JP2011066350A - 封止パッケージ - Google Patents

Abstract

【課題】有機物が封止空間部に存在しても、封止空間部の圧力の上昇を防止する封止パッケージを提供する。
【解決手段】封止パッケージは、気密に形成される封止空間部内に第１の部材の少なくとも一部分と第２の部材とを有している。封止パッケージは、前記第１の部材と前記第２の部材とを接合させる接合部材と、前記接合部材が前記第１の部材と前記第２の部材とを接合させる際に前記第１の部材と前記第２の部材との接合に係る有機物と、前記有機物を覆うように成膜される膜と、を具備し、前記接合部材と前記有機物と前記膜とは、前記封止空間部の内部に配設されている。
【選択図】 図１Ｂ

Description

本発明は、電子デバイスやＭＥＭＳデバイスなどの封止パッケージに関する。

例えば特許文献１には、可変形状ミラー、それを用いた光学装置、及び眼底観察装置が開示されている。特許文献１において、図６に示すように粘着剤１４６は、真空室１５０の内部１５３（封止空間部）において薄膜ミラー１４１と基板１４３とを相対して接合するために用いられている。またＳｉである枠１４２の更に下にあるＳｉは、導電性粘着材１４８によって基板１４３の表面に設けられたＧＮＤに接地されている。

特開２００６−２１５４６７号公報

しかしながら粘着剤１４６や導電性粘着材１４８などの有機物は、比較的アウトガスを放出しやすい。そのためこれら有機物が内部１５３に存在すると、有機物から放出されるアウトガスは内部１５３にとどまり、封止パッケージ使用中（封止完了後）に内部１５３の圧力が上昇してしまう虞がある。

本発明は、これらの事情に鑑みてなされたものであり、有機物が封止空間部に存在しても、封止空間部の圧力の上昇を防止する封止パッケージを提供することを目的とする。

本発明は目的を達成するために、気密に形成される封止空間部内に第１の部材の少なくとも一部分と第２の部材とを有する封止パッケージであって、前記第１の部材と前記第２の部材とを接合させる接合部材と、前記接合部材が前記第１の部材と前記第２の部材とを接合させる際に前記第１の部材と前記第２の部材との接合に係る有機物と、前記有機物を覆うように成膜される膜と、を具備し、前記接合部材と前記有機物と前記膜とは、前記封止空間部の内部に配設されていることを特徴とする封止パッケージを提供する。

本発明によれば、有機物が封止空間部に存在しても、封止空間部の圧力の上昇を防止する封止パッケージを提供することができる。

図１Ａは、本発明に係る第１の実施形態における封止パッケージの上面図である。 図１Ｂは、図１Ａに示すＡ−Ａ線における封止パッケージの断面図である。 図２は、第２の実施形態における封止パッケージの断面図である。 図３は、第２の実施形態の変形例における封止パッケージの断面図である。 図４Ａは、第３の実施形態における封止パッケージの断面図である。 図４Ｂは、側面の変形例を示す図である。 図５Ａは、固体撮像素子が配設されている封止パッケージの上面図である。 図５Ｂは、図５Ａに示すＢ−Ｂ線における封止パッケージの断面図である。 図６は、従来の封止パッケージを示す図である。

以下、図面を参照して本発明の実施形態について詳細に説明する。
図１Ａと図１Ｂとを参照して第１の実施形態について説明する。なお本実施形態ではハンダ材２２とフラックス残渣２４と第３の金属膜８ｃなどはＳＯＩウエハ３の４隅に配設されているが、図１Ａでは、図示の簡略化のために、ＳＯＩウエハ３の４隅のなかで１つにのみ示している。

封止パッケージ１は、基板２と、基板２に配設される側壁４と、側壁４に配設される蓋５と、基板２と側壁４と蓋５とによって気密に形成される封止空間部６とを有している。

基板２は、封止パッケージ１の底面となる第１の部材である。この基板２と側壁４、及び側壁４と蓋５とは、気体を通さないように気密に接合している。これにより封止パッケージ１には、密閉された封止空間部６が形成される。この封止空間部６は、大気圧よりも低い圧力（以下、減圧雰囲気と称する）で維持されている。この封止空間部６の内部には、後述するＳＯＩウエハ３が封止された状態（減圧雰囲気の状態）で基板２に積層して配設されている。つまり、封止パッケージ１は、基板２に積層して配設されるＳＯＩウエハ３を、気密に形成される封止空間部６の内部に有している。

なお基板２と側壁４とは、それぞれ気体を通さない材質から構成されており、例えばセラミック製である。

また蓋５は、光が封止空間部６の外部から内部に、及び封止空間部６の内部から外部に入出射するため、上述した気体を通さない材質であり、且つこの光の波長に対して光学的に透明な材質から構成されている。このような蓋５は、例えばホウケイ酸ガラス製である。

基板２の表面２ａには、第１の電極７ａと、第１の金属膜８ａとが配設されている。

第１の金属膜８ａは、後述する第２の金属膜８ｂにはんだ付けするための下地金属である。第１の金属膜８ａは、基板２と良好に密着可能なＣｒとＮｉとＡｕとの３層から構成されている。

封止パッケージ１は、封止空間部６内にて、基板２に積層して配設される第２の部材であるＳＯＩウエハ３と、第１の金属膜８ａと第２の金属膜８ｂとを接合させることで基板２とＳＯＩウエハ３とを接合させる接合部材であるハンダ材２２と、ハンダ材２２が基板２とＳＯＩウエハ３とを接合させる際に、基板２とＳＯＩウエハ３との接合に係り、発生した有機物であるフラックス残渣２４と、フラックス残渣２４を覆うように成膜され、フラックス残渣２４から放出されるアウトガスを遮断する第３の金属膜８ｃとをさらに有している。

基板２とＳＯＩウエハ３とは、互いに相対して積層する基板である。なおＳＯＩウエハ３は、チップ状に個片化されているが、ここでは便宜上、ＳＯＩウエハと呼ぶこととする。

ＳＯＩウエハ３は、第１のシリコン層１０ａと第２のシリコン層１０ｂと第３のシリコン層１０ｃとがそれぞれシリコン酸化膜１５を挟んで積層して接合することで構成されている３層の積層構造である。つまり第１のシリコン層１０ａはシリコン酸化膜１５を介して第２のシリコン層１０ｂに積層接合し、第２のシリコン層１０ｂはシリコン酸化膜１５を介して第３のシリコン層１０ｃに積層接合している。

第１のシリコン層１０ａと第３のシリコン層１０ｃとは中空の柱形状を有し、第２のシリコン層１０ｂは柱形状を有している。第１のシリコン層１０ａと第３のシリコン層１０ｃとの中空部において、第２のシリコン層１０ｂは、基板２側と蓋５側とに向けて露出している。

第１のシリコン層１０ａと第２のシリコン層１０ｂと第３のシリコン層１０ｃとは、同じ外形を有している。
第１のシリコン層１０ａと第３のシリコン層１０ｃとは、選択的にエッチングされている。

そのため第１のシリコン層１０ａと、第１のシリコン層１０ａと第２のシリコン層１０ｂとに挟まれているシリコン酸化膜１５とは、第２のシリコン層１０ｂに積層し、第２のシリコン層１０ｂを全周に渡って基板２に固定する固定部である枠１６として機能する。

また第２のシリコン層１０ｂは、ＳＯＩウエハ３の駆動部である薄膜１７として機能する。
薄膜１７は、基板２に対向する一方の面１７ａに第２の電極７ｂを有し、蓋５に対向する他方の面１７ｂに反射膜１７ｃを有している。第２の電極７ｂは、薄膜１７（第２のシリコン層１０ｂ）が基板２側に露出している部分に配設され、第１の電極７ａに対向している。また反射膜１７ｃは、薄膜１７（第２のシリコン層１０ｂ）が蓋５側に露出している部分に配設されている。この反射膜１７ｃは、蓋５の裏面５ａに対向しており、また光を反射させる薄膜１７の他方の面１７ｂに配設されている。

また第２のシリコン層１０ｂと第３のシリコン層１０ｃとに挟まれているシリコン酸化膜１５と、第３のシリコン層１０ｃとは、基板２と薄膜１７との間隔（より詳細には、第１の電極７ａと第２の電極７ｂとの間隔）を所望に保持し、薄膜１７が積層し、基板２に積層する間隔保持部であるスペーサ１８として機能する。

ＳＯＩウエハ３を構成する枠１６と薄膜１７とスペーサ１８とは、可変形状鏡２０として機能する。

このようにＳＯＩウエハ３は、基板２に対向する一方の面１７ａに第２の電極７ｂを有し、蓋５に対向する他方の面１７ｂに反射膜１７ｃを有している薄膜１７と、薄膜１７に積層し、薄膜１７を全周に渡って基板２に固定する固定部である枠１６と、第１の電極７ａと第２の電極７ｂとの間隔を所望に保持し、薄膜１７が積層し、基板２に積層する間隔保持部であるスペーサ１８とを有している。

枠１６と薄膜１７とスペーサ１８とは、それぞれ第１のシリコン層１０ａと第２のシリコン層１０ｂと第３のシリコン層１０ｃとであり、つまりシリコンによって形成される基板である。そのためＳＯＩウエハ３は、枠１６と薄膜１７とスペーサ１８とが互いに積層する３層の積層構造である。

第１の電極７ａと第２の電極７ｂとは、図示しない電源によって電力を供給される。このとき第１の電極７ａと第２の電極７ｂとの間に電位差が生じると、薄膜１７は静電力によって駆動し、封止パッケージ１に入射する光は、薄膜１７の駆動に基づいて可動する反射膜１７ｃを走査する。

ＳＯＩウエハ３（可変形状鏡２０）の側面３ｂは、封止空間部６に向けて露出している。この側面３ｂには、側面３ｂにはんだ付けされる下地金属である第２の金属膜８ｂが配設されている。第２の金属膜８ｂは、側面３ｂと良好に密着可能なＣｒとＮｉとＡｕとの３層から構成されている。この側面３ｂとは、第１のシリコン層１０ａの外縁側の側面１１ａと、第２のシリコン層１０ｂの側面１１ｂと、第３のシリコン層１０ｃの外縁側の側面１１ｃと、シリコン酸化膜１５の外縁側の側面とである。

第１の金属膜８ａと第２の金属膜８ｂとには、第１の金属膜８ａと第２の金属膜８ｂとに接合し、基板２とＳＯＩウエハ３と（より詳細には、ＳＯＩウエハ３が積層する側の面である表面２ａと、側面３ｂと）を接合するハンダ材２２が配設されている。ハンダ材２２は、例えば錫とビスマスとの合金から構成されている。なおハンダ材２２は、当該合金に限定されず、錫とインジウムとの合金、または錫と銀との合金等であってもよい。

ハンダ材２２によって基板２とＳＯＩウエハ３とを接合する際に用いられたフラックスは、有機物を含むフラックス残渣２４としてハンダ材２２の表面に、残留（存在）する。つまりフラックス残渣２４は、ハンダ材２２によって基板２とＳＯＩウエハ３とが接合する際に発生する。このようにフラックス残渣２４は、基板２とＳＯＩウエハ３との接合に係る物質である。
フラックス残渣２４は、例えばフラックス成分の１つであるロジン等の有機物を含んでいる。このフラックス残渣２４には、フラックス残渣２４から放出されるアウトガスを遮断（防止）する第３の金属膜８ｃがフラックス残渣２４を覆うように成膜されている。第３の金属膜８ｃは、例えばＣｒとＡｕとの２層構造であり、例えばスパッタや蒸着によってフラックス残渣２４を覆う。

第１の金属膜８ａと第２の金属膜８ｂとハンダ材２２とフラックス残渣２４と第３の金属膜８ｃとは、封止空間部６の内部に配設されている。またハンダ材２２とフラックス残渣２４と第３の金属膜８ｃとは、第１のシリコン層１０ａと第３のシリコン層１０ｃとの中空部といったＳＯＩウエハ３の内部ではなく、第２の部材であるＳＯＩウエハ３の側面３ｂ側に配設されている。

次に本実施形態の作用について説明する。
（作用１）
ＳＯＩウエハ３が基板２に配設され、第２の金属膜８ｂが側面３ｂに配設され、ハンダ材２２が第１の金属膜８ａと第２の金属膜８ｂとに配設され、第３の金属膜８ｃがフラックス残渣２４を成膜し、封止空間部６が基板２と側壁４と蓋５とによって封止される。この時、第３の金属膜８ｃは、フラックス残渣２４から放出されるアウトガスを物理的に遮断する。なお、第３の金属膜８ｃからアウトガスが放出されたとしても、このアウトガスは、フラックス残渣２４から放出されるアウトガスよりも問題にならない位非常に少ない。なぜなら一般的に、金属は、有機物に比べると、アウトガスをほとんど放出しないためである。そのため封止空間部６は、封止パッケージ１が使用されている際（封止完了後）において、第３の金属膜８ｃがフラックス残渣２４を覆っておらず、第３の金属膜８ｃがアウトガスを遮断していない場合に比べて、アウトガスが減少された状態で封止されている。これにより封止空間部６の内部の圧力は、上昇することを防止される。

（作用２）
また封止空間部６は、例えば基板２と可変形状鏡２０とが予め接合された構成部材と、例えば予め側壁４と蓋５とが接合された構成部材とが加熱工程を含む接合方法で接合することで、形成されてもよい。この場合、封止工程中において、その加熱工程の熱によりフラックス残渣２４の温度が上昇するため、フラックス残渣２４から放出されるアウトガスは一般に発生しやすい傾向になる。しかしながら上述したように第３の金属膜８ｃはフラックス残渣２４を覆うために、第３の金属膜８ｃは封止工程中に増大して放出されるアウトガスを遮断する。

（作用３）
また例えば上述した図６に示す特許文献１において、フリップチップのような接合が基板１４３の平面とスペーサ１４７の平面との間でなされ、スペーサ１４７が枠１４２やＳｉなどによって覆われている。そのためこのような可変形状鏡１４０の構成要素では、金属膜は、例えばスパッタや蒸着によってアウトガス発生の虞のある粘着剤１４６を含むスペーサ１４７を覆うのは困難である。
しかしながら本実施形態では、スペーサ１８（第３のシリコン層１０ｃ）を含むＳＯＩウエハ３の側面３ｂが封止空間部６に向けて露出しているために、第３の金属膜８ｃはスパッタや蒸着によってフラックス残渣２４に容易に成膜（配設）される。

（作用４）
また作用１にてＳＯＩウエハ３が基板２に配設される際、基板２と薄膜１７との間隔は、スペーサ１８の厚み、つまり第３のシリコン層１０ｃの厚みによって決まる。これにより第１の電極７ａと第２の電極７ｂとの間隔は、第３のシリコン層１０ｃの厚みが調整されることで、容易に制御される。これにより所望の間隔を有する封止パッケージ１が、容易に製造され、所望の光学性能を有する封止パッケージ１が、容易に製造される。

次に本実施形態における効果について説明する。
（効果１ａ）
本実施形態では、封止パッケージ１が使用されている際（封止完了後）において、フラックス残渣２４（有機物）が封止空間部６の内部に配設され、フラックス残渣２４からアウトガスが放出されうる状況においても、作用１（第３の金属膜８ｃ）によってアウトガスの放出を遮断するため、封止空間部６内部の圧力の上昇を防止することができる。つまり本実施形態では、有機物であるフラックス残渣２４が封止空間部６に存在しても、封止空間部６の圧力の上昇を防止することができる。

（効果１ｂ）
また本実施形態では、作用１（第３の金属膜８ｃ）によってアウトガスの放出を遮断するため、蓋５の封止空間側の面である裏面５ａと反射膜１７ｃとを、アウトガスによって汚すことなく、クリーンに維持することができ、封止パッケージ１と可変形状鏡２０との所望な光学的な機能を維持することができる。これにより本実施形態では、蓋５を透過する光に対する透過率の低下及び反射膜１７ｃの反射率の低下を防止することができ、例えば光量の少ない微弱な光も薄膜１７によって容易に反射することができ、所望の光学性能を有する封止パッケージ１を提供することができる。

（効果２ａ）
また本実施形態では、効果１ａと同様に、作用２（第３の金属膜８ｃ）によっても、封止空間部６内部の圧力の上昇を防止することができる。

（効果２ｂ）
また本実施形態では、作用２（第３の金属膜８ｃ）によっても、効果１ｂと同様の効果を得ることができる。

（効果３）
また本実施形態では、２枚の基板であるＳＯＩウエハ３（薄膜１７）と基板２と相対させて接合する構成において、作用３（第３の金属膜８ｃ）によって、封止空間部６内部の圧力の上昇を防止することができる。

また本実施形態では、作用３によって、スペーサ１８（第３のシリコン層１０ｃ）を含むＳＯＩウエハ３の側面３ｂを露出させているために、第３の金属膜８ｃをスパッタや蒸着によってフラックス残渣２４に容易に成膜（配設）することができる。

（効果４）
また本実施形態では、第１の電極７ａと第２の電極７ｂとの間で発生する静電力は、第１の電極７ａと第２の電極７ｂとの間隔の逆数の２乗に比例する。そのため本実施形態では、作用４（スペーサ１８の厚み）によって、薄膜１７の駆動精度を容易に制御でき、所望の光学性能を有する封止パッケージ１を容易に製造することができる。

また本実施形態では、封止されているデバイスが可変形状鏡２０に限定される必要はない。デバイスは、例えばＭＥＭＳデバイス、特に静電力によって駆動するＭＥＭＳデバイス、例えば反射面を有する駆動体が１本または２本の梁によって固定部に支持された静電駆動型光偏向装置などにおいても、同様の作用効果が得られる。

なお封止空間部６は、減圧雰囲気で維持されている。そのため本実施形態では、大気中の水分によって封止パッケージ１が劣化することを防止できる。また本実施形態では、薄膜１７を共振駆動させる場合、大気による減衰が大気中より小さくなるという効果を生じるので、同じ駆動力でも薄膜１７の変位量を大きくすることができる。

なお本実施形態では、ハンダ材２２が第１の金属膜８ａと第２の金属膜８ｂとに接合し、基板２とＳＯＩウエハ３とを接合することができ（表面２ａと側面３ｂとを接合することができ）、基板２とＳＯＩウエハ３との接合強度が保たれれば、第２の金属膜８ｂは、側面３ｂ全体に配設される必要はない。第２の金属膜８ｂは、例えば側面１１ｂにまで配設されるのみでもよい。

次に図２を参照して第２の実施形態について説明する。前述した第１の実施形態と同一部位については同符合を付し、その詳細な説明は省略する。

本実施形態では、第１の実施形態で示した封止パッケージ１には、蓋５に対向する第２の部材の上面と第２の部材の側面とに連接する成膜容易化領域３１が設けられている。

具体的に述べると、蓋５に対向するＳＯＩウエハ３（第１のシリコン層１０ａ）の上面１３ａとＳＯＩウエハ３（可変形状鏡２０）の側面３ｂとに連接する成膜容易化領域３１が設けられている。

成膜容易化領域３１は、第１のシリコン層１０ａの一部を除去し、その結果幅Ｄ１を幅Ｗ１（Ｗ１＜Ｄ１）にすることにより設けられている。

本実施形態はＳＯＩウエハ３を用いて可変形状鏡２０を構成しているため、以下のように構成を表すこともできる。

ＳＯＩウエハ３は、第１のシリコン層１０ａと、第１のシリコン層１０ａが積層し、第１のシリコン層１０ａよりも外形が大きい第２のシリコン層１０ｂ並びに第３のシリコン層１０ｃ並びにシリコン酸化膜１５を有している。即ち、第２の部材は、一方の部材と、一方の部材が積層し、一方の部材よりも外形が大きい他方の部材とを有することを特徴とする第１実施形態記載の封止パッケージである。このようなＳＯＩウエハ３を用いた構成の場合、当該一方の部材（第１のシリコン層１０ａ）の厚みを正確に制御することによって、成膜容易化領域３１の高さを比較的容易に制御することが可能である。

なお、第２の金属膜８ｂは、第２のシリコン層１０ｂの側面１１ｂ並びに第３のシリコン層１０ｃの側面１１ｃ並びにシリコン酸化膜１５の側面に設けられる。

次に本実施形態の作用について説明する。

（作用２−１）
成膜容易化領域３１が存在し幅Ｗ１は幅Ｄ１よりも小さいため、第３の金属膜８ｃがスパッタや蒸着によってフラックス残渣２４に成膜される際、第１のシリコン層１０ａに遮られにくい。そのため例えばスパッタ法や蒸着法などで第３の金属膜８ｃをフラックス残渣２４に成膜する際、ＳＯＩウエハ３とターゲットとの位置関係やＳＯＩウエハ３と蒸発源との位置関係などを比較的考慮しなくても、第３の金属膜８ｃはフラックス残渣２４に比較的容易に成膜される。

次に本実施形態における効果について説明する。
（効果２−１）
本実施形態では、作用２−１によって、第３の金属膜８ｃをスパッタや蒸着によって比較的容易にフラックス残渣２４に成膜することができるために、フラックス残渣２４から放出されるアウトガスをより容易に遮断することができ、封止空間部６内部の圧力の上昇をより容易に防止することができる。

なお製造時に、薄膜１７を形成するために第１のシリコン層１０ａの一部を除去する製造工程と一緒に除去すると製造工程が増えずに成膜容易化領域３１を形成可能で好ましい。

本実施形態は以下のような変形も可能である。

成膜容易化領域３１は、第１のシリコン層１０ａの一部(Ｄ１とＷ１との間の部分)を除去し設けられることに限定されない。例えば、第１のシリコン層１０ａの一部(Ｄ１とＷ１との間の部分)を半分の厚みだけ除去し設けても良い。または、例えば、第１のシリコン層１０ａに加えてシリコン酸化膜１５の一部１５ａもあわせて除去し、幅Ｄ１から幅Ｗ１にして成膜容易化領域３１を設けても良い。なおこの場合は、薄膜１７を形成するために第１のシリコン層１０ａの一部とシリコン酸化膜の一部１５ａを除去する製造工程と一緒に除去すると製造工程が増えずに成膜容易化領域３１を形成可能で好ましい。更に第２のシリコン層１０ｂの一部もあわせて除去し、幅Ｄ１から幅Ｗ１にして成膜容易化領域３１を設けても良い。

また、ＳＯＩウエハ３を使わずに例えば１層のシリコン層からなるウエハで可変形状鏡２０を製造する場合は、例えばエッチングによって成膜容易化領域３１を形成する。

またハンダ材２２が第１の金属膜８ａと第２の金属膜８ｂとに接合し、基板２とＳＯＩウエハ３とを接合することができ、基板２とＳＯＩウエハ３との接合強度が保たれれば、第２の金属膜８ｂは、側面１１ｂと側面１１ｃの全体とシリコン酸化膜１５の外縁側の側面とに配設される必要はない。第２の金属膜８ｂは、例えば側面１１ｃにのみ配設される構成でもよい。

また図３に示す変形例のように、第１のシリコン層１０ａは、テーパ形状を有し、断面は中空の台形形状を有していてもよい。

つまり第１のシリコン層１０ａにおいて、第１のシリコン層１０ａの側面１１ａは、側面１１ａと上面１３ａとの間で鈍角を有し、上面１３ａに対して傾斜している傾斜面となっている。

つまりＳＯＩウエハ３は、側面３ｂと上面１３ａとの間で鈍角を有し、上面１３ａに対して傾斜している傾斜面である側面１１ａを有している。またハンダ材２２は、表面２ａと、側面１１ａを除く側面３ｂとを接合する。この側面３ｂは、側面１１ｂと側面１１ｃとの全体とシリコン酸化膜１５の外縁側の側面とである。

これにより本変形例では、例えばダイシング時に枠１６の外側角を面取り加工すると製造工程が増加しないために好適である。

次に図４Ａと図４Ｂとを参照して第３の実施形態について説明する。前述した第１の実施形態と同一部位については同符合を付し、その詳細な説明は省略する。

本実施形態の側面１１ａは、図４Ａに示すように側面１１ａと上面１３ａとの間で鈍角を有し、上面１３ａに対して傾斜している傾斜面となっている。つまりＳＯＩウエハ３は、傾斜面である側面１１ａを有している。ハンダ材２２とフラックス残渣２４と第３の金属膜８ｃとは、第１のシリコン層１０ａ（枠１６）の傾斜面を含む側面３ｂと、表面２ａとに配設されている。このときハンダ材２２は、第１のシリコン層１０ａ（枠１６）の傾斜面であり側面１１ａを含む側面３ｂと、表面２ａとを接合する。

なお側面１１ａは、図４Ｂに示すような傾斜面１４ａを有していてもよい。つまり本実施形態では、側面１１ａを傾斜させているが、側面１１ａと上面１３ａとに面取りが形成されていて、側面１１ａとは別体の傾斜面１４ａが形成されていてもよい。

第２の金属膜８ｂとハンダ材２２とフラックス残渣２４と第３の金属膜８ｃとは、図４Ａの構成においては側面１１ａ全体、図４Ｂの構成においては傾斜面１４ａ全体にまで配設される。

なおこれらの場合、ハンダ材２２が第１の金属膜８ａと第２の金属膜８ｂとに接合し、基板２とＳＯＩウエハ３とを接合することができ、基板２とＳＯＩウエハ３との接合強度が保たれれば、第２の金属膜８ｂとハンダ材２２とフラックス残渣２４と第３の金属膜８ｃとは、側面１１ａ、傾斜面１４ａ全体に配設される必要はない。第２の金属膜８ｂとハンダ材２２とフラックス残渣２４と第３の金属膜８ｃとは、例えば図４Ａの構成においては側面１１ａの途中、図４Ｂの構成においては傾斜面１４ａの途中、または側面１１ａの途中まで配設されるのみでもよい。

次に本実施形態の作用について説明する。
（作用３−１）
第３の金属膜８ｃがスパッタや蒸着によってフラックス残渣２４に成膜される際、側面１１ａが傾斜しているために、第１のシリコン層１０ａに遮られにくい。そのため例えばスパッタ法や蒸着法などで第３の金属膜８ｃをフラックス残渣２４に成膜する際、ＳＯＩウエハ３とターゲットとの位置関係やＳＯＩウエハ３と蒸発源との位置関係などを比較的考慮しなくても、第３の金属膜８ｃはフラックス残渣２４に比較的容易に成膜される。

また基板２とＳＯＩウエハ３とにおけるはんだ接合面積が確保される。

次に本実施形態における効果について説明する。
（効果３−１）
本実施形態では、作用３−１によって、第３の金属膜８ｃをスパッタや蒸着によって第１の実施形態よりも容易にフラックス残渣２４に成膜することができるために、フラックス残渣２４から放出されるアウトガスをより容易に遮断することができ、封止空間部６内部の圧力の上昇をより容易に防止することができる。

また本実施形態では、作用３−１によって、基板２とＳＯＩウエハ３との接合強度を向上させることができる。

なお上述した各実施形態とその変形例とにおいて、上述した構成は、上記に限定する必要はなく、例えば以下のように変形させても良い。

（１）
第３の金属膜８ｃは、フラックス残渣２４から放出されるアウトガスを遮断し、フラックス残渣２４よりも少ない量のアウトガスを放出することができれば、例えばＣｒとＡｕとの２層構造に限定する必要はない。また第３の金属膜８ｃは、金属膜に限定する必要はなく、例えば酸化シリコンや窒化シリコン等のシリコンの化合物であってもよい。

（２）
基板２と側壁４とは、それぞれ気体を通さない材質から構成されていればセラミック製に限定する必要はなく、例えばアルミやシリコンであってもよい。

（３）
蓋５は、気体を通さない材質であり、且つこの光の波長に対して光学的に透明な材質から構成されていれば、ホウケイ酸ガラス製に限定する必要はなく、例えばサファイアガラスや石英ガラスなどでもよい。
またこの光が赤外光である場合、蓋５は、シリコンであってもよい。
また封止されるデバイスである例えばＳＯＩウエハ３（可変形状鏡２０）において、光が封止空間部６の外部から内部に、及び封止空間部６の内部から外部に入出射する必要がない場合、蓋５は、気体を通さない材質である例えば金属であっても良い。

（４）
蓋５は、四角形に限定する必要はない。

（５）
基板２は、四角形に限定する必要はない。

（６）
枠１６と薄膜１７とは、外形が四角形で、内形が円形である必要はない。

（７）
スペーサ１８の数と配設位置と形状とは、限定されない。

（８）
第１の金属膜８ａと第２の金属膜８ｂとは、はんだ付けするための下地金属として用いることができれば、ＣｒとＮｉとＡｕとの３層構造である必要はない。

（９）
封止空間部６に配設されるデバイスは、ＳＯＩウエハ３（可変形状鏡２０）に限定する必要はなく、例えば静電駆動型光偏向装置であってもよい。

（１０）
デバイス（第２の部材）は、図５Ａと図５Ｂとに示す例えば固体撮像素子３６などの電子デバイスを含んでも良い。この場合、第２の金属膜８ｂは、固体撮像素子３６の側面３６ｂに配設されている。これにより、電子デバイスはアウトガスによって汚れることはない。そのため固体撮像素子３６の受光面３６ａは、アウトガスによって汚れにくくなり、画質が劣化しにくくなる。

（１１）
封止空間部６に配設されるデバイスの数と配設位置と種類とは、限定されない。
また複数のデバイスが封止空間部６に配設される場合、このデバイスは、同じ種類であっても、ＳＯＩウエハ３（可変形状鏡２０）と静電駆動型光偏向装置と固体撮像素子３６とのように異なる種類であっても良い。

（１２）
封止空間部６は、基板２と蓋５と複数の側壁４によって複数形成されていてもよい。この場合、（９），（１０），（１１）にて記載したように、各封止空間部６に配設されるデバイスの数と配設位置と種類とは、限定されない。

（１３）
ハンダ材２２の配設位置と数とは、限定されない。例えば第１の実施形態のようにＳＯＩウエハ３の４隅に限定されない。また例えば図５Ａの場合、ハンダ材２２は、図５Ａに示すように線分Ｂ―Ｂに垂直な２辺に配設するのみであったが、これに限定されず、例えば線分Ｂ―Ｂに平行な２辺に配設する構成等でもよい。

（１４）
可変形状鏡２０は、３層構造のＳＯＩウエハ３であるが、これに限定する必要はない。例えば可変形状鏡２０は、１層のシリコン層からなるウエハを用いてエッチング条件を管理し、エッチング量の精度を管理することで、形成してもよい。

（１５）
封止空間部６は、減圧雰囲気に維持されていることに限定されない。封止空間部６は、例えば大気圧に維持されていてもよい。一般的に減圧雰囲気では、アウトガスは比較的発生しやすい。しかしながら封止空間部６が減圧雰囲気でない場合でも、封止空間部６内部の温度上昇などの要因によって、アウトガスが発生しやすくなることがある。よって封止空間部６が減圧雰囲気でない場合も上述した各作用、各効果を得ることができる。

（１６）
第１の電極７ａの数と形状とは、限定されない。第２の電極７ｂの数と形状とは、限定されない。

本発明は、上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合せにより種々の発明を形成できる。

１…封止パッケージ、２…基板、２ａ…表面、３…ＳＯＩウエハ、３ｂ…側面、４…側壁、５…蓋、５ａ…裏面、６…封止空間部、７ａ…第１の電極、７ｂ…第２の電極、８ａ…第１の金属膜、８ｂ…第２の金属膜、８ｃ…第３の金属膜、１０ａ…第１のシリコン層、１０ｂ…第２のシリコン層、１０ｃ…第３のシリコン層、１１ａ，１１ｂ，１１ｃ…側面、１３ａ…上面、１４ａ…傾斜面、１５…シリコン酸化膜、１６…枠、１７…薄膜、１８…スペーサ、２０…可変形状鏡、２２…ハンダ材、２４…フラックス残渣、３１…成膜容易化領域、３６…固体撮像素子、３６ａ…受光面、３６ｂ…側面。

Claims (8)

1. 気密に形成される封止空間部内に第１の部材の少なくとも一部分と第２の部材とを有する封止パッケージであって、
   前記第１の部材と前記第２の部材とを接合させる接合部材と、
   前記接合部材が前記第１の部材と前記第２の部材とを接合させる際に前記第１の部材と前記第２の部材との接合に係る有機物と、
   前記有機物を覆うように成膜される膜と、
   を具備し、
   前記接合部材と前記有機物と前記膜とは、前記封止空間部の内部に配設されていることを特徴とする封止パッケージ。
2. 前記第２の部材の側面は、前記封止空間部に向けて露出し、
   前記接合部材と前記有機物と前記膜とは、前記側面側に配設されることを特徴とする請求項１に記載の封止パッケージ。
3. 前記第１の部材と前記第２の部材とは、互いに相対して積層する基板であり、
   前記接合部材は、前記第２の部材が積層する側の前記第１の部材の表面と前記側面とを接合することを特徴とする請求項２に記載の封止パッケージ。
4. 蓋に対向する前記第２の部材の上面と前記第２の部材の側面とに連接する成膜容易化領域を有することを特徴とする請求項３に記載の封止パッケージ。
5. 前記第２の部材は、蓋に対向する前記第２の部材の上面と前記側面との間で鈍角を有し、前記上面に対して傾斜している傾斜面を有し、
   前記接合部材は、前記第１の部材の表面と、前記傾斜面を除く前記側面とを接合することを特徴とする請求項３に記載の封止パッケージ。
6. 前記側面は、前記側面と前記上面との間で鈍角を有し、前記上面に対して傾斜している傾斜面を有し、
   前記接合部材は、前記傾斜面を含む前記側面と前記第１の部材の表面とを接合することを特徴とする請求項３に記載の封止パッケージ。
7. 前記第２の部材は、
   前記第１の部材に対向する一方の面に電極を有し、蓋に対向する他方の面に反射膜を有している薄膜と、
   前記薄膜に積層し、前記薄膜を全周に渡って前記第１の部材に固定する固定部と、
   前記薄膜に配設されている前記電極と、前記第１の部材の前記表面に配設されている電極との間隔を所望に保持し、前記薄膜が積層し、前記第１の部材に積層する間隔保持部と、
   を有し、
   前記薄膜と前記枠と前記スペーサとは、シリコンによって形成される基板であり、
   前記第２の部材は、前記薄膜と前記枠と前記スペーサとが互いに積層する３層の積層構造であることを特徴とする請求項３乃至６のいずれか１つに記載の封止パッケージ。
8. 前記第２の部材は、固体撮像素子を含むことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１つに記載の封止パッケージ。

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