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JP2012082336A - Adhesive sheet, method for producing the same, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device - Google Patents

Adhesive sheet, method for producing the same, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device Download PDF

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JP2012082336A
JP2012082336A JP2010230470A JP2010230470A JP2012082336A JP 2012082336 A JP2012082336 A JP 2012082336A JP 2010230470 A JP2010230470 A JP 2010230470A JP 2010230470 A JP2010230470 A JP 2010230470A JP 2012082336 A JP2012082336 A JP 2012082336A
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JP
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adhesive
adhesive layer
layer
film layer
adhesive film
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Application number
JP2010230470A
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Japanese (ja)
Inventor
Shinya Kato
慎也 加藤
Tatsuya Sakuta
竜弥 作田
Rie Kato
理絵 加藤
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Resonac Corp
Original Assignee
Hitachi Chemical Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an adhesive sheet, which is previously cut, can prevent a breakage failure of a semiconductor element since no peeling occurs in an interface between an adhesive layer and a tacky film layer in a process for picking the semiconductor element and bonding it to a mounted substrate by thermocompression bonding, and can easily pick up the semiconductor element; a method for producing the adhesive sheet; a semiconductor device and a method for manufacturing the same using the adhesive sheet.SOLUTION: The adhesive sheet includes: a separation base material; the adhesive layer partially disposed on the surface of the separation base material; and the tacky film layer covering the adhesive layer and contacting the separation base material in the circumference of a region for arranging the adhesive layer. The surface of the tacky film layer has a region, to which roughening process is applied, in the whole or a part of a region contacting with the adhesive layer.

Description

本発明は、接着シート及びその製造方法、並びに、半導体装置の製造方法及び半導体装置に関する。   The present invention relates to an adhesive sheet, a manufacturing method thereof, a manufacturing method of a semiconductor device, and a semiconductor device.

近年、モバイル関連機器の多機能化及び軽量小型化の要求が急速に高まりつつある。これに伴い、半導体素子の高密度実装に対するニーズは年々強まり、特に半導体素子を積層するスタックドマルチチップパッケージ(以下「スタックドMCP」という)の開発がその中心を担っている。スタックドMCPの技術開発は、パッケージの小型化と多段積載という、相反する目標の両立にある。そのため、特に半導体素子に使用されるシリコンウェハの厚さは薄膜化が急速に進み、ウェハ厚さ100μm以下のものが積極的に使用、検討されている。また多段積載は、パッケージ作製工程の複雑化を引き起こすため、パッケージ作製工程の簡素化及び、多段積載によるワイヤーボンディングの熱履歴回数の増加に対応した作製プロセス、材料の提案が求められている。   In recent years, there has been a rapid increase in demands for multifunctional and lightweight and compact mobile related devices. Accordingly, the need for high-density mounting of semiconductor elements is increasing year by year, and the development of a stacked multi-chip package (hereinafter referred to as “stacked MCP”) in which semiconductor elements are stacked plays a central role. The technical development of stacked MCP is to achieve the conflicting goals of package miniaturization and multi-stage loading. For this reason, the thickness of silicon wafers used for semiconductor elements has been rapidly reduced, and wafers with a thickness of 100 μm or less are being actively used and studied. In addition, since the multi-stage loading causes the package production process to become complicated, there is a need for a production process and material proposal corresponding to the simplification of the package production process and the increase in the number of wire bonding thermal histories by multi-stage loading.

このような状況の中、スタックドMCPの接着部材としては従来からペースト材料が用いられてきた。しかし、ペースト材料では、半導体素子の接着プロセスにおいて樹脂のはみ出しが生じたり、膜厚精度が低いといった問題がある。これらの問題は、ワイヤーボンディング時の不具合発生やペースト剤のボイド発生等の原因となるため、ペースト材料を用いた場合では、上述の要求に対処しきれなくなってきている。   Under such circumstances, a paste material has been conventionally used as an adhesive member of the stacked MCP. However, the paste material has a problem that the resin protrudes in the bonding process of the semiconductor element and the film thickness accuracy is low. Since these problems cause problems during wire bonding, voids in the paste, and the like, when the paste material is used, it has become impossible to cope with the above requirements.

こうした問題を改善するために、近年、ペースト材料に代えてフィルム状の接着剤が使用される傾向にある。フィルム状の接着剤はペースト材料と比較して、半導体素子の接着プロセスにおけるはみ出し量を少なく制御することが可能であり、且つ、フィルムの膜厚精度を高めて、膜厚のばらつきを小さくすることが可能であることから、特にスタックドMCPへの適用が積極的に検討されている。   In recent years, in order to improve such a problem, a film-like adhesive has been used instead of the paste material. Compared to paste materials, film adhesives can control the amount of protrusion in the bonding process of semiconductor elements, and increase film thickness accuracy to reduce film thickness variation. Therefore, application to a stacked MCP is being actively studied.

このフィルム状接着剤は、通常、接着剤層が剥離基材上に形成された構成を有しており、その代表的な使用方法の一つにウェハ裏面貼付け方式がある。ウェハ裏面貼り付け方式とは、半導体素子の作製に用いられるシリコンウェハの裏面にフィルム状接着剤を直接貼付ける方法である。この方法では、半導体ウェハに対するフィルム状接着剤の貼付けを行った後、剥離基材を除去し、接着剤層上にダイシングテープを貼り付ける。その後、ウェハリングに装着させて所望の半導体素子寸法にウェハを接着剤層ごと切削加工する。ダイシング後の半導体素子は裏面に同じ寸法に切り出された接着剤層を有する構造となっており、この接着剤層付きの半導体素子をピックアップして搭載されるべき基板に熱圧着等の方法で貼り付ける。   This film-like adhesive usually has a configuration in which an adhesive layer is formed on a release substrate, and one of typical usage methods is a wafer back surface application method. The wafer back surface attaching method is a method of directly attaching a film adhesive to the back surface of a silicon wafer used for manufacturing a semiconductor element. In this method, after a film adhesive is applied to a semiconductor wafer, the release substrate is removed, and a dicing tape is applied on the adhesive layer. Thereafter, the wafer is mounted on the wafer ring, and the wafer is cut into a desired semiconductor element size together with the adhesive layer. The semiconductor element after dicing has a structure having an adhesive layer cut out to the same size on the back surface. The semiconductor element with the adhesive layer is picked up and attached to a substrate to be mounted by a method such as thermocompression bonding. wear.

この裏面貼付け方式に用いられるダイシングテープは、通常、粘着剤層が接着剤層上に形成された構成を有しており、感圧型ダイシングテープとUV型ダイシングテープとの2種類に大別される。ダイシングテープに要求される機能としては、ダイシング時には、ウェハ切断に伴う負荷によって半導体素子が飛散しない十分な粘着力が求められ、ダイシングした各半導体素子をピックアップする際には、各素子への粘着剤残りが無く、接着剤層付きの半導体素子がダイボンダー設備で容易にピックアップできることが求められる。   The dicing tape used for this back surface application method usually has a structure in which an adhesive layer is formed on an adhesive layer, and is roughly classified into two types, a pressure-sensitive dicing tape and a UV dicing tape. . As a function required for the dicing tape, at the time of dicing, a sufficient adhesive force is required so that the semiconductor element does not scatter due to a load accompanying cutting of the wafer, and when picking up each diced semiconductor element, an adhesive to each element It is required that there is no residue and that a semiconductor element with an adhesive layer can be easily picked up by a die bonder facility.

また、パッケージ作製工程の短縮化の要望から、更にプロセス改善の要求が高まっている。従来のウェハ裏面貼付け方式ではウェハへフィルム状接着剤を貼付けた後、ダイシングテープを貼付けるという2つの工程が必要であったことから、このプロセスを簡略化するために、フィルム状接着剤とダイシングテープとの両方の機能を併せ持つ接着シート(ダイボンドダイシングシート)が開発されている。この接着シートとしては、フィルム状接着剤とダイシングテープとを貼り合わせた構造を持つ積層タイプ(例えば、特許文献1〜3参照)や、一つの樹脂層で粘着剤層と接着剤層との両方の機能を兼ね備えた単層タイプ(例えば、特許文献4参照)がある。   In addition, there is a growing demand for process improvement due to the desire to shorten the package manufacturing process. In order to simplify this process, the conventional wafer backside application method requires two steps of attaching a film adhesive to the wafer and then applying a dicing tape. Adhesive sheets (die-bond dicing sheets) that have both functions of tape have been developed. As this adhesive sheet, a laminated type having a structure in which a film adhesive and a dicing tape are bonded together (for example, see Patent Documents 1 to 3), or both a pressure-sensitive adhesive layer and an adhesive layer with a single resin layer. There is a single layer type (see, for example, Patent Document 4) having the above functions.

また、このような接着シートを、半導体素子を構成するウェハの形状にあらかじめ加工しておく方法(いわゆるプリカット加工)が知られている(例えば特許文献5、6参照)。かかるプリカット加工は、使用されるウェハの形状に合わせて樹脂層を打ち抜き、ウェハを貼り付ける部分以外の樹脂層を剥離しておく方法である。   In addition, a method (so-called precut processing) in which such an adhesive sheet is processed in advance into the shape of a wafer constituting a semiconductor element is known (see, for example, Patent Documents 5 and 6). Such pre-cut processing is a method in which a resin layer is punched in accordance with the shape of the wafer to be used, and the resin layer other than the portion to which the wafer is attached is peeled off.

かかるプリカット加工を施す場合、積層タイプの接着シートは一般的に、フィルム状接着剤において接着剤層をウェハ形状に合わせてプリカット加工し、それとダイシングテープとを貼り合わせた後、このダイシングテープに対してウェハリング形状に合わせたプリカット加工を施すか、又は、あらかじめウェハリング形状にプリカット加工したダイシングテープを、プリカット加工したフィルム状接着剤と貼り合わせることによって作製される。また、単層タイプの接着シートは一般的に、剥離基材上に接着剤層と粘着フィルム層の両方の機能を有する樹脂層(以下、「粘接着層」という)を形成し、この粘接着層に対してプリカット加工を行い、樹脂層の不要部分を除去した後に粘着フィルム層と貼り合わせる等の方法により作製される。   When such pre-cut processing is performed, generally, a laminated type adhesive sheet is pre-cut in a film adhesive so that the adhesive layer is matched to the wafer shape and bonded to the dicing tape. It is manufactured by applying pre-cut processing according to the wafer ring shape, or pasting a dicing tape pre-cut into a wafer ring shape with a pre-cut film adhesive. In addition, a single layer type adhesive sheet generally forms a resin layer (hereinafter referred to as “adhesive layer”) having both functions of an adhesive layer and an adhesive film layer on a release substrate. The adhesive layer is prepared by a method such as pre-cut processing, removing unnecessary portions of the resin layer, and then bonding to the adhesive film layer.

ところで、前記接着シートは、前記プリカット加工において、接着剤層と粘着フィルム層が接する構造となるが、接着剤層と粘着フィルム層の密着力が高いと、上記半導体素子をピックアップし、搭載する基板に熱圧着する工程において、該接着剤層と粘着フィルム層の界面が剥がれず、素子を破損してしまうという不具合を生じる。
そのため、従来このような剥がれを回避するために、接着剤層と粘着フィルム層との密着力を下げるなどの方法を行い、半導体素子の破損を抑制している。
By the way, the adhesive sheet has a structure in which the adhesive layer and the pressure-sensitive adhesive film layer are in contact with each other in the pre-cut processing. When the adhesive force between the adhesive layer and the pressure-sensitive adhesive film layer is high, the semiconductor element is picked up and mounted. In the process of thermocompression bonding, the interface between the adhesive layer and the pressure-sensitive adhesive film layer is not peeled off, resulting in a problem that the element is damaged.
Therefore, conventionally, in order to avoid such peeling, a method such as reducing the adhesion between the adhesive layer and the pressure-sensitive adhesive film layer is performed to suppress damage to the semiconductor element.

特許第3348923号公報Japanese Patent No. 3348923 特開平10−335271号公報JP 10-335271 A 特許第2678655号公報Japanese Patent No. 2678655 特公平7−15087号公報Japanese Patent Publication No. 7-15087 実公平6−18383号公報Japanese Utility Model Publication No. 6-18383 登録実用新案3021645号公報Registered Utility Model No. 3021645

しかし、接着剤層と粘着フィルム層との密着力を下げ、半導体素子の破損を抑制する方法では、ウェハを切削加工するダイシング工程においてウェハリングから剥がれてしまうという問題がある。
本発明は、上記従来技術の有する課題に鑑みてなされたものであり、上記半導体素子をピックアップし、搭載する基板に熱圧着する工程において、該接着剤層と粘着フィルム層の界面が剥がれず、素子を破損してしまうという不具合を十分に抑制することが可能な接着シート及びその製造方法、並びに、上記接着シートを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供することを目的とする。
However, the method of reducing the adhesion between the adhesive layer and the pressure-sensitive adhesive film layer and suppressing the breakage of the semiconductor element has a problem that the wafer is peeled off from the wafer ring in the dicing process of cutting the wafer.
The present invention has been made in view of the above-mentioned problems of the prior art, and in the step of picking up the semiconductor element and thermocompression bonding to the substrate to be mounted, the interface between the adhesive layer and the pressure-sensitive adhesive film layer does not peel off, It is an object of the present invention to provide an adhesive sheet capable of sufficiently suppressing the problem of damaging elements, a method for manufacturing the same, a method for manufacturing a semiconductor device using the adhesive sheet, and a semiconductor device.

本発明は以下に関する。
<1>剥離基材と、前記剥離基材の表面上に部分的に設けられた接着剤層と、前記接着剤層を覆い、且つ、前記接着剤層が設けられた領域の周囲で前記剥離基材に接するように設けられた粘着フィルム層とを有し、前記粘着フィルム層の表面は、前記接着剤層と接する領域の全部もしくは一部に、凹凸を有する処理が施された領域を有する、接着シート。
<2>前記粘着フィルム層の前記表面のうち、前記凹凸処理が施された領域における接着剤層との密着力が、4N/mよりも大きく、20N/m以下である、<1>記載の接着シート。
<3>前記接着剤層が、エポキシ樹脂と、エポキシ樹脂硬化剤と、官能性モノマーに由来する構造単位を有する重量平均分子量が10万以上である重合体と、を含む、<1>または<2>に記載の接着シート。
<4>前記重合体が、グリシジル基含有アクリル共重合体及びグリシジル基含有メタクリル共重合体の少なくとも一方を含み、かつ、前記接着剤層全体に対する前記エポキシ樹脂の含有量が5質量%以上50質量%以下である、<3>に記載の接着シート。
<5><1>〜<4>いずれか一項に記載の接着シートの製造方法であって、剥離基材と前記剥離基材の表面上に部分的に設けられた接着剤層とを有する接着剤層付き剥離基材を準備する工程と、前記接着剤層と接する領域の全部もしくは一部に、凹凸を有する処理が施された領域を有する粘着フィルム層を準備する工程と、前記接着剤層付き剥離基材において、前記接着剤層を覆い、且つ、前記接着剤層が設けられた領域の周囲で前記剥離基材に接するように前記粘着フィルム層を設ける工程と、前記粘着フィルム層における前記剥離基材と接していない面から前記剥離基材に達するまで切り込みを入れ、切り込まれた前記粘着フィルム層の一部を除去する工程と、前記所定の平面形状の接着剤層と、前記接着剤層を覆い且つ前記接着剤層の周囲で前記剥離基材に接する粘着フィルム層とからなる、所定の形状の積層体とを形成する工程と、を含む、接着シートの製造方法。
<6><1>〜<4>のうちのいずれか一項に記載の接着シート又は<5>に記載の接着シートの製造方法により得られた接着シートにおいて、接着剤層及び粘着フィルム層を含んで構成された積層体を剥離基材から剥離し、前記積層体における前記接着剤層側の面を半導体ウェハに貼り付けて積層体付き半導体ウェハを得る工程と、前記積層体付き半導体ウェハを、前記半導体ウェハ側の面から前記接着剤層と前記粘着フィルム層との界面まで切断する工程と、切断された前記半導体ウェハ及び前記接着剤層を、前記粘着フィルム層から剥離し、接着剤層付き半導体素子を得る工程と、前記接着剤層付き半導体素子における前記半導体素子を、前記接着剤層を介して被着体に接着する工程とを含む、半導体装置の製造方法。
<7>前記被着体が、半導体素子搭載用の支持部材、又は、他の半導体素子である<6>に記載の半導体装置の製造方法。
<8><6>又は<7>に記載の半導体装置の製造方法により製造された半導体装置。
The present invention relates to the following.
<1> A peeling base material, an adhesive layer partially provided on the surface of the peeling base material, and the peeling around the area where the adhesive layer is covered and the adhesive layer is provided A pressure-sensitive adhesive film layer provided so as to be in contact with the substrate, and the surface of the pressure-sensitive adhesive film layer has a region subjected to a treatment having irregularities in all or part of the region in contact with the adhesive layer. , Adhesive sheet.
<2> Of the surface of the pressure-sensitive adhesive film layer, the adhesive force with the adhesive layer in the region subjected to the unevenness treatment is greater than 4 N / m and 20 N / m or less, <1> Adhesive sheet.
<3> The adhesive layer includes an epoxy resin, an epoxy resin curing agent, and a polymer having a structural unit derived from a functional monomer and having a weight average molecular weight of 100,000 or more, <1> or <1>2>. The adhesive sheet according to 2>.
<4> The polymer contains at least one of a glycidyl group-containing acrylic copolymer and a glycidyl group-containing methacrylic copolymer, and the content of the epoxy resin with respect to the entire adhesive layer is 5% by mass or more and 50% by mass. % Or less, the adhesive sheet according to <3>.
<5> The method for producing an adhesive sheet according to any one of <1> to <4>, comprising a release substrate and an adhesive layer partially provided on the surface of the release substrate. A step of preparing a release substrate with an adhesive layer, a step of preparing a pressure-sensitive adhesive film layer having a region subjected to a treatment having irregularities in all or part of a region in contact with the adhesive layer, and the adhesive In the release substrate with a layer, in the adhesive film layer, the step of providing the adhesive film layer so as to cover the adhesive layer and contact the release substrate around a region where the adhesive layer is provided; Cutting from the surface not in contact with the release substrate until reaching the release substrate, removing a part of the cut adhesive film layer, the adhesive layer of the predetermined planar shape, Covering the adhesive layer and said adhesive layer Comprising a pressure-sensitive adhesive film layer in contact with the release substrate at ambient, and forming a laminate having a predetermined shape, manufacturing method of the adhesive sheet.
<6> In the adhesive sheet according to any one of <1> to <4> or the adhesive sheet obtained by the method for producing an adhesive sheet according to <5>, an adhesive layer and an adhesive film layer are provided. A step of separating the laminated body configured to be peeled from the peeling substrate, and attaching the surface on the adhesive layer side of the laminated body to the semiconductor wafer to obtain a semiconductor wafer with the laminated body, and the semiconductor wafer with the laminated body A step of cutting from the surface on the semiconductor wafer side to the interface between the adhesive layer and the adhesive film layer, the semiconductor wafer and the adhesive layer that have been cut off are peeled from the adhesive film layer, and the adhesive layer The manufacturing method of a semiconductor device including the process of obtaining an attached semiconductor element, and the process of adhere | attaching the said semiconductor element in the said semiconductor element with an adhesive bond layer to a to-be-adhered body through the said adhesive bond layer.
<7> The method for manufacturing a semiconductor device according to <6>, wherein the adherend is a support member for mounting a semiconductor element or another semiconductor element.
<8> A semiconductor device manufactured by the method for manufacturing a semiconductor device according to <6> or <7>.

本発明によれば、前記粘着フィルム層の接着剤層と接する領域の一部もしくは全部に、凹凸処理を施されており、上記半導体素子をピックアップし、搭載する基板に熱圧着する工程において、該接着剤層と粘着フィルム層の界面が剥がれず、素子を破損してしまうという不具合を十分に抑制することが可能な接着シート及びその製造方法、並びに、上記接着シートを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供することができる。   According to the present invention, a part or all of the region of the pressure-sensitive adhesive film layer that is in contact with the adhesive layer is subjected to uneven treatment, and in the step of picking up the semiconductor element and thermocompression bonding to the substrate to be mounted, Adhesive sheet capable of sufficiently suppressing the problem that the interface between the adhesive layer and the adhesive film layer does not peel off and damages the element, a method for manufacturing the same, and a method for manufacturing a semiconductor device using the adhesive sheet In addition, a semiconductor device can be provided.

本発明の接着シートを示す平面図である。It is a top view which shows the adhesive sheet of this invention. 図1の平面図のA−A’線に沿って切断した場合の端面図の一部である。FIG. 2 is a part of an end view taken along the line A-A ′ of the plan view of FIG. 1. 本発明の接着シートを用いた、積層体付き半導体ウェハを示す側面図である。It is a side view which shows the semiconductor wafer with a laminated body using the adhesive sheet of this invention.

<接着シート> <Adhesive sheet>

本発明の接着シートは、剥離基材と前記剥離基材の表面上に部分的に設けられた接着剤層と、前記接着剤層を覆い、且つ、前記接着剤層が設けられた領域の周囲で前記剥離基材に接するように設けられた粘着フィルム層とを有し、前記粘着フィルム層の表面は、前記接着剤層と接する領域の全部もしくは一部に、凹凸を有する処理が施された領域を有することを特徴とする。   The adhesive sheet of the present invention includes a peeling base material, an adhesive layer partially provided on the surface of the peeling base material, a periphery of a region that covers the adhesive layer and is provided with the adhesive layer And a pressure-sensitive adhesive film layer provided so as to be in contact with the release substrate, and the surface of the pressure-sensitive adhesive film layer has been subjected to a treatment having irregularities in all or part of a region in contact with the adhesive layer. It has a region.

接着剤層と粘着フィルム層との界面の密着力は、4N/mよりも大きく、20N/m以下であることが好ましい。ここで、本発明における密着力は、接着剤層側を支持した状態で180度方向に粘着フィルム層を引き剥がした際の剥離強度を5点測定して、平均した値を意味する。   The adhesion at the interface between the adhesive layer and the adhesive film layer is preferably greater than 4 N / m and not greater than 20 N / m. Here, the adhesion strength in the present invention means an average value obtained by measuring five points of peel strength when the pressure-sensitive adhesive film layer is peeled off in the 180-degree direction while supporting the adhesive layer side.

本発明の接着シートは、上述したプリカット加工が施された接着シートである。そして、本発明の接着シートにおいては、接着剤層と粘着フィルム層との界面の密着力が上記範囲であることにより、上記半導体素子をピックアップし、搭載する基板に熱圧着する工程において、該接着剤層と粘着フィルム層の界面が剥がれず、素子を破損してしまうという不良を防止することができる。   The adhesive sheet of the present invention is an adhesive sheet subjected to the above-described precut processing. In the adhesive sheet of the present invention, when the adhesive force at the interface between the adhesive layer and the pressure-sensitive adhesive film layer is in the above range, in the step of picking up the semiconductor element and thermocompression bonding to the substrate to be mounted, The defect that the interface between the agent layer and the adhesive film layer does not peel off and the element is damaged can be prevented.

また、本発明の接着シートにおいて、上記接着剤層は、上記剥離基材を剥離した後に上記積層体を貼り付けるべき被着体の平面形状に合致する所定の平面形状を有していることが好ましい。
上記被着体としては、例えば半導体ウェハが挙げられるが、この半導体ウェハの平面形状に合致する平面形状を接着剤層が有していることにより、半導体ウェハをダイシングする工程が容易となる傾向がある。なお、接着剤層の平面形状は、半導体ウェハの平面形状に完全に一致している必要はなく、例えば、半導体ウェハの平面形状と相似であってもよく、半導体ウェハの平面形状に合致していてもよい。
In the adhesive sheet of the present invention, the adhesive layer may have a predetermined planar shape that matches the planar shape of the adherend to which the laminate is to be attached after the release substrate is peeled off. preferable.
Examples of the adherend include a semiconductor wafer, and the adhesive layer has a planar shape that matches the planar shape of the semiconductor wafer, which tends to facilitate the process of dicing the semiconductor wafer. is there. Note that the planar shape of the adhesive layer does not have to completely match the planar shape of the semiconductor wafer. For example, it may be similar to the planar shape of the semiconductor wafer, and matches the planar shape of the semiconductor wafer. May be.

更に、上記接着シートにおいて、上記粘着フィルム層は、上記剥離基材を剥離した後に上記接着剤層を貼り付けるべき被着体及び上記接着剤層に対して室温(25℃)で粘着性を有することが好ましい。これにより、半導体ウェハをダイシングする際に半導体ウェハが十分に固定され、ダイシングが容易となる。また、半導体ウェハをダイシングする際にウェハリングを用い、このウェハリングに粘着フィルム層が密着するように接着シートの貼り付けを行った場合、ウェハリングへの粘着力が十分に得られてダイシングが容易となる。   Furthermore, in the adhesive sheet, the adhesive film layer has adhesiveness at room temperature (25 ° C.) with respect to the adherend to which the adhesive layer is to be attached and the adhesive layer after the release substrate is peeled off. It is preferable. Thereby, when dicing a semiconductor wafer, a semiconductor wafer is fully fixed and dicing becomes easy. In addition, when a wafer ring is used when dicing a semiconductor wafer and an adhesive sheet is attached so that the adhesive film layer is in close contact with the wafer ring, sufficient adhesive force to the wafer ring is obtained and dicing is performed. It becomes easy.

上記粘着フィルム層は、高エネルギー線の照射により上記接着剤層に対する粘着力が低下することが好ましい。これにより、接着剤層を粘着フィルム層から剥離する際において、紫外線、電子線、放射線等の高エネルギー線を照射することにより、剥離が容易に可能となる。   It is preferable that the adhesive film layer has a lower adhesive force to the adhesive layer when irradiated with high energy rays. Thereby, when peeling an adhesive bond layer from an adhesion film layer, peeling becomes possible easily by irradiating with high energy rays, such as an ultraviolet-ray, an electron beam, and radiation.

上記接着シートは、上記粘着フィルム層の周縁部の少なくとも一部と上記剥離基材との間に配置される接着剤層を更に備えることが好ましい。かかる粘着フィルム層を備えていることにより、半導体ウェハのダイシング時に使用するウェハリングに対してこの粘着フィルム層を貼り付け、接着剤層がウェハリングに直接貼り付けられないようにすることができる。接着剤層がウェハリングに直接貼り付けられる場合には、接着剤層の粘着力は、ウェハリングから容易に剥離できる程度の低い粘着力に調整する必要が生じるが、粘着フィルム層をウェハリングに貼り付けることにより、このような粘着力の調整が不要となる。したがって、接着剤層には十分に高い粘着力を持たせるとともに、粘着フィルム層にはウェハリングを容易に剥離できる程度の十分に低い粘着力を持たせることにより、半導体ウェハのダイシング作業及びその後のウェハリングの剥離作業をより効率的に行うことが可能となる。更に、粘着フィルム層の粘着力を十分に低く調整することができるため、剥離基材と粘着フィルム層との間に剥離起点を作り出しやすくなり、剥離基材からの接着剤層及び粘着フィルム層の剥離が容易となって剥離不良の発生をより十分に抑制することが可能となる。ここで、上記粘着フィルム層は、上記剥離基材を剥離した後に上記粘着フィルム層を貼り付けるべき被着体及び上記接着剤層に対して室温(25℃)で粘着性を有することが好ましい。   The adhesive sheet preferably further includes an adhesive layer disposed between at least a part of the peripheral edge of the pressure-sensitive adhesive film layer and the release substrate. By providing such an adhesive film layer, the adhesive film layer can be affixed to a wafer ring used when dicing a semiconductor wafer, and the adhesive layer can be prevented from being directly affixed to the wafer ring. When the adhesive layer is attached directly to the wafer ring, the adhesive strength of the adhesive layer needs to be adjusted to a low adhesive strength that can be easily removed from the wafer ring. By sticking, adjustment of such adhesive force becomes unnecessary. Therefore, the adhesive layer has a sufficiently high adhesive strength, and the adhesive film layer has a sufficiently low adhesive strength that allows the wafer ring to be easily peeled off. The wafer ring can be peeled off more efficiently. Furthermore, since the adhesive force of the adhesive film layer can be adjusted sufficiently low, it becomes easy to create a peeling starting point between the release substrate and the adhesive film layer, and the adhesive layer and the adhesive film layer from the release substrate Peeling is facilitated and the occurrence of peeling failure can be more sufficiently suppressed. Here, it is preferable that the said adhesive film layer has adhesiveness at room temperature (25 degreeC) with respect to the to-be-adhered body and the said adhesive bond layer which should stick the said adhesive film layer after peeling the said peeling base material.

本発明の接着シートは、25℃での硬化前の貯蔵弾性率が10〜10000MPaであり、且つ260℃での硬化後の貯蔵弾性率が0.5〜1000MPaである接着剤層を有することが好ましい。25℃での硬化前の貯蔵弾性率が上記範囲であると、プリカットの加工性を確保できる。また、260℃での硬化後の貯蔵弾性率が上記範囲であると、半導体装置の信頼性に優れる。   The adhesive sheet of the present invention has an adhesive layer having a storage elastic modulus before curing at 25 ° C. of 10 to 10,000 MPa and a storage elastic modulus after curing at 260 ° C. of 0.5 to 1000 MPa. preferable. When the storage elastic modulus before curing at 25 ° C. is in the above range, the precut processability can be ensured. Moreover, it is excellent in the reliability of a semiconductor device as the storage elastic modulus after hardening at 260 degreeC is the said range.

本発明の接着シートは、剥離基材と、該剥離基材上に配置され、所定の平面形状を有した接着剤層と、該接着剤層の周囲で前記剥離基材に接するよう形成された粘着フィルム層とが順次積層された構成を有している。本発明において、接着剤層と粘着フィルム層を積層体という。前記接着剤層及び粘着フィルム層からなる積層体は、所定の形状に切断されており、剥離基材上に部分的に積層され、上記積層体は、複数個、剥離基材の長さ方向に分散配置されている。   The adhesive sheet of the present invention is formed on a release substrate, an adhesive layer disposed on the release substrate, having a predetermined planar shape, and in contact with the release substrate around the adhesive layer. It has a configuration in which an adhesive film layer is sequentially laminated. In the present invention, the adhesive layer and the adhesive film layer are referred to as a laminate. The laminate composed of the adhesive layer and the adhesive film layer is cut into a predetermined shape and partially laminated on the release substrate, and a plurality of the laminates are arranged in the length direction of the release substrate. Distributed.

ここで、積層体の上記所定の形状とは、剥離基材上に積層体が部分的に積層された状態となり、前記接着剤層の所定の平面形状が半導体ウェハ等の被着体の平面形状よりも大きい平面形状であれば、特に制限されないが、例えば、円形、略円形、四角形、五角形、六角形、八角形、ウェハ形状(円の外周の一部が直線である形状)等の、半導体ウェハへの貼付が容易な形状であることが好ましい。これらの中でも、半導体ウェハ搭載部以外の無駄な部分を少なくするために、円形やウェハ形状が好ましい。   Here, the predetermined shape of the laminate is a state in which the laminate is partially laminated on the release substrate, and the predetermined planar shape of the adhesive layer is a planar shape of an adherend such as a semiconductor wafer. For example, a semiconductor such as a circle, a substantially circle, a quadrangle, a pentagon, a hexagon, an octagon, and a wafer shape (a shape in which a part of the outer periphery of the circle is a straight line) is not particularly limited. It is preferable that the shape be easily attached to the wafer. Among these, in order to reduce useless parts other than the semiconductor wafer mounting portion, a circular shape or a wafer shape is preferable.

半導体ウェハのダイシングを行う際には、通常、ダイシング装置での取り扱いのためにウェハリングが用いられる。この場合、接着シートから剥離基材を剥離し、粘着フィルム層にウェハリングを貼り付け、その内側に半導体ウェハを貼り付ける。ここで、ウェハリングは、円環状や四角環状等の枠となっており、接着シートにおける積層体の粘着フィルム層は、更にこのウェハリングに合致する平面形状を有していることが好ましい。   When dicing a semiconductor wafer, a wafer ring is usually used for handling with a dicing apparatus. In this case, the peeling substrate is peeled off from the adhesive sheet, a wafer ring is stuck on the adhesive film layer, and a semiconductor wafer is stuck inside the wafer ring. Here, the wafer ring is a frame such as an annular shape or a square shape, and the adhesive film layer of the laminate in the adhesive sheet preferably further has a planar shape that matches the wafer ring.

粘着フィルム層は、室温(25℃)で半導体ウェハやウェハリング等の被着体を十分に固定することが可能であり、且つ、ウェハリング等に対してはダイシング後に剥離可能な程度の粘着性を有していることが好ましい。該粘着フィルム層のウェハリングに対する高エネルギー線照射前の粘着力は3〜150N/mであることが好ましく、10〜100N/mであることがより好ましい。150N/mを超えるとウェハリングから剥がし難く、作業性が低下する。3N/m未満であるとウェハリングに対する保持力が不足し、半導体装置の製造工程において支障をきたす恐れがある。   The adhesive film layer can sufficiently fix an adherend such as a semiconductor wafer or a wafer ring at room temperature (25 ° C.), and is adhesive enough to be peeled off after dicing to a wafer ring or the like. It is preferable to have. The pressure-sensitive adhesive strength of the pressure-sensitive adhesive film layer before wafer irradiation is preferably 3 to 150 N / m, and more preferably 10 to 100 N / m. When it exceeds 150 N / m, it is difficult to peel off from the wafer ring, and workability is lowered. If it is less than 3 N / m, the holding force with respect to the wafer ring is insufficient, and there is a risk of hindering the manufacturing process of the semiconductor device.

以下、接着シートを構成する各層について詳細に説明する。
剥離基材は、接着シートの使用時にキャリアフィルムとしての役割を果たすものであり、かかる剥離基材としては、例えば、ポリエチレンテレフタレートフィルム等のポリエステル系フィルム、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリビニルアセテートフィルム等のポリオレフィン系フィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、ポリイミドフィルム等のプラスチックフィルム等を使用することができる。また、紙、不織布、金属箔等も使用することができる。
Hereinafter, each layer which comprises an adhesive sheet is demonstrated in detail.
The release substrate serves as a carrier film when the adhesive sheet is used. Examples of the release substrate include polyester films such as polyethylene terephthalate films, polytetrafluoroethylene films, polyethylene films, and polypropylene films. Polyolefin films such as polymethylpentene film and polyvinyl acetate film, plastic films such as polyvinyl chloride film and polyimide film can be used. Moreover, paper, a nonwoven fabric, metal foil, etc. can also be used.

また、剥離基材の接着剤層側の面は、シリコーン系剥離剤、フッ素系剥離剤、長鎖アルキルアクリレート系剥離剤等の離型剤で表面処理されていることが好ましい。剥離基材の厚さは、使用時の作業性を損なわない範囲で適宜選択することができるが、10〜500μmであることが好ましく、20〜100μmであることがより好ましく、25〜50μmであることが特に好ましい。   The surface of the release substrate on the adhesive layer side is preferably surface-treated with a release agent such as a silicone release agent, a fluorine release agent, or a long-chain alkyl acrylate release agent. Although the thickness of a peeling base material can be suitably selected in the range which does not impair the workability | operativity at the time of use, it is preferable that it is 10-500 micrometers, It is more preferable that it is 20-100 micrometers, It is 25-50 micrometers. It is particularly preferred.

本発明における接着剤層には、例えば、高分子量成分を用い、これに熱重合性成分、又は、高エネルギー線重合性成分等を含有させることができる。このような成分を含有する組成とすることにより、接着剤層には、高エネルギー線(例えば、電子線、紫外線、放射線等)や熱で硬化する特性を持たせることができる。また、熱重合性成分や高エネルギー線重合性成分等の硬化性成分を主に用いる構成でも良い。   In the adhesive layer in the present invention, for example, a high molecular weight component is used, and a thermal polymerizable component, a high energy ray polymerizable component, or the like can be contained therein. By setting it as the composition containing such a component, an adhesive bond layer can be given the characteristic which hardens | cures with a high energy ray (for example, an electron beam, an ultraviolet-ray, radiation, etc.) or a heat | fever. Moreover, the structure which mainly uses curable components, such as a thermally polymerizable component and a high energy ray polymerizable component, may be sufficient.

接着剤層に用いられる高分子量成分としては、熱可塑性を有する樹脂、又は少なくとも未硬化状態において熱可塑性を有し、加熱後に架橋構造を形成する樹脂であれば特に制限はないが、例えば、(1)Tg(ガラス転移温度)が10〜100℃であり、且つ、重量平均分子量が5000〜200000であるもの、又は、(2)Tgが−50〜50℃であり、且つ、重量平均分子量が100000〜1000000であるものが好ましく用いられる。
上記(1)の高分子量成分としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエステルイミド樹脂、フェノキシ樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリエーテルケトン樹脂、アクリル樹脂等が挙げられ、中でもポリイミド樹脂を使用することが好ましい。
The high molecular weight component used in the adhesive layer is not particularly limited as long as it is a resin having thermoplasticity, or at least a resin that has thermoplasticity in an uncured state and forms a crosslinked structure after heating. 1) Tg (glass transition temperature) is 10 to 100 ° C. and weight average molecular weight is 5000 to 200000, or (2) Tg is −50 to 50 ° C. and weight average molecular weight is Those having 100,000 to 1,000,000 are preferably used.
Examples of the high molecular weight component (1) include polyimide resin, polyamide resin, polyetherimide resin, polyamideimide resin, polyester resin, polyesterimide resin, phenoxy resin, polysulfone resin, polyethersulfone resin, polyphenylene sulfide resin, Examples thereof include polyether ketone resins and acrylic resins. Among them, it is preferable to use a polyimide resin.

上記(1)の高分子量成分のより好ましいものの一つとしてのポリイミド樹脂は、例えば、テトラカルボン酸二無水物とジアミンとを公知の方法で縮合反応させることによって得ることができる。すなわち、有機溶媒中で、テトラカルボン酸二無水物とジアミンとを等モル又はほぼ等モル用い(各成分の添加順序は任意)、反応温度80℃以下、好ましくは0〜60℃で付加反応させる。反応が進行するにつれ反応液の粘度が徐々に上昇し、ポリイミドの前駆体であるポリアミド酸が生成する。   The polyimide resin as one of the more preferable high molecular weight components of the above (1) can be obtained, for example, by subjecting tetracarboxylic dianhydride and diamine to a condensation reaction by a known method. That is, in an organic solvent, tetracarboxylic dianhydride and diamine are used in an equimolar or almost equimolar amount (the order of addition of each component is arbitrary), and an addition reaction is performed at a reaction temperature of 80 ° C. or lower, preferably 0 to 60 ° C. . As the reaction proceeds, the viscosity of the reaction solution gradually increases, and polyamic acid, which is a polyimide precursor, is generated.

また、上記(2)の高分子量成分のうち好ましいものの一つとして、官能性モノマーを含む重合体が挙げられる。かかる重合体における官能基としては、例えば、グリシジル基、アクリロイル基、メタクリロイル基、水酸基、カルボキシル基、イソシアヌレート基、アミノ基、アミド基等が挙げられ、中でもグリジシル基が好ましい。より具体的には、グリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレート等の官能性モノマーを含有するグリシジル基含有(メタ)アクリル共重合体等が好ましく、さらにこれらは、接着剤層の構成原料として用いられる、硬化前のエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂と非相溶であることが好ましい。   Moreover, the polymer containing a functional monomer is mentioned as a preferable thing among the high molecular weight components of said (2). Examples of the functional group in such a polymer include a glycidyl group, an acryloyl group, a methacryloyl group, a hydroxyl group, a carboxyl group, an isocyanurate group, an amino group, and an amide group, and among them, a glycidyl group is preferable. More specifically, a glycidyl group-containing (meth) acrylic copolymer containing a functional monomer such as glycidyl acrylate or glycidyl methacrylate is preferable, and these are used as a constituent material of the adhesive layer, before curing. It is preferably incompatible with thermosetting resins such as epoxy resins.

上記官能性モノマーを含む重合体であって、重量平均分子量が10万以上である高分子量成分としては、例えば、グリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレート等の官能性モノマーを含有し、かつ重量平均分子量が10万以上であるグリシジル基含有(メタ)アクリル共重合体等が挙げられ、その中でも硬化前のエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂と非相溶であるものが好ましい。
上記グリシジル基含有(メタ)アクリル共重合体としては、例えば、グリシジル基含有(メタ)アクリルエステル共重合体、グリシジル基含有アクリルゴム等を使用することができ、グリシジル基含有アクリルゴムがより好ましい。本発明でいうグリシジル基含有アクリルゴムとは、アクリル酸エステルを主成分とし、主として、ブチルアクリレートとアクリロニトリル等の共重合体や、エチルアクリレートとアクリロニトリル等からなるグリシジル基を含有する共重合体である。
The polymer containing the functional monomer and having a weight average molecular weight of 100,000 or more includes, for example, a functional monomer such as glycidyl acrylate or glycidyl methacrylate and has a weight average molecular weight of 100,000. Examples thereof include glycidyl group-containing (meth) acrylic copolymers as described above, and among them, those that are incompatible with thermosetting resins such as epoxy resins before curing are preferable.
As said glycidyl group containing (meth) acrylic copolymer, a glycidyl group containing (meth) acrylic ester copolymer, a glycidyl group containing acrylic rubber, etc. can be used, for example, and a glycidyl group containing acrylic rubber is more preferable. The glycidyl group-containing acrylic rubber as used in the present invention is a copolymer containing a glycidyl group mainly composed of an acrylate ester and mainly composed of butyl acrylate and acrylonitrile, or ethyl acrylate and acrylonitrile. .

上記官能性モノマーとは、官能基を有するモノマーのことをいい、このようなモノマーとしては、グリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレート等を使用することが好ましい。重量平均分子量が10万以上であるグリシジル基含有(メタ)アクリル共重合体として具体的には、例えば、ナガセケムテックス株式会社製のHTR−860P−3(商品名)等が挙げられる。   The functional monomer means a monomer having a functional group, and it is preferable to use glycidyl acrylate or glycidyl methacrylate as such a monomer. Specific examples of the glycidyl group-containing (meth) acrylic copolymer having a weight average molecular weight of 100,000 or more include HTR-860P-3 (trade name) manufactured by Nagase ChemteX Corporation.

上記グリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレート等のエポキシ基含有モノマー単位の量は、加熱により硬化して網目構造を効果的に形成するためには、モノマー全量を基準として0.5〜50質量%が好ましい。また、接着力を確保できるとともに、ゲル化を防止することができるという観点からは、0.5〜6質量%がより好ましく、0.8〜5質量%がさらに好ましく、1〜4質量%が特に好ましい。   The amount of the epoxy group-containing monomer unit such as glycidyl acrylate or glycidyl methacrylate is preferably 0.5 to 50% by mass based on the total amount of the monomer in order to cure by heating and effectively form a network structure. In addition, from the viewpoint of ensuring adhesive strength and preventing gelation, 0.5 to 6% by mass is more preferable, 0.8 to 5% by mass is further preferable, and 1 to 4% by mass is preferable. Particularly preferred.

グリシジルアクリレート、グリシジルメタクリレート等のエポキシ基含有モノマー以外のモノマーと共重合させることも可能であり、エポキシ基含有モノマー以外の上記モノマーとしては、例えば、エチル(メタ)アクリレート、ブチル(メタ)アクリレート等が挙げられ、これらは単独で又は2種類以上を組み合わせて使用することができる。なお、本発明において、エチル(メタ)アクリレートとは、エチルアクリレート又はエチルメタクリレートを示す。エポキシ基含有モノマー以外のモノマーを組み合わせて使用する場合の混合比率は、グリシジル基含有(メタ)アクリル共重合体のTgを考慮して決定し、Tgが−10℃以上となるようにすることが好ましい。Tgが−10℃以上であると、未硬化状態での接着剤層のタック性が適当であり、取り扱い性が良好なものとなる傾向にある。   It is also possible to copolymerize with a monomer other than an epoxy group-containing monomer such as glycidyl acrylate and glycidyl methacrylate. Examples of the monomer other than the epoxy group-containing monomer include ethyl (meth) acrylate and butyl (meth) acrylate. These may be used alone or in combination of two or more. In the present invention, ethyl (meth) acrylate means ethyl acrylate or ethyl methacrylate. When the monomer other than the epoxy group-containing monomer is used in combination, the mixing ratio is determined in consideration of the Tg of the glycidyl group-containing (meth) acrylic copolymer so that the Tg becomes −10 ° C. or higher. preferable. When Tg is −10 ° C. or higher, the tackiness of the adhesive layer in an uncured state is appropriate, and the handleability tends to be good.

上記官能性モノマーを重合させて、官能性モノマーを含む重量平均分子量が10万以上である高分子量成分を製造する場合、その重合方法としては特に制限はなく、例えば、パール重合、溶液重合等の方法を使用することができる。官能性モノマーを含む高分子量成分の重量平均分子量は、10万以上であるが、30万〜300万であることが好ましく、50万〜200万であることがより好ましい。重量平均分子量がこの範囲にあると、シート状又はフィルム状としたときの強度、可とう性、及びタック性が適当であり、また、フロー性が適当であるため、配線の回路充填性が確保できる傾向にある。
なお、本発明において、重量平均分子量とは、ゲルパーミュエーションクロマトグラフィーで測定し、標準ポリスチレン検量線を用いて換算した値を示す。
When polymerizing the functional monomer to produce a high molecular weight component having a functional monomer-containing weight average molecular weight of 100,000 or more, the polymerization method is not particularly limited. For example, pearl polymerization, solution polymerization, etc. The method can be used. The weight average molecular weight of the high molecular weight component containing the functional monomer is 100,000 or more, preferably 300,000 to 3,000,000, and more preferably 500,000 to 2,000,000. When the weight average molecular weight is within this range, the strength, flexibility, and tackiness of a sheet or film are appropriate, and the flowability is appropriate, so the circuit fillability of wiring is ensured. It tends to be possible.
In the present invention, the weight average molecular weight is a value measured by gel permeation chromatography and converted using a standard polystyrene calibration curve.

また、官能性モノマーを含む重量平均分子量が10万以上である高分子量成分の使用量は、熱重合性成分100質量部に対して、10〜400質量部が好ましい。この範囲にあると、貯蔵弾性率及び成形時のフロー性抑制が確保でき、また高温での取り扱い性が良好なものとなる傾向にある。また、高分子量成分の使用量は、熱重合性成分100質量部に対して、15〜350質量部がより好ましく、20〜300質量部が特に好ましい。   Moreover, the usage-amount of the high molecular weight component whose weight average molecular weight containing a functional monomer is 100,000 or more has preferable 10-400 mass parts with respect to 100 mass parts of thermopolymerizable components. When it is in this range, storage elastic modulus and flowability during molding can be ensured, and handling properties at high temperatures tend to be good. Moreover, 15-350 mass parts is more preferable, and 20-300 mass parts is especially preferable with respect to 100 mass parts of thermopolymerizable components.

接着剤層に用いられる熱重合性成分としては、熱により重合するものであれば特に制限は無く、例えば、グリシジル基、アクリロイル基、メタクリロイル基、水酸基、カルボキシル基、イソシアヌレート基、アミノ基、アミド基等の官能基を持つ化合物が挙げられる。これらは、単独で又は2種類以上を組み合わせて使用することができる。なお、接着シートとしての耐熱性を考慮すると、接着剤層に対し、熱によって硬化して接着作用を及ぼす熱硬化性樹脂や硬化剤を使用することが好ましい。   The thermopolymerizable component used in the adhesive layer is not particularly limited as long as it is polymerized by heat. For example, glycidyl group, acryloyl group, methacryloyl group, hydroxyl group, carboxyl group, isocyanurate group, amino group, amide And compounds having a functional group such as a group. These can be used alone or in combination of two or more. In consideration of the heat resistance of the adhesive sheet, it is preferable to use a thermosetting resin or a curing agent that cures by heat and exerts an adhesive action on the adhesive layer.

熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、熱硬化型ポリイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、メラミン樹脂、ユリア樹脂等が挙げられ、特に、耐熱性、作業性、信頼性に優れる接着シートが得られる点でエポキシ樹脂を使用することが好ましい。また、熱硬化性樹脂の含有量は、接着剤層全体に対して、5質量%以上50質量%以下であることが好ましい。
エポキシ樹脂は、硬化して接着作用を有するものであれば特に限定されない。かかるエポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールA型エポキシ樹脂等の二官能エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂やクレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂等を使用することができる。また、多官能エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、複素環含有エポキシ樹脂又は脂環式エポキシ樹脂等、一般に知られているものを使用することができる。
Examples of the thermosetting resin include an epoxy resin, an acrylic resin, a silicone resin, a phenol resin, a thermosetting polyimide resin, a polyurethane resin, a melamine resin, and a urea resin, and in particular, heat resistance, workability, and reliability. It is preferable to use an epoxy resin in that an adhesive sheet excellent in the above can be obtained. Moreover, it is preferable that content of a thermosetting resin is 5 to 50 mass% with respect to the whole adhesive bond layer.
The epoxy resin is not particularly limited as long as it is cured and has an adhesive action. As such an epoxy resin, for example, a bifunctional epoxy resin such as a bisphenol A type epoxy resin, a novolak type epoxy resin such as a phenol novolac type epoxy resin or a cresol novolac type epoxy resin, or the like can be used. Moreover, what is generally known, such as a polyfunctional epoxy resin, a glycidyl amine type epoxy resin, a heterocyclic ring-containing epoxy resin, or an alicyclic epoxy resin, can be used.

ビスフェノールA型エポキシ樹脂としては、ジャパンエポキシレジン株式会社製エピコートシリーズ(エピコート807、エピコート815、エピコート825、エピコート827、エピコート828、エピコート834、エピコート1001、エピコート1004、エピコート1007、エピコート1009)、ダウケミカル社製のDER−330、DER−301、DER−361、及び、東都化成株式会社製のYD8125、YDF8170等が挙げられる。   As the bisphenol A type epoxy resin, Epicoat series (Epicoat 807, Epicoat 815, Epicoat 825, Epicoat 827, Epicoat 828, Epicoat 834, Epicoat 1001, Epicoat 1004, Epicoat 1007, Epicoat 1009) manufactured by Japan Epoxy Resin Co., Ltd., Dow Chemical DER-330, DER-301, DER-361 made by the company, YD8125, YDF8170 made by Toto Kasei Co., Ltd., etc. are mentioned.

フェノールノボラック型エポキシ樹脂としては、ジャパンエポキシレジン株式会社製のエピコート152、エピコート154、日本化薬株式会社製のEPPN−201、ダウケミカル社製のDEN−438等が、またo−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂としては、日本化薬株式会社製のEOCN−102S、EOCN−103S、EOCN−104S、EOCN−1012、EOCN−1025、EOCN−1027や、東都化成株式会社製、YDCN700−10等が挙げられる。   Examples of phenol novolac type epoxy resins include Epicoat 152 and Epicoat 154 manufactured by Japan Epoxy Resin Co., Ltd., EPPN-201 manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., DEN-438 manufactured by Dow Chemical Co., Ltd., and o-cresol novolak type epoxy resin. Examples of the resin include EOCN-102S, EOCN-103S, EOCN-104S, EOCN-1012, EOCN-1025, EOCN-1027 manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., YDCN700-10 manufactured by Tohto Kasei Co., Ltd., and the like.

多官能エポキシ樹脂としては、ジャパンエポキシレジン株式会社製のEpon 1031S、チバスペシャリティーケミカルズ社製のアラルダイト0163、ナガセケムテックス株式会社製のデナコールEX−611、EX−614、EX−614B、EX−622、EX−512、EX−521、EX−421、EX−411、EX−321等が挙げられる。   As the polyfunctional epoxy resin, Epon 1031S manufactured by Japan Epoxy Resin Co., Ltd., Araldite 0163 manufactured by Ciba Specialty Chemicals Co., Ltd., Denacol EX-611, EX-614, EX-614B, EX-622 manufactured by Nagase ChemteX Corporation. , EX-512, EX-521, EX-421, EX-411, EX-321, and the like.

グリシジルアミン型エポキシ樹脂としては、ジャパンエポキシレジン株式会社製のエピコート604、東都化成株式会社製のYH−434、三菱ガス化学株式会社製のTETRAD−X及びTETRAD−C、住友化学株式会社製のELM−120等が挙げられる。
複素環含有エポキシ樹脂としては、チバスペシャリティーケミカルズ社製のアラルダイトPT810、UCC社製のERL4234、ERL4299、ERL4221、ERL4206等が挙げられる。
脂環式エポキシ樹脂としては、ダイセル化学工業株式会社製 エポリードシリーズ、セロキサイドシリーズ等が挙げられる。
これらのエポキシ樹脂は、単独で又は2種類以上を組み合わせて使用することができる。
As glycidylamine type epoxy resins, Epicoat 604 manufactured by Japan Epoxy Resin Co., Ltd., YH-434 manufactured by Toto Kasei Co., Ltd., TETRAD-X and TETRAD-C manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Co., Ltd., ELM manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd. -120 etc. are mentioned.
Examples of the heterocyclic ring-containing epoxy resin include Araldite PT810 manufactured by Ciba Specialty Chemicals, ERL4234, ERL4299, ERL4221, and ERL4206 manufactured by UCC.
Examples of the alicyclic epoxy resin include Epolide series and Celoxide series manufactured by Daicel Chemical Industries, Ltd.
These epoxy resins can be used alone or in combination of two or more.

エポキシ樹脂を使用する際は、エポキシ樹脂硬化剤を使用することが好ましい。エポキシ樹脂硬化剤としては、通常用いられている公知の硬化剤を使用することができ、例えば、アミン類、ポリアミド、酸無水物、ポリスルフィド、三フッ化ホウ素、ジシアンジアミド、ビスフェノールA、ビスフェノールF、ビスフェノールSのようなフェノール性水酸基を1分子中に2個以上有するビスフェノール類、フェノールノボラック樹脂、ビスフェノールAノボラック樹脂及びクレゾールノボラック樹脂等のフェノール樹脂等が挙げられる。特に吸湿時の耐電食性に優れる点で、フェノールノボラック樹脂、ビスフェノールAノボラック樹脂及びクレゾールノボラック樹脂等のフェノール樹脂が好ましい。なお、本発明においてエポキシ樹脂硬化剤とは、エポキシ基に触媒的に作用し架橋を促進するような、いわゆる硬化促進剤と呼ばれるものも含む。   When using an epoxy resin, it is preferable to use an epoxy resin curing agent. As the epoxy resin curing agent, known curing agents that are usually used can be used, for example, amines, polyamides, acid anhydrides, polysulfides, boron trifluoride, dicyandiamide, bisphenol A, bisphenol F, bisphenol. Examples thereof include bisphenols having two or more phenolic hydroxyl groups per molecule such as S, phenol resins such as phenol novolac resin, bisphenol A novolac resin and cresol novolac resin. Phenol resins such as phenol novolac resin, bisphenol A novolac resin, and cresol novolac resin are particularly preferable in terms of excellent electric corrosion resistance at the time of moisture absorption. In the present invention, the epoxy resin curing agent includes what is called a curing accelerator that acts catalytically on an epoxy group to promote crosslinking.

上記エポキシ樹脂硬化剤としてのフェノール樹脂の中で好ましいものとしては、例えば、大日本インキ化学工業株式会社製、商品名:フェノライトLF4871、フェノライトLF2822、フェノライトTD−2090、フェノライトTD−2149、フェノライトVH−4150、フェノライトVH4170、明和化成株式会社製、商品名:H−1、ジャパンエポキシレジン株式会社製、商品名:エピキュアMP402FPY、エピキュアYL6065、エピキュアYLH129B65及び三井化学株式会社製、商品名:ミレックスXL、ミレックスXLC、ミレックスRN、ミレックスRS、ミレックスVR等が挙げられる。   Among the phenol resins as the epoxy resin curing agent, for example, Dainippon Ink & Chemicals, Inc., trade names: Phenolite LF4871, Phenolite LF2822, Phenolite TD-2090, Phenolite TD-2149 Phenolite VH-4150, Phenolite VH4170, Meiwa Kasei Co., Ltd., trade name: H-1, Japan Epoxy Resin Co., Ltd., trade name: EpiCure MP402FPY, EpiCure YL6065, EpiCure YLH129B65, and Mitsui Chemicals, Inc. Name: Milex XL, Milex XLC, Milex RN, Milex RS, Milex VR and the like.

本発明における粘着フィルム層には、通常、放射線重合性成分(または、高エネルギー線重合性成分)、光重合開始剤などを用いることができる。
粘着フィルム層に用いられる、高エネルギー線重合性成分として、例えば、放射線重合性成分を含有させることにより、半導体ウェハ等の被着体に接着剤層を貼り付けた後、ダイシングを行う前に放射線照射してダイシング時の粘着力を向上させることや、逆にダイシングを行った後に放射線照射して粘着力を低下させることでピックアップを容易にすることができる。本発明において、このような放射線重合性成分としては、従来放射線重合性のダイシングシートに使用されていた化合物を特に制限なく使用することができる。
また、接着剤層に、熱硬化性樹脂成分を含有させることにより、半導体素子を搭載するときの熱や、半田リフローを通るときの熱等によって、接着剤層が硬化し、半導体装置の信頼性を向上させることができる。
In the pressure-sensitive adhesive film layer in the present invention, a radiation polymerizable component (or a high energy ray polymerizable component), a photopolymerization initiator, or the like can be usually used.
As a high energy ray polymerizable component used for the pressure-sensitive adhesive film layer, for example, by containing a radiation polymerizable component, after adhering an adhesive layer to an adherend such as a semiconductor wafer, radiation before dicing Picking up can be facilitated by improving the adhesive strength during dicing by irradiating, or conversely reducing the adhesive strength by irradiating with radiation after dicing. In the present invention, as such a radiation polymerizable component, a compound conventionally used in a radiation polymerizable dicing sheet can be used without particular limitation.
Also, by including a thermosetting resin component in the adhesive layer, the adhesive layer is cured by heat when mounting the semiconductor element, heat when passing through the solder reflow, etc., and the reliability of the semiconductor device Can be improved.

放射線重合性成分としては、特に制限されないが、例えば、アクリル酸メチル、メタクリル酸メチル、アクリル酸エチル、メタクリル酸エチル、アクリル酸ブチル、メタクリル酸ブチル、アクリル酸−2−エチルヘキシル、メタクリル酸−2−エチルヘキシル、ペンテニルアクリレート、テトラヒドロフルフリルアクリレート、テトラヒドロフルフリルメタクリレート、ジエチレングリコールジアクリレート、トリエチレングリコールジアクリレート、テトラエチレングリコールジアクリレート、ジエチレングリコールジメタクリレート、トリエチレングリコールジメタクリレート、テトラエチレングリコールジメタクリレート、トリメチロールプロパンジアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、トリメチロールプロパンジメタクリレート、トリメチロールプロパントリメタクリレート、1,4−ブタンジオールジアクリレート、1,6−ヘキサンジオールジアクリレート、1,4−ブタンジオールジメタクリレート、1,6−ヘキサンジオールジメタクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリメタクリレート、ペンタエリスリトールテトラメタクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサメタクリレート、スチレン、ジビニルベンゼン、4−ビニルトルエン、4−ビニルピリジン、N−ビニルピロリドン、2−ヒドロキシエチルアクリレート、2−ヒドロキシエチルメタクリレート、1,3−アクリロイルオキシ−2−ヒドロキシプロパン、1,2−メタクリロイルオキシ−2−ヒドロキシプロパン、メチレンビスアクリルアミド、N,N−ジメチルアクリルアミド、N−メチロールアクリルアミド、トリス(β−ヒドロキシエチル)イソシアヌレートのトリアクリレート等を使用することができる。   Although it does not restrict | limit especially as a radiation polymerizable component, For example, methyl acrylate, methyl methacrylate, ethyl acrylate, ethyl methacrylate, butyl acrylate, butyl methacrylate, 2-ethylhexyl acrylate, methacrylic acid-2- Ethylhexyl, pentenyl acrylate, tetrahydrofurfuryl acrylate, tetrahydrofurfuryl methacrylate, diethylene glycol diacrylate, triethylene glycol diacrylate, tetraethylene glycol diacrylate, diethylene glycol dimethacrylate, triethylene glycol dimethacrylate, tetraethylene glycol dimethacrylate, trimethylolpropane Diacrylate, trimethylolpropane triacrylate, trimethylolpropane Methacrylate, trimethylolpropane trimethacrylate, 1,4-butanediol diacrylate, 1,6-hexanediol diacrylate, 1,4-butanediol dimethacrylate, 1,6-hexanediol dimethacrylate, pentaerythritol triacrylate, penta Erythritol tetraacrylate, pentaerythritol trimethacrylate, pentaerythritol tetramethacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate, dipentaerythritol hexamethacrylate, styrene, divinylbenzene, 4-vinyltoluene, 4-vinylpyridine, N-vinylpyrrolidone, 2-hydroxyethyl Acrylate, 2-hydroxyethyl methacrylate, 1,3-acryloyloxy-2-hydroxy Propane, 1,2-methacryloyloxy-2-hydroxypropane, methylenebisacrylamide, N, N- dimethyl acrylamide, N- methylol acrylamide, tris (beta-hydroxyethyl) can be used triacrylate isocyanurate.

また、粘着フィルム層には、光重合開始剤(例えば、放射線等の高エネルギー線の照射によって遊離ラジカルを生成するようなもの)を添加することもできる。かかる光重合開始剤としては、例えば、ベンゾフェノン、N,N’−テトラメチル−4,4’−ジアミノベンゾフェノン(ミヒラーケトン)、N,N’−テトラエチル−4,4’−ジアミノベンゾフェノン、4−メトキシ−4’−ジメチルアミノベンゾフェノン、2−ベンジル−2−ジメチルアミノ−1−(4−モルホリノフェニル)−ブタノン−1、2,2−ジメトキシ−1,2−ジフェニルエタン−1−オン、1−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フェニル−ケトン、2−メチル−1−(4−(メチルチオ)フェニル)−2−モルフォリノプロパノン−1、2,4−ジエチルチオキサントン、2−エチルアントラキノン、フェナントレンキノン等の芳香族ケトン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインフェニルエーテル等のベンゾインエーテル、メチルベンゾイン、エチルベンゾイン等のベンゾイン、ベンジルジメチルケタール等のベンジル誘導体、2−(o−クロロフェニル)−4,5−ジフェニルイミダゾール二量体、2−(o−クロロフェニル)−4,5−ジ(m−メトキシフェニル)イミダゾール二量体、2−(o−フルオロフェニル)−4,5−フェニルイミダゾール二量体、2−(o−メトキシフェニル)−4,5−ジフェニルイミダゾール二量体、2−(p−メトキシフェニル)−4,5−ジフェニルイミダゾール二量体、2,4−ジ(p−メトキシフェニル)−5−フェニルイミダゾール二量体、2−(2,4−ジメトキシフェニル)−4,5−ジフェニルイミダゾール二量体等の2,4,5−トリアリールイミダゾール二量体、9−フェニルアクリジン、1,7−ビス(9,9’−アクリジニル)ヘプタン等のアクリジン誘導体等が挙げられる。   In addition, a photopolymerization initiator (for example, one that generates free radicals by irradiation with high energy rays such as radiation) can be added to the adhesive film layer. Examples of the photopolymerization initiator include benzophenone, N, N′-tetramethyl-4,4′-diaminobenzophenone (Michler ketone), N, N′-tetraethyl-4,4′-diaminobenzophenone, 4-methoxy- 4′-dimethylaminobenzophenone, 2-benzyl-2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) -butanone-1,2,2-dimethoxy-1,2-diphenylethane-1-one, 1-hydroxy- Aromatic ketones such as cyclohexyl-phenyl-ketone, 2-methyl-1- (4- (methylthio) phenyl) -2-morpholinopropanone-1,2,4-diethylthioxanthone, 2-ethylanthraquinone, phenanthrenequinone, benzoin Methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin pheny Benzoin ethers such as ether, benzoins such as methylbenzoin and ethylbenzoin, benzyl derivatives such as benzyldimethyl ketal, 2- (o-chlorophenyl) -4,5-diphenylimidazole dimer, 2- (o-chlorophenyl) -4 , 5-di (m-methoxyphenyl) imidazole dimer, 2- (o-fluorophenyl) -4,5-phenylimidazole dimer, 2- (o-methoxyphenyl) -4,5-diphenylimidazole dimer 2-mer, 2- (p-methoxyphenyl) -4,5-diphenylimidazole dimer, 2,4-di (p-methoxyphenyl) -5-phenylimidazole dimer, 2- (2,4-dimethoxy) 2,4,5-triarylimidazole dimer such as phenyl) -4,5-diphenylimidazole dimer, - phenyl acridine, 1,7-bis (9,9'-acridinyl) like acridine derivatives heptane, and the like.

また、粘着フィルム層又は接着剤層には、放射線照射等の高エネルギー線により塩基及びラジカルを発生する光開始剤を添加しても良い。これにより、ダイシング前又はダイシング後の高エネルギー線照射により、ラジカルが発生して高エネルギー線重合性成分が硬化するとともに、系内に熱硬化性樹脂の硬化剤である塩基が発生し、その後の熱履歴による接着剤層の熱硬化反応を効率的に行うことができるため、光反応と熱硬化反応のそれぞれの開始剤を添加する必要がなくなる。
放射線照射により塩基及びラジカルを発生する光開始剤としては、例えば、2−メチル−1(4−(メチルチオ)フェニル−2−モルフォリノプロパン−1−オン(Ciba Speciality Chemicals社製、イルガキュア907)、2−ベンジル−2−ジメチルアミノ−1−(4−モルフォリノフェニル)−ブタノン−1−オン(Ciba Speciality Chemicals社製、イルガキュア369)、ヘキサアリールビスイミダゾール誘導体(ハロゲン、アルコキシ基、ニトロ基、シアノ基等の置換基がフェニル基に置換されても良い)、ベンゾイソオキサゾロン誘導体等を用いることができる。
Moreover, you may add the photoinitiator which generate | occur | produces a base and a radical with high energy rays, such as radiation irradiation, to an adhesion film layer or an adhesive bond layer. Thereby, radicals are generated by high energy beam irradiation before dicing or after dicing, and the high energy beam polymerizable component is cured, and a base which is a curing agent of the thermosetting resin is generated in the system, and thereafter Since the thermosetting reaction of the adhesive layer by the heat history can be efficiently performed, it is not necessary to add respective initiators for the photoreaction and the thermosetting reaction.
Examples of photoinitiators that generate bases and radicals upon irradiation with radiation include 2-methyl-1 (4- (methylthio) phenyl-2-morpholinopropan-1-one (manufactured by Ciba Specialty Chemicals, Irgacure 907), 2-Benzyl-2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) -butanone-1-one (Ciba Specialty Chemicals, Irgacure 369), hexaarylbisimidazole derivative (halogen, alkoxy group, nitro group, cyano A substituent such as a group may be substituted with a phenyl group), a benzoisoxazolone derivative, or the like.

粘着フィルム層又は接着剤層には、高エネルギー線で遊離ラジカルを生成させる上記光重合開始剤と、高エネルギー線により塩基を発生させる下記の化合物を別に添加しても良い。
放射線照射によって塩基を発生する化合物は、放射線照射時に塩基を発生する化合物であって、発生した塩基が、熱硬化性樹脂の硬化反応速度を上昇させるものであり、光塩基発生剤ともいう。発生する塩基としては、反応性、硬化速度の点から強塩基性化合物が好ましい。一般的には、塩基性の指標として酸解離定数の対数であるpKa値が使用され、水溶液中でのpKa値が7以上の塩基が好ましく、さらに9以上の塩基がより好ましい。
In the adhesive film layer or the adhesive layer, the above-mentioned photopolymerization initiator that generates free radicals with high energy rays and the following compound that generates a base with high energy rays may be added separately.
A compound that generates a base upon irradiation is a compound that generates a base upon irradiation, and the generated base increases the curing reaction rate of the thermosetting resin, and is also referred to as a photobase generator. As the base to be generated, a strongly basic compound is preferable in terms of reactivity and curing speed. In general, a pKa value that is a logarithm of an acid dissociation constant is used as a basic index, and a base having a pKa value in an aqueous solution of 7 or more is preferable, and a base of 9 or more is more preferable.

また、上記放射線照射によって塩基を発生する化合物は、波長150〜750nmの光照射によって塩基を発生する化合物を用いることが好ましく、一般的な光源を使用した際に効率良く塩基を発生させるためには250〜500nmの光照射によって塩基を発生する化合物がより好ましい。   Moreover, it is preferable to use the compound which generate | occur | produces a base by the light irradiation of wavelength 150-750nm as the compound which generate | occur | produces a base by the said radiation irradiation, In order to generate | occur | produce a base efficiently when using a general light source. A compound that generates a base upon irradiation with light of 250 to 500 nm is more preferable.

このような放射線照射によって塩基を発生する化合物の例としては、イミダゾール、2,4−ジメチルイミダゾール、1−メチルイミダゾール等のイミダゾール誘導体、ピペラジン、2,5−ジメチルピペラジン等のピペラジン誘導体、ピペリジン、1,2−ジメチルピペリジン等のピペリジン誘導体、プロリン誘導体、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリエタノールアミン等のトリアルキルアミン誘導体、4−メチルアミノピリジン、4−ジメチルアミノピリジン等の4位にアミノ基又はアルキルアミノ基が置換したピリジン誘導体、ピロリジン、n−メチルピロリジン等のピロリジン誘導体、トリエチレンジアミン、1,8−ジアザビスシクロ(5,4,0)ウンデセン−1(DBU)等の脂環式アミン誘導体、ベンジルメチルアミン、ベンジルジメチルアミン、ベンジルジエチルアミン等のベンジルアミン誘導体等が挙げられる。   Examples of such compounds that generate a base upon irradiation include imidazole derivatives such as imidazole, 2,4-dimethylimidazole and 1-methylimidazole, piperazine derivatives such as piperazine and 2,5-dimethylpiperazine, piperidine, 1 Piperidine derivatives such as 2-dimethylpiperidine, proline derivatives, trialkylamine derivatives such as trimethylamine, triethylamine, triethanolamine, 4-methylaminopyridine, 4-dimethylaminopyridine and the like, an amino group or an alkylamino group is at the 4-position Substituted pyridine derivatives, pyrrolidine derivatives such as pyrrolidine and n-methylpyrrolidine, alicyclic amine derivatives such as triethylenediamine and 1,8-diazabiscyclo (5,4,0) undecene-1 (DBU), benzylmethyl Min, benzyldimethylamine, and the like benzylamine derivatives such as benzyl diethylamine.

また、放射線又は熱で硬化する接着剤層の貯蔵弾性率を大きくするために、例えば、エポキシ樹脂の使用量を増やしたり、グリシジル基濃度の高いエポキシ樹脂又は水酸基濃度の高いフェノール樹脂を使用する等してポリマー全体の架橋密度を上げたり、無機フィラーを添加するといった方法を用いることができる。
接着剤層の貯蔵弾性率を大きくするための無機フィラーは、後述する。
Moreover, in order to increase the storage elastic modulus of the adhesive layer that is cured by radiation or heat, for example, the use amount of an epoxy resin is increased, an epoxy resin having a high glycidyl group concentration, or a phenol resin having a high hydroxyl group concentration is used. Thus, methods such as increasing the crosslinking density of the whole polymer or adding an inorganic filler can be used.
The inorganic filler for increasing the storage elastic modulus of the adhesive layer will be described later.

更に、接着剤層には、可とう性や耐リフロークラック性を向上させる目的で、熱重合性成分と相溶性がある高分子量成分を添加することができる。このような高分子量樹脂としては、特に限定されないが、例えばフェノキシ樹脂、高分子量熱重合性成分、超高分子量熱重合性成分等が挙げられる。これらは、単独で又は2種類以上を組み合わせて使用することができる。   Furthermore, a high molecular weight component that is compatible with the thermopolymerizable component can be added to the adhesive layer for the purpose of improving flexibility and reflow crack resistance. Such a high molecular weight resin is not particularly limited, and examples thereof include a phenoxy resin, a high molecular weight thermopolymerizable component, and an ultrahigh molecular weight thermopolymerizable component. These can be used alone or in combination of two or more.

また、接着剤層には、その取り扱い性向上、熱伝導性向上、溶融粘度の調整及びチキソトロピック性付与等を目的として、無機フィラーを添加することもできる。無機フィラーとしては、特に制限はないが、例えば、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、ほう酸アルミウイスカ、窒化ほう素、結晶性シリカ、非晶性シリカ等が挙げられ、フィラーの形状は特に制限されるものではない。これらのフィラーは単独で又は二種類以上を組み合わせて使用することができる。
これらのなかでも、熱伝導性向上のためには、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化ほう素、結晶性シリカ、非晶性シリカが好ましい。また、溶融粘度の調整やチキソトロピック性の付与の目的には、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、結晶性シリカ、非晶性シリカなどが好ましい。
In addition, an inorganic filler may be added to the adhesive layer for the purpose of improving the handleability, improving the thermal conductivity, adjusting the melt viscosity and imparting thixotropic properties. The inorganic filler is not particularly limited. For example, aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, calcium carbonate, magnesium carbonate, calcium silicate, magnesium silicate, calcium oxide, magnesium oxide, aluminum oxide, aluminum nitride, aluminum borate whisker , Boron nitride, crystalline silica, amorphous silica and the like, and the shape of the filler is not particularly limited. These fillers can be used alone or in combination of two or more.
Among these, aluminum oxide, aluminum nitride, boron nitride, crystalline silica, and amorphous silica are preferable for improving thermal conductivity. For the purpose of adjusting melt viscosity and imparting thixotropic properties, aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, calcium carbonate, magnesium carbonate, calcium silicate, magnesium silicate, calcium oxide, magnesium oxide, aluminum oxide, crystallinity Silica, amorphous silica and the like are preferable.

また、無機フィラーの平均粒径は0.005μm〜1μmが好ましく、これより小さくても大きくても接着性が低下する可能性がある。
無機フィラーの配合量は、接着剤層100質量%に対して1〜20質量%であることが好ましい。前記配合量が1質量%未満では添加効果が得られない傾向があり、20質量%を超えると、接着剤層の貯蔵弾性率の上昇、接着性の低下、ボイド残存による電気特性の低下等の問題を起こす傾向がある。
Further, the average particle size of the inorganic filler is preferably 0.005 μm to 1 μm, and the adhesiveness may be lowered even if it is smaller or larger than this.
It is preferable that the compounding quantity of an inorganic filler is 1-20 mass% with respect to 100 mass% of adhesive bond layers. If the blending amount is less than 1% by mass, the effect of addition tends not to be obtained. If the blending amount exceeds 20% by mass, the storage elastic modulus of the adhesive layer increases, the adhesiveness decreases, the electrical properties decrease due to residual voids, etc. There is a tendency to cause problems.

接着剤層の厚さは、半導体素子搭載用の支持部材等の被着体への接着性は十分に確保しつつ、半導体ウェハへの貼り付け作業及び貼り付け後のダイシング作業に影響を及ぼさない範囲であることが望ましい。かかる観点から、接着剤層の厚さは1〜300μmであることが好ましく、5〜150μmであることがより好ましく、10〜100μmであることが特に好ましい。厚さが1μm未満であると、十分なダイボンド接着力を確保することが困難となる傾向があり、300μmを超えると、貼り付け作業やダイシング作業への影響等の不具合が生じる傾向がある。   The thickness of the adhesive layer does not affect the bonding operation to the semiconductor wafer and the dicing operation after the bonding while ensuring sufficient adhesion to the adherend such as a support member for mounting the semiconductor element. A range is desirable. From this viewpoint, the thickness of the adhesive layer is preferably 1 to 300 μm, more preferably 5 to 150 μm, and particularly preferably 10 to 100 μm. When the thickness is less than 1 μm, it tends to be difficult to ensure a sufficient die-bonding adhesive force, and when it exceeds 300 μm, there is a tendency that problems such as an influence on the pasting work and the dicing work occur.

また、粘着フィルム層の厚さは、10〜500μmであることが好ましく、25〜200μmであることがより好ましく、50〜150μmであることが特に好ましい。   Moreover, it is preferable that the thickness of an adhesion film layer is 10-500 micrometers, It is more preferable that it is 25-200 micrometers, It is especially preferable that it is 50-150 micrometers.

接着剤層と粘着フィルム層との界面の密着力は、4N/mよりも大きく、20N/m以下であることが好ましい。接着剤層と粘着フィルム層との界面の密着力が上記範囲であることにより、上記半導体素子をピックアップし、搭載する基板に熱圧着する工程において、該接着剤層と粘着フィルム層の界面が剥がれず、素子を破損してしまうという不良を防止することができる。   The adhesion at the interface between the adhesive layer and the adhesive film layer is preferably greater than 4 N / m and not greater than 20 N / m. When the adhesive force at the interface between the adhesive layer and the adhesive film layer is in the above range, the interface between the adhesive layer and the adhesive film layer is peeled off in the step of picking up the semiconductor element and thermocompression bonding to the substrate to be mounted. Therefore, it is possible to prevent a defect that the element is damaged.

本発明の接着シートは、上述したプリカット加工が施された接着シートである。そして、本発明の接着シートにおいては、接着剤層と粘着フィルム層との界面の密着力が上記範囲であることにより、上記半導体素子をピックアップし、搭載する基板に熱圧着する工程において、該接着剤層と粘着フィルム層の界面が剥がれず、素子を破損してしまうという不良を防止することができる。そのため、上記半導体素子を容易にピックアップすることが可能となる。   The adhesive sheet of the present invention is an adhesive sheet subjected to the above-described precut processing. In the adhesive sheet of the present invention, when the adhesive force at the interface between the adhesive layer and the pressure-sensitive adhesive film layer is in the above range, in the step of picking up the semiconductor element and thermocompression bonding to the substrate to be mounted, The defect that the interface between the agent layer and the adhesive film layer does not peel off and the element is damaged can be prevented. Therefore, the semiconductor element can be easily picked up.

なお、ここで、本発明における密着力は、接着剤層側を支持した状態で粘着フィルム層を180度方向に引き剥がした際の剥離強度を5点測定して、平均した値を意味するが、ピックアップ不良の発生をより十分に抑制する観点から、任意に5点測定し、算出した剥離強度の全てが上記範囲となっていることが好ましい。   Here, the adhesion strength in the present invention means an average value obtained by measuring five points of peel strength when the adhesive film layer is peeled in the direction of 180 degrees while supporting the adhesive layer side. From the viewpoint of sufficiently suppressing the occurrence of pick-up failure, it is preferable that five points are arbitrarily measured and all the calculated peel strengths are within the above range.

<接着シートの製造方法>
上記接着シートの製造方法について説明する。
本発明の接着シートの製造方法は、剥離基材上に接着剤層を積層する第1の積層工程、前記接着剤層の前記剥離基材に接する側と反対側の面から前記剥離基材に達するまで該剥離基材平面に対して切り込みをいれ、前記切込まれた外周部分の接着剤層を除去し、所定の平面形状の接着剤層を形成する第1の切断工程、剥離基材の端部にコロナ処理を施した後、前記所定の平面形状の接着剤層及び前記剥離基材を覆うように、前記粘着フィルム層を積層する第2の積層工程、及び前記粘着フィルム層の前記剥離基材側と反対側の面から前記剥離基材に達するまで該剥離基材平面に対して非垂直方向に切り込みを入れ、前記切込まれた外周部分の粘着フィルム層を除去し、前記所定の平面形状の接着剤層と、該接着剤層を覆い且つ該接着剤層の周囲で前記剥離基材に接する粘着フィルム層とからなる、所定の形状の積層体とを形成する第2の切断工程を含むことを特徴とする。
<Method for producing adhesive sheet>
The manufacturing method of the said adhesive sheet is demonstrated.
The manufacturing method of the adhesive sheet of the present invention includes: a first laminating step of laminating an adhesive layer on a release substrate; the surface of the adhesive layer on the side opposite to the side in contact with the release substrate; A first cutting step in which a cut is made with respect to the surface of the peeling substrate until it reaches, the adhesive layer on the cut outer peripheral portion is removed, and an adhesive layer having a predetermined planar shape is formed; A second laminating step of laminating the pressure-sensitive adhesive film layer so as to cover the adhesive layer having the predetermined planar shape and the peeling base material, and the peeling of the pressure-sensitive adhesive film layer; A cut is made in a non-perpendicular direction with respect to the release substrate plane from the surface opposite to the substrate side until the release substrate is reached, the adhesive film layer on the cut outer peripheral portion is removed, and the predetermined A planar adhesive layer, covering the adhesive layer and surrounding the adhesive layer; In comprising a pressure-sensitive adhesive film layer in contact with the release substrate, characterized in that it comprises a second cutting step of forming a laminated body having a predetermined shape.

以下、各製造工程についてより詳細に説明する。
第1の積層工程においては、まず、接着剤層を構成する材料を溶剤に溶解又は分散して接着剤層形成用ワニスとし、これを剥離基材上に塗布後、加熱により溶剤を除去する。一方、第2の積層工程において用いる粘着フィルム層は、まず、粘着フィルム層を構成する材料を溶剤に溶解又は分散して粘着フィルム層形成用ワニスとし、これを基材フィルム上に塗布後、加熱により溶剤を除去した後、別の基材フィルムと貼り合わせ、粘着フィルム層を得る。
Hereinafter, each manufacturing process will be described in more detail.
In the first laminating step, first, the material constituting the adhesive layer is dissolved or dispersed in a solvent to form an adhesive layer forming varnish, which is applied onto a release substrate, and then the solvent is removed by heating. On the other hand, the pressure-sensitive adhesive film layer used in the second laminating step is prepared by first dissolving or dispersing a material constituting the pressure-sensitive adhesive film layer in a solvent to form a pressure-sensitive adhesive film layer forming varnish, which is applied to the base film, and then heated. After removing the solvent by the step, it is bonded to another base film to obtain an adhesive film layer.

ここで、両層形成用ワニスの調製に使用する上記溶剤としては、各構成材料を溶解又は分散することが可能なものであれば特に限定されないが、層形成時の揮発性等を考慮すると、例えば、メタノール、エタノール、2−メトキシエタノール、2−エトキシエタノール、2−ブトキシエタノール、メチルエチルケトン、アセトン、メチルイソブチルケトン、トルエン、キシレン等の比較的低沸点の溶媒を使用するのが好ましい。また、塗膜性を向上させる等の目的で、例えば、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド、N−メチルピロリドン、シクロヘキサノン等の比較的高沸点の溶媒を使用することもできる。これらの溶媒は、単独で又は2種類以上を組み合わせて使用することができる。なお、ワニスを調製した後、真空脱気等によってワニス中の気泡を除去することもできる。   Here, the solvent used in the preparation of the varnish for forming both layers is not particularly limited as long as it can dissolve or disperse each constituent material, but considering the volatility at the time of layer formation, For example, it is preferable to use a solvent having a relatively low boiling point such as methanol, ethanol, 2-methoxyethanol, 2-ethoxyethanol, 2-butoxyethanol, methyl ethyl ketone, acetone, methyl isobutyl ketone, toluene, and xylene. In addition, for the purpose of improving the coating properties, for example, a solvent having a relatively high boiling point such as dimethylacetamide, dimethylformamide, N-methylpyrrolidone, cyclohexanone can be used. These solvents can be used alone or in combination of two or more. In addition, after preparing a varnish, the bubble in a varnish can also be removed by vacuum deaeration.

第1の積層工程における接着剤層形成用ワニスの剥離基材への塗布方法、また第2の積層工程における粘着フィルム層形成用ワニスの基材フィルムへの塗布方法としては、公知の方法を用いることができ、例えば、ナイフコート法、ロールコート法、スプレーコート法、グラビアコート法、バーコート法、カーテンコート法、ダイコート法等を用いることができる。
なお、接着剤層と粘着フィルム層との貼り合わせは、従来公知の方法によって行うことができ、例えば、ラミネーター等を用いて行うことができる。
As a method for applying the adhesive layer forming varnish to the release substrate in the first laminating step and a method for applying the adhesive film layer forming varnish to the substrate film in the second laminating step, known methods are used. For example, a knife coating method, a roll coating method, a spray coating method, a gravure coating method, a bar coating method, a curtain coating method, a die coating method, or the like can be used.
In addition, bonding of an adhesive bond layer and an adhesion film layer can be performed by a conventionally well-known method, for example, can be performed using a laminator etc.

粘着フィルム層に凹凸処理する製造法としては、公知の方法を用いることができ、例えばシボ加工等の表面処理を施したラミネーターロールによる圧延、プラズマ処理、紫外線処理等を用いることができるが、特にシボ加工を施したラミネーターロールを用いる方法が有効である。ラミネーターロールにシボ加工を施す手法としては、公知の方法を用いることができ、例えばフォトエッチング法、皮絞法、サンドブラスト法、化学薬品による表面処理などが挙げられる。シボ加工の成型品平均深さ:Rzは1.5〜8μmが好ましく、2〜6μmがより好ましい。1.5μmより小さいとピックアップ成功率を向上させる効果が低下する傾向があり、8μmを超えると接着剤層と粘着フィルム層との界面に空隙が生じ、接着シートの外観が低下する傾向がある。   As a manufacturing method for uneven treatment on the adhesive film layer, a known method can be used, for example, rolling with a laminator roll subjected to surface treatment such as embossing, plasma treatment, ultraviolet treatment, etc. can be used. A method using a grained laminator roll is effective. A known method can be used as a method for applying a texture to the laminator roll, and examples thereof include a photo-etching method, a skin drawing method, a sand blasting method, and a surface treatment with a chemical. Molded product average depth: Rz is preferably 1.5 to 8 μm, more preferably 2 to 6 μm. If it is smaller than 1.5 μm, the effect of improving the pickup success rate tends to be reduced, and if it exceeds 8 μm, voids are generated at the interface between the adhesive layer and the pressure-sensitive adhesive film layer, and the appearance of the adhesive sheet tends to be lowered.

上記第2の積層工程において、接着剤層と粘着フィルム層との界面の密着力は、4N/mよりも大きく、20N/m以下であることが好ましい。この範囲となるように、シボ加工の成型品平均深さを調整し、密着力を下げる場合は、深さを深くし、密着力を上げる場合は、深さを浅くするなどして、凹凸を調整する。接着剤層と粘着フィルム層との界面の密着力が上記範囲であることにより、上記半導体素子をピックアップし、搭載する基板に熱圧着する工程において、該接着剤層と粘着フィルム層の界面が剥がれず、素子を破損してしまうという不良を防止することができる。そのため、上記半導体素子を容易にピックアップすることが可能となる。その後、必要に応じて積層体の不要部分を剥離除去し、目的の接着シートを得る。
以上、本発明の接着シート及び接着シートの製造方法の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されるものではない。
In the second lamination step, the adhesive force at the interface between the adhesive layer and the pressure-sensitive adhesive film layer is preferably greater than 4 N / m and not greater than 20 N / m. Adjust the average depth of the embossed molded product so that it is within this range, and if you want to reduce the adhesion, increase the depth, and if you want to increase the adhesion, reduce the depth, etc. adjust. When the adhesive force at the interface between the adhesive layer and the adhesive film layer is in the above range, the interface between the adhesive layer and the adhesive film layer is peeled off in the step of picking up the semiconductor element and thermocompression bonding to the substrate to be mounted. Therefore, it is possible to prevent a defect that the element is damaged. Therefore, the semiconductor element can be easily picked up. Thereafter, unnecessary portions of the laminate are peeled and removed as necessary to obtain a target adhesive sheet.
As mentioned above, although preferred embodiment of the adhesive sheet of this invention and the manufacturing method of an adhesive sheet was described in detail, this invention is not limited to these embodiment.

<半導体装置の製造方法>
本発明の接着シートを用いて半導体装置を製造する方法について説明する。
本発明の接着シートは、剥離基材がキャリアフィルムの役割を果たしており、2つのロール及び楔状の部材とに支持されながら、その一端が円柱状の巻芯に接続された状態で巻回され第1のロールを形成し、他端が円柱状の巻芯に接続された状態で巻回され第2のロールを形成している。そして、第2のロールの巻芯には、当該巻芯を回転させるための巻芯駆動用モータが接続されており、接着シートにおける第2の積層体が剥離された後の剥離基材が所定の速度で巻回されるようになっている。
<Method for Manufacturing Semiconductor Device>
A method for manufacturing a semiconductor device using the adhesive sheet of the present invention will be described.
In the adhesive sheet of the present invention, the release substrate plays the role of a carrier film, and while being supported by two rolls and a wedge-shaped member, one end thereof is wound while being connected to a cylindrical core. 1 roll is formed and the other end is wound in a state of being connected to a cylindrical core to form a second roll. And the winding core drive motor for rotating the said core is connected to the core of the 2nd roll, and the peeling base material after the 2nd laminated body in an adhesive sheet peeled is predetermined. It is designed to be wound at a speed of.

まず、巻芯駆動用モータが回転すると、第2のロールの巻芯が回転し、第1のロールの巻芯に巻回されている接着シートが第1のロールの外部に引き出される。そして、引き出された接着シートは、移動式のステージ上に配置された円板状の半導体ウェハ及びそれを囲むように配置されたウェハリング上に導かれる。   First, when the winding core driving motor rotates, the winding core of the second roll rotates, and the adhesive sheet wound around the winding core of the first roll is pulled out of the first roll. The drawn adhesive sheet is guided onto a disk-shaped semiconductor wafer disposed on a movable stage and a wafer ring disposed so as to surround the disk-shaped semiconductor wafer.

次に、剥離基材から、接着剤層及び粘着フィルム層からなる積層体が剥離される。このとき、接着シートの剥離基材側から楔状の部材が当てられており、剥離基材は部材側へ鋭角に曲げられ、剥離基材と積層体との間に剥離起点が作り出されることとなる。更に、剥離起点がより効率的に作り出されるように、剥離基材と積層体との境界面にエアーが吹き付けられている。   Next, the laminated body which consists of an adhesive bond layer and an adhesion film layer is peeled from a peeling base material. At this time, a wedge-shaped member is applied from the peeling substrate side of the adhesive sheet, the peeling substrate is bent at an acute angle toward the member side, and a peeling starting point is created between the peeling substrate and the laminate. . Further, air is blown to the boundary surface between the peeling substrate and the laminate so that the peeling starting point is more efficiently created.

このようにして剥離基材と積層体との間に剥離起点が作り出された後、粘着フィルム層がウェハリングと密着し、接着剤層が半導体ウェハと密着するように積層体の貼り付けが行われる。このとき、ロールによって積層体は半導体ウェハ及びウェハリングに圧着されることとなる。そして半導体ウェハ及びウェハリング上への積層体の貼り付けが完了する。   After the separation starting point is created between the release substrate and the laminate in this way, the laminate is attached so that the adhesive film layer is in close contact with the wafer ring and the adhesive layer is in close contact with the semiconductor wafer. Is called. At this time, the laminate is pressed against the semiconductor wafer and the wafer ring by the roll. Then, the attachment of the stacked body on the semiconductor wafer and the wafer ring is completed.

以上のような手順により、半導体ウェハへの第2の積層体の貼り付けを、自動化された工程で連続して行うことができる。このような半導体ウェハへの積層体の貼り付け作業を行う装置としては、例えば、リンテック株式会社製のRAD−2500(商品名)等が挙げられる。
そして、このような工程により積層体を半導体ウェハに貼り付ける場合、接着シートを用いることにより、剥離基材と積層体との間の剥離起点(剥離基材と粘着フィルム層との間の剥離起点)を容易に作り出すことができ、剥離不良の発生を十分に抑制することができる。
By the procedure as described above, the second laminated body can be attached to the semiconductor wafer continuously in an automated process. As an apparatus for performing the operation of attaching the laminated body to such a semiconductor wafer, for example, RAD-2500 (trade name) manufactured by Lintec Corporation may be used.
And when sticking a laminated body to a semiconductor wafer by such a process, by using an adhesive sheet, the peeling origin between a peeling base material and a laminated body (the peeling origin between a peeling base material and an adhesive film layer) ) Can be easily produced, and the occurrence of peeling failure can be sufficiently suppressed.

次に、上記の工程により積層体が貼り付けられた半導体ウェハを、切削部材、例えばダイシング刃により必要な大きさにダイシングして、接着剤層が付着した半導体素子を得る。ここで更に、洗浄、乾燥等の工程を行ってもよい。このとき、接着剤層により半導体ウェハは粘着フィルム層に十分に粘着保持されているので、上記各工程中に半導体ウェハやダイシング後の半導体素子が脱落することが十分に抑制される。   Next, the semiconductor wafer to which the laminated body is attached by the above-described process is diced to a required size by a cutting member, for example, a dicing blade, to obtain a semiconductor element to which an adhesive layer is attached. Here, steps such as washing and drying may be further performed. At this time, since the semiconductor wafer is sufficiently adhered and held by the adhesive film layer by the adhesive layer, the semiconductor wafer and the semiconductor element after dicing are sufficiently prevented from falling off during each of the above steps.

次に、放射線等の高エネルギー線を接着剤層に照射し、接着剤層の一部を重合硬化させる。この際、高エネルギー線照射と同時に又は照射後に、硬化反応を促進する目的で更に加熱を行っても良い。接着剤層への高エネルギー線の照射は、粘着フィルム層の接着剤層が設けられていない側の面から行う。したがって、高エネルギー線として紫外線を用いる場合には、粘着フィルム層は光透過性であることが必要である。なお、高エネルギー線として電子線を用いる場合には、粘着フィルム層は必ずしも光透過性である必要はない。   Next, the adhesive layer is irradiated with high energy rays such as radiation, and a part of the adhesive layer is polymerized and cured. At this time, heating may be further performed for the purpose of accelerating the curing reaction simultaneously with or after irradiation with the high energy beam. Irradiation of the high energy ray to the adhesive layer is performed from the surface of the pressure-sensitive adhesive film layer on which the adhesive layer is not provided. Therefore, when ultraviolet rays are used as the high energy rays, the adhesive film layer needs to be light transmissive. In addition, when using an electron beam as a high energy ray, the adhesive film layer does not necessarily need to be light transmissive.

高エネルギー線照射後、ピックアップすべき半導体素子を、例えば吸引コレットによりピックアップする。この際、ピックアップすべき半導体素子を粘着フィルム層の下面から、例えば針扞等により突き上げることもできる。接着剤層を硬化させることにより、半導体素子のピックアップ時において、接着剤層と粘着フィルム層との界面で剥離が生じやすくなり、接着剤層が半導体素子の下面に付着した状態でピックアップされることとなる。そして、接着剤層が付着した半導体素子を、接着剤層を介して半導体素子搭載用の支持部材に載置し、加熱を行う。加熱により接着剤層は接着力が発現し、半導体素子と半導体素子搭載用支持部材との接着が完了する。その後、必要に応じてワイヤボンド工程や封止工程等を経て、半導体装置が製造される。   After the high energy beam irradiation, the semiconductor element to be picked up is picked up by, for example, a suction collet. At this time, the semiconductor element to be picked up can be pushed up from the lower surface of the adhesive film layer, for example, with a needle pallet. By curing the adhesive layer, when picking up the semiconductor element, peeling is likely to occur at the interface between the adhesive layer and the adhesive film layer, and the adhesive layer is picked up with the adhesive layer attached to the lower surface of the semiconductor element. It becomes. Then, the semiconductor element to which the adhesive layer is attached is placed on the support member for mounting the semiconductor element via the adhesive layer, and heated. By heating, the adhesive layer exhibits an adhesive force, and the bonding between the semiconductor element and the semiconductor element mounting support member is completed. Then, a semiconductor device is manufactured through a wire bonding process, a sealing process, and the like as necessary.

<半導体装置>
本発明の半導体装置は、半導体素子搭載用の支持部材となる有機基板上に半導体素子が、接着剤層を介して積層されている。また、有機基板には、回路パターン及び端子が形成されており、この回路パターンと半導体素子とが、ワイヤボンドによってそれぞれ接続されている。そして、これらが封止材により封止され、半導体装置が形成されている。この半導体装置は、上述した本発明の半導体装置の製造方法により、本発明の接着シートを用いて製造されるものである。以上、本発明の半導体装置の製造方法及び半導体装置の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されるものではない。
<Semiconductor device>
In the semiconductor device of the present invention, a semiconductor element is laminated on an organic substrate serving as a support member for mounting a semiconductor element via an adhesive layer. Further, a circuit pattern and a terminal are formed on the organic substrate, and the circuit pattern and the semiconductor element are connected to each other by wire bonds. These are sealed with a sealing material to form a semiconductor device. This semiconductor device is manufactured using the adhesive sheet of the present invention by the above-described method for manufacturing a semiconductor device of the present invention. As mentioned above, although the manufacturing method of the semiconductor device of this invention and the suitable embodiment of the semiconductor device were demonstrated in detail, this invention is not limited to these embodiment.

以下、実施例及び比較例をより具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に制限するものではない。
<接着剤層形成用ワニスの作製>
まず、エポキシ樹脂としてクレゾールノボラック型エポキシ樹脂(東都化成株式会社製、商品名:YDCN−700−10、エポキシ当量:220)60質量部及び硬化剤として低吸水性フェノール樹脂(三井化学株式会社製、商品名:XLC−LL、フェノールキシレングリコールジメチルエーテル縮合物)40質量部に、ワニス調製用溶媒としてシクロヘキサノン1500質量部を加えて完全に溶解するまで撹拌混合した。
次いで、カップリング剤としてγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン(日本ユニカー株式会社製、商品名:NUC A−189)1.5質量部及びγ−ウレイドプロピルトリエトキシシラン(日本ユニカー株式会社製、商品名:NCU A−1160)3質量部を加え、更に無機物フィラーとしてシリカフィラー(日本アエロジル株式会社製、商品名:R972V)32質量部を加えて撹拌混合した後、ビーズミルにより分散処理を行った。
更に、高分子量成分として、エポキシ基含有アクリル系共重合体(ナガセケムテックス株式会社製、商品名:HTR−860P−3)200質量部及び硬化促進剤として1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾール(四国化成工業株式会社製、商品名:キュアゾール2PZ−CN)0.5質量部を加えて撹拌混合し、接着剤層形成用ワニスを調製した。
EXAMPLES Hereinafter, examples and comparative examples will be described more specifically, but the present invention is not limited to the following examples.
<Preparation of adhesive layer varnish>
First, a cresol novolac type epoxy resin (manufactured by Toto Kasei Co., Ltd., trade name: YDCN-700-10, epoxy equivalent: 220) as an epoxy resin and a low water-absorbing phenol resin (manufactured by Mitsui Chemicals, Inc.) (Product name: XLC-LL, phenol xylene glycol dimethyl ether condensate) To 40 parts by mass, 1500 parts by mass of cyclohexanone as a varnish preparation solvent was added and stirred and mixed until completely dissolved.
Next, 1.5 parts by mass of γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane (manufactured by Nippon Unicar Co., Ltd., trade name: NUC A-189) and γ-ureidopropyltriethoxysilane (manufactured by Nippon Unicar Co., Ltd.) as coupling agents (Trade name: NCU A-1160) 3 parts by mass was added, and further 32 parts by mass of silica filler (manufactured by Nippon Aerosil Co., Ltd., trade name: R972V) was added as an inorganic filler, followed by stirring and mixing, followed by dispersion treatment with a bead mill. .
Furthermore, as a high molecular weight component, an epoxy group-containing acrylic copolymer (manufactured by Nagase ChemteX Corporation, trade name: HTR-860P-3) 200 parts by mass and a curing accelerator 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole (Shikoku) 0.5 parts by mass of Kasei Kogyo Co., Ltd., trade name: Curesol 2PZ-CN) was added and mixed with stirring to prepare an adhesive layer forming varnish.

(実施例1)
上記接着剤層形成用ワニスを、剥離基材である膜厚50μmのポリエチレンテレフタレートフィルム(帝人デュポンフィルム株式会社製、商品名:テイジンピューレックスA31)上に塗布し、140℃で5分間加熱乾燥を行い、膜厚10μmの未硬化状態の接着剤層を形成した(第1の積層工程)。
得られた接着剤層に対して、剥離基材への切り込み角度が90°となるように調節して直径210mmの円形プリカット加工を行った(第1の切断工程)。
粘着フィルム層は、放射線重合性成分としてジペンタエリスリトールヘキサアクリレート(日本化薬株式会社製、商品名:カヤラッドDPHA)63質量部,光重合開始剤として2−メチル−1(4−(メチルチオ)フェニル−2−モルフォリノプロパン−1−オン(Ciba Speciality Chemicals社製、商品名:イルガキュア907)5質量部、ワニス調整用溶媒として、シクロヘキサノン32質量部を加え、60分以上攪拌混合し、粘着フィルム層形成用ワニスを調製した。この粘着フィルム層形成用ワニスを膜厚38μmの基材フィルム(帝人デュポンフィルム株式会社製、商品名:テイジンピューレックスA53)上に塗布し、110℃で10分間加熱乾燥を行い、得られた膜厚50μmの粘着フィルム層を、ポリエチレン製フィルム(膜厚100μm)と貼り合せ、基材フィルム付粘着フィルム層を得た。
Example 1
The adhesive layer forming varnish is applied onto a 50 μm-thick polyethylene terephthalate film (trade name: Teijin Purex A31, manufactured by Teijin DuPont Films, Ltd.), which is a peeling substrate, and heat-dried at 140 ° C. for 5 minutes. Then, an uncured adhesive layer having a thickness of 10 μm was formed (first laminating step).
The obtained adhesive layer was subjected to circular precut processing with a diameter of 210 mm by adjusting the cut angle to the release substrate to be 90 ° (first cutting step).
The adhesive film layer is composed of 63 parts by mass of dipentaerythritol hexaacrylate (trade name: Kayarad DPHA, manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.) as a radiation polymerizable component, and 2-methyl-1 (4- (methylthio) phenyl as a photopolymerization initiator. 2-Morpholinopropan-1-one (Ciba Specialty Chemicals, trade name: Irgacure 907) 5 parts by mass, 32 parts by mass of cyclohexanone as a varnish adjusting solvent was added, and the mixture was stirred and mixed for 60 minutes or more. A varnish for forming was prepared by applying this varnish for forming an adhesive film layer on a substrate film having a film thickness of 38 μm (trade name: Teijin Purex A53, manufactured by Teijin DuPont Films, Ltd.) and drying by heating at 110 ° C. for 10 minutes. The adhesive film layer having a film thickness of 50 μm obtained was Bonded ethylene made film (thickness 100 [mu] m), to obtain a base film attached adhesive film layer.

その後、接着剤層の不要部分を除去し、基材フィルム付粘着フィルム層の接着剤層と接する部分、直径230mmの部位に室温(25℃)、線圧1kg/cm、速度0.5m/分の条件で粘着フィルム層を最大深さ3.1μm、平均深さ:Rz=2.3μmのシボ加工を施したロールで圧延しながら凹凸処理を施した。さらに、基材フィルム付粘着フィルム層が接着剤層と接するように、貼付けた(第2の積層工程)。そして、基材フィルム付粘着フィルム層に対して、接着剤層と同心円状に直径290mmの円形プリカット加工を行い、粘着フィルム層の不要部分を除去した(第2の切断工程)。これにより、図1及び図2に示すような接着シートを得た。   Thereafter, unnecessary portions of the adhesive layer are removed, and the portion of the pressure-sensitive adhesive film layer with a base film that is in contact with the adhesive layer, a portion having a diameter of 230 mm, room temperature (25 ° C.), linear pressure of 1 kg / cm, speed of 0.5 m / min. The pressure-sensitive adhesive film layer was subjected to an unevenness treatment while being rolled with a textured roll having a maximum depth of 3.1 μm and an average depth of Rz = 2.3 μm. Furthermore, it affixed so that an adhesive film layer with a base film might contact | connect an adhesive bond layer (2nd lamination process). And the circular pre-cut process of diameter 290mm was performed to the adhesive film layer with a base film concentrically with the adhesive bond layer, and the unnecessary part of the adhesive film layer was removed (2nd cutting process). Thereby, an adhesive sheet as shown in FIGS. 1 and 2 was obtained.

(実施例2)
第2の積層工程での基材フィルム付粘着フィルム層の接着剤層と接する直径230mmの部位に最大深さ5.5μm、平均深さ:Rz=3.8μmのシボ加工を施したロールを用いて凹凸処理を施した以外は実施例1と同様にして接着シートを得た。
(Example 2)
In the second laminating step, a roll having a maximum depth of 5.5 μm and an average depth: Rz = 3.8 μm applied to a portion having a diameter of 230 mm in contact with the adhesive layer of the pressure-sensitive adhesive film layer with a base film is used. The adhesive sheet was obtained in the same manner as in Example 1 except that the unevenness treatment was performed.

(実施例3)
第2の積層工程での基材フィルム付粘着フィルム層の接着剤層と接する直径230mmの部位に最大深さ5.5μm、平均深さ:Rz=3.8μmのシボ加工をタテ方向,ヨコ方向ともに300μm間隔施したロールを用いて凹凸処理を施した以外は実施例1と同様にして接着シートを得た。
(Example 3)
In the second laminating step, the embossing with a maximum depth of 5.5 μm and an average depth of Rz = 3.8 μm is applied in the vertical direction and the horizontal direction at a portion having a diameter of 230 mm in contact with the adhesive layer of the adhesive film layer with a base film. An adhesive sheet was obtained in the same manner as in Example 1 except that the unevenness treatment was performed using a roll having a spacing of 300 μm.

(比較例1)
第2の積層工程基材フィルム付粘着フィルム層の接着剤層と接する直径230mmの部位にシボ加工を施していないこと以外は実施例1と同様にして接着シートを得た。
(Comparative Example 1)
Second Laminating Step An adhesive sheet was obtained in the same manner as in Example 1 except that the part having a diameter of 230 mm in contact with the adhesive layer of the pressure-sensitive adhesive film layer with a base film was not subjected to graining.

<評価試験>
上記の実施例1〜3及び比較例1で得た接着シートを、円形形状を有する積層体(剥離基材付き)の数が300枚になるように巻き取り、接着シートロールを作製した。得られた接着シートロールを2週間冷蔵庫内(5℃)で放置した。その後、接着シートロールを室温に戻してからロールを解き、接着剤層及び粘着フィルム層を剥離基材から剥離し、これを接着剤層側から図3に示すように半導体ウェハに貼り付けた。さらに5mm角にダイシングした後、24時間風乾した。さらに、紫外線を粘着フィルム層側から照射した。その後キャノンマシナリー株式会社製ダイボンダー(BESTEM−D02)を用いてピックアップ試験を実施した。
上記の実施例1〜3及び比較例1で得た接着シートの接着剤層と粘着フィルム層界面の密着力を、引き剥がし装置を用い、接着剤層側を支持した状態で、引っ張り速度50mm/分で引っ張り、粘着フィルム層を180度方向に引き剥がし、その剥離強度を5点測定して、それを平均して求めた。
その結果を表1に示す。
<Evaluation test>
The adhesive sheets obtained in Examples 1 to 3 and Comparative Example 1 were wound up so that the number of laminated bodies (with a release substrate) having a circular shape was 300 sheets, and adhesive sheet rolls were produced. The obtained adhesive sheet roll was left in a refrigerator (5 ° C.) for 2 weeks. Then, after returning the adhesive sheet roll to room temperature, the roll was unwound, and the adhesive layer and the pressure-sensitive adhesive film layer were peeled from the release substrate, and this was attached to the semiconductor wafer from the adhesive layer side as shown in FIG. After further dicing to 5 mm square, it was air-dried for 24 hours. Further, ultraviolet rays were irradiated from the adhesive film layer side. Thereafter, a pickup test was performed using a die bonder (BESTEM-D02) manufactured by Canon Machinery Co., Ltd.
The adhesion force between the adhesive layer and the adhesive film layer of the adhesive sheets obtained in Examples 1 to 3 and Comparative Example 1 described above was used in a state where the adhesive layer side was supported using a peeling device, and a pulling speed of 50 mm / The adhesive film layer was peeled off in the direction of 180 degrees, and the peel strength was measured at five points and averaged.
The results are shown in Table 1.

Figure 2012082336
Figure 2012082336

表1に示されるように、本発明になる接着シート(実施例1〜3)によれば、比較例の接着シート(比較例1)と比較して、該接着剤層と粘着フィルム層の界面が剥がれず、素子を破損してしまうことを十分に抑制することができることが明らかである。すなわち、本発明になる接着シート(実施例1〜3)は、上記半導体素子をピックアップし、搭載する基板に熱圧着する工程において、ピックアップ成功率の低下を十分に抑制することができることが確認された。   As shown in Table 1, according to the adhesive sheets (Examples 1 to 3) according to the present invention, compared to the comparative adhesive sheet (Comparative Example 1), the interface between the adhesive layer and the adhesive film layer. It is clear that it is possible to sufficiently prevent the element from being peeled off and damaging the element. That is, it is confirmed that the adhesive sheets (Examples 1 to 3) according to the present invention can sufficiently suppress a decrease in the success rate of the pickup in the process of picking up the semiconductor element and thermocompression bonding to the substrate to be mounted. It was.

1:剥離基材、2:接着剤層、3:粘着フィルム層、4:凹凸を有する処理が施された領域、5:半導体ウェハ、6:ウェハリング。 1: Release substrate, 2: Adhesive layer, 3: Adhesive film layer, 4: Processed surface with unevenness, 5: Semiconductor wafer, 6: Wafer ring.

Claims (8)

剥離基材と、前記剥離基材の表面上に部分的に設けられた接着剤層と、前記接着剤層を覆い、且つ、前記接着剤層が設けられた領域の周囲で前記剥離基材に接するように設けられた粘着フィルム層とを有し、前記粘着フィルム層の表面は、前記接着剤層と接する領域の全部もしくは一部に、凹凸を有する処理が施された領域を有する、接着シート。   A peeling base material, an adhesive layer partially provided on the surface of the peeling base material, and covering the adhesive layer and surrounding the adhesive layer on the peeling base material An adhesive sheet having a pressure-sensitive adhesive film layer provided so as to be in contact with the surface of the pressure-sensitive adhesive film layer, wherein the surface of the pressure-sensitive adhesive film layer includes a region subjected to a treatment having irregularities on all or part of the region in contact with the adhesive layer. . 粘着フィルム層の表面のうち、凹凸処理が施された領域における接着剤層との密着力が、4N/mよりも大きく、20N/m以下である、請求項1に記載の接着シート。   2. The adhesive sheet according to claim 1, wherein an adhesive force between the surface of the pressure-sensitive adhesive film layer and the adhesive layer in a region subjected to the unevenness treatment is greater than 4 N / m and not greater than 20 N / m. 接着剤層が、エポキシ樹脂と、エポキシ樹脂硬化剤と、官能性モノマーに由来する構造単位を有する重量平均分子量が10万以上である重合体と、を含む、請求項1または2に記載の接着シート。   The adhesive according to claim 1 or 2, wherein the adhesive layer comprises an epoxy resin, an epoxy resin curing agent, and a polymer having a structural unit derived from a functional monomer and having a weight average molecular weight of 100,000 or more. Sheet. 重合体が、グリシジル基含有アクリル共重合体及びグリシジル基含有メタクリル共重合体の少なくとも一方を含み、かつ、接着剤層全体に対するエポキシ樹脂の含有量が5質量%以上50質量%以下である、請求項3に記載の接着シート。   The polymer contains at least one of a glycidyl group-containing acrylic copolymer and a glycidyl group-containing methacrylic copolymer, and the content of the epoxy resin with respect to the entire adhesive layer is 5% by mass or more and 50% by mass or less, Item 4. The adhesive sheet according to Item 3. 請求項1〜4のうちのいずれか一項に記載の接着シートの製造方法であって、
剥離基材と前記剥離基材の表面上に部分的に設けられた接着剤層とを有する接着剤層付き剥離基材を準備する工程と、
前記接着剤層と接する領域の全部もしくは一部に、凹凸を有する処理が施された領域を有する粘着フィルム層を準備する工程と、
前記接着剤層付き剥離基材において、前記接着剤層を覆い、且つ、前記接着剤層が設けられた領域の周囲で前記剥離基材に接するように前記粘着フィルム層を設ける工程と、
前記粘着フィルム層における前記剥離基材と接していない面から前記剥離基材に達するまで切り込みを入れ、切り込まれた前記粘着フィルム層の一部を除去する工程と、
前記所定の平面形状の接着剤層と、前記接着剤層を覆い且つ前記接着剤層の周囲で前記剥離基材に接する粘着フィルム層とからなる、所定の形状の積層体とを形成する工程と、
を含む、接着シートの製造方法。
It is a manufacturing method of the adhesive sheet according to any one of claims 1 to 4,
Preparing a release substrate with an adhesive layer having a release substrate and an adhesive layer partially provided on the surface of the release substrate;
Preparing a pressure-sensitive adhesive film layer having a region subjected to a treatment having irregularities in all or part of the region in contact with the adhesive layer;
In the release substrate with the adhesive layer, a step of covering the adhesive layer and providing the pressure-sensitive adhesive film layer so as to be in contact with the release substrate around a region where the adhesive layer is provided;
Cutting the adhesive film layer from the surface not in contact with the release substrate until it reaches the release substrate, and removing a part of the cut adhesive film layer;
A step of forming the predetermined planar shape adhesive layer and a laminated body having a predetermined shape comprising the adhesive layer and covering the adhesive layer and in contact with the release substrate around the adhesive layer; ,
The manufacturing method of the adhesive sheet containing this.
請求項1〜請求項4のうちのいずれか一項に記載の接着シート又は請求項5に記載の接着シートの製造方法により得られた接着シートにおいて、接着剤層及び粘着フィルム層を含んで構成された積層体を剥離基材から剥離し、前記積層体における前記接着剤層側の面を半導体ウェハに貼り付けて積層体付き半導体ウェハを得る工程と、
前記積層体付き半導体ウェハを、前記半導体ウェハ側の面から前記接着剤層と前記粘着フィルム層との界面まで切断する工程と、
切断された前記半導体ウェハ及び前記接着剤層を、前記粘着フィルム層から剥離し、接着剤層付き半導体素子を得る工程と、
前記接着剤層付き半導体素子における前記半導体素子を、前記接着剤層を介して被着体に接着する工程と、
を含む、半導体装置の製造方法。
The adhesive sheet according to any one of claims 1 to 4 or the adhesive sheet obtained by the method for producing an adhesive sheet according to claim 5, comprising an adhesive layer and an adhesive film layer. Peeling the laminated body from the release substrate, attaching the surface on the adhesive layer side of the laminated body to a semiconductor wafer, and obtaining a semiconductor wafer with a laminated body;
Cutting the semiconductor wafer with a laminate from the surface on the semiconductor wafer side to the interface between the adhesive layer and the adhesive film layer;
Peeling the cut semiconductor wafer and the adhesive layer from the adhesive film layer to obtain a semiconductor element with an adhesive layer;
Bonding the semiconductor element in the semiconductor element with an adhesive layer to an adherend via the adhesive layer;
A method for manufacturing a semiconductor device, comprising:
被着体が、半導体素子搭載用の支持部材、又は、他の半導体素子である請求項6に記載の半導体装置の製造方法。   The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 6, wherein the adherend is a support member for mounting a semiconductor element or another semiconductor element. 請求項6又は7に記載の半導体装置の製造方法により製造された半導体装置。   A semiconductor device manufactured by the method for manufacturing a semiconductor device according to claim 6.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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