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JP2012022427A - Capacitance-type input device - Google Patents

Capacitance-type input device Download PDF

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JP2012022427A
JP2012022427A JP2010158512A JP2010158512A JP2012022427A JP 2012022427 A JP2012022427 A JP 2012022427A JP 2010158512 A JP2010158512 A JP 2010158512A JP 2010158512 A JP2010158512 A JP 2010158512A JP 2012022427 A JP2012022427 A JP 2012022427A
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JP
Japan
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wiring
input device
electrode
substrate
layer
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Application number
JP2010158512A
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Japanese (ja)
Inventor
Yasuhiro Niga
康博 仁賀
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Rohm Co Ltd
Original Assignee
Rohm Co Ltd
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Publication date
Application filed by Rohm Co Ltd filed Critical Rohm Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a capacitance-type input device that can suppress erroneous detection and detect an approach of a conductor more precisely.SOLUTION: A capacitance-type input device includes: multiple electrodes y that are formed on a transmission plate 4, arranged in a direction Y, and extend in a second direction crossing the direction Y; an IC chip 8 that detects the approaching position of a finger Fg in the direction Y with a capacitance change between each of the electrodes y and the finger Fg that is approaching the transmission plate 4 from one side of a direction Z that is normal to the transmission plate 4; a flexible circuit board 7 that is formed on an edge of the transmission plate 4 with its front side surface 7a facing one side of the direction Z and with its back side surface 7b facing the other side of the direction Z; and first wires that span the transmission plate 4 and the flexible circuit board 7 to connect the IC chip 8 with the electrodes y. A conductive layer 73 is formed on the front side surface 7a of the flexible circuit board 7, and a wire layer 74 that is structured with part of the first wires is formed on the back side surface 7b of the flexible circuit board 7.

Description

本発明は、静電容量式入力装置に関する。   The present invention relates to a capacitive input device.

図14は、従来の入力装置の一例を示した要部断面図である。図15は、図14の上方向から見た入力装置の要部平面図である。これらの図に示された入力装置9Aは、液晶表示パネル9Bと重ね合わせられることにより、いわゆるタッチパネルを構成している。このタッチパネルは、たとえば携帯電話機9Cの表示手段および操作手段として用いられる。携帯電話機9Cは、筐体の一部を構成する透明カバーc1を有している。入力装置9Aは、透明接着剤c2によって透明カバーc1に接合されている。入力装置9Aの図14の下方には、液晶表示パネル9Bが配置されている。このような入力装置9Aに関する記載が、たとえば特許文献1にある。   FIG. 14 is a cross-sectional view of an essential part showing an example of a conventional input device. FIG. 15 is a plan view of an essential part of the input device as viewed from above in FIG. The input device 9A shown in these drawings constitutes a so-called touch panel by being superimposed on the liquid crystal display panel 9B. This touch panel is used, for example, as a display unit and an operation unit of the mobile phone 9C. The mobile phone 9C has a transparent cover c1 that constitutes a part of the housing. The input device 9A is joined to the transparent cover c1 by a transparent adhesive c2. A liquid crystal display panel 9B is disposed below the input device 9A in FIG. The description regarding such an input device 9A is, for example, in Patent Document 1.

入力装置9Aは、透明基板91,92、複数ずつの検出電極93,94、複数ずつの配線95,96、フレキシブル基板97,98、およびICチップ99を備える。透明基板91,92は互いに平行に配置されている。検出電極93は、透明基板91に形成されている。検出電極93はいずれも、方向Xに沿って延びており、互いに平行に配置されている。検出電極94は、透明基板92に形成されている。検出電極94は、方向Yに沿って延びており、互いに平行に配置されている。フレキシブル基板97,98はそれぞれ、透明基板91,92の端部に設けられている。配線95は、透明基板91およびフレキシブル基板97に跨って形成されており、検出電極93と各別に接続している。配線96は、透明基板92およびフレキシブル基板98に跨って形成されており、検出電極94と各別に接続している。ICチップ99は、配線95,96を介して検出電極93,94に各別に接続している。   The input device 9A includes transparent substrates 91 and 92, a plurality of detection electrodes 93 and 94, a plurality of wirings 95 and 96, flexible substrates 97 and 98, and an IC chip 99. The transparent substrates 91 and 92 are arranged in parallel to each other. The detection electrode 93 is formed on the transparent substrate 91. All the detection electrodes 93 extend along the direction X and are arranged in parallel to each other. The detection electrode 94 is formed on the transparent substrate 92. The detection electrodes 94 extend along the direction Y and are arranged in parallel to each other. The flexible substrates 97 and 98 are provided at the ends of the transparent substrates 91 and 92, respectively. The wiring 95 is formed over the transparent substrate 91 and the flexible substrate 97 and is connected to the detection electrode 93 separately. The wiring 96 is formed across the transparent substrate 92 and the flexible substrate 98 and is connected to the detection electrode 94 separately. The IC chip 99 is individually connected to the detection electrodes 93 and 94 via wirings 95 and 96.

携帯電話機9Cの使用者が携帯電話機9Cを操作するときには、指Fg(導電体)を透明カバーc1に対して接近させ、あるいは接触させることにより、指Fgと検出電極93,94との間に静電容量が生じる。ICチップ99は、配線95や配線96を介して、検出電極93,94と指Fgとの間の静電容量の変化に対応する値(静電容量変化の検出値、以下、適宜「検出値」という)を計測する。図16は、指Fgを透明カバーc1に接近もしくは接触させたときの、指Fgと検出電極93との静電容量変化の検出値を表すグラフである。検出値が増加した検出電極93を特定することにより、方向Yにおける指Fgの接近位置を検出することができる。方向Yにおける指Fgの接近位置を検出するのと同様のことを検出電極94について行うことにより、方向Xにおける指Fgの接近位置を検出する。このようにして、入力装置9Aは、XY平面における指Fgの接近位置を検出する。なお、透明基板91,92に垂直な方向Z視において検出電極93,94と重なる領域(図15において点線で囲まれた領域)が、指Fgの接近を検出する検出領域r1である。   When the user of the mobile phone 9C operates the mobile phone 9C, the finger Fg (conductor) is brought close to or in contact with the transparent cover c1, so that the finger Fg and the detection electrodes 93 and 94 are statically moved. Electric capacity is generated. The IC chip 99 has a value corresponding to a change in capacitance between the detection electrodes 93 and 94 and the finger Fg (the detection value of capacitance change, hereinafter referred to as “detection value” as appropriate). ”). FIG. 16 is a graph showing the detected value of the capacitance change between the finger Fg and the detection electrode 93 when the finger Fg approaches or comes into contact with the transparent cover c1. By specifying the detection electrode 93 whose detection value has increased, the approach position of the finger Fg in the direction Y can be detected. The same approach as that for detecting the approach position of the finger Fg in the direction Y is performed on the detection electrode 94 to detect the approach position of the finger Fg in the direction X. In this way, the input device 9A detects the approach position of the finger Fg on the XY plane. Note that a region that overlaps the detection electrodes 93 and 94 in the direction Z perpendicular to the transparent substrates 91 and 92 (a region surrounded by a dotted line in FIG. 15) is a detection region r1 that detects the approach of the finger Fg.

このような入力装置9Aにおいては、指Fgが透明カバーc1に接近していない場合であっても検出電極93,94についての検出値が変化する場合があった。このような検出値の変化の主な原因としては、携帯電話機9Cに搭載された他の部品等による外来ノイズが挙げられる。   In such an input device 9A, the detection values for the detection electrodes 93 and 94 may change even when the finger Fg is not approaching the transparent cover c1. The main cause of such a change in the detected value is external noise due to other components mounted on the mobile phone 9C.

また、同一の導電体を同一の姿勢で透明カバーc1の検出領域r1に接近もしくは接触させたときの検出値について、検出電極93,94ごとにばらつきが生じ得た。このような検出値のばらつきの主な原因は、検出電極93,94ごとに、検出電極93,94に接続する配線95,96と他の配線・電極等との間に生じうる寄生容量が異なること等がある。 In addition, the detection value when the same conductor is brought close to or in contact with the detection region r1 of the transparent cover c1 in the same posture may vary for each of the detection electrodes 93 and 94. The main cause of such variation in the detection value is that the parasitic capacitance that can be generated between the wirings 95 and 96 connected to the detection electrodes 93 and 94 and the other wirings and electrodes is different for each of the detection electrodes 93 and 94. There are things.

上記のような外来ノイズや寄生容量の影響を考慮して、検出電極93,94ごとの検出値について所定の閾値を設定し、たとえば、指Fgが透明カバーc1に接近したか否かの判断は、当該閾値を超えているか否かにより行われる。たとえば、検出電極93,94の検出値が所定の閾値を超えた場合に限り、ICチップ99は、指Fgの接近位置に関する信号を外部に出力する。ここで、閾値を外来ノイズ等による検出値よりも大きな値に設定することにより、外来ノイズ等の影響による誤検出が防止される。その一方、閾値をあまり大きい値に設定すると、指Fgの接近そのものが検出され難くなる。したがって、閾値は、指Fgの接近を適切に検出できる程度の大きさに抑えておく必要がある。   Considering the influence of external noise and parasitic capacitance as described above, a predetermined threshold is set for the detection value for each of the detection electrodes 93 and 94, and for example, whether or not the finger Fg has approached the transparent cover c1 is determined. , Depending on whether or not the threshold value is exceeded. For example, the IC chip 99 outputs a signal related to the approach position of the finger Fg to the outside only when the detection values of the detection electrodes 93 and 94 exceed a predetermined threshold value. Here, by setting the threshold value to a value larger than the detection value due to external noise or the like, erroneous detection due to the influence of external noise or the like is prevented. On the other hand, if the threshold value is set to a very large value, it is difficult to detect the approach of the finger Fg itself. Therefore, it is necessary to keep the threshold value small enough to appropriately detect the approach of the finger Fg.

しかしながら、上記の検出領域r1以外の領域に対して指Fgが接近したときに、上記検出値に変化が現れる場合がある。特に配線95,96等が密集しがちなフレキシブル基板97,98においては、配線間に生じる寄生容量の影響も相俟って上記検出値の変化が大きくなる傾向にあるので、指Fgの接近により意図しない誤検出を招く虞があった。   However, when the finger Fg approaches an area other than the detection area r1, the detection value may change. In particular, in the flexible boards 97 and 98 in which the wirings 95 and 96 and the like tend to be dense, the change in the detected value tends to increase due to the influence of the parasitic capacitance generated between the wirings. There was a risk of unintentional false detection.

特開2008−33777号公報JP 2008-33777 A

本発明は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、誤検出を抑制するとともに、導電体の接近をより正確に検出することができる静電容量式入力装置を提供することをその課題とする。   The present invention has been conceived under the circumstances described above, and provides a capacitance-type input device capable of suppressing erroneous detection and more accurately detecting the approach of a conductor. Is the subject.

本発明によって提供される静電容量式入力装置は、基板と、上記基板に形成され、第1方向に沿って並列され且つ上記第1方向と交差する第2方向に沿って延びる複数の第1検出電極と、上記基板に垂直な第3方向の一方から上記基板に対して接近する導電体について、この導電体と各第1検出電極の間に生じる静電容量の変化によって上記第1方向における上記導電体の接近位置を検出する制御手段と、上記基板の端部に設けられ、上記第3方向の一方側に向いた第1主面、および上記第3方向の他方側に向いた第2主面を有するフレキシブル基板と、上記基板および上記フレキシブル基板に跨って形成され、上記制御手段と上記複数の第1検出電極の各々とを接続するための複数の第1配線と、を備え、上記フレキシブル基板の上記第1主面には、導電性材料からなる導電層が形成されており、上記フレキシブル基板の上記第2主面には、上記複数の第1配線の一部を含んで構成される配線層が形成されている。   The capacitive input device provided by the present invention includes a substrate and a plurality of first elements formed on the substrate and extending along a second direction parallel to the first direction and intersecting the first direction. With respect to the detection electrode and a conductor approaching the substrate from one of the third directions perpendicular to the substrate, a change in capacitance generated between the conductor and each first detection electrode causes the change in the first direction. Control means for detecting the approach position of the conductor, a first main surface provided at an end of the substrate and directed to one side in the third direction, and a second directed to the other side in the third direction A flexible substrate having a main surface; and a plurality of first wirings formed across the substrate and the flexible substrate for connecting the control means and each of the plurality of first detection electrodes, The first flexible substrate A conductive layer made of a conductive material is formed on the surface, and a wiring layer including a part of the plurality of first wirings is formed on the second main surface of the flexible substrate. Yes.

本発明の好ましい実施の形態においては、上記第2方向に沿って並列され且つ上記第1方向に沿って延びる複数の第2検出電極と、上記制御手段と上記複数の第2検出電極の各々とを接続するための複数の第2配線と、を更に備える。   In a preferred embodiment of the present invention, a plurality of second detection electrodes arranged in parallel along the second direction and extending along the first direction, the control means, and each of the plurality of second detection electrodes, And a plurality of second wirings for connecting the two.

本発明の好ましい実施の形態においては、上記配線層は、上記複数の第2配線の一部を含んで構成される。   In a preferred embodiment of the present invention, the wiring layer includes a part of the plurality of second wirings.

本発明の好ましい実施の形態においては、上記基板は、上記第3方向の一方側に向いた平面状の第1面を有し、上記第1面に上記複数の第1検出電極および上記複数の第2検出電極のいずれもが形成されている。   In a preferred embodiment of the present invention, the substrate has a planar first surface facing one side of the third direction, and the plurality of first detection electrodes and the plurality of the plurality of first detection electrodes are disposed on the first surface. All of the second detection electrodes are formed.

本発明の好ましい実施の形態においては、上記各第1検出電極は、上記第2方向に沿って配列された複数の第1の電極要素を備え、上記各第2検出電極は、上記第1方向に沿って配列された複数の第2の電極要素を備え、上記第1配線は、上記複数の第1の電極要素のいずれかに導通し、且つ、隣接する上記第1および第2の電極要素に挟まれた隙間から上記基板の上記端部まで延びる、上記第1面に形成された複数の第1の連絡配線と、上記フレキシブル基板の上記第2主面に形成され、上記複数の第1の連絡配線の各々に対応する複数の第2の連絡配線と、上記導電層を構成し、且つ、上記複数の第2の連絡配線と交差する交差配線と、を含み、対応する上記第1および第2の連絡配線は、上記フレキシブル基板の上記第2主面が上記基板の上記第1面に重なる状態で接続されており、同一の上記第1配線に含まれる上記第2の連絡配線どうしは、上記フレキシブル基板において上記交差配線およびスルーホールを介して接続されている。   In a preferred embodiment of the present invention, each of the first detection electrodes includes a plurality of first electrode elements arranged along the second direction, and each of the second detection electrodes is in the first direction. A plurality of second electrode elements arranged along the first wiring line, wherein the first wiring is electrically connected to any one of the plurality of first electrode elements, and is adjacent to the first and second electrode elements. A plurality of first connection wirings formed on the first surface extending from a gap between the first end and the end of the substrate; and a plurality of first connection wires formed on the second main surface of the flexible substrate. A plurality of second connection wirings corresponding to each of the connection wirings, and cross wirings forming the conductive layer and intersecting the plurality of second connection wirings, the corresponding first and The second connection wiring is such that the second main surface of the flexible substrate is the base. Of which is connected in a state overlapping the first surface, said second contact wirings each other included in the same said first wiring is connected via the cross wiring and through holes in the flexible substrate.

本発明の好ましい実施の形態においては、上記第1配線は、上記複数の第1の電極要素のうち上記第2方向に沿って隣接する2つの第1の電極要素どうしを接続し、且つ、これら2つの第1の電極要素に挟まれた隙間に形成された第1の接続配線を備え、上記複数の第1の連絡配線のいずれかは、これら2つの第1の電極要素もしくは上記第1の接続配線に接続する。   In a preferred embodiment of the present invention, the first wiring connects two first electrode elements adjacent to each other along the second direction among the plurality of first electrode elements, and these A first connection wiring formed in a gap sandwiched between the two first electrode elements, and any one of the plurality of first connection wirings includes the two first electrode elements or the first first wiring Connect to the connection wiring.

本発明の好ましい実施の形態においては、上記第2配線は、上記複数の第2の電極要素のうち上記第1の接続配線を挟む2つの第2の電極要素どうしを接続する第2の接続配線を備え、上記第2の接続配線は、上記第1の接続配線が接続された複数の第1の電極要素の一端にあるものを囲むように配置されている。   In a preferred embodiment of the present invention, the second wiring is a second connection wiring that connects two second electrode elements sandwiching the first connection wiring among the plurality of second electrode elements. And the second connection wiring is disposed so as to surround one of the plurality of first electrode elements to which the first connection wiring is connected.

本発明の好ましい実施の形態においては、上記導電層は、グランド接続されたメッシュ状のシールド部を含んで構成される。   In a preferred embodiment of the present invention, the conductive layer includes a mesh-shaped shield portion connected to the ground.

本発明の好ましい実施の形態においては、上記基板における上記第3方向の他方側の第2面には、導電性材料からなるシールド層が形成されており、上記シールド部は、上記シールド層に接続されている。   In a preferred embodiment of the present invention, a shield layer made of a conductive material is formed on the second surface on the other side in the third direction of the substrate, and the shield portion is connected to the shield layer. Has been.

本発明の好ましい実施の形態においては、上記フレキシブル基板は、上記基板との接続側端部において、上記配線層の一部を含む配線接続部と、上記シールド部につながるシールド接続部とを有する二股状とされており、上記配線接続部における上記第2主面が上記基板の上記第1面上に重ねられることにより、上記基板と上記フレキシブル基板との間において上記第1配線もしくは上記第2配線が接続しており、上記シールド接続部における上記第1主面が上記基板の上記第2面上に重ねられることにより、上記シールド層と上記シールド部とが接続している。   In a preferred embodiment of the present invention, the flexible substrate has a bifurcated structure having a wiring connection portion including a part of the wiring layer and a shield connection portion connected to the shield portion at an end portion on a connection side with the substrate. The second main surface of the wiring connection portion is superimposed on the first surface of the substrate, whereby the first wiring or the second wiring is interposed between the substrate and the flexible substrate. Are connected, and the shield layer and the shield portion are connected to each other by overlapping the first main surface of the shield connection portion on the second surface of the substrate.

本発明の好ましい実施の形態においては、上記導電層は、上記第3方向視において上記配線層と重なる領域に形成されている。   In a preferred embodiment of the present invention, the conductive layer is formed in a region overlapping the wiring layer when viewed in the third direction.

本発明の好ましい実施の形態においては、上記基板に対して上記第3方向の一方側に対向配置された透明カバーを更に備える。   In a preferred embodiment of the present invention, a transparent cover is further provided opposite to the substrate on one side in the third direction.

本発明の好ましい実施の形態においては、隣接する上記第1および第2の電極要素に挟まれた隙間に形成された光透過層と、上記複数の第1の電極要素、上記複数の第2の電極要素、および、上記光透過層を覆うコーティング層と、を更に備える。   In a preferred embodiment of the present invention, a light transmission layer formed in a gap sandwiched between the first and second electrode elements adjacent to each other, the plurality of first electrode elements, and the plurality of second electrodes An electrode element and a coating layer covering the light transmission layer are further provided.

本発明の好ましい実施の形態においては、上記光透過層を構成する材料の屈折率は、上記コーティング層を構成する材料の屈折率と異なる。   In a preferred embodiment of the present invention, the refractive index of the material constituting the light transmission layer is different from the refractive index of the material constituting the coating layer.

本発明の好ましい実施の形態においては、上記光透過層を構成する材料は、上記第1の電極要素、もしくは上記第2の電極要素を構成する材料と同一の材料よりなる。   In a preferred embodiment of the present invention, the material constituting the light transmission layer is made of the same material as the material constituting the first electrode element or the second electrode element.

本発明の好ましい実施の形態においては、上記光透過層は、互いに離間する複数のラインエレメントを含む。   In a preferred embodiment of the present invention, the light transmission layer includes a plurality of line elements spaced apart from each other.

本発明のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。   Other features and advantages of the present invention will become more apparent from the detailed description given below with reference to the accompanying drawings.

本発明の第1実施形態にかかる入力装置の要部断面図である。It is principal part sectional drawing of the input device concerning 1st Embodiment of this invention. 図1のII−II線に沿う要部平面図である。It is a principal part top view which follows the II-II line | wire of FIG. 図2に示した入力装置の一部の構成を示す要部平面図である。FIG. 3 is a plan view of a principal part showing a partial configuration of the input device shown in FIG. 2. 図2に示した入力装置の一部の構成を示す要部平面図である。FIG. 3 is a plan view of a principal part showing a partial configuration of the input device shown in FIG. 2. 図2に示した入力装置の一部の構成を示す要部拡大平面図である。FIG. 3 is an enlarged plan view of a main part showing a partial configuration of the input device shown in FIG. 2. 本発明の第1実施形態にかかる入力装置の変形例を示す要部断面図である。It is principal part sectional drawing which shows the modification of the input device concerning 1st Embodiment of this invention. (a)は、電極yごとの静電容量変化の検出値を示すグラフであり、(b)は、当該検出値の数値および比を示す表である。(A) is a graph which shows the detected value of the electrostatic capacitance change for every electrode y, (b) is a table | surface which shows the numerical value and ratio of the said detected value. 本発明の第2実施形態にかかる入力装置の要部平面図である。It is a principal part top view of the input device concerning 2nd Embodiment of this invention. 図8に示した入力装置の一部の構成を示す要部平面図である。It is a principal part top view which shows the structure of a part of input device shown in FIG. 図8に示した入力装置の一部の構成を示す要部平面図である。It is a principal part top view which shows the structure of a part of input device shown in FIG. 図8の領域XIの部分拡大図である。It is the elements on larger scale of the area | region XI of FIG. 図11のXII−XII線に沿う要部断面図である。It is principal part sectional drawing which follows the XII-XII line | wire of FIG. 本発明の第3実施形態にかかる入力装置の要部平面図である。It is a principal part top view of the input device concerning 3rd Embodiment of this invention. 従来の入力装置の要部断面図である。It is principal part sectional drawing of the conventional input device. 図14に示した入力装置の要部平面図である。It is a principal part top view of the input device shown in FIG. 従来の入力装置の検出電極ごとの静電容量変化の検出値を示すヒストグラムである。It is a histogram which shows the detected value of the electrostatic capacitance change for every detection electrode of the conventional input device.

以下、本発明の実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be specifically described with reference to the drawings.

図1〜図5を用いて本発明の第1実施形態について説明する。図1は、本実施形態にかかる入力装置の要部断面図である。図2は、図1のII−II線に沿う要部平面図である。これらの図に示された入力装置A10は、複数の電極x、複数の電極y、複数の配線31、複数の配線32、透過板4、シールド層5、透明接着剤61、透明カバー62、フレキシブル基板7、およびICチップ8、を備える。図3は、図2における電極yを主に示す要部平面図である。図4は、図2における電極xを主に示す要部平面図である。図5は、図2におけるフレキシブル基板7を主に示す要部拡大平面図である。   A first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 1 is a cross-sectional view of a main part of the input device according to the present embodiment. FIG. 2 is a plan view of an essential part taken along line II-II in FIG. The input device A10 shown in these drawings includes a plurality of electrodes x, a plurality of electrodes y, a plurality of wirings 31, a plurality of wirings 32, a transmission plate 4, a shield layer 5, a transparent adhesive 61, a transparent cover 62, a flexible A substrate 7 and an IC chip 8 are provided. FIG. 3 is a plan view of a principal part mainly showing the electrode y in FIG. FIG. 4 is a plan view of a principal part mainly showing the electrode x in FIG. FIG. 5 is an enlarged plan view of a main part mainly showing the flexible substrate 7 in FIG.

入力装置A10は、透過板4に垂直な方向Zの一方(図1において上方)から導電体である指Fgが接近したことを静電容量の変化により検出するためのものである。入力装置A10は、液晶表示パネルBと重ね合わせられることにより、いわゆる静電容量式のタッチパネルを構成している。   The input device A10 is for detecting the approach of a finger Fg, which is a conductor, from one side (upward in FIG. 1) in the direction Z perpendicular to the transmission plate 4 by a change in capacitance. The input device A10 is superposed on the liquid crystal display panel B to constitute a so-called electrostatic capacitance type touch panel.

なお、図2〜図4において、点線で囲まれた領域は検出領域r1である。検出領域r1は、入力装置A10に対して指Fgを接近させ指Fgの接近を検出する領域である。一方、これらの図において、透過板4における、検出領域r1を囲む枠状の領域が非検出領域r2である。検出領域r1と非検出領域r2との境界を、端縁r3,r4、および端縁r5,r6としている。端縁r3,r4は、方向Xに沿っており、それぞれ図2の下方、上方に位置する。端縁r5,r6は、方向Yに沿っており、それぞれ図2の左方、右方に位置する。   2 to 4, a region surrounded by a dotted line is a detection region r1. The detection area r1 is an area for detecting the approach of the finger Fg by causing the finger Fg to approach the input device A10. On the other hand, in these drawings, a frame-shaped region surrounding the detection region r1 in the transmission plate 4 is a non-detection region r2. The boundaries between the detection area r1 and the non-detection area r2 are edge r3, r4 and edge r5, r6. The end edges r3 and r4 are along the direction X, and are located below and above in FIG. The edges r5 and r6 are along the direction Y, and are located on the left and right sides of FIG.

透過板4は、透明であり、平面板状を呈している。透過板4は、たとえばポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリカーボネイト(PC)などの透明樹脂の単層樹脂体、またはこれらに代表される透明樹脂から選ばれた2種類の材料からなる積層樹脂体、あるいは、ガラスなどからなる。   The transmission plate 4 is transparent and has a flat plate shape. The transmission plate 4 is made of, for example, a single layer resin body of a transparent resin such as polyethylene terephthalate (PET), polyethylene naphthalate (PEN), or polycarbonate (PC), or two kinds of materials selected from transparent resins represented by these. It is made of a laminated resin body or glass.

複数の電極xおよび複数の電極yは、いずれも透過板4の表面4a(図1において上方側)に形成されている。   The plurality of electrodes x and the plurality of electrodes y are all formed on the surface 4 a (upper side in FIG. 1) of the transmission plate 4.

複数の電極yは、それぞれ方向Xに沿って延びており、互いに方向Yに沿って並列されている。複数の電極yは、方向Yに沿ってたとえば5mmのピッチで配置されている。図2、図3の下側に配置された電極yから順に、電極y1,y2・・・としている。電極yは何本形成されていてもよいが、本実施形態においては、14本形成されている。電極yは、方向Yにおける指Fgの接近位置を検出するためのものであり、本発明における第1検出電極の一例に相当する。電極yは、たとえばITO,IZOなどの透明な導電性材料からなる薄膜に対して、パターニングを施したものである。   The plurality of electrodes y each extend along the direction X and are arranged in parallel along the direction Y. The plurality of electrodes y are arranged along the direction Y at a pitch of 5 mm, for example. The electrodes y1, y2,... Are sequentially formed from the electrode y arranged on the lower side of FIGS. Any number of electrodes y may be formed, but in the present embodiment, 14 electrodes y are formed. The electrode y is for detecting the approach position of the finger Fg in the direction Y, and corresponds to an example of the first detection electrode in the present invention. The electrode y is obtained by patterning a thin film made of a transparent conductive material such as ITO or IZO.

図2、図3に示すように、電極yはそれぞれ、方向Xに沿って配列された複数の電極要素11を備える。電極要素11は、ほぼ菱形状である。電極要素11の形状は、菱形状に限らず、丸型状、多角形状、またはその他の形状でも構わない。   As shown in FIGS. 2 and 3, each electrode y includes a plurality of electrode elements 11 arranged along the direction X. The electrode element 11 has a substantially rhombus shape. The shape of the electrode element 11 is not limited to a rhombus shape, and may be a round shape, a polygonal shape, or other shapes.

複数の電極xは、それぞれ方向Yに沿って延びており、互いに方向Xに沿って並列されている。複数の電極xは、方向Xに沿ってたとえば5mmのピッチで配置されている。図2、図4の左側に配置された電極yから順に、電極x1,x2・・・としている。電極xは何本形成されていてもよいが、本実施形態においては、10本形成されている。電極xは、方向Xにおける指Fgの接近位置を検出するためのものであり、本発明における第2検出電極の一例に相当する。電極xは、たとえばITO,IZOなどの透明な導電性材料からなる薄膜に対して、パターニングを施したものである。   The plurality of electrodes x each extend along the direction Y and are arranged in parallel along the direction X. The plurality of electrodes x are arranged along the direction X at a pitch of 5 mm, for example. In order from the electrode y arranged on the left side of FIG. 2 and FIG. Any number of electrodes x may be formed, but in the present embodiment, ten electrodes x are formed. The electrode x is for detecting the approach position of the finger Fg in the direction X, and corresponds to an example of a second detection electrode in the present invention. The electrode x is obtained by patterning a thin film made of a transparent conductive material such as ITO or IZO.

図2、図4に示すように、電極xはそれぞれ、方向Yに沿って配列された複数の電極要素21を備える。電極要素21は、ほぼ菱形状である。電極要素21の形状は、菱形状に限らず、丸型状、多角形状、またはその他の形状でも構わない。図2に示すように、透過板4の表面4aには、電極要素11と電極要素21とに挟まれた隙間s1が形成されている。   As shown in FIGS. 2 and 4, each of the electrodes x includes a plurality of electrode elements 21 arranged along the direction Y. The electrode element 21 has a substantially rhombus shape. The shape of the electrode element 21 is not limited to a rhombus shape, and may be a round shape, a polygonal shape, or other shapes. As shown in FIG. 2, a gap s <b> 1 sandwiched between the electrode element 11 and the electrode element 21 is formed on the surface 4 a of the transmission plate 4.

シールド層5は、透過板4の裏面4b(図1において下方側)に形成されている。シールド層5は、たとえばITO,IZOなどの透明導電性材料から構成されている。シールド層5は、たとえばリア保護層(図示略)により覆われている。シールド層5は、外来ノイズを遮断する役割を果たす。   The shield layer 5 is formed on the back surface 4b (the lower side in FIG. 1) of the transmission plate 4. The shield layer 5 is made of a transparent conductive material such as ITO or IZO. The shield layer 5 is covered with, for example, a rear protective layer (not shown). The shield layer 5 plays a role of blocking external noise.

フレキシブル基板7は、透過板4の方向Yにおける端部4c(図2において下側)に設けられている。フレキシブル基板7は、たとえば、ポリイミドなどの絶縁材料からなり、平面視略T字の平面板状を呈している。フレキシブル基板7の表面7a(図1において上方側)には、導電性材料からなる導電層73が形成されており、フレキシブル基板7の裏面7b(図1において下方側)には、配線層74が形成されている。導電層73および配線層74の詳細については後述する。なお、図2においては、導電層73の記載を省略している。   The flexible substrate 7 is provided at the end 4c (the lower side in FIG. 2) in the direction Y of the transmission plate 4. The flexible substrate 7 is made of, for example, an insulating material such as polyimide, and has a flat plate shape that is substantially T-shaped in plan view. A conductive layer 73 made of a conductive material is formed on the front surface 7a (upper side in FIG. 1) of the flexible substrate 7, and a wiring layer 74 is formed on the back surface 7b (lower side in FIG. 1) of the flexible substrate 7. Is formed. Details of the conductive layer 73 and the wiring layer 74 will be described later. In FIG. 2, the conductive layer 73 is not shown.

図1、図2、図5に示すように、フレキシブル基板7は、透過板4との接続側端部において、配線接続部71とシールド接続部72とを有する二股状に形成されている。配線接続部71は、後述する配線31どうし、および配線32どうしをそれぞれ接続するための部分である。シールド接続部72は、シールド層5と後述するシールド部731とを接続するための部分である。   As shown in FIGS. 1, 2, and 5, the flexible substrate 7 is formed in a bifurcated shape having a wiring connection portion 71 and a shield connection portion 72 at the end portion on the connection side with the transmission plate 4. The wiring connection part 71 is a part for connecting the wirings 31 and the wirings 32 described later. The shield connection part 72 is a part for connecting the shield layer 5 and a shield part 731 described later.

フレキシブル基板7の適所には、複数のスルーホール75(図1、図5参照)が形成されている。各スルーホール75には、フレキシブル基板7の表面7a側と裏面7b側とを接続するためのCuなどの低抵抗の金属材料が充填されている。   A plurality of through holes 75 (see FIGS. 1 and 5) are formed at appropriate positions of the flexible substrate 7. Each through-hole 75 is filled with a low-resistance metal material such as Cu for connecting the front surface 7 a side and the back surface 7 b side of the flexible substrate 7.

図2、図3、または図5に示すように、複数の配線31は、透過板4およびフレキシブル基板7に跨って形成されている。配線31は、電極yと各別に接続している。配線31は、透過板4の表面4aに形成された配線311〜315と、フレキシブル基板7に形成された配線316〜318(図5参照)とを備える。   As shown in FIG. 2, FIG. 3, or FIG. 5, the plurality of wirings 31 are formed across the transmission plate 4 and the flexible substrate 7. The wiring 31 is connected to the electrode y separately. The wiring 31 includes wirings 311 to 315 formed on the surface 4 a of the transmission plate 4 and wirings 316 to 318 (see FIG. 5) formed on the flexible substrate 7.

配線311は、図3の最も左側もしくは最も右側に配置された電極要素11に接続している。最も左側に配置された電極要素11に接続している配線311はいずれも、接続している電極要素11から端縁r5に向かって延び、さらに、方向Yに沿って図下方に延びている。一方、最も右側に配置された電極要素11に接続している配線311はいずれも、接続している電極要素11から端縁r6に向かって延び、さらに、方向Yに沿って図下方に延びている。   The wiring 311 is connected to the electrode element 11 arranged on the leftmost side or the rightmost side in FIG. Each of the wirings 311 connected to the electrode element 11 arranged on the leftmost side extends from the connected electrode element 11 toward the edge r5, and further extends downward in the figure along the direction Y. On the other hand, all the wirings 311 connected to the electrode element 11 arranged on the rightmost side extend from the connected electrode element 11 toward the edge r6, and further extend downward in the figure along the direction Y. Yes.

配線312は、図3の最も上側に配置された電極y14に含まれる電極要素11に接続している。各配線312は、方向Xにおいて隣り合う2つの電極要素11から端縁r4に向かって延びており、非検出領域r2に至っている。これにより、電極y14に含まれる電極要素11どうしが導通している。   The wiring 312 is connected to the electrode element 11 included in the electrode y14 disposed on the uppermost side in FIG. Each wiring 312 extends from the two electrode elements 11 adjacent in the direction X toward the edge r4 and reaches the non-detection region r2. Thereby, the electrode elements 11 included in the electrode y14 are electrically connected.

配線313は、電極y1〜y13に含まれる電極要素11のうち、方向Xにおいて隣り合う2つの電極要素11どうしを導通させている。配線313は、これらの2つの電極要素11に挟まれた隙間に形成されている。配線313は、本発明にかかる第1の接続配線の一例に相当する。   The wiring 313 electrically connects two electrode elements 11 adjacent in the direction X among the electrode elements 11 included in the electrodes y1 to y13. The wiring 313 is formed in a gap sandwiched between these two electrode elements 11. The wiring 313 corresponds to an example of a first connection wiring according to the present invention.

配線314は、図3の上から2番目に配置された電極y13に含まれる電極要素11に接続している。各配線314は、配線313に接続された2つの電極要素11のうち左側に配置されたものに接続している。各配線314は、電極要素11から、端縁r4に向かって延び、非検出領域r2に至っている。また、配線314は、電極y14に含まれる電極要素11を囲むように配置されており、配線312との交差部分を有さない。配線313,配線314により、電極y13に含まれる電極要素11どうしが導通している。   The wiring 314 is connected to the electrode element 11 included in the electrode y13 arranged second from the top in FIG. Each wiring 314 is connected to one of the two electrode elements 11 connected to the wiring 313 that is arranged on the left side. Each wiring 314 extends from the electrode element 11 toward the edge r4 and reaches the non-detection region r2. The wiring 314 is disposed so as to surround the electrode element 11 included in the electrode y14 and does not have an intersection with the wiring 312. By the wiring 313 and the wiring 314, the electrode elements 11 included in the electrode y13 are electrically connected.

配線315は、電極y1〜y12に含まれる電極要素11に接続している。配線315も、配線313に接続された2つの電極要素11のうち左側に配置されたものに接続している。各配線315は、電極要素11から、電極要素11と電極要素21とに挟まれた隙間s1を縫うように図下方に延びており、端縁r3を横切って透過板4の端部4cに至っている。配線315は、本発明の第1の連絡配線の一例に相当する。上記した配線311〜315は、たとえばITO,IZOなどの透明な導電性材料からなる。各配線311〜315の幅は、たとえば30〜100μmである。   The wiring 315 is connected to the electrode element 11 included in the electrodes y1 to y12. The wiring 315 is also connected to the two electrode elements 11 connected to the wiring 313 that are arranged on the left side. Each wiring 315 extends downward from the electrode element 11 so as to sew a gap s1 sandwiched between the electrode element 11 and the electrode element 21, and reaches the end 4c of the transmission plate 4 across the edge r3. Yes. The wiring 315 corresponds to an example of the first connection wiring of the present invention. The wirings 311 to 315 described above are made of a transparent conductive material such as ITO or IZO. The width of each wiring 311 to 315 is, for example, 30 to 100 μm.

配線316,317は、フレキシブル基板7の裏面7bに形成されている。図5においては、配線316,317を点線で表す。配線316は、配線311と各別に接続している。配線317は、配線315と各別に接続している。ここで、配線311および配線316、ならびに配線315および配線317はそれぞれ、フレキシブル基板7の裏面7bが透過板4の表面4aに重なる状態で接続されている。配線317は、本発明の第2の連絡配線の一例に相当する。   The wirings 316 and 317 are formed on the back surface 7 b of the flexible substrate 7. In FIG. 5, the wirings 316 and 317 are represented by dotted lines. The wiring 316 is connected to the wiring 311 separately. The wiring 317 is connected to the wiring 315 separately. Here, the wiring 311 and the wiring 316, and the wiring 315 and the wiring 317 are connected in a state where the back surface 7 b of the flexible substrate 7 overlaps the front surface 4 a of the transmission plate 4. The wiring 317 corresponds to an example of the second connection wiring of the present invention.

配線318は、フレキシブル基板7の表面7aに形成されている。配線318は、裏面7bに形成された配線316,317とフレキシブル基板7を間に挟んだ状態で交差している。そして、フレキシブル基板7において、同一の電極yに含まれる電極要素11に導通している配線316,317どうしは、配線318およびスルーホール75を介して接続している。これにより、同一の電極y(電極y1〜y12に限る)に含まれる電極要素11は、それぞれ導通している。配線318は、本発明の交差配線の一例に相当する。また、配線318は、導電層73を構成している。上記した配線316〜318は、たとえばCuなどの低抵抗の金属材料からなる。各配線316〜318の幅は、たとえば30〜100μmである。   The wiring 318 is formed on the surface 7 a of the flexible substrate 7. The wiring 318 intersects with the wirings 316 and 317 formed on the back surface 7b and the flexible substrate 7 interposed therebetween. In the flexible substrate 7, the wirings 316 and 317 that are electrically connected to the electrode element 11 included in the same electrode y are connected through the wiring 318 and the through hole 75. Thereby, the electrode elements 11 included in the same electrode y (limited to the electrodes y1 to y12) are electrically connected. The wiring 318 corresponds to an example of the cross wiring of the present invention. Further, the wiring 318 constitutes a conductive layer 73. The wirings 316 to 318 described above are made of a low resistance metal material such as Cu. The width of each wiring 316 to 318 is, for example, 30 to 100 μm.

図2、図4、または図5に示すように、複数の配線32も、配線31と同様、透過板4およびフレキシブル基板7に跨って形成されている。配線32は、電極xと各別に接続している。配線32は、透過板4の表面4aに形成された配線321〜323と、フレキシブル基板7に形成された配線324とを備える。   As shown in FIG. 2, FIG. 4, or FIG. 5, the plurality of wirings 32 are also formed across the transmission plate 4 and the flexible substrate 7 in the same manner as the wirings 31. The wiring 32 is connected to the electrode x separately. The wiring 32 includes wirings 321 to 323 formed on the surface 4 a of the transmission plate 4 and wiring 324 formed on the flexible substrate 7.

配線321は、方向Yにおいて隣り合う2つの電極要素21どうしを導通させている。配線321は、これらの2つの電極要素21に挟まれた隙間に形成されている。配線322も、方向Yにおいて隣り合う2つの電極要素21どうしを導通させている。配線322は、配線313と交差することを避けるため、配線313に接続された2つの電極要素11の一方を囲むように配置されている。配線321および配線322に接続されることにより、同一の電極xに含まれる電極要素21どうしが導通している。なお、配線322は、本発明における第2の接続配線の一例に相当する。配線323は、図4に示すように、電極xに含まれる電極要素21のうち最も下側に位置する電極要素21から図下方に延びており、端縁r3を横切って透過板4の端部4cに至っている。上記した配線321〜323は、たとえばITO,IZOなどの透明な導電性材料からなる。各配線321〜323の幅は、たとえば30〜100μmである。   The wiring 321 makes the two electrode elements 21 adjacent in the direction Y conductive. The wiring 321 is formed in a gap sandwiched between these two electrode elements 21. The wiring 322 also connects the two electrode elements 21 adjacent in the direction Y to each other. The wiring 322 is disposed so as to surround one of the two electrode elements 11 connected to the wiring 313 in order to avoid crossing the wiring 313. By being connected to the wiring 321 and the wiring 322, the electrode elements 21 included in the same electrode x are electrically connected. The wiring 322 corresponds to an example of the second connection wiring in the present invention. As shown in FIG. 4, the wiring 323 extends downward from the lowermost electrode element 21 among the electrode elements 21 included in the electrode x, and crosses the edge r <b> 3 to the end of the transmission plate 4. 4c has been reached. The wirings 321 to 323 described above are made of a transparent conductive material such as ITO or IZO. The width of each of the wirings 321 to 323 is, for example, 30 to 100 μm.

配線324は、フレキシブル基板7の裏面7bに形成されている。図5においては、配線324を点線で表す。配線324は、配線323と各別に接続している。配線323および配線324はそれぞれ、フレキシブル基板7の裏面7bが透過板4の表面4aに重なる状態で接続されている。配線324は、たとえばCuなどの低抵抗の金属材料からなる。配線324の幅は、たとえば30〜100μmである。   The wiring 324 is formed on the back surface 7 b of the flexible substrate 7. In FIG. 5, the wiring 324 is represented by a dotted line. The wiring 324 is connected to the wiring 323 separately. The wiring 323 and the wiring 324 are connected in a state where the back surface 7 b of the flexible substrate 7 overlaps the front surface 4 a of the transmission plate 4. The wiring 324 is made of a low resistance metal material such as Cu. The width of the wiring 324 is, for example, 30 to 100 μm.

フレキシブル基板7の裏面7bに形成された配線層74は、上記した配線316,317,324を含んで構成される。配線層74は、たとえばCuなどの低抵抗の金属材料からなる薄膜に対してパターニングを施したものである。   The wiring layer 74 formed on the back surface 7b of the flexible substrate 7 includes the wirings 316, 317, and 324 described above. The wiring layer 74 is obtained by patterning a thin film made of a low resistance metal material such as Cu.

フレキシブル基板7の表面7aに形成された導電層73は、たとえばCuなどの低抵抗の金属材料からなる薄膜に対してパターニングを施したものであり、上記した配線318と、シールド部731とを含んで構成される。シールド部731は、メッシュ状とされており、たとえば一定のメッシュ幅、一定の繰返しピッチのパターンとして形成されたものである。入力装置A10が所定の機器に組み込まれるとき、シールド部731はグランドに接続される。シールド部731は、配線318の形成領域以外において、配線層74を覆うように形成されている。これにより、導電層73は、方向Z視において配線層74と重なる領域に形成されている。   The conductive layer 73 formed on the surface 7a of the flexible substrate 7 is obtained by patterning a thin film made of a low-resistance metal material such as Cu, and includes the wiring 318 and the shield portion 731 described above. Consists of. The shield portion 731 has a mesh shape, and is formed, for example, as a pattern having a constant mesh width and a constant repetition pitch. When the input device A10 is incorporated in a predetermined device, the shield portion 731 is connected to the ground. The shield portion 731 is formed so as to cover the wiring layer 74 outside the region where the wiring 318 is formed. Thereby, the conductive layer 73 is formed in a region overlapping the wiring layer 74 in the direction Z.

シールド部731はまた、フレキシブル基板7の二股状の一方であるシールド接続部72の端部に至るまで形成されている。図1、図5から分かるように、シールド接続部72における表面7aが透過板4の裏面4bに重ねられている。これにより、透過板4の裏面4bに形成されたシールド層5と、フレキシブル基板7の表面7aに形成されたシールド部731とは、接続している。なお、導電層73および配線層74は、配線31,32等の接続部分を除いて、たとえばポリイミドなどの絶縁材料からなるコーティング層(図示略)により覆われている。   The shield portion 731 is also formed up to the end of the shield connection portion 72 that is one of the two forks of the flexible substrate 7. As can be seen from FIGS. 1 and 5, the front surface 7 a of the shield connection portion 72 is superimposed on the back surface 4 b of the transmission plate 4. Thereby, the shield layer 5 formed on the back surface 4 b of the transmission plate 4 and the shield part 731 formed on the front surface 7 a of the flexible substrate 7 are connected. The conductive layer 73 and the wiring layer 74 are covered with a coating layer (not shown) made of an insulating material such as polyimide, for example, except for connection portions such as the wirings 31 and 32.

ICチップ8は、たとえばフレキシブル基板7の裏面7bに搭載されている。ICチップ8は、配線31(配線311〜318)を介して、電極yと接続している。ICチップ8はまた、配線32(配線321〜324)を介して、電極xと接続している。ICチップ8は、各電極yについての検出値を、独立に、且つ、常に計測可能である。ICチップ8はまた、各電極xについての検出値を、独立に、且つ、常に計測可能である。   The IC chip 8 is mounted on the back surface 7b of the flexible substrate 7, for example. The IC chip 8 is connected to the electrode y via the wiring 31 (wirings 311 to 318). The IC chip 8 is also connected to the electrode x via the wiring 32 (wirings 321 to 324). The IC chip 8 can always and independently measure the detection value for each electrode y. The IC chip 8 can also measure the detection value for each electrode x independently and always.

透明カバー62は、透過板4に対して方向Zの一方側(図1における上方側)に対向配置されている。透明カバー62は、たとえば透明接着剤61を介して透過板4に接合されている。透明接着剤61としては、光を良好に透過するとともに、電極yと電極xとを互いに絶縁可能なもの(たとえば光学用粘着剤)を用いればよい。   The transparent cover 62 is disposed opposite to the transmission plate 4 on one side in the direction Z (upper side in FIG. 1). The transparent cover 62 is joined to the transmission plate 4 via, for example, a transparent adhesive 61. As the transparent adhesive 61, a material that can transmit light well and can insulate the electrode y and the electrode x from each other (for example, an optical pressure-sensitive adhesive) may be used.

液晶表示パネルBは、たとえば互いに対向する透明基板およびTFT基板と、これらに挟まれた液晶層とを備えており、たとえば携帯電話機の操作に供する操作メニュー画面や、画像などを表示する機能を有する。液晶表示パネルBに表示された画像は、入力装置A10をとおして視認可能である。液晶表示パネルBの表示面は、方向Z視において電極x,yと重なるように配置されている。   The liquid crystal display panel B includes, for example, a transparent substrate and a TFT substrate facing each other, and a liquid crystal layer sandwiched between them, and has a function of displaying an operation menu screen, an image, and the like for use in operating a mobile phone, for example. . The image displayed on the liquid crystal display panel B is visible through the input device A10. The display surface of the liquid crystal display panel B is disposed so as to overlap the electrodes x and y when viewed in the direction Z.

入力装置A10および液晶表示パネルBは、携帯電話機などに組み込まれて、たとえば以下のようにして使用される。   The input device A10 and the liquid crystal display panel B are incorporated in a mobile phone or the like and used, for example, as follows.

液晶表示パネルBには、たとえば携帯電話機の諸機能を発揮させるボタンを模したアイコンを含む操作メニュー画面を表示させる。使用者がなんら操作をしない状態においては、各電極x,yと指Fgとの間には静電容量がほとんど生じていない。次いで、使用者は、選択したい機能に対応するアイコンを触るようにして、指Fgを方向Zの一方から透明カバー62の表面62aに接近させる。すると、電極x,yと指Fgとの距離が小さくなる。これにより、指Fgと各電極x,yとの間の静電容量が変化する。複数の電極x,yのうち指Fgとの距離が小さいものほど静電容量が大きい。ICチップ8は、この静電容量の変化を電極x,yごとの検出値として計測する。そして、ICチップ8は、検出値が増加した電極yを特定することにより、方向Yにおける指Fgの接近位置を検出し、検出値が増加した電極xを特定することにより、方向Xにおける指Fgの接近位置を検出する。以上の手順を経ることにより、指FgのXY平面における接近位置を検出でき、使用者が触れようとしたアイコンが検出できる。そして、携帯電話機は、このアイコンに対応する機能を発揮する。   On the liquid crystal display panel B, for example, an operation menu screen including icons imitating buttons for exercising various functions of the mobile phone is displayed. When the user does not perform any operation, there is almost no capacitance between the electrodes x and y and the finger Fg. Next, the user brings the finger Fg closer to the surface 62a of the transparent cover 62 from one side in the direction Z by touching an icon corresponding to the function to be selected. Then, the distance between the electrodes x and y and the finger Fg is reduced. Thereby, the electrostatic capacitance between the finger Fg and each electrode x and y changes. Of the plurality of electrodes x and y, the smaller the distance from the finger Fg, the larger the capacitance. The IC chip 8 measures this change in capacitance as a detection value for each of the electrodes x and y. Then, the IC chip 8 detects the approach position of the finger Fg in the direction Y by specifying the electrode y with the increased detection value, and specifies the electrode x with the increased detection value, thereby identifying the finger Fg in the direction X. The approach position of is detected. Through the above procedure, the approach position of the finger Fg in the XY plane can be detected, and the icon that the user is trying to touch can be detected. The mobile phone exhibits a function corresponding to this icon.

次に、入力装置A10の作用について説明する。   Next, the operation of the input device A10 will be described.

入力装置A10によれば、フレキシブル基板7において、裏面7bには、配線316,317,324を含んで構成された配線層74が形成される一方、表面7aには導電層73が形成されている。このため、指Fgが方向Zの一方から検出領域r1以外のたとえばフレキシブル基板7に接近するとき、配線層74と指Fgとの間に導電層73が介在することになる。そして、この導電層73が配線層74(配線316,317,324)に対するシールドとして機能し、フレキシブル基板7に対する指Fgの接近により、電極x,yごとの検出値に大きな変化が現れるのを抑制することができる。したがって、配線層74を有する上記構成によれば、検出領域r1における指Fgの接近をより正確に検出することができる。   According to the input device A10, in the flexible substrate 7, on the back surface 7b, the wiring layer 74 configured to include the wirings 316, 317, and 324 is formed, while on the front surface 7a, the conductive layer 73 is formed. . For this reason, when the finger Fg approaches, for example, the flexible substrate 7 other than the detection region r1 from one side in the direction Z, the conductive layer 73 is interposed between the wiring layer 74 and the finger Fg. The conductive layer 73 functions as a shield for the wiring layer 74 (wirings 316, 317, and 324), and suppresses a large change in the detection value for each of the electrodes x and y due to the approach of the finger Fg to the flexible substrate 7. can do. Therefore, according to the above configuration having the wiring layer 74, the approach of the finger Fg in the detection region r1 can be detected more accurately.

導電層73は、配線318とメッシュ状のシールド部731とを有し、このシールド部731は、配線318の形成領域以外において、配線層74を覆うように形成されている。シールド部731は、配線層74との間で寄生容量を生ずるので、たとえば本実施形態とは異なる膜状のシールドを形成する場合には、配線層74との間の寄生容量が大きくなり、好ましくない。これに対し、本実施形態では、シールド部731を、適度なメッシュ密度を有するメッシュ状とすることにより、シールド性能を確保しつつ、シールド部731および配線層74の間の寄生容量を小さくすることができる。このことは、検出領域r1における指Fgの接近をより正確に検出するのに適している。なお、シールド部731のメッシュ密度の一例を挙げると、メッシュ幅が0.05〜0.2mm程度、繰返しピッチが0.8〜1.5mm程度とされる。   The conductive layer 73 includes a wiring 318 and a mesh-shaped shield portion 731, and the shield portion 731 is formed so as to cover the wiring layer 74 in a region other than the formation region of the wiring 318. Since the shield portion 731 generates a parasitic capacitance with the wiring layer 74, for example, when a film-like shield different from the present embodiment is formed, the parasitic capacitance with the wiring layer 74 increases, which is preferable. Absent. On the other hand, in this embodiment, by making the shield part 731 into a mesh shape having an appropriate mesh density, the parasitic capacitance between the shield part 731 and the wiring layer 74 is reduced while ensuring the shielding performance. Can do. This is suitable for more accurately detecting the approach of the finger Fg in the detection region r1. An example of the mesh density of the shield portion 731 is that the mesh width is about 0.05 to 0.2 mm and the repetition pitch is about 0.8 to 1.5 mm.

そして、導電層73(配線318およびシールド部731)は、方向Z視において配線層74と重なる領域に形成されている。このため、フレキシブル基板7に対する指Fgの接近により、検出値に不当な変化が現れるのをより適切に抑制することができる。   The conductive layer 73 (the wiring 318 and the shield portion 731) is formed in a region overlapping the wiring layer 74 when viewed in the direction Z. For this reason, it can suppress more appropriately that an unjust change appears in a detection value by the approach of the finger | toe Fg with respect to the flexible substrate 7. FIG.

入力装置A10において、電極yのうち電極y1〜y12のそれぞれとICチップ8とを接続するための各配線31については、電極要素11に導通する複数の配線316,317がフレキシブル基板7の裏面7bに形成されている。同一の配線31に含まれる配線316,317どうしは、フレキシブル基板7の表面7aに形成された配線318、およびスルーホール75を介して接続している。すなわち、配線31を構成する複数の配線316,317,318の交差部分はフレキシブル基板7上に集約しており、配線316,317と配線318とは、フレキシブル基板7を間に挟んで交差している。したがって、フレキシブル基板7の厚み(層間ギャップ)を適度に確保することにより、配線316,317,318の交差部間による寄生容量を小さくすることができる。このことは、検出領域r1における指Fgの接近をより正確に検出するのに適している。   In the input device A <b> 10, for each wiring 31 for connecting each of the electrodes y <b> 1 to y <b> 12 of the electrode y and the IC chip 8, a plurality of wirings 316 and 317 that are electrically connected to the electrode element 11 are formed on the back surface 7 b of the flexible substrate 7. Is formed. The wirings 316 and 317 included in the same wiring 31 are connected to each other through a wiring 318 formed on the surface 7 a of the flexible substrate 7 and a through hole 75. That is, the intersections of the plurality of wirings 316, 317, and 318 constituting the wiring 31 are concentrated on the flexible substrate 7, and the wirings 316, 317 and the wiring 318 intersect with the flexible substrate 7 therebetween. Yes. Therefore, by ensuring the thickness (interlayer gap) of the flexible substrate 7 appropriately, the parasitic capacitance between the intersections of the wirings 316, 317, and 318 can be reduced. This is suitable for more accurately detecting the approach of the finger Fg in the detection region r1.

入力装置A10においてはまた、方向Xにおいて隣り合う2つの電極要素11どうしが配線313により接続されている。そのため、非検出領域r2に至る配線315をこれらの2つの電極要素11の一方に接続するだけで、同一の電極y(電極y1〜y12に限る)に含まれる電極要素11どうしを導通させることができる。これにより、電極要素11および電極要素21の隙間s1から非検出領域r2に至る配線315の数を少なくできる。非検出領域r2に至る配線315の数が少なくなることにより、フレキシブル基板7における配線316,317,318の交差部分の数を減少させることができる。これにより、配線316,317,318の間における寄生容量を小さくすることができる。このことは、検出領域r1における指Fgの接近をより正確に検出するのに適している。   In the input device A <b> 10, two electrode elements 11 adjacent in the direction X are connected by a wiring 313. Therefore, it is possible to make the electrode elements 11 included in the same electrode y (limited to the electrodes y1 to y12) conductive only by connecting the wiring 315 reaching the non-detection region r2 to one of these two electrode elements 11. it can. Thereby, the number of wirings 315 extending from the gap s1 between the electrode element 11 and the electrode element 21 to the non-detection region r2 can be reduced. By reducing the number of wirings 315 reaching the non-detection region r2, the number of intersecting portions of the wirings 316, 317, and 318 in the flexible substrate 7 can be reduced. Thereby, the parasitic capacitance between the wirings 316, 317, and 318 can be reduced. This is suitable for more accurately detecting the approach of the finger Fg in the detection region r1.

本実施形態では、透過板4の裏面4bに形成されたシールド層5は、フレキシブル基板7上のシールド部731に接続しており、シールド部731はグランドに接続している。かかる構成によれば、シールド層5により外来ノイズを適切に遮断することができる。   In this embodiment, the shield layer 5 formed on the back surface 4b of the transmission plate 4 is connected to the shield part 731 on the flexible substrate 7, and the shield part 731 is connected to the ground. According to this configuration, the external noise can be appropriately blocked by the shield layer 5.

なお、図1に表れている入力装置A10は、フレキシブル基板7がまっすぐに延びた状態で機器に組み込まれた例を示したが、たとえば図6に示すように、フレキシブル基板7が折れ曲った状態で機器に組み込まれてもよい。図6に示す場合においても、フレキシブル基板7に対する指Fgの接近(たとえば図6において上側ないし左側からの指Fgの接近)により、電極x,yごとの検出値に大きな変化が現れるのを抑制することができる。   The input device A10 shown in FIG. 1 shows an example in which the flexible substrate 7 is incorporated into a device in a state in which the flexible substrate 7 extends straight. However, for example, as shown in FIG. 6, the flexible substrate 7 is bent. May be incorporated into the device. Also in the case illustrated in FIG. 6, it is possible to suppress a large change in the detection value for each of the electrodes x and y due to the approach of the finger Fg to the flexible substrate 7 (for example, the approach of the finger Fg from the upper side or the left side in FIG. 6). be able to.

図7は、入力装置A10におけるシールド部731のシールド効果を検証するために行った比較試験について示す。   FIG. 7 shows a comparative test performed to verify the shielding effect of the shield part 731 in the input device A10.

実施例としてフレキシブル基板7の表面7aにシールド部731を有する本実施形態の入力装置A10を準備し、比較例としてフレキシブル基板7の表面7aにシールド部731を有さない入力装置を準備した。フレキシブル基板7の厚み(層間ギャップ)を25μm、シールド部731のメッシュ幅を0.06mm、繰返しピッチを1.41mmとした。これら入力装置において、フレキシブル基板7の表面7a側を、導電体としてのプローブで押えたときの電極yについての検出値を計測した。図7(a)は、シールド部731が有る場合と無い場合における電極yについての検出値D1,D2を示すグラフである。図7(b)は、シールド部731が有る場合と無い場合における各電極yについての検出値D1,D2の数値、および検出値の比(D1/D2)を示す。   As an example, the input device A10 of the present embodiment having the shield portion 731 on the surface 7a of the flexible substrate 7 was prepared, and an input device having no shield portion 731 on the surface 7a of the flexible substrate 7 was prepared as a comparative example. The thickness (interlayer gap) of the flexible substrate 7 was 25 μm, the mesh width of the shield portion 731 was 0.06 mm, and the repetition pitch was 1.41 mm. In these input devices, the detection value of the electrode y when the surface 7a side of the flexible substrate 7 was pressed with a probe as a conductor was measured. FIG. 7A is a graph showing the detection values D1 and D2 for the electrode y with and without the shield part 731. FIG. FIG. 7B shows the numerical values of the detection values D1, D2 and the detection value ratio (D1 / D2) for each electrode y with and without the shield portion 731. FIG.

図7に示すように、シールド部731を有する場合には、シールド部731が無い場合に比べて、電極yについての検出値が平均約48%減少しており、導電体をフレキシブル基板7の表面7aに接近させたときの上記検出値D1が大幅に減少することがわかる。したがって、導電体がフレキシブル基板7に接近した場合において、誤検出を抑制することができる。たとえば検出値が80のところに閾値を設けたとき、シールド部731が無い場合には誤検出してしまうが、シールド部731が有る場合には誤検出しなくなる。   As shown in FIG. 7, when the shield portion 731 is provided, the detected value for the electrode y is reduced by about 48% on average compared to the case where the shield portion 731 is not provided, and the conductor is placed on the surface of the flexible substrate 7. It can be seen that the detected value D1 is greatly reduced when approaching 7a. Therefore, erroneous detection can be suppressed when the conductor approaches the flexible substrate 7. For example, when a threshold value is provided at a detection value of 80, a false detection is made if there is no shield part 731, but no false detection is made if there is a shield part 731.

次に、図8〜図12を用いて、本発明の第2実施形態について説明する。図8は、本実施形態にかかる入力装置の要部平面図である。図9は、図8の電極yを主に示す要部平面図である。図10は、図8の電極xを主に示す要部平面図である。図11は、図8の領域XIの部分拡大図である。図12は、図11のXII−XII線に沿う要部断面図である。なお、図8〜図12において、上記実施形態と同一または類似の要素には、上記実施形態と同一の符号を付しており、適宜説明を省略する。   Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 8 is a main part plan view of the input device according to the present embodiment. FIG. 9 is a plan view of a principal part mainly showing the electrode y of FIG. FIG. 10 is a plan view of a principal part mainly showing the electrode x of FIG. FIG. 11 is a partially enlarged view of a region XI in FIG. FIG. 12 is a cross-sectional view of a principal part taken along line XII-XII in FIG. 8 to 12, the same or similar elements as those in the above embodiment are denoted by the same reference numerals as those in the above embodiment, and description thereof will be omitted as appropriate.

本実施形態の入力装置A20は、複数の電極x、複数の電極y、複数の配線31,32、透過板4、光透過層53(図8、図11、図12参照、図9、図10では省略)、コーティング層55(図12参照、図8〜図11では省略)、フレキシブル基板7、およびICチップ(図2参照、本実施形態では図示略)を備える。   The input device A20 of this embodiment includes a plurality of electrodes x, a plurality of electrodes y, a plurality of wirings 31, 32, a transmission plate 4, and a light transmission layer 53 (see FIGS. 8, 11, and 12, FIGS. 9, 10). ), A coating layer 55 (see FIG. 12, omitted in FIGS. 8 to 11), a flexible substrate 7, and an IC chip (see FIG. 2, not shown in the present embodiment).

入力装置A20は、入力装置A10と比較して、電極x,yの数が少なくなっている。入力装置A20にて電極xの数は8であり、電極yの数は12である。フレキシブル基板7において、表面7aにはメッシュ状のシールド部を含む導電層が形成されており、裏面7bには配線層が形成されている(図1、図5参照、本実施形態では図示略)。電極x、電極y、配線31,32、透過板4、フレキシブル基板7の具体的構成は、入力装置A10と同様であるから、説明を省略する。   The input device A20 has fewer electrodes x and y than the input device A10. In the input device A20, the number of electrodes x is 8, and the number of electrodes y is 12. In the flexible substrate 7, a conductive layer including a mesh-shaped shield portion is formed on the front surface 7a, and a wiring layer is formed on the back surface 7b (see FIGS. 1 and 5; not shown in the present embodiment). . Since the specific configurations of the electrode x, the electrode y, the wirings 31 and 32, the transmission plate 4, and the flexible substrate 7 are the same as those of the input device A10, description thereof is omitted.

図11、図12によく表れているように、光透過層53は、透過板4の表面4aに形成されている。光透過層53は、電極要素11と電極要素21とに挟まれた隙間s1に形成されている。光透過層53は、視認性を向上させるために設けられている。透過板4から光透過層53に入射した光は、光透過層53を通り、コーティング層55に向かって進む。光透過層53を構成する材料の屈折率は、コーティング層55を構成する材料の屈折率と異なる。光透過層53を構成する材料の屈折率は、電極要素11,21を構成する材料の屈折率と同程度であることが好ましい。本実施形態においては、光透過層53は、電極要素11や電極要素21を構成する材料(たとえばITO,IZO)と同一の材料よりなる。そのため、光透過層53および電極要素11,21の屈折率は、同一である。この場合、光透過層53は、透過板4の表面4a上に、電極要素11,21を形成するのと同時に形成される。光透過層53が電極要素11や電極要素21を構成する材料と同一の材料を用いている場合、光透過層53は、導電性の材料よりなるといえる。光透過層53が導電性の材料よりなるこのような場合、光透過層53と、この光透過層53に隣接する電極要素11,21とが電気的に絶縁されている必要がある。そのため、光透過層53と、この光透過層53に隣接する電極要素11,21とは、隙間を介して配置されている。   As clearly shown in FIGS. 11 and 12, the light transmission layer 53 is formed on the surface 4 a of the transmission plate 4. The light transmission layer 53 is formed in a gap s 1 sandwiched between the electrode element 11 and the electrode element 21. The light transmission layer 53 is provided in order to improve visibility. The light incident on the light transmission layer 53 from the transmission plate 4 travels toward the coating layer 55 through the light transmission layer 53. The refractive index of the material constituting the light transmission layer 53 is different from the refractive index of the material constituting the coating layer 55. The refractive index of the material constituting the light transmission layer 53 is preferably approximately the same as the refractive index of the material constituting the electrode elements 11 and 21. In the present embodiment, the light transmission layer 53 is made of the same material as the material (for example, ITO, IZO) constituting the electrode element 11 or the electrode element 21. Therefore, the light transmission layer 53 and the electrode elements 11 and 21 have the same refractive index. In this case, the light transmission layer 53 is formed simultaneously with the formation of the electrode elements 11 and 21 on the surface 4 a of the transmission plate 4. When the light transmissive layer 53 is made of the same material as that of the electrode element 11 and the electrode element 21, it can be said that the light transmissive layer 53 is made of a conductive material. In such a case where the light transmission layer 53 is made of a conductive material, the light transmission layer 53 and the electrode elements 11 and 21 adjacent to the light transmission layer 53 need to be electrically insulated. Therefore, the light transmission layer 53 and the electrode elements 11 and 21 adjacent to the light transmission layer 53 are arranged with a gap therebetween.

図11、図12によく表れているように、本実施形態において光透過層53は、複数のラインエレメント53a,53bを含む。各ラインエレメント53a,53bは、電極要素11や電極要素21の縁に沿う方向に延びる形状である。複数のラインエレメント53a,53bは、隙間を介して互いに並列している。ラインエレメント53aは、電極要素11と隙間を介して配置されている。ラインエレメント53bは、電極要素21と隙間を介して配置されている。   As clearly shown in FIGS. 11 and 12, in the present embodiment, the light transmission layer 53 includes a plurality of line elements 53a and 53b. Each of the line elements 53 a and 53 b has a shape extending in a direction along the edge of the electrode element 11 or the electrode element 21. The plurality of line elements 53a and 53b are arranged in parallel with each other through a gap. The line element 53a is disposed with a gap from the electrode element 11. The line element 53b is disposed with a gap from the electrode element 21.

図11、図12によく表れているように、コーティング層55は、電極x,y、および光透過層53を覆っている。コーティング層55は、外来光が反射することにより視認性が悪化することを抑制したり、図示しない透明カバーを接着したりする機能を果たす。コーティング層55は、光を透過させる透明な絶縁材料よりなり、このような材料としては、たとえば、紫外線硬化樹脂が挙げられる。コーティング層55の屈折率は、たとえば、1.5程度である。なお、電極x,y(電極要素11,21)を構成する材料の屈折率は、たとえば2.0程度である。また、透過板4を構成する材料の屈折率は、たとえば1.5程度である。   As clearly shown in FIGS. 11 and 12, the coating layer 55 covers the electrodes x and y and the light transmission layer 53. The coating layer 55 functions to suppress deterioration of visibility due to reflection of extraneous light or to adhere a transparent cover (not shown). The coating layer 55 is made of a transparent insulating material that transmits light. Examples of such a material include an ultraviolet curable resin. The refractive index of the coating layer 55 is, for example, about 1.5. In addition, the refractive index of the material which comprises the electrodes x and y (electrode elements 11 and 21) is about 2.0, for example. Moreover, the refractive index of the material which comprises the permeation | transmission board 4 is about 1.5, for example.

次に、入力装置A20の作用について説明する。   Next, the operation of the input device A20 will be described.

入力装置A20においても、上述の入力装置A10と同様にフレキシブル基板7の表面7aにシールド部を含む導電層が形成されているため、この導電層が配線層に対するシールドとして機能し、フレキシブル基板7に対する指Fgの接近により、電極x,yごとの検出値に大きな変化が現れるのを抑制することができる。したがって、検出領域r1における指Fgの接近をより正確に検出することができる。   Also in the input device A20, since the conductive layer including the shield portion is formed on the surface 7a of the flexible substrate 7 as in the above-described input device A10, this conductive layer functions as a shield for the wiring layer, and the flexible substrate 7 By approaching the finger Fg, it is possible to suppress a large change from appearing in the detection value for each of the electrodes x and y. Therefore, the approach of the finger Fg in the detection region r1 can be detected more accurately.

入力装置A20においては、光透過層53とコーティング層55の境界にて、透過板4の側からコーティング層55の側に向かう光の一部が反射する。そのため、液晶表示パネルBに表示される画像等のうち、電極要素11,21を通らず隙間s1を通過した光によって視認される領域の明るさを、液晶表示パネルBに表示される画像等のうち、電極要素11,21を通った光によって視認される領域の明るさに近づけることができる。これにより、液晶表示パネルBに表示される画像等を見た場合、画像等に明るい領域と暗い領域とが生じにくくなる。すなわち、液晶表示パネルBに表示される画像等を見た場合、画像等の明るさがより均一になる。このように、入力装置A20は、液晶表示パネルBに表示される画像等の見栄え(視認性)を向上させるのに適する。   In the input device A20, a part of the light traveling from the transmission plate 4 side toward the coating layer 55 side is reflected at the boundary between the light transmission layer 53 and the coating layer 55. Therefore, the brightness of the region visually recognized by the light that has passed through the gap s1 without passing through the electrode elements 11 and 21 among the images and the like displayed on the liquid crystal display panel B is set as the image or the like displayed on the liquid crystal display panel B. Of these, the brightness of the region visually recognized by the light passing through the electrode elements 11 and 21 can be brought close to. Accordingly, when an image displayed on the liquid crystal display panel B is viewed, a bright region and a dark region are less likely to occur in the image. That is, when an image or the like displayed on the liquid crystal display panel B is viewed, the brightness of the image or the like becomes more uniform. Thus, the input device A20 is suitable for improving the appearance (visibility) of an image or the like displayed on the liquid crystal display panel B.

入力装置A20においては、光透過層53は、電極要素11,21を構成する材料と同一の材料よりなる。この結果、光透過層53を構成する材料の屈折率と電極要素11,21を構成する材料の屈折率が同一となる。そのため、入力装置A20によると、透過板4の側からコーティング層55の側に向かう光の透過率を、光が光透過層53を通る場合と、光が電極要素11,21を通る場合とで、ほぼ同一にすることができる。これにより、液晶表示パネルBに表示される画像等を見た場合、画像等に明るい領域と暗い領域とがさらに生じにくくなる。すなわち、液晶表示パネルBに表示される画像等を見た場合、画像等の明るさがさらに均一になる。このように、入力装置A20は、液晶表示パネルBに表示される画像等の見栄え(視認性)をさらに向上させるのに適する。   In the input device A20, the light transmission layer 53 is made of the same material as that of the electrode elements 11 and 21. As a result, the refractive index of the material constituting the light transmission layer 53 and the refractive index of the material constituting the electrode elements 11 and 21 are the same. Therefore, according to the input device A20, the transmittance of light traveling from the transmission plate 4 side to the coating layer 55 side is determined when light passes through the light transmission layer 53 and when light passes through the electrode elements 11 and 21. , Can be almost identical. Thereby, when an image displayed on the liquid crystal display panel B is viewed, a bright region and a dark region are less likely to occur in the image. That is, when an image or the like displayed on the liquid crystal display panel B is viewed, the brightness of the image or the like becomes more uniform. Thus, the input device A20 is suitable for further improving the appearance (visibility) of an image or the like displayed on the liquid crystal display panel B.

入力装置A20においては、光透過層53は、互いに隙間を介して配置された複数のラインエレメント53a,53bを含む。このような入力装置A40は、互いに隣接する電極要素11と電極要素21との間の寄生容量を低減するのに適する。その理由の一つとして以下のことが考えられる。   In the input device A20, the light transmission layer 53 includes a plurality of line elements 53a and 53b disposed with a gap therebetween. Such an input device A40 is suitable for reducing the parasitic capacitance between the electrode elements 11 and 21 adjacent to each other. The following can be considered as one of the reasons.

ラインエレメント53aは、導電性の材料よりなり、且つ、電極要素11と隙間を介して配置されている。そのため、入力装置A20においては、電極要素11とラインエレメント53aとを電極対とするコンデンサC1(図12参照)が形成されているといえる。同様に、ラインエレメント53bは、導電性の材料よりなり、且つ、電極要素21と隙間を介して配置されている。そのため、入力装置A20においては、電極要素21とラインエレメント53bとを電極対とするコンデンサC2(図12参照)が形成されているといえる。本実施形態においてはさらに、ラインエレメント53a,53bは、互いに隙間を介して配置されている。そのため、入力装置A20においては、ラインエレメント53aとラインエレメント53bとを電極対とするコンデンサC3(図12参照)が形成されているといえる。   The line element 53a is made of a conductive material, and is arranged with a gap from the electrode element 11. Therefore, in the input device A20, it can be said that a capacitor C1 (see FIG. 12) having the electrode element 11 and the line element 53a as an electrode pair is formed. Similarly, the line element 53b is made of a conductive material and is disposed with a gap from the electrode element 21. Therefore, in the input device A20, it can be said that a capacitor C2 (see FIG. 12) having the electrode element 21 and the line element 53b as an electrode pair is formed. In the present embodiment, the line elements 53a and 53b are further arranged with a gap therebetween. Therefore, in input device A20, it can be said that capacitor C3 (refer to Drawing 12) which uses line element 53a and line element 53b as an electrode pair is formed.

図12に示すように、互いに隣接する電極要素11と電極要素21との間の寄生容量は、直列に接続されたコンデンサC1,C2,C3の合成容量である。本実施形態では、直列に接続されたコンデンサC1,C2の間に、さらにコンデンサC3が直列に接続されているといえる。一方、本実施形態と異なり、光透過層53が互いに隙間を介して配置されたラインエレメント53a,53bを含まない場合、すなわち、光透過層53が一つの膜状の部材である場合、互いに隣接する電極要素11と電極要素21との間の寄生容量は、直列に接続されたコンデンサC1,C2のみの合成容量である。そのため、本実施形態では、光透過層53が互いに隙間を介して配置されたラインエレメント53a,53bを含まない場合と比べ、コンデンサC3を直列に接続した分だけ、電極要素11と電極要素21との間の寄生容量を小さくすることができる。このことは、検出領域r1における指Fgの接近をより正確に検出するのに適している。   As shown in FIG. 12, the parasitic capacitance between the electrode element 11 and the electrode element 21 adjacent to each other is a combined capacitance of capacitors C1, C2, and C3 connected in series. In this embodiment, it can be said that the capacitor C3 is further connected in series between the capacitors C1 and C2 connected in series. On the other hand, unlike the present embodiment, when the light transmission layer 53 does not include the line elements 53a and 53b arranged with a gap therebetween, that is, when the light transmission layer 53 is a single film-like member, they are adjacent to each other. The parasitic capacitance between the electrode element 11 and the electrode element 21 is a combined capacitance of only the capacitors C1 and C2 connected in series. Therefore, in this embodiment, compared with the case where the light transmission layer 53 does not include the line elements 53a and 53b arranged with a gap between each other, the electrode element 11 and the electrode element 21 are connected to the capacitor element C3 in series. The parasitic capacitance between the two can be reduced. This is suitable for more accurately detecting the approach of the finger Fg in the detection region r1.

次に、図13を用いて、本発明の第3実施形態について説明する。図13は、本実施形態にかかる入力装置A30の要部平面図である。入力装置A30は、複数の電極x、複数の電極y、複数の配線31,32、透過板4、透明接着剤(図1参照、本実施形態では図示略)、透明カバー(図1参照、本実施形態では図示略)、フレキシブル基板7、およびICチップ8を備える。   Next, a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 13 is a plan view of an essential part of the input device A30 according to the present embodiment. The input device A30 includes a plurality of electrodes x, a plurality of electrodes y, a plurality of wires 31, 32, a transmission plate 4, a transparent adhesive (see FIG. 1, not shown in the present embodiment), a transparent cover (see FIG. In the embodiment, a flexible substrate 7 and an IC chip 8 are provided.

入力装置A30は、上記した第1実施形態の入力装置A10と比較して、電極x,yの数が少なくなっている。入力装置A30にて電極xの数は5であり、電極yの数は7である。フレキシブル基板7において、表面7aにはメッシュ状のシールド部を含む導電層が形成されており、裏面7bには配線層が形成されている(図1、図5参照、本実施形態では図示略)。   The input device A30 has fewer electrodes x and y than the input device A10 of the first embodiment described above. In the input device A30, the number of electrodes x is 5, and the number of electrodes y is 7. In the flexible substrate 7, a conductive layer including a mesh-shaped shield portion is formed on the front surface 7a, and a wiring layer is formed on the back surface 7b (see FIGS. 1 and 5; not shown in the present embodiment). .

図13に示された入力装置A30は、配線31が配線312〜314を含まない点、および、配線32が配線322を含まない点において、上述の入力装置A10と相違する。入力装置A30において、配線311は、各電極yの左右両端に配置された電極要素11に接続している。配線315は、各電極yについて、左右両端の電極要素11を除いた残りの各電極要素11に接続している。上記の入力装置A10と同様に、フレキシブル基板7には配線316〜318,324が形成されており、同一の電極yに含まれる電極要素11に導通している配線(配線316,317)どうしは、配線318およびスルーホール75を介して接続している。なお、図13においては、各配線を模式的に示しており、配線どうしの接続箇所(スルーホール75)を黒丸で示している。   The input device A30 shown in FIG. 13 is different from the above-described input device A10 in that the wiring 31 does not include the wirings 312 to 314 and the wiring 32 does not include the wiring 322. In the input device A30, the wiring 311 is connected to the electrode elements 11 disposed at the left and right ends of each electrode y. For each electrode y, the wiring 315 is connected to the remaining electrode elements 11 excluding the electrode elements 11 at both the left and right ends. Similar to the input device A10, wirings 316 to 318 and 324 are formed on the flexible substrate 7, and the wirings (wirings 316 and 317) that are electrically connected to the electrode element 11 included in the same electrode y are connected to each other. Are connected through a wiring 318 and a through hole 75. In addition, in FIG. 13, each wiring is typically shown and the connection location (through-hole 75) of wiring is shown by the black circle.

入力装置A30においても、上述の入力装置A10と同様にフレキシブル基板7の表面7aにシールド部を含む導電層が形成されているため、この導電層が配線層に対するシールドとして機能し、フレキシブル基板7に対する指Fgの接近により、電極x,yごとの検出値に大きな変化が現れるのを抑制することができる。したがって、検出領域r1における指Fgの接近をより正確に検出することができる。   Also in the input device A30, a conductive layer including a shield portion is formed on the surface 7a of the flexible substrate 7 as in the above-described input device A10. Therefore, this conductive layer functions as a shield for the wiring layer, and By approaching the finger Fg, it is possible to suppress a large change from appearing in the detection value for each of the electrodes x and y. Therefore, the approach of the finger Fg in the detection region r1 can be detected more accurately.

本発明に係る入力装置は、上述した実施形態に限定されるものではない。本発明にかかる入力装置の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。   The input device according to the present invention is not limited to the above-described embodiment. The specific configuration of each part of the input device according to the present invention can be modified in various ways.

上記実施形態において、入力装置が液晶表示パネルBとともに用いられる場合について説明したが、本発明にかかる入力装置は必ずしも液晶表示パネルとともに用いる必要はない。電極x,yは、必ずしも透明である必要はない。これら電極は、Cuなどの不透明な金属により構成されていてもよい。   Although the case where the input device is used with the liquid crystal display panel B has been described in the above embodiment, the input device according to the present invention is not necessarily used with the liquid crystal display panel. The electrodes x and y are not necessarily transparent. These electrodes may be made of an opaque metal such as Cu.

本発明にかかる入力装置は、携帯電話機に用いられるものに限定されない。たとえば、デジタルカメラ、パーソナルナビゲーションデバイス、自動預入支払機、等その他のタッチパネルを用いる機器において用いることができる。   The input device according to the present invention is not limited to that used in a mobile phone. For example, it can be used in other devices using a touch panel, such as a digital camera, a personal navigation device, and an automatic deposit payment machine.

A10,A20,A30 入力装置
B 液晶表示パネル
y,y1〜y14 電極(第1検出電極)
x,x1〜x10 電極(第2検出電極)
11 (第1の)電極要素
21 (第2の)電極要素
22 配線部
31 配線(第1配線)
311,312,314,316 配線
313 配線(第1の接続配線)
315 配線(第1の連絡配線)
317 配線(第2の連絡配線)
318 配線(交差配線)
32 配線(第2配線)
321,323,324 配線
322 配線(第2の接続配線)
4 透過板(基板)
4a 表面(第1面)
4b 裏面(第2面)
4c 端部
5 シールド層
53 光透過層
53a,53b ラインエレメント
55 コーティング層
61 透明接着剤
62 透明カバー
62a 表面
7 フレキシブル基板
7a 表面(第1主面)
7b 裏面(第2主面)
71 配線接続部
72 シールド接続部
73 導電層
731 シールド部
74 配線層
75 スルーホール
8 ICチップ(制御手段)
s1 隙間
r1 検出領域
r2 非検出領域
r3,r4,r5,r6 端縁
Y 方向(第1方向)
X 方向(第2方向)
Z 方向(第3方向)
Fg 指(導電体)
A10, A20, A30 Input device B Liquid crystal display panel y, y1 to y14 Electrode (first detection electrode)
x, x1 to x10 electrodes (second detection electrodes)
11 (First) Electrode Element 21 (Second) Electrode Element 22 Wiring Portion 31 Wiring (First Wiring)
311, 312, 314, 316 wiring 313 wiring (first connection wiring)
315 Wiring (first connection wiring)
317 Wiring (second connection wiring)
318 Wiring (cross wiring)
32 wiring (second wiring)
321, 323, 324 wiring 322 wiring (second connection wiring)
4 Transmission plate (substrate)
4a Surface (first surface)
4b Back side (second side)
4c End 5 Shield layer 53 Light transmission layer 53a, 53b Line element 55 Coating layer 61 Transparent adhesive 62 Transparent cover 62a Surface 7 Flexible substrate 7a Surface (first main surface)
7b Back surface (second main surface)
71 Wiring connection portion 72 Shield connection portion 73 Conductive layer 731 Shield portion 74 Wiring layer 75 Through hole 8 IC chip (control means)
s1 Gap r1 Detection area r2 Non-detection areas r3, r4, r5, r6 Edge Y direction (first direction)
X direction (second direction)
Z direction (3rd direction)
Fg finger (conductor)

Claims (16)

基板と、
上記基板に形成され、第1方向に沿って並列され且つ上記第1方向と交差する第2方向に沿って延びる複数の第1検出電極と、
上記基板に垂直な第3方向の一方から上記基板に対して接近する導電体について、この導電体と各第1検出電極の間に生じる静電容量の変化によって上記第1方向における上記導電体の接近位置を検出する制御手段と、
上記基板の端部に設けられ、上記第3方向の一方側に向いた第1主面、および上記第3方向の他方側に向いた第2主面を有するフレキシブル基板と、
上記基板および上記フレキシブル基板に跨って形成され、上記制御手段と上記複数の第1検出電極の各々とを接続するための複数の第1配線と、を備え、
上記フレキシブル基板の上記第1主面には、導電性材料からなる導電層が形成されており、
上記フレキシブル基板の上記第2主面には、上記複数の第1配線の一部を含んで構成される配線層が形成されている、静電容量式入力装置。
A substrate,
A plurality of first detection electrodes formed on the substrate, arranged in parallel along a first direction and extending along a second direction intersecting the first direction;
For a conductor approaching the substrate from one side in a third direction perpendicular to the substrate, a change in capacitance generated between the conductor and each first detection electrode causes the conductor in the first direction to move. Control means for detecting the approach position;
A flexible substrate provided at an end of the substrate and having a first main surface facing one side of the third direction and a second main surface facing the other side of the third direction;
A plurality of first wirings formed across the substrate and the flexible substrate, for connecting the control means and each of the plurality of first detection electrodes;
A conductive layer made of a conductive material is formed on the first main surface of the flexible substrate,
The capacitance-type input device, wherein a wiring layer including a part of the plurality of first wirings is formed on the second main surface of the flexible substrate.
上記第2方向に沿って並列され且つ上記第1方向に沿って延びる複数の第2検出電極と、
上記制御手段と上記複数の第2検出電極の各々とを接続するための複数の第2配線と、を更に備える、請求項1に記載の静電容量式入力装置。
A plurality of second detection electrodes arranged in parallel along the second direction and extending along the first direction;
The capacitive input device according to claim 1, further comprising a plurality of second wirings for connecting the control unit and each of the plurality of second detection electrodes.
上記配線層は、上記複数の第2配線の一部を含んで構成される、請求項2に記載の静電容量式入力装置。   The capacitive input device according to claim 2, wherein the wiring layer includes a part of the plurality of second wirings. 上記基板は、上記第3方向の一方側に向いた平面状の第1面を有し、上記第1面に上記複数の第1検出電極および上記複数の第2検出電極のいずれもが形成されている、請求項3に記載の静電容量式入力装置。   The substrate has a planar first surface facing one side in the third direction, and both the plurality of first detection electrodes and the plurality of second detection electrodes are formed on the first surface. The capacitive input device according to claim 3. 上記各第1検出電極は、上記第2方向に沿って配列された複数の第1の電極要素を備え、
上記各第2検出電極は、上記第1方向に沿って配列された複数の第2の電極要素を備え、
上記第1配線は、上記複数の第1の電極要素のいずれかに導通し、且つ、隣接する上記第1および第2の電極要素に挟まれた隙間から上記基板の上記端部まで延びる、上記第1面に形成された複数の第1の連絡配線と、上記フレキシブル基板の上記第2主面に形成され、上記複数の第1の連絡配線の各々に対応する複数の第2の連絡配線と、上記導電層を構成し、且つ、上記複数の第2の連絡配線と交差する交差配線と、を含み、
対応する上記第1および第2の連絡配線は、上記フレキシブル基板の上記第2主面が上記基板の上記第1面に重なる状態で接続されており、
同一の上記第1配線に含まれる上記第2の連絡配線どうしは、上記フレキシブル基板において上記交差配線およびスルーホールを介して接続されている、請求項4に記載の静電容量式入力装置。
Each of the first detection electrodes includes a plurality of first electrode elements arranged along the second direction,
Each of the second detection electrodes includes a plurality of second electrode elements arranged along the first direction,
The first wiring is electrically connected to one of the plurality of first electrode elements, and extends from a gap sandwiched between the adjacent first and second electrode elements to the end of the substrate. A plurality of first connection lines formed on the first surface; a plurality of second connection lines formed on the second main surface of the flexible substrate and corresponding to each of the plurality of first connection lines; A cross wiring that constitutes the conductive layer and intersects the plurality of second connection wirings,
The corresponding first and second connection wirings are connected in a state where the second main surface of the flexible substrate overlaps the first surface of the substrate,
5. The capacitive input device according to claim 4, wherein the second connection wirings included in the same first wiring are connected to each other through the cross wiring and the through hole in the flexible substrate. 6.
上記第1配線は、上記複数の第1の電極要素のうち上記第2方向に沿って隣接する2つの第1の電極要素どうしを接続し、且つ、これら2つの第1の電極要素に挟まれた隙間に形成された第1の接続配線を備え、
上記複数の第1の連絡配線のいずれかは、これら2つの第1の電極要素もしくは上記第1の接続配線に接続する、請求項5に記載の静電容量式入力装置。
The first wiring connects two first electrode elements adjacent to each other along the second direction among the plurality of first electrode elements, and is sandwiched between the two first electrode elements. Provided with a first connection wiring formed in the gap,
6. The capacitive input device according to claim 5, wherein any one of the plurality of first connection wirings is connected to the two first electrode elements or the first connection wiring.
上記第2配線は、上記複数の第2の電極要素のうち上記第1の接続配線を挟む2つの第2の電極要素どうしを接続する第2の接続配線を備え、
上記第2の接続配線は、上記第1の接続配線が接続された複数の第1の電極要素の一端にあるものを囲むように配置されている、請求項6に記載の静電容量式入力装置。
The second wiring includes a second connection wiring that connects two second electrode elements sandwiching the first connection wiring among the plurality of second electrode elements,
The capacitive input according to claim 6, wherein the second connection wiring is disposed so as to surround one at one end of the plurality of first electrode elements to which the first connection wiring is connected. apparatus.
上記導電層は、グランド接続されたメッシュ状のシールド部を含んで構成される、請求項1ないし7のいずれかに記載の静電容量式入力装置。   The capacitance type input device according to claim 1, wherein the conductive layer includes a mesh-shaped shield portion connected to a ground. 上記基板における上記第3方向の他方側の第2面には、導電性材料からなるシールド層が形成されており、
上記シールド部は、上記シールド層に接続されている、請求項8に記載の静電容量式入力装置。
A shield layer made of a conductive material is formed on the second surface on the other side in the third direction of the substrate,
The capacitive input device according to claim 8, wherein the shield part is connected to the shield layer.
上記フレキシブル基板は、上記基板との接続側端部において、上記配線層の一部を含む配線接続部と、上記シールド部につながるシールド接続部とを有する二股状とされており、
上記配線接続部における上記第2主面が上記基板の上記第1面上に重ねられることにより、上記基板と上記フレキシブル基板との間において上記第1配線もしくは上記第2配線が接続しており、
上記シールド接続部における上記第1主面が上記基板の上記第2面上に重ねられることにより、上記シールド層と上記シールド部とが接続している、請求項9に記載の静電容量式入力装置。
The flexible board has a bifurcated shape having a wiring connection part including a part of the wiring layer and a shield connection part connected to the shield part at a connection side end part with the board,
The first wiring or the second wiring is connected between the substrate and the flexible substrate by overlapping the second main surface of the wiring connection portion on the first surface of the substrate,
The capacitive input according to claim 9, wherein the shield layer and the shield portion are connected by overlapping the first main surface of the shield connection portion on the second surface of the substrate. apparatus.
上記導電層は、上記第3方向視において上記配線層と重なる領域に形成されている、請求項1ないし10のいずれかに記載の静電容量式入力装置。   The capacitive input device according to claim 1, wherein the conductive layer is formed in a region overlapping with the wiring layer when viewed in the third direction. 上記基板に対して上記第3方向の一方側に対向配置された透明カバーを更に備える、請求項1ないし11のいずれかに記載の静電容量式入力装置。   The capacitive input device according to claim 1, further comprising a transparent cover disposed to face the substrate on one side in the third direction. 隣接する上記第1および第2の電極要素に挟まれた隙間に形成された光透過層と、
上記複数の第1の電極要素、上記複数の第2の電極要素、および、上記光透過層を覆うコーティング層と、を更に備える、請求項5に記載の静電容量式入力装置。
A light-transmitting layer formed in a gap sandwiched between the first and second electrode elements adjacent to each other;
The capacitive input device according to claim 5, further comprising: the plurality of first electrode elements, the plurality of second electrode elements, and a coating layer covering the light transmission layer.
上記光透過層を構成する材料の屈折率は、上記コーティング層を構成する材料の屈折率と異なる、請求項13に記載の静電容量式入力装置。   The capacitive input device according to claim 13, wherein a refractive index of a material constituting the light transmission layer is different from a refractive index of a material constituting the coating layer. 上記光透過層を構成する材料は、上記第1の電極要素、もしくは上記第2の電極要素を構成する材料と同一の材料よりなる、請求項13または14に記載の静電容量式入力装置。   The capacitive input device according to claim 13 or 14, wherein the material constituting the light transmission layer is made of the same material as that constituting the first electrode element or the second electrode element. 上記光透過層は、互いに離間する複数のラインエレメントを含む、請求項15に記載の静電容量式入力装置。   The capacitive input device according to claim 15, wherein the light transmission layer includes a plurality of line elements spaced apart from each other.
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