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JP2011008053A - 発光装置の駆動方法、発光装置および電子機器 - Google Patents

発光装置の駆動方法、発光装置および電子機器 Download PDF

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Abstract

【課題】画素回路の小型化と発光素子の光量の確保とを両立する。
【解決手段】発光装置100は、指定階調に応じた階調電位V[n]が供給される信号線14と、電極EAと電極ECとの間の電流に応じて発光する発光素子Lを各々が含む複数の画素回路Pと、各発光素子Lの電極ECに接続された複数の電位線16とを具備する。第1発光期間PEL1においては、信号線14に対する階調電位X[n]の供給で発生した電荷を対象画素回路PAの発光素子Lに供給する。充電期間PCHにおいては、対象画素回路PA以外の制御用画素回路PBの発光素子Lに逆方向バイアスが印加されるように、当該制御用画素回路PBに対応する電位線16の電位VCT[k]を変化させる。第2発光期間PEL2においては、充電期間PCHにて発生した電荷を対象画素回路PAの発光素子Lに供給する。
【選択図】図2

Description

本発明は、有機EL(Electroluminescence)素子などの発光素子を駆動する技術に関する。
発光素子に供給される電流の調整で発光素子の階調(輝度)を制御する技術が従来から提案されている。例えば特許文献1には、指定階調に応じた電荷を各画素回路の容量素子に保持し、容量素子から発光素子に電荷を供給することで発光素子を発光させる技術が開示されている。特許文献1の技術によれば、発光素子に供給される電流の調整に駆動トランジスタを利用する必要がないから、駆動トランジスタの特性(例えば閾値や移動度)に起因した階調の誤差を抑制できるという利点がある。
特開2006−3716号公報
しかし、特許文献1の技術のもとで各発光素子を充分な光量で発光させるためには、容量値が大きい容量素子を画素回路に内蔵する必要がある。したがって、容量素子の両電極間の短絡の可能性が増加する(歩留まりが低下する)という問題や、画素回路の面積が増大することで高精細化が困難になるという問題がある。以上の事情を考慮して、本発明は、容量に保持された電荷を供給して発光素子を発光させる構成のもとで発光素子の光量の確保と画素回路(容量)の小型化とを両立することを目的とする。
以上の課題を解決するために、本発明に係る発光装置の駆動方法は、指定階調に応じた階調電位が供給される信号線と、第1電極と第2電極との間の電流に応じて発光する発光素子を各々が含む複数の画素回路と、各発光素子の第2電極に接続された複数の電位線とを具備する発光装置の駆動方法であって、信号線に対する階調電位の供給で発生した電荷を、第1発光期間において、複数の画素回路のうちの対象画素回路の発光素子に供給し、第1発光期間の経過後の充電期間において、複数の画素回路のうち対象画素回路以外の制御用画素回路の発光素子に逆方向バイアスが印加されるように、当該制御用画素回路に対応する電位線の電位を変化させ、充電期間にて発生した電荷を、充電期間の経過後の第2発光期間にて対象画素回路の発光素子に供給する。
以上の駆動方法のもとでは、対象画素回路の発光素子に対して、階調電位に応じた電荷が第1発光期間にて供給され、かつ、制御用画素回路の電位線の電位を充電期間にて変化させることで発生した電荷が第2発光期間にて供給される。すなわち、第1発光期間および第2発光期間の2回にわたって対象画素回路の発光素子が発光する。したがって、対象画素回路の発光素子に供給される電荷を保持するための容量が小さい場合でも、発光素子の光量を充分に確保できるという利点がある。
第2発光期間にて対象画素回路の発光素子に供給される電荷を保持する容量の位置や構成は任意である。例えば、信号線と第1電極とを結ぶ経路に接続された第1容量電極と、第2容量電極とを有する第1容量を各画素回路が含む構成では、制御用画素回路の第1容量に保持された電荷が、第1発光期間および第2発光期間の各々において、信号線を介して対象画素回路の発光素子に供給される。第1容量の確保は比較的に容易であるから、以上の態様においては、対象画素回路の発光素子に供給される電荷量(発光素子の輝度)を確保し易いという利点がある。
また、発光素子に付随する第2容量(例えば寄生容量)を各画素回路が含む構成では、充電期間にて制御用画素回路の第2容量に保持された電荷が、第2発光期間において、信号線を介して対象画素回路の発光素子に供給される。以上の構成においては、対象画素回路の発光素子に供給される電荷が発光素子の第2容量に保持されるから、電荷の保持のために積極的に形成すべき容量を小型化または省略することが可能である。
また、信号線に付随する第3容量を電荷の保持に利用する方法も好適である。具体的には、充電期間において制御用画素回路の第1電極を信号線に接続することで信号線の第3容量に電荷を保持し、第3容量に保持された電荷を、第2発光期間において対象画素回路の発光素子に供給する。以上の構成においては、対象画素回路の発光素子に供給される電荷が信号線の第3容量に保持されるから、電荷の保持のために積極的に形成すべき容量を小型化または省略することが可能である。
複数の画素回路の各々が、第1容量電極と第2容量電極とを有する第1容量と、第1容量電極と第1電極との間に配置された第1スイッチ(例えば図2のスイッチSW1)と、第1容量電極と信号線との間に配置された第2スイッチ(例えば図2のスイッチSW2)とを含む発光装置の好適な駆動方法は、第1発光期間の開始前の書込期間において、制御用画素回路の第1スイッチをオフ状態に制御するとともに当該制御用画素回路の第2スイッチをオン状態に制御し、第1発光期間において、制御用画素回路の第1スイッチをオフ状態に制御するとともに当該制御用画素回路の第2スイッチをオン状態に制御し、かつ、対象画素回路の第1スイッチおよび第2スイッチをオン状態に制御し、第2発光期間において、制御用画素回路の第2スイッチをオン状態に制御するとともに対象画素回路の第1スイッチおよび第2スイッチをオン状態に制御する。
以上の駆動方法のもとでは、書込期間において、制御用画素回路の第1スイッチをオフ状態に制御することで制御用画素回路の発光素子の発光が阻止され、当該制御用画素回路の第2スイッチをオン状態に制御することで、階調電位に応じた電荷が制御用画素回路の第1容量に保持される。第1発光期間では、対象画素回路の第1スイッチおよび第2スイッチをオン状態に制御することで、制御用画素回路の第1容量の電荷が対象画素回路の発光素子に供給される。そして、第2発光期間では、制御用画素回路の第2スイッチをオン状態に制御するとともに対象画素回路の第1スイッチおよび第2スイッチをオン状態に制御することで、充電期間における電位線の電位の変化で発生した電荷が対象画素回路の発光素子に供給される。
本発明の好適な態様に係る駆動方法では、充電期間において、制御用画素回路の第1スイッチをオン状態に制御する。以上の方法においては、制御用画素回路における第1容量の第1容量電極が充電期間にて発光素子の第1電極に接続されるから、制御用画素回路の電位線の電位の変化に応じた電荷が当該制御用画素回路の第1容量に保持される。したがって、第2発光期間にて対象画素回路の発光素子に供給される電荷量(発光素子の輝度)を充分に確保できるという利点がある。
本発明の好適な態様に係る駆動方法では、充電期間において、制御用画素回路の第2スイッチをオン状態に制御する。以上の方法においては、制御用画素回路の発光素子の第1電極に信号線が接続されるから、制御用画素回路の電位線の電位の変化に応じた電荷が、当該制御用画素回路の第1容量と信号線の第3容量(寄生容量)とに保持される。したがって、第2発光期間にて対象画素回路の発光素子に供給される電荷量(発光素子の輝度)を充分に確保できるという効果は格別に顕著となる。なお、以上の方法の具体例は、例えば第2実施形態として後述される。
本発明の好適な態様に係る駆動方法では、充電期間において、対象画素回路および制御用画素回路の第2スイッチをオフ状態に制御してから制御用画素回路の第1スイッチをオン状態に制御する。以上の方法においては、制御用画素回路の第1スイッチをオン状態に制御する時点で対象画素回路および制御用画素回路の第2スイッチはオフ状態に制御されているから、制御用画素回路の第1スイッチの動作に起因したノイズが対象画素回路の発光素子に供給される可能性(すなわち、対象画素回路の発光素子が誤発光する可能性)が低減されるという利点がある。
本発明の好適な態様に係る駆動方法では、制御用画素回路に対応する電位線の電位を、充電期間において第1電位から第2電位に変化させ、第2発光期間において第2電位に維持し、第2発光期間の経過後の初期化期間において、制御用画素回路および対象画素回路の第1スイッチをオフ状態に制御してから第1電位に変化させる。以上の方法においては、初期化期間にて電位線の電位が第2電位から第1電位に変化する時点で、制御用画素回路および対象画素回路の第1スイッチがオフ状態に制御されているから、例えば信号線に発生したノイズが制御用画素回路の発光素子に供給される可能性(すなわち、制御用画素回路の発光素子が誤発光する可能性)が低減されるという利点がある。
本発明の好適な態様に係る駆動方法では、各画素回路の第2スイッチを、第2発光期間の終点から、他の対象画素回路に対応する第1発光期間の終点までオン状態に維持する。以上の方法においては、第2発光期間の終点から次の第1発光期間の終点までの期間内に各画素回路の第2スイッチをオフ状態に変化させる構成と比較して、第2スイッチの動作の回数が削減される。したがって、第2スイッチを制御する配線の充放電の回数が削減される(ひいては第2スイッチを駆動する回路の消費電力が低減される)という利点がある。
本発明の好適な態様に係る駆動方法では、充電期間において、制御用画素回路に対応する電位線の電位を、第1電位から、可変に設定された第2電位に変化させる。充電期間では第2電位に応じた電荷が発生するから、以上の態様においては、可変の第2電位に応じて各発光素子の輝度を調整することが可能である。なお、以上の方法の具体例は、例えば第3実施形態として後述される。
本発明の好適な態様に係る駆動方法では、複数の画素回路のうち、可変に設定された個数の画素回路を制御用画素回路とする。第2発光期間にて対象画素回路の発光素子に供給される電荷量は制御用画素回路の個数に応じて変化するから、以上の態様においては、制御用画素回路の可変の個数に応じて各発光素子の輝度を調整することが可能である。なお、以上の方法の具体例は、例えば第4実施形態として後述される。
本発明は、以上の駆動方法を実行する駆動回路を具備する発光装置としても特定される。本発明の発光装置は、指定階調に応じた階調電位が供給される信号線と、第1電極と第2電極との間の電流に応じて発光する発光素子を各々が含む複数の画素回路と、各発光素子の第2電極に接続された複数の電位線と、複数の画素回路の各々を駆動する駆動回路とを具備し、駆動回路は、信号線に対する階調電位の供給で発生した電荷を、第1発光期間において、複数の画素回路のうちの対象画素回路の発光素子に供給し、第1発光期間の経過後の充電期間において、複数の画素回路のうち対象画素回路以外の制御用画素回路の発光素子に逆方向バイアスが印加されるように、当該制御用画素回路に対応する電位線の電位を変化させ、充電期間にて発生した電荷を、充電期間の経過後の第2発光期間にて対象画素回路の発光素子に供給する。以上の構成の発光装置によれば、本発明に係る駆動方法と同様の作用および効果が実現される。
本発明の発光装置は様々な電子機器に利用される。電子機器の典型例は、発光装置を表示装置として利用した機器である。本発明に係る電子機器としてはパーソナルコンピュータや携帯電話機が例示される。もっとも、本発明に係る発光装置の用途は画像の表示に限定されない。例えば、光線の照射によって感光体ドラムなどの像担持体に潜像を形成するための露光装置(光ヘッド)としても本発明の発光装置は利用され得る。
本発明の第1実施形態に係る発光装置のブロック図である。 画素回路の回路図である。 発光装置の動作のタイミングチャートである。 書込期間における第n列の様子を示す概念図である。 第1発光期間における第n列の様子を示す概念図である。 充電期間における第n列の様子を示す概念図である。 第2発光期間における第n列の様子を示す概念図である。 初期化期間における第n列の様子を示す概念図である。 第2実施形態に係る発光装置の動作のタイミングチャートである。 第2実施形態における充電期間での第n列の様子を示す概念図である。 第3実施形態における電位制御回路のブロック図である。 第4実施形態における電位制御回路のブロック図である。 第4実施形態に係る発光装置の動作のタイミングチャートである。 第4実施形態に係る発光装置の動作のタイミングチャートである。 第4実施形態における第2発光期間での第n列の様子を示す概念図である。 第5実施形態における画素回路の回路図である。 第5実施形態に係る発光装置の動作のタイミングチャートである。 第5実施形態における書込期間での第n列の様子を示す概念図である。 第5実施形態における第1発光期間での第n列の様子を示す概念図である。 第5実施形態における充電期間での第n列の様子を示す概念図である。 第5実施形態における第2発光期間での第n列の様子を示す概念図である。 第5実施形態における初期化期間での第n列の様子を示す概念図である。 変形例に係る画素回路の回路図である。 電子機器(パーソナルコンピュータ)の斜視図である。 電子機器(携帯電話機)の斜視図である。 電子機器(携帯情報端末)の斜視図である。
<A:第1実施形態>
図1は、本発明の第1実施形態に係る発光装置100のブロック図である。発光装置100は、画像を表示する表示体として様々な電子機器に搭載される。図1に示すように、発光装置100は、複数の画素回路Pが配列された素子部(表示領域)10と、各画素回路Pの駆動で素子部10に画像を表示する駆動回路20と、駆動回路20を制御する制御回路30とを具備する。駆動回路20は、走査線駆動回路22と信号線駆動回路24と電位制御回路26とを含んで構成される。なお、駆動回路20は、複数の集積回路(チップ)で構成され得る。
素子部10には、X方向に延在するM本の走査線121と、走査線121に対をなしてX方向に延在するM本の制御線122と、X方向に交差するY方向に延在するN本の信号線(データ線)14とが形成される(M,Nは自然数)。複数の画素回路Pは、各走査線121と各信号線14との交差に対応して縦M行×横N列の行列状に配列される。また、素子部10には、走査線121や制御線122とともにX方向に延在するM本の電位線16が形成される。
図2は、画素回路Pの回路図である。図2においては、第m行(m=1〜M)の第n列(n=1〜N)に位置する1個の画素回路Pが代表的に図示されている。図2に示すように、画素回路Pは、発光素子LとスイッチSW1とスイッチSW2と容量C1とを含んで構成される。発光素子Lは、相対向する電極EAと電極ECとの間に流れる電流の電流値(電荷量)に応じた輝度で発光する電流駆動型素子である。有機EL材料で形成された発光層を電極EAと電極ECとの間に介在させた有機EL素子が発光素子Lとして好適に採用される。電極EAは陽極(anode)に相当し、電極ECは陰極(cathode)に相当する。第m行に属するN個の画素回路Pの各々における発光素子Lの電極ECは、第m行の電位線16に対して共通に接続される。図2に示すように、発光素子Lには容量(寄生容量)C2が付随する。
容量C1は、容量電極E1と容量電極E2との間に誘電体を介在させた構造の容量素子であり、電荷を保持する要素として機能する。容量電極E2は、所定の電位が供給される配線(例えば素子部10内の各画素回路Pにわたって共通に形成された容量線)に接続される。
スイッチSW1は、容量電極E1と発光素子Lの電極EAとの間に配置されて両者間の電気的な接続(導通/非導通)を制御する。スイッチSW2は、容量電極E1と第n列の信号線14との間に配置されて両者間の電気的な接続を制御する。すなわち、スイッチSW1およびスイッチSW2は、発光素子Lの電極EAと第n列の信号線14との電気的な接続を制御する要素として機能する。スイッチSW1およびスイッチSW2は、例えば基板の表面に形成された薄膜トランジスタで構成される。第m行のN個の画素回路Pの各々におけるスイッチSW1のゲートは第m行の制御線122に接続される。第m行のN個の画素回路Pの各々におけるスイッチSW2のゲートは第m行の走査線121に接続される。
図1の制御回路30は、各種の信号(例えば同期信号)を出力することで駆動回路20を制御する。走査線駆動回路22は、走査信号GWR[1]〜GWR[M]を生成して各走査線121に出力し、制御信号GEL[1]〜GEL[M]を生成して各制御線122に出力する。なお、走査信号GWR[1]〜GWR[M]を生成する回路と制御信号GEL[1]〜GEL[M]を生成する回路とが別個に配置された構成も採用される。電位制御回路26は、電位VCT[1]〜VCT[M]を生成して各電位線16に出力する。
信号線駆動回路24は、各画素回路Pの指定階調に応じた階調電位X[1]〜X[N]を生成して各信号線14に出力する。各画素回路Pの指定階調は、制御回路30から供給される画像信号で指定される。図1に示すように、信号線駆動回路24は、相異なる信号線14に対応するN個のスイッチSX[1]〜SX[N]を含んで構成される。スイッチSX[n]は、第n列の信号線14に対する階調電位X[n]の出力の可否(第n列の信号線14と信号線駆動回路24との導通/非導通)を制御する。スイッチSX[1]〜SX[N]のゲートには制御回路30から共通の制御信号GXが供給される。
駆動回路20は、各画素回路Pを行単位で順次に駆動する。具体的には、各垂直走査期間(フィールド期間)を区分したM個の水平走査期間H[1]〜H[M]のうちの各水平走査期間H[m]において、駆動回路20は、第m行のN個の画素回路Pの各々(以下では特に「対象画素回路PA」という場合がある)の発光素子Lを発光させる。
図3に示すように、各水平走査期間H[m]は、書込期間PWRと第1発光期間PEL1と充電期間PCHと第2発光期間PEL2と初期化期間PRSとを含んで構成される。水平走査期間H[m]内の各期間における第n列の各画素回路Pに便宜的に着目して発光装置100の動作を以下に説明する。以下に説明する動作が水平走査期間H[1]〜H[M]の各々にて列毎に並列に実行される。
[1]書込期間PWR(図4)
書込期間PWRは、階調電位X[n]に応じた電荷を発生および保持する期間である。図3に示すように、書込期間PWRにおいては、制御信号GXがハイレベル(アクティブ)に設定されることで信号線駆動回路24のスイッチSX[1]〜SX[N]がオン状態に制御される。したがって、図4に示すように、信号線駆動回路24から第n列の信号線14に階調電位X[n]が供給される。水平走査期間H[m]における階調電位X[n]は、第m行の第n列に位置する画素回路Pの指定階調に応じて可変に設定される。
走査線駆動回路22は、図3および図4に示すように、走査信号GWR[1]〜GWR[M]をハイレベル(アクティブ)に設定することで第n列のM個のスイッチSW2をオン状態に制御する。すなわち、M個の容量C1の容量電極E1が第n列の信号線14に対して並列に接続される。したがって、階調電位X[n]に応じた電荷が第n列のN個の容量C1に保持(充電)される。
また、走査線駆動回路22は、制御信号GEL[1]〜GEL[M]をローレベル(非アクティブ)に設定することで第n列のM個のスイッチSW1をオフ状態に制御する。すなわち、第n列のM個の発光素子Lの電極EAは信号線14から絶縁される。したがって、書込期間PWRでは各発光素子Lは発光しない。書込期間PWRが経過すると、制御信号GXがローレベルに設定されることで信号線駆動回路24のスイッチSX[1]〜SX[N]がオフ状態に遷移する。すなわち、第n列の信号線14に対する階調電位X[n]の供給が停止する。
[2]第1発光期間PEL1(図5)
書込期間PWRの経過後の第1発光期間PEL1は、書込期間PWRにて第n列のM個の容量C1に蓄積された電荷を第n列の対象画素回路PA(第m行)の発光素子Lに供給して発光させる期間である。図3に示すように、第1発光期間PEL1において、走査線駆動回路22は、制御信号GEL[m]をハイレベルに設定することで対象画素回路PAのスイッチSW1をオン状態に制御する。第n列のM個のスイッチSW2は書込期間PWRから引続きオン状態を維持するから、図5に示すように、対象画素回路PAの発光素子Lの電極EAは第n列の信号線14に接続される。したがって、第n列のM個の画素回路P(対象画素回路PAを含む)の容量C1に書込期間PWRにて保持された電荷が、対象画素回路PAの発光素子Lに供給(放電)される。したがって、対象画素回路PAの発光素子Lは、階調電位X[n]に応じた輝度で発光する。M個の容量C1からの放電は第1発光期間PEL1内にて完了するから、対象画素回路PAの発光素子Lの発光は第1発光期間PEL1内で終了する。
[3]充電期間PCH(図6)
書込期間PWRおよび第1発光期間PEL1において、電位線16の電位VCT[1]〜VCT[M]は電位VLに維持される。第1発光期間PEL1の経過後の充電期間PCHは、M行のうち第m行(対象画素回路PA)を除く(M-1)行の各電位線16に供給される電位VCT[k](k=1〜M,k≠m)を変化させることで電荷を発生および保持する期間である。
図3に示すように、充電期間PCHが開始すると(時点tA1)、走査線駆動回路22は、走査信号GWR[1]〜GWR[M]をローレベルに設定することで第n列のM個のスイッチSW2をオフ状態に制御する。すなわち、図6に示すように、第n列のM個の容量C1の容量電極E1は信号線14から電気的に絶縁される。また、図3に示すように、時点tA1の経過後の時点tA2において、走査線駆動回路22は、制御信号GEL[1]〜GEL[M]をハイレベルに設定することで第n列のM個のスイッチSW1をオン状態に制御する(対象画素回路PAのスイッチSW1は第1発光期間PEL1から引続きオン状態を維持する)。
そして、時点tA2の経過後の時点tA3において、電位制御回路26は、図3および図6に示すように、第n列のM個の画素回路Pのうち対象画素回路PA以外の(M-1)個の画素回路Pの各々(以下では特に「制御用画素回路PB」という場合がある)に供給される電位VCT[k]を、電位VLから電位VHに変化させる。電位VHは、電位VLを上回る電位である。したがって、電位線16(発光素子Lの電極EC)の電位VCT[k]が電位VHに変化すると、第n列の(M-1)個の制御用画素回路PBの各々の発光素子Lには逆方向バイアスが印加される。第n列のM個のスイッチSW1は時点tA2にてオン状態に制御されているから、各電位VCT[k]が時点tA3にて電位VHに変化すると、電位VHに応じた電荷(電位VHと電位VLとの電位差に応じた電荷)が、(M-1)個の制御用画素回路PBの各々における容量C1と容量C2(発光素子L)とに保持される。
[4]第2発光期間PEL2(図7)
充電期間PCHの経過後の第2発光期間PEL2は、充電期間PCHにて第n列の(M-1)個の制御用画素回路PB(C1,C2)に保持された電荷を第n列の対象画素回路PA(第m行)の発光素子Lに供給して発光させる期間である。
第2発光期間PEL2が開始すると、走査線駆動回路22は、図3に示すように、走査信号GWR[1]〜GWR[M]をハイレベルに設定することで第n列のM個のスイッチSW2をオン状態に制御する。第n列のM個のスイッチSW1は充電期間PCHから引続きオン状態を維持するから、図7に示すように、第n列の(M-1)個の制御用画素回路PBの容量C1および容量C2に充電期間PCHにて保持された電荷が、第n列の信号線14と対象画素回路PAのスイッチSW2およびスイッチSW1とを介して対象画素回路PAの発光素子Lに供給(放電)される。したがって、対象画素回路PAの発光素子Lは、電位VHに応じた輝度で発光する。容量C1および容量C2からの放電は第2発光期間PEL2内にて完了するから、対象画素回路PAの発光素子Lの発光は第2発光期間PEL2内で終了する。
図3に示すように、第n列の(M-1)個の制御用画素回路PBの各々に供給される電位VCT[k]は充電期間PCHから引続き電位VHに維持される。すなわち、各制御用画素回路PBの発光素子Lには第2発光期間PEL2でも逆方向バイアスが印加される。したがって、各制御用画素回路PBのスイッチSW1およびスイッチSW2が第2発光期間PEL2にてオン状態に制御されても、各制御用画素回路PBの発光素子Lは発光しない。
[5]初期化期間PRS(図8)
初期化期間PRSは、(M-1)個の制御用画素回路PBに供給される電位VCT[k]を電位VLに初期化する期間である。図3および図8に示すように、初期化期間PRSが開始すると(時点tB1)、走査線駆動回路22は、制御信号GEL[1]〜GEL[M]をローレベルに設定することで第n列のM個のスイッチSW1をオフ状態に制御する。そして、時点tB1の経過後の時点tB2において、電位制御回路26は、(M-1)個の制御用画素回路PBに供給される電位VCT[k]を電位VHから電位VLに変化(初期化)させる。
以上の動作が水平走査期間H[1]〜H[M]の各々にてN列の各々について並列に実行される。図3に示すように、水平走査期間H[m]内の第2発光期間PEL2の始点にてハイレベルに設定された走査信号GWR[1]〜GWR[M]は、直後の水平走査期間H[m+1]内の第1発光期間PEL1の終点までハイレベルに維持される。すなわち、走査信号GWR[1]〜GWR[M]は、水平走査期間H[m]内の第2発光期間PEL2および初期化期間PRSと、水平走査期間H[m+1]内の書込期間PWRおよび第1発光期間PEL1とにわたってハイレベルに固定される。
以上の説明のように、第1発光期間PEL1においては、M個の容量C1に蓄積された電荷が1個の対象画素回路PAの発光素子Lに供給される。したがって、画素回路P内の1個の容量の電荷のみが当該画素回路Pの発光素子Lに供給される特許文献1の技術と比較すると、容量C1の容量値を低減して画素回路Pを小型化した場合でも発光素子Lの輝度を充分に確保できる(輝度の確保と画素回路Pの小型化とを両立できる)という利点がある。
また、充電期間PCHにて(M-1)個の制御用画素回路PBの各々の容量C1および容量C2に保持された電荷が第2発光期間PEL2にて対象画素回路PAの発光素子Lに供給される。したがって、第2発光期間PEL2の動作を実行しない構成と比較して、発光素子Lに充分な輝度を確保することが可能である。換言すると、発光素子Lの輝度を確保するために必要な容量C1の容量値が低減されるから、容量C1の小型化(ひいては画素回路Pの小型化)を実現できるという利点もある。すなわち、発光素子Lの輝度の確保と画素回路Pの小型化とを両立できるという有利な効果は、第2発光期間PEL2の動作を実行しない構成と比較して格別に顕著となる。
第1実施形態によれば以下に説明する効果も実現される。以下では、第1実施形態に対する変形の例示とともに第1実施形態による効果を説明する。なお、第1実施形態が各変形例と比較して有利であるとは言っても、本発明の範囲から各変形例を除外する趣旨ではない。また、以下の変形例は第2実施形態以後の各形態にも同様に適用され得る。
(A)第1実施形態においては、図6に示すように、各制御用画素回路PBのスイッチSW1を充電期間PCHにてオン状態に制御したが、各制御用画素回路PBのスイッチSW1を充電期間PCHにてオフ状態に維持する構成(以下「変形例A」という)も採用される。
ただし、変形例Aにおいては、充電期間PCH内の電位VCT[k]の変化で発生した電荷が各制御用画素回路PBの容量C2のみに保持されるから、第2発光期間PEL2にて対象画素回路PAの発光素子Lに供給される電荷量(発光素子Lの輝度)が不足する可能性がある。他方、第1実施形態においては、各制御用画素回路PBのスイッチSW1が充電期間PCHにてオン状態に制御されるから、電位VCT[k]の変化で発生した電荷が各制御用画素回路PBの容量C2および容量C1の双方に保持される。したがって、第2発光期間PEL2における対象画素回路PAの発光素子Lの輝度(発光素子Lに供給される電荷量)を変形例Aと比較して充分に確保できるという利点がある。
(B)第1実施形態においては、図3に示すように、充電期間PCHの時点tA1(始点)で第n列のM個のスイッチSW2をオフ状態に制御し、時点tA1の経過後の時点tA2にてM個のスイッチSW1をオン状態に制御したが、各スイッチSW1をオン状態に制御してから各スイッチSW2をオフ状態に制御する構成(以下「変形例B」という)も採用され得る。
ただし、変形例Bにおいては、スイッチSW2がオン状態に維持された状況でスイッチSW1がオン状態に変化するから、各制御用画素回路PBにおけるスイッチSW1の動作に起因したノイズ(例えば、スイッチSW1のフィードスルーに起因したノイズ)が、各制御用画素回路PBのスイッチSW2と対象画素回路PAのスイッチSW2およびスイッチSW1とを介して対象画素回路PAの発光素子Lに供給されて発光素子Lが発光する可能性がある。他方、第1実施形態においては、各スイッチSW2がオフ状態に変化した状況で各スイッチSW1がオン状態に遷移するから、スイッチSW1の動作に起因したノイズがオフ状態のスイッチSW2にて遮断される。したがって、対象画素回路PAの発光素子Lの誤発光(さらには発光素子Lの誤発光に起因したコントラストの低下)が変形例Bと比較して抑制されるという利点がある。
(C)第1実施形態においては、図3に示すように、初期化期間PRSの時点tB1(始点)で第n列のM個のスイッチSW1をオフ状態に制御し、時点tB1の経過後の時点tB2にて各制御用画素回路PBの電位VCT[k]を電位VHから電位VLに変化させたが、スイッチSW1の動作と電位VCT[k]の変化との順序を逆転させた構成(以下「変形例C」という)も採用され得る。
ただし、変形例Cにおいては、電位VCT[k]が電位VLに変化した時点(すなわち、制御用画素回路PBの発光素子Lが発光し得る状態となる時点)にでスイッチSW1およびスイッチSW2の双方がオン状態を維持するから、例えば信号線14に発生したノイズがスイッチSW2およびスイッチSW1を介して制御用画素回路PBの発光素子Lに供給されて発光素子Lが誤発光する可能性がある。他方、第1実施形態においては、各スイッチSW1がオフ状態に遷移してから(すなわち、発光素子Lが信号線14から絶縁されてから)、電位VCT[k]が電位VLに低下する。すなわち、電位VCT[k]が電位VLに設定された状態で信号線14に発生したノイズはオフ状態のスイッチSW1で遮断される。したがって、各制御用画素回路PBの発光素子Lの誤発光(さらには発光素子Lの誤発光に起因したコントラストの低下)が変形例Cと比較して抑制されるという利点がある。
(D)第1実施形態においては、水平走査期間H[m]の第2発光期間PEL2の始点から直後の水平走査期間H[m+1]の第1発光期間PEL1の終点まで走査信号GWR[1]〜GWR[M]のレベルを固定したが、走査信号GWR[1]〜GWR[M]のレベルを適宜に変化させる構成(以下「変形例D」という)も採用され得る。例えば、初期化期間PRSにて走査信号GWR[1]〜GWR[M]をローレベルに設定することで第n列のM個のスイッチSW2をオフ状態に制御すれば、信号線14にて発生したノイズがスイッチSW2で遮断されるから、変形例Cのもとで問題となる制御用画素回路PBの誤発光が高確度で防止されるという利点がある。他方、第1実施形態においては、走査信号GWR[1]〜GWR[M]のレベルの変動の回数(走査線121に付随する容量の充放電の回数)が変形例Dと比較して削減されるから、走査線駆動回路22の消費電力が低減されるという利点がある。
<B:第2実施形態>
次に、本発明の第2実施形態について説明する。なお、以下の各形態において作用や機能が第1実施形態と同等である要素については、以上と同じ符号を付して各々の詳細な説明を適宜に省略する。
図9は、第2実施形態における発光装置100の動作のタイミングチャートであり、図10は、充電期間PCHにおける第n列の各画素回路Pの様子を示す概念図である。図10に示すように、各信号線14には容量(寄生容量)C3が付随する。
図9に示すように、充電期間PCHのうち時点tA3(電位VCT[k]を電位VHに変化させる時点)の経過後の時点tA4において、走査線駆動回路22は、第m行(対象画素回路PA)以外の(M-1)行の走査信号GWR[k]をハイレベルに設定する。したがって、図10に示すように、各制御用画素回路PBのスイッチSW2はオン状態に遷移し、各制御用画素回路PBにおける発光素子Lの電極EAが第n列の信号線14に導通する。以上の状態のもとでは、各制御用画素回路PBの容量C1および容量C2に加えて信号線14の容量C3にも、電位VHに応じた電荷が保持(充電)される。
第2発光期間PEL2の開始とともに対象画素回路PAのスイッチSW2がオン状態に遷移すると、第n列の(M-1)個の制御用画素回路PBの容量C1および容量C2と第n列の信号線14の容量C3とに保持された電荷が、第n列の対象画素回路PAの発光素子Lに供給される。
第2実施形態においても第1実施形態と同様の効果が実現される。また、第2実施形態においては、第2発光期間PEL2にて対象画素回路PAの発光素子Lに供給される電荷が、各制御用画素回路PBの容量C1および容量C2に加えて信号線14の容量C3にも保持されるから、第2発光期間PEL2における対象画素回路PAの発光素子Lの輝度(発光素子Lに供給される電荷量)を第1実施形態と比較して充分に確保できるという利点がある。
<C:第3実施形態>
以上の各形態においては充電期間PCHにおける変化後の電位線16の電位VH(VCT[k])を所定値に固定した。第3実施形態においては、充電期間PCHにおける電位VHを可変に設定することで、素子部10の全体的な明度を調整(調光)する。
第3実施形態は、第1実施形態の発光装置100における電位制御回路26を図11の電位制御回路26Aに置換した構成である。図11に示すように、電位制御回路26Aは、信号生成回路42とM個の選択回路44[1]〜44[M]とを含んで構成される。信号生成回路42は、制御信号CV[1]〜CV[M]を生成して出力する。制御信号CV[m]は、第m行の電位線16に供給される電位VCT[m]について電位VLおよび電位VHの何れかを指定する信号である。第3実施形態における電位VCT[m]の波形は第1実施形態の電位VCT[m]と同様である。したがって、図3から理解されるように、制御信号CV[m]は、充電期間PCH内の時点tA3から初期化期間PRS内の時点tB2までの期間にて電位VHを指定し、当該期間以外では電位VLを指定する。
図11の選択回路44[m]は、制御信号CV[m]から電位VCT[m]を生成して第m行の電位線16に出力する。相異なる複数(本形態では3種類)の電位VH1〜VH3が別個の給電線46を介して選択回路44[1]〜44[M]に共通に供給される。選択回路44[m]は、制御信号CV[m]が電位VLを指定する期間内では電位VLを電位VCT[m]として第m行の電位線16に出力し、制御信号CV[m]が電位VHを指定する期間内では、複数の電位VH1〜VH3の何れかを指示値αに応じて選択したうえで電位VCT[m]として第m行の電位線16に出力する。すなわち、電位VCT[m]の電位VHが指示値αに応じて可変に設定される。指示値αは、例えば操作子(図示略)に対する利用者からの操作に応じて制御回路30から指定される。
第1実施形態と同様に、充電期間PCHにおける電位線16の電位VHに応じて各制御用画素回路PBの容量C1と容量C2とに保持された電荷が、第2発光期間PEL2にて対象画素回路PAの発光素子Lに供給される。すなわち、第2発光期間PEL2における各対象画素回路PAの発光素子Lの輝度は、電位制御回路26Aの選択回路44[m]が複数の電位VH1〜VH3から選択した電位VHに応じて(すなわち、指示値αに応じて)可変に制御される。したがって、第3実施形態においては、第1実施形態と同様の効果が実現されるほか、素子部10の全体の明度を適宜に調光できるという利点がある。具体的には、選択回路44の選択した電位VHが高いほど素子部10の全体の明度が上昇する。なお、充電期間PCHにて信号線14の容量C3に電荷を保持する第2実施形態の構成は第3実施形態にも同様に適用される。
<D:第4実施形態>
以上の各形態においては、第m行(対象画素回路PA)以外の(M-1)本の電位線16の電位VCT[k]を充電期間PCHにて電位VHに変化させた。第4実施形態においては、充電期間PCHにて電位VHに変化させる電位VCT[k]の総数(すなわち、第n列における制御用画素回路PBの総数)を可変に制御することで、素子部10の全体的な明度を調整(調光)する。
第4実施形態は、第1実施形態における電位制御回路26を図12の電位制御回路26Bに置換した構成である。図12に示すように、電位制御回路26Bは、転送回路52とM個の論理回路54[1]〜54[M]とを含んで構成される。
転送回路52は、制御回路30から供給される開始パルスSPを順次にシフト(遅延)することで転送信号T[1]〜T[M]を生成するシフトレジスタである。各転送信号T[m]は、図13や図14に示すように、前段の転送信号T[m-1](転送信号T[1]については開始パルスSP)を水平走査期間H[m]の1個分に相当する時間だけ遅延させた信号である。また、転送信号T[1]〜T[M]の各々のパルス幅(ローレベルを維持する時間長)WTは、開始パルスSPのパルス幅に応じて設定される。したがって、水平走査期間H[m]内で同時にローレベルに設定される転送信号Tの総数MHは、開始パルスSPのパルス幅に応じて変化する。
例えば、図13に示すように、パルス幅WTが水平走査期間H[m]の1個分となるように開始パルスSPを設定した場合、水平走査期間H[m]では、転送信号T[1]〜T[M]のうち転送信号T[m]のみがローレベルに設定される(MH=1)。他方、図14に示すように、パルス幅WTが水平走査期間H[m]の3個分となるように開始パルスSPを設定した場合、水平走査期間H[m]では、3系統の転送信号T[m-1]〜T[m+1]がローレベルに設定される(MH=3)。
図12のM個の論理回路54[1]〜54[M]には共通の制御信号ENBが制御回路30から供給される。制御信号ENBは、図13および図14に示すように、水平走査期間H[1]〜H[M]の各々における期間PH内にてハイレベルに設定され、期間PH以外ではローレベルに設定される。期間PHは、電位VCT[1]〜VCT[M]の何れかが電位VHに設定される期間(具体的には、充電期間PCH内の時点tA3から初期化期間PRS内の時点tB2までの期間)である。
各論理回路54[m]は、転送回路52から出力される転送信号T[m]と制御回路30から供給される制御信号ENBとの論理積を電位VCT[m]として第m行の電位線16に出力する論理積回路である。すなわち、水平走査期間Hにて転送信号T[m]がハイレベルである場合、電位VCT[m]は、期間PHにて電位VHに設定され、期間PH以外では電位VLに設定される。他方、転送信号T[m]がローレベルに設定される水平走査期間Hでは、始点から終点まで電位VCT[m]は電位VLに維持される。
例えば、図13の破線内に示すように、第m行(対象画素回路PA)の転送信号T[m]のみがローレベルとなる水平走査期間H[m]の期間PHにおいては、第1実施形態(図6)と同様に、電位VCT[1]〜VCT[M]のうち電位VCT[m]を除く(M-1)系統の電位VCT[k]が電位VHに設定される(MH=M−1)。したがって、水平走査期間H[m]内の充電期間PCHでは、第n列のうち第m行を除く(M-1)個の制御用画素回路PBの容量C1および容量C2に電位VHに応じた電荷が保持される。
他方、図14の破線内に示すように、転送信号T[m-1]〜T[m+1]がローレベルとなる水平走査期間H[m]の期間PHにおいては、電位VCT[1]〜VCT[M]のうち電位VCT[m-1]〜VCT[m+1]を除く(M-3)系統の電位VCT[k]が電位VHに設定される(MH=M−3)。すなわち、水平走査期間H[m]内の充電期間PCHでは、第n列のうち第(m-1)行から第(m+1)行までの3行を除く(M-3)個の制御用画素回路PBの容量C1および容量C2に電位VHに応じた電荷が保持される。
また、走査線駆動回路22は、例えば図15(MH=M−3の場合)に示すように、対象画素回路PAのスイッチSW1とMH個の制御用画素回路PB(図15では第(m+2)行の制御用画素回路PB)のスイッチSW1とを第2発光期間PEL2にてオン状態に制御する。したがって、第2発光期間PEL2においては、可変の個数MHの制御用画素回路PBから対象画素回路PAに電荷が供給される。
例えば、図13の場合、水平走査期間H[m]の第2発光期間PEL2では、第1実施形態と同様に、(M-1)個(MH個)の制御用画素回路PBの容量C1および容量C2から対象画素回路PAに電荷が供給されて発光素子Lが発光する。他方、図14の場合、水平走査期間H[m]の充電期間PCHでは、第n列のうち第(m-1)行から第(m+1)行までの3行を除く(M-3)個の制御用画素回路PBの容量C1および容量C2から対象画素回路PAに電荷が供給されて発光素子Lが発光する。
第2発光期間PEL2における対象画素回路PAの発光素子Lの輝度は、電荷の供給元となる制御用画素回路PBの個数MH(電荷量)に応じて変化する。例えば、第2発光期間PEL2における対象画素回路PAの発光素子Lの輝度は、図13の場合のほうが図14の場合と比較して高い。したがって、第4実施形態によれば、第1実施形態と同様の効果が実現されるほか、制御用画素回路PBの個数MHに応じて素子部10の全体の明度を調光できるという利点がある。
また、制御用画素回路PBの個数MHが開始パルスSPのパルス幅に応じて調整されるから、電位制御回路26の構成が簡素化されるという利点もある。例えば、第3実施形態では、調光の段階数に応じた本数の給電線46(段階数に応じた種類数の電位VH)が必要となる。他方、第4実施形態では、開始パルスSPのパルス幅に応じて調光の度合が変化するから、電位制御回路26の構成を複雑化する(例えば第3実施形態のように配線数を増加させる)ことなく調光の段階数を増加させることが可能である。
なお、第3実施形態と第4実施形態とを併合した構成も採用され得る。具体的には、図12の論理回路54[1]〜54[M]の後段に第3実施形態の選択回路44[1]〜44[M]を配置し、論理回路54[m]の出力信号に応じて選択回路44[m]が複数の電位VH1〜VH3から電位VCT[m]の電位VHを選択する。以上の構成によれば、調光の段階数を更に増加させることが可能となる。
<E:第5実施形態>
第5実施形態は、第1実施形態の画素回路Pを図16の画素回路Qに置換した構成である。図16に示すように、画素回路Qは、容量C2が付随する発光素子Lと、発光素子Lの電極EAと信号線14との間に配置されたスイッチSW1とを含んで構成される。スイッチSW1のゲートは制御線122に接続される。すなわち、画素回路Qは、第1実施形態の画素回路PからスイッチSW2(走査線121)と容量C1とを省略した構成である。水平走査期間H[m]内における第n列の各画素回路Qに着目して第5実施形態の動作を以下に説明する。
[1]書込期間PWR(図18)
図17および図18に示すように、走査線駆動回路22は、書込期間PWRにおいて、制御信号GEL[1]〜GEL[M]をローレベルに設定することで第n列のM個のスイッチSW1をオフ状態に制御する。他方、制御信号GXがハイレベルに設定されることで第n列の信号線14に階調電位X[n]が供給される。したがって、図18に示すように、階調電位X[n]に応じた電荷が第n列の信号線14の容量C3に保持(充電)される。
[2]第1発光期間PEL1(図19)
第1発光期間PEL1において、走査線駆動回路22は、図17に示すように、制御信号GEL[m]をハイレベルに設定することで対象画素回路QAのスイッチSW1をオン状態に制御する。したがって、図19に示すように、書込期間PWRにて信号線14の容量C3に保持された電荷が、対象画素回路QAのスイッチSW1を介して発光素子Lに供給される。したがって、対象画素回路QAの発光素子Lは階調電位X[n]に応じた輝度で発光する。第1発光期間PEL1の終点(充電期間PCHの始点)において、制御信号GEL[m]がローレベルに設定されることで対象画素回路QAのスイッチSW1はオフ状態に遷移する。
[3]充電期間PCH(図20)
図17および図20に示すように、充電期間PCHの開始後の時点tA2において、走査線駆動回路22は、第m行(対象画素回路QA)以外の(M-1)行の制御信号GEL[m]をハイレベルに設定することで各制御用画素回路QBのスイッチSW1をオン状態に制御する。そして、時点tA2の経過後の時点tA3において、電位制御回路26は、(M-1)個の制御用画素回路QBの各々に供給される電位VCT[k]を電位VLから電位VHに変化させる。したがって、図20から理解されるように、電位VHに応じた電荷が、(M-1)個の制御用画素回路QBの各々における容量C2と第n列の信号線14の容量C3とに保持される。
[4]第2発光期間PEL2(図21)
第2発光期間PEL2において、走査線駆動回路22は、図17に示すように、制御信号GEL[1]〜GEL[M]をハイレベルに設定することで第n列のM個のスイッチSW1をオン状態に制御する。したがって、図21に示すように、充電期間PCHにて(M-1)個の容量C2と信号線14の容量C3とに保持された電荷が第m行の対象画素回路QAの発光素子Lに供給される。したがって、対象画素回路QAの発光素子Lは、電位VHに応じた輝度で発光する。
[5]初期化期間PRS(図22)
図17および図22に示すように、初期化期間PRSが開始する時点tB1において、走査線駆動回路22は、制御信号GEL[1]〜GEL[M]をローレベルに設定することで第n列のM個のスイッチSW1をオフ状態に制御する。そして、時点tB1の経過後の時点tB2において、電位制御回路26は、(M-1)個の制御用画素回路QBに供給される電位VCT[k]を電位VHから電位VLに初期化する。
以上の説明から理解されるように、第5実施形態においても第1実施形態と同様の効果が実現される。また、第5実施形態の画素回路Qにおいては、第1実施形態における容量C1やスイッチSW2が不要であるから、素子部10の構成が簡素化されるという利点もある。したがって、画素回路Qの高精細化が必要となる場合に第5実施形態は格別に好適である。なお、電位VCT[m]の電位VHを可変に設定する第3実施形態の構成や、制御用画素回路QBの総数MHを可変に制御する第4実施形態の構成は、第5実施形態にも同様に適用される。
<F:変形例>
以上の各形態には様々な変形が加えられる。具体的な変形の態様を以下に例示する。以下の例示から任意に選択された2以上の態様は併合され得る。
(1)変形例1
以上の形態においては、画素回路(P,Q)の発光素子Lの電極ECの電位VCT[k]を充電期間PCHにて変化させたが、図23に示すように、発光素子Lの電極EAの電位VCT[k]を変化させる構成の画素回路Rも採用される。具体的には、充電期間PCHにおいては、各制御画素回路Pの発光素子Lの電極EAの電位VCT[k]を電位VHから電位VLに低下させることで容量C1や容量C2に電荷を保持する。以上の例示から理解されるように、発光素子Lに逆方向バイアスが印加されるように充電期間PCHにて電位線16の電位VCT[k]を変化させる構成が本発明では好適であり、電位VCT[k]を変化させる方向は画素回路の構成に応じて適宜に選定される。
(2)変形例2
第1実施形態から第4実施形態においては、階調電位X[n]に応じた電荷を第n列のM個の画素回路P(対象画素回路PAおよび制御用画素回路PB)の各々の容量C1に書込期間PWRにて保持したが、書込期間PWRにおける電荷の保持に利用される画素回路Pの総数や組合せを可変に設定する構成も採用される。以上の構成によれば、第1発光期間PEL1にて対象画素回路PAに供給される電荷量(発光素子Lの輝度)を調整することが可能である。
(3)変形例3
以上の各形態においては、発光素子Lに付随する容量(寄生容量)を容量C2として利用したが、発光素子Lとは別個に容量C2を形成した構成も採用される。すなわち、容量C2は、発光素子Lの電極EAと電位線16との間に位置する容量として包括され、発光素子Lに付随する容量であるか積極的に形成した容量であるかは不問である。
(4)変形例4
有機EL素子は発光素子Lの例示に過ぎない。例えば、無機EL素子やLED(Light Emitting Diode)素子などの発光素子Lを配列した発光装置100にも以上の各態様と同様に本発明が適用される。本発明における発光素子は、電流の供給で駆動される(典型的には輝度が制御される)電流駆動型の被駆動素子である。
<G:応用例>
次に、以上の各態様に係る発光装置100を利用した電子機器について説明する。図24ないし図26には、発光装置100を表示装置として採用した電子機器の形態が図示されている。
図24は、発光装置100を採用したモバイル型のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。パーソナルコンピュータ2000は、各種の画像を表示する発光装置100と、電源スイッチ2001やキーボード2002が設置された本体部2010とを具備する。
図25は、発光装置100を適用した携帯電話機の構成を示す斜視図である。携帯電話機3000は、複数の操作ボタン3001およびスクロールボタン3002と、各種の画像を表示する発光装置100とを備える。スクロールボタン3002を操作することによって、発光装置100に表示される画面がスクロールされる。
図26は、発光装置100を適用した携帯情報端末(PDA:Personal Digital Assistants)の構成を示す斜視図である。情報携帯端末4000は、複数の操作ボタン4001および電源スイッチ4002と、各種の画像を表示する発光装置100とを備える。電源スイッチ4002を操作すると、住所録やスケジュール帳といった様々な情報が発光装置100に表示される。
なお、本発明に係る発光装置が適用される電子機器としては、図24から図26に例示した機器のほか、デジタルスチルカメラ、テレビ、ビデオカメラ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電子ペーパー、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、POS端末、プリンタ、スキャナ、複写機、ビデオプレーヤ、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられる。また、本発明に係る発光装置の用途は画像の表示に限定されない。例えば、電子写真方式の画像形成装置において露光により感光体ドラムに潜像を形成する露光装置としても本発明の発光装置は利用される。
100……発光装置、10……素子部、P,Q,R……画素回路、PA,QA……対象画素回路、PB,QB……制御用画素回路、L……発光素子、C1,C2,C3……容量、EA,EC……電極、E1,E2……容量電極、SW1,SW2……スイッチ、121……走査線、122……制御線、14……信号線、16……電位線、20……駆動回路、22……走査線駆動回路、24……信号線駆動回路、SX[1]〜SX[N]……スイッチ、26、26A,26B……電位制御回路、42……信号生成回路、44[1]〜44[M]……選択回路、52……転送回路、54[1]〜54[M]……論理回路、30……制御回路。

Claims (15)

  1. 指定階調に応じた階調電位が供給される信号線と、第1電極と第2電極との間の電流に応じて発光する発光素子を各々が含む複数の画素回路と、前記各発光素子の第2電極に接続された複数の電位線とを具備する発光装置の駆動方法であって、
    前記信号線に対する前記階調電位の供給で発生した電荷を、第1発光期間において、前記複数の画素回路のうちの対象画素回路の前記発光素子に供給し、
    前記第1発光期間の経過後の充電期間において、前記複数の画素回路のうち前記対象画素回路以外の制御用画素回路の発光素子に逆方向バイアスが印加されるように、当該制御用画素回路に対応する前記電位線の電位を変化させ、
    前記充電期間にて発生した電荷を、前記充電期間の経過後の第2発光期間にて前記対象画素回路の前記発光素子に供給する
    発光装置の駆動方法。
  2. 前記複数の画素回路の各々は、前記信号線と前記第1電極とを結ぶ経路に接続された第1容量電極と、第2容量電極とを有する第1容量を含み、
    前記第1発光期間および前記第2発光期間の各々においては、前記制御用画素回路の前記第1容量に保持された電荷を、前記信号線を介して前記対象画素回路の前記発光素子に供給する
    請求項1の発光装置の駆動方法。
  3. 前記複数の画素回路の各々は、前記発光素子に付随する第2容量を含み、
    前記充電期間にて前記制御用画素回路の前記第2容量に保持された電荷を、前記第2発光期間において、前記信号線を介して前記対象画素回路の前記発光素子に供給する
    請求項1または請求項2の発光装置の駆動方法。
  4. 前記充電期間において、前記制御用画素回路の前記第1電極を前記信号線に接続し、
    前記信号線の第3容量に前記充電期間にて保持された電荷を、前記第2発光期間において前記対象画素回路の前記発光素子に供給する
    請求項1から請求項3の何れかの発光装置の駆動方法。
  5. 前記複数の画素回路の各々は、
    第1容量電極と第2容量電極とを有する第1容量と、
    前記第1容量電極と前記第1電極との間に配置された第1スイッチと、
    前記第1容量電極と前記信号線との間に配置された第2スイッチとを含み、
    前記第1発光期間の開始前の書込期間において、前記制御用画素回路の前記第1スイッチをオフ状態に制御するとともに当該制御用画素回路の前記第2スイッチをオン状態に制御し、
    前記第1発光期間において、前記制御用画素回路の前記第1スイッチをオフ状態に制御するとともに当該制御用画素回路の前記第2スイッチをオン状態に制御し、かつ、前記対象画素回路の前記第1スイッチおよび前記第2スイッチをオン状態に制御し、
    前記第2発光期間において、前記制御用画素回路の前記第2スイッチをオン状態に制御するとともに前記対象画素回路の前記第1スイッチおよび前記第2スイッチをオン状態に制御する
    請求項1の発光装置の駆動方法。
  6. 前記充電期間において、前記制御用画素回路の前記第1スイッチをオン状態に制御する
    請求項5の発光装置の駆動方法。
  7. 前記充電期間において、前記制御用画素回路の前記第2スイッチをオン状態に制御する
    請求項6の発光装置の駆動方法。
  8. 前記充電期間において、前記対象画素回路および前記制御用画素回路の前記第2スイッチをオフ状態に制御してから前記制御用画素回路の前記第1スイッチをオン状態に制御する
    請求項6または請求項7の発光装置の駆動方法。
  9. 前記制御用画素回路に対応する前記電位線の電位を、
    前記充電期間において第1電位から第2電位に変化させ、
    前記第2発光期間において前記第2電位に維持し、
    前記第2発光期間の経過後の初期化期間において、前記制御用画素回路および前記対象画素回路の前記第1スイッチをオフ状態に制御してから前記第1電位に変化させる
    請求項5から請求項8の何れかの発光装置の駆動方法。
  10. 前記各画素回路の第2スイッチを、前記第2発光期間の終点から、他の対象画素回路に対応する前記第1発光期間の終点までオン状態に維持する
    請求項5から請求項9の何れかの発光装置の駆動方法。
  11. 前記充電期間において、前記制御用画素回路に対応する前記電位線の電位を、第1電位から、可変に設定された第2電位に変化させる
    請求項1から請求項10の何れかの発光装置の駆動方法。
  12. 前記複数の画素回路のうち、可変に設定された個数の画素回路を前記制御用画素回路とする
    請求項1から請求項11の何れかの発光装置の駆動方法。
  13. 指定階調に応じた階調電位が供給される信号線と、
    第1電極と第2電極との間の電流に応じて発光する発光素子を各々が含む複数の画素回路と、
    前記各発光素子の第2電極に接続された複数の電位線と、
    前記複数の画素回路の各々を駆動する駆動回路とを具備し、
    前記駆動回路は、
    前記信号線に対する前記階調電位の供給で発生した電荷を、第1発光期間において、前記複数の画素回路のうちの対象画素回路の前記発光素子に供給し、
    前記第1発光期間の経過後の充電期間において、前記複数の画素回路のうち前記対象画素回路以外の制御用画素回路の発光素子に逆方向バイアスが印加されるように、当該制御用画素回路に対応する前記電位線の電位を変化させ、
    前記充電期間にて発生した電荷を、前記充電期間の経過後の第2発光期間にて前記対象画素回路の前記発光素子に供給する
    発光装置。
  14. 前記複数の画素回路の各々は、
    第1容量電極と第2容量電極とを有する第1容量と、
    前記第1容量電極と前記第1電極との間に配置された第1スイッチと、
    前記第1容量電極と前記信号線との間に配置された第2スイッチとを含む
    請求項13の発光装置。
  15. 請求項13または請求項14の発光装置を具備する電子機器。
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