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JP2011059157A - Liquid crystal device and electronic apparatus - Google Patents

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JP2011059157A
JP2011059157A JP2009205605A JP2009205605A JP2011059157A JP 2011059157 A JP2011059157 A JP 2011059157A JP 2009205605 A JP2009205605 A JP 2009205605A JP 2009205605 A JP2009205605 A JP 2009205605A JP 2011059157 A JP2011059157 A JP 2011059157A
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JP
Japan
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liquid crystal
electrode
insulating film
substrate
crystal device
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP2009205605A
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Japanese (ja)
Inventor
Koichi Terao
幸一 寺尾
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
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Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP2009205605A priority Critical patent/JP2011059157A/en
Publication of JP2011059157A publication Critical patent/JP2011059157A/en
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Abstract

【課題】フリッカ現象や焼き付き現象を抑制できる液晶装置及び電子機器を提供する。
【解決手段】液晶装置2は、第1基板16に設けられた第1配向膜60と、第2基板18に設けられた第2配向膜48と、第1配向膜60と第2配向膜48との間に挟持された液晶層40と、第1基板16に設けられ、液晶層40に電界を印加して液晶層40を調光駆動するための第1電極36及び第2電極38と、電界が発生する第1電極36及び第2電極38の各界面に設けられた第1絶縁膜92と、第1基板16に設けられ、画素スイッチング素子34の表面を被覆する第2絶縁膜58と、を含み、第1電極36は、第2電極38と同一の材料で構成され、第2配向膜48は、第1配向膜60よりも比抵抗が高い材料で構成され、第1配向膜60は、第1絶縁膜92よりも比抵抗が高い材料で構成され、第1絶縁膜92は、第2絶縁膜58よりも比抵抗が低い材料で構成されている。
【選択図】図4
A liquid crystal device and an electronic apparatus that can suppress a flicker phenomenon and a burn-in phenomenon are provided.
A liquid crystal device includes a first alignment film provided on a first substrate, a second alignment film provided on a second substrate, a first alignment film, and a second alignment film. A liquid crystal layer 40 sandwiched between the first electrode 36 and the second electrode 38, which is provided on the first substrate 16 and applies an electric field to the liquid crystal layer 40 to light-control the liquid crystal layer 40; A first insulating film 92 provided at each interface between the first electrode 36 and the second electrode 38 that generates an electric field; a second insulating film 58 provided on the first substrate 16 and covering the surface of the pixel switching element 34; The first electrode 36 is made of the same material as the second electrode 38, the second alignment film 48 is made of a material having a higher specific resistance than the first alignment film 60, and the first alignment film 60 Is made of a material having a higher specific resistance than the first insulating film 92, and the first insulating film 92 is a second insulating film. Specific resistance is made of a material having lower than 8.
[Selection] Figure 4

Description

本発明は、液晶装置及び電子機器に関するものである。   The present invention relates to a liquid crystal device and an electronic apparatus.

近年、テレビ、グラフィックディスプレイ等の表示装置を構成する液晶表示装置(液晶装置)については、高精細化、小型化、そして高視野角化が要求されている。この高視野角化を図る手段の一つとして、ガラス基板に対して面内方向の電界、すなわち横電界を発生させ、この横電界で液晶分子を基板に平行な面内で回転させることで透過率を変化させる光スイッチング機能を持たせる方式の技術が実用化されている。ガラス基板の面に平行な平行場を利用した、いわゆるインプレンスイッチング(以下、IPS(In Plane Switching)という)方式や、IPS方式をさらに改良したフリンジフィールドスイッチング(以下、FFS(Fringe-Field Switching)という)方式を用いて開口率を向上させる液晶表示装置が知られている。   In recent years, liquid crystal display devices (liquid crystal devices) constituting display devices such as televisions and graphic displays have been required to have higher definition, smaller size, and higher viewing angle. As one means for increasing the viewing angle, an electric field in the in-plane direction, that is, a transverse electric field is generated with respect to the glass substrate, and the liquid crystal molecules are transmitted by rotating in a plane parallel to the substrate by the transverse electric field. A technique of an optical switching function for changing the rate has been put into practical use. So-called in-plane switching (hereinafter referred to as IPS) using a parallel field parallel to the surface of the glass substrate, or fringe field switching (hereinafter referred to as FFS (Fringe-Field Switching)), which is a further improvement of the IPS method. Liquid crystal display devices that improve the aperture ratio using a method are known.

ここで、FFS方式では、共通電極の上に絶縁膜を介して画素電極を配置し、画素電極にスリットを設け、そのスリットを利用することで、画素電極から共通電極へ向かう電界を発生させている。この電界は、横方向電界とともに電極の縁の近傍で基板に垂直な方向にも強い電界成分を有しており、このことで、電極上方に位置する液晶分子も駆動することができる。したがって、透明電極を用いれば、電極部分も表示に寄与させることができて、開口率が向上することになる。   Here, in the FFS method, a pixel electrode is disposed on the common electrode through an insulating film, a slit is provided in the pixel electrode, and the slit is used to generate an electric field from the pixel electrode to the common electrode. Yes. This electric field has a strong electric field component in the direction perpendicular to the substrate in the vicinity of the edge of the electrode as well as the lateral electric field, so that the liquid crystal molecules located above the electrode can also be driven. Therefore, if a transparent electrode is used, the electrode portion can also contribute to the display and the aperture ratio is improved.

上記のような横電界方式を用いることは、液晶表示装置において高視野角化等を実現することができるので有用であるが、スイッチング素子を用いて液晶分子を駆動する液晶表示装置においては、スイッチング素子の制御端子と、画素電極に接続される出力端子との間の寄生容量のために、スイッチング素子の制御端子にバイアス電圧が生じることがある。このバイアス電圧は、制御端子に印加される制御電位と、液晶容量成分とそれ以外の保持容量成分に関係する。このバイアス電圧は共通電極電位を最適化することで最小化されるが、表示する画像により異なるので、完全に取り除くことはできず、焼き付き発生の原因となる。   The use of the lateral electric field method as described above is useful because a high viewing angle can be realized in a liquid crystal display device, but in a liquid crystal display device in which liquid crystal molecules are driven using a switching element, switching is performed. A bias voltage may be generated at the control terminal of the switching element due to the parasitic capacitance between the control terminal of the element and the output terminal connected to the pixel electrode. This bias voltage is related to the control potential applied to the control terminal, the liquid crystal capacitance component, and the other storage capacitance component. Although this bias voltage is minimized by optimizing the common electrode potential, it differs depending on the image to be displayed. Therefore, the bias voltage cannot be completely removed and causes burn-in.

このような焼き付き現象を防止・抑制するために、例えば、IPS方式の液晶表示装置において、液晶層や配向膜、絶縁膜内に生じた分極による電荷を速く緩和させるために、表面抵抗が3.3×1011〜2.5×1018Ω/□の範囲である配向膜や絶縁膜を用いることや、液晶、配向膜、絶縁膜それぞれの誘電率と抵抗率の積で表される緩和時間の相対的関係を規定する方法が提案されている(例えば、特許文献1参照)。 In order to prevent or suppress such image sticking phenomenon, for example, in an IPS liquid crystal display device, the surface resistance is set to 3. to quickly relieve charges caused by polarization generated in the liquid crystal layer, the alignment film, and the insulating film. Relaxation time represented by the product of the dielectric constant and resistivity of each of the liquid crystal, the alignment film, and the insulating film, using an alignment film or an insulating film in the range of 3 × 10 11 to 2.5 × 10 18 Ω / □ A method for defining the relative relationship between the two has been proposed (see, for example, Patent Document 1).

一方、FFS方式の液晶パネルにおいて、電極端部近傍で局所的に発生する電解集中を緩和させ、電界強度ピーク値の引き下げを図ることを目的として、第1の絶縁膜を介して互いに異層に形成された画素電極及び共通電極のうち液晶配向膜に近い方の電極と液晶配向膜との間に、前記第1の絶縁膜とは別材料からなる第2の絶縁膜を配置してなり、かつ、前記第1の絶縁膜の誘電率ε(1)と前記第2の絶縁膜の誘電率ε(2)においてε(2)>ε(1)を満足する構造について提案されている(例えば、特許文献2参照)。   On the other hand, in the FFS mode liquid crystal panel, in order to alleviate the electrolytic concentration locally generated in the vicinity of the end of the electrode and to reduce the electric field strength peak value, they are separated from each other through the first insulating film. A second insulating film made of a material different from the first insulating film is disposed between the liquid crystal alignment film and the electrode closer to the liquid crystal alignment film among the formed pixel electrode and common electrode, In addition, a structure that satisfies ε (2)> ε (1) in the dielectric constant ε (1) of the first insulating film and the dielectric constant ε (2) of the second insulating film has been proposed (for example, , See Patent Document 2).

特開平7−159786号公報JP-A-7-159786 特開2003−29247号公報JP 2003-29247 A

しかしながら、特許文献1の構成によると、液晶/配向膜界面の緩和速度を速めて焼き付き現象を抑制する対策は、画像のチラツキといったフリッカ現象が発生しやすくなるという背反課題を生ずる虞がある。特に、横電界駆動における電界強度が集中する領域、例えば、IPS方式での一対の駆動電極と同一平面とその周辺領域やFFS方式の電極端近傍の領域では、電荷の速い移動に伴う液晶層の電圧降下・リーク現象が起こりやすくなり、局所的なフリッカ現象として発生する虞がある。VT曲線が急峻な傾きとなる中間長表示の階調でフリッカが見やすくなる虞がある。   However, according to the configuration of Patent Document 1, the countermeasure for suppressing the burn-in phenomenon by increasing the relaxation rate of the liquid crystal / alignment film interface may cause a contradiction problem that a flicker phenomenon such as image flickering is likely to occur. In particular, in the region where the electric field strength is concentrated in the lateral electric field drive, for example, in the same plane as the pair of drive electrodes in the IPS method and its peripheral region or in the region near the electrode end of the FFS method, the liquid crystal layer A voltage drop / leak phenomenon is likely to occur, which may occur as a local flicker phenomenon. There is a possibility that flicker is easy to see at the gradation of intermediate length display in which the VT curve has a steep slope.

一方、特許文献2の構成によると、電極端部近傍で局所的に発生する電界集中を緩和させ、電界強度ピーク値の引き下げることによって、焼き付き現象やフリッカ現象を抑制することができるが、長時間駆動に対しては、依然としてバイアス電圧により徐々にパネル内に電荷が蓄積し、焼き付き現象やフリッカ現象が生ずる虞がある。   On the other hand, according to the configuration of Patent Document 2, it is possible to suppress the image sticking phenomenon and the flicker phenomenon by relaxing the electric field concentration generated locally in the vicinity of the electrode end and lowering the electric field intensity peak value. For driving, there is still a possibility that electric charges are gradually accumulated in the panel due to the bias voltage, and a burn-in phenomenon and a flicker phenomenon occur.

本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。   SUMMARY An advantage of some aspects of the invention is to solve at least a part of the problems described above, and the invention can be implemented as the following forms or application examples.

[適用例1]複数の画素の各々に画素スイッチング素子が設けられた第1基板と、前記第1基板に対向する第2基板と、前記第1基板に設けられた第1配向膜と、前記第2基板に設けられた第2配向膜と、前記第1配向膜と前記第2配向膜との間に挟持された液晶層と、前記第1基板に設けられ、前記液晶層に電界を印加して該液晶層を調光駆動するための第1電極及び第2電極と、前記電界が発生する前記第1電極及び前記第2電極の各界面に設けられた第1絶縁膜と、前記第1基板に設けられ、前記画素スイッチング素子の表面を被覆する第2絶縁膜と、を含み、前記第1電極は、前記第2電極と同一の材料で構成され、前記第2配向膜は、前記第1配向膜よりも比抵抗が高い材料で構成され、前記第1配向膜は、前記第1絶縁膜よりも比抵抗が高い材料で構成され、前記第1絶縁膜は、前記第2絶縁膜よりも比抵抗が低い材料で構成されてことを特徴とする液晶装置。   Application Example 1 A first substrate provided with a pixel switching element in each of a plurality of pixels, a second substrate facing the first substrate, a first alignment film provided on the first substrate, A second alignment film provided on the second substrate; a liquid crystal layer sandwiched between the first alignment film and the second alignment film; and an electric field applied to the liquid crystal layer provided on the first substrate. A first electrode and a second electrode for dimming the liquid crystal layer; a first insulating film provided at each interface of the first electrode and the second electrode for generating the electric field; A second insulating film provided on one substrate and covering a surface of the pixel switching element, wherein the first electrode is made of the same material as the second electrode, and the second alignment film is The first alignment film is made of a material having a higher specific resistance than the first alignment film, and the first alignment film is higher than the first insulating film. Resistance is composed of a material having high, the first insulating film, a liquid crystal device, characterized in that it consists of the material resistivity is lower than the second insulating film.

これによれば、横電界駆動の液晶パネルにおいて、第1電極に近く電界強度が強い第1配向膜については、バイアス電圧により蓄積される電荷を緩和しやすくなる機能を重視して比抵抗の低い配向膜を配置し、一方、比較的電界強度が小さい対向する第2配向膜には、第1配向膜よりも比抵抗が高い配向膜を配置して、フリッカ現象を抑制する。言い換えると、第1電極に近い第1配向膜と対向するように第2配向膜を配置し、この第2配向膜が第1配向膜よりも比抵抗を高くすることにより、フリッカ現象や焼き付き現象を抑制できる。   According to this, in the lateral electric field drive liquid crystal panel, the first alignment film having a high electric field strength close to the first electrode has a low specific resistance with an emphasis on the function of easily reducing the charge accumulated by the bias voltage. On the other hand, an alignment film having a specific resistance higher than that of the first alignment film is disposed on the opposing second alignment film having a relatively small electric field strength to suppress the flicker phenomenon. In other words, the second alignment film is disposed so as to face the first alignment film close to the first electrode, and the second alignment film has a higher specific resistance than the first alignment film, thereby causing a flicker phenomenon and a burn-in phenomenon. Can be suppressed.

また、第1電極上に第1配向膜の比抵抗値以下である第1容量絶縁膜を配置することによって、蓄積した電荷の緩和速度に影響を与えることなく、電極端部近傍で局所的に発生する電界集中を緩和させ、液晶層にかかる電界強度ピーク値の引き下げを図り、フリッカ現象を抑制する。   In addition, by disposing the first capacitor insulating film having a specific resistance value equal to or lower than that of the first alignment film on the first electrode, locally in the vicinity of the electrode end without affecting the relaxation rate of the accumulated charge. The generated electric field concentration is alleviated, the peak value of the electric field strength applied to the liquid crystal layer is lowered, and the flicker phenomenon is suppressed.

さらに、液晶パネルを交流駆動する際、液晶容量成分に印加されるプラス電圧とマイナス電圧のバランスが崩れると表示画像のチラツキやフリッカとして表示品位を著しく低下させる。このようなフリッカ現象の一つの発生要因として、第1及び第2電極と第1及び第2容量絶縁膜や第1及び第2配向膜などの絶縁膜との界面のショットキー障壁による微量の電流量差、すなわちパネルに溜まる注入電荷量差が挙げられる。交流駆動におけるプラス電圧とマイナス電圧との間で、このような注入電荷量差があると、駆動時間とともにバイアス電圧が経時的に変化してしまう。その結果、初期的に最適化された第2電極電位が変動し、フリッカ現象や焼き付き現象が悪化してしまう。   Further, when the liquid crystal panel is AC driven, if the balance between the positive voltage and the negative voltage applied to the liquid crystal capacitance component is lost, the display quality is remarkably lowered as flickering or flickering of the display image. One cause of such a flicker phenomenon is a small amount of current due to a Schottky barrier at the interface between the first and second electrodes and the insulating films such as the first and second capacitive insulating films and the first and second alignment films. The difference in quantity, that is, the difference in injected charge accumulated in the panel can be mentioned. If there is such a difference in injected charge amount between a positive voltage and a negative voltage in AC driving, the bias voltage changes with time along with the driving time. As a result, the initially optimized second electrode potential fluctuates, and the flicker phenomenon and the burn-in phenomenon deteriorate.

したがって、上記の第1電極界面と第2電極界面におけるショットキー障壁の影響を抑制・軽減し、経時的なフリッカ現象の悪化を防止するために、同一の材料で形成された第1電極及び第2電極に対して、パネル駆動時に電界が発生する電極面との界面に同一の材料からなる絶縁膜が形成されていることが望ましい(第1電極と第2電極が異種材料で形成された場合や電極に接する絶縁膜の材料が異なる場合であっても、プラス電圧とマイナス電圧のバランスを取ることは理論的には可能であるが、非常に難しい層構造の組み合わせが必要となる)。   Therefore, in order to suppress and reduce the influence of the Schottky barrier at the first electrode interface and the second electrode interface and to prevent deterioration of the flicker phenomenon over time, the first electrode and the second electrode formed of the same material are used. For the two electrodes, it is desirable that an insulating film made of the same material be formed at the interface with the electrode surface that generates an electric field when the panel is driven (when the first electrode and the second electrode are formed of different materials) Even if the material of the insulating film in contact with the electrodes is different, it is theoretically possible to balance the positive voltage and the negative voltage, but a very difficult combination of layer structures is required).

これにより、フリッカ現象や焼き付き現象を抑制できる液晶装置を提供することができる。また、横電界で駆動されるFFS方式やIPS方式の場合のフリッカ現象や焼き付き現象を抑制できる液晶装置を提供することができる。   As a result, a liquid crystal device that can suppress the flicker phenomenon and the burn-in phenomenon can be provided. In addition, it is possible to provide a liquid crystal device capable of suppressing flicker phenomenon and image sticking phenomenon in the case of the FFS method or IPS method driven by a lateral electric field.

[適用例2]上記液晶装置であって、前記第1電極は、前記第1基板において前記第2電極よりも前記液晶層側に設けられているとともに、前記画素の各々の領域内に所定の間隔を隔てて設けられた複数のスリット状の開口部を有していることを特徴とする液晶装置。   Application Example 2 In the above liquid crystal device, the first electrode is provided on the liquid crystal layer side of the first substrate with respect to the liquid crystal layer, and a predetermined area is provided in each region of the pixel. A liquid crystal device having a plurality of slit-like openings provided at intervals.

これによれば、横電界により液晶を駆動するFFS方式の液晶装置を容易に実現できる。   According to this, it is possible to easily realize an FFS mode liquid crystal device that drives a liquid crystal by a lateral electric field.

[適用例3]上記液晶装置であって、前記第1電極及び前記第2電極は、前記第1基板において同層に設けられているとともに櫛歯形状を有しており、各々の前記櫛歯形状をなす部分が互い違いに入り込んだ状態で対向して配置されていることを特徴とする液晶装置。   Application Example 3 In the liquid crystal device, the first electrode and the second electrode are provided in the same layer in the first substrate and have a comb shape, and each comb tooth A liquid crystal device, characterized in that the liquid crystal device is arranged so as to face each other in a state where the portions forming the shape are staggered.

これによれば、横電界により液晶を駆動するIPS方式の液晶装置を容易に実現できる。   According to this, it is possible to easily realize an IPS liquid crystal device that drives a liquid crystal by a lateral electric field.

[適用例4]上記液晶装置であって、前記第1及び第2電極のうち少なくとも一方は、前記第1絶縁膜の層中に埋め込まれていることを特徴とする液晶装置。   Application Example 4 In the above liquid crystal device, at least one of the first and second electrodes is embedded in a layer of the first insulating film.

これによれば、第1電極は、第2電極と同一の材料で構成され、この第1電極が第1絶縁膜層中に埋め込まれ、かつ第2電極上にも同じ第1絶縁膜を形成することによって、フリッカ現象の経時変化も抑制できる。   According to this, the first electrode is made of the same material as that of the second electrode, the first electrode is embedded in the first insulating film layer, and the same first insulating film is formed on the second electrode. By doing so, the time-dependent change of the flicker phenomenon can also be suppressed.

[適用例5]上記液晶装置であって、前記第1及び第2電極のうち少なくとも一方は、前記第1絶縁膜に包囲されていることを特徴とする液晶装置。   Application Example 5 In the above-described liquid crystal device, at least one of the first and second electrodes is surrounded by the first insulating film.

これによれば、第1電極は、第2電極と同一の材料で構成され、この第1電極が第1絶縁膜に包囲され、かつ第2電極上にも同じ第1絶縁膜を形成することによって、フリッカ現象の経時変化も抑制できる。   According to this, the first electrode is made of the same material as the second electrode, the first electrode is surrounded by the first insulating film, and the same first insulating film is formed on the second electrode. Therefore, the change with time of the flicker phenomenon can also be suppressed.

[適用例6]上記のいずれか一項に記載の液晶装置を備えた電子機器。   Application Example 6 Electronic equipment including the liquid crystal device according to any one of the above.

これによれば、上記のいずれか一項に記載の液晶装置を備えることにより、フリッカ現象や焼き付き現象を抑制できる電子機器を提供することができる。   According to this, by providing the liquid crystal device according to any one of the above, it is possible to provide an electronic apparatus that can suppress the flicker phenomenon and the burn-in phenomenon.

第1の実施形態に係る液晶装置を光変調素子(ライトバルブ)として備えた電子機器としてのプロジェクターの概略構成を示した構成図。FIG. 2 is a configuration diagram showing a schematic configuration of a projector as an electronic apparatus including the liquid crystal device according to the first embodiment as a light modulation element (light valve). 画像を表示する複数の画素が設けられた液晶装置の構成を模式的に示した説明図。Explanatory drawing which showed typically the structure of the liquid crystal device provided with the some pixel which displays an image. 図2において液晶装置の左上部分に例示した4つの画素について、各画素に形成された配線の様子を示した模式平面図。FIG. 3 is a schematic plan view showing a state of wiring formed in each pixel for the four pixels exemplified in the upper left portion of the liquid crystal device in FIG. 2. 図3のA−A’線に沿う断面図。Sectional drawing which follows the A-A 'line of FIG. 第2の実施形態に係る液晶装置の断面図。Sectional drawing of the liquid crystal device which concerns on 2nd Embodiment. 第3の実施形態に係る液晶装置の断面図。Sectional drawing of the liquid crystal device which concerns on 3rd Embodiment. 第4の実施形態に係る液晶装置を構成するTFTアレイ基板の隣り合う複数の画素の平面図。The top view of the several pixel which the TFT array substrate which comprises the liquid crystal device which concerns on 4th Embodiment adjoins. 図7のB−B’線に沿う断面図。Sectional drawing which follows the B-B 'line of FIG. 第5の実施形態に係る液晶装置の断面図。Sectional drawing of the liquid crystal device which concerns on 5th Embodiment. 本実施形態に係る液晶装置を直視型表示装置として用いた電子機器の説明図。Explanatory drawing of the electronic device using the liquid crystal device which concerns on this embodiment as a direct view type display apparatus.

(第1の実施形態)
以下、本実施形態に基づいて説明する。なお、以降の説明において用いる図面は、説明のために誇張して図示している場合もあり、必ずしも実際の大きさや長さを示すものでないことは言うまでもない。
(First embodiment)
Hereinafter, description will be made based on the present embodiment. It should be noted that the drawings used in the following description may be exaggerated for the sake of description, and needless to say, they do not necessarily indicate the actual size or length.

図1は、本実施形態に係る液晶装置2を光変調素子(ライトバルブ)として備えた電子機器としてのプロジェクター4の概略構成を示した構成図である。このプロジェクター4は、光源10から照射された照射光を、偏光ビームスプリッター12によって偏光方向が揃えられた光にする。そして、この偏光方向が揃えられた照射光を液晶装置2に設けられた各画素を透過する際に光変調する。そして画素毎に光変調した照射光を所定の距離を隔てて設置されたスクリーン(不図示)上に投射レンズ14によって投射する。このようにして、液晶装置2に表示された画像が投射される。もとより、プロジェクター4は、液晶装置2を複数備え、複数の液晶装置2に応じた光学系(ミラーやクロスプリズムなど)を形成したものであってもよい。   FIG. 1 is a configuration diagram showing a schematic configuration of a projector 4 as an electronic apparatus provided with the liquid crystal device 2 according to the present embodiment as a light modulation element (light valve). The projector 4 changes the irradiation light emitted from the light source 10 to light whose polarization direction is aligned by the polarization beam splitter 12. The irradiation light having the same polarization direction is light-modulated when passing through each pixel provided in the liquid crystal device 2. Then, the projection light 14 projects the irradiation light light-modulated for each pixel on a screen (not shown) installed at a predetermined distance. In this way, the image displayed on the liquid crystal device 2 is projected. Of course, the projector 4 may include a plurality of liquid crystal devices 2 and an optical system (such as a mirror or a cross prism) corresponding to the plurality of liquid crystal devices 2 may be formed.

本実施形態では、偏光ビームスプリッター12によって揃えられた照射光の偏光方向を、プロジェクター4の本体の厚さ方向(図面上下方向)となるY軸方向とする。ここでは説明を省略するが、偏光ビームスプリッター12の製造上の理由や、プロジェクター4において構成される光学系の設計上の理由などから、表示画面の縦方向または横方向を偏光方向と一致させることが多い。そこで、本実施形態では偏光方向をY軸方向とする。もとより、Y軸方向と直交するX軸方向としてもよい。   In the present embodiment, the polarization direction of the irradiation light aligned by the polarization beam splitter 12 is the Y-axis direction that is the thickness direction (vertical direction in the drawing) of the main body of the projector 4. Although not described here, the vertical direction or the horizontal direction of the display screen is made to coincide with the polarization direction for reasons of manufacturing the polarization beam splitter 12 or for designing the optical system configured in the projector 4. There are many. Therefore, in this embodiment, the polarization direction is the Y-axis direction. Of course, the X-axis direction orthogonal to the Y-axis direction may be used.

また、液晶装置2に画像が表示されない状態、つまり液晶装置2における各画素において、後述する画素電極と共通電極間に電圧が印加されない初期状態では、スクリーンに何も投射されない黒の状態とすることが使用上好ましい。したがって、本実施形態のプロジェクター4では、液晶装置2はノーマリーブラック表示を行うものとする。もとより、画素電極と共通電極間に電圧が印加されない初期状態で白の状態となるノーマリーホワイト表示を行うものとしても差し支えない。   Further, in a state where no image is displayed on the liquid crystal device 2, that is, in an initial state where no voltage is applied between a pixel electrode and a common electrode, which will be described later, in each pixel in the liquid crystal device 2, a black state in which nothing is projected onto the screen is set. Is preferable in use. Therefore, in the projector 4 of this embodiment, the liquid crystal device 2 performs normally black display. Of course, it is possible to perform a normally white display in which a white state is obtained in an initial state where no voltage is applied between the pixel electrode and the common electrode.

次に、液晶装置2について説明する。図2は、画像を表示する複数の画素が設けられた液晶装置2の構成を模式的に示した説明図である。液晶装置2は、第1基板としての基板16と第2基板としての基板18とが、図示しない液晶層(後述する)を封止状態で挟んで重ね合わされた構造を有している。   Next, the liquid crystal device 2 will be described. FIG. 2 is an explanatory diagram schematically showing the configuration of the liquid crystal device 2 provided with a plurality of pixels for displaying an image. The liquid crystal device 2 has a structure in which a substrate 16 as a first substrate and a substrate 18 as a second substrate are overlapped with a liquid crystal layer (not shown) sandwiched in a sealed state.

基板16は、その外周部分に、走査駆動回路20とデータ駆動回路22、及び共通端子24とが、ガラスや石英あるいは樹脂などの透明基板上(図面表面側)に形成されたものである。走査駆動回路20からはX軸方向に走査線26が、データ駆動回路22からはY軸方向にデータ線28が、図2に示したようにそれぞれ出力配線されている。また、走査線26とデータ線28の交点付近には、各画素Gに対応して図示しない薄膜トランジスター(後述する)が形成されている。各薄膜トランジスターは、走査線26によって供給される電圧によってオン・オフが制御され、オン時において、データ線28によって供給される電圧が、第1の電極としての画素電極(後述する)に印加されるように構成されている。   The substrate 16 has a scanning drive circuit 20, a data drive circuit 22, and a common terminal 24 formed on the outer peripheral portion thereof on a transparent substrate (the drawing surface side) such as glass, quartz, or resin. As shown in FIG. 2, the scanning drive circuit 20 has a scanning line 26 in the X-axis direction, and the data driving circuit 22 has a data line 28 in the Y-axis direction. A thin film transistor (not shown) corresponding to each pixel G is formed near the intersection of the scanning line 26 and the data line 28. Each thin film transistor is controlled to be turned on and off by a voltage supplied by the scanning line 26, and when turned on, a voltage supplied by the data line 28 is applied to a pixel electrode (described later) as a first electrode. It is comprised so that.

共通端子24は、これに接続された共通配線30によって、各画素Gに形成された第2の電極としての共通電極(後述する)に対して共通な電圧(例えば接地電位)を供給する。したがって、各画素Gにおいて、薄膜トランジスターのオンによってデータ線28から供給される電圧と、共通配線30によって供給される電圧(つまり接地電位の電圧)との差分電圧が、画素Gに対応する液晶層に印加されるように構成されている。   The common terminal 24 supplies a common voltage (for example, ground potential) to a common electrode (described later) formed as a second electrode formed in each pixel G through the common wiring 30 connected thereto. Accordingly, in each pixel G, the differential voltage between the voltage supplied from the data line 28 when the thin film transistor is turned on and the voltage supplied by the common wiring 30 (that is, the voltage of the ground potential) is a liquid crystal layer corresponding to the pixel G. It is comprised so that it may be applied to.

基板18は、画素Gに対応する領域部分を開口領域(光透過領域)とし、その他の領域部分が遮光領域となるように金属膜などの所定の遮光層が、ガラスや石英又は樹脂などの透明基板上(図面裏側)に形成されたものである。したがって、画素間においては、Y軸方向及びX軸方向にはそれぞれ遮光層32が形成される。そして、基板18を基板16に重ね合わせたとき、遮光層32はデータ線28、走査線26、共通配線30、及び薄膜トランジスターと重なるように構成されている。   The substrate 18 has an area corresponding to the pixel G as an opening area (light transmission area), and a predetermined light shielding layer such as a metal film is transparent such as glass, quartz, or resin so that the other area becomes a light shielding area. It is formed on the substrate (the back side of the drawing). Therefore, between the pixels, the light shielding layers 32 are formed in the Y-axis direction and the X-axis direction, respectively. And when the board | substrate 18 is piled up on the board | substrate 16, the light shielding layer 32 is comprised so that the data line 28, the scanning line 26, the common wiring 30, and the thin-film transistor may overlap.

次に、本実施形態における液晶装置2において、各画素に形成された画素電極と共通電極の様子を、図3及び図4を用いて説明する。図3は、図2において液晶装置2の左上部分に例示した4つの画素Gについて、各画素Gに形成された配線の様子を示した模式平面図であり、液晶装置2を、基板18側から、基板18を透視状態で見た状態で示している。また、図4は、液晶装置2の部分断面を示す模式図である。   Next, in the liquid crystal device 2 according to the present embodiment, the state of the pixel electrode and the common electrode formed in each pixel will be described with reference to FIGS. 3 is a schematic plan view showing a state of wiring formed in each pixel G for the four pixels G illustrated in the upper left portion of the liquid crystal device 2 in FIG. 2. The liquid crystal device 2 is viewed from the substrate 18 side. The substrate 18 is shown in a see-through state. FIG. 4 is a schematic diagram showing a partial cross section of the liquid crystal device 2.

基板16には、図3に示すように、データ線28がY軸方向に、走査線26がX軸方向に、それぞれ形成されている。そして、この両配線の交点付近には、画素スイッチング素子としての薄膜トランジスター(以降、単に「トランジスター」)34が形成されている。すなわち、データ線28の配線が延伸して形成されたソース電極34sと、チャネル領域が形成された半導体層34aと、走査線26が兼ねるゲート電極34gと、ドレイン電極34dと、からなるトランジスター34が形成されている。そして、ドレイン電極34dは、コンタクトホールCH1を介して、第1電極としての画素電極36と電気的に接続されている。したがって、走査線26すなわちゲート電極34gに供給される電圧によって、トランジスター34がオンすると、データ線28に供給された電圧が、ドレイン電極34dを介して画素電極36に印加される。   As shown in FIG. 3, data lines 28 are formed on the substrate 16 in the Y-axis direction, and scanning lines 26 are formed in the X-axis direction. A thin film transistor (hereinafter simply referred to as “transistor”) 34 as a pixel switching element is formed in the vicinity of the intersection of both the wirings. That is, a transistor 34 including a source electrode 34 s formed by extending the wiring of the data line 28, a semiconductor layer 34 a formed with a channel region, a gate electrode 34 g serving as the scanning line 26, and a drain electrode 34 d is provided. Is formed. The drain electrode 34d is electrically connected to the pixel electrode 36 as the first electrode via the contact hole CH1. Therefore, when the transistor 34 is turned on by the voltage supplied to the scanning line 26, that is, the gate electrode 34g, the voltage supplied to the data line 28 is applied to the pixel electrode 36 via the drain electrode 34d.

本実施形態では、画素電極36は、電極の長手方向の外形線がY軸方向に対して、リバースツイストを抑制するためにα度(例えば10度〜20度)時計方向(図面右側への回転方向)に傾き、一端が開放状態で、他端が連結されて電気的に接続された櫛歯状を呈する3つの帯状電極部で形成されているものとする。もとより、電極の長手方向の外形線がY軸方向に対して、α度(例えば10度〜20度)反時計方向(図面左側への回転方向)に傾いて形成されるものとしてもよい。また、帯状電極部は少なくとも2つ形成されていればよい。画素電極36は、基板16において共通電極38よりも液晶層40側に設けられているとともに、画素Gの各々の領域内に所定の間隔を隔てて設けられた複数のスリット状の開口部を有している。   In the present embodiment, the pixel electrode 36 is rotated clockwise by α degrees (for example, 10 degrees to 20 degrees) clockwise in order to suppress reverse twist with respect to the Y-axis direction in the longitudinal direction of the electrodes. It is assumed that it is formed of three strip electrode portions having a comb-teeth shape that is inclined in the direction), one end is open, and the other end is connected and electrically connected. Of course, the outer contour line of the longitudinal direction of the electrode may be formed to be inclined in the counterclockwise direction (rotation direction to the left side in the drawing) by α degrees (for example, 10 degrees to 20 degrees) with respect to the Y-axis direction. Further, it is sufficient that at least two strip electrode portions are formed. The pixel electrode 36 is provided on the substrate 16 closer to the liquid crystal layer 40 than the common electrode 38, and has a plurality of slit-like openings provided at predetermined intervals in each region of the pixel G. is doing.

また、基板16には、共通配線30がX軸方向に形成されている。そして、この共通配線30とコンタクトホールCH2を介して電気的に接続された共通電極38が、画素Gの領域を含む大きさのベタ電極で形成されている。したがって、画素Gの領域において、画素電極36と共通電極38とは、平面的に重なるように形成されている。   A common wiring 30 is formed on the substrate 16 in the X-axis direction. A common electrode 38 electrically connected to the common wiring 30 via the contact hole CH2 is formed as a solid electrode having a size including the pixel G region. Therefore, in the region of the pixel G, the pixel electrode 36 and the common electrode 38 are formed so as to overlap in a plane.

このように形成された画素電極36と共通電極38との間に印加される電圧によって、液晶層40に対して基板16に沿う方向の横電界が発生し、前述したようにFFS方式による液晶分子の配向制御が行われる。画素電極36は、共通電極38と同一の材料で構成されている。例えば、画素電極36及び共通電極38は、導電性を有する透光性の材料(例えばインジウム錫酸化物(Indium Tin Oxide, 以下、ITOと略記する)で構成されている。   A voltage applied between the pixel electrode 36 and the common electrode 38 formed in this manner generates a lateral electric field in the direction along the substrate 16 with respect to the liquid crystal layer 40, and as described above, liquid crystal molecules by the FFS method are used. The orientation control is performed. The pixel electrode 36 is made of the same material as the common electrode 38. For example, the pixel electrode 36 and the common electrode 38 are made of a light-transmitting material having conductivity (for example, indium tin oxide (hereinafter abbreviated as ITO)).

次に、液晶装置2の断面構成について、図4を用いて説明する。図4は、図3におけるA−A´断面を示した模式図である。図示するように、液晶装置2は、基板16と基板18とによって液晶層40を挟持した構成を有している。そして基板18の液晶層40と反対側には偏光板42が、また基板16の液晶層40と反対側には偏光板44が、それぞれ所定の偏光軸方向を呈するように貼り付けられている。なお、本実施形態では、液晶層40は、分極方向が配向方向と同方向であるポジ型の液晶分子によって形成されているものとする。もとより、分極方向が配向方向と直交しているネガ型の液晶分子によって形成されていることとしてもよい。   Next, a cross-sectional configuration of the liquid crystal device 2 will be described with reference to FIG. FIG. 4 is a schematic diagram showing a cross section taken along line AA ′ in FIG. 3. As shown in the figure, the liquid crystal device 2 has a configuration in which a liquid crystal layer 40 is sandwiched between a substrate 16 and a substrate 18. A polarizing plate 42 is attached to the side of the substrate 18 opposite to the liquid crystal layer 40, and a polarizing plate 44 is attached to the side of the substrate 16 opposite to the liquid crystal layer 40 so as to exhibit a predetermined polarization axis direction. In the present embodiment, it is assumed that the liquid crystal layer 40 is formed of positive liquid crystal molecules whose polarization direction is the same as the alignment direction. Of course, it may be formed of negative liquid crystal molecules whose polarization direction is orthogonal to the alignment direction.

基板18は、平板としての基材46に対して、液晶層40側の基板面に、遮光層32、第2配向膜48が順次形成されたものである。遮光層32は金属膜(例えばクロム)や樹脂からなる。第2配向膜48は、例えばポリイミド樹脂からなり、遮光層32及び画素Gの領域を覆うように形成されている。なお、基板18において、第2配向膜48と遮光層32との間に、第2配向膜48を平坦化するための平坦化層やオーバーコート層が形成されることとしてもよい。また、基板18において、基材46と第2配向膜48との間に、少なくとも画素Gの領域に相当する光透過領域に、所定の色を透過するカラーフィルター層が形成されることとしてもよい。   The substrate 18 is obtained by sequentially forming a light shielding layer 32 and a second alignment film 48 on a substrate surface on the liquid crystal layer 40 side with respect to a base material 46 as a flat plate. The light shielding layer 32 is made of a metal film (for example, chromium) or a resin. The second alignment film 48 is made of, for example, a polyimide resin, and is formed so as to cover the light shielding layer 32 and the region of the pixel G. In the substrate 18, a planarization layer or an overcoat layer for planarizing the second alignment film 48 may be formed between the second alignment film 48 and the light shielding layer 32. In the substrate 18, a color filter layer that transmits a predetermined color may be formed at least in a light transmission region corresponding to the region of the pixel G between the base material 46 and the second alignment film 48. .

基板16は、平板としての基材50に対して、液晶層40側の基板面に、走査線26(ゲート電極34g)と共通配線30、ゲート絶縁膜52、半導体層34a、データ線28(ソース電極34s)とドレイン電極34d、層間絶縁膜54、平坦化層56、共通電極38、第1絶縁膜としての第1容量絶縁膜92、第2絶縁膜としての第2容量絶縁膜58、画素電極36、第1容量絶縁膜92、及び第1配向膜60が順次形成されたものである。   The substrate 16 has a scanning line 26 (gate electrode 34g) and a common wiring 30, a gate insulating film 52, a semiconductor layer 34a, a data line 28 (source) on the substrate surface on the liquid crystal layer 40 side with respect to the base material 50 as a flat plate. Electrode 34s), drain electrode 34d, interlayer insulating film 54, planarization layer 56, common electrode 38, first capacitor insulating film 92 as the first insulating film, second capacitor insulating film 58 as the second insulating film, pixel electrode 36, the first capacitor insulating film 92, and the first alignment film 60 are sequentially formed.

画素電極36上及び共通電極38上に第1容量絶縁膜92を形成し、かつ画素電極36及び共通電極38が同一の材料(p−ITO(多結晶ITO(ポリITO))など)によって形成されている。また、第1容量絶縁膜92は第1配向膜60の比抵抗の値以下であり、具体的にはSiNx膜が好ましい。さらに、第1容量絶縁膜92よりも第2容量絶縁膜58は、比抵抗が高く、異なる電気物性の絶縁膜が形成されたものである。   A first capacitor insulating film 92 is formed on the pixel electrode 36 and the common electrode 38, and the pixel electrode 36 and the common electrode 38 are formed of the same material (p-ITO (polycrystalline ITO (poly-ITO)) or the like). ing. Further, the first capacitance insulating film 92 is equal to or less than the specific resistance value of the first alignment film 60, and specifically, a SiNx film is preferable. Further, the second capacitor insulating film 58 is higher in specific resistance than the first capacitor insulating film 92 and is formed with an insulating film having different electrical properties.

第1容量絶縁膜92は、画素電極36界面及び共通電極38界面におけるショットキー障壁の高さを共通にするために、各電極に接するよう形成される。また第1配向膜60よりも比抵抗が低い膜を形成することによって、第1配向膜60層界面に溜まった電荷を効率的に逃がし、緩和させる機能を持たせる。   The first capacitor insulating film 92 is formed in contact with each electrode so that the height of the Schottky barrier at the interface of the pixel electrode 36 and the common electrode 38 is the same. Further, by forming a film having a specific resistance lower than that of the first alignment film 60, it has a function of efficiently releasing and mitigating charges accumulated at the interface of the first alignment film 60.

一方、第2容量絶縁膜58では共通電極38と画素電極36間の耐電圧や書き込み容量のバランスを取るために形成され、第1容量絶縁膜92よりも第2容量絶縁膜58は比抵抗が高く、異なる電気物性の絶縁膜を形成する。例えば、SiNとSiO2のような組み合わせの場合や、成膜条件の異なる2種類のシリコン窒化膜(SiNx) を形成する組み合わせなどが考えられる。 On the other hand, the second capacitor insulating film 58 is formed to balance the withstand voltage and the write capacity between the common electrode 38 and the pixel electrode 36, and the second capacitor insulating film 58 has a specific resistance higher than that of the first capacitor insulating film 92. An insulating film having a high and different electrical property is formed. For example, a combination of SiN and SiO 2 or a combination of forming two types of silicon nitride films (SiNx) having different film formation conditions can be considered.

走査線26(ゲート電極34g)、共通配線30、データ線28(ソース電極34s)、及びドレイン電極34dは、金属材料(例えばアルミニウム)によって形成されている。半導体層34aは、アモルファスシリコンやポリシリコン等の半導体が用いられる。また、ゲート絶縁膜52は例えば酸化シリコンが、層間絶縁膜54は例えば酸化シリコンや窒化シリコンが、平坦化層56は樹脂材料が、第2容量絶縁膜58及び第1容量絶縁膜92は例えば酸化シリコンや窒化シリコンが、それぞれ用いられ、いずれも透光性を有する層として形成される。第1配向膜60は、例えばポリイミド樹脂からなり、画素電極36の液晶層40に接する側であって、少なくとも画素電極36を覆うように形成されている。   The scanning line 26 (gate electrode 34g), the common wiring 30, the data line 28 (source electrode 34s), and the drain electrode 34d are formed of a metal material (for example, aluminum). The semiconductor layer 34a is made of a semiconductor such as amorphous silicon or polysilicon. The gate insulating film 52 is made of, for example, silicon oxide, the interlayer insulating film 54 is made of, for example, silicon oxide or silicon nitride, the planarizing layer 56 is made of a resin material, and the second capacitor insulating film 58 and the first capacitor insulating film 92 are made of, for example, oxidized. Silicon and silicon nitride are respectively used, and both are formed as a light-transmitting layer. The first alignment film 60 is made of, for example, polyimide resin, and is formed to cover at least the pixel electrode 36 on the side in contact with the liquid crystal layer 40 of the pixel electrode 36.

さて、本実施形態では、液晶装置2は前述するように、ノーマリーブラック表示を行うように構成されている。また、液晶層がポジ型の液晶分子で形成され、基板18側から液晶装置2に入射する照射光の偏光方向がY軸方向であることから、液晶分子の初期的な配向方向がY軸方向となるように、第1配向膜60及び第2配向膜48が配向処理されている。すなわち、第2配向膜48及び第1配向膜60の配向処理方向は、ともにY軸方向であって互いにプレチルト角が反対向きになるように施されている。   In the present embodiment, the liquid crystal device 2 is configured to perform normally black display as described above. In addition, since the liquid crystal layer is formed of positive liquid crystal molecules and the polarization direction of the irradiation light incident on the liquid crystal device 2 from the substrate 18 side is the Y axis direction, the initial alignment direction of the liquid crystal molecules is the Y axis direction. Thus, the first alignment film 60 and the second alignment film 48 are subjected to alignment treatment. That is, the alignment processing directions of the second alignment film 48 and the first alignment film 60 are both Y-axis directions and the pretilt angles are opposite to each other.

第1配向膜60と第2配向膜48とは異なる材料で構成されている。第2配向膜48は第1配向膜60よりも比抵抗が高い材料で構成されている。例えば、第1配向膜60の材料は日産化学社製 SE−6514である。なお、配向膜成膜条件により形成される比抵抗値は、1.0×1014〜1.0×1015Ω・cmの範囲で変動する。また、第2配向膜48の材料は、JSR社製 AL16157である。なお、配向膜成膜条件により形成される比抵抗値は、1.0×1015〜1.0×1016Ω・cmの範囲で変動する。 The first alignment film 60 and the second alignment film 48 are made of different materials. The second alignment film 48 is made of a material having a higher specific resistance than the first alignment film 60. For example, the material of the first alignment film 60 is SE-6514 manufactured by Nissan Chemical Industries. In addition, the specific resistance value formed by the alignment film forming condition varies in the range of 1.0 × 10 14 to 1.0 × 10 15 Ω · cm. The material of the second alignment film 48 is AL16157 manufactured by JSR Corporation. In addition, the specific resistance value formed by the alignment film forming conditions varies in the range of 1.0 × 10 15 to 1.0 × 10 16 Ω · cm.

また、偏光板42はY軸方向に透過軸を呈し、偏光板44はX軸方向に透過軸を呈するクロスニコル配置となるように貼り付けられている。もとより、基板18に入射する照射光が、ほぼY軸方向のみに振動する偏光光である場合は、照射光の入射側となる偏光板42は無くても差し支えない。   Further, the polarizing plate 42 is attached so as to have a crossed Nicols arrangement in which the transmission axis is in the Y-axis direction and the transmission axis is in the X-axis direction. Of course, in the case where the irradiation light incident on the substrate 18 is polarized light that vibrates substantially only in the Y-axis direction, the polarizing plate 42 on the incident light incident side may be omitted.

本実施形態によれば、横電界駆動の液晶パネルにおいて、画素電極36に近く電界強度が強い第1配向膜60については、バイアス電圧により蓄積される電荷を緩和しやすくなる機能を重視して比抵抗の低い配向膜を配置し、一方、比較的電界強度が小さい対向する第2配向膜48には、第1配向膜60よりも比抵抗が高い配向膜を配置して、フリッカ現象を抑制する。   According to the present embodiment, in the horizontal electric field drive liquid crystal panel, the first alignment film 60 that is close to the pixel electrode 36 and has a strong electric field strength emphasizes the function of easily reducing charges accumulated by the bias voltage. An alignment film having a low resistance is disposed. On the other hand, an alignment film having a specific resistance higher than that of the first alignment film 60 is disposed on the opposing second alignment film 48 having a relatively small electric field strength to suppress the flicker phenomenon. .

また、画素電極36上に第1配向膜60の比抵抗値以下である第1容量絶縁膜92を配置することによって、蓄積した電荷の緩和速度に影響を与えることなく、電極端部近傍で局所的に発生する電界集中を緩和させ、液晶層40にかかる電界強度ピーク値の引き下げを図り、フリッカ現象を抑制する。   Further, by disposing the first capacitor insulating film 92 having a specific resistance value equal to or less than the specific resistance value of the first alignment film 60 on the pixel electrode 36, the first charge insulating film 92 is locally formed in the vicinity of the electrode end without affecting the relaxation rate of the accumulated charge. The concentration of the electric field that occurs is relaxed, the peak value of the electric field strength applied to the liquid crystal layer 40 is lowered, and the flicker phenomenon is suppressed.

さらに、液晶パネルを交流駆動する際、液晶容量成分に印加されるプラス電圧とマイナス電圧のバランスが崩れると表示画像のチラツキやフリッカとして表示品位を著しく低下させる。このようなフリッカ現象の一つの発生要因として、画素及び共通電極36,38と第1及び第2容量絶縁膜92,58や第1及び第2配向膜60,48などの絶縁膜との界面のショットキー障壁による微量の電流量差、すなわちパネルに溜まる注入電荷量差が挙げられる。交流駆動におけるプラス電圧とマイナス電圧との間で、このような注入電荷量差があると、駆動時間とともにバイアス電圧が経時的に変化してしまう。その結果、初期的に最適化された共通電極38電位が変動し、フリッカ現象や焼き付き現象が悪化してしまう。   Further, when the liquid crystal panel is AC driven, if the balance between the positive voltage and the negative voltage applied to the liquid crystal capacitance component is lost, the display quality is remarkably lowered as flickering or flickering of the display image. One cause of such a flicker phenomenon is the interface between the pixel and common electrodes 36 and 38 and the first and second capacitor insulating films 92 and 58 and the first and second alignment films 60 and 48. A small amount of current difference due to the Schottky barrier, that is, a difference in injected charge accumulated in the panel can be mentioned. If there is such a difference in injected charge amount between a positive voltage and a negative voltage in AC driving, the bias voltage changes with time along with the driving time. As a result, the initially optimized potential of the common electrode 38 fluctuates, and the flicker phenomenon and the burn-in phenomenon deteriorate.

したがって、上記の画素電極36界面と共通電極38界面におけるショットキー障壁の影響を抑制・軽減し、経時的なフリッカ現象の悪化を防止するために、同一の材料で形成された画素電極36及び共通電極38に対して、パネル駆動時に電界が発生する電極面との界面に同一の材料からなる絶縁膜が形成されていることが望ましい(画素電極36と共通電極38が異種材料で形成された場合や電極に接する絶縁膜の材料が異なる場合であっても、プラス電圧とマイナス電圧のバランスを取ることは理論的には可能であるが、非常に難しい層構造の組み合わせが必要となる)。   Accordingly, in order to suppress and reduce the influence of the Schottky barrier at the interface between the pixel electrode 36 and the common electrode 38 and to prevent the flicker phenomenon from deteriorating over time, the pixel electrode 36 and the common electrode formed with the same material are used. It is desirable that an insulating film made of the same material is formed on the electrode 38 at the interface with the electrode surface that generates an electric field when the panel is driven (when the pixel electrode 36 and the common electrode 38 are formed of different materials). Even if the material of the insulating film in contact with the electrodes is different, it is theoretically possible to balance the positive voltage and the negative voltage, but a very difficult combination of layer structures is required).

(第2の実施形態)
本実施形態に係る液晶装置は、画素電極36と第1容量絶縁膜92との構成を除いて第1の実施形態に係る液晶装置2と同様である。
図5は、本実施形態に係る液晶装置6の断面図である。この液晶装置6において、基板16は、平板としての基材50に対して、液晶層40側の基板面に、走査線26(ゲート電極34g)と共通配線30、ゲート絶縁膜52、半導体層34a、データ線28(ソース電極34s)とドレイン電極34d、層間絶縁膜54、平坦化層56、共通電極38、第1容量絶縁膜92、第2容量絶縁膜58、画素電極36、第1容量絶縁膜92、及び第1配向膜60が順次形成されたものである。
(Second Embodiment)
The liquid crystal device according to this embodiment is the same as the liquid crystal device 2 according to the first embodiment except for the configuration of the pixel electrode 36 and the first capacitor insulating film 92.
FIG. 5 is a cross-sectional view of the liquid crystal device 6 according to the present embodiment. In the liquid crystal device 6, the substrate 16 has a scanning line 26 (gate electrode 34 g), a common wiring 30, a gate insulating film 52, and a semiconductor layer 34 a on the substrate surface on the liquid crystal layer 40 side with respect to the base material 50 as a flat plate. , Data line 28 (source electrode 34s) and drain electrode 34d, interlayer insulating film 54, planarization layer 56, common electrode 38, first capacitor insulating film 92, second capacitor insulating film 58, pixel electrode 36, first capacitor insulating The film 92 and the first alignment film 60 are sequentially formed.

本実施形態では画素電極36が第1容量絶縁膜92の層中に埋め込まれている。   In the present embodiment, the pixel electrode 36 is embedded in the layer of the first capacitor insulating film 92.

本実施形態に係る液晶装置6によれば、第1の実施形態に係る液晶装置2により得られる効果と同様の効果が得られる。   According to the liquid crystal device 6 according to the present embodiment, the same effect as that obtained by the liquid crystal device 2 according to the first embodiment can be obtained.

(第3の実施形態)
本実施形態に係る液晶装置は、画素電極36と第1容量絶縁膜92との構成を除いて第1の実施形態に係る液晶装置2と同様である。
図6は、本実施形態に係る液晶装置8の断面図である。この液晶装置8において、基板16は、平板としての基材50に対して、液晶層40側の基板面に、走査線26(ゲート電極34g)と共通配線30、ゲート絶縁膜52、半導体層34a、データ線28(ソース電極34s)とドレイン電極34d、層間絶縁膜54、平坦化層56、共通電極38、第1容量絶縁膜92、第2容量絶縁膜58、画素電極36、第1容量絶縁膜92、及び第1配向膜60が順次形成されたものである。
(Third embodiment)
The liquid crystal device according to this embodiment is the same as the liquid crystal device 2 according to the first embodiment except for the configuration of the pixel electrode 36 and the first capacitor insulating film 92.
FIG. 6 is a cross-sectional view of the liquid crystal device 8 according to the present embodiment. In the liquid crystal device 8, the substrate 16 has a scanning line 26 (gate electrode 34g), a common wiring 30, a gate insulating film 52, and a semiconductor layer 34a on the substrate surface on the liquid crystal layer 40 side with respect to the base material 50 as a flat plate. , Data line 28 (source electrode 34s) and drain electrode 34d, interlayer insulating film 54, planarization layer 56, common electrode 38, first capacitor insulating film 92, second capacitor insulating film 58, pixel electrode 36, first capacitor insulating The film 92 and the first alignment film 60 are sequentially formed.

本実施形態では、画素電極36が第1容量絶縁膜92で包囲されている。   In the present embodiment, the pixel electrode 36 is surrounded by the first capacitor insulating film 92.

本実施形態に係る液晶装置8によれば、第1の実施形態に係る液晶装置2により得られる効果と同様の効果が得られる。   According to the liquid crystal device 8 according to the present embodiment, the same effect as that obtained by the liquid crystal device 2 according to the first embodiment can be obtained.

(第4の実施形態)
本実施形態の液晶装置は、プロジェクターの液晶ライトバルブ用途を想定したIPS方式の透過型液晶装置の例である。
図7は、同液晶装置を構成するTFTアレイ基板の隣り合う複数の画素の平面図である。また、図8は、図7におけるB−B’線に沿う断面図である。尚、図7及び図8において、図3及び図4に示した第1の実施形態に係る構成要素と同様の構成要素に同一の参照符合を付し、それらの説明は適宜省略する。
(Fourth embodiment)
The liquid crystal device of the present embodiment is an example of an IPS-type transmissive liquid crystal device that is intended for use as a liquid crystal light valve of a projector.
FIG. 7 is a plan view of a plurality of adjacent pixels on the TFT array substrate constituting the liquid crystal device. 8 is a cross-sectional view taken along the line BB ′ in FIG. 7 and 8, the same reference numerals are given to the same components as the components according to the first embodiment shown in FIGS. 3 and 4, and description thereof will be omitted as appropriate.

本実施形態に係る液晶装置96は、図7及び図8に示すように、第1基板としてのTFTアレイ基板62上に複数のデータ線28と複数の走査線26とが格子状に設けられており、これらデータ線28と走査線26とに囲まれた領域に対応する複数の画素Gがマトリクス状に設けられている。そして、各画素Gに対応して第1電極としての画素電極66と第2電極としての共通電極74とが設けられている。走査線26は、半導体層76のうち、チャネル領域76aに対向するゲート電極78にコンタクトホールCH3を介して電気的に接続されており、ゲート電極78のパターンは走査線26のパターンの内側に含まれる形となっている。そして、ゲート電極78とデータ線28との交差する箇所には、チャネル領域76a上にゲート電極78が対向配置された画素スイッチング素子としてのTFT68が設けられている。   As shown in FIGS. 7 and 8, the liquid crystal device 96 according to the present embodiment includes a plurality of data lines 28 and a plurality of scanning lines 26 arranged in a grid pattern on a TFT array substrate 62 as a first substrate. A plurality of pixels G corresponding to a region surrounded by the data lines 28 and the scanning lines 26 are provided in a matrix. Corresponding to each pixel G, a pixel electrode 66 as a first electrode and a common electrode 74 as a second electrode are provided. The scanning line 26 is electrically connected to the gate electrode 78 of the semiconductor layer 76 facing the channel region 76a through the contact hole CH3. The pattern of the gate electrode 78 is included inside the pattern of the scanning line 26. It has become a form. A TFT 68 serving as a pixel switching element in which the gate electrode 78 is opposed to the channel region 76a is provided at a location where the gate electrode 78 and the data line 28 intersect.

液晶装置96は、図8に示すように、基材50を有するTFTアレイ基板62と、基材46を有する第2基板としての対向基板64とを備えている。TFTアレイ基板62上には、画素電極66と共通電極74とが設けられており、その上層側にはラビング処理等の所定の配向処理が施された第1配向膜60が設けられている。画素電極66は、例えばITO等の透明導電性材料から構成されている。他方、対向基板64上には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された第2配向膜48が設けられている。TFTアレイ基板62と対向基板64との間には、シール材(不図示)により囲まれた空間に液晶が封入され、液晶層40が形成されている。液晶層40は、電界が印加されていない状態で第1及び第2配向膜60,48により所定の初期配向状態をとる。   As shown in FIG. 8, the liquid crystal device 96 includes a TFT array substrate 62 having a base material 50 and a counter substrate 64 as a second substrate having a base material 46. A pixel electrode 66 and a common electrode 74 are provided on the TFT array substrate 62, and a first alignment film 60 that has been subjected to a predetermined alignment process such as a rubbing process is provided on the upper layer side thereof. The pixel electrode 66 is made of a transparent conductive material such as ITO. On the other hand, a second alignment film 48 subjected to a predetermined alignment process such as a rubbing process is provided on the counter substrate 64. Between the TFT array substrate 62 and the counter substrate 64, liquid crystal is sealed in a space surrounded by a sealing material (not shown) to form a liquid crystal layer 40. The liquid crystal layer 40 takes a predetermined initial alignment state by the first and second alignment films 60 and 48 in a state where no electric field is applied.

TFTアレイ基板62上には、上述の画素電極66、共通電極74、第1配向膜60の他、これらを含む各種の構成要素が積層構造をなして備えられている。図8において下から順に、走査線26を含む層を「第1層」、ゲート電極78、TFT68等を含む層を「第2層」、蓄積容量72を含む層を「第3層」、データ線28等を含む層を「第4層」、容量配線70等を含む層を「第5層」、画素電極66、共通電極74、第1容量絶縁膜92、及び第1配向膜60等を含む層を「第6層(最上層)」と称する。また、第1層と第2層との間には下地絶縁膜80、第2層と第3層との間には第1層間絶縁膜82、第3層と第4層との間には第2層間絶縁膜84、第4層と第5層との間には第3層間絶縁膜86、第5層と第6層との間には第4層間絶縁膜(第2容量絶縁膜)58がそれぞれ設けられており、前述の各要素間の短絡を防止している。また、これら各種の絶縁膜80,82,84,86,58には、上下の導電層間を電気的に接続するコンタクトホール等も設けられている。   On the TFT array substrate 62, in addition to the pixel electrode 66, the common electrode 74, and the first alignment film 60 described above, various components including these are provided in a laminated structure. In order from the bottom in FIG. 8, the layer including the scanning line 26 is “first layer”, the layer including the gate electrode 78, the TFT 68, etc. is “second layer”, the layer including the storage capacitor 72 is “third layer”, and the data The layer including the line 28 and the like is the “fourth layer”, the layer including the capacitor wiring 70 and the like is the “fifth layer”, the pixel electrode 66, the common electrode 74, the first capacitor insulating film 92, the first alignment film 60 and the like. The containing layer is referred to as “sixth layer (uppermost layer)”. Also, a base insulating film 80 is provided between the first layer and the second layer, a first interlayer insulating film 82 is provided between the second layer and the third layer, and a space between the third layer and the fourth layer is provided. The second interlayer insulating film 84, the third interlayer insulating film 86 between the fourth layer and the fifth layer, and the fourth interlayer insulating film (second capacitor insulating film) between the fifth layer and the sixth layer 58 are provided to prevent a short circuit between the aforementioned elements. These various insulating films 80, 82, 84, 86, 58 are also provided with contact holes for electrically connecting the upper and lower conductive layers.

(画素電極と共通電極の構成)
次に、本実施形態の最大の特徴点である画素電極66と共通電極74の構成について、図8を用いて説明する。
(Configuration of pixel electrode and common electrode)
Next, the configuration of the pixel electrode 66 and the common electrode 74, which is the greatest feature of the present embodiment, will be described with reference to FIG.

本実施形態では、図8に示すように、画素電極66及び共通電極74が第1容量絶縁膜92層中に埋め込まれている。また、画素電極66は、2本の帯状電極部66a(電極部)と、2本の帯状電極部66a間を連結する連結部66bとを有し、いわゆるU字状に形成されている。ここでは、画素電極66の各部を帯状電極部、連結部と分けて呼ぶが、実際には一体の電極パターンであり、例えばITO等の透明導電材料で形成されている。2本の帯状電極部66aは、データ線28及び走査線26に対して斜めに交差する方向に延在し、互いに平行に配置されている。本実施形態の場合、帯状電極部66aの延在方向と走査線26の延在方向とのなす角度は70度に設定されている。画素電極66は、図7における各帯状電極部66aの下端側で連結部66bと連結されており、各帯状電極部66aの上端側が開放端となっている。   In the present embodiment, as shown in FIG. 8, the pixel electrode 66 and the common electrode 74 are embedded in the first capacitor insulating film 92 layer. The pixel electrode 66 includes two strip electrode portions 66a (electrode portions) and a connecting portion 66b that connects the two strip electrode portions 66a, and is formed in a so-called U-shape. Here, although each part of the pixel electrode 66 is referred to as a strip electrode part and a connection part, it is actually an integral electrode pattern, and is formed of a transparent conductive material such as ITO, for example. The two strip electrode portions 66a extend in a direction obliquely intersecting the data lines 28 and the scanning lines 26, and are arranged in parallel to each other. In the present embodiment, the angle formed by the extending direction of the strip electrode portion 66a and the extending direction of the scanning line 26 is set to 70 degrees. The pixel electrode 66 is connected to the connecting portion 66b on the lower end side of each strip electrode portion 66a in FIG. 7, and the upper end side of each strip electrode portion 66a is an open end.

一方、共通電極74も画素電極66と同様、2本の帯状電極部74aと、2本の帯状電極部74a間を連結する連結部74bとを有し、U字状に形成されている。共通電極74もITO等の透明導電材料で形成された一体のパターンである。2本の帯状電極部74aは、走査線26の延在方向に対して70度の角度をなすように互いに平行に延在している。共通電極74は、画素電極66とは逆に、図7における各帯状電極部74aの上端側で連結部74bと連結されており、各帯状電極部74aの下端側が開放端となっている。画素電極66や共通電極74をITO等の透明導電材料で形成したことによって、これら電極66,74の帯状電極部66a,74aの直上もある程度表示に寄与させることができるため、開口率をより高めることができる。   On the other hand, the common electrode 74, like the pixel electrode 66, has two strip electrode portions 74a and a connecting portion 74b connecting the two strip electrode portions 74a, and is formed in a U shape. The common electrode 74 is also an integral pattern formed of a transparent conductive material such as ITO. The two strip electrode portions 74a extend in parallel to each other so as to form an angle of 70 degrees with respect to the extending direction of the scanning line 26. Contrary to the pixel electrode 66, the common electrode 74 is connected to the connecting portion 74b on the upper end side of each strip electrode portion 74a in FIG. 7, and the lower end side of each strip electrode portion 74a is an open end. Since the pixel electrode 66 and the common electrode 74 are formed of a transparent conductive material such as ITO, the portion directly above the strip-like electrode portions 66a and 74a of the electrodes 66 and 74 can contribute to display to some extent, so that the aperture ratio is further increased. be able to.

画素電極66の2本の帯状電極部66aの間に共通電極74の1本の帯状電極部74aが配置され、共通電極74の2本の帯状電極部74aの間に画素電極66の1本の帯状電極部66aが配置されている。すなわち、U字状の画素電極66と共通電極74とが噛み合うように配置されており、走査線26の延在方向に沿って見ると、画素電極66の帯状電極部66aと共通電極74の帯状電極部74aとが1本ずつ交互に配置されている。画素電極66の2本の帯状電極部66aの大部分は、ブラックマトリクス90が開口した各画素Gの光透過領域内に位置している。その一方、共通電極74の2本の帯状電極部74aのうち、1本の帯状電極部74a(図7における左側の帯状電極部74a)の大部分は各画素Gの光透過領域内に位置するが、残りの1本の帯状電極部74a(図7における右側の帯状電極部74a)はデータ線28(図7では図示略)や容量配線70等と交差し、走査線26の延在方向に沿って隣り合う2つの画素Gに跨って配置されている。   One strip electrode portion 74 a of the common electrode 74 is disposed between the two strip electrode portions 66 a of the pixel electrode 66, and one pixel electrode 66 is disposed between the two strip electrode portions 74 a of the common electrode 74. A strip electrode portion 66a is disposed. That is, the U-shaped pixel electrode 66 and the common electrode 74 are disposed so as to mesh with each other, and when viewed along the extending direction of the scanning line 26, the band-shaped electrode portion 66a of the pixel electrode 66 and the band-shaped of the common electrode 74 are arranged. The electrode portions 74a are alternately arranged one by one. Most of the two strip electrode portions 66a of the pixel electrode 66 are located in the light transmission region of each pixel G in which the black matrix 90 is opened. On the other hand, most of the one strip electrode portion 74a (the left strip electrode portion 74a in FIG. 7) of the two strip electrode portions 74a of the common electrode 74 is located in the light transmission region of each pixel G. However, the remaining one strip electrode portion 74a (the right strip electrode portion 74a in FIG. 7) intersects the data line 28 (not shown in FIG. 7), the capacitor wiring 70, etc., and extends in the extending direction of the scanning line 26. It is arranged across two adjacent pixels G along the same line.

本実施形態に係る液晶装置96によれば、第1の実施形態に係る液晶装置2により得られる効果と同様の効果が得られる。   According to the liquid crystal device 96 according to the present embodiment, the same effect as that obtained by the liquid crystal device 2 according to the first embodiment can be obtained.

(第5の実施形態)
本実施形態に係る液晶装置は、画素電極66と第1容量絶縁膜92との構成を除いて第4の実施形態に係る液晶装置96と同様である。
図9は、本実施形態に係る液晶装置98の断面図である。この液晶装置98において、図9において下から順に、走査線26を含む層を「第1層」、ゲート電極78、TFT68等を含む層を「第2層」、蓄積容量72を含む層を「第3層」、データ線28等を含む層を「第4層」、容量配線70等を含む層を「第5層」、画素電極66、共通電極74、第1容量絶縁膜92、及び第1配向膜60等を含む層を「第6層(最上層)」と称する。
また、第1層と第2層との間には下地絶縁膜80、第2層と第3層との間には第1層間絶縁膜82、第3層と第4層との間には第2層間絶縁膜84、第4層と第5層との間には第3層間絶縁膜86、第5層と第6層との間には第4層間絶縁膜(第2容量絶縁膜)58がそれぞれ設けられており、前述の各要素間の短絡を防止している。
(Fifth embodiment)
The liquid crystal device according to the present embodiment is the same as the liquid crystal device 96 according to the fourth embodiment except for the configuration of the pixel electrode 66 and the first capacitor insulating film 92.
FIG. 9 is a cross-sectional view of the liquid crystal device 98 according to the present embodiment. In this liquid crystal device 98, in order from the bottom in FIG. 9, the layer including the scanning line 26 is “first layer”, the layer including the gate electrode 78, the TFT 68, etc. is “second layer”, and the layer including the storage capacitor 72 is “ The “third layer”, the layer including the data line 28 and the like as the “fourth layer”, the layer including the capacitor wiring 70 and the like as the “fifth layer”, the pixel electrode 66, the common electrode 74, the first capacitor insulating film 92, and the A layer including the first alignment film 60 and the like is referred to as a “sixth layer (uppermost layer)”.
Also, a base insulating film 80 is provided between the first layer and the second layer, a first interlayer insulating film 82 is provided between the second layer and the third layer, and a space between the third layer and the fourth layer is provided. The second interlayer insulating film 84, the third interlayer insulating film 86 between the fourth layer and the fifth layer, and the fourth interlayer insulating film (second capacitor insulating film) between the fifth layer and the sixth layer 58 are provided to prevent a short circuit between the aforementioned elements.

本実施形態では、画素電極66及び共通電極74が第1容量絶縁膜92で包囲されている。   In the present embodiment, the pixel electrode 66 and the common electrode 74 are surrounded by the first capacitor insulating film 92.

本実施形態に係る液晶装置98によれば、第4の実施形態に係る液晶装置96により得られる効果と同様の効果が得られる。   According to the liquid crystal device 98 according to the present embodiment, the same effect as that obtained by the liquid crystal device 96 according to the fourth embodiment can be obtained.

(電子機器)
上記実施形態では、液晶装置2を、図1に示すプロジェクター4のライトバルブとして用いたが、以下に説明する電子機器の直視型表示装置に液晶装置2を用いてもよい。
(Electronics)
In the above embodiment, the liquid crystal device 2 is used as a light valve of the projector 4 shown in FIG. 1, but the liquid crystal device 2 may be used in a direct-view display device of an electronic device described below.

図10は、本実施形態に係る反射型の液晶装置2を直視型の表示装置として用いた電子機器の説明図である。まず、図10(A)に示す携帯電話機100は、複数の操作ボタン102、スクロールボタン104、並びに表示ユニットとしての液晶装置2を備える。スクロールボタン104を操作することによって、液晶装置2に表示される画面がスクロールされる。図10(B)に示す情報携帯端末(PDA:Personal Digital Assistants)200は、複数の操作ボタン202、電源スイッチ204、並びに表示ユニットとしての液晶装置2を備えており、電源スイッチ204を操作すると、住所録やスケジュール帳といった各種の情報が液晶装置2に表示される。また、本実施形態に係る液晶装置2が搭載される電子機器としては、図10(A)及び(B)に示すものの他、ヘッドマウンティトディスプレイ、デジタルスチールカメラ、液晶テレビ、ビューファインダー型、モニター直視型のビデオテープレコーダー、カーナビゲーション装置、ページャー、電子手帳、電卓、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、POS端末、銀行端末などの電子機器などが挙げられる。   FIG. 10 is an explanatory diagram of an electronic device that uses the reflective liquid crystal device 2 according to the present embodiment as a direct-view display device. First, the cellular phone 100 illustrated in FIG. 10A includes a plurality of operation buttons 102, a scroll button 104, and the liquid crystal device 2 as a display unit. By operating the scroll button 104, the screen displayed on the liquid crystal device 2 is scrolled. A personal digital assistant (PDA) 200 shown in FIG. 10B includes a plurality of operation buttons 202, a power switch 204, and the liquid crystal device 2 as a display unit. When the power switch 204 is operated, Various kinds of information such as an address book and a schedule book are displayed on the liquid crystal device 2. In addition to the electronic devices shown in FIGS. 10A and 10B, the electronic apparatus on which the liquid crystal device 2 according to this embodiment is mounted includes a head mounted display, a digital still camera, a liquid crystal television, a viewfinder type, a monitor. Examples include direct-view video tape recorders, car navigation devices, pagers, electronic notebooks, calculators, word processors, workstations, videophones, POS terminals, and bank terminals.

2…液晶装置 4…プロジェクター 6,8…液晶装置 10…光源 12…偏光ビームスプリッター 14…投射レンズ 16…基板(第1基板) 18…基板(第2基板) 20…走査駆動回路 22…データ駆動回路 24…共通端子 26…走査線 28…データ線 30…共通配線 32…遮光層 34…薄膜トランジスター(画素スイッチング素子) 34a…半導体層 34g…ゲート電極 34d…ドレイン電極 34s…ソース電極 36…画素電極(第1電極) 38…共通電極(第2電極) 40…液晶層 42…偏光板 44…偏光板 46…基材 48…第2配向膜 50…基材 52…ゲート絶縁膜 54…層間絶縁膜 56…平坦化層 58…第2容量絶縁膜(第4層間絶縁膜)(第2絶縁膜) 60…第1配向膜 62…TFTアレイ基板(第1基板) 64…対向基板(第2基板) 66…画素電極(第1電極) 66a…帯状電極部 66b…連結部 68…TFT(画素スイッチング素子) 70…容量配線 72…蓄積容量 74…共通電極(第2電極) 74a…帯状電極部 74b…連結部 76…半導体層 76a…チャネル領域 78…ゲート電極 80…下地絶縁膜 82…第1層間絶縁膜 84…第2層間絶縁膜 86…第3層間絶縁膜 90…ブラックマトリクス 92…第1容量絶縁膜(第1絶縁膜) 96,98…液晶装置 100…携帯電話機 102…操作ボタン 104…スクロールボタン 200…情報携帯端末 202…操作ボタン 204…電源スイッチ。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 2 ... Liquid crystal device 4 ... Projector 6,8 ... Liquid crystal device 10 ... Light source 12 ... Polarizing beam splitter 14 ... Projection lens 16 ... Substrate (first substrate) 18 ... Substrate (second substrate) 20 ... Scanning drive circuit 22 ... Data drive Circuit 24 ... Common terminal 26 ... Scanning line 28 ... Data line 30 ... Common wiring 32 ... Light shielding layer 34 ... Thin film transistor (pixel switching element) 34a ... Semiconductor layer 34g ... Gate electrode 34d ... Drain electrode 34s ... Source electrode 36 ... Pixel electrode (First electrode) 38 ... common electrode (second electrode) 40 ... liquid crystal layer 42 ... polarizing plate 44 ... polarizing plate 46 ... substrate 48 ... second alignment film 50 ... substrate 52 ... gate insulating film 54 ... interlayer insulating film 56 ... Planarization layer 58 ... Second capacitor insulating film (fourth interlayer insulating film) (second insulating film) 60 ... First alignment film 62 ... TFT A substrate (first substrate) 64 ... counter substrate (second substrate) 66 ... pixel electrode (first electrode) 66a ... strip electrode part 66b ... connection part 68 ... TFT (pixel switching element) 70 ... capacitor wiring 72 ... storage capacitor 74 ... Common electrode (second electrode) 74a ... Band-shaped electrode part 74b ... Connection part 76 ... Semiconductor layer 76a ... Channel region 78 ... Gate electrode 80 ... Base insulating film 82 ... First interlayer insulating film 84 ... Second interlayer insulating film 86 ... third interlayer insulating film 90 ... black matrix 92 ... first capacitor insulating film (first insulating film) 96, 98 ... liquid crystal device 100 ... mobile phone 102 ... operating button 104 ... scroll button 200 ... information portable terminal 202 ... operating button 204: Power switch.

Claims (6)

複数の画素の各々に画素スイッチング素子が設けられた第1基板と、
前記第1基板に対向する第2基板と、
前記第1基板に設けられた第1配向膜と、
前記第2基板に設けられた第2配向膜と、
前記第1配向膜と前記第2配向膜との間に挟持された液晶層と、
前記第1基板に設けられ、前記液晶層に電界を印加して該液晶層を調光駆動するための第1電極及び第2電極と、
前記電界が発生する前記第1電極及び前記第2電極の各界面に設けられた第1絶縁膜と、
前記第1基板に設けられ、前記画素スイッチング素子の表面を被覆する第2絶縁膜と、
を含み、
前記第1電極は、前記第2電極と同一の材料で構成され、
前記第2配向膜は、前記第1配向膜よりも比抵抗が高い材料で構成され、
前記第1配向膜は、前記第1絶縁膜よりも比抵抗が高い材料で構成され、
前記第1絶縁膜は、前記第2絶縁膜よりも比抵抗が低い材料で構成されていることを特徴とする液晶装置。
A first substrate provided with a pixel switching element in each of a plurality of pixels;
A second substrate facing the first substrate;
A first alignment film provided on the first substrate;
A second alignment film provided on the second substrate;
A liquid crystal layer sandwiched between the first alignment film and the second alignment film;
A first electrode and a second electrode, provided on the first substrate, for dimming and driving the liquid crystal layer by applying an electric field to the liquid crystal layer;
A first insulating film provided at each interface between the first electrode and the second electrode that generates the electric field;
A second insulating film provided on the first substrate and covering a surface of the pixel switching element;
Including
The first electrode is made of the same material as the second electrode,
The second alignment film is made of a material having a higher specific resistance than the first alignment film,
The first alignment film is made of a material having a higher specific resistance than the first insulating film,
The liquid crystal device, wherein the first insulating film is made of a material having a specific resistance lower than that of the second insulating film.
請求項1に記載の液晶装置において、
前記第1電極は、前記第1基板において前記第2電極よりも前記液晶層側に設けられているとともに、前記画素の各々の領域内に所定の間隔を隔てて設けられた複数のスリット状の開口部を有していることを特徴とする液晶装置。
The liquid crystal device according to claim 1,
The first electrode is provided on the liquid crystal layer side of the first substrate with respect to the second electrode, and has a plurality of slit-like shapes provided at predetermined intervals in each region of the pixel. A liquid crystal device having an opening.
請求項1に記載の液晶装置において、
前記第1電極及び前記第2電極は、前記第1基板において同層に設けられているとともに櫛歯形状を有しており、各々の前記櫛歯形状をなす部分が互い違いに入り込んだ状態で対向して配置されていることを特徴とする液晶装置。
The liquid crystal device according to claim 1,
The first electrode and the second electrode are provided in the same layer in the first substrate and have a comb shape, and are opposed to each other in a state in which the portions forming the comb shape are staggered. A liquid crystal device, wherein the liquid crystal device is disposed as a liquid crystal device.
請求項1〜3のいずれか一項に記載の液晶装置において、
前記第1及び第2電極のうち少なくとも一方は、前記第1絶縁膜の層中に埋め込まれていることを特徴とする液晶装置。
The liquid crystal device according to any one of claims 1 to 3,
At least one of the first and second electrodes is embedded in the layer of the first insulating film.
請求項1〜3のいずれか一項に記載の液晶装置において、
前記第1及び第2電極のうち少なくとも一方は、前記第1絶縁膜に包囲されていることを特徴とする液晶装置。
The liquid crystal device according to any one of claims 1 to 3,
At least one of the first and second electrodes is surrounded by the first insulating film.
請求項1〜5のいずれか一項に記載の液晶装置を備えた電子機器。   The electronic device provided with the liquid crystal device as described in any one of Claims 1-5.
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