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JP2012160677A - 有機太陽電池の製造方法及び有機太陽電池 - Google Patents

有機太陽電池の製造方法及び有機太陽電池 Download PDF

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JP2012160677A JP2011021294A JP2011021294A JP2012160677A JP 2012160677 A JP2012160677 A JP 2012160677A JP 2011021294 A JP2011021294 A JP 2011021294A JP 2011021294 A JP2011021294 A JP 2011021294A JP 2012160677 A JP2012160677 A JP 2012160677A
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Atsushi Tamaki
淳 玉木
Kenji Kaneda
健志 金田
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Abstract

【課題】有機光電変換層上の電極層の加工深さを正確に制御しなくても、良好な性能を有する有機太陽電池を製造できる有機太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】有機太陽電池を製造する際に、各有機太陽電池素子の有機光電変換層13の端部下に第1絶縁体部32を設け、有機光電変換層13上に形成した第2電極層22の第1絶縁体部32上の部分をレーザ等で切断することによって第2電極層22を複数の第2電極に分割する。
【選択図】図12

Description

本発明は、第1電極と第2電極との間に有機光電変換層が挟まれた複数の有機太陽電池素子が基板上で電気的に接合された有機太陽電池と、そのような有機太陽電池の製造方法とに関する。
有機太陽電池としては、具体的な製造手順の異なる様々なものが知られている(例えば、特許文献1参照)。ただし、既存の有機太陽電池の製造手順は、基本的には、図24(A)、(B)に示したように、複数の第1電極41と複数の有機光電変換層43とを基板40上に形成した後に第2電極層45を形成し、形成した第2電極層45をレーザで(又は機械的に)分割することにより複数の第2電極42を形成するものとなっている。
国際公開第2010/009268号
良好な性能を有する有機太陽電池を得るべく鋭意研究した結果、発明者らは、上記したような既存の有機太陽電池の製造手順は、有機光電変換層上の電極層の切断(加工)深さを正確に制御しないと、有機光電変換層を挟んでいる2電極(第1電極、第2電極)の短絡等が生じてしまうものとなっていることを見出した。
そこで、本発明の課題は、有機光電変換層上の電極層の加工深さをさほど正確に制御しなくても、各有機太陽電池素子の第1電極、第2電極間が短絡しない有機太陽電池を製造できる有機太陽電池の製造方法を提供することにある。また、本発明の他の課題は、各有機太陽電池素子の第1電極、第2電極間が短絡しにくいものを製造しやすい構成を有する有機太陽電池を提供することにある。
上記課題を解決するために、本発明の、第1電極と第2電極との間に有機光電変換層が挟まれた構成を有する複数の有機太陽電池素子が基板上で電気的に接合された有機太陽電池の製造方法は、
基板と、前記基板の一方の面上に並設された複数の第1電極とを含み、第1電極の並び方向と直交する方向に延びた帯状の第1絶縁体部が各第1電極上に設けられている部材を製造する部材製造工程と、
前記部材製造工程により製造された前記部材の第1電極側の面上に有機光電変換層を形成する有機光電変換層形成工程と、
前記有機光電変換層形成工程により形成された前記有機光電変換層上に第2電極層を形成する第2電極層形成工程と、
前記第2電極層形成工程により形成された前記第2電極層の,前記部材の各第1絶縁体部上の部分を加工することにより前記第2電極層を複数の第2電極に分割する第2電極層分割工程とを、含む。
すなわち、本発明の有機太陽電池の製造方法は、第2電極層の,レーザ等による各切断(加工)部分下に、有機光電変換層のみならず、第1絶縁体部が存在することになる手順で、有機太陽電池が製造されるものとなっている。そして、切断による第1電極と第2電
極の短絡は、原則として、切断による第2電極の埋没や、第2電極の構成材料の有機光電変換層ヘのマイグレーション(拡散)によって起こるのであるから、本発明の有機太陽電池の製造方法によれば、有機光電変換層上の第2電極層の加工深さをさほど正確に制御しなくても、各有機太陽電池素子の第1電極、第2電極間が短絡しない有機太陽電池を製造できることになる。
本発明の有機太陽電池の製造方法を実施するに際しては、部材製造工程として、基板と、前記基板の一方の面上に並設された複数の第1電極とを含み、それぞれ、第1電極の並び方向と直交する方向に延びた帯状の第1絶縁体部及び帯状の導電体部が各第1電極上に設けられている部材を製造する工程を採用し、前記有機光電変換層形成工程として、前記部材の各導電体部上の部分が除去されている有機光電変換層を形成する工程を採用することが出来る。
また、部材製造工程として、基板と、前記基板の一方の面上に並設された複数の第1電極と、前記複数の第1電極の中の,隣接する各2つの第1電極の境界毎に設けられた補助構造であって、対応する境界を覆う帯状の第2絶縁体部、当該第2絶縁体部により一方の側面が覆われた帯状の導電体部、及び、当該導電体部の他方の側面を覆う帯状の第1絶縁体部を含む補助構造とを備えた部材を製造する工程を採用することも出来る。
なお、そのような部材製造工程を採用する場合、その具体的な内容を、前記基板の一方の面上に第1電極層を形成する第1電極層形成工程と、第1電極層形成工程により形成された第1電極層の複数の第1電極への分割箇所毎に、分割箇所を覆う帯状の第2絶縁体部、帯状の導電体部及び帯状の第1絶縁体部を、第1絶縁体部、第2絶縁体部間に導電体部が位置するように、且つ、各分割箇所における各部の並び順が同一となるように形成する絶縁体部等形成工程と、前記絶縁体部等形成工程により形成された各第2絶縁体部を通して前記第1電極層の各第2絶縁体部下の部分にレーザを照射することにより前記第1電極層を複数の第1電極に分割する第1電極層分割工程とを含むものとしておくことが好ましい。何故ならば、そのようにしておけば、第1電極層から除去された物質により第1電極層が汚染されるのを防止できることになるからである。
また、そのような部材製造工程中の絶縁体部等形成工程としては、複数の補助構造を容易に製造できるようにするために、複数の導電体部を塗布法により形成した後、複数の第1絶縁体部及び第2絶縁体部を一括して塗布法により形成する工程を採用しておくことが好ましい。また、絶縁体部等形成工程としては、界面活性剤を添加した導電性ペーストを第1電極層上に塗布することにより複数の導電体部を形成する工程を採用しておくことも好ましい。何故ならば、そのような導電性ペーストを用いておけば、各導電体部上に堆積する物質量が低減し、その結果として、各導電体部上に堆積した物質を容易に除去できるようになるからである。
また、本発明の有機太陽電池の製造方法を、有機光電変換層形成工程により形成された有機光電変換層上に第1バッファ層を形成する工程を、さらに含み、第2電極層形成工程が、有機光電変換層上に形成された第1バッファ層上に第2電極層を形成する工程である方法や、部材製造工程が、各第1電極上に第2バッファ層が形成されている部材を製造する工程である方法としておくことも出来る。
また、本発明の、第1電極と第2電極との間に有機光電変換層が挟まれた構成を有する複数の有機太陽電池素子が基板上で電気的に接合された有機太陽電池は、
基板と、
前記基板の一方の面上に並設された複数の第1電極と、
各第1電極上に設けられた、前記複数の第1電極の並び方向に直交する方向に延びた帯
状の第1絶縁体部と、
前記複数の第1電極上に設けられた、複数の部分に分割されている有機光電変換層と、
前記有機光電変換層上に設けられた第2電極層であって、各第1絶縁体部上の部分で複数の第2電極に分割されている第2電極層と、
を含む。
すなわち、本発明の有機太陽電池は、第2電極層のレーザ等による各切断(加工)箇所下に、有機光電変換層と第1絶縁体部とが存在する構成を有している。そして、切断による第1電極と第2電極の短絡は、原則として、切断による第2電極の埋没や、第2電極の構成材料の有機光電変換層ヘのマイグレーション(拡散)によって起こるのであるから、本発明の有機太陽電池に採用されている構成は、各有機太陽電池素子の第1電極、第2電極間が短絡しにくいものを製造しやすい構成となっていると言うことが出来る。
本発明によれば、有機光電変換層上の電極層の加工深さをさほど正確に制御しなくても、各有機太陽電池素子の第1電極、第2電極間が短絡しない有機太陽電池を製造することができる。また、各有機太陽電池素子の第1電極、第2電極間が短絡しにくいものを製造しやすい有機太陽電池を提供できる。
図1は、本発明の第1実施形態に係る有機太陽電池の製造方法にて製造される有機太陽電池の断面図である。 図2は、第1実施形態に係る有機太陽電池の製造方法を説明するための断面図である。 図3は、第1実施形態に係る有機太陽電池の製造方法を説明するための斜視図である。 図4は、第1実施形態に係る有機太陽電池の製造方法を説明するための断面図である。 図5は、第1実施形態に係る有機太陽電池の製造方法を説明するための斜視図である。 図6は、第1実施形態に係る有機太陽電池の製造方法を説明するための工程図である。 図7は、第1実施形態に係る有機太陽電池の製造方法を説明するための断面図である。 図8は、第1実施形態に係る有機太陽電池の製造方法を説明するための断面図である。 図9は、第1実施形態に係る有機太陽電池の製造方法を説明するための断面図である。 図10は、第1実施形態に係る有機太陽電池の製造方法を説明するための断面図である。 図11は、第1実施形態に係る有機太陽電池の製造方法を説明するための斜視図である。 図12は、第1実施形態に係る有機太陽電池の製造方法を説明するための工程図である。 図13は、本発明の第2実施形態に係る有機太陽電池の製造方法にて製造される有機太陽電池の断面図である。 図14は、第2実施形態に係る有機太陽電池の製造方法を説明するための断面図である。 図15は、第2実施形態に係る有機太陽電池の製造方法を説明するための断面図である。 図16は、第2実施形態に係る有機太陽電池の製造方法を説明するための断面図である。 図17は、本発明の第3実施形態に係る有機太陽電池の製造方法にて製造される有機太陽電池の断面図である。 図18は、第3実施形態に係る有機太陽電池の製造方法を説明するための断面図である。 図19は、第3実施形態に係る有機太陽電池の製造方法を説明するための断面図である。 図20は、第3実施形態に係る有機太陽電池の製造方法を説明するための断面図である。 図21は、第1実施形態に係る有機太陽電池の製造方法にて製造できる他の有機太陽電池の断面図である。 図22は、第1実施形態に係る有機太陽電池の製造方法にて製造できる他の有機太陽電池の断面図である。 図23は、第1実施形態に係る有機太陽電池の製造方法にて製造できる他の有機太陽電池の断面図である。 図24は、従来の有機太陽電池の製造方法の説明図である。
以下、本発明を実施するための形態を、図面を参照して詳細に説明する。
《第1実施形態》
本発明の第1実施形態に係る有機太陽電池の製造方法は、図1に示したような有機太陽電池、すなわち、第1電極11と第2電極12との間に有機光電変換層13が挟まれた構成を有する複数の有機太陽電池素子20が基板10上で電気的に直列に接続された有機太陽電池を製造するための方法である。なお、この図1及び以下で説明に用いる各図面は、有機太陽電池の各部を認識しやすい大きさとするために、各部の縮尺を適宜変更したものとなっている。
本製造方法にて有機太陽電池を製造する際には、まず、図2に示してあるように、透明な基板10上に、スパッタ法等により、透明な導電性材料からなる第1電極層21が形成される。
この工程に用いる基板10は、基板側より太陽光が入射する場合は、透明な(透光性がある),適度な強度を有する絶縁性板状部材(ガラス板、有機フィルム等)でありさえすれば良い。ただし、出力の高い有機太陽電池(有機太陽電池素子20)を得るためには、基板10として、波長500nmにおける透過率が50%以上である部材を採用しておくことが望ましい。また、基板10に柔軟性を持たせておけば、外力に対して強い有機太陽電池が得ることが出来る。そのため、基板10としては、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリイミド、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルサルフォン、ポリフェニレンサルファイド、ポリエーテルケトン、ポリエーテルイミド、トリアセチルセルロース、ポリテトラフルオロエチレン、ポリアリレート、環状ポリオレフィン、アラミド等の有機フィルムを採用しておくことが望ましい。又、基板側より太陽光が入射しない場合は、不透明な材料でも良く、例えば、ステンレス、アルミ、銅などの金属箔の他に、透光性の低い有機フィルムも使用できる。
また、基板10の厚さが厚すぎると、有機太陽電池の重量が増えると共に、有機太陽電池の製造コストが高くなってしまうことになる。逆に、基板10の厚さが薄すぎると、機械的強度が弱い有機太陽電池が得られてしまうことになる。そのため、基板10の厚さは、1μm以上、20mm以下としておくことが好ましく、5μm以上、10mm以下とし
ておくことが望ましい。
基板10上に形成する第1電極層21は、基板10が透明な場合、透明な導電性材料からなる層でありさえすれば良い。ただし、出力の高い有機太陽電池を得るためには、この第1電極層21を、波長500nmにおける透過率が50%以上の層としておくべきである。なお、そのような第1電極層21を実現できる材料としては、酸化ニッケル、酸化スズ、酸化インジウム、酸化スズインジウム(ITO)、インジウム−亜鉛酸化物(IZO)、酸化チタン、酸化亜鉛等の導電性金属酸化物、或いは、金、白金、銀、クロム等の金属及びその合金、ポリチオゲン誘導体にポリスリレンスルフォン酸をドーピングしたPEDOT/PSSや、ポリピロール及びポリアニリン等にヨウ素等をドーピングした導電性ポリマー等を例示できる。また、ITO/Ag/ITO等の積層膜を第1電極層21とすることも出来る。又、基板10が不透明な場合、例えば、100nm程度の厚さのAg層が、真空蒸着法、スパッタリング法、スクリーン印刷等により形成される。
第1電極層21の形成完了後には、複数の補助構造を第1電極層21上に形成するための補助構造形成工程が行われる。
補助構造形成工程により形成される補助構造は、図3及び図4に模式的に示してあるように、基板10上に製造する有機太陽電池素子20の並び方向(図3等における左右方向;以下、単に左右方向と表記する)と直交する方向に延びた第1絶縁体ライン32、導電体ライン31及び第2絶縁体ライン33からなる構造である。なお、図3等には、導電体ライン31が第1絶縁体ライン32及び第2絶縁体ライン33により挟まれた構成を有する補助構造を示したが、各ライン間に間隔がある補助構造を第1電極層21上に形成することも出来る。
補助構造は、通常、補助構造の形成周期(隣接する2つの補助構造の左右方向の中心間隔)が10mm程度となるように、第1電極層21上に形成される。
また、補助構造は、第1電極層21、第2電極層22の分割(図6、図11参照;詳細は後述)を容易に行えるようにするために、通常、その全幅が1mm程度となるように、かつ、導電体ライン31の幅が全幅の1/2〜1/3程度となるように製造される。なお、補助構造の全幅とは、補助構造の,第1電極層21と接している側の左右方向の長さのことであり、導電体ライン31の幅とは、導電体ライン31の,第1電極層21と接している部分の左右方向の長さのことである。
補助構造の各部の構成材料としては、様々なものを採用することが出来る。例えば、第1絶縁体ライン32及び第2絶縁体ライン33の構成材料は、レーザ照射により加工されにくい(除去されない)絶縁体材料であれば良い。従って、UV(紫外線)硬化樹脂等の一般的な有機物を第1絶縁体ライン32及び第2絶縁体ライン33の構成材料として使用することが出来る。また、導電体ライン31の構成材料は、導電性が比較的に高い材料でありさえすれば良い。従って、金、銀(Ag)、銅等の金属を、導電体ライン31の構成材料として使用することが出来る。
補助構造の厚さ(第1絶縁体ライン32の厚さ)の下限値は、主として、第2電極層22の分割工程における深さ方向(厚さ方向)の加工精度から定まるものである。換言すれば、補助構造の厚さは、当該下限値以上でありさえすれば良い。ただし、過度に薄い補助構造は、形成しにくいもの(形成法が限定されるもの)である。また、補助構造が過度に厚いと、有機光電変換層13の形成面の凹凸が大きくなる結果として、有機光電変換層13の形成が困難になる。そのため、補助構造は、0.1μm〜1.0μm程度の厚さのものであることが好ましく、0.2μm〜0.5μm程度の厚さのものあることがより好ま
しい。
補助構造の各部の実際の形成法は、第1電極層21を劣化させずに導電性/絶縁性が良いライン31〜33を形成できるように定めればものでありさえすれば良い。そして、上記したように、補助構造は、各ライン間に間隔があるものであっても良いのであるが、ライン31〜33が接触した構成を採用しておけば、印刷(スクリーン印刷、グラビア印刷、フレキソ印刷、オフセット印刷等の塗布法)により補助構造を簡単に製造できることになる。
そのため、本実施形態に係る製造方法は、補助構造形成工程として、『導電性ペーストの印刷により複数の導電体ライン31を第1電極層21上に形成した後にUV硬化樹脂の印刷により複数の第1絶縁体ライン32及び第2絶縁体ライン33を第1電極層21(及び導電体ライン31)上に形成することによって、導電体ライン31が第1絶縁体ライン32及び第2絶縁体ライン33により挟まれた補助構造を形成する工程』を採用したものとなっている。
また、本実施形態に係る製造方法に採用されている補助構造形成工程は、『界面活性剤を添加した導電性ペースト(本実施形態では、Agペースト)の印刷により複数の導電体ライン31を第1電極層21上に形成する』ものともなっている。説明の便宜上、そのような導電性ペーストを導電体ライン31の形成に用いている理由は、後述することにする。
補助構造の形成完了後には、図5及び図6に模式的に示してあるように、各補助構造の第2絶縁体ライン33下の第1電極層21に、各第2絶縁体ライン33を透過させる形でIRレーザ光(図では、レーザ光)を照射することにより、第1電極層21が複数の第1電極11に分割される。なお、この工程に使用するレーザ光は、50μm−300μm程度の幅の溝(導電性を有さない部分;図6において、黒く塗りつぶしてある部分)を第1電極層21内に形成できるものであれば良い。
次いで、上記手順で製造された部材の第1電極11側の面上に、図7に模式的に示してあるように、有機光電変換層13が塗布法(ダイコート、グラビアコート)等により形成される。
この工程で形成する有機光電変換層13は、p型半導体とn型半導体が層内で相分離した層(i層)を有するバルクヘテロ接合型、それぞれp型半導体を含む層(p層)とn型半導体を含む層(n層)を積層した積層型(ヘテロpn接合型)、ショットキー型およびそれらの組み合わせのいずれであっても良い。また、有機光電変換層13の厚みに特に制限はない。ただし、均一性が比較的良く、或る程度高い光電変換効率を得るためには、有機光電変換層13の膜厚を、3nm以上、300nm以下としておくことが好ましく、50nm以上、250nm以下としておくことが望ましい。
なお、有機光電変換層13用のp型の半導体としては、テトラベンゾポルフィリン、テトラベンゾ銅ポルフィリン、テトラベンゾ亜鉛ポリフィリン等のプルフィリン化合物;フタロシアニン、銅フタロシアニン、亜鉛フタロシアニン等のフタロシアニン化合物;テトラセンやペンタセンのポリアセン;セキシチオフェン等のオリゴチオフェン及びこれら化合物を骨格として含む誘導体が例示できる。さらに、有機半導体層を構成し得るp型の半導体として、ポリ(3−アルキルチオフェン)などを含むポリチオフェン、ポリフルオレン、ポリフェニレンビニレン、ポリトリアリルアミン、ポリアセチレン、ポリアニリン、ポリピロール等の高分子等も例示できる。
また、有機光電変換層13用のn型の半導体としては、フラーレン(C60、C70、C76);オクタアポフィリン;上記p型半導体のパーフルオロ体;ナフラレンテトラカルボン酸無水物、ナフラレンテトラカルボン酸ジイミド、ペリレンテトラカルボン酸無水物、ペリレンテトラカルボン酸ジイミド等の芳香族カルボン酸無水物やそのイミド化合物;及び、これら化合物を骨格として含む誘導体などを例示できる。
有機光電変換層13の形成完了後には、図8及び図9に模式的に示したように、レーザ光(例えば、波長532nmのレーザ光)の照射により、有機光電変換層13の各導電体ライン31上の部分(及び、ライン31〜33の最上端部分)が除去される。
本実施形態に係る製造方法に『界面活性剤を添加したAgペーストの印刷により複数の導電体ライン31を第1電極層21上に形成する補助構造形成工程』を採用しているのは、この除去工程を簡単に行えるようにするためである。
すなわち、界面活性剤を添加したAgペーストを用いておけば、通常のAgペーストを用いた場合よりも、表面に有機物が堆積しにくい導電体ライン31を形成できる。そして、表面に堆積している有機物の厚さが薄い方が、レーザ光による有機物の除去が簡単に行えるので、本実施形態に係る製造方法に『界面活性剤を添加したAgペーストの印刷により複数の導電体ライン31を第1電極層21上に形成する補助構造形成工程』を採用しているのである。
有機光電変換層13の各導電体ライン31上の部分の除去後には、図10に模式的に示してあるように、残っている有機光電変換層13上及び各導電体ライン31上に、第2電極層22が形成される。この第2電極層22としては、例えば、基板10が透明な場合、100nm程度の厚さのAg層が、真空蒸着法、スパッタリング法、スクリーン印刷等により形成される。又、基板10が不透明な場合、第2電極層22としては、基板10が透明な場合における前述の第1電極層21と同様のものが形成される。
第2電極層22の形成完了後には、図11及び図12に模式的に示してあるように、レーザ光(例えば、波長532nmのレーザ光)の照射により第2電極層22の各第1絶縁体ライン32上の,200μm程度の幅の部分が、除去される。すなわち、第2電極層22を複数の第2電極12に分割するために、第2電極層22をレーザで加工する工程が行われる。そして、その結果として、複数の直列接続された有機太陽電池素子20(図1参照)が基板10上に形成されることになる。
以上、説明したように、本実施形態に係る有機太陽電池の製造方法は、
『基板10と、基板10の一方の面上に並設された複数の第1電極11と、それらの第1電極11中の,隣接する各2つの第1電極11の境界毎に設けられた補助構造であって、対応する境界を覆う帯状の第2絶縁体ライン33、第2絶縁体ライン33により一方の側面が覆われた帯状の導電体ライン31、及び、当該導電体ライン31の他方の側面を覆う帯状の第1絶縁体ライン32を含む補助構造とを備えた部材』(図6)を製造し、
製造した部材の第1電極11側の面上に有機光電変換層13(図7、図9)を形成し、
当該有機光電変換層13上に第2電極層22(図10)を形成し、
形成した第2電極層22の,各補助構造の第1絶縁体ライン32の部分を加工することにより第2電極層22を複数の第2電極12に分割する(図11、図12)
といった手順で、複数の有機太陽電池素子20が基板10上で電気的に接続(接合)された有機太陽電池(図1)を製造するものとなっている。
換言すれば、上記製造方法は、第2電極層22のレーザ等による各切断(加工)部分下に、有機光電変換層13のみならず、第1絶縁体部32が存在することになる手順で、有
機太陽電池が製造されるものとなっている。そして、切断による第1電極11と第2電極12の短絡は、原則として、切断による第2電極12の埋没や、第2電極12の構成材料の有機光電変換層13ヘのマイグレーションによって起こるのであるから、本実施形態に係る有機太陽電池の製造方法によれば、有機光電変換層13上の第2電極層22の加工深さをさほど正確に制御しなくても、各有機太陽電池素子20の第1電極11、第2電極12間が短絡しない有機太陽電池を製造できることになる。
《第2実施形態》
本発明の第2実施形態に係る“有機太陽電池の製造方法”(以下、単に、製造方法とも表記する)は、図13に示したような構成を有する有機太陽電池を製造するための方法である。
すなわち、この第2実施形態に係る製造方法も、上記した第1実施形態に係る製造方法と同様に、第1電極11と第2電極12との間に有機光電変換層13が挟まれた構成を有する複数の有機太陽電池素子20が基板10上で電気的に直列に接続された有機太陽電池を製造するための方法となっている。ただし、本製造方法により製造される有機太陽電池は、各第2電極12上に導電体ライン31及び第2絶縁体ライン33(図1参照)が設けられていないものとなっている。
以下、第2実施形態に係る製造方法を、第1実施形態に係る製造方法と異なる部分を中心に、説明する。なお、本実施形態に係る製造方法は、基板10や、各層の構成材料、形成法として、第1実施形態に係る製造方法のそれと同じものを使用できるものである。
本製造方法にて有機太陽電池を製造する際には、まず、透明な基板10上に、スパッタ法等により、透明な導電性材料からなる第1電極層21が形成される(図2参照)。
その後、『レーザ加工等により、基板10上の第1電極層21を複数の第1電極11に分割して、各第1電極層21上に第1絶縁体ライン32を形成する』、『第1電極層21上に、複数の第1絶縁体ライン32を形成してから、レーザ加工等により、基板10上の第1電極層21を複数の第1電極11に分割する』といったような手順により、図14に示したような構成を有する部材が製造される。
すなわち、基板10上に複数の第1電極11が併設されている部材であって、各第1電極11の、他の第1電極11と対向している側の一方(図13、14における右方向)の端近傍に、第1電極11の並び方向に直交する方向に延びた第1絶縁体ライン32が形成されている部材が製造される。なお、第1絶縁体ライン32の構成材料、形成法、幅は、特に制限されない。例えば、UV硬化樹脂等の印刷により、0.3mm程度の幅の第1絶縁体ライン32を形成するようにしておくことが出来る。
次いで、製造した部材の第1電極11側の面上に、有機光電変換層13が塗布法(ダイコート、グラビアコート)等により形成される。そして、有機光電変換層13の,第1電極11の右端近傍上の部分(第1絶縁体ライン32よりも端に近い部分)がレーザ光照射等により除去されることにより、図15に示したような構成の部材が製造される。なお、図15に示した部材は、有機光電変換層13の,第1絶縁体ライン32上の部分が全く除去されていないものであるが、第1絶縁体ライン32の右端側上の部分まで有機光電変換層13が除去されるようにしておくことも出来る。
その後、有機光電変換層13上及び露出している各第1電極11上に、第2電極層22が形成される。そして、図16に模式的に示してあるように、レーザ光(例えば、波長532nmのレーザ光)の照射により第2電極層22の各第1絶縁体ライン32上の,20
0μm程度の幅の部分が除去されることにより、有機太陽電池(図13)が製造される。
以上、説明したように、この第2実施形態に係る製造方法(有機太陽電池の製造方法)も、第2電極層22のレーザ等による各切断(加工)部分下に、有機光電変換層13のみならず、第1絶縁体部32が存在することになる手順で、有機太陽電池が製造されるものとなっている。そして、切断による第1電極11と第2電極12の短絡は、原則として、切断による第2電極12の埋没や、第2電極12の構成材料の有機光電変換層13ヘのマイグレーションによって起こる。従って、本実施形態に係る製造方法によっても、有機光電変換層13上の第2電極層22の加工深さをさほど正確に制御しなくても各有機太陽電池素子20の第1電極11、第2電極12間が短絡しない有機太陽電池を製造できることになる。
《第3実施形態》
本発明の第3実施形態に係る製造方法(有機太陽電池の製造方法)では、図17に示したような構成を有する有機太陽電池が製造される。
すなわち、この図17と、上記した第1、第2実施形態に係る製造方法の内容とから明らかなように、本製造方法では、先ず、透明な基板10上に透明な第1電極層21が形成される(図2参照)。
その後、『レーザ加工等により基板10上の第1電極層21を複数の第1電極11に分割してから、各第1電極層21上に導電性ライン31及び第1絶縁体ライン32を形成する』、『第1電極層21上に、複数の導電性ライン31及び第1絶縁体ライン32を形成してから、レーザ加工等により基板10上の第1電極層21を複数の第1電極11に分割する』といったような手順により、図18に示したような構成を有する部材が製造される。すなわち、基板10上に複数の第1電極11が併設されている部材であって、各第1電極11の、他の第1電極11と対向している側の一方の端(以下、右端と表記する)近傍に、第1電極11の並び方向に直交する方向に延びた導電性ライン31及び第1絶縁体ライン32が、導電性ライン31の方が右端に近くなるように形成されている部材が、製造される。
次いで、製造した部材の第1電極11側の面上に、有機光電変換層13が塗布法等により形成される。そして、有機光電変換層13の,導電性ライン31上の部分がレーザ光照射等により除去されることにより、図19に示したような構成の部材が製造される。
その後、分割された有機光電変換層13上及び露出している各第1電極11上に、第2電極層22が形成される。そして、図20に模式的に示してあるように、レーザ光の照射等により第2電極層22の各第1絶縁体ライン32上の,200μm程度の幅の部分が除去されることにより、有機太陽電池(図17)が製造される。
以上、説明したように、この第3実施形態に係る製造方法も、第2電極層22のレーザ等による各切断(加工)部分下に、有機光電変換層13のみならず、第1絶縁体部32が存在することになる手順で、有機太陽電池が製造されるものとなっている。従って、本実施形態に係る製造方法によっても、有機光電変換層13上の第2電極層22の加工深さをさほど正確に制御しなくても各有機太陽電池素子20の第1電極11、第2電極12間が短絡しない有機太陽電池を製造できることになる。
《変形形態》
上記した各実施形態に係る製造方法は、図1等に示したものとは異なる構成を有する有機太陽電池の製造にも使用できるものである。例えば、第1実施形態に係る製造方法によ
り、図21〜図23に示してあるような構成を有する有機太陽電池、すなわち、有機光電変換層13の上下に、有機光電変換層13と電極層との電気的接合性を向上させるとともに、電極材料の拡散等を防ぐためのバッファ層25(例えば、50〜100nm程度の厚さのPEDOT層)、バッファ層26(例えば、50〜100nm程度の厚さのZnO層)が設けられた有機太陽電池を製造することも出来る。また、第2、第3実施形態に係る製造方法により、図13、図17の有機太陽電池に、バッファ層25、26相当の層を追加した構成を有する有機太陽電池を製造することも出来る。
さらに、第1実施形態に係る製造方法を、補助構造として、導電体ライン31を含まないもの(第1絶縁体ライン32と第2絶縁体ライン33とが所定間隔を以て並んだ構造)を形成するものに変形することも出来る。
また、第1実施形態に係る製造方法を、図6に示した構成の部材を上記したものとは異なる手順、例えば、第1電極層21を複数の第1電極11に分割した後に複数の補助構造を形成す手順で製造するものに変形することも出来る。ただし、当該手順を採用した場合、第1電極層21から除去された物質により第1電極層21が汚染されてしまうことになる。従って、第1電極層21から除去された物質により第1電極層21が汚染されてしまうことがない上記手順を採用しておくことが望ましい。
10 基板
11 第1電極
12 第2電極
13 有機光電変換層
20 有機太陽電池素子
21 第1電極層
22 第2電極層
25、26 バッファ層
31 導電体ライン
32 第1絶縁体ライン
33 第2絶縁体ライン

Claims (10)

  1. 第1電極と第2電極との間に有機光電変換層が挟まれた構成を有する複数の有機太陽電池素子が基板上で電気的に接合された有機太陽電池の製造方法において、
    基板と、前記基板の一方の面上に並設された複数の第1電極とを含み、第1電極の並び方向と直交する方向に延びた帯状の第1絶縁体部が各第1電極上に設けられている部材を製造する部材製造工程と、
    前記部材製造工程により製造された前記部材の第1電極側の面上に有機光電変換層を形成する有機光電変換層形成工程と、
    前記有機光電変換層形成工程により形成された前記有機光電変換層上に第2電極層を形成する第2電極層形成工程と、
    前記第2電極層形成工程により形成された前記第2電極層の,前記部材の各第1絶縁体部上の部分を加工することにより前記第2電極層を複数の第2電極に分割する第2電極層分割工程と、
    を含むことを特徴とする有機太陽電池の製造方法。
  2. 前記部材製造工程が、
    基板と、前記基板の一方の面上に並設された複数の第1電極とを含み、それぞれ、第1電極の並び方向と直交する方向に延びた帯状の第1絶縁体部及び帯状の導電体部が各第1電極上に設けられている部材を製造する工程であり、
    前記有機光電変換層形成工程が、
    前記部材の各導電体部上の部分が除去されている有機光電変換層を形成する工程である
    ことを特徴とする請求項1に記載の有機太陽電池の製造方法。
  3. 前記部材製造工程が、
    基板と、前記基板の一方の面上に並設された複数の第1電極と、前記複数の第1電極の中の,隣接する各2つの第1電極の境界毎に設けられた補助構造であって、対応する境界を覆う帯状の第2絶縁体部、当該第2絶縁体部により一方の側面が覆われた帯状の導電体部、及び、当該導電体部の他方の側面を覆う帯状の第1絶縁体部を含む補助構造とを備えた部材を製造する工程である
    ことを特徴とする請求項1に記載の有機太陽電池の製造方法。
  4. 前記部材製造工程が、
    前記基板の一方の面上に第1電極層を形成する第1電極層形成工程と、
    第1電極層形成工程により形成された第1電極層の複数の第1電極への分割箇所毎に、分割箇所を覆う帯状の第2絶縁体部、帯状の導電体部及び帯状の第1絶縁体部を、第1絶縁体部、第2絶縁体部間に導電体部が位置するように、且つ、各分割箇所における各部の並び順が同一となるように形成する絶縁体部等形成工程と、
    前記絶縁体部等形成工程により形成された各第2絶縁体部を通して前記第1電極層の各第2絶縁体部下の部分にレーザを照射することにより前記第1電極層を複数の第1電極に分割する第1電極層分割工程と、
    を含む
    ことを特徴とする請求項3に記載の有機太陽電池の製造方法。
  5. 前記絶縁体部等形成工程が、
    複数の導電体部を塗布法により形成した後、複数の第1絶縁体部及び第2絶縁体部を一括して塗布法により形成する工程である
    ことを特徴とする請求項4記載の有機太陽電池の製造方法。
  6. 前記絶縁体部等形成工程が、
    界面活性剤を添加した導電性ペーストを前記第1電極層上に塗布することにより前記複数の導電体部を形成する工程である
    ことを特徴とする請求項4又は請求項5に記載の有機太陽電池の製造方法。
  7. 第2電極層分割工程が、
    前記第2電極層の,前記部材の各第1絶縁体部上の部分にレーザを照射することにより前記第2電極層を複数の第2電極に分割する工程である
    ことを特徴とする請求項1乃至請求項6のいずれか一項に記載の有機太陽電池の製造方法。
  8. 前記有機光電変換層形成工程により形成された前記有機光電変換層上に第1バッファ層を形成する工程を、さらに含み、
    前記第2電極層形成工程が、前記有機光電変換層上に形成された第1バッファ層上に第2電極層を形成する工程である
    ことを特徴とする請求項1乃至請求項7のいずれか一項に記載の有機太陽電池の製造方法。
  9. 前記部材製造工程が、
    各第1電極上に第2バッファ層が形成されている部材を製造する工程である
    ことを特徴とする請求項1乃至請求項8のいずれか一項に記載の有機太陽電池の製造方法。
  10. 第1電極と第2電極との間に有機光電変換層が挟まれた構成を有する複数の有機太陽電池素子が基板上で電気的に接合された有機太陽電池において、
    基板と、
    前記基板の一方の面上に並設された複数の第1電極と、
    各第1電極上に設けられた、前記複数の第1電極の並び方向に直交する方向に延びた帯状の第1絶縁体部と、
    前記複数の第1電極上に設けられた、複数の部分に分割されている有機光電変換層と、
    前記有機光電変換層上に設けられた第2電極層であって、各第1絶縁体部上の部分で複数の第2電極に分割されている第2電極層と、
    を含むことを特徴とする有機太陽電池。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2014067921A (ja) * 2012-09-26 2014-04-17 Toshiba Corp 太陽電池モジュール
JP2015533264A (ja) * 2012-10-15 2015-11-19 ヘリアテク ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングHeliatek Gmbh 光電子コンポーネントに母線をインプリントするための方法

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