JP2012172101A - Gas-barrier film, and method of manufacturing the same - Google Patents
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Abstract
【課題】ウェブ状の基材上へのガスバリア層の高速インライン処理を実現し、生産能率が高く、かつ基材とガスバリア層との密着耐久性も向上し得るガスバリア性フィルムおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】高周波印加電極である金属ロール電極と接地電極を配置したリアクティブイオンエッチング(RIE)処理装置構成において、電極間に、不活性ガスを圧力が0.5Pa以上50Pa未満で導入して、特定間隔の電極間に特定値の高周波電圧を印加し、高密度なプラズマを発生させて、プラスチックフィルム100表面に、プラズマ処理を施し、基材と酸化珪素(SiOx)からなるガスバリア層102間に十分な密着性能を与えることを特徴とするガスバリア性フィルムとその製造方法。
【選択図】図1Provided is a gas barrier film that realizes high-speed inline processing of a gas barrier layer on a web-like substrate, has high production efficiency, and can improve adhesion durability between the substrate and the gas barrier layer, and a method for producing the same. To do.
In a reactive ion etching (RIE) processing apparatus configuration in which a metal roll electrode as a high-frequency application electrode and a ground electrode are arranged, an inert gas is introduced between the electrodes at a pressure of 0.5 Pa or more and less than 50 Pa. A high-frequency voltage having a specific value is applied between electrodes at a specific interval to generate a high-density plasma, and the surface of the plastic film 100 is subjected to plasma treatment between the gas barrier layer 102 made of a base material and silicon oxide (SiOx). A gas-barrier film and a method for producing the same, characterized by providing sufficient adhesion performance.
[Selection] Figure 1
Description
本発明は、ガスバリア性フィルムおよびその製造方法に関し、例えば、食品や医薬品等の包装分野、太陽電池の保護シート等に用いられるガスバリア性を有した機能性フィルムおよびその製造方法に関するものである。 The present invention relates to a gas barrier film and a method for producing the same, and relates to, for example, a functional film having a gas barrier property used in the packaging field of foods and pharmaceuticals, a protective sheet for solar cells, and the like, and a method for producing the functional film.
水蒸気や酸素のガスバリア性能は、従来の食品や医薬品等の包装分野の用途に加えて、有機ELディスプレイや薄膜太陽電池の保護シート用途として、最近、大きく注目されている。中でも、太陽電池の保護シートは、太陽電池モジュールの起電部分であるシリコン薄膜の湿度による劣化を防止するために、太陽電池の裏側に配置されており、酸素や水蒸気のガスを外気と遮断すると同時に、屋外の苛酷環境化で使用しても、外観劣化の少ない耐久性能が求められている。 The gas barrier performance of water vapor and oxygen has recently attracted much attention as a protective sheet application for organic EL displays and thin-film solar cells, in addition to conventional applications in the packaging field of foods and pharmaceuticals. Among them, the protective sheet for the solar cell is disposed on the back side of the solar cell in order to prevent deterioration due to the humidity of the silicon thin film that is the electromotive part of the solar cell module, and shuts off oxygen and water vapor from the outside air. At the same time, even when used in harsh outdoor environments, there is a demand for durability performance with little appearance deterioration.
また、従来から、食品や医薬品類あるいは、ハードディスクや半導体モジュールの包装に用いられる包装材料においても、内容物を保護する用途で必要とされてきた。例えば、食品包装においては、酸化や変質を抑制し、味や鮮度を保持することが必要になる。また無菌状態での取り扱いが必要とされる医薬品類においては、有効成分の変質を抑制し、効能を維持することが求められる。これらの内容物の品質を保護する際に、酸素や水蒸気、その他内容物を変質させる気体を遮断するガスバリア性、そして、それぞれの使用環境で、劣化しない耐久性能を備える包装材料が求められている。 Conventionally, foods, pharmaceuticals, and packaging materials used for packaging hard disks and semiconductor modules have been required for the purpose of protecting contents. For example, in food packaging, it is necessary to suppress oxidation and alteration and maintain taste and freshness. In addition, in pharmaceuticals that require handling in a sterile state, it is required to suppress the alteration of the active ingredient and maintain its efficacy. When protecting the quality of these contents, there is a need for a packaging material that has a gas barrier property that blocks oxygen, water vapor, and other gases that alter the contents, and durability that does not deteriorate in each environment of use. .
ガスバリア性フィルムとしては、プラスチックフィルム基材表面に、酸化珪素、酸化アルミニウム等からなる金属酸化膜を形成した透明性の高いガスバリア性フィルムが、一般的に数多く、実用化されている。特許文献1は、高分子樹脂フィルム上に炭化酸化珪素を有するガスバリア性フィルムを開示している。特許文献2は、透明プラスチック基体上に、非晶質の酸化アルミニウム薄膜を設けたガスバリア性フィルムを開示している。ところが、プラスチック基材にこれらの蒸着膜を単純に積層しても、基材と蒸着層との密着性が十分でなく、レトルト処理やボイル処理、耐環境試験等により、基材と蒸着層間で簡単に剥離してしまうことも少なくない。
As the gas barrier film, a large number of highly transparent gas barrier films in which a metal oxide film made of silicon oxide, aluminum oxide or the like is formed on the surface of a plastic film substrate are generally put into practical use.
そのため、基材と蒸着層の密着性を上げるために、基材に、プラズマ処理、火炎処理、コロナ処理等の一般的な表面処理を基材表面に施す方法(特許文献3)や、アンカーコート層をウエット法によりコーティングする方法が多く提案されている(特許文献4・5・6)。中でも、減圧プラズマ処理による表面処理方法は、蒸着層成膜プロセスと同一系内(インライン)での処理により、工程の簡素化を実現できる。しかし、インラインの密着プロセスでは、高速な蒸着プロセスと同等な処理速度を必要とするため、十分な密着処理が得られない場合が多い。生産能率が高く、強固な密着力を得られるインラインの密着方法が望まれている。
Therefore, in order to improve the adhesion between the base material and the vapor deposition layer, a general surface treatment such as plasma treatment, flame treatment or corona treatment is applied to the base material surface (Patent Document 3), anchor coating Many methods for coating a layer by a wet method have been proposed (
本発明においては、上記問題を解決するために、ウェブ状の基材上へのガスバリア層の高速インライン処理を実現し、生産能率が高く、かつ基材とガスバリア層との密着耐久性も向上し得るガスバリア性フィルムおよびその製造方法を提供することを目的とする。 In the present invention, in order to solve the above problems, a high-speed in-line treatment of the gas barrier layer on the web-like substrate is realized, the production efficiency is high, and the adhesion durability between the substrate and the gas barrier layer is also improved. An object of the present invention is to provide a gas barrier film and a method for producing the same.
請求項1に記載の発明は、ウェブ状の基材上にグロープラズマによる表面処理とガスバリア層とをこの順に形成したガスバリア性フィルムの製造方法であって、
前記基材が走行する高周波印加電極である金属ロール電極と、
対向電極として、面内に、S・N極一対以上の磁石を設置した、円弧状あるいは多面状により前記金属ロール電極に沿った形状にて配置された接地電極とを備え、
両電極間を結ぶ最短距離をdminとした時、dmin≦50mmで設置したリアクティブイオンエッチング(RIE)処理装置を用い、
前記電極間に、窒素、ヘリウムおよびアルゴンから選択された1種類以上のガスを導入して、処理空間内の圧力を0.5Pa以上50Pa未満として、30kHz以上4MHz以下の高周波を印加し、ただし前記金属ロール電極に投入する電力(W)とプラズマ照射部分の面積(m2)の比から算出される電力密度(W/m2)と処理時間(sec)の積から求められる値をEpd値と定義した場合、Epd値が350W・sec/m2以上となるように高周波電圧を印加することで、前記電極間に高密度なプラズマを発生させて、前記金属ロール電極上を走行する前記基材表面に、前記表面処理層を形成する工程と、
前記表面処理層上に、ドライコーティング法により、酸化珪素(SiOx)からなるガスバリア層を形成する工程とを具備することを特徴とするガスバリア性フィルムの製造方法である。
請求項2に記載の発明は、前記表面処理層と前記ガスバリア層とを、インラインで連続して処理することを特徴とする請求項1に記載のガスバリア性フィルムの製造方法である。
請求項3に記載の発明は、前記S・N極一対以上の磁石は、ネオジム磁石であることを特徴とする請求項1または2に記載のガスバリア性フィルムの製造方法である。
請求項4に記載の発明は、前記基材としてポリエチレンテレフタレート(PET)を用いることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載のガスバリア性フィルムの製造方法である。
請求項5に記載の発明は、前記酸化珪素(SiOx)は、xの値が、1≦x≦2.2であることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載のガスバリア性フィルムの製造方法である。
請求項6に記載の発明は、前記ガスバリア層上に、金属アルコキシドと水溶性高分子を含む混合溶液を塗布し、加熱乾燥して形成される保護層を形成することを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載のガスバリア性フィルムの製造方法である。
請求項7に記載の発明は、ウェブ状の基材上にグロープラズマによる表面処理とガスバリア層とをこの順に形成したガスバリア性フィルムの製造方法であって、
前記基材が走行する高周波印加電極である金属ロール電極と、
対向電極として、面内に、S・N極一対以上の磁石を設置した、円弧状あるいは多面状により前記金属ロール電極に沿った形状にて配置された接地電極とを備え、
両電極間を結ぶ最短距離をdminとした時、dmin≦50mmで設置したリアクティブイオンエッチング(RIE)処理装置を用い、
前記電極間に、窒素、ヘリウムおよびアルゴンから選択された1種類以上のガスを導入して、処理空間内の圧力を0.5Pa以上50Pa未満として、30kHz以上4MHz以下の高周波を印加し、ただし前記金属ロール電極に投入する電力(W)とプラズマ照射部分の面積(m2)の比から算出される電力密度(W/m2)と処理時間(sec)の積から求められる値をEpd値と定義した場合、Epd値が350W・sec/m2以上となるように高周波電圧を印加することで、前記電極間に高密度なプラズマを発生させて、前記金属ロール電極上を走行する前記基材表面に、前記表面処理層を形成する工程と、
このプラズマ表面処理層上に、ドライコーティング法により、酸化珪素(SiOx)からなるガスバリア層を形成する工程とを具備する製造方法により製造されてなるガスバリア性フィルムである。
請求項8に記載の発明は、前記プラズマ表面処理層とガスバリア層とを、インラインで連続して処理することを特徴とする請求項7に記載のガスバリア性フィルムである。
請求項9に記載の発明は、前記S・N極一対以上の磁石は、ネオジム磁石であることを特徴とする請求項7または8に記載のガスバリア性フィルムである。
請求項10に記載の発明は、前記基材としてポリエチレンテレフタレート(PET)を用いることを特徴とする請求項7〜9のいずれかに記載のガスバリア性フィルムである。
請求項11に記載の発明は、前記酸化珪素(SiOx)は、xの値が、1≦x≦2.2であることを特徴とする請求項7〜10のいずれかに記載のガスバリア性フィルムである。
請求項12に記載の発明は、前記ガスバリア層上に、金属アルコキシドと水溶性高分子を含む混合溶液を塗布し、加熱乾燥して形成される保護層を形成することを特徴とする請求項7〜11のいずれかに記載のガスバリア性フィルムである。
The invention according to
A metal roll electrode that is a high-frequency application electrode on which the substrate travels;
As a counter electrode, it is provided with a ground electrode arranged in a shape along the metal roll electrode in an arc shape or a multi-surface shape in which a pair of magnets of S / N poles are installed in a plane,
Using a reactive ion etching (RIE) processing apparatus installed at dmin ≦ 50 mm, where dmin is the shortest distance between the two electrodes,
One or more kinds of gases selected from nitrogen, helium and argon are introduced between the electrodes, the pressure in the processing space is set to 0.5 Pa or more and less than 50 Pa, and a high frequency of 30 kHz or more and 4 MHz or less is applied. The value obtained from the product of the power density (W / m 2 ) calculated from the ratio of the power (W) input to the metal roll electrode and the area (m 2 ) of the plasma irradiation portion and the processing time (sec) is the Epd value. When defined, the base material that travels on the metal roll electrode by generating a high-density plasma between the electrodes by applying a high-frequency voltage so that the Epd value is 350 W · sec / m 2 or more. Forming a surface treatment layer on the surface;
And a step of forming a gas barrier layer made of silicon oxide (SiOx) on the surface treatment layer by a dry coating method.
Invention of
A third aspect of the present invention is the method for producing a gas barrier film according to the first or second aspect, wherein the pair of S · N pole pair magnets is a neodymium magnet.
Invention of
The gas barrier film according to any one of
The invention described in
The invention according to
A metal roll electrode that is a high-frequency application electrode on which the substrate travels;
As a counter electrode, it is provided with a ground electrode arranged in a shape along the metal roll electrode in an arc shape or a multi-surface shape in which a pair of magnets of S / N poles are installed in a plane,
Using a reactive ion etching (RIE) processing apparatus installed at dmin ≦ 50 mm, where dmin is the shortest distance between the two electrodes,
One or more kinds of gases selected from nitrogen, helium and argon are introduced between the electrodes, the pressure in the processing space is set to 0.5 Pa or more and less than 50 Pa, and a high frequency of 30 kHz or more and 4 MHz or less is applied. The value obtained from the product of the power density (W / m 2 ) calculated from the ratio of the power (W) input to the metal roll electrode and the area (m 2 ) of the plasma irradiation portion and the processing time (sec) is the Epd value. When defined, the base material that travels on the metal roll electrode by generating a high-density plasma between the electrodes by applying a high-frequency voltage so that the Epd value is 350 W · sec / m 2 or more. Forming a surface treatment layer on the surface;
A gas barrier film produced by a production method comprising a step of forming a gas barrier layer made of silicon oxide (SiOx) on the plasma surface treatment layer by a dry coating method.
The invention according to
A ninth aspect of the present invention is the gas barrier film according to the seventh or eighth aspect, wherein the magnet of the pair of S and N poles is a neodymium magnet.
The invention according to
The gas barrier film according to any one of
The invention described in claim 12 is characterized in that a protective layer formed by applying a mixed solution containing a metal alkoxide and a water-soluble polymer on the gas barrier layer and drying by heating is formed. It is a gas barrier film in any one of -11.
本発明によれば、ウェブ状の基材上へのガスバリア層の高速インライン処理を実現し、生産能率が高く、かつ基材とガスバリア層との密着耐久性も向上し得るガスバリア性フィルムおよびその製造方法を提供することができる。 According to the present invention, a gas barrier film capable of realizing high-speed in-line treatment of a gas barrier layer on a web-like substrate, having high production efficiency, and improving adhesion durability between the substrate and the gas barrier layer, and production thereof A method can be provided.
密着性を上げる効果は、基材とガスバリア層との間に、本発明で規定するプラズマ処理による処理層を形成することによりもたらされる。これにより、レトルト滅菌処理やボイル処理、プレッシャークッカー試験(PCT)、各種環境耐久試験などの後にも、強固な密着を持続することが可能となる。 The effect of increasing the adhesion is brought about by forming a treatment layer by plasma treatment as defined in the present invention between the substrate and the gas barrier layer. This makes it possible to maintain strong adhesion even after retort sterilization treatment, boil treatment, pressure cooker test (PCT), various environmental durability tests, and the like.
また、高速成膜が可能な蒸着と密着処理をインラインで処理できるため、生産性は大幅に向上する。 In addition, since the vapor deposition and adhesion treatment capable of high-speed film formation can be processed in-line, productivity is greatly improved.
以下に、本発明の実施の形態について、説明する。 Embodiments of the present invention will be described below.
図1は、本発明のガスバリア性フィルムの一例を示す断面図である。プラスチックフィルム材料からなる基材100の一方の面上に、本発明によるプラズマ処理による表面処理(密着処理層)101を介して、蒸着法により作成した酸化珪素からなるガスバリア層102、必要に応じて、保護層103が形成されている構造である。
FIG. 1 is a cross-sectional view showing an example of the gas barrier film of the present invention. A
基材のプラスチックフィルム100は、特に制限を受けるものではなく、公知のものを使用することができる。ポリエチレンテレフタレート(PET)が特に好適であるが、他にも、ポリエチレンナフタレート(PEN)等のポリエステル系フィルム、ポリエチレン(PE)、ポリプロピレン(PP)等のポリオレフィン系フィルム、ナイロン−6、ナイロン−66等のポリアミド系フィルム、ポリスチレンフィルム、ポリアミドフィルム、ポリカーボネートフィルム、ポリアクリルニトリルフィルム、ポリイミドフィルム、セルロース系フィルム等が挙げられる。また、この基材表面に、コロナ処理などの表面処理、周知の種々の添加剤や安定剤、例えば帯電防止剤、紫外線防止剤、可塑剤、滑剤などが使用されていても良い。
The
基材の厚さに関しても、特に制限を受けるものではなく、密着処理層やガスバリア層を成膜する際の加工性や、更には、後加工性を考慮すると、6〜100μmの範囲であることが好ましい。 The thickness of the substrate is not particularly limited, and is in the range of 6 to 100 μm in consideration of workability when forming the adhesion treatment layer and the gas barrier layer, and further, post-workability. Is preferred.
プラスチックフィルム100上に、イオンエッチング処理からなるプラズマ処理を施す。上記のプラズマ処理空間には、窒素、ヘリウムおよびアルゴンから選択された1種類以上の不活性ガスを導入する。好ましくは、反応性が極めて低く、比較的重さのある気体であるアルゴンガスが、好ましい。
Plasma treatment consisting of ion etching treatment is performed on the
この際、酸素などの反応性の高いガスを導入してプラズマ処理を行うと、プラスチックフィルム表面上に処理ガスに起因する結合を形成することが多い。このプラズマ処理ガスによる結合手は、プラスチックフィルムとの間で弱い力で結合するため、十分な密着を得られない。従って、このプラズマ処理による結合手が、ガスバリア層と、十分な密着を示しても、プラスチックフィルムとの間に十分な密着が得られず、密着強度が得られない。 In this case, when plasma treatment is performed by introducing a highly reactive gas such as oxygen, bonds resulting from the treatment gas are often formed on the surface of the plastic film. Since the bond by the plasma processing gas bonds with the plastic film with a weak force, sufficient adhesion cannot be obtained. Therefore, even if the bond by the plasma treatment shows sufficient adhesion to the gas barrier layer, sufficient adhesion cannot be obtained between the plastic film and adhesion strength cannot be obtained.
密着処理層101の処理室内は、上記のガスを適宜選択して、圧力を0.5Pa以上50Pa未満となるように調整する。圧力が0.5Pa未満であると、放電が安定しにくく、安定したサンプルを得ることができない。圧力が50Pa以上であると、自己バイアス電圧が下がり、十分なイオンエッチング効果が得られない。また、40Pa以上の領域では、接地電極2に設置した磁石による磁気誘導の効果が急激に弱くなる。そのため、1〜25Paの圧力帯で処理を実施するのが好ましい。
In the treatment chamber of the adhesion treatment layer 101, the above gas is appropriately selected and the pressure is adjusted to be 0.5 Pa or more and less than 50 Pa. If the pressure is less than 0.5 Pa, the discharge is difficult to stabilize and a stable sample cannot be obtained. When the pressure is 50 Pa or more, the self-bias voltage decreases, and a sufficient ion etching effect cannot be obtained. Further, in the region of 40 Pa or more, the magnetic induction effect by the magnet installed on the
プラズマ発生電源としては、周波数が、30kHz以上4MHz以下のMF〜RF周波数帯の電源を使用する。電源出力は、金属ロール電極に投入する電力(W)とプラズマ照射部分の面積(m2)の比から算出される電力密度(W/m2)と処理時間(sec)の積が、350W・sec/m2以上となる電力を印加する必要がある。これより弱いと、プラスチックフィルム上に十分な処理が行うことが出来ない。 As the plasma generating power source, a power source having a frequency of MF to RF frequency band of 30 kHz to 4 MHz is used. The power output is 350 W · the product of the power density (W / m 2 ) calculated from the ratio of the electric power (W) input to the metal roll electrode and the area (m 2 ) of the plasma irradiation portion and the processing time (sec). It is necessary to apply electric power that is at least sec / m 2 . If it is weaker than this, sufficient processing cannot be performed on the plastic film.
密着処理層101上に形成するガスバリア層102について、説明する。ガスバリア層としては、酸化珪素をドライコーティング法により形成する。ガスバリア層は、透明性および、酸素、水蒸気等のガスバリア性能を有する層である。好ましくは、酸化珪素の化学式をSiOxとした時、xの範囲が、1.0≦x≦2.2であることにより、透明性およびガスバリア性を有することができる。
The
ガスバリア層102の厚さは、用途や構成により最適な条件は異なり、特に制限はないが、一般的には、5〜300nmの範囲内の厚さが、好ましく用いられる。膜厚が5nm未満であると、膜厚が十分ではなく、ガスバリア層としての機能を十分に果たせない。また、膜厚が300nmを超えると、フレキシビリティを保持することが出来ず、薄膜に亀裂が入りやすくなる。また、生産性も悪くなる。性能と生産性も考慮すると、10−200nmの膜厚がより好ましい。
The optimum thickness of the
ガスバリア層102を、形成するドライコーティング法は、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、化学気相成長法(CVD)などを用いることが可能である。但し、生産性を考慮すれば、真空蒸着法が、最適な生産方法である。真空蒸着法の加熱方法としては、電子線加熱方式や抵抗加熱方式、誘導過熱方式のいずれかの方法を用いることが好ましい。また、蒸着膜の緻密性を向上させるために、プラズマやイオンビーム等を用いたアシスト法を採用することも可能である。このようなコーティング処理室の前段に密着処理室を設けることで、インラインで連続して、極めて生産性良く、密着性のよいガスバリア性フィルムを作成することができる。
As a dry coating method for forming the
また、無機酸化物からなるガスバリア層102の上に、保護層あるいは、ラミネートなどの後加工適性を向上させるためのオーバーコート層を積層しても構わない。この場合、例えば水溶性高分子を水あるいは水/アルコール混合溶媒で融解させたものに金属アルコキシドを直接あるいはあらかじめ加水分解させるなどの処理を行ったものを混合し、この混合溶液を無機酸化物上に塗布、乾燥して形成することができる。また混合溶液中にシランカップリング剤等を添加使用しても良い。
Further, a protective layer or an overcoat layer for improving post-processing suitability such as a laminate may be laminated on the
図2、図3は、ウェブ状の基材上にグロープラズマによる表面処理を行う装置の説明図である。但し、装置の形状は、図2、図3に示す装置に限定されるものではない。 2 and 3 are explanatory views of an apparatus for performing surface treatment with glow plasma on a web-like substrate. However, the shape of the apparatus is not limited to the apparatus shown in FIGS.
金属ロール電極1は、高周波電源3より、MF〜RF帯の高周波電圧が印加される。金属ロール電極1の温度は、20℃から80℃に調整することが好ましい。その対向電極として、面内に、S・N極一対以上の磁石5,6を設置した円弧状あるいは多面状により金属ロール1に沿った形状にて配置された接地電極2を、設置する。図2は、金属ロール電極1の表面とほぼ平行な円弧状の接地電極2を示している。図3は、金属ロール電極1の表面にほぼ追随する形状であるとともに、複数の平板電極をその端部で接合した多面状の接地電極2を示している。なお、符号4はガス導入管である。S・N極一対以上の磁石5,6の設置箇所としては、例えば、図2、図3に示すように、接地電極2の金属ロール電極1側に、プラスチックフィルムの流れ方向に沿って設置する。S・N極一対以上の磁石5,6の設置箇所は、図2、図3で示した設置箇所に限定されず、プラズマの密度を上げることができれば、接地電極2のどの面内に設置してもよい。また、磁石5,6の形状やS・N極対の個数についても、装置の大きさ、プラズマ密度の程度などによって適宜選択される。なお本発明では効果の点からネオジム磁石を用いるのが好ましい。この時、両電極間を結ぶ最短距離をdminとした時、dmin≦50mmで設置する。金属ロール電極処理基材であるプラスチックフィルムは、カソード側すなわち金属ロール電極1上を走行しながら、密着処理層101が形成される。プラスチックフィルムは、カソード側に設置することで、イオンが基材に効率的に衝突する事で、強固な密着を得ることができる。この基材と電極配置の位置関係は、リアクティブイオンエッチング(RIE)処理と同様であり、RIE処理装置をそのまま応用展開することも可能である。
The
図4は、本発明におけるガスバリア性フィルムの製造装置の一例である。本発明によれば、図4のように、密着処理層とガスバリア層の工程を同一(真空チャンバ7)系内にて、インラインにて処理が可能である。すなわち、真空チャンバ7内において、巻出しロール7からウェブ状の基材が巻き出され、プラズマ処理室10において密着処理層が形成され、続いて蒸着処理室11によりガスバリア層が形成され、最後に巻取りロール9により巻き取られる。
FIG. 4 is an example of a gas barrier film manufacturing apparatus according to the present invention. According to the present invention, as shown in FIG. 4, the process of the adhesion processing layer and the gas barrier layer can be processed in-line in the same (vacuum chamber 7) system. That is, in the
以下、本発明を実施例および比較例により具体的に説明する。 Hereinafter, the present invention will be specifically described with reference to Examples and Comparative Examples.
<実施例1>
厚さ12μmのポリエチレンテレフタレート(PET)のフィルムの未処理面に、密着処理層を以下の条件で形成した。密着処理層は図2に示す装置を用いた。
<Example 1>
An adhesion treatment layer was formed on the untreated surface of a polyethylene terephthalate (PET) film having a thickness of 12 μm under the following conditions. For the adhesion treatment layer, the apparatus shown in FIG. 2 was used.
処理ガス:アルゴン
圧力:5Pa
電源周波数:300kHz
投入電力:350W・sec/m2
ラインスピード:90m/min
接地電極の磁石:有り
dmin:45mm
Process gas: Argon pressure: 5Pa
Power supply frequency: 300 kHz
Input power: 350 W · sec / m 2
Line speed: 90m / min
Ground electrode magnet: Yes dmin: 45mm
以上の条件で、密着処理を施した後、電子線加熱方式による真空蒸着により厚さ40nmの酸化珪素膜を積層して、ガスバリア性フィルムを作成した。 After the adhesion treatment was performed under the above conditions, a silicon oxide film having a thickness of 40 nm was laminated by vacuum vapor deposition using an electron beam heating method to prepare a gas barrier film.
<実施例2>
厚さ12μmのポリエチレンテレフタレート(PET)のフィルムの未処理面に、密着処理層を以下の条件で形成した。密着処理層は図2に示す装置を用いた。
<Example 2>
An adhesion treatment layer was formed on the untreated surface of a polyethylene terephthalate (PET) film having a thickness of 12 μm under the following conditions. For the adhesion treatment layer, the apparatus shown in FIG. 2 was used.
処理ガス:アルゴン
圧力:20Pa
電源周波数:300kHz
投入電力:1000W・sec/m2
ラインスピード:90m/min
接地電極の磁石:有り
dmin:45mm
Process gas: Argon pressure: 20 Pa
Power supply frequency: 300 kHz
Input power: 1000 W · sec / m 2
Line speed: 90m / min
Ground electrode magnet: Yes dmin: 45mm
以上の条件で、密着処理を施した後、電子線加熱方式による真空蒸着により厚さ40nmの酸化珪素膜を積層して、ガスバリア性フィルムを作成した。 After the adhesion treatment was performed under the above conditions, a silicon oxide film having a thickness of 40 nm was laminated by vacuum vapor deposition using an electron beam heating method to prepare a gas barrier film.
<比較例1>
厚さ12μmのポリエチレンテレフタレート(PET)のフィルムの未処理面に、密着処理層を以下の条件で形成した。
<Comparative Example 1>
An adhesion treatment layer was formed on the untreated surface of a polyethylene terephthalate (PET) film having a thickness of 12 μm under the following conditions.
処理ガス:アルゴン
圧力:5Pa
電源周波数:300kHz
投入電力:350W・sec/m2
ラインスピード:90m/min
接地電極の磁石:なし
dmin:45mm
Process gas: Argon pressure: 5Pa
Power supply frequency: 300 kHz
Input power: 350 W · sec / m 2
Line speed: 90m / min
Ground electrode magnet: None dmin: 45 mm
以上の条件で、密着処理を施した後、電子線加熱方式による真空蒸着により厚さ40nmの酸化珪素膜を積層して、ガスバリア性フィルムを作成した。 After the adhesion treatment was performed under the above conditions, a silicon oxide film having a thickness of 40 nm was laminated by vacuum vapor deposition using an electron beam heating method to prepare a gas barrier film.
<比較例2>
厚さ12μmのポリエチレンテレフタレート(PET)のフィルムの未処理面に、密着処理層を以下の条件で形成した。
<Comparative example 2>
An adhesion treatment layer was formed on the untreated surface of a polyethylene terephthalate (PET) film having a thickness of 12 μm under the following conditions.
処理ガス:アルゴン
圧力:5Pa
電源周波数:300kHz
投入電力:150W・sec/m2
ラインスピード:90m/min
接地電極の磁石:有り
dmin:45mm
Process gas: Argon pressure: 5Pa
Power supply frequency: 300 kHz
Input power: 150 W · sec / m 2
Line speed: 90m / min
Ground electrode magnet: Yes dmin: 45mm
以上の条件で、密着処理を施した後、電子線加熱方式による真空蒸着により厚さ40nmの酸化珪素膜を積層して、ガスバリア性フィルムを作成した。 After the adhesion treatment was performed under the above conditions, a silicon oxide film having a thickness of 40 nm was laminated by vacuum vapor deposition using an electron beam heating method to prepare a gas barrier film.
<比較例3>
厚さ12μmのポリエチレンテレフタレート(PET)のフィルムの未処理面に、密着処理層を以下の条件で形成した。
<Comparative Example 3>
An adhesion treatment layer was formed on the untreated surface of a polyethylene terephthalate (PET) film having a thickness of 12 μm under the following conditions.
処理ガス:酸素
圧力:5Pa
電源周波数:300kHz
投入電力:500W・sec/m2
ラインスピード:90m/min
接地電極の磁石:有り
dmin:45mm
Process gas: Oxygen pressure: 5Pa
Power supply frequency: 300 kHz
Input power: 500 W · sec / m 2
Line speed: 90m / min
Ground electrode magnet: Yes dmin: 45mm
以上の条件で、密着処理を施した後、電子線加熱方式による真空蒸着により厚さ40nmの酸化珪素膜を積層して、ガスバリア性フィルムを作成した。 After the adhesion treatment was performed under the above conditions, a silicon oxide film having a thickness of 40 nm was laminated by vacuum vapor deposition using an electron beam heating method to prepare a gas barrier film.
<比較例4>
厚さ12μmのポリエチレンテレフタレート(PET)のフィルムの未処理面に、密着処理を施さずに、直接、電子線加熱方式による真空蒸着により厚さ40nmの酸化珪素膜を積層して、ガスバリア性フィルムを作成した。
<Comparative example 4>
A gas barrier film is formed by laminating a silicon oxide film having a thickness of 40 nm directly on an untreated surface of a polyethylene terephthalate (PET) film having a thickness of 12 μm by vacuum evaporation using an electron beam heating method without performing an adhesion treatment. Created.
上記の実施例および比較例で作成したフィルム上に、下記に示すA液とB液を配合比(wt%)で6/4に混合した溶液を作成し、グラビアコート法により塗布乾燥し、厚さ0.4μmの保護層を形成した。
A液:テトラエトキシシラン10.4gに塩酸(0.1N)89.6gを加え、30分間撹拌し加水分解させた固形分3wt%(SiO2換算)の加水分解溶液とした。
B液:ポリビニルアルコールの3wt%水/イソプロピルアルコール溶液(水:イソプロピルアルコール重量比で90:10)とした。
On the films prepared in the above Examples and Comparative Examples, a solution in which A liquid and B liquid shown below were mixed to 6/4 at a blending ratio (wt%) was prepared, applied and dried by a gravure coating method, A protective layer having a thickness of 0.4 μm was formed.
Solution A: 89.6 g of hydrochloric acid (0.1N) was added to 10.4 g of tetraethoxysilane and stirred for 30 minutes to obtain a hydrolyzed solution having a solid content of 3 wt% (in terms of SiO 2 ).
Liquid B:
更に、二液硬化型ポリウレタン系接着剤を用いて、ドライラミネートにより、上記ガスバリア性フィルム/延伸ナイロン(15μm)/未延伸ポリプロピレン(70μm)の積層サンプルを作成した。 Furthermore, a laminate sample of the above gas barrier film / stretched nylon (15 μm) / unstretched polypropylene (70 μm) was prepared by dry lamination using a two-component curable polyurethane adhesive.
<評価1 ガスバリア性>
上記積層サンプルを、A4サイズに切り出し、水道水200ccを入れて、袋状に密閉して、121℃で30分間レトルト殺菌処理を実施した。レトルト処理後、24時間後およびレトルト処理をしなかった場合(レトルト処理前)のガスバリア性を水蒸気透過度測定装置(モダンコントロール社製、MOCON PERMATRAN 3/33 40℃90%RH雰囲気)を用いて、測定した。その結果を表1に示す。
<
The laminated sample was cut into A4 size, put 200 cc of tap water, sealed in a bag shape, and retort sterilized at 121 ° C. for 30 minutes. After the retort treatment, the gas barrier property after 24 hours and when the retort treatment was not performed (before the retort treatment) was measured using a water vapor permeability measuring device (Modern Control,
<評価2 密着性>
上記積層サンプルを、A4サイズに切り出し、水道水200ccを入れて、袋状に密閉して、121℃で30分間レトルト殺菌処理を実施した。レトルト処理後、2時間以内に、15mm幅に切断したサンプルのガスバリア性フィルムとナイロン間の180度剥離のラミネート強度を測定した。試験にはオリエンテック社製テンシロン万能試験機RTC−1250を用いた。また、剥離速度は、300mm/minとして、測定の際には測定部位を水で湿潤させながら行った。
<
The laminated sample was cut into A4 size, put 200 cc of tap water, sealed in a bag shape, and retort sterilized at 121 ° C. for 30 minutes. Within 2 hours after the retort treatment, the laminate strength of 180 degree peeling between the gas barrier film of the sample cut to a width of 15 mm and nylon was measured. A Tensilon universal testing machine RTC-1250 manufactured by Orientec was used for the test. The peeling rate was 300 mm / min, and the measurement was performed while the measurement site was wetted with water.
[表1]
[Table 1]
実施例1、2で作成したガスバリア性フィルムは、比較例と比べ、良好なバリア性能を示し、十分な密着性能を示した。 The gas barrier films prepared in Examples 1 and 2 showed good barrier performance and sufficient adhesion performance compared to the comparative example.
本発明によるガスバリア性フィルムの産業上の利用可能性は、食品や医薬品等の包装分野や太陽電池のバックシートに用いられるガスバリア性フィルムが考えられる。 Industrial applicability of the gas barrier film according to the present invention is considered to be a gas barrier film used in the packaging field of foods, pharmaceuticals, etc., and a back sheet of a solar cell.
100・・・プラスチックフィルム
101・・・密着処理層
102・・・ガスバリア層
103・・・保護層
1・・・金属ロール電極
2・・・接地電極
3・・・高周波電源
4・・・ガス導入管
5・・・磁石N極
6・・・磁石S極
7・・・真空チャンバ
8・・・巻出しロール
9・・・巻取りロール
10・・プラズマ処理室
11・・蒸着処理室
DESCRIPTION OF
Claims (12)
前記基材が走行する高周波印加電極である金属ロール電極と、
対向電極として、面内に、S・N極一対以上の磁石を設置した、円弧状あるいは多面状により前記金属ロール電極に沿った形状にて配置された接地電極とを備え、
両電極間を結ぶ最短距離をdminとした時、dmin≦50mmで設置したリアクティブイオンエッチング(RIE)処理装置を用い、
前記電極間に、窒素、ヘリウムおよびアルゴンから選択された1種類以上のガスを導入して、処理空間内の圧力を0.5Pa以上50Pa未満として、30kHz以上4MHz以下の高周波を印加し、ただし前記金属ロール電極に投入する電力(W)とプラズマ照射部分の面積(m2)の比から算出される電力密度(W/m2)と処理時間(sec)の積から求められる値をEpd値と定義した場合、Epd値が350W・sec/m2以上となるように高周波電圧を印加することで、前記電極間に高密度なプラズマを発生させて、前記金属ロール電極上を走行する前記基材表面に、前記表面処理層を形成する工程と、
前記表面処理層上に、ドライコーティング法により、酸化珪素(SiOx)からなるガスバリア層を形成する工程とを具備することを特徴とするガスバリア性フィルムの製造方法。 A method for producing a gas barrier film in which a surface treatment with a glow plasma and a gas barrier layer are formed in this order on a web-like substrate,
A metal roll electrode that is a high-frequency application electrode on which the substrate travels;
As a counter electrode, it is provided with a ground electrode arranged in a shape along the metal roll electrode in an arc shape or a multi-surface shape in which a pair of magnets of S / N poles are installed in a plane,
Using a reactive ion etching (RIE) processing apparatus installed at dmin ≦ 50 mm, where dmin is the shortest distance between the two electrodes,
One or more kinds of gases selected from nitrogen, helium and argon are introduced between the electrodes, the pressure in the processing space is set to 0.5 Pa or more and less than 50 Pa, and a high frequency of 30 kHz or more and 4 MHz or less is applied. The value obtained from the product of the power density (W / m 2 ) calculated from the ratio of the power (W) input to the metal roll electrode and the area (m 2 ) of the plasma irradiation portion and the processing time (sec) is the Epd value. When defined, the base material that travels on the metal roll electrode by generating a high-density plasma between the electrodes by applying a high-frequency voltage so that the Epd value is 350 W · sec / m 2 or more. Forming a surface treatment layer on the surface;
And a step of forming a gas barrier layer made of silicon oxide (SiOx) on the surface treatment layer by a dry coating method.
前記基材が走行する高周波印加電極である金属ロール電極と、
対向電極として、面内に、S・N極一対以上の磁石を設置した、円弧状あるいは多面状により前記金属ロール電極に沿った形状にて配置された接地電極とを備え、
両電極間を結ぶ最短距離をdminとした時、dmin≦50mmで設置したリアクティブイオンエッチング(RIE)処理装置を用い、
前記電極間に、窒素、ヘリウムおよびアルゴンから選択された1種類以上のガスを導入して、処理空間内の圧力を0.5Pa以上50Pa未満として、30kHz以上4MHz以下の高周波を印加し、ただし前記金属ロール電極に投入する電力(W)とプラズマ照射部分の面積(m2)の比から算出される電力密度(W/m2)と処理時間(sec)の積から求められる値をEpd値と定義した場合、Epd値が350W・sec/m2以上となるように高周波電圧を印加することで、前記電極間に高密度なプラズマを発生させて、前記金属ロール電極上を走行する前記基材表面に、前記表面処理層を形成する工程と、
このプラズマ表面処理層上に、ドライコーティング法により、酸化珪素(SiOx)からなるガスバリア層を形成する工程とを具備する製造方法により製造されてなるガスバリア性フィルム。 A method for producing a gas barrier film in which a surface treatment with a glow plasma and a gas barrier layer are formed in this order on a web-like substrate,
A metal roll electrode that is a high-frequency application electrode on which the substrate travels;
As a counter electrode, it is provided with a ground electrode arranged in a shape along the metal roll electrode in an arc shape or a multi-surface shape in which a pair of magnets of S / N poles are installed in a plane,
Using a reactive ion etching (RIE) processing apparatus installed at dmin ≦ 50 mm, where dmin is the shortest distance between the two electrodes,
One or more kinds of gases selected from nitrogen, helium and argon are introduced between the electrodes, the pressure in the processing space is set to 0.5 Pa or more and less than 50 Pa, and a high frequency of 30 kHz or more and 4 MHz or less is applied. The value obtained from the product of the power density (W / m 2 ) calculated from the ratio of the power (W) input to the metal roll electrode and the area (m 2 ) of the plasma irradiation portion and the processing time (sec) is the Epd value. When defined, the base material that travels on the metal roll electrode by generating a high-density plasma between the electrodes by applying a high-frequency voltage so that the Epd value is 350 W · sec / m 2 or more. Forming a surface treatment layer on the surface;
A gas barrier film produced by a production method comprising a step of forming a gas barrier layer made of silicon oxide (SiOx) on the plasma surface treatment layer by a dry coating method.
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