JP2011158700A - 電気光学装置及び電子機器、並びに電気光学装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】液晶装置等の電気光学装置において、段差及びクラックの発生を防止しつつ、好適に遮光性能を高める。
【解決手段】電気光学装置は、電気光学物質（５０）を挟持した一対の基板（１０，２０）と、一対の基板のうち一方の基板に設けられたスイッチング素子（３０）と、一方の基板の少なくともスイッチング素子に対向する位置に設けられており、第１層（１１ｂ）、第２層（１１ａ）及び第３層（１１ｃ）を有する遮光膜（１１）とを備える。遮光膜において、第１層は、第２層の上層において第２層より狭い範囲に設けられ、第３層は、第１層を上層側から覆うように第２層と重なる領域に設けられている。
【選択図】図４

Description

本発明は、例えば液晶表示装置等の電気光学装置、及び該電気光学装置を備えた、例えば液晶プロジェクター等の電子機器、並びに電気光学装置の製造方法の技術分野に関する。

この種の電気光学装置として、基板上に複数の導電膜及び絶縁膜を積層することにより構成されるものがある。基板上には、例えば走査線及びデータ線等の各種配線や、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）等の各種素子が形成される（例えば、特許文献１参照）。

上述したような電気光学装置では、動作時に照射される光が薄膜トランジスタに入射することで、光リーク電流が発生してしまうおそれがある。このため、例えば特許文献２では、メタル層及びバリア層を積層してなる遮光膜を用いることで、遮光性能を向上させるという技術が提案されている。

特開平６−２３５９３９号公報 特許第３４６０７０６号公報

しかしながら、上述した複数の層が積層された遮光膜を用いる技術には、遮光膜を形成することによって比較的大きな段差ができてしまうおそれがある。即ち、多くの層を積層した部分とそうでない部分とで膜厚に大きな差が生じてしまう。このような段差は、例えば表示画像の品質低下や装置の信頼性の低下を招いてしまう。

また上述した技術では、多くの層が積層されることによって、ストレスに起因するクラックが発生し易くなってしまう。クラックは、積層の数が多いほど（言い換えれば、遮光性能を高めようとする程）発生し易くなってしまう。

以上のように、上述した技術には、仮に遮光性能を高めることが可能であったとしても、それに伴って様々な不都合が生じてしまうという技術的問題点がある。

本発明は、例えば上述した問題点に鑑みなされたものであり、段差及びクラックの発生を防止しつつ、好適に遮光性能を高めることが可能な電気光学装置及び電子機器、並びに電気光学装置の製造方法を提供することを課題とする。

本発明の電気光学装置は上記課題を解決するために、電気光学物質を挟持した一対の基板と、前記一対の基板のうち一方の基板に設けられたスイッチング素子と、前記一方の基板の少なくとも前記スイッチング素子に対向する位置に設けられた第１層、第２層及び第３層を有する遮光膜と、を備え、前記第１層は、前記第２層の上層において前記第２層より狭い範囲に設けられ、前記第３層は、前記第１層を上層側から覆うように前記第２層と重なる領域に設けられている。

本発明の電気光学装置は、例えば、画素電極及び該画素電極に電気的に接続された画素スイッチング用ＴＦＴ等であるスイッチング素子が設けられた素子基板と、画素電極に対向する対向電極が設けられた対向基板との間に、液晶等の電気光学物質を挟持してなる。当該電気光学装置の動作時には、画像信号が画素電極へ選択的に供給されることで、複数の画素電極が配列された画素領域（或いは画像表示領域）における画像表示が行われる。尚、画像信号は、例えばデータ線及び画素電極間に電気的に接続されたスイッチング素子がオンオフされることによって、所定のタイミングでデータ線から半導体素子を介して画素電極に供給される。

本発明の電気光学装置によれば、基板におけるスイッチング素子に対向する位置に、遮光膜が設けられている。遮光膜は、スイッチング素子に光が入射するのを防止することで、光リーク電流の発生を防止する。光リーク電流の発生を防止することで、表示画像の品質低下や装置の信頼性を高めることが可能である。

ここで本発明に係る遮光膜は特に、第１層、第２層及び第３層の３つの層を有している。第１層は、第２層の上層において該第２層より狭い範囲に設けられ、第３層は、第１層を上層側から覆うように第２層と重なる領域に設けられている。即ち、第１層、第２層及び第３層は、下層側から第２層、第１層、第３層の順で積層されており、第１層は、第２層及び第３層に、夫々上層側及び下層側から覆われるように形成されている。第２層及び第３層は、例えば互いに同じ領域に形成される。

上述した遮光膜には、第１層が存在する部分と存在しない部分とがある。即ち、第１層、第２層及び第３層の３層で構成される部分（以下、適宜「３層部分」と称する）と、第２層及び第３層の２層で構成される部分（以下、適宜「２層部分」と称する）がある。ここで、３層部分は積層数が多い分、２層部分より遮光性能が高い。一方で、２層部分は積層数が少ない分、３層部分よりストレスに起因するクラックが発生し難い。このような３層部分と２層部分の違いを利用することで、遮光性能を十分に高めつつ、クラックも防止することが可能となる。具体的には、比較的高い遮光性能が求められるような箇所には遮光性能の高い３層部分、他方で遮光性能はあまり求められない箇所にはクラックに強い２層部分を配置すればよい。

尚、遮光膜には、上述した３層部分及び２層部分の他に、第２層及び第３層の一方しか形成されない１層部分が存在してもよいが、遮光膜における段差を低減する観点からすれば、１層部分はできるだけ少ない方が望ましい。

以上説明したように、本発明の電気光学装置によれば、段差及びクラックの発生を防止しつつ、好適に遮光性能を高めることが可能である。

本発明の電気光学装置の一態様では、前記第２層及び前記第３層は、前記第１層と比べて熱による反応を起こし難い材料からなる。

この態様によれば、熱による反応を起こし易い第１層は、熱による反応を起こし難い第２層及び第３層に、夫々上層側及び下層側から覆われるように形成される。尚、ここでの「熱による反応」とは、遮光膜を形成する際に施される熱処理を想定したものであり、具体的な温度等の条件は、どのような熱処理を行うかによって適宜設定される事項である。

上述した遮光膜によれば、熱による反応を起こし易い第１層が、熱による反応を起こし難い第２層及び第３層によって保護された構成となるため、例えば遮光膜を形成した後工程の熱処理において、熱反応を起こした第１層が、他の部位に悪影響を及ぼしてしまうことを防止できる。

本発明の電気光学装置の他の態様では、前記第１層は、前記基板を平面的に見て、前記スイッチング素子のドレイン部に重なるように設けられている。

この態様によれば、スイッチング素子の各部位の中でも比較的光リーク電流の発生し易いドレイン部は、遮光膜の３層部分によって遮光される。即ち、ドレイン部は、遮光膜における遮光性能の高い部分で遮光される。従って、光リーク電流の発生を効率的に抑制することが可能である。

本発明の電気光学装置の他の態様では、前記第１層は、前記基板を平面的に見て、前記スイッチング素子のチャネル部に重なるように設けられている。

この態様によれば、スイッチング素子の各部位の中でも比較的光リーク電流の発生し易いチャネル部は、遮光膜の３層部分によって遮光される。即ち、チャネル部は、遮光膜における遮光性能の高い部分で遮光される。従って、光リーク電流の発生を効率的に抑制することが可能である。

本発明の電気光学装置の他の態様では、前記第１層は、前記基板を平面的に見て、前記スイッチング素子の半導体層に重なるように設けられている。

この態様によれば、光リーク電流の発生源となる半導体層は、遮光膜の３層部分によって遮光される。即ち、半導体層は、遮光膜における遮光性能の高い部分で遮光される。従って、光リーク電流の発生を効率的に抑制することが可能である。

本発明の電気光学装置の他の態様では、前記第１層は、前記基板を平面的に見て、前記スイッチング素子に走査信号を供給する走査線に重なるように設けられている。

この態様によれば、スイッチング素子のゲート電極に接続される走査線の遮光性能を高めることができるため、より確実に光リーク電流の発生を抑制することができる。

また、遮光膜が走査線としても機能するように構成されている場合は、走査線の抵抗が低くなるという効果も得られる。即ち、積層が多い分２層部分よりも抵抗が低い３層部分を走査線とすることで、低抵抗の走査線を実現できる。

本発明の電気光学装置の他の態様では、前記第１層は、前記基板を平面的に見て、前記スイッチング素子に走査信号を供給する走査線、及び前記スイッチング素子のチャネル部に対向するように設けられたゲート電極を互いに電気的に接続するコンタクトホールに重なるように設けられている。

この態様によれば、走査線とゲート電極とを互いに電気的に接続するコンタクトホールの遮光性が高められる。ここで、このコンタクトホールは、構造上半導体層から比較的近い位置に設けられることになる。よって、光リーク電流の発生源となる半導体層の遮光性能が少なからず高められる。従って、光リーク電流の発生を効率的に抑制することが可能である。

本発明の電気光学装置の他の態様では、前記第１層は、前記基板を平面的に見て、前記スイッチング素子に走査信号を供給する走査線、及び前記スイッチング素子のチャネル部に対向するように設けられたゲート電極を互いに電気的に接続するコンタクトホールに重ならないように設けられている。

この態様によれば、走査線とゲート電極とを互いに電気的に接続するコンタクトホールに重なる部分の遮光膜は２層部分とされる。ここで特に、上述したコンタクトホールと重なる部分は、例えば後工程の薬液洗浄による第１層の腐食・浸食や第１層とゲート電極との化学反応による不具合が発生しやすい箇所である。しかしながら、上述したように、コンタクトホールと重なる部分の遮光膜を２層部分とすれば、上述の不具合を解消することが可能である。

本発明の電気光学装置の他の態様では、前記第１層は、前記基板を平面的に見て、前記スイッチング素子が設けられる画素領域の周辺に位置する周辺領域に設けられた周辺回路に重ならないように設けられている。

この態様によれば、画素領域の周辺に位置する周辺領域に設けられた、例えば走査線駆動回路やデータ線駆動回路等の周辺回路は、重なる遮光膜が２層部分とされる。ここで周辺回路は、画素領域とは異なり、遮光性能よりもクラックを発生させないことが求められる部分である。従って、３層部分よりもクラックの発生し難い２層部分を配置することにで、より適切な構成を実現することが可能である。

本発明の電気光学装置の他の態様では、前記第１層は、第４層、前記第４層の上層に設けられた第５層、及び前記第５層の上層に設けられた第６層を有し、前記第５層は、前記第４層及び前記第６層と比べて熱による反応を起こし難い材料を含んでいる。

この態様によれば、第１層は、下層側から順に、第４層、第５層、第６層が積層されることで構成される。即ち、遮光膜全体は、下層側から順に、第２層、第４層、第５層、第６層、第３層の計５層が積層されることで構成される。このような５層構造によれば、後工程の熱処理において各層を適度に反応させることができ、熱処理後の遮光膜の構成をより適切な状態へとすることが可能である。

本発明の電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置（但し、その各種態様も含む）を備える。

本発明の電子機器によれば、上述した本発明に係る電気光学装置を具備してなるので、信頼性が高く、高品質な表示を行うことが可能な、投射型表示装置、テレビ、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサー、ビューファインダー型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダー、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。また、本発明の電子機器として、例えば電子ペーパーなどの電気泳動装置等も実現することも可能である。

本発明の電気光学装置の製造方法は上記課題を解決するために、電気光学物質を挟持した一対の基板と、前記一対の基板のうち一方の基板に設けられたスイッチング素子と、前記一方の基板の少なくとも前記スイッチング素子に対向する位置に設けられており、第１層、並びに前記第１層と比べて熱による反応を起こし難い第２層及び第３層を有する遮光膜とを備える電気光学装置の製造方法であって、前記第２層を形成する第２層形成工程と、前記第２層の上層に、前記第１層を形成する第１層形成工程と、前記第２層が残るように、前記第１層をパターニングする第１層パターニング工程と、前記第１層を覆うように、前記第２層と重なる領域に前記第３層を形成する第３層形成工程と、前記遮光膜に熱処理を施す熱処理工程とを備える。

本発明の電気光学装置の製造方法によれば、スイッチング素子に対向する位置に設けられた遮光膜を形成する際に、先ず熱による反応を起こし難い第２層が形成され、その第２層の上層に、熱による反応を起こし易い第１層が形成される。そして、第１層及び第２層が形成されると、第１層がエッチング等によってパターニングされる。この際、特に下層側の第２層は残るようにパターニングされるため、第１層は、第２層より狭い範囲に形成されることになる。尚、ここでの「残るように」とは、第１層が全くパターニングされないことを意味するものではなく、第１層は無くならない程度に削られてもよい。

第１層がパターニングされると、その第１層を覆うように、熱反応を起こし難い第３層が形成される。第３層は、第２層と重なる領域に形成される。これにより、熱反応を起こし易い第１層は、熱反応を起こし難い第２層及び第３層に保護されるような構成とされる。尚、第２層及び第３層は、例えば互いに同じ領域に形成される。

ここで仮に、上述した第１層のパターニングの際に、第２層が残らないようにパターニングされたとすると、遮光膜による段差が大きくなってしまう。即ち、第２層が無くなってしまった分だけ遮光膜における切り立った端面が大きくなり、より急な段差が生じてしまう。本発明では、このようにパターニングで生じてしまう段差を低減することができる。また、エッチングにより第２層が完全に無くなってしまう場合を考えると、第３層のみで遮光性能を確保することが求められ、同程度の遮光性能を得る為には第３層を厚くせざるを得ない。そうすると、３層の積層構造がより厚くなり、ストレス起因の不具合であるクラックが発生し易くなる。しかし、本発明では、第２層を出来るだけ残す事により、第３層との積層遮光膜を実現させ、第３層を厚くする必要が無くなる。よって、第２層を無駄にエッチングしてしまうことがなく、更に第３層を厚くする必要も無くなり、環境にも配慮した製造方法であるといえる。

上述した第１層、第２層及び第３層から構成される遮光膜には、熱処理が施され、各層が互いに反応し合うことで合金化し遮光膜として完成される。

以上説明したように、本発明の電気光学装置の製造方法によれば、上述した本発明の電気光学装置を製造することが可能である。よって、段差及びクラックの発生を防止しつつ、好適に遮光性能を高めることが可能である。

尚、本発明の電気光学装置の製造方法においても、上述した本発明の電気光学装置における各種態様と同様の各種態様を採ることが可能である。

本発明の電気光学装置の一態様では、前記第１層、前記第２層及び前記第３層が全て形成された後に遮光膜をパターニングする遮光膜パターニング工程を備え、前記熱処理工程は、前記遮光膜パターニング工程より前に行われる。

この態様によれば、第１層、第２層及び第３層が全て形成されると、遮光膜パターニング工程において、遮光膜全体がパターニングされる。ここで特に、熱処理工程は、遮光膜パターニング工程より前に行われる。即ち、第１層、第２層及び第３層が全て形成されると、先ず熱処理工程が行われ、その後に遮光膜パターニング工程が行われる。

仮に、熱処理工程が遮光膜パターニング工程より後に行われるとすると、遮光膜の端面に熱処理未反応の部分が残るおそれがあり、未反応部分が後工程の熱処理、薬液腐食によって、本来の遮光及び電気的接続性能を維持出来なくなり、装置の信頼性を低下させてしまう原因となる。一方で、本態様のように、熱処理工程が遮光膜パターニング工程より前に行われれば、上述したような未反応部分を無くす或いは無視できる程度に小さくすることができる。従って、信頼性の高い装置を製造することが可能である。

本発明の電気光学装置の製造方法の他の態様では、前記遮光膜の上層に層間絶縁膜を形成する層間絶縁膜形成工程と、前記層間絶縁膜における前記第１層と平面的に重なる部分に、前記遮光膜が露出するようにコンタクトホールを形成するコンタクトホール形成工程と、前記コンタクトホール内に導電膜を形成する導電膜形成工程とを備える。

この態様によれば、遮光膜の上層には層間絶縁膜及び導電膜が順に形成され、遮光膜及び導電膜は、層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールによって互いに電気的に接続される。コンタクトホールは、平面的に見て、遮光膜の第１層に重なる位置に形成されている。即ち、コンタクトホールは、遮光膜の３層部分と重なる位置に設けられる。

本態様では、遮光膜の中でも比較的厚みのある３層部分に対応するようにコンタクトホールが設けられるため、例えばコンタクトホールを形成する際のオーバーエッチ等が起こりにくい。また、第１層は熱処理工程において反応し易いため、コンタクトホールは、遮光膜における十分に反応した部分に接続されることとなる。

本発明の作用及び他の利得は次に説明する発明を実施するための形態から明らかにされる。

第１実施形態に係る電気光学装置の全体構成を示す平面図である。 図１のＨ−Ｈ´線断面図である。 第１実施形態に係る電気光学装置の画像表示領域を構成する複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図である。 第１実施形態に係る電気光学装置における相隣接する複数の画素部を示す平面図である。 図４のＡ−Ａ’線断面図である。 第１実施形態に係る電気光学装置における走査線の積層構造を示す断面図である。 比較例に係る電気光学装置における走査線の積層構造を示す断面図である。 第１実施形態に係る電気光学装置の製造工程を、順を追って示す工程断面図（その１）である。 第１実施形態に係る電気光学装置の製造工程を、順を追って示す工程断面図（その２）である。 第１実施形態に係る電気光学装置の製造工程を、順を追って示す工程断面図（その３）である。 比較例に係る電気光学装置の製造工程を、順を追って示す工程断面図（その１）である。 比較例に係る電気光学装置の製造工程を、順を追って示す工程断面図（その２）である。 第１実施形態に係る電気光学装置の製造工程を、順を追って示す工程断面図（その４）である。 第１実施形態に係る電気光学装置の製造工程を、順を追って示す工程断面図（その５）である。 第１実施形態に係る電気光学装置の製造工程を、順を追って示す工程断面図（その６）である。 比較例に係る電気光学装置の製造工程を、順を追って示す工程断面図（その３）である。 比較例に係る電気光学装置の製造工程を、順を追って示す工程断面図（その４）である。 第１実施形態に係る電気光学装置の製造工程を、順を追って示す工程断面図（その７）である。 第１実施形態に係る電気光学装置の製造工程を、順を追って示す工程断面図（その８）である。 第２実施形態に係る電気光学装置における相隣接する複数の画素部を示す平面図である。 第３実施形態に係る電気光学装置における相隣接する複数の画素部を示す平面図である。 第４実施形態に係る電気光学装置における走査線の積層構造を示す断面図である。 第４実施形態に係る電気光学装置における走査線の熱処理工程時の反応を概念的に示す断面図である。 電気光学装置を適用した電子機器の一例たるプロジェクターの構成を示す平面図である。

以下では、本発明の実施形態について図を参照しつつ説明する。

＜電気光学装置＞
本実施形態に係る電気光学装置について、図１から図２３を参照して説明する。尚、以下の実施形態では、本発明の電気光学装置の一例として駆動回路内蔵型アクティブマトリクス駆動方式の液晶装置を挙げて説明する。

＜第１実施形態＞
先ず、第１実施形態に係る電気光学装置の全体構成について、図１及び図２を参照して説明する。ここに図１は、本実施形態に係る電気光学装置の全体構成を示す平面図であり、図２は、図１のＨ−Ｈ´線断面図である。

図１及び図２において、本実施形態に係る電気光学装置では、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０は、例えば石英基板、ガラス基板等の透明基板や、シリコン基板等である。対向基板２０は、例えば石英基板、ガラス基板等の透明基板である。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間には、本発明の「電気光学物質」の一例である液晶層５０が封入されている。液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、一対の配向膜間で所定の配向状態をとる。

ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、複数の画素電極が設けられた画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により、相互に接着されている。

シール材５２は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０上に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたものである。シール材５２中には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間隔（即ち、基板間ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバー或いはガラスビーズ等のギャップ材が散布されている。尚、ギャップ材を、シール材５２に混入されるものに加えて若しくは代えて、画像表示領域１０ａ又は画像表示領域１０ａの周辺に位置する周辺領域に、配置するようにしてもよい。

シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。尚、このような額縁遮光膜５３の一部又は全部は、ＴＦＴアレイ基板１０側に内蔵遮光膜として設けられてもよい。

周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する領域には、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。走査線駆動回路１０４は、この一辺に隣接する２辺に沿い、且つ、額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。更に、このように画像表示領域１０ａの両側に設けられた二つの走査線駆動回路１０４間をつなぐため、ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺に沿い、且つ、額縁遮光膜５３に覆われるようにして複数の配線１０５が設けられている。

ＴＦＴアレイ基板１０上における対向基板２０の４つのコーナー部に対向する領域には、両基板間を上下導通材で接続するための上下導通端子１０６が配置されている。これらにより、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通をとることができる。

図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、駆動素子である画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等の配線が作り込まれた積層構造が形成される。この積層構造の詳細な構成については図２では図示を省略してあるが、この積層構造の上に、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明材料からなる画素電極９ａが、画素毎に所定のパターンで島状に形成されている。

画素電極９ａは、対向電極２１に対向するように、ＴＦＴアレイ基板１０上の画像表示領域１０ａに形成されている。ＴＦＴアレイ基板１０における液晶層５０の面する側の表面、即ち画素電極９ａ上には、配向膜１６が画素電極９ａを覆うように形成されている。

対向基板２０におけるＴＦＴアレイ基板１０との対向面上には、遮光膜２３が形成されている。遮光膜２３は、例えば対向基板２０における対向面上に平面的に見て、格子状に形成されている。対向基板２０において、遮光膜２３によって非開口領域が規定され、遮光膜２３によって区切られた領域が、例えばプロジェクター用のランプや直視用のバックライトから出射された光を透過させる開口領域となる。尚、遮光膜２３をストライプ状に形成し、該遮光膜２３と、ＴＦＴアレイ基板１０側に設けられたデータ線等の各種構成要素とによって、非開口領域を規定するようにしてもよい。

遮光膜２３上には、ＩＴＯ等の透明材料からなる対向電極２１が複数の画素電極９ａと対向するように形成されている。また遮光膜２３上には、画像表示領域１０ａにおいてカラー表示を行うために、開口領域及び非開口領域の一部を含む領域に、図２には図示しないカラーフィルターが形成されるようにしてもよい。対向基板２０の対向面上における、対向電極２１上には、配向膜２２が形成されている。

尚、図１及び図２に示したＴＦＴアレイ基板１０上には、上述したデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４等の駆動回路に加えて、画像信号線上の画像信号をサンプリングしてデータ線に供給するサンプリング回路、複数のデータ線に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該電気光学装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。

次に、本実施形態に係る電気光学装置の画素部の電気的な構成について、図３を参照して説明する。ここに図３は、本実施形態に係る電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図である。

図３において、画像表示領域１０ａを構成するマトリクス状に形成された複数の画素の各々には、画素電極９ａ及びＴＦＴ３０が形成されている。ＴＦＴ３０は、画素電極９ａに電気的に接続されており、本実施形態に係る電気光学装置の動作時に画素電極９ａをスイッチング制御する。画像信号が供給されるデータ線６ａは、ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、・・・、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。

ＴＦＴ３０のゲートには、走査線１１が電気的に接続されており、本実施形態に係る電気光学装置は、所定のタイミングで、走査線１１にパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、・・・、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、・・・、Ｓｎが所定のタイミングで書き込まれる。画素電極９ａを介して電気光学物質の一例としての液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、・・・、Ｓｎは、対向基板に形成された対向電極との間で一定期間保持される。

液晶層５０（図２参照）を構成する液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。例えば、ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として電気光学装置からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射される。

ここで保持された画像信号がリークすることを防ぐために、画素電極９ａと対向電極２１（図２参照）との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０が付加されている。蓄積容量７０は、画像信号の供給に応じて各画素電極９ａの電位を一時的に保持する保持容量として機能する容量素子である。蓄積容量７０の一方の電極は、画素電極９ａと並列してＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続され、他方の電極は、定電位となるように、電位固定の容量線３００に電気的に接続されている。蓄積容量７０によれば、画素電極９ａにおける電位保持特性が向上し、コントラスト向上やフリッカーの低減といった表示特性の向上が可能となる。

次に、上述の動作を実現する画素部の具体的な構成について、図４及び図５を参照して説明する。ここに図４は、第１実施形態に係る電気光学装置における相隣接する複数の画素部を示す平面図であり、図５は、図４のＡ−Ａ’線断面図である。尚、図４及び図５では、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。また図４では、説明名の便宜上、図５に示す各層のうち、ＴＦＴ３０より上層側の層を省略して図示している。

図４において、走査線１１及びデータ線６ａは、ＴＦＴアレイ基板１０上で互いに交差するように設けられている。より具体的には、走査線１１はＸ方向に沿って延びており、データ線６ａはＹ方向に沿って延びている。また、走査線１１及びデータ線６ａが互いに交差する箇所の各々には画素スイッチング用のＴＦＴ３０が設けられている。

走査線１１及びデータ線６ａ、並びにＴＦＴ３０は、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、画素電極９ａに対応する各画素の開口領域（即ち、各画素において、表示に実際に寄与する光が透過又は反射される領域）を囲む非開口領域内に配置されている。

図４及び図５において、本発明の「スイッチング素子」の一例であるＴＦＴ３０は、半導体層１ａ及びゲート電極３ｂを含んで構成されている。

半導体層１ａは、例えばポリシリコンからなり、Ｙ方向に沿ったチャネル長を有するチャネル領域１ａ’、データ線側ＬＤＤ領域１ｂ及び画素電極側ＬＤＤ領域１ｃ並びにデータ線側ソースドレイン領域１ｄ及び画素電極側ソースドレイン領域１ｅからなる。即ち、ＴＦＴ３０はＬＤＤ構造を有している。尚、ここでのチャネル領域１ａ’は、本発明の「チャネル部」の一例であり、画素電極側ソースドレイン領域１ｅは、本発明の「ドレイン部」の一例である。

データ線側ソースドレイン領域１ｄ及び画素電極側ソースドレイン領域１ｅは、チャネル領域１ａ’を基準として、Ｙ方向に沿ってほぼミラー対称に形成されている。データ線側ＬＤＤ領域１ｂは、チャネル領域１ａ’及びデータ線側ソースドレイン領域１ｄ間に形成されている。画素電極側ＬＤＤ領域１ｃは、チャネル領域１ａ’及び画素電極側ソースドレイン領域１ｅ間に形成されている。データ線側ＬＤＤ領域１ｂ、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃ、データ線側ソースドレイン領域１ｄ及び画素電極側ソースドレイン領域１ｅは、例えばイオンインプランテーション法等の不純物打ち込みによって半導体層１ａに不純物を打ち込んでなる不純物領域である。データ線側ＬＤＤ領域１ｂ及び画素電極側ＬＤＤ領域１ｃはそれぞれ、データ線側ソースドレイン領域１ｄ及び画素電極側ソースドレイン領域１ｅよりも不純物の少ない低濃度な不純物領域として形成されている。このような不純物領域によれば、ＴＦＴ３０の非動作時において、ソース領域及びドレイン領域間に流れるオフ電流を低減し、且つＴＦＴ３０の動作時に流れるオン電流の低下を抑制できる。尚、ＴＦＴ３０は、ＬＤＤ構造を有することが好ましいが、データ線側ＬＤＤ領域１ｂ、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃに不純物打ち込みを行わないオフセット構造であってもよいし、ゲート電極をマスクとして不純物を高濃度に打ち込んでデータ線側ソースドレイン領域及び画素電極側ソースドレイン領域を形成する自己整合型であってもよい。

図４及び図５において、ゲート電極３ｂは、例えば導電性ポリシリコンから形成されている。ゲート電極３ｂは、コンタクトホール３４ａ及び３４ｂによって走査線１１と電気的に接続されており、半導体層１ａにおけるチャネル領域１ａ’と重なるように配置されている。ゲート電極３ｂ及び半導体層１ａ間は、ゲート絶縁膜２ａによって絶縁されている。

図４及び図５において、ＴＦＴアレイ基板１０上のＴＦＴ３０よりも下地絶縁膜１２を介して下層側には、走査線１１が設けられている。走査線１１は、例えば、Ｔｉ（チタン）等の高融点金属を積層して構成されている。走査線１１は、本発明の「遮光膜」の一例であり、ＴＦＴアレイ基板１０における裏面反射や、複板式のプロジェクター等で他の液晶装置から発せられ合成光学系を突き抜けてくる光などの、ＴＦＴアレイ基板１０側から装置内に入射する戻り光からＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ’及びその周辺を遮光する。

本発明の走査線１１は特に、積層構造の中間に位置する第１層１１ｂが存在する領域と、存在しない領域とを有している。走査線１１の具体的な積層構造については、後に詳述する。

図５において、下地絶縁膜１２は、走査線１１からＴＦＴ３０を層間絶縁する機能の他、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に形成されることにより、ＴＦＴアレイ基板１０の表面の研磨時における荒れや、洗浄後に残る汚れ等で画素スイッチング用ＴＦＴ３０の特性の劣化を防止する機能を有する。

図５において、ＴＦＴアレイ基板１０上のＴＦＴ３０よりも第１層間絶縁膜４１を介して上層側には、蓄積容量７０が設けられている。蓄積容量７０は、下部容量電極７１と上部容量電極３００が誘電体膜７５を介して対向配置されることにより形成されている。

上部容量電極３００は、定電位源と電気的に接続され、固定電位に維持された固定電位側容量電極である。上部容量電極３００は、例えばＡｌ（アルミニウム）、Ａｇ（銀）等の金属又は合金を含んだ非透明な金属膜から形成されており、ＴＦＴ３０を遮光する上側遮光膜（内蔵遮光膜）としても機能する。尚、上部容量電極３００は、例えば、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｐｄ等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等から構成されていてもよい。この場合には、上部容量電極３００の内臓遮光膜としての機能を高めることができる。

下部容量電極７１は、例えば導電性のポリシリコンから形成されており、ＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域１ｅ及び画素電極９ａに電気的に接続された画素電位側容量電極として機能する。より具体的には、下部容量電極７１は、コンタクトホール８３を介して画素電極側ソースドレイン領域１ｅと電気的に接続されると共に、コンタクトホール８４を介して中継層９３に電気的に接続されている。更に、中継層９３は、コンタクトホール８５を介して画素電極９ａに電気的に接続されている。即ち、下部容量電極７１は、中継層９３と共に画素電極側ソースドレイン領域１ｅ及び画素電極９ａ間の電気的な接続を中継する。尚、下部容量電極７１は、画素電位側容量電極としての機能の他、上側遮光膜としての上部容量電極３００とＴＦＴ３０との間に配置される、光吸収層或いは遮光膜としての機能も有する。

誘電体膜７５は、例えばＨＴＯ（High Temperature Oxide）膜、ＬＴＯ（Low Temperature Oxide）膜等の酸化シリコン（ＳｉＯ２）膜、或いは窒化シリコン（ＳｉＮ）膜等から構成された単層構造、或いは多層構造を有している。

図５において、ＴＦＴアレイ基板１０上の蓄積容量７０よりも第２層間絶縁膜４２を介して上層側には、データ線６ａ及び中継層９３が設けられている。

データ線６ａは、半導体層１ａのデータ線側ソースドレイン領域１ｄに、第１層間絶縁膜４１及び第２層間絶縁膜４２を貫通するコンタクトホール８１を介して電気的に接続されている。データ線６ａ及びコンタクトホール８１内部は、例えば、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ、Ａｌ−Ｃｕ等のＡｌ（アルミニウム）含有材料、又はＡｌ単体、若しくはＡｌ層とＴｉＮ層等との多層膜からなる。データ線６ａは、ＴＦＴ３０を遮光する機能も有している。

中継層９３は、第２層間絶縁膜４２上においてデータ線６ａと同層に形成されている。データ線６ａ及び中継層９３は、例えば金属膜等の導電材料で構成される薄膜を第２層間絶縁膜４２上に薄膜形成法を用いて形成しておき、当該薄膜を部分的に除去、即ちパターニングすることによって相互に離間させた状態で形成される。従って、データ線６ａ及び中継層９３を同一工程で形成できるため、装置の製造プロセスを簡便にできる。

図５において、画素電極９ａは、データ線６ａよりも第３層間絶縁膜４３を介して上層側に形成されている。画素電極９ａは、下部容量電極７１、コンタクトホール８３、８４及び８５並びに中継層９３を介して半導体層１ａの画素電極側ソースドレイン領域１ｅに電気的に接続されている。コンタクトホール８５は、層間絶縁層４３を貫通するように形成された孔部の内壁にＩＴＯ等の画素電極９ａを構成する導電材料が成膜されることによって形成されている。尚、ここでの図示は省略しているが、画素電極９ａの上側表面には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜が設けられている。

以上に説明した画素部の構成は、図４に示すように、各画素部に共通である。画像表示領域１０ａ（図１参照）には、かかる画素部が周期的に形成されている。

次に、本実施形態に係る電気光学装置における走査線の具体的な構成について、図４に加えて図６及び図７を参照して説明する。ここに図６は、第１実施形態に係る電気光学装置における走査線の積層構造を示す断面図であり、図７は、比較例に係る電気光学装置における走査線の積層構造を示す断面図である。

図６において、本実施形態に係る電気光学装置の走査線１１は、第１層１１ｂと、第１層１１ｂを下層側から覆う第２層１１ａ及び第１層を上層側から覆う第３層１１ｃとを備えて構成されている。本実施形態に係る走査線１１は、３つの層を備えているため、単層で構成される場合と比べて遮光性能が高い。

第１層１１ｂは、例えばチタン等の金属を含んで構成されており、図４に示すように、半導体層１ａにおける画素電極側ソースドレイン領域１ｅ及びチャネル領域１ａ’、並びに走査線１１とゲート電極３ｂとを電気的に接続するコンタクトホール３４ａ及び３４ｂと重なるように配置されている。

第２層１１ａ及び第３層１１ｃは、例えばタングステンシリサイド等を含んで構成されており、図４に示すように、第１層１１ｂの配置される箇所に加えて、半導体層１ａにおけるデータ線側ソースドレイン領域１ｄや、走査線１１として機能する各ＴＦＴ３０間を結ぶ位置にも設けられている。尚、本実施形態に係る第２層１１ａ及び第３層１１ｃは、互いに同じ領域に形成されている。

上述したように、本実施形態に係る走査線１１は、第１層１１ｂが、第２層１１ａ及び第３層１１ｃと比べて狭い範囲に設けられている。これにより、走査線１１は、第１層１１ｂ、第２層１１ａ及び第３層１１ｃが重なる３層部分と、第２層１１ａ及び第３層１１ｃが重なる２層部分とを有する構成とされている。また、第１層１１ｂの端面は、図６に示すように、第３層１１ｃに覆われるような構成となる。

図７に示す比較例のように、同じ大きさの第１層１１ｂ、第２層１１ａ及び第３層１１ｃを積層した走査線１１では、第１層１１ｂの端面が露出されるような構成となる。ここで特に、第１層１１ｂは、第２層１１ａ及び第３層１１ｃと比べると熱による反応を起こし易い材料を含んで構成されるため、熱処理等において端面が酸化等の予期しない反応を起こしてしまうおそれがある。

これに対し、本実施形態に係る走査線１１は、上述したように、第１層１１ｂの端面が第３層１１ｃに覆われるような構成となっているため、熱処理等における予期しない反応を防止することができる。即ち、第１層１１ｂは、第２層１１ａ及び第３層１１ｃによって保護されるような構成とされている。

本実施形態に係る走査線１１は更に、比較的高い遮光性能が求められる画素電極側ソースドレイン領域１ｅ及びチャネル領域１ａ’、並びに走査線１１とゲート電極３ｂとを電気的に接続するコンタクトホール３４ａ及び３４ｂに重なる部分には、遮光性能の高い３層部分（即ち、第１層１１ｂが存在する部分）が配置される。一方で、高い遮光性能が求められない他の部分には、２層部分（即ち、第１層１１ｂが存在しない）部分が配置される。この２層部分は、３層部分と比べて遮光性能は劣るものの、ストレスによるクラックに対しては３層部分よりも強い。よって、上述したように３層部分及び２層部分を配置すれば、クラックを防止しつつ、好適に遮光性能を高めることができる。

次に、上述した電気光学装置の製造方法について、図８から図１９を参照して説明する。ここに図８から図１０、図１３から図１５、並びに１８及び図１９は夫々、第１実施形態に係る電気光学装置の製造工程を、順を追って示す工程断面図である。また図１１及び図１２、並びに図１６及び図１７は夫々、比較例に係る電気光学装置の製造工程を、順を追って示す工程断面図である。尚、以下では、本実施形態に特徴的な走査線部分の製造工程について詳細に説明し、その他の製造工程は適宜省略する。

図８において、本実施形態に係る電気光学装置の製造工程では、走査線１１を形成する際に、先ず第２層１１ａが成膜され、その上層に第１層１１ｂが成膜される。

図９において、第２層１１ａ及び第１層１１ｂが成膜されると、第１層１１ｂの残したい部分にレジスト５１０が配置され、第１層１１ｂのレジスト５１０から露出した部分がエッチングによってパターニングされる。この際、第１層１１ｂの下層の第２層１１ａは残るようにエッチングされる。

図１０において、エッチングが終了すると、第２層１１ａの上層にパターニングされた第１層１１ａが積層された構造となる。この上から、第３層１１ｃを成膜すれば、図６に示すような３層構造の走査線１１ｂができる。

図１１において、仮に図９で示したエッチングの際に、第２層１１ａが残らないような構成としてしまうと、図１２に示すように、第３層１１ｃで第１層１１ｂの端面を覆うことはできるものの、図６で示す場合と比べて大きな段差が生じてしまう。即ち、第２層１１ａが無くなってしまった分だけ新たな段差が生じてしまう。本実施形態に係る製造方法では、このようにパターニングで生じてしまう段差を低減することができる。また、第２層１１ａを無駄にエッチングしてしまうことがないため、環境にも配慮した製造方法であるといえる。

図１３において、第１層１１ｂ、第２層１１ａ及び第３層１１ｃが積層されると、走査線１１には、例えば６００度の熱を加える熱処理が施される。これにより、熱による反応を起こし易い第１層１１ｂが、周囲の第２層１１ａ及び第３層１１ｃと反応して合金化する（図の網掛け部分参照）。

図１４及び図１５において、熱処理工程が終了すると、走査線の上にレジスト５２０が設けられ、レジスト５２０から露出された部分がエッチング等によってパターニングされる。これにより、走査線１１は図４に示すような平面形状とされる。このような走査線１１全体のパターニングは熱処理工程の前に行うことも可能であるが、熱処理工程が行われた後にすることが望ましい。

図１６のように、走査線１１全体のパターニングによって第１層１１ｂの端面が一部露出してしまうような場合は、パターニング後に熱処理を施すと、図１７に示すように、熱処理による反応を起こさない端面が露出してしまうおそれがある。即ち、合金化されていない第１層１１ｂが露出してしまうおそれがある。

これに対し、本実施形態に係る製造方法では、上述したように、熱処理工程が行われた後に走査線１１全体のパターニングが行われるため、仮に図１６に示したように第１層１１ｂの端面が露出してしまう場合であっても、露出される端面は合金化されている。従って、熱処理工程において露出した端面が予期しない反応を起こしてしまうことを防止することができる。

図１８において、走査線１１が完成すると、走査線１１の上層には下地絶縁膜１２が形成される。そして図１９に示すように、下地絶縁膜１２にはコンタクトホール３４が設けられる。下地絶縁膜１２には、図示しない半導体層１ａやゲート絶縁膜２ａ（図５参照）が形成された後、ゲート電極３ｂが形成される。ゲート電極３ｂはコンタクトホール３４を介して走査線１１と電気的に接続される。

以上説明したように、本実施形態に係る電気光学装置及び該電気光学装置の製造方法によれば、段差及びクラックの発生等の様々な不都合を抑制しつつ、好適に遮光性能を高めることが可能である。

＜第２実施形態＞
次に、第２実施形態に係る電気光学装置について、図２０を参照して説明する。ここに図２０は、第２実施形態に係る電気光学装置における相隣接する複数の画素部を示す平面図である。尚、第２実施形態は、上述の第１実施形態と比べて、走査線の一部の構成が異なり、その他の構成については概ね同様である。このため第２実施形態では、第１実施形態と異なる部分について詳細に説明し、その他の重複する部分については適宜説明を省略する。

図２０において、第２実施形態に係る電気光学装置では、上述した第１実施形態（図４参照）と比べて、走査線１１における第１層１１ｂが存在する部分が、半導体層１ａにおけるデータ線側ソースドレイン領域１ｄ及び各ＴＦＴ３０間の走査線として機能する部分にまで広げられている。

第２実施形態に係る走査線１１によれば、光リーク電流の発生源となる半導体層１ａ全体が、走査線１１の３層部分によって遮光される。即ち、半導体層１ａは、走査線１１における遮光性能の高い部分で遮光される。従って、光リーク電流の発生を効率的に抑制することが可能である。

加えて第２実施形態に係る走査線１１によれば、各ＴＦＴ３０間を結ぶ部分が３層部分とされているため、走査線１１の抵抗が低くなるという効果も得られる。即ち、積層が多い分２層部分よりも抵抗が低い３層部分を利用することで、低抵抗の走査線１１を実現できる。

以上説明したように、第２実施形態に係る電気光学装置によれば、上述した第１実施形態と比べて、より高い遮光性能を得られると共に、走査線１１の低抵抗化が実現可能である。

＜第３実施形態＞
次に、第３実施形態に係る電気光学装置について、図２１を参照して説明する。ここに図２０は、第３実施形態に係る電気光学装置における相隣接する複数の画素部を示す平面図である。尚、第３実施形態は、上述の第２実施形態と比べて、走査線の一部の構成が異なり、その他の構成については概ね同様である。このため第３実施形態では、第２実施形態と異なる部分について詳細に説明し、その他の重複する部分については適宜説明を省略する。

図２１において、第３実施形態に係る電気光学装置では、上述した第２実施形態（図２０参照）と比べて、走査線１１とゲート電極３ｂとを互いに接続するコンタクトホール３４ａ及び３４ｂと重なる位置には、第１層１１ｂが存在しないように構成されている。即ち、走査線１１におけるコンタクトホール３４ａ及び３４ｂにおける部分は、２層部分とされている。

本願発明者の研究によれば、上述したコンタクトホール３４ａ及び３４ｂと重なる部分は、例えば後工程の薬液洗浄や化学反応による不具合が発生しやすい箇所である。しかしながら、上述したように、コンタクトホール３４ａ及び３４ｂと重なる部分の走査線１１を２層部分とすれば、上述の不具合を解消することが可能である。

以上説明したように、第２実施形態に係る電気光学装置によれば、上述した第２実施形態に係る効果に加えて、製造工程における様々な不具合を解消できるという効果を得ることが可能である。

＜第４実施形態＞
次に、第４実施形態に係る電気光学装置について、図２２及び図２３を参照して説明する。ここに図２２は、第４実施形態に係る電気光学装置における走査線の積層構造を示す断面図であり、図２３は、第４実施形態に係る電気光学装置における走査線の熱処理工程時の反応を概念的に示す断面図である。尚、第４実施形態は、上述の第１から第３実施形態と比べて、走査線の積層構造が異なり、その他の構成については概ね同様である。このため第４実施形態では、第１から第３実施形態と異なる部分について詳細に説明し、その他の重複する部分については適宜説明を省略する。

図２２において、第４実施形態に係る電気光学装置では、走査線１１における第１層１１ｂが、第４層１１ｄ、第５層１１ｅ及び第６層１１ｆの３層を備えて構成されている。即ち、走査線１１は、下層側から順に、第２層１１ａ、第４層１１ｂ、第５層１１ｅ、第６層１１ｆ、第３層１１ｃの計５層が積層されることで構成される。

図２３において、上述した５層構造によれば、後工程の熱処理において各層を適度に反応させることができ、熱処理後の遮光膜の構成をより適切な状態へとすることが可能である。具体的には、第１層１１ｂの中心部分に未反応部分が残ってしまうことを防止することができる。

以上説明したように、第４実施形態に係る電気光学装置によれば、熱処理工程において、走査線１１の各層をより好適に反応させることが可能である。

＜電子機器＞
次に、上述した電気光学装置である液晶装置を各種の電子機器に適用する場合について説明する。ここに図２４は、プロジェクターの構成例を示す平面図である。以下では、この液晶装置をライトバルブとして用いたプロジェクターについて説明する。

図２４に示されるように、プロジェクター１１００内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット１１０２が設けられている。このランプユニット１１０２から射出された投射光は、ライトガイド１１０４内に配置された４枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロイックミラー１１０８によってＲＧＢの３原色に分離され、各原色に対応するライトバルブとしての液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇに入射される。

液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇの構成は、上述した液晶装置と同等であり、画像信号処理回路から供給されるＲ、Ｇ、Ｂの原色信号でそれぞれ駆動されるものである。そして、これらの液晶パネルによって変調された光は、ダイクロイックプリズム１１１２に３方向から入射される。このダイクロイックプリズム１１１２においては、Ｒ及びＢの光が９０度に屈折する一方、Ｇの光が直進する。従って、各色の画像が合成される結果、投射レンズ１１１４を介して、スクリーン等にカラー画像が投写されることとなる。

ここで、各液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇによる表示像について着目すると、液晶パネル１１１０Ｇによる表示像は、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂによる表示像に対して左右反転することが必要となる。

尚、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇには、ダイクロイックミラー１１０８によって、Ｒ、Ｇ、Ｂの各原色に対応する光が入射するので、カラーフィルターを設ける必要はない。

尚、図２４を参照して説明した電子機器の他にも、モバイル型のパーソナルコンピュータや、携帯電話、液晶テレビや、ビューファインダー型、モニタ直視型のビデオテープレコーダー、カーナビゲーション装置、ページャー、電子手帳、電卓、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等が挙げられる。そして、これらの各種電子機器に適用可能なのは言うまでもない。

また、本発明は上述の各実施形態で説明した液晶装置以外にも反射型液晶装置（ＬＣＯＳ）、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ）、電界放出型ディスプレイ（ＦＥＤ、ＳＥＤ）、有機ＥＬディスプレイ、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）、電気泳動装置等にも適用可能である。

本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、特許請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置、及び該電気光学装置を備えた電子機器、並びに電気光学装置の製造方法もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。

１ａ…半導体層、３ｂ…ゲート電極、６ａ…データ線、９ａ…画素電極、１０…ＴＦＴアレイ基板、１０ａ…画像表示領域、１１…走査線、１１ａ…第２層、１１ｂ…第１層、１１ｃ…第３層、１１ｄ…第４層、１１ｅ…第５層、１１ｆ…第６層、１２…下地絶縁膜、２０…対向基板、３０…ＴＦＴ、５０…液晶層、７０…蓄積容量、９３…中継層、５１０，５２０…レジスト

Claims (14)

1. 電気光学物質を挟持した一対の基板と、
   前記一対の基板のうち一方の基板に設けられたスイッチング素子と、
   前記一方の基板の少なくとも前記スイッチング素子に対向する位置に設けられた第１層、第２層及び第３層を有する遮光膜と
   を備え、
   前記第１層は、前記第２層の上層において前記第２層より狭い範囲に設けられ、
   前記第３層は、前記第１層を上層側から覆うように前記第２層と重なる領域に設けられている
   ことを特徴とする電気光学装置。
2. 前記第２層及び前記第３層は、前記第１層と比べて熱による反応を起こし難い材料からなることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
3. 前記第１層は、前記基板を平面的に見て、前記スイッチング素子のドレイン部に重なるように設けられていることを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
4. 前記第１層は、前記基板を平面的に見て、前記スイッチング素子のチャネル部に重なるように設けられていることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
5. 前記第１層は、前記基板を平面的に見て、前記スイッチング素子の半導体層に重なるように設けられていることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の電気光学装置。
6. 前記第１層は、前記基板を平面的に見て、前記スイッチング素子に走査信号を供給する走査線に重なるように設けられていることを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の電気光学装置。
7. 前記第１層は、前記基板を平面的に見て、前記スイッチング素子に走査信号を供給する走査線、及び前記スイッチング素子のチャネル部に対向するように設けられたゲート電極を互いに電気的に接続するコンタクトホールに重なるように設けられていることを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載の電気光学装置。
8. 前記第１層は、前記基板を平面的に見て、前記スイッチング素子に走査信号を供給する走査線、及び前記スイッチング素子のチャネル部に対向するように設けられたゲート電極を互いに電気的に接続するコンタクトホールに重ならないように設けられていることを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載の電気光学装置。
9. 前記第１層は、前記基板を平面的に見て、前記スイッチング素子が設けられる画素領域の周辺に位置する周辺領域に設けられた周辺回路に重ならないように設けられていることを特徴とする請求項１から８のいずれか一項に記載の電気光学装置。
10. 前記第１層は、第４層、前記第４層の上層に設けられた第５層、及び前記第５層の上層に設けられた第６層を有し、
    前記第５層は、前記第４層及び前記第６層と比べて熱による反応を起こし難い材料を含んでいる
    ことを特徴とする請求項１から９のいずれか一項に記載の電気光学装置。
11. 請求項１から１０のいずれか一項に記載の電気光学装置を具備してなることを特徴とする電子機器。
12. 電気光学物質を挟持した一対の基板と、前記一対の基板のうち一方の基板に設けられたスイッチング素子と、前記一方の基板の少なくとも前記スイッチング素子に対向する位置に設けられており、第１層、並びに前記第１層と比べて熱による反応を起こし難い第２層及び第３層を有する遮光膜とを備える電気光学装置の製造方法であって、
    前記第２層を形成する第２層形成工程と、
    前記第２層の上層に、前記第１層を形成する第１層形成工程と、
    前記第２層が残るように、前記第１層をパターニングする第１層パターニング工程と、
    前記第１層を覆うように、前記第２層と重なる領域に前記第３層を形成する第３層形成工程と、
    前記遮光膜に熱処理を施す熱処理工程と
    を備えることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
13. 前記第１層、前記第２層及び前記第３層が全て形成された後に遮光膜をパターニングする遮光膜パターニング工程を備え、
    前記熱処理工程は、前記遮光膜パターニング工程より前に行われる
    ことを特徴とする請求項１２に記載の電気光学装置の製造方法。
14. 前記遮光膜の上層に層間絶縁膜を形成する層間絶縁膜形成工程と、
    前記層間絶縁膜における前記第１層と平面的に重なる部分に、前記遮光膜が露出するようにコンタクトホールを形成するコンタクトホール形成工程と、
    前記コンタクトホール内に導電膜を形成する導電膜形成工程と
    を備えることを特徴とする請求項１２又は１３に記載の電気光学装置の製造方法。

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