[go: up one dir, main page]

JP2011050160A - Isolated dc-dc converter - Google Patents

Isolated dc-dc converter Download PDF

Info

Publication number
JP2011050160A
JP2011050160A JP2009195775A JP2009195775A JP2011050160A JP 2011050160 A JP2011050160 A JP 2011050160A JP 2009195775 A JP2009195775 A JP 2009195775A JP 2009195775 A JP2009195775 A JP 2009195775A JP 2011050160 A JP2011050160 A JP 2011050160A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
conductive layer
transformer
substrate
connection terminal
synchronous rectification
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2009195775A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Masato Morikawa
真人 森川
Mikio Yoshida
幹雄 吉田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toyota Industries Corp
Original Assignee
Toyota Industries Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toyota Industries Corp filed Critical Toyota Industries Corp
Priority to JP2009195775A priority Critical patent/JP2011050160A/en
Publication of JP2011050160A publication Critical patent/JP2011050160A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Rectifiers (AREA)
  • Dc-Dc Converters (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce noise in an isolated dc-dc converter in which an element for rectification is mounted over a substrate and the secondary winding of a transformer is connected to the substrate through a bus bar. <P>SOLUTION: In the transformer 30, a first connecting terminal 36 for one end of the secondary winding, a second connecting terminal 37 for the other end, and a third connecting terminal 38 for an intermediate tap are arranged at a certain height H1 from the bottom of an enclosure 35. These connecting terminals are so arranged that the connecting terminal 38 is sandwiched between the connecting terminal 36 and the connecting terminal 37 in the horizontal direction. A choke coil 40 is placed over a substrate 70 and a connecting terminal 42 extended toward the connecting terminal 38 from the enclosure 35 of the transformer 30 is connected with the connecting terminal 38. A conductive layer 73 for drain of the substrate 70 is extended in the direction of protrusion of the first connecting terminal 36 from the enclosure 35 of the transformer 30 as viewed in a plane. A conductive layer 74 for drain is extended in the direction of protrusion of the second connecting terminal 37 from the enclosure 35 of the transformer 30 as viewed in a plane. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は、絶縁型DC−DCコンバータに関するものである。   The present invention relates to an insulation type DC-DC converter.

DC−DCコンバータは、MOSFETなどのスイッチング素子を用いてスイッチングを行い、直流電圧を得る。スイッチング時にはスイッチングノイズおよびその高調波成分が発生し、AM帯(510〜1710kHz)ラジオノイズレベルを悪化させる原因となる。外部機器に悪影響を及ぼさないため、ラジオノイズレベルを低減する必要がある。   The DC-DC converter performs switching using a switching element such as a MOSFET to obtain a DC voltage. Switching noise and its harmonic components are generated at the time of switching, which causes the AM band (510 to 1710 kHz) radio noise level to deteriorate. In order not to adversely affect external equipment, it is necessary to reduce the radio noise level.

特許文献1では、プリントコイルを用いた2組のトランス間に2次側における半導体整流素子、フライホイール用半導体素子を配置することによって2次側回路における配線パターン、特に、2次側電流が遮断して流れるループを短くし、寄生インダクタンスを小さくしてスイッチング半導体素子のスイッチング損失および放射ノイズを小さくしている。   In Patent Document 1, the wiring pattern in the secondary circuit, in particular, the secondary current is cut off by arranging the semiconductor rectifier element and the flywheel semiconductor element on the secondary side between two sets of transformers using printed coils. Accordingly, the flowing loop is shortened, and the parasitic inductance is reduced to reduce the switching loss and radiation noise of the switching semiconductor element.

特開2007−274759号公報JP 2007-274759 A

基板に同期整流用MOSFETを実装するとともにトランスを基板とは別体に設けた場合において、図9に示すように、DC−DCコンバータ100の2次側において、同期整流用MOSFET111または同期整流用MOSFET112がオン時にトランスTから電流が流れ、オフ時には流れない。これを数100kHzの高周波で繰り返したとき、スイッチング周波数(数100kHz)とその高調波電流が出力側に伝導する。また、電流が流れる経路によりループR1,R2が形成されると、磁界が発生し放射ノイズや結合が発生する原因となる。これらはいずれもノイズレベルを悪化させる要因となり、特にAM帯(510〜1710kHz)においては、ノイズレベル悪化が車載時にラジオに悪影響を及ぼし問題となる。そのため、ノイズレベルを低減する必要があり、出力側にフィルタ回路(平滑フィルタF1)を追加するだけでなく、コンバータ内部でのノイズ発生そのものを減らす対策が必須である。   When the synchronous rectification MOSFET is mounted on the substrate and the transformer is provided separately from the substrate, the synchronous rectification MOSFET 111 or the synchronous rectification MOSFET 112 is provided on the secondary side of the DC-DC converter 100 as shown in FIG. Current flows from the transformer T when is turned on, and does not flow when turned off. When this is repeated at a high frequency of several hundred kHz, the switching frequency (several hundred kHz) and its harmonic current are conducted to the output side. Further, when the loops R1 and R2 are formed by a path through which a current flows, a magnetic field is generated, which causes radiation noise and coupling. All of these cause the noise level to deteriorate, and particularly in the AM band (510 to 1710 kHz), the noise level deterioration has a bad influence on the radio when mounted on the vehicle. For this reason, it is necessary to reduce the noise level, and not only the addition of a filter circuit (smoothing filter F1) on the output side, but also a measure to reduce the noise itself in the converter is essential.

本発明は、このような背景の下になされたものであり、その目的は、基板に整流用素子が実装されるとともにバスバーを介して基板にトランスの2次巻線が接続された絶縁型DC−DCコンバータにおいてノイズの低減を図ることにある。   The present invention has been made under such a background, and an object of the present invention is to provide an isolated DC in which a rectifying element is mounted on a substrate and a secondary winding of a transformer is connected to the substrate via a bus bar. -To reduce noise in a DC converter.

請求項1に記載の発明では、2次巻線に中間タップを有し、筐体の底面から一定の高さにおいて2次巻線の一端用の第1の接続端子と他端用の第2の接続端子と中間タップ用の第3の接続端子とが水平方向において前記第1の接続端子と第2の接続端子との間に第3の接続端子を挟んだ状態で配置されたトランスと、前記トランスとは別体に、かつ、前記トランスの第1、第2、第3の接続端子の下方に配置され、前記トランスの第1の接続端子に第1のバスバーを介して電気的に接続される第1の導電層と、前記トランスの第2の接続端子に第2のバスバーを介して電気的に接続される第2の導電層と、グランド電位となる第3の導電層とがパターニングされた基板と、前記基板の前記第1の導電層と第3の導電層とを電気的につなぐように前記基板に実装された第1の整流用素子と、前記基板の前記第2の導電層と第3の導電層とを電気的につなぐように前記基板に実装された第2の整流用素子と、前記基板の上方に配置され、平面視において前記トランスの筐体からの前記第3の接続端子に向かって延びる接続端子が前記トランスの第3の接続端子と電気的に接続されたチョークコイルと、を備えた絶縁型DC−DCコンバータにおいて、前記基板における第1の導電層が、平面視において前記トランスの筐体からの前記第1の接続端子の突出方向に延設されるとともに、前記基板における第2の導電層が、平面視において前記トランスの筐体からの前記第2の接続端子の突出方向に延設されてなることを要旨とする。   According to the first aspect of the present invention, the secondary winding has an intermediate tap, and the first connection terminal for one end of the secondary winding and the second for the other end at a certain height from the bottom surface of the housing. A transformer arranged with a third connection terminal sandwiched between the first connection terminal and the second connection terminal in the horizontal direction, and the third connection terminal for the intermediate tap in the horizontal direction; Disposed separately from the transformer and below the first, second, and third connection terminals of the transformer, and electrically connected to the first connection terminal of the transformer via a first bus bar. The first conductive layer to be patterned, the second conductive layer electrically connected to the second connection terminal of the transformer via the second bus bar, and the third conductive layer having the ground potential are patterned. Electrically connecting the formed substrate and the first conductive layer and the third conductive layer of the substrate. A first rectifying element mounted on the substrate; a second rectifying element mounted on the substrate so as to electrically connect the second conductive layer and the third conductive layer of the substrate; A choke coil disposed above the substrate and extending in a plan view from the transformer housing toward the third connection terminal and electrically connected to the third connection terminal of the transformer; In the insulated DC-DC converter, the first conductive layer in the substrate extends in the protruding direction of the first connection terminal from the casing of the transformer in plan view, and the substrate The second conductive layer is extended in the protruding direction of the second connection terminal from the casing of the transformer in plan view.

請求項1に記載の発明によれば、チョークコイルは基板の上方に配置され、平面視においてトランスの筐体からの第3の接続端子に向かって延びる接続端子がトランスの第3の接続端子と電気的に接続されている。基板とトランスとは別体であり、基板は、第1の導電層、第2の導電層、および、グランド電位となる第3の導電層がパターニングされ、第1の導電層がトランスの第1の接続端子に第1のバスバーを介して電気的に接続され、第2の導電層がトランスの第2の接続端子に第2のバスバーを介して電気的に接続されている。   According to the first aspect of the present invention, the choke coil is disposed above the substrate, and the connection terminal extending toward the third connection terminal from the transformer casing in plan view is the third connection terminal of the transformer. Electrically connected. The substrate and the transformer are separate from each other, and the substrate is patterned in the first conductive layer, the second conductive layer, and the third conductive layer that becomes the ground potential, and the first conductive layer is the first of the transformer. And the second conductive layer is electrically connected to the second connection terminal of the transformer via the second bus bar.

ここで、基板における第1の導電層が、平面視においてトランスの筐体からの第1の接続端子の突出方向に延設されているので、トランスの第1の接続端子、第1のバスバー、基板の第1の導電層による配線と、トランスの第3の接続端子、チョークコイルの接続端子による配線とを接近させることができ、この各配線を逆向きに電流が流れる際に発生する磁束同士が互いに弱め合うように作用することにより、放射ノイズを低減することができる。   Here, since the first conductive layer on the substrate is extended in the projecting direction of the first connection terminal from the casing of the transformer in plan view, the first connection terminal of the transformer, the first bus bar, The wiring by the first conductive layer of the substrate and the wiring by the third connection terminal of the transformer and the connection terminal of the choke coil can be brought close to each other, and magnetic fluxes generated when current flows in the opposite directions are connected to each other. The radiation noise can be reduced by acting so as to weaken each other.

同様に、基板における第2の導電層が、平面視においてトランスの筐体からの第2の接続端子の突出方向に延設されているので、トランスの第2の接続端子、第2のバスバー、基板の第2の導電層による配線と、トランスの第3の接続端子、チョークコイルの接続端子による配線とを接近させることができ、この各配線を逆向きに電流が流れる際に発生する磁束同士が互いに弱め合うように作用することにより、放射ノイズを低減することができる。   Similarly, since the second conductive layer on the substrate extends in the protruding direction of the second connection terminal from the casing of the transformer in plan view, the second connection terminal of the transformer, the second bus bar, The wiring by the second conductive layer of the substrate and the wiring by the third connection terminal of the transformer and the connection terminal of the choke coil can be brought close to each other, and magnetic fluxes generated when current flows in the opposite directions are connected to each other. The radiation noise can be reduced by acting so as to weaken each other.

請求項2に記載の発明では、2次巻線に中間タップを有し、筐体の底面から一定の高さにおいて2次巻線の一端用の第1の接続端子と他端用の第2の接続端子と中間タップ用の第3の接続端子とが水平方向において前記第1の接続端子と第2の接続端子との間に第3の接続端子を挟んだ状態で配置されたトランスと、前記トランスとは別体に、かつ、前記トランスの第1、第2、第3の接続端子の下方に配置され、前記トランスの第1の接続端子に第1のバスバーを介して電気的に接続される第1の導電層と、前記トランスの第2の接続端子に第2のバスバーを介して電気的に接続される第2の導電層と、グランド電位となる第3の導電層とがパターニングされた基板と、前記基板の前記第1の導電層と第3の導電層とを電気的につなぐように前記基板に実装された第1の整流用素子と、前記基板の前記第2の導電層と第3の導電層とを電気的につなぐように前記基板に実装された第2の整流用素子と、前記基板の上方に配置され、平面視において前記トランスの筐体からの前記第3の接続端子に向かって延びる接続端子が前記トランスの第3の接続端子と電気的に接続されたチョークコイルと、を備えた絶縁型DC−DCコンバータにおいて、前記基板における第1の導電層が、平面視において前記トランスの筐体からの前記第1の接続端子の突出方向から前記第2の導電層に接近する方向に曲げて延設されるとともに、前記基板における第2の導電層が、平面視において前記トランスの筐体からの前記第2の接続端子の突出方向から第1の導電層に接近する方向に曲げて延設されてなることを要旨とする。   In the second aspect of the present invention, the secondary winding has an intermediate tap, and the first connection terminal for one end of the secondary winding and the second for the other end at a certain height from the bottom surface of the housing. A transformer arranged with a third connection terminal sandwiched between the first connection terminal and the second connection terminal in the horizontal direction, and the third connection terminal for the intermediate tap in the horizontal direction; Disposed separately from the transformer and below the first, second, and third connection terminals of the transformer, and electrically connected to the first connection terminal of the transformer via a first bus bar. The first conductive layer to be patterned, the second conductive layer electrically connected to the second connection terminal of the transformer via the second bus bar, and the third conductive layer having the ground potential are patterned. Electrically connecting the formed substrate and the first conductive layer and the third conductive layer of the substrate. A first rectifying element mounted on the substrate; a second rectifying element mounted on the substrate so as to electrically connect the second conductive layer and the third conductive layer of the substrate; A choke coil disposed above the substrate and extending in a plan view from the transformer housing toward the third connection terminal and electrically connected to the third connection terminal of the transformer; The first conductive layer on the substrate approaches the second conductive layer from the direction in which the first connection terminal protrudes from the transformer housing in plan view. A direction in which the second conductive layer in the substrate approaches the first conductive layer from the protruding direction of the second connection terminal from the housing of the transformer in plan view. Bent and extended To become Te and gist.

請求項2に記載の発明によれば、チョークコイルは基板の上方に配置され、平面視においてトランスの筐体からの第3の接続端子に向かって延びる接続端子がトランスの第3の接続端子と電気的に接続されている。基板とトランスとは別体であり、基板は、第1の導電層、第2の導電層、および、グランド電位となる第3の導電層がパターニングされ、第1の導電層がトランスの第1の接続端子に第1のバスバーを介して電気的に接続され、第2の導電層がトランスの第2の接続端子に第2のバスバーを介して電気的に接続されている。   According to the second aspect of the present invention, the choke coil is disposed above the substrate, and the connection terminal extending toward the third connection terminal from the transformer housing in plan view is the third connection terminal of the transformer. Electrically connected. The substrate and the transformer are separate from each other, and the substrate is patterned in the first conductive layer, the second conductive layer, and the third conductive layer that becomes the ground potential, and the first conductive layer is the first of the transformer. And the second conductive layer is electrically connected to the second connection terminal of the transformer via the second bus bar.

ここで、基板における第1の導電層が、平面視においてトランスの筐体からの第1の接続端子の突出方向から第2の導電層に接近する方向に曲げて延設されているので、トランスの第1の接続端子、第1のバスバー、基板の第1の導電層による配線と、トランスの第3の接続端子、チョークコイルの接続端子による配線とを接近させることができ、この各配線を逆向きに電流が流れる際に発生する磁束同士が互いに弱め合うように作用することにより、放射ノイズを低減することができる。   Here, the first conductive layer on the substrate is bent and extended in a direction approaching the second conductive layer from the protruding direction of the first connection terminal from the casing of the transformer in plan view. The first connection terminal, the first bus bar, the wiring by the first conductive layer of the substrate, the third connection terminal of the transformer, and the wiring by the connection terminal of the choke coil can be brought close to each other. Radiation noise can be reduced by acting so that magnetic fluxes generated when current flows in the opposite direction are weakened.

同様に、基板における第2の導電層が、平面視においてトランスの筐体からの第2の接続端子の突出方向から第1の導電層に接近する方向に曲げて延設されているので、トランスの第2の接続端子、第2のバスバー、基板の第2の導電層による配線と、トランスの第3の接続端子、チョークコイルの接続端子による配線とを接近させることができ、この各配線を逆向きに電流が流れる際に発生する磁束同士が互いに弱め合うように作用することにより、放射ノイズを低減することができる。   Similarly, since the second conductive layer on the substrate is bent and extended from the protruding direction of the second connection terminal from the transformer housing in a plan view to a direction approaching the first conductive layer, the transformer The second connection terminal, the second bus bar, the wiring by the second conductive layer of the substrate and the wiring by the third connection terminal of the transformer and the connection terminal of the choke coil can be brought close to each other. Radiation noise can be reduced by acting so that magnetic fluxes generated when current flows in the opposite direction are weakened.

請求項3に記載のように、請求項1または2に記載の絶縁型DC−DCコンバータにおいて、前記第1の整流用素子および前記第2の整流用素子は、前記トランスの1次巻線を流れる電流の向きの変化に同期してオン・オフする同期整流用MOSFETであるとよい。   As described in claim 3, in the isolated DC-DC converter according to claim 1 or 2, the first rectifying element and the second rectifying element include a primary winding of the transformer. It may be a synchronous rectification MOSFET that is turned on / off in synchronization with a change in the direction of the flowing current.

請求項4に記載のように、請求項3に記載の絶縁型DC−DCコンバータにおいて、前記第1の整流用素子を構成する第1の同期整流用MOSFETおよび前記第2の整流用素子を構成する第2の同期整流用MOSFETは、パッケージの下面にドレイン端子を有するとともにパッケージの側面にソース端子を有し、前記基板上に第1の同期整流用MOSFETと第2の同期整流用MOSFETとが、ソース端子が互いに背面側にくるように実装されているとよい。   According to a fourth aspect of the present invention, in the isolated DC-DC converter according to the third aspect, the first synchronous rectification MOSFET and the second rectification element constituting the first rectification element are configured. The second synchronous rectification MOSFET has a drain terminal on the lower surface of the package and a source terminal on the side surface of the package, and the first synchronous rectification MOSFET and the second synchronous rectification MOSFET are formed on the substrate. The source terminals are preferably mounted so as to be on the back side.

請求項5に記載のように、請求項1または2に記載の絶縁型DC−DCコンバータにおいて、前記第1の整流用素子および前記第2の整流用素子は、前記トランスの1次巻線を流れる電流の向きの変化に同期してオン・オフする同期整流用IGBTであるとよい。   5. The insulation type DC-DC converter according to claim 1, wherein the first rectifying element and the second rectifying element include a primary winding of the transformer. The synchronous rectification IGBT may be turned on / off in synchronization with the change in the direction of the flowing current.

請求項6に記載のように、請求項5に記載の絶縁型DC−DCコンバータにおいて、前記第1の整流用素子を構成する第1の同期整流用IGBTおよび前記第2の整流用素子を構成する第2の同期整流用IGBTは、パッケージの下面にコレクタ端子を有するとともにパッケージの側面にエミッタ端子を有し、前記基板上に第1の同期整流用IGBTと第2の同期整流用IGBTとが、エミッタ端子が互いに背面側にくるように実装されているとよい。   6. The isolated DC-DC converter according to claim 5, wherein the first synchronous rectification IGBT and the second rectification element constituting the first rectification element are configured. The second synchronous rectification IGBT has a collector terminal on the lower surface of the package and an emitter terminal on the side surface of the package, and the first synchronous rectification IGBT and the second synchronous rectification IGBT are formed on the substrate. The emitter terminals are preferably mounted so that they are on the back side.

本発明によれば、基板に整流用素子が実装されるとともにバスバーを介して基板にトランスの2次巻線が接続された絶縁型DC−DCコンバータにおいてノイズの低減を図ることができる。   According to the present invention, it is possible to reduce noise in an insulated DC-DC converter in which a rectifying element is mounted on a substrate and a secondary winding of a transformer is connected to the substrate via a bus bar.

実施形態における絶縁型DC−DCコンバータの回路構成図。The circuit block diagram of the insulation type DC-DC converter in embodiment. (a)は第1の実施形態における絶縁型DC−DCコンバータの平面図、(b)は絶縁型DC−DCコンバータの正面図。(A) is a top view of the insulation type DC-DC converter in 1st Embodiment, (b) is a front view of an insulation type DC-DC converter. 第1の実施形態における絶縁型DC−DCコンバータの斜視図。The perspective view of the insulation type DC-DC converter in a 1st embodiment. 第1の実施形態における基板の平面図。The top view of the board | substrate in 1st Embodiment. (a)は比較のための絶縁型DC−DCコンバータの平面図、(b)は絶縁型DC−DCコンバータの正面図。(A) is a top view of an insulation type DC-DC converter for comparison, (b) is a front view of an insulation type DC-DC converter. 比較のための絶縁型DC−DCコンバータの斜視図。The perspective view of the insulation type DC-DC converter for a comparison. 第2の実施形態における絶縁型DC−DCコンバータの斜視図。The perspective view of the insulation type DC-DC converter in 2nd Embodiment. 第2の実施形態における基板の平面図。The top view of the board | substrate in 2nd Embodiment. 絶縁型DC−DCコンバータの回路構成図。The circuit block diagram of an insulation type DC-DC converter.

(第1の実施形態)
以下、本発明を具体化した第1の実施形態を図面に従って説明する。
図1の回路構成図に示すように、絶縁型DC−DCコンバータ1はブリッジ回路10とトランス30と同期整流用MOSFET21,22,23,24とチョークコイル40とコンデンサ50を備えている。
(First embodiment)
Hereinafter, a first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
As shown in the circuit configuration diagram of FIG. 1, the insulated DC-DC converter 1 includes a bridge circuit 10, a transformer 30, synchronous rectification MOSFETs 21, 22, 23, 24, a choke coil 40, and a capacitor 50.

この絶縁型DC−DCコンバータ1は、例えば自動車に搭載され、走行モ−タ用の高電圧のバッテリの電圧を補機の電源に適した低電圧に変更するDC−DCコンバータに使用される。   The insulated DC-DC converter 1 is mounted on, for example, an automobile and is used in a DC-DC converter that changes the voltage of a high-voltage battery for a traveling motor to a low voltage suitable for the power supply of an auxiliary machine.

ブリッジ回路10は、複数のアームから構成され、アームを構成するスイッチング素子をオン・オフ制御することにより直流電源の直流電圧を交流電圧に変換する。スイッチング素子のスイッチング動作は数100Hzで行なわれる。   The bridge circuit 10 is composed of a plurality of arms, and converts the DC voltage of the DC power source into an AC voltage by controlling on / off of the switching elements constituting the arms. The switching operation of the switching element is performed at several hundred Hz.

トランス30は絶縁構造を有しており、1次巻線31、2次巻線32およびコア33で構成されている。1次巻線31はブリッジ回路10に接続されている。トランス30は2次巻線32に中間タップ32cを有し、中間タップ32cが、チョークコイル40とコンデンサ50よりなる平滑フィルタを介してプラス側出力端子61に接続されている。詳しくは、チョークコイル40の一端が2次巻線32の中間タップ32cに接続され、チョークコイル40の他端がプラス側出力端子61に接続されている。また、コンデンサ50の一端がプラス側出力端子61に接続され、コンデンサ50の他端がマイナス側(グランド側)出力端子62に接続されている。   The transformer 30 has an insulating structure and includes a primary winding 31, a secondary winding 32, and a core 33. The primary winding 31 is connected to the bridge circuit 10. The transformer 30 has an intermediate tap 32 c in the secondary winding 32, and the intermediate tap 32 c is connected to the plus-side output terminal 61 through a smoothing filter including the choke coil 40 and the capacitor 50. Specifically, one end of the choke coil 40 is connected to the intermediate tap 32 c of the secondary winding 32, and the other end of the choke coil 40 is connected to the plus side output terminal 61. One end of the capacitor 50 is connected to the plus side output terminal 61, and the other end of the capacitor 50 is connected to the minus side (ground side) output terminal 62.

トランス30の2次巻線32の両端のうちの一端32aは、並列接続された同期整流用MOSFET21,22を介してマイナス側出力端子62に接続されている。詳しくは、両同期整流用MOSFET21,22のドレインが2次巻線32の一端32aに接続されるとともに両同期整流用MOSFET21,22のソースがマイナス側出力端子62に接続されている。   One end 32a of both ends of the secondary winding 32 of the transformer 30 is connected to the minus side output terminal 62 via synchronously rectifying MOSFETs 21 and 22 connected in parallel. Specifically, the drains of the synchronous rectification MOSFETs 21 and 22 are connected to one end 32 a of the secondary winding 32, and the sources of the synchronous rectification MOSFETs 21 and 22 are connected to the negative output terminal 62.

また、トランス30の2次巻線32の他端32bは、並列接続された同期整流用MOSFET23,24を介してマイナス側出力端子62に接続されている。詳しくは、両同期整流用MOSFET23,24のドレインが2次巻線32の他端32bに接続されるとともに両同期整流用MOSFET23,24のソースがマイナス側出力端子62に接続されている。   The other end 32b of the secondary winding 32 of the transformer 30 is connected to the negative output terminal 62 through synchronous rectification MOSFETs 23 and 24 connected in parallel. Specifically, the drains of the synchronous rectification MOSFETs 23 and 24 are connected to the other end 32 b of the secondary winding 32, and the sources of the synchronous rectification MOSFETs 23 and 24 are connected to the negative output terminal 62.

各同期整流用MOSFET21〜24のゲートは、図示しない制御装置に接続されている。各同期整流用MOSFET21〜24は、制御装置からの制御指令によりオン・オフされるようになっている。この際、両同期整流用MOSFET21,22は、同期してオン・オフ動作される。同様に、両同期整流用MOSFET23,24は、同期してオン・オフ動作される。また、MOSFET21,22およびMOSFET23,24は、トランス30の1次巻線31を流れる電流の向きの変化に同期して相補的にオン・オフ、即ち、交互にオン・オフされるようになっている。そして、トランス30の2次巻線32に発生する交流を整流する。また、チョークコイル40およびコンデンサ50で構成される平滑フィルタは、各同期整流用MOSFET21〜24で整流された交流成分を平滑してプラス側出力端子61に出力する。   The gates of the synchronous rectification MOSFETs 21 to 24 are connected to a control device (not shown). Each of the synchronous rectification MOSFETs 21 to 24 is turned on / off by a control command from the control device. At this time, the synchronous rectification MOSFETs 21 and 22 are turned on and off in synchronization. Similarly, the synchronous rectification MOSFETs 23 and 24 are turned on and off in synchronization. Further, the MOSFETs 21 and 22 and the MOSFETs 23 and 24 are complementarily turned on / off in synchronization with the change in the direction of the current flowing through the primary winding 31 of the transformer 30, that is, alternately turned on / off. Yes. The alternating current generated in the secondary winding 32 of the transformer 30 is rectified. Further, the smoothing filter constituted by the choke coil 40 and the capacitor 50 smoothes the alternating current component rectified by the respective synchronous rectification MOSFETs 21 to 24 and outputs it to the plus-side output terminal 61.

次に、絶縁型DC−DCコンバータ1の部品配置について説明する。
絶縁型DC−DCコンバータ1は、図2(b)に示すように、金属製ケース80内に構成部品が収納される。金属製ケース80は、具体的にはアルミケースである。ここで、図2は、金属製ケース80内に収納される部品のうちのトランス30と、チョークコイル40と、基板70と、同期整流用MOSFET21〜24と、図1のコンデンサ50を構成するチップコンデンサ51〜58を示す。また、図3は、トランス30の2次巻線32での接続端子36,37,38と、チョークコイル40と、基板70と、同期整流用MOSFET21〜24と、図1のコンデンサ50を構成するチップコンデンサ51〜58を示す。図4は、基板70の平面図を示す。
Next, the component arrangement of the insulated DC-DC converter 1 will be described.
As shown in FIG. 2B, the insulated DC-DC converter 1 has components housed in a metal case 80. Specifically, the metal case 80 is an aluminum case. Here, FIG. 2 shows chips constituting the transformer 30, the choke coil 40, the substrate 70, the synchronous rectification MOSFETs 21 to 24, and the capacitor 50 of FIG. 1 among the components housed in the metal case 80. Capacitors 51 to 58 are shown. 3 constitutes the connection terminals 36, 37, 38 at the secondary winding 32 of the transformer 30, the choke coil 40, the substrate 70, the synchronous rectification MOSFETs 21 to 24, and the capacitor 50 of FIG. Chip capacitors 51 to 58 are shown. FIG. 4 shows a plan view of the substrate 70.

基板70は、四角形状の金属板71と、金属板71の上面に形成された電気絶縁層72と、電気絶縁層72上にパターニングされた導電層73,74,75,76,77により構成されている。第1の導電層73および第2の導電層74はドレイン用である。また、第3の導電層75はソース用であり、グランド電位となる。さらに、導電層76はチップコンデンサ接続用である。また、導電層77はDC出力となる。図2(b)に示すように基板70の厚さH1は、例えば数mmである。   The substrate 70 includes a rectangular metal plate 71, an electric insulating layer 72 formed on the upper surface of the metal plate 71, and conductive layers 73, 74, 75, 76, 77 patterned on the electric insulating layer 72. ing. The first conductive layer 73 and the second conductive layer 74 are for drain. The third conductive layer 75 is for a source and has a ground potential. Further, the conductive layer 76 is for connecting a chip capacitor. The conductive layer 77 has a DC output. As shown in FIG. 2B, the thickness H1 of the substrate 70 is, for example, several mm.

基板70は金属製ケース80の内部において金属製ケース80の底面に配置され、図示しないネジにより基板70が金属製ケース80に固定されている。基板70は金属製ケース80に接触しているので、基板70に実装された電子部品(MOSFET21〜24等)が発する熱を基板70を通して金属製ケース80に逃がすことができ、放熱性に優れている。   The substrate 70 is disposed on the bottom surface of the metal case 80 inside the metal case 80, and the substrate 70 is fixed to the metal case 80 with screws (not shown). Since the substrate 70 is in contact with the metal case 80, the heat generated by the electronic components (MOSFETs 21 to 24, etc.) mounted on the substrate 70 can be released to the metal case 80 through the substrate 70, and the heat dissipation is excellent. Yes.

トランス30は金属製ケース80の底面に固定されている。トランス30は基板70に対し隣接した位置に配置され、基板70とトランス30とは別体に配置されている。トランス30は、箱型をなす筐体35の底面から一定の高さH2(図2(b)参照)において筐体35の一側面に2次巻線32の一端32a用の第1の接続端子36と他端32b用の第2の接続端子37と中間タップ32c用の第3の接続端子38とが水平方向に延設されている。各接続端子36,37,38は帯板状をなし、水平方向において第1の接続端子36と第2の接続端子37との間に第3の接続端子38を挟んだ状態で配置されている(接続端子36,37の間に中間タップ32c用の接続端子38が位置している)。上記の接続端子36,37,38の高さH2は、例えば数cmである。   The transformer 30 is fixed to the bottom surface of the metal case 80. The transformer 30 is disposed at a position adjacent to the substrate 70, and the substrate 70 and the transformer 30 are disposed separately. The transformer 30 has a first connection terminal for one end 32a of the secondary winding 32 on one side surface of the casing 35 at a certain height H2 (see FIG. 2B) from the bottom surface of the box-shaped casing 35. 36, a second connection terminal 37 for the other end 32b, and a third connection terminal 38 for the intermediate tap 32c extend in the horizontal direction. Each connection terminal 36, 37, 38 has a strip shape, and is arranged with the third connection terminal 38 sandwiched between the first connection terminal 36 and the second connection terminal 37 in the horizontal direction. (The connection terminal 38 for the intermediate tap 32c is located between the connection terminals 36 and 37). The height H2 of the connection terminals 36, 37, 38 is, for example, several centimeters.

第1の整流用素子を構成する第1の同期整流用MOSFET21,22および第2の整流用素子を構成する第2の同期整流用MOSFET23,24は、箱型の樹脂製のパッケージ90の下面にドレイン端子Dを有し、パッケージ90の側面にソース端子Sおよびゲート端子Gを有している。ソース端子Sおよびゲート端子Gは帯板状をなし、パッケージ90の側面から並設した状態で突設されている。   The first synchronous rectification MOSFETs 21 and 22 constituting the first rectification element and the second synchronous rectification MOSFETs 23 and 24 constituting the second rectification element are formed on the lower surface of the box-shaped resin package 90. It has a drain terminal D, and has a source terminal S and a gate terminal G on the side surface of the package 90. The source terminal S and the gate terminal G are in the shape of a strip and project from the side surface of the package 90 in a juxtaposed manner.

第1の整流用素子としての同期整流用MOSFET21,22は、基板70の第1の導電層73と第3の導電層75とを電気的につなぐように基板70に実装されている。つまり、基板70の第1の導電層73(ドレイン用)の上に同期整流用MOSFET21,22が搭載され、ドレイン端子Dと第1の導電層73とが接合されている。また、同期整流用MOSFET21,22のソース端子Sはソース用の第3の導電層75と接合されている。   The synchronous rectification MOSFETs 21 and 22 as the first rectification elements are mounted on the substrate 70 so as to electrically connect the first conductive layer 73 and the third conductive layer 75 of the substrate 70. That is, the synchronous rectification MOSFETs 21 and 22 are mounted on the first conductive layer 73 (for drain) of the substrate 70, and the drain terminal D and the first conductive layer 73 are joined. The source terminals S of the synchronous rectification MOSFETs 21 and 22 are joined to the third conductive layer 75 for the source.

同様に、第2の整流用素子としての同期整流用MOSFET23,24は、基板70の第2の導電層74と第3の導電層75とを電気的につなぐように基板70に実装されている。つまり、基板70の第2の導電層74(ドレイン用)の上に同期整流用MOSFET23,24が搭載され、ドレイン端子Dと第2の導電層74とが接合されている。また、同期整流用MOSFET23,24のソース端子Sはソース用の第3の導電層75と接合されている。   Similarly, the synchronous rectification MOSFETs 23 and 24 as the second rectification elements are mounted on the substrate 70 so as to electrically connect the second conductive layer 74 and the third conductive layer 75 of the substrate 70. . That is, the synchronous rectification MOSFETs 23 and 24 are mounted on the second conductive layer 74 (for drain) of the substrate 70, and the drain terminal D and the second conductive layer 74 are joined. The source terminals S of the synchronous rectification MOSFETs 23 and 24 are joined to the third conductive layer 75 for the source.

各同期整流用MOSFET21〜24のゲート端子Gは図示しない接続部材を介して制御装置と電気的に接続されている。
第1の同期整流用MOSFET21,22と第2の同期整流用MOSFET23,24とは、基板70上にソース端子Sが互いに背面側にくるように実装されている。即ち、ソース端子Sが外側を向くように配置されている。
The gate terminals G of the respective synchronous rectification MOSFETs 21 to 24 are electrically connected to the control device via connection members (not shown).
The first synchronous rectification MOSFETs 21 and 22 and the second synchronous rectification MOSFETs 23 and 24 are mounted on the substrate 70 such that the source terminals S are on the back side. That is, the source terminals S are arranged so as to face outward.

基板70のDC出力用の導電層77と導電層76との間にチップコンデンサ51,52,53,54が架設され、チップコンデンサ51〜54の電極と導電層76,77とが接合されている。また、導電層76とソース用の第3の導電層75との間にチップコンデンサ55,56,57,58が架設され、チップコンデンサ55〜58の電極と導電層75,76とが接合されている。   Chip capacitors 51, 52, 53, and 54 are installed between the conductive layer 77 for DC output of the substrate 70 and the conductive layer 76, and the electrodes of the chip capacitors 51 to 54 and the conductive layers 76 and 77 are joined. . Further, chip capacitors 55, 56, 57, and 58 are installed between the conductive layer 76 and the third conductive layer 75 for source, and the electrodes of the chip capacitors 55 to 58 and the conductive layers 75 and 76 are joined. Yes.

また、チョークコイル40は基板70の上方に配置されている。チョークコイル40は、筐体(ケース)41が箱型をなし、対向する端面のうちの一方の面から帯板状の接続端子42が水平方向に延びているとともに対向する端面のうちの他方の面から帯板状の接続端子43が水平方向に延びている。接続端子42,43は平面視においてトランス30の筐体35からの第3の接続端子38の突出方向C3(図4参照)に向かって延びている。チョークコイル40の接続端子42とトランス30の2次巻線32の中間タップ用の接続端子38とはその先端部同士が重ねられ、両者を貫通するボルトB1により締結されている。チョークコイル40の接続端子43は銅製のバスバー102を通して基板70の導電層77と電気的に接続されている。詳しくは、チョークコイル40の接続端子43とバスバー102の一端部とがボルトB2により締結され、バスバー102の他端部が導電層77に接合されている。   The choke coil 40 is disposed above the substrate 70. The choke coil 40 includes a casing (case) 41 having a box shape, and a strip-like connection terminal 42 extending in a horizontal direction from one of the opposing end faces and the other of the opposing end faces. A strip-like connection terminal 43 extends horizontally from the surface. The connection terminals 42 and 43 extend in the protruding direction C3 (see FIG. 4) of the third connection terminal 38 from the housing 35 of the transformer 30 in plan view. The connection terminals 42 of the choke coil 40 and the connection terminals 38 for the intermediate taps of the secondary winding 32 of the transformer 30 are overlapped with each other and fastened by a bolt B1 penetrating them. The connection terminal 43 of the choke coil 40 is electrically connected to the conductive layer 77 of the substrate 70 through the copper bus bar 102. Specifically, the connection terminal 43 of the choke coil 40 and one end of the bus bar 102 are fastened by a bolt B 2, and the other end of the bus bar 102 is joined to the conductive layer 77.

このように、チョークコイル40は、平面視においてトランス30の筐体35からの第3の接続端子38の突出方向C3に延びる接続端子42がトランス30の第3の接続端子38と電気的に接続されている。   Thus, in the choke coil 40, the connection terminal 42 extending in the protruding direction C <b> 3 of the third connection terminal 38 from the housing 35 of the transformer 30 in the plan view is electrically connected to the third connection terminal 38 of the transformer 30. Has been.

トランス30の2次巻線32の一端32a側の接続端子36は銅製の第1のバスバー100とボルトB3により締結され、第1のバスバー100の他端側は下方に折り曲げられて基板70の第1の導電層73と接合されている。同様に、トランス30の2次巻線32の他端32b側の接続端子37は銅製の第2のバスバー101とボルトB4により締結され、第2のバスバー101の他端側は下方に折り曲げられて基板70の第2の導電層74に接合されている。   The connection terminal 36 on the one end 32a side of the secondary winding 32 of the transformer 30 is fastened by the first bus bar 100 made of copper and the bolt B3, and the other end side of the first bus bar 100 is bent downwardly, so 1 conductive layer 73. Similarly, the connection terminal 37 on the other end 32b side of the secondary winding 32 of the transformer 30 is fastened to the second bus bar 101 made of copper and the bolt B4, and the other end side of the second bus bar 101 is bent downward. Bonded to the second conductive layer 74 of the substrate 70.

このようにトランス30とは別体の基板70は、トランス30の第1、第2、第3の接続端子36,37,38の下方に配置され、トランス30の第1の接続端子36に第1のバスバー100を介して電気的に接続される第1の導電層73と、トランス30の第2の接続端子37に第2のバスバー101を介して電気的に接続される第2の導電層74と、グランド電位となる第3の導電層75とがパターニングされた構成となっている。   As described above, the substrate 70 separate from the transformer 30 is disposed below the first, second, and third connection terminals 36, 37, and 38 of the transformer 30, and is connected to the first connection terminal 36 of the transformer 30. A first conductive layer 73 electrically connected via one bus bar 100 and a second conductive layer electrically connected to a second connection terminal 37 of the transformer 30 via a second bus bar 101. 74 and the third conductive layer 75 having the ground potential are patterned.

ここで、図4に示すように基板70における第1の導電層73が、平面視においてトランス30の筐体35からの第1の接続端子36の突出方向C1に延設されるとともに、基板70における第2の導電層74が、平面視においてトランス30の筐体35からの第2の接続端子37の突出方向C2に延設されている。   Here, as shown in FIG. 4, the first conductive layer 73 on the substrate 70 extends in the protruding direction C <b> 1 of the first connection terminal 36 from the housing 35 of the transformer 30 in plan view, and the substrate 70. The second conductive layer 74 is extended in the protruding direction C2 of the second connection terminal 37 from the housing 35 of the transformer 30 in plan view.

このように、基板70においてドレイン用の第1の導電層73および第2の導電層74は平行かつ直線的に延設されている。ドレイン用の第1の導電層73および第2の導電層74の間における上方に中間タップ用の接続端子38、チョークコイル40の接続端子42が延びている。これにより、電流が流れる際に発生する磁束同士が互いに弱め合うように作用することになる。詳細は後述する。   As described above, in the substrate 70, the first conductive layer 73 and the second conductive layer 74 for draining extend in parallel and linearly. The connection terminal 38 for the intermediate tap and the connection terminal 42 of the choke coil 40 extend between the first conductive layer 73 for drain and the second conductive layer 74. As a result, the magnetic fluxes generated when the current flows act so as to weaken each other. Details will be described later.

次に、絶縁型DC−DCコンバータ1の作用を説明する。
図1において、トランス30の1次巻線31に交流電力が供給され、1次巻線31に図1の矢印A1方向に電流が流れるときに、2次巻線32には矢印A2方向に電流が流れる。このとき、2次巻線32に流れる電流が中間タップ32cおよび平滑フィルタ(チョークコイル40、コンデンサ50)を経てプラス側出力端子61から出力されるように、MOSFET23,24がオン状態に制御され、MOSFET21,22がオフ状態に制御される。
Next, the operation of the insulated DC-DC converter 1 will be described.
In FIG. 1, when AC power is supplied to the primary winding 31 of the transformer 30 and a current flows through the primary winding 31 in the direction of arrow A1 in FIG. Flows. At this time, the MOSFETs 23 and 24 are controlled to be on so that the current flowing through the secondary winding 32 is output from the positive output terminal 61 via the intermediate tap 32c and the smoothing filter (choke coil 40, capacitor 50). MOSFETs 21 and 22 are controlled to be in an off state.

一方、トランス30の1次巻線31に矢印A1方向の逆方向に電流が流れるときに、2次巻線32には矢印A2方向の逆方向に電流が流れる。このとき、2次巻線32に流れる電流が中間タップ32cおよび平滑フィルタ(チョークコイル40、コンデンサ50)を経てプラス側出力端子61から出力されるように、MOSFET21,22がオン状態に制御され、MOSFET23,24がオフ状態に制御される。即ち、1次巻線31に交流が継続して供給されるとき、2次巻線32に発生する電流は、交流の向きの変更に同期してMOSFETが交互にオン・オフ制御されることにより、2次巻線32に発生した電流は直流としてプラス側出力端子61から出力される。   On the other hand, when a current flows through the primary winding 31 of the transformer 30 in the reverse direction of the arrow A1, a current flows through the secondary winding 32 in the reverse direction of the arrow A2. At this time, the MOSFETs 21 and 22 are controlled to be in an ON state so that the current flowing through the secondary winding 32 is output from the positive output terminal 61 via the intermediate tap 32c and the smoothing filter (choke coil 40 and capacitor 50). The MOSFETs 23 and 24 are controlled to be turned off. That is, when alternating current is continuously supplied to the primary winding 31, the current generated in the secondary winding 32 is controlled by alternately turning on and off the MOSFET in synchronization with the change in the direction of the alternating current. The current generated in the secondary winding 32 is output from the plus side output terminal 61 as a direct current.

基板70においてドレイン用の第1の導電層73および第2の導電層74が中央に並設され、その両側においてソース用の第3の導電層75が形成され、このドレイン用の第1および第2の導電層73,74の一端にバスバー100,101を介してトランス30の第1および第2の接続端子36,37が接続されている。   In the substrate 70, a first conductive layer 73 for drain and a second conductive layer 74 are arranged side by side in the center, and a third conductive layer 75 for source is formed on both sides of the first conductive layer 73 and the second conductive layer 74. The first and second connection terminals 36 and 37 of the transformer 30 are connected to one end of the two conductive layers 73 and 74 via the bus bars 100 and 101.

よって、基板70における第1の導電層73が、平面視においてトランス30の筐体35からの第1の接続端子36の突出方向C1に延設されているので、トランス30の第1の接続端子36、第1のバスバー100、基板70の第1の導電層73による配線と、トランス30の第3の接続端子38、チョークコイル40の接続端子42による配線とを接近させることができる。この各配線を逆向きに電流A10,A11(図2参照)が流れる際に発生する磁束同士が互いに弱め合うように作用することにより、放射ノイズを低減することができる。   Therefore, the first conductive layer 73 on the substrate 70 extends in the protruding direction C1 of the first connection terminal 36 from the housing 35 of the transformer 30 in a plan view, so the first connection terminal of the transformer 30 36, the wiring by the first bus bar 100 and the first conductive layer 73 of the substrate 70 and the wiring by the third connection terminal 38 of the transformer 30 and the connection terminal 42 of the choke coil 40 can be brought close to each other. Radiation noise can be reduced by acting so that the magnetic fluxes generated when the currents A10 and A11 (see FIG. 2) flow through these wirings in opposite directions are weakened.

同様に、基板70における第2の導電層74が、平面視においてトランス30の筐体35からの第2の接続端子37の突出方向C2に延設されているので、トランス30の第2の接続端子37、第2のバスバー101、基板70の第2の導電層74による配線と、トランス30の第3の接続端子38、チョークコイル40の接続端子42による配線とを接近させることができる。この各配線を逆向きに電流が流れる際に発生する磁束同士が互いに弱め合うように作用することにより、放射ノイズを低減することができる。   Similarly, since the second conductive layer 74 in the substrate 70 extends in the protruding direction C2 of the second connection terminal 37 from the housing 35 of the transformer 30 in plan view, the second connection of the transformer 30 is performed. The wiring by the terminal 37, the second bus bar 101, and the second conductive layer 74 of the substrate 70 can be brought close to the wiring by the third connection terminal 38 of the transformer 30 and the connection terminal 42 of the choke coil 40. Radiation noise can be reduced by acting so that the magnetic fluxes generated when current flows in the opposite directions are mutually weakened.

図5,6には、比較用の絶縁型DC−DCコンバータを示す。
図5,6において、基板70における導電層120および導電層121がドレイン用であり、導電層122がソース(グランド)用である。導電層122が基板70の中央に位置し、導電層122の両側に導電層120および導電層121が延設されている。導電層120および導電層121は平面視「L」字状に屈曲形成されている。そして、導電層120と導電層122との間に同期整流用MOSFET21,22が架設・接合され、導電層121と導電層122との間に同期整流用MOSFET23,24が架設・接合されている。導電層120の一端部に第1のバスバー100によりトランスの2次巻線32の接続端子36が電気的に接続されている。また、導電層121の一端部に第2のバスバー101によりトランスの2次巻線32の接続端子37が電気的に接続されている。
5 and 6 show an insulation type DC-DC converter for comparison.
5 and 6, the conductive layer 120 and the conductive layer 121 in the substrate 70 are for the drain, and the conductive layer 122 is for the source (ground). The conductive layer 122 is located in the center of the substrate 70, and the conductive layer 120 and the conductive layer 121 are extended on both sides of the conductive layer 122. The conductive layer 120 and the conductive layer 121 are bent in an “L” shape in plan view. Synchronous rectification MOSFETs 21 and 22 are erected and joined between the conductive layer 120 and the conductive layer 122, and synchronous rectification MOSFETs 23 and 24 are erected and joined between the conductive layer 121 and the conductive layer 122. The connection terminal 36 of the secondary winding 32 of the transformer is electrically connected to one end of the conductive layer 120 by the first bus bar 100. The connection terminal 37 of the secondary winding 32 of the transformer is electrically connected to one end of the conductive layer 121 by the second bus bar 101.

このように、ソース用の導電層122を中央に形成し、その両側においてドレイン用の導電層120,121を延設し、このドレイン用の導電層120,121の一端側を曲げてトランス30に接近させている。また、同期整流用MOSFET21,22と同期整流用MOSFET23,24とはソース端子Sが互いに向かい合わせになるように配置している。電流が流れる経路によりバスバー100,101を経由したループが形成され(図1参照)、ソース(グランド)用の導電層122を中央に配置する場合、ループの内側の部分の面積が大きくなる。   In this way, the source conductive layer 122 is formed in the center, the drain conductive layers 120 and 121 are extended on both sides thereof, and one end side of the drain conductive layers 120 and 121 is bent to form the transformer 30. It is approaching. The synchronous rectification MOSFETs 21 and 22 and the synchronous rectification MOSFETs 23 and 24 are arranged so that the source terminals S face each other. A loop passing through the bus bars 100 and 101 is formed by the path through which the current flows (see FIG. 1), and when the source (ground) conductive layer 122 is arranged at the center, the area of the inner portion of the loop becomes large.

これに対し、図2〜図4に示す実施形態では、同期整流用MOSFET21〜24とトランス30の2次巻線32との間の距離が短くなり、トランス30の2次巻線32と同期整流用MOSFET21,22,23,24との間の電流経路によるループの内側の部分の面積を減らせる。これによっても、ループにより発生する磁界放射および結合の影響を低減することができる。   On the other hand, in the embodiment shown in FIGS. 2 to 4, the distance between the synchronous rectification MOSFETs 21 to 24 and the secondary winding 32 of the transformer 30 is shortened, and the secondary winding 32 of the transformer 30 and the synchronous rectification are reduced. The area of the inner portion of the loop due to the current path between the MOSFETs 21, 22, 23, and 24 can be reduced. This also reduces the effects of magnetic field radiation and coupling generated by the loop.

以上のごとく本実施形態によれば、以下のような効果を得ることができる。
(1)基板70における第1の導電層73を平面視においてトランス30の筐体35からの第1の接続端子36の突出方向C1に延設するとともに基板70における第2の導電層74を平面視においてトランス30の筐体35からの第2の接続端子37の突出方向C2に延設した。これにより、スイッチングに伴うノイズが低減でき、そのため、出力ラインに重畳するAM帯ノイズレベルを低減することができる。よって、AM帯伝導ラジオノイズレベルを低減することができる。また、部品配置を変更するだけで済み、コストアップがない。
As described above, according to the present embodiment, the following effects can be obtained.
(1) The first conductive layer 73 on the substrate 70 extends in the projecting direction C1 of the first connection terminal 36 from the housing 35 of the transformer 30 in plan view, and the second conductive layer 74 on the substrate 70 is planar. As viewed, the second connection terminal 37 extends from the casing 35 of the transformer 30 in the protruding direction C2. Thereby, the noise accompanying switching can be reduced, and therefore the AM band noise level superimposed on the output line can be reduced. Therefore, the AM band conduction radio noise level can be reduced. Moreover, it is only necessary to change the component arrangement, and there is no cost increase.

(2)第1の整流用素子および第2の整流用素子は、トランス30の1次巻線を流れる電流の向きの変化に同期してオン・オフする同期整流用MOSFET21,22,23,24であるので、ダイオードを用いた場合よりも導電状態での電圧降下を低減でき、DC−DCコンバータの変換効率を向上することができる。   (2) The first rectifying element and the second rectifying element are synchronously rectifying MOSFETs 21, 22, 23, 24 that are turned on / off in synchronization with a change in the direction of the current flowing through the primary winding of the transformer 30. Therefore, the voltage drop in the conductive state can be reduced as compared with the case where the diode is used, and the conversion efficiency of the DC-DC converter can be improved.

(3)第1の整流用素子を構成する第1の同期整流用MOSFET21,22および第2の整流用素子を構成する第2の同期整流用MOSFET23,24は、パッケージ90の下面にドレイン端子Dを有するとともにパッケージ90の側面にソース端子Sを有し、基板70上に第1の同期整流用MOSFET21,22と第2の同期整流用MOSFET23,24とが、ソース端子Sが互いに背面側にくるように実装されている。これにより、ループの内側の部分の面積を小さくすることができる。
(第2の実施形態)
次に、第2の実施形態を、第1の実施形態との相違点を中心に説明する。
(3) The first synchronous rectification MOSFETs 21 and 22 constituting the first rectification element and the second synchronous rectification MOSFETs 23 and 24 constituting the second rectification element are connected to the drain terminal D on the lower surface of the package 90. And the source terminal S on the side surface of the package 90, the first synchronous rectification MOSFETs 21 and 22 and the second synchronous rectification MOSFETs 23 and 24 are on the substrate 70, and the source terminals S are on the back side. Has been implemented. Thereby, the area of the inner part of a loop can be made small.
(Second Embodiment)
Next, the second embodiment will be described focusing on the differences from the first embodiment.

図7には、図3に代わる本実施形態における絶縁型DC−DCコンバータの斜視図を示す。図8には、図4に代わる本実施形態における基板70の平面図を示す。
図7,8に示すように、基板70における第1の導電層83が、平面視においてトランス30の筐体35からの第1の接続端子36の突出方向C1から第2の導電層84に接近する方向に曲げて延設されている。また、基板70における第2の導電層84が、平面視においてトランス30の筐体35からの第2の接続端子37の突出方向C2から第1の導電層83に接近する方向に曲げて延設されている。
FIG. 7 shows a perspective view of an insulation type DC-DC converter in the present embodiment instead of FIG. FIG. 8 shows a plan view of a substrate 70 in the present embodiment that replaces FIG.
As shown in FIGS. 7 and 8, the first conductive layer 83 in the substrate 70 approaches the second conductive layer 84 from the protruding direction C1 of the first connection terminal 36 from the housing 35 of the transformer 30 in plan view. It is bent and extended in the direction. In addition, the second conductive layer 84 on the substrate 70 is bent and extended in a direction approaching the first conductive layer 83 from the protruding direction C2 of the second connection terminal 37 from the housing 35 of the transformer 30 in plan view. Has been.

よって、基板70における第1の導電層83が、平面視においてトランス30の筐体35からの第1の接続端子36の突出方向C1から第2の導電層84に接近する方向に曲げて延設されているので、トランス30の第1の接続端子36、第1のバスバー100、基板70の第1の導電層83による配線と、トランス30の第3の接続端子38、チョークコイル40の接続端子42による配線とを接近させることができる。その結果、この各配線を逆向きに電流が流れる際に発生する磁束同士が互いに弱め合うように作用することにより、放射ノイズを低減することができる。   Therefore, the first conductive layer 83 on the substrate 70 is bent and extended in a direction approaching the second conductive layer 84 from the protruding direction C1 of the first connection terminal 36 from the housing 35 of the transformer 30 in plan view. Therefore, the first connection terminal 36 of the transformer 30, the first bus bar 100, the wiring by the first conductive layer 83 of the substrate 70, the third connection terminal 38 of the transformer 30, and the connection terminal of the choke coil 40 The wiring by 42 can be made to approach. As a result, radiation noise can be reduced by acting so that magnetic fluxes generated when currents flow in the opposite directions are weakened to each other.

同様に、基板70における第2の導電層84が、平面視においてトランス30の筐体35からの第2の接続端子37の突出方向C2から第1の導電層83に接近する方向に曲げて延設されているので、トランス30の第2の接続端子37、第2のバスバー101、基板70の第2の導電層84による配線と、トランス30の第3の接続端子38、チョークコイル40の接続端子42による配線とを接近させることができる。その結果、この各配線を逆向きに電流が流れる際に発生する磁束同士が互いに弱め合うように作用することにより、放射ノイズを低減することができる。   Similarly, the second conductive layer 84 on the substrate 70 is bent and extended in a direction approaching the first conductive layer 83 from the protruding direction C2 of the second connection terminal 37 from the casing 35 of the transformer 30 in plan view. Since the second connection terminal 37 of the transformer 30, the second bus bar 101, the wiring by the second conductive layer 84 of the substrate 70, the connection of the third connection terminal 38 of the transformer 30 and the choke coil 40 are provided. The wiring by the terminal 42 can be made to approach. As a result, radiation noise can be reduced by acting so that magnetic fluxes generated when currents flow in the opposite directions are weakened to each other.

実施形態は前記に限定されるものではなく、例えば、次のように具体化してもよい。
・ボルトB1,B2,B3,B4により接続端子同士を接続したが、これに代わり溶接にて接続してもよい。
The embodiment is not limited to the above, and may be embodied as follows, for example.
-Although connection terminals were connected with volt | bolt B1, B2, B3, B4, you may connect by welding instead.

・同期整流用MOSFET21,22,23,24を用いたが、これに限るものではない。例えば、MOSFETに代わりIGBTを用いてもよい。つまり、第1の整流用素子および第2の整流用素子は、トランス30の1次巻線31を流れる電流の向きの変化に同期してオン・オフする同期整流用IGBTである。また、第1の整流用素子を構成する第1の同期整流用IGBTおよび第2の整流用素子を構成する第2の同期整流用IGBTは、パッケージの下面にコレクタ端子を有するとともにパッケージの側面にエミッタ端子を有している。そして、基板70上に第1の同期整流用IGBTと第2の同期整流用IGBTとが、エミッタ端子が互いに背面側にくるように実装されている。   Although the synchronous rectification MOSFETs 21, 22, 23, and 24 are used, the present invention is not limited to this. For example, an IGBT may be used instead of the MOSFET. That is, the first rectifying element and the second rectifying element are synchronous rectifying IGBTs that are turned on / off in synchronization with a change in the direction of the current flowing through the primary winding 31 of the transformer 30. In addition, the first synchronous rectification IGBT constituting the first rectification element and the second synchronous rectification IGBT constituting the second rectification element have a collector terminal on the lower surface of the package and are provided on the side surface of the package. It has an emitter terminal. The first synchronous rectification IGBT and the second synchronous rectification IGBT are mounted on the substrate 70 such that the emitter terminals are on the back side.

・整流用素子としてトランジスタに代わりダイオードを用いてもよい。   A diode may be used as the rectifying element instead of the transistor.

1…絶縁型DC−DCコンバータ、21…同期整流用MOSFET、22…同期整流用MOSFET、23…同期整流用MOSFET、24…同期整流用MOSFET、30…トランス、31…1次巻線、32…2次巻線、32a…一端、32b…他端、32c…中間タップ、35…筐体、36…第1の接続端子、37…第2の接続端子、38…第3の接続端子、40…チョークコイル、42…接続端子、70…基板、73…第1の導電層、74…第2の導電層、75…第3の導電層、83…第1の導電層、84…第2の導電層、90…パッケージ、100…第1のバスバー、101…第2のバスバー、D…ドレイン端子、G…ゲート端子、S…ソース端子。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Isolated DC-DC converter, 21 ... Synchronous rectification MOSFET, 22 ... Synchronous rectification MOSFET, 23 ... Synchronous rectification MOSFET, 24 ... Synchronous rectification MOSFET, 30 ... Transformer, 31 ... Primary winding, 32 ... Secondary winding, 32a ... one end, 32b ... other end, 32c ... intermediate tap, 35 ... housing, 36 ... first connection terminal, 37 ... second connection terminal, 38 ... third connection terminal, 40 ... Choke coil, 42 ... connection terminal, 70 ... substrate, 73 ... first conductive layer, 74 ... second conductive layer, 75 ... third conductive layer, 83 ... first conductive layer, 84 ... second conductive Layer ... 90 ... Package, 100 ... First bus bar, 101 ... Second bus bar, D ... Drain terminal, G ... Gate terminal, S ... Source terminal.

Claims (6)

2次巻線に中間タップを有し、筐体の底面から一定の高さにおいて2次巻線の一端用の第1の接続端子と他端用の第2の接続端子と中間タップ用の第3の接続端子とが水平方向において前記第1の接続端子と第2の接続端子との間に第3の接続端子を挟んだ状態で配置されたトランスと、
前記トランスとは別体に、かつ、前記トランスの第1、第2、第3の接続端子の下方に配置され、前記トランスの第1の接続端子に第1のバスバーを介して電気的に接続される第1の導電層と、前記トランスの第2の接続端子に第2のバスバーを介して電気的に接続される第2の導電層と、グランド電位となる第3の導電層とがパターニングされた基板と、
前記基板の前記第1の導電層と第3の導電層とを電気的につなぐように前記基板に実装された第1の整流用素子と、
前記基板の前記第2の導電層と第3の導電層とを電気的につなぐように前記基板に実装された第2の整流用素子と、
前記基板の上方に配置され、平面視において前記トランスの筐体からの前記第3の接続端子に向かって延びる接続端子が前記トランスの第3の接続端子と電気的に接続されたチョークコイルと、
を備えた絶縁型DC−DCコンバータにおいて、
前記基板における第1の導電層が、平面視において前記トランスの筐体からの前記第1の接続端子の突出方向に延設されるとともに、前記基板における第2の導電層が、平面視において前記トランスの筐体からの前記第2の接続端子の突出方向に延設されてなることを特徴とする絶縁型DC−DCコンバータ。
The secondary winding has an intermediate tap, and at a certain height from the bottom surface of the housing, the first connection terminal for one end of the secondary winding, the second connection terminal for the other end, and the second tap for the intermediate tap A transformer arranged with a third connection terminal sandwiched between the first connection terminal and the second connection terminal in the horizontal direction;
Disposed separately from the transformer and below the first, second, and third connection terminals of the transformer, and electrically connected to the first connection terminal of the transformer via a first bus bar. The first conductive layer to be patterned, the second conductive layer electrically connected to the second connection terminal of the transformer via the second bus bar, and the third conductive layer having the ground potential are patterned. A substrate,
A first rectifying element mounted on the substrate so as to electrically connect the first conductive layer and the third conductive layer of the substrate;
A second rectifying element mounted on the substrate so as to electrically connect the second conductive layer and the third conductive layer of the substrate;
A choke coil disposed above the substrate and extending in a plan view from the transformer housing toward the third connection terminal, the choke coil being electrically connected to the third connection terminal of the transformer;
In an isolated DC-DC converter comprising:
The first conductive layer on the substrate extends in a protruding direction of the first connection terminal from the casing of the transformer in plan view, and the second conductive layer on the substrate is in the plan view An insulated DC-DC converter, wherein the second connecting terminal extends from a transformer casing in a protruding direction.
2次巻線に中間タップを有し、筐体の底面から一定の高さにおいて2次巻線の一端用の第1の接続端子と他端用の第2の接続端子と中間タップ用の第3の接続端子とが水平方向において前記第1の接続端子と第2の接続端子との間に第3の接続端子を挟んだ状態で配置されたトランスと、
前記トランスとは別体に、かつ、前記トランスの第1、第2、第3の接続端子の下方に配置され、前記トランスの第1の接続端子に第1のバスバーを介して電気的に接続される第1の導電層と、前記トランスの第2の接続端子に第2のバスバーを介して電気的に接続される第2の導電層と、グランド電位となる第3の導電層とがパターニングされた基板と、
前記基板の前記第1の導電層と第3の導電層とを電気的につなぐように前記基板に実装された第1の整流用素子と、
前記基板の前記第2の導電層と第3の導電層とを電気的につなぐように前記基板に実装された第2の整流用素子と、
前記基板の上方に配置され、平面視において前記トランスの筐体からの前記第3の接続端子に向かって延びる接続端子が前記トランスの第3の接続端子と電気的に接続されたチョークコイルと、
を備えた絶縁型DC−DCコンバータにおいて、
前記基板における第1の導電層が、平面視において前記トランスの筐体からの前記第1の接続端子の突出方向から前記第2の導電層に接近する方向に曲げて延設されるとともに、前記基板における第2の導電層が、平面視において前記トランスの筐体からの前記第2の接続端子の突出方向から第1の導電層に接近する方向に曲げて延設されてなることを特徴とする絶縁型DC−DCコンバータ。
The secondary winding has an intermediate tap, and at a certain height from the bottom surface of the housing, the first connection terminal for one end of the secondary winding, the second connection terminal for the other end, and the second tap for the intermediate tap A transformer arranged with a third connection terminal sandwiched between the first connection terminal and the second connection terminal in the horizontal direction;
Disposed separately from the transformer and below the first, second, and third connection terminals of the transformer, and electrically connected to the first connection terminal of the transformer via a first bus bar. The first conductive layer to be patterned, the second conductive layer electrically connected to the second connection terminal of the transformer via the second bus bar, and the third conductive layer having the ground potential are patterned. A substrate,
A first rectifying element mounted on the substrate so as to electrically connect the first conductive layer and the third conductive layer of the substrate;
A second rectifying element mounted on the substrate so as to electrically connect the second conductive layer and the third conductive layer of the substrate;
A choke coil disposed above the substrate and extending in a plan view from the transformer housing toward the third connection terminal and electrically connected to the third connection terminal of the transformer;
In an isolated DC-DC converter comprising:
The first conductive layer on the substrate is bent and extended in a direction approaching the second conductive layer from the protruding direction of the first connection terminal from the casing of the transformer in plan view, and The second conductive layer on the substrate is extended and bent in a direction approaching the first conductive layer from a protruding direction of the second connection terminal from the casing of the transformer in a plan view. Isolated DC-DC converter.
前記第1の整流用素子および前記第2の整流用素子は、前記トランスの1次巻線を流れる電流の向きの変化に同期してオン・オフする同期整流用MOSFETであることを特徴とする請求項1または2に記載の絶縁型DC−DCコンバータ。   The first rectifying element and the second rectifying element are synchronous rectifying MOSFETs that are turned on / off in synchronization with a change in direction of a current flowing through the primary winding of the transformer. The insulated DC-DC converter according to claim 1 or 2. 前記第1の整流用素子を構成する第1の同期整流用MOSFETおよび前記第2の整流用素子を構成する第2の同期整流用MOSFETは、パッケージの下面にドレイン端子を有するとともにパッケージの側面にソース端子を有し、前記基板上に第1の同期整流用MOSFETと第2の同期整流用MOSFETとが、ソース端子が互いに背面側にくるように実装されていることを特徴とする請求項3に記載の絶縁型DC−DCコンバータ。   The first synchronous rectification MOSFET constituting the first rectification element and the second synchronous rectification MOSFET constituting the second rectification element have a drain terminal on the lower surface of the package and on the side surface of the package. 4. A source terminal, wherein the first synchronous rectification MOSFET and the second synchronous rectification MOSFET are mounted on the substrate such that the source terminals are on the back side. An insulated DC-DC converter as described in 1. 前記第1の整流用素子および前記第2の整流用素子は、前記トランスの1次巻線を流れる電流の向きの変化に同期してオン・オフする同期整流用IGBTであることを特徴とする請求項1または2に記載の絶縁型DC−DCコンバータ。   The first rectifying element and the second rectifying element are synchronous rectifying IGBTs that are turned on / off in synchronization with a change in direction of a current flowing through the primary winding of the transformer. The insulated DC-DC converter according to claim 1 or 2. 前記第1の整流用素子を構成する第1の同期整流用IGBTおよび前記第2の整流用素子を構成する第2の同期整流用IGBTは、パッケージの下面にコレクタ端子を有するとともにパッケージの側面にエミッタ端子を有し、前記基板上に第1の同期整流用IGBTと第2の同期整流用IGBTとが、エミッタ端子が互いに背面側にくるように実装されていることを特徴とする請求項5に記載の絶縁型DC−DCコンバータ。   The first synchronous rectification IGBT constituting the first rectification element and the second synchronous rectification IGBT constituting the second rectification element have a collector terminal on the lower surface of the package and are provided on the side surface of the package. 6. An emitter terminal is provided, and the first synchronous rectification IGBT and the second synchronous rectification IGBT are mounted on the substrate such that the emitter terminals are on the back side. An insulated DC-DC converter as described in 1.
JP2009195775A 2009-08-26 2009-08-26 Isolated dc-dc converter Pending JP2011050160A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009195775A JP2011050160A (en) 2009-08-26 2009-08-26 Isolated dc-dc converter

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009195775A JP2011050160A (en) 2009-08-26 2009-08-26 Isolated dc-dc converter

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2011050160A true JP2011050160A (en) 2011-03-10

Family

ID=43835934

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009195775A Pending JP2011050160A (en) 2009-08-26 2009-08-26 Isolated dc-dc converter

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2011050160A (en)

Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012231616A (en) * 2011-04-27 2012-11-22 Diamond Electric Mfg Co Ltd On-vehicle power conversion device
WO2013065586A1 (en) * 2011-10-31 2013-05-10 日立オートモティブシステムズ株式会社 Electronic device
JP2013188010A (en) * 2012-03-08 2013-09-19 Mitsubishi Electric Corp Insulation type switching power supply device
JP2014017970A (en) * 2012-07-09 2014-01-30 Denso Corp Power conversion device
JP2014017971A (en) * 2012-07-09 2014-01-30 Denso Corp Dc-dc converter
WO2014027536A1 (en) * 2012-08-14 2014-02-20 日立オートモティブシステムズ株式会社 Dc-dc converter device
JP2014082894A (en) * 2012-10-18 2014-05-08 Denso Corp Synchronous rectifier and power-supply device
JP2014093926A (en) * 2012-11-07 2014-05-19 Mitsubishi Electric Corp Switching power-supply device
JP2014147295A (en) * 2014-05-23 2014-08-14 Denso Corp DC-DC converter
JP2015043683A (en) * 2013-07-24 2015-03-05 株式会社デンソー Power source device
JP2015047058A (en) * 2013-07-30 2015-03-12 株式会社デンソー Power-supply device
JP2015053857A (en) * 2011-03-18 2015-03-19 株式会社デンソー Power-supply device
WO2015053141A1 (en) * 2013-10-07 2015-04-16 日立オートモティブシステムズ株式会社 Dc-dc converter device
JP2015201965A (en) * 2014-04-08 2015-11-12 株式会社デンソー Electric power supply
JP2015201963A (en) * 2014-04-08 2015-11-12 株式会社デンソー Electric power supply
JP2017055520A (en) * 2015-09-08 2017-03-16 Tdk株式会社 Power supply device and method of manufacturing the same
JPWO2017022284A1 (en) * 2015-08-03 2018-05-24 株式会社村田製作所 Isolated DC-DC converter
KR20200034717A (en) 2017-08-07 2020-03-31 소니 주식회사 Electronic components, power supplies and vehicles
US11736021B2 (en) 2021-06-09 2023-08-22 Mitsubishi Electric Corporation Power conversion device with noise reduction

Cited By (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015053857A (en) * 2011-03-18 2015-03-19 株式会社デンソー Power-supply device
JP2012231616A (en) * 2011-04-27 2012-11-22 Diamond Electric Mfg Co Ltd On-vehicle power conversion device
CN103891116A (en) * 2011-10-31 2014-06-25 日立汽车系统株式会社 Electronic device
WO2013065586A1 (en) * 2011-10-31 2013-05-10 日立オートモティブシステムズ株式会社 Electronic device
JP2013099057A (en) * 2011-10-31 2013-05-20 Hitachi Automotive Systems Ltd Electronic device
US9345160B2 (en) 2011-10-31 2016-05-17 Hitachi Automotive Systems, Ltd. Electronic device
JP2013188010A (en) * 2012-03-08 2013-09-19 Mitsubishi Electric Corp Insulation type switching power supply device
JP2014017970A (en) * 2012-07-09 2014-01-30 Denso Corp Power conversion device
JP2014017971A (en) * 2012-07-09 2014-01-30 Denso Corp Dc-dc converter
US9160237B2 (en) 2012-07-09 2015-10-13 Denso Corporation Electric power converter
WO2014027536A1 (en) * 2012-08-14 2014-02-20 日立オートモティブシステムズ株式会社 Dc-dc converter device
JP2014039384A (en) * 2012-08-14 2014-02-27 Hitachi Automotive Systems Ltd Dc-dc converter device
JP2014082894A (en) * 2012-10-18 2014-05-08 Denso Corp Synchronous rectifier and power-supply device
JP2014093926A (en) * 2012-11-07 2014-05-19 Mitsubishi Electric Corp Switching power-supply device
JP2015043683A (en) * 2013-07-24 2015-03-05 株式会社デンソー Power source device
JP2015047058A (en) * 2013-07-30 2015-03-12 株式会社デンソー Power-supply device
WO2015053141A1 (en) * 2013-10-07 2015-04-16 日立オートモティブシステムズ株式会社 Dc-dc converter device
US9935558B2 (en) 2013-10-07 2018-04-03 Hitachi Automotive Systems, Ltd. DC-DC converter apparatus including single drive circuit board arranged at predetermined interval from metal base
JP2015201965A (en) * 2014-04-08 2015-11-12 株式会社デンソー Electric power supply
JP2015201963A (en) * 2014-04-08 2015-11-12 株式会社デンソー Electric power supply
JP2014147295A (en) * 2014-05-23 2014-08-14 Denso Corp DC-DC converter
JPWO2017022284A1 (en) * 2015-08-03 2018-05-24 株式会社村田製作所 Isolated DC-DC converter
JP2017055520A (en) * 2015-09-08 2017-03-16 Tdk株式会社 Power supply device and method of manufacturing the same
KR20200034717A (en) 2017-08-07 2020-03-31 소니 주식회사 Electronic components, power supplies and vehicles
US11462352B2 (en) 2017-08-07 2022-10-04 Sony Corporation Electronic component, power supply device, and vehicle
US11736021B2 (en) 2021-06-09 2023-08-22 Mitsubishi Electric Corporation Power conversion device with noise reduction

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2011050160A (en) Isolated dc-dc converter
US9345160B2 (en) Electronic device
CN106233601B (en) Converter and power-converting device
CN106104723B (en) Transformer and the power inverter using the transformer
CN111357182A (en) electronic circuit device
US20090196073A1 (en) Switching power supply unit
US20140169042A1 (en) Power supply device
JP5644628B2 (en) Switching power supply
US9461549B2 (en) Electric power source device
JP6169181B2 (en) DC-DC converter device
JP4418208B2 (en) DC-DC converter device
JPWO2018235484A1 (en) Electronic circuit device
JP5904228B2 (en) Power supply
JP6720733B2 (en) Semiconductor module for DC-DC converter and power control unit
JP6647350B2 (en) Power converter
JP2014082894A (en) Synchronous rectifier and power-supply device
JP2013188010A (en) Insulation type switching power supply device
JP5451860B1 (en) Switching power supply
JP6541859B1 (en) Power converter
JP2010034310A (en) Transformer and power converter
JP2016144238A (en) Electric power conversion system
US20240348174A1 (en) Power converter
JP2024104369A (en) Power Conversion Equipment
JP6119517B6 (en) Power converter
JP6119517B2 (en) Power converter