JP2011170621A - Electromigration verification device - Google Patents
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Abstract
【課題】検証精度を高めることのできるエレクトロマイグレーション検証装置を提供する。
【解決手段】前記複数の矩形図形が段差状に接続されている部分をオフセット接続部として識別し、前記オフセット接続部を示すオフセット接続部データを生成する、識別部と、前記オフセット接続部データに基づいて、前記オフセット接続部における最小配線幅を算出し、前記最小配線幅を示す最小幅データを生成する、最小幅算出部と、前記オフセット接続部を流れる電流値と、前記最小配線幅とに基づいて、前記オフセット接続部における電流密度を算出し、算出された電流密度を示す電流密度データを生成する、電流密度算出部と、前記電流密度データに基づいて、前記電流密度を予め設定された基準値と比較し、比較結果に基づいて、エレクトロマイグレーションが発生するか否かを判定する、判定部と、を具備する。
【選択図】図4An electromigration verification apparatus capable of increasing verification accuracy is provided.
An identification unit for identifying a portion where the plurality of rectangular figures are connected in a stepped shape as an offset connection unit, and generating offset connection data indicating the offset connection unit; and the offset connection unit data And calculating a minimum wiring width in the offset connection portion and generating minimum width data indicating the minimum wiring width, a current value flowing through the offset connection portion, and the minimum wiring width. Based on the current density data, a current density calculation unit that calculates current density in the offset connection unit and generates current density data indicating the calculated current density is preset. A determination unit that compares with a reference value and determines whether electromigration occurs based on the comparison result.
[Selection] Figure 4
Description
本発明は、エレクトロマイグレーション検証装置、エレクトロマイグレーション検証方法、及びエレクトロマイグレーション検証プログラムに関する。 The present invention relates to an electromigration verification apparatus, an electromigration verification method, and an electromigration verification program.
LSI(Large Scale Integration)の大規模化が進むに伴い、金属配線の微細化が進んでいる。その結果、金属配線を流れる電流の電流密度が増加している。電流密度が高い場合、エレクトロマイグレーション(以下、EMと記載される)により、金属配線が経年劣化することがある。LSIの配線パターンを設計する場合、EMの観点から、設計対象の配線パターンに問題があるか否かが、検証される。 As the scale of LSI (Large Scale Integration) increases, the miniaturization of metal wiring is progressing. As a result, the current density of the current flowing through the metal wiring is increased. When the current density is high, the metal wiring may deteriorate over time due to electromigration (hereinafter referred to as EM). When designing an LSI wiring pattern, whether or not there is a problem in the wiring pattern to be designed is verified from the viewpoint of EM.
EMの検証を行なう場合、配線パターンの配線幅と膜厚から配線パターンの断面積が決定され、単位面積あたりの電流密度が計算される。そして、計算された電流密度が予め設定された基準値(EM基準値)と比較され、電流密度がEM基準値を超えているか否かが検証される。 When performing EM verification, the cross-sectional area of the wiring pattern is determined from the wiring width and film thickness of the wiring pattern, and the current density per unit area is calculated. Then, the calculated current density is compared with a preset reference value (EM reference value), and it is verified whether or not the current density exceeds the EM reference value.
関連技術が、特許文献1(特公平7−31692)に記載されている。この公報には、矩形及び多角形の図形データからなる配線パターンのレイアウトデータを電流方向に対して基本図形に分割する点、これら各図形を直線、コーナ分岐およびコンタクトの各々簡単な図形要素に分割する点、これら図形要素毎に配線抵抗をそれぞれ算出する点、及び配線パターンの全抵抗値を算出する点が記載されている。ここで、基本図形は矩形図形である。配線抵抗Rは、矩形図形の幅Wと、矩形図形の長さLと、シート抵抗率ρとを用いて、「R=ρ×L/W」という計算式により算出される。 Related technology is described in Patent Document 1 (Japanese Patent Publication No. 7-31692). In this publication, the layout data of the wiring pattern consisting of rectangular and polygonal graphics data is divided into basic graphics with respect to the current direction, and each of these graphics is divided into simple graphic elements such as straight lines, corner branches and contacts. The points for calculating the wiring resistance for each graphic element and the point for calculating the total resistance value of the wiring pattern are described. Here, the basic figure is a rectangular figure. The wiring resistance R is calculated by the calculation formula “R = ρ × L / W” using the width W of the rectangular figure, the length L of the rectangular figure, and the sheet resistivity ρ.
他の関連技術が、特許文献2(特開2006−210661)に記載されている。この公報には、半導体集積回路内における配線幅の制約を設定する箇所を選択する第1工程と、半導体集積回路について回路シミュレーションを実行する第2工程と、回路シミュレーションの実行により配線幅の制約値を決定する第3工程と、半導体集積回路の接続情報を作成する第4工程と、第3工程において決定した制約値を基に配線幅の制約を検証するルールを作成する第5工程と、接続情報に応じたレイアウトデータを作成する第6工程と、レイアウトデータが第3工程により決定した制約値に基づき作成されているか否かを検証する第7工程とを有することを特徴とする半導体集積回路の設計方法が記載されている。 Another related technique is described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2006-210661. In this publication, a first step of selecting a location for setting a wiring width constraint in a semiconductor integrated circuit, a second step of executing a circuit simulation for the semiconductor integrated circuit, and a wiring width constraint value by executing the circuit simulation. A third step for determining connection information, a fourth step for creating connection information of the semiconductor integrated circuit, a fifth step for creating a rule for verifying wiring width constraints based on the constraint values determined in the third step, A semiconductor integrated circuit comprising: a sixth step of creating layout data according to information; and a seventh step of verifying whether the layout data is created based on the constraint value determined in the third step The design method is described.
電流密度は、配線パターンを流れる電流と、配線パターンの配線幅とに基づいて、求めることができる。電流密度は、配線幅が小さい部分で高くなる。従って、配線幅が最も小さい部分における電流密度を求め、求めた電流密度が基準値を超えているか否かが検証される。EMを正確に検証するためには、配線パターンの最小配線幅を正確に求め、最小配線幅部分における電流密度を正確に求めることが重要である。 The current density can be obtained based on the current flowing through the wiring pattern and the wiring width of the wiring pattern. The current density increases at a portion where the wiring width is small. Therefore, the current density in the portion with the smallest wiring width is obtained, and it is verified whether or not the obtained current density exceeds the reference value. In order to accurately verify the EM, it is important to accurately obtain the minimum wiring width of the wiring pattern and accurately obtain the current density in the minimum wiring width portion.
ところで、検証対象の配線パターンには、配線が段差状に伸びている部分が存在することがある。そのような部分では、実質的な配線幅を正確に求めることが困難であり、電流密度を正確に知ることが困難である。以下に、この点について説明する。 By the way, the wiring pattern to be verified may have a portion where the wiring extends in a step shape. In such a portion, it is difficult to accurately determine the substantial wiring width, and it is difficult to accurately determine the current density. This point will be described below.
図1Aは、段差状に伸びる配線パターンP51の一例を示す図である。図1Aに示されるように、配線パターンP51は、第1方向に沿って伸びている。配線パターンP51は、幅L53を有する部分と、幅L54を有する部分とを備えている。これらは、配線パターンP51の両側部に、段差L51及び段差L52が形成されるように、接続されている。尚、段差L51及び段差L52は、第1方向上における同じ位置に形成されている。 FIG. 1A is a diagram illustrating an example of a wiring pattern P51 extending in a step shape. As shown in FIG. 1A, the wiring pattern P51 extends along the first direction. The wiring pattern P51 includes a portion having a width L53 and a portion having a width L54. These are connected so that a step L51 and a step L52 are formed on both sides of the wiring pattern P51. The steps L51 and L52 are formed at the same position in the first direction.
図1Aに示される配線パターンP51を複数の矩形図形に分割し、各矩形図形の幅に基づいて電流密度を算出する場合について考える。配線パターンP51を複数の矩形図形に分割すると、図1Bに示されるように、幅L53を有する矩形図形P52と、幅L54を有する矩形図形P53とが得られる。矩形図形P52の電流密度は、幅L53を用いて算出される。また、矩形図形P53における電流密度は、幅L54を用いて算出される。 Consider a case where the wiring pattern P51 shown in FIG. 1A is divided into a plurality of rectangular figures, and the current density is calculated based on the width of each rectangular figure. When the wiring pattern P51 is divided into a plurality of rectangular figures, a rectangular figure P52 having a width L53 and a rectangular figure P53 having a width L54 are obtained as shown in FIG. 1B. The current density of the rectangular figure P52 is calculated using the width L53. The current density in the rectangular figure P53 is calculated using the width L54.
しかしながら、配線パターンP51の最小配線幅は、図1Cに示されるように、矩形図形P52とP53とが接している部分の幅L55である。実際の電流密度は、この幅L55の部分で、最も高くなる。したがって、この幅L55を用いて算出された電流密度に基づいて、EMの検証が行われるべきである。上述のように、幅L53及び幅L54を用いて電流密度を計算した場合には、実際の最小配線幅が電流密度に反映されない。すなわち、配線幅が実際よりも太い値として認識されてしまい、EMが発生する可能性を見逃してしまう可能性がある。 However, the minimum wiring width of the wiring pattern P51 is the width L55 of the portion where the rectangular figures P52 and P53 are in contact as shown in FIG. 1C. The actual current density is highest at the portion of the width L55. Therefore, the EM should be verified based on the current density calculated using the width L55. As described above, when the current density is calculated using the width L53 and the width L54, the actual minimum wiring width is not reflected in the current density. That is, there is a possibility that the wiring width is recognized as a value that is larger than the actual value, and the possibility that EM occurs may be overlooked.
図2Aは、段差状に伸びる配線パターンP61の他の一例を示す図である。図2Aに示されるように、配線パターンP61は、第1方向に沿って伸びている。配線パターンP61は、幅L64を有する部分と、幅L65を有する部分とを備えている。これらは、配線パターンP51の両側部に、段差L61及び段差L62が形成されるように、接続されている。ただし、図1Aに示した例とは異なり、段差L61と段差L62とは、第1方向上における位置が、距離L63だけずれている。距離L63は、L64及びL65よりも、短いものとする。 FIG. 2A is a diagram illustrating another example of the wiring pattern P61 extending in a step shape. As shown in FIG. 2A, the wiring pattern P61 extends along the first direction. The wiring pattern P61 includes a portion having a width L64 and a portion having a width L65. These are connected so that a step L61 and a step L62 are formed on both sides of the wiring pattern P51. However, unlike the example shown in FIG. 1A, the steps L61 and L62 are shifted in position in the first direction by a distance L63. The distance L63 is shorter than L64 and L65.
図2Aに示される配線パターンP61を複数の矩形図形に分割し、各矩形図形の幅に基づいて電流密度を算出する場合について考える。配線パターンP61を複数の矩形図形に分割すると、図2Bに示されるように、幅L64を有する矩形図形P62、幅L63を有する矩形図形P63、及び幅L65を有する矩形図形P64が得られる。このとき、矩形図形P62の電流密度は、幅L64を用いて算出される。矩形図形P63における電流密度は、幅L63を用いて算出される。矩形図形P64の電流密度は、幅L65を用いて算出される。幅L63が、幅L64及びL65それぞれよりも小さい場合、この配線パターンP61の電流密度は、矩形図形P63の部分で最も高くなる。従って、矩形図形P63における電流密度が基準値を超えているか否かが、検証される。すなわち、幅L63に基づいて求められた電流密度が、EMの検証に用いられる。 Consider the case where the wiring pattern P61 shown in FIG. 2A is divided into a plurality of rectangular figures, and the current density is calculated based on the width of each rectangular figure. When the wiring pattern P61 is divided into a plurality of rectangular figures, a rectangular figure P62 having a width L64, a rectangular figure P63 having a width L63, and a rectangular figure P64 having a width L65 are obtained as shown in FIG. 2B. At this time, the current density of the rectangular figure P62 is calculated using the width L64. The current density in the rectangular figure P63 is calculated using the width L63. The current density of the rectangular figure P64 is calculated using the width L65. When the width L63 is smaller than each of the widths L64 and L65, the current density of the wiring pattern P61 is the highest in the portion of the rectangular figure P63. Therefore, it is verified whether or not the current density in the rectangular figure P63 exceeds the reference value. That is, the current density obtained based on the width L63 is used for EM verification.
しかしながら、矩形図形P63における実質的な最小配線幅は、幅L63よりも太いものと考えられる。図2Cは、矩形図形P63における実質的な最小配線幅L66を説明するための図である。図2Cに示されるように、矩形図形P62の4つの頂点のうち、矩形図形P63の辺の途中に接している頂点が、頂点V61と記載される。また、矩形図形P64の4つの頂点のうち、矩形図形P63の辺の途中に接している頂点が、頂点V62と記載される。矩形図形P63における最小配線幅L66は、頂点V61と頂点V62との間の距離L66であると考えられる。ピタゴラスの定理により、L66は、以下の数式1及び2により、計算できる。
(数式1);L662 = L632 + (L64 − L61)2
(数式2);L66 = √(L632 +(L64 −L61)2)
However, the substantial minimum wiring width in the rectangular figure P63 is considered to be thicker than the width L63. FIG. 2C is a diagram for explaining a substantial minimum wiring width L66 in the rectangular figure P63. As shown in FIG. 2C, the vertex that is in contact with the middle of the side of the rectangular figure P63 among the four vertices of the rectangular figure P62 is described as a vertex V61. Of the four vertices of the rectangular figure P64, the vertex in contact with the middle of the side of the rectangular figure P63 is referred to as a vertex V62. The minimum wiring width L66 in the rectangular figure P63 is considered to be the distance L66 between the vertex V61 and the vertex V62. According to Pythagorean theorem, L66 can be calculated by the following
(Formula 1); L66 2 = L63 2 + (L64−L61) 2
(Formula 2); L66 = √ (L63 2 + (L64−L61) 2 )
従って、矩形図形P63における電流密度を幅L63を用いて算出した場合には、最小配線幅として実際よりも小さい値が用いられていることになる。その結果、本来ならば問題の無い部分が、EMが発生する可能性があると判定されてしまう可能性がある。 Therefore, when the current density in the rectangular figure P63 is calculated using the width L63, a value smaller than the actual value is used as the minimum wiring width. As a result, there is a possibility that a part having no problem is determined to be likely to cause EM.
本発明に係るエレクトロマイグレーション検証装置は、検証対象の配線パターンを示す配線パターンデータを取得し、前記配線パターンデータに基づいて、前記配線パターンを、複数の矩形図形を含む複数の基準図形に分割し、前記複数の基準図形を示す分割データを生成する分割部と、前記分割データに基づいて、前記複数の矩形図形が段差状に接続されている部分をオフセット接続部として識別し、前記オフセット接続部を示すオフセット接続部データを生成する、識別部と、前記オフセット接続部データに基づいて、前記オフセット接続部における最小配線幅を算出し、前記最小配線幅を示す最小幅データを生成する、最小幅算出部と、前記オフセット接続部を流れる電流値と、前記最小配線幅とに基づいて、前記オフセット接続部における電流密度を算出し、算出された電流密度を示す電流密度データを生成する、電流密度算出部と、前記電流密度データに基づいて、前記電流密度を予め設定された基準値と比較し、比較結果に基づいて、エレクトロマイグレーションが発生するか否かを判定する、判定部とを具備する。 The electromigration verification apparatus according to the present invention acquires wiring pattern data indicating a wiring pattern to be verified, and divides the wiring pattern into a plurality of reference figures including a plurality of rectangular figures based on the wiring pattern data. A division unit that generates division data indicating the plurality of reference figures, and a portion where the plurality of rectangular figures are connected in a stepped manner based on the division data is identified as an offset connection unit, and the offset connection unit The minimum width for generating the minimum width data indicating the minimum wiring width by calculating the minimum wiring width in the offset connection section based on the identification section and the offset connection section data Based on the calculation unit, the current value flowing through the offset connection unit, and the minimum wiring width, the offset connection unit A current density calculating unit that generates current density data indicating the calculated current density, and compares the current density with a preset reference value based on the current density data, and compares And a determination unit that determines whether or not electromigration occurs based on the result.
本発明に係るエレクトロマイグレーション検証方法は、コンピュータにより、検証対象の配線パターンを示す配線パターンデータを取得し、前記配線パターンデータに基づいて、前記配線パターンを、複数の矩形図形を含む複数の基準図形に分割し、前記複数の基準図形を示す分割データを生成するステップと、コンピュータにより、前記分割データに基づいて、前記複数の矩形図形が段差状に接続されている部分をオフセット接続部として識別し、前記オフセット接続部を示すオフセット接続部データを生成するステップと、コンピュータにより、前記オフセット接続部データに基づいて、前記オフセット接続部における最小配線幅を算出し、前記最小配線幅を示す最小幅データを生成するステップと、コンピュータにより、前記オフセット接続部を流れる電流値と、前記最小配線幅とに基づいて、前記オフセット接続部における電流密度を算出し、算出された電流密度を示す電流密度データを生成するステップと、コンピュータにより、前記電流密度データに基づいて、前記電流密度を予め設定された基準値と比較し、比較結果に基づいて、エレクトロマイグレーションが発生するか否かを判定するステップとを具備する。 The electromigration verification method according to the present invention acquires a wiring pattern data indicating a wiring pattern to be verified by a computer, and based on the wiring pattern data, the wiring pattern is a plurality of reference figures including a plurality of rectangular figures. Generating divided data indicating the plurality of reference figures, and identifying, by the computer, a portion where the plurality of rectangular figures are connected in a stepped manner as an offset connection part based on the divided data. Generating offset connection data indicating the offset connection, and calculating a minimum wiring width in the offset connection based on the offset connection data by a computer, and the minimum width data indicating the minimum wiring width And generating the offset by a computer. Calculating a current density in the offset connection portion based on a current value flowing through the connection portion and the minimum wiring width, and generating current density data indicating the calculated current density; Comparing the current density with a reference value set in advance based on the data, and determining whether electromigration occurs based on the comparison result.
本発明に係るエレクトロマイグレーション検証プログラムは、上述のエレクトロマイグレーション検証方法をコンピュータにより実現するためのプログラムである。 The electromigration verification program according to the present invention is a program for realizing the above-described electromigration verification method by a computer.
本発明によれば、配線が段差状に伸びている部分が存在していても、エレクトロマイグレーションを正確に検証することのできる、エレクトロマイグレーション検証装置が提供される。 According to the present invention, there is provided an electromigration verification apparatus capable of accurately verifying electromigration even when there is a portion where the wiring extends in a stepped shape.
以下に、図面を参照しつつ、本発明の実施形態について説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
図3は、本実施形態に係るEM検証システムを示す概略図である。このEM検証システムは、記憶装置F1を有するコンピュータ装置F2(EM検証装置1)、記憶媒体F4を有するサーバF3、及びインターネットなどに例示されるネットワークF5を備えている。EM検証装置1とサーバF3とは、ネットワークF5を介して接続されている。
FIG. 3 is a schematic diagram showing an EM verification system according to the present embodiment. The EM verification system includes a computer device F2 (EM verification device 1) having a storage device F1, a server F3 having a storage medium F4, and a network F5 exemplified by the Internet. The
記憶媒体F4には、EM検証プログラム、配線パターンデータ、及び設定ファイルが格納されている。配線パターンデータは、検証対象の配線パターンを示すデータである。設定ファイルは、予め準備されたデータ群であり、EM基準値、シート抵抗値ρ、及び配線膜厚データ等のデータを含んでいる。EM基準値は、経年劣化によりEMが発生する可能性の有無を判断する際に用いられる基準値であり、電流密度によって表されている。 The storage medium F4 stores an EM verification program, wiring pattern data, and a setting file. The wiring pattern data is data indicating a wiring pattern to be verified. The setting file is a data group prepared in advance and includes data such as an EM reference value, a sheet resistance value ρ, and wiring film thickness data. The EM reference value is a reference value used when determining whether or not EM may be generated due to aging, and is represented by a current density.
このEM検証システムでは、EM検証装置1が、記憶媒体F4に格納されているEM検証プログラムをダウンロードする。そして、EM検証装置1は、ダウンロードしたEM検証プログラムを記憶装置F1に格納する。EM検証装置1においては、CPUがEM検証プログラムを実行することにより、EMの検証が行われる。
In this EM verification system, the
図4は、EM検証装置1を示す機能ブロック図である。図4に示されるように、EM検証装置1は、分割部4、識別部5、最小幅算出部6、電流密度算出部7、抵抗値算出部10、及び電流算出部11を備えている。これらは、CPUがEM検証プログラムを実行することにより、実現される。
FIG. 4 is a functional block diagram showing the
以下に、EM検証装置1の概略的な動作を説明する。図5は、EM検証装置1の概略動作を示すフローチャートである。
Hereinafter, a schematic operation of the
ステップS1;配線パターンデータの読み込み
まず、分割部4が、記憶媒体F4(図3参照)にアクセスして、配線パターンデータを読み込む。
Step S1: Reading wiring pattern data First, the dividing
ステップS2;分割
次いで、分割部4は、配線パターンデータに基づいて、配線パターンを、複数の矩形図形を含む複数の基準図形に分割し、分割データを生成する。
Step S2; Division Next, the
図6は、本ステップにおける動作を詳細に示すフローチャートである。また、図7A乃至図7Cは、本ステップにおける動作を説明するための説明図である。分割部4が、ステップS1において、図7Aに示されるような配線パターンW1を示す配線パターンデータを読み込んだとする。ここで、図7Aには、X方向と、X方向に直交するY方向とが定義されている。配線パターンW1は、X方向に沿う線、及びY方向に沿う線により、表現されているものとする。
FIG. 6 is a flowchart showing in detail the operation in this step. 7A to 7C are explanatory diagrams for explaining the operation in this step. Assume that the dividing
この場合、まず、配線パターンW1の各頂点から、切線が引かれる。切線は、X方向及びY方向に沿って、引かれる。図7Bには、切線が引かれた後の配線パターンW1が示されている。図7Bに示されるように、各頂点から、切線(S1〜S18)が引かれている(ステップS2−1)。 In this case, first, a cut line is drawn from each vertex of the wiring pattern W1. The cut line is drawn along the X direction and the Y direction. FIG. 7B shows the wiring pattern W1 after the cut line is drawn. As shown in FIG. 7B, a cut line (S1 to S18) is drawn from each vertex (step S2-1).
次いで、互いに交差する切線同士のうち、長い方の切線が消去される。これにより、配線パターンW1は、互いに交わらない切線により、分割される。図7Bに示される配線パターンW1では、切線S6及び切線S7が消去される(ステップS2−2)。 Next, of the cut lines that intersect each other, the longer one is erased. Thereby, the wiring pattern W1 is divided by the cut lines that do not intersect with each other. In the wiring pattern W1 shown in FIG. 7B, the cut line S6 and the cut line S7 are erased (step S2-2).
次いで、隣り合う平行な切線同士が選択される。図7Bに示される例では、切線S1及びS2、切線S5及びS8、等が、隣り合う平行な切線同士として選択される。そして、選択された各切線の長さと、選択された切線に直交する方向における配線パターンW1の長さ(幅)とが比較される。そして、「各切線の長さ」/「配線パターンW1の長さ」がある一定値(例えば1)以上のとき、選択された切線が消去される。図7Bに示される例では、切線S1及びS2、切線S11及びS12、切線S17及びS18が、消去される。尚、切線S5及びS8は、「各切線の長さ」/「配線パターンW1の長さ」が一定値以上ではないので、消去されてない。その結果、図7Cに示されるように、配線パターンW1は、切線S3、S4、S5、S8、S9、S10、S13、S14、S15、及びS14によって、複数の基準図形に分割される。この複数の基準図形は、複数の矩形図形を含んでいる(ステップS2−3)。 Next, adjacent parallel cut lines are selected. In the example shown in FIG. 7B, the cut lines S1 and S2, the cut lines S5 and S8, and the like are selected as adjacent parallel cut lines. Then, the length of each selected cut line is compared with the length (width) of the wiring pattern W1 in the direction orthogonal to the selected cut line. Then, when “the length of each cut line” / “the length of the wiring pattern W1” is equal to or larger than a certain value (for example, 1), the selected cut line is deleted. In the example shown in FIG. 7B, the cut lines S1 and S2, the cut lines S11 and S12, and the cut lines S17 and S18 are erased. Note that the cut lines S5 and S8 are not erased because “the length of each cut line” / “the length of the wiring pattern W1” is not equal to or greater than a predetermined value. As a result, as shown in FIG. 7C, the wiring pattern W1 is divided into a plurality of reference figures by the cut lines S3, S4, S5, S8, S9, S10, S13, S14, S15, and S14. The plurality of reference figures include a plurality of rectangular figures (step S2-3).
ステップS3;各図形の認識
次いで、識別部5が、分割データを取得する。識別部5は、複数の基準図形の各々が、配線パターンのうちのどのような部分に対応する図形であるかを認識する。具体的には、各基準図形は、直線部分、コーナ部分、分岐部分、及びオフセット接続部分の何れかに分類される。そして、識別部5は、各矩形図形がどの部分に分類されるかを示す識別データを生成する。尚、オフセット接続部分とは、配線パターンが段差状に伸びている部分である。オフセット接続部分に関する詳細は、後述する。
Step S3; Recognition of Each Graphic Next, the
ステップS4;最小幅の算出
続いて、最小幅算出部6が、識別データに基づいて、各基準図形の最小配線幅を算出する。この際、各基準図形の最小配線幅は、その基準図形が分類される部分に応じた手法により、算出される。
Step S4: Calculation of Minimum Width Subsequently, the
ステップS5;抵抗値の算出
続いて、抵抗値算出部10が、分割データに基づいて、各基準図形の抵抗値を算出する。具体的には、抵抗値算出部10は、各基準図形の幅及び長さを求める。更に、抵抗値算出部10は、記憶媒体F4(図3参照)から、配線膜厚データ及びシート抵抗値ρを取得する。そして、抵抗値算出部10は、各基準図形の幅及び長さ、配線膜厚、及びシート抵抗値ρに基づいて、各基準図形の抵抗値を算出する。更に、抵抗値算出部10は、複数の基準図形の抵抗値を累算し、全体抵抗値を求める。抵抗値算出部10は、算出した全体抵抗値を示す抵抗値データを生成する。
Step S5: Calculation of Resistance Value Subsequently, the resistance
ステップS6;電流の算出
次いで、電流算出部11が、抵抗値データに基づいて、配線パターンを流れる電流の値を算出する。電流は、配線パターンの両端間の電圧などに基づいて、オームの法則により、算出することができる。電圧などのデータに関しては、例えば、記憶媒体F4の設定ファイルに予め格納されていればよい。電流算出部11は、算出した電流の値を示す電流データを生成する。
Step S6; Calculation of Current Next, the
ステップS7;電流密度の算出
次いで、電流密度算出部7が、最小幅データと電流データとに基づいて、各基準図形における電流密度を計算する。具体的には、電流密度算出部7は、記憶媒体F4の設定ファイルを参照することにより、配線膜厚を取得する。そして、ステップS4で求められた最小配線幅と、配線膜厚とに基づいて、配線パターンの断面積が求められる。更に、ステップS6で算出された電流値と、断面積とに基づいて、電流密度が算出される。すなわち、電流密度は、下記式を用いて、算出される。
(式);電流密度=電流/(最小配線幅×配線膜厚)
電流密度算出部は、計算した電流密度を示す電流密度データを生成する。
Step S7: Calculation of Current Density Next, the
(Formula); current density = current / (minimum wiring width x wiring film thickness)
The current density calculation unit generates current density data indicating the calculated current density.
ステップS8;判定
次いで、判定部8は、電流密度データを取得すると、記憶媒体F4に格納されたEM基準値データを参照する。そして、各基準図形について計算された電流密度を、EM基準値と比較する。そして、電流密度がEM基準値を超えている基準図形が存在する場合には、EMが起こる可能性があると判定する。一方、計算された電流密度がEM基準値よりも低ければ、EMが起こる可能性は無いと判定する。判定部8は、判定結果を出力する。
Step S8; Determination Next, when the
以上のステップS1〜S8までの処理により、配線パターンのEM検証が行われる。 The wiring pattern EM verification is performed by the processes from the above steps S1 to S8.
ここで、本実施形態では、配線パターンが段差状に延びている部分における最小配線幅を正確に求めるために、ステップS3及びステップS4の動作が工夫されている。ステップS3では、配線パターンが段差状に延びている部分がオフセット接続部分として識別される。また、ステップS4では、オフセット接続部分における最小配線幅が、正確に求められる。以下に、この点について詳述する。 Here, in the present embodiment, the operations of step S3 and step S4 are devised in order to accurately obtain the minimum wiring width in the portion where the wiring pattern extends in a step shape. In step S3, a portion where the wiring pattern extends in a step shape is identified as an offset connection portion. In step S4, the minimum wiring width in the offset connection portion is accurately obtained. This point will be described in detail below.
まず、ステップS3における動作について詳述する。ステップS3において、識別部5は、複数の矩形図形が段差状に接続されている部分を、オフセット接続部として識別する。ここで、オフセット接続部は、第1のオフセット接続部と、第2のオフセット接続部との何れかに分類される。
First, the operation in step S3 will be described in detail. In step S3, the
図8Aは、第1のオフセット接続部を示す図である。図8A中、配線パターンは、第1方向に沿う線、及び第1方向に直交する第2方向に沿う線によって、表されているものとする。第1のオフセット接続部は、第1矩形図形P1、第2矩形図形P2、及び第3矩形図形P3を備えている。第1矩形図形P1及び第2矩形図形P2は、それぞれ、第1方向に沿って伸びている。第3矩形図形P3は、第1矩形図形P1と第2矩形図形P2とを接続するように配置されている。第1矩形図形P1と第2矩形図形P2とは、第2方向に沿う幅が同じである。また、第1矩形図形P1と第2矩形図形P2とは、第2方向において、距離δだけずれている。第1矩形図形P1は、第1方向に沿って伸びる第1辺L1及び第2辺L2を有している。第2矩形図形P2は、第1方向に沿って伸びる第3辺L3及び第4辺L4を有している。ここで、第3辺L3は、第1辺L1と連続する辺であり、第4辺L4は、第2辺L2と連続する辺である。第1辺L1における第3矩形図形P3側の端部が、第1頂点V1と定義される。第2辺L2における第3矩形図形P3側の端部が、第2頂点V2と定義される。第3辺L3における第3矩形図形P3側の端部が、第3頂点V3と定義される。第4辺L4における第3矩形図形P3側の端部が、第4頂点V4と定義される。第3矩形図形P3は、第1頂点V1と第2頂点V2と通る直線、第1辺L1の延長線、第4辺L4の延長線、及び第3頂点V3と第4頂点V4とを通る直線、によって形成される図形である。識別部5は、図8Aに示されるような複数の矩形図形を、第1のオフセット接続部として識別する。
FIG. 8A is a diagram illustrating a first offset connection unit. In FIG. 8A, the wiring pattern is represented by a line along the first direction and a line along the second direction orthogonal to the first direction. The first offset connection unit includes a first rectangular figure P1, a second rectangular figure P2, and a third rectangular figure P3. Each of the first rectangular figure P1 and the second rectangular figure P2 extends along the first direction. The third rectangular figure P3 is arranged so as to connect the first rectangular figure P1 and the second rectangular figure P2. The first rectangular figure P1 and the second rectangular figure P2 have the same width along the second direction. Further, the first rectangular figure P1 and the second rectangular figure P2 are shifted by a distance δ in the second direction. The first rectangular figure P1 has a first side L1 and a second side L2 extending along the first direction. The second rectangular figure P2 has a third side L3 and a fourth side L4 extending along the first direction. Here, the third side L3 is a side continuous with the first side L1, and the fourth side L4 is a side continuous with the second side L2. The end on the third rectangular figure P3 side in the first side L1 is defined as the first vertex V1. The end of the second side L2 on the third rectangular figure P3 side is defined as the second vertex V2. An end portion on the third rectangular figure P3 side in the third side L3 is defined as a third vertex V3. An end of the fourth side L4 on the third rectangular figure P3 side is defined as a fourth vertex V4. The third rectangular figure P3 is a straight line passing through the first vertex V1 and the second vertex V2, an extension line of the first side L1, an extension line of the fourth side L4, and a straight line passing through the third vertex V3 and the fourth vertex V4. , Is a figure formed by. The
図8Bは、第2のオフセット接続部を示す図である。図中、配線パターンは、第3方向に沿う線、及び第3方向に直交する第4方向に沿う線によって、表されているものとする。第2のオフセット接続部は、第3方向に沿って伸びる第4矩形図形P4と、第3方向に沿って伸びる第5矩形図形P5とを含んでいる。第4矩形図形P4は、第4方向に沿って伸びる、第5辺L9を有している。第5矩形図形P5は、第4方向に沿って延び、第5辺L9の一部と重なる第6辺L10を有している。識別部5は、図8Bに示されるような複数の矩形図形を、第2のオフセット接続部として識別する。
FIG. 8B is a diagram illustrating a second offset connection unit. In the figure, the wiring pattern is represented by a line along the third direction and a line along the fourth direction orthogonal to the third direction. The second offset connection portion includes a fourth rectangular figure P4 extending along the third direction and a fifth rectangular figure P5 extending along the third direction. The fourth rectangular figure P4 has a fifth side L9 extending along the fourth direction. The fifth rectangular figure P5 has a sixth side L10 that extends along the fourth direction and overlaps a part of the fifth side L9. The
次いで、ステップS4における動作について詳述する。図9は、ステップS4における動作を詳細に示すフローチャートである。 Next, the operation in step S4 will be described in detail. FIG. 9 is a flowchart showing in detail the operation in step S4.
ステップS4−1;オフセット接続部?
まず、最小幅算出部6は、複数の基準図形の中から処理対象の基準図形を選択し、選択した基準図形がオフセット接続部に所属する図形であるか否かを判定する。オフセット接続部に所属する図形であった場合には、次のステップS4−2の処理が実行される。一方、オフセット接続部に所属する図形ではない場合、その基準図形が属する部分(直線部分、コーナ部分など)に応じた処理方法により、基準図形の最小配線幅が算出される(ステップS4−8)。
Step S4-1: Offset connection part?
First, the minimum
ステップS4−2;第1オフセット接続部及び第2オフセット接続部の判定
選択された基準図形がオフセット接続部に属する図形である場合、最小幅算出部6は、第1オフセット接続部であるのか第2オフセット接続部であるのかを判定する。選択された基準図形が第1オフセット接続部に属する図形である場合、次のステップS4−3の処理が実行される。一方、第2オフセット接続部に属する図形である場合、ステップS4−7の処理が実行される。
Step S4-2: Determination of the first offset connection part and the second offset connection part When the selected reference graphic is a graphic belonging to the offset connection part, the minimum
ステップS4−3;第1線分及び第2線分の識別
選択された基準図形が第1オフセット接続部(図8A参照)に属する場合、最小幅算出部6は、第1線分L5及び第2線分L6を識別する。図10は、第1線分L5及び第2線分L6を示す図である。図10に示されるように、最小幅算出部6は、頂点V1と頂点V3とを結ぶ線分を引き、この線分を第1線分L5として識別する。また、最小幅算出部6は、頂点V2と頂点V4とを結ぶ線分を引き、この線分を第2線分L6として識別する。そして、次のステップS4−4の処理を行う。
Step S4-3: Identification of the first line segment and the second line segment When the selected reference graphic belongs to the first offset connection section (see FIG. 8A), the minimum
ステップS4−4;電流経路の中心線を識別
続いて、最小幅算出部6は、第3矩形図形P3を流れる電流の中心線L7を識別する。具体的には、図11に示されるように、第1頂点V1と第2頂点V2とを結ぶ線分の中点が、第1中点V5として識別される。また、第3頂点V3と第4頂点V4とを結ぶ線分の中点が、第2中点V6として識別される。そして、第1中点V5と第2中点V6とを結ぶ線分が、中心線L7として識別される。
Step S4-4: Identifying the Center Line of the Current Path Subsequently, the minimum
ステップS4−5;直交線の識別
次いで、最小幅算出部6は、図12に示されるように、中心線L7に直交し、第1線分L5と第2線分L6との双方と接する線を、直交線L8として識別する。
Step S4-5: Identification of Orthogonal Line Next, as shown in FIG. 12, the minimum
ステップS4−6;最小配線幅の算出
次いで、最小幅算出部6は、直交線L8と第1線分L5との交点と、直交線L8と第2線分L6との交点との間の距離を、最小配線幅として算出する。尚、その距離は、図13に示されるように、頂点V3から第2線分L6へ下ろした垂線L49の長さに等しい。垂線L49の距離は、頂点V3と頂点V4を結ぶ線分L12と、第2線分L6とが成す角度A43が確定すれば、以下の三角関数式を用いて計算することができる。
(式);垂線L49の長さ=COS(角度A41)×線分L12の長さ
Step S4-6: Calculation of Minimum Wiring Width Next, the minimum
(Expression): Length of perpendicular line L49 = COS (angle A41) × length of line segment L12
第3矩形図形P3において実質的に電流が流れる領域は、第1線分L5と第2線分L6との間の領域である。従って、本ステップで求められた最小配線幅は、第3矩形図形P3において実質的に電流が流れる領域の幅を反映している。従って、図8Aに示したような第1オフセット接続部における最小配線幅が、正確に求められる。 The region where current substantially flows in the third rectangular figure P3 is a region between the first line segment L5 and the second line segment L6. Therefore, the minimum wiring width obtained in this step reflects the width of the region where current substantially flows in the third rectangular figure P3. Therefore, the minimum wiring width in the first offset connection as shown in FIG. 8A is accurately obtained.
ステップS4−7;最小配線幅の算出
一方、ステップS4−2において、選択された基準図形が第2オフセット接続部(図8B参照)に属する場合、最小幅算出部6は、以下のようにして最小配線幅を求める。図14は、第2オフセット接続部の最小配線幅を説明するための説明図である。図14に示されるように、最小幅算出部6は、第5辺L9と第6辺L10とが重なっている部分の長さL11を、第2オフセット接続部における最小配線幅として算出する。このようにして求められた最小配線幅は、第2オフセット接続部における最小配線幅を正確に反映している。
Step S4-7: Calculation of Minimum Wiring Width On the other hand, when the selected reference graphic belongs to the second offset connection unit (see FIG. 8B) in step S4-2, the minimum
以上のステップS4−8までの処理により、選択された基準図形に関する最小配線幅が算出される。その後、全基準図形についての処理が終了したか否かが判定される。未処理の基準図形が存在する場合には、処理対象の基準図形を未処理の基準図形に変更し、ステップS4−1以降の動作が繰り返される。一方、全基準図形について処理が終了した場合には、ステップ4における処理が終了される。
Through the processes up to step S4-8, the minimum wiring width related to the selected reference graphic is calculated. Thereafter, it is determined whether or not the processing for all reference figures has been completed. If an unprocessed reference graphic exists, the reference graphic to be processed is changed to an unprocessed reference graphic, and the operations after step S4-1 are repeated. On the other hand, when the process is completed for all the reference graphics, the process in
尚、その後のステップS5(図5参照)で各基準図形の抵抗値を求める場合、第1オフセット接続部の第3矩形図形P3については、抵抗値を求めるための幅として、ステップS4−6で算出された最小配線幅が用いられる。 In addition, when calculating | requiring the resistance value of each reference | standard figure in subsequent step S5 (refer FIG. 5), about 3rd rectangular figure P3 of a 1st offset connection part, it is set as width | variety for calculating | requiring a resistance value by step S4-6. The calculated minimum wiring width is used.
以上説明したように、本実施形態によれば、段差部分(オフセット接続部)における最小配線幅を正確に算出することができる。そのため、オフセット接続部分における電流密度の最大値を、正確に見積もることができる。その結果、設計した配線パターンがEMの観点から問題あるか否かを、正確に判断することが可能になる。そのため、EM検証後に、検証結果が本当に正しいか否かを確認する作業を省略することができ、EM検証に要する解析時間を低減することができる。 As described above, according to the present embodiment, the minimum wiring width in the step portion (offset connection portion) can be accurately calculated. Therefore, it is possible to accurately estimate the maximum value of the current density in the offset connection portion. As a result, it is possible to accurately determine whether or not the designed wiring pattern is problematic from the viewpoint of EM. Therefore, after EM verification, the work of confirming whether or not the verification result is really correct can be omitted, and the analysis time required for EM verification can be reduced.
1 EM検証装置
2 EM検証プログラム
3 記憶部
4 分割部
5 識別部
6 最小幅算出部
7 電流密度算出部
8 判定部
10 抵抗値算出部
11 電流算出部
12 膜厚データ
13 シート抵抗データ
14 EM基準値データ
C51 切線
C52 切線
C53 切線
C61 切線
C62 切線
C63 切線
C64 切線
P1 第1矩形図形
P2 第2矩形図形
P3 第3矩形図形
P4 第4矩形図形
P5 第5矩形図形
P51 配線パターン
P52 分割矩形
P53 分割矩形
P61 配線パターン
P62 分割矩形
P63 分割矩形
P64 分割矩形
L1 第1辺
L2 第2辺
L3 第3辺
L4 第4辺
L5 第1線分
L6 第2線分
L7 中心線
L8 直交線
L9 第5辺
L10 第6辺
L11 接続部分
L51 段差
L52 段差
L53 配線パターン幅
L54 配線パターン幅
L55 最小幅
L56 抵抗R51の幅
L57 抵抗R52の幅
L61 段差
L62 段差
L63 段差
L64 配線パターンP61の幅
L65 配線パターンP61の幅
L66 最小幅
R51 抵抗
R52 抵抗
R61 抵抗
R62 抵抗
R63 抵抗
V1 第1頂点
V2 第2頂点
V3 第3頂点
V4 第4頂点
V5 第1中点
V6 第2中点
V7 交点
V8 交点
V61 頂点
V62 頂点
DESCRIPTION OF
Claims (11)
前記分割データに基づいて、前記複数の矩形図形が段差状に接続されている部分をオフセット接続部として識別し、前記オフセット接続部を示すオフセット接続部データを生成する、識別部と、
前記オフセット接続部データに基づいて、前記オフセット接続部における最小配線幅を算出し、前記最小配線幅を示す最小幅データを生成する、最小幅算出部と、
前記オフセット接続部を流れる電流値と、前記最小配線幅とに基づいて、前記オフセット接続部における電流密度を算出し、算出された電流密度を示す電流密度データを生成する、電流密度算出部と、
前記電流密度データに基づいて、前記電流密度を予め設定された基準値と比較し、比較結果に基づいて、エレクトロマイグレーションが発生するか否かを判定する、判定部と、
を具備する
エレクトロマイグレーション検証装置。 Obtaining wiring pattern data indicating a wiring pattern to be verified, dividing the wiring pattern into a plurality of reference figures including a plurality of rectangular figures based on the wiring pattern data, and dividing data indicating the plurality of reference figures A dividing unit for generating
Based on the divided data, an identification unit that identifies a portion where the plurality of rectangular figures are connected in a stepped shape as an offset connection unit, and generates offset connection unit data indicating the offset connection unit;
Based on the offset connection data, a minimum width calculation unit that calculates a minimum wiring width in the offset connection unit and generates minimum width data indicating the minimum wiring width;
A current density calculation unit that calculates a current density in the offset connection unit based on a current value flowing through the offset connection unit and the minimum wiring width, and generates current density data indicating the calculated current density;
A determination unit that compares the current density with a preset reference value based on the current density data and determines whether electromigration occurs based on the comparison result;
An electromigration verification apparatus comprising:
前記識別部は、前記オフセット接続部として、第1方向に沿って伸びる第1矩形図形と、前記第1方向に沿って伸びる第2矩形図形と、前記第1矩形図形と前記第2矩形図形とを接続する第3矩形図形とを有する部分を識別し、
前記第1矩形図形と前記第2矩形図形とは、前記第1方向に直交する第2方向に沿う幅が同じであり、
前記第1矩形図形と前記第2矩形図形とは、前記第2方向において、距離δだけずれており、
前記第1矩形図形は、前記第1方向に沿って伸びる第1辺及び第2辺を有し、
前記第2矩形図形は、前記第1方向に沿って伸びる第3辺及び第4辺を有し、
前記第3辺は、前記第1辺と連続する辺であり、
前記第4辺は、前記第2辺と連続する辺であり、
前記第1辺における前記第3矩形図形側の端部が、第1頂点と定義され、
前記第2辺における前記第3矩形図形側の端部が、第2頂点と定義され、
前記第3辺における前記第3矩形図形側の端部が、第3頂点と定義され、
前記第4辺における前記第3矩形図形側の端部が、第4頂点と定義され、
前記第3矩形図形は、前記第1頂点と前記第2頂点と通る直線、前記第1辺の延長線、前記第4辺の延長線、及び前記第3頂点と前記第4頂点とを通る直線とによって形成される図形である
エレクトロマイグレーション検証装置。 The electromigration verification apparatus according to claim 1,
The identification unit, as the offset connection unit, includes a first rectangular figure extending along a first direction, a second rectangular figure extending along the first direction, the first rectangular figure, and the second rectangular figure. Identifying a portion having a third rectangular figure connecting
The first rectangular figure and the second rectangular figure have the same width along a second direction orthogonal to the first direction,
The first rectangular figure and the second rectangular figure are shifted by a distance δ in the second direction,
The first rectangular figure has a first side and a second side extending along the first direction,
The second rectangular figure has a third side and a fourth side extending along the first direction,
The third side is a side continuous with the first side,
The fourth side is a side continuous with the second side,
An end of the first side on the third rectangular figure side is defined as a first vertex,
An end of the second side on the third rectangular figure side is defined as a second vertex,
An end of the third side on the third rectangular figure side is defined as a third vertex,
The end on the third rectangular figure side in the fourth side is defined as a fourth vertex,
The third rectangular figure includes a straight line passing through the first vertex and the second vertex, an extension line of the first side, an extension line of the fourth side, and a straight line passing through the third vertex and the fourth vertex. Electromigration verification device that is a figure formed by
前記最小幅算出部は、前記第1頂点と前記第2頂点とを結ぶ第1線分と、前記第3頂点と前記第4頂点とを結ぶ第2線分との間の距離を、前記最小配線幅として算出する
エレクトロマイグレーション検証装置。 The electromigration verification apparatus according to claim 2,
The minimum width calculation unit calculates a distance between a first line segment connecting the first vertex and the second vertex and a second line segment connecting the third vertex and the fourth vertex as the minimum. An electromigration verification device that calculates the wiring width.
前記最小幅算出部は、前記第1頂点と前記第2頂点とを結ぶ線分の中点を第1中点として識別し、前記第3頂点と前記第4頂点とを結ぶ線分の中点を第2中点として識別し、前記第1中点と前記第2中点とを結ぶ線分を中心線として識別し、前記中心線に直交し、前記第1線分及び前記第2線分と交わる線を、直交線として識別し、前記直交線と前記第1線分との交点と、前記直交線と前記第2線分との交点との間の距離を、前記最小配線幅として算出する
エレクトロマイグレーション検証装置。 The electromigration verification apparatus according to claim 3,
The minimum width calculation unit identifies a midpoint of a line segment connecting the first vertex and the second vertex as a first midpoint, and a midpoint of a line segment connecting the third vertex and the fourth vertex Is identified as a second midpoint, a line segment connecting the first midpoint and the second midpoint is identified as a center line, orthogonal to the center line, the first line segment and the second line segment The line that intersects the line is identified as an orthogonal line, and the distance between the intersection of the orthogonal line and the first line segment and the intersection of the orthogonal line and the second line segment is calculated as the minimum wiring width Electromigration verification device.
前記識別部は、前記オフセット接続部として、第3方向に沿って伸びる第4矩形図形と、前記第3方向に沿って伸びる第5矩形図形とを含む部分を識別し、
前記第4矩形図形は、前記第3方向に直交する第4方向に沿って伸びる、第5辺を有し、
前記第5矩形図形は、前記第4方向に沿って延び、前記第5辺の一部と重なる第6辺を有し、
前記最小幅算出部は、前記第5辺と前記第6辺とが重なっている部分の距離を、前記最小配線幅として算出する
エレクトロマイグレーション検証装置。 The electromigration verification apparatus according to any one of claims 1 to 4,
The identification unit identifies a portion including a fourth rectangular figure extending along a third direction and a fifth rectangular figure extending along the third direction as the offset connection part,
The fourth rectangular figure has a fifth side extending along a fourth direction orthogonal to the third direction;
The fifth rectangular figure has a sixth side extending along the fourth direction and overlapping a part of the fifth side;
The minimum width calculation unit is an electromigration verification apparatus that calculates a distance of a portion where the fifth side and the sixth side overlap as the minimum wiring width.
コンピュータにより、前記分割データに基づいて、前記複数の矩形図形が段差状に接続されている部分をオフセット接続部として識別し、前記オフセット接続部を示すオフセット接続部データを生成するステップと、
コンピュータにより、前記オフセット接続部データに基づいて、前記オフセット接続部における最小配線幅を算出し、前記最小配線幅を示す最小幅データを生成するステップと、
コンピュータにより、前記オフセット接続部を流れる電流値と、前記最小配線幅とに基づいて、前記オフセット接続部における電流密度を算出し、算出された電流密度を示す電流密度データを生成するステップと、
コンピュータにより、前記電流密度データに基づいて、前記電流密度を予め設定された基準値と比較し、比較結果に基づいて、エレクトロマイグレーションが発生するか否かを判定するステップと、
を具備する
エレクトロマイグレーション検証方法。 A computer acquires wiring pattern data indicating a wiring pattern to be verified, divides the wiring pattern into a plurality of reference figures including a plurality of rectangular figures based on the wiring pattern data, and the plurality of reference figures are Generating split data to be shown;
The computer identifies a portion where the plurality of rectangular figures are connected in a step shape based on the divided data as an offset connection portion, and generates offset connection portion data indicating the offset connection portion;
Calculating a minimum wiring width in the offset connection portion based on the offset connection portion data by a computer, and generating minimum width data indicating the minimum wiring width;
Calculating a current density in the offset connection portion based on a current value flowing through the offset connection portion and the minimum wiring width by a computer, and generating current density data indicating the calculated current density;
Comparing the current density with a preset reference value based on the current density data by a computer, and determining whether electromigration occurs based on the comparison result;
An electromigration verification method comprising:
前記オフセット接続部データを生成するステップは、前記オフセット接続部として、第1方向に沿って伸びる第1矩形図形と、前記第1方向に沿って伸びる第2矩形図形と、前記第1矩形図形と前記第2矩形図形とを接続する第3矩形図形とを有する部分を識別するステップを含んでおり、
前記第1矩形図形と前記第2矩形図形とは、前記第1方向に直交する第2方向に沿う幅が同じであり、
前記第1矩形図形と前記第2矩形図形とは、前記第2方向において、距離δだけずれており、
前記第1矩形図形は、前記第1方向に沿って伸びる第1辺及び第2辺を有し、
前記第2矩形図形は、前記第1方向に沿って伸びる第3辺及び第4辺を有し、
前記第3辺は、前記第1辺と連続する辺であり、
前記第4辺は、前記第2辺と連続する辺であり、
前記第1辺における前記第3矩形図形側の端部が、第1頂点と定義され、
前記第2辺における前記第3矩形図形側の端部が、第2頂点と定義され、
前記第3辺における前記第3矩形図形側の端部が、第3頂点と定義され、
前記第4辺における前記第3矩形図形側の端部が、第4頂点と定義され、
前記第3矩形図形は、前記第1頂点と前記第2頂点と通る直線、前記第1辺の延長線、前記第4辺の延長線、及び前記第3頂点と前記第4頂点とを通る直線とによって形成される図形である
エレクトロマイグレーション検証方法。 The electromigration verification method according to claim 6,
The step of generating the offset connection portion data includes, as the offset connection portion, a first rectangular figure extending along a first direction, a second rectangular figure extending along the first direction, and the first rectangular figure. Identifying a portion having a third rectangular shape connecting to the second rectangular shape,
The first rectangular figure and the second rectangular figure have the same width along a second direction orthogonal to the first direction,
The first rectangular figure and the second rectangular figure are shifted by a distance δ in the second direction,
The first rectangular figure has a first side and a second side extending along the first direction,
The second rectangular figure has a third side and a fourth side extending along the first direction,
The third side is a side continuous with the first side,
The fourth side is a side continuous with the second side,
An end of the first side on the third rectangular figure side is defined as a first vertex,
An end of the second side on the third rectangular figure side is defined as a second vertex,
An end of the third side on the third rectangular figure side is defined as a third vertex,
The end on the third rectangular figure side in the fourth side is defined as a fourth vertex,
The third rectangular figure includes a straight line passing through the first vertex and the second vertex, an extension line of the first side, an extension line of the fourth side, and a straight line passing through the third vertex and the fourth vertex. An electromigration verification method that is a figure formed by.
前記最小幅データを生成するステップは、前記第1頂点と前記第2頂点とを結ぶ第1線分と、前記第3頂点と前記第4頂点とを結ぶ第2線分との間の距離を、前記最小配線幅として算出するステップを含んでいる
エレクトロマイグレーション検証方法。 The electromigration verification method according to claim 7,
The step of generating the minimum width data includes calculating a distance between a first line segment connecting the first vertex and the second vertex and a second line segment connecting the third vertex and the fourth vertex. An electromigration verification method including the step of calculating the minimum wiring width.
前記最小配線幅として算出するステップは、
前記第1頂点と前記第2頂点とを結ぶ線分の中点を第1中点として識別するステップと、
前記第3頂点と前記第4頂点とを結ぶ線分の中点を第2中点として識別するステップと、
前記第1中点と前記第2中点とを結ぶ線分を中心線として識別するステップと、
前記中心線に直交し、前記第1線分及び前記第2線分と交わる線を、直交線として識別するステップと、
前記直交線と前記第1線分との交点と、前記直交線と前記第2線分との交点との間の距離を、前記最小配線幅として算出するステップとを含んでいる
エレクトロマイグレーション検証方法。 The electromigration verification method according to claim 8,
The step of calculating as the minimum wiring width includes:
Identifying a midpoint of a line segment connecting the first vertex and the second vertex as a first midpoint;
Identifying a midpoint of a line segment connecting the third vertex and the fourth vertex as a second midpoint;
Identifying a line segment connecting the first midpoint and the second midpoint as a centerline;
Identifying a line orthogonal to the center line and intersecting the first line segment and the second line segment as an orthogonal line;
An electromigration verification method including calculating a distance between an intersection of the orthogonal line and the first line segment and an intersection of the orthogonal line and the second line segment as the minimum wiring width .
前記オフセット接続部データを生成するステップは、前記オフセット接続部として、第3方向に沿って伸びる第4矩形図形と、前記第3方向に沿って伸びる第5矩形図形とを含む部分を識別するステップを含んでおり、
前記第4矩形図形は、前記第3方向に直交する第4方向に沿って伸びる、第5辺を有し、
前記第5矩形図形は、前記第4方向に沿って延び、前記第5辺の一部と重なる第6辺を有し、
前記最小幅データを生成するステップは、前記第5辺と前記第6辺とが重なっている部分の距離を、前記最小配線幅として算出するステップを含んでいる
エレクトロマイグレーション検証方法。 The electromigration verification method according to any one of claims 6 to 9,
The step of generating the offset connection part data is a step of identifying, as the offset connection part, a portion including a fourth rectangular figure extending along a third direction and a fifth rectangular figure extending along the third direction. Contains
The fourth rectangular figure has a fifth side extending along a fourth direction orthogonal to the third direction;
The fifth rectangular figure has a sixth side extending along the fourth direction and overlapping a part of the fifth side;
The step of generating the minimum width data includes the step of calculating a distance of a portion where the fifth side and the sixth side overlap as the minimum wiring width.
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CN108695314A (en) * | 2017-04-05 | 2018-10-23 | 三星电子株式会社 | The conductive layer of integrated circuit and its manufacturing method and integrated circuit |
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