JP2011114182A - レーザー光源装置、プロジェクター及びモニター装置 - Google Patents
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- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 49
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 26
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 24
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 89
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 12
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 8
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 7
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
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- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B7/00—Mountings, adjusting means, or light-tight connections, for optical elements
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- G03B21/20—Lamp housings
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- G03B21/2033—LED or laser light sources
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- G—PHYSICS
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- G03B—APPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
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- G03B21/14—Details
- G03B21/20—Lamp housings
- G03B21/2046—Positional adjustment of light sources
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- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4006—Injection locking
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
- H01S5/4031—Edge-emitting structures
- H01S5/4062—Edge-emitting structures with an external cavity or using internal filters, e.g. Talbot filters
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
- H01S3/106—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling devices placed within the cavity
- H01S3/108—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling devices placed within the cavity using non-linear optical devices, e.g. exhibiting Brillouin or Raman scattering
- H01S3/109—Frequency multiplication, e.g. harmonic generation
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0225—Out-coupling of light
- H01S5/02255—Out-coupling of light using beam deflecting elements
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
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- H01S5/0225—Out-coupling of light
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- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
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- H01S5/4093—Red, green and blue [RGB] generated directly by laser action or by a combination of laser action with nonlinear frequency conversion
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Abstract
【課題】発光素子同士を互いに対峙させる形態の共振器構造を有するレーザー光源において、高出力化を実現することが可能なレーザー光源装置、画像表示装置及びモニター装置を提供すること。
【解決手段】第1発光素子及び第2発光素子は、互いに一方の発光素子の発光部から射出された光が他方の発光素子の発光部に入射するように配置されたレーザー光源装置であって、レーザー光を射出する発光部を有する第1発光素子12と、レーザー光を射出する発光部を有する第2発光素子13と、第1発光素子12が設けられる平坦面22aと、一部が凸状に形成された曲面22c,22dと、を有する調整部材22と、曲面22c,22dに対応した凹部23aを有し該凹部23aに調整部材22が嵌合された保持部材23とを備えることを特徴とする。
【選択図】図1
【解決手段】第1発光素子及び第2発光素子は、互いに一方の発光素子の発光部から射出された光が他方の発光素子の発光部に入射するように配置されたレーザー光源装置であって、レーザー光を射出する発光部を有する第1発光素子12と、レーザー光を射出する発光部を有する第2発光素子13と、第1発光素子12が設けられる平坦面22aと、一部が凸状に形成された曲面22c,22dと、を有する調整部材22と、曲面22c,22dに対応した凹部23aを有し該凹部23aに調整部材22が嵌合された保持部材23とを備えることを特徴とする。
【選択図】図1
Description
本発明は、レーザー光源装置、プロジェクター及びモニター装置に関する。
従来から、プロジェクター等の光学装置用の照明光源として高圧水銀ランプが多用されてきたが、色再現性に制約がある、瞬時点灯が難しい、寿命が短い等の課題がある。そこで、この分野において、レーザー光源装置の開発が進められている。特に外部共振器構造を持つレーザー光源装置は、外部共振ミラーの使用により特定の波長の光が強められ、高出力が得られるものである。また、例えば赤外レーザー光などの基本波長の光を発振させた後、第2高調波発生素子(Second Harmonic Generator,以下、SHGと略記する)等の波長変換素子を用いて、赤外レーザー光を1/2の波長の可視光に変換する技術が用いられる。
レーザー発振器内ではレーザー光を何度も往復させ、誘導放出を連続的に起こしてレーザー光を増幅させることが必要であるが、光軸がわずかでもずれていると十分な往復ができず、レーザー発振ができない状態となってしまう。したがって、外部共振器型のレーザー光源装置において、エミッター(発光部)を含むレーザーダイオードと外部共振ミラーのアライメント(位置合わせ)は極めて重要であり、アライメント精度が悪いと十分な出力が得られない。そこで、レーザー励起媒体の熱レンズ効果によるアライメント精度の低下を抑制する方法として、外部共振ミラーの反射面を凹面とする方法が提案されている(例えば、特許文献1参照)。この文献には、レーザー励起媒体の熱レンズ効果により出力レーザー光が広がったり、偏ったりしても、レーザー光が外部共振ミラーの凹状反射面で反射することで光軸寄りに戻るため、十分な出力が得られる、と記載されている。
ところが、上記特許文献1の方法を用いてレーザー励起媒体と外部共振ミラーのアライメント精度を確保したとしても、レーザーの高出力化には自ずと限界がある。そこで、更なる高出力化を進める手法として、2個のレーザーダイオードを光学的に対峙させた外部共振器構造が検討されている。すなわち、この外部共振器構造は、共振器の両端にレーザーダイオードが配置され、2個のレーザーダイオード間でレーザー光を往復させることにより誘導放出を連続的に起こし、レーザー光を増幅させる構成となっている。この構成によれば、外部共振ミラーを備える必要がないため、コンパクトな装置を提供することが可能となる。また、外部共振ミラーを用いた場合と比べてレーザー光の増幅が大きくなることが考えられ、高出力化に好適なレーザー光源装置を実現することができる。
しかしながら、この外部共振器構造において、十分なレーザー発振を生じさせるためには2個のレーザーダイオードのエミッター同士を精密にアライメントする必要がある。すなわち、わずかでもそれぞれのレーザーダイオードから射出されたレーザー光の中心軸がずれると、十分な往復ができず、レーザー発振が起こらない状態や、正確にレーザーダイオードに戻らず光量を損失することになってしまう。このように、2個のレーザーダイオードを光学的に対峙させた外部共振器構造を有する光源装置を作成するのは困難であり、対峙されたレーザーダイオードにレーザー光が正確に戻らないため低出力化を招いてしまう。
本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであって、発光素子同士を互いに対峙させる形態の共振器構造を有するレーザー光源において、高出力化を実現することが可能なレーザー光源装置、プロジェクター及びモニター装置を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明は、以下の手段を提供する。
本発明のレーザー光源装置は、互いに一方の発光素子の発光部から射出された光が他方の発光素子の発光部に入射するように第1発光素子及び第2発光素子が配置されたレーザー光源装置であって、レーザー光を射出する発光部を有する第1発光素子と、レーザー光を射出する発光部を有する第2発光素子と、前記第1発光素子が設けられる平坦面と、一部が凸状に形成された曲面と、を有する調整部材と、前記曲面に対応した凹部を有し該凹部に前記調整部材が嵌合された保持部材とを備えることを特徴とする。
本発明のレーザー光源装置は、互いに一方の発光素子の発光部から射出された光が他方の発光素子の発光部に入射するように第1発光素子及び第2発光素子が配置されたレーザー光源装置であって、レーザー光を射出する発光部を有する第1発光素子と、レーザー光を射出する発光部を有する第2発光素子と、前記第1発光素子が設けられる平坦面と、一部が凸状に形成された曲面と、を有する調整部材と、前記曲面に対応した凹部を有し該凹部に前記調整部材が嵌合された保持部材とを備えることを特徴とする。
本発明に係るレーザー光源装置では、保持部材が調整部材の曲面に対応した凹部を有しこの凹部に調整部材が嵌合されているため、調整部材を保持部材に対して摺動させて、角度3軸の調整を行った後、保持部材に調整部材を固定する。これにより、第1半導体レーザー素子のDBR層と第2半導体レーザー素子のDBR層とが平行になるよう調整でき、第1発光素子及び第2発光素子の互いに一方の発光素子の発光部から射出されたレーザー光が他方の発光素子の発光部に入射させることが可能となる。
本発明の構成では、調整部材を保持部材に対して摺動させることにより、第1発光素子の角度を調整し固定する際、調整部材と保持部材との間に隙間がほとんど生じない。これにより、例えば、接着剤により調整部材と保持部材とを固定しても、経年変化による発光素子の角度変動を抑えることができる。したがって、第1発光素子の発光部から射出されたレーザー光は、第2発光素子の発光部に正確に入射するため、信頼性が高く、高出力なレーザー光を射出させることが可能となる。
本発明の構成では、調整部材を保持部材に対して摺動させることにより、第1発光素子の角度を調整し固定する際、調整部材と保持部材との間に隙間がほとんど生じない。これにより、例えば、接着剤により調整部材と保持部材とを固定しても、経年変化による発光素子の角度変動を抑えることができる。したがって、第1発光素子の発光部から射出されたレーザー光は、第2発光素子の発光部に正確に入射するため、信頼性が高く、高出力なレーザー光を射出させることが可能となる。
また、本発明のレーザー光源装置は、前記第2発光素子が設けられた支持部材と、
前記第1発光素子と前記第2発光素子とを対向して配置させ、前記第1発光素子と前記第2発光素子との間隔を所定の間隔に保つスペース部材とを備えることが好ましい。
前記第1発光素子と前記第2発光素子とを対向して配置させ、前記第1発光素子と前記第2発光素子との間隔を所定の間隔に保つスペース部材とを備えることが好ましい。
本発明に係るレーザー光源装置では、第1発光素子が備えられた調整部材を備えた保持部材と第2発光素子が備えられた支持部材との間にスペース部材を備えることで、第1発光素子と第2発光素子とを所定の間隔で対向させて配置することが可能となる。更に、第1発光素子のDBR層と第2発光素子のDBR層とを平行に調整しただけでは、第1発光素子及び第2発光素子の互いに一方の発光素子の発光部から射出されたレーザー光を他方の発光素子の発光部に十分に入射させられない場合、本発明の構成によると、スペース部材端面の面内で保持部材や支持部材の位置を調整することで、第1発光素子及び第2発光素子の互いに一方の発光素子の発光部から射出されたレーザー光を他方の発光素子の発光部に確実に入射させることができる。そのため、効率良く発振する位置に第1発光素子及び第2発光素子を配置することが可能となる。
また、本発明のレーザー光源装置は、前記スペース部材が、前記第1発光素子と前記第2発光素子との間隔を微調整可能であることが好ましい。
発光素子の製造ばらつきによって固体ごとに微妙に第1発光素子と第2発光素子との間隔の最適値が異なるが、本発明に係るレーザー光源装置では、スペース部材を、第1発光素子と第2発光素子とを所定の間隔保ち、さらに、その間隔を微調整可能であるため、最も効率良く発振する間隔に第1発光素子及び第2発光素子を配置することが可能となる。
発光素子の製造ばらつきによって固体ごとに微妙に第1発光素子と第2発光素子との間隔の最適値が異なるが、本発明に係るレーザー光源装置では、スペース部材を、第1発光素子と第2発光素子とを所定の間隔保ち、さらに、その間隔を微調整可能であるため、最も効率良く発振する間隔に第1発光素子及び第2発光素子を配置することが可能となる。
また、本発明のレーザー光源装置は、入射するレーザー光の一部を前記第1発光素子及び前記第2発光素子に向かう方向とは異なる方向に射出させ、残りのレーザー光を前記第1発光素子及び前記第2発光素子に向かう方向に射出させる分離部を備えることが好ましい。
本発明に係るレーザー光源装置では、分離部を備えているため、第1発光素子と第2発光素子との間の光路からレーザー光を外部へ取り出すことができる。
また、本発明のレーザー光源装置は、前記第1発光素子及び前記第2発光素子から射出される基本波長のレーザー光がそれぞれ入射され、基本波長のレーザー光の少なくとも一部を所定の変換波長のレーザー光に変換する波長変換素子を備えることが好ましい。
本発明に係るレーザー光源装置では、第1,第2発光素子から射出された基本波長のレーザー光の少なくとも一部は、波長変換素子を通過することにより、所定の変換波長のレーザー光に変換される。このように、波長変換素子を用いることにより、例えば赤外のレーザー光を可視光のレーザー光に変換することができるため、所望の波長のレーザー光を得ることが可能となる。
また、本発明のレーザー光源装置は、前記分離部は、前記第1発光素子と前記波長変換素子との間の光路上に配置された第1分離部と、前記第2発光素子と前記波長変換素子との間の光路上に配置された第2分離部とを有し、前記第1,第2分離部は、前記所定の変換波長に変換されたレーザー光を前記第1発光素子及び前記第2発光素子とは異なる方向に射出させ、前記所定の変換波長に変換されなかったレーザー光を前記第1発光素子及び前記第2発光素子に射出させることが好ましい。
本発明に係るレーザー光源装置では、波長変換素子によって所定の変換波長に変換されたレーザー光は、第1,第2分離部により、第1,第2発光素子とは異なる方向へ射出され、所定の変換波長に変換されなかったレーザー光は、第1,第2発光素子へ射出される。このように、第1,第2分離部を備えることにより、所定の変換波長に変換されたレーザー光を効率良く取り出すことが可能となる。
本発明のプロジェクターは、上記のレーザー光源装置と、該レーザー光源装置から射出されたレーザー光を画像信号に応じて変調する光変調装置と、該光変調装置により形成された画像を投射する投射装置とを備えることを特徴とする。
本発明に係るレーザープロジェクターでは、レーザー光源装置より射出された光は光変調装置に入射される。そして、レーザー光変調装置により形成された画像が、投射装置によって投射される。このとき、光源装置より射出される光は、上述したように、高出力なレーザー光を射出するため、明るく鮮明な画像を表示することが可能となる。
本発明のモニター装置は、上記のレーザー光源装置と、該レーザー光源装置から射出されたレーザー光により被写体を撮像する撮像手段とを備えることを特徴とする。
本発明に係るモニター装置では、レーザー光源装置より射出されたレーザー光は被写体を照射し、撮像手段により被写体を撮像する。このとき、上述したように、高出力なレーザー光を射出するため、明るい光により被写体が照射される。したがって、撮像手段により被写体を鮮明に撮像することが可能となる。
以下、図面を参照して、本発明に係るレーザー光源装置、プロジェクター及びモニター装置の実施形態について説明する。なお、以下の図面においては、各部材を認識可能な大きさとするために、各部材の縮尺を適宜変更している。
[第1実施形態]
レーザー光源装置1は、図1に示すように、光学系10と、保持部20とを備えている。
光学系10は、第1半導体レーザー素子(第1発光素子)12と、第2半導体レーザー素子(第2発光素子)13と、第1ダイクロイックミラー(分離部:第1分離部)14と、第2ダイクロイックミラー(分離部:第2分離部)15と、波長変換素子16と、BPF(波長選択素子)17とを備えている。
ここで、第1,第2半導体レーザー素子12,13から射出されるレーザー光の射出方向をZ軸とし、後述するエミッター18,19の配列方向をX軸とし、射出方向及び配列方向に直交する軸をY軸とする。
レーザー光源装置1は、図1に示すように、光学系10と、保持部20とを備えている。
光学系10は、第1半導体レーザー素子(第1発光素子)12と、第2半導体レーザー素子(第2発光素子)13と、第1ダイクロイックミラー(分離部:第1分離部)14と、第2ダイクロイックミラー(分離部:第2分離部)15と、波長変換素子16と、BPF(波長選択素子)17とを備えている。
ここで、第1,第2半導体レーザー素子12,13から射出されるレーザー光の射出方向をZ軸とし、後述するエミッター18,19の配列方向をX軸とし、射出方向及び配列方向に直交する軸をY軸とする。
第1,第2半導体レーザー素子12,13は、図2(a)に示すように、射出端面12a,13aから、例えば、1060nmの波長の赤外レーザー光(基本波長の光)を射出する面発光型レーザーダイオードであり、平面視が略円形のエミッター(発光部)18,19がそれぞれ複数形成されている。具体的には、第1,第2半導体レーザー素子12,13は、X軸方向に複数のエミッター18,19を有している。そして、第1半導体レーザー素子12の複数(図示例では6個)のエミッター18と、第2半導体レーザー素子13の複数(図示例では6個)のエミッター19とは、1対1対応している。
また、エミッター18は、図2(b)の拡大図に示すように、DBR(Distributed Bragg Reflector)層18a上に、活性層18bが積層された構成になっている。なお、エミッター19においてもエミッター18と同様と同様に、DBR層19a上に、活性層19bが積層された構成である。
これにより、第1半導体レーザー素子12から射出されたレーザー光は、第2半導体レーザー素子13に入射し、第2半導体レーザー素子13から射出されたレーザー光は、第1半導体レーザー素子12に入射する。すなわち、第1半導体レーザー素子12と第2半導体レーザー素子13との間をレーザー光が往復しつつ、レーザー発振が生じる。すなわち、第1,第2半導体レーザー素子12,13でレーザー光源をなしている。
これにより、第1半導体レーザー素子12から射出されたレーザー光は、第2半導体レーザー素子13に入射し、第2半導体レーザー素子13から射出されたレーザー光は、第1半導体レーザー素子12に入射する。すなわち、第1半導体レーザー素子12と第2半導体レーザー素子13との間をレーザー光が往復しつつ、レーザー発振が生じる。すなわち、第1,第2半導体レーザー素子12,13でレーザー光源をなしている。
波長変換素子16は、図1に示すように、第1ダイクロイックミラー14と第2ダイクロイックミラー15との間に配置されている。また、波長変換素子16は、一端面16aから複数のエミッター18から射出されたレーザー光がすべて入射するように配置され、他端面16bから複数のエミッター19から射出されたレーザー光がすべて入射するように配置されている。
また、波長変換素子16は、非線形光学素子であるPPLN(Periodically Poled Lithium Niobate)が用いられ、入射光の少なくとも一部の光をほぼ半分の波長に変換し、2次高調波を発生させるSHGとして機能する。
そして、図1に示すように、第1半導体レーザー素子12から射出され、第2半導体レーザー素子13に向かう光のうち一部の光は、波長変換素子16を通過することによって、ほぼ半分の(530nm)の緑色のレーザー光(所定の変換波長の光)に変換される。同様に、第2半導体レーザー素子13から射出され、第1半導体レーザー素子12に向かう光のうち一部の光は緑色のレーザー光に変換される。
また、波長変換素子16は、非線形光学素子であるPPLN(Periodically Poled Lithium Niobate)が用いられ、入射光の少なくとも一部の光をほぼ半分の波長に変換し、2次高調波を発生させるSHGとして機能する。
そして、図1に示すように、第1半導体レーザー素子12から射出され、第2半導体レーザー素子13に向かう光のうち一部の光は、波長変換素子16を通過することによって、ほぼ半分の(530nm)の緑色のレーザー光(所定の変換波長の光)に変換される。同様に、第2半導体レーザー素子13から射出され、第1半導体レーザー素子12に向かう光のうち一部の光は緑色のレーザー光に変換される。
第1,第2ダイクロイックミラー14,15は、図1に示すように、複数のエミッター18,19から射出されたレーザー光が入射し、赤外レーザー光を透過させ第1,第2半導体レーザー素子12,13へ射出させ、可視光を反射させ第1,第2半導体レーザー素子12,13とは異なる方向へ射出させるミラーである。
第1ダイクロイックミラー14は、波長変換素子16から射出されたレーザー光が略45°の角度で入射するように配置されており、第2ダイクロイックミラー15も同様に、波長変換素子16から射出されたレーザー光が略45°の角度で入射するように配置されている。
第1ダイクロイックミラー14は、波長変換素子16から射出されたレーザー光が略45°の角度で入射するように配置されており、第2ダイクロイックミラー15も同様に、波長変換素子16から射出されたレーザー光が略45°の角度で入射するように配置されている。
この構成により、第1半導体レーザー素子12から射出された赤外レーザー光のうち、第1ダイクロイックミラー14、波長変換素子16を順に通過し、緑色のレーザー光に変換されなかった赤外レーザー光は、第2ダイクロイックミラー15を透過して、第2半導体レーザー素子13に入射する。すなわち、第1半導体レーザー素子12から射出された赤外レーザー光W1は、第1半導体レーザー素子12のDBR層18aと第2半導体レーザー素子13のDBR層19aとの間で共振し増幅される。また、第2半導体レーザー素子13から射出された赤外レーザー光W1も同様である。
一方、各第1,第2半導体レーザー素子12,13から射出され、波長変換素子16を通過することにより、緑色に変換されたレーザー光W2は、第1ダイクロイックミラー14、あるいは、第2ダイクロイックミラー15において反射されY軸方向に反射される。
また、第1ダイクロイックミラー14と波長変換素子16との間には、BPF(Band−pass filter)17が配置されている。このBPF17は、所定の変換波長の光のみを透過させ、発振波長のスペクトルを制限するものであり、BPF17により緑色のレーザー光が安定して出力されるようになっている。
保持部20は、図1に示すように、支持基板(支持部材)21と、球面ベース(調整部材)22と、保持ベース(保持部材)23と、スペース部材24と、タワー部材25と、温度調節基板26とを備えている。
支持基板21は、平板状の部材であり、上面21aに第2半導体レーザー素子13が設けられている。
球面ベース22は、球体の一部を平面的に切除され平坦面22aが形成された形状となっており、側面22c,22dが凸状の曲面となっている。また、平坦面22a上に第1半導体レーザー素子12が設けられている。また、球面ベース22には、平坦面22aと平行な他の平坦面22bが形成されているが、他の平坦面22bは必ずしも形成されていなくても良い。
球面ベース22は、球体の一部を平面的に切除され平坦面22aが形成された形状となっており、側面22c,22dが凸状の曲面となっている。また、平坦面22a上に第1半導体レーザー素子12が設けられている。また、球面ベース22には、平坦面22aと平行な他の平坦面22bが形成されているが、他の平坦面22bは必ずしも形成されていなくても良い。
保持ベース23は、一部に貫通孔23aが形成されており、この貫通孔23aは球面ベース22の側面22c,22dに対応した凹部となっており、貫通孔23aに球面ベース22が嵌合されて固定されている。また、球面ベース22は、保持ベース23の上面23b側に球面ベース22の平坦面22aが向くように配置されている。
保持ベース23は、球面ベース22を摺動可能に保持しており、球面ベース22は、当該球面ベース22の中心Cを中心に回転自在となっている。また、保持ベース23は、球面ベース22を摺動可能に保持すれば良いため、保持ベース23と球面ベース22との隙間はほとんどない。
この構成により、第1半導体レーザー素子12のDBR層18aと第2半導体レーザー素子のDBR層19aとを平行に合わせ、第1,第2半導体レーザー素子12,13を互いに一方の半導体レーザー素子のエミッターから射出されたレーザー光が他方の半導体レーザー素子のエミッターに入射するように、第1半導体レーザー素子12のX軸まわり(θx)、Y軸まわり(θy)、Z軸まわり(θz)の調整することが可能になる。この調整がされた後、球面ベース22は保持ベース23に接着、溶接、ロウ付け等により固定されている。
また、支持基板21及び球面ベース22は、支持基板21の上面21a上の第2半導体レーザー素子13と、球面ベース22の平坦面22a上の第1半導体レーザー素子12とが対向するように配置されている。
この構成により、第1半導体レーザー素子12のDBR層18aと第2半導体レーザー素子のDBR層19aとを平行に合わせ、第1,第2半導体レーザー素子12,13を互いに一方の半導体レーザー素子のエミッターから射出されたレーザー光が他方の半導体レーザー素子のエミッターに入射するように、第1半導体レーザー素子12のX軸まわり(θx)、Y軸まわり(θy)、Z軸まわり(θz)の調整することが可能になる。この調整がされた後、球面ベース22は保持ベース23に接着、溶接、ロウ付け等により固定されている。
また、支持基板21及び球面ベース22は、支持基板21の上面21a上の第2半導体レーザー素子13と、球面ベース22の平坦面22a上の第1半導体レーザー素子12とが対向するように配置されている。
スペース部材24は、図1に示すように、支持基板21の上面21a側及び保持ベース23の上面23b側に設けられている。また、スペース部材24は、図3に示すように、角筒状であり、第1半導体レーザー素子12と第2半導体レーザー素子13との間隔を所定の間隔に保っている。更に、スペース部材24の端面で、保持部材23や支持部材21をX軸方向及びY方向に調整して固定でき、第1半導体レーザー素子12及び第2半導体レーザー素子13の互いに一方の発光素子の発光部から射出されたレーザー光を他方の発光素子の発光部に、より少ない損失で入射させることができる。また、スペース部材24のレーザー光が通過する側の少なくとも一部には、図1に示すように、第1,第2ダイクロイックミラー14,15で反射したレーザー光W2を透過させる光透過性を有する材質からなるウィンドウ31が設けられている。すなわち、このウィンドウ31は、可視レーザー光を透過させ、赤外レーザー光を反射、あるいは、吸収させるものである。
本実施形態では、ウィンドウ31は赤外レーザー光を反射させる構成であるため、ウィンドウ31をレーザー光W2が垂直に入射しないように傾斜して配置する。これにより、ウィンドウ31に入射した赤外レーザー光が、第1半導体レーザー素子12と第2半導体レーザー素子13とから射出されたレーザー光の光路以外に反射されるため、共振しているレーザー光と干渉するのを抑えることが可能となる。
本実施形態では、ウィンドウ31は赤外レーザー光を反射させる構成であるため、ウィンドウ31をレーザー光W2が垂直に入射しないように傾斜して配置する。これにより、ウィンドウ31に入射した赤外レーザー光が、第1半導体レーザー素子12と第2半導体レーザー素子13とから射出されたレーザー光の光路以外に反射されるため、共振しているレーザー光と干渉するのを抑えることが可能となる。
また、スペース部材24は、保持ベース23の上面23b側に第1半導体レーザー素子12と第2半導体レーザー素子13との間隔を微調整可能な微調整用スペース部材(スペース部材)24aを備えている。この微調整用スペース部材24aにより、第1半導体レーザー素子12と第2半導体レーザー素子13との間隔(Z軸方向)を調整することが可能である。そして、微調整用スペース部材24aは、位置調整がされた後、保持ベース23に図示しない接着剤やロウ材によって固定される。
タワー部材25は、図1に示すように、支持基板21の上面21aに保持ベース23に向かって延在されて設けられており、タワー部材25の上面25aには、温度調節基板26が設けられている。
温度調節基板26は、第1,第2ダイクロイックミラー14,15、波長変換素子16、BPF17の温度を調整するためのものである。特に、波長変換素子16は、温度の変化に伴い内部の屈折率が変化するため、温度調節基板26により、波長変換素子16を適温に調整することで、第1,第2半導体レーザー素子12,13から射出されたレーザー光を所定の波長の高調波レーザー光に変換することが可能となる。
温度調節基板26は、第1,第2ダイクロイックミラー14,15、波長変換素子16、BPF17の温度を調整するためのものである。特に、波長変換素子16は、温度の変化に伴い内部の屈折率が変化するため、温度調節基板26により、波長変換素子16を適温に調整することで、第1,第2半導体レーザー素子12,13から射出されたレーザー光を所定の波長の高調波レーザー光に変換することが可能となる。
以上より、本実施形態に係るレーザー光源装置1では、球面ベース22を保持ベース23に対して摺動させることにより、第1半導体レーザー素子12をX軸まわり(θx)、Y軸まわり(θy)、Z軸まわり(θz)に回転させて第1半導体レーザー素子12のDBR層18aと第2半導体レーザー素子のDBR層19aとを平行に合わせることが可能となる。この構成では、第1半導体レーザー素子12の回転調整時に、球面ベース22と保持ベース23との間に隙間がほとんど生じない。これにより、球面ベース22と保持ベース23とを固定後、経年変化による第1半導体レーザー素子12の位置変動を抑えることができる。したがって、第1半導体レーザー素子12のエミッター18から射出されたレーザー光は、第2半導体レーザー素子13のエミッター19に正確に入射するため、信頼性が高く、高出力なレーザー光を射出させることが可能となる。
また、第1,第2半導体レーザー素子12,13の個体差により、最も効率良くレーザー発振する第1半導体レーザー素子12と第2半導体レーザー素子13との間隔が数百ミクロン程度異なる。そこで、本実施形態では、微調整用スペース部材24aにより、第1半導体レーザー素子12と第2半導体レーザー素子13との間隔(Z軸方向)を調整した後固定されているため、最適な間隔で第1,第2半導体レーザー素子12,13を固定することが可能となる。
なお、第1,第2半導体レーザー素子12,13のZ軸方向の調整が必要でない場合は、微調整用スペース部材24aを設けなくても良い。
また、本実施形態において、波長変換素子16を備えたレーザー光源装置1を備えた構成を例に挙げたが、波長変換素子16を用いない構成であっても良い。
また、本実施形態において、波長変換素子16を備えたレーザー光源装置1を備えた構成を例に挙げたが、波長変換素子16を用いない構成であっても良い。
[第2実施形態]
次に、本発明に係る第2実施形態について、図4を参照して説明する。なお、以下に説明する各実施形態の図面において、上述した第1実施形態に係るレーザー光源装置1と構成を共通とする箇所には同一符号を付けて、説明を省略することにする。
本実施形態に係るレーザー光源装置40では、第1,第2半導体レーザー素子12,13の配置及び光路変換プリズム41を備える点において第1実施形態と異なる。その他の構成においては第1実施形態と同様である。
次に、本発明に係る第2実施形態について、図4を参照して説明する。なお、以下に説明する各実施形態の図面において、上述した第1実施形態に係るレーザー光源装置1と構成を共通とする箇所には同一符号を付けて、説明を省略することにする。
本実施形態に係るレーザー光源装置40では、第1,第2半導体レーザー素子12,13の配置及び光路変換プリズム41を備える点において第1実施形態と異なる。その他の構成においては第1実施形態と同様である。
保持ベース43には、図4に示すように、第1実施形態と同様に、貫通孔43aが設けられており、この貫通孔43aに球面ベース42が嵌合されている。また、球面ベース42の平坦面42aには第1半導体レーザー素子12が設けられている。この構成により、第1,第2半導体レーザー素子12,13を互いに一方の半導体レーザー素子のエミッターから射出されたレーザー光が他方の半導体レーザー素子のエミッターに入射するように、第1半導体レーザー素子12のX軸まわり(θx)、Y軸まわり(θy)、Z軸まわり(θz)の調整がされた後、球面ベース42は保持ベース43に接着、溶接、ロウ付け等により固着されている。
また、波長変換素子16は、保持ベース43の上面43bに配置された温度調節基板45に固定されている。
また、波長変換素子16は、保持ベース43の上面43bに配置された温度調節基板45に固定されている。
また、第2半導体レーザー素子13は、保持ベース(保持部材)43の上面43bに配置されており、第1,第2半導体レーザー素子12,13ともに射出端面12a,13aが紙面上方を向くように配置されている。すなわち、第1,第2半導体レーザー素子12,13から射出されたレーザー光は2つともY軸方向を向くように射出される。
第1,第2ダイクロイックミラー(分離部:第1,第2分離部)46,47は、赤外レーザー光(基本波長の光)を反射させ第1,第2半導体レーザー素子12,13へ射出し、可視レーザー光(所定の変換波長の光)を透過させ第1,第2半導体レーザー素子12,13とは異なる方向へ射出させるミラーである。
第1,第2ダイクロイックミラー(分離部:第1,第2分離部)46,47は、赤外レーザー光(基本波長の光)を反射させ第1,第2半導体レーザー素子12,13へ射出し、可視レーザー光(所定の変換波長の光)を透過させ第1,第2半導体レーザー素子12,13とは異なる方向へ射出させるミラーである。
また、第1ダイクロイックミラー46は、第1半導体レーザー素子12から射出されたレーザー光の中心軸O1上に配置されており、レーザー光が略45°の角度で入射するように配置されている。同様に、第2ダイクロイックミラー47は、第2半導体レーザー素子13から射出されたレーザー光の中心軸O2上に配置されており、レーザー光が略45°の角度で入射するように配置されている。
光路変換プリズム41は、図示しない保持部材により、例えば保持ベース43に固定されている。また、光路変換プリズム41は、波長変換素子16において所定の変換波長に変換され、第1ダイクロイックミラー46を透過した光の光路を、第2ダイクロイックミラー47を透過した所定の変換波長のレーザー光と略同一方向の光路に変換するものである。
具体的には、光路変換プリズム41は、直角三角プリズムであり、第1ダイクロイックミラー46を透過したレーザー光を第1面41aで反射させ、さらに、第1面41aと180°の角度をなす第2面41bで反射させる。このように、第1ダイクロイックミラー46を透過したレーザー光の光路を90°変換する。したがって、光路変換プリズム41により、第2ダイクロイックミラー47を透過したレーザー光L1と、第1ダイクロイックミラー46を透過したレーザー光L2とを略平行にすることが可能となる。
具体的には、光路変換プリズム41は、直角三角プリズムであり、第1ダイクロイックミラー46を透過したレーザー光を第1面41aで反射させ、さらに、第1面41aと180°の角度をなす第2面41bで反射させる。このように、第1ダイクロイックミラー46を透過したレーザー光の光路を90°変換する。したがって、光路変換プリズム41により、第2ダイクロイックミラー47を透過したレーザー光L1と、第1ダイクロイックミラー46を透過したレーザー光L2とを略平行にすることが可能となる。
以上より、本実施形態に係るレーザー光源装置40では、球面ベース42により第1半導体レーザー素子12の位置調整をした後固定することにより、第1半導体レーザー素子12から射出されたレーザー光が、第2半導体レーザー素子13に入射し、第2半導体レーザー素子13ら射出されたレーザー光が、第1半導体レーザー素子12に入射する。したがって、高出力なレーザー光を射出させ、信頼性の高いレーザー光源装置40を提供することが可能となる。
また、球面ベース42の平坦面42a上に第1半導体レーザー素子12を配置し、球面ベース42と嵌合された保持ベース43の上面43bに第2半導体レーザー素子13を配置することにより、装置全体の小型化を図ることが可能となる。
また、球面ベース42の平坦面42a上に第1半導体レーザー素子12を配置し、球面ベース42と嵌合された保持ベース43の上面43bに第2半導体レーザー素子13を配置することにより、装置全体の小型化を図ることが可能となる。
[第3実施形態]
以下、本発明の第3実施形態について図5を参照して説明する。
本実施形態では、上記第1,第2実施形態のレーザー光源装置を備えるプロジェクターについて説明する。図5は本実施形態のプロジェクターの概略構成図である。
以下、本発明の第3実施形態について図5を参照して説明する。
本実施形態では、上記第1,第2実施形態のレーザー光源装置を備えるプロジェクターについて説明する。図5は本実施形態のプロジェクターの概略構成図である。
本実施形態のプロジェクター100は、赤色光、緑色光、青色光をそれぞれ射出する赤色レーザー光源装置1R,緑色レーザー光源装置1G、青色レーザー光源装置1Bを備えており、これら光源装置が上記第1,第2実施形態のレーザー光源装置1,40である。
プロジェクター100は、レーザー光源装置1R,1G,1Bから射出された各色光をそれぞれ変調する透過型の液晶ライトバルブ(光変調装置)104R,104G,104Bと、液晶ライトバルブ104R,104G,104Bから射出された光を合成して投射レンズ107に導くクロスダイクロイックプリズム(色合成手段)106と、液晶ライトバルブ104R,104G,104Bによって形成された像を拡大してスクリーン110に投射する投射レンズ(投射手段)107と、を備えている。
プロジェクター100は、レーザー光源装置1R,1G,1Bから射出された各色光をそれぞれ変調する透過型の液晶ライトバルブ(光変調装置)104R,104G,104Bと、液晶ライトバルブ104R,104G,104Bから射出された光を合成して投射レンズ107に導くクロスダイクロイックプリズム(色合成手段)106と、液晶ライトバルブ104R,104G,104Bによって形成された像を拡大してスクリーン110に投射する投射レンズ(投射手段)107と、を備えている。
さらに、プロジェクター100は、レーザー光源装置1R,1G,1Bから射出されたレーザー光の照度分布を均一化させるための均一化光学系102R,102G,102Bを備えており、照度分布が均一化された光によって液晶ライトバルブ104R,104G,104Bを照明している。本実施形態では、均一化光学系102R,102G、102Bは、例えばホログラム102aとフィールドレンズ102bによって構成されている。
各液晶ライトバルブ104R,104G,104Bによって変調された3つの色光は、クロスダイクロイックプリズム106に入射する。このプリズムは4つの直角プリズムを貼り合わせて形成され、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に配置されている。これらの誘電体多層膜によって3つの色光が合成され、カラー画像を表す光が形成される。そして、合成された光は投射光学系である投射レンズ107によりスクリーン110上に投写され、拡大された画像が表示される。
本実施形態のプロジェクター100においては、赤色レーザー光源装置1R,緑色レーザー光源装置1G,青色レーザー光源装置1Bとして上記第1,第2実施形態のレーザー光源装置1,40が用いられているので、小型、安価で明るい画像表示が可能なプロジェクターを実現することができる。
なお、光変調装置として透過型の液晶ライトバルブを用いたが、反射型のライトバルブを用いても良いし、液晶以外の光変調装置を用いても良い。このようなライトバルブとしては、例えば、反射型液晶ライトバルブやデジタルマイクロミラーデバイス(Digital Micromirror Device)が挙げられる。投射光学系の構成は、使用されるライトバルブの種類によって適宜変更すればよい。
[第4実施形態]
以下、本発明の第4実施形態について図6を参照して説明する。
本実施形態では、走査型の画像表示装置について説明する。図6は本実施形態の画像表示装置の概略構成図である。
以下、本発明の第4実施形態について図6を参照して説明する。
本実施形態では、走査型の画像表示装置について説明する。図6は本実施形態の画像表示装置の概略構成図である。
本実施形態の画像表示装置200は、図6に示すように、上記第1実施形態のレーザー光源装置1と、レーザー光源装置1から射出された光をスクリーン210に向かって走査するMEMSミラー(走査手段)202と、レーザー光源装置1から射出された光をMEMSミラー202に集光させる集光レンズ203とを備えている。レーザー光源装置1から射出された光は、MEMSミラー202の駆動によってスクリーン210上を水平方向、垂直方向に走査される。カラー画像を表示する場合は、例えばレーザーダイオードを構成する複数のエミッターを、赤、緑、青のピーク波長を持つエミッターの組み合わせによって構成すれば良い。
なお、第2実施形態のレーザー光源装置40を用いても良い。
なお、第2実施形態のレーザー光源装置40を用いても良い。
[第5実施形態]
以下、上記実施形態のレーザー光源装置1を応用したモニター装置300の構成例について図7を用いて説明する。
図7は、本実施形態のモニター装置の概略構成図である。
本実施形態のモニター装置300は、図7に示すように、装置本体310と、光伝送部320と、を備える。装置本体310は、上述の第1実施形態のレーザー光源装置1を備えている。
以下、上記実施形態のレーザー光源装置1を応用したモニター装置300の構成例について図7を用いて説明する。
図7は、本実施形態のモニター装置の概略構成図である。
本実施形態のモニター装置300は、図7に示すように、装置本体310と、光伝送部320と、を備える。装置本体310は、上述の第1実施形態のレーザー光源装置1を備えている。
光伝送部320は、光を送る側と受ける側の2本のライトガイド321,322を備えている。各ライトガイド321,322は、多数本の光ファイバーを束ねたものであり、レーザー光を遠方に送ることができる。光を送る側のライトガイド321の入射側にはレーザー光源装置1が設置され、その出射側には拡散板323が設置されている。レーザー光源装置1から射出されたレーザー光は、ライトガイド321を通じて光伝送部320の先端に設けられた拡散板323に送られ、拡散板323により拡散されて被写体を照射する。
光伝送部320の先端には、結像レンズ324が設けられており、被写体からの反射光を結像レンズ324で受けることができる。受けた反射光は、受け側のライトガイド322を通じて装置本体310内に設けられた撮像手段としてのカメラ311に送られる。この結果、レーザー光源装置1から射出されたレーザー光で被写体を照射して得られた反射光に基づく画像をカメラ311で撮像することができる。
本実施形態のモニター装置300によれば、上記第1実施形態のレーザー光源装置1が用いられているので、小型、安価で鮮明な撮像が可能なモニター装置を実現することができる。
なお、第2実施形態のレーザー光源装置40を用いても良い。
なお、第2実施形態のレーザー光源装置40を用いても良い。
なお、本発明の技術範囲は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。例えば、第1、第2実施形態のレーザー光源装置における第1,第2半導体レーザー素子、BPF、波長変換素子の具体的な構成については上記の例に限ることなく、適宜変更が可能である。
また、プロジェクターにおいて色光合成手段として、クロスダイクロイックプリズムを用いたが、これに限るものではない。色光合成手段としては、例えば、ダイクロイックミラーをクロス配置とし色光を合成するもの、ダイクロイックミラーを平行に配置し色光を合成するものを用いることができる。
また、第2半導体レーザー素子が、第1半導体レーザー素子と同様に、他の球面部材の平坦面上に設けられていても良い。
また、分離部として、入射した光を透過及び反射させることにより分離させたが、これに限ることはなく、透過、あるいは、反射させることのみで分離する構成であっても良い。
また、プロジェクターにおいて色光合成手段として、クロスダイクロイックプリズムを用いたが、これに限るものではない。色光合成手段としては、例えば、ダイクロイックミラーをクロス配置とし色光を合成するもの、ダイクロイックミラーを平行に配置し色光を合成するものを用いることができる。
また、第2半導体レーザー素子が、第1半導体レーザー素子と同様に、他の球面部材の平坦面上に設けられていても良い。
また、分離部として、入射した光を透過及び反射させることにより分離させたが、これに限ることはなく、透過、あるいは、反射させることのみで分離する構成であっても良い。
1,40…レーザー光源装置、12…第1半導体レーザー素子(第1発光素子)、13…第2半導体レーザー素子(第2発光素子)、14,46…第1ダイクロイックミラー(分離部:第1分離部)、15,47…第1ダイクロイックミラー(分離部:第2分離部)、21…支持基板(支持部材)、22…球面ベース(調整部材)、23…保持ベース(保持部材)、23a…貫通孔(凹部)、24…スペース部材。
Claims (8)
- 互いに一方の発光素子の発光部から射出された光が他方の発光素子の発光部に入射するように第1発光素子及び第2発光素子が配置されたレーザー光源装置であって、
レーザー光を射出する発光部を有する第1発光素子と、
レーザー光を射出する発光部を有する第2発光素子と、
前記第1発光素子が設けられる平坦面と、一部が凸状に形成された曲面と、を有する調整部材と、
前記曲面に対応した凹部を有し該凹部に前記調整部材が嵌合された保持部材とを備えることを特徴とするレーザー光源装置。 - 前記第2発光素子が設けられた支持部材と、
前記第1発光素子と前記第2発光素子とを対向して配置させ、前記第1発光素子と前記第2発光素子との間隔を所定の間隔に保つスペース部材とを備えることを特徴とする請求項1に記載のレーザー光源装置。 - 前記スペース部材が、前記第1発光素子と前記第2発光素子との間隔を微調整可能であることを特徴とする請求項2に記載のレーザー光源装置。
- 入射するレーザー光の一部を前記第1発光素子及び前記第2発光素子に向かう方向とは異なる方向に射出させ、残りのレーザー光を前記第1発光素子及び前記第2発光素子に向かう方向に射出させる分離部を備えることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載のレーザー光源装置。
- 前記第1発光素子及び前記第2発光素子から射出される基本波長のレーザー光がそれぞれ入射され、基本波長のレーザー光の少なくとも一部を所定の変換波長のレーザー光に変換する波長変換素子を備えることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか1項に記載のレーザー光源装置。
- 前記分離部は、前記第1発光素子と前記波長変換素子との間の光路上に配置された第1分離部と、前記第2発光素子と前記波長変換素子との間の光路上に配置された第2分離部とを有し、
前記第1,第2分離部は、前記所定の変換波長に変換されたレーザー光を前記第1発光素子及び前記第2発光素子とは異なる方向に射出させ、前記所定の変換波長に変換されなかったレーザー光を前記第1発光素子及び前記第2発光素子に射出させることを特徴とする請求項5に記載のレーザー光源装置。 - 請求項1から請求項6のいずれか1項に記載のレーザー光源装置と、
該レーザー光源装置から射出されたレーザー光を画像信号に応じて変調する光変調装置と、
該光変調装置により形成された画像を投射する投射装置とを備えることを特徴とするプロジェクター。 - 請求項1から請求項6のいずれか1項に記載のレーザー光源装置と、
該レーザー光源装置から射出されたレーザー光により被写体を撮像する撮像手段とを備えることを特徴とするモニター装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009269667A JP2011114182A (ja) | 2009-11-27 | 2009-11-27 | レーザー光源装置、プロジェクター及びモニター装置 |
US12/897,212 US20110128506A1 (en) | 2009-11-27 | 2010-10-04 | Laser beam source device, projector, and monitoring device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009269667A JP2011114182A (ja) | 2009-11-27 | 2009-11-27 | レーザー光源装置、プロジェクター及びモニター装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011114182A true JP2011114182A (ja) | 2011-06-09 |
Family
ID=44068632
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Country Status (2)
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US (1) | US20110128506A1 (ja) |
JP (1) | JP2011114182A (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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US10432898B2 (en) | 2013-12-20 | 2019-10-01 | Casio Computer Co., Ltd. | Projector having light source including laser diodes |
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---|---|---|---|---|
CN108490632B (zh) * | 2018-03-12 | 2020-01-10 | Oppo广东移动通信有限公司 | 激光投射模组、深度相机和电子装置 |
-
2009
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---|---|
US20110128506A1 (en) | 2011-06-02 |
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