JP2012083186A - Scintillator panel and radioactive ray image detection device using the same - Google Patents
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- 238000001514 detection method Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 230000002285 radioactive effect Effects 0.000 title abstract 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 92
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 153
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 64
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 25
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 24
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 20
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 19
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 19
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 19
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 claims description 7
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 abstract description 32
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 10
- 239000010408 film Substances 0.000 description 70
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 42
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 41
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 39
- -1 silver halide Chemical class 0.000 description 37
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 31
- XQPRBTXUXXVTKB-UHFFFAOYSA-M caesium iodide Chemical compound [I-].[Cs+] XQPRBTXUXXVTKB-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 description 18
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 description 17
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 17
- 229920000052 poly(p-xylylene) Polymers 0.000 description 15
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 14
- 239000012943 hotmelt Substances 0.000 description 13
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 12
- 239000004106 carminic acid Substances 0.000 description 11
- 229920005596 polymer binder Polymers 0.000 description 11
- 239000002491 polymer binding agent Substances 0.000 description 11
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 10
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 10
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 10
- 239000005060 rubber Substances 0.000 description 10
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 9
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 9
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol Natural products OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 8
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 8
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 8
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 7
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 6
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 6
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 6
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 6
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 6
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 6
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 6
- 150000003476 thallium compounds Chemical class 0.000 description 6
- 239000000020 Nitrocellulose Substances 0.000 description 5
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 5
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 5
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 5
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 5
- 229920001220 nitrocellulos Polymers 0.000 description 5
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 5
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 5
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 5
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 5
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 5
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 4
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 4
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 4
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 4
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 4
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 229920003051 synthetic elastomer Polymers 0.000 description 4
- 239000005061 synthetic rubber Substances 0.000 description 4
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 4
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 3
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 3
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 3
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 3
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 3
- 239000004519 grease Substances 0.000 description 3
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 3
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N thallium Chemical compound [Tl] BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CMJCEVKJYRZMIA-UHFFFAOYSA-M thallium(i) iodide Chemical compound [Tl]I CMJCEVKJYRZMIA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- WSLDOOZREJYCGB-UHFFFAOYSA-N 1,2-Dichloroethane Chemical compound ClCCCl WSLDOOZREJYCGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VSKJLJHPAFKHBX-UHFFFAOYSA-N 2-methylbuta-1,3-diene;styrene Chemical compound CC(=C)C=C.C=CC1=CC=CC=C1.C=CC1=CC=CC=C1 VSKJLJHPAFKHBX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 2
- 244000043261 Hevea brasiliensis Species 0.000 description 2
- 239000004640 Melamine resin Substances 0.000 description 2
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 2
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000459 Nitrile rubber Polymers 0.000 description 2
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005062 Polybutadiene Substances 0.000 description 2
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 2
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M Propionate Chemical compound CCC([O-])=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001807 Urea-formaldehyde Polymers 0.000 description 2
- 229920002433 Vinyl chloride-vinyl acetate copolymer Polymers 0.000 description 2
- KXKVLQRXCPHEJC-UHFFFAOYSA-N acetic acid trimethyl ester Natural products COC(C)=O KXKVLQRXCPHEJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003522 acrylic cement Substances 0.000 description 2
- 239000012190 activator Substances 0.000 description 2
- 239000004840 adhesive resin Substances 0.000 description 2
- 229920006223 adhesive resin Polymers 0.000 description 2
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 2
- 150000001491 aromatic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229920001400 block copolymer Polymers 0.000 description 2
- NTXGQCSETZTARF-UHFFFAOYSA-N buta-1,3-diene;prop-2-enenitrile Chemical compound C=CC=C.C=CC#N NTXGQCSETZTARF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 2
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 2
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 2
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 2
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 2
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 2
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 2
- 230000001877 deodorizing effect Effects 0.000 description 2
- 238000003745 diagnosis Methods 0.000 description 2
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 2
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 description 2
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 description 2
- 150000004665 fatty acids Chemical class 0.000 description 2
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 2
- XZSDLFHCPIUHJB-UHFFFAOYSA-N formamide;urea Chemical compound NC=O.NC(N)=O XZSDLFHCPIUHJB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 2
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 2
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 229920003052 natural elastomer Polymers 0.000 description 2
- 229920001194 natural rubber Polymers 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 150000002978 peroxides Chemical class 0.000 description 2
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 2
- 229920006287 phenoxy resin Polymers 0.000 description 2
- 239000013034 phenoxy resin Substances 0.000 description 2
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 2
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 2
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 2
- 229920002857 polybutadiene Polymers 0.000 description 2
- 229920001748 polybutylene Polymers 0.000 description 2
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 2
- 238000002601 radiography Methods 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- 229920003048 styrene butadiene rubber Polymers 0.000 description 2
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 2
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 2
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 2
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 2
- GOXQRTZXKQZDDN-UHFFFAOYSA-N 2-Ethylhexyl acrylate Chemical compound CCCCC(CC)COC(=O)C=C GOXQRTZXKQZDDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 208000023514 Barrett esophagus Diseases 0.000 description 1
- 229920000049 Carbon (fiber) Polymers 0.000 description 1
- 229920000298 Cellophane Polymers 0.000 description 1
- WOBHKFSMXKNTIM-UHFFFAOYSA-N Hydroxyethyl methacrylate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCO WOBHKFSMXKNTIM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920010524 Syndiotactic polystyrene Polymers 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZJCCRDAZUWHFQH-UHFFFAOYSA-N Trimethylolpropane Chemical compound CCC(CO)(CO)CO ZJCCRDAZUWHFQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001646 UPILEX Polymers 0.000 description 1
- XQBCVRSTVUHIGH-UHFFFAOYSA-L [dodecanoyloxy(dioctyl)stannyl] dodecanoate Chemical compound CCCCCCCCCCCC(=O)O[Sn](CCCCCCCC)(CCCCCCCC)OC(=O)CCCCCCCCCCC XQBCVRSTVUHIGH-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 239000002156 adsorbate Substances 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- CQEYYJKEWSMYFG-UHFFFAOYSA-N butyl acrylate Chemical compound CCCCOC(=O)C=C CQEYYJKEWSMYFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004917 carbon fiber Substances 0.000 description 1
- 239000004918 carbon fiber reinforced polymer Substances 0.000 description 1
- 229920002301 cellulose acetate Polymers 0.000 description 1
- 239000004568 cement Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 208000037265 diseases, disorders, signs and symptoms Diseases 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229920006332 epoxy adhesive Polymers 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 1
- 238000007429 general method Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 230000005865 ionizing radiation Effects 0.000 description 1
- 239000012948 isocyanate Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009607 mammography Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 1
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920006289 polycarbonate film Polymers 0.000 description 1
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 1
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 description 1
- IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N rubidium atom Chemical compound [Rb] IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013464 silicone adhesive Substances 0.000 description 1
- 229920002545 silicone oil Polymers 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 238000010583 slow cooling Methods 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- FVAUCKIRQBBSSJ-UHFFFAOYSA-M sodium iodide Chemical compound [Na+].[I-] FVAUCKIRQBBSSJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000013076 target substance Substances 0.000 description 1
- GBECUEIQVRDUKB-UHFFFAOYSA-M thallium monochloride Chemical compound [Tl]Cl GBECUEIQVRDUKB-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- PGAPATLGJSQQBU-UHFFFAOYSA-M thallium(i) bromide Chemical compound [Tl]Br PGAPATLGJSQQBU-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- CULOEOTWMUCRSJ-UHFFFAOYSA-M thallium(i) fluoride Chemical compound [Tl]F CULOEOTWMUCRSJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- DVKJHBMWWAPEIU-UHFFFAOYSA-N toluene 2,4-diisocyanate Chemical compound CC1=CC=C(N=C=O)C=C1N=C=O DVKJHBMWWAPEIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- ILJSQTXMGCGYMG-UHFFFAOYSA-N triacetic acid Chemical compound CC(=O)CC(=O)CC(O)=O ILJSQTXMGCGYMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Conversion Of X-Rays Into Visible Images (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
Abstract
Description
本発明はシンチレータパネル、及び該シンチレータパネルを用いた放射線像検出装置に関する。 The present invention relates to a scintillator panel and a radiation image detection apparatus using the scintillator panel.
従来、Ｘ線画像のような放射線画像は医療現場において病状の診断に広く用いられている。特に増感紙−フィルム系による放射線画像は、長い歴史の中で高感度化と高画質化が図られた結果、高い信頼性と優れたコストパフォーマンスを併せ持った撮像システムとして、今なお、世界中の医療現場で用いられている。しかしながら、これら画像情報はいわゆるアナログ画像情報であって、近年発展を続けているデジタル画像情報のような、自由な画像処理や瞬時の電送ができない。 Conventionally, radiographic images such as X-ray images have been widely used for diagnosis of medical conditions in the medical field. In particular, radiographic images using intensifying screens and film systems have been developed throughout the world as an imaging system that combines high reliability and excellent cost performance as a result of high sensitivity and high image quality achieved over a long history. Used in the medical field. However, these pieces of image information are so-called analog image information, and free image processing and instantaneous electric transmission cannot be performed like the digital image information that has been developed in recent years.
そして、近年ではコンピューテッドラジオグラフィ（ｃｏｍｐｕｔｅｄ ｒａｄｉｏｇｒａｐｈｙ：ＣＲ）やフラットパネル型の放射線ディテクタ（ｆｌａｔ ｐａｎｅｌ ｄｅｔｅｃｔｏｒ：ＦＰＤともいう）等に代表されるデジタル方式の放射線像検出装置が登場している。これらは、デジタルの放射線画像が直接得られ、陰極管や液晶パネル等の画像表示装置に画像を直接表示することが可能なので、必ずしも写真フィルム上への画像形成が必要なものではない。その結果、これらのデジタル方式のＸ線画像検出装置は、銀塩写真方式による画像形成の必要性を低減させ、病院や診療所での診断作業の利便性を大幅に向上させている。 In recent years, digital radiographic image detection devices such as computed radiography (CR) and flat panel type radiation detectors (also referred to as flat panel detectors) have appeared. In these, since a digital radiographic image is directly obtained and an image can be directly displayed on an image display device such as a cathode tube or a liquid crystal panel, image formation on a photographic film is not necessarily required. As a result, these digital X-ray image detection devices reduce the need for image formation by the silver halide photography method, and greatly improve the convenience of diagnosis work in hospitals and clinics.
Ｘ線画像のデジタル技術の一つとして、コンピューテッド・ラジオグラフィ（ＣＲ）が現在医療現場で受け入れられている。しかしながら、鮮鋭性が十分でなく空間分解能も不十分であり、スクリーン・フィルムシステムの画質レベルには到達していない。そして、更に新たなデジタルＸ線画像技術として、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を用いた平板Ｘ線検出装置（ＦＰＤ）などが開発されている。 Computed radiography (CR) is currently accepted in medical practice as one of the digital technologies for X-ray images. However, the sharpness is insufficient and the spatial resolution is insufficient, and the image quality level of the screen / film system has not been reached. As a new digital X-ray imaging technique, a flat plate X-ray detection device (FPD) using a thin film transistor (TFT) has been developed.
放射線を可視光に変換するために、放射線により発光する特性を有するＸ線蛍光体で作られたシンチレータパネル（以下放射線像変換パネルともいう）が使用されるが、低線量の撮影においてのＳＮ比を向上するためには、発光効率の高いシンチレータパネルを使用することが必要になってくる。一般にシンチレータパネルの発光効率は、シンチレータ層（蛍光体層）の厚さ、蛍光体のＸ線吸収係数によって決まるが、蛍光体層の厚さは厚くすればするほど、蛍光体層内での発光光の散乱が発生し鮮鋭性は低下する。そのため、画質に必要な鮮鋭性を決めると膜厚が決定する。 In order to convert radiation into visible light, a scintillator panel (hereinafter also referred to as a radiation image conversion panel) made of an X-ray phosphor having the property of emitting light is used. In order to improve the above, it is necessary to use a scintillator panel with high luminous efficiency. In general, the light emission efficiency of a scintillator panel is determined by the thickness of the scintillator layer (phosphor layer) and the X-ray absorption coefficient of the phosphor. The thicker the phosphor layer, the light emission in the phosphor layer. Light scattering occurs and sharpness decreases. Therefore, when the sharpness necessary for the image quality is determined, the film thickness is determined.
中でも、ヨウ化セシウム（ＣｓＩ）はＸ線から可視光に対する変更率が比較的高く、蒸着によって容易に蛍光体を柱状結晶構造に形成できるため、光ガイド効果により結晶内での発光光の散乱が抑えられ、蛍光体層の厚さを厚くすることが可能であった。 Among them, cesium iodide (CsI) has a relatively high rate of change from X-rays to visible light, and phosphors can be easily formed into a columnar crystal structure by vapor deposition. Therefore, it was possible to increase the thickness of the phosphor layer.
このようなシンチレータパネルの製造方法としては、アルミやアモルファスカーボンなど剛直な支持体上に蛍光体層を形成し、その上にシンチレータの表面全体を保護層（保護膜）で被覆させることが一般的である（例えば、特許文献１参照）。しかしながら、自由に曲げることのできないこれらの支持体上に蛍光体層を形成した場合、支持体と保護膜の間の接着が弱いため、膜はがれを起こし、蛍光体の劣化を早めるという欠点がある。 As a method for manufacturing such a scintillator panel, it is common to form a phosphor layer on a rigid support such as aluminum or amorphous carbon, and to cover the entire surface of the scintillator with a protective layer (protective film). (For example, see Patent Document 1). However, when a phosphor layer is formed on such a support that cannot be bent freely, the adhesion between the support and the protective film is weak, so that the film peels off and the phosphor is accelerated. .
この課題に対して、支持体に凹凸を設け、力学的な接着力を高める技術が開示されている（例えば、特許文献２参照）。 In order to solve this problem, a technique has been disclosed in which unevenness is provided on a support to increase the dynamic adhesive force (see, for example, Patent Document 2).
また、特許文献３には、支持体が構成成分として樹脂を含有し、支持体の線熱膨張係数を規定することにより接着性を向上させる技術が開示されている。 Patent Document 3 discloses a technique in which the support contains a resin as a constituent component and the adhesiveness is improved by defining the linear thermal expansion coefficient of the support.
さらに、特許文献４には、シンチレータパネルの蛍光体と側面と蛍光体とは反対側の面の一部分とを覆う保護膜において、部分的に覆われた反対側の保護膜が、周辺部から中心部に向かうに従って薄くなるよう形成する事により、接着性を向上する技術が記載されている。 Further, in Patent Document 4, in the protective film covering the phosphor of the scintillator panel, the side surface, and a part of the surface opposite to the phosphor, the partially covered protective film is centered from the periphery. A technique for improving adhesiveness by forming the film so as to become thinner toward the part is described.
しかし、いずれの技術も、支持体と保護膜との接着性が十分ではなく熱や衝撃などによる膜はがれの問題を解決するには到っていない。 However, none of the techniques have sufficient adhesiveness between the support and the protective film, and have not yet solved the problem of film peeling due to heat or impact.
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、その目的は、支持体と保護膜の接着性の優れたシンチレータパネル、及びそれを用いた放射線像検出装置を提供することにある。 The present invention has been made in view of the above problems, and an object thereof is to provide a scintillator panel having excellent adhesion between a support and a protective film, and a radiation image detection apparatus using the scintillator panel.
本発明の上記目的は、以下の構成により達成される。 The above object of the present invention is achieved by the following configurations.
１．支持体上の片面に、下引層と蛍光体層とを有するシンチレータパネルにおいて、前記蛍光体層の表面、前記支持体と蛍光体層との側面、及び前記蛍光体層とは反対側の前記支持体の端部から内側３．０ｍｍ以内の面積とを覆う形で保護層が設けられ、かつ前記支持体と前記保護層の線熱膨張係数がともに１０ｐｐｍ／℃以上、１２０ｐｐｍ／℃以下であることを特徴とするシンチレータパネル。 1. In a scintillator panel having an undercoat layer and a phosphor layer on one side of a support, the surface of the phosphor layer, the side surfaces of the support and the phosphor layer, and the opposite side of the phosphor layer A protective layer is provided so as to cover an area within 3.0 mm from the end of the support, and the linear thermal expansion coefficients of the support and the protective layer are both 10 ppm / ° C. or more and 120 ppm / ° C. or less. A scintillator panel characterized by that.
２．前記支持体と保護層のＳＰ値がともに１４．０（ＭＰａ）１／２以上、２７．０（ＭＰａ）１／２以下であることを特徴とする前記１に記載のシンチレータパネル。 2. 2. The scintillator panel according to 1 above, wherein SP values of the support and the protective layer are both 14.0 (MPa) 1/2 or more and 27.0 (MPa) 1/2 or less.
３．前記下引層の線熱膨張係数が１０ｐｐｍ／℃以上、１２０ｐｐｍ／℃以下であることを特徴とする前記１または２に記載のシンチレータパネル。 3. 3. The scintillator panel according to 1 or 2, wherein the undercoating layer has a linear thermal expansion coefficient of 10 ppm / ° C. or more and 120 ppm / ° C. or less.
４．前記下引層のＳＰ値が１４．０（ＭＰａ）１／２以上、２７．０（ＭＰａ）１／２以下であることを特徴とする前記１から３のいずれか１項に記載のシンチレータパネル。 4). 4. The scintillator panel according to any one of 1 to 3, wherein an SP value of the undercoat layer is 14.0 (MPa) 1/2 or more and 27.0 (MPa) 1/2 or less. .
５．前記蛍光体層が柱状構造の蛍光体を有することを特徴とする前記１から４のいずれか１項に記載のシンチレータパネル。 5. The scintillator panel according to any one of 1 to 4, wherein the phosphor layer includes a phosphor having a columnar structure.
６．前記支持体のガラス転移温度が９０℃以上６００℃以下であることを特徴とする前記１から５のいずれか一項に記載のシンチレータパネル。 6). The scintillator panel according to any one of 1 to 5, wherein a glass transition temperature of the support is 90 ° C or higher and 600 ° C or lower.
７．前記１から６に記載のシンチレータパネルと光電変換素子アレイとがカプリングしてなることを特徴とする放射線像検出装置。 7). 7. A radiation image detection apparatus comprising the scintillator panel according to any one of 1 to 6 and a photoelectric conversion element array coupled to each other.
８．前記１から６に記載のシンチレータパネルと光電変換素子アレイとが光学結合層を介してカプリングしてなることを特徴とする放射線像検出装置。 8). 7. A radiation image detection apparatus comprising the scintillator panel according to 1 to 6 and a photoelectric conversion element array coupled via an optical coupling layer.
本発明により、支持体と保護膜の接着性のよいシンチレータパネル、及びそれを用いた放射線像検出装置を提供することができた。 According to the present invention, a scintillator panel having good adhesion between a support and a protective film, and a radiation image detection apparatus using the scintillator panel can be provided.
以下、本発明を実施するための形態について詳細に説明する。 Hereinafter, embodiments for carrying out the present invention will be described in detail.
本発明者は、上記課題に鑑み鋭意検討を行った結果、本発明のシンチレータパネルは、支持体上の片面に、下引層と蛍光体層とを有し、前記蛍光体表面、前記支持体と蛍光体層との側面、及び前記蛍光体とは反対側の前記支持体の端部から内側３．０ｍｍ以内の面積とを覆う形で保護層が設けられ、かつ前記支持体と前記保護層の線熱膨張係数がともに１０ｐｐｍ／℃以上、１２０ｐｐｍ／℃以下であることを特徴とする。 As a result of intensive studies in view of the above problems, the present inventor has found that the scintillator panel of the present invention has an undercoat layer and a phosphor layer on one side of the support, and the phosphor surface and the support. A protective layer is provided so as to cover the side surfaces of the phosphor layer and the side of the support opposite to the phosphor, and an area within 3.0 mm on the inner side, and the support and the protective layer Both have a linear thermal expansion coefficient of 10 ppm / ° C. or more and 120 ppm / ° C. or less.
放射線像変換パネルは様々な支持体を使用することができる。この時、支持体と保護膜の部材の線熱膨張係数を特定の領域に設計しない場合は、使用中の熱変動や衝撃によりズレを生じ、このため膜はがれを発生させる場合のあることがわかり、本発明に至った次第である。 The radiation image conversion panel can use various supports. At this time, if the coefficient of linear thermal expansion of the support and the protective film member is not designed in a specific area, it will be understood that the film may be peeled off due to thermal fluctuation or impact during use. It is up to the present invention.
（シンチレータパネル）
本発明のシンチレータパネル（放射線像変換パネル）は少なくとも、支持体、下引層、蛍光体層、保護層を有しており、好ましくは光学結合層、反射層を含んでいる。
(Scintillator panel)
The scintillator panel (radiation image conversion panel) of the present invention has at least a support, an undercoat layer, a phosphor layer, and a protective layer, and preferably includes an optical coupling layer and a reflective layer.
なお、本願において「シンチレータ」とは、α線、γ線、Ｘ線等の電離放射線を照射されたときに原子が励起されることにより発光する蛍光体をいう。すなわち、放射線を紫外・可視光に変換して放出する蛍光体をいう。 In the present application, the “scintillator” refers to a phosphor that emits light by excitation of atoms when irradiated with ionizing radiation such as α rays, γ rays, and X rays. That is, it refers to a phosphor that converts radiation into ultraviolet / visible light and emits it.
本発明において、放射線変換パネルの支持体、保護層の線熱膨張係数は１０ｐｐｍ／℃以上、かつ１２０ｐｐｍ／℃以下である。この範囲にあることによって、本発明のシンチレータパネルの保護膜と支持体の接着性が向上する。さらに、蛍光体層以外の支持体、保護層、光学結合層、下引層、の全てが１０ｐｐｍ／℃〜１２０ｐｐｍ／℃であると、各層の界面の間での熱変位差を抑制でき、接着性が良好で、膜剥がれを防止できる。 In the present invention, the linear thermal expansion coefficient of the support of the radiation conversion panel and the protective layer is 10 ppm / ° C. or more and 120 ppm / ° C. or less. By being in this range, the adhesion between the protective film and the support of the scintillator panel of the present invention is improved. Furthermore, if all of the support other than the phosphor layer, the protective layer, the optical coupling layer, and the undercoat layer are 10 ppm / ° C. to 120 ppm / ° C., the difference in thermal displacement between the interfaces of each layer can be suppressed, and adhesion The film has good properties and can prevent film peeling.
本発明における線熱膨張係数は化合物固有の値で周知である。また、一般的な方法で測定する事ができる。本発明では層を構成する組成物を測定することで測定ができる。必要に応じ別途塗膜を製膜し測定することができる。 The linear thermal expansion coefficient in the present invention is well known as a value inherent to the compound. Moreover, it can measure by a general method. In this invention, it can measure by measuring the composition which comprises a layer. If necessary, a coating film can be separately formed and measured.
また、蛍光体層以外の支持体、保護層、のＳＰ値は１４．０（ＭＰａ）１／２〜２７．０（ＭＰａ）１／２の範囲であることが、保護膜と支持体との接着性の観点から好ましい。さらに、支持体、保護層に加えて、光学結合層、下引層、の全てのＳＰ値が１４．０（ＭＰａ）１／２〜２７．０（ＭＰａ）１／２の範囲とする材料を選択することで、界面同士の親和性が高くなり、熱や振動、衝撃に代表される外力による膜剥がれ、撓みの品質劣化をより抑制できる。 Further, the SP value of the support and the protective layer other than the phosphor layer is in the range of 14.0 (MPa) 1/2 to 27.0 (MPa) 1/2 . It is preferable from the viewpoint of adhesiveness. Furthermore, in addition to the support and the protective layer, a material in which all the SP values of the optical coupling layer and the undercoat layer are in the range of 14.0 (MPa) 1/2 to 27.0 (MPa) 1/2. By selecting, the affinity between the interfaces increases, and the film peeling due to external force represented by heat, vibration, and impact, and the deterioration of the quality of bending can be further suppressed.
なおＳＰ値とは溶解度パラメータを指し、例えば、ＰＯＬＹＭＥＲ ＥＮＧＩＮＥＥＲＩＮＧ ＡＮＤ ＳＩＥＮＣＥ，１９７４，Ｖｏｌ．１４，ＮＯ２，Ｐ１４７−１５４（ＲＯＢＥＲＴ Ｆ．ＦＥＤＯＲＳ）に記載の如く、下記式によって求められる値である。 The SP value refers to a solubility parameter. For example, POLYMER ENGINEERING AND SIENCE, 1974, Vol. 14, NO2, P147-154 (ROBERT F. FEDORS) as described in the following equation.
ＳＰ＝（ΔＥｖ／Ｖ）１／２
式中、ΔＥｖは蒸発エネルギー、Ｖはモル体積を示す。
SP = (ΔEv / V) 1/2
In the formula, ΔEv represents evaporation energy, and V represents molar volume.
（支持体）
本発明のシンチレータパネルは、支持体上の片面に下引層と蛍光体層とを有し、蛍光体表面、前記支持体と蛍光体層との側面、及び前記蛍光体とは反対側の前記支持体の端部から内側３．０ｍｍ以内の面積とを覆う形で保護層が設けられ、かつ、支持体と保護層の線熱膨張係数がともに１０ｐｐｍ／℃以上、１２０ｐｐｍ／℃以下である。後述する保護層と共に支持体の線熱膨張係数がこの範囲にあることによって、シンチレータパネルの保護層と支持体の接着性が向上する。
(Support)
The scintillator panel of the present invention has an undercoat layer and a phosphor layer on one side of a support, and the phosphor surface, the side surfaces of the support and the phosphor layer, and the side opposite to the phosphor. A protective layer is provided so as to cover an area within 3.0 mm from the end of the support, and the linear thermal expansion coefficients of the support and the protective layer are both 10 ppm / ° C. or more and 120 ppm / ° C. or less. When the linear thermal expansion coefficient of the support is within this range together with the protective layer described later, the adhesion between the protective layer of the scintillator panel and the support is improved.
また、本発明の支持体は後述する保護層と共にＳＰ値が１４．０（ＭＰａ）１／２〜２７．０（ＭＰａ）１／２である事が好ましい。この範囲にあることでより、支持体と保護層の接着性が改善される。 The support of the present invention preferably has an SP value of 14.0 (MPa) 1/2 to 27.0 (MPa) 1/2 together with a protective layer described later. By being in this range, the adhesiveness between the support and the protective layer is improved.
本発明において支持体のガラス転移温度（以下Ｔｇともいう）は９０℃以上６００℃以下が好ましい。さらに好ましくは、１５０℃以上５００℃以下である。Ｔｇが９０℃以上であると、蒸着等の製造時の加熱環境下でも支持体の変形が起きにくいため、支持体と保護膜の接着性が優れ、また変形に伴う鮮鋭性の低下等を招くことがない。上限は入手のしやすさ、コスト等から６００℃以下の範囲が好ましい。 In the present invention, the glass transition temperature (hereinafter also referred to as Tg) of the support is preferably 90 ° C. or higher and 600 ° C. or lower. More preferably, it is 150 degreeC or more and 500 degrees C or less. When the Tg is 90 ° C. or higher, the support is not easily deformed even in a heating environment such as vapor deposition. Therefore, the adhesion between the support and the protective film is excellent, and the sharpness is lowered due to the deformation. There is nothing. The upper limit is preferably in the range of 600 ° C. or less from the viewpoint of availability and cost.
尚、本発明でいうガラス転移温度とは、示差走査熱量測定器（Ｐｅｒｋｉｎ Ｅｌｍｅｒ社製ＤＳＣ−７型）を用いて、昇温速度２０℃／分で測定し、ＪＩＳ Ｋ ７１２１（１９８７）に従い求めた中間点ガラス転移温度（Ｔｍｇ）とする。 The glass transition temperature as used in the present invention is measured at a rate of temperature increase of 20 ° C./min using a differential scanning calorimeter (DSC-7 manufactured by Perkin Elmer) and determined according to JIS K 7121 (1987). The intermediate glass transition temperature (Tmg).
本発明ではこのような支持体として、樹脂フイルムを用いることが好ましい。上記線熱膨張係数の樹脂フイルムとしては、セルロースアセテートフイルム、ポリエステルフイルム、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フイルム（Ｔｇ８１℃）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）フイルム、ポリアミドフイルム、ポリイミド（ＰＩ）フイルム（Ｔｇ４１０℃）、トリアセテートフイルム、ポリカーボネートフイルム、炭素繊維強化樹脂シート等の樹脂フイルム（プラスチックフイルム）を用いることができる。特に、ポリイミド、又はポリエチレンナフタレートを含有する樹脂フイルムが、ヨウ化セシウムを原材料として気相法にて蛍光体柱状結晶を形成する場合に、好適である。 In the present invention, it is preferable to use a resin film as such a support. Examples of the resin film having the linear thermal expansion coefficient include cellulose acetate film, polyester film, polyethylene terephthalate (PET) film (Tg 81 ° C.), polyethylene naphthalate (PEN) film, polyamide film, polyimide (PI) film (Tg 410 ° C.), A resin film (plastic film) such as a triacetate film, a polycarbonate film, or a carbon fiber reinforced resin sheet can be used. In particular, a resin film containing polyimide or polyethylene naphthalate is suitable when a phosphor columnar crystal is formed by a vapor phase method using cesium iodide as a raw material.
なお、本発明に係る支持体として後述する弾性率を有する可とう性のある樹脂フイルムであることが好ましい。 In addition, it is preferable that it is a flexible resin film which has the elasticity modulus mentioned later as a support body which concerns on this invention.
なお、「弾性率」とは、引張試験機を用い、ＪＩＳ Ｃ ２３１８に準拠したサンプルの標線が示すひずみと、それに対応する応力が直線的な関係を示す領域において、ひずみ量に対する応力の傾きを求めたものである。 Note that the “elastic modulus” refers to the slope of the stress with respect to the strain amount in a region where the strain indicated by the standard line of the sample conforming to JIS C 2318 and the corresponding stress have a linear relationship using a tensile tester. Is what we asked for.
本発明に用いられる支持体は、上記のように１２０℃での弾性率（Ｅ１２０）が１０００〜６０００Ｎ／ｍｍ２であることが好ましい。より好ましくは１２００〜５０００Ｎ／ｍｍ２である。 The support used in the present invention preferably has an elastic modulus (E120) at 120 ° C. of 1000 to 6000 N / mm 2 as described above. More preferably, it is 1200-5000 N / mm < 2 >.
具体的には、ポリエチレンナフタレート（Ｅ１２０＝４１００Ｎ／ｍｍ２）、ポリエチレンテレフタレート（Ｅ１２０＝１５００Ｎ／ｍｍ２）、ポリブチレンナフタレート（Ｅ１２０＝１６００Ｎ／ｍｍ２）、ポリカーボネート（Ｅ１２０＝１７００Ｎ／ｍｍ２）、シンジオタクチックポリスチレン（Ｅ１２０＝２２００Ｎ／ｍｍ２）、ポリエーテルイミド（Ｅ１２０＝１９００Ｎ／ｍｍ２）、ポリイミド（Ｅ１２０＝１２００Ｎ／ｍｍ２）、ポリアリレート（Ｅ１２０＝１７００Ｎ／ｍｍ２）、ポリスルホン（Ｅ１２０＝１８００Ｎ／ｍｍ２）、ポリエーテルスルホン（Ｅ１２０＝１７００Ｎ／ｍｍ２）等からなる樹脂フイルムが挙げられる。 Specifically, polyethylene naphthalate (E120 = 4100N / mm 2) , polyethylene terephthalate (E120 = 1500N / mm 2) , polybutylene naphthalate (E120 = 1600N / mm 2) , polycarbonate (E120 = 1700N / mm 2) , Syndiotactic polystyrene (E120 = 2200 N / mm 2 ), polyetherimide (E120 = 1900 N / mm 2 ), polyimide (E120 = 1200 N / mm 2 ), polyarylate (E120 = 1700 N / mm 2 ), polysulfone (E120) = 1800 N / mm 2 ), polyethersulfone (E120 = 1700 N / mm 2 ) and the like.
これらは単独で用いてもよく積層あるいは混合して用いてもよい。中でも、特に好ましい樹脂フイルムとしては、ポリイミド又はポリエチレンナフタレート樹脂フイルムである。 These may be used singly or may be laminated or mixed. Among these, a particularly preferable resin film is polyimide or polyethylene naphthalate resin film.
なお、シンチレータパネルと平面受光素子面を貼り合せる際に、支持体の変形や蒸着時の反りなどの影響を受け、フラットパネルディテクタの受光面内で均一な画質特性が得られ難いという点に関して、該支持体を、厚さ５０〜５００μｍの樹脂フイルムとすることでシンチレータパネルが平面受光素子面形状に合った形状に変形し、フラットパネルディテクタの受光面全体で均一な鮮鋭性が得られる。 Regarding the point that it is difficult to obtain uniform image quality characteristics within the light receiving surface of the flat panel detector due to the influence of deformation of the support and warpage during vapor deposition when bonding the scintillator panel and the flat light receiving element surface. By making the support a resin film having a thickness of 50 to 500 μm, the scintillator panel is deformed into a shape that matches the shape of the planar light receiving element surface, and uniform sharpness is obtained over the entire light receiving surface of the flat panel detector.
（反射層）
本発明においては、樹脂支持体上には反射層を設けることが好ましい、蛍光体（シンチレータ）から発した光を反射して、光の取り出し効率を高めるためのものである。当該反射層は、Ａｌ，Ａｇ，Ｃｒ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｔｉ，Ｍｇ，Ｒｈ，Ｐｔ及びＡｕからなる元素群の中から選ばれるいずれかの元素を含む材料により形成されることが好ましい。特に、上記の元素からなる金属薄膜、例えば、Ａｇ膜、Ａｌ膜などを用いることが好ましい。また、このような金属薄膜を２層以上形成するようにしても良い。なお、このような金属薄膜を用いる場合反射層の厚さは、０．００５〜０．３μｍ、より好ましくは０．０１〜０．２μｍであることが、発光光取り出し効率の観点から好ましい。
(Reflective layer)
In the present invention, it is preferable to provide a reflective layer on the resin support, in order to reflect the light emitted from the phosphor (scintillator) and increase the light extraction efficiency. The reflective layer is preferably formed of a material containing any element selected from the element group consisting of Al, Ag, Cr, Cu, Ni, Ti, Mg, Rh, Pt, and Au. In particular, it is preferable to use a metal thin film made of the above elements, for example, an Ag film, an Al film, or the like. Two or more such metal thin films may be formed. When such a metal thin film is used, the thickness of the reflective layer is preferably 0.005 to 0.3 [mu] m, more preferably 0.01 to 0.2 [mu] m, from the viewpoint of emission light extraction efficiency.
また、金属の反射率を利用する手段の他に、誘電率の異なる２つの層を重ねることで起きる全反射の性質を利用した、反射層の構成も設けることができる。当該反射層は、種々の材料からなる２つ以上の誘電体層を選択し、用いて、支持体側から屈折率の値が段階的に低くなるよう配置することで形成できる。選択できる材料としては、たとえば酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、酸化チタン（ＴｉＯ２）、酸化インジウム（ＩＴＯ）などの無機材料が挙げられ、いずれもスパッタ法にて形成できる。無機材料層の厚さは膜付き、発光光の減衰および形成プロセスを考慮し、０．００５μｍ以上、０．７μｍ以下が好ましく、更には０．００５μｍ以上、０．１μｍ以下が好ましい。 In addition to the means using the reflectance of the metal, a configuration of a reflection layer using the property of total reflection that occurs when two layers having different dielectric constants are stacked can be provided. The reflective layer can be formed by selecting and using two or more dielectric layers made of various materials so that the refractive index value gradually decreases from the support side. Examples of the material that can be selected include inorganic materials such as silicon oxide (SiO 2 ), titanium oxide (TiO 2 ), and indium oxide (ITO), all of which can be formed by sputtering. The thickness of the inorganic material layer is preferably 0.005 μm or more and 0.7 μm or less, more preferably 0.005 μm or more and 0.1 μm or less in consideration of the film thickness, the attenuation of emitted light, and the formation process.
誘電体層として、有機材料を用いることもできる。有機材料層は高分子結合材（バインダー）、分散剤等を含有することが好ましい。有機材料層の屈折率は材料の種類にもよるがおおよそ１．４〜１．６の範囲である。有機材料層の厚さは０．５〜４μｍが好ましい。４μｍ以下とすることで有機材料層内での光散乱が小さくなり鮮鋭性が向上する。また、有機材料層の厚さを０．５μｍ以上とすることで、反射層としての効果が大きくなる。 An organic material can also be used as the dielectric layer. The organic material layer preferably contains a polymer binder (binder), a dispersant and the like. The refractive index of the organic material layer is approximately in the range of 1.4 to 1.6 depending on the type of material. The thickness of the organic material layer is preferably 0.5 to 4 μm. When the thickness is 4 μm or less, light scattering in the organic material layer is reduced and sharpness is improved. Moreover, the effect as a reflection layer becomes large because the thickness of an organic material layer shall be 0.5 micrometer or more.
有機材料層は、溶剤に溶解または分散した高分子結合材（以下「バインダー」ともいう。）を塗布、乾燥して形成することが好ましい。 The organic material layer is preferably formed by applying and drying a polymer binder (hereinafter also referred to as “binder”) dissolved or dispersed in a solvent.
有機材料層に用いられる高分子結合材としては、具体的には、ポリウレタン、塩化ビニル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル−塩化ビニリデン共重合体、塩化ビニル−アクリロニトリル共重合体、ブタジエン−アクリロニトリル共重合体、ポリアミド樹脂、ポリビニルブチラール、ポリエステル、セルロース誘導体（ニトロセルロース等）、スチレン−ブタジエン共重合体、各種の合成ゴム系樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、フェノキシ樹脂、シリコン樹脂、アクリル系樹脂、尿素ホルムアミド樹脂等が挙げられる。 Specific examples of the polymer binder used in the organic material layer include polyurethane, vinyl chloride copolymer, vinyl chloride-vinyl acetate copolymer, vinyl chloride-vinylidene chloride copolymer, vinyl chloride-acrylonitrile copolymer. Polymer, butadiene-acrylonitrile copolymer, polyamide resin, polyvinyl butyral, polyester, cellulose derivative (nitrocellulose, etc.), styrene-butadiene copolymer, various synthetic rubber resins, phenol resin, epoxy resin, urea resin, melamine resin , Phenoxy resin, silicon resin, acrylic resin, urea formamide resin, and the like.
特に蛍光体層との密着の点でポリウレタン、ポリエステル、塩化ビニル系共重合体、ポリビニルブチラール、ニトロセルロースなどが好ましい。また、ガラス転移温度（Ｔｇ）が３０〜１００℃のポリマーであることが、蛍光体層と支持体との膜付の点で好ましい。この観点からは、特にポリエステル樹脂であることが好ましい。 In particular, polyurethane, polyester, vinyl chloride copolymer, polyvinyl butyral, nitrocellulose and the like are preferable in terms of adhesion to the phosphor layer. In addition, a polymer having a glass transition temperature (Tg) of 30 to 100 ° C. is preferable from the viewpoint of attaching a film between the phosphor layer and the support. From this viewpoint, a polyester resin is particularly preferable.
有機材料層の調製に用いることができる溶剤としては、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、ｎ−ブタノールなどの低級アルコール、メチレンクロライド、エチレンクロライドなどの塩素原子含有炭化水素、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンなどのケトン、トルエン、ベンゼン、シクロヘキサン、シクロヘキサノン、キシレンなどの芳香族化合物、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチルなどの低級脂肪酸と低級アルコールとのエステル、ジオキサン、エチレングリコールモノエチルエステル、エチレングリコールモノメチルエステルなどのエーテル及びそれらの混合物を挙げることができる。 Solvents that can be used for the preparation of the organic material layer include lower alcohols such as methanol, ethanol, n-propanol and n-butanol, hydrocarbons containing chlorine atoms such as methylene chloride and ethylene chloride, acetone, methyl ethyl ketone, and methyl isobutyl ketone. Such as ketones, toluene, benzene, cyclohexane, cyclohexanone, xylene and other aromatic compounds, methyl acetate, ethyl acetate, butyl acetate and other lower fatty acid and lower alcohol esters, dioxane, ethylene glycol monoethyl ester, ethylene glycol monomethyl ester And ethers thereof and mixtures thereof.
なお、有機材料層には、シンチレータが発光する光の散乱の防止し、鮮鋭性等を向上させるために顔料や染料を含有させてもよい。また、誘電体層として用いる有機材料層は、後述する下引層としての機能を兼ねることもできる。 Note that the organic material layer may contain a pigment or a dye in order to prevent scattering of light emitted from the scintillator and improve sharpness and the like. Further, the organic material layer used as the dielectric layer can also function as an undercoat layer described later.
（下引層）
本発明においては、支持体と蛍光体層の間、又は反射層と蛍光体層の間に下引層を設けることが好ましい。当該下引層は、ＣＶＤ法（気相化学成長法）によりポリパラキシリレン膜を成膜する方法や高分子結合材（バインダー）による方法があるが、膜付の観点から高分子結合材（バインダー）による方法がより好ましい。ここでいう高分子結合材（バインダー）は前述した、有機材料層に用いることができる高分子結合材と同じであってもよい。
(Undercoat layer)
In the present invention, it is preferable to provide an undercoat layer between the support and the phosphor layer or between the reflective layer and the phosphor layer. The undercoat layer includes a method of forming a polyparaxylylene film by a CVD method (vapor phase chemical growth method) and a method using a polymer binder (binder). From the viewpoint of attaching a film, a polymer binder ( A method using a binder is more preferable. The polymer binder (binder) here may be the same as the polymer binder that can be used for the organic material layer described above.
また下引層の厚さは、０．５〜４μｍが好ましい。４μｍ以下になると下引層内での光散乱が小さくなり鮮鋭性が向上する。また下引層の厚さを５μｍ以下とすることで、蛍光体層の結晶成長に乱れが発生するのを防止できる。また、下引層の線熱膨張係数は前述した保護層と支持体と同じ範囲にある事が好ましい。ＳＰ値も前述した保護層と支持体と同じ範囲にあることが好ましい。 Further, the thickness of the undercoat layer is preferably 0.5 to 4 μm. When the thickness is 4 μm or less, light scattering in the undercoat layer is reduced and sharpness is improved. Further, by setting the thickness of the undercoat layer to 5 μm or less, it is possible to prevent disorder in the crystal growth of the phosphor layer. The linear thermal expansion coefficient of the undercoat layer is preferably in the same range as that of the protective layer and the support described above. The SP value is also preferably in the same range as the protective layer and the support described above.
以下、下引層の構成要素について説明する。 Hereinafter, components of the undercoat layer will be described.
〈高分子結合材〉
本発明に係る下引層は、溶剤に溶解又は分散した高分子結合材を塗布、乾燥して形成することが好ましい。高分子結合材としては、具体的には、ポリウレタン、塩化ビニル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル−塩化ビニリデン共重合体、塩化ビニル−アクリロニトリル共重合体、ブタジエン−アクリロニトリル共重合体、ポリアミド樹脂、ポリビニルブチラール、ポリエステル、セルロース誘導体（ニトロセルロース等）、スチレン−ブタジエン共重合体、各種の合成ゴム系樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、フェノキシ樹脂、シリコン樹脂、アクリル系樹脂、尿素ホルムアミド樹脂等が挙げられる。なかでもポリウレタン、ポリエステル、塩化ビニル系共重合体、ポリビニルブチラール、ニトロセルロースを使用することが好ましい。
<Polymer binder>
The undercoat layer according to the present invention is preferably formed by applying and drying a polymer binder dissolved or dispersed in a solvent. Specific examples of the polymer binder include polyurethane, vinyl chloride copolymer, vinyl chloride-vinyl acetate copolymer, vinyl chloride-vinylidene chloride copolymer, vinyl chloride-acrylonitrile copolymer, butadiene-acrylonitrile copolymer. Polymer, polyamide resin, polyvinyl butyral, polyester, cellulose derivative (nitrocellulose, etc.), styrene-butadiene copolymer, various synthetic rubber resins, phenol resin, epoxy resin, urea resin, melamine resin, phenoxy resin, silicone resin , Acrylic resins, urea formamide resins, and the like. Of these, polyurethane, polyester, vinyl chloride copolymer, polyvinyl butyral, and nitrocellulose are preferably used.
本発明に係る下引層に用いる高分子結合材としては、特に蛍光体層との密着の点でポリウレタン、ポリエステル、塩化ビニル系共重合体、ポリビニルブチラール、ニトロセルロースなどが好ましい。また、ガラス転移温度（Ｔｇ）が３０〜１００℃のポリマーであることが、蒸着結晶と支持体との膜付の点で好ましい。この観点からは、特にポリエステル樹脂であることが好ましい。 As the polymer binder used in the undercoat layer according to the present invention, polyurethane, polyester, vinyl chloride copolymer, polyvinyl butyral, nitrocellulose and the like are particularly preferable in terms of adhesion to the phosphor layer. Moreover, it is preferable that the glass transition temperature (Tg) is a polymer having a temperature of 30 to 100 ° C. in terms of attaching a film between the deposited crystal and the support. From this viewpoint, a polyester resin is particularly preferable.
下引層の調製に用いることができる溶剤としては、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、ｎ−ブタノールなどの低級アルコール、メチレンクロライド、エチレンクロライドなどの塩素原子含有炭化水素、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンなどのケトン、トルエン、ベンゼン、シクロヘキサン、シクロヘキサノン、キシレンなどの芳香族化合物、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチルなどの低級脂肪酸と低級アルコールとのエステル、ジオキサン、エチレングリコールモノエチルエステル、エチレングリコールモノメチルエステルなどのエーテル及びそれらの混合物を挙げることができる。 Solvents that can be used to prepare the undercoat layer include lower alcohols such as methanol, ethanol, n-propanol and n-butanol, hydrocarbons containing chlorine atoms such as methylene chloride and ethylene chloride, acetone, methyl ethyl ketone, and methyl isobutyl ketone. Such as ketones, toluene, benzene, cyclohexane, cyclohexanone, xylene and other aromatic compounds, methyl acetate, ethyl acetate, butyl acetate and other lower fatty acid and lower alcohol esters, dioxane, ethylene glycol monoethyl ester, ethylene glycol monomethyl ester And ethers thereof and mixtures thereof.
なお、本発明に係る下引層には、蛍光体（シンチレータ）が発光する光の散乱の防止し、鮮鋭性等を向上させるために顔料や染料を含有させても良い。 The undercoat layer according to the present invention may contain a pigment or a dye in order to prevent scattering of light emitted from the phosphor (scintillator) and improve sharpness.
（蛍光体層）
本発明に係る蛍光体層は、柱状構造を有する結晶からなる蛍光体層であることが好ましい。また蒸着後に所定サイズに断裁されており、支持体全面が蛍光体層形成領域となっている。
(Phosphor layer)
The phosphor layer according to the present invention is preferably a phosphor layer made of crystals having a columnar structure. Further, it is cut into a predetermined size after vapor deposition, and the entire support is a phosphor layer forming region.
蛍光体層を形成する材料としては、種々の公知の蛍光体材料を使用することができるが、Ｘ線から可視光に対する変更率が比較的高く、蒸着によって容易に蛍光体を柱状結晶構造に形成出来るため、光ガイド効果により結晶内での発光光の散乱が抑えられ、蛍光体層の厚さを厚くすることが可能であることから、ヨウ化セシウム（ＣｓＩ）が好ましい。 Various known phosphor materials can be used as the material for forming the phosphor layer, but the rate of change from X-ray to visible light is relatively high, and the phosphor is easily formed into a columnar crystal structure by vapor deposition. Therefore, cesium iodide (CsI) is preferable because scattering of the emitted light in the crystal can be suppressed by the light guide effect and the thickness of the phosphor layer can be increased.
但し、ＣｓＩのみでは発光効率が低いために、各種の賦活剤が添加される。例えば、特公昭５４−３５０６０号公報の如く、ＣｓＩとヨウ化ナトリウム（ＮａＩ）を任意のモル比で混合したものが挙げられる。また、例えば特開２００１−５９８９９号公報に開示されているようなＣｓＩを蒸着で、タリウム（Ｔｌ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、インジウム（Ｉｎ）、リチウム（Ｌｉ）、カリウム（Ｋ）、ルビジウム（Ｒｂ）、ナトリウム（Ｎａ）などの賦活物質を含有するＣｓＩが好ましい。本発明においては、特に、タリウム（Ｔｌ）、ユウロピウム（Ｅｕ）が好ましい。更に、タリウム（Ｔｌ）が好ましい。 However, since only CsI has low luminous efficiency, various activators are added. For example, as shown in Japanese Patent Publication No. 54-35060, a mixture of CsI and sodium iodide (NaI) at an arbitrary molar ratio can be mentioned. Further, for example, CsI as disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2001-59899 is deposited, and thallium (Tl), europium (Eu), indium (In), lithium (Li), potassium (K), rubidium (Rb) ), CsI containing an activating substance such as sodium (Na) is preferred. In the present invention, thallium (Tl) and europium (Eu) are particularly preferable. Furthermore, thallium (Tl) is preferred.
なお、本発明においては、特に、１種類以上のタリウム化合物を含む添加剤とヨウ化セシウムとを原材料とすることが好ましい。すなわち、タリウム賦活ヨウ化セシウム（ＣｓＩ：Ｔｌ）は４００ｎｍから７５０ｎｍまでの広い発光波長をもつことから好ましい。 In the present invention, it is particularly preferable to use an additive containing one or more types of thallium compounds and cesium iodide as raw materials. That is, thallium activated cesium iodide (CsI: Tl) is preferable because it has a wide emission wavelength from 400 nm to 750 nm.
本発明に係る１種類以上のタリウム化合物を含有する添加剤のタリウム化合物としては、種々のタリウム化合物（＋Ｉと＋IIIの酸化数の化合物）を使用することができる。本発明において、好ましいタリウム化合物は、臭化タリウム（ＴｌＢｒ）、塩化タリウム（ＴｌＣｌ）、又はフッ化タリウム（ＴｌＦ，ＴｌＦ３）等である。 As the thallium compound as an additive containing one or more types of thallium compounds according to the present invention, various thallium compounds (compounds having oxidation numbers of + I and + III) can be used. In the present invention, a preferred thallium compound is thallium bromide (TlBr), thallium chloride (TlCl), thallium fluoride (TlF, TlF 3 ), or the like.
また、本発明に係るタリウム化合物の融点は、４００〜７００℃の範囲内にあることが好ましい。７００℃以内を超えると、柱状結晶内での添加剤が不均一に存在してしまい、発光効率が低下する。なお、本発明での融点とは、常圧下における融点である。 The melting point of the thallium compound according to the present invention is preferably in the range of 400 to 700 ° C. If the temperature exceeds 700 ° C., the additives in the columnar crystals exist non-uniformly, resulting in a decrease in luminous efficiency. The melting point in the present invention is a melting point under normal pressure.
本発明に係る蛍光体層において、当該添加剤の含有量は目的性能等に応じて、最適量にすることが望ましいが、ヨウ化セシウムの含有量に対して、０．００１ｍｏｌ％〜５０ｍｏｌ％、更に０．０１〜１０．０ｍｏｌ％であることが好ましい。 In the phosphor layer according to the present invention, the content of the additive is desirably an optimal amount according to the target performance, etc., but 0.001 mol% to 50 mol% with respect to the content of cesium iodide, Furthermore, it is preferable that it is 0.01-10.0 mol%.
ここで、ヨウ化セシウムに対し、添加剤が０．００１ｍｏｌ％以上であると、ヨウ化セシウム単独使用で得られる発光輝度の向上がみられ、目的とする発光輝度を得る点で好ましい。また、５０ｍｏｌ％以下であるとヨウ化セシウムの性質・機能を保持することができて好ましい。 Here, when the additive is 0.001 mol% or more with respect to cesium iodide, the emission luminance obtained by using cesium iodide alone is improved, which is preferable in terms of obtaining the target emission luminance. Moreover, it is preferable that it is 50 mol% or less because the properties and functions of cesium iodide can be maintained.
なお、シンチレータ層（蛍光体層）の厚さは、１０〜６００μｍであることが好ましく、支持体として樹脂フイルムを使用した場合は、断裁時のダメージの点から５０〜５００μｍであることが好ましい。また輝度と鮮鋭性の特性のバランスから医療用として１２０〜４００μｍであることがより好ましい。 In addition, it is preferable that the thickness of a scintillator layer (phosphor layer) is 10-600 micrometers, and when using a resin film as a support body, it is preferable that it is 50-500 micrometers from the point of the damage at the time of cutting. Moreover, it is more preferable that it is 120-400 micrometers for medical use from the balance of the characteristic of a brightness | luminance and sharpness.
本発明においては、支持体上に蛍光体の原料の蒸着により蛍光体層を形成した後に、所定サイズに断裁することが好ましい。 In the present invention, it is preferable that the phosphor layer is formed on the support by vapor deposition of the phosphor material and then cut into a predetermined size.
これにより、シンチレータパネルの画像形成領域が広くなる。また支持体として樹脂フイルムを使用することでシンチレータパネルの厚みが薄くなり、口腔内ディテクタ用やカセッテサイズのフラットパネルディテクタ用として好適となる。またまた可とう性の樹脂支持体の使用によりシンチレータパネルと受光素子面の接触が全面で均一となり、画像特性が面内で均一化する。 Thereby, the image forming area of the scintillator panel is widened. Further, by using a resin film as a support, the thickness of the scintillator panel is reduced, which is suitable for use in an intraoral detector or a cassette-sized flat panel detector. Further, the use of the flexible resin support makes the contact between the scintillator panel and the light receiving element surface uniform over the entire surface, and makes the image characteristics uniform within the surface.
また蒸着後に断裁する為、個々の支持体への蒸着は不要であり。蒸着装置で作成可能な最大サイズで蒸着を実施し、必要に応じて、所望されるサイズに断裁すればよく、生産効率、出荷納期でのメリットが大きい。 In addition, since cutting is performed after vapor deposition, vapor deposition on individual supports is unnecessary. Vapor deposition is performed at the maximum size that can be created by the vapor deposition apparatus, and if necessary, it is cut into a desired size, which is highly advantageous in terms of production efficiency and delivery time.
（保護層）
本発明に係る保護層は、蛍光体に対する防湿機能及び物理的な損傷を軽減するために設けられる。従来は、封止フィルムを用いシンチレータをパッケージして防湿していたが、その際にシンチレータプレート周辺に耳部が存在した。耳部には蛍光体層がないため、発光せずに、有効領域外となり、シンチレータパネルを装填する筺体の中で余分なスペースを取るため、筺体の小型化を阻害する。
(Protective layer)
The protective layer according to the present invention is provided in order to reduce the moisture-proof function and physical damage to the phosphor. Conventionally, the scintillator was packaged and moisture-proof using a sealing film, but there was an ear around the scintillator plate. Since there is no phosphor layer in the ear portion, it does not emit light and is outside the effective area, and extra space is taken in the housing to which the scintillator panel is loaded, so that downsizing of the housing is hindered.
本発明では蒸着重合法にて保護層をコートすることが好ましい。蒸着の場合は、封止パッケージで生じる周辺の耳部はなく、筺体の小型化を阻害しない特徴がある。 In the present invention, it is preferable to coat the protective layer by vapor deposition polymerization. In the case of vapor deposition, there is no peripheral ear portion generated in the sealed package, and there is a feature that does not hinder downsizing of the housing.
本発明のシンチレータパネルの保護層は、前述したように保護層の線熱膨張係数は１０ｐｐｍ／℃以上かつ、１２０ｐｐｍ／℃以下であり、かつ前述した蒸着重合法に適した化合物を使用することが好ましい、そのような化合物の中ではポリパラキシリレンが好ましい。コート層は数μｍレベルの厚みであるため、封止パッケージのような周辺の耳部はなく、筺体の小型化を阻害しない。なお、線熱膨張係数は保護層を構成する組成物を測定することで測定ができる。必要に応じ別途塗膜を製膜し測定することができる。 As described above, the protective layer of the scintillator panel of the present invention has a linear thermal expansion coefficient of 10 ppm / ° C. or higher and 120 ppm / ° C. or lower, and a compound suitable for the vapor deposition polymerization method described above. Of the preferred such compounds, polyparaxylylene is preferred. Since the coat layer has a thickness of several μm level, there is no peripheral ear as in the sealed package, and does not hinder downsizing of the casing. In addition, a linear thermal expansion coefficient can be measured by measuring the composition which comprises a protective layer. If necessary, a coating film can be separately formed and measured.
本発明の好ましい態様である、支持体と保護層のＳＰ値が１４．０（ＭＰａ）１／２〜２７．０（ＭＰａ）１／２の範囲である場合、界面がＳＰ値の近い材料同士の接着となるので膜付きが十分良く、従来のように裏面を全面まで覆わなくても同等の耐湿性能が得られる。ポリパラキシリレンはＳＰ値が２２．８（ＭＰａ）１／２であり、好ましく使用できる。 When the SP value of the support and the protective layer, which is a preferred embodiment of the present invention, is in the range of 14.0 (MPa) 1/2 to 27.0 (MPa) 1/2 , the interfaces are close to each other in the SP value. Therefore, even if the back surface is not completely covered as in the prior art, the same moisture resistance can be obtained. Polyparaxylylene has an SP value of 22.8 (MPa) 1/2 and can be preferably used.
本発明において、裏面の保護層は端部のみに設けることができる。裏面はＸ線照射側であるが、画像にかからない端の部分は保護膜がかかっていても画質に影響はない。裏面の全面に保護層あると被写体を透過したＸ線情報が保護層で吸収され、信号変換効率が悪くなり好ましくない。特にマンモ撮影などの低管電圧撮影で顕著であり、好ましくない。 In the present invention, the protective layer on the back surface can be provided only at the end. Although the back side is the X-ray irradiation side, the image quality is not affected even if a protective film is applied to the end portion that does not cover the image. If there is a protective layer on the entire back surface, the X-ray information transmitted through the subject is absorbed by the protective layer, and the signal conversion efficiency deteriorates. This is particularly notable in low tube voltage photography such as mammography.
裏面側の端部を保護膜が覆うことは、接着性向上の点から好ましい。裏面の保護層はなくても構わないが、若干端部を保護膜が覆うほうが強度が安定する。端部を保護膜が覆う部分は支持体の端部から内側３．０ｍｍ以内の面積である。この範囲であれば、画像には影響しなく、衝撃などに対して、強度も安定する。好ましくは、端部から内側０．５ｍｍ〜２．５ｍｍの以内の範囲の面積を保護膜が覆うことである。 It is preferable from the viewpoint of improving adhesiveness that the protective film covers the end on the back surface side. The protective layer on the back surface may not be provided, but the strength is more stable when the protective film covers a little edge. The portion of the end covered with the protective film has an area within 3.0 mm inside from the end of the support. Within this range, the image is not affected and the strength is stable against impacts. Preferably, the protective film covers an area within a range of 0.5 mm to 2.5 mm on the inner side from the end.
端のはみ出す部分は、ＣＶＤでの成膜時に保護層が成膜されないようにマスクを設置し、その設置個所を調整することで、コントロールすることができる。 The protruding portion of the edge can be controlled by installing a mask so that the protective layer is not formed during film formation by CVD and adjusting the installation location.
はみ出す際のポリパラキシリレンコート厚は、所望膜厚一定でコートされていればよい。 The polyparaxylylene coating thickness at the time of protrusion should just be coated with the desired film thickness constant.
また、本発明のシンチレータパネルは、支持体上にシンチレータ設けたあと、保護層形成前に断裁する工程を経て保護層形成されたものである場合に、好ましく適用できる。断裁工程において生じた支持体とシンチレータ等の界面における微少な歪みをきっかけに、接着性が低下することを防ぐものと考えられる。 In addition, the scintillator panel of the present invention can be preferably applied when the protective layer is formed after the scintillator is provided on the support and then cut before forming the protective layer. It is considered that the adhesiveness is prevented from lowering due to a slight distortion at the interface between the support and the scintillator generated in the cutting process.
支持体側に保護膜を設けない場合は、まず基板の裏面にマスクまたは、マスクと同等機能を有する機構（基板裏面を平滑なステージに直置きにする等）を設けて、蒸着重合法にてポリパラキシリレンを所望の厚さコートする。その後、コートした後に、マスク（または同等機能を有する機構）を取り外せばよい。 If a protective film is not provided on the support side, a mask or a mechanism having the same function as the mask (such as placing the back of the substrate directly on a smooth stage) is first provided on the back of the substrate, Coat the desired thickness of paraxylylene. Then, after coating, the mask (or a mechanism having an equivalent function) may be removed.
マスクの材料として金属、樹脂または金属、樹脂の複合材を用いることができる。例えば金属の場合は、アルミニウム、ステンレス合金など、樹脂の場合は、ＰＥＴなどを好ましく用いることができる。樹脂は、保護層成膜時のマスクの位置ずれを防止するために支持体と接する面に接着機能を有してもよい。接着機能は、着脱性を良くする目的で、さらに再剥離可能な機能を有してもよい。再剥離可能な機能は、弱粘着性、熱剥離、光照射剥離が挙げられる。マスクの厚みは０．０５ｍｍ〜１．０ｍｍが好ましい。 As the mask material, a metal, a resin, or a composite material of a metal and a resin can be used. For example, in the case of a metal, aluminum or a stainless alloy can be used, and in the case of a resin, PET or the like can be preferably used. The resin may have an adhesive function on the surface in contact with the support in order to prevent displacement of the mask during film formation of the protective layer. The adhesion function may further have a re-peelable function for the purpose of improving detachability. Examples of the re-peelable function include weak adhesiveness, thermal peeling, and light irradiation peeling. The thickness of the mask is preferably 0.05 mm to 1.0 mm.
ポリパラキシリレン膜厚は２μｍ以上１０μｍ以下が好ましく、受光素子と接着する場合の接着剤層（後述する光学結合層）の厚みは１０μｍ以上１８μｍ以下が好ましい。すなわち接着剤層の厚みは接着力確保の観点から１０ｍμ以上が好ましく、ポリパラキシリレン膜厚と接着剤層の厚みがトータルで２０μｍ以内の場合、受光素子とシンチレータパネルとの間隙でシンチレータからの発光の拡散が小さくなりフラットパネルディテクタとしての鮮鋭性の低下を防ぐことができる。 The thickness of the polyparaxylylene film is preferably 2 μm or more and 10 μm or less, and the thickness of the adhesive layer (an optical coupling layer described later) when bonded to the light receiving element is preferably 10 μm or more and 18 μm or less. That is, the thickness of the adhesive layer is preferably 10 mμ or more from the viewpoint of securing the adhesive force. When the total thickness of the polyparaxylylene film and the adhesive layer is within 20 μm, the gap between the light receiving element and the scintillator panel is from the scintillator. The diffusion of light emission is reduced, and the sharpness of the flat panel detector can be prevented from being lowered.
また、別の態様の保護層として、蛍光体層上にホットメルト樹脂も使用できる。ホットメルト樹脂はシンチレータパネルと平面受光素子面との接着も兼ねることができる。ホットメルト樹脂はポリオレフィン系、ポリエステル系又はポリアミド系樹脂を主成分ものが好適であるがこれに限定されない。ホットメルト樹脂の厚みは２０μｍ以下が好ましい。 Moreover, hot-melt resin can also be used on a fluorescent substance layer as a protective layer of another aspect. The hot melt resin can also serve as an adhesion between the scintillator panel and the planar light receiving element surface. The hot-melt resin is preferably a polyolefin-based, polyester-based or polyamide-based resin as a main component, but is not limited thereto. The thickness of the hot melt resin is preferably 20 μm or less.
保護層してホットメルト樹脂を使用した場合は１０〜５００ｇ／ｃｍ２の圧力で加圧しながら、ホットメルト樹脂の溶融開始温度より１０℃程度高い温度まで加熱し１〜２時間静置後、徐々に冷却する。急冷するとホットメルト樹脂の収縮応力により受光素子の画素にダメージかある。好ましくは２０℃／ｈｏｕｒ以下の速度で５０℃以下まで冷却する。 When a hot-melt resin is used as a protective layer, it is heated to a temperature about 10 ° C. higher than the melting start temperature of the hot-melt resin while being pressurized at a pressure of 10 to 500 g / cm 2 , and after standing for 1 to 2 hours, gradually. Cool down. When rapidly cooled, the pixels of the light receiving element may be damaged by the shrinkage stress of the hot melt resin. Preferably, it is cooled to 50 ° C. or less at a rate of 20 ° C./hour or less.
また保護層の光透過率は、光電変換効率、蛍光体（シンチレータ）発光波長等を考慮し、５５０ｎｍで７０％以上あることが好ましい。 The light transmittance of the protective layer is preferably 70% or more at 550 nm in consideration of photoelectric conversion efficiency, phosphor (scintillator) emission wavelength, and the like.
フラットパネルディテクタを構成する筐体の透湿度は、蛍光体層の保護性、潮解性等を考慮し全表面面積平均で、５０ｇ／ｍ２・ｄａｙ（４０℃・９０％ＲＨ）（ＪＩＳ Ｚ０２０８に準じて測定）以下が好ましく、更には１０ｇ／ｍ２・ｄａｙ（４０℃・９０％ＲＨ）（ＪＩＳ Ｚ０２０８に準じて測定）以下が好ましい。 The moisture permeability of the casing constituting the flat panel detector is 50 g / m 2 · day (40 ° C./90% RH) (average in JIS Z0208), taking into consideration the protection of the phosphor layer, deliquescence, etc. Measured according to JIS Z0208, and more preferably 10 g / m 2 · day (40 ° C., 90% RH) (measured according to JIS Z0208).
（光学結合層）
本発明に係る光学結合層は、シンチレータパネルと光電変換素子アレイを光学的に連続にする機能を有する。光学的に連続するとは、各層の間を光が進む際に損失なく伝搬することであり、シンチレータパネルと光電変換素子アレイの界面の屈折率差を小さくでき、透明性が高い材料を選択することが好ましい。光学結合層に用いられる材料としては、シリコン系のゲルやオイルが好ましい。
(Optical coupling layer)
The optical coupling layer according to the present invention has a function of making the scintillator panel and the photoelectric conversion element array optically continuous. Optically continuous means that light propagates between layers without loss, and the difference in refractive index at the interface between the scintillator panel and the photoelectric conversion element array can be reduced, and a highly transparent material is selected. Is preferred. The material used for the optical coupling layer is preferably a silicon gel or oil.
また、光学結合層は、シンチレータパネルと光電変換素子アレイを光学的に連続にする機能（カプリング機能という）と同時に、シンチレータパネルと光電変換アレイを機械的に固定し接着させる機能を有することもできる。接着機能を有する光学結合層としては、例えば、アクリル系、エポキシ系、シリコーン系などの常温硬化型の接着剤が使用できる。特に弾力性を有する接着樹脂としてはゴム系の接着剤が使用できる。 In addition, the optical coupling layer can have a function of mechanically fixing and bonding the scintillator panel and the photoelectric conversion array simultaneously with a function of making the scintillator panel and the photoelectric conversion element array optically continuous (referred to as a coupling function). . As the optical coupling layer having an adhesive function, for example, a room temperature curable adhesive such as acrylic, epoxy, or silicone can be used. In particular, as an adhesive resin having elasticity, a rubber adhesive can be used.
ゴム系の接着剤の樹脂としては、スチレン−イソプレン−スチレン等のブロックコポリマー系や、ポリブタジエン、ポリブチレン等の合成ゴム系接着剤、及び天然ゴム等を使用できる。市販されているゴム系接着剤の例としては一液型ＲＴＶゴムＫＥ４２０（信越化学工業社製）などが好適に使用される。 As the resin for the rubber adhesive, a block copolymer such as styrene-isoprene-styrene, a synthetic rubber adhesive such as polybutadiene or polybutylene, natural rubber, or the like can be used. As an example of a commercially available rubber-based adhesive, a one-component RTV rubber KE420 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) or the like is preferably used.
シリコーン接着剤としては、過酸化物架橋タイプや付加縮合タイプを単体または混合で使用してもよい。さらにアクリル系やゴム系粘着剤と混合して使用することもできるし、アクリル系接着剤のポリマー主鎖や側鎖にシリコーン成分をペンダントした接着剤を使用してもよい。 As the silicone adhesive, a peroxide crosslinking type or an addition condensation type may be used alone or as a mixture. Furthermore, it can be used by mixing with an acrylic or rubber-based pressure-sensitive adhesive, or an adhesive having a silicone component pendant on the polymer main chain or side chain of the acrylic adhesive may be used.
接着剤としてアクリル系樹脂を用いる場合は、単量体成分として炭素数１〜１４のアルキル側鎖を有するアクリル酸エステルを含有するラジカル重合性モノマーを反応させた樹脂を用いることが好ましい。また、単量体成分として、側鎖に水酸基、カルボキシル基、アミノ基等の極性基を有する、アクリル酸エステルやその他のビニル系単量体を添加するのが好ましい。 When an acrylic resin is used as the adhesive, it is preferable to use a resin obtained by reacting a radical polymerizable monomer containing an acrylate ester having an alkyl side chain having 1 to 14 carbon atoms as a monomer component. As the monomer component, it is preferable to add an acrylate ester or other vinyl monomer having a polar group such as a hydroxyl group, a carboxyl group or an amino group in the side chain.
接着にあたっては接着剤が固化するまで１０〜５００ｇ／ｃｍ２の圧力で加圧することが好ましい。加圧により接着剤層から気泡が除去される。 In bonding, it is preferable to apply pressure at a pressure of 10 to 500 g / cm 2 until the adhesive is solidified. Air bubbles are removed from the adhesive layer by pressurization.
また、光学結合層の線熱膨張係数は前述の範囲にある事が好ましい。ＳＰ値も前述した範囲にあることが好ましい。 In addition, the linear thermal expansion coefficient of the optical coupling layer is preferably in the above-mentioned range. The SP value is also preferably in the range described above.
（放射線像検出装置）
本発明に係る放射線像検出装置は、カプリングする工程で本発明に係る上記した放射線像変換パネル（シンチレータパネル）を光学結合層を介して光電変換素子アレイと光学的に連続させることで得られる。これにより、光電変換素子が蛍光体層からの発光を電荷に変換することで画像をデジタルデータ化することが可能となる。なお、光電変換素子アレイとは、光電変換膜を含む光電変換部と薄膜トランジスタを含む読み出し回路部を組み合わせた光電変換素子（受光素子ともいう）が、一次元もしくは二次元にアレイ状に配列されてなるものをいう。光電変換素子としてはＴＦＴ等、一般に知られているものを使用できる。
(Radiation image detector)
The radiation image detection apparatus according to the present invention is obtained by optically continuing the above-described radiation image conversion panel (scintillator panel) according to the present invention with a photoelectric conversion element array via an optical coupling layer in a coupling step. As a result, the photoelectric conversion element converts the light emitted from the phosphor layer into electric charges, whereby the image can be converted into digital data. Note that a photoelectric conversion element array is a photoelectric conversion element (also referred to as a light receiving element) that is a combination of a photoelectric conversion unit including a photoelectric conversion film and a readout circuit unit including a thin film transistor arranged in a one-dimensional or two-dimensional array. Say what. As the photoelectric conversion element, a generally known device such as a TFT can be used.
図を用いて本発明の構成例を説明する。図１は放射線像検出装置の構成の一例示す概念図である。支持体１２１に、例えば、アルミのスパッタで反射層１２０を設け、その上に、例えば、塗布によって下引層１１９を形成する。この下引層まで設けた基板を図２に示す蒸着装置に取り付け、蛍光体層１２２を形成する。断裁工程で所望の大きさに断裁した後に、蛍光体１２２と支持体１２１を含む側面に保護層１２３を設けて、シンチレータパネルが作製される。このシンチレータパネルの蛍光体層１２２と回路基板１３１上の光電変換素子アレイ１３２が光学結合層（図示略）を介して向かい合うようにしてカプリングさせて放射線像変換パネルが作製される。
A configuration example of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a conceptual diagram illustrating an example of a configuration of a radiation image detection apparatus. The
以下に蒸着装置、保護層の形成、断裁工程の典型例について図を用いて説明する。 Hereinafter, typical examples of the vapor deposition apparatus, the formation of the protective layer, and the cutting process will be described with reference to the drawings.
〈蒸着装置〉
図２は蒸着装置の一例を示す模式図である。図２に示す通り、蒸着装置９６１は箱状の真空容器９６２を有しており、真空容器９６２の内部には真空蒸着用のボート９６３が配されている。ボート９６３は蒸着源の被充填部材であり、当該ボート９６３には電極が接続されている。当該電極を通じてボート９６３に電流が流れると、ボート９６３がジュール熱で発熱するようになっている。放射線用シンチレータパネルの製造時においては、ヨウ化セシウムと賦活剤化合物とを含む混合物がボート９６３に充填され、そのボート９６３に電流が流れることで、上記混合物を加熱・蒸発させることができるようになっている。
<Vapor deposition equipment>
FIG. 2 is a schematic diagram showing an example of a vapor deposition apparatus. As shown in FIG. 2, the
なお、被充填部材として、ヒータを巻回したアルミナ製のるつぼを適用してもよいし、高融点金属製のヒータを適用してもよい。 As the member to be filled, an alumina crucible around which a heater is wound may be applied, or a refractory metal heater may be applied.
真空容器９６２の内部であってボート９６３の直上には支持体１２１を保持するホルダ９６４が配されている。ホルダ９６４にはヒータ（図示略）が配されており、当該ヒータを作動させることでホルダ９６４に装着した支持体１２１を加熱することができるようになっている。支持体１２１を加熱した場合には、支持体１２１の表面の吸着物を離脱・除去したり、支持体１２１とその表面に形成される蛍光体層（図示略）との間に不純物層が形成されるのを防止したり、支持体１２１とその表面に形成される蛍光体層（図示略）との密着性を強化したり、支持体１２１の表面に形成される蛍光体層（図示略）の膜質の調整をおこなったりすることができるようになっている。
A
ホルダ９６４には当該ホルダ９６４を回転させる回転機構９６５が配されている。回転機構９６５は、ホルダ９６４に接続された回転軸９６５ａとその駆動源となるモータ（図示略）から構成されたもので、当該モータを駆動させると、回転軸９６５ａが回転してホルダ９６４をボート９６３に対向させた状態で回転させることができるようになっている。
The
蒸着装置９６１では、上記構成の他に、真空容器９６２に真空ポンプ９６６が配されている。真空ポンプ９６６は、真空容器９６２の内部の排気と真空容器９６２の内部へのガスの導入とをおこなうもので、当該真空ポンプ９６６を作動させることにより、真空容器９６２の内部を一定圧力のガス雰囲気下に維持することができるようになっている。
In the
さらに、ヨウ化セシウムとヨウ化タリウムを用いた場合の例を説明する。 Further, an example in which cesium iodide and thallium iodide are used will be described.
上記のように反射層と下引層を設けた支持体１２１をホルダ９６４に取り付けるとともに、複数個（図示しない）のボート９６３にヨウ化セシウムとヨウ化タリウムとを含む粉末状の混合物を充填する（準備工程）。この場合、ボート９６３と支持体１２１との間隔を１００〜１５００ｍｍに設定し、その設定値の範囲内のままで後述の蒸着工程の処理をおこなう。より好ましくはボート９６３と支持体１２１との間隔を４００ｍｍ以上、１５００ｍｍ以下とし、複数個のボート９６３を同時に加熱し蒸着を行う。
The
準備工程の処理を終えたら、真空ポンプ９６６を作動させて真空容器９６２の内部を排気し、真空容器９６２の内部の圧力を０．１Ｐａ以下の雰囲気にする（真空雰囲気形成工程）。ここでいう「真空雰囲気」とは１００Ｐａ以下の任意の圧力雰囲気のことを意味する。真空雰囲気の圧力は０．１Ｐａ以下であるのが好適である。
When the preparation process is completed, the
次にアルゴン等の不活性ガスを真空容器９６２の内部に導入し、当該真空容器９６２の内部を０．００１〜５Ｐａ、より好ましくは０．０１〜２Ｐａの真空雰囲気下に維持する。その後、ホルダ９６４のヒータと回転機構９６５のモータとを駆動させ、ホルダ９６４に取付け済みの支持体１２１をボート９６３に対向させた状態で加熱しながら回転させる。蛍光体層が形成される支持体１２１の温度は、蒸着開始時は室温２５〜５０℃に設定することが好ましく、蒸着中は１００〜３００℃、より好ましくは１５０〜２５０℃に設定することが好ましい。
Next, an inert gas such as argon is introduced into the
この状態において、電極からボート９６３に電流を流し、ヨウ化セシウムとヨウ化タリウムとを含む混合物を７００℃程度で所定時間加熱してその混合物を蒸発させる。その結果、支持体１２１の表面に無数の柱状結晶体が順次成長して所望の厚さの結晶が得られる。この後、ヨウ化セシウムが蒸着された支持体を取り出し、粘着ローラにより蛍光体表面をクリーニングする。
In this state, a current is passed from the electrode to the
（断裁工程）
本発明においては、用いる平面受光素子面の面積より大である面積を有するシンチレータパネルから、用いる平面受光素子面に応じた面積に対応して断裁を行うことが好ましい。
(Cutting process)
In the present invention, it is preferable to perform cutting corresponding to the area corresponding to the planar light receiving element surface to be used, from a scintillator panel having an area larger than the area of the planar light receiving element surface to be used.
本発明においては、また蛍光体層を蒸着などの方法で形成した後に断裁することが好ましい。この場合フラットパネルディテクタ個々に対しての、蒸着などの操作は不要である。即ち、蒸着装置で作製可能な最大サイズで蒸着を実施し、必要に応じて、所望されるサイズに断裁すればよく、生産効率、出荷納期でのメリットが大きい。 In the present invention, the phosphor layer is preferably cut after being formed by a method such as vapor deposition. In this case, an operation such as vapor deposition for each flat panel detector is unnecessary. That is, vapor deposition is performed at the maximum size that can be produced by the vapor deposition apparatus, and it is only necessary to cut it to a desired size as necessary, which is advantageous in terms of production efficiency and delivery date.
シンチレータパネルを断裁する断裁工程に用いられる方法の典型的例について、図を参照しながら説明する。 A typical example of the method used in the cutting process of cutting the scintillator panel will be described with reference to the drawings.
図３は保護層形成前にシンチレータパネルを断裁するブレードダイシングの一例である。図３の（ａ）は、側断面図、（ｂ）は正面断面図であり、保護層１２３が形成される前のシンチレータパネル１２を断裁するブレートダイシングの例である。
FIG. 3 shows an example of blade dicing for cutting the scintillator panel before forming the protective layer. 3A is a side sectional view, and FIG. 3B is a front sectional view, which is an example of blade dicing for cutting the
ダイシング装置２のダイシング台２２にシンチレータパネル１２は蛍光体層１２２側を下にして配置される。ブレード２１によりシンチレータパネル１２は支持体１２１側より断裁せれる。
The
ブレード２１は回転軸２１ａを中心にして回転することで保護膜形成前のシンチレータパネル１２を切断する。ダイシング台２２には溝２２１が設けられている。またブレードの両側には支持部材２４が設けられている。
The
《保護層の形成》
図４は、保護層形成に用いられる、装置の一例を示す模式断面図であり、シンチレータパネル１２の蛍光体層１２２表面にポリパラキシリレン膜からなる保護層を形成する例である。
<Formation of protective layer>
FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing an example of an apparatus used for forming a protective layer, in which a protective layer made of a polyparaxylylene film is formed on the surface of the
ＣＶＤ蒸着装置５は、ポリパラキシリレンの原料であるジパラキシリレンを挿入し気化させる気化室５１、気化したジパラキシリレンを加熱昇温してラジカル化する熱分解室５２、ラジカル化された状態のジパラキシリレンをシンチレータが形成された支持体１２１の上の蛍光体層１２２に蒸着させる蒸着室５３、防臭、冷却を行う冷却室５４および真空ポンプを有する排気系５５を備えて構成されている。ここで、蒸着室５３は、図４に示すように熱分解室５２においてラジカル化されたポリパラキシリレンを導入する導入口５３ａおよび余分なポリパラキシリレンを排出する排出口５３ｂを有すると共に、ポリパラキシリレン膜の蒸着を行う試料を支持するターンテーブル（蒸着台）５３ｃを有する。
The CVD
まず、蒸着室５３のターンテーブル５３ｃ上にシンチレータパネル１２の蛍光体層１２２を上向きにして設置する。
First, the
次に、気化室５１において１７５℃に加熱して気化させ、熱分解室５２において６９０℃に加熱昇温してラジカル化したジパラキシリレンを、導入口５３ａから蒸着室５３に導入して、蛍光体層１２２の保護層（ポリパラキシリレン膜）１２３を３μｍの厚さで蒸着する、この場合に、蒸着室５３内は真空度１３Ｐａに維持されている。又、ターンテーブル５３ｃは、４ｒｐｍの速度で回転させている。また、余分なポリパラキシリレンは、排出口５３ｂから排出され、防臭、冷却を行う冷却室５４および真空ポンプを有する排気系５５に導かれる。
Next, diparaxylylene radicalized by heating to 175 ° C. in the vaporizing
保護層が二酸化珪素である場合には、スパッタ法にて形成できる。二酸化珪素の厚さは水分透過性、保護層中での発光光の拡散、および形成プロセスを考慮し、０．１μｍ以上、２．０μｍ以下が好ましく、更には０．５μｍ以上、１．０μｍ以下が好ましい。 When the protective layer is silicon dioxide, it can be formed by sputtering. The thickness of silicon dioxide is preferably 0.1 μm or more and 2.0 μm or less, more preferably 0.5 μm or more and 1.0 μm or less in consideration of moisture permeability, diffusion of emitted light in the protective layer, and formation process. Is preferred.
また、保護層が、ホットメルトメルト樹脂である場合には、例えば剥離剤がコーテングされた剥離シートに、ホットメルト樹脂を塗設後、ホットメルト樹脂面をシンチレータパネルの蛍光体層面に配置し、１２０℃に加熱したローラで加圧しながら張り合わせることで保護層を形成することができる。また、受光素子面との接着に接着剤を使用する場合は保護層と接着剤層の厚みのトータルが２０μｍ以下になるように保護層の厚みを調整することが好ましい。 Further, when the protective layer is a hot melt melt resin, for example, after applying the hot melt resin to a release sheet coated with a release agent, the hot melt resin surface is disposed on the phosphor layer surface of the scintillator panel, A protective layer can be formed by pasting together while pressing with a roller heated to 120 ° C. Moreover, when using an adhesive agent for adhesion | attachment with a light receiving element surface, it is preferable to adjust the thickness of a protective layer so that the total thickness of a protective layer and an adhesive bond layer may be 20 micrometers or less.
《カプリングする工程》
保護層が形成されたシンチレータパネルは、カプリングする工程で、受光素子とカプリングされて放射線像検出装置が形成される。
<Coupling process>
The scintillator panel on which the protective layer is formed is coupled with the light receiving element in the coupling step to form a radiation image detection device.
カプリングは、受光素子の平面受光素子面と、シンチレータパネルの蛍光体層側の面とを接着することにより行われることが好ましいが、必ずしも接着されている必要はなく例えば、補強板（ガラスやＣＦＲＰ）やスポンジ等の発泡部材を用いて押圧することで密着させても良いし、光学グリースを用いて密着させても良い。 Coupling is preferably performed by adhering the planar light-receiving element surface of the light-receiving element and the surface of the scintillator panel on the phosphor layer side, but it is not always necessary to bond them, for example, a reinforcing plate (glass or CFRP). ) Or a foamed member such as sponge, or may be brought into close contact with each other, or may be brought into close contact with optical grease.
接着は、接着剤を用いることが好ましく、接着にあたっては接着剤が固化するまで１０〜５００ｇ／ｃｍ２の圧力で加圧することが好ましい。 Adhesion is preferably performed using an adhesive, and it is preferable to apply pressure at a pressure of 10 to 500 g / cm 2 until the adhesive is solidified.
加圧により接着剤層から気泡が除去される。保護層としてホットメルト樹脂を使用した場合は１０〜５００ｇ／ｃｍ２の圧力で加圧しながら、ホットメルト樹脂の溶融開始温度より１０℃程度高い温度まで加熱し１〜２時間静置後、冷却することが好ましい。冷却は、ホットメルト樹脂の収縮応力により受光素子の画素にダメージ防止の面から、徐々に冷却することが好ましい。 Air bubbles are removed from the adhesive layer by pressurization. When a hot melt resin is used as the protective layer, it is heated to a temperature about 10 ° C. higher than the melting start temperature of the hot melt resin while being pressurized at a pressure of 10 to 500 g / cm 2 , allowed to stand for 1 to 2 hours, and then cooled. It is preferable. The cooling is preferably performed gradually from the viewpoint of preventing damage to the pixels of the light receiving element due to the shrinkage stress of the hot melt resin.
接着剤としては、例えば、アクリル系、エポキシ系、シリコーン系などの常温硬化型の接着剤が使用できる。特に弾力性を有する接着樹脂としてはゴム系の接着剤が使用しできる。 As the adhesive, for example, a room temperature curable adhesive such as acrylic, epoxy, or silicone can be used. In particular, a rubber adhesive can be used as the adhesive resin having elasticity.
ゴム系の接着剤の樹脂としては、スチレン−イソプレン−スチレン等のブロックコポリマー系や、ポリブタジエン、ポリブチレン等の合成ゴム系接着剤、および天然ゴム等を使用できる。市販されているゴム系接着剤の例としては一液型ＲＴＶゴムＫＥ４２０（信越化学工業社製）などが好適に使用される。 As the resin for the rubber adhesive, a block copolymer such as styrene-isoprene-styrene, a synthetic rubber adhesive such as polybutadiene or polybutylene, natural rubber, or the like can be used. As an example of a commercially available rubber-based adhesive, a one-component RTV rubber KE420 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) or the like is preferably used.
シリコーン系の接着剤としては、過酸化物架橋タイプや付加縮合タイプを単体または混合で使用してもよい。さらにアクリル系やゴム系粘着剤と混合して使用することもできるし、アクリル系接着剤のポリマー主鎖や側鎖にシリコーン成分をペンダントした接着剤を使用してもよい。 As the silicone-based adhesive, a peroxide crosslinking type or an addition condensation type may be used alone or as a mixture. Furthermore, it can be used by mixing with an acrylic or rubber-based pressure-sensitive adhesive, or an adhesive having a silicone component pendant on the polymer main chain or side chain of the acrylic adhesive may be used.
接着剤としてアクリル系樹脂を用いる場合は、単量体成分として炭素数１〜１４のアルキル側鎖を有するアクリル酸エステルを含有するラジカル重合性モノマーを反応させた樹脂を用いることが好ましい。また、単量体成分として、側鎖に水酸基、カルボキシル基、アミノ基等の極性基を有する、アクリル酸エステルやその他のビニル系単量体を添加するのが好ましい。 When an acrylic resin is used as the adhesive, it is preferable to use a resin obtained by reacting a radical polymerizable monomer containing an acrylate ester having an alkyl side chain having 1 to 14 carbon atoms as a monomer component. As the monomer component, it is preferable to add an acrylate ester or other vinyl monomer having a polar group such as a hydroxyl group, a carboxyl group or an amino group in the side chain.
またシンチレータパネルと受光素子との間に介在させるものとしては、粘着性を有する光学グリース等も使用できる。透明性が高く粘着性があれば公知のいかなるものも使用できる。市販されている光学グリースの例としてはシリコンオイルＫＦ９６Ｈ（１００万ＣＳ：信越化学工業社製）などが好適に使用される。 Further, as an intervening material between the scintillator panel and the light receiving element, an adhesive optical grease or the like can be used. Any known material can be used as long as it is highly transparent and sticky. As an example of a commercially available optical grease, silicone oil KF96H (1 million CS: manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) is preferably used.
カプリングされたシンチレータパネルと受光素子は、筐体に収納されている。 The coupled scintillator panel and light receiving element are housed in a housing.
放射線像検出装置であるフラットパネルディテクタを構成する筐体の透湿度は、蛍光体層の保護性、潮解性等を考慮し全表面面積平均で、５０ｇ／ｍ２・ｄａｙ（４０℃・９０％ＲＨ）（ＪＩＳ Ｚ０２０８に準じて測定）以下が好ましく、さらには１０ｇ／ｍ２・ｄａｙ（４０℃・９０％ＲＨ）（ＪＩＳ Ｚ０２０８に準じて測定）以下が好ましい。 The moisture permeability of the casing constituting the flat panel detector, which is a radiation image detection device, is 50 g / m 2 · day (40 ° C./90%) on average over the entire surface area in consideration of the protection and deliquescence of the phosphor layer. RH) (measured according to JIS Z0208) or less is preferred, and more preferably 10 g / m 2 · day (40 ° C., 90% RH) (measured according to JIS Z0208) or less.
以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、実施例において「部」あるいは「％」の表示を用いるが、特に断りがない限り「質量部」あるいは「質量％」を表す。 EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be specifically described with reference to examples, but the present invention is not limited thereto. In addition, although the display of "part" or "%" is used in an Example, unless otherwise indicated, "part by mass" or "mass%" is represented.
（支持体の作成）
６００ｍｍ×６００ｍｍの下記支持体を準備した。
支持体 材質 厚み
Ｃ−１ アモルファスカーボン １．０ｍｍ
Ｇ−１ ファイバーオプティックプレート ３．０ｍｍ
Ａ−１ アルミニウム ０．５ｍｍ
Ｅ−１ ポリエチレンテレフタレートフィルム（ＰＥＴフィルム） ０．１２５ｍｍ
Ｐ−１ ポリイミドフィルム ０．１２５ｍｍ
（反射層の作成）
上記支持体の表面に銀をスパッタ法にてコーティングし、反射層（０．１０μｍ）を、それぞれ形成した。
(Create support)
The following support body of 600 mm × 600 mm was prepared.
Support Material Thickness C-1 Amorphous carbon 1.0mm
G-1 Fiber Optic Plate 3.0mm
A-1 Aluminum 0.5mm
E-1 Polyethylene terephthalate film (PET film) 0.125 mm
P-1 Polyimide film 0.125mm
(Create a reflective layer)
Silver was coated on the surface of the support by sputtering to form a reflective layer (0.10 μm).
（下引層の作成）
バイロン２０ＳＳ（東洋紡社製：高分子ポリエステル樹脂） ３００質量部
メチルエチルケトン（ＭＥＫ） ２００質量部
トルエン ３００質量部
シクロヘキサノン １５０質量部
上記処方を混合し、ビーズミルにて１５時間分散し、下引塗設用の塗布液を得た。この塗布液を上記支持体の反射層側に乾燥層厚が１．０μｍになるようにスピンコーターで塗布したのち１００℃で８時間乾燥することで下引層を作製した。
(Creation of subbing layer)
Byron 20SS (Toyobo Co., Ltd .: polymer polyester resin) 300 parts by weight Methyl ethyl ketone (MEK) 200 parts by weight Toluene 300 parts by weight Cyclohexanone 150 parts by weight The above formulation is mixed and dispersed in a bead mill for 15 hours. A coating solution was obtained. This coating solution was applied to the reflective layer side of the support with a spin coater so that the dry layer thickness was 1.0 μm, and then dried at 100 ° C. for 8 hours to prepare an undercoat layer.
（蛍光体層の作成）
支持体の下引層側に蛍光体（ＣｓＩ：０．０３Ｔｌｍｏｌ％）を、図２に示した蒸着装置を使用して蒸着させ支持体の全面に３００μｍの蛍光体層を形成した。ボート９６３とホルダ９６４との間にシャッタ（図示略）を配し、蒸着開始時に目的物以外の物質が蛍光体層に付着するのを防止した。
(Creation of phosphor layer)
A phosphor (CsI: 0.03 Tlmol%) was deposited on the undercoat layer side of the support using the vapor deposition apparatus shown in FIG. 2 to form a 300 μm phosphor layer on the entire surface of the support. A shutter (not shown) was disposed between the
すなわち、まず、蛍光体原料を蒸着材料として抵抗加熱ルツボに充填し、また回転する支持体ホルダに支持体を設置し、支持体と蒸発源との間隔を５００ｍｍに調節した。 Specifically, first, a resistance heating crucible was filled as a phosphor raw material as a vapor deposition material, and a support was placed on a rotating support holder, and the distance between the support and the evaporation source was adjusted to 500 mm.
続いて蒸着装置内を一旦排気し、Ａｒガスを導入して０．５Ｐａに真空度を調整した後、１０ｒｐｍの速度で支持体を回転しながら支持体の温度を２００℃に保持した。次いで、抵抗加熱ルツボを加熱して蛍光体層を形成した。 Subsequently, the inside of the vapor deposition apparatus was once evacuated, Ar gas was introduced and the degree of vacuum was adjusted to 0.5 Pa, and then the temperature of the support was maintained at 200 ° C. while rotating the support at a speed of 10 rpm. Next, the resistance heating crucible was heated to form a phosphor layer.
（シンチレータパネルの断裁）
蛍光体層の形成されたシンチレータパネルを図３に示したブレードダイシング装置にて３５．０ｍｍ×２５．０ｍｍのサイズに断裁した。
(Cutting the scintillator panel)
The scintillator panel on which the phosphor layer was formed was cut into a size of 35.0 mm × 25.0 mm with the blade dicing apparatus shown in FIG.
（保護層の作成）
断裁して得られたシンチレータパネルを、図４のＣＶＤ装置にセットしてポリパラキシレンからなる保護層を形成した。ポリパラキシレン膜の厚みは３μｍになるように調整した。
(Creation of protective layer)
The scintillator panel obtained by cutting was set in the CVD apparatus of FIG. 4 to form a protective layer made of polyparaxylene. The thickness of the polyparaxylene film was adjusted to 3 μm.
ＣＶＤ装置にシンチレータパネルをセットする際には、シンチレータパネルの蛍光体層の形成面、側面、支持体側面、及び支持体裏面はＰＥＴのマスクを用いて支持体裏面の端部のみにポリパラキシリレン膜が被覆される形にセッティングした。このようなセッティングとすることで、Ｘ線情報を損なう無駄な保護層を除去できる。若干のポリパラキシリレン膜が支持体裏面の端部に被覆されるが、Ｘ線情報を損なう程の面積ではないため問題とならない。ここでは、端部から１．０ｍｍ迄の面積が保護層で覆われていた。 When the scintillator panel is set in a CVD apparatus, the phosphor layer forming surface, side surface, support side surface, and support back surface of the scintillator panel are made of polyparaxylline only on the end of the support back surface using a PET mask. The lens film was set to be covered. By adopting such a setting, it is possible to remove a useless protective layer that impairs X-ray information. A slight amount of polyparaxylylene film is coated on the end of the back surface of the support, but this is not a problem because the area is not so large as to damage the X-ray information. Here, the area from the end to 1.0 mm was covered with a protective layer.
（受光素子との接着）
３７．６ｍｍ×２７．９ｍｍサイズのＣＭＯＳを有する有効画像領域３６．０ｍｍ×２７．０ｍｍの受光素子（Ｒａｄ−ｉｃｏｎ社製 Ｒｅｍｏｔｅ Ｒａｄ ＥｙｅＨＲ／画素サイズ２２．５μｍ）を使用した。またＣＭＯＳ面との接着には、下記組成のエポキシ系接着剤を作成した。尚本組成の接着剤組成物は再剥離性が高く、加熱圧着までは容易に位置変更が可能である。
(Adhesion with light receiving element)
A light receiving element (Remote Rad Eye HR / pixel size 22.5 μm manufactured by Rad-icon) having an effective image area of 36.0 mm × 27.0 mm having a CMOS of 37.6 mm × 27.9 mm size was used. For bonding to the CMOS surface, an epoxy adhesive having the following composition was prepared. The adhesive composition of this composition has high removability and can be easily changed in position until thermocompression bonding.
下記（Ａ）の固形分比の混合物１００質量部に対し、芳香族系イソシアネート化合物（Ｂ）を表１に示す量を添加した。さらにジオクチル錫ジラウレートを固形分に対して６０ｐｐｍ添加し、酢酸エチルで希釈して固形分３０％の接着剤組成物を得た。 The amount of the aromatic isocyanate compound (B) shown in Table 1 was added to 100 parts by mass of the mixture having a solid content ratio of the following (A). Furthermore, 60 ppm of dioctyltin dilaurate was added to the solid content, and diluted with ethyl acetate to obtain an adhesive composition having a solid content of 30%.
（Ａ）
２−エチルヘキシルアクリレート ５０質量部
ブチルアクリレート ３０質量部
スチレン １９質量部
２−ヒドロキシエチルメタクリレート ３質量部
（Ｂ）
トリレンジイソシアネート・トリメチロールプロパンアダクト体（商品名；コロネートＬ日本ポリウレタン（株）製）
上記接着剤をシンチレータパネルの保護層側に２μｍの厚さになるように塗設し乾燥したのち、シンチレータパネルとＣＭＯＳ部の位置を実体顕微鏡にて確認しながら両者を完全に一致させた。その後１００ｇ／ｃｍ２の圧力で加圧しながら、７０℃の環境で９０分間加熱後、徐冷することで光学結合層を作成し、シンチレータパネルと受光素子をカップリングした。
(A)
2-ethylhexyl acrylate 50 parts by weight butyl acrylate 30 parts by weight styrene 19 parts by weight 2-hydroxyethyl methacrylate 3 parts by weight (B)
Tolylene diisocyanate / trimethylolpropane adduct (trade name; Coronate L manufactured by Nippon Polyurethane Co., Ltd.)
The adhesive was applied to the protective layer side of the scintillator panel so as to have a thickness of 2 μm and dried, and then the scintillator panel and the position of the CMOS portion were confirmed with a stereomicroscope to completely match the two. Then, while pressurizing at a pressure of 100 g / cm 2 , heating was performed in an environment of 70 ° C. for 90 minutes, followed by slow cooling to form an optical coupling layer, and the scintillator panel and the light receiving element were coupled.
次に受光素子（Ｒａｄ ＥｙｅＨＲ）のコネクタ部に信号取り出しのケーブルを接続し、再度、図４のＣＶＤ装置にセットしシンチレータパネルおよび受光素子の全面を３μｍの厚みのポリパラキシリレン膜で被覆し、非水分透過性の筐体とし、フラットパネルディテクタ１を得た。 Next, connect a signal extraction cable to the connector of the light receiving element (Rad Eye HR), set it again in the CVD apparatus of FIG. 4, and cover the entire surface of the scintillator panel and the light receiving element with a polyparaxylene film having a thickness of 3 μm. A flat panel detector 1 was obtained as a non-water-permeable casing.
（保護層の膜剥れ評価法）
支持体層と保護層が積層している試料側面にニチバン製セロテープ（登録商標）をはり、その上を５００ｇの荷重で往復５回擦る。カッターナイフの新刃を用い基板に対して垂直方向に約１ｍｍ間隔で傷を入れ、瞬時にセロテープ（登録商標）を剥がしてテープ剥離後にはがれた分の面積比率を求め、以下の基準で０．５刻みの評価をした。
５ ：剥離部分が０％
４．５：剥離部分が１〜１０％
４ ：剥離部分が１１〜２０％
３．５：剥離部分が２１〜４０％
３ ：剥離部分が４１〜６０％
２．５：剥離部分が６１〜８０％
２ ：剥離部分ガ８１％〜９０％
１．５：剥離部分が９１〜９９％
１ ：剥離部分が１００％
（ＳＰ値：溶解パラメータ）
ＳＰ値は、ＰＯＬＹＭＥＲ ＥＮＧＩＮＥＥＲＩＮＧ ＡＮＤ ＳＩＥＮＣＥ，１９７４，Ｖｏｌ．１４，ＮＯ２，Ｐ１４７−１５４（ＲＯＢＥＲＴ Ｆ．ＦＥＤＯＲＳ）に記載の方法で計算して求めた。
(Method for evaluating film peeling of protective layer)
A Nichiban cello tape (registered trademark) is applied to the side surface of the sample on which the support layer and the protective layer are laminated, and is rubbed back and forth 5 times with a load of 500 g. Using a new blade of the cutter knife, scratches were made at intervals of about 1 mm in the direction perpendicular to the substrate, the cellophane tape (registered trademark) was instantly peeled off, and the area ratio of the peeled off tape was obtained. Evaluation was made in increments of 5.
5: 0% peeled portion
4.5: 1-10% peeled portion
4: The peeled portion is 11 to 20%
3.5: 21-40% peeled portion
3: The peeled portion is 41 to 60%
2.5: 61-80% peeled portion
2: Exfoliated portion gas 81% to 90%
1.5: 91 to 99% peeled portion
1: The peeled portion is 100%
(SP value: dissolution parameter)
The SP value is POLYMER ENGINEERING AND SIENCE, 1974, Vol. 14, NO2, P147-154 (ROBERT F. FEDORS).
（線熱膨張係数）
線熱膨張係数は以下のようにして求めた。
(Linear thermal expansion coefficient)
The linear thermal expansion coefficient was determined as follows.
（線熱膨張係数の測定）
線熱膨張係数は、ＡＳＴＭ−Ｄ６９６に準拠し、２５℃から１００℃の範囲で測定した。
(Measurement of linear thermal expansion coefficient)
The linear thermal expansion coefficient was measured in the range of 25 ° C. to 100 ° C. in accordance with ASTM-D696.
実施例で使用した材料について、ＳＰ値と線熱膨張係数を以上のようにして求めた。ＳＰ値と線熱膨張係数の一覧を表１に示した。 About the material used in the Example, SP value and a linear thermal expansion coefficient were calculated | required as mentioned above. Table 1 shows a list of SP values and linear thermal expansion coefficients.
なお表中の用いた材料は以下のとおりである。
Ｐ−１：ポリイミドフィルム（宇部興産製ユーピレックス）
Ｇ−１：ファイバーオプティックプレート ４７ＡＲＨ（ＳＣＨＯＴＴ社製）
Ｅ−１：ＰＥＴフィルム（三菱樹脂社製）
Ｃ−１：アモルファスカーボン ＡＣ−１４０（日清紡ケミカル株式会社製）
ポリエステル樹脂：バイロン２０ＳＳ （東洋紡社製：高分子ポリエステル樹脂）
ポリパラキシリレン：ｄｉＸ （第三化成株式会社製）
エポキシ系接着剤：ＢＣ−６００ Ｏｐｔｉｃａｌ Ｃｅｍｅｎｔ （ＳＡＩＮＴ−ＧＯＢＡＩＮ株式会社製）２液型エポキシ樹脂（接着方法：２０℃ １００ｇ／ｃｍ２加圧 加圧時間３ｈｒ〜４ｈｒで接着した）
また、表中１００＜は１００より大きい値であることを表す。
The materials used in the table are as follows.
P-1: Polyimide film (Upilex made by Ube Industries)
G-1: Fiber Optic Plate 47ARH (manufactured by SCHOTT)
E-1: PET film (Mitsubishi Resin Co., Ltd.)
C-1: Amorphous carbon AC-140 (Nisshinbo Chemical Co., Ltd.)
Polyester resin: Byron 20SS (manufactured by Toyobo Co., Ltd .: polymer polyester resin)
Polyparaxylylene: diX (manufactured by Sankasei Co., Ltd.)
Epoxy-based adhesive: BC-600 Optical Cement (manufactured by SAINT-GOBAIN Co., Ltd.) 2-pack type epoxy resin (adhesion method: 20 ° C. 100 g / cm 2 pressurization, pressurization time 3 hr to 4 hr)
In the table, 100 <represents a value larger than 100.
以上の材料を用いて、表２で示した組み合わせで作成したシンチレータパネル１〜７に対して前述した接着性の評価を行った。結果を試料の構成と共に表２に示す。 Using the materials described above, the above-described evaluation of adhesiveness was performed on scintillator panels 1 to 7 created by the combinations shown in Table 2. The results are shown in Table 2 together with the sample configuration.
表２から、支持体にアモルファスカーボンやアルミニウムを用いた比較のシンチレータパネルに比べて、本発明試料は接着性が優れていることがわかる。さらに、反射層、下引層も含めて線熱膨張係数、ＳＰ値が本発明の好ましい範囲に入った場合、特に接着性が優れていることがわかる。またＴｇが高く好ましいポリイミドフィルムはＰＥＴフィルムに比べ、より高い効果を示すことが分かる。 From Table 2, it can be seen that the inventive sample is superior in adhesiveness as compared to a comparative scintillator panel using amorphous carbon or aluminum as the support. Furthermore, when the linear thermal expansion coefficient and the SP value including the reflective layer and the undercoat layer are within the preferred ranges of the present invention, it can be seen that the adhesion is particularly excellent. Further, it can be seen that a preferable polyimide film having a high Tg exhibits a higher effect than a PET film.
１ 放射線像検出装置
２ ダイシング装置
１２ シンチレータパネル
２１ ブレード
２１ａ 回転軸
２２ ダイシング台
２２１ 溝
２３ ノズル
２４ 支持部材
５ ＣＶＤ蒸着装置
５１ 気化室
５２ 熱分解室
５３ 蒸着室
５３ａ 導入口
５３ｂ 排出口
５３ｃ ターンテーブル（蒸着台）
５４ 冷却室
５５ 排気系
１１９ 下引層
１２０ 光反射層
１２１ 支持体
１２２ 蛍光体層
１２３ 保護層
１３１ 回路基板
１３２ 光電変換素子アレイ
９６１ 蒸着装置
９６２ 真空容器
９６３ ボート
９６４ ホルダ
９６５ 回転機構
９６５ａ 回転軸
９６６ 真空ポンプ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Radiation image detection apparatus 2
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP2014013230A (en) * | 2012-06-04 | 2014-01-23 | Canon Inc | Radiation detection system and imaging system |
| JP2016038279A (en) * | 2014-08-07 | 2016-03-22 | コニカミノルタ株式会社 | Scintillator panel and radiation detector including the same |
| JP2016038280A (en) * | 2014-08-07 | 2016-03-22 | コニカミノルタ株式会社 | Scintillator panel and radioactive-ray detector including the same |
| JP2016085056A (en) * | 2014-10-23 | 2016-05-19 | コニカミノルタ株式会社 | Scintillator panel and radiation detector |
| CN107797135A (en) * | 2016-09-01 | 2018-03-13 | 柯尼卡美能达株式会社 | Radiation image detector |
| CN107797135B (en) * | 2016-09-01 | 2020-10-23 | 柯尼卡美能达株式会社 | Radiation detector |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20130415 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130911 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
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|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140414 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140422 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140610 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20141111 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150209 |
|
| A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20150216 |
|
| A912 | Removal of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20150327 |