JP2011066258A - Substrate treatment method, substrate treatment device and method of manufacturing semiconductor device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、基板処理方法、基板処理装置及び半導体装置の製造方法に関する。 The present invention relates to a substrate processing method, a substrate processing apparatus, and a semiconductor device manufacturing method.
従来の技術として、ウエハの上方から下方に向けて下降流を発生させ、発生した下降流が、回転するウエハにより上昇気流とならない流速で、下降流を排気する排気手段が知られている（例えば、特許文献１参照）。 As a conventional technique, there is known an evacuation unit that generates a downward flow from the upper side to the lower side of a wafer, and exhausts the downward flow at a flow velocity at which the generated downward flow does not become an upward flow by the rotating wafer (for example, , See Patent Document 1).
この排気手段によれば、ウエハを乾燥させるスピン乾燥処理において、ウエハの主面から液切りされた液滴の、主面への再付着を行わせないようにすることができるとしている。 According to this evacuation means, in the spin drying process for drying the wafer, it is possible to prevent the liquid droplets drained from the main surface of the wafer from being reattached to the main surface.
従来、ウエハのみならず、フォトマスクやＦＰＤ（Flat Panel Display）用マスクといった平面矩形状の基板の乾燥についても、スピン乾燥法が用いられている。しかし、スピン乾燥法では、基板の回転によって裏面側に回りこむ液滴が発生し、その液滴による裏面側の汚染防止が課題となっている。 Conventionally, spin drying is used for drying not only wafers but also planar rectangular substrates such as photomasks and FPD (Flat Panel Display) masks. However, in the spin drying method, a droplet that wraps around to the back side due to the rotation of the substrate is generated, and it is a problem to prevent the back side from being contaminated by the droplet.
本発明の目的は、基板の処理対象面、及び処理対象面に対向する面の汚染を防止する基板処理方法、基板処理装置及び半導体装置の製造方法を提供することにある。 An object of the present invention is to provide a substrate processing method, a substrate processing apparatus, and a method for manufacturing a semiconductor device that prevent contamination of a processing target surface of a substrate and a surface facing the processing target surface.
本発明の一態様は、基板の側面を保持し、前記基板の処理対象面に処理液を接触させ、前記処理液に向けて気体を吐出して前記処理液を前記基板から分離させることを含む基板処理方法を提供する。 One embodiment of the present invention includes holding a side surface of a substrate, bringing a processing liquid into contact with a processing target surface of the substrate, and discharging the gas toward the processing liquid to separate the processing liquid from the substrate. A substrate processing method is provided.
本発明の他の一態様は、基板の側面を保持する保持部と、前記基板の処理対象面に処理液を吐出する処理液吐出部と、前記基板に吐出した前記処理液に向けて気体を吐出し、前記処理液を前記基板から分離させる気体吐出部と、を備えた基板処理装置を提供する。 According to another aspect of the present invention, a holding unit that holds a side surface of a substrate, a processing liquid discharge unit that discharges a processing liquid to a processing target surface of the substrate, and a gas toward the processing liquid discharged to the substrate There is provided a substrate processing apparatus comprising: a gas discharging unit that discharges and separates the processing liquid from the substrate.
本発明の他の一態様は、上記に記載の基板処理方法、又は上記に記載の基板処理装置を用いる半導体装置の製造方法を提供する。 Another embodiment of the present invention provides a method for manufacturing a semiconductor device using the substrate processing method described above or the substrate processing apparatus described above.
本発明によれば、基板の処理対象面、及び処理対象面に対向する面の汚染を防止することができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the contamination of the process target surface of a board | substrate and the surface facing a process target surface can be prevented.
[第１の実施の形態]
（基板処理装置の構成）
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る基板処理装置の構成ブロック図である。この基板処理装置１は、例えば、ＥＵＶ（Extreme Ultra-Violet）マスクの製造前後における洗浄処理後の乾燥処理を行う。このＥＵＶマスクは、ＥＵＶ光を用いるＥＵＶフォトリソグラフィ法に用いられる。ＥＵＶフォトリソグラフィ法とは、例えば、光源から出射された軟Ｘ線領域の光であるＥＵＶ光（波長１３．５ｎｍ）を照明光学系で集光してＥＵＶマスクに照射し、ＥＵＶマスクを反射した反射光のマスクパターン像を縮小光学系で縮小し、ウエハ上に転写するものである。なお、乾燥処理対象となる基板は、フォトマスク用基板、インプリント用テンプレート及びＦＰＤ用マスク等でも良く、それらの製造途中の基板でも、メンテナンスにおける洗浄処理後の基板でも良い。以下では、ＥＵＶマスクの製造途中のマスク用基板の洗浄処理後の乾燥処理について説明する。
[First embodiment]
(Configuration of substrate processing equipment)
FIG. 1 is a block diagram showing the configuration of the substrate processing apparatus according to the first embodiment of the present invention. The substrate processing apparatus 1 performs, for example, a drying process after a cleaning process before and after manufacturing an EUV (Extreme Ultra-Violet) mask. This EUV mask is used for EUV photolithography using EUV light. The EUV photolithography method is, for example, collecting EUV light (wavelength: 13.5 nm) emitted from a light source in a soft X-ray region with an illumination optical system, irradiating the EUV mask, and reflecting the EUV mask. A mask pattern image of reflected light is reduced by a reduction optical system and transferred onto a wafer. Note that the substrate to be dried may be a photomask substrate, an imprint template, an FPD mask, or the like, and may be a substrate in the middle of manufacture or a substrate after a cleaning process in maintenance. Below, the drying process after the cleaning process of the mask substrate in the process of manufacturing the EUV mask will be described.
基板処理装置１は、図１に示すように、処理チャンバ１０と、ノズル１２と、保持部としての基板チャック１４と、リザーバ１６と、記憶部１８と、入力部２０と、出力部２２と、制御部１００とを備えて概略構成されている。
As shown in FIG. 1, the substrate processing apparatus 1 includes a processing chamber 10, a
処理チャンバ１０は、例えば、ノズル１２、基板チャック１４、基板チャック１４を駆動するアクチュエータ１４６及びリザーバ１６を収容する。
The processing chamber 10 contains, for example, a
図２（ａ）は、本発明の第１の実施の形態に係るノズル及び基板チャックに保持されたマスク用基板の要部断面図であり、（ｂ）は、ノズルを主面側から見た斜視図である。なお、本実施の形態において、基板チャック１４に保持されたマスク用基板３は、処理チャンバ１０に対して静止しており、図２（ａ）に示す下向きの矢印Ａは、ノズル１２の移動方向を示している。
2A is a cross-sectional view of the main part of the mask substrate held by the nozzle and the substrate chuck according to the first embodiment of the present invention, and FIG. 2B is a view of the nozzle from the main surface side. It is a perspective view. In the present embodiment, the
ノズル１２は、図２（ａ）に示すように、本体１２０と、気体吐出部１２２と、吸引部１２４と、処理液吐出部１２６と、を備えて概略構成されている。
As shown in FIG. 2A, the
本体１２０は、図２（ｂ）に示すように、例えば、矩形状の立体である。
As shown in FIG. 2B, the
気体吐出部１２２は、ノズル１２の主面１２０ａから裏面１２０ｂを貫通する孔であり、本体１２０の裏面１２０ｂ側に設けられた開口１２２ａと、本体１２０の内部に設けられ、開口１２２ａと開口１２２ｃを接続する流路１２２ｂと、本体１２０の主面１２０ａ側に設けられた開口１２２ｃとを備えて概略構成されている。
The
また気体吐出部１２２は、フィルタ等で浄化された気体４が、気体吐出用ポンプ１２３から送り出され、開口１２２ａ、流路１２２ｂを介して開口１２２ｃから吐出し、後述する付着物６をマスク用基板３から分離させる。
In addition, the
開口１２２ａは、気体吐出用ポンプ１２３と接続されている。開口１２２ｃは、例えば、マスク用基板３の幅Ｗの長さに等しいスリット形状を有している（図２（ｂ）参照。）。
The
流路１２２ｂは、図２（ａ）に示すように、主面１２０ａと裏面１２０ｂ間の最短の距離ではなく、気体４が効果的にマスク用基板３上の付着物６を移動させるように、また、ノズル１２の移動方向である矢印Ａ方向に気体４を効果的に吐出するように傾斜している。
As shown in FIG. 2A, the
ここで、付着物６とは、例えば、マスク用基板３に形成されたレジスト膜の現像処理及びリンス処理の後、マスク用基板３上に残存するレジスト材、リンス液、埃等を含むものである。なお、後述する処理液５がマスク用基板３上に吐出された後は、処理液５を含めて付着物６と記載する。
Here, the adhering
吸引部１２４は、ノズル１２の主面１２０ａから裏面１２０ｂを貫通する孔であり、本体１２０の主面１２０ａ側に設けられた開口１２４ａと、本体１２０の内部に設けられ、開口１２４ａと開口１２４ｃを接続する流路１２４ｂと、本体１２０の裏面１２０ｂ側に設けられた開口１２４ｃとを備えて概略構成されている。
The
吸引用ポンプ１２５は、気体吐出部１２２の開口１２２ｃからマスク用基板３の処理対象面である主面３ａに向けて吐出された気体４を、吸引部１２４の開口１２４ａ、流路１２４ｂを介して開口１２４ｃから吸引する。
The
開口１２４ｃは、吸引用ポンプ１２５と接続されている。開口１２４ａは、マスク用基板３の幅Ｗの長さに等しいスリット形状を有している（図２（ｂ）参照。）。
The
流路１２４ｂは、図２（ａ）に示すように、主面１２０ａと裏面１２０ｂ間の最短の距離ではなく、気体吐出部１２２の開口１２２ｃより吐出した気体４を効果的に吸引できるように傾斜している。
As shown in FIG. 2 (a), the
処理液吐出部１２６は、ノズル１２の主面１２０ａから裏面１２０ｂを貫通する孔であり、本体１２０の裏面１２０ｂ側に設けられた開口１２６ａと、本体１２０の内部に設けられ、開口１２６ａと開口１２６ｃを接続する流路１２６ｂと、本体１２０の主面１２０ａ側に設けられた開口１２６ｃとを備えて概略構成されている。
The treatment
処理液吐出部１２６は、処理液５が、処理液吐出用ポンプ１２７から送り出され、開口１２６ａ、流路１２６ｂを介して開口１２６ｃから吐出し、処理対象面に処理液５を接触させる。
The processing
開口１２６ａは、処理液吐出用ポンプ１２７と接続されている。開口１２６ｃは、マスク用基板３の幅Ｗの長さに等しいスリット形状を有している（図２（ｂ）参照。）。
The
流路１２６ｂは、例えば、図２（ａ）に示すように、主面１２０ａと裏面１２０ｂ間の最短の距離となっている。
For example, as shown in FIG. 2A, the
この処理液５は、例えば、フィルタ等によって処理された純水である。また処理液５は、例えば、酸化又は還元といった特性を有する液体等であっても良い。この処理液５は、例えば、マスク用基板３に付着するパーティクルやレジスト材の残りの、マスク用基板３からの分離を容易にするものである。
The
ノズル１２は、アクチュエータ１２８と接続されており、アクチュエータ１２８による駆動によって移動する。本実施の形態においてノズル１２は、例えば、基板チャック１４に保持されたマスク用基板３の上方から下方に移動しながらマスク用基板３の乾燥処理を行う。
The
基板チャック１４は、マスク用基板３の側面３ｃ、３ｄからマスク用基板３を保持する機構を備え、アクチュエータ１４６によって駆動する。基板チャック１４は、例えば、マスク用基板３の側面３ｃ側に第１の吸引部１４２と、マスク用基板３の側面３ｄ側に第２の吸引部１４４を備えている。
The
第１の吸引部１４２は、基板チャック１４の側面１４０ａからマスク用基板３を保持する側面１４０ｂまで貫通する孔であり、基板チャック１４の側面１４０ａ側に設けられた開口１４２ａと、本体１４０の内部に設けられ、開口１４２ａと開口１４２ｃを接続する流路１４２ｂと、本体１４０のマスク用基板３側の側面１４０ｂに設けられた開口１４２ｃと、本体１４０の主面１４ａのマスク用基板３側に設けられた開口１４２ｄを備えて概略構成されている。
The
開口１４２ａは、チャック用ポンプ１４８と接続されている。開口１４２ｄは、例えば、マスク用基板３の幅Ｗの長さに等しいスリット形状を有している。
The opening 142 a is connected to the
第２の吸引部１４４は、基板チャック１４の側面１４０ｃからマスク用基板３を保持する側面１４０ｄまで貫通する孔であり、基板チャック１４の側面１４０ｃ側に設けられた開口１４４ａと、本体１４０の内部に設けられ、開口１４４ａと開口１４４ｃを接続する流路１４４ｂと、本体１４０のマスク用基板３側の側面１４０ｄに設けられた開口１４４ｃと、本体１４０の主面１４ａのマスク用基板３側に設けられた開口１４４ｄを備えて概略構成されている。
The
開口１４４ａは、チャック用ポンプ１４８と接続されている。開口１４４ｄは、例えば、マスク用基板３の幅Ｗの長さに等しいスリット形状を有している。
The
また、チャック用ポンプ１４８は、第１及び第２の吸引部１４２、１４４内を吸引することによってマスク用基板３との密着性を高め、さらに、主面１４ａ側の開口１４２ｄ、１４４ｄ付近の付着物６を吸引するので、マスク用基板３の裏面３ｂに回り込む液滴等を防止する。
The
さらに、基板チャック１４は、その主面１４ａがマスク用基板３の主面３ａと段差がないように構成される。この構成によって、主面１４ａと主面３ａの接触する部分に付着物６が溜まることを防ぐ。また同様に、基板チャック１４は、その裏面１４ｂとマスク用基板３の裏面３ｂとの段差がないように構成される。
Further, the
リザーバ１６は、例えば、処理チャンバ１０内に設けられ、マスク用基板３を裏返したり、垂直に立てたりするものである。
The
記憶部１８は、例えば、ＨＤＤ（Hard Disk Drive）等からなり、乾燥処理等の工程のデータである工程データ１８０を記憶する。制御部１００は、基板処理装置１に電源が投入されると、この工程データ１８０を記憶部１８から読み込むものとする。
The
入力部２０は、例えば、キーボード等の入力装置、コンピュータ等の外部装置と接続されている。また、入力部２０は、例えば、マスク用基板３を製造する露光装置等に接続されている。
The
出力部２２は、例えば、モニタ等の表示装置、コンピュータ、露光装置等の外部装置と接続されている。
The
制御部１００は、例えば、ＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＲＡＭ（Random Access Memory）、ＲＯＭ（Read Only Memory）等からなり、気体吐出用ポンプ１２３、吸引用ポンプ１２５、処理液吐出用ポンプ１２７、アクチュエータ１２８、アクチュエータ１４６、チャック用ポンプ１４８、リザーバ１６、記憶部１８、入力部２０及び出力部２２を制御する。
The
図３（ａ）は、本発明の第１の実施の形態に係るマスクの上面図であり、（ｂ）は、マスクの側面図である。マスク３Ａは、例えば、ＥＵＶマスクであり、図３（ａ）に示すように、本体３００と、本体３００の主面３ａ側に形成され、縮小投影されるパターンが形成された主要パターン部３０１と、位置決めのために主要パターン部３０１の周囲に形成された複数のアライメントマーク部３０２と、を備えて概略構成されている。
FIG. 3A is a top view of the mask according to the first embodiment of the present invention, and FIG. 3B is a side view of the mask. The
マスク３Ａは、例えば、図３（ａ）及び（ｂ）に示すように、上面視で正方形状となっており、側面３ｃから側面３ｄまでの幅Ｌが６インチで、側面３ｅから側面３ｆまでの幅Ｗが６インチで、厚さＨが０．２５インチである。ノズル１２の開口１２２ｃ、１２４ｃ及び１２６ｃは、この幅Ｗと同じ幅で形成されている。なお、マスク３Ａの形状は、上記に限定されず、矩形状等でも良い。
For example, as shown in FIGS. 3A and 3B, the
以下に、本実施の形態のマスク３Ａの製造方法の一例について説明する。
Below, an example of the manufacturing method of the
（マスクの製造）
図４（ａ）〜（ｄ）は、本発明の第１の実施の形態に係るマスクの製造工程の一例を示す要部断面図である。
(Manufacture of masks)
4A to 4D are cross-sectional views of relevant parts showing an example of a mask manufacturing process according to the first embodiment of the present invention.
まず、図４（ａ）に示すように、主面側に、多層膜３２、キャッピング層３３、バッファ層３４、吸収体積層膜３５及びレジスト膜３６が積層され、裏面側に導電膜３１が形成された基材３０からなるマスク用基板３を準備する。
First, as shown in FIG. 4A, a
基材３０は、例えば、超低熱膨張材料であるＴｉドープ石英ガラス、ガラスセラミック等が用いられる。
For the
導電膜３１は、導電性を有する材料からなる膜であり、例えば、スパッタ法によって成膜されたＣｒ膜である。ＥＵＶリソグラフィ装置は、静電チャック方式によってマスク３Ａを保持するので、マスク３Ａの裏面３ｂ側に導電性を有する膜が必要となる。
The
多層膜３２は、例えば、ＭｏとＳｉの薄膜を交互に４０〜５０層程度積層してなるものである。Ｍｏからなる薄膜は、例えば、スパッタ法等によって成膜される。Ｓｉからなる薄膜は、例えば、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法等によって成膜される。
The
キャッピング層３３は、多層膜３２の最上層に形成された保護膜であり、パターン形成後の開口から露出するものであり、例えば、Ｒｕ又はＳｉ等からなる。Ｒｕからなる膜は、例えば、スパッタ法等によって成膜される。Ｓｉからなる膜は、例えば、ＣＶＤ法等によって成膜される。
The
バッファ層３４は、吸収体積層膜３５とのエッチング選択比が取れる材料からなり、例えば、ＣｒＮ、ＳｉＯ２等が用いられる。ＣｒＮは、例えば、ＣＶＤ法等によって成膜される。ＳｉＯ２は、例えば、熱酸化法、ＣＶＤ法等によって成膜される。
The
吸収体積層膜３５は、マスクパターンとなる膜であり、例えば、ＴａＮ、ＴａＢＮ、ＴａＧｅＮ等が用いられ、ＣＶＤ法等によって成膜される。
The absorber laminated
レジスト膜３６は、例えば、スピンコート法によって吸収体積層膜３５上に形成される。
The resist
次に、図４（ｂ）に示すように、電子線描画装置７によってレジスト膜３６にパターンを描画してレジスト膜３６に潜像を形成し、続いてＰＥＢ（Post Exposure Baking）を行う。
Next, as shown in FIG. 4B, a pattern is drawn on the resist
次に、図４（ｃ）に示すように、現像処理及びリンス処理を行ってレジストパターン３７を形成する。ここで、リンス処理後の乾燥処理について、以下で詳しく説明する。 Next, as shown in FIG. 4C, development processing and rinsing processing are performed to form a resist pattern 37. Here, the drying process after the rinsing process will be described in detail below.
図５Ａ（ａ）〜図５Ｂ（ｄ）は、本発明の第１の実施の形態に係るマスクの乾燥処理に関する工程図である。 5A (a) to 5B (d) are process diagrams relating to the drying process of the mask according to the first embodiment of the present invention.
まず、図５Ａ（ａ）に示すように、制御部１００は、リザーバ１６を駆動してマスク用基板３を側面３ｃが上、側面３ｄが下になるように回転させ、続いて、アクチュエータ１４６を駆動し、付着物６が残存するマスク用基板３を基板チャック１４によって保持する。
First, as shown in FIG. 5A (a), the
このとき、マスク用基板３の主面３ａに残存する付着物６は、重力により落下するが完全には乾かない。
At this time, the
次に、図５Ａ（ｂ）に示すように、制御部１００は、アクチュエータ１２８を介してノズル１２を制御して、ノズル１２をマスク用基板３の上方から下方に向けて処理液吐出部１２６側から移動させる。なお、ノズル１２が固定で、基板チャック１４が移動しても良いし、ノズル１２と基板チャック１４が共に移動しても良い。
Next, as shown in FIG. 5A (b), the
次に、制御部１００は、チャック用ポンプ１４８を制御して、第１及び第２の吸引部１４２、１４４の開口１４２ａ、１４４ａ及び流路１４２ｂ、１４４ｂを介して開口１４２ｄ、１４４ｄからの吸引を開始する。この吸引は、乾燥処理が終了するまで、続けられる。
Next, the
次に、制御部１００は、ノズル１２の下方向の移動により、マスク用基板３と基板チャック１４の境界付近に処理液吐出部１２６の開口１２６ｃが接近すると、処理液吐出用ポンプ１２７を駆動し、処理液吐出部１２６の開口１２６ａ及び流路１２６ｂを介して開口１２６ｃから処理液５をマスク用基板３に向けて吐出する。
Next, when the
ここで、ノズル１２の主面１２０ａとマスク用基板３の主面３ａ間の付着物６は、主面１２０ａと主面３ａの両面に接していることが望ましい。そこで、処理液５の流量を考慮し、ノズル１２の主面１２０ａとマスク用基板３の主面３ａ間の間隔は、例えば、数μｍ〜３ｍｍ程度が望ましい。
Here, the
次に、制御部１００は、続くノズル１２の下方向の移動により、基板チャック１４の側面１４０ａ付近に気体吐出部１２２の開口１２２ｃが接近すると、気体吐出用ポンプ１２３を駆動し、気体吐出部１２２の開口１２２ａ及び流路１２２ｂを介して開口１２２ｃから気体４をマスク用基板３に向けて吐出する。この気体４は、付着物６の端部６０に下方向の圧力を付加する。
Next, when the
次に、制御部１００は、吸引用ポンプ１２５を駆動し、吸引部１２４の開口１２４ｃ及び流路１２４ｂを介して開口１２４ａから、付着物６の端部６０に対して圧力を付加した気体４の吸引を開始する。なお、吸引部１２４を介しての吸引は、マスク用基板３に向けて吐出された気体４のみの吸引が望ましい。
Next, the
次に、図５Ｂ（ｃ）に示すように、ノズル１２が下方向に移動しながら、気体吐出部１２２の開口１２２ｃから吐出する気体４がマスク用基板３の主面３ａとノズル１２の主面１２０ａ間の付着物６の端部６０に圧力を付加することで、付着物６を下方に移動させ、吸引部１２４は、当該気体４を開口１２４ａから吸引する。
Next, as shown in FIG. 5B (c), the
そして、気体４によって下方に移動させられた付着物６は、マスク用基板３の主面３ａとノズル１２の主面１２０ａ間から基板チャック１４の主面１４ａとノズル１２の主面１２０ａ間に移動し、さらに、基板チャック１４とノズル１２から離れて落下する。
The
次に、図５Ｂ（ｄ）に示すように、制御部１００は、アクチュエータ１２８を介してノズル１２をさらに下方に移動させると、マスク用基板３の主面３ａ及び基板チャック１４の主面１４ａとノズル１２の主面１２０ａの間の付着物６が、完全に下方に落下し、マスク用基板３の処理対象面である主面３ａ側の乾燥処理を終了する。
Next, as shown in FIG. 5B (d), when the
次に、制御部１００は、アクチュエータ１２８を制御し、ノズル１２を初期位置に戻す。続いて、制御部１００は、リザーバ１６を制御し、マスク用基板３の裏面３ｂがノズル１２側となるように、基板チャック１４に保持されたマスク用基板３を回転させる。続く裏面３ｂの乾燥処理は、上記の主面３ａの乾燥処理と同様に行われる。
Next, the
次に、図４（ｄ）に示すように、ＲＩＥ（Reactive Ion Etching）法によってレジストパターン３７をマスクとして吸収体積層膜３５とバッファ層３４を選択的にエッチングし、レジストパターン３７の開口にキャッピング層３３を露出させた後、レジストパターン３７を除去してマスク３Ａを得る。
Next, as shown in FIG. 4D, the absorber laminated
以下に、本実施の形態における基板処理装置１によって乾燥処理が行われたマスク３Ａを用いた半導体装置の製造方法の一例について説明する。
Below, an example of the manufacturing method of the semiconductor device using the
（半導体装置の製造）
図６（ａ）〜（ｃ）は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一例を示す要部断面図である。
(Manufacture of semiconductor devices)
6A to 6C are cross-sectional views of relevant parts showing an example of a method for manufacturing a semiconductor device according to the first embodiment of the present invention.
まず、上記の基板処理装置１によって乾燥処理が行われて製造されたマスク３Ａを準備する。
First, a
続いて、図６（ａ）に示すように、半導体基板７０上に、ＣＶＤ法等によって被加工膜７１を形成し、形成した被加工膜７１上に、スピンコート法等によってレジスト膜７２を形成する。
Subsequently, as shown in FIG. 6A, a processed
半導体基板７０は、例えば、Ｓｉを主成分とするＳｉ系基板である。
The
被加工膜７１は、例えば、単膜でも良いし、多数の膜が積層された積層膜でも良い。
The processed
次に、図６（ｂ）に示すように、ＥＵＶリソグラフィ法によってマスク３Ａの主要パターン部３０１に形成されたパターンをレジスト膜７２に潜像形成し、現像処理及びリンス処理等を行ってレジストパターン７３を形成する。
Next, as shown in FIG. 6B, a pattern formed on the main pattern portion 301 of the
次に、図６（ｃ）に示すように、ＲＩＥ法によってレジストパターン７３をマスクとして被加工膜７１をエッチングし、レジストパターン７３を除去する。続いて、周知の工程を経て、所望の半導体装置を得る。
Next, as shown in FIG. 6C, the
（第１の実施の形態の効果）
本発明の第１の実施の形態によれば、以下の効果が得られる。
（１）マスク用基板３を立てて保持し、ノズル１２によって乾燥処理を行うことで、マスク用基板３を回転させて乾燥させる場合に比べ、マスク用基板３の乾燥対象の面の裏面側の汚染を防止し、また、乾燥対象の面を確実に乾燥させることができる。
（２）基板チャック１４によってマスク用基板３の側面３ｃ、３ｄ側から保持するので、マスク用基板３の側面を保持しない場合に比べ、マスク用基板３の主面３ａ及び裏面３ｂに基板チャック１４が接触することがなく、マスク用基板３の主面３ａ及び裏面３ｂを傷つけない。また、マスク用基板３を立てる際、マスク用基板３の上部と下部を基板チャック１４で保持するので、落下することなく安定してマスク用基板３を保持することができる。
（３）ノズル１２を介して気体４の吐出と吸引を行うので、吐出した気体４の吸引を行わない場合と比べ、ノズル１２の主面１２０ａとマスク用基板３の主面３ａ間の気体４の付着物６に対する圧力を一定に保つことができる。付着物６に対する気体４の圧力を一定に保つことによって、乾燥速度を均一にすることができる。
（４）ノズル１２から処理液５をマスク用基板３に吐出するので、処理液５をマスク用基板３に塗布しない場合に比べ、付着物６の剥離が容易となる。
（５）ノズル１２から処理液５の吐出と、気体４の吐出及び吸引を行うので、マスク用基板３上の濡れ性が面内で異なっていても、マスク用基板３を回転させて乾燥させる場合に比べ、付着物６の剥離が容易となることで面内の濡れ性が均一になり、その結果、乾燥速度がより均一になるので、マスク用基板３を確実に乾燥することができる。
（６）基板チャック１４とマスク用基板３の間に開口１４２ｄ、１４４ｄが設けられているので、基板チャック１４とマスク用基板３の間に開口が無い場合と比べ、基板チャック１４の主面１４ａとマスク用基板３の主面３ａとの境界付近の付着物６を吸引することができ、マスク用基板３の乾燥対象の面の裏面の汚染を防止することができる。
（７）乾燥処理中は、ノズル１２がマスク用基板３の主面３ａ側を覆っているので、ノズル１２がマスク用基板３を覆わない場合に比べ、乾燥処理中の付着物６がミストとなってマスク用基板３に再付着することを防止することができる。
（８）ノズル１２の主面１２０ａとマスク用基板３の主面３ａに付着物６が接触するので、接触しない場合と比べ、吐出した気体４の抜けが無くなり、付着物６に一定の圧力を付加することができる。
（９）マスク用基板３の側面３ｄを下側にして基板チャック１４にて保持するので、マスク用基板３を水平に保持する場合に比べ、付着物６が重力によって落下し易くなり、マスク用基板３を乾燥させ易い。
（１０）マスク用基板３に対する汚染がないので、マスク用基板３を加工して形成されるマスク３Ａを半導体装置の製造に用いない場合に比べ、半導体装置の製造の歩留まりを向上させることができる。また、マスク用基板３の裏面３ｂの検査が容易となるため、ＴＡＴ（Turn Around Time）が短縮される。
（１１）上記の製造工程を経て製造されたマスク３Ａを用いて、半導体装置の製造を行うことによって、上記のマスク３Ａを半導体装置の製造に用いない場合と比べ、特に、マスク３Ａの裏面３ｂの汚染が低減するため、露光処理の際のマスク３Ａの保持において汚染が起因のチャッキングの歪みが低減でき、精度の高い半導体装置の製造が行える。
(Effects of the first embodiment)
According to the first embodiment of the present invention, the following effects can be obtained.
(1) By holding the
(2) Since the
(3) Since the
(4) Since the
(5) Since the
(6) Since the
(7) Since the
(8) Since the
(9) Since the
(10) Since the
(11) By manufacturing the semiconductor device using the
［第２の実施の形態］
図７Ａ（ａ）〜図７Ｂ（ｄ）は、本発明の第２の実施の形態に係るマスク用基板の乾燥処理に関する工程図である。第２の実施の形態は、マスク用基板３が水平に保持されている点で第１の実施の形態と異なっている。なお、以下の各実施の形態において、第１の実施の形態と同様の機能及び構成を有する部分については、同じ符号を付し、説明を省略するものとする。また、マスクの製造方法、及び製造したマスクを用いた半導体装置の製造方法は、第１の実施の形態と同様の工程であるので、説明を省略し、主に、マスク用基板の乾燥処理について説明する。
[Second Embodiment]
FIGS. 7A (a) to 7B (d) are process diagrams relating to the drying process of the mask substrate according to the second embodiment of the present invention. The second embodiment is different from the first embodiment in that the
以下に、本実施の形態に係る基板処理装置１によるマスク用基板３の乾燥処理について説明する。
Below, the drying process of the
（マスク用基板の乾燥処理）
まず、図７Ａ（ａ）に示すように、制御部１００は、アクチュエータ１４６を駆動し、マスク用基板３を基板チャック１４によって保持する。
(Drying of mask substrate)
First, as shown in FIG. 7A (a), the
次に、図７Ｂ（ｂ）に示すように、制御部１００は、アクチュエータ１２８を介してノズル１２を制御して、ノズル１２をマスク用基板３の図面左から右方向（図７Ａ（ｂ）に示す矢印Ｂ方向。）に処理液吐出部１２６側から移動させる。なお、ノズル１２が固定で、基板チャック１４が移動しても良いし、ノズル１２と基板チャック１４が共に移動しても良い。
Next, as shown in FIG. 7B (b), the
次に、制御部１００は、チャック用ポンプ１４８を制御して、第１及び第２の吸引部１４２、１４４の開口１４２ａ、１４４ａ及び流路１４２ｂ、１４４ｂを介して開口１４２ｄ、１４４ｄからの吸引を開始する。この吸引は、乾燥処理が終了するまで、続けられる。
Next, the
次に、制御部１００は、ノズル１２の矢印Ｂ方向の移動により、マスク用基板３と基板チャック１４の境界付近に処理液吐出部１２６の開口１２６ｃが接近すると、処理液吐出用ポンプ１２７を駆動し、処理液吐出部１２６の開口１２６ａ及び流路１２６ｂを介して開口１２６ｃから処理液５をマスク用基板３に向けて吐出する。
Next, when the
次に、制御部１００は、続くノズル１２の矢印Ｂ方向の移動により、基板チャック１４の側面１４０ａ付近に気体吐出部１２２の開口１２２ｃが接近すると、気体吐出用ポンプ１２３を駆動し、気体吐出部１２２の開口１２２ａ及び流路１２２ｂを介して開口１２２ｃから気体４をマスク用基板３に向けて吐出する。この気体４は、付着物６の端部６０に矢印Ｂ方向の圧力を付加する。
Next, when the
次に、制御部１００は、吸引用ポンプ１２５を駆動し、吸引部１２４の開口１２４ｃ及び流路１２４ｂを介して開口１２４ａから、付着物６の端部６０に対して圧力を付加した気体４の吸引を開始する。なお、吸引部１２４を介しての吸引は、マスク用基板３に向けて吐出された気体４のみの吸引が望ましい。
Next, the
次に、図７Ｂ（ｃ）に示すように、ノズル１２が矢印Ｂ方向に移動しながら、気体吐出部１２２の開口１２２ｃから吐出する気体４がマスク用基板３の主面３ａとノズル１２の主面１２０ａ間の付着物６の端部６０に圧力を付加することで、付着物６を図面右方向に移動させ、吸引部１２４は、当該気体４を開口１２４ａから吸引する。
Next, as shown in FIG. 7B (c), the
そして、気体４によって矢印Ｂ方向に移動させられた付着物６は、マスク用基板３の主面３ａとノズル１２の主面１２０ａ間から基板チャック１４の主面１４ａとノズル１２の主面１２０ａ間に移動し、さらに、基板チャック１４とノズル１２から離れて落下する。
The
次に、図７Ｂ（ｄ）に示すように、制御部１００は、アクチュエータ１２８を介してノズル１２をさらに図面右方向に移動させると、マスク用基板３の主面３ａ及び基板チャック１４の主面１４ａとノズル１２の主面１２０ａの間の付着物６が、完全に矢印Ｂ方向に移動して基板チャック１４から落下し、マスク用基板３の処理対象面である主面３ａ側の乾燥処理を終了する。
Next, as shown in FIG. 7B (d), when the
次に、制御部１００は、アクチュエータ１２８を制御し、ノズル１２を初期位置に戻す。続いて、制御部１００は、リザーバ１６を制御し、マスク用基板３の裏面３ｂがノズル１２側となるように、基板チャック１４に保持されたマスク用基板３を回転させる。続く裏面３ｂの乾燥処理は、上記の主面３ａの乾燥処理と同様に行われる。
Next, the
（第２の実施の形態の効果）
本発明の第２の実施の形態によれば、マスク用基板３を水平に保持して乾燥処理を行うので、マスク用基板３を立てて乾燥処理を行う場合に比べ、マスク用基板３の落下等が発生し難い。
(Effect of the second embodiment)
According to the second embodiment of the present invention, since the
［第３の実施の形態］
図８は、本発明の第３の実施の形態に係るノズル及び基板チャックに保持されたマスクの要部断面図である。第３の実施の形態は、吸引部及び吸引用ポンプ１２５を持たない点で上記の各実施の形態と異なっている。
[Third Embodiment]
FIG. 8 is a cross-sectional view of a main part of a mask held by a nozzle and a substrate chuck according to the third embodiment of the present invention. The third embodiment is different from the above-described embodiments in that the suction unit and the
（ノズルの構成）
本実施の形態におけるノズル１２は、第１及び第２の実施の形態に係る吸引部１２４を備えていない。本実施の形態におけるノズル１２の他の構成は、上記の各実施の形態と同様である。
(Nozzle configuration)
The
以下に、本実施の形態に係る基板処理装置１によるマスク用基板３の乾燥処理について説明する。
Below, the drying process of the
（マスク用基板の乾燥処理）
図９Ａ（ａ）〜図９Ｂ（ｄ）は、本発明の第３の実施の形態に係るマスク用基板の乾燥処理に関する工程図である。本実施の形態では、第１の実施の形態と同様に、マスク用基板３を立てて、乾燥処理を行う。
(Drying of mask substrate)
9A (a) to 9B (d) are process diagrams relating to the drying process of the mask substrate according to the third embodiment of the present invention. In the present embodiment, similarly to the first embodiment, the
まず、図９Ａ（ａ）に示すように、制御部１００は、リザーバ１６を駆動してマスク用基板３を側面３ｃが上、側面３ｄが下になるように回転させ、続いて、アクチュエータ１４６を駆動し、付着物６が残存するマスク用基板３を基板チャック１４によって保持する。
First, as shown in FIG. 9A (a), the
次に、図９Ａ（ｂ）に示すように、制御部１００は、アクチュエータ１２８を介してノズル１２を制御して、ノズル１２をマスク用基板３の上方から下方に向けて処理液吐出部１２６側から移動させる。
Next, as shown in FIG. 9A (b), the
次に、制御部１００は、チャック用ポンプ１４８を制御して、第１及び第２の吸引部１４２、１４４の開口１４２ａ、１４４ａ及び流路１４２ｂ、１４４ｂを介して開口１４２ｄ、１４４ｄからの吸引を開始する。この吸引は、乾燥処理が終了するまで、続けられる。
Next, the
次に、制御部１００は、ノズル１２の下方向の移動により、マスク用基板３と基板チャック１４の境界付近に処理液吐出部１２６の開口１２６ｃが接近すると、処理液吐出用ポンプ１２７を駆動し、処理液吐出部１２６の開口１２６ａ及び流路１２６ｂを介して開口１２６ｃから処理液５をマスク用基板３に向けて吐出する。
Next, when the
次に、制御部１００は、続くノズル１２の下方向の移動により、基板チャック１４の側面１４０ａ付近に気体吐出部１２２の開口１２２ｃが接近すると、気体吐出用ポンプ１２３を駆動し、気体吐出部１２２の開口１２２ａ及び流路１２２ｂを介して開口１２２ｃから気体４をマスク用基板３に向けて吐出する。この気体４は、付着物６の端部６０に下方向の圧力を付加する。
Next, when the
次に、図９Ｂ（ｃ）に示すように、ノズル１２が下方向に移動しながら、気体吐出部１２２の開口１２２ｃから吐出する気体４がマスク用基板３の主面３ａとノズル１２の主面１２０ａ間の付着物６の端部６０に圧力を付加することで、付着物６を下方に移動させる。
Next, as shown in FIG. 9B (c), the
そして、気体４によって下方に移動させられた付着物６は、マスク用基板３の主面３ａとノズル１２の主面１２０ａ間から基板チャック１４の主面１４ａとノズル１２の主面１２０ａ間に移動し、さらに、基板チャック１４とノズル１２から離れて落下する。
The
次に、図９Ｂ（ｄ）に示すように、制御部１００は、アクチュエータ１２８を介してノズル１２をさらに下方に移動させると、マスク用基板３の主面３ａ及び基板チャック１４の主面１４ａとノズル１２の主面１２０ａの間の付着物６が、完全に下方に落下し、マスク用基板３の処理対象面である主面３ａ側の乾燥処理を終了する。
Next, as shown in FIG. 9B (d), when the
次に、制御部１００は、アクチュエータ１２８を制御し、ノズル１２を初期位置に戻す。続いて、制御部１００は、リザーバ１６を制御し、マスク用基板３の裏面３ｂがノズル１２側となるように、基板チャック１４に保持されたマスク用基板３を回転させる。続く裏面３ｂの乾燥処理は、上記の主面３ａの乾燥処理と同様に行われる。
Next, the
（第３の実施の形態の効果）
本発明の第３の実施の形態によれば、吸引部１２４及び吸引用ポンプ１２５を備える場合と比べ、ノズル１２の構成部品が少なくなり、基板処理装置１の製造コストを抑制することができる。
(Effect of the third embodiment)
According to the third embodiment of the present invention, compared with the case where the
［第４の実施の形態］
図１０Ａ（ａ）〜図１０Ｂ（ｄ）は、本発明の第４の実施の形態に係るマスク用基板の乾燥処理に関する工程図である。第４の実施の形態は、構成は、第３の実施の形態と同じであるが、マスク用基板３が水平に保持されている点で第３の実施の形態と異なっている。
[Fourth Embodiment]
10A (a) to 10B (d) are process diagrams relating to the drying process of the mask substrate according to the fourth embodiment of the present invention. The configuration of the fourth embodiment is the same as that of the third embodiment, but differs from the third embodiment in that the
以下に、本実施の形態に係る基板処理装置１によるマスク用基板３の乾燥処理について説明する。
Below, the drying process of the
（マスク用基板の乾燥処理）
まず、図１０Ａ（ａ）に示すように、制御部１００は、アクチュエータ１４６を駆動し、マスク用基板３を基板チャック１４によって保持する。
(Drying of mask substrate)
First, as shown in FIG. 10A (a), the
次に、図１０Ａ（ｂ）に示すように、制御部１００は、アクチュエータ１２８を介してノズル１２を制御して、ノズル１２をマスク用基板３の矢印Ｂ方向に処理液吐出部１２６側から移動させる。
Next, as shown in FIG. 10A (b), the
次に、制御部１００は、チャック用ポンプ１４８を制御して、第１及び第２の吸引部１４２、１４４の開口１４２ａ、１４４ａ及び流路１４２ｂ、１４４ｂを介して開口１４２ｄ、１４４ｄからの吸引を開始する。この吸引は、乾燥処理が終了するまで、続けられる。
Next, the
次に、制御部１００は、ノズル１２の矢印Ｂ方向の移動により、マスク用基板３と基板チャック１４の境界付近に処理液吐出部１２６の開口１２６ｃが接近すると、処理液吐出用ポンプ１２７を駆動し、処理液吐出部１２６の開口１２６ａ及び流路１２６ｂを介して開口１２６ｃから処理液５をマスク用基板３に向けて吐出する。
Next, when the
次に、制御部１００は、続くノズル１２の矢印Ｂ方向の移動により、基板チャック１４の側面１４０ａ付近に気体吐出部１２２の開口１２２ｃが接近すると、気体吐出用ポンプ１２３を駆動し、気体吐出部１２２の開口１２２ａ及び流路１２２ｂを介して開口１２２ｃから気体４をマスク用基板３に向けて吐出する。この気体４は、付着物６の端部６０に矢印Ｂ方向の圧力を付加する。
Next, when the
次に、図１０Ｂ（ｃ）に示すように、ノズル１２が矢印Ｂ方向に移動しながら、気体吐出部１２２の開口１２２ｃから吐出する気体４がマスク用基板３の主面３ａとノズル１２の主面１２０ａ間の付着物６の端部６０に圧力を付加することで、付着物６を矢印Ｂ方向に移動させる。
Next, as shown in FIG. 10B (c), the
そして、気体４によって矢印Ｂ方向に移動させられた付着物６は、マスク用基板３の主面３ａとノズル１２の主面１２０ａ間から基板チャック１４の主面１４ａとノズル１２の主面１２０ａ間に移動し、さらに、基板チャック１４とノズル１２から離れて落下する。
The
次に、図１０Ｂ（ｄ）に示すように、制御部１００は、アクチュエータ１２８を介してノズル１２をさらに矢印Ｂ方向に移動させると、マスク用基板３の主面３ａ及び基板チャック１４の主面１４ａとノズル１２の主面１２０ａの間の付着物６が、完全に矢印Ｂ方向に移動して基板チャック１４から落下し、マスク用基板３の処理対象面である主面３ａ側の乾燥処理を終了する。
Next, as illustrated in FIG. 10B (d), when the
次に、制御部１００は、アクチュエータ１２８を制御し、ノズル１２を初期位置に戻す。続いて、制御部１００は、リザーバ１６を制御し、マスク用基板３の裏面３ｂがノズル１２側となるように、基板チャック１４に保持されたマスク用基板３を回転させる。続く裏面３ｂの乾燥処理は、上記の主面３ａの乾燥処理と同様に行われる。
Next, the
（第４の実施の形態の効果）
本発明の第４の実施の形態によれば、マスク用基板３を水平に保持して乾燥処理を行うので、マスク用基板３を立てて乾燥処理を行う第３の実施の形態に比べ、さらに安定して乾燥処理を行うことができる。
(Effect of the fourth embodiment)
According to the fourth embodiment of the present invention, the
［第５の実施の形態］
図１１は、本発明の第５の実施の形態に係るノズル及び基板チャックに保持されたマスクの要部断面図である。第５の実施の形態は、マスク用基板３の主面３ａ及び裏面３ｂに対して、同時に乾燥処理を行うことができる点で上記の各実施の形態と異なっている。
[Fifth Embodiment]
FIG. 11 is a cross-sectional view of main parts of a mask held by a nozzle and a substrate chuck according to a fifth embodiment of the present invention. The fifth embodiment is different from the above-described embodiments in that the
（ノズルの構成）
本実施の形態に係るノズル１２は、図１１に示すように、本体１２０の中央に、基板チャック１４に保持されたマスク用基板３が収容できる貫通孔１２Ａを備えている。本体１２０は、貫通孔１２Ａより上部の本体１２０Ａと、貫通孔１２Ａより下部の本体１２０Ｂとで概略構成される。
(Nozzle configuration)
As shown in FIG. 11, the
ノズル１２は、本体１２０Ａ側に、気体吐出部１２２と、吸引部１２４と、処理液吐出部１２６とを備え、本体１２０Ｂ側に、気体吐出部１３２と、吸引部１３４と、処理液吐出部１３６とを備えて概略構成されている。なお、気体吐出部１２２、吸引部１２４及び処理液吐出部１２６については、上記の各実施の形態と同様であるので、説明は省略する。
The
本体１２０Ｂ側の気体吐出部１３２は、本体１２０Ｂの主面１３０ａから裏面１３０ｂを貫通する孔であり、本体１２０Ｂの裏面１３０ｂ側に設けられた開口１３２ａと、本体１２０Ｂの内部に設けられ、開口１３２ａと開口１３２ｃを接続する流路１３２ｂと、本体１２０Ｂの主面１３０ａ側に設けられた開口１３２ｃとを備えて概略構成されている。
The
また気体吐出部１３２は、フィルタ等で浄化された気体４ｂが、気体吐出用ポンプ１２３から送り出され、開口１３２ａ、流路１３２ｂを介して開口１３２ｃから吐出する。気体吐出用ポンプ１２３は、気体吐出部１２２、１３２に接続される。なお、気体４ａ、４ｂは、気体４と同じ気体であるが、異なっていても良い。
In addition, the
開口１３２ａは、気体吐出用ポンプ１２３と接続されている。開口１３２ｃは、例えば、マスク用基板３の幅Ｗに等しいスリット形状を有している。
The opening 132 a is connected to the
流路１３２ｂは、主面１３０ａと裏面１３０ｂ間の最短の距離ではなく、気体４ｂが効果的にマスク用基板３の裏面３ｂに付着する付着物６ｂを移動させるように、また、ノズル１２の進行方向に気体４ｂを効果的に吐出するように傾斜している。
The
吸引部１３４は、本体１２０Ｂの主面１３０ａから裏面１３０ｂを貫通する孔であり、本体１２０Ｂの主面１３０ａ側に設けられた開口１３４ａと、本体１２０Ｂの内部に設けられ、開口１３４ａと開口１３４ｃを接続する流路１３４ｂと、本体１２０Ｂの裏面１３０ｂ側に設けられた開口１３４ｃとを備えて概略構成されている。
The
吸引用ポンプ１２５は、気体吐出部１３２の開口１３２ｃからマスク用基板３の裏面３ｂに向けて吐出された気体４ｂを、吸引部１３４の開口１３４ａ、流路１３４ｂを介して開口１３４ｃから吸引する。
The
開口１３４ｃは、吸引用ポンプ１２５と接続されている。開口１３４ａは、マスク用基板３の幅Ｗに等しいスリット形状を有している。
The
流路１３４ｂは、主面１３０ａと裏面１３０ｂ間の最短の距離ではなく、気体吐出部１３２の開口１３２ｃより吐出した気体４ｂを効果的に吸引できるように、吐出された気体４ｂの進行方向をなるべく変えないように傾斜している。
The
処理液吐出部１３６は、本体１２０Ｂの主面１３０ａから裏面１３０ｂを貫通する孔であり、本体１２０Ｂの裏面１３０ｂ側に設けられた開口１３６ａと、本体１２０Ｂの内部に設けられ、開口１３６ａと開口１３６ｃを接続する流路１３６ｂと、本体１２０Ｂの主面１３０ａ側に設けられた開口１３６ｃとを備えて概略構成されている。
The processing
処理液吐出部１３６は、処理液５ｂが、処理液吐出用ポンプ１２７から送り出され、開口１３６ａ、流路１３６ｂを介して開口１３６ｃから吐出する。なお、処理液５ａ、５ｂは、処理液５と同じ液体であるが、異なっていても良い。
In the processing
開口１３６ａは、処理液吐出用ポンプ１２７と接続されている。開口１３６ｃは、マスク用基板３の幅Ｗに等しいスリット形状を有している。
The opening 136 a is connected to a processing
流路１３６ｂは、主面１３０ａと裏面１３０ｂ間の最短の距離となっている。
The
第１の吸引部１４２は、上記の各実施の形態における構成に加えて、さらに本体１４０の裏面１４ｂ側に設けられた開口１４２ｅを備えている。
The
第２の吸引部１４４は、上記の各実施の形態における構成に加えて、さらに本体１４０の裏面１４ｂ側に設けられた開口１４４ｅを備えて概略構成されている。この開口１４２ｄ、１４２ｅ、１４４ｄ、１４２ｅは、例えば、マスク用基板３の幅Ｗに渡るスリット形状の開口ではなく、小さな開口がマスク用基板３の幅Ｗ方向に並べられたものうちの１つである。
In addition to the configuration in each of the above-described embodiments, the
また、チャック用ポンプ１４８は、第１及び第２の吸引部１４２、１４４内を吸引することによってマスク用基板３との密着性を高め、さらに、主面１４ａ側の開口１４２ｄ、１４４ｄ、及び裏面１４ｂ側の開口１４２ｅ、１４４ｅ付近の付着物６ａ、６ｂを吸引する。
Further, the
以下に、本実施の形態に係る基板処理装置１によるマスク用基板３の乾燥処理について説明する。
Below, the drying process of the
（マスク用基板の乾燥処理）
図１２Ａ（ａ）〜図１２Ｂ（ｄ）は、本発明の第５の実施の形態に係るマスク用基板の乾燥処理に関する工程図である。
(Drying of mask substrate)
12A (a) to 12B (d) are process diagrams relating to the drying process of the mask substrate according to the fifth embodiment of the present invention.
まず、図１２Ａ（ａ）に示すように、制御部１００は、アクチュエータ１４６を駆動し、マスク用基板３を基板チャック１４によって保持する。
First, as shown in FIG. 12A (a), the
次に、図１２Ｂ（ｂ）に示すように、制御部１００は、アクチュエータ１２８を介してノズル１２を制御して、ノズル１２の貫通孔１２Ａ内にマスク用基板３が収納されるように、矢印Ｂ方向に向けて処理液吐出部１２６、１３６側から移動させる。
Next, as shown in FIG. 12B (b), the
次に、制御部１００は、チャック用ポンプ１４８を制御して、第１及び第２の吸引部１４２、１４４の開口１４２ａ、１４４ａ及び流路１４２ｂ、１４４ｂを介して開口１４２ｄ、１４２ｅ、１４４ｄ、１４４ｅからの吸引を開始する。この吸引は、乾燥処理が終了するまで、続けられる。
Next, the
次に、制御部１００は、ノズル１２の矢印Ｂ方向の移動により、マスク用基板３と基板チャック１４の境界付近に処理液吐出部１２６、１３６の開口１２６ｃ、１３６ｃが接近すると、処理液吐出用ポンプ１２７を駆動し、処理液吐出部１２６の開口１２６ａ及び流路１２６ｂを介して開口１２６ｃから処理液５ａをマスク用基板３の主面３ａに向けて吐出し、処理液吐出部１３６の開口１３６ａ及び流路１３６ｂを介して開口１３６ｃから処理液５ｂをマスク用基板３の裏面３ｂに向けて吐出する。
Next, when the
次に、制御部１００は、続くノズル１２の矢印Ｂ方向の移動により、基板チャック１４の側面１４０ａ付近に気体吐出部１２２、１３２の開口１２２ｃ、１３２ｃが接近すると、気体吐出用ポンプ１２３を駆動し、気体吐出部１２２の開口１２２ａ及び流路１２２ｂを介して開口１２２ｃから気体４ａをマスク用基板３の主面３ａに向けて吐出し、気体吐出部１３２の開口１３２ａ及び流路１３２ｂを介して開口１３２ｃから気体４ｂをマスク用基板３の裏面３ｂに向けて吐出する。この気体４ａは、付着物６ａの端部６０ａに矢印Ｂ方向の圧力を付加し、気体４ｂは、付着物６ｂの端部６０ｂに矢印Ｂ方向の圧力を付加する。
Next, when the
次に、制御部１００は、吸引用ポンプ１２５を駆動し、吸引部１２４の開口１２４ｃ及び流路１２４ｂを介して開口１２４ａから付着物６ａの端部６０ａに圧力を付加する気体４ａの吸引を開始し、吸引部１３４の開口１３４ｃ及び流路１３４ｂを介して開口１３４ａから付着物６ｂの端部６０ｂに圧力を付加する気体４ｂの吸引を開始する。
Next, the
次に、図１２Ｂ（ｃ）に示すように、ノズル１２が矢印Ｂ方向に移動しながら、気体４ａがマスク用基板３の主面３ａと本体１２０Ａの主面１２０ａ間の付着物６ａの端部６０ａに圧力を付加し、気体４ｂがマスク用基板３の裏面３ｂと本体１２０Ｂの主面１３０ａ間の付着物６ｂの端部６０ｂに圧力を付加することで、付着物６ａ、６ｂを矢印Ｂ方向に移動させる。吸引部１２４、１３４は、当該気体４ａ、４ｂを開口１２４ａ、１３４ｂから吸引する。
Next, as shown in FIG. 12B (c), while the
そして、気体４ａによって矢印Ｂ方向に移動させられた付着物６ａは、マスク用基板３の主面３ａと本体１２０Ａの主面１２０ａ間から基板チャック１４の主面１４ａと本体１２０Ａの主面１２０ａ間に移動し、さらに、基板チャック１４とノズル１２から離れて落下する。また、気体４ｂによって矢印Ｂ方向に移動させられた付着物６ｂは、マスク用基板３の裏面３ｂと本体１２０Ｂの主面１３０ａ間から基板チャック１４の裏面１４ｂと本体１２０Ｂの主面１３０ａ間に移動し、さらに、基板チャック１４とノズル１２から離れて落下する。
The deposit 6a moved in the direction of arrow B by the
次に、図１２Ｂ（ｄ）に示すように、制御部１００は、アクチュエータ１２８を介してノズル１２をさらに矢印Ｂ方向に移動させると、マスク用基板３の主面３ａ及び基板チャック１４の主面１４ａと本体１２０Ａの主面１２０ａの間の付着物６ａ、及びマスク用基板３の裏面３ｂ及び基板チャック１４の裏面１４ｂと本体１２０Ｂの主面１３０ａの間の付着物６ｂが、完全に落下し、マスク用基板３の処理対象面である主面３ａ及び裏面３ｂの乾燥処理を終了する。
Next, as illustrated in FIG. 12B (d), when the
（第５の実施の形態の効果）
本発明の第５の実施の形態によれば、マスク用基板３の主面３ａと裏面３ｂに対して同時に乾燥処理を行うことができるので、片面ずつ乾燥処理を行う場合と比べ、乾燥処理の時間が短縮され、半導体装置の製造のスループットが向上する。
(Effect of 5th Embodiment)
According to the fifth embodiment of the present invention, the drying process can be performed on the
なお、本発明は、上記した実施の形態に限定されず、本発明の技術思想を逸脱あるいは変更しない範囲内で種々の変形および組み合わせが可能である。 The present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications and combinations can be made without departing from or changing the technical idea of the present invention.
例えば、上記の各実施の形態において処理対象面は、マスク用基板３の主面３ａであったが、裏面３ｂであっても良い。
For example, in the above embodiments, the processing target surface is the
例えば、基板処理装置１は、基板チャック１４の第１及び第２の吸引部１４２、１４４を設けず、マスク用基板３の側面３ｃ、３ｄに基板チャック１４の側面１４０ｂ、１４０ｄが密着するように構成しても良い。
For example, the substrate processing apparatus 1 does not include the first and
例えば、乾燥処理は、第５の実施の形態におけるノズル１２を第１の実施の形態のように立てて行っても良い。
For example, the drying process may be performed with the
例えば、第５の実施の形態のノズル１２から吸引部を除いた構成としても良い。
For example, it is good also as a structure except the suction part from the
上記の各実施の形態において、マスク用基板３の主面３ａの濡れ性を撥水性とし、ノズル１２の主面１２０及び／又は裏面１２０ｂの濡れ性を親水性とすることで、さらに付着物６のマスク用基板３からの剥離を容易にすることができる。
In each of the above embodiments, the
上記の各実施の形態において、基板処理装置１は、マスク３Ａの製造途中における洗浄処理後の乾燥処理に用いたが、これに限定されず、マスク３Ａのメンテナンス等で行われる洗浄処理後の乾燥処理に用いても良い。
In each of the above embodiments, the substrate processing apparatus 1 is used for the drying process after the cleaning process in the course of manufacturing the
上記の実施の形態において、乾燥処理は、マスク用基板３を略垂直又は水平に保持して行ったが、これに限定されず、マスク用基板３の処理対象面が水平方向と交差する方向に沿う方向に傾けて行っても良い。
In the above embodiment, the drying process is performed by holding the
１…基板処理装置、３…マスク用基板、３Ａ…マスク、３ａ…主面、３ｂ…裏面、３ｃ〜３ｆ…側面、４、４ａ、４ｂ…気体、５、５ａ、５ｂ…処理液、６、６ａ、６ｂ…付着物、１２２、１３２…気体吐出部、１２４、１３４…吸引部、１２６、１３６…処理液吐出部 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Substrate processing apparatus, 3 ... Mask substrate, 3A ... Mask, 3a ... Main surface, 3b ... Back surface, 3c-3f ... Side surface, 4, 4a, 4b ... Gas, 5, 5a, 5b ... Processing solution, 6, 6a, 6b ... deposits, 122, 132 ... gas discharge part, 124, 134 ... suction part, 126, 136 ... treatment liquid discharge part
Claims (5)
前記基板の処理対象面に処理液を接触させ、前記処理液に向けて気体を吐出して前記処理液を前記基板から分離させることを含む基板処理方法。 Hold the side of the board,
A substrate processing method comprising: bringing a processing liquid into contact with a processing target surface of the substrate; and discharging gas toward the processing liquid to separate the processing liquid from the substrate.
前記基板の処理対象面に処理液を吐出する処理液吐出部と、
前記基板に吐出した前記処理液に向けて気体を吐出し、前記処理液を前記基板から分離させる気体吐出部と、
を備えた基板処理装置。 A holding part for holding the side surface of the substrate;
A processing liquid discharger for discharging a processing liquid onto the processing target surface of the substrate;
A gas discharge unit that discharges gas toward the processing liquid discharged onto the substrate and separates the processing liquid from the substrate;
A substrate processing apparatus comprising:
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| JP2013254769A (en) * | 2012-06-05 | 2013-12-19 | Renesas Electronics Corp | Manufacturing method for semiconductor device and mask |
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2009
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Cited By (3)
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