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JP2011031472A - Film laminate and method for producing organic el element using the same - Google Patents

Film laminate and method for producing organic el element using the same Download PDF

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JP2011031472A
JP2011031472A JP2009179580A JP2009179580A JP2011031472A JP 2011031472 A JP2011031472 A JP 2011031472A JP 2009179580 A JP2009179580 A JP 2009179580A JP 2009179580 A JP2009179580 A JP 2009179580A JP 2011031472 A JP2011031472 A JP 2011031472A
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JP
Japan
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base material
separator
slit
separator base
organic
Prior art date
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Pending
Application number
JP2009179580A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Akio Nakamura
彰男 中村
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Toppan Inc
Original Assignee
Toppan Printing Co Ltd
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Publication date
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Abstract

【課題】上面発光型有機EL素子の固体封止において、接着性樹脂層をラミネート法にて、均一なギャップで、気泡の混入のなく有機EL素子を封止するためのフィルム積層体、封止材及びそれらの製造方法を提供すること。
【解決手段】第1のセパレータ基材、接着性樹脂層、第2のセパレータ基材がこの順に積層されてなり、前記第1のセパレータ基材と前記第2のセパレータ基材のうち少なくともどちらか一つにはスリットが形成されたフィルム積層体であって、前記スリットは前記第1のセパレータ基材および前記第2のセパレータ基材が前記接着性樹脂層と接する面の反対側の面に形成されていることを特徴とするフィルム積層体。
【選択図】図1
In a solid sealing of a top emission organic EL element, a film laminate for sealing an organic EL element with a uniform gap and without mixing of air bubbles by a laminating method, and sealing Providing materials and methods for their production.
A first separator base material, an adhesive resin layer, and a second separator base material are laminated in this order, and at least one of the first separator base material and the second separator base material. One is a film laminate in which a slit is formed, and the slit is formed on a surface opposite to a surface where the first separator base material and the second separator base material are in contact with the adhesive resin layer. A film laminate characterized by being made.
[Selection] Figure 1

Description

本発明は、テレビ、パソコンモニタ、携帯電話等の携帯端末などに使用されるフラットパネルディスプレイや、面発光光源、照明、発光型広告体などとして、幅広い用途が期待される有機EL素子、特に、上面発光型の有機EL素子及びその製造方法に関する。   The present invention is an organic EL element expected to be widely used as a flat panel display used in a mobile terminal such as a television, a personal computer monitor, a mobile phone, a surface-emitting light source, illumination, a light-emitting advertising body, The present invention relates to a top emission type organic EL element and a manufacturing method thereof.

有機EL素子は、広視野角、応答速度が速い、低消費電力などの利点から、ブラウン管や液晶ディスプレイに替わるフラットパネルディスプレイとして期待されている。   The organic EL element is expected as a flat panel display that replaces a cathode ray tube or a liquid crystal display because of advantages such as a wide viewing angle, a high response speed, and low power consumption.

有機EL素子は、少なくともどちらか一方が透光性を有する二枚の電極層(陽極層と陰極層)の間に、有機発光媒体層を挟持した構造であり、両電極間に電圧を印可し電流を流すことにより有機発光媒体層で発光が生じる自発光型の表示素子である。しかし、有機EL素子は、大気中の水分や酸素の影響により劣化するといった問題があるため、乾燥剤を内包した金属缶やガラスキャップで覆い、大気から遮断する方法が一般的に用いられている。   An organic EL element has a structure in which an organic light-emitting medium layer is sandwiched between two electrode layers (anode layer and cathode layer), at least one of which has translucency, and a voltage is applied between both electrodes. It is a self-luminous display element in which light is emitted from the organic light emitting medium layer when an electric current is passed. However, since the organic EL element has a problem that it deteriorates due to the influence of moisture and oxygen in the atmosphere, a method of covering with a metal can or glass cap containing a desiccant and blocking from the atmosphere is generally used. .

近年、アクティブマトリクス型の有機EL素子の光取出し効率を向上させるために、封止部材側から光を取り出す上面発光素子が提案されており、従来用いられてきた乾燥剤を内包したキャップ封止に変わり、バリア性を有するパッシベーション膜(封止層)、接着剤、ガラス基材を、空間を設けずに積層する固体封止が提案されている(特許文献1、2)。   In recent years, in order to improve the light extraction efficiency of an active matrix type organic EL element, a top surface light emitting element for extracting light from a sealing member side has been proposed, and a cap sealing that includes a conventionally used desiccant has been proposed. Instead, solid sealing has been proposed in which a passivation film (sealing layer) having a barrier property, an adhesive, and a glass substrate are laminated without providing a space (Patent Documents 1 and 2).

固体封止においては、封止性能を維持するために、接着剤を数ミクロンの厚みギャップを均一維持する必要があり、また、気泡の混入は、発光の妨げとなるだけでなく、有機EL素子の劣化要因となるため、気泡レスでの貼り合せが必要である。
このようにギャップを均一に貼り合せる手法の一例として、フィルム状の接着剤をラミネートする方法が近年試みられている。フィルム状の接着シートは両面にセパレータ基材が貼付されており、片面のセパレータ基材を剥がしてガラス基材にラミネートして封止基材を作製した後に、もう一方のセパレータ基材を剥がして、有機EL素子が形成されたガラス基材にラミネートすることにより、有機EL素子を封止することができる。しかし、両面のセパレータ基材の接着強度が同じであると、片面を剥がす際に、もう一方のセパレータ基材が剥がれてしまい、フィルムにしわが入り封止基材に不良が生じるといった問題が生じる。このため、片面のセパレータ基材の接着強度を強くすることにより、例えばセパレータ基材Aを剥離しても、セパレータ基材Bが剥離するのを防止することができるが、セパレータ基材Bの剥離工程においてセパレータ基材Bから接着剤が剥離されないなどの問題が生じ、歩留まりが低下するといった問題がある。
In solid sealing, in order to maintain sealing performance, it is necessary to maintain a uniform thickness gap of several microns for the adhesive, and mixing of bubbles not only hinders light emission but also organic EL elements. Therefore, it is necessary to bond without bubbles.
In recent years, a method of laminating a film-like adhesive has been attempted as an example of a technique for uniformly bonding the gaps. The film-like adhesive sheet has a separator substrate on both sides, and after peeling off the separator substrate on one side and laminating it on a glass substrate to produce a sealing substrate, the other separator substrate is peeled off. The organic EL element can be sealed by laminating the glass substrate on which the organic EL element is formed. However, if the adhesive strengths of the separator substrates on both sides are the same, the other separator substrate is peeled off when one side is peeled off, causing a problem that the film is wrinkled and the sealing substrate is defective. For this reason, it is possible to prevent the separator base material B from being peeled off even if the separator base material A is peeled off by increasing the adhesive strength of the separator base material on one side. In the process, there is a problem that the adhesive is not peeled off from the separator base material B, and the yield is reduced.

特開2002−231443号公報JP 2002-231443 A 特開2004−164890号公報JP 2004-164890 A

本発明は、上面発光型有機EL素子の固体封止において、接着性樹脂層をラミネート法にて、歩留まり良く、安定した張り合わせができる有機EL素子を封止するための接着性樹脂層を有するフィルム積層体、及びそれを用いた有機EL素子の製造方法を提供することにある。   The present invention relates to a film having an adhesive resin layer for sealing an organic EL element that can be stably bonded with a good yield by laminating the adhesive resin layer in solid sealing of a top emission organic EL element. It is providing the manufacturing method of a laminated body and an organic EL element using the same.

上記の課題を解決する手段として、本発明の請求項1に係る発明は、第1のセパレータ基材、接着性樹脂層、第2のセパレータ基材がこの順に積層されてなり、前記第1のセパレータ基材と前記第2のセパレータ基材のうち少なくともどちらか一方にはスリットが形成されたフィルム積層体であって、前記スリットは少なくとも1つ以上の切れ目からなるスリットとして形成され、前記スリットは前記第1のセパレータ基材および前記第2のセパレータ基材が前記接着性樹脂層と接する面の反対側の面に形成されていることを特徴とするフィルム積層体である。   As means for solving the above-mentioned problems, the invention according to claim 1 of the present invention is such that a first separator base material, an adhesive resin layer, and a second separator base material are laminated in this order, At least one of the separator base material and the second separator base material is a film laminate in which a slit is formed, and the slit is formed as a slit composed of at least one cut, and the slit is The film laminate is characterized in that the first separator substrate and the second separator substrate are formed on the surface opposite to the surface in contact with the adhesive resin layer.

本発明の請求項2に係る発明は、前記スリットは前記フィルム積層体の角部に形成され、前記スリットの法線が該スリットが形成された角部の頂点を通ることを特徴とする請求項1に記載のフィルム積層体である。   The invention according to claim 2 of the present invention is characterized in that the slit is formed at a corner portion of the film laminate, and the normal line of the slit passes through the apex of the corner portion where the slit is formed. 1. The film laminate according to 1.

本発明の請求項3に係る発明は、前記第1及び第2のセパレータ基材にスリットが形成され、前記第1のセパレータ基材に形成されたスリットと前記第2のセパレータ基材に形成されたスリットは前記フィルム積層体の隣り合う角に形成され、前記第1のセパレータ基材に形成されたスリットが成す直線と前記第2のセパレータ基材に形成されたスリットが成す直線が互いに直交することを特徴とする請求項1または2に記載のフィルム積層体である。   According to a third aspect of the present invention, a slit is formed in the first and second separator bases, and a slit formed in the first separator base and the second separator base are formed. The slits are formed at adjacent corners of the film laminate, and the straight line formed by the slit formed in the first separator substrate and the straight line formed by the slit formed in the second separator substrate are orthogonal to each other. It is a film laminated body of Claim 1 or 2 characterized by the above-mentioned.

本発明の請求項4に係る発明は、前記第1及び第2のセパレータ基材と接着性樹脂層との間に剥離層が形成されていることを特徴とする請求項1ないし3に記載のフィルム積層体である。   The invention according to claim 4 of the present invention is characterized in that a release layer is formed between the first and second separator substrates and the adhesive resin layer. It is a film laminate.

本発明の請求項5に係る発明は、第1の基材と、接着性樹脂層と、少なくとも陽極層、有機発光媒体層、及び陰極層が形成された第2の基材と、からなる有機EL素子の製造方法であって、請求項1ないし4に記載のフィルム積層体を用いた以下の工程を含むことを特徴とする有機EL素子の製造方法である。
(1)前記フィルム積層体から前記第1のセパレータ基材を剥離する工程。
(2)前記第1の基材と前記フィルム積層体の前記接着性樹脂層が形成された面とを張り合わせる工程。
(3)前記第1の基材と張り合わせた前記フィルム積層体から前記第2のセパレータ基材を剥離して前記第1の基材上に前記接着性樹脂層を形成する工程。
(4)前記第2の基材と、前記第1の基材上の前記接着性樹脂層とを張り合わせる工程。
The invention according to claim 5 of the present invention is an organic material comprising a first base material, an adhesive resin layer, and a second base material on which at least an anode layer, an organic light emitting medium layer, and a cathode layer are formed. It is a manufacturing method of EL element, Comprising: The manufacturing method of the organic EL element characterized by including the following processes using the film laminated body of Claims 1 thru | or 4.
(1) The process of peeling a said 1st separator base material from the said film laminated body.
(2) A step of bonding the first substrate and the surface of the film laminate on which the adhesive resin layer is formed.
(3) The process of peeling the said 2nd separator base material from the said film laminated body bonded together with the said 1st base material, and forming the said adhesive resin layer on a said 1st base material.
(4) A step of bonding the second base material and the adhesive resin layer on the first base material together.

本発明の請求項6に係る発明は、前記工程(1)及び前記工程(3)における前記第1及び第2のセパレータ基材を剥離する工程において、前記セパレータ基材は、前記フィルム積層体のスリットが形成された角から前記フィルム積層体の対角線方向に剥離されることを特徴とする請求項4に記載の有機EL素子の製造方法である。   The invention according to claim 6 of the present invention is the step of peeling the first and second separator substrates in the step (1) and the step (3), wherein the separator substrate is formed of the film laminate. It is a manufacturing method of the organic EL element of Claim 4 which peels in the diagonal direction of the said film laminated body from the angle | corner in which the slit was formed.

本発明の請求項7に係る発明は、前記工程(1)及び前記工程(3)における前記第1及び第2のセパレータ基材を剥離する工程において、粘着シートを用いてセパレータ基材を剥離することを特徴とする請求項5に記載の有機EL素子の製造方法である。   The invention according to claim 7 of the present invention peels the separator base material using an adhesive sheet in the step of peeling the first and second separator base materials in the step (1) and the step (3). It is a manufacturing method of the organic EL element of Claim 5 characterized by the above-mentioned.

本発明によれば、少なくとも一方のセパレータ基材上に1つ以上の切れ目からなるスリットが形成されたことにより、セパレータ基材を接着性樹脂層から剥離することが容易になり、他方のセパレータ基材の望まない剥離を防ぐことができる。
また、本発明によれば、スリットがフィルム積層体の角部に形成され、スリットの法線が角部の頂点を通ることにより、スリットが形成されたフィルム積層体の角部頂点からセパレータ基材を剥離する際に、スリットに無理な負荷が生じてセパレータフィルムがスリット部から切断することがない。
また、本発明によれば、二つのセパレータ基材に形成されたスリットが、フィルム積層体の互いに隣接する角に形成され、二つのスリットが成す直線が互いに直交することにより、一方のセパレータフィルムの剥離の際に他方が剥離することを防ぐことができる。
また、本発明によれば、セパレータ基材と接着性樹脂層との間に剥離層を形成したことにより、歩留まり良くセパレータ基材をフィルム積層体から剥離できる。
また、本発明によれば、セパレータ基材にスリットを形成したフィルム積層体を用いて有機EL素子を製造することにより、フィルム積層体からセパレータ基材が容易に剥離でき、かつ他方のセパレータ基材の望まない剥離が生じないため、歩留まり良く、かつ不良のない安定した接着性樹脂層を有機EL素子上に形成することができる。
According to the present invention, since the slit made of one or more cuts is formed on at least one separator substrate, it becomes easy to peel the separator substrate from the adhesive resin layer, and the other separator substrate Undesirable peeling of the material can be prevented.
Further, according to the present invention, the slit is formed at the corner of the film laminate, and the normal of the slit passes through the apex of the corner, thereby separating the separator base material from the apex of the film laminate where the slit is formed. When peeling off, an excessive load is not generated in the slit, and the separator film is not cut from the slit portion.
Further, according to the present invention, the slits formed in the two separator bases are formed at the corners adjacent to each other of the film laminate, and the straight lines formed by the two slits are orthogonal to each other. It is possible to prevent the other from peeling off at the time of peeling.
Moreover, according to this invention, by forming the peeling layer between the separator base material and the adhesive resin layer, the separator base material can be peeled from the film laminate with a high yield.
Moreover, according to the present invention, the separator substrate can be easily peeled from the film laminate by manufacturing an organic EL element using a film laminate in which slits are formed in the separator substrate, and the other separator substrate Therefore, a stable adhesive resin layer with good yield and no defects can be formed on the organic EL element.

フィルム積層体の断面図Cross section of film laminate 本発明のフィルム積層体を用いた有機EL素子の封止工程The sealing process of the organic EL element using the film laminated body of this invention 有機EL素子基板の断面図Cross section of organic EL element substrate

以下、本発明により製造される有機EL素子の一例を図1〜図3を参照しながら説明する。なお、本発明は、実施の形態に限定されるものではない。   Hereinafter, an example of the organic EL element produced by the present invention will be described with reference to FIGS. The present invention is not limited to the embodiment.

本発明のフィルム積層体30について、図1、図2を用いて説明する。   The film laminated body 30 of this invention is demonstrated using FIG. 1, FIG.

図1(a)のように、フィルム積層体30は、片方のセパレータ基材31上に、接着性樹脂コーティングすることにより接着性樹脂層32を形成し、他方のセパレータ基材32をラミネートすることにより形成される。   As shown in FIG. 1A, the film laminate 30 is formed by forming an adhesive resin layer 32 on one separator substrate 31 by coating an adhesive resin and laminating the other separator substrate 32. It is formed by.

ここで、セパレータ基材31、33としては、PETやPES、PEN、PCなどといった市販のプラスチックフィルムを用いることができるが、セパレータ基材と接着性樹脂層が剥離しやすいように、接着性樹脂層と接する側のセパレータ基材表面に予め剥離層34、35を形成する必要がある。剥離層34、35としては、特に本発明上、限定する必要はないが、一例を挙げれば、シリコーン系、フッ素系といった市販の剥離剤を、所望の剥離強度にあわせて選択し、セパレータ基材表面にコーティングすればよい。   Here, as the separator base materials 31 and 33, commercially available plastic films such as PET, PES, PEN, and PC can be used, but the adhesive resin is used so that the separator base material and the adhesive resin layer are easily peeled off. It is necessary to form the release layers 34 and 35 in advance on the surface of the separator substrate on the side in contact with the layer. The release layers 34 and 35 are not particularly limited in the present invention. For example, a commercially available release agent such as a silicone type or a fluorine type is selected according to a desired peel strength, and a separator base material is used. What is necessary is just to coat the surface.

接着性樹脂層32と剥離層34、35の形成方法としては、材料やパターンに応じて、スピンコート、スプレーコート、フレキソ、グラビア、マイクログラビア、凹版オフセット、ロールコート、ブレードコートなどのコーティング法、印刷法や、インクジェット法、ディスペンサ塗布、ノズル吐出、転写法、ラミネート法などを用いることができる。   As a method of forming the adhesive resin layer 32 and the release layers 34 and 35, depending on the material and pattern, a coating method such as spin coating, spray coating, flexo, gravure, micro gravure, intaglio offset, roll coating, blade coating, Printing methods, ink jet methods, dispenser application, nozzle discharge, transfer methods, laminating methods, and the like can be used.

ここで、セパレータ基材31,33に同じ剥離層34,35をコーティングしただけだと、図2(a)のように他方のセパレータ基材31を剥離する際に、セパレータ基材33側の界面にも剥離が生じてしまい、図2(b)のように封止基材に貼る際に、接着性樹脂層にしわが入るなど、ラミネート不良が生じやすい。逆に他方のセパレータ基材33が剥がれないように剥離性を落とすと、セパレータ基材を剥がす工程(図2(c))で、剥離できなくなり、歩留まりが低下するといった問題がある。   Here, if only the same release layers 34 and 35 are coated on the separator base materials 31 and 33, when the other separator base material 31 is peeled off as shown in FIG. Also, peeling occurs, and when the film is applied to the sealing substrate as shown in FIG. 2B, a laminating defect is likely to occur, such as wrinkles in the adhesive resin layer. On the contrary, if the peelability is lowered so that the other separator base material 33 is not peeled off, there is a problem that in the step of peeling the separator base material (FIG. 2C), the separation cannot be made and the yield is lowered.

そこで、図1(a)のように、片方のセパレータ基材31に、線状のスリット41を形成することにより、セパレータ基材31とセパレータ基材33の接着性樹脂層との剥離性に差をつけ、セパレータ基材33が剥離せずにセパレータ基材31が容易に剥離できるようになる。なお、本発明におけるスリットとは、切れ目が連続した直線状のものをいう。   Therefore, as shown in FIG. 1A, a linear slit 41 is formed in one separator base material 31, thereby making a difference in the peelability between the separator base material 31 and the adhesive resin layer of the separator base material 33. The separator base material 31 can be easily peeled off without the separator base material 33 peeling off. In addition, the slit in this invention means the linear thing with the continuous cut | interruption.

スリットは、片方のセパレータ基材31のみに形成すればよいが、他方のセパレータ基材33にスリットを形成する場合には、図1(b)のように、スリット41が形成されたセパレータ基材31の角と隣接するセパレータ基材33の角にスリット42を、スリット41が成す直線とスリット42が成す直線が直交するように形成すればよい。このようにスリットを形成することで、セパレータ基材31の剥離方向Aとセパレータ基材33の剥離方向Bが交差するため、片方のセパレータ基材を剥離する際に他方のセパレータ基材も同時に剥離してしまう不具合を防ぐことができる。   The slit may be formed only on one separator base material 31, but when the slit is formed on the other separator base material 33, the separator base material on which the slit 41 is formed as shown in FIG. The slits 42 may be formed at the corners of the separator substrate 33 adjacent to the corners 31 so that the straight lines formed by the slits 41 and the straight lines formed by the slits 42 are orthogonal to each other. By forming the slits in this way, the peeling direction A of the separator base material 31 and the peeling direction B of the separator base material 33 intersect, so when peeling one separator base material, the other separator base material is peeled simultaneously. It is possible to prevent malfunctions that occur.

通常フィルム積層体30の剥離強度は、90度剥離(300mm/min)試験にて、0.05〜50.0N/25mmにおいて、好適に用いることができる。
例えば、0.5N/25mmの剥離強度をもつセパレータ基材(25μm)に5〜10μm程度のスリットを形成すると、剥離強度は0.1N/25mmに低下する。これにより、他方のセパレータ基材を剥離することなく、スリットを形成したセパレータ基材を剥がすことが可能となる。
Usually, the peel strength of the film laminate 30 can be suitably used at 0.05 to 50.0 N / 25 mm in a 90-degree peel (300 mm / min) test.
For example, when a slit of about 5 to 10 μm is formed on a separator substrate (25 μm) having a peel strength of 0.5 N / 25 mm, the peel strength is reduced to 0.1 N / 25 mm. Thereby, it becomes possible to peel the separator base material in which the slit was formed, without peeling off the other separator base material.

スリットを形成する方法は特に限定されるものでなく、例えば、スリットの形成方向に合わせてフィルムを搬送し、円盤カッターを用いてスリットを形成する等の従来の方法を用いることで形成される。また、スリットは図1に示したようにセパレータ基材の角部に複数形成してもよいし、一つだけ形成しても良い。   The method for forming the slit is not particularly limited. For example, the slit is formed by using a conventional method such as transporting a film in accordance with the slit forming direction and forming the slit using a disk cutter. Further, as shown in FIG. 1, a plurality of slits may be formed at the corners of the separator substrate, or only one slit may be formed.

セパレータ基材を剥離する方法としては、積層構造の剥離フィルムを有するラミネートフィルムに、粘着シートを貼り合わせて剥離フィルムを剥離する従来方法が用いることができる。
例えば、フィルム積層体を固定支持して搬送し、粘着シートつき剥離ローラによってフィルム積層体に接着し、粘着シートつき剥離ローラ回転してセパレート基材を巻き取る装置を用いることができ、本発明においては、粘着シートとフィルム積層体との接着位置をフィルム積層体のスリットが形成された角にすることでセパレータ基材の剥離が歩留まり良く行われ、かつ他方のセパレータ基材の望まない剥離を防ぐことができる。
また、粘着シートを用いた剥離方法以外の方法も適宜用いることができるが、その場合においてもスリットが形成された角から剥離することでセパレータ基材を容易に剥離でき、かつ他方のセパレータ基材の望まない剥離を防ぐことができる。
As a method for peeling the separator substrate, a conventional method of peeling the release film by attaching an adhesive sheet to a laminate film having a release film having a laminated structure can be used.
For example, it is possible to use a device for fixing and supporting the film laminate, adhering to the film laminate by a peeling roller with an adhesive sheet, and rotating the peeling roller with an adhesive sheet to wind up a separate substrate. The separator substrate is peeled off at a high yield by setting the adhesive sheet and the film laminate to the corner where the slit of the film laminate is formed, and the other separator substrate is prevented from being undesirably peeled off. be able to.
In addition, a method other than the peeling method using the pressure-sensitive adhesive sheet can be used as appropriate, but even in that case, the separator base material can be easily peeled off by peeling from the corner where the slit is formed, and the other separator base material is used. Undesirable peeling can be prevented.

次に、本願発明のフィルム積層体を用いて有機EL素子を封止する方法について、図2を用いて説明する。   Next, a method for sealing an organic EL element using the film laminate of the present invention will be described with reference to FIG.

まず初めに、少なくともセパレータ基材31と接着性樹脂層32、セパレータ基材33からなるフィルム積層体30から、セパレータ基材31を剥離する(図2(a))。次に、ロールラミネータを用いて、封止基材20に接着性樹脂層32およびセパレータ基材33を貼り合せる(図2(b))。次に、セパレータ基材33を剥離し(図2(c))、接着性樹脂層32が形成された封止基材20を、有機EL素子が形成された基材10に貼り合わせる(図2(d))。これにより、有機EL素子を封止することができる。   First, the separator base material 31 is peeled from the film laminate 30 including at least the separator base material 31, the adhesive resin layer 32, and the separator base material 33 (FIG. 2A). Next, the adhesive resin layer 32 and the separator base material 33 are bonded to the sealing base material 20 using a roll laminator (FIG. 2B). Next, the separator base material 33 is peeled off (FIG. 2C), and the sealing base material 20 on which the adhesive resin layer 32 is formed is bonded to the base material 10 on which the organic EL element is formed (FIG. 2). (d)). Thereby, an organic EL element can be sealed.

ここで、封止基材20としては、石英ガラス、ホウケイ酸ガラス、ソーダガラスなどの無機ガラス、PET、PES、PCなどのプラスチック基板、又はこれらガラス基板やプラスチック基板上に、酸化シリコンや酸化アルミニウム、窒化シリコン、酸窒化シリコンなどの無機薄膜を成膜したものを使用することができる。さらには、用途に応じて、カラーフィルター層により着色をしてもよく、散乱粒子、表面に凹凸を付与して光の取り出し効率を向上させても良い。また、ボトムエミッション型の有機EL素子であれば、透明である必要はなく、ステンレスやAlなどの金属シートやフィルムを用いることもできる。   Here, as the sealing substrate 20, inorganic glass such as quartz glass, borosilicate glass and soda glass, plastic substrates such as PET, PES, and PC, or silicon oxide or aluminum oxide on these glass substrates or plastic substrates. In addition, an inorganic thin film such as silicon nitride or silicon oxynitride can be used. Furthermore, it may be colored with a color filter layer depending on the application, and the light extraction efficiency may be improved by imparting irregularities to the scattering particles and the surface. Moreover, if it is a bottom emission type organic EL element, it does not need to be transparent and metal sheets and films, such as stainless steel and Al, can also be used.

接着性樹脂層32の材料としては、特に限定する必要はなく、公知の接着性樹脂層を使用することができるが、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂などの光硬化型接着性樹脂、熱硬化型接着性樹脂、光硬化型粘着性樹脂、熱硬化型粘着性樹脂、ポリエチレン、ポリプロピレンなどの酸変性物からなる熱可塑性接着性樹脂などを使用することができる。接着層には、必要に応じて、ギャップ制御のためにガラスや樹脂からなる球状、棒状などのスペーサーを混入しても良く、乾燥剤や酸素吸収剤などを混入してもよい。   The material of the adhesive resin layer 32 is not particularly limited, and a known adhesive resin layer can be used. For example, a photocurable adhesive resin such as an epoxy resin, an acrylic resin, or a silicone resin, Thermosetting adhesive resins, photocurable adhesive resins, thermosetting adhesive resins, thermoplastic adhesive resins made of acid-modified products such as polyethylene and polypropylene can be used. If necessary, the adhesive layer may contain a spherical or rod-like spacer made of glass or resin for gap control, or may contain a desiccant or an oxygen absorbent.

次に、本発明により製造される有機EL素子について、図3を用いて説明する。   Next, the organic EL element manufactured by this invention is demonstrated using FIG.

本発明により製造される有機EL素子は、基材10として電極基材を用いる。電極基材としては、ガラスや石英、ポリエーテルサルフォン、ポリカーボネート等のプラスチックフィルムに、後述する画素電極11が少なくとも形成されていれば良いが、以下、薄膜トランジスタ(TFT)が形成された駆動用基板を用いた場合を説明する。   The organic EL device manufactured according to the present invention uses an electrode substrate as the substrate 10. As the electrode base material, it is sufficient that at least a pixel electrode 11 described later is formed on a plastic film such as glass, quartz, polyethersulfone, and polycarbonate. Hereinafter, a driving substrate on which a thin film transistor (TFT) is formed. The case where is used will be described.

薄膜トランジスタとしては、公知の薄膜トランジスタを用いることができる。具体的には、主として、ソース/ドレイン領域及びチャネル領域が形成される活性層、ゲート絶縁膜及びゲート電極から構成される薄膜トランジスタが挙げられる。薄膜トランジスタの構造としては、特に限定されるものではなく、例えば、スタガ型、逆スタガ型、トップゲート型、コプレーナ型等が挙げられる。   A known thin film transistor can be used as the thin film transistor. Specifically, a thin film transistor mainly including an active layer in which a source / drain region and a channel region are formed, a gate insulating film, and a gate electrode can be given. The structure of the thin film transistor is not particularly limited, and examples thereof include a staggered type, an inverted staggered type, a top gate type, and a coplanar type.

活性層は、特に限定されるものではなく、例えば、非晶質シリコン、多結晶シリコン、微結晶シリコン、セレン化カドミウム等の無機半導体材料又はチオフエンオリゴマー、ポリ(p-フェリレンビニレン)等の有機半導体材料により形成することができる。これらの活性層は、例えば、アモルファスシリコンをプラズマCVD法により積層し、イオンドーピングする方法、SiHガスを用いてLPCVD法によりアモルファスシリコンを形成し、固相成長法によりアモルファスシリコンを結晶化してポリシリコンを得た後、イオン打ち込み法によりイオンドーピングする方法、Siガスを用いてLPCVD法により、また、SiHガスを用いてPECVD法によりアモルファスシリコンを形成し、エキシマレーザー等のレーザーによりアニールし、アモルファスシリコンを結晶化してポリシリコンを得た後、イオンドーピング法によりイオンドーピングする方法(低温プロセス)、減圧CVD法又はLPCVD法によりポリシリコンを積層し、1000℃以上で熱酸化してゲート絶縁膜を形成し、その上にn+ポリシリコンのゲート電極を形成し、その後、イオン打ち込み法によりイオンドーピングする方法(高温プロセス)等が挙げられる。 The active layer is not particularly limited, and examples thereof include amorphous semiconductor materials such as amorphous silicon, polycrystalline silicon, microcrystalline silicon, cadmium selenide, thiophene oligomers, poly (p-ferylene vinylene), and the like. It can be formed of an organic semiconductor material. These active layers are formed by, for example, depositing amorphous silicon by plasma CVD, ion doping, forming amorphous silicon by LPCVD using SiH 4 gas, and crystallizing amorphous silicon by solid phase growth. After obtaining silicon, ion doping is performed by ion implantation, LPCVD using Si 2 H 6 gas, and amorphous silicon is formed by PECVD using SiH 4 gas, and laser such as excimer laser is used. After annealing and crystallizing amorphous silicon to obtain polysilicon, polysilicon is deposited by ion doping (low temperature process), low pressure CVD or LPCVD, and thermally oxidized at 1000 ° C. or higher. Gate break Film is formed, a gate electrode of the n + polysilicon is formed thereon, then, a method of ion doping (high temperature process), and the like by an ion implantation method.

ゲート絶縁膜としては、通常、ゲート絶縁膜として使用されているものを用いることができ、例えば、PECVD法、LPCVD法等により形成されたSiO;ポリシリコン膜を熱酸化して得られるSiO等を用いることができる。 As the gate insulating film, typically, it can be used that is used as a gate insulating film, for example, PECVD method, SiO formed by the LPCVD method or the like 2; SiO obtained polysilicon film was thermally oxidized 2 Etc. can be used.

ゲート電極としては、通常、ゲート電極として使用されているものを用いることができ、例えば、アルミ、銅等の金属、チタン、タンタル、タングステン等の高融点金属、ポリシリコン、高融点金属のシリサイド、ポリサイド等が挙げられる。また、薄膜トランジスタは、シングルゲート構造、ダブルゲート構造、ゲート電極が3つ以上のマルチゲート構造であってもよい。また、LDD構造、オフセット構造を有していてもよい。さらに、1つの画素中に2つ以上の薄膜トランジスタが配置されていてもよい。   As a gate electrode, what is normally used as a gate electrode can be used, for example, metals, such as aluminum and copper, refractory metals, such as titanium, tantalum, and tungsten, polysilicon, silicide of a refractory metal, Polycide etc. are mentioned. The thin film transistor may have a single gate structure, a double gate structure, or a multi-gate structure having three or more gate electrodes. Moreover, you may have a LDD structure and an offset structure. Further, two or more thin film transistors may be arranged in one pixel.

本発明により製造される有機EL素子は、薄膜トランジスタが有機EL素子のスイッチング素子として機能するように接続し、トランジスタのドレイン電極と有機EL素子の画素電極11が電気的に接続されている。薄膜トランジスタとドレイン電極と有機EL素子の画素電極11との接続は、平坦化膜を貫通するコンタクトホール内に形成された接続配線を介して行われる。図3は、薄膜トランジスタ部を省略し、基材10上に画素電極11、隔壁12、有機発光媒体層13、対向電極層14、パッシベーション層15が形成された概略図である。   The organic EL element manufactured by the present invention is connected so that the thin film transistor functions as a switching element of the organic EL element, and the drain electrode of the transistor and the pixel electrode 11 of the organic EL element are electrically connected. The thin film transistor, the drain electrode, and the pixel electrode 11 of the organic EL element are connected through a connection wiring formed in a contact hole that penetrates the planarization film. FIG. 3 is a schematic view in which the thin film transistor portion is omitted and the pixel electrode 11, the partition wall 12, the organic light emitting medium layer 13, the counter electrode layer 14, and the passivation layer 15 are formed on the base material 10.

本発明の実施の形態において、画素電極11は隔壁12によって区画され、各画素に対応した画素電極となる。画素電極11の材料としては、ITOなど仕事関数の高い材料を選択することが好ましく、ITO(インジウムスズ複合酸化物)やインジウム亜鉛複合酸化物、亜鉛アルミニウム複合酸化物などの金属複合酸化物や、金、白金などの金属材料や、これら金属酸化物や金属材料の微粒子をエポキシ樹脂やアクリル樹脂などに分散した微粒子分散膜を、単層もしくは積層したものをいずれも使用することができる。また、本発明で製造される上面発光型の有機EL素子で、画素電極として正孔注入性と反射性を必要な場合には、AgやAlのような金属材料の上にITO膜を積層すればよい。   In the embodiment of the present invention, the pixel electrode 11 is partitioned by the partition wall 12 and becomes a pixel electrode corresponding to each pixel. As a material of the pixel electrode 11, it is preferable to select a material having a high work function such as ITO, a metal composite oxide such as ITO (indium tin composite oxide), indium zinc composite oxide, zinc aluminum composite oxide, Either a single layer or a laminate of a metal material such as gold or platinum, or a fine particle dispersion film in which fine particles of these metal oxides or metal materials are dispersed in an epoxy resin or an acrylic resin can be used. In addition, in a top emission type organic EL device manufactured according to the present invention, an ITO film is laminated on a metal material such as Ag or Al when the pixel electrode needs to have hole injection property and reflectivity. That's fine.

画素電極11の膜厚は、有機EL素子の素子構成により最適値が異なるが、単層、積層にかかわらず、100Å以上10000Å以下であり、より好ましくは、3000Å以下である。   The optimum value of the film thickness of the pixel electrode 11 varies depending on the element configuration of the organic EL element, but it is 100 to 10,000 mm, more preferably 3000 or less, regardless of whether it is a single layer or a stacked layer.

画素電極11の形成方法としては、材料に応じて、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、反応性蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法などの乾式成膜法や、グラビア印刷法、スクリーン印刷法などの湿式成膜法などを用いることができる。   As the formation method of the pixel electrode 11, depending on the material, dry film forming methods such as resistance heating vapor deposition method, electron beam vapor deposition method, reactive vapor deposition method, ion plating method, sputtering method, gravure printing method, screen printing, etc. A wet film forming method such as a method can be used.

隔壁12は画素に対応した発光領域を区画するように形成する。一般的にアクティブマトリクス駆動型の表示装置は各画素に対して画素電極11が形成され、それぞれの画素ができるだけ広い面積を占有しようとするため、画素電極11の端部を覆うように形成される隔壁12の最も好ましい形状は各画素電極11を最短距離で区切る格子状を基本とする。   The partition wall 12 is formed so as to partition the light emitting region corresponding to the pixel. In general, an active matrix drive type display device is formed so that a pixel electrode 11 is formed for each pixel, and each pixel occupies as wide an area as possible so as to cover an end portion of the pixel electrode 11. The most preferable shape of the partition wall 12 is basically a lattice shape that divides each pixel electrode 11 by the shortest distance.

隔壁12の形成方法としては、従来と同様、基体上に無機膜を一様に形成し、レジストでマスキングした後、ドライエッチングを行う方法や、基体上に感光性樹脂を積層し、フォトリソグラフィ法により所定のパターンとする方法が挙げられる。必要に応じて撥水剤を添加したり、プラズマやUVを照射して形成後にインクに対する撥液性を付与したりすることもできる。
隔壁12の好ましい高さは0.1μm以上10μm以下であり、より好ましくは0.5μm以上2μm以下である。隔壁12の高さが10μmを超えると対向電極の形成及び封止を妨げてしまい、0.1μm未満だと画素電極11の端部を覆い切れない、あるいは発光媒体層の形成時に隣接する画素とショートしたり混色したりしてしまうからである。
As a method of forming the partition wall 12, as in the conventional method, an inorganic film is uniformly formed on a substrate, masked with a resist, and then dry-etched, or a photosensitive resin is laminated on the substrate, and a photolithography method is used. The method of setting to a predetermined pattern is mentioned. If necessary, a water repellent can be added, or plasma or UV can be irradiated to impart liquid repellency to the ink after formation.
A preferable height of the partition wall 12 is not less than 0.1 μm and not more than 10 μm, and more preferably not less than 0.5 μm and not more than 2 μm. If the height of the partition wall 12 exceeds 10 μm, the formation and sealing of the counter electrode is hindered, and if it is less than 0.1 μm, the end of the pixel electrode 11 cannot be covered, or the adjacent pixels are formed when the light emitting medium layer is formed. This is because they are short-circuited or mixed colors.

本発明における有機発光媒体層13としては、発光物質を含む単層膜、あるいは多層膜で形成することができる。多層膜で形成する場合の構成例としては、正孔輸送層、電子輸送性発光層または正孔輸送性発光層、電子輸送層からなる2層構成や正孔輸送層、発光層、電子輸送層からなる3層構成、さらには、必要に応じて正孔(電子)注入機能と正孔(電子)輸送機能を分けたり、正孔や電子の輸送をプロックする層などを挿入することにより、さらに多層形成することがより好ましい。   The organic light emitting medium layer 13 in the present invention can be formed of a single layer film or a multilayer film containing a light emitting substance. Examples of the configuration in the case of forming a multilayer film include a hole transport layer, an electron transporting light emitting layer or a hole transporting light emitting layer, a two-layer structure comprising an electron transport layer, a hole transport layer, a light emitting layer, and an electron transport layer. By further separating the hole (electron) injection function and the hole (electron) transport function as necessary, or by inserting a layer that blocks the transport of holes and electrons, if necessary, It is more preferable to form a multilayer.

正孔輸送材料の例としては、銅フタロシアニン、テトラ(t−ブチル)銅フタロシアニン等の金属フタロシアニン類及び無金属フタロシアニン類、キナクリドン化合物、1,1−ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)シクロヘキサン、N,N’−ジフェニル−N,N’−ビス(3−メチルフェニル)−1,1’−ビフェニル−4,4’−ジアミン、N,N’−ジ(1−ナフチル)−N,N’−ジフェニル−1,1’−ビフェニル−4,4’−ジアミン等の芳香族アミン系低分子正孔注入輸送材料や、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリビニルカルバゾール、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)とポリスチレンスルホン酸との混合物などの高分子正孔輸送材料、ポリチオフェンオリゴマー材料、CuO,Cr,Mn,FeOx(x〜0.1),NiO,CoO,Pr,AgO,MoO,Bi,ZnO,TiO,SnO,ThO,V,Nb,Ta,MoO,WO,MnOなどの無機材料、その他既存の正孔輸送材料の中から選ぶことができる。 Examples of hole transport materials include metal phthalocyanines such as copper phthalocyanine and tetra (t-butyl) copper phthalocyanine and metal-free phthalocyanines, quinacridone compounds, 1,1-bis (4-di-p-tolylaminophenyl) Cyclohexane, N, N′-diphenyl-N, N′-bis (3-methylphenyl) -1,1′-biphenyl-4,4′-diamine, N, N′-di (1-naphthyl) -N, Aromatic amine low molecular hole injection and transport materials such as N′-diphenyl-1,1′-biphenyl-4,4′-diamine, polyaniline, polythiophene, polyvinylcarbazole, poly (3,4-ethylenedioxythiophene) ) and polymer hole transport materials such as a mixture of polystyrene sulfonic acid, polythiophene oligomer materials, Cu 2 O, Cr 2 O 3, Mn 2 O , FeOx (x~0.1), NiO, CoO, Pr 2 O 3, Ag 2 O, MoO 2, Bi 2 O 3, ZnO, TiO 2, SnO 2, ThO 2, V 2 O 5, Nb 2 O 5 , Ta 2 O 5 , MoO 3 , WO 3 , MnO 2 and other inorganic materials, and other existing hole transport materials can be selected.

高分子ELディスプレイの場合には、正孔輸送材料に、インターレイヤ層を形成することが好ましい。インターレイヤ層に用いる材料として、ポリビニルカルバゾール若しくはその誘導体、側鎖若しくは主鎖に芳香族アミンを有するポリアリーレン誘導体、アリールアミン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体などの、芳香族アミンを含むポリマーなどが挙げられる。これらの材料は溶媒に溶解または分散させ、スピンコート法等を用いた各種塗布方法や凸版印刷方法を用いて形成することができる。   In the case of a polymer EL display, an interlayer layer is preferably formed on the hole transport material. Examples of materials used for the interlayer layer include polymers containing aromatic amines such as polyvinyl carbazole or derivatives thereof, polyarylene derivatives having aromatic amines in the side chain or main chain, arylamine derivatives, and triphenyldiamine derivatives. . These materials can be dissolved or dispersed in a solvent and formed using various coating methods such as spin coating or letterpress printing.

発光材料としては、9,10−ジアリールアントラセン誘導体、ピレン、コロネン、ペリレン、ルブレン、1,1,4,4−テトラフェニルブタジエン、トリス(8−キノリノラート)アルミニウム錯体、トリス(4−メチル−8−キノリノラート)アルミニウム錯体、ビス(8−キノリノラート)亜鉛錯体、トリス(4−メチル−5−トリフルオロメチル−8−キノリノラート)アルミニウム錯体、トリス(4−メチル−5−シアノ−8−キノリノラート)アルミニウム錯体、ビス(2−メチル−5−トリフルオロメチル−8−キノリノラート)[4−(4−シアノフェニル)フェノラート]アルミニウム錯体、ビス(2−メチル−5−シアノ−8−キノリノラート)[4−(4−シアノフェニル)フェノラート]アルミニウム錯体、トリス(8−キノリノラート)スカンジウム錯体、ビス〔8−(パラ−トシル)アミノキノリン〕亜鉛錯体及びカドミウム錯体、1,2,3,4−テトラフェニルシクロペンタジエン、ペンタフェニルシクロペンタジエン、ポリ−2,5−ジヘプチルオキシ−パラ−フェニレンビニレン、クマリン系蛍光体、ペリレン系蛍光体、ピラン系蛍光体、アンスロン系蛍光体、ポルフィリン系蛍光体、キナクリドン系蛍光体、N,N’−ジアルキル置換キナクリドン系蛍光体、ナフタルイミド系蛍光体、N,N’−ジアリール置換ピロロピロール系蛍光体等、Ir錯体等の燐光性発光体などの低分子系発光材料や、ポリフルオレン、ポリパラフェニレンビニレン、ポリチオフェン、ポリスピロなどの高分子材料や、これら高分子材料に前記低分子材料の分散または共重合した材料や、その他既存の蛍光発光材料や燐光発光材料を用いることができる。   As the light-emitting material, 9,10-diarylanthracene derivatives, pyrene, coronene, perylene, rubrene, 1,1,4,4-tetraphenylbutadiene, tris (8-quinolinolato) aluminum complex, tris (4-methyl-8-) Quinolinolato) aluminum complex, bis (8-quinolinolato) zinc complex, tris (4-methyl-5-trifluoromethyl-8-quinolinolato) aluminum complex, tris (4-methyl-5-cyano-8-quinolinolato) aluminum complex, Bis (2-methyl-5-trifluoromethyl-8-quinolinolato) [4- (4-cyanophenyl) phenolate] aluminum complex, bis (2-methyl-5-cyano-8-quinolinolato) [4- (4- Cyanophenyl) phenolate] aluminum complex, tri (8-quinolinolato) scandium complex, bis [8- (para-tosyl) aminoquinoline] zinc complex and cadmium complex, 1,2,3,4-tetraphenylcyclopentadiene, pentaphenylcyclopentadiene, poly-2,5- Diheptyloxy-para-phenylene vinylene, coumarin phosphor, perylene phosphor, pyran phosphor, anthrone phosphor, porphyrin phosphor, quinacridone phosphor, N, N'-dialkyl-substituted quinacridone phosphor , Naphthalimide-based phosphors, N, N′-diaryl-substituted pyrrolopyrrole-based phosphors, low-molecular light-emitting materials such as phosphorescent phosphors such as Ir complexes, polyfluorene, polyparaphenylene vinylene, polythiophene, polyspiro, etc. Of these low molecular weight materials. Or copolymerized material and can be used other conventional fluorescent light emitting material or phosphorescent material.

電子輸送材料の例としては、2−(4−ビフェニルイル)−5−(4−t−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール、2,5−ビス(1−ナフチル)−1,3,4−オキサジアゾール、オキサジアゾール誘導体やビス(10−ヒドロキシベンゾ[h]キノリノラート)ベリリウム錯体、トリアゾール化合物等を用いることができる。
また、これらの電子輸送材料に、ナトリウムやバリウム、リチウムといった仕事関数が低いアルカリ金属、アルカリ土類金属を少量ドープすることにより、電子注入層としてもよい。
Examples of electron transport materials include 2- (4-biphenylyl) -5- (4-tert-butylphenyl) -1,3,4-oxadiazole, 2,5-bis (1-naphthyl) -1 , 3,4-oxadiazole, oxadiazole derivatives, bis (10-hydroxybenzo [h] quinolinolato) beryllium complexes, triazole compounds, and the like can be used.
Alternatively, these electron transport materials may be used as an electron injection layer by doping a small amount of alkali metal or alkaline earth metal having a low work function such as sodium, barium, or lithium.

有機発光媒体層の膜厚は、単層または積層により形成する場合においても、1000nm以下であり、好ましくは50〜200nm程度である。   The film thickness of the organic light emitting medium layer is 1000 nm or less, preferably about 50 to 200 nm, even when formed by a single layer or a stacked layer.

有機発光媒体層の形成方法としては、材料に応じて、真空蒸着法や、スリットコート、スピンコート、スプレーコート、ノズルコート、フレキソ、グラビア、マイクログラビア、凹版オフセットなどのコーティング法や印刷法、インクジェット法などを用いることができる。   Depending on the material, the organic luminescent medium layer can be formed by vacuum deposition, coating, printing such as slit coating, spin coating, spray coating, nozzle coating, flexo, gravure, micro gravure, intaglio offset, inkjet, etc. The method etc. can be used.

本発明における対向電極層14は、少なくとも、電子注入性の陰極としての役割があればよいが、トップエミッション型の有機EL素子とする場合には、透明電極としての役割を兼用する必要がある。電子注入性の陰極としては、仕事関数が低いLiやBa、Mg、Caといったアルカリ金属やアルカリ土類金属や、これら金属の酸化物、フッ化物などの化合物を用いることができる。これら材料は電子注入性に優れるものの、安定性に乏しいため、AlやAgなどの安定性に優れた金属との積層膜もしくは合金膜を用いることがより好ましい。   The counter electrode layer 14 according to the present invention only needs to have at least a role as an electron-injecting cathode, but in the case of a top emission type organic EL element, it must also serve as a transparent electrode. As the electron-injecting cathode, an alkali metal or alkaline earth metal such as Li, Ba, Mg, or Ca having a low work function, or a compound such as an oxide or fluoride of these metals can be used. Although these materials are excellent in electron injecting property, they are poor in stability. Therefore, it is more preferable to use a laminated film or an alloy film with a metal having excellent stability such as Al or Ag.

陰極の形成方法としては、材料に応じて、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、反応性蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法を選択すればよい。また、対向電極層14の厚さに特に制限はないが、10nm以上1000nm以下程度で用いることができる。トップエミッション型ELディスプレイの場合には、Baなどのアルカリ金属を5nm程度、Alなどの安定金属を10nm程度としてもよく、さらにITOなどの透明電極を100nm程度積層し低抵抗化することもできる。   As a method for forming the cathode, a resistance heating vapor deposition method, an electron beam vapor deposition method, a reactive vapor deposition method, an ion plating method, or a sputtering method may be selected depending on the material. Further, the thickness of the counter electrode layer 14 is not particularly limited, but the counter electrode layer 14 can be used with a thickness of about 10 nm to 1000 nm. In the case of a top emission type EL display, an alkaline metal such as Ba may be about 5 nm, a stable metal such as Al may be about 10 nm, and a transparent electrode such as ITO may be stacked to reduce the resistance.

本発明におけるパッシベーション層15としては、酸化珪素、酸化アルミニウム等の金属酸化物、弗化アルミニウム、弗化マグネシウム等の金属弗化物、窒化珪素、窒化アルミニウム、窒化炭素などの金属窒化物、酸窒化珪素などの金属酸窒化物、炭化ケイ素などの金属炭化物、必要に応じて、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ポリエステル樹脂などの高分子樹脂膜との積層膜を用いてもよい。特に、バリア性と透明性の面から、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素を用いることが好ましく、さらには、成膜条件により、膜密度を可変した積層膜や勾配膜を使用してもよい。   As the passivation layer 15 in the present invention, metal oxides such as silicon oxide and aluminum oxide, metal fluorides such as aluminum fluoride and magnesium fluoride, metal nitrides such as silicon nitride, aluminum nitride and carbon nitride, silicon oxynitride A laminated film of a metal oxynitride such as silicon carbide, a metal carbide such as silicon carbide, and a polymer resin film such as an acrylic resin, an epoxy resin, a silicone resin, or a polyester resin may be used as necessary. In particular, it is preferable to use silicon oxide, silicon nitride, or silicon oxynitride from the viewpoint of barrier properties and transparency. Furthermore, a laminated film or a gradient film with a variable film density may be used depending on the film forming conditions. .

パッシベーション層15の形成方法としては、材料に応じて、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、反応性蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法、CVD法を用いることができるが、特に、バリア性や透光性の面でCVD法を用いることが好ましい。CVD法としては、熱CVD法、プラズマCVD法、触媒CVD法、VUV−CVD法などを用いることができる。また、CVD法における反応ガスとしては、モノシランや、ヘキサメチルジシラザン(HMDS)やテトラエトキシシランなどの有機シリコン化合物に、N、O、NH、H、NOなどのガスを必要に応じて添加してもよく、例えば、シランの流量を変えることにより膜の密度を変化させてもよく、使用する反応性ガスにより膜中に水素や炭素が含有させることもできる。封止層の膜厚としては、有機EL素子の電極段差や基板の隔壁高さ、要求されるバリア特性などにより異なるが、10nm以上10000以下程度が一般的に用いられている。 As a method for forming the passivation layer 15, a resistance heating vapor deposition method, an electron beam vapor deposition method, a reactive vapor deposition method, an ion plating method, a sputtering method, and a CVD method can be used depending on the material. Further, it is preferable to use the CVD method in terms of translucency. As the CVD method, a thermal CVD method, a plasma CVD method, a catalytic CVD method, a VUV-CVD method, or the like can be used. In addition, as a reaction gas in the CVD method, a gas such as N 2 , O 2 , NH 3 , H 2 , N 2 O is added to an organic silicon compound such as monosilane, hexamethyldisilazane (HMDS), or tetraethoxysilane. It may be added as necessary. For example, the density of the film may be changed by changing the flow rate of silane, and hydrogen or carbon may be contained in the film by the reactive gas used. The film thickness of the sealing layer varies depending on the electrode step of the organic EL element, the height of the partition walls of the substrate, the required barrier characteristics, and the like, but generally about 10 nm to 10,000 is generally used.

以下、本発明を実施例及び比較例によりさらに説明するが、本発明は下記例に制限されるものではない。   EXAMPLES Hereinafter, although an Example and a comparative example further demonstrate this invention, this invention is not restrict | limited to the following example.

最初に有機EL素子基板51を作製する(図3)。基材10としてガラスを用い、基材上10にスパッタリング法で画素電極層11としてITO膜(150nm)をパターン形成した。次に、隔壁パターン12として、ポジ型感光性のポリイミド樹脂(2μm)を、フォトリソ法を用いて、パターン膜形成した。
次に、有機発光媒体層13として、正孔輸送層にポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)とポリスチレンスルホン酸との混合物(20nm)、発光層にポリ[2−メトキシ−5−(2'−エチル−ヘキシロキシ)−1,4−フェニレンビニレン](MEHPPV)(100nm)をそれぞれ、凸版印刷法を用いてパターン形成した。次に、透明電極層14として、Ca膜(5nm)とAl膜(20nm)を蒸着法を用いて積層した。次に、パッシベーション層15として、SiNx膜を5000nm成膜することにより、有機EL素子基板51を作製した。
次に、シリコーン系の剥離層34,35を塗布したPETフィルム(25μm)31、33と、接着性樹脂層として光硬化型エポキシ樹脂32を用いたフィルム積層体30を用い、図2に示したとおり、セパレータ基材31を剥離して、封止基材20であるガラス基板に貼り合わせ、次に、セパレータ基材33を剥離して、有機EL素子基板51上に封止基材32を、接着性樹脂層32を介して貼り合せる。
この時、セパレータ基材31には、図1(a)に示すようにスリット41を形成したことにより、セパレータ基材31の剥離強度は0.1N/25mmとなり、セパレータ基材33の剥離強度0.5N/25mmとの剥離強度差が生じたため、セパレータ基材31剥離時に、セパレータ基材33が剥離することなく、貼り合わせ不良が生じることなく封止することができた。
作製した有機EL素子(画素数が960×540)は、85℃90RH%下に3000Hr保存しても、気泡や画素欠陥の発生は見られなかった。
First, the organic EL element substrate 51 is produced (FIG. 3). Glass was used as the substrate 10, and an ITO film (150 nm) was patterned on the substrate 10 as the pixel electrode layer 11 by sputtering. Next, as the partition pattern 12, a positive photosensitive polyimide resin (2 μm) was formed into a pattern film by using a photolithography method.
Next, as the organic light-emitting medium layer 13, a mixture (20 nm) of poly (3,4-ethylenedioxythiophene) and polystyrenesulfonic acid is used for the hole transport layer, and poly [2-methoxy-5- (2 '-Ethyl-hexyloxy) -1,4-phenylenevinylene] (MEHPPV) (100 nm) was patterned using a relief printing method. Next, as the transparent electrode layer 14, a Ca film (5 nm) and an Al film (20 nm) were laminated using a vapor deposition method. Next, an organic EL element substrate 51 was produced by forming a SiNx film of 5000 nm as the passivation layer 15.
Next, a PET film (25 μm) 31 and 33 coated with silicone release layers 34 and 35 and a film laminate 30 using a photocurable epoxy resin 32 as an adhesive resin layer are shown in FIG. As described above, the separator base material 31 is peeled off and bonded to the glass substrate that is the sealing base material 20, and then the separator base material 33 is peeled off to place the sealing base material 32 on the organic EL element substrate 51. Bonding is performed via the adhesive resin layer 32.
At this time, as shown in FIG. 1A, the separator base 31 is formed with slits 41, so that the separator base 31 has a peel strength of 0.1 N / 25 mm, and the separator base 33 has a peel strength of 0. Since a difference in peel strength from 0.5 N / 25 mm was generated, the separator base material 33 was not peeled when the separator base material 31 was peeled off, and sealing could be performed without causing poor bonding.
The produced organic EL element (number of pixels: 960 × 540) was free from bubbles and pixel defects even when stored at 85 ° C. and 90 RH% for 3000 hours.

<比較例1>
実施例1に記載した有機EL素子において、セパレータ基材31として、フィルムにスリットを形成せずに貼り合わせを行った。セパレータ基材31の剥離強度はセパレータ基材33の剥離強度と同じため、セパレータ基材31を剥離した際に、セパレータ基材33も同時に剥離してしまい、接着性樹脂層にしわが生じてしまい、有機EL素子基板51に貼り合わせた際に、接着性樹脂層32の端部にしわが生じたまま有機EL素子の封止を行った。
作製した有機EL素子(画素数が960×540)は、85℃90RH%下に500Hr保存した時点で画素欠陥が進行し、全画素の約50%が非発光となり、1000Hr保存した時点で、全面非発光となった。
<Comparative Example 1>
In the organic EL element described in Example 1, the separator substrate 31 was bonded without forming a slit in the film. Since the peeling strength of the separator base material 31 is the same as the peeling strength of the separator base material 33, when the separator base material 31 is peeled, the separator base material 33 is also peeled at the same time, and the adhesive resin layer is wrinkled. When the organic EL element substrate 51 was bonded, the organic EL element was sealed with wrinkles generated at the end portions of the adhesive resin layer 32.
The produced organic EL device (pixel number: 960 × 540) has a pixel defect when it is stored at 85 ° C. and 90 RH% for 500 hours, and about 50% of all pixels are not emitting light. Non-luminous.

10 基材
11 画素電極
12 隔壁パターン
13 有機発光媒体層
14 透明電極
15 パッシベーション層
20 封止基材
30 フィルム積層体
31 セパレータ基材
32 接着性樹脂層
33 セパレータ基材
34,35 剥離層
41、42 スリット
51 有機EL素子基板
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Base material 11 Pixel electrode 12 Partition pattern 13 Organic luminescent medium layer 14 Transparent electrode 15 Passivation layer 20 Sealing base material 30 Film laminated body 31 Separator base material 32 Adhesive resin layer 33 Separator base materials 34 and 35 Release layers 41 and 42 Slit 51 Organic EL element substrate

Claims (7)

第1のセパレータ基材、接着性樹脂層、第2のセパレータ基材がこの順に積層されてなり、前記第1のセパレータ基材と前記第2のセパレータ基材のうち少なくともどちらか一方にはスリットが形成されたフィルム積層体であって、
前記スリットは少なくとも1つ以上の切れ目からなるスリットとして形成され、前記スリットは前記第1のセパレータ基材および前記第2のセパレータ基材が前記接着性樹脂層と接する面の反対側の面に形成されていることを特徴とするフィルム積層体。
A first separator base material, an adhesive resin layer, and a second separator base material are laminated in this order, and at least one of the first separator base material and the second separator base material is slit. Is a film laminate in which is formed,
The slit is formed as a slit composed of at least one cut, and the slit is formed on a surface opposite to a surface where the first separator substrate and the second separator substrate are in contact with the adhesive resin layer. A film laminate characterized by being made.
前記スリットは前記フィルム積層体の角部に形成され、前記スリットの法線が該スリットが形成された角部の頂点を通ることを特徴とする請求項1に記載のフィルム積層体。   The film laminate according to claim 1, wherein the slit is formed at a corner of the film laminate, and a normal line of the slit passes through a vertex of the corner where the slit is formed. 前記第1及び第2のセパレータ基材にスリットが形成され、前記第1のセパレータ基材に形成されたスリットと前記第2のセパレータ基材に形成されたスリットは前記フィルム積層体の隣り合う角に形成され、前記第1のセパレータ基材に形成されたスリットが成す直線と前記第2のセパレータ基材に形成されたスリットが成す直線が互いに直交することを特徴とする請求項1または2に記載のフィルム積層体。   A slit is formed in the first and second separator bases, and the slit formed in the first separator base and the slit formed in the second separator base are adjacent corners of the film laminate. The straight line formed by the slit formed in the first separator base material and the straight line formed by the slit formed in the second separator base material are orthogonal to each other. The film laminated body of description. 前記第1及び第2のセパレータ基材と接着性樹脂層との間に剥離層が形成されていることを特徴とする請求項1ないし3に記載のフィルム積層体。   The film laminate according to any one of claims 1 to 3, wherein a release layer is formed between the first and second separator substrates and the adhesive resin layer. 第1の基材と、接着性樹脂層と、少なくとも陽極層、有機発光媒体層、及び陰極層が形成された第2の基材と、からなる有機EL素子の製造方法であって、請求項1ないし4に記載のフィルム積層体を用いた以下の工程を含むことを特徴とする有機EL素子の製造方法。
(1)前記フィルム積層体から前記第1のセパレータ基材を剥離する工程。
(2)前記第1の基材と前記フィルム積層体の前記接着性樹脂層が形成された面とを張り合わせる工程。
(3)前記第1の基材と張り合わせた前記フィルム積層体から前記第2のセパレータ基材を剥離して前記第1の基材上に前記接着性樹脂層を形成する工程。
(4)前記第2の基材と、前記第1の基材上の前記接着性樹脂層とを張り合わせる工程。
A method for producing an organic EL device comprising: a first base material; an adhesive resin layer; and a second base material on which at least an anode layer, an organic light emitting medium layer, and a cathode layer are formed. The manufacturing method of the organic EL element characterized by including the following processes using the film laminated body of 1 thru | or 4.
(1) The process of peeling a said 1st separator base material from the said film laminated body.
(2) A step of bonding the first substrate and the surface of the film laminate on which the adhesive resin layer is formed.
(3) The process of peeling the said 2nd separator base material from the said film laminated body bonded together with the said 1st base material, and forming the said adhesive resin layer on a said 1st base material.
(4) A step of bonding the second base material and the adhesive resin layer on the first base material together.
前記工程(1)及び前記工程(3)における前記第1及び第2のセパレータ基材を剥離する工程において、前記セパレータ基材は、前記フィルム積層体のスリットが形成された角から前記フィルム積層体の対角線方向に剥離されることを特徴とする請求項4に記載の有機EL素子の製造方法。   In the step of peeling off the first and second separator base materials in the step (1) and the step (3), the separator base material is formed from the corner where the slit of the film laminate is formed. The method for producing an organic EL element according to claim 4, wherein the organic EL element is peeled in a diagonal direction. 前記工程(1)及び前記工程(3)における前記第1及び第2のセパレータ基材を剥離する工程において、粘着シートを用いてセパレータ基材を剥離することを特徴とする請求項5に記載の有機EL素子の製造方法。   The separator base material is peeled off using an adhesive sheet in the step of peeling off the first and second separator base materials in the step (1) and the step (3). Manufacturing method of organic EL element.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2016012429A (en) * 2014-06-27 2016-01-21 富士フイルム株式会社 Sealing member and method of manufacturing electronic device

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