JP2012042933A - レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】優れたラインエッジラフネス（ＬＥＲ）を有するレジストパターンを製造することができるレジスト組成物の提供。
【解決手段】（Ａ）式（ａ）で表される化合物に由来する構造単位を有する樹脂及び（Ｂ）式（Ｂ１）で表される塩を含むレジスト組成物。

【選択図】なし

Description

本発明は、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法に関する。

近年、半導体の微細加工技術として、ＡｒＦエキシマレーザー（波長：１９３ｎｍ）などの短波長光を露光源とする光リソグラフィ技術が活発に検討され、光リソグラフィ技術にはレジスト組成物が用いられている。このようなレジスト組成物としては、トリフェニルスルホニウム ペルフルオロブタンスルホネートと、式（Ａ）で表されるモノマー、式（Ｂ）で表されるモノマーＢ及び式（ａ−１）で表されるモノマーの共重合体とを含むレジスト組成物が知られている。（特許文献１）

国際公開第２００７／０９４４７４号パンフレット（実施例）

従来から知られる上記のレジスト組成物では、得られるレジストパターンのラインエッジラフネス（ＬＥＲ）が必ずしも満足できるものではなかった。

本発明は、以下の発明を含む。
〔１〕（Ａ）式（ａ）で表される化合物に由来する構造単位を有する樹脂及び
（Ｂ）式（Ｂ１）で表される塩を含むレジスト組成物。

［式（ａ）中、
Ｒ^１は、水素原子又はメチル基を表す。
環Ｗは、炭素数４〜３６の脂環式炭化水素環を表し、該脂環式炭化水素環に含まれるメチレン基は、酸素原子、硫黄原子、カルボニル基又はスルホニル基に置き換わっていてもよい。
Ｘ^ｘは、単結合又は−Ａ−ＣＯ−Ｏ−を表す。
Ａは炭素数１〜１０の炭化水素基を表す。］

［式（Ｂ１）中、
Ｑ¹及びＱ²は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表す。
Ｌ^b1は、２価の炭素数１〜１７の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。
Ｙは、置換基を有していてもよい炭素数１〜１８の脂肪族炭化水素基又は置換基を有していてもよい炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子、スルホニル基又はカルボニル基に置き換わっていてもよく、該脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子、スルホニル基又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。
Ｚ⁺は、有機カチオンを表す。］
〔２〕前記式（ａ）における

［式中、Ｗは上記と同じ意味を表す。＊は結合手を表す。］
で表される基が、式（ａ−１Ａ）で表される基又は式（ａ−２Ａ）で表される基である〔１〕記載のレジスト組成物。

［式（ａ−１Ａ）中、
アダマンタン環に含まれるメチレン基は、酸素原子、硫黄原子、カルボニル基又はスルホニル基に置き換わっていてもよい。アダマンタン環に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数３〜１２の脂環式炭化水素基又は炭素数６〜１０の芳香族炭化水素基に置き換わっていてもよい。＊は結合手を表す。］

［式（ａ−２Ａ）中、
シクロヘキサン環に含まれるメチレン基は、酸素原子、硫黄原子、カルボニル基又はスルホニル基に置き換わっていてもよい。シクロヘキサン環に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数３〜１２の脂環式炭化水素基又は炭素数６〜１０の芳香族炭化水素基に置き換わっていてもよい。
］
〔３〕前記（Ａ）が、式（ａ）で表される化合物に由来する構造単位に加え、式（ａ１−１）で表される化合物に由来する構造単位及び式（ａ１−２）で表される化合物に由来する構造単位からなる群より選ばれる少なくとも１種を有する樹脂である前記〔１〕又は〔２〕記載のレジスト組成物。

［式（ａ１−１）中、
Ｌ^a1は、酸素原子又は^＊−Ｏ−（ＣＨ₂）_k1−ＣＯ−Ｏ−で表される基を表す。＊はカルボニル基との結合手を表す。
ｋ１は１〜７の整数を表す。
Ｒ^a4は、水素原子又はメチル基を表す。
Ｒ^a6は、炭素数１〜８の脂肪族炭化水素基又は炭素数３〜１０の脂環式炭化水素基を表す。
ｍ１は０〜１４の整数を表す。
式（ａ１−２）中、
Ｌ^a2は、酸素原子又は^＊−Ｏ−（ＣＨ₂）_k２−ＣＯ−Ｏ−で表される基を表す。＊はカルボニル基との結合手である。
ｋ２は１〜７の整数を表す。
Ｒ^a5は、水素原子又はメチル基を表す。
Ｒ^a7は、炭素数１〜８の脂肪族炭化水素基又は炭素数３〜１０の脂環式炭化水素基を表す。
ｎ１は０〜１０の整数を表す。
ｎ１’は０〜３の整数を表す。］
〔４〕前記（Ａ）が、式（ａ）で表される化合物に由来する構造単位に加え、式（ａ３−１）で表される化合物に由来する構造単位、式（ａ３−２）で表される化合物に由来する構造単位及び式（ａ３−３）で表される化合物に由来する構造単位からなる群より選ばれる少なくとも１種を有する樹脂である前記〔１〕〜〔３〕のいずれか記載のレジスト組成物。

［式（ａ３−１）中、
Ｌ^a4は、酸素原子又は^＊−Ｏ−（ＣＨ₂）_k3−ＣＯ−Ｏ−を表す。＊はカルボニル基との結合手を表す。
ｋ３は１〜７の整数を表す。
Ｒ^a18は、水素原子又はメチル基を表す。
Ｒ^a21は、炭素数１〜４の脂肪族炭化水素基を表す。ｐ１は０〜５の整数を表し、ｐ１が２以上のとき、複数のＲ^a21は同一であっても異なってもよい。
式（ａ３−２）中、
Ｌ^a5は、酸素原子又は^＊−Ｏ−（ＣＨ₂）_k3−ＣＯ−Ｏ−を表す。＊はカルボニル基との結合手を表す。
Ｒ^a22は、カルボキシ基、シアノ基又は炭素数１〜４の脂肪族炭化水素基を表す。ｑ１は、０〜３の整数を表し、ｑ１が２以上のとき、複数のＲ^a22は同一であっても異なってもよい。
式（ａ３−３）中、
Ｌ^a6は、酸素原子又は^＊−Ｏ−（ＣＨ₂）_k3−ＣＯ−Ｏ−を表す。＊はカルボニル基との結合手を表す。
Ｒ^a20は、水素原子又はメチル基を表す。
Ｒ^a23は、カルボキシ基、シアノ基又は炭素数１〜４の脂肪族炭化水素基を表す。ｒ１は、０〜３の整数を表し、ｒ１が２以上のとき、複数のＲ^a23は同一であっても異なってもよい。］
〔５〕前記（Ｂ）が、前記式（Ｂ１）のＹが置換基を有していてもよい炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基である塩を含む前記〔１〕〜〔４〕のいずれか記載のレジスト組成物。
〔６〕（１）前記〔１〕〜〔５〕のいずれか記載のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、
（２）塗布後の組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、
（３）組成物層を露光する工程、
（４）露光後の組成物層を加熱する工程、
（５）加熱後の組成物層を現像する工程を含むレジストパターンの製造方法。

本発明のレジスト組成物によれば、優れたラインエッジラフネス（ＬＥＲ）を有するレジストパターンを製造することができる。

＜レジスト組成物＞
本発明のレジスト組成物（以下、場合により「本レジスト組成物」という。）は、
（Ａ）式（ａ）で表される化合物に由来する構造単位を有する樹脂（以下、場合により「樹脂（Ａ）」という。）及び
（Ｂ）式（Ｂ１）で表される塩を含む。
また、本発明のレジスト組成物は、さらに溶剤及び／又は塩基性化合物を含有していることが好ましい。

＜樹脂（Ａ）＞
樹脂（Ａ）は、式（ａ）で表される化合物（以下、場合により「化合物（ａ）」という。）に由来する構造単位を有する。

式（ａ）中、
Ｒ^１は、水素原子又はメチル基を表す。
環Ｗは、炭素数４〜３６の２価の脂環式炭化水素環を表し、該脂環式炭化水素環に含まれるメチレン基は、酸素原子（−Ｏ−、本明細書では、該酸素原子を「−Ｏ−」で示すことがある。）、硫黄原子（−Ｓ−、本明細書では、該硫黄原子を「−Ｓ−」で示すことがある。）、カルボニル基（−ＣＯ−、本明細書では、該カルボニル基を「−ＣＯ−」で示すことがある。）又はスルホニル基（−ＳＯ_２−、本明細書では、該スルホニル基を「−ＳＯ_２−」で示すことがある。）に置き換わっていてもよい。
Ｘ^ｘは、単結合又は−Ａ−ＣＯ−Ｏ−基を表す。
Ａは炭素数１〜１０の炭化水素基を表す。

式（ａ）において、

で示される部分構造は、環Ｗを構成する炭素原子のうちの１つと、Ｘ^ｘ及びブチロラクトンイル基とが結合していることを示す。なお、環Ｗの「脂環式炭化水素環」とは、この環が芳香族性を有さない限り、上述のとおり該環に含まれるメチレン基が、酸素原子、硫黄原子、カルボニル基又はスルホニル基に置き換わっていてもよい。

Ｗは、炭素数が４〜３６の脂環式炭化水素環を表し、その炭素数は５〜１８であると、より好ましく、炭素数６〜１２であるとさらに好ましい。好ましい脂環式炭化水素環としては、アダマンタン環、シクロヘキサン環及びノルボルネン環が挙げられ、これらの中でも、アダマンタン環及びシクロヘキサン環が特に好ましい。なお、ここでいう炭素数とは、環に含まれるメチレン基が上述のような基に置き換えられる前の炭素数をいう。

Ｗを含む基、すなわち式（ａ）における

（式中、＊は結合手を表す。）
で示される基は、式（ａ−１Ａ）で表される基又は式（ａ−２Ａ）で表される基であると好ましい。

［式（ａ−１Ａ）中、
アダマンタン環に含まれるメチレン基は、酸素原子、硫黄原子、カルボニル基又はスルホニル基に置き換わっていてもよい。アダマンタン環に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数３〜１２の脂環式炭化水素基又は炭素数６〜１０の芳香族炭化水素基に置き換わっていてもよい。＊は結合手を表す。］
なお、アダマンタン環に含まれるメチレン基が、酸素原子、硫黄原子、カルボニル基又はスルホニル基に置き換わる場合、置き換えられるメチレン基の個数は最大２個程度である。

［式（ａ−２Ａ）中、
シクロヘキサン環に含まれるメチレン基は、酸素原子、硫黄原子、カルボニル基又はスルホニル基に置き換わっていてもよい。シクロヘキサン環に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数３〜１２の脂環式炭化水素基又は炭素数６〜１０の芳香族炭化水素基に置き換わっていてもよい。
］
なお、シクロヘキサン環に含まれるメチレン基が、酸素原子、硫黄原子、カルボニル基又はスルホニル基に置き換わる場合、置き換えられるメチレン基の個数は最大２個程度である。

式（ａ−１Ａ）のアダマンタン環に含まれる水素原子が、アルキル基、アルコキシ基、脂環式炭化水素基及び芳香族炭化水素基からなる群より選ばれる基に置き換えられている場合、その置換数は最大３個程度であり、この置換数が２以上の場合、置き換えられた複数の基は同一であっても異なってもよい。なお、ここでいう「アダマンタン環に含まれる水素原子」とは、アダマンタン環の環を構成する原子である炭素原子に結合している水素原子をいう。
同様に、式（ａ−２Ａ）のシクロヘキサン環にある水素原子が、アルキル基、アルコキシ基、脂環式炭化水素基及び芳香族炭化水素基からなる群より選ばれる基に置き換えられている場合、その置換数は最大３個程度であり、この置換数が２以上の場合、置き換えられた複数の基は同一であっても異なってもよい。なお、ここでいう「シクロヘキサン環にある水素原子」とは、シクロヘキサン環の環を構成する原子である炭素原子に結合している水素原子をいう。

式（ａ−１Ａ）のアダマンタン環又は式（ａ−２Ａ）のシクロヘキサン環に含まれる水素原子が置き換わることもある基（置換基）において、アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基及びヘキシル基などが挙げられ、これらのアルキル基は直鎖でも、分岐していてもよい。
アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ヘキシルオキシ基及びオクチルオキシ基などが挙げられ、これらのアルコキシ基は直鎖でも、分岐していてもよい。
脂環式炭化水素基としては、下記に示す基などが挙げられる。

芳香族炭化水素基としては、フェニル基及びナフチル基などが挙げられる。

式（ａ）のＸ^ｘは単結合又は−Ａ−ＣＯ−Ｏ−（Ａは前記と同義である。）で表される基である。Ａの炭化水素基としては、例えば、アルカンジイル基、シクロアルカンジイル基及びこれらを組み合わせた２価の基が挙げられる。該アルカンジイル基としては、例えば、メチレン基、エチレン基、プロパン−１，３−ジイル基、プロパン−１，２−ジイル基、２−メチルプロパン−１，３−ジイル基及び２−メチルプロパン−１，２−ジイル基などの炭素数１〜１０のアルカンジイル基が挙げられる。シクロアルカンジイル基としては、シクロヘキサンジイル基などの単環式の基に捕らわれず、アダマンタンジイル基などの多環式の基であってもよい。アルカンジイル基及びシクロアルカンジイル基を組合わせた２価の基としては例えば、式（Ｘ^ｘ−Ａ）、式（Ｘ^ｘ−Ｂ）又は式（Ｘ^ｘ−Ｃ）で表される基が挙げられる。

［式中、Ｘ^Ｘ１及びＸ^Ｘ２は、それぞれ独立に、単結合又は置換基を有していてもよい炭素数１〜６のアルカンジイル基を表し、ともに単結合であることはない。ただし、式（Ｘ^ｘ−Ａ）〜式（Ｘ^ｘ−Ｃ）で表される基の総炭素数は６〜２０である。］
Ｘ^ｘは単結合であるか、Ａがアルカンジイル基である−Ａ−ＣＯ−Ｏ−で表される基が好ましい。

化合物（ａ）としては、以下の化合物が挙げられる。

化合物（ａ）は、例えば、前記特許文献１に記載された方法に準じて製造することができる。

樹脂（Ａ）において、樹脂（Ａ）の全構造単位（１００モル％）に対する化合物（ａ）に由来する構造単位の合計モル量（樹脂（Ａ）中の化合物（ａ）に由来する構造単位の含有量）は、１〜１００モル％が好ましく、５〜９５モル％がより好ましく、５〜６０モル％がさらに好ましく、５〜５０モル％がとりわけ好ましい。なお、このような含有量で化合物（ａ）に由来する構造単位を含む樹脂（Ａ）は、樹脂（Ａ）を製造する際に用いる全モノマーの総モル量に対する化合物（ａ）の使用モル量を適宜調節すればよい。

樹脂（Ａ）は、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であって、酸の作用によりアルカリ可溶となる特性を有する樹脂であることが好ましい。そのために、樹脂（Ａ）は、化合物（ａ）に由来する構造単位に加えて、さらに、酸に不安定な基（以下、場合により「酸不安定基」という。）を有するモノマーに由来する構造単位を有していることが好ましい。ここで、「酸の作用によりアルカリ可溶となる」とは、酸との接触前ではアルカリ水溶液に不溶又は難溶であるが、酸との接触後にはアルカリ水溶液に可溶となることを意味する。このような樹脂（Ａ）は、分子内にある親水性基の一部又は全部が、酸との接触により脱離し得る保護基により保護されているものであり、樹脂（Ａ）が酸と接触すると当該保護基が脱離して、樹脂（Ａ）はアルカリ水溶液に可溶な樹脂に転化する。当該保護基により保護されている親水性基が、前記酸不安定基に相当する。該親水性基としては、ヒドロキシ基又はカルボキシ基が挙げられ、カルボキシ基がより好ましい。

酸との接触前ではアルカリ水溶液に不溶又は難溶であるが、酸との接触後にはアルカリ水溶液に可溶となる樹脂（Ａ）は、酸不安定基を有するモノマー（以下、「モノマー（ａ１）」という。）を化合物（ａ）とともに重合することによって製造できる。かかる重合の際には、モノマー（ａ１）を１種のみ使用してもよいし、２種以上を用いてもよい。

＜モノマー（ａ１）＞
親水性基がカルボキシ基である場合の酸不安定基は、該カルボキシ基の水素原子が、有機残基に置き換わり、カルボキシ基の−Ｏ−と結合する該有機残基の原子が第三級炭素原子である基が挙げられる。このような酸不安定基のうち、好ましい酸不安定基は例えば、以下の式（１）で表されるもの（以下、場合により「酸不安定基（１）」という。）である。

式（１）中、Ｒ^a1、Ｒ^a2及びＲ^a3（以下、場合により「Ｒ^a1〜Ｒ^a3」のように表記する。）は、それぞれ独立に、炭素数１〜８の脂肪族炭化水素基又は炭素数３〜２０の脂環式炭化水素基を表すか、或いは、Ｒ^a1及びＲ^a2が互いに結合して、それらが結合する炭素原子とともに炭素数３〜２０の環を形成する。Ｒ^a1及びＲ^a2が互いに結合して形成される環、該脂肪族炭化水素基又は該脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子、硫黄原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。＊は結合手を表す。

Ｒ^a1〜Ｒ^a3の脂肪族炭化水素基は例えば、アルキル基が挙げられる。アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基及びオクチル基などであり、これらのアルキル基は直鎖でも、分岐していてもよい。
Ｒ^a1〜Ｒ^a3の脂環式炭化水素基は、単環式及び多環式のいずれでもよい。単環式の脂環式炭化水素基としては例えば、シクロペンチル基、シクロへキシル基、メチルシクロヘキシル基、ジメチルシクロへキシル基、シクロヘプチル基及びシクロオクチル基などのシクロアルキル基が挙げられる。多環式の脂環式炭化水素基としては、デカヒドロナフチル基、アダマンチル基、ノルボルニル基及びメチルノルボルニル基、並びに下記に示す基などが挙げられる。

Ｒ^a1〜Ｒ^a3の脂環式炭化水素基は、その炭素数が３〜１６であると好ましい。

Ｒ^a1及びＲ^a2が互いに結合して環を形成する場合の−Ｃ（Ｒ^a1）（Ｒ^a2）（Ｒ^a3）で表される基としては、下記に示す基が挙げられる。このような環の炭素数は、好ましくは３〜１２の範囲である。

酸不安定基（１）の具体例は、１，１−ジアルキルアルコキシカルボニル基（式（１）中、Ｒ^a1〜Ｒ^a3が全てアルキル基である基、このアルキル基のうち、１つはｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基であると好ましい。）、２−アルキルアダマンタン−２−イルオキシカルボニル基（式（１）中、Ｒ^a1及びＲ^a2が互いに結合し、これらが結合する炭素原子とともにアダマンチル環を形成し、Ｒ^a3がアルキル基である基）及び１−（アダマンタン−１−イル）−１−アルキルアルコキシカルボニル基（式（１）中、Ｒ^a1及びＲ^a2がアルキル基であり、Ｒ^a3がアダマンチル基である基）などが挙げられる。

一方、親水性基がヒドロキシ基である場合の酸不安定基としては、該ヒドロキシ基の水素原子が、有機残基に置き換わり、アセタール構造を含む基となったものが挙げられる。このような酸不安定基のうち、好ましい酸不安定基は例えば、以下の式（２）で表される基（以下、場合により「酸不安定基（２）」という。）である。

式（２）中、Ｒ^b1及びＲ^b2は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数１〜１２の炭化水素基を表し、Ｒ^b3は、炭素数１〜２０の炭化水素基を表すか、或いは、Ｒ^b2及びＲ^b3が互いに結合して、それらが各々結合する炭素原子及び酸素原子とともに炭素数３〜２０の環を形成する。Ｒ^b2及びＲ^b3が互いに結合して形成される環又は該炭化水素基がメチレン基を有する場合、そのメチレン基は、酸素原子、硫黄原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。＊は結合手を表す。

Ｒ^b1〜Ｒ^b3の炭化水素基は、脂肪族炭化水素基、脂環式炭化水素基及び芳香族炭化水素基のいずれでもよい。ここで、脂肪族炭化水素基及び該脂環式炭化水素基は、式（１）のＲ^a1〜Ｒ^a3の場合で説明したものと同じである。
芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ナフチル基、ｐ−メチルフェニル基、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、ｐ−アダマンチルフェニル基、トリル基、キシリル基、クメニル基、メシチル基、ビフェニル基、アントリル基、フェナントリル基、２，６−ジエチルフェニル基及び２−メチル−６−エチルフェニルなどのアリール基が挙げられる。
Ｒ^b1〜Ｒ^b2のうち、少なくとも１つは水素原子であると好ましい。

酸不安定基（２）としては、以下の基が挙げられる。

モノマー（ａ１）は、好ましくは、酸不安定基と、炭素−炭素二重結合とを分子内に有するモノマー、より好ましくは酸不安定基を有する（メタ）アクリル系モノマーである。

さらに好ましいモノマー（ａ１）は、酸不安定基（１）及び／又は酸不安定基（２）と、炭素−炭素二重結合とをともに分子内に有するモノマーであり、より好ましくは酸不安定基（１）を有する（メタ）アクリル系モノマーである。ここで、（メタ）アクリルとは、アクリル及び／又はメタクリルを表す。

酸不安定基（１）を有する（メタ）アクリル系モノマーの中でも、酸不安定基（１）が、炭素数５〜２０の脂環式炭化水素構造を有する基が好ましい。この脂環式炭化水素構造を有する基は例えば、前記式（ａ）のＷとして説明したもののうち、好ましい例として説明したものと同じものが挙げられる。このような立体的に嵩高い脂環式炭化水素構造を有するモノマー（ａ１）を重合して得られる樹脂（Ａ）は、該樹脂（Ａ）を含む本レジスト組成物を用いてレジストパターンを製造したとき、より良好な解像度でレジストパターンを製造することができる。

脂環式炭化水素構造を有する基である酸不安定基（１）を有する（メタ）アクリル系モノマーの中でも、式（ａ１−１）で表されるモノマー（以下、「モノマー（ａ１−１）」という。）及び式（ａ１−２）で表されるモノマー（以下、「モノマー（ａ１−２）」という。）が好ましい。モノマー（ａ１−１）及び／又はモノマー（ａ１−２）を用いて製造される樹脂（Ａ）を含む本レジスト組成物は、より一層優れたラインエッジラフネス（ＬＥＲ）を有するレジストパターンを製造できる。なお、樹脂（Ａ）を製造する際、これらのモノマーは単独で使用してもよく、２種以上を用いてもよい。

［式（ａ１−１）中、
Ｌ^a1は、酸素原子又は^＊−Ｏ−（ＣＨ₂）_k1−ＣＯ−Ｏ−で表される基を表す。＊はカルボニル基との結合手を表す。
ｋ１は１〜７の整数を表す。
Ｒ^a4は、水素原子又はメチル基を表す。
Ｒ^a6は、炭素数１〜８の脂肪族炭化水素基又は炭素数３〜１０の脂環式炭化水素基を表す。
ｍ１は０〜１４の整数を表す。
式（ａ１−２）中、
Ｌ^a2は、酸素原子又は^＊−Ｏ−（ＣＨ₂）_k２−ＣＯ−Ｏ−で表される基を表す。＊はカルボニル基との結合手である。
ｋ２は１〜７の整数を表す。
Ｒ^a5は、水素原子又はメチル基を表す。
Ｒ^a7は、炭素数１〜８の脂肪族炭化水素基又は炭素数３〜１０の脂環式炭化水素基を表す。
ｎ１は０〜１０の整数を表す。
ｎ１’は０〜３の整数を表す。］

式（ａ１−１）において、「−（ＣＨ_３）_ｍ１」の表記は、アダマンタン環に含まれる水素原子、すなわち、アダマンタン環にあるメチレン基及び／又はメチン基の水素原子が、メチル基に置き換わっており、アダマンタン環に結合しているメチル基の個数がｍ１個であることを意味する。同様に、式（ａ１−２）において、「−（ＣＨ_３）_ｍ１」の表記は、シクロアルカン環に含まれる水素原子、すなわち、シクロアルカン環に含まれるメチレン基の水素原子が、メチル基に置き換わっており、そのメチル基の個数がｎ１個であることを意味する。

Ｌ^a1及びＬ^a2は、好ましくは、酸素原子又はｋ１及びｋ２が１〜４の整数である−Ｏ−（ＣＨ₂）_k1−ＣＯ−Ｏ−又は−Ｏ−（ＣＨ₂）_k2−ＣＯ−Ｏ−で表される基あり、より好ましくは酸素原子又はｋ１及びｋ２が１である−Ｏ−ＣＨ₂−ＣＯ−Ｏ−で表される基あり、一層好ましくは酸素原子である。
Ｒ^a4及びＲ^a5は、好ましくはメチル基である。
Ｒ^a6及びＲ^a7の脂肪族炭化水素基は例えば、アルキル基が挙げられ、より具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基及びオクチル基などが挙げられる。これらアルキル基は直鎖でも分岐していてもよい。Ｒ^a6及びＲ^a7の脂肪族炭化水素基は、好ましくは炭素数６以下の基である。Ｒ^a6及びＲ^a7の脂環式炭化水素基は、好ましくは炭素数８以下であり、より好ましくは６以下である。
Ｒ^a6又はＲ^a7が脂環式炭化水素基である場合、当該脂環式炭化水素基は単環式及び多環式のいずれでもよい。単環式の脂環式炭化水素基としては例えば、シクロペンチル基、シクロへキシル基、メチルシクロヘキシル基、ジメチルシクロへキシル基、シクロヘプチル基及びシクロオクチル基などのシクロアルキル基が挙げられる。多環式の脂環式炭化水素基としては、デカヒドロナフチル基、アダマンチル基、ノルボルニル基、メチルノルボルニル基及び、下記に示す基などが挙げられる。

ｍ１は、好ましくは０〜３の整数、より好ましくは０又は１である。
ｎ１は、好ましくは０〜３の整数、より好ましくは０又は１である。
ｎ１’は好ましくは、０又は１である。
＊は、アダマンタン環又はシクロアルカン環との結合手を表す。

モノマー（ａ１−１）としては、例えば、以下のものが挙げられる。

これらの中でも、モノマー（ａ１−１）としては、２−メチルアダマンタン−２−イル（メタ）アクリレート、２−エチルアダマンタン−２−イル（メタ）アクリレート及び２−イソプロピルアダマンタン−２−イル（メタ）アクリレートが好ましく、２−メチルアダマンタン−２−イルメタクリレート、２−エチルアダマンタン−２−イルメタクリレート及び２−イソプロピルアダマンタン−２−イルメタクリレートがより好ましい。

モノマー（ａ１−２）としては、例えば、以下のものが挙げられる。これらの中でも、モノマー（ａ１−２）としては、１−エチルシクロヘキシル（メタ）アクリレートが好ましく、１−エチルシクロヘキシルメタクリレートがより好ましい。

樹脂（Ａ）がモノマー（ａ１−１）及び／又はモノマー（ａ１−２）に由来する構造単位を含む場合、これらのモノマーに由来する構造単位の含有量の合計は、得られる樹脂（Ａ）の全構造単位を１００モル％に対して、１０〜９５モル％の範囲が好ましく、１５〜９０モル％の範囲がより好ましく、２０〜８５モル％の範囲がさらに好ましい。モノマー（ａ１−１）に由来する構造単位及び／又はモノマー（ａ１−２）に由来する構造単位の含有量の合計を、所望する含有量にするためには、樹脂（Ａ）を製造する際に、全モノマーの使用量に対するモノマー（ａ１−１）及び／又はモノマー（ａ１−２）の使用量を上記範囲にして製造すればよい。

モノマー（ａ１）としては、さらに以下の式（ａ１−３）で表されるノルボルネン環を有するモノマー（以下、場合により「モノマー（ａ１−３）」という。）が挙げられる。

式（ａ１−３）中、
Ｒ^a9は、水素原子、ヒドロキシ基を有していてもよい炭素数１〜３の脂肪族炭化水素基、カルボキシ基、シアノ基又は−ＣＯＯＲ^a13を表す。
Ｒ^a13は、炭素数１〜８の脂肪族炭化水素基又は炭素数３〜２０の脂環式炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基及び該脂環式炭化水素基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基に置換されていてもよく、該脂肪族炭化水素基及び該脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。
Ｒ^a10、Ｒ^a11及びＲ^a12は、それぞれ独立に、炭素数１〜１２の脂肪族炭化水素基又は炭素数３〜２０の脂環式炭化水素基を表すか、或いは、Ｒ^a10及びＲ^a11が互いに結合して、これらが結合している炭素原子とともに、炭素数３〜２０の環を形成し、該脂肪族炭化水素基及び該脂環式炭化水素基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基などで置換されていてもよく、該脂肪族炭化水素基及び該脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。

Ｒ^a9の−ＣＯＯＲ^a13は例えば、メトキシカルボニル基及びエトキシカルボニル基などのアルコキシ基にカルボニル基が結合した基が挙げられる。

Ｒ^a9のヒドロキシ基を有していてもよい脂肪族炭化水素基は例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ヒドロキシメチル基及び２−ヒドロキシエチル基などが挙げられる。
Ｒ^a13の脂肪族炭化水素基や脂環式炭化水素基としては例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、２−オキソ−オキソラン−３−イル基及び２−オキソ−オキソラン−４−イル基などが挙げられる。
Ｒ^a10〜Ｒ^a12は例えば、メチル基、エチル基、シクロへキシル基、メチルシクロへキシル基、ヒドロキシシクロへキシル基、オキソシクロへキシル基及びアダマンチル基などが挙げられる。
Ｒ^a10及びＲ^a11が互いに結合して形成される環は脂環式炭化水素環が好ましく、具体的には、シクロへキサン環及びアダマンタン環などが挙げられる。

モノマー（ａ１−３）は例えば、５−ノルボルネン−２−カルボン酸−ｔｅｒｔ−ブチル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸１−シクロヘキシル−１−メチルエチル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸１−メチルシクロヘキシル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸２−メチル−２−アダマンチル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸２−エチル−２−アダマンチル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸１−（４−メチルシクロヘキシル）−１−メチルエチル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸１−（４−ヒドロキシシクロヘキシル）−１−メチルエチル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸１−メチル−１−（４−オキソシクロヘキシル）エチル及び５−ノルボルネン−２−カルボン酸１−（１−アダマンチル）−１−メチルエチルなどが挙げられる。

モノマー（ａ１−３）を用いて樹脂（Ａ）を製造した場合、この樹脂（Ａ）にはモノマー（ａ１−３）に由来する、立体的に嵩高い構造単位が含まれることになる。したがって、この構造単位を有する樹脂（Ａ）を含む本レジスト組成物を用いてレジストパターンを製造すれば、より良好な解像度でレジストパターンを得ることができる。さらにモノマー（ａ１−３）を用いることにより、樹脂（Ａ）の主鎖に剛直なノルボルナン環を導入できるため、該樹脂（Ａ）を含む本レジスト組成物は、ドライエッチング耐性に優れたレジストパターンが得られ易いという傾向がある。

上述のように、良好な解像度でレジストパターンを製造できることや、ドライエッチング耐性に優れたレジストパターンが得られ易いという点で、樹脂（Ａ）の全構造単位（１００モル％）に対する、モノマー（ａ１−３）に由来する構造単位の含有量は１０〜９５モル％の範囲が好ましく、１５〜９０モル％の範囲がより好ましく、２０〜８５モル％の範囲がさらに好ましい。

モノマー（ａ１）としては、以下の式（ａ１−４）で表されるモノマー（以下、「モノマー（ａ１−４）」という。）も用いることができる。

［式（ａ１−４）中、
Ｒ^a32は、水素原子、ハロゲン原子、又は、ハロゲン原子を有してもよい炭素数１〜６のアルキル基を表す。
Ｒ^a33は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、炭素数２〜４のアシル基、炭素数２〜４のアシルオキシ基、アクリロイル基又はメタクリロイル基を表す。
ｌａは０〜４の整数を表す。ｌａが２以上である場合、複数のＲ^a33は同一であっても異なってもよい。
Ｒ^a34及びＲ^a35はそれぞれ独立に、水素原子又は炭素数１〜１２の炭化水素基を表す。
Ｘ^a2は、単結合又は２価の炭素数１〜１７の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、炭素数２〜４のアシル基又は炭素数２〜４のアシルオキシ基で置換されていてもよく、該飽和炭化水素基に含まれるメチレン基は、カルボニル基、酸素原子、硫黄原子、スルホニル基（−ＳＯ_２−）又は−Ｎ（Ｒ^ｃ）−で示される基に置き換わっていてもよい。Ｒ^ｃは、水素原子又は炭素数１〜６のアルキル基を表す。
Ｙ^a3は、炭素数１〜１２の脂肪族炭化水素基、炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基又は炭素数６〜１８の芳香族炭化水素基であり、該脂肪族炭化水素基、該脂環式炭化水素基及び該芳香族炭化水素基の各々に含まれる水素原子は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、炭素数２〜４のアシル基又は炭素数２〜４のアシルオキシ基に置換されていてもよい。］

式（ａ１−４）において、Ｒ^a32及びＲ^a33のハロゲン原子は例えば、フッ素原子、塩素原子及び臭素原子などである。
Ｒ^a32のハロゲン原子を有してもよいアルキル基としては、例えば、トリフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、ペルフルオロイソプロピル基、ペルフルオロブチル基、ペルフルオロｓｅｃ−ブチル基、ペルフルオロｔｅｒｔ−ブチル基、ペルフルオロペンチル基、ペルフルオロヘキシル基、ペルクロロメチル基、ペルブロモメチル基及びペルヨードメチル基などが挙げられる。
Ｒ^a33のアルコキシ基としては例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロピポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ｎ−ペントキシ基及びｎ−ヘキトキシ基などが挙げられる。
Ｒ^a33のアシル基としては、例えば、アセチル基、プロピオニル基及びブチリル基などが挙げられる。
Ｒ^a33のアシルオキシ基としては、例えば、アセチルオキシ基、プロピオニルオキシ基及びブチリルオキシ基などが挙げられる。
Ｒ^a34及びＲ^a35の炭化水素基は、脂肪族炭化水素基、脂環式炭化水素基及び芳香族炭化水素基のいずれでもよい。該脂肪族炭化水素基は、炭素数の上限が異なる以外は、式（ａ１−１）のＲ^a6及びＲ^a7の脂肪族炭化水素基として説明したものを含み、その具体例もＲ^a6及びＲ^a7の脂肪族炭化水素基として例示したものを含む。該脂肪族炭化水素基としては、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基及び２−エチルヘキシル基が好ましい。
該脂環式炭化水素基も、炭素数の上限が異なる以外は、式（ａ１−１）のＲ^a6及びＲ^a7の脂環式炭化水素基として説明したものを含み、その具体例もＲ^a6及びＲ^a7の脂環式炭化水素基として例示したものを含む。該脂環式炭化水素基としては、シクロヘキシル基、アダマンチル基、２−アルキルアダマンタン−２−イル基、１−（アダマンタン−１−イル）−１−アルキル基及びイソボルニル基などが好ましい。
該芳香族炭化水素基は典型的にはアリール基であり、例えば、フェニル基、ナフチル基、アントラニル基、ｐ−メチルフェニル基、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、ｐ−アダマンチルフェニル基、トリル基、キシリル基、クメニル基、メシチル基、ビフェニル基、アントリル基、フェナントリル基、２，６−ジエチルフェニル基及び２−メチル−６−エチルフェニルなどである。

Ｒ^a32及びＲ^a33がアルキル基である場合、炭素数１〜４のアルキル基が好ましく、メチル基及びエチル基がより好ましく、メチル基が特に好ましい。
Ｒ^a33のアルコキシ基としては、メトキシ基及びエトキシ基がより好ましく、メトキシ基が特に好ましい。
Ｒ^a34及びＲ^a35の炭化水素基としては、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基、２−アルキルアダマンタン−２−イル基、１−（アダマンタン−１−イル）アルカン−１−イル基及びイソボルニル基などである。

上述したように、Ｘ^a2及びＹ^a3は、これらに含まれる水素原子がハロゲン原子又はヒドロキシ基に置換されていてもよいが、このように水素原子が置換されている場合、その置換基は好ましくはヒドロキシ基である。

モノマー（ａ１−４）としては、例えば、以下のモノマーが挙げられる。

樹脂（Ａ）が、モノマー（ａ１−４）に由来する構造単位を有する場合、その含有量は、樹脂（Ａ）の全構造単位（１００モル％）に対して、１０〜９５モル％の範囲が好ましく、１５〜９０モル％の範囲がより好ましく、２０〜８５モル％の範囲がさらに好ましい。

酸不安定基（２）を有するモノマー（ａ１）としては（メタ）アクリル系モノマー（すなわち、アクリル基又はメタクリル基と酸不安定基（２）とを有するモノマー）が好ましく、例えば、式（ａ１−５）で表されるモノマー（以下、「モノマー（ａ１−５）」という。）が挙げられる。

式（ａ１−５）中、
Ｒ^３１は、水素原子、ハロゲン原子又はハロゲン原子を有してもよい炭素数１〜６のアルキル基を表す。
Ｌ^１〜Ｌ^３は、酸素原子又は硫黄原子又は^＊−Ｏ−（ＣＨ₂）_k1−ＣＯ−Ｏ−で表される基を表す。ここで、ｋ１は１〜７の整数を表し、＊はカルボニル基（−ＣＯ−）との結合手である。
Ｚ^１は、単結合又は炭素数１〜６のアルカンジイル基であり、該アルカンジイル基に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。
ｓ１及びｓ１’は、それぞれ独立して、０〜４の整数を表す。

式（ａ１−５）において、
Ｒ³¹は、水素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基であることが好ましい。
Ｌ^１は、酸素原子が好ましい。
Ｌ^２及びＬ^３は、それぞれ独立に酸素原子又は硫黄原子であることが好ましく、Ｌ^２及びＬ^３は、一方が酸素原子、他方が硫黄原子であることがより好ましい。
ｓ１は、１が好ましい。
ｓ１’は、０〜２の整数が好ましい。
Ｚ^１としては、単結合又は−ＣＨ_２−ＣＯ−Ｏ−であることが好ましい。

モノマー（ａ１−５）の具体例としては、以下のとおりである。

樹脂（Ａ）が、モノマー（ａ１−５）に由来する構造単位を有する場合、その含有量は、樹脂（Ａ）の全構造単位（１００モル％）に対して、１０〜９５モル％の範囲が好ましく、１５〜９０モル％の範囲がより好ましく、２０〜８５モル％の範囲がさらに好ましい。

酸不安定基（１）と炭素−炭素二重結合とを分子内に有する構造単位（ａ１）として、以下のモノマーを用いることができる。

樹脂（Ａ）が、上述したモノマーに由来する構造単位を有する場合、その含有量は、樹脂（Ａ）の全構造単位（１００モル％）に対して、１０〜９５モル％の範囲が好ましく、１５〜９０モル％の範囲がより好ましく、２０〜８５モル％の範囲がさらに好ましい。

＜酸安定モノマー＞
樹脂（Ａ）としては、化合物（ａ）及びモノマー（ａ１）に加えて、酸不安定基を有さないモノマー（以下、場合により「酸安定モノマー」という。）を用いて得られる共重合体であると好ましい。また、本レジスト組成物に用いる添加物（すなわち、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であって、酸の作用によりアルカリ可溶となる樹脂ではない成分）として、化合物（ａ）及び酸安定モノマーから得られる、酸不安定基を有さない樹脂を用いることもある。

酸安定モノマーを用いて樹脂（Ａ）を製造する場合、モノマー（ａ１）の使用量を基準にして、酸安定性モノマーの使用量を定めるとよい。モノマー（ａ１）の使用量と酸安定モノマーの使用量との割合は、〔モノマー（ａ１）〕／〔酸安定モノマー〕で表して、好ましくは１０〜８０モル％／９０〜２０モル％であり、より好ましくは２０〜６０モル％／８０〜４０モル％である。また、アダマンチル基を有するモノマー（特に、モノマー（ａ１−１））を、モノマー（ａ１）として用いる場合、該モノマー（ａ１）の使用量の総量（１００モル％）に対して、アダマンチル基を有するモノマーの使用量を１５モル％以上とすることが好ましい。このようにすると、樹脂（Ａ）を含む本レジスト組成物から得られるレジストパターンのドライエッチング耐性がより良好になる傾向がある。

酸安定モノマーとしては、例えば、ヒドロキシ基又はラクトン環を分子内に有するものが挙げられる。ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー（以下、「酸安定モノマー（ａ２）」という。）及び／又はラクトン環を含有する酸安定モノマー（以下、「酸安定モノマー（ａ３）」という。）に由来する構造単位を有する樹脂（Ａ）は、当該樹脂（Ａ）を含む本レジスト組成物を基板に塗布したとき、基板上に形成される塗布膜及び／又は該塗布膜から得られる組成物層は基板との密着性に優れる傾向があり、高解像度で、レジストパターンを製造することができる。

＜ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー（酸安定モノマー（ａ２））＞
酸安定モノマー（ａ２）を樹脂（Ａ）の製造に用いる場合、当該樹脂（Ａ）を含む本レジスト組成物からレジストパターンを製造する際の露光源の種類によって、各々、好適な酸安定モノマー（ａ２）を挙げることができる。すなわち、本レジスト組成物を、ＫｒＦエキシマレーザ露光（波長：２４８ｎｍ）、電子線あるいはＥＵＶ光などの高エネルギー線露光に用いる場合には、酸安定モノマー（ａ２）として、フェノール性ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー（ａ２−０）〔例えば、ヒドロキシスチレン類など〕を樹脂（Ａ）の製造に用いることが好ましい。短波長のＡｒＦエキシマレーザ露光（波長：１９３ｎｍ）を用いる場合は、酸安定モノマー（ａ２）として、後述の式（ａ２−１）で表される酸安定モノマーを樹脂（Ａ）の製造に用いることが好ましい。このように、樹脂（Ａ）製造に用いる酸安定モノマー（ａ２）は各々、レジストパターンを製造する際の露光源によって好ましいものを選ぶことができるが、当該酸安定モノマー（ａ２）は、露光源の種類に応じて好適なモノマー１種のみを用いて樹脂（Ａ）を製造してもよく、露光源の種類に応じて好適なモノマー２種以上を用いて樹脂（Ａ）を製造してもよく、或いは、露光源の種類に応じて好適なモノマーと、それ以外の酸安定モノマー（ａ２）とを組み合わせた２種以上を用いて樹脂（Ａ）を製造してもよい。

酸安定モノマー（ａ２）としては、以下の式（ａ２−０）で表されるｐ−又はｍ−ヒドロキシスチレンなどのスチレン系モノマー（以下、「酸安定モノマー（ａ２−０）」という。）が挙げられる。なお、この式（ａ２−０）は、フェノール性ヒドロキシ基が適当な保護基で保護されていない形式で示されている。

［式（ａ２−０）中、
Ｒ^a30は、水素原子、ハロゲン原子又はハロゲン原子を有してもよい炭素数１〜６のアルキル基を表す。
Ｒ^a31は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、炭素数２〜４のアシル基、炭素数２〜４のアシルオキシ基、アクリロイル基又はメタクリロイル基を表す。
ｍａは０〜４の整数を表す。ｍａが２以上の整数である場合、複数のＲ^a31は同一であっても異なってもよい］

Ｒ^a30のハロゲン原子及びハロゲン原子を有してもよい炭素数１〜６のアルキル基の具体例は、式（ａ１−４）のＲ^a32の説明で例示したものと同じものを挙げることができる。これらのうち、Ｒ^a30は、炭素数１〜４のアルキル基が好ましく、メチル基及びエチル基がより好ましく、メチル基が特に好ましい。
Ｒ^a31のアルコキシ基の具体例は、式（ａ１−４）のＲ^a33の説明で例示したものと同じものを挙げることができる。これらのうち、Ｒ^a31は、炭素数１〜４のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基及びエトキシ基がより好ましく、メトキシ基がさらに好ましい。Ｒ^a31のアルキル基としては、炭素数１〜４のアルキル基が好ましく、炭素数１又は２のアルキル基がより好ましく、メチル基が特に好ましい。
ｍａは０、１又は２が好ましく、０又は１がより好ましく、０が特に好ましい。

このような酸安定モノマー（ａ２−０）に由来する構造単位を有する樹脂（Ａ）を製造する場合は、酸安定モノマー（ａ２−０）にあるフェノール性ヒドロキシ基が適当な保護基で保護されてなるモノマーを用いることができる。保護基としては、例えば、酸で脱離する保護基などが挙げられる。酸で脱離する保護基で保護されたフェノール性ヒドロキシ基は、酸との接触により、脱保護することができるため、容易に酸安定モノマー（ａ２−０）に由来する構造単位を形成することができる。ただし、樹脂（Ａ）が、酸不安定基を含む構造単位（ａ１）を有している場合、塩基で脱保護可能な保護基でフェノール性ヒドロキシ基が保護された酸安定モノマー（ａ２−０）を用いて重合を行い、脱保護する際には、構造単位（ａ１）の酸不安定基を著しく損なわないよう、塩基との接触により脱保護することが好ましい。塩基で脱保護可能な保護基としては、例えば、アセチル基等が好ましい。塩基としては、例えば、４−ジメチルアミノビリジン、トリエチルアミン等が挙げられる。

酸安定モノマー（ａ２−０）としては、例えば、以下のモノマーが挙げられる。

上述の酸安定モノマー（ａ２−０）の例示の中では、４−ヒドロキシスチレン又は４−ヒドロキシ−α−メチルスチレンが特に好ましい。４−ヒドロキシスチレン又は４−ヒドロキシ−α−メチルスチレンを用いて、樹脂（Ａ）を製造する際には、これらにあるフェノール性ヒドロキシ基を保護基で保護したものを用いることが好ましい。

樹脂（Ａ）が、酸安定モノマー（ａ２−０）に由来する構造単位を有する場合、その含有量は、樹脂（Ａ）の全構造単位（１００モル％）に対して、５〜９５モル％の範囲から選ばれ、１０〜８０モル％の範囲がより好ましく、１５〜８０モル％の範囲がさらに好ましい。

酸安定モノマー（ａ２）として、式（ａ２−１）で表されるモノマー（以下、場合により「酸安定モノマー（ａ２−１）」という。）も用いることができる。

式（ａ２−１）中、
Ｌ^a3は、酸素原子又は^＊−Ｏ−（ＣＨ₂）_k４−ＣＯ−Ｏ−（ｋ４は１〜７の整数を表す。）を表し、＊はカルボニル基との結合手を表す。
Ｒ^a14は、水素原子又はメチル基を表す。
Ｒ^a15及びＲ^a16は、それぞれ独立に、水素原子、メチル基又はヒドロキシ基を表す。
ｏ１は、０〜１０の整数を表す。

式（ａ２−１）において、Ｌ^a3は、好ましくは、酸素原子又は、ｋ４が１〜４の整数である−Ｏ−（ＣＨ₂）_k2−ＣＯ−Ｏ−で表される基あり、さらに好ましくは、酸素原子又は、ｋ４が１である−Ｏ−（ＣＨ₂）_k2−ＣＯ−Ｏ−で表される基あり、より好ましくは酸素原子である。
Ｒ^a14は、好ましくはメチル基である。
Ｒ^a15は、好ましくは水素原子である。
Ｒ^a16は、好ましくは水素原子又はヒドロキシ基である。
ｏ１は、好ましくは０〜３の整数、より好ましくは０又は１である。

酸安定モノマー（ａ２−１）としては、例えば、以下のものが挙げられる。これらの中でも、３−ヒドロキシアダマンタン−１−イル（メタ）アクリレート、３，５−ジヒドロキシアダマンタン−１−イル（メタ）アクリレート及び（メタ）アクリル酸１−（３，５−ジヒドロキシアダマンタン−１−イルオキシカルボニル）メチルが好ましく、３−ヒドロキシアダマンタン−１−イル（メタ）アクリレート及び３，５−ジヒドロキシアダマンタン−１−イル（メタ）アクリレートがより好ましく、３−ヒドロキシアダマンタン−１−イルメタクリレート及び３，５−ジヒドロキシアダマンタン−１−イルメタクリレートがさらに好ましい。

樹脂（Ａ）が、酸安定モノマー（ａ２−１）に由来する構造単位を有する場合、その含有量は、樹脂（Ａ）の全構造単位（１００モル％）に対して、３〜４０モル％の範囲から選ばれ、５〜３５モル％の範囲がより好ましく、５〜３０モル％の範囲がさらに好ましい。

＜ラクトン環を含有する酸安定モノマー（酸安定モノマー（ａ３））＞
酸安定モノマー（ａ３）が有するラクトン環は例えば、β−プロピオラクトン環、γ−ブチロラクトン環及びδ−バレロラクトン環のような単環式でもよく、単環式のラクトン環と他の環との縮合環でもよい。これらラクトン環の中で、γ−ブチロラクトン環及びγ−ブチロラクトン環と他の環との縮合環が好ましい。

酸安定モノマー（ａ３）は好ましくは、以下の式（ａ３−１）、式（ａ３−２）又は式（ａ３−３）で表されるものである。樹脂（Ａ）の製造においては、これらのうち１種のみを使用してもよく、２種以上を併用してもよい。なお、以下の説明においては、式（ａ３−１）で示される酸安定モノマー（ａ３）を「酸安定モノマー（ａ３−１）」といい、式（ａ３−２）で示される酸安定モノマー（ａ３）を「酸安定モノマー（ａ３−２）」といい、式（ａ３−３）で示される酸安定モノマー（ａ３）を「酸安定モノマー（ａ３−３）」という。酸安定モノマー（ａ３−１）、酸安定モノマー（ａ３−２）及び酸安定モノマー（ａ３−３）からなる群より選ばれる酸安定モノマー（ａ３）に由来する構造単位を有する樹脂（Ａ）は、より一層優れたＬＥＲを有するレジストパターンを製造できる本レジスト組成物を与える。

式（ａ３−１）中、
Ｌ^a4は、酸素原子又は^＊−Ｏ−（ＣＨ₂）_k3−ＣＯ−Ｏ−（ｋ３は１〜７の整数を表す。）を表す。＊はカルボニル基との結合手を表す。
Ｒ^a18は、水素原子又はメチル基を表す。
Ｒ^a21は、炭素数１〜４の脂肪族炭化水素基を表す。ｐ１は０〜５の整数を表し、ｐ１が２以上のとき、複数のＲ^a21は同一であっても異なってもよい。
式（ａ３−２）中、
Ｌ^a5は、酸素原子又は^＊−Ｏ−（ＣＨ₂）_k3−ＣＯ−Ｏ−（ｋ３は前記と同義である。
）を表す。＊はカルボニル基との結合手を表す。
Ｒ^a22は、カルボキシ基、シアノ基又は炭素数１〜４の脂肪族炭化水素基を表す。ｑ１は、０〜３の整数を表し、ｑ１が２以上のとき、複数のＲ^a22は同一であっても異なってもよい。
式（ａ３−３）中、
Ｌ^a6は、酸素原子又は^＊−Ｏ−（ＣＨ₂）_k3−ＣＯ−Ｏ−（ｋ３は前記と同義である。
）を表す。＊はカルボニル基との結合手を表す。
Ｒ^a20は、水素原子又はメチル基を表す。
Ｒ^a23は、カルボキシ基、シアノ基又は炭素数１〜４の脂肪族炭化水素基を表す。ｒ１は、０〜３の整数を表し、ｒ１が２以上のとき、複数のＲ^a23は同一であっても異なってもよい。

式（ａ３−１）〜式（ａ３−３）中のＬ^a4〜Ｌ^a6は、それぞれ独立に、好ましくは、酸素原子又は、ｋ３が１〜４の整数である^＊−Ｏ−（ＣＨ₂）_k3−ＣＯ−Ｏ−で表される基であり、より好ましくは、酸素原子又は、ｋ３が１の^＊−Ｏ−（ＣＨ₂）_k3−ＣＯ−Ｏ−で表される基であり、さらに好ましくは酸素原子である。
Ｒ^a18〜Ｒ^a21は、好ましくはメチル基である。
Ｒ^a22及びＲ^a23は、それぞれ独立に、好ましくはカルボキシ基、シアノ基又はメチル基である。
ｐ１、ｑ１及びｒ１は、それぞれ独立に、好ましくは０〜２の整数であり、より好ましくは０又は１である。

γ−ブチロラクトン環を有する酸安定モノマー（ａ３−１）としては、例えば、以下のものが挙げられる。

γ−ブチロラクトン環とノルボルナン環との縮合環を有する酸安定モノマー（ａ３−２）としては、例えば以下のものが挙げられる。

γ−ブチロラクトン環とシクロヘキサン環との縮合環を有する酸安定モノマー（ａ３−３）は例えば、以下のものが挙げられる。

ラクトン環を有する酸安定モノマー（ａ３）の中でも、（メタ）アクリル酸（５−オキソ−４−オキサトリシクロ［４．２．１．０^3,7］ノナン−２−イル、（メタ）アクリル酸テトラヒドロ−２−オキソ−３−フリル、（メタ）アクリル酸２−（５−オキソ−４−オキサトリシクロ［４．２．１．０^3,7］ノナン−２−イルオキシ）−２−オキソエチルといったメタクリレートエステル類がより好ましい。

樹脂（Ａ）が、酸安定モノマー（ａ３−１）に由来する構造単位、酸安定モノマー（ａ３−２）に由来する構造単位及び酸安定モノマー（ａ３−３）に由来する構造単位からなる群より選ばれる少なくとも１種の構造単位〔酸安定モノマー（ａ３）に由来する構造単位〕を有する場合、その合計含有量は、樹脂（Ａ）の全構造単位（１００モル％）に対して、５〜５０モル％の範囲から選ばれ、１０〜４０モル％の範囲が好ましく、１５〜４０モル％の範囲がさらに好ましい。こうすることにより、該樹脂（Ａ）を含む本レジスト組成物は、より一層優れたＬＥＲを有するレジストパターンを製造できる。

＜酸安定モノマー（ａ４）＞
さらにその他の酸安定モノマーである酸安定モノマー（ａ４）としては、式（ａ４−１）で表される無水マレイン酸、式（ａ４−２）で表される無水イタコン酸、及び、式（ａ４−３）で表されるノルボルネン環を有する酸安定モノマー（以下、「酸安定モノマー（ａ４−３）」という。）などが挙げられる。

式（ａ４−３）中、
Ｒ^a25及びＲ^a26は、それぞれ独立に、水素原子、ヒドロキシ基を有していてもよい炭素数１〜３の脂肪族炭化水素基、シアノ基、カルボキシ基又は−ＣＯＯＲ^a27を表すか、或いはＲ^a25及びＲ^a26は互いに結合して−ＣＯ−Ｏ−ＣＯ−を形成する。
Ｒ^a27は、炭素数１〜１８の脂肪族炭化水素基又は炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基及び該脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。但し−ＣＯＯＲ^a27が酸不安定基となるものは除く（即ちＲ^a27は、第三級炭素原子が−Ｏ−と結合するものを含まない）。

式（ａ４−３）のＲ^a25及びＲ^a26において、ヒドロキシ基を有していてもよい脂肪族炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ヒドロキシメチル基及び２−ヒドロキシエチル基などが挙げられる。
Ｒ^a27の脂肪族炭化水素基は、好ましくは炭素数１〜８、より好ましくは炭素数１〜６の基である。脂環式炭化水素基は、好ましくは炭素数４〜１８、より好ましくは炭素数４〜１２の基である。このＲ^a27としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、２−オキソ−オキソラン−３−イル基及び２−オキソ−オキソラン−４−イル基などが挙げられる。

ノルボルネン環を有する酸安定モノマー（ａ４−３）としては、例えば、２−ノルボルネン、２−ヒドロキシ−５−ノルボルネン、５−ノルボルネン−２−カルボン酸、５−ノルボルネン−２−カルボン酸メチル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸２−ヒドロキシ−１−エチル、５−ノルボルネン−２−メタノール及び５−ノルボルネン−２，３−ジカルボン酸無水物などが挙げられる。

樹脂（Ａ）が、式（ａ４−１）で表される無水マレイン酸に由来する構造単位、式（ａ４−２）で表される無水イタコン酸に由来する構造単位及び酸安定モノマー（ａ４−３）に由来する構造単位からなる群より選ばれる少なくとも１種の構造単位〔酸安定モノマー（ａ４）に由来する構造単位〕を有する場合、その合計含有量は、樹脂（Ａ）の全構造単位（１００モル％）に対して、２〜４０モル％の範囲が好ましく、３〜３０モル％の範囲がより好ましく、５〜２０モル％の範囲がさらに好ましい。

さらに、酸安定モノマー（ａ４）としては、例えば、式（ａ４−４）で表されるスルトン環を分子内に有する酸安定モノマー（以下、場合により「酸安定モノマー（ａ４−４）」という。
）などが挙げられる。

式（ａ４−４）中、
Ｌ^a7は、酸素原子又は^＊−Ｔ−（ＣＨ₂）_k2−ＣＯ−Ｏ−（ｋ２は１〜７の整数を表す。Ｔは酸素原子又はＮＨである。）を表し、＊はカルボニル基との結合手を表す。
Ｒ^a28は、水素原子又はメチル基を表す。
Ｗ¹⁶は、置換基を有していてもよいスルトン環を含む残基を表す。

スルトン環としては、下記に示すものが挙げられる。スルトン環を含む残基の代表例は、下記に示すスルトン環にある水素原子の１つが、Ｌ^a7との結合手に置き換わったものである。

スルトン環を含む残基のうち置換基を有するものとは、上述のＬ^a7との結合手に置き換わった水素原子以外の水素原子がさらに置換基で置換されたものであり、該置換基としては、ヒドロキシ基、シアノ基、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のフッ化アルキル基、炭素数１〜６のヒドロキシアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、炭素数１〜７のアルコキシカルボニル基、炭素数１〜７のアシル基及び炭素数１〜８のアシルオキシ基が挙げられる。

酸安定モノマー（ａ４−４）の具体例を下記に示す。

樹脂（Ａ）が、酸安定モノマー（ａ４−４）に由来する構造単位を有する場合、その含有量は、樹脂（Ａ）の全構造単位（１００モル％）に対して、２〜４０モル％の範囲が好ましく、３〜３５モル％の範囲がより好ましく、５〜３０モル％の範囲がさらに好ましい。

また、酸安定モノマー（ａ４）としては、例えば、以下に示すようなフッ素原子を有するモノマー〔以下、場合により「酸安定モノマー（ａ４−５）」という。〕も使用できる。

このような酸安定モノマー（ａ４−５）の中でも、単環式又は多環式の脂環式炭化水素基を有する（メタ）アクリル酸５−（３，３，３−トリフルオロ−２−ヒドロキシ−２−［トリフルオロメチル］プロピル）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−イル、（メタ）アクリル酸６−（３，３，３−トリフルオロ−２−ヒドロキシ−２−［トリフルオロメチル］プロピル）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−イル、（メタ）アクリル酸４，４−ビス（トリフルオロメチル）−３−オキサトリシクロ［４．２．１．０^２，５］ノニルが好ましい。

樹脂（Ａ）が、酸安定モノマー（ａ４−５）に由来する構造単位を有する場合、その合計含有量は、樹脂（Ａ）の全構造単位（１００モル％）に対して、１〜２０モル％の範囲好ましく、２〜１５モル％の範囲がより好ましく、３〜１０モル％の範囲がさらに好ましい。

＜式（３）で表される基を有するその他の酸安定モノマー（以下、場合により「酸安定モノマー（ａ５）」という。）＞
酸安定モノマー（ａ５）は以下の式（３）で表される基を有するものである。

［式（３）中、Ｒ^１０は、炭素数１〜６のフッ化アルキル基を表す。］

Ｒ^１０のフッ化アルキル基はフッ素原子を有するアルキル基を意味する。該フッ化アルキル基としては、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基、１，１−ジフルオロエチル基、２，２−ジフルオロエチル基、２，２，２−トリフルオロエチル基、ペルフルオロエチル基、１，１，２，２−テトラフルオロプロピル基、１，１，２，２，３，３−ヘキサフルオロプロピル基、ペルフルオロエチルメチル基、１−（トリフルオロメチル）−１，２，２，２−テトラフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、１，１，２，２−テトラフルオロブチル基、１，１，２，２，３，３−ヘキサフルオロブチル基、１，１，２，２，３，３，４，４−オクタフルオロブチル基、ペルフルオロブチル基、１，１−ビス（トリフルオロ）メチル−２，２，２−トリフルオロエチル基、２−（パーフルオロプロピル）エチル基、１，１，２，２，３，３，４，４−オクタフルオロペンチル基、ペルフルオロペンチル基、１，１，２，２，３，３，４，４，５，５−デカフルオロペンチル基、１，１−ビス（トリフルオロメチル）−２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロピル基、ペルフルオロペンチル基、２−（パーフルオロブチル）エチル基、１，１，２，２，３，３，４，４，５，５−デカフルオロヘキシル基、１，１，２，２，３，３，４，４，５，５，６，６−ドデカフルオロヘキシル基、ペルフルオロペンチルメチル基及びペルフルオロヘキシル基が挙げられる。

Ｒ^１０のフッ化アルキル基は、その炭素数が１〜４であると好ましく、トリフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基及びペルフルオロプロピル基がより好ましく、トリフルオロメチル基が特に好ましい。

酸安定モノマー（ａ５）としては、例えば、以下で表されるものが挙げられる。

樹脂（Ａ）が、酸安定モノマー（ａ５）に由来する構造単位に由来する構造単位を有する場合、その含有量は、樹脂（Ａ）の全構造単位（１００モル％）に対して、５〜９０モル％の範囲が好ましく、１０〜８０モル％の範囲がより好ましく、２０〜７０モル％の範囲がさらに好ましい。

＜式（４）で表される基を有する酸安定モノマー（以下、場合により「酸安定モノマー（ａ６）」という。）＞
酸安定モノマー（ａ６）は以下の式（４）で表される基を有するものである。

［式（４）中、Ｒ^１１は置換基を有してもよい炭素数６〜１２の芳香族炭化水素基を表す。
Ｒ^１２は、置換基を有してもよい炭素数１〜１２の炭化水素基を表し、該炭化水素基は、ヘテロ原子を含んでいてもよい。
Ａ^２は、単結合、−（ＣＨ_２）_ｍ−ＳＯ_２−Ｏ−＊又は−（ＣＨ_２）_ｍ−ＣＯ−Ｏ−＊を表し、該〔−（ＣＨ_２）_ｍ−〕に含まれるメチレン基は、酸素原子、カルボニル基又はスルホニル基に置き換わっていてもよく、該〔−（ＣＨ_２）_ｍ−〕に含まれる水素原子は、フッ素原子に置き換わっていてもよい。
ｍは、１〜１２の整数を表す。］

Ｒ^１１における炭素数６〜１２の芳香族炭化水素基は、例えば、フェニル基、ビフェニル基、フルオレニル基、ナフチル基及びアントリル基などが挙げられる。これら芳香族炭化水素基が置換基を有する場合、その置換基は、炭素数１〜４のアルキル基、ハロゲン原子、フェニル基、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシ基、フェニルオキシ基及びｔｅｒｔ−ブチルフェニル基などである。ここでいう炭素数１〜４のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基及びブチル基が挙げられ、ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられる。

Ｒ^１１としては、以下の基が挙げられる。なお、＊は炭素原子との結合手である。

Ｒ^１２における炭素数１〜１２の炭化水素基としては、脂肪族炭化水素基、脂環式炭化水素基及び芳香族炭化水素基のいずれでもよい。
脂肪族炭化水素基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、ｎ−ウンデシル基及びドデシル基などの直鎖状アルキル基
イソプロピル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、メチルペンチル基、エチルペンチル基、メチルヘキシル基、エチルヘキシル基、プロピルヘキシル基及びｔｅｒｔ−オクチル基などの分岐鎖状アルキル基でもよいが、好ましくはイソプロピル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基及びエチルヘキシル基である。

脂環式炭化水素基としては、以下に示す基が挙げられる。

Ｒ^１２が脂肪族炭化水素基又は脂環式炭化水素基である場合、これら脂肪族炭化水素基又は脂環式炭化水素基はヘテロ原子を含んでいてもよい。該ヘテロ原子としては、ハロゲン原子、硫黄原子、酸素原子又は窒素原子などである〔連結基として、スルホニル基、カルボニル基を含む形態でもよい〕。

このようなヘテロ原子を含むＲ^１２としては、以下に示す基が挙げられる。

Ｒ^１２が芳香族炭化水素基である場合、その具体例は、Ｒ^１１の場合で説明したものと同じである。

Ａ^２としては、下記の基が挙げられる。

酸安定モノマー（ａ６）としては、例えば、式（ａ６−１）で表されるモノマーが好ましい。

［式（ａ６−１）中、Ｒ^１３は、水素原子又はメチル基を表す。
Ｒ^１１、Ｒ^１２及びＡ^２は、上記と同じ意味を表す。］

式（ａ６−１）で表されるモノマーの具体例は、以下で表される化合物を挙げることができる。

樹脂（Ａ）が、モノマー（ａ６）に由来する構造単位を有する場合、その含有量は、樹脂（Ａ）の全構造単位（１００モル％）に対して、５〜９０モル％の範囲が好ましく、１０〜８０モル％の範囲がより好ましく、２０〜７０モル％の範囲がさらに好ましい。

好ましい樹脂（Ａ）は、化合物（ａ）と、モノマー（ａ１）と、酸安定モノマー（ａ２）及び／又は酸安定モノマー（ａ３）とを重合させて得られる共重合体である。この好ましい共重合体において、モノマー（ａ１）として、上述のモノマー（ａ１−１）及びモノマー（ａ１−２）の少なくとも１種を用いることが好ましく、モノマー（ａ１−１）を用いることがさらに好ましい。酸安定モノマー（ａ２）としては、酸安定モノマー（ａ２−１）が好ましく、酸安定モノマー（ａ３）としては、酸安定モノマー（ａ３−１）及び酸安定モノマー（ａ３−２）の少なくとも１種が好ましい。
より一層優れたＬＥＲを有するレジストパターンを製造できる本レジスト組成物を得るうえでは、化合物（ａ）と、モノマー（ａ１−１）及び／又はモノマー（ａ１−２）と、酸安定モノマー（ａ３−１）、酸安定モノマー（ａ３−２）及び酸安定モノマー（ａ３−３）からなる群より選ばれる酸安定モノマー（ａ３）とを重合させて得られる共重合体を樹脂（Ａ）として用いることが一層好ましい。

樹脂（Ａ）は、化合物（ａ）と、モノマー（ａ１）と、必要に応じて、酸安定モノマー（ａ２）、酸安定モノマー（ａ３）及び酸安定モノマー（ａ４）からなる群より選ばれる酸安定モノマーとを用い、これらが上述のとおりの樹脂（Ａ）の全構造単位に対する好適な含有量になるようにして使用量を調節した後、公知の重合法（例えばラジカル重合法）により製造することができる。
樹脂（Ａ）の重量平均分子量は、好ましくは２，５００以上であり、より好ましくは３，０００以上である。また、該重量平均分子量は５０，０００以下が好ましく、３０，０００以下がさらに好ましい。なお、ここでいう重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー分析により、標準ポリスチレン基準の換算値として求められるものであり、該分析の詳細な分析条件は、本願の実施例で詳述する。

＜酸発生剤（Ｂ）＞
式（Ｂ１）で表される塩（以下、場合により「酸発生剤（Ｂ）」という。）は、本レジスト組成物において酸発生剤として機能するものである。なお、以下の説明において、この酸発生剤（Ｂ）のうち、正電荷を有するＺ^＋は「有機カチオン」といい、該有機カチオンを除去してなる負電荷を有するものを「スルホン酸アニオン」ということがある。

式（Ｂ１）中、
Ｑ¹及びＱ²は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表す。
Ｌ^b1は、単結合又は炭素数１〜１７の２価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。
Ｙは、置換基を有していてもよい炭素数１〜１８の脂肪族炭化水素基又は置換基を有していてもよい炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基及び該脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子、スルホニル基又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。
Ｚ⁺は、有機カチオンである。

Ｑ¹及びＱ²のペルフルオロアルキル基は例えば、トリフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、ペルフルオロイソプロピル基、ペルフルオロブチル基、ペルフルオロｓｅｃ−ブチル基、ペルフルオロｔｅｒｔ−ブチル基、ペルフルオロペンチル基及びペルフルオロヘキシル基などが挙げられる。
本レジスト組成物には、Ｑ¹及びＱ²は、それぞれ独立に、トリフルオロメチル基又はフッ素原子である酸発生剤（Ｂ）が好ましく、Ｑ¹及びＱ²がともにフッ素原子である酸発生剤（Ｂ）がより好ましい。Ｑ¹及びＱ²がともにフッ素原子である酸発生剤（Ｂ）と、樹脂（Ａ）とを含む本レジスト組成物は、ＬＥＲがより一層優れたレジストパターンを製造することができる。

Ｌ^b1の２価の飽和炭化水素基としては、直鎖状アルカンジイル基、分岐鎖状アルカンジイル基及び、単環式又は多環式の２価の脂環式炭化水素基が挙げられ、これらの基のうち２種以上を組み合わせたものでもよい。具体的な２価の飽和炭化水素基を、以下に示す。
メチレン基、エチレン基、プロパン−１，３−ジイル基、プロパン−１，２−ジイル基、ブタン−１，４−ジイル基、ペンタン−１，５−ジイル基、ヘキサン−１，６−ジイル基、ヘプタン−１，７−ジイル基、オクタン−１，８−ジイル基、ノナン−１，９−ジイル基、デカン−１，１０−ジイル基、ウンデカン−１，１１−ジイル基、ドデカン−１，１２−ジイル基、トリデカン−１，１３−ジイル基、テトラデカン−１，１４−ジイル基、ペンタデカン−１，１５−ジイル基、ヘキサデカン−１，１６−ジイル基、ヘプタデカン−１，１７−ジイル基、エタン−１，１−ジイル基、プロパン−１，１−ジイル基及びプロパン−２，２−ジイル基などの直鎖状アルカンジイル基；
直鎖状アルカンジイル基に、アルキル基（特に、炭素数１〜４のアルキル基、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基など）の側鎖を含む分岐状アルカンジイル基、例えば、ブタン−１，３−ジイル基、２−メチルプロパン−１，３−ジイル基、２−メチルプロパン−１，２−ジイル基、ペンタン−１，４−ジイル基、２−メチルブタン−１，４−ジイル基などの分岐状アルカンジイル基；
シクロブタン−１，３−ジイル基、１，３−シクロペンタン−１，３−ジイル基、シクロヘキサン−１，４−ジイル基及びシクロオクタン−１，５−ジイル基などのシクロアルカンジイル基である単環式の２価の脂環式炭化水素基；
ノルボルナン−１，４−ジイル基、ノルボルナン−２，５−ジイル基、１，５−アダマンタン−１，５−ジイル基及びアダマンタン−２，６−ジイル基などの多環式の２価の脂環式炭化水素基等が挙げられる。

Ｌ^b1における前記２価の飽和炭化水素基に含まれるメチレン基が、酸素原子又はカルボニル基に置き換わったものとしては、例えば、以下の式（ｂ１−１）、式（ｂ１−２）、式（ｂ１−３）、式（ｂ１−４）、式（ｂ１−５）及び式（ｂ１−６）〔以下、「式（ｂ１−１）〜式（ｂ１−６）」のように表記する。〕のいずれかで示される基が挙げられる。Ｌ^b1は、好ましくは式（ｂ１−１）〜式（ｂ１−４）のいずれかで示される基であり、さらに好ましくは式（ｂ１−１）又は式（ｂ１−２）で示される基である。なお、式（ｂ１−１）〜式（ｂ１−６）は、その左右を式（Ｂ１）に合わせて記載しており、左側の結合手は、Ｃ（Ｑ¹）（Ｑ²）と結合し、右側の結合手はＹと結合している。後述する式（ｂ１−１）〜式（ｂ１−６）で示される基の具体例も同様である。

式（ｂ１−１）〜式（ｂ１−６）中、
Ｌ^b2は、単結合又は炭素数１〜１５の２価の飽和炭化水素基を表す。
Ｌ^b3は、単結合又は炭素数１〜１２の２価の飽和炭化水素基を表し、Ｌ^b4は、炭素数１〜１３の飽和炭化水素基を表す。但し、Ｌ^b3及びＬ^b4の合計炭素数の上限は１３である。
Ｌ^b5は、炭素数１〜１５の２価の飽和炭化水素基を表す。
Ｌ^b6及びＬ^b7は、それぞれ独立に、炭素数１〜１５の２価の飽和炭化水素基を表す。但し、Ｌ^b6及びＬ^b7の合計炭素数の上限は１６である。
Ｌ^b8は、炭素数１〜１４の２価の飽和炭化水素基を表す。
Ｌ^b9及びＬ^b10は、それぞれ独立に、炭素数１〜１１の２価の飽和炭化水素基を表す。但し、Ｌ^b9及びＬ^b10の合計炭素数の上限は１２である。
本レジスト組成物には、これらの中でも、式（ｂ１−１）で表される基をＬ^b1として有する酸発生剤（Ｂ）が好ましく、Ｌ^b2が単結合又はメチレン基である式（ｂ１−１）で表される基をＬ^b1として有する酸発生剤（Ｂ）がより好ましい。

ここで、式（ｂ１−１）〜式（ｂ１−６）で表される基の具体例を挙げる。なお、＊は結合手を表す。
式（ｂ１−１）で表される基は例えば、以下のものが挙げられる。

式（ｂ１−２）で表される基は例えば、以下のものが挙げられる。

式（ｂ１−３）で表される基は例えば、以下のものが挙げられる。

式（ｂ１−４）で表される基は例えば、以下のものが挙げられる。

式（ｂ１−５）で表される基は例えば、以下のものが挙げられる。

式（ｂ１−６）で表される基は例えば、以下のものが挙げられる。

Ｌ^b1の２価の飽和炭化水素基は置換基を有していてもよい。この置換基は例えば、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、カルボキシ基、炭素数６〜１８の芳香族炭化水素基、炭素数７〜２１のアラルキル基、炭素数２〜４のアシル基及びグリシジルオキシ基などが挙げられる。該芳香族炭化水素基は例えば、フェニル基、トシル基及びナフチル基などが挙げられる。該アラルキル基は例えば、ベンジル基、フェネチル基、フェニルプロピル基、トリチル基、ナフチルメチル基及びナフチルエチル基などが挙げられる。該アシル基としては、アセチル基及プロピオニル基などが挙げられる。

式（Ｂ１）におけるＹは、置換基を有していてもよい炭素数１〜１８の脂肪族炭化水素基又は置換基を有していてもよい炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基を表す。
Ｙの脂肪族炭化水素基としてはアルキル基が好ましく、炭素数１〜６のアルキル基がさらに好ましい。アルキル基は直鎖であっても、分岐していてもよい。また、Ｙの脂環式炭化水素基とは、炭素数３〜１２の脂環式炭化水素基がさらに好ましい。脂環式炭化水素基は単環式であっても、多環式であってもよい。
上述のように、脂肪族炭化水素基及び脂環式炭化水素基は任意に置換基を有する。ここで、「置換基を有する脂肪族炭化水素基」とは、該脂肪族炭化水素基に含まれる水素原子が、置換基に置換されている基を意味する。一方、「置換基を有する脂環式炭化水素基」とは、該脂環式炭化水素基に含まれる水素原子が、置換基に置換されている基を意味する。ここでいう置換基は例えば、ハロゲン原子（但し、フッ素原子を除く）、ヒドロキシ基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数６〜１８の芳香族炭化水素基、炭素数７〜２１のアラルキル基、炭素数２〜４のアシル基、グリシジルオキシ基又は−（ＣＨ₂）_j2−Ｏ−ＣＯ−Ｒ^b1で表される基（式中、Ｒ^b1は、炭素数１〜１６の脂肪族炭化水素基、炭素数３〜１６の脂環式炭化水素基又は炭素数６〜１８の芳香族炭化水素基を表す。ｊ２は、０〜４の整数を表す。）などが挙げられる。該脂環式炭化水素基、該芳香族炭化水素基及び該アラルキル基に含まれる水素原子は、例えば、アルキル基、ハロゲン原子又はヒドロキシ基で置換されていてもよい。
Ｙの脂肪族炭化水素基に含まれる水素原子は、炭素数３〜１６の脂環式炭化水素基で置換されていてもよく、Ｙの脂環式炭化水素基に含まれる水素原子は、炭素数１〜１８の脂肪族炭化水素基で置換されていてもよい。
Ｙの脂肪族炭化水素基又は脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子、スルホニル基又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。
該脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基が、酸素原子、スルホニル基又はカルボニル基に置き換わった基としては例えば、環状エーテル基（脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基の１つ又は２つが酸素原子に置き換わった基）、環状ケトン基（脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基の１つ又は２つがカルボニル基に置き換わった基）、スルトン環基（脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基のうち隣り合う２つのメチレン基が、それぞれ、酸素原子及びスルホニル基に置き換わった基）及びラクトン環基（脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基のうち隣り合う２つのメチレン基が、それぞれ、酸素原子及びカルボニル基に置き換わった基）などが挙げられる。
なかでも、Ｙは、置換基を有していてもよい炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基であることが好ましい。

Ｙの脂環式炭化水素基としては、以下の式（Ｙ１）〜式（Ｙ２６）のいずれかで表される基が好ましい。ここで、式（Ｙ１２）〜式（Ｙ２６）で表される基が、脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基の１〜３個がそれぞれ、酸素原子、スルホニル基又はカルボニル基からなる群より選ばれる基に置き換わった基に該当する。なお、これら式（Ｙ１）〜式（Ｙ２６）で表される基において、＊はＬ^b1に結合している結合手を表す。

これらの例示の中でも、Ｙとしては、式（Ｙ１）〜式（Ｙ１９）のいずれかで表される基が好ましく、式（Ｙ１１）、式（Ｙ１４）、式（Ｙ１５）又は式（Ｙ１９）で表される基がさらに好ましく、式（Ｙ１１）又は式（Ｙ１４）で表される基がより好ましい。

環を構成する原子の炭素原子にアルキル基が結合してなる脂環式炭化水素基としては、例えば以下のものが挙げられる。

ヒドロキシ基を有する脂環式炭化水素基としては、例えば以下のものが挙げられる。

芳香族炭化水素基を有する脂環式炭化水素基としては、例えば以下のものが挙げられる。

−（ＣＨ₂）_j2−Ｏ−ＣＯ−Ｒ^b1で表される基を有する脂環式炭化水素基としては、例えば以下のものが挙げられる。

Ｙとしては、ヒドロキシ基を有していてもよいアダマンチル基であると好ましく、さらに好ましいＹとしてはアダマンチル基又はヒドロキシアダマンチル基を挙げることができる。

スルホン酸アニオンとしては、以下の式（ｂ１−１−１）〜式（ｂ１−１−９）で表されるスルホン酸アニオンを挙げることができる。これらのスルホン酸アニオンにおいて、Ｌ^b1は式（ｂ１−１）で表される基が好ましい。また、Ｒ^b2及びＲ^b3は、それぞれ独立に、Ｙの脂肪族炭化水素基又脂環式炭化水素基が有していてもよい置換基として挙げたものと同じであり、炭素数１〜４の脂肪族炭化水素基及びヒドロキシ基が好ましく、メチル基及びヒドロキシ基がより好ましい。

Ｙが無置換の脂肪族炭化水素基又は無置換の脂環式炭化水素基であり、Ｌ^b1が式（ｂ１−１）で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。

Ｙが無置換の脂環式炭化水素基又は置換基として脂肪族炭化水素基を有する脂環式炭化水素基であり、Ｌ^b1が式（ｂ１−１）で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。

Ｙが−（ＣＨ₂）_j2−Ｏ−ＣＯ−Ｒ^b1で表される基を有する脂環式炭化水素基であり、Ｌ^b1が式（ｂ１−１）で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。

Ｙが、ヒドロキシ基を有する脂環式炭化水素基であり、Ｌ^b1が式（ｂ１−１）で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。

Ｙが、芳香族炭化水素基又はアラルキル基を有する脂環式炭化水素基であり、Ｌ^b1が式（ｂ１−１）で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。

Ｙが、前記環状エーテル基であり、Ｌ^b1が式（ｂ１−１）で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。

Ｙが、前記ラクトン環基であり、Ｌ^b1が式（ｂ１−１）で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。

Ｙが、前記環状ケトン基であり、Ｌ^b1が式（ｂ１−１）で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。

Ｙが、前記スルトン環基であり、Ｌ^b1が式（ｂ１−１）で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。

Ｙが、脂肪族炭化水素基又は無置換の脂環式炭化水素基であり、Ｌ^b1が式（ｂ１−２）で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。

Ｙが、−（ＣＨ₂）_j2−Ｏ−ＣＯ−Ｒ^b1で表される基を有する脂環式炭化水素基であり、Ｌ^b1が式（ｂ１−２）で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。

Ｙが、ヒドロキシ基を有する脂環式炭化水素基であり、Ｌ^b1が式（ｂ１−２）で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。

Ｙが、芳香族炭化水素基を有する脂環式炭化水素基であり、Ｌ^b1が式（ｂ１−２）で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。

Ｙが、前記環状エーテル基であり、Ｌ^b1が式（ｂ１−２）で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。

Ｙが、前記ラクトン環基であり、Ｌ^b1が式（ｂ１−２）で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。

Ｙが、前記環状ケトン基であり、Ｌ^b1が式（ｂ１−２）で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。

Ｙが、前記スルトン環基であり、Ｌ^b1が式（ｂ１−２）で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。

Ｙが、脂肪族炭化水素基であり、Ｌ^b1が式（ｂ１−３）で表される２価の基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。

Ｙが、アルコキシ基を有する脂環式炭化水素基であり、Ｌ^b1が式（ｂ１−３）で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。

Ｙが、ヒドロキシ基を有する脂環式炭化水素基であり、Ｌ^b1が式（ｂ１−３）で表される２価の基であるスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。

Ｙが、前記環状ケトン基であり、Ｌ^b1が式（ｂ１−３）で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。

Ｙが脂環式炭化水素基であり、Ｌ^b1が式（ｂ１−４）で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。

Ｙが、アルコキシ基を有する脂環式炭化水素基であり、Ｌ^b1が式（ｂ１−４）で表される基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。

Ｙが、ヒドロキシ基を有する脂環式炭化水素基であり、Ｌ^b1が式（ｂ１−４）で表される基であるスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。

Ｙが前記環状ケトン基であり、Ｌ^b1が式（ｂ１−４）で表される２価の基であるスルホン酸アニオンとしては例えば、以下のものが挙げられる。

以上例示したスルホン酸アニオンの中でも、Ｌ^b1が式（ｂ１−１）で表される基であるものが好ましい。より好ましいスルホン酸アニオンを以下に示す。

酸発生剤（Ｂ）に含まれるカチオンは例えば、オニウムカチオン、スルホニウムカチオン、ヨードニウムカチオン、アンモニウムカチオン、ベンゾチアゾリウムカチオン及びホスホニウムカチオン等が挙げられる。これらの中でも、スルホニウムカチオン及びヨードニウムカチオンが好ましく、アリールスルホニウムカチオンがより好ましい。

酸発生剤（Ｂ）中の有機カチオン（Ｚ⁺）としてもスルホニウムカチオン及びヨードニウムカチオンが好ましく、さらに好ましくは、以下の式（ｂ２−１）、式（ｂ２−２）、式（ｂ２−３）及び式（ｂ２−４）のいずれかで表される有機カチオン〔以下、各式の番号に応じて、「カチオン（ｂ２−１）」、「カチオン（ｂ２−２）」、「カチオン（ｂ２−３）」及び「カチオン（ｂ２−４）」ということがある。〕である。

式（ｂ２−１）〜式（ｂ２−４）において、
Ｒ^b4、Ｒ^b5及びＲ^b6は、それぞれ独立に、炭素数１〜３０の脂肪族炭化水素基、炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基又は炭素数６〜１８の芳香族炭化水素基を表す。該脂肪族炭化水素基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基、炭素数１〜１２のアルコキシ基又は炭素数６〜１８の芳香族炭化水素基で置換されていてもよく、該脂環式炭化水素基に含まれる水素原子は、ハロゲン原子、炭素数２〜４のアシル基又はグリシジルオキシ基で置換されていてもよく、該芳香族炭化水素基に含まれる水素原子は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数１〜１８の脂肪族炭化水素基、炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基又は炭素数１〜１２のアルコキシ基で置換されていてもよい。
Ｒ^b7及びＲ^b8は、それぞれ独立に、ヒドロキシ基、炭素数１〜１２の脂肪族炭化水素基又は炭素数１〜１２のアルコキシ基を表す。
ｍ２及びｎ２は、それぞれ独立に０〜５の整数を表す。
Ｒ^b9及びＲ^b10は、それぞれ独立に、炭素数１〜１８の脂肪族炭化水素基又は炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基を表す。
Ｒ^b11は、水素原子、炭素数１〜１８の脂肪族炭化水素基、炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基又は炭素数６〜１８の芳香族炭化水素基を表す。
Ｒ^b9、Ｒ^b10及びＲ^b11は、それぞれ独立に、脂肪族炭化水素基又は脂環式炭化水素基であり、これらが脂肪族炭化水素基である場合、その炭素数は１〜１２であることが好ましく、脂環式炭化水素基である場合、その炭素数は３〜１８であることが好ましく、４〜１２であることがさらに好ましい。
Ｒ^b12は、炭素数１〜１２の脂肪族炭化水素基、炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基又は炭素数６〜１８の芳香族炭化水素基を表す。該芳香族炭化水素基に含まれる水素原子は、炭素数１〜１２の脂肪族炭化水素基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基又は炭素数１〜１２のアルキルカルボニルオキシ基で置換されていてもよい。
Ｒ^b9とＲ^b10との組み合わせ、及び／又は、Ｒ^b11とＲ^b12との組み合わせは、それぞれ独立に、互いに結合して３員環〜１２員環（好ましくは３員環〜７員環）の脂環式炭化水素環を形成していてもよく、該脂環式炭化水素環に含まれるメチレン基が、酸素原子、硫黄原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。

Ｒ^b13、Ｒ^b14、Ｒ^b15、Ｒ^b16、Ｒ^b17及びＲ^b18は、それぞれ独立に、ヒドロキシ基、炭素数１〜１２の脂肪族炭化水素基又は炭素数１〜１２のアルコキシ基を表す。
Ｌ^b11は、酸素原子又は硫黄原子を表す。
ｏ２、ｐ２、ｓ２及びｔ２は、それぞれ独立に、０〜５の整数を表す。
ｑ２及びｒ２は、それぞれ独立に、０〜４の整数を表す。
ｕ２は０又は１を表す。
ｏ２が２以上であるとき、複数のＲ^b13は互いに同一でも異なっていてもよく、ｐ２が２以上であるとき、複数のＲ^b14は互いに同一でも異なっていてもよく、ｓ２が２以上であるとき、複数のＲ^b15は互いに同一でも異なっていてもよく、ｔ２が２以上であるとき、複数のＲ^b18は互いに同一でも異なっていてもよい。

Ｒ^b12のアルキルカルボニルオキシ基としては例えば、メチルカルボニルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、ｎ−プロピルカルボニルオキシ基、イソプロピルカルボニルオキシ基、ｎ−ブチルカルボニルオキシ基、ｓｅｃ−ブチルカルボニルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルカルボニルオキシ基、ペンチルカルボニルオキシ基、ヘキシルカルボニルオキシ基、オクチルカルボニルオキシ基及び２−エチルヘキシルカルボニルオキシ基などが挙げられる。

Ｒ^b9〜Ｒ^b12の脂肪族炭化水素基のうち好ましい基は例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基及び２−エチルヘキシル基などである。
Ｒ^b9〜Ｒ^b11の脂環式炭化水素基のうち好ましい基は例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロデシル基、２−アルキルアダマンタン−２−イル基、１−（アダマンタン−１−イル）アルカン−１−イル基及びイソボルニル基などである。
Ｒ^b12の芳香族炭化水素基のうち好ましい基は例えば、フェニル基、４−メチルフェニル基、４−エチルフェニル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、４−シクロへキシルフェニル基、４−メトキシフェニル基、ビフェニリル基及びナフチル基などである。
Ｒ^b12の脂肪族炭化水素基を有する芳香族炭化水素基としては、アラルキル基が挙げられ、具体的にはベンジル基が挙げられる。
Ｒ^b9とＲ^b10との組み合わせが結合して形成する環としては例えば、チオラン−１−イウム環（テトラヒドロチオフェニウム環）、チアン−１−イウム環及び１，４−オキサチアン−４−イウム環などが挙げられる。
Ｒ^b11とＲ^b12との組み合わせが結合して形成する環としては例えば、オキソシクロヘプタン環、オキソシクロヘキサン環、オキソノルボルナン環及びオキソアダマンタン環などが挙げられる。

例示した有機カチオンの中でも、カチオン（ｂ２−１）が好ましく、以下の式（ｂ２−１−１）で表される有機カチオン〔以下、「カチオン（ｂ２−１−１）」という。〕がより好ましく、トリフェニルスルホニウムカチオン（式（ｂ２−１−１）中、ｖ２＝ｗ２＝ｘ２＝０である。）又はトリトリルスルホニウムカチオン（式（ｂ２−１−１）中、ｖ２＝ｗ２＝ｘ２＝１であり、Ｒ¹⁹、Ｒ²⁰及びＲ²¹がいずれもメチル基である。）がさらに好ましい。

式（ｂ２−１−１）中、
Ｒ^b19、Ｒ^b20及びＲ^b21は、それぞれ独立に、ハロゲン原子（より好ましくはフッ素原子）、ヒドロキシ基、炭素数１〜１８の脂肪族炭化水素基、炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基又は炭素数１〜１２のアルコキシ基を表す。
該脂肪族炭化水素基としては、炭素数１〜１２の脂肪族炭化水素基が好ましく、炭素数１〜１２のアルキル基がより好ましい。該脂肪族炭化水素基は、置換基として、ヒドロキシ基、炭素数１〜１２のアルコキシ基又は炭素数６〜１８の芳香族炭化水素基を有していてもよい。
該脂環式炭化水素基の炭素数は４〜１８であることが好ましい。前記脂環式炭化水素基は、置換基として、ハロゲン原子、炭素数２〜４のアシル基又はグリシジルオキシ基を有していてもよい。
ｖ２、ｗ２及びｘ２は、それぞれ独立に０〜５の整数（好ましくは０又は１）を表す。
ｖ２が２以上のとき、複数のＲ^b19は互いに同一でも異なっていてもよく、ｗ２が２以上のとき、複数のＲ^b20は互いに同一でも異なっていてもよく、ｘ２が２以上のとき、複数のＲ^b21は互いに同一でも異なっていてもよい。
なかでも、Ｒ^b19、Ｒ^b20及びＲ^b21の各々は、ハロゲン原子（より好ましくはフッ素原子）、ヒドロキシ基、炭素数１〜１２のアルキル基、又は炭素数１〜１２のアルコキシ基であることが好ましい。

カチオン（ｂ２−１−１）の具体例としては、以下のものが挙げられる。

このような有機カチオンを有する酸発生剤（Ｂ）を含む本レジスト組成物は、より良好なフォーカスマージンでレジストパターンを製造することができるという利点もある。

カチオン（ｂ２−２）の具体例としては、以下のものが挙げられる。

カチオン（ｂ２−３）の具体例としては、以下のものが挙げられる。

カチオン（ｂ２−４）の具体例としては、以下のものが挙げられる。

酸発生剤（Ｂ）は上述のスルホン酸アニオン及び上述の有機カチオンの組合せであり、これらは任意に組み合わせることができるが、式（ｂ１−１−１）〜式（ｂ１−１−９）のいずれかで表されるスルホン酸アニオンとカチオン（ｂ２−１−１）との組合せである酸発生剤（Ｂ）、並びに式（ｂ１−１−３）〜式（ｂ１−１−５）のいずれかで表されるスルホン酸アニオンとカチオン（ｂ２−３）との組合せである酸発生剤（Ｂ）が好ましい。

さらに好ましい酸発生剤（Ｂ）は、以下の式（Ｂ１−１）〜式（Ｂ１−１７）のいずれかで表される塩である。これらの中でも、Ｙが置換基を有していてもよい脂環式炭化水素基である塩が好ましく、具体的には、式（Ｂ１−１）、式（Ｂ１−２）、式（Ｂ１−３）、式（Ｂ１−４）、式（Ｂ１−５）、式（Ｂ１−６）、式（Ｂ１−１１）及び式（Ｂ１−１５）のいずれかで表される塩がより好ましい。また、酸発生剤（Ｂ）を製造することが容易であるなどの点では、トリフェニルスルホニウムカチオン又はトリトリルスルホニウムカチオンを含む酸発生剤（Ｂ）が好ましく、式（Ｂ１−１）、式（Ｂ１−２）、式（Ｂ１−６）、式（Ｂ１−１１）、式（Ｂ１−１２）、式（Ｂ１−１３）及び（Ｂ１−１４）、並びに式（Ｂ１−３）のいずれかで表される塩がより好ましい。

＜塩基性化合物（以下、「塩基性化合物（Ｃ）」という。）＞
本レジスト組成物は、塩基性化合物（Ｃ）を含むことが好ましい。ここでいう「塩基性化合物」とは、酸を捕捉するという特性を有する化合物、特に、酸発生剤から発生する酸を捕捉するという特性を有する化合物を意味する。

塩基性化合物（Ｃ）は、好ましくは塩基性の含窒素有機化合物であり、例えば、アミン及びアンモニウムヒドロキシドを挙げることができる。アミンは、脂肪族アミンでも、芳香族アミンでもよい。脂肪族アミンは、第一級アミン、第二級アミン及び第三級アミンのいずれも使用できる。芳香族アミンは、アニリンのような芳香環にアミノ基が結合したものや、ピリジンのような複素芳香族アミンのいずれでもよい。好ましい塩基性化合物（Ｃ）として、以下の式（Ｃ２）で表される芳香族アミン、特に、以下の式（Ｃ２−１）で表されるアニリン類が挙げられる。

ここで、Ａｒ^c1は、芳香族炭化水素基を表す。
Ｒ^c5及びＲ^c6は、それぞれ独立に、水素原子、脂肪族炭化水素基（好ましくは、炭素数１〜６程度の脂肪族炭化水素基であり、さらに好ましくは、炭素数１〜６程度のアルキル基である。）、脂環式炭化水素基（好ましくは、炭素数５〜１０程度の脂環式炭化水素基である。）又は芳香族炭化水素基（好ましくは、炭素数６〜１０程度の芳香族炭化水素基である。）を表す。但し、該脂肪族炭化水素基、該脂環式炭化水素基及び該芳香族炭化水素基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基、アミノ基、又は炭素数１〜６のアルコキシ基で置換されていてもよく、該アミノ基はさらに、炭素数１〜４のアルキル基を有していてもよい。
Ｒ^c7は、脂肪族炭化水素基（好ましくは、炭素数１〜６程度の脂肪族炭化水素基であり、さらに好ましくは、炭素数１〜６程度のアルキル基である。）、炭素数１〜６程度のアルコキシ基、脂環式炭化水素基（好ましくは、炭素数５〜１０程度の脂環式炭化水素基であり、さらに好ましくは、炭素数５〜１０程度のシクロアルキル基である。）又は芳香族炭化水素基（好ましくは、炭素数６〜１０程度の芳香族炭化水素基である。）を表す。但し、該脂肪族炭化水素基、該アルコキシ基、該脂環式炭化水素基及び該芳香族炭化水素基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基、アミノ基、又は炭素数１〜６のアルコキシ基で置換されていてもよく、該アミノ基はさらに、炭素数１〜４のアルキル基を有していてもよい。
ｍ３は０〜３の整数を表す。ｍ３が２以上のとき、複数のＲ^c7は、互いに同一でも異なっていてもよい。

式（Ｃ２）で表される芳香族アミンは例えば、１−ナフチルアミン及び２−ナフチルアミンなどが挙げられる。
式（Ｃ２−１）で表されるアニリン類は例えば、アニリン、ジイソプロピルアニリン、２−，３−又は４−メチルアニリン、４−ニトロアニリン、Ｎ−メチルアニリン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン及びジフェニルアミンなどが挙げられる。

また、以下の式（Ｃ３）〜式（Ｃ１１）のいずれかで表される化合物を用いることができる。

ここで、
Ｒ^c8は、上記Ｒ^c7で説明したいずれかの基を表す。
Ｒ^c20、Ｒ^c21、Ｒ^c23、Ｒ^c24、Ｒ^c25、Ｒ^c26、Ｒ^c27及びＲ^c28の具体例は、上記Ｒ^c7で説明したいずれかの基を表す。
Ｒ^c9、Ｒ^c10、Ｒ^c11、Ｒ^c12、Ｒ^c13、Ｒ^c14、Ｒ^c16、Ｒ^c19及びＲ^c22の具体例は、前記のＲ^c5及びＲ^c6で説明したいずれかの基を表す。
ｏ３、ｐ３、ｑ３、ｒ３、ｓ３、ｔ３及びｕ３は、それぞれ独立に０〜３の整数を表す。ｏ３が２以上であるとき、複数のＲ^c20は互いに同一でも異なっていてもよく、ｐ３が２以上であるとき、複数のＲ^c21は互いに同一でも異なっていてもよく、ｑ３が２以上であるとき、複数のＲ^c24は互いに同一でも異なっていてもよく、ｒ３が２以上であるとき、複数のＲ^c25は互いに同一でも異なっていてもよく、ｓ３が２以上であるとき、複数のＲ^c26は互いに同一でも異なっていてもよく、ｔ３が２以上であるとき、複数のＲ^c27は互いに同一でも異なっていてもよく、ｕ３が２以上であるとき、複数のＲ^c28は互いに同一でも異なっていてもよい。
Ｒ^c15は、脂肪族炭化水素基（好ましくは、炭素数１〜６程度の脂肪族炭化水素基である。）、脂環式炭化水素基（好ましくは、炭素数３〜６程度の脂環式炭化水素基である。
）又はアルカノイル基（好ましくは、炭素数２〜６程度のアルカノイル基である。）を表す。
ｎ３は０〜８の整数を表す。ｎ３が２以上のとき、複数のＲ^c15は同一であっても異なってもよい。
Ｌ^c1及びＬ^c2は、それぞれ独立に、２価の脂肪族炭化水素基（好ましくは、炭素数１〜６程度の脂肪族炭化水素基であり、より好ましくは、炭素数１〜６程度のアルカンジイル基である。）、カルボニル基、−Ｃ（＝ＮＨ）−、−Ｃ（＝ＮＲ^c3）−（但し、Ｒ^c3は、炭素数１〜４のアルキル基を表す。）、硫黄原子、ジスルフィド結合（−Ｓ−Ｓ−）又はこれらの組合せを表す。
Ｒ^c15の脂肪族炭化水素基は、好ましくは炭素数１〜６程度であり、脂環式炭化水素基は、好ましくは炭素数３〜６程度である。
アルカノイル基としては、アセチル基、２−メチルアセチル基、２，２−ジメチルアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、ペンタノイル基、２，２−ジメチルプロピオニル基等が挙げられ、好ましくは炭素数２〜６程度である。

化合物（Ｃ４）としては例えば、ピペラジンなどが挙げられる。
化合物（Ｃ５）としては例えば、モルホリンなどが挙げられる。
化合物（Ｃ６）としては例えば、ピペリジン及び特開平１１−５２５７５号公報に記載されているピペリジン骨格を有するヒンダードアミン化合物などが挙げられる。
化合物（Ｃ７）としては例えば、２，２’−メチレンビスアニリンなどが挙げられる。
化合物（Ｃ８）としては例えば、イミダゾール及び４−メチルイミダゾールなどが挙げられる。
化合物（Ｃ９）としては例えば、ピリジン、４−メチルピリジンなどが挙げられる。
化合物（Ｃ１０）としては例えば、１，２−ジ（２−ピリジル）エタン、１，２−ジ（４−ピリジル）エタン、１，２−ジ（２−ピリジル）エテン、１，２−ジ（４−ピリジル）エテン、１，３−ジ（４−ピリジル）プロパン、１，２−ジ（４−ピリジルオキシ）エタン、ジ（２−ピリジル）ケトン、４，４’−ジピリジルスルフィド、４，４’−ジピリジルジスルフィド、２，２’−ジピリジルアミン及び２，２’−ジピコリルアミンなどが挙げられる。
化合物（Ｃ１１）としては例えば、ビピリジンなどが挙げられる。

塩基性化合物（Ｃ３）としては例えば、ヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、ジブチルアミン、ジペンチルアミン、ジヘキシルアミン、ジヘプチルアミン、ジオクチルアミン、ジノニルアミン、ジデシルアミン、トリエチルアミン、トリメチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、トリペンチルアミン、トリヘキシルアミン、トリヘプチルアミン、トリオクチルアミン、トリノニルアミン、トリデシルアミン、メチルジブチルアミン、メチルジペンチルアミン、メチルジヘキシルアミン、メチルジシクロヘキシルアミン、メチルジヘプチルアミン、メチルジオクチルアミン、メチルジノニルアミン、メチルジデシルアミン、エチルジブチルアミン、エチルジペンチルアミン、エチルジヘキシルアミン、エチルジヘプチルアミン、エチルジオクチルアミン、エチルジノニルアミン、エチルジデシルアミン、ジシクロヘキシルメチルアミン、トリス〔２−（２−メトキシエトキシ）エチル〕アミン、トリイソプロパノールアミンエチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、４，４’−ジアミノ−１，２−ジフェニルエタン、４，４’−ジアミノ−３，３’−ジメチルジフェニルメタン及び４，４’−ジアミノ−３，３’−ジエチルジフェニルメタンなどが挙げられる。

アンモニウムヒドロキシドとしては例えば、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトライソプロピルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド、テトラヘキシルアンモニウムヒドロキシド、テトラオクチルアンモニウムヒドロキシド、フェニルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、３−（トリフルオロメチル）フェニルトリメチルアンモニウムヒドロキシド及びコリンなどが挙げられる。

本レジスト組成物に用いる塩基性化合物（Ｃ）としては、ジイソプロピルアニリンが好ましく、２，６−ジイソプロピルアニリンがより好ましい。

＜溶剤（Ｄ）＞
本レジスト組成物に含まれる溶剤（Ｄ）は、用いる樹脂（Ａ）の種類及びその量と、酸発生剤（Ｂ）の種類及びその量とに応じ、さらに後述するレジストパターンの製造において、基板上に本レジスト組成物を塗布する際の塗布性が良好となるという点から適宜、最適なものを選ぶことができる。

好適な溶剤（Ｄ）の例としては、エチルセロソルブアセテート、メチルセロソルブアセテート及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートなどのグリコールエーテルエステル類；プロピレングリコールモノメチルエーテルなどのグリコールエーテル類；乳酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミル及びピルビン酸エチルなどのエステル類；アセトン、メチルイソブチルケトン、２−ヘプタノン及びシクロヘキサノンなどのケトン類；γ−ブチロラクトンなどの環状エステル類を挙げることができる。溶剤（Ｄ）は、１種のみを使用してもよく、２種以上を併用してもよい。

＜その他の成分＞
本レジスト組成物は、必要に応じて、樹脂（Ａ）、酸発生剤（Ｂ）、溶剤（Ｄ）及び必要に応じて用いられる塩基性化合物（Ｃ）以外の構成成分を含んでいてもよい。この構成成分を「成分（Ｆ）」という。かかる成分（Ｆ）に特に限定はなく、レジスト分野で公知の添加剤、例えば、増感剤、溶解抑止剤、界面活性剤、安定剤及び染料などである。

＜本レジスト組成物の調製方法＞
本レジスト組成物は、樹脂（Ａ）、酸発生剤（Ｂ）及び溶剤（Ｄ）を混合することで、又は、樹脂（Ａ）、酸発生剤（Ｂ）、塩基性化合物（Ｃ）及び溶剤（Ｄ）を混合することで調製することができる。さらに、上述のとおり成分（Ｆ）を混合することもある。
かかる混合において、その混合順は任意であり、特に限定されるものではない。混合する際の温度は、１０〜４０℃の範囲から、用いる樹脂（Ａ）などの種類や樹脂（Ａ）などの溶剤（Ｄ）に対する溶解度に応じて適切な温度範囲を選ぶことができる。混合時間は、混合温度に応じて選べばよく、０．５〜２４時間が好ましい。なお、混合手段は特に限定されず、攪拌混合などを用いることができる。
本レジスト組成物を調製する際に用いる各成分の使用量により、本レジスト組成物中の各成分の含有量を調節することができる。

溶剤（Ｄ）の含有質量割合は、上述のとおり、樹脂（Ａ）の種類などに応じて適宜調節できるが、本レジスト組成物総質量に対して９０質量％以上が好ましく、より好ましくは９２質量％以上であり、さらに好ましくは９４質量％以上であり、９９．９質量％以下が好ましく、より好ましくは９９質量％以下である。溶剤（Ｄ）の含有質量割合が９０質量％である本レジスト組成物では、組成物中の固形分は１０質量％に相当する。「固形分」とは、後述する溶剤（Ｅ）を除いたレジスト組成物成分の合計を意味する。固形分は、例えば、液体クロマトグラフィー又はガスクロマトグラフィーなどの公知の分析手段で測定することができる。
溶剤（Ｄ）の含有量が上記範囲内であると、例えば後述するレジストパターンの製造方法において、厚み３０〜３００ｎｍ程度の組成物層を形成しやすい。この観点からは、本レジスト組成物総質量に対する溶剤（Ｄ）の含有質量割合は、より好ましくは９２質量％以上であり、さらに好ましくは９４質量％以上である。該溶剤（Ｄ）の含有質量割合の上限は例えば、９９．９質量％以下であり、好ましくは９９質量％以下である。
この溶剤（Ｄ）の含有量は、本レジスト組成物を調製する際の溶剤（Ｄ）の使用量により制御可能であり、本レジスト組成物を調製した後には、該本レジスト組成物を、例えば液体クロマトグラフィー又はガスクロマトグラフィーなどの公知の分析手段に供して求めることもできる。

本レジスト組成物に対する樹脂（Ａ）の含有質量割合は、該本レジスト組成物の固形分の総質量に対して、８０質量％以上９９質量％以下であると好ましい。

本レジスト組成物に対する酸発生剤（Ｂ）の含有質量割合は、本レジスト組成物に含まれる樹脂（Ａ）の総質量１００質量部に対して、好ましくは１質量部以上であり、より好ましくは３質量部以上であり、好ましくは３０質量部以下であり、より好ましくは２５質量部以下である。

本レジスト組成物に塩基性化合物（Ｃ）を用いる場合、その含有質量割合は本レジスト組成物の固形分の総質量に対して、０．０１〜１質量％程度が好ましい。

樹脂（Ａ）、酸発生剤（Ｂ）及び溶剤（Ｄ）、並びに必要に応じて用いられる塩基性化合物（Ｃ）等の各々の好適な含有質量割合も、本レジスト組成物を調製する際の各々の使用量により制御可能である。本レジスト組成物を調製した後には、該本レジスト組成物を、例えばガスクロマトグラフィー、液体クロマトグラフィーなどの公知の分析手段に供して求めることができる。

なお、成分（Ｆ）を本レジスト組成物に用いる場合には、当該成分（Ｆ）の種類に応じて、適切な含有量を調節することができる。

上記のように、本レジスト組成物に含まれる各成分を混合した後は、孔径０．０１〜０．２μｍ程度のフィルターを用いてろ過することが好ましい。

＜レジストパターンの製造方法＞
本発明のレジストパターンの製造方法は、
（１）本レジスト組成物を基板上に塗布する工程、
（２）塗布後の組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、
（３）組成物層に露光機を用いて露光する工程、
（４）露光後の組成物層を加熱する工程、
（５）加熱後の組成物層を、現像装置を用いて現像する工程
を含むものである。以下、ここに示す工程の各々を、「工程（１）」〜「工程（５）」のようにいう。

工程（１）における本レジスト組成物の基板上への塗布は、スピンコーターなど、半導体の微細加工のレジスト材料塗布用として広く用いられている塗布装置によって行うことができる。かくして基板上にレジスト組成物からなる塗布膜が形成される。当該塗布装置の条件（塗布条件）を種々調節することで、該塗布膜の膜厚は調整可能であり、適切な予備実験などを行うことにより、所望の膜厚の塗布膜になるように塗布条件を選ぶことができる。本レジスト組成物を塗布する前の基板は、微細加工を実施しようとする種々のものを選ぶことができる。なお、本レジスト組成物を塗布する前に、基板を洗浄したり、反射防止膜を形成してもよい。この反射防止膜の形成には例えば、市販の有機反射防止膜用組成物を用いることができる。

工程（２）における乾燥は、基板上に塗布された本レジスト組成物、すなわち塗布膜から溶剤〔溶剤（Ｄ）〕を除去する。このような溶剤除去は、例えば、ホットプレートなどの加熱装置を用いた加熱手段（いわゆるプリベーク）、又は減圧装置を用いた減圧手段により、或いはこれらの手段を組み合わせて、該塗布膜から溶剤を蒸発させて除去することにより行われる。乾燥条件は、本レジスト組成物に含まれる溶剤（Ｄ）の種類などに応じて選択でき、例えばホットプレートを用いる加熱の場合、該ホットプレートの表面温度を５０〜２００℃程度の範囲にすることが好ましい。また、減圧手段では、適当な減圧機の中に、塗布膜が形成された基板を封入した後、該減圧機の内部圧力を１〜１．０×１０^５Ｐａ程度にすればよい。かくして塗布膜から溶剤を除去することにより、該基板上には組成物層が形成される。

工程（３）では該組成物層を露光する工程であり、好ましくは、露光機を用いて該組成物層を露光するものである。この際には、微細加工を実施しようとする所望のパターンが形成されたマスク（フォトマスク）を介して露光が行われる。露光機の露光光源としては、ＫｒＦエキシマレーザ（波長２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザ（波長１９３ｎｍ）、Ｆ₂エキシマレーザ（波長１５７ｎｍ）のような紫外域のレーザ光を放射するもの、固体レーザ光源（ＹＡＧ又は半導体レーザなど）からのレーザ光を波長変換して遠紫外域又は真空紫外域の高調波レーザ光を放射するもの等、種々のものを用いることができる。また、該露光機は液浸露光機であってもよい。また、露光機は、電子線、超紫外光（ＥＵＶ）を照射するものであってもよい。
上述のとおり、マスクを介して露光することにより、該組成物層には露光された部分（露光部）及び露光されていない部分（未露光部）が生じる。露光部の組成物層では該組成物層に含まれる酸発生剤（Ｂ）が露光エネルギーを受けて酸を発生し、さらに発生した酸との作用により、「アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液に可溶となる樹脂」が有する樹脂（Ａ）にある酸不安定基が脱保護反応により親水性基を生じ、結果として露光部の組成物層にある上記樹脂（Ａ）はアルカリ水溶液に可溶なものとなる。一方、未露光部では露光エネルギーを受けていないため、上記樹脂（Ａ）はアルカリ水溶液に対して不溶又は難溶のままとなる。かくして、露光部にある組成物層と未露光部にある組成物層とは、アルカリ水溶液に対する溶解性が著しく相違するため、アルカリ水溶液による現像によりレジストパターンを形成することができる。

工程（４）においては、露光部で生じうる脱保護基反応を、さらにその進行を促進するための加熱処理（いわゆるポストエキスポジャーベーク）が行われる。かかる加熱処理は前記工程（２）で示したホットプレートを用いる加熱手段等が好ましい。なお、工程（４）におけるホットプレート加熱を行う場合、該ホットプレートの表面温度は５０〜２００℃程度が好ましく、７０〜１５０℃程度がより好ましい。加熱処理により、上記脱保護反応が促進される。

工程（５）は、加熱後の組成物層を現像する工程であり、好ましくは、加熱後の組成物層を現像装置により現像するものである。ここでいう現像とは、加熱後の組成物層をアルカリ水溶液と接触させることにより、露光部の組成物層を該アルカリ水溶液に溶解させて除去することである。未露光部の組成物層は、上述のとおりアルカリ水溶液に対して不溶又は難溶であるため、基板上に残り、当該基板上にレジストパターンが製造される。
前記アルカリ水溶液としては、「アルカリ現像液」と称される本技術分野で公知のものを用いることができる。該アルカリ水溶液としては例えば、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドの水溶液や（２−ヒドロキシエチル）トリメチルアンモニウムヒドロキシド（通称コリン）の水溶液などが挙げられる。

現像後は、好ましくは超純水などでリンス処理を行い、さらに基板及びレジストパターン上に残存している水分を除去することが好ましい。

かくして、基板上に製造されたレジストパターンは極めて優れたＬＥＲを有するものとなる。

＜用途＞
本レジスト組成物は、ＫｒＦエキシマレーザ露光用のレジスト組成物、ＡｒＦエキシマレーザ露光用のレジスト組成物に有用であり、さらに、電子線（ＥＢ）照射用のレジスト組成物又はＥＵＶ露光用のレジスト組成物としても有用である。また、液浸露光用のレジスト組成物として好適に利用できる。

実施例を挙げて、本発明をさらに具体的に説明する。例中、含有質量割合ないし使用量を表す「％」及び「部」は、特記しないかぎり質量基準である。樹脂（Ａ）の組成比（樹脂（Ａ）製造に用いた各モノマーに由来する構造単位の、樹脂（Ａ）に対する共重合比）は、重合終了後の反応液における未反応モノマー量を、液体クロマトグラフィーを用いて測定し、得られた結果から重合に用いられたモノマー量を求めることにより算出した。また重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーにより求めた値である。なお、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー分析の条件は下記のとおりである。
カラム：TSKgel Multipore HXL-M x 3+guardcolumn（東ソー社製）
溶離液：テトラヒドロフラン
流量：1.0mL／min
検出器：RI検出器
カラム温度：40℃
注入量：100μl
分子量標準：標準ポリスチレン（東ソー社製）

合成例（樹脂（Ａ）などの合成）
樹脂の合成において使用した化合物（モノマー）を下記に示す。

以下、これらのモノマーを「モノマー（Ａ）」〜「モノマー（Ｈ）」、「モノマー（ａ−１）」、「モノマー（ａ−２）」という。

合成例１〔樹脂Ａ１の合成〕
モノマー（Ｆ）、モノマー（ａ−１）、モノマー（Ｇ）、モノマー（Ｂ）、モノマー（Ｃ）及びモノマー（Ｄ）を、そのモル比〔モノマー（Ｆ）：モノマー（ａ−１）：モノマー（Ｇ）：モノマー（Ｂ）：モノマー（Ｃ）：モノマー（Ｄ）〕が、２０：１０：１４：６：２０：３０の割合となるように混合し、さらに、このモノマー混合物に、全モノマーの合計質量に対して、１．５質量倍のジオキサンを混合した。得られた混合物に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリルとアゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）とを全モノマーの合計モル数に対して、それぞれ、１．００ｍｏｌ％と３．００ｍｏｌ％となるように添加し、これを７５℃で約５時間加熱することで重合を行った。その後、重合反応液を、大量のメタノールと水との混合溶媒（質量比メタノール：水＝４：１）に注いで、樹脂を沈殿させた。この樹脂をろ過・回収した。回収した樹脂を再度、ジオキサンに溶解し、この溶解液を、大量のメタノールと水との混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、沈殿した樹脂をろ過・回収するという操作を２回行うことにより再沈殿精製し、重量平均分子量が約７．５×１０^３である共重合体を収率６８％で得た。この共重合体は、モノマー（Ｆ）、モノマー（ａ−１）、モノマー（Ｇ）、モノマー（Ｂ）、モノマー（Ｃ）及びモノマー（Ｄ）に各々由来する、以下の構造単位を有するものであり、これを樹脂Ａ１とする。

合成例２〔樹脂Ａ２の合成〕
モノマー（Ｅ）、モノマー（ａ−１）、モノマー（Ｇ）、モノマー（Ｂ）、モノマー（Ｃ）及びモノマー（Ｄ）を、そのモル比〔モノマー（Ｅ）：モノマー（ａ−１）：モノマー（Ｇ）：モノマー（Ｂ）：モノマー（Ｃ）：モノマー（Ｄ）〕が、２０：１０：１４：６：２０：３０の割合となるように混合し、さらに、このモノマー混合物に、全モノマーの合計質量に対して、１．５質量倍のジオキサンを混合した。得られた混合物に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリルとアゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）とを全モノマーの合計モル数に対して、それぞれ、１．００ｍｏｌ％と３．００ｍｏｌ％となるように添加し、これを７５℃で約５時間加熱することで重合を行った。その後、重合反応液を、大量のメタノールと水との混合溶媒（質量比メタノール：水＝４：１）に注いで、樹脂を沈殿させた。この樹脂をろ過・回収した。回収した樹脂を再度、ジオキサンに溶解し、この溶解液を、大量のメタノールと水との混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、沈殿した樹脂をろ過・回収するという操作を２回行うことにより再沈殿精製し、重量平均分子量が約７．３×１０^３である共重合体を収率７３％で得た。この共重合体は、モノマー（Ｅ）、モノマー（ａ−１）、モノマー（Ｇ）、モノマー（Ｂ）、モノマー（Ｃ）及びモノマー（Ｄ）に各々由来する、以下の構造単位を有するものであり、これを樹脂Ａ２とする。

合成例３〔樹脂Ａ３の合成〕
モノマー（Ｅ）、モノマー（ａ−２）、モノマー（Ｇ）、モノマー（Ｂ）、モノマー（Ｃ）及びモノマー（Ｄ）を、そのモル比〔モノマー（Ｅ）：モノマー（ａ−２）：モノマー（Ｇ）：モノマー（Ｂ）：モノマー（Ｃ）：モノマー（Ｄ）〕が、２０：１０：１４：６：２０：３０の割合となるように混合し、さらに、このモノマー混合物に、全モノマーの合計質量に対して、１．５質量倍のジオキサンを混合した。得られた混合物に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリルとアゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）とを全モノマーの合計モル数に対して、それぞれ、１．００ｍｏｌ％と３．００ｍｏｌ％となるように添加し、これを７５℃で約５時間加熱することで重合を行った。その後、重合反応液を、大量のメタノールと水との混合溶媒（質量比メタノール：水＝４：１）に注いで、樹脂を沈殿させた。この樹脂をろ過・回収した。回収した樹脂を再度、ジオキサンに溶解し、この溶解液を、大量のメタノールと水との混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、沈殿した樹脂をろ過・回収するという操作を２回行うことにより再沈殿精製し、重量平均分子量が約７．８×１０^３である共重合体を収率７０％で得た。この共重合体は、モノマー（Ｅ）、モノマー（ａ−２）、モノマー（Ｇ）、モノマー（Ｂ）、モノマー（Ｃ）及びモノマー（Ｄ）に各々由来する、以下の構造単位を有するものであり、これを樹脂Ａ３とする。

合成例４〔樹脂Ａ４の合成〕
モノマー（Ａ）、モノマー（ａ−１）、及びモノマー（Ｂ）を、そのモル比〔モノマー（Ａ）：モノマー（ａ−１）：モノマー（Ｂ）〕が、３７．５：３７．５：２５の割合となるように混合し、さらに、このモノマー混合物に、全モノマーの合計質量に対して、１．５質量倍のジオキサンを混合した。得られた混合物に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリルとアゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）とを全モノマーの合計モル数に対して、それぞれ、１．００ｍｏｌ％と３．００ｍｏｌ％となるように添加し、これを７５℃で約５時間加熱することで重合を行った。その後、重合反応液を、大量のメタノールと水との混合溶媒（質量比メタノール：水＝４：１）に注いで、樹脂を沈殿させた。この樹脂をろ過・回収した。回収した樹脂を再度、ジオキサンに溶解し、この溶解液を、大量のメタノールと水との混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、沈殿した樹脂をろ過・回収するという操作を２回行うことにより再沈殿精製し、重量平均分子量が約７．３×１０^３である共重合体を収率６３％で得た。この共重合体は、モノマー（Ａ）、モノマー（ａ−１）、及びモノマー（Ｂ）に各々由来する、以下の構造単位を有するものであり、これを樹脂Ａ４とする。

合成例５〔樹脂Ａ５の合成〕
モノマー（Ｅ）、モノマー（ａ−１）、モノマー（Ｈ）、モノマー（Ｂ）、モノマー（Ｃ）及びモノマー（Ｄ）を、そのモル比〔モノマー（Ｅ）：モノマー（ａ−１）：モノマー（Ｈ）：モノマー（Ｂ）：モノマー（Ｃ）：モノマー（Ｄ）〕が、２０：１０：１４：６：２０：３０の割合となるように混合し、さらに、このモノマー混合物に、全モノマーの合計質量に対して、１．５質量倍のジオキサンを混合した。得られた混合物に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリルとアゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）とを全モノマーの合計モル数に対して、それぞれ、１．００ｍｏｌ％と３．００ｍｏｌ％となるように添加し、これを７５℃で約５時間加熱することで重合を行った。その後、重合反応液を、大量のメタノールと水との混合溶媒（質量比メタノール：水＝４：１）に注いで、樹脂を沈殿させた。この樹脂をろ過・回収した。回収した樹脂を再度、ジオキサンに溶解し、この溶解液を、大量のメタノールと水との混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、沈殿した樹脂をろ過・回収するという操作を２回行うことにより再沈殿精製し、重量平均分子量が約７．９×１０^３である共重合体を収率７１％で得た。この共重合体は、モノマー（Ｅ）、モノマー（ａ−１）、モノマー（Ｈ）、モノマー（Ｂ）、モノマー（Ｃ）及びモノマー（Ｄ）に各々由来する、以下の構造単位を有するものであり、これを樹脂Ａ５とする。

合成例６〔樹脂Ａ６の合成〕
モノマー（Ｅ）、モノマー（ａ−２）、モノマー（Ｈ）、モノマー（Ｂ）、モノマー（Ｃ）及びモノマー（Ｄ）を、そのモル比〔モノマー（Ｅ）：モノマー（ａ−２）：モノマー（Ｈ）：モノマー（Ｂ）：モノマー（Ｃ）：モノマー（Ｄ）〕が、２０：１０：１４：６：２０：３０の割合となるように混合し、さらに、このモノマー混合物に、全モノマーの合計質量に対して、１．５質量倍のジオキサンを混合した。得られた混合物に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリルとアゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）とを全モノマーの合計モル数に対して、それぞれ、１．００ｍｏｌ％と３．００ｍｏｌ％となるように添加し、これを７５℃で約５時間加熱することで重合を行った。その後、重合反応液を、大量のメタノールと水との混合溶媒（質量比メタノール：水＝４：１）に注いで、樹脂を沈殿させた。この樹脂をろ過・回収した。回収した樹脂を再度、ジオキサンに溶解し、この溶解液を、大量のメタノールと水との混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、沈殿した樹脂をろ過・回収するという操作を２回行うことにより再沈殿精製し、重量平均分子量が約７．８×１０^３である共重合体を収率７５％で得た。この共重合体は、モノマー（Ｅ）、モノマー（ａ−２）、モノマー（Ｈ）、モノマー（Ｂ）、モノマー（Ｃ）及びモノマー（Ｄ）に各々由来する、以下の構造単位を有するものであり、これを樹脂Ａ６とする。

＜レジスト組成物の調製＞
合成例１で得られた樹脂Ａ１〜樹脂Ａ４；
以下に示す酸発生剤Ｂ１〜酸発生剤Ｂ３；
以下に示す塩基性化合物Ｃ１；
の各々を表１に示す質量部で、以下に示す溶剤に溶解し、さらに孔径０．２μｍのフッ素樹脂製フィルターでろ過して、レジスト組成物を調製した。

＜樹脂＞
Ａ１〜Ａ６：合成例１〜６の各々で得られた樹脂Ａ１〜樹脂Ａ６
＜酸発生剤＞
Ｂ１：式（Ｂ−１）で表される塩

Ｂ２：式（Ｂ−２）で表される塩

Ｂ３：みどり化学（株）製ＴＰＳ−１０９
〔トリフェニルスルホニウム ペルフルオロブタンスルホネート〕

＜塩基性化合物：クエンチャー＞
Ｃ１：２，６−ジイソプロピルアニリン
＜溶剤＞
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート ２６５．０部
プロピレングリコールモノメチルエーテル ２０．０部
２−ヘプタノン ２０．０部
γ−ブチロラクトン ３．５部

＜レジストパターンの製造＞
１２インチのシリコン製ウェハ上に、有機反射防止膜用組成物［ＡＲＣ−２９；日産化学（株）製］を塗布して、２０５℃、６０秒の条件でベークすることによって、厚さ７８ｎｍの有機反射防止膜を形成した。次いで、前記の有機反射防止膜の上に、上記のレジスト組成物を乾燥（プリベーク）後の膜厚が８５ｎｍとなるようにスピンコートした。
レジスト組成物塗布後、得られたシリコンウェハをダイレクトホットプレートで、表１の「ＰＢ」欄に記載された温度で６０秒間プリベーク（ＰＢ）した。こうしてレジスト組成物膜を形成したウェハに、液浸露光用ＡｒＦエキシマレーザステッパー［ＸＴ：１９００Ｇｉ；ＡＳＭＬ社製、ＮＡ＝１.３５、３／４Ａｎｎｕｌａｒ Ｘ−Ｙ偏光］を用いて、露光量を段階的に変化させてラインアンドスペースパターンを液浸露光した。なお、液浸媒体としては超純水を使用した。
露光後、ホットプレート上にて、表１の「ＰＥＢ」欄に記載された温度で６０秒間ポストエキスポジャーベーク（ＰＥＢ）を行い、さらに２．３８質量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で６０秒間のパドル現像を行い、レジストパターンを得た。

各レジストパターンにおいて、５０ｎｍのラインアンドスペースパターンの線幅が１：１となる露光量を実効感度とした。

＜ラインエッジラフネス評価（ＬＥＲ）＞
得られたレジストパターンの壁面を走査型電子顕微鏡で観察し、レジストパターンの側壁の凹凸の振れ幅が、
４．０ｎｍ以下であるものを「ｅ」（excellent）、
４．５ｎｍ以下であるものを「ｇ」（good）、
４．５ｎｍを超えるものを「ｂ」（bad）
とした。その結果を表２に示す。

本レジスト組成物から得られたレジストパターンは、ラインエッジラフネス評価（ＬＥＲ）における結果が「ｅ」又は「ｇ」であることから、優れたＬＥＲを有するレジストパターンを製造できることが確認された。

本発明のレジスト組成物は、優れたラインエッジラフネス（ＬＥＲ）を有するレジストパターンを製造することができる。

Claims (6)

1. （Ａ）式（ａ）で表される化合物に由来する構造単位を有する樹脂及び
   （Ｂ）式（Ｂ１）で表される塩を含むレジスト組成物。
   
   

   

   ［式（ａ）中、
   Ｒ^１は、水素原子又はメチル基を表す。
   環Ｗは、炭素数４〜３６の脂環式炭化水素環を表し、該脂環式炭化水素環に含まれるメチレン基は、酸素原子、硫黄原子、カルボニル基又はスルホニル基に置き換わっていてもよい。
   Ｘ^ｘは、単結合又は−Ａ−ＣＯ−Ｏ−を表す。
   Ａは炭素数１〜１０の炭化水素基を表す。］
   

   

   ［式（Ｂ１）中、
   Ｑ¹及びＱ²は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表す。
   Ｌ^b1は、炭素数１〜１７の２価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。
   Ｙは、置換基を有していてもよい炭素数１〜１８の脂肪族炭化水素基又は置換基を有していてもよい炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子、スルホニル基又はカルボニル基に置き換わっていてもよく、該脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子、スルホニル基又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。
   Ｚ⁺は、有機カチオンを表す。］
2. 前記式（ａ）における
   

   

   ［式中、Ｗは上記と同じ意味を表す。＊は結合手を表す。］
   で表される基が、式（ａ−１Ａ）で表される基又は式（ａ−２Ａ）で表される基である請求項１記載のレジスト組成物。
   

   

   ［式（ａ−１Ａ）中、
   アダマンタン環に含まれるメチレン基は、酸素原子、硫黄原子、カルボニル基又はスルホニル基に置き換わっていてもよい。アダマンタン環に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数３〜１２の脂環式炭化水素基又は炭素数６〜１０の芳香族炭化水素基に置き換わっていてもよい。＊は結合手を表す。］
   

   

   
   ［式（ａ−２Ａ）中、
   シクロヘキサン環に含まれるメチレン基は、酸素原子、硫黄原子、カルボニル基又はスルホニル基に置き換わっていてもよい。シクロヘキサン環に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数３〜１２の脂環式炭化水素基又は炭素数６〜１０の芳香族炭化水素基に置き換わっていてもよい。
   ］
3. 前記（Ａ）が、式（ａ）で表される化合物に由来する構造単位に加え、式（ａ１−１）で表される化合物に由来する構造単位及び式（ａ１−２）で表される化合物に由来する構造単位からなる群より選ばれる少なくとも１種を有する樹脂である請求項１又は２記載のレジスト組成物。
   

   

   ［式（ａ１−１）中、
   Ｌ^a1は、酸素原子又は^＊−Ｏ−（ＣＨ₂）_k1−ＣＯ−Ｏ−で表される基を表す。＊はカルボニル基との結合手を表す。
   ｋ１は１〜７の整数を表す。
   Ｒ^a4は、水素原子又はメチル基を表す。
   Ｒ^a6は、炭素数１〜８の脂肪族炭化水素基又は炭素数３〜１０の脂環式炭化水素基を表す。
   ｍ１は０〜１４の整数を表す。
   式（ａ１−２）中、
   Ｌ^a2は、酸素原子又は^＊−Ｏ−（ＣＨ₂）_k２−ＣＯ−Ｏ−で表される基を表す。＊はカルボニル基との結合手である。
   ｋ２は１〜７の整数を表す。
   Ｒ^a5は、水素原子又はメチル基を表す。
   Ｒ^a7は、炭素数１〜８の脂肪族炭化水素基又は炭素数３〜１０の脂環式炭化水素基を表す。
   ｎ１は０〜１０の整数を表す。
   ｎ１’は０〜３の整数を表す。］
4. 前記（Ａ）が、式（ａ）で表される化合物に由来する構造単位に加え、式（ａ３−１）で表される化合物に由来する構造単位、式（ａ３−２）で表される化合物に由来する構造単位及び式（ａ３−３）で表される化合物に由来する構造単位からなる群より選ばれる少なくとも１種を有する樹脂である請求項１〜３のいずれか記載のレジスト組成物。
   

   

   ［式（ａ３−１）中、
   Ｌ^a4は、酸素原子又は^＊−Ｏ−（ＣＨ₂）_k3−ＣＯ−Ｏ−を表す。＊はカルボニル基との結合手を表す。
   ｋ３は１〜７の整数を表す。
   Ｒ^a18は、水素原子又はメチル基を表す。
   Ｒ^a21は、炭素数１〜４の脂肪族炭化水素基を表す。ｐ１は０〜５の整数を表し、ｐ１が２以上のとき、複数のＲ^a21は同一であっても異なってもよい。
   式（ａ３−２）中、
   Ｌ^a5は、酸素原子又は^＊−Ｏ−（ＣＨ₂）_k3−ＣＯ−Ｏ−を表す。＊はカルボニル基との結合手を表す。
   Ｒ^a22は、カルボキシ基、シアノ基又は炭素数１〜４の脂肪族炭化水素基を表す。ｑ１は、０〜３の整数を表し、ｑ１が２以上のとき、複数のＲ^a22は同一であっても異なってもよい。
   式（ａ３−３）中、
   Ｌ^a6は、酸素原子又は^＊−Ｏ−（ＣＨ₂）_k3−ＣＯ−Ｏ−を表す。＊はカルボニル基との結合手を表す。
   Ｒ^a20は、水素原子又はメチル基を表す。
   Ｒ^a23は、カルボキシ基、シアノ基又は炭素数１〜４の脂肪族炭化水素基を表す。ｒ１は、０〜３の整数を表し、ｒ１が２以上のとき、複数のＲ^a23は同一であっても異なってもよい。］
5. 前記式（Ｂ１）のＹが、置換基を有していてもよい炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基である請求項１〜４のいずれか記載のレジスト組成物。
6. （１）請求項１〜５のいずれか記載のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、
   （２）塗布後の組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、
   （３）組成物層を露光する工程、
   （４）露光後の組成物層を加熱する工程、
   （５）加熱後の組成物層を現像する工程、
   を含むレジストパターンの製造方法。