JP2012190659A - Transparent conductive film, base material with transparent conductive film and organic electroluminescent element including the same - Google Patents
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Abstract
【課題】透明導電膜、透明導電膜付き基材、及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子において、金属細線による光の乱反射を抑制すると共に、マイグレーションの発生を防止する。
【解決手段】透明導電膜付き基材6は、基材2と、この基材2上に形成されている透明導電膜3と、を備える。透明導電膜3は、導電性を有する金属細線3aと、バインダとしての透明樹脂層3bと、を含む。金属細線3aは、透明樹脂層3bにより基材2上に接着されている。金属細線3aの表面が酸化又は硫化され、酸化又は硫化された部分3cは黒化して金属光沢が失われるので、光の乱反射を抑制することができる。また、酸化又は硫化された部分3cは不導体となり化学的に安定するので、マイグレーションの発生を防止することができる。
【選択図】図2In a transparent conductive film, a substrate with a transparent conductive film, and an organic electroluminescence device using the same, irregular reflection of light by a thin metal wire is suppressed and occurrence of migration is prevented.
A substrate 6 with a transparent conductive film includes a substrate 2 and a transparent conductive film 3 formed on the substrate 2. The transparent conductive film 3 includes a thin metal wire 3a having conductivity and a transparent resin layer 3b as a binder. The fine metal wire 3a is bonded onto the base material 2 by the transparent resin layer 3b. The surface of the metal thin wire 3a is oxidized or sulfided, and the oxidized or sulfided portion 3c is blackened to lose the metallic luster, so that irregular reflection of light can be suppressed. Further, since the oxidized or sulfurized portion 3c becomes a nonconductor and is chemically stable, the occurrence of migration can be prevented.
[Selection] Figure 2
Description
本発明は、種々の光学デバイスに用いられる透明導電膜、透明導電膜付き基材、及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。 The present invention relates to a transparent conductive film used for various optical devices, a substrate with a transparent conductive film, and an organic electroluminescence element using the same.
従来、一般的な有機エレクトロルミネッセンス(以下、有機ELという)素子は、一対の電極で挟持された有機発光層が透明な基材上に形成されたものであり、有機発光層からの光は、一方の電極を透過して基材側から取り出される。この種の有機EL素子において、基材側の電極の材料として、導電性及び透光性を有するものが用いられ、インジウムスズ酸化物(以下、ITOという)が広く用いられる。しかし、ITOを材料として用いた電極は曲げや物理的な応力に対して脆弱で壊れやすい。また、ITOを用いた電極の導電性を向上させるためには、高い蒸着温度及び/又は高いアニール温度が必要となり、有機EL素子を用いたデバイスの製造において、コスト高となる虞がある。 Conventionally, a general organic electroluminescence (hereinafter referred to as organic EL) element is an organic light emitting layer sandwiched between a pair of electrodes formed on a transparent substrate, and the light from the organic light emitting layer is It passes through one electrode and is taken out from the substrate side. In this type of organic EL element, a material having conductivity and translucency is used as an electrode material on the substrate side, and indium tin oxide (hereinafter referred to as ITO) is widely used. However, an electrode using ITO as a material is vulnerable to bending and physical stress and is fragile. Moreover, in order to improve the electroconductivity of the electrode using ITO, high vapor deposition temperature and / or high annealing temperature are needed, and there exists a possibility that it may become high cost in manufacture of the device using an organic EL element.
そこで、ITOに代えて、複数の金属細線を含む透明導電膜を電極として用いた技術が知られている(例えば、特許文献1参照)。この種の透明導電膜付き基材の構成例について、図3を参照して説明する。透明導電膜付き基材101は、透光性を有する基材102と、この基材102上に形成される透明導電膜103と、を備える。透明導電膜103は、細線状の複数の金属細線(銀ナノワイヤ)103aと、バインダとしての透明樹脂層103bと、を含む。複数の金属細線103aは、透明樹脂層103bによって、基材102上に接着されている。
Therefore, a technique using a transparent conductive film including a plurality of fine metal wires as an electrode instead of ITO is known (for example, see Patent Document 1). A configuration example of this type of substrate with a transparent conductive film will be described with reference to FIG. The
しかしながら、このような透明導電膜付き基材101においては、金属細線103aとして用いられる銀ナノワイヤの反射率が高く、この高反射性の金属細線103aが三次元的に複雑に絡み合うように存在しているので、光の乱反射が起こり易い。そのため、透明導電膜103が白濁して見えることがあり、更には有機EL素子の光取出し効率を低下させることがある。また、金属細線103aはナノオーダーの細い線状の銀から構成されているので、マイグレーションが起こり易い。そのため、銀が溶けて、絶縁不良が発生することがある。有機EL素子はナノオーダーの薄い層が積層された構成を有するので、上記のマイグレーションにより絶縁不良が発生することがある。
However, in such a
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、金属細線による光の乱反射を抑制することができると共に、マイグレーションの発生を防止することができる透明導電膜、透明導電膜付き基材、及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することを目的とする。 The present invention has been made to solve the above-described problems, and can suppress irregular reflection of light due to a fine metal wire and can prevent migration from occurring, and a substrate with a transparent conductive film And an organic electroluminescence device using the same.
本発明の透明導電膜は、基材上に設けられ、金属細線を含む透明樹脂層を備えた透明導電膜であって、前記金属細線の表面が、酸化又は硫化されていることを特徴とする。 The transparent conductive film of the present invention is a transparent conductive film provided on a substrate and provided with a transparent resin layer containing fine metal wires, wherein the surface of the fine metal wires is oxidized or sulfided. .
この透明導電膜において、前記金属細線は、銀を含むことが好ましい。 In this transparent conductive film, the fine metal wire preferably contains silver.
この透明導電膜において、前記金属細線の表面が硫化されていることが好ましい。 In this transparent conductive film, the surface of the fine metal wire is preferably sulfided.
この透明導電膜において、前記金属細線に含まれる銀元素に対する前記金属細線に含まれる硫黄元素の割合が、10%を超え、かつ50%未満であることが好ましい。 In this transparent conductive film, the ratio of the sulfur element contained in the thin metal wire to the silver element contained in the fine metal wire is preferably more than 10% and less than 50%.
この透明導電膜において、前記金属細線は、金属ナノワイヤであることが好ましい。 In this transparent conductive film, the fine metal wire is preferably a metal nanowire.
この透明導電膜が基材上に形成されて、透明導電膜付き基材として構成されることが好ましい。 It is preferable that this transparent conductive film is formed on a base material, and is comprised as a base material with a transparent conductive film.
この透明導電膜付き基材は、有機エレクトロルミネッセンス素子に用いられることが好ましい。 It is preferable that this base material with a transparent conductive film is used for an organic electroluminescent element.
本発明に係る透明導電膜によれば、金属細線の表面が酸化又は硫化されて黒化して、金属光沢が失われるので、光の乱反射を抑制することができる。また、金属細線の表面が酸化又は硫化されて不導体となり化学的に安定するので、マイグレーションの発生を防止することができる。 According to the transparent conductive film of the present invention, the surface of the fine metal wire is oxidized or sulfided to become black and lose its metallic luster, so that it is possible to suppress irregular reflection of light. Moreover, since the surface of the fine metal wire is oxidized or sulfided to become a nonconductor and chemically stable, the occurrence of migration can be prevented.
以下、本発明の一実施形態に係る透明導電膜について、図面を参照して説明する。本実施形態の透明導電膜は、透光性を有する基材上に形成され、透明導電膜付き基材として構成され、例えば有機エレクトロルミネッセンス(以下、有機ELという)素子に用いられる。図1は、有機EL素子の断面構成を示す。有機EL素子1は、基材2と、透明導電膜3と、有機発光層4と、導体層5と、を備え、基材2上に透明導電膜3、有機発光層4、及び導体層5が順次積層された構成となっている。基材2と透明導電膜3とが、透明導電膜付き基材6を構成する。透明導電膜3は、有機EL素子1の陽極として機能し、有機発光層4に正孔(ホール)を注入する。一方、導体層5は、有機EL素子1の陰極として機能し、有機発光層4に電子を注入する。
Hereinafter, a transparent conductive film according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. The transparent conductive film of the present embodiment is formed on a light-transmitting substrate and is configured as a substrate with a transparent conductive film, and is used for, for example, an organic electroluminescence (hereinafter referred to as organic EL) element. FIG. 1 shows a cross-sectional configuration of an organic EL element. The
有機発光層4は、透明導電膜3からの正孔の注入を促進する正孔注入層が、透明導電膜3との間に設けられることが好ましく、導体層5からの電子の注入を促進する電子注入層が導体層5との間に設けられることが好ましい。さらに、正孔を効率的に輸送する正孔輸送層や、電子を効率的に輸送する電子輸送層が設けられてもよい。
In the organic
このように構成された有機EL素子1において、透明導電膜3と導体層5との間に透明導電膜3側を+電位として電圧が印加されると、正孔が透明導電膜3から有機発光層4に注入され、電子が導体層5から有機発光層4に注入される。そして、有機発光層4に注入された正孔と電子とが、有機発光層4内で再結合することにより、有機発光層4が発光する。有機発光層4から発せられた光は、透明導電膜付き基材6(透明導電膜3及び基材2)を透過して、有機EL素子1の外へ取り出される。なお、導体層5に照射された光は、導体層5の表面で反射され、透明導電膜付き基材6を透過して、有機EL素子1の外へ取り出される。
In the
なお、基材2の材料は、透光性を有していれば、特に限定されない。このような基材2としては、例えばソーダガラス若しくは無アルカリガラス等のリジッドな透明ガラス板、又はポリカーボネイト若しくはエチレンテレフタレート等のフレキシブルな透明プラスチック板等が用いられる。基材2としてリジッドな透明ガラス板が用いられた場合、この基材2を用いたデバイスの強度が優れると共に、基材2上への透明導電膜3の形成を容易にすることができる。基材2としてフレキシブルな透明プラスチック板が用いられた場合、基材2を用いたデバイスを軽量化できると共に、柔軟性を有するデバイスとすることができる。
In addition, the material of the
また、有機発光層4の材料としては、例えばアントラセン、ナフタレン、ピレン、テトラセン、コロネン、ペリレン、フタロペリレン、ナフタロペリレン、ジフェニルブタジエン、テトラフェニルブタジエン、クマリン、オキサジアゾール、ビスベンゾキサゾリン、ビススチリル、シクロペンタジエン、クマリン、オキサジアゾール、ビスベンゾキサゾリン、ビススチリル、シクロペンタジエン、キノリン金属錯体、トリス(8−ヒドロキシキノリナート)アルミニウム錯体、トリス(4−メチル−8−キノリナート)アルミニウム錯体、トリス(5−フェニル−8−キノリナート)アルミニウム錯体、アミノキノリン金属錯体、ベンゾキノリン金属錯体、トリ−(p−ターフェニル−4−イル)アミン、ピラン、キナクリドン、ルブレン、若しくはこれらの誘導体、1−アリール−2,5−ジ(2−チエニル)ピロール誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、スチリルアリーレン誘導体、スチリルアミン誘導体、又はこれらの発光性化合物からなる基を分子の一部分に有する化合物若しくは高分子等が用いられる。また、例えばイリジウム錯体、オスミウム錯体、白金錯体若しくはユーロピウム錯体等の発光材料、又はこれらを分子内に有する化合物若しくは高分子等の燐光発光材料も用いることができる。これらの材料は、必要に応じて、適宜選択して用いることができる。
Examples of the material of the organic
また、導体層5の材料としては、例えばアルミニウム等が用いられる。また、アルミニウムと他の材料とを組み合わせて積層構造としてもよい。このような組み合わせとしては、アルカリ金属とアルミニウムとの積層体、アルカリ金属と銀との積層体、アルカリ金属のハロゲン化物とアルミニウムとの積層体、アルカリ金属の酸化物とアルミニウムとの積層体、アルカリ土類金属若しくは希土類金属とアルミニウムとの積層体、又はこれらの金属種と他の金属との合金などが挙げられる。具体的には、ナトリウム、ナトリウムとカリウムとの合金、リチウム、若しくはマグネシウム等とアルミニウムとの積層体、マグネシウムと銀との混合物、マグネシウムとインジウムとの混合物、アルミニウムとリチウムとの合金、フッ化リチウムとアルミニウムの混合物との積層体、又はアルミニウムと酸化アルミニウム(Al2O3)の混合物との積層体等が挙げられる。 Moreover, as a material of the conductor layer 5, for example, aluminum or the like is used. Alternatively, a laminated structure may be formed by combining aluminum and another material. Examples of such combinations include a laminate of an alkali metal and aluminum, a laminate of an alkali metal and silver, a laminate of an alkali metal halide and aluminum, a laminate of an alkali metal oxide and aluminum, and an alkali. A laminate of an earth metal or rare earth metal and aluminum, or an alloy of these metal species with another metal can be used. Specifically, sodium, an alloy of sodium and potassium, a laminate of lithium or magnesium or the like and aluminum, a mixture of magnesium and silver, a mixture of magnesium and indium, an alloy of aluminum and lithium, lithium fluoride And a laminated body of a mixture of aluminum and aluminum, or a laminated body of a mixture of aluminum and aluminum oxide (Al 2 O 3 ).
次に、透明導電膜付き基材6の詳細について、図2を参照して説明する。透明導電膜付き基材6は、基材2と、この基材2上に形成されている透明導電膜3と、を備える。透明導電膜3は、導電性を有する複数の金属細線3aと、バインダとしての透明樹脂層3bと、を含む。それら金属細線3aは、その一部が透明樹脂層3bから突出した状態で、透明樹脂層3bによって基材2上に接着されている。このため、基材2上では、複数の金属細線3aの三次元的な導電ネットワークが形成されている。これにより、透明導電膜3は導電性を有するようになっている。ここで、複数の金属細線3aの三次元的な導電ネットワークとは、複数の金属細線3aが三次元的に互いに接触又は近接し合った状態を示す。
Next, the detail of the base material 6 with a transparent conductive film is demonstrated with reference to FIG. The substrate 6 with a transparent conductive film includes a
透明導電膜付き基材6が有機EL素子1に用いられた場合、透明樹脂層3bから突出した複数の金属細線3aは有機発光層4と接触し、有機EL素子1に電圧が印加されると、複数の金属細線3aから有機発光層4へ正孔が注入される。
When the substrate 6 with a transparent conductive film is used for the
本実施形態においては、透明導電膜付き基材6の表面が酸化又は硫化され、複数の金属細線3aの表面が酸化又は硫化される。この場合、透明樹脂層3bから突出した金属細線3aの表面だけでなく、透明樹脂層3b内の金属細線3aの表面も酸化又は硫化される。そのため、酸化又は硫化された部分3cが黒化し、不導体となっている。透明導電膜付き基材6の表面を硫化する方法としては、例えば透明導電膜付き基材6を水中に配置して、この水中に硫化鉄と塩酸とにより発生した硫化水素を通す方法が挙げられる。また、透明導電膜付き基材6の表面を酸化する方法としては、例えば卓上型光表面処理装置を用いて、透明導電膜付き基材6の表面を酸化するための表面処理を施す方法が挙げられる。
In the present embodiment, the surface of the substrate 6 with a transparent conductive film is oxidized or sulfided, and the surfaces of the plurality of fine metal wires 3a are oxidized or sulfided. In this case, not only the surface of the fine metal wire 3a protruding from the
これらの処理時間及び濃度を調整することにより、金属細線3aの表面における酸化又は硫化の度合いを制御することができる。なお、本実施形態においては、金属細線3aの表面における所定割合の部分が酸化又は硫化されればよい。銀ナノワイヤを用いた金属細線3aは、ITO等に比べて導電性が極めて高いので、その表面の所定割合の部分が酸化又は硫化されても、酸化又は硫化されていない部分により十分な導電性を保持することができる。 By adjusting these treatment times and concentrations, the degree of oxidation or sulfidation on the surface of the thin metal wire 3a can be controlled. In the present embodiment, a predetermined proportion of the surface of the thin metal wire 3a may be oxidized or sulfided. Since the metal thin wire 3a using silver nanowires has extremely high conductivity compared to ITO or the like, even if a predetermined proportion of its surface is oxidized or sulfided, it has sufficient conductivity for the portion that is not oxidized or sulfided. Can be held.
金属細線3aは、数nmから数十μmの線幅を有する繊維状金属、金属、又は金属微粒子から成る。金属細線3aの長さは、金属細線3aの長さ方向に垂直な断面の直径よりも十分に長い。基材2上に接着される金属細線3aの量は、0.1mg/m2以上1000mg/m2であることが好ましく、1mg/m2以上100mg/m2であることがより好ましい。金属細線3aのそれぞれの長さは、透明導電膜3の透光性を考慮して、300nm以下であることが好ましく、金属細線3aの平均直径は、0.3nm以上200nm以下であることが好ましい。また同様に、金属細線3aの平均アスペクト比は、10以上10000以下であることが好ましい。さらに、透明樹脂層3bの厚さは、透明導電膜3の導電性を考慮して、金属細線3aの平均直径以上500nm以下であることが好ましい。
The fine metal wire 3a is made of a fibrous metal, metal, or metal fine particle having a line width of several nm to several tens of μm. The length of the fine metal wire 3a is sufficiently longer than the diameter of the cross section perpendicular to the length direction of the fine metal wire 3a. The amount of fine metal wire 3a to be adhered on the
金属細線3aの材料としては、例えば金属メッシュ、金属ナノワイヤ、又は金属微粒子の集合体等が用いられる。このような金属細線3aに用いられる金属として、例えば金、銀、銅、アルミニウム、亜鉛、コバルト、ニッケル、又はタングステン等が挙げられる。このような金属の中でも、導電率が高い金、銀、又は銅を用いることが好ましく、導電率が最も高い銀を用いることがより好ましい。 As a material of the metal fine wire 3a, for example, a metal mesh, a metal nanowire, an aggregate of metal fine particles, or the like is used. Examples of the metal used for the thin metal wire 3a include gold, silver, copper, aluminum, zinc, cobalt, nickel, and tungsten. Among such metals, gold, silver, or copper having high conductivity is preferably used, and silver having the highest conductivity is more preferably used.
金属細線3aとして金属ナノワイヤを用いた場合、金属ナノワイヤの長さは、透明導電膜3の導電性を考慮して、3μm以上であることが好ましく、3μm以上500μm以下であることがより好ましく、3μm以上300μm以下であることが更に好ましい。また、金属ナノワイヤの平均直径は、透明導電膜3の透光性及び導電性を考慮して、10nm以上300nm以下であることが好ましく、30nm以上200nm以下であることがより好ましい。金属ナノワイヤの製造方法は、特に限定されることなく、例えば液相法又は気相法等の公知の方法が用いられる。
When metal nanowires are used as the thin metal wires 3a, the length of the metal nanowires is preferably 3 μm or more, more preferably 3 μm or more and 500 μm or less, considering the conductivity of the transparent
金属細線3aに用いられる金属として銀が用いられた場合、金属細線3aの表面は硫化されることが好ましい。銀は化学的に酸化されるよりも硫化され易いので、硫化させる方が、金属細線3aの表面処理を容易とすることができる。また、金属細線3aの表面が硫化される場合、金属細線3aに含まれる銀元素に対する金属細線3aに含まれる硫黄元素の割合が10%以下であると、光の乱反射が発生し、金属細線3aに含まれる銀元素に対する金属細線3aに含まれる硫黄元素の割合が50%以上であると、金属細線3aが電気を通さなくなる。したがって、金属細線3aに含まれる銀元素に対する金属細線3aに含まれる硫黄元素の割合が、10%を超え、かつ50%未満であることが好ましく、具体的には、15%〜45%であることが好ましい。 When silver is used as the metal used for the fine metal wire 3a, the surface of the fine metal wire 3a is preferably sulfided. Since silver is more easily sulfided than chemically oxidized, the surface treatment of the fine metal wires 3a can be facilitated by sulfidation. Further, when the surface of the fine metal wire 3a is sulfided, if the ratio of the sulfur element contained in the fine metal wire 3a to the silver element contained in the fine metal wire 3a is 10% or less, irregular reflection of light occurs, and the fine metal wire 3a. When the ratio of the sulfur element contained in the metal fine wire 3a to the silver element contained in the metal element is 50% or more, the metal fine wire 3a cannot conduct electricity. Therefore, it is preferable that the ratio of the sulfur element contained in the metal fine wire 3a to the silver element contained in the metal fine wire 3a is more than 10% and less than 50%, specifically, 15% to 45%. It is preferable.
透明樹脂層3bの材料としては、例えばポリエチレン、エチレン−プロピレン共重合体、エチレン−酢酸ビニル共重合体及びその部分又は全部ケン化物、エチレン−アクリル酸エチル共重合体、エチレン−メタクリル酸メチル共重合体、エチレン−酢酸ビニル−メタクリル酸メチル共重合体、ポリプロピレン、プロピレン−α−オレフィン共重合体等のオレフィン系樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂等の塩化ビニル系樹脂、アクリロニトリル−スチレン共重合体等のアクリロニトリル系樹脂、ポリスチレン、スチレン−メタクル酸メチル共重合体等のスチレン系樹脂、ポリアクリル酸エチル等のアクリル酸エステル重合体、ポリメタクリル酸メチル等のメタクリル酸エステル重合体、それらの共重合体や他の共重合成分を加えた(メタ)アクリル酸エステル系樹脂、ポリエチレンテレフタレート等のポリエステル樹脂、ナイロン等のポリアミド樹脂、ポリカーボネート樹脂、エチルセルロース、アセチルセルロース等のセルロース樹脂、ポリウレタン系樹脂、シリコン系樹脂等が挙げられる。
Examples of the material of the
また、例えばフェノール樹脂、尿素樹脂、ジアリルフタレート樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、エポキシ樹脂、アミノアルキッド樹脂、珪素樹脂、又はポリシロキサン樹脂等の熱硬化性樹脂が挙げられる。さらに、これらの熱硬化性樹脂に必要に応じて架橋剤、重合開始剤、硬化剤、硬化促進剤、又は溶剤を加えてもよい。 Further, for example, thermosetting resins such as phenol resin, urea resin, diallyl phthalate resin, melamine resin, unsaturated polyester resin, polyurethane resin, epoxy resin, aminoalkyd resin, silicon resin, or polysiloxane resin can be given. Furthermore, you may add a crosslinking agent, a polymerization initiator, a hardening | curing agent, a hardening accelerator, or a solvent to these thermosetting resins as needed.
また、電離放射線硬化型樹脂としては、好ましくは、アクリレート系の官能基を有するもの、例えば、比較的低分子量のポリエステル樹脂、ポリエーテル樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、アルキッド樹脂、スピロアセタール樹脂、ポリブタジエン樹脂、ポリチオールポリエン樹脂、多価アルコール等の多官能化合物の(メタ)アクリレート等のオリゴマー、プレポリマー、及び反応性希釈剤としてエチル(メタ)アクリレート、エチルヘキシル(メタ)アクリレート、スチレン、メチルスチレン、N−ビニルピロリドン等の単官能モノマー、並びに多官能モノマー、例えばトリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ヘキサンジオール(メタ)アクリレート、トリプロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、ジエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、1,6−ヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、ネオペンチルグリコールジ(メタ)アクリレート等を比較的多量に含有するものを使用することができる。さらに、上記の電離放射線硬化型樹脂を紫外線硬化型樹脂とするには、電離放射線硬化型樹脂の中に光重合開始剤を配合することが好ましい。光重合開始剤としてはアセトフェノン類、ベンゾフェノン類、α−アミロキシムエステル、又はチオキサントン類等が用いられる。また、光重合開始剤に加えて光増感剤を用いてもよい。光増感剤としては、n−ブチルアミン、トリエチルアミン、トリ−n−ブチルホスフィン、又はチオキサントン等が用いられる。 The ionizing radiation curable resin preferably has an acrylate functional group, for example, a relatively low molecular weight polyester resin, polyether resin, acrylic resin, epoxy resin, urethane resin, alkyd resin, spiroacetal. Resins, polybutadiene resins, polythiol polyene resins, oligomers such as (meth) acrylates of polyfunctional compounds such as polyhydric alcohols, prepolymers, and reactive diluents such as ethyl (meth) acrylate, ethylhexyl (meth) acrylate, styrene, methyl Monofunctional monomers such as styrene and N-vinylpyrrolidone, as well as polyfunctional monomers such as trimethylolpropane tri (meth) acrylate, hexanediol (meth) acrylate, tripropylene glycol di (meth) acrylate, Relatively large amounts of ethylene glycol di (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, 1,6-hexanediol di (meth) acrylate, neopentyl glycol di (meth) acrylate, etc. Can be used. Furthermore, in order to make the ionizing radiation curable resin an ultraviolet curable resin, it is preferable to mix a photopolymerization initiator in the ionizing radiation curable resin. As the photopolymerization initiator, acetophenones, benzophenones, α-amyloxime esters, thioxanthones or the like are used. In addition to the photopolymerization initiator, a photosensitizer may be used. As the photosensitizer, n-butylamine, triethylamine, tri-n-butylphosphine, thioxanthone, or the like is used.
透明導電膜3の塗工法としては、特に限定されることなく、例えばスピンコート、スクリーン印刷、ディップコート、ダイコート、キャスト、スプレーコート、又はグラビアコート等の公知の塗工法が用いられる。また、透明導電膜3の表面を平滑化すると共に透明導電膜3の表面抵抗値を安定化するために、例えばローラープレス等による加圧工程を行ってもよい。
The coating method of the transparent
本実施形態の透明導電膜付き基材6によれば、金属細線3aの表面の酸化又は硫化された部分3cが黒化して、金属光沢が失われているので光の乱反射を抑制することができる。また、この透明導電膜付き基材6が有機EL素子1の基板として用いられることにより、有機EL素子1の光取出し効率を向上させることができる。また、金属細線3aの表面の酸化又は硫化された部分3cが不導体となり化学的に安定しているので、マイグレーションの発生を防止することができる。また、この透明導電膜付き基材6が有機EL素子1の基板として用いられることにより、有機EL素子1の絶縁不良の発生を防止することができ、信頼性の高いデバイスを実現することができる。
According to the substrate 6 with a transparent conductive film of the present embodiment, the oxidized or
次に、実施例1乃至5及び比較例1乃至4について説明する。 Next, Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 to 4 will be described.
以下に示すように、まず金属細線として銀ナノワイヤを作製した後、実施例1乃至5及び比較例1乃至4のサンプルを作製した。 As shown below, first, silver nanowires were produced as thin metal wires, and then samples of Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 to 4 were produced.
(金属細線)
金属細線として、公知論文「Materials Chemistry and Physics vol.114 p333-338 “Preparation of Ag nanorods with high yield by polyol process”」に準じて銀ナノワイヤを作製した。この場合、銀ナノワイヤの平均直径を50nmとし、銀ナノワイヤの平均長さを5μmとした。
(Metal fine wire)
Silver nanowires were produced as fine metal wires according to a known paper “Materials Chemistry and Physics vol. 114 p333-338“ Preparation of Ag nanorods with high yield by polyol process ””. In this case, the average diameter of the silver nanowire was 50 nm, and the average length of the silver nanowire was 5 μm.
(実施例1)
シグマアルドリッチ社製メチルセルロース(M7140)3質量部を水200質量部に溶解して、メチルセルロース溶液を作製した。次に、金属細線として上記の銀ナノワイヤを、水を分散媒として固形分3.0質量%で分散した分散液を作製した。次に、メチルセルロース溶液にこの分散液100質量部を加えてよく混合した。それにより、コーティング剤組成物を作製した。
Example 1
3 parts by mass of methyl cellulose (M7140) manufactured by Sigma-Aldrich was dissolved in 200 parts by mass of water to prepare a methyl cellulose solution. Next, a dispersion liquid in which the above-mentioned silver nanowire was dispersed as a metal thin wire and water was used as a dispersion medium at a solid content of 3.0% by mass was prepared. Next, 100 parts by mass of this dispersion was added to the methylcellulose solution and mixed well. Thereby, a coating agent composition was produced.
続いて、寸法が縦100mm、横100mm、及び高さ0.7mmであるガラス基材(BK7)上にコーティング剤組成物を厚さ100nmとなるようにスピンコーターにより塗布した。そして、このコーティング剤組成物が塗布されたガラス基材を23℃の常温で3分間乾燥させた後、120℃で5分間加熱して乾燥させた。それにより、ガラス基材上に透明導電膜を形成し、透明導電膜付き基材を作製した。 Subsequently, the coating composition was applied on a glass substrate (BK7) having dimensions of 100 mm in length, 100 mm in width, and 0.7 mm in height by a spin coater so as to have a thickness of 100 nm. And after drying the glass base material with which this coating agent composition was apply | coated at 23 degreeC normal temperature for 3 minutes, it heated at 120 degreeC for 5 minutes, and was dried. Thereby, the transparent conductive film was formed on the glass base material, and the base material with a transparent conductive film was produced.
次に、この透明導電膜付き基材を水溶液中に配置して、硫化鉄と塩酸とにより発生した硫化水素を、この水溶液中に20分間通した。それにより、銀ナノワイヤの表面を硫化させた。こうして、実施例1のサンプルを作製した。 Next, this base material with a transparent conductive film was placed in an aqueous solution, and hydrogen sulfide generated by iron sulfide and hydrochloric acid was passed through the aqueous solution for 20 minutes. Thereby, the surface of the silver nanowire was sulfided. Thus, the sample of Example 1 was produced.
(実施例2)
硫化水素を通す時間を30分とした点を除いて、上記実施例1と同様にして、実施例2のサンプルを作製した。
(Example 2)
A sample of Example 2 was produced in the same manner as in Example 1 except that the time for passing hydrogen sulfide was 30 minutes.
(実施例3)
硫化水素を通す時間を40分とした点を除いて、上記実施例1と同様にして、実施例3のサンプルを作製した。
(Example 3)
A sample of Example 3 was produced in the same manner as in Example 1 except that the time for passing hydrogen sulfide was 40 minutes.
(実施例4)
銀ナノワイヤを硫化させる代わりに、セン特殊光源株式会社製PL16−110を用いて、透明導電膜付き基材を酸化させるための表面処理を30分間行い、銀ナノワイヤの表面を酸化させた点を除いて、上記実施例1と同様にして実施例4のサンプルを作製した。
Example 4
Instead of sulfidizing silver nanowires, PL16-110 manufactured by Sen Special Light Source Co., Ltd. was used for surface treatment for oxidizing the substrate with a transparent conductive film for 30 minutes, except that the surface of the silver nanowires was oxidized Then, a sample of Example 4 was produced in the same manner as in Example 1 above.
(実施例5)
寸法が縦100mm、横100mm、及び高さ0.7mmであるガラス基材(BK7)上に蒸着法により、寸法が幅50mm及び高さ100nmである複数の金属細線から成るメッシュを形成し、透明導電膜付き基材を作製した。この場合、金属細線の材料として、銀を用い、メッシュの矩形状の孔部の大きさの寸法を、縦250μm及び横250μmとした。これらの点を除いて、上記実施例1と同様にして、実施例5のサンプルを作製した。
(Example 5)
A mesh consisting of a plurality of fine metal wires having a width of 50 mm and a height of 100 nm is formed on a glass substrate (BK7) having dimensions of 100 mm in length, 100 mm in width, and 0.7 mm in height by vapor deposition, and transparent. A substrate with a conductive film was prepared. In this case, silver was used as the material for the fine metal wire, and the size of the rectangular holes of the mesh was 250 μm in length and 250 μm in width. A sample of Example 5 was produced in the same manner as Example 1 except for these points.
(比較例1)
透明導電膜付き基材を硫化しなかった点を除いて、上記実施例1と同様にして、比較例1のサンプルを作製した。
(Comparative Example 1)
A sample of Comparative Example 1 was produced in the same manner as in Example 1 except that the substrate with a transparent conductive film was not sulfided.
(比較例2)
透明導電膜付き基材が配置された水溶液中に硫化水素を10分間通した点を除いて、上記実施例1と同様にして、比較例2のサンプルを作製した。
(Comparative Example 2)
A sample of Comparative Example 2 was prepared in the same manner as in Example 1 except that hydrogen sulfide was passed for 10 minutes in an aqueous solution in which a substrate with a transparent conductive film was placed.
(比較例3)
透明導電膜付き基材が配置された水溶液中に硫化水素を50分間通した点を除いて、上記実施例1と同様にして、比較例3のサンプルを作製した。
(Comparative Example 3)
A sample of Comparative Example 3 was produced in the same manner as in Example 1 except that hydrogen sulfide was passed through the aqueous solution having the transparent conductive film-coated substrate for 50 minutes.
(比較例4)
透明導電膜付き基材を硫化しなかった点を除いて、上記実施例5と同様にして、比較例4のサンプルを作製した。
(Comparative Example 4)
A sample of Comparative Example 4 was produced in the same manner as in Example 5 except that the substrate with a transparent conductive film was not sulfided.
上記実施例1乃至5及び比較例1乃至4のサンプルについて、ヘイズ値、透過率、表面抵抗値、硫化度及び酸化度、並びにマイグレーションの測定を行った。以下、これらの測定について順に説明する。 The samples of Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 to 4 were measured for haze value, transmittance, surface resistance value, sulfidity and oxidation degree, and migration. Hereinafter, these measurements will be described in order.
(ヘイズ値の測定)
日本電色工業株式会社製NDH−2000を用いて各サンプルのヘイズ値を測定した。
(Measurement of haze value)
The haze value of each sample was measured using NDH-2000 manufactured by Nippon Denshoku Industries Co., Ltd.
(透過率の測定)
日本電色工業株式会社製NDH−2000を用いて各サンプルの透過率を測定した。
(Measurement of transmittance)
The transmittance of each sample was measured using NDH-2000 manufactured by Nippon Denshoku Industries Co., Ltd.
(表面抵抗値の測定)
三菱化学株式会社製ロレスタEP MCP−T360を用いて各サンプルの表面抵抗値を測定した。
(Measurement of surface resistance)
The surface resistance value of each sample was measured using Loresta EP MCP-T360 manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation.
(硫化度又は酸化度の測定)
透過型電子顕微鏡(以下、TEMという)により取得した各サンプルの表面の画像(以下、TEM像という)に対して、エネルギー分散型X線分光法(以下、EDXという)による元素分析を行った。EDXでは、各サンプルの表面の元素の分布を示す画像(以下、EDXマッピング像という)を取得した。TEM像とEDXマッピング像とにおいて、金属細線に含まれる元素が検出される範囲内で、薄膜定量法による定量分析を行った。それにより、金属細線に含まれる銀元素の数に対する金属細線に含まれる硫黄元素の数の比率、又はその銀元素の数に対する金属細線に含まれる酸素元素の数の比率を計算し、各サンプルの硫化又は酸化の度合いを測定した。
(Measurement of sulfidity or oxidation)
Elemental analysis by energy dispersive X-ray spectroscopy (hereinafter referred to as EDX) was performed on an image (hereinafter referred to as TEM image) of the surface of each sample obtained by a transmission electron microscope (hereinafter referred to as TEM). In EDX, an image showing the distribution of elements on the surface of each sample (hereinafter referred to as an EDX mapping image) was obtained. In the TEM image and the EDX mapping image, the quantitative analysis by the thin film quantification method was performed within the range where the element contained in the fine metal wire was detected. Accordingly, the ratio of the number of sulfur elements contained in the metal thin wire to the number of silver elements contained in the metal thin wire, or the ratio of the number of oxygen elements contained in the metal thin wire to the number of silver elements is calculated, and The degree of sulfidation or oxidation was measured.
(マイグレーションの測定)
作製した各サンプルの透明導電膜上に株式会社同人化学研究所製N,N−ジフェニル−N,N−ビス3−メチル−フェニル−1,1−ジフェニル−4,4ジアミンを厚さ50nmで真空蒸着した。これにより、各サンプルの透明導電膜上に正孔輸送層を形成した。次に、正孔輸送層上に株式会社同人化学研究所製アルミキノリノール錯体(トリス(8−ヒドロキノリン)アルミニウム)を厚さ50nmで真空蒸着した。これにより、正孔輸送層上に有機発光層を形成した。次に、有機発光層上にアルミニウムを厚さ150nmで真空蒸着した。これにより、有機発光層上にアルミニウムから成る導体層を形成した。こうして、各サンプルを備えた有機EL素子をそれぞれ作製した。続いて、これらの有機EL素子に5Vの定常電圧を500時間印加し続けた。そして、5Vの電圧をかける前と上記の状態を保持した後とにおけるその有機EL素子に流れる電流値とTEM像とにより、マイグレーションの有無を確認した。
(Measurement of migration)
Vacuum of N, N-diphenyl-N, N-bis3-methyl-phenyl-1,1-diphenyl-4,4 diamine manufactured by Doujin Chemical Laboratory Co., Ltd. at a thickness of 50 nm on the transparent conductive film of each sample produced. Vapor deposited. This formed the positive hole transport layer on the transparent conductive film of each sample. Next, an aluminum quinolinol complex (Tris (8-hydroquinoline) aluminum) manufactured by Doujin Chemical Laboratory Co., Ltd. was vacuum-deposited with a thickness of 50 nm on the hole transport layer. This formed the organic light emitting layer on the positive hole transport layer. Next, aluminum was vacuum-deposited with a thickness of 150 nm on the organic light emitting layer. This formed the conductor layer which consists of aluminum on the organic light emitting layer. Thus, an organic EL element provided with each sample was produced. Subsequently, a steady voltage of 5 V was continuously applied to these organic EL elements for 500 hours. And the presence or absence of migration was confirmed by the current value and TEM image which flowed through the organic EL element before applying the voltage of 5V, and after holding said state.
上記の測定の結果を表1に示す。 The results of the above measurements are shown in Table 1.
表1に示すように、硫化又は酸化の度合いが10%を超え、かつ50%未満である実施例1乃至5は、ヘーズ値が低く、マイグレーションが発生しなかった。また、実施例1乃至5の表面抵抗値は低く、実施例1乃至5の透過率は高かった。これに対して、金属細線に酸化又は硫化の表面処理が施されなかった比較例1及び比較例4、並びに硫化の度合いが10%である比較例2は、ヘーズ値が高く、マイグレーションが発生した。硫化の度合いが50%である比較例3は、表面抵抗値が120Ω/□と非常に高かった。この結果は、硫化又は酸化の度合いが、10%を超え、かつ50%未満であることが好ましいことを示す。具体的には、実施例1と比較例2との対比、及実施例3と比較例3との対比から、硫化又は酸化の度合いは、15%〜45%であることが好ましい。 As shown in Table 1, in Examples 1 to 5 in which the degree of sulfidation or oxidation was more than 10% and less than 50%, the haze value was low and no migration occurred. Further, the surface resistance values of Examples 1 to 5 were low, and the transmittances of Examples 1 to 5 were high. On the other hand, Comparative Example 1 and Comparative Example 4 in which the metal thin wire was not subjected to the oxidation or sulfurization surface treatment and Comparative Example 2 in which the degree of sulfuration was 10% had a high haze value and migration occurred. . In Comparative Example 3 in which the degree of sulfidation was 50%, the surface resistance value was extremely high at 120Ω / □. This result indicates that the degree of sulfidation or oxidation is preferably greater than 10% and less than 50%. Specifically, from the comparison between Example 1 and Comparative Example 2 and the comparison between Example 3 and Comparative Example 3, the degree of sulfidation or oxidation is preferably 15% to 45%.
本発明は上記実施形態の構成に限られず、発明の趣旨を変更しない範囲で種々の変更が
可能である。例えば、透明導電膜3は、液晶ディスプレイ、プラズマディスプレイ、又は太陽有機電池等の透明電極として用いることができる。また、金属細線3aの材料として、カーボンナノチューブを用いてもよく、透明樹脂層3bの材料として、導電性を有する高分子を用いてもよい。
The present invention is not limited to the configuration of the embodiment described above, and various modifications can be made without departing from the spirit of the invention. For example, the transparent
1 有機EL素子
2 基材
3 透明導電膜
3a 金属細線(金属ナノワイヤ)
3b 透明樹脂層
6 透明導電膜付き基材
DESCRIPTION OF
3b Transparent resin layer 6 Substrate with transparent conductive film
Claims (7)
前記金属細線の表面が、酸化又は硫化されていることを特徴とする透明導電膜。 A transparent conductive film provided on a substrate and provided with a transparent resin layer containing a thin metal wire,
The surface of the said metal fine wire is oxidized or sulfided, The transparent conductive film characterized by the above-mentioned.
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Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013073746A (en) * | 2011-09-27 | 2013-04-22 | Toshiba Corp | Transparent electrode laminate |
EP2919289A1 (en) * | 2014-03-14 | 2015-09-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing transparent conductor, transparent conductor and device for manufacturing the same, and device for manufacturing transparent conductor precursor |
JP2016522535A (en) * | 2013-04-05 | 2016-07-28 | ヌォーヴォ フィルム インコーポレイテッドNuovo Film Inc. | Transparent conductive electrode provided with surface functionalized metal nanowire, structure design thereof, and method of manufacturing structure |
JPWO2014088095A1 (en) * | 2012-12-06 | 2017-01-05 | 積水化学工業株式会社 | Conductive material, connection structure, and manufacturing method of connection structure |
WO2017005490A1 (en) * | 2015-07-03 | 2017-01-12 | Osram Oled Gmbh | Organic light-emitting component and method for producing an organic light-emitting component |
CN110580973A (en) * | 2019-08-13 | 2019-12-17 | 深圳市善柔科技有限公司 | Preparation method of silver nanowire film |
-
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Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013073746A (en) * | 2011-09-27 | 2013-04-22 | Toshiba Corp | Transparent electrode laminate |
JPWO2014088095A1 (en) * | 2012-12-06 | 2017-01-05 | 積水化学工業株式会社 | Conductive material, connection structure, and manufacturing method of connection structure |
JP2016522535A (en) * | 2013-04-05 | 2016-07-28 | ヌォーヴォ フィルム インコーポレイテッドNuovo Film Inc. | Transparent conductive electrode provided with surface functionalized metal nanowire, structure design thereof, and method of manufacturing structure |
EP2919289A1 (en) * | 2014-03-14 | 2015-09-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing transparent conductor, transparent conductor and device for manufacturing the same, and device for manufacturing transparent conductor precursor |
US9847150B2 (en) | 2014-03-14 | 2017-12-19 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing transparent conductor, transparent conductor and device for manufacturing the same, and device for manufacturing transparent conductor precursor |
WO2017005490A1 (en) * | 2015-07-03 | 2017-01-12 | Osram Oled Gmbh | Organic light-emitting component and method for producing an organic light-emitting component |
CN110580973A (en) * | 2019-08-13 | 2019-12-17 | 深圳市善柔科技有限公司 | Preparation method of silver nanowire film |
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