JP2012023213A5 - - Google Patents
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Description
本発明は、Ａｌ組成比が０．２以上のＡｌＧａＮ層をエッチングして、ＲＭＳ粗さが０．３ｎｍ未満の底面を有する凹部を形成する工程と、前記凹部の底面に接して、４ｎｍから８ｎｍの厚さの第１Ｔａ層を形成する工程と、前記第１Ｔａ層に熱処理を施して、前記ＡｌＧａＮ層にオーミック接触させる工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法である。また、本発明は、塩化ホウ素ガスと塩素ガスとの混合ガス、塩化ホウ素ガスと塩化珪素ガスと塩素ガスとの混合ガス、塩化珪素ガスと塩素ガスとの混合ガスのうちのいずれかの混合ガスをエッチングガスに用いたプラズマエッチングによりＡｌ組成比が０．２以上のＡｌＧａＮ層に底面を有する凹部を形成する工程と、前記凹部の底面に接して、４ｎｍから８ｎｍの厚さの第１Ｔａ層を形成する工程と、前記第１Ｔａ層に熱処理を施して、前記ＡｌＧａＮ層にオーミック接触させる工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法である。本発明によれば、コンタクト抵抗率を低く抑えることができる。
Claims (13)
- Ａｌ組成比が０．２以上のＡｌＧａＮ層をエッチングして、ＲＭＳ粗さが０．３ｎｍ未満の底面を有する凹部を形成する工程と、
前記凹部の底面に接して、４ｎｍから８ｎｍの厚さの第１Ｔａ層を形成する工程と、
前記第１Ｔａ層に熱処理を施して、前記ＡｌＧａＮ層にオーミック接触させる工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第１Ｔａ層を形成する工程は、５ｎｍから７ｎｍの厚さの前記第１Ｔａ層を形成することを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
- 前記凹部を形成する工程は、塩化ホウ素ガスと塩素ガスとの混合ガス、塩化ホウ素ガスと塩化珪素ガスと塩素ガスとの混合ガス、塩化珪素ガスと塩素ガスとの混合ガスのうちのいずれかの混合ガスをエッチングガスに用いたプラズマエッチングにより実施することを特徴とする請求項１または２記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第１Ｔａ層上に、前記熱処理前にＡｌ層を形成する工程を有することを特徴とする請求項１から３のいずれか一項記載の半導体装置の製造方法。
- 前記Ａｌ層上に、前記熱処理前に第２Ｔａ層またはＴｉ層を形成する工程を有することを特徴とする請求項４記載の半導体装置の製造方法。
- 前記凹部を形成する工程は、ＩＣＰ法を用い０．２Ｐａから４Ｐａの圧力の下、２０Ｗから３００Ｗの高周波電力を印加して前記プラズマエッチングを実施することを特徴とする請求項３記載の半導体装置の製造方法。
- 前記オーミック接触させる工程は、ソース電極およびドレイン電極をオーミック接触させる工程であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
- 塩化ホウ素ガスと塩素ガスとの混合ガス、塩化ホウ素ガスと塩化珪素ガスと塩素ガスとの混合ガス、塩化珪素ガスと塩素ガスとの混合ガスのうちのいずれかの混合ガスをエッチングガスに用いたプラズマエッチングによりＡｌ組成比が０．２以上のＡｌＧａＮ層に底面を有する凹部を形成する工程と、
前記凹部の底面に接して、４ｎｍから８ｎｍの厚さの第１Ｔａ層を形成する工程と、
前記第１Ｔａ層に熱処理を施して、前記ＡｌＧａＮ層にオーミック接触させる工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第１Ｔａ層を形成する工程は、５ｎｍから７ｎｍの厚さの前記第１Ｔａ層を形成することを特徴とする請求項８記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第１Ｔａ層上に、前記熱処理前にＡｌ層を形成する工程を有することを特徴とする請求項８または９記載の半導体装置の製造方法。
- 前記Ａｌ層上に、前記熱処理前に第２Ｔａ層またはＴｉ層を形成する工程を有することを特徴とする請求項１０記載の半導体装置の製造方法。
- 前記凹部を形成する工程は、ＩＣＰ法を用い０．２Ｐａから４Ｐａの圧力の下、２０Ｗから３００Ｗの高周波電力を印加して前記プラズマエッチングを実施することを特徴とする請求項８記載の半導体装置の製造方法。
- 前記オーミック接触させる工程は、ソース電極およびドレイン電極をオーミック接触させる工程であることを特徴とする請求項８記載の半導体装置の製造方法。
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