JP2011077504A5 - Ｓｏｉ基板の作製方法 - Google Patents
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- 熱酸化により、単結晶半導体基板上に酸化膜を形成し、
プラズマ窒化により前記酸化膜の一部を窒化させることで、窒素原子を含む絶縁膜を形成し、
前記単結晶半導体基板とベース基板とを、前記酸化膜及び前記絶縁膜を間に挟んで貼り合わせ、前記単結晶半導体基板を分離することにより、前記酸化膜及び前記絶縁膜を間に挟んで前記ベース基板上に単結晶半導体膜を形成し、
前記単結晶半導体膜にレーザ光を照射することを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。 - 熱酸化により、単結晶半導体基板上に膜厚５０ｎｍ乃至１１００ｎｍの酸化膜を形成し、
プラズマ窒化により前記酸化膜の一部を窒化させることで、膜厚３ｎｍ乃至２０ｎｍの窒素原子を含む絶縁膜を形成し、
前記単結晶半導体基板とベース基板とを、前記酸化膜及び前記絶縁膜を間に挟んで貼り合わせ、前記単結晶半導体基板を分離することにより、前記酸化膜及び前記絶縁膜を間に挟んで前記ベース基板上に単結晶半導体膜を形成し、
前記単結晶半導体膜にレーザ光を照射することを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。 - 請求項１または請求項２において、
前記レーザ光のエネルギー密度は、前記単結晶半導体膜を部分溶融させる程度の高さであることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。 - 請求項１乃至請求項３のいずれか１項において、
前記ベース基板はガラス基板であることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。 - 請求項１乃至請求項４のいずれか１項において、
前記熱酸化は、酸素と塩化水素とを用いていることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
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