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JP2012160777A - Method for manufacturing package, piezoelectric vibrator, oscillator, electronic apparatus and radio-controlled timepiece - Google Patents

Method for manufacturing package, piezoelectric vibrator, oscillator, electronic apparatus and radio-controlled timepiece Download PDF

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JP2012160777A
JP2012160777A JP2011017048A JP2011017048A JP2012160777A JP 2012160777 A JP2012160777 A JP 2012160777A JP 2011017048 A JP2011017048 A JP 2011017048A JP 2011017048 A JP2011017048 A JP 2011017048A JP 2012160777 A JP2012160777 A JP 2012160777A
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JP
Japan
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base substrate
covering
package
piezoelectric vibrator
cover
Prior art date
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Application number
JP2011017048A
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Japanese (ja)
Inventor
Yoichi Funabiki
陽一 船曳
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Seiko Instruments Inc
Original Assignee
Seiko Instruments Inc
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To form through electrodes with a minimum fraction defective while suppressing warping, cracking or other incidents of a base substrate, and manufacture a package productively.SOLUTION: A method for manufacturing a package is provided in which a through electrode forming step includes the steps of: forming through holes 30, 31 through a base substrate 40; disposing core portions 7b of rivets 7 in the through holes and abutting head portions 7a to one surface 40b of the base substrate; releasably attaching a first cover 70 to the base substrate to temporarily fix the rivets; fixing a second cover 80 onto the first cover; filling gaps between the through holes and the core portions with a paste P; releasing the first cover from the base substrate via the second cover; and firing the paste to set it and then removing the head portions. In the fixing step, the second cover is fixed such that one end portion 80a protrudes outward beyond the base substrate, and in the release step, the one end portion is used as a release operation tab.

Description

本発明は、キャビティ内に電子部品を封止可能なパッケージの製造方法、このパッケージ内に電子部品として圧電振動片が封止された圧電振動子、該圧電振動子を有する発振器、電子機器及び電波時計に関するものである。   The present invention relates to a method for manufacturing a package capable of sealing an electronic component in a cavity, a piezoelectric vibrator having a piezoelectric vibrating piece sealed as an electronic component in the package, an oscillator having the piezoelectric vibrator, an electronic device, and a radio wave. It relates to watches.

従来から一対の基板を接合し、その基板間に形成されたキャビティ内に電子部品を封止することが可能な容器としてパッケージが知られている。そして、このパッケージ内に電子部品として圧電振動片が封止され、携帯電話や携帯情報端末の時刻源や制御信号等のタイミング源、リファレンス信号源等に用いられる製品として圧電振動子が知られている。
この種の圧電振動子は、様々なものが知られているが、その1つとして表面実装型(SMD:Surface Mount Device)の圧電振動子が知られている。
Conventionally, a package is known as a container capable of bonding a pair of substrates and sealing an electronic component in a cavity formed between the substrates. In addition, a piezoelectric vibrating piece is sealed as an electronic component in the package, and a piezoelectric vibrator is known as a product used for a time source of a mobile phone or a portable information terminal, a timing source such as a control signal, a reference signal source, Yes.
Various piezoelectric vibrators of this type are known, and one of them is a surface mount device (SMD: Surface Mount Device) piezoelectric vibrator.

表面実装型の圧電振動子としては、ベース基板とリッド基板とが直接接合され、両基板の間に形成されたキャビティ内に圧電振動片が封止された2層構造タイプのものが知られている。この2層構造タイプの圧電振動子は、薄型化を図ることができる等の点において優れており、好適に使用されている。そして、このタイプの圧電振動子として、ベース基板を貫通するように形成された貫通電極を利用して、圧電振動片とベース基板に形成された外部電極とを導通させたものが知られている(特許文献1参照)。   As a surface mount type piezoelectric vibrator, a two-layer structure type in which a base substrate and a lid substrate are directly bonded and a piezoelectric vibrating piece is sealed in a cavity formed between the two substrates is known. Yes. This two-layer structure type piezoelectric vibrator is excellent in that it can be thinned and is preferably used. As this type of piezoelectric vibrator, a piezoelectric vibrator is known in which a piezoelectric vibrating piece and an external electrode formed on the base substrate are electrically connected using a through electrode formed so as to penetrate the base substrate. (See Patent Document 1).

ところで、貫通電極を形成する方法としては、例えば貫通孔内に金属ピンを直接打ち込んで固定することにより形成する方法や、貫通孔内に金属ピンを配設した後、貫通孔内の残りの隙間にペーストを充填し、焼成によりペーストを硬化させ金属ピンを固定することにより形成する方法等が知られている。   By the way, as a method of forming the through electrode, for example, a method in which a metal pin is directly driven and fixed in the through hole, or after the metal pin is disposed in the through hole, the remaining gap in the through hole is formed. A method is known in which a paste is filled, the paste is cured by firing, and a metal pin is fixed.

特開2002−124845号公報JP 2002-124845 A

ところで、金属ピン及びペーストを利用して貫通電極を形成する場合、ペーストを充填する前に、貫通孔内に挿入した金属ピンが抜け落ちたりぐらついたりしないように、図24及び図25に示すようにウエハ200に剥離テープ201を貼付して、貫通孔202内に挿入した金属ピン203を仮固定する方法が採用されている。この剥離テープ201は、その後、貫通孔202内の残りの隙間にペースト204が充填され、この充填されたペースト204によって金属ピン203が保持された後に剥離される。   By the way, when forming a penetration electrode using a metal pin and a paste, as shown in FIG.24 and FIG.25 so that the metal pin inserted in the through-hole may not fall off and shake before filling the paste. A method is adopted in which the peeling tape 201 is attached to the wafer 200 and the metal pins 203 inserted into the through holes 202 are temporarily fixed. The peeling tape 201 is then peeled after the remaining gap in the through hole 202 is filled with the paste 204 and the metal pin 203 is held by the filled paste 204.

しかしながら、剥離テープ201はウエハ200に対して強固に貼付され易いので、ウエハ200から剥離する作業に手間がかかり易く、作業性が悪かった。特に、剥離テープ201を剥がす際の起点が作り難いので作業性が悪く、またその際にウエハ200に傷等がついてしまう恐れがあった。また、剥離テープ201を剥がす際、ウエハ200に応力が局所的に集中し易く、ウエハ200に反り等の不正変形や割れ等の不具合が発生し、不良品になり易かった。
なお、ウエハ200のサイズが大きいほど(例えば、直径8インチ程度)、上記不具合が発生し易くなってしまう。そのため、剥離テープ201を剥離する際、図24に示す点線に沿って剥離テープ201を一旦分割した後、各々を慎重に剥離する等していた。そのため、作業性がさらに悪くなり易かった。
However, since the peeling tape 201 is easily firmly attached to the wafer 200, the work for peeling from the wafer 200 is likely to take time and workability is poor. In particular, since it is difficult to make a starting point for peeling off the peeling tape 201, workability is poor, and there is a risk that the wafer 200 may be damaged. Further, when the peeling tape 201 is peeled off, stress tends to be concentrated locally on the wafer 200, and the wafer 200 is prone to malfunction such as warping or cracking, and easily becomes defective.
It should be noted that the larger the size of the wafer 200 (for example, about 8 inches in diameter), the more easily the above-described problem occurs. For this reason, when the release tape 201 is peeled off, the release tape 201 is once divided along the dotted line shown in FIG. For this reason, workability is likely to be further deteriorated.

本発明は、このような事情に考慮してなされたもので、その目的は、ベース基板に反りや割れ等が発生することを抑制しながら、不良発生を極力少なく貫通電極を形成することができ、生産性良くパッケージを製造することができるパッケージの製造方法を提供することである。
また、このパッケージを備えた圧電振動子、該圧電振動子を有する発振器、電子機器、電波時計を提供することである。
The present invention has been made in view of such circumstances, and its purpose is to form a through electrode with as few defects as possible while suppressing the occurrence of warping, cracking, etc. in the base substrate. Another object of the present invention is to provide a package manufacturing method capable of manufacturing a package with high productivity.
Another object is to provide a piezoelectric vibrator provided with this package, an oscillator having the piezoelectric vibrator, an electronic device, and a radio timepiece.

本発明は、前記課題を解決するために以下の手段を提供する。
(1)本発明に係るパッケージの製造方法は、互いに接合されたベース基板及びリッド基板と、両基板の間に形成された電子部品を封止可能なキャビティと、を備えたパッケージの製造方法であって、前記ベース基板を厚み方向に貫通し、前記電子部品と外部とを導通させる貫通電極を形成する貫通電極形成工程を備え、前記貫通電極形成工程が、前記ベース基板に貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、平板状の土台部と、該土台部の表面から法線方向に突設された芯材部と、を有する導電性の鋲体を前記貫通孔内に挿入して、芯材部を該貫通孔内に配設し且つ土台部を前記ベース基板の一方の面に当接させる鋲体挿入工程と、前記ベース基板の一方の面に前記土台部を覆うように第1被覆体を剥離自在に貼り付けて、前記鋲体を仮固定する仮固定工程と、前記第1被覆体に帯状の第2被覆体を重ねて固着させる固着工程と、前記ベース基板の他方の面側から、前記貫通孔と前記芯材部との隙間にペーストを充填する充填工程と、前記第2被覆体を介して前記第1被覆体を前記ベース基板の一方の面から引き剥がす剥離工程と、充填した前記ペーストを焼成して硬化させた後、前記土台部を除去する後工程と、を備え、前記固着工程の際、前記第2被覆体における長手方向の一端部が前記ベース基板よりも外方に突出するように該第2被覆体を前記第1被覆体に固着させ、前記剥離工程の際、第2被覆体の一端部を剥離操作片として利用することを特徴とする。
The present invention provides the following means in order to solve the above problems.
(1) A manufacturing method of a package according to the present invention is a manufacturing method of a package including a base substrate and a lid substrate bonded to each other, and a cavity capable of sealing an electronic component formed between both substrates. A through electrode forming step of forming a through electrode that penetrates the base substrate in a thickness direction and electrically connects the electronic component and the outside, and the through electrode forming step forms a through hole in the base substrate. A conductive casing having a through-hole forming step, a flat base portion, and a core portion protruding in the normal direction from the surface of the base portion is inserted into the through-hole, A housing inserting step of disposing a material portion in the through-hole and bringing the base portion into contact with one surface of the base substrate; and a first covering so as to cover the base portion on one surface of the base substrate Affix the body in a peelable manner and temporarily fix the housing The fixing step, the fixing step of stacking and fixing the belt-like second covering body on the first covering body, and filling the gap between the through hole and the core material portion from the other surface side of the base substrate A filling step, a peeling step of peeling the first covering body from one surface of the base substrate through the second covering body, and baking and hardening the filled paste, And a post-process for removing the first covering body, so that, in the fixing step, the second covering body protrudes outward from the base substrate in the longitudinal direction of the second covering body. The one end part of the second covering body is used as a peeling operation piece in the peeling step.

本発明によれば、貫通孔内に挿入された鋲体を第1被覆体によって仮固定しているので、貫通孔からの鋲体の抜け落ちを防止できると共に、鋲体のぐらつきを抑えた状態でペーストを充填することができる。そして、充填したペーストによる粘性によって鋲体が貫通孔内に固定された後、第2被覆体を介して鋲体を仮固定していた第1被覆体をベース基板の一方の面から引き剥がし、その後、充填したペーストを焼成により硬化させることで鋲体の芯材部と貫通孔とを一体化させた後、土台部を研磨加工等により除去する。これにより、貫通電極を形成することができる。
特に、ペーストの充填時に鋲体が仮固定されているので、芯材部の傾き等を抑制することができ高品質な貫通電極を形成することができる。
According to the present invention, since the housing inserted into the through hole is temporarily fixed by the first covering body, the housing can be prevented from falling off from the through hole, and the wobbling of the housing can be suppressed. The paste can be filled. Then, after the housing is fixed in the through hole by the viscosity of the filled paste, the first covering body temporarily fixing the housing through the second covering body is peeled off from one surface of the base substrate, Thereafter, the filled paste is cured by baking to integrate the core part of the casing and the through hole, and then the base part is removed by polishing or the like. Thereby, a penetration electrode can be formed.
In particular, since the casing is temporarily fixed when the paste is filled, the inclination of the core portion can be suppressed and a high quality through electrode can be formed.

ところで、第1被覆体をベース基板の一方の面から剥離させる際、第2被覆体の一端部がベース基板及び第1被覆体よりも外方に突出しているので、容易に摘んだり把持したりすることができ、この一端部を剥離操作片として利用できる。そのため、ベース基板に傷等を付けることなく引き剥がしの起点を容易に作ることができると共に、第2被覆体を介して第1被覆体の剥離作業をスムーズに効率良く行うことができる。   By the way, when the first cover is peeled from one surface of the base substrate, one end of the second cover protrudes outward from the base substrate and the first cover. This one end can be used as a stripping operation piece. Therefore, the starting point of peeling can be easily made without damaging the base substrate, and the first cover can be peeled smoothly and efficiently through the second cover.

また、上記一端部側から第2被覆体を捲り上げることで、第2被覆体に固着されている第1被覆体を該第2被覆体の動きに追従させることができ、それにより第1被覆体をベース基板の一方の面から徐々に引き剥がすことができる。この際、第2被覆体は所定の横幅を有する帯状に形成されているので、第1被覆体のうち第2被覆体に重なっている部分が第2被覆体の捲りに伴って上記一端部側から同時に引き剥がれ始める。つまり、第1被覆体は、一点から徐々に範囲が広がるように引き剥がれるのではなく、第2被覆体の横幅に相当する長さが最初から同持に引き剥がれる。   Also, by rolling up the second covering from the one end side, the first covering fixed to the second covering can follow the movement of the second covering, thereby the first covering The body can be gradually peeled off from one side of the base substrate. At this time, since the second covering is formed in a band shape having a predetermined lateral width, the portion of the first covering that overlaps the second covering is on the one end side as the second covering is turned. At the same time begins to peel off. That is, the first covering is not peeled off so that the range gradually increases from one point, but the length corresponding to the lateral width of the second covering is peeled off from the beginning.

従って、ベース基板に作用する応力を局所的に集中させることなく分散することができ、ベース基板に反りや割れ等が発生することを抑制することができる。従って、不良発生を極力少なく貫通電極を形成することができ、生産性良くパッケージを製造できる。   Therefore, the stress acting on the base substrate can be dispersed without locally concentrating, and the occurrence of warping, cracking, or the like in the base substrate can be suppressed. Therefore, the through electrode can be formed with as few defects as possible, and the package can be manufactured with high productivity.

(2)上記本発明に係るパッケージの製造方法において、前記剥離工程の際、前記第2被覆体と前記ベース基板の一方の面とのなす角度を30°±10°の角度に維持した状態で、該第2被覆体を介して前記第1被覆体を前記ベース基板から引き剥がしても良い。 (2) In the method for manufacturing a package according to the present invention, in the peeling step, the angle formed by the second covering body and one surface of the base substrate is maintained at an angle of 30 ° ± 10 °. The first covering body may be peeled off from the base substrate through the second covering body.

この場合には、第2被覆体とベース基板の一方の面とのなす角度を30°±10°の角度に維持するので、第2被覆体を介して第1被覆体をベース基板の一方の面から離間する方向に持ち上げながら引き剥がしを同時に行うことができる。そのため、僅かな力でよりスムーズに第1被覆体の剥離作業を行うことができると共に、ベース基板に応力が作用し難くなり、反りや割れ等の発生を効果的に抑制することができる。   In this case, since the angle formed by the second cover and one surface of the base substrate is maintained at an angle of 30 ° ± 10 °, the first cover is attached to one of the base substrates via the second cover. Peeling can be performed simultaneously while lifting away from the surface. Therefore, the first cover can be peeled off more smoothly with a slight force, and stress is less likely to act on the base substrate, and the occurrence of warpage, cracking, and the like can be effectively suppressed.

なお、第2被覆体とベース基板の一方の面とのなす角度が上記角度範囲よりも小さい場合には、第1被覆体をベース基板の一方の面から離間する方向に持ち上げる力が弱くなってしまうため、スムーズな剥離を行えないものと考えられる。一方、これとは逆に上記角度範囲よりも大きい場合には、第1被覆体をベース基板の一方の面から離間する方向に持ち上げる力が強すぎてしまうため、スムーズな剥離を行えないばかりか、ベース基板に反り等が発生し易くなってしまうものと考えられる。   When the angle formed between the second cover and one surface of the base substrate is smaller than the above angle range, the force to lift the first cover in the direction away from the one surface of the base substrate becomes weak. Therefore, it is considered that smooth peeling cannot be performed. On the other hand, when the angle range is larger than the above range, the force to lift the first covering body away from one surface of the base substrate is too strong, so that not only smooth peeling can be performed. It is considered that the base substrate is likely to be warped.

(3)上記本発明に係るパッケージの製造方法において、前記第2被覆体が、横幅が40mm以上とされていても良い。 (3) In the package manufacturing method according to the present invention, the second cover may have a lateral width of 40 mm or more.

この場合には、第2被覆体が横幅40mm以上の幅広の帯状に形成されているので、第1被覆体に対する固着領域を大きく確保でき、剥離工程の際に第1被覆体をより広範囲に亘ってベース基板の一方の面から同時に引き剥がすことができる。従って、ベース基板に作用する応力をより広範囲に亘って分散することができ、ベース基板に反りや割れ等が発生することをさらに効果的に抑制することができる。   In this case, since the second covering body is formed in a wide band shape having a width of 40 mm or more, a large fixing area for the first covering body can be secured, and the first covering body can be spread over a wider range during the peeling process. Can be peeled off simultaneously from one surface of the base substrate. Therefore, the stress acting on the base substrate can be distributed over a wider range, and the occurrence of warping, cracking, or the like in the base substrate can be further effectively suppressed.

(4)本発明に係る圧電振動子は、上記本発明に係るパッケージの製造方法により製造されたパッケージと、該パッケージの前記キャビティ内に封止された圧電振動片と、を備えていることを特徴とする。 (4) A piezoelectric vibrator according to the present invention includes a package manufactured by the method for manufacturing a package according to the present invention, and a piezoelectric vibrating piece sealed in the cavity of the package. Features.

本発明に係る圧電振動子によれば、上述したパッケージを備えているので、歩留まり良く且つ効率良く製造されて低コスト化されているうえ、高品質な貫通電極を具備する圧電振動子とすることができる。   According to the piezoelectric vibrator according to the present invention, since the above-described package is provided, the piezoelectric vibrator is manufactured with high yield and efficiency and reduced in cost, and has a high-quality through electrode. Can do.

(5)本発明に係る発振器は、上記本発明の圧電振動子が、発振子として集積回路に電気的に接続されていることを特徴とする発振器。
(6)本発明に係る電子機器は、上記本発明の圧電振動子が、計時部に電気的に接続されていることを特徴とする。
(7)本発明に係る電波時計は、上記本発明の圧電振動子が、フィルタ部に電気的に接続されていることを特徴とする。
(5) An oscillator according to the present invention is characterized in that the piezoelectric vibrator of the present invention is electrically connected to an integrated circuit as an oscillator.
(6) An electronic apparatus according to the present invention is characterized in that the piezoelectric vibrator of the present invention is electrically connected to a time measuring unit.
(7) A radio-controlled timepiece according to the present invention is characterized in that the piezoelectric vibrator of the present invention is electrically connected to a filter portion.

本発明に係る発振器、電子機器及び電波時計によれば、高品質化及び低コスト化された圧電振動子を備えているので、同様に高品質化及び低コスト化を図ることができる。   According to the oscillator, the electronic device, and the radio timepiece according to the present invention, since the high-quality and low-cost piezoelectric vibrator is provided, high quality and low cost can be achieved in the same manner.

本発明によれば、ベース基板に反りや割れ等が発生することを抑制しながら、不良発生を極力少なく貫通電極を形成することができ、生産性良くパッケージを製造することができる。   According to the present invention, it is possible to form a through electrode with as few defects as possible while suppressing the occurrence of warping, cracking, or the like in the base substrate, and it is possible to manufacture a package with high productivity.

本発明に係る圧電振動子の一実施形態を示す外観斜視図である。1 is an external perspective view showing an embodiment of a piezoelectric vibrator according to the present invention. 図1に示す圧電振動子の内部構成図であって、リッド基板を取り外した状態で圧電振動片を上方から見た図である。FIG. 2 is an internal configuration diagram of the piezoelectric vibrator shown in FIG. 1, and is a view of a piezoelectric vibrating piece viewed from above with a lid substrate removed. 図2に示すA−A線に沿った圧電振動子の断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view of the piezoelectric vibrator taken along line AA shown in FIG. 2. 図1に示す圧電振動子の分解斜視図である。FIG. 2 is an exploded perspective view of the piezoelectric vibrator shown in FIG. 1. 図1に示す圧電振動子を構成する圧電振動片の上面図である。FIG. 2 is a top view of a piezoelectric vibrating piece constituting the piezoelectric vibrator shown in FIG. 1. 図5に示す圧電振動片の下面図である。FIG. 6 is a bottom view of the piezoelectric vibrating piece shown in FIG. 5. 図5に示すB−B線に沿った断面図である。It is sectional drawing along the BB line shown in FIG. 図1に示す圧電振動子を製造する際の流れを示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the flow at the time of manufacturing the piezoelectric vibrator shown in FIG. 圧電振動子を製造する際の一工程を示す図であって、リッド基板の元となるリッド基板用ウエハに複数の凹部を形成した状態を示す図である。It is a figure which shows one process at the time of manufacturing a piezoelectric vibrator, Comprising: It is a figure which shows the state which formed the several recessed part in the wafer for lid substrates used as the origin of a lid substrate. 圧電振動子を製造する際の一工程を示す図であって、ベース基板の元となるベース基板用ウエハに一対のスルーホールを形成した状態を示す図である。It is a figure which shows one process at the time of manufacturing a piezoelectric vibrator, Comprising: It is a figure which shows the state which formed a pair of through-hole in the wafer for base substrates used as the origin of a base substrate. 図10に示す状態をベース基板用ウエハの断面で見た図である。It is the figure which looked at the state shown in FIG. 10 in the cross section of the wafer for base substrates. 図11に示す状態の後、鋲体をスルーホール内に挿入した状態を示す図である。It is a figure which shows the state which inserted the housing in the through hole after the state shown in FIG. 図12に示す状態の後、ベース基板用ウエハの上面に第1被覆体を剥離自在に貼付した後、第1被覆体上に第2被覆体を固着させた状態を示す図である。FIG. 13 is a diagram showing a state in which, after the state shown in FIG. 12, the first cover is detachably attached to the upper surface of the base substrate wafer, and then the second cover is fixed on the first cover. 図13に示すC−C線に沿った断面図である。It is sectional drawing along CC line shown in FIG. 図13に示す状態の後、鋲体の芯材部とスルーホールとの間にペーストを充填させた状態を示す図である。It is a figure which shows the state which was filled with the paste between the core material part of a housing and a through hole after the state shown in FIG. 図15に示す状態の後、第2被覆体を介して第1被覆体を剥離している状態を示す図である。It is a figure which shows the state which has peeled the 1st coating body through the 2nd coating body after the state shown in FIG. 図16に示す状態の後、スルーホール内に充填されたペーストを焼成してスルーホールと芯材部とを一体的に固着させた状態を示す図である。FIG. 17 is a view showing a state in which, after the state shown in FIG. 16, the paste filled in the through hole is baked to integrally fix the through hole and the core member. 図17に示す状態の後、ベース基板用ウエハの下面側を研磨して鋲体の土台部を除去した状態を示す図である。FIG. 18 is a diagram showing a state in which the base portion of the housing is removed by polishing the lower surface side of the base substrate wafer after the state shown in FIG. 17. 図18に示す状態の後、ベース基板用ウエハの上面に接合膜及び引き回し電極をパターニングした状態を示す図である。FIG. 19 is a diagram illustrating a state in which a bonding film and a routing electrode are patterned on the upper surface of the base substrate wafer after the state illustrated in FIG. 18. 圧電振動片をキャビティ内に収容した状態でベース基板用ウエハとリッド基板用ウエハとが陽極接合されたウエハ体の分解斜視図である。FIG. 3 is an exploded perspective view of a wafer body in which a base substrate wafer and a lid substrate wafer are anodically bonded in a state where a piezoelectric vibrating piece is accommodated in a cavity. 本発明に係る発振器の一実施形態を示す構成図である。It is a block diagram which shows one Embodiment of the oscillator which concerns on this invention. 本発明に係る電子機器の一実施形態を示す構成図である。It is a block diagram which shows one Embodiment of the electronic device which concerns on this invention. 本発明に係る電波時計の一実施形態を示す構成図である。It is a block diagram which shows one Embodiment of the radio timepiece which concerns on this invention. 従来の金属ピンの仮固定方法を説明する図であって、貫通孔内に金属ピンが挿入されたウエハに剥離シートを貼付した状態を示す平面図である。It is a figure explaining the conventional temporary fixing method of a metal pin, Comprising: It is a top view which shows the state which affixed the peeling sheet to the wafer by which the metal pin was inserted in the through-hole. 図24に示すウエハの一部断面図である。FIG. 25 is a partial cross-sectional view of the wafer shown in FIG. 24.

以下、本発明に係る一実施形態について、図面を参照して説明する。
(圧電振動子)
本実施形態の圧電振動子1は、図1から図4に示すように、ベース基板2とリッド基板3とが接合膜35を介して陽極接合されたパッケージ9と、このパッケージ9内のキャビティC内に封止された圧電振動片(電子部品)4と、を備えた表面実装型の圧電振動子である。
なお、図4においては、図面を見易くするために後述する励振電極15、引き出し電極19、20、マウント電極16、17及び重り金属膜21の図示を省略している。
Hereinafter, an embodiment according to the present invention will be described with reference to the drawings.
(Piezoelectric vibrator)
As shown in FIGS. 1 to 4, the piezoelectric vibrator 1 of this embodiment includes a package 9 in which a base substrate 2 and a lid substrate 3 are anodically bonded via a bonding film 35, and a cavity C in the package 9. A surface-mounted piezoelectric vibrator having a piezoelectric vibrating piece (electronic component) 4 sealed inside.
In FIG. 4, the excitation electrode 15, the extraction electrodes 19 and 20, the mount electrodes 16 and 17, and the weight metal film 21, which will be described later, are omitted for easy understanding of the drawing.

(圧電振動片)
はじめに、圧電振動片4について詳細に説明する。
本実施形態の圧電振動片4は、図5から図7に示すように、水晶、タンタル酸リチウムやニオブ酸リチウム等の圧電材料から形成された音叉型の振動片であり、所定の電圧が印加されたときに振動するものである。
この圧電振動片4は、平行に配置された一対の振動腕部10、11と、該一対の振動腕部10、11の基端側を一体的に固定する基部12と、一対の振動腕部10、11の両主面上に形成された溝部18と、を備えている。この溝部18は、振動腕部10、11の長手方向に沿って、該振動腕部10、11の基端側から略中間付近まで形成されている。
(Piezoelectric vibrating piece)
First, the piezoelectric vibrating piece 4 will be described in detail.
As shown in FIGS. 5 to 7, the piezoelectric vibrating piece 4 of the present embodiment is a tuning fork type vibrating piece formed of a piezoelectric material such as crystal, lithium tantalate, or lithium niobate, and is applied with a predetermined voltage. It will vibrate when pressed.
The piezoelectric vibrating reed 4 includes a pair of vibrating arm portions 10 and 11 arranged in parallel, a base portion 12 that integrally fixes the base end sides of the pair of vibrating arm portions 10 and 11, and a pair of vibrating arm portions. Groove portions 18 formed on both main surfaces 10 and 11. The groove 18 is formed along the longitudinal direction of the vibrating arms 10 and 11 from the base end side of the vibrating arms 10 and 11 to the vicinity of the middle.

また、圧電振動片4は、一対の振動腕部10、11の外表面上に形成されて一対の振動腕部10、11を振動させる第1の励振電極13と第2の励振電極14とからなる励振電極15と、第1の励振電極13及び第2の励振電極14に電気的に接続されたマウント電極16、17とを有している。   The piezoelectric vibrating reed 4 is formed of a first excitation electrode 13 and a second excitation electrode 14 that are formed on the outer surfaces of the pair of vibrating arm portions 10 and 11 and vibrate the pair of vibrating arm portions 10 and 11. And the mount electrodes 16 and 17 electrically connected to the first excitation electrode 13 and the second excitation electrode 14.

励振電極15は、一対の振動腕部10、11を互いに接近又は離間する方向に所定の共振周波数で振動させる電極である。そして、この励振電極15を構成する第1の励振電極13及び第2の励振電極14は、一対の振動腕部10、11の外表面に、それぞれ電気的に切り離された状態でパターニングされて形成されている。具体的には、図7に示すように、第1の励振電極13が、一方の振動腕部10の溝部18上と、他方の振動腕部11の両側面上とに主に形成され、第2の励振電極14が、一方の振動腕部10の両側面上と他方の振動腕部11の溝部18上とに主に形成されている。   The excitation electrode 15 is an electrode that vibrates the pair of vibrating arm portions 10 and 11 at a predetermined resonance frequency in a direction toward or away from each other. Then, the first excitation electrode 13 and the second excitation electrode 14 constituting the excitation electrode 15 are formed by patterning on the outer surfaces of the pair of vibrating arm portions 10 and 11 in a state of being electrically separated from each other. Has been. Specifically, as shown in FIG. 7, the first excitation electrode 13 is mainly formed on the groove portion 18 of one vibration arm portion 10 and on both side surfaces of the other vibration arm portion 11. Two excitation electrodes 14 are mainly formed on both side surfaces of one vibrating arm portion 10 and on a groove portion 18 of the other vibrating arm portion 11.

また、第1の励振電極13及び第2の励振電極14は、図5及び図6に示すように、基部12の両主面上において、それぞれ引き出し電極19、20を介してマウント電極16、17に電気的に接続されている。そして圧電振動片4は、このマウント電極16、17を介して電圧が印加されるようになっている。
なお、上述した励振電極15、マウント電極16、17及び引き出し電極19、20は、例えば、クロム(Cr)、ニッケル(Ni)、アルミニウム(Al)やチタン(Ti)等の導電性膜の被膜により形成されたものである。
Further, as shown in FIGS. 5 and 6, the first excitation electrode 13 and the second excitation electrode 14 are mounted on the main surfaces of the base portion 12 via the extraction electrodes 19 and 20, respectively, on the main electrodes 12 and 17. Is electrically connected. A voltage is applied to the piezoelectric vibrating reed 4 via the mount electrodes 16 and 17.
The excitation electrode 15, the mount electrodes 16 and 17, and the extraction electrodes 19 and 20 described above are made of a conductive film such as chromium (Cr), nickel (Ni), aluminum (Al), or titanium (Ti). It is formed.

また、一対の振動腕部10、11の先端には、自身の振動状態を所定の周波数の範囲内で振動するように調整(周波数調整)を行うための重り金属膜21が被膜されている。
この重り金属膜21は、周波数を粗く調整する際に使用される粗調膜21aと、微小に調整する際に使用される微調膜21bとに分かれている。これら粗調膜21a及び微調膜21bを利用して周波数調整を行うことで、一対の振動腕部10、11の周波数をデバイスの公称周波数の範囲内に収めることができる。
A weight metal film 21 for adjusting (frequency adjustment) to vibrate its own vibration state within a predetermined frequency range is coated on the tips of the pair of vibrating arm portions 10 and 11.
The weight metal film 21 is divided into a coarse adjustment film 21a used when the frequency is roughly adjusted and a fine adjustment film 21b used when the frequency is finely adjusted. By adjusting the frequency using the coarse adjustment film 21a and the fine adjustment film 21b, the frequency of the pair of vibrating arm portions 10 and 11 can be kept within the range of the nominal frequency of the device.

(パッケージ)
次に、パッケージ9について詳細に説明する。
図1、図3及び図4に示すように、リッド基板3は、ガラス材料、例えばソーダ石灰ガラスからなる陽極接合可能な透明の基板であり、略板状に形成されている。そして、ベース基板2が接合される接合面側には、圧電振動片4が収まる矩形状の凹部3aが形成されている。この凹部3aは、両基板2、3が重ね合わされたときに、圧電振動片4を収容するキャビティCとなるキャビティ用の凹部である。そして、リッド基板3は、この凹部3aをベース基板2側に対向させた状態で該ベース基板2に対して陽極接合されている。
(package)
Next, the package 9 will be described in detail.
As shown in FIGS. 1, 3 and 4, the lid substrate 3 is a transparent substrate made of a glass material, for example, soda-lime glass, which can be anodically bonded, and is formed in a substantially plate shape. A rectangular recess 3 a in which the piezoelectric vibrating reed 4 is accommodated is formed on the bonding surface side to which the base substrate 2 is bonded. The recess 3 a is a cavity recess that serves as a cavity C that accommodates the piezoelectric vibrating reed 4 when the substrates 2 and 3 are overlapped. The lid substrate 3 is anodically bonded to the base substrate 2 with the recess 3a facing the base substrate 2 side.

ベース基板2は、リッド基板3と同様にガラス材料、例えばソーダ石灰ガラスからなる基板であり、図1から図4に示すように、リッド基板3に対して重ね合わせ可能な大きさで略板状に形成されている。
このベース基板2には、該ベース基板2を貫通する一対のスルーホール(貫通孔)30、31と、一対の貫通電極32、33と、が形成されている。
The base substrate 2 is a substrate made of a glass material, for example, soda-lime glass, like the lid substrate 3, and has a substantially plate shape with a size that can be superimposed on the lid substrate 3 as shown in FIGS. 1 to 4. Is formed.
In the base substrate 2, a pair of through holes (through holes) 30 and 31 that penetrate the base substrate 2 and a pair of through electrodes 32 and 33 are formed.

一対のスルーホール30、31は、キャビティC内に収まるように形成されている。より詳しく説明すると、マウントされた圧電振動片4の基部12側に一方のスルーホール30が位置し、振動腕部10、11の先端側に他方のスルーホール31が位置するように形成されている。
なお、本実施形態では、ベース基板2の上面(他方の面)から下面(一方の面)に向かって漸次径が縮径するテーパー状のスルーホール30、31を例に挙げて説明するが、この場合に限られず、ベース基板2を真っ直ぐに貫通するように形成しても構わない。いずれにしても、ベース基板2を貫通していれば良い。
The pair of through holes 30 and 31 are formed so as to be accommodated in the cavity C. More specifically, one through hole 30 is positioned on the base 12 side of the mounted piezoelectric vibrating reed 4, and the other through hole 31 is positioned on the distal end side of the vibrating arm portions 10 and 11. .
In the present embodiment, the taper-shaped through holes 30 and 31 whose diameter gradually decreases from the upper surface (the other surface) to the lower surface (the one surface) of the base substrate 2 will be described as an example. In this case, the base substrate 2 may be formed so as to penetrate straight. In any case, it only has to penetrate the base substrate 2.

一対の貫通電極32、33は、一対のスルーホール30、31をそれぞれ埋めるように形成されている。これら貫通電極32、33は、芯材部7bと、硬化したペーストPとによって形成されたものであり、キャビティC内の気密を維持していると共に後述する外部電極38、39と引き回し電極36、37とを導通させる役割を担っている。
芯材部7bは、円柱状に形成された導電性の芯材であり、製造段階で後述する鋲体7の土台部7aから切り離された部材である。そして、この芯材部7bは、スルーホール30、31の中心に配置されており、硬化したペーストPによってスルーホール30、31に対して強固に固着されている。
The pair of through electrodes 32 and 33 are formed so as to fill the pair of through holes 30 and 31, respectively. These through-electrodes 32 and 33 are formed by the core material portion 7b and the hardened paste P, maintain airtightness in the cavity C, and have external electrodes 38 and 39, which will be described later, and routing electrodes 36, 37 is connected to conduct.
The core part 7b is a conductive core material formed in a columnar shape, and is a member cut off from a base part 7a of the casing 7 described later in the manufacturing stage. The core portion 7 b is disposed at the center of the through holes 30 and 31 and is firmly fixed to the through holes 30 and 31 by the hardened paste P.

ベース基板2の上面側(リッド基板3が接合される接合面側)には、導電性材料(例えば、アルミニウム)により、陽極接合用の接合膜35と、一対の引き回し電極36、37とがパターニングされている。このうち接合膜35は、リッド基板3に形成された凹部3aの周囲を囲むようにベース基板2の周縁に沿って形成されている。   On the upper surface side of the base substrate 2 (the bonding surface side to which the lid substrate 3 is bonded), a bonding film 35 for anodic bonding and a pair of lead-out electrodes 36 and 37 are patterned by a conductive material (for example, aluminum). Has been. Among these, the bonding film 35 is formed along the periphery of the base substrate 2 so as to surround the periphery of the recess 3 a formed in the lid substrate 3.

一対の引き回し電極36、37は、一対の貫通電極32、33のうち、一方の貫通電極32と圧電振動片4の一方のマウント電極16とを電気的に接続すると共に、他方の貫通電極33と圧電振動片4の他方のマウント電極17とを電気的に接続するようにパターニングされている。
より詳しく説明すると、図2及び図4に示すように、一方の引き回し電極36は、圧電振動片4の基部12の真下に位置するように一方の貫通電極32の真上に形成されている。また、他方の引き回し電極37は、一方の引き回し電極36に隣接した位置から、振動腕部10、11に沿って該振動腕部10、11の先端側に引き回しされた後、他方の貫通電極33の真上に位置するように形成されている。
The pair of lead electrodes 36 and 37 electrically connect one of the pair of through electrodes 32 and 33 to the one mount electrode 16 of the piezoelectric vibrating reed 4 and the other through electrode 33. The piezoelectric vibrating piece 4 is patterned so as to be electrically connected to the other mount electrode 17.
More specifically, as shown in FIGS. 2 and 4, the one lead-out electrode 36 is formed right above the one through electrode 32 so as to be positioned directly below the base 12 of the piezoelectric vibrating piece 4. The other routing electrode 37 is routed from the position adjacent to the one routing electrode 36 along the vibrating arm portions 10 and 11 to the distal end side of the vibrating arm portions 10 and 11, and then the other through electrode 33. It is formed so that it may be located just above.

そして、これら一対の引き回し電極36、37上にバンプBが形成されており、該バンプBを利用して圧電振動片4の一対のマウント電極16、17がマウントされている。これにより、圧電振動片4の一方のマウント電極16が、一方の引き回し電極36を介して一方の貫通電極32に導通し、他方のマウント電極17が、他方の引き回し電極37を介して他方の貫通電極33に導通するようになっている。
なお、圧電振動片4は、ベース基板2の上面から浮いた状態で支持されている。
A bump B is formed on the pair of lead-out electrodes 36 and 37, and the pair of mount electrodes 16 and 17 of the piezoelectric vibrating reed 4 are mounted using the bump B. Thereby, one mount electrode 16 of the piezoelectric vibrating reed 4 is electrically connected to one through electrode 32 through one routing electrode 36, and the other mount electrode 17 is passed through the other routing electrode 37 to the other penetration electrode. The electrode 33 is electrically connected.
The piezoelectric vibrating reed 4 is supported in a state of floating from the upper surface of the base substrate 2.

また、ベース基板2の下面には、図1、図3及び図4に示すように、一対の貫通電極32、33に対してそれぞれ電気的に接続される外部電極38、39が形成されている。つまり、一方の外部電極38は、一方の貫通電極32及び一方の引き回し電極36を介して圧電振動片4の第1の励振電極13に電気的に接続されている。また、他方の外部電極39は、他方の貫通電極33及び他方の引き回し電極37を介して、圧電振動片4の第2の励振電極14に電気的に接続されている。   Further, as shown in FIGS. 1, 3, and 4, external electrodes 38 and 39 that are electrically connected to the pair of through electrodes 32 and 33 are formed on the lower surface of the base substrate 2. . That is, one external electrode 38 is electrically connected to the first excitation electrode 13 of the piezoelectric vibrating reed 4 via one through electrode 32 and one routing electrode 36. The other external electrode 39 is electrically connected to the second excitation electrode 14 of the piezoelectric vibrating reed 4 via the other through electrode 33 and the other routing electrode 37.

(圧電振動子の作動)
このように構成された圧電振動子1を作動させる場合には、ベース基板2に形成された外部電極38、39に対して、所定の駆動電圧を印加する。これにより、圧電振動片4の第1の励振電極13及び第2の励振電極14からなる励振電極15に電圧を印加することができ、一対の振動腕部10、11を接近・離間させる方向に所定の周波数で振動させることができる。そして、この一対の振動腕部10、11の振動を利用して、時刻源、制御信号のタイミング源やリファレンス信号源等として利用することができる。
(Operation of piezoelectric vibrator)
When the piezoelectric vibrator 1 configured as described above is operated, a predetermined drive voltage is applied to the external electrodes 38 and 39 formed on the base substrate 2. As a result, a voltage can be applied to the excitation electrode 15 including the first excitation electrode 13 and the second excitation electrode 14 of the piezoelectric vibrating reed 4, and the pair of vibrating arm portions 10 and 11 can be moved closer to and away from each other. It can be vibrated at a predetermined frequency. The vibration of the pair of vibrating arm portions 10 and 11 can be used as a time source, a control signal timing source, a reference signal source, and the like.

(圧電振動子及びパッケージの製造)
次に、上述した圧電振動子1の製造方法を、図8に示すフローチャートを参照しながら説明する。
なお、本実施形態では、ベース基板用ウエハ40とリッド基板用ウエハ50とを利用して、圧電振動子1を一度に複数製造する場合を例に挙げて説明すると共に、同時にパッケージ9の製造方法についても説明する。
(Manufacture of piezoelectric vibrators and packages)
Next, a method for manufacturing the piezoelectric vibrator 1 described above will be described with reference to a flowchart shown in FIG.
In the present embodiment, a case where a plurality of piezoelectric vibrators 1 are manufactured at a time using the base substrate wafer 40 and the lid substrate wafer 50 will be described as an example, and a method for manufacturing the package 9 at the same time. Is also explained.

初めに、圧電振動片作製工程(S10)を行って図5から図7に示す圧電振動片4を作製する。具体的には、まず水晶のランバート原石を所定の角度でスライスして一定の厚みのウエハとする。続いて、このウエハをラッピングして粗加工した後、加工変質層をエッチングで取り除き、その後ポリッシュ等の鏡面研磨加工を行って、所定の厚みのウエハとする。続いて、ウエハに洗浄等の適切な処理を施した後、該ウエハをフォトリソグラフィ技術によって圧電振動片4の外形形状でパターニングすると共に、金属膜の成膜及びパターニングを行って、励振電極15、引き出し電極19、20、マウント電極16、17、重り金属膜21を形成する。これにより、複数の圧電振動片4を作製することができる。   First, the piezoelectric vibrating reed manufacturing step (S10) is performed to manufacture the piezoelectric vibrating reed 4 shown in FIGS. Specifically, a quartz Lambert rough is first sliced at a predetermined angle to obtain a wafer having a constant thickness. Subsequently, the wafer is lapped and roughly processed, and then the work-affected layer is removed by etching, and then mirror polishing such as polishing is performed to obtain a wafer having a predetermined thickness. Subsequently, after performing an appropriate process such as cleaning on the wafer, the wafer is patterned with the outer shape of the piezoelectric vibrating reed 4 by photolithography, and a metal film is formed and patterned to obtain the excitation electrode 15, Lead electrodes 19 and 20, mount electrodes 16 and 17, and weight metal film 21 are formed. Thereby, the some piezoelectric vibrating piece 4 is producible.

また、圧電振動片4を作製した後、共振周波数の粗調を行っておく。これは、重り金属膜21の粗調膜21aにレーザ光を照射して一部を蒸発させ、振動腕部10、11の重量を変化させることで行う。なお、共振周波数をより高精度に調整する微調に関しては、マウント後に行う。これについては、後に説明する。   Further, after the piezoelectric vibrating reed 4 is manufactured, the resonance frequency is coarsely adjusted. This is performed by irradiating the coarse adjustment film 21 a of the weight metal film 21 with laser light to evaporate a part thereof and changing the weight of the vibrating arm portions 10 and 11. Note that fine adjustment for adjusting the resonance frequency with higher accuracy is performed after mounting. This will be described later.

次に、後にリッド基板3となるリッド基板用ウエハ50を、陽極接合を行う直前の状態まで作製するリッド基板用ウエハ作製工程を行う(S20)。まず、ソーダ石灰ガラスを所定の厚さまで研磨加工して洗浄した後に、図9に示すように、エッチング等により最表面の加工変質層を除去した円板状のリッド基板用ウエハ50を形成する(S21)。次いで、リッド基板用ウエハ50の接合面に、加熱プレス成形やエッチング等により行列方向にキャビティ用の凹部3aを複数形成する凹部形成工程を行う(S22)。この時点で、リッド基板用ウエハ作製工程(S20)が終了する。   Next, a lid substrate wafer manufacturing process is performed in which the lid substrate wafer 50 to be the lid substrate 3 later is manufactured up to the state immediately before anodic bonding (S20). First, after polishing and cleaning soda-lime glass to a predetermined thickness, as shown in FIG. 9, a disk-shaped lid substrate wafer 50 is formed by removing the outermost work-affected layer by etching or the like ( S21). Next, a recess forming step is performed in which a plurality of cavity recesses 3a are formed in the matrix direction on the bonding surface of the lid substrate wafer 50 by hot press molding or etching (S22). At this point, the lid substrate wafer manufacturing step (S20) is completed.

次に、上記工程と同時或いは前後のタイミングで、後にベース基板2となるベース基板用ウエハ40を、陽極接合を行う直前の状態まで作製するベース基板用ウエハ作製工程を行う(S30)。
まず、ソーダ石灰ガラスを所定の厚さまで研磨加工して洗浄した後に、エッチング等により最表面の加工変質層を除去した円板状のベース基板用ウエハ40を形成する(S31)。次いで、ベース基板用ウエハ40に一対の貫通電極32、33を複数形成する貫通電極形成工程を行う(S32)。ここで、この貫通電極形成工程(S32)について、詳細に説明する。
Next, a base substrate wafer manufacturing step is performed in which the base substrate wafer 40 to be the base substrate 2 later is manufactured up to the state immediately before anodic bonding (S30).
First, after polishing and washing soda-lime glass to a predetermined thickness, a disk-shaped base substrate wafer 40 is formed by removing the outermost work-affected layer by etching or the like (S31). Next, a through electrode forming step for forming a plurality of pairs of through electrodes 32 and 33 on the base substrate wafer 40 is performed (S32). Here, the through electrode forming step (S32) will be described in detail.

まず、図10に示すように、ベース基板用ウエハ40を貫通する一対のスルーホール30、31を複数形成する貫通孔形成工程(S32a)を行う。なお、図10に示す点線Mは、後に行う切断工程で切断する切断線を図示している。この工程を行う際、ベース基板用ウエハ40の上面(他方の面)40a側から、例えば、サンドブラスト法で行う。
これにより、図11に示すように、ベース基板用ウエハ40の下面(一方の面)40bに向かって漸次縮径する断面テーパー状のスルーホール30、31を形成することができる。この際、後に両ウエハ40、50を重ね合わせたときにリッド基板用ウエハ50に形成された凹部3a内に収まるようにスルーホール30、31を形成する。即ち、一方のスルーホール30が圧電振動片4の基部12側に位置し、他方のスルーホール31が振動腕部10、11の先端側に位置するように形成する。
First, as shown in FIG. 10, a through hole forming step (S32a) for forming a plurality of pairs of through holes 30, 31 penetrating the base substrate wafer 40 is performed. In addition, the dotted line M shown in FIG. 10 has shown the cutting line cut | disconnected by the cutting process performed later. When this step is performed, for example, sandblasting is performed from the upper surface (the other surface) 40a side of the base substrate wafer 40.
As a result, as shown in FIG. 11, through-holes 30 and 31 having tapered sections that gradually decrease in diameter toward the lower surface (one surface) 40b of the base substrate wafer 40 can be formed. At this time, the through holes 30 and 31 are formed so as to be accommodated in the recesses 3a formed in the lid substrate wafer 50 when the wafers 40 and 50 are overlapped later. That is, one through hole 30 is formed on the base 12 side of the piezoelectric vibrating piece 4, and the other through hole 31 is formed on the tip side of the vibrating arm sections 10 and 11.

次に、スルーホール30、31内に鋲体7(図12参照)を挿入する鋲体挿入工程(32b)を行う。ここで鋲体7について説明する。
この鋲体7は、図12に示すように、ステンレス、銀、ニッケル合金やアルミニウム等の金属材料により形成された導電性の部材であり、特に鉄を58重量%、ニッケルを42重量%含有する合金(42アロイ)で形成することが望ましい。
そして、鋲体7は、平板状の土台部7aと、この土台部7aの表面から法線方向に沿って突設された芯材部7bと、で構成されている。土台部7aは、平面視における外形がベース基板用ウエハ40の下面(一方の面)40b側におけるスルーホール30、31の開口よりも大きく形成されている。これにより、芯材部7bをスルーホール30、31内に挿入したときに、土台部7aをベース基板用ウエハ40の下面40b側に当接させることが可能である。また、芯材部7bの長さは、ベース基板用ウエハ40の厚みと略同等の長さとされている。
Next, a housing insertion step (32b) for inserting the housing 7 (see FIG. 12) into the through holes 30 and 31 is performed. Here, the casing 7 will be described.
As shown in FIG. 12, the casing 7 is a conductive member formed of a metal material such as stainless steel, silver, nickel alloy or aluminum, and particularly contains 58% by weight of iron and 42% by weight of nickel. It is desirable to form with an alloy (42 alloy).
And the housing 7 is comprised by the flat base part 7a and the core part 7b projected along the normal line direction from the surface of this base part 7a. The base portion 7 a has an outer shape in plan view larger than the openings of the through holes 30 and 31 on the lower surface (one surface) 40 b side of the base substrate wafer 40. Thereby, when the core part 7 b is inserted into the through holes 30 and 31, the base part 7 a can be brought into contact with the lower surface 40 b side of the base substrate wafer 40. In addition, the length of the core portion 7 b is substantially the same as the thickness of the base substrate wafer 40.

そして、このように構成された鋲体7をスルーホール30、31内に挿入する鋲体挿入工程(32b)を行う。
具体的には、図12に示すように、芯材部7bの中心軸とスルーホール30、31の中心軸とが略一致するように、芯材部7bをベース基板用ウエハ40の下面40b側からスルーホール30、31内に挿入して、芯材部7bをスルーホール30、31内に配設し且つ土台部7aをベース基板用ウエハ40の下面40b側に当接させる。
特に、土台部7aが当接するまで鋲体7を挿入するだけの簡単な作業で、スルーホール30、31内における芯材部7bの軸方向の位置決めを行うことができる。しかも、土台部7aがベース基板用ウエハ40の下面40bに当接しているので、芯材部7bがスルーホール30、31内にて安定した姿勢で配設される。
And the housing | casing body insertion process (32b) which inserts the housing 7 comprised in this way in the through holes 30 and 31 is performed.
Specifically, as shown in FIG. 12, the core material portion 7 b is placed on the lower surface 40 b side of the base substrate wafer 40 so that the central axis of the core material portion 7 b and the central axes of the through holes 30 and 31 substantially coincide with each other. Are inserted into the through holes 30 and 31, the core portion 7 b is disposed in the through holes 30 and 31, and the base portion 7 a is brought into contact with the lower surface 40 b side of the base substrate wafer 40.
In particular, the core member 7b can be positioned in the through holes 30 and 31 in the axial direction by a simple operation of inserting the housing 7 until the base portion 7a comes into contact. In addition, since the base portion 7a is in contact with the lower surface 40b of the base substrate wafer 40, the core portion 7b is disposed in a stable posture in the through holes 30 and 31.

次に、図13及び図14に示すように、ベース基板用ウエハ40の下面40b上に第1被覆体70を剥離自在に貼り付けて、上記鋲体7を仮固定する仮固定工程(S32c)を行う。
上記第1被覆体70は、ベース基板用ウエハ40よりも若干縮径した円形状に形成されている。そして、この第1被覆体70を、複数の鋲体7の土台部7aの全てを覆うようにベース基板用ウエハ40の下面40bの略全面に亘って剥離層71を介して貼り付ける。
これにより、スルーホール30、31内に挿入された鋲体7を第1被覆体70によって仮固定することができ、スルーホール30、31からの鋲体7の抜け落ちを防止できると共に、鋲体7のぐらつきを抑えることができる。
Next, as shown in FIGS. 13 and 14, the first fixing body 70 is detachably pasted onto the lower surface 40b of the base substrate wafer 40, and the housing 7 is temporarily fixed (S32c). I do.
The first covering 70 is formed in a circular shape having a slightly smaller diameter than the base substrate wafer 40. Then, the first covering body 70 is pasted via a release layer 71 over substantially the entire lower surface 40b of the base substrate wafer 40 so as to cover all the base portions 7a of the plurality of casings 7.
Thereby, the housing 7 inserted into the through holes 30 and 31 can be temporarily fixed by the first covering body 70, and the housing 7 can be prevented from falling off from the through holes 30 and 31. The wobble can be suppressed.

なお、第1被覆体70としては、破れ難く且つ可撓性を有するものが好ましく、例えば紙製、金属製、樹脂製或いはゴム製のシートやフィルム等が挙げられ、単層構造や積層構造としても構わない。また、剥離層71としては、例えばアクリル系粘着剤等が挙げられる。   In addition, as the 1st coating | covering body 70, what has the flexibility which is hard to tear is preferable, for example, a sheet | seat, a film, etc. made from paper, metal, resin, or rubber | gum etc. are mentioned, As a single layer structure or laminated structure It doesn't matter. Moreover, as the peeling layer 71, an acrylic adhesive etc. are mentioned, for example.

次に、第1被覆体70に第2被覆体80を重ねて固着させる固着工程(S32d)を行う。
この第2被覆体80は、ベース基板用ウエハ40の直径の略1/3程度の横幅Lで帯状に形成されている。そして、この第2被覆体80を、ベース基板用ウエハ40の略中央部を横断するように、固着層81を介して第1被覆体70に固着する。この際、第2被覆体80における長手方向の一端部80aが、ベース基板用ウエハ40よりも径方向の外方に向けて突出するように固着する。なお、突出した第2被覆体80の一端部80aは、該第2被覆体80を介して第1被覆体70をベース基板用ウエハ40から引き剥がし作業を行う際の剥離操作片として機能する。
Next, an adhering step (S32d) is performed in which the second covering 80 is stacked and fixed on the first covering 70.
The second cover 80 is formed in a strip shape with a lateral width L that is approximately 1/3 of the diameter of the base substrate wafer 40. Then, the second covering 80 is fixed to the first covering 70 via the fixing layer 81 so as to cross the substantially central portion of the base substrate wafer 40. At this time, the one end 80a in the longitudinal direction of the second covering 80 is fixed so as to protrude outward in the radial direction from the base substrate wafer 40. Note that the protruding one end portion 80 a of the second covering body 80 functions as a peeling operation piece when the first covering body 70 is peeled off from the base substrate wafer 40 via the second covering body 80.

なお、第2被覆体80としては、上記第1被覆体70と同様のものが挙げられ、例えばポリプロピレンからなるシート等である。但し、第1被覆体70よりも厚みがある方が好ましい。また、固着層81としては、例えばゴム系粘着剤等の粘着剤や接着剤等が挙げられる。   In addition, as the 2nd coating body 80, the thing similar to the said 1st coating body 70 is mentioned, For example, it is a sheet | seat etc. which consist of polypropylenes. However, it is preferable that the first covering body 70 has a thickness. Examples of the fixing layer 81 include a pressure-sensitive adhesive such as a rubber-based pressure-sensitive adhesive and an adhesive.

次に、図15に示すように、ベース基板用ウエハ40の上面40a側から、スルーホール30、31内にペーストPを充填する充填工程(S32e)を行う。
具体的には、ベース基板用ウエハ40を裏返しにした後、図示しないスクリーン印刷機を用いてペーストPをベース基板用ウエハ40の上面40aに注出した後、図示しないスキージを走査してペーストPをベース基板用ウエハ40の全体に行き渡るように広げる。これにより、スルーホール30、31と鋲体7の芯材部7bとの隙間にペーストPを確実に充填させることができる。
なお、本実施形態では、ペーストPとして、ガラスフリットの固形物が含まれた非導電性のガラスペーストを利用する。
Next, as shown in FIG. 15, a filling step (S <b> 32 e) of filling the paste P into the through holes 30 and 31 from the upper surface 40 a side of the base substrate wafer 40 is performed.
Specifically, after the base substrate wafer 40 is turned over, the paste P is poured onto the upper surface 40a of the base substrate wafer 40 using a screen printing machine (not shown), and then the squeegee (not shown) is scanned to paste the paste P. Is spread over the entire base substrate wafer 40. Thereby, the paste P can be reliably filled in the gap between the through holes 30 and 31 and the core part 7 b of the casing 7.
In this embodiment, as the paste P, a nonconductive glass paste containing glass frit solids is used.

特に、ペーストPを充填する際、鋲体7は第1被覆体70によって仮固定されているので、鋲体7のぐらつき、特に芯材部7bのぐらつきを抑えた状態でペーストPを充填することができる。また、このペーストPを充填することで、鋲体7は該ペーストPによる粘性によってスルーホール30、31内に固定された状態となる。   In particular, when the paste P is filled, since the casing 7 is temporarily fixed by the first covering body 70, the paste P is filled in a state in which the wobbling of the casing 7 and particularly the wobbling of the core member 7b is suppressed. Can do. Further, by filling the paste P, the casing 7 is fixed in the through holes 30 and 31 by the viscosity of the paste P.

次に、第2被覆体80を介して第1被覆体70をベース基板用ウエハ40の下面40bから引き剥がす剥離工程(S32f)を行う。
具体的には、ベース基板用ウエハ40を再度裏返しにした後、ベース基板用ウエハ40及び第1被覆体70よりも径方向の外方に突出し、剥離操作片として機能する第2被覆体80の一端部80aを指先で摘みながら、図16に示すように、第2被覆体80をベース基板用ウエハ40の下面40bから離間する方向に向けて捲り上げる。これにより、第2被覆体80に固着されている第1被覆体70を第2被覆体80の動きに追従させることができ、第1被覆体70をベース基板用ウエハ40の下面40bから徐々に引き剥がすことができる。
Next, a peeling process (S32f) is performed in which the first cover 70 is peeled off from the lower surface 40b of the base substrate wafer 40 through the second cover 80.
Specifically, after the base substrate wafer 40 is turned over again, the second cover 80 protrudes outward in the radial direction from the base substrate wafer 40 and the first cover 70 and functions as a peeling operation piece. While grasping the one end 80a with a fingertip, the second covering 80 is rolled up in a direction away from the lower surface 40b of the base substrate wafer 40 as shown in FIG. Accordingly, the first cover 70 fixed to the second cover 80 can be made to follow the movement of the second cover 80, and the first cover 70 is gradually moved from the lower surface 40 b of the base substrate wafer 40. Can be peeled off.

特に、第2被覆体80は、所定の横幅Lを有する帯状に形成されているので、第1被覆体70のうち第2被覆体80に重なっている部分が第2被覆体80の捲りに伴って上記一端部80a側から同時に引き剥がれ始める。つまり、第1被覆体70は、一点から徐々に範囲が広がるように引き剥がれるのではなく、第2被覆体80の横幅Lに相当する長さが最初から同時に引き剥がれる。   In particular, since the second covering 80 is formed in a band shape having a predetermined lateral width L, the portion of the first covering 70 that overlaps the second covering 80 is accompanied by the turning of the second covering 80. Then, it begins to peel from the one end 80a side at the same time. That is, the first covering 70 is not peeled off so that the range gradually increases from one point, but the length corresponding to the lateral width L of the second covering 80 is peeled off simultaneously from the beginning.

従って、ベース基板用ウエハ40に作用する応力を局所的に集中させることなく分散することができ、ベース基板用ウエハ40に反りや割れ等が発生することを抑制しながら、鋲体7を仮固定していた第1被覆体70を取り除くことができる。   Therefore, the stress acting on the base substrate wafer 40 can be dispersed without locally concentrating, and the housing 7 is temporarily fixed while suppressing the occurrence of warping or cracking in the base substrate wafer 40. The first covering 70 that has been removed can be removed.

次に、充填したペーストPを焼成して硬化させた後、鋲体7の土台部7aを除去する後工程(S32g)を行う。
まず、ペーストPを所定の温度で加熱し、図17に示すように硬化させる焼成工程(S32h)を行う。これにより、鋲体7の芯材部7bとスルーホール30、31とを強固に一体化させることができ、スルーホール30、31の気密性を確実なものとすることができる。
Next, after the filled paste P is baked and cured, a post-process (S32g) for removing the base portion 7a of the housing 7 is performed.
First, a baking step (S32h) is performed in which the paste P is heated at a predetermined temperature and cured as shown in FIG. Thereby, the core part 7b of the housing 7 and the through holes 30 and 31 can be firmly integrated, and the airtightness of the through holes 30 and 31 can be ensured.

続いて、図18に示すようにベース基板用ウエハ40の少なくとも下面40b側を研磨して、鋲体7の土台部7aを除去する除去工程(S32i)を行う。
これにより、芯材部7bのみをスルーホール30、31内に残すことができると共に、ベース基板用ウエハ40の下面40bを出っ張りのない平坦面にすることができ、表面実装に対応させることが可能となる。
そして、この後工程(S32g)を行った時点で貫通電極形成工程(S32)が終了し、貫通電極32、33を形成することができる。特に、ペーストPの充填時に鋲体7を第1被覆体70で仮固定していたので、芯材部7bの傾き等を抑制でき、高品質な貫通電極32、33を形成することができる。
Subsequently, as shown in FIG. 18, at least the lower surface 40b side of the base substrate wafer 40 is polished, and a removing step (S32i) for removing the base portion 7a of the housing 7 is performed.
As a result, only the core portion 7b can be left in the through holes 30 and 31, and the lower surface 40b of the base substrate wafer 40 can be a flat surface without protrusion, which can be used for surface mounting. It becomes.
Then, when the subsequent step (S32g) is performed, the through electrode forming step (S32) is completed, and the through electrodes 32 and 33 can be formed. In particular, since the casing 7 is temporarily fixed by the first covering 70 when the paste P is filled, the inclination of the core portion 7b and the like can be suppressed, and high quality through electrodes 32 and 33 can be formed.

次に、ベース基板用ウエハ40の上面40aに導電性材料をパターニングして、図19に示すように、接合膜35を形成する接合膜形成工程(S33)を行うと共に、一対の貫通電極32、33にそれぞれ電気的に接続された引き回し電極36、37を複数形成する引き回し電極形成工程を行う(S34)。なお、図19に示す点線Mは、後に行う切断工程で切断する切断線を図示している。   Next, a conductive material is patterned on the upper surface 40a of the base substrate wafer 40, and as shown in FIG. 19, a bonding film forming step (S33) for forming the bonding film 35 is performed, and a pair of through electrodes 32, A routing electrode forming step for forming a plurality of routing electrodes 36 and 37 that are electrically connected to 33 is performed (S34). In addition, the dotted line M shown in FIG. 19 has shown the cutting line cut | disconnected by the cutting process performed later.

特に、貫通電極32、33は、ベース基板用ウエハ40の上面40aに対してほぼ面一な状態となっているので、上面40aにパターニングされた引き回し電極36、37は隙間を空けることなく貫通電極32、33に対して密着する。これにより、一方の引き回し電極36と一方の貫通電極32との導通性、並びに、他方の引き回し電極37と他方の貫通電極33との導通性を確実なものにすることができる。
そして、この時点でベース基板用ウエハ作製工程(S30)が終了する。
In particular, since the through electrodes 32 and 33 are substantially flush with the upper surface 40a of the base substrate wafer 40, the lead-out electrodes 36 and 37 patterned on the upper surface 40a do not leave a gap. It adheres to 32 and 33. As a result, it is possible to ensure the electrical conductivity between the one routing electrode 36 and the one through electrode 32 and the electrical conductivity between the other routing electrode 37 and the other through electrode 33.
At this time, the base substrate wafer manufacturing step (S30) is completed.

ところで、図8では、接合膜形成工程(S33)の後に、引き回し電極形成工程(S34)を行う工程順序としているが、これとは逆に、引き回し電極形成工程(S34)の後に、接合膜形成工程(S33)を行っても構わないし、両工程を同時に行っても構わない。いずれの工程順序であっても、同一の作用効果を奏することができる。よって、必要に応じて適宜、工程順序を変更して構わない。   By the way, in FIG. 8, it is set as the process order which performs the routing electrode formation process (S34) after the bonding film formation process (S33), but conversely, after the routing electrode formation process (S34), the bonding film formation is performed. The step (S33) may be performed, or both steps may be performed simultaneously. Regardless of the order of steps, the same effects can be obtained. Therefore, the process order may be changed as necessary.

次に、作製した複数の圧電振動片4を、それぞれ引き回し電極36、37を介してベース基板用ウエハ40の上面40aにバンプ接合するマウント工程を行う(S40)。
まず、一対の引き回し電極36、37上にそれぞれ金等のバンプBを形成する。そして、圧電振動片4の基部12をバンプB上に載置した後、バンプBを所定温度に加熱しながら圧電振動片4をバンプBに押し付ける。これにより、圧電振動片4は、バンプBに機械的に支持されると共に、マウント電極16、17と引き回し電極36、37とが電気的に接続された状態となる。よって、この時点で圧電振動片4の一対の励振電極15は、一対の貫通電極32、33に対してそれぞれ導通した状態となる。
特に、圧電振動片4は、バンプ接合されるので、ベース基板用ウエハ40の上面40aから浮いた状態で支持される。
Next, a mounting step is performed in which the produced plurality of piezoelectric vibrating reeds 4 are bump-bonded to the upper surface 40a of the base substrate wafer 40 via the routing electrodes 36 and 37, respectively (S40).
First, bumps B such as gold are formed on the pair of lead-out electrodes 36 and 37, respectively. Then, after the base 12 of the piezoelectric vibrating piece 4 is placed on the bump B, the piezoelectric vibrating piece 4 is pressed against the bump B while heating the bump B to a predetermined temperature. As a result, the piezoelectric vibrating reed 4 is mechanically supported by the bumps B, and the mount electrodes 16 and 17 and the routing electrodes 36 and 37 are electrically connected. Therefore, at this time, the pair of excitation electrodes 15 of the piezoelectric vibrating reed 4 are in a conductive state with respect to the pair of through electrodes 32 and 33, respectively.
In particular, since the piezoelectric vibrating reed 4 is bump-bonded, it is supported in a state where it floats from the upper surface 40 a of the base substrate wafer 40.

圧電振動片4のマウントが終了した後、ベース基板用ウエハ40に対してリッド基板用ウエハ50を重ね合わせる重ね合わせ工程を行う(S50)。
具体的には、図示しない基準マーク等を指標としながら、両ウエハ40、50を正しい位置にアライメントする。これにより、マウントされた圧電振動片4が、ベース基板用ウエハ40に形成された凹部3aと両ウエハ40、50とで囲まれるキャビティC内に収容された状態となる。
After the mounting of the piezoelectric vibrating reed 4 is completed, an overlaying step of overlaying the lid substrate wafer 50 on the base substrate wafer 40 is performed (S50).
Specifically, both wafers 40 and 50 are aligned at the correct positions while using a reference mark (not shown) as an index. As a result, the mounted piezoelectric vibrating reed 4 is housed in a cavity C surrounded by the recess 3 a formed in the base substrate wafer 40 and the wafers 40 and 50.

次いで、重ね合わせた2枚のウエハ40、50を図示しない陽極接合装置に入れ、所定の温度雰囲気で所定の電圧を印加して陽極接合する接合工程を行う(S60)。
具体的には、接合膜35とリッド基板用ウエハ50との間に所定の電圧を印加する。すると、接合膜35とリッド基板用ウエハ50との界面に電気化学的な反応が生じ、両者がそれぞれ強固に密着して陽極接合される。これにより、圧電振動片4をキャビティC内に封止することができ、ベース基板用ウエハ40とリッド基板用ウエハ50とが接合した図20に示すウエハ体60を得ることができる。
Next, the two stacked wafers 40 and 50 are put into an anodic bonding apparatus (not shown), and a bonding process is performed in which a predetermined voltage is applied in a predetermined temperature atmosphere to perform anodic bonding (S60).
Specifically, a predetermined voltage is applied between the bonding film 35 and the lid substrate wafer 50. As a result, an electrochemical reaction occurs at the interface between the bonding film 35 and the lid substrate wafer 50, and the two are firmly bonded and anodically bonded. Thereby, the piezoelectric vibrating reed 4 can be sealed in the cavity C, and the wafer body 60 shown in FIG. 20 in which the base substrate wafer 40 and the lid substrate wafer 50 are bonded can be obtained.

なお、図20においては、図面を見易くするために、ウエハ体60を分解した状態を図示しており、ベース基板用ウエハ40から接合膜35の図示を省略している。また、図中に示す点線Mは、後に行う切断工程で切断する切断線を図示している。
ところで、陽極接合を行う際、ベース基板用ウエハ40に形成されたスルーホール30、31は、貫通電極32、33によって完全に塞がれているので、キャビティC内の気密がスルーホール30、31を通じて損なわれることがない。
In FIG. 20, in order to make the drawing easier to see, a state in which the wafer body 60 is disassembled is illustrated, and the bonding film 35 is not illustrated from the base substrate wafer 40. Moreover, the dotted line M shown in the figure shows the cutting line cut | disconnected by the cutting process performed later.
By the way, when the anodic bonding is performed, the through holes 30 and 31 formed in the base substrate wafer 40 are completely closed by the through electrodes 32 and 33, so that the airtightness in the cavity C is kept through the through holes 30 and 31. Will not be damaged through.

そして、上述した陽極接合が終了した後、ベース基板用ウエハ40の下面40bに導電性材料をパターニングして、一対の貫通電極32、33にそれぞれ電気的に接続された一対の外部電極38、39を複数形成する外部電極形成工程を行う(S70)。この工程により、外部電極38、39を利用してキャビティC内に封止された圧電振動片4を作動させることができる。   After the anodic bonding described above is completed, a conductive material is patterned on the lower surface 40b of the base substrate wafer 40, and a pair of external electrodes 38 and 39 electrically connected to the pair of through electrodes 32 and 33, respectively. An external electrode forming step of forming a plurality of electrodes is performed (S70). Through this step, the piezoelectric vibrating reed 4 sealed in the cavity C can be operated using the external electrodes 38 and 39.

特に、この工程を行う場合も引き回し電極36、37の形成時と同様に、ベース基板用ウエハ40の下面40bに対して貫通電極32、33がほぼ面一な状態となっているので、パターニングされた外部電極38、39は間に隙間を空けることなく貫通電極32、33に対して密着した状態で接する。これにより、外部電極38、39と貫通電極32、33との導通性を確実なものにすることができる。   In particular, when this step is performed, the through electrodes 32 and 33 are substantially flush with the lower surface 40b of the base substrate wafer 40 as in the case of forming the routing electrodes 36 and 37. The external electrodes 38 and 39 are in close contact with the through electrodes 32 and 33 with no gap between them. Thereby, the continuity between the external electrodes 38 and 39 and the through electrodes 32 and 33 can be ensured.

次に、ウエハ体60の状態で、キャビティC内に封止された個々の圧電振動子1の周波数を微調整して所定の範囲内に収める微調工程を行う(S80)。
具体的に説明すると、外部電極38、39に電圧を印加して圧電振動片4を振動させる。そして、周波数を計測しながらリッド基板用ウエハ50を通して外部からレーザ光を照射し、重り金属膜21の微調膜21bを蒸発させる。これにより、一対の振動腕部10、11の先端側の重量が変化するので、圧電振動片4の周波数を、公称周波数の所定範囲内に収まるように微調整することができる。
Next, in the state of the wafer body 60, a fine adjustment step of finely adjusting the frequency of each piezoelectric vibrator 1 sealed in the cavity C to be within a predetermined range is performed (S80).
More specifically, a voltage is applied to the external electrodes 38 and 39 to vibrate the piezoelectric vibrating reed 4. Then, laser light is irradiated from the outside through the lid substrate wafer 50 while measuring the frequency, and the fine adjustment film 21b of the weight metal film 21 is evaporated. Thereby, since the weight of the tip end side of the pair of vibrating arm portions 10 and 11 is changed, the frequency of the piezoelectric vibrating piece 4 can be finely adjusted so as to be within a predetermined range of the nominal frequency.

周波数の微調が終了した後、接合されたウエハ体60を図20に示す切断線Mに沿って切断して小片化する切断工程を行う(S90)。その結果、互いに陽極接合されたベース基板2とリッド基板3とからなるパッケージ9に形成されたキャビティC内に圧電振動片4が封止された、図1に示す表面実装型の圧電振動子1を一度に複数製造することができる。
なお、切断工程(S90)を行って個々の圧電振動子1に小片化した後に、微調工程(S80)を行う工程順序でも構わない。但し、上述したように、微調工程(S80)を先に行うことで、ウエハ体60の状態で微調を行うことができるので、複数の圧電振動子1をより効率よく微調することができる。よって、スループットの向上化を図ることができるので、より好ましい。
After the fine adjustment of the frequency is completed, a cutting process is performed in which the bonded wafer body 60 is cut along the cutting line M shown in FIG. As a result, the surface-mounted piezoelectric vibrator 1 shown in FIG. 1 in which the piezoelectric vibrating reed 4 is sealed in the cavity C formed in the package 9 composed of the base substrate 2 and the lid substrate 3 that are anodically bonded to each other. A plurality of can be manufactured at a time.
In addition, after performing the cutting process (S90) and dividing into individual piezoelectric vibrators 1, the order of processes in which the fine adjustment process (S80) is performed may be used. However, as described above, by performing the fine adjustment step (S80) first, the fine adjustment can be performed in the state of the wafer body 60, so that the plurality of piezoelectric vibrators 1 can be finely adjusted more efficiently. Therefore, the throughput can be improved, which is more preferable.

その後、内部の電気特性検査を行う(S100)。即ち、圧電振動片4の共振周波数、共振抵抗値、ドライブレベル特性(共振周波数及び共振抵抗値の励振電力依存性)等を測定してチェックする。また、絶縁抵抗特性等を併せてチェックする。そして、最後に圧電振動子1の外観検査を行って、寸法や品質等を最終的にチェックする。これをもって圧電振動子1の製造が終了する。   Thereafter, an internal electrical characteristic inspection is performed (S100). That is, the resonance frequency, resonance resistance value, drive level characteristic (excitation power dependency of the resonance frequency and resonance resistance value) and the like of the piezoelectric vibrating piece 4 are measured and checked. In addition, the insulation resistance characteristics and the like are also checked. Finally, an appearance inspection of the piezoelectric vibrator 1 is performed to finally check dimensions, quality, and the like. This completes the manufacture of the piezoelectric vibrator 1.

上述したように、本実施形態によれば、ペーストPの充填時に第1被覆体70によって鋲体7を仮固定しているので高品質な貫通電極32、33を形成することができる。また、第2被覆体80を介して第1被覆体70をベース基板用ウエハ40から引き剥がすので、ベース基板用ウエハ40に反りや割れ等が発生することを抑制しながら、不良発生を極力少なく貫通電極32、33を形成することができる。従って、歩留まり良く且つ効率良く(生産性良く)製造でき低コスト化を図ることができるうえ、高品質な貫通電極32、33を具備するパッケージ9及び圧電振動子1を製造することができる。   As described above, according to the present embodiment, since the casing 7 is temporarily fixed by the first covering body 70 when the paste P is filled, the high-quality through electrodes 32 and 33 can be formed. In addition, since the first cover 70 is peeled off from the base substrate wafer 40 via the second cover 80, the occurrence of defects is minimized while suppressing occurrence of warping, cracking, or the like in the base substrate wafer 40. The through electrodes 32 and 33 can be formed. Therefore, it is possible to manufacture with good yield and efficiency (good productivity) and to reduce costs, and it is possible to manufacture the package 9 and the piezoelectric vibrator 1 including the high-quality through electrodes 32 and 33.

また、第1被覆体70をベース基板用ウエハ40の下面40bから剥離する際、第2被覆体80の一端部80aを剥離操作片として利用できるので、ベース基板用ウエハ40に傷等を付けることなく引き剥がしの起点を容易に作ることができると共に、第2被覆体80を介して第1被覆体70の剥離作業をスムーズに効率良く行うことができる。   Further, when the first cover 70 is peeled from the lower surface 40b of the base substrate wafer 40, the one end portion 80a of the second cover 80 can be used as a peeling operation piece, so that the base substrate wafer 40 is damaged. The starting point of peeling can be easily made, and the peeling operation of the first covering 70 can be smoothly and efficiently performed via the second covering 80.

なお、上記実施形態において、第1被覆体70を剥離する際、図16に示すように、第2被覆体80とベース基板用ウエハ40の下面40bとのなす角度θを30°±10°の角度範囲内に維持しながら行うことが好ましい。
この場合、第2被覆体80を介して第1被覆体70をベース基板用ウエハ40の下面40bから離間する方向に持ち上げながら引き剥がしを同時に行うことができる。そのため、僅かな力でよりスムーズに第1被覆体70の剥離作業を行うことができると共に、ベース基板用ウエハ40に応力が作用し難くなり反りや割れ等の発生をより効果的に抑制することができる。
In the above embodiment, when the first cover 70 is peeled off, the angle θ formed by the second cover 80 and the lower surface 40b of the base substrate wafer 40 is 30 ° ± 10 ° as shown in FIG. It is preferable to carry out while maintaining the angle range.
In this case, the first covering 70 can be peeled off at the same time while lifting the first covering 70 away from the lower surface 40 b of the base substrate wafer 40 via the second covering 80. For this reason, the first covering 70 can be peeled off more smoothly with a slight force, and stress is less likely to act on the base substrate wafer 40, thereby suppressing the occurrence of warpage, cracking, etc. more effectively. Can do.

なお、上記角度θが上記角度範囲よりも小さい場合には、第1被覆体70をベース基板用ウエハ40の下面40bから離間する方向に持ち上げる力が弱くなってしまうため、スムーズな剥離を行えないものと考えられる。一方、これとは逆に上記角度範囲よりも大きい場合には、第1被覆体70をベース基板用ウエハ40の下面40bから離間する方向に持ち上げる力が強すぎてしまうため、スムーズな剥離を行えないばかりか、ベース基板用ウエハ40に反り等が発生し易くなってしまうものと考えられる。   When the angle θ is smaller than the above angle range, the force to lift the first covering 70 in the direction away from the lower surface 40b of the base substrate wafer 40 becomes weak, so that smooth peeling cannot be performed. It is considered a thing. On the other hand, if the angle range is larger than the above range, the force to lift the first cover 70 away from the lower surface 40b of the base substrate wafer 40 is too strong, so that smooth peeling can be performed. In addition, the base substrate wafer 40 is likely to be warped.

また、上記実施形態において、横幅Lが40mm以上とされた第2被覆体80を用いることが好ましい。
この場合、第1被覆体70に対する固着領域を大きく確保することができ、剥離工程(S32f)の際に、第1被覆体70をより広範囲に亘ってベース基板用ウエハ40の下面40bから同時に引き剥がすことができる。従って、ベース基板用ウエハ40に作用する応力をより広範囲に亘って分散することができ、ベース基板用ウエハ40に反りや割れ等が発生することをさらに効果的に抑制することができる。
Moreover, in the said embodiment, it is preferable to use the 2nd coating body 80 by which the horizontal width L was 40 mm or more.
In this case, it is possible to secure a large fixing region with respect to the first cover 70, and simultaneously pull the first cover 70 from the lower surface 40b of the base substrate wafer 40 over a wider range during the peeling step (S32f). Can be peeled off. Accordingly, the stress acting on the base substrate wafer 40 can be dispersed over a wider range, and the occurrence of warping, cracking, or the like in the base substrate wafer 40 can be further effectively suppressed.

(発振器)
次に、本発明に係る発振器の一実施形態について、図21を参照しながら説明する。
本実施形態の発振器100は、図21に示すように、圧電振動子1を、集積回路101に電気的に接続された発振子として構成したものである。この発振器100は、コンデンサ等の電子部品102が実装された基板103を備えている。基板103には、発振器用の上記集積回路101が実装されており、この集積回路101の近傍に、圧電振動子1の圧電振動片4が実装されている。これら電子部品102、集積回路101及び圧電振動子1は、図示しない配線パターンによってそれぞれ電気的に接続されている。なお、各構成部品は、図示しない樹脂によりモールドされている。
(Oscillator)
Next, an embodiment of an oscillator according to the present invention will be described with reference to FIG.
As shown in FIG. 21, the oscillator 100 according to the present embodiment is configured such that the piezoelectric vibrator 1 is an oscillator electrically connected to the integrated circuit 101. The oscillator 100 includes a substrate 103 on which an electronic component 102 such as a capacitor is mounted. The integrated circuit 101 for the oscillator is mounted on the substrate 103, and the piezoelectric vibrating piece 4 of the piezoelectric vibrator 1 is mounted in the vicinity of the integrated circuit 101. The electronic component 102, the integrated circuit 101, and the piezoelectric vibrator 1 are electrically connected by a wiring pattern (not shown). Each component is molded with a resin (not shown).

このように構成された発振器100において、圧電振動子1に電圧を印加すると、該圧電振動子1内の圧電振動片4が振動する。この振動は、圧電振動片4が有する圧電特性により電気信号に変換されて、集積回路101に電気信号として入力される。入力された電気信号は、集積回路101によって各種処理がなされ、周波数信号として出力される。これにより、圧電振動子1が発振子として機能する。
また、集積回路101の構成を、例えば、RTC(リアルタイムクロック)モジュール等を要求に応じて選択的に設定することで、時計用単機能発振器等の他、当該機器や外部機器の動作日や時刻を制御したり、時刻やカレンダー等を提供したりする機能を付加することができる。
In the oscillator 100 configured as described above, when a voltage is applied to the piezoelectric vibrator 1, the piezoelectric vibrating piece 4 in the piezoelectric vibrator 1 vibrates. This vibration is converted into an electric signal by the piezoelectric characteristics of the piezoelectric vibrating piece 4 and input to the integrated circuit 101 as an electric signal. The input electrical signal is subjected to various processes by the integrated circuit 101 and is output as a frequency signal. Thereby, the piezoelectric vibrator 1 functions as an oscillator.
Further, by selectively setting the configuration of the integrated circuit 101, for example, an RTC (real-time clock) module or the like according to a request, the operation date and time of the device and external device in addition to a single-function oscillator for a clock A function for controlling the time, providing a time, a calendar, and the like can be added.

本実施形態の発振器100によれば、効率良く製造されて低コスト化されているうえ高品質化された圧電振動子1を備えているので、発振器100自体も同様に低コスト化及び高品質化を図ることができる。   According to the oscillator 100 of the present embodiment, since the piezoelectric vibrator 1 that is efficiently manufactured, reduced in cost, and improved in quality is provided, the oscillator 100 itself is similarly reduced in cost and increased in quality. Can be achieved.

(電子機器)
次に、本発明に係る電子機器の一実施形態について、図22を参照して説明する。なお電子機器として、上述した圧電振動子1を有する携帯情報機器110を例にして説明する。
始めに本実施形態の携帯情報機器110は、例えば、携帯電話に代表されるものであり、従来技術における腕時計を発展、改良したものである。外観は腕時計に類似し、文字盤に相当する部分に液晶ディスプレイを配し、この画面上に現在の時刻等を表示させることができるものである。また、通信機として利用する場合には、手首から外し、バンドの内側部分に内蔵されたスピーカ及びマイクロフォンによって、従来技術の携帯電話と同様の通信を行うことが可能である。しかしながら、従来の携帯電話と比較して、格段に小型化及び軽量化されている。
(Electronics)
Next, one embodiment of an electronic apparatus according to the invention will be described with reference to FIG. Note that the portable information device 110 having the above-described piezoelectric vibrator 1 will be described as an example of the electronic device.
First, the portable information device 110 according to the present embodiment is represented by, for example, a mobile phone, and is a development and improvement of a wrist watch in the related art. The appearance is similar to that of a wristwatch, and a liquid crystal display is arranged in a portion corresponding to a dial so that the current time and the like can be displayed on this screen. Further, when used as a communication device, it is possible to perform communication similar to that of a conventional mobile phone by using a speaker and a microphone that are removed from the wrist and incorporated in the inner portion of the band. However, it is much smaller and lighter than conventional mobile phones.

次に、本実施形態の携帯情報機器110の構成について説明する。この携帯情報機器110は、図22に示すように、圧電振動子1と、電力を供給するための電源部111とを備えている。電源部111は、例えば、リチウム二次電池からなっている。この電源部111には、各種制御を行う制御部112と、時刻等のカウントを行う計時部113と、外部との通信を行う通信部114と、各種情報を表示する表示部115と、それぞれの機能部の電圧を検出する電圧検出部116とが並列に接続されている。そして、電源部111によって、各機能部に電力が供給されるようになっている。   Next, the configuration of the portable information device 110 of this embodiment will be described. As shown in FIG. 22, the portable information device 110 includes the piezoelectric vibrator 1 and a power supply unit 111 for supplying power. The power supply unit 111 is made of, for example, a lithium secondary battery. The power supply unit 111 includes a control unit 112 that performs various controls, a clock unit 113 that counts time, a communication unit 114 that communicates with the outside, a display unit 115 that displays various types of information, A voltage detection unit 116 that detects the voltage of the functional unit is connected in parallel. The power unit 111 supplies power to each functional unit.

制御部112は、各機能部を制御して音声データの送信及び受信、現在時刻の計測や表示等、システム全体の動作制御を行う。また、制御部112は、予めプログラムが書き込まれたROMと、該ROMに書き込まれたプログラムを読み出して実行するCPUと、該CPUのワークエリアとして使用されるRAM等とを備えている。   The control unit 112 controls each function unit to control operation of the entire system such as transmission and reception of audio data, measurement and display of the current time, and the like. The control unit 112 includes a ROM in which a program is written in advance, a CPU that reads and executes the program written in the ROM, and a RAM that is used as a work area of the CPU.

計時部113は、発振回路、レジスタ回路、カウンタ回路及びインターフェース回路等を内蔵する集積回路と、圧電振動子1とを備えている。圧電振動子1に電圧を印加すると圧電振動片4が振動し、該振動が水晶の有する圧電特性により電気信号に変換されて、発振回路に電気信号として入力される。発振回路の出力は二値化され、レジスタ回路とカウンタ回路とにより計数される。そして、インターフェース回路を介して、制御部112と信号の送受信が行われ、表示部115に、現在時刻や現在日付或いはカレンダー情報等が表示される。   The timer unit 113 includes an integrated circuit including an oscillation circuit, a register circuit, a counter circuit, an interface circuit, and the like, and the piezoelectric vibrator 1. When a voltage is applied to the piezoelectric vibrator 1, the piezoelectric vibrating reed 4 vibrates, and the vibration is converted into an electric signal by the piezoelectric characteristics of the crystal and is input to the oscillation circuit as an electric signal. The output of the oscillation circuit is binarized and counted by a register circuit and a counter circuit. Then, signals are transmitted to and received from the control unit 112 via the interface circuit, and the current time, current date, calendar information, or the like is displayed on the display unit 115.

通信部114は、従来の携帯電話と同様の機能を有し、無線部117、音声処理部118、切替部119、増幅部120、音声入出力部121、電話番号入力部122、着信音発生部123及び呼制御メモリ部124を備えている。
無線部117は、音声データ等の各種データを、アンテナ125を介して基地局と送受信のやりとりを行う。音声処理部118は、無線部117又は増幅部120から入力された音声信号を符号化及び複号化する。増幅部120は、音声処理部118又は音声入出力部121から入力された信号を、所定のレベルまで増幅する。音声入出力部121は、スピーカやマイクロフォン等からなり、着信音や受話音声を拡声したり、音声を集音したりする。
The communication unit 114 has functions similar to those of a conventional mobile phone, and includes a radio unit 117, a voice processing unit 118, a switching unit 119, an amplification unit 120, a voice input / output unit 121, a telephone number input unit 122, and a ring tone generation unit. 123 and a call control memory unit 124.
The wireless unit 117 exchanges various data such as audio data with the base station via the antenna 125. The audio processing unit 118 encodes and decodes the audio signal input from the radio unit 117 or the amplification unit 120. The amplifying unit 120 amplifies the signal input from the audio processing unit 118 or the audio input / output unit 121 to a predetermined level. The voice input / output unit 121 includes a speaker, a microphone, and the like, and amplifies a ringtone and a received voice or collects a voice.

また、着信音発生部123は、基地局からの呼び出しに応じて着信音を生成する。切替部119は、着信時に限って、音声処理部118に接続されている増幅部120を着信音発生部123に切り替えることによって、着信音発生部123において生成された着信音が増幅部120を介して音声入出力部121に出力される。
なお、呼制御メモリ部124は、通信の発着呼制御に係るプログラムを格納する。また、電話番号入力部122は、例えば、0から9の番号キー及びその他のキーを備えており、これら番号キー等を押下することにより、通話先の電話番号等が入力される。
In addition, the ring tone generator 123 generates a ring tone in response to a call from the base station. The switching unit 119 switches the amplifying unit 120 connected to the voice processing unit 118 to the ringing tone generating unit 123 only when an incoming call is received, so that the ringing tone generated in the ringing tone generating unit 123 is transmitted via the amplifying unit 120. To the audio input / output unit 121.
The call control memory unit 124 stores a program related to incoming / outgoing call control of communication. The telephone number input unit 122 includes, for example, a number key from 0 to 9 and other keys. By pressing these number keys and the like, a telephone number of a call destination is input.

電圧検出部116は、電源部111によって制御部112等の各機能部に対して加えられている電圧が、所定の値を下回った場合に、その電圧降下を検出して制御部112に通知する。このときの所定の電圧値は、通信部114を安定して動作させるために必要な最低限の電圧として予め設定されている値であり、例えば、3V程度となる。電圧検出部116から電圧降下の通知を受けた制御部112は、無線部117、音声処理部118、切替部119及び着信音発生部123の動作を禁止する。特に、消費電力の大きな無線部117の動作停止は、必須となる。更に、表示部115に、通信部114が電池残量の不足により使用不能になった旨が表示される。   When the voltage applied to each functional unit such as the control unit 112 by the power supply unit 111 falls below a predetermined value, the voltage detection unit 116 detects the voltage drop and notifies the control unit 112 of the voltage drop. . The predetermined voltage value at this time is a value set in advance as a minimum voltage necessary for stably operating the communication unit 114, and is, for example, about 3V. Upon receiving the voltage drop notification from the voltage detection unit 116, the control unit 112 prohibits the operations of the radio unit 117, the voice processing unit 118, the switching unit 119, and the ring tone generation unit 123. In particular, it is essential to stop the operation of the wireless unit 117 with high power consumption. Further, the display unit 115 displays that the communication unit 114 has become unusable due to insufficient battery power.

即ち、電圧検出部116と制御部112とによって、通信部114の動作を禁止し、その旨を表示部115に表示することができる。この表示は、文字メッセージであっても良いが、より直感的な表示として、表示部115の表示面の上部に表示された電話アイコンに、×(バツ)印を付けるようにしても良い。
なお、通信部114の機能に係る部分の電源を、選択的に遮断することができる電源遮断部126を備えることで、通信部114の機能をより確実に停止することができる。
That is, the operation of the communication unit 114 can be prohibited by the voltage detection unit 116 and the control unit 112, and that effect can be displayed on the display unit 115. This display may be a text message, but as a more intuitive display, a x (X) mark may be attached to the telephone icon displayed at the top of the display surface of the display unit 115.
In addition, the function of the communication part 114 can be stopped more reliably by providing the power supply cutoff part 126 that can selectively cut off the power of the part related to the function of the communication part 114.

本実施形態の携帯情報機器110によれば、効率良く製造されて低コスト化されているうえ高品質化された圧電振動子1を備えているので、携帯情報機器110自体も同様に低コスト化及び高品質化を図ることができる。   According to the portable information device 110 of the present embodiment, since the piezoelectric vibrator 1 that is efficiently manufactured and reduced in cost and includes high quality is provided, the cost of the portable information device 110 itself is similarly reduced. In addition, high quality can be achieved.

(電波時計)
次に、本発明に係る電波時計の一実施形態について、図23を参照して説明する。
本実施形態の電波時計130は、図23に示すように、フィルタ部131に電気的に接続された圧電振動子1を備えたものであり、時計情報を含む標準の電波を受信して、正確な時刻に自動修正して表示する機能を備えた時計である。
日本国内には、福島県(40kHz)と佐賀県(60kHz)とに、標準の電波を送信する送信所(送信局)があり、それぞれ標準電波を送信している。40kHz若しくは60kHzのような長波は、地表を伝播する性質と、電離層と地表とを反射しながら伝播する性質とを併せもつため、伝播範囲が広く、上述した2つの送信所で日本国内を全て網羅している。
(Radio watch)
Next, an embodiment of a radio timepiece according to the present invention will be described with reference to FIG.
As shown in FIG. 23, the radio-controlled timepiece 130 according to the present embodiment includes the piezoelectric vibrator 1 electrically connected to the filter unit 131. The radio-controlled timepiece 130 receives a standard radio wave including timepiece information and is accurate. It is a clock with a function of automatically correcting and displaying the correct time.
In Japan, there are transmitting stations (transmitting stations) that transmit standard radio waves in Fukushima Prefecture (40 kHz) and Saga Prefecture (60 kHz), each transmitting standard radio waves. Long waves such as 40 kHz or 60 kHz have the property of propagating the surface of the earth and the property of propagating while reflecting the ionosphere and the surface of the earth, so the propagation range is wide, and the above two transmitting stations cover all of Japan. doing.

以下、電波時計130の機能的構成について詳細に説明する。
アンテナ132は、40kHz若しくは60kHzの長波の標準電波を受信する。長波の標準電波は、タイムコードと呼ばれる時刻情報を、40kHz若しくは60kHzの搬送波にAM変調をかけたものである。受信された長波の標準電波は、アンプ133によって増幅され、複数の圧電振動子1を有するフィルタ部131によって濾波、同調される。
本実施形態における圧電振動子1は、上記搬送周波数と同一の40kHz及び60kHzの共振周波数を有する水晶振動子部138、139をそれぞれ備えている。
Hereinafter, the functional configuration of the radio timepiece 130 will be described in detail.
The antenna 132 receives a long standard wave of 40 kHz or 60 kHz. The long-wave standard radio wave is obtained by subjecting time information called a time code to AM modulation on a 40 kHz or 60 kHz carrier wave. The received long standard wave is amplified by the amplifier 133 and filtered and tuned by the filter unit 131 having the plurality of piezoelectric vibrators 1.
The piezoelectric vibrator 1 according to this embodiment includes crystal vibrator portions 138 and 139 having resonance frequencies of 40 kHz and 60 kHz that are the same as the carrier frequency.

更に、濾波された所定周波数の信号は、検波、整流回路134により検波復調される。続いて、波形整形回路135を介してタイムコードが取り出され、CPU136でカウントされる。CPU136では、現在の年、積算日、曜日、時刻等の情報を読み取る。読み取られた情報は、RTC137に反映され、正確な時刻情報が表示される。
搬送波は、40kHz若しくは60kHzであるから、水晶振動子部138、139は、上述した音叉型の構造を持つ振動子が好適である。
Further, the filtered signal having a predetermined frequency is detected and demodulated by the detection and rectification circuit 134. Subsequently, the time code is taken out via the waveform shaping circuit 135 and counted by the CPU 136. The CPU 136 reads information such as the current year, accumulated date, day of the week, and time. The read information is reflected in the RTC 137, and accurate time information is displayed.
Since the carrier wave is 40 kHz or 60 kHz, the crystal vibrator units 138 and 139 are preferably vibrators having the tuning fork type structure described above.

なお、上述の説明は、日本国内の例で示したが、長波の標準電波の周波数は、海外では異なっている。例えば、ドイツでは77.5KHzの標準電波が用いられている。従って、海外でも対応可能な電波時計130を携帯機器に組み込む場合には、さらに日本の場合とは異なる周波数の圧電振動子1を必要とする。   In addition, although the above-mentioned description was shown in the example in Japan, the frequency of the long standard wave is different overseas. For example, in Germany, a standard radio wave of 77.5 KHz is used. Accordingly, when the radio timepiece 130 that can be used overseas is incorporated in a portable device, the piezoelectric vibrator 1 having a frequency different from that in Japan is required.

実施形態の電波時計130によれば、効率良く製造されて低コスト化されているうえ高品質化された圧電振動子1を備えているので、電波時計130自体も同様に低コスト化及び高品質化を図ることができる。   According to the radio-controlled timepiece 130 of the embodiment, the radio-controlled timepiece 130 is provided with the piezoelectric vibrator 1 that is efficiently manufactured, reduced in cost, and improved in quality. Can be achieved.

なお、本発明の技術範囲は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。   The technical scope of the present invention is not limited to the above embodiment, and various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention.

例えば、上記実施形態では、パッケージ9の内部に電子部品として圧電振動片4を封止した圧電振動子1を例に挙げて説明したが、圧電振動片4以外の電子部品を封止して圧電振動子以外のデバイスとすることも可能である。
また、圧電振動片4を封止する場合には、音叉型に限られず、ATカットされた厚み滑り振動片でも構わない。更に、音叉型の圧電振動片4とする場合、上記実施形態では振動腕部10、11の両主面に溝部18が形成された溝付きタイプの圧電振動片4を例に挙げて説明したが、溝部がないタイプの圧電振動片でも構わない。但し、溝部を形成することで、電圧印加時に励振電極間における電界効率を上げることができるので、振動損失をより抑えて振動特性をさらに向上することができる。つまり、CI値(Crystal Impedance)をさらに低くすることができ、圧電振動片の高性能化を図ることができる。この点において、溝部を形成する方が好ましい。
For example, in the above-described embodiment, the piezoelectric vibrator 1 in which the piezoelectric vibrating reed 4 is sealed as an electronic component inside the package 9 has been described as an example. A device other than the vibrator may be used.
Further, when the piezoelectric vibrating piece 4 is sealed, it is not limited to the tuning fork type, and an AT-cut thickness sliding vibrating piece may be used. Further, when the tuning fork type piezoelectric vibrating piece 4 is used, in the above embodiment, the grooved type piezoelectric vibrating piece 4 in which the groove portions 18 are formed on both main surfaces of the vibrating arm portions 10 and 11 has been described as an example. A piezoelectric vibrating piece of a type having no groove may be used. However, by forming the groove portion, it is possible to increase the electric field efficiency between the excitation electrodes when a voltage is applied, so that vibration loss can be further suppressed and vibration characteristics can be further improved. That is, the CI value (Crystal Impedance) can be further reduced, and the performance of the piezoelectric vibrating piece can be improved. In this respect, it is preferable to form a groove.

また、上記実施形態では、ペーストPとして非導電性のガラスペーストを例に挙げて説明したが、導電性のペースト(例えば銀ペースト)を利用しても構わない。   In the above embodiment, the non-conductive glass paste has been described as an example of the paste P. However, a conductive paste (for example, silver paste) may be used.

(実施例)
次に、上記実施形態に基づいて、実際にベース基板用ウエハ40から第2被覆体80を介して第1被覆体70を剥離した際の実施例について説明する。
ベース基板用ウエハ40としては、厚みが略0.6mm前後で直径が8インチ(略200mm)のソーダライムガラスを使用した。第1被覆体70としては、直径が略190mmの円形状の紙製シートを用い、アクリル系粘着剤を使用してベース基板用ウエハ40に剥離自在に貼り付けた。第2被覆体80としては、横幅Lが50mmのポリプロピレンからなる樹脂製の帯状シートを用い、ゴム系粘着剤を利用して第1被覆体70に固着した。この際、ベース基板用ウエハ40の中央部を横断するように第1被覆体70に固着した。
(Example)
Next, an example when the first covering 70 is actually peeled from the base substrate wafer 40 via the second covering 80 will be described based on the above embodiment.
As the base substrate wafer 40, soda lime glass having a thickness of about 0.6 mm and a diameter of 8 inches (about 200 mm) was used. As the first covering 70, a circular paper sheet having a diameter of about 190 mm was used, and was attached to the base substrate wafer 40 in a detachable manner using an acrylic adhesive. As the second covering 80, a resin-made belt-like sheet made of polypropylene having a lateral width L of 50 mm was used, and was fixed to the first covering 70 using a rubber-based adhesive. At this time, the first cover body 70 was fixed so as to cross the central portion of the base substrate wafer 40.

上記条件の元、第2被覆体80を介して第1被覆体70をベース基板用ウエハ40からゆっくりと引き剥がした。その結果、直径8インチサイズのベース基板用ウエハ40に反りや割れを何ら発生せずに、第1被覆体70をスムーズに剥離することができた。その際、第1被覆体70と第2被覆体80との固着が解かれることもなく、また第1被覆体70及び第2被覆体80が千切れる等といった不具合も発生しなかった。
このように、鋲体7を仮固定していた第1被覆体70を、ベース基板用ウエハ40に反りや割れ等を発生させることなくスムーズに剥離させることができるという、従来にはない本願特有の優れた作用効果を実際に確認することができた。
Under the above conditions, the first covering 70 was slowly peeled off from the base substrate wafer 40 via the second covering 80. As a result, the first covering 70 could be smoothly peeled without causing any warping or cracking in the base substrate wafer 40 having a diameter of 8 inches. At that time, the first covering 70 and the second covering 80 were not fixed, and the first covering 70 and the second covering 80 were not broken.
In this way, the first cover 70 on which the casing 7 is temporarily fixed can be smoothly peeled without causing warpage, cracking, or the like on the base substrate wafer 40. It was possible to actually confirm the excellent action and effect.

C…キャビティ
P…ペースト
1…圧電振動子
2…ベース基板
3…リッド基板
4…圧電振動片(電子部品)
7…鋲体
7a…土台部
7b…芯材部
9…パッケージ
30、31…スルーホール(貫通孔)
32、33…貫通電極
70…第1被覆体
80…第2被覆体
80a…第2被覆体の一端部
100…発振器
101…発振器の集積回路
110…携帯情報機器(電子機器)
113…電子機器の計時部
130…電波時計
131…電波時計のフィルタ部
S30…貫通電極形成工程
S32a…貫通孔形成工程
S32b…鋲体挿入工程
S32c…仮固定工程
S32d…固着工程
S32e…充填工程
S32f…剥離工程
S32g…後工程
C ... Cavity P ... Paste 1 ... Piezoelectric vibrator 2 ... Base substrate 3 ... Lid substrate 4 ... Piezoelectric vibrating piece (electronic component)
7 ... Housing 7a ... Base part 7b ... Core part 9 ... Package 30, 31 ... Through hole (through hole)
32, 33 ... Through electrode 70 ... First covering 80 ... Second covering 80a ... One end of the second covering 100 ... Oscillator 101 ... Oscillator integrated circuit 110 ... Portable information device (electronic device)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 113 ... Time-measurement part 130 of an electronic device 130 ... Radio wave clock 131 ... Filter part of a radio wave clock S30 ... Through-electrode formation process S32a ... Through-hole formation process S32b ... Housing insertion process S32c ... Temporary fixing process S32d ... Fixing process S32e ... Filling process S32f ... Peeling process S32g ... Post process

Claims (7)

互いに接合されたベース基板及びリッド基板と、両基板の間に形成された電子部品を封止可能なキャビティと、を備えたパッケージの製造方法であって、
前記ベース基板を厚み方向に貫通し、前記電子部品と外部とを導通させる貫通電極を形成する貫通電極形成工程を備え、
前記貫通電極形成工程は、
前記ベース基板に貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、
平板状の土台部と、該土台部の表面から法線方向に突設された芯材部と、を有する導電性の鋲体を前記貫通孔内に挿入して、芯材部を該貫通孔内に配設し且つ土台部を前記ベース基板の一方の面に当接させる鋲体挿入工程と、
前記ベース基板の一方の面に前記土台部を覆うように第1被覆体を剥離自在に貼り付けて、前記鋲体を仮固定する仮固定工程と、
前記第1被覆体に帯状の第2被覆体を重ねて固着させる固着工程と、
前記ベース基板の他方の面側から、前記貫通孔と前記芯材部との隙間にペーストを充填する充填工程と、
前記第2被覆体を介して前記第1被覆体を前記ベース基板の一方の面から引き剥がす剥離工程と、
充填した前記ペーストを焼成して硬化させた後、前記土台部を除去する後工程と、を備え、
前記固着工程の際、前記第2被覆体における長手方向の一端部が前記ベース基板よりも外方に突出するように該第2被覆体を前記第1被覆体に固着させ、前記剥離工程の際、第2被覆体の一端部を剥離操作片として利用することを特徴とするパッケージの製造方法。
A manufacturing method of a package comprising: a base substrate and a lid substrate bonded to each other; and a cavity capable of sealing an electronic component formed between both substrates,
A through electrode forming step of forming a through electrode that penetrates the base substrate in the thickness direction and electrically connects the electronic component and the outside;
The through electrode forming step includes:
A through hole forming step of forming a through hole in the base substrate;
A conductive casing having a flat base portion and a core portion protruding in the normal direction from the surface of the base portion is inserted into the through hole, and the core portion is inserted into the through hole. A housing insertion step of placing the base portion in contact with one surface of the base substrate;
A temporary fixing step of temporarily fixing the casing by pasting the first covering body so as to be peelable so as to cover the base portion on one surface of the base substrate;
An adhering step of stacking and adhering a belt-like second covering on the first covering;
From the other surface side of the base substrate, a filling step of filling a paste in the gap between the through hole and the core material part;
A peeling step of peeling the first covering from one surface of the base substrate through the second covering;
A post-process for removing the foundation after baking and curing the filled paste, and
In the fixing step, the second covering body is fixed to the first covering body so that one end portion in the longitudinal direction of the second covering body protrudes outward from the base substrate. A method for manufacturing a package, wherein one end portion of the second covering body is used as a peeling operation piece.
請求項1に記載のパッケージの製造方法において、
前記剥離工程の際、前記第2被覆体と前記ベース基板の一方の面とのなす角度を30°±10°の角度に維持した状態で、該第2被覆体を介して前記第1被覆体を前記ベース基板から引き剥がすことを特徴とするパッケージの製造方法。
In the manufacturing method of the package of Claim 1,
In the peeling step, the first covering body is interposed through the second covering body while maintaining an angle between the second covering body and one surface of the base substrate at an angle of 30 ° ± 10 °. Is peeled off from the base substrate.
請求項1又は2に記載のパッケージの製造方法において、
前記第2被覆体は、横幅が40mm以上とされていることを特徴とするパッケージの製造方法。
In the manufacturing method of the package of Claim 1 or 2,
The method of manufacturing a package, wherein the second covering has a lateral width of 40 mm or more.
請求項1から3のいずれか1項に記載のパッケージの製造方法により製造されたパッケージと、
該パッケージの前記キャビティ内に封止された圧電振動片と、を備えていることを特徴とする圧電振動子。
A package manufactured by the method for manufacturing a package according to any one of claims 1 to 3,
A piezoelectric vibrator comprising: a piezoelectric vibrating piece sealed in the cavity of the package.
請求項4に記載の圧電振動子が、発振子として集積回路に電気的に接続されていることを特徴とする発振器。   An oscillator, wherein the piezoelectric vibrator according to claim 4 is electrically connected to an integrated circuit as an oscillator. 請求項4に記載の圧電振動子が、計時部に電気的に接続されていることを特徴とする電子機器。   5. An electronic apparatus, wherein the piezoelectric vibrator according to claim 4 is electrically connected to a time measuring unit. 請求項4に記載の圧電振動子が、フィルタ部に電気的に接続されていることを特徴とする電波時計。   A radio-controlled timepiece wherein the piezoelectric vibrator according to claim 4 is electrically connected to a filter portion.
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