回路モジュール10においては、アンテナ接続端子(ANT)を送信側または受信側の回路に切り替える送受切替えスイッチ1を有している。
FIG. 1 is a circuit diagram showing a configuration of an electronic circuit module according to an embodiment of the present invention. As shown in FIG. 1, an
電子回路モジュール10の受信側の回路には、ロウノイズアンプ3とバンドパスフィルター2が設けられている。また、RFIC(Radio Frequency Integrated Circuit)への信号出力を平衡信号(Rxp、Rxn)とするためバラン4が設けられている。バンドパスフィルター2により不要波が減衰された受信信号がロウノイズアンプ3に入力され、これを増幅することにより高い受信感度を得ることができる。
In the circuit on the receiving side of the
送信側にはバンドパスフィルター5、7とパワーアンプ6が設けられている。また、RFICからの平衡信号(Txp、Txn)を不平衡信号に変換するためのバラン8が設けられている。バンドパスフィルター5、7は送信信号から不要波を減衰させるために、パワーアンプの入力信号側と出力信号側との両方に設けられている。この構成により他の通信チャンネルに影響することなく、充分な電力の送信信号を得ることができる。 Band-pass filters 5 and 7 and a power amplifier 6 are provided on the transmission side. Further, a balun 8 is provided for converting balanced signals (Txp, Txn) from the RFIC into unbalanced signals. Bandpass filters 5 and 7 are provided on both the input signal side and the output signal side of the power amplifier in order to attenuate unnecessary waves from the transmission signal. With this configuration, a transmission signal with sufficient power can be obtained without affecting other communication channels.
図1に示す電子回路モジュール10の部品のうち、バラン4、8とバンドパスフィルター2、5、7は、低温焼成セラミック部品内の導電パターンを用いて回路を構成することが可能である。本実施形態においては、受信側のバンドパスフィルター2、バラン4および送信側のバラン8の3つの部品は、低温焼成セラミック部品内の回路として組み込まれている。
Among the components of the
言い換えると、導電パターンが高周波フィルターとして機能する回路を構成している。本実施形態においては、導電パターンがさらにバランの機能を有する回路を構成しているが、導電パターンがデュプレクサーの機能を有する回路を構成していてもよい。 In other words, a circuit in which the conductive pattern functions as a high frequency filter is configured. In the present embodiment, the conductive pattern further constitutes a circuit having a balun function, but the conductive pattern may constitute a circuit having a duplexer function.
以下、本実施形態の電子回路モジュールの構造について説明する。
図2は、低温焼成セラミック部品をモジュール基板に実装して本実施形態に係る電子回路モジュールを構成する状態を示す斜視図である。図3は、低温焼成セラミック部品を実装したモジュール基板を親基板に実装する状態を示す斜視図である。図4は、電子回路モジュールが親基板に実装された状態を示す斜視図である。
Hereinafter, the structure of the electronic circuit module of the present embodiment will be described.
FIG. 2 is a perspective view showing a state in which the low-temperature fired ceramic component is mounted on the module substrate to constitute the electronic circuit module according to the present embodiment. FIG. 3 is a perspective view showing a state in which the module substrate on which the low-temperature fired ceramic component is mounted is mounted on the parent substrate. FIG. 4 is a perspective view showing a state in which the electronic circuit module is mounted on the parent board.
低温焼成セラミック部品1000は、両方の主面101,201に図示しない端子を有し、内部に図示しない導体パターンを有する。低温焼成セラミック部品1000は、複数のセラミック層が積層された構造を有し、その層間に導電パターンが形成されている。図1に示す受信側のバンドパスフィルター2、バラン4および送信側のバラン8の各々の機能を有するように、導電パターンにより回路が構成されている。
The low-temperature fired
低温焼成セラミック部品1000の一方の主面101には、外部接続用の第1端子が形成されている。低温焼成セラミック部品1000の他方の主面201には、外部接続用の第2端子が形成されている。低温焼成セラミック部品1000の導電パターンは、第1端子および第2端子と電気的に接続されている。具体的には、第1端子と第2端子とは、低温焼成セラミック部品1000の内部に形成された層間ビアと導電パターンとによって接続されている。
A first terminal for external connection is formed on one
モジュール基板2000は、両方の主面301,401に図示しない端子を有し、一方の主面401に図示しない電子部品が実装される。モジュール基板2000は、エポキシ、フェノールおよびシアネートなどの熱硬化性樹脂中にAl2O3、SiO2およびTiO2などの無機フィラーを混合して作製されている。モジュール基板2000は、1つの低温焼成セラミック部品1000に対応する少なくとも1つの単位モジュール基板2001を含む。
The
図2に示すように、低温焼成セラミック部品1000の一方の主面101の端子がモジュール基板2000の他方の主面301の端子と接続されることにより、低温焼成セラミック部品1000がモジュール基板2000に実装されて電子回路モジュール10が構成される。
As shown in FIG. 2, the low-temperature fired
図3に示すように、低温焼成セラミック部品の他方の主面201の端子が親基板4000の一方の主面501の端子と接続されることにより、モジュール基板2000が低温焼成セラミック部品1000を間に挟んで親基板4000に実装される。言い換えると、電子回路モジュール10が親基板4000に実装される。なお、親基板4000は、両方の主面に端子を有していてもよい。
As shown in FIG. 3, the terminal of the other
図4に示すように、低温焼成セラミック部品1000がモジュール基板2000に実装され、かつ、モジュール基板2000が親基板4000に実装された状態において、親基板4000とモジュール基板2000との間に低温焼成セラミック部品1000が介在している。
As shown in FIG. 4, in a state where the low-temperature fired
図5は、低温焼成セラミック部品の一方の主面に形成された第1端子の構成を示す上面図である。図6は、低温焼成セラミック部品の他方の主面に形成された第2端子の構成を示す背面図である。 FIG. 5 is a top view showing the configuration of the first terminal formed on one main surface of the low-temperature fired ceramic component. FIG. 6 is a rear view showing the configuration of the second terminal formed on the other main surface of the low-temperature fired ceramic component.
図5に示すように、本実施形態の低温焼成セラミック部品1000は一方の主面101に、モジュール基板2000と接続される第1端子である、バンドパスフィルターの入力端子11および出力端子12、受信側バランへの不平衡入力端子14、および、送信側バランからの不平衡出力端子15が形成されている。
As shown in FIG. 5, the low-temperature fired
また、低温焼成セラミック部品1000の一方の主面101には、モジュール基板2000と接続される第1端子である、電源端子18、GND端子、コントロール端子17およびアンテナ端子19が形成されている。さらに、低温焼成セラミック部品1000の一方の主面101には、端子配置のバランスをとるためにダミー端子21が形成されている。
In addition, on one
低温焼成セラミック部品1000においては、モジュール基板2000に接続するための第1端子が全て一方の主面101に形成されている。
In the low-temperature fired
図6に示すように、低温焼成セラミック部品1000の他方の主面201には第2端子である、低温焼成セラミック部品1000が内蔵する受信側バランの平衡信号出力端子31および送信側バランの平衡信号入力端子33の他、電源端子35、GND端子、コントロール端子37、アンテナ端子39などの端子が形成されている。
As shown in FIG. 6, the other
低温焼成セラミック部品1000においては、モジュール基板2000を親基板4000に接続するための第2端子が全て他方の主面201に形成されている。
In the low-temperature fired
図7は、モジュール基板の一方の主面に形成された端子に実装された構成部品を示す上面図である。図8は、モジュール基板の他方の主面に形成された端子の構成を示す背面図である。 FIG. 7 is a top view showing components mounted on terminals formed on one main surface of the module substrate. FIG. 8 is a rear view showing the configuration of the terminals formed on the other main surface of the module substrate.
図7に示すように、本実施形態のモジュール基板2000の一方の主面401には、ロウノイズアンプ61とパワーアンプ62とスイッチIC64とバンドパスフィルター65とが実装されている。また、モジュール基板2000の一方の主面401には、インピーダンス整合用コンデンサー、コイル、チョークコイルおよび電源ノイズ除去用コンデンサーなどのチップ部品67が実装されている。
As shown in FIG. 7, a
ロウノイズアンプ61、パワーアンプ62およびスイッチIC64は、Si、SiGeまたはGaAsなどからなる半導体基板上に形成された半導体素子から構成される高周波集積回路である。電子回路モジュールの小型化および低コスト化のためには、これらの半導体部品は、モジュール基板2000にベアチップ実装されることが望ましい。
The
具体的には、半導体部品はモジュール基板2000の一方の主面401に設けられたダイボンドエリアにダイボンドされて、ワイヤボンディングで実装される。または、半導体部品はフリップチップ実装によりモジュール基板2000の一方の主面401に実装されてもよい。
Specifically, the semiconductor component is die-bonded to a die-bonding area provided on one
バンドパスフィルター65は、積層構造を有するセラミックからなる単体の部品である。バンドパスフィルター65は複数のチップ部品67とともに、モジュール基板2000の一方の主面401に設けられた半田パターン上に配置されて、リフロー処理によって実装される。
The
モジュール基板2000の一方の主面401に実装される電子部品は、低温焼成セラミック部品1000の内部に組み込まれる部品に対応して適宜変更される。言い換えると、低温焼成セラミック部品1000の内部に組み込まれる部品以外の電子回路モジュール10の構成部品が、モジュール基板2000の一方の主面401に実装される。モジュール基板2000の一方の主面401に実装される電子部品は、パワーアンプ部品、ロウノイズアンプ部品および高周波スイッチ部品の少なくともいずれかを含む。
The electronic component mounted on one
図8に示すようにモジュール基板2000の他方の主面301には、図5に示す低温焼成セラミック部品1000の第1端子に対応するように、端子群41〜51およびGND端子が形成されている。
As shown in FIG. 8,
低温焼成セラミック部品1000の一方の主面101は、モジュール基板2000の他方の主面301と対面して接続されるため、低温焼成セラミック部品1000の第1端子とそれに対応するモジュール基板2000の端子とは、互いに対向した状態において、鏡面対称となるように配置されている。
Since one
モジュール基板2000のGND端子は、低温焼成セラミック部品1000のGND端子との半田接合の品質確保のため、モジュール基板2000の他方の主面301の他の端子とほぼ同じ面積を有するように複数の端子に分割して配置されている。
The GND terminal of the
本実施形態においては、モジュール基板2000と低温焼成セラミック部品1000とが、平面視において略同形状を有している。低温焼成セラミック部品1000の面積とモジュール基板2000の面積とが略等しくなるように、低温焼成セラミック部品1000の内部に組み込まれる構成部品とモジュール基板2000の一方の主面401に実装される電子部品との部品点数を割り振ることにより、低温焼成セラミック部品1000およびモジュール基板2000を均一に小型化することができる。
In the present embodiment, the
なお、モジュール基板2000の一方の主面401に実装されたパワーアンプ62のダイボンドエリアは、接地インダクタンスの低減と放熱経路とを確保するため、ダイボンドエリアの直下に形成されたビアホールによってモジュール基板2000の他方の主面301のGND端子と直結されている。
Note that the die bond area of the
さらに、モジュール基板2000のGND端子と接続される低温焼成セラミック部品1000の一方の主面101に形成されたGND端子は、低温焼成セラミック部品1000に形成されたビアホールを介して低温焼成セラミック部品の他方の主面201に形成されたGND端子に直結されている。この構成により、パワーアンプ62のダイボンドエリアからモジュール基板2000の他方の主面201のGND端子までの経路を最短とすることができる。
Further, the GND terminal formed on one
上記の構成により、モジュール基板2000の全ての外部回路との電気接続は、低温焼成セラミック部品1000を介して行なわれる。よって、モジュール基板2000に実装された電子部品は、低温焼成セラミック部品1000に内蔵された部品と連動して、親基板4000との間で入出力を行なう。
With the above configuration, electrical connection with all external circuits of the
本実施形態においては、低温焼成セラミック部品1000は個片部品として実装されるため、低温焼成セラミック部品1000を作製する際に生ずるひずみによる影響を受けずに電子回路モジュール10を作製することができる。各低温焼成セラミック部品1000は容易に高周波電気試験することができるとともに、高周波電気試験において良品であった低温焼成セラミック部品1000のみを使用して電子回路モジュール10を組立てることができるため、モジュール基板2000の歩留まりを向上できる。
In this embodiment, since the low-temperature fired
その結果、電子回路モジュール10の小型化を図りつつ、電子回路モジュール10の組立を容易にすることができる。
As a result, the
以下、本実施形態の変形例として、複数の単位モジュール基板2001を含む綴り基板として構成されたモジュール基板2000に低温焼成セラミック部品1000を実装する方法について説明する。
Hereinafter, as a modification of the present embodiment, a method for mounting the low-temperature fired
(第1変形例)
図9は、本実施形態の第1変形例として綴り基板として構成されたモジュール基板2000の外観を示す斜視図である。図9に示すように、本実施形態の第1変形例においては、モジュール基板2000は、複数の単位モジュール基板2001がマトリックス状に設けられた綴り基板として構成されている。
(First modification)
FIG. 9 is a perspective view illustrating an appearance of a
図10は、モジュール基板の一方の主面に電子部品が実装された状態を示す側面図である。図10に示すように、モジュール基板2000は、綴り基板の状態で、各単位モジュール基板2001毎にチップコンデンサーなどのリフロー部品71と、半導体ベアチップ部品72とが実装される。
FIG. 10 is a side view showing a state in which an electronic component is mounted on one main surface of the module substrate. As shown in FIG. 10, the
具体的には、まず、モジュール基板2000の一方の主面401上に半田パターンが形成される。次に、マウンターでリフロー部品71を配置する。その後、リフロー処理することにより、リフロー部品71をモジュール基板2000の一方の主面401上に接合する。
Specifically, first, a solder pattern is formed on one
次に、半導体ベアチップ部品72が導電性ペーストによりダイボンドされてモジュール基板2000の一方の主面401上に載置される。半導体ベアチップ部品72の電極は、ワイヤボンドでモジュール基板2000と接続される。その後、半導体ベアチップ部品72とワイヤとを保護するため、半導体ベアチップ部品72およびワイヤはポッティング樹脂で覆われる。
Next, the semiconductor
このようにモジュール基板2000上に電子部品を実装することにより、一度に複数の単位モジュール基板2001に電子部品を実装することができるため、生産効率を向上することができる。なお、リフロー部品71および半導体ベアチップ部品72は電子部品の一例であって、モジュール基板2000上に実装される電子部品はこれに限られない。
By mounting electronic components on the
モジュール基板2000は、低温焼成セラミック基板の綴り基板3000のように焼成によるひずみの影響がないため、綴り基板の状態において電子部品を実装した場合においても、高い位置精度で電子部品をモジュール基板2000上に配置することができる。
The
図11は、本変形例においてモジュール基板に低温焼成セラミック部品を実装した状態を示す側面図である。図11に示すように、モジュール基板2000の他方の主面301上の各単位モジュール基板2001毎に低温焼成セラミック部品1000が実装される。
FIG. 11 is a side view showing a state where the low-temperature fired ceramic component is mounted on the module substrate in the present modification. As shown in FIG. 11, the low-temperature fired
具体的には、まず、モジュール基板2000の他方の主面301上に半田パターンが形成される。次に、マウンターで低温焼成セラミック部品1000を配置する。その後、リフロー処理することにより、低温焼成セラミック部品1000をモジュール基板2000の他方の主面301上に接合する。
Specifically, first, a solder pattern is formed on the other
図12は、本変形例において低温焼成セラミック部品を実装したモジュール基板をダイシングした状態を示す側面図である。図12に示すように、モジュール基板2000を単位モジュール基板2001毎に分割して個片化する。
FIG. 12 is a side view showing a state in which the module substrate on which the low-temperature fired ceramic component is mounted is diced in the present modification. As shown in FIG. 12, the
図13は、実装された電子部品にシールドケースを装着した状態を示す側面図である。
図13に示すように、単位モジュール基板2001毎に個片化されたモジュール基板2000に実装されているリフロー部品71および半導体ベアチップ部品72を保護するためにシールドケース500を装着する。
FIG. 13 is a side view showing a state where a shield case is mounted on the mounted electronic component.
As shown in FIG. 13, a
上記の方法により、モジュール基板2000に低温焼成セラミック部品1000を実装できる。このようにした場合にも、低温焼成セラミック部品1000を作製する際に生ずるひずみによる影響を受けずに電子回路モジュール10を作製することができため、電子回路モジュール10の小型化を図りつつ、電子回路モジュール10の組立を容易にすることができる。
The low-temperature fired
また、以下の方法によってもモジュール基板2000に低温焼成セラミック部品1000を実装できる。
Also, the low-temperature fired
(第2変形例)
本実施形態の第2変形例においてもモジュール基板2000は、綴り基板状に形成され、また、図10に示すようにモジュール基板2000の一方の主面401上に電子部品が実装されている。第1変形例と同一の部分については説明を繰り返さない。
(Second modification)
Also in the second modification of the present embodiment, the
図14は、本実施形態の第2変形例においてモジュール基板の一方の主面上に実装した電子部品の全てを樹脂で封止した状態を示す側面図である。 FIG. 14 is a side view showing a state where all of the electronic components mounted on one main surface of the module substrate are sealed with resin in the second modification of the present embodiment.
図14に示すように、本実施形態の第2変形例においては、モジュール基板2000を個片化する前に、モジュール基板2000の一方の主面401上に封止樹脂を塗布することにより、リフロー部品71および半導体ベアチップ部品72を樹脂モールド600で封止する。封止樹脂の塗布方法は、射出成型または真空印刷などにより行なうことができる。本変形例においては、ベアチップ部品72の樹脂ポッティングを必ずしも行なわなくてもよい。
As shown in FIG. 14, in the second modification of the present embodiment, before the
図15は、本変形例においてモジュール基板に低温焼成セラミック部品を実装した状態を示す側面図である。図15に示すように、モジュール基板2000の他方の主面301上の各単位モジュール基板2001毎に低温焼成セラミック部品1000が実装される。
FIG. 15 is a side view showing a state where the low-temperature fired ceramic component is mounted on the module substrate in the present modification. As shown in FIG. 15, the low-temperature fired
図16は、本変形例において低温焼成セラミック部品を実装したモジュール基板をダイシングした状態を示す側面図である。図16に示すように、モジュール基板2000を樹脂モールド600と共に、単位モジュール基板2001毎に分割して個片化する。単位モジュール基板2001に実装されたリフロー部品71および半導体ベアチップ部品72は、分割された単位樹脂モールド601により封止されている。
FIG. 16 is a side view showing a state in which the module substrate on which the low-temperature fired ceramic component is mounted is diced in the present modification. As shown in FIG. 16, the
図17は、本変形例によって一体化された低温焼成セラミック部品およびモジュール基板の構造を示す側面図である。図17に示すように、本変形例の方法によっても、モジュール基板2000に低温焼成セラミック部品1000を実装できる。
FIG. 17 is a side view showing the structure of a low-temperature fired ceramic component and a module substrate integrated according to this modification. As shown in FIG. 17, the low-temperature fired
このようにした場合にも、低温焼成セラミック部品1000を作製する際に生ずるひずみによる影響を受けずに電子回路モジュール10を作製することができため、電子回路モジュール10の小型化を図りつつ、電子回路モジュール10の組立を容易にすることができる。
Even in this case, the
なお、今回開示した上記実施形態はすべての点で例示であって、限定的な解釈の根拠となるものではない。したがって、本発明の技術的範囲は、上記した実施形態のみによって解釈されるものではなく、特許請求の範囲の記載に基づいて画定される。また、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。 In addition, the said embodiment disclosed this time is an illustration in all the points, Comprising: It does not become a basis of limited interpretation. Therefore, the technical scope of the present invention is not interpreted only by the above-described embodiments, but is defined based on the description of the scope of claims. Further, all modifications within the meaning and scope equivalent to the scope of the claims are included.
1 スイッチ、2,5,65 バンドパスフィルター、3,61 ロウノイズアンプ、4,8 バラン、6,62 パワーアンプ、10 電子回路モジュール、11 入力端子、12 出力端子、14 不平衡入力端子、15 不平衡出力端子、17,37 コントロール端子、18,35 電源端子、19,39 アンテナ端子、21 ダミー端子、31 平衡信号出力端子、33 平衡信号入力端子、41〜51 端子群、67 チップ部品、71 リフロー部品、72 半導体ベアチップ部品、72 ベアチップ部品、500 シールドケース、600 樹脂モールド、601 単位樹脂モールド、1000 低温焼成セラミック部品、2000 モジュール基板、2001 単位モジュール基板、3000 綴り基板、3001 低温焼成セラミック基板、4000 親基板。
1 switch, 2, 5, 65 band pass filter, 3, 61 low noise amplifier, 4, 8 balun, 6, 62 power amplifier, 10 electronic circuit module, 11 input terminal, 12 output terminal, 14 unbalanced input terminal, 15 Unbalanced output terminal, 17, 37 Control terminal, 18, 35 Power supply terminal, 19, 39 Antenna terminal, 21 Dummy terminal, 31 Balanced signal output terminal, 33 Balanced signal input terminal, 41-51 terminal group, 67 Chip component, 71 Reflow parts, 72 Semiconductor bare chip parts, 72 Bare chip parts, 500 Shield case, 600 Resin mold, 601 Unit resin mold, 1000 Low temperature fired ceramic parts, 2000 Module board, 2001 Unit module board, 3000 Spell board, 3001 Low temperature fired
Claims (6)
両方の主面に端子を有し、一方の主面に電子部品が実装されるモジュール基板と、
両方の主面に端子を有し、内部に導体パターンを有する低温焼成セラミック部品と
を備え、
前記低温焼成セラミック部品の一方の主面の端子が前記モジュール基板の他方の主面の端子と接続されることにより、前記低温焼成セラミック部品が前記モジュール基板に実装され、
前記低温焼成セラミック部品の他方の主面の端子が前記親基板の前記端子と接続されることにより、前記モジュール基板が前記低温焼成セラミック部品を間に挟んで前記親基板に実装される、電子回路モジュール。 An electronic circuit module connected to a parent substrate having terminals on at least one main surface,
A module substrate having terminals on both main surfaces and electronic components mounted on one main surface;
With low-temperature fired ceramic parts having terminals on both main surfaces and conductor patterns inside,
By connecting a terminal on one main surface of the low-temperature fired ceramic component to a terminal on the other main surface of the module substrate, the low-temperature fired ceramic component is mounted on the module substrate,
An electronic circuit in which the module substrate is mounted on the parent substrate with the low-temperature fired ceramic component interposed therebetween by connecting a terminal on the other main surface of the low-temperature fired ceramic component to the terminal of the parent substrate module.
一方の主面に形成され、前記モジュール基板の他方の主面の端子と接続される第1端子と、
他方の主面に形成され、前記親基板の前記端子と接続される第2端子と、
内部に形成され、前記第1端子および前記第2端子と電気的に接続された導電パターンと
を備えた、低温焼成セラミック部品。 The main board is mounted on a module board having terminals on both main faces and electronic components are mounted on one main face, and the module board is mounted on a parent board having terminals on at least one main face. A low-temperature fired ceramic component interposed between a substrate and the module substrate,
A first terminal formed on one main surface and connected to a terminal on the other main surface of the module substrate;
A second terminal formed on the other main surface and connected to the terminal of the parent substrate;
A low-temperature fired ceramic component comprising a conductive pattern formed inside and electrically connected to the first terminal and the second terminal.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011054179A JP2012191039A (en) | 2011-03-11 | 2011-03-11 | Electronic circuit module and ceramic component calcined at low temperature |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011054179A JP2012191039A (en) | 2011-03-11 | 2011-03-11 | Electronic circuit module and ceramic component calcined at low temperature |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012191039A true JP2012191039A (en) | 2012-10-04 |
Family
ID=47083876
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011054179A Withdrawn JP2012191039A (en) | 2011-03-11 | 2011-03-11 | Electronic circuit module and ceramic component calcined at low temperature |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2012191039A (en) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017152807A (en) * | 2016-02-22 | 2017-08-31 | 株式会社村田製作所 | Diplexer module with switch and diplexer module |
WO2023007961A1 (en) * | 2021-07-26 | 2023-02-02 | 株式会社村田製作所 | Transceiver module |
US12015212B2 (en) | 2020-09-30 | 2024-06-18 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Radio-frequency module and communication apparatus |
US12057632B2 (en) | 2020-09-30 | 2024-08-06 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Radio-frequency module and communication apparatus |
US12283760B2 (en) | 2020-09-30 | 2025-04-22 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Radio-frequency module and communication apparatus |
US12341548B2 (en) | 2020-09-30 | 2025-06-24 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Radio-frequency module and communication apparatus |
-
2011
- 2011-03-11 JP JP2011054179A patent/JP2012191039A/en not_active Withdrawn
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017152807A (en) * | 2016-02-22 | 2017-08-31 | 株式会社村田製作所 | Diplexer module with switch and diplexer module |
US12015212B2 (en) | 2020-09-30 | 2024-06-18 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Radio-frequency module and communication apparatus |
US12057632B2 (en) | 2020-09-30 | 2024-08-06 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Radio-frequency module and communication apparatus |
US12283760B2 (en) | 2020-09-30 | 2025-04-22 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Radio-frequency module and communication apparatus |
US12341548B2 (en) | 2020-09-30 | 2025-06-24 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Radio-frequency module and communication apparatus |
WO2023007961A1 (en) * | 2021-07-26 | 2023-02-02 | 株式会社村田製作所 | Transceiver module |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN111355513B (en) | High-frequency module and communication device | |
CN100372241C (en) | RF transceiver module formed by multilayer ceramics | |
US12199052B2 (en) | Radio-frequency module and communication device | |
JP4423210B2 (en) | High frequency module and communication device using the same | |
US20240372571A1 (en) | High-frequency module and communication device | |
KR101622452B1 (en) | Module substrate and module | |
WO2020090230A1 (en) | High-frequency module and communication device | |
CN213213459U (en) | High-frequency module and communication device | |
CN113412578B (en) | High frequency module and communication device | |
US20210091803A1 (en) | Radio frequency module and communication device | |
US20210152195A1 (en) | Radio frequency module and communication device | |
JP2012191039A (en) | Electronic circuit module and ceramic component calcined at low temperature | |
US20210006283A1 (en) | Radio frequency module | |
US20210091800A1 (en) | Radio frequency module and communication device | |
CN213879810U (en) | High-frequency module and communication device | |
KR102459636B1 (en) | Radio frequency module and communication device | |
US9153875B2 (en) | High-frequency module | |
CN213213457U (en) | High-frequency module and communication device | |
CN113302839B (en) | High-frequency module and communication device | |
KR102476616B1 (en) | Radio frequency module and communication device | |
CN213879808U (en) | High-frequency module and communication device | |
US20210135695A1 (en) | Radio frequency module and communication device | |
US11303319B2 (en) | Radio frequency module and communication device | |
KR102504973B1 (en) | Radio frequency module and communication device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20140513 |