JP2011000368A - Magnetic field generator - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、MRI装置として用いられる磁場発生装置に関する。 The present invention relates to a magnetic field generator used as an MRI apparatus.
超電導コイルに通電して強磁場を発生させると、コイルの周囲に漏洩磁場が生じる。特に、医療用のMRI(Magnetic Resonance Imaging)装置は、病院内に設置されるものであるため、その漏洩磁場(漏洩磁束密度)は小さいことが望ましい。 When a strong magnetic field is generated by energizing the superconducting coil, a leakage magnetic field is generated around the coil. In particular, since a medical MRI (Magnetic Resonance Imaging) apparatus is installed in a hospital, the leakage magnetic field (leakage magnetic flux density) is desirably small.
MRI装置周辺の機器や人体に対する漏洩磁場の影響を軽減するため、従来、磁場発生装置は、漏洩磁場を低減するように構成されている。特許文献1には、このような磁場発生装置の例として、アクティブシールド方式の装置が記載されている。アクティブシールド方式とは、磁場発生用超電導コイル(メインコイル)の外側に、メインコイルとは逆向きの磁場を発生する超電導コイル(シールドコイル)を設け、シールドコイルの外側に生じるメインコイルの磁場を、シールドコイルの磁場によって弱めることにより、漏洩磁場を低減する方式である。 Conventionally, a magnetic field generator is configured to reduce the leakage magnetic field in order to reduce the influence of the leakage magnetic field on equipment and human bodies around the MRI apparatus. Patent Document 1 describes an active shield type device as an example of such a magnetic field generation device. In the active shield system, a superconducting coil (shield coil) that generates a magnetic field in the opposite direction to the main coil is provided outside the superconducting coil (main coil) for generating a magnetic field. The leakage magnetic field is reduced by weakening the magnetic field of the shield coil.
アクティブシールド方式のMRI装置においては、ある基準位置で測定される漏洩磁場(漏洩磁束密度)が、設定値以下となるように調整される。この設定値を、「設定漏洩磁場」とする。設定漏洩磁場は、通常、(漏洩磁場が最大となる位置において)5×10−4T(5ガウス)程度の小さい値に設定される。 In an active shield type MRI apparatus, a leakage magnetic field (leakage magnetic flux density) measured at a certain reference position is adjusted to be a set value or less. This set value is referred to as “set leakage magnetic field”. The set leakage magnetic field is normally set to a small value of about 5 × 10 −4 T (5 gauss) (at a position where the leakage magnetic field is maximized).
医療用のMRI装置においては、一般に、超電導コイルに蓄積されるエネルギーが大きく(1MJ以上)、クエンチ発生時にはコイルが損傷を受けるおそれがある。そのため、MRI装置の超電導コイルには、クエンチ発生時における損傷を防止するための保護回路が設けられる。この保護回路は、超電導コイルに対して、抵抗器、ダイオード、サイリスタなどを接続することによって形成される。 In a medical MRI apparatus, generally, energy stored in a superconducting coil is large (1 MJ or more), and the coil may be damaged when a quench occurs. For this reason, the superconducting coil of the MRI apparatus is provided with a protection circuit for preventing damage when a quench occurs. This protection circuit is formed by connecting a resistor, a diode, a thyristor or the like to the superconducting coil.
このような装置において、メインコイル又はシールドコイルでクエンチが発生すると、メインコイルで発生する磁場と、シールドコイルで発生する磁場とのバランスが崩れ、(基準位置において)装置の漏洩磁場が設定漏洩磁場よりも大きくなる。しかし、上記のように、MRI装置においては、漏洩磁場をできるだけ抑制する必要があり、クエンチ発生時であっても、漏洩磁場が設定漏洩磁場を超えないことが望まれる。 In such a device, when a quench occurs in the main coil or the shield coil, the balance between the magnetic field generated in the main coil and the magnetic field generated in the shield coil is lost, and the leakage magnetic field of the device becomes the set leakage magnetic field (at the reference position). Bigger than. However, as described above, in the MRI apparatus, it is necessary to suppress the leakage magnetic field as much as possible, and it is desirable that the leakage magnetic field does not exceed the set leakage magnetic field even when a quench occurs.
特許文献1に開示された超電導電磁石装置では、メインコイル用の保護回路と、シールドコイル用の保護回路とで、各回路の電流減衰の時定数が同等となるように、各回路の抵抗器の電気抵抗値が設定されている。具体的には、各回路の抵抗器の抵抗値の比率と、各回路のインダクタンスの比率とが、同等になるように設定されている。当技術により、メインコイル及びシールドコイルに流れる電流が、クエンチ発生時の前後で維持される。 In the superconducting electromagnet apparatus disclosed in Patent Document 1, the resistance of each circuit is set so that the current decay time constant of each circuit is equal between the protection circuit for the main coil and the protection circuit for the shield coil. Electric resistance value is set. Specifically, the ratio of the resistance value of the resistor of each circuit is set to be equal to the ratio of the inductance of each circuit. By this technique, the electric current which flows into a main coil and a shield coil is maintained before and after the occurrence of a quench.
特許文献1の技術では、各抵抗器の抵抗値が、一定値として設定されている。従って、この技術は、クエンチ発生時の磁場変化が一定である場合にのみ有効となる。
しかし、クエンチ発生時における各コイルの磁場変化は、一定ではなく、クエンチの発生原因や発生位置などによって異なる。そのため、特許文献1の技術を用いて、クエンチ発生時における漏洩磁場の増大を抑制することは困難である。
In the technique of Patent Document 1, the resistance value of each resistor is set as a constant value. Therefore, this technique is effective only when the magnetic field change at the occurrence of quenching is constant.
However, the magnetic field change of each coil at the time of occurrence of quenching is not constant and varies depending on the cause of occurrence of quenching and the position of occurrence. Therefore, it is difficult to suppress an increase in the leakage magnetic field at the time of occurrence of quench using the technique of Patent Document 1.
(課題)
本発明が解決しようとする課題は、アクティブシールド方式の磁場発生装置において、クエンチ発生時における漏洩磁場の増大を抑制することである。
(Task)
The problem to be solved by the present invention is to suppress an increase in the leakage magnetic field when a quench occurs in an active shield type magnetic field generator.
(1)上記の課題を解決するために、本発明に係る磁場発生装置は、アクティブシールド方式によって漏れ磁場を低減するものであり、超電導コイルから成るメインコイルと、超電導コイルから成り、前記メインコイルの径方向外側に前記メインコイルと同心に配置され、前記メインコイルに対して電気的に直列に接続された第1シールドコイルと、前記メインコイルに対して電気的に並列に接続され、クエンチ発生時に前記メインコイルを保護するメインコイル保護回路と、前記第1シールドコイルに対して電気的に並列に接続され、クエンチ発生時に前記第1シールドコイルを保護する第1シールドコイル保護回路と、超電導コイルから成り、前記第1シールドコイルの径方向外側に、前記第1シールドコイルと同心に配置された第2シールドコイルと、前記第2シールドコイルの両端を短絡するように、前記第2シールドコイルに対して電気的に接続された第2シールドコイル保護回路と、を備える。
前記第2シールドコイル保護回路には、双方向ダイオードが含まれており、前記双方向ダイオードのオン電圧は、(i)前記メインコイル及び第1シールドコイルの、励磁又は消磁における磁場変化に起因した電磁誘導によって、前記第2シールドコイルに発生する起電力よりも大きく設定され、且つ、(ii)前記メインコイル又は前記第1シールドコイルのクエンチ発生時における磁場変化に起因した電磁誘導によって、前記第2シールドコイルに発生する起電力以下に設定されている。
(1) In order to solve the above problems, a magnetic field generator according to the present invention reduces a leakage magnetic field by an active shield system, and includes a main coil composed of a superconducting coil and a superconducting coil. The first shield coil disposed concentrically with the main coil on the outer side in the radial direction and electrically connected in series to the main coil, and electrically connected in parallel to the main coil to generate a quench A main coil protection circuit that sometimes protects the main coil, a first shield coil protection circuit that is electrically connected in parallel to the first shield coil and that protects the first shield coil when a quench occurs, and a superconducting coil The second shield disposed concentrically with the first shield coil on the radially outer side of the first shield coil. And Rudokoiru, so as to short-circuit both ends of the second shield coil, and a second shield coil protection circuit electrically connected to the second shield coil.
The second shield coil protection circuit includes a bidirectional diode, and the on-voltage of the bidirectional diode is caused by (i) a magnetic field change during excitation or demagnetization of the main coil and the first shield coil. The electromagnetic force is set to be larger than the electromotive force generated in the second shield coil, and (ii) the electromagnetic induction due to the magnetic field change caused by the quenching of the main coil or the first shield coil It is set below the electromotive force generated in the two shield coils.
この構成では、アクティブシールド方式により、第1シールドコイルの外側に生じるメインコイルの磁場が、第1シールドコイルの磁場によって弱められ、漏洩磁場(磁束密度)が低減される。
また、この構成では、アクティブシールド方式の磁場発生装置に、第2シールドコイルが設けられており、第2シールドコイルは、電磁誘導により、漏洩磁場の増大を抑制する。そのため、メインコイル又は第1シールドコイルにおいてクエンチが発生した場合に、そのクエンチの発生位置や発生原因によらず、磁場発生装置から漏洩する磁場の増大を抑制することができる。
また、本構成では、メインコイル又は第1シールドコイルでのクエンチ発生時には、双方向ダイオードに電流が流れるため、クエンチ発生時には、第2シールドコイルが機能する。一方、メインコイル及び第1シールドコイルの励消磁(励磁又は消磁)の際には、双方向ダイオードに電流が流れないため、励消磁の際に、第2シールドコイルは機能しない。そのため、第2シールドコイルによって磁場を乱されることなく、安定した励消磁を行なうことが可能となる。
In this configuration, the magnetic field of the main coil generated outside the first shield coil is weakened by the magnetic field of the first shield coil by the active shield method, and the leakage magnetic field (magnetic flux density) is reduced.
Further, in this configuration, the active shield type magnetic field generator is provided with the second shield coil, and the second shield coil suppresses an increase in the leakage magnetic field by electromagnetic induction. Therefore, when a quench occurs in the main coil or the first shield coil, it is possible to suppress an increase in the magnetic field leaking from the magnetic field generator regardless of the position and cause of the quench.
Further, in this configuration, when a quench occurs in the main coil or the first shield coil, a current flows through the bidirectional diode, so that the second shield coil functions when a quench occurs. On the other hand, during excitation and demagnetization (excitation or demagnetization) of the main coil and the first shield coil, current does not flow through the bidirectional diode, and thus the second shield coil does not function during excitation and demagnetization. Therefore, stable excitation and demagnetization can be performed without disturbing the magnetic field by the second shield coil.
なお、「超電導コイル」は、超電導物質から成る線材を、ソレノイド状(円筒状)に巻くことによって形成されている。超電導コイルの材料としては、ニオブチタン(NbTi)、ニオブスズ(Nb3Sn)その他の高温超電導物質などを用いることができる。 The “superconducting coil” is formed by winding a wire made of a superconducting material into a solenoid shape (cylindrical shape). As a material for the superconducting coil, niobium titanium (NbTi), niobium tin (Nb 3 Sn), and other high-temperature superconducting substances can be used.
「メインコイル保護回路」、及び、「第1シールドコイル保護回路」のそれぞれは、導体及び抵抗体からなる。この抵抗体としては、抵抗器、ダイオード、サイリスタなどを利用できる。 Each of the “main coil protection circuit” and the “first shield coil protection circuit” includes a conductor and a resistor. A resistor, a diode, a thyristor, or the like can be used as this resistor.
メインコイル保護回路と、第2シールドコイル保護回路とが、完全に独立していてもよいし、メインコイル保護回路と、第2シールドコイル保護回路とで、導体の一部が重複していてもよい。 The main coil protection circuit and the second shield coil protection circuit may be completely independent, or the main coil protection circuit and the second shield coil protection circuit may overlap part of the conductor. Good.
(2)また、本発明に係る上記(1)の磁場発生装置においては、前記第2シールドコイルの軸方向長さが、前記メインコイル及び前記第1シールドコイルの、軸方向に関する最大の長さ以上であってもよい。 (2) In the magnetic field generator of (1) according to the present invention, the axial length of the second shield coil is the maximum length in the axial direction of the main coil and the first shield coil. It may be the above.
この構成では、第2シールドコイルが十分な長さを有するため、漏洩磁場の増大が、第2シールドコイルによって確実に抑制される。 In this configuration, since the second shield coil has a sufficient length, an increase in the leakage magnetic field is reliably suppressed by the second shield coil.
また、本発明に係る磁場発生装置においては、超電導コイルの冷却方式として、冷媒を用いる方式が好ましい。この場合において、超電導コイルは、冷媒が注入された冷媒槽内に配置される。
また、メインコイル、第1シールドコイル、及び第2シールドコイルは、配置効率等の点から、同一の冷却槽内に配置されることが好ましい。
Moreover, in the magnetic field generator according to the present invention, a method using a refrigerant is preferable as a cooling method for the superconducting coil. In this case, the superconducting coil is disposed in a refrigerant tank into which a refrigerant has been injected.
Moreover, it is preferable that the main coil, the first shield coil, and the second shield coil are arranged in the same cooling tank in terms of arrangement efficiency and the like.
また、MRI装置に要求され、且つ、MRI装置用の磁場発生装置として好適な磁場均一度を満たすために、メインコイル及び第1シールドコイルは、複数のコイルから構成されていることが好ましい。 In order to satisfy the magnetic field uniformity required for the MRI apparatus and suitable as a magnetic field generator for the MRI apparatus, the main coil and the first shield coil are preferably composed of a plurality of coils.
以下、本発明の一実施形態について、図1乃至図4を用いて説明する。なお、以下の説明における上下方向は、図中における上下方向であるとする。また、図2は、図3のG−G’断面図に相当する。 Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. In the following description, the vertical direction is the vertical direction in the figure. FIG. 2 corresponds to the G-G ′ cross-sectional view of FIG. 3.
(全体構成)
まず、磁場発生装置1の全体構成について説明する。磁場発生装置1は、MRI装置として用いられる。また、磁場発生装置1においては、(i)アクティブシールド方式によって漏洩磁場の低減が図られ、さらに、(ii)クエンチに起因する漏洩磁場の増大が、第2シールドコイル50によって抑制される。
(overall structure)
First, the overall configuration of the magnetic field generator 1 will be described. The magnetic field generator 1 is used as an MRI apparatus. Further, in the magnetic field generator 1, (i) the leakage magnetic field is reduced by the active shield method, and (ii) the increase of the leakage magnetic field due to quenching is suppressed by the
磁場発生装置1は、第1回路5、及び、第2回路6から成る。第1回路5は、メインコイル10、第1シールドコイル20、メインコイル保護回路30、第1シールドコイル保護回路40、永久電流スイッチ71、電源72を有する。また、第2回路6は、第2シールドコイル50、及び、第2シールドコイル保護回路60を有する。第1回路5及び第2回路6は、電気的には分離しているが、両回路のコイルを介して、磁気的に接続されている。
The magnetic field generator 1 includes a
磁場発生装置1には、コイル群(メインコイル10の5つのコイル、第1シールドコイル20の2つのコイル、及び、第2シールドコイル50)が含まれる。コイル群に含まれるコイルは、超電導コイルである。すなわち、メインコイル10、第1シールドコイル20、及び第2シールドコイル50は、超電導物質の線材から成る。
The magnetic field generator 1 includes a coil group (five coils of the
永久電流スイッチ71には電源72が並列に接続されている。また、永久電流スイッチ71は、メインコイル10及び第1シールドコイル20に対して並列に接続されており、また、電源72も同様に、メインコイル10及び第1シールドコイル20に対して並列に接続されている。
A
(第1回路)
第1回路5について説明する。上記のように、第1回路5には、メインコイル10、第1シールドコイル20、メインコイル保護回路30、第1シールドコイル保護回路40、永久電流スイッチ71、及び電源72が含まれる。
(First circuit)
The
(メインコイル及び第1シールドコイル)
メインコイル10には、5つのコイル(コイル10a、コイル10b、コイル10c、コイル10d、及びコイル10e)が含まれており、また、第1シールドコイル20には、2つのコイル(コイル20a及びコイル20b)が含まれている。メインコイル10及び第1シールドコイル20は、冷却槽(図示せず)内において、液体冷媒(又はガス冷媒)を用いて、転移温度以下に冷却されている。
(Main coil and first shield coil)
The
メインコイル10は、軸方向C(図2の矢印C方向参照)が上下方向に一致するように配置されている。また、メインコイル10の内側に発生する磁場B0の方向は、軸方向Cに平行である。メインコイル10の軸方向長さはLmであり、第1シールドコイル20の軸方向長さはL1である(図2参照)。また、LmはL1よりも大きい。なお、コイル長さの関係については、このようなものには限られない。また、軸方向Cは、水平方向に一致していてもよい。
The
第1シールドコイル20の内径は、メインコイル10の最大外径よりも大きい。そして、第1シールドコイル20は、メインコイル10の径方向D(図の矢印D方向参照)に関して、メインコイル10の外側に配置されている。すなわち、メインコイル10は、第1シールドコイル20の内部に配置されている(図2参照)。
The inner diameter of the
また、第1シールドコイル20は、メインコイル10と同心に配置されており、メインコイル10の中心軸(図2の一点鎖線参照)は、第1シールドコイル20の中心軸に一致する。また、第1シールドコイル20の軸方向は、メインコイル10の軸方向Cと一致している。なお、径方向Dは、軸方向Cに対して垂直である。
The
第1シールドコイル20は、メインコイル10に対して電気的に直列に接続されている。具体的には、メインコイル10の5つのコイルは直列に接続され、また、第1シールドコイル20の2つのコイルは直列に接続され、さらに、メインコイル10、及び、第1シールドコイル20が、電気的に直列に接続されている(図1参照)。
The
磁場発生装置1においては、アクティブシールド方式により、第1シールドコイル20の外への磁場漏洩が抑制される。具体的には、径方向Dに関して第1シールドコイル20の外側に生じた、メインコイル10の磁場は、当該磁場とは反対向きの、第1シールドコイル20の磁場によって弱められる。
そして、磁場発生装置1においては、装置の漏洩磁場(漏洩磁束密度)が、ある基準位置において、設定値(設定漏洩磁場)以下となるように調整される。そして、通常運転時には、装置の漏洩磁場は、(この基準位置において)設定漏洩磁場に維持される。
In the magnetic field generator 1, magnetic field leakage to the outside of the
In the magnetic field generator 1, the leakage magnetic field (leakage magnetic flux density) of the device is adjusted to be equal to or less than a set value (setting leakage magnetic field) at a certain reference position. During normal operation, the leakage magnetic field of the device is maintained at the set leakage magnetic field (at this reference position).
(メインコイル保護回路)
メインコイル保護回路30は、メインコイル10に対して電気的に並列に接続されている。メインコイル保護回路30は、メインコイル10においてクエンチが発生した時に、メインコイル10を保護する。
(Main coil protection circuit)
The main
メインコイル保護回路30は、5つの回路(回路30a、回路30b、回路30c、回路30d、及び回路30e)から成り、この5つの回路(セクション)は、メインコイル10に含まれる5つのコイルのそれぞれに対応している。また、メインコイル保護回路30の、5つの回路のそれぞれは、抵抗器(抵抗器31a、抵抗器31b、抵抗器31c、抵抗器31d、又は抵抗器31e)、及び、導体から成る。メインコイル10でクエンチが発生した時には、抵抗器に電流が流れるため、メインコイル10の損傷を防ぐことができる。
The main
(第1シールドコイル保護回路)
第1シールドコイル保護回路40は、第1シールドコイル20に対して電気的に並列に接続されている。第1シールドコイル保護回路40は、第1シールドコイル20においてクエンチが発生した時に、第1シールドコイル20を保護する。
(First shield coil protection circuit)
The first shield
第1シールドコイル保護回路40は、2つの回路(回路40a及び回路40b)から成り、この2つの回路(セクション)は、第1シールドコイル20に含まれる2つのコイルのそれぞれに対応している。また、第1シールドコイル保護回路40の、2つの回路のそれぞれは、抵抗器(抵抗器41a又は抵抗器41b)、及び、導体から成る。第1シールドコイル20でクエンチが発生した時には、抵抗器に電流が流れるため、第1シールドコイル20の損傷を防ぐことができる。
The first shield
(永久電流スイッチについて)
次に、永久電流スイッチ71を使った磁場発生装置1の運転について説明する。
まず、電源72を用いてメインコイル10及び第1シールドコイル20に流す電流を増やしている間は、永久電流スイッチ71をオフ(永久電流スイッチ71の超電導線の加熱により、永久電流スイッチ71に電気抵抗が発生している状態)にしておく。
メインコイル10及び第1シールドコイル20の電流が定格値に達したら、永久電流スイッチ71をオン(冷却により永久電流スイッチ71を超電導状態にした状態)にする。これにより、永久電流スイッチ71にも電流が流れる。
この状態で、電源72の電流をゼロまで下げ、その後、電源72を回路から切り離すと、永久電流スイッチ71、メインコイル10、及び第1シールドコイル20を含む閉回路に、電流が流れ続ける。
(About permanent current switch)
Next, the operation of the magnetic field generator 1 using the permanent
First, while increasing the current flowing through the
When the currents of the
In this state, when the current of the
(第2回路)
次に、第2回路6について説明する。上記のように、第2回路6には、第2シールドコイル50及び第2シールドコイル保護回路60が含まれる。第2回路6は、第1回路5とは別に設けられ、且つ、閉回路となっている。
(Second circuit)
Next, the
(第2シールドコイル)
第2シールドコイル50について説明する。第2シールドコイル50の軸方向長さL2は、メインコイル10及び第1シールドコイル20の、軸方向Cに関する最大の長さ(すなわちLm)よりも大きい(図2参照)。また、第2シールドコイル50は、メインコイル10及び第1シールドコイル20の上端から下端までの範囲を覆うように配置されている。第2シールドコイル50は、液体冷媒(又はガス冷媒)を用いて、転移温度以下に冷却されている。また、メインコイル10、第1シールドコイル20、及び第2シールドコイル50は、同一の冷却槽内に配置されている。
(Second shield coil)
The
第2シールドコイル50の内径は、第1シールドコイル20の外径よりも大きい。そして、第2シールドコイル50は、第1シールドコイル20の径方向Dに関して外側に配置されている。
The inner diameter of the
また、第2シールドコイル50は、メインコイル10及び第1シールドコイル20と同心に配置されており、第2シールドコイル50の中心軸は、メインコイル10の中心軸(図2の一点鎖線参照)に一致する。また、第2シールドコイル50の軸方向は、メインコイル10及び第1シールドコイル20の軸方向Cと一致している。
The
磁場発生装置1において、メインコイル10又は第1シールドコイル20にクエンチが生じた場合に、メインコイル10及び第1シールドコイル20の磁場バランスが崩れ、第1シールドコイル20の外部の基準位置における漏洩磁場が、設定漏洩磁場を超えて大きくなることがある。この場合においても、この磁束の変化を打ち消すように、第2シールドコイル50に誘導起電力が発生し、その結果、第2シールドコイル50の外側における漏洩磁場の増大が抑制される。
In the magnetic field generator 1, when a quench occurs in the
(第2シールドコイル保護回路)
第2シールドコイル保護回路60について説明する。第2シールドコイル保護回路60は、第2シールドコイル50の両端を短絡するように、第2シールドコイル50に対して電気的に接続されている。これにより、第2回路6が閉回路となっている。また、第2シールドコイル保護回路60は、双方向ダイオード61、及び、導体から成る。
(Second shield coil protection circuit)
The second shield
(双方向ダイオード)
次に、双方向ダイオード61について説明する。双方向ダイオード61は、第2シールドコイル保護回路60に含まれる。また、双方向ダイオード61には、2つのダイオード(ダイオード61a及びダイオード61b)が含まれており、これらの2つのダイオードは、互いに逆向きに配置されている(図1参照)。2つのダイオードは同一部品であり、これらのオン電圧Vonは同一である。
(Bidirectional diode)
Next, the
双方向ダイオード61のオン電圧Vonは、メインコイル10及び第1シールドコイル20の励消磁(励磁又は消磁)における磁場変化に起因した電磁誘導によって、第2シールドコイル50に発生する起電力(誘導電流を生じさせる電位差)よりも大きく設定されている。
また、双方向ダイオード61のオン電圧Vonは、メインコイル10又は第1シールドコイル20におけるクエンチ発生時における磁場変化に起因した電磁誘導によって、第2シールドコイル50に発生する起電力以下に設定されている。
The on-voltage V on of the
The on-voltage V on of the
このように、双方向ダイオード61のオン電圧Vonは、励消磁の際に発生する誘導起電力(変化する場合には最大起電力)よりも大きく、且つ、クエンチ発生時に発生する誘導起電力以下となるように設定されている。そのため、メインコイル10及び第1シールドコイル20の励消磁の際には、双方向ダイオード61に電流が流れないが、メインコイル10及び第1シールドコイル20においてクエンチが発生した際には、双方向ダイオード61に電流が流れる。
なお、オン電圧Vonは、ダイオード61a及びダイオード61bのそれぞれのオン電圧に相当する。
Thus, the on-voltage V on of the
The on voltage V on corresponds to the on voltage of the
ここで、双方向ダイオード61のオン電圧Vonの設定に関して、より詳しく説明する。第2シールドコイル50に生じる誘導起電力(磁束の変化を打ち消す方向に生じる起電力)の大きさは、磁場変化率に比例する(ファラデーの電磁誘導の法則参照)。
そこで、クエンチ発生時及び励消磁時の磁場変化率(単位時間当たりの磁場変化量)を比較する。まず、メインコイル10及び第1シールドコイル20の励磁(又は消磁)には、1時間程度の時間を要する。一方、クエンチ発生時には、超電導コイル(メインコイル10又は第1シールドコイル20)は、数秒程度で常伝導状態になる。そのため、クエンチ発生時には、超電導コイルの磁場変化が数秒で完了してしまう。また、励消磁の際と、クエンチ発生時とで、磁場変化量(変化幅)は同程度である。
以上から、クエンチ発生時の磁場変化率は、励消磁の際の磁場変化率よりも大きい。その結果として、クエンチ発生時に生じる誘導起電力Vqの方が、励消磁の際に発生する誘導起電力Vmよりも大きい。そして、オン電圧Vonは、次式を満たすように設定されている。
Vm < Von ≦ Vq (式1)
Here, the setting of the ON voltage V on of the
Therefore, the magnetic field change rate (magnetic field change amount per unit time) at the time of quench occurrence and excitation demagnetization is compared. First, excitation (or demagnetization) of the
From the above, the magnetic field change rate when quenching occurs is larger than the magnetic field change rate during excitation and demagnetization. As a result, the induced electromotive force V q generated when quenching occurs is larger than the induced electromotive force V m generated during excitation demagnetization. The ON voltage V on is set so as to satisfy the following equation.
V m <V on ≦ V q (Formula 1)
このように、磁場発生装置1では、励消磁の際に第2シールドコイル50が機能しないので、安定した励消磁が可能となる。次に、第2シールドコイル50を励消磁の際に機能させない理由について説明する。
励消磁中に第2シールドコイル50が機能すると、第2シールドコイル50に誘導電流が流れ、MRI装置に必要な磁場強度、及び磁場均一度が得られなくなる。
そのため、磁場発生装置1の構成では、第2シールドコイル50が、クエンチ発生時にのみ機能し、励消磁の際には機能しないようになっている。
Thus, in the magnetic field generator 1, since the
When the
Therefore, in the configuration of the magnetic field generator 1, the
また、第2シールドコイル50でクエンチが発生した時には、双方向ダイオード61に電流が流れるため、第2シールドコイル50の損傷を防ぐことができる。
Further, when quenching occurs in the
(動作例)
次に、磁場発生装置1の動作例について説明する。ここでは、一例として、メインコイル10のコイル10eにクエンチが発生した場合について説明する。
(Operation example)
Next, an operation example of the magnetic field generator 1 will be described. Here, as an example, a case where quenching occurs in the
通常運転時には、メインコイル10及び第1シールドコイル20の磁場のバランスが維持されている。その結果、磁場発生装置1においては、第1シールドコイル20の外側の、基準位置での磁場が、設定漏洩磁場を超えないように維持されている。
During normal operation, the balance of the magnetic field between the
ここで、コイル10eにクエンチが発生すると、コイル10eが常伝導状態になり、コイル10eの電気抵抗が急激に増大する。このため、コイル10eを流れる電流は急激に減少し、抵抗器31eに流れる電流が増大する。これにより、コイル10eが保護される。
Here, when quenching occurs in the
また、コイル10eにクエンチが発生した場合には、メインコイル10のコイル10eを流れる電流が、クエンチ発生前(通常運転時)に比べて減少するため、電磁誘導により、第1シールドコイル20を流れる電流が増大する。このため、クエンチ発生時には、第1シールドコイル20で発生する磁場と、メインコイル10で発生する磁場とのバランスが崩れ、これにより、第1シールドコイル20の外側の、基準位置における磁場が、設定漏洩磁場よりも増大する。
In addition, when quenching occurs in the
このときに、この磁束の変化を打ち消すように、第2シールドコイル50に誘導起電力が発生する。その結果、第2シールドコイル50の外側における、漏洩磁場の増大が抑制される。
At this time, an induced electromotive force is generated in the
また、メインコイル保護回路30及び第1シールドコイル保護回路40の各抵抗器の抵抗値は、メインコイル10及び第1シールドコイル20の各コイルの、クエンチ発生時における抵抗値よりも十分に小さく設定されている。そのため、メインコイル10又は第1シールドコイル20でクエンチが発生したときには、メインコイル10及び第1シールドコイル20に蓄積されたエネルギーのほとんどは、抵抗器で消費される。
The resistance values of the resistors of the main
なお、ここではメインコイル10のコイル10eにおいてクエンチが発生した場合について説明したが、第1シールドコイル20(コイル20a又はコイル20b)でクエンチが発生した場合にも同様に、第1シールドコイル20の外側の磁場が増大し、また、磁場発生装置1の構成により漏洩磁場の増大が抑制される。
また、コイル10a〜コイル10dにおいてクエンチが発生した場合にも同様に、本構成により漏洩磁場の増大が抑制される。
In addition, although the case where quenching generate | occur | produced in the
Similarly, when quenching occurs in the
(従来の磁場発生装置における漏洩磁場変化)
次に、従来のアクティブシールド方式の磁場発生装置(図1の回路から、第2回路6を除いたもの)における漏洩磁場変化について、図5を用いて説明する。
(Change in leakage magnetic field in conventional magnetic field generator)
Next, changes in the leakage magnetic field in the conventional active shield type magnetic field generator (the circuit of FIG. 1 excluding the second circuit 6) will be described with reference to FIG.
図5は、従来の磁場発生装置の外側(第1シールドコイルの外側)の、ある基準位置における漏洩磁場の時間変化を示している。また、図5の縦軸(漏洩磁場)は、絶対値であるとする。図に示すように、通常運転時(安定状態)における、この基準位置での設定漏洩磁場は5×10−4T(5ガウス)となっている。 FIG. 5 shows the time change of the leakage magnetic field at a certain reference position outside the conventional magnetic field generator (outside the first shield coil). In addition, the vertical axis (leakage magnetic field) in FIG. 5 is an absolute value. As shown in the figure, the set leakage magnetic field at this reference position during normal operation (stable state) is 5 × 10 −4 T (5 gauss).
例えば、メインコイルでクエンチが発生すると、メインコイルを流れる電流が減少し、電磁誘導により、シールドコイル(第1シールドコイル)に流れる電流が増大する。そのため、シールドコイルの磁場が、通常運転時よりも大きくなり、メインコイル及びシールドコイルにおける磁場が乱される(すなわち、磁場のバランスが崩れる)。その結果、図5に示すように、メインコイルでクエンチが発生すると、漏洩磁場が、設定漏洩磁場よりも増大する。 For example, when quenching occurs in the main coil, the current flowing through the main coil decreases, and the current flowing through the shield coil (first shield coil) increases due to electromagnetic induction. Therefore, the magnetic field of the shield coil becomes larger than that during normal operation, and the magnetic field in the main coil and the shield coil is disturbed (that is, the balance of the magnetic field is lost). As a result, as shown in FIG. 5, when quenching occurs in the main coil, the leakage magnetic field increases more than the set leakage magnetic field.
なお、図5において、漏洩磁場が増大した後に減少するのは、シールドコイルに流れる誘導電流が臨界電流を超えたために、シールドコイルにおいてもクエンチが発生し、メインコイル及びシールドコイルの両方に電流が流れなくなるためである。 In FIG. 5, the decrease after the leakage magnetic field increases is that the induced current flowing in the shield coil exceeds the critical current, so that quenching occurs in the shield coil, and current flows in both the main coil and the shield coil. This is because it stops flowing.
ここでは、メインコイルでクエンチが発生した場合について説明したが、シールドコイルでクエンチが発生した場合にも、同様の磁場変化が生じる。 Although the case where quenching occurs in the main coil has been described here, the same magnetic field change occurs when quenching occurs in the shield coil.
(本実施形態の磁場発生装置における漏洩磁場変化)
次に、磁場発生装置1における漏洩磁場変化について、図4を用いて説明する。図4は、磁場発生装置1の外側(第2シールドコイル50の外側)の、ある基準位置(図2及び図3の点Fの位置)における漏洩磁場の時間変化を示している。また、図4の縦軸(漏洩磁場)は、絶対値であるとする。図に示すように、通常運転時における、点Fの位置での設定漏洩磁場は5×10−4 T(5ガウス)となっている。
(Leakage magnetic field change in the magnetic field generator of this embodiment)
Next, the leakage magnetic field change in the magnetic field generator 1 will be described with reference to FIG. FIG. 4 shows the change over time of the leakage magnetic field at a certain reference position (the position of the point F in FIGS. 2 and 3) outside the magnetic field generator 1 (outside the second shield coil 50). In addition, the vertical axis (leakage magnetic field) in FIG. 4 is an absolute value. As shown in the figure, the set leakage magnetic field at the position of the point F during normal operation is 5 × 10 −4 T (5 gauss).
例えば、メインコイル10でクエンチが発生すると、メインコイル10を流れる電流が減少し、電磁誘導により、第1シールドコイル20に流れる電流が増大する。そのため、第1シールドコイル20の磁場が通常運転時よりも大きくなり、メインコイル10及び第1シールドコイル20における磁場が乱される。すなわち、メインコイル10で発生する磁場と、第1シールドコイル20で発生する磁場とのバランスが崩れる。その結果、第1シールドコイル20の外側であって、且つ、第2シールドコイル50の内側の位置(図3の点Hの位置)における磁場が、通常運転時に比べて増大する。この際に、第2シールドコイル50に誘導電流が流れ、その結果、第2シールドコイル50には、増大した漏洩磁場を抑制するように磁場が生じる。そのため、図4に示すように、クエンチ発生後に、基準位置(点Fの位置)において、漏洩磁場が増大することなく、設定漏洩磁場(5×10−4T)のままで維持される。
For example, when quenching occurs in the
磁場発生装置1の運転を継続すると、メインコイル10及び第1シールドコイル20に流れる電流は、ゼロになるまで減衰する。それに伴い、第2シールドコイル50に発生する誘導電流もそれに伴い減衰する。従って、図4に示すように、漏洩磁場は最終的にゼロになる。なお、この漏洩磁場の減少の原因は、メインコイル10(又は第1シールドコイル20)におけるクエンチの発生に、直接の関連は無い。
When the operation of the magnetic field generator 1 is continued, the current flowing through the
ここでは、メインコイル10でクエンチが発生した場合について説明したが、第1シールドコイル20でクエンチが発生した場合にも、同様の磁場変化が生じる。
Although the case where quenching occurs in the
(効果)
次に、本実施形態に係る磁場発生装置1により得られる効果について説明する。
磁場発生装置1は、アクティブシールド方式によって漏れ磁場を低減するものであり、5つの超電導コイル(コイル10a、コイル10b、コイル10c、コイル10d、及びコイル10e)から成るメインコイル10と、2つの超電導コイル(コイル20a及びコイル20b)から成り、メインコイル10の径方向外側にメインコイル10と同心に配置され、メインコイル10に対して電気的に直列に接続された第1シールドコイル20と、メインコイル10に対して電気的に並列に接続され、クエンチ発生時にメインコイル10を保護するメインコイル保護回路30(回路30a、回路30b、回路30c、回路30d、及び回路30e)と、第1シールドコイル20に対して電気的に並列に接続され、クエンチ発生時に第1シールドコイル20を保護する第1シールドコイル保護回路40(回路40a及び回路40b)と、超電導コイルから成り、第1シールドコイル20の径方向外側に、第1シールドコイル20と同心に配置された第2シールドコイル50と、第2シールドコイル50の両端を短絡するように、第2シールドコイル50に対して電気的に接続された第2シールドコイル保護回路60と、を備える。
第2シールドコイル保護回路60には、双方向ダイオード61が含まれており、双方向ダイオード61のオン電圧Vonは、(i)メインコイル10及び第1シールドコイル20の、励磁又は消磁における磁場変化に起因した電磁誘導によって、第2シールドコイル50に発生する起電力Vmよりも大きく設定され、且つ、(ii)メインコイル10又は第1シールドコイル20のクエンチ発生時における磁場変化に起因した電磁誘導によって、第2シールドコイル50に発生する起電力Vq以下に設定されている。
(effect)
Next, the effect obtained by the magnetic field generator 1 according to this embodiment will be described.
The magnetic field generator 1 reduces a leakage magnetic field by an active shield system, and includes a
The second shield
この構成では、アクティブシールド方式により、第1シールドコイル20の外側に生じるメインコイル10の磁場が、第1シールドコイル20の磁場によって弱められ、漏洩磁場(磁束密度)が低減される。
また、この構成では、アクティブシールド方式の磁場発生装置に、第2シールドコイル50が設けられており、第2シールドコイル50は、電磁誘導により、漏洩磁場の増大を抑制する。そのため、メインコイル10又は第1シールドコイル20においてクエンチが発生した場合に、そのクエンチの発生位置や発生原因によらず、磁場発生装置から漏洩する磁場の増大を抑制することができる。
また、本構成では、メインコイル10又は第1シールドコイル20でのクエンチ発生時には、双方向ダイオード61に電流が流れるため、クエンチ発生時には、第2シールドコイル50が機能する。一方、メインコイル10及び第1シールドコイル20の励消磁(励磁又は消磁)の際には、双方向ダイオード61に電流が流れないため、励消磁の際に、第2シールドコイル50は機能しない。そのため、第2シールドコイル50によって磁場を乱されることなく、安定した励消磁を行なうことが可能となる。
In this configuration, the magnetic field of the
In this configuration, the
In this configuration, when a quench occurs in the
また、磁場発生装置1においては、第2シールドコイル50の軸方向長さL2が、メインコイル10及び第1シールドコイル20の、軸方向に関する最大の長さLm以上である。
この構成では、第2シールドコイル50が十分な長さを有するため、漏洩磁場の増大が、第2シールドコイル50によって確実に抑制される。
Moreover, in the magnetic field generator 1, the axial length L2 of the
In this configuration, since the
また、磁場発生装置1においては、メインコイル10及び第1シールドコイル20のそれぞれが分割型コイルとなっており、それぞれには複数のコイルが含まれる。これにより、MRI装置に要求される磁場均一度を満たすことが可能となる。
Moreover, in the magnetic field generator 1, each of the
(他の実施形態について)
本発明の実施の形態は、上記の実施形態には限られない。例えば、双方向ダイオードに含まれるダイオードの数は、2つには限られない。例として、双方向ダイオードに、直列接続された4つのダイオードが含まれ、この内、2つのダイオードがある方向に向けて配置され、他の2つがこれとは逆の方向に向けて配置されていてもよい。この場合には、双方向ダイオードのオン電流の値は、2つのダイオードのオン電流の合計値となる。
(About other embodiments)
The embodiment of the present invention is not limited to the above embodiment. For example, the number of diodes included in the bidirectional diode is not limited to two. As an example, a bidirectional diode includes four diodes connected in series, of which two diodes are arranged in one direction and the other two are arranged in the opposite direction. May be. In this case, the value of the on-current of the bidirectional diode is the sum of the on-currents of the two diodes.
また、上記の実施形態では、コイルの冷却方式が冷媒使用タイプであり、また、メインコイル10、第1シールドコイル20、及び第2シールドコイル50の冷媒槽として、同一の冷媒槽が使用されている。しかし、それぞれのコイルが、対応した冷媒槽内に配置されていてもよい。また、コイルの冷却方式は、冷媒を用いない、冷凍機使用タイプであってもよい。
Moreover, in said embodiment, the cooling system of a coil is a refrigerant | coolant use type, and the same refrigerant tank is used as a refrigerant tank of the
また、上記の実施形態においては、メインコイル10及び第1シールドコイル20が、それぞれ分割型コイルとなっており、複数のコイルから構成されている。これらは、それぞれ、分割型でなく、一つのコイルのみから構成されていてもよい。また、上記の実施形態では、第2シールドコイル50が、一つのコイルから成るが、第2シールドコイルもまた、複数のコイルから構成されるもの(分割型コイル)であってもよい。
Moreover, in said embodiment, the
また、双方向ダイオードのオン電圧Vonは、上記の式1を満たすように設定され、運転電流、磁場強度、測定空間のサイズなどにより変化するが、例えば、5〜10[V]程度とすることができる。 The on-state voltage V on of the bidirectional diode is set so as to satisfy the above formula 1, and varies depending on the operating current, the magnetic field strength, the size of the measurement space, etc., but is about 5 to 10 [V], for example. be able to.
本発明に係る磁場発生装置は、医療用のMRI装置として利用可能である。 The magnetic field generator according to the present invention can be used as a medical MRI apparatus.
1 磁場発生装置
5 第1回路
6 第2回路
10 メインコイル
10a、10b、10c、10d、10e メインコイルを構成するコイル
20 第1シールドコイル
20a、20b 第1シールドコイルを構成するコイル
30 メインコイル保護回路
30a、30b、30c、30d、30e メインコイル保護回路を構成する回路
31a、31b、31c、31d、31e 抵抗器
40 第1シールドコイル保護回路
40a、40b 第1シールドコイル保護回路を構成する回路
41a、41b 抵抗器
50 第2シールドコイル
60 第2シールドコイル保護回路
61 双方向ダイオード
61a、61b ダイオード
71 永久電流スイッチ
72 電源
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1
Claims (2)
超電導コイルから成るメインコイル(10)と、
超電導コイルから成り、前記メインコイルの径方向外側に前記メインコイルと同心に配置され、前記メインコイルに対して電気的に直列に接続された第1シールドコイル(20)と、
前記メインコイルに対して電気的に並列に接続され、クエンチ発生時に前記メインコイルを保護するメインコイル保護回路(30)と、
前記第1シールドコイルに対して電気的に並列に接続され、クエンチ発生時に前記第1シールドコイルを保護する第1シールドコイル保護回路(40)と、
超電導コイルから成り、前記第1シールドコイルの径方向外側に、前記第1シールドコイルと同心に配置された第2シールドコイル(50)と、
前記第2シールドコイルの両端を短絡するように、前記第2シールドコイルに対して電気的に接続された第2シールドコイル保護回路(60)と、を備え、
前記第2シールドコイル保護回路には、双方向ダイオード(61)が含まれており、
前記双方向ダイオードのオン電圧は、(i)前記メインコイル及び第1シールドコイルの、励磁又は消磁における磁場変化に起因した電磁誘導によって、前記第2シールドコイルに発生する起電力よりも大きく設定され、且つ、(ii)前記メインコイル又は前記第1シールドコイルのクエンチ発生時における磁場変化に起因した電磁誘導によって、前記第2シールドコイルに発生する起電力以下に設定されていることを特徴とする磁場発生装置。 A magnetic field generator (1) for reducing a leakage magnetic field by an active shield method,
A main coil (10) comprising a superconducting coil;
A first shield coil (20) comprising a superconducting coil, arranged concentrically with the main coil on the radially outer side of the main coil, and electrically connected in series to the main coil;
A main coil protection circuit (30) electrically connected in parallel to the main coil and protecting the main coil when a quench occurs;
A first shield coil protection circuit (40) connected in parallel to the first shield coil and protecting the first shield coil when a quench occurs;
A second shield coil (50) consisting of a superconducting coil and arranged concentrically with the first shield coil on the radially outer side of the first shield coil;
A second shield coil protection circuit (60) electrically connected to the second shield coil so as to short-circuit both ends of the second shield coil;
The second shield coil protection circuit includes a bidirectional diode (61),
The on-voltage of the bidirectional diode is set to be larger than (i) the electromotive force generated in the second shield coil due to electromagnetic induction caused by magnetic field change in excitation or demagnetization of the main coil and the first shield coil. And (ii) the electromotive force generated in the second shield coil is set to be equal to or less than the electromotive force generated in the second shield coil by electromagnetic induction caused by a magnetic field change when the main coil or the first shield coil is quenched. Magnetic field generator.
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019120517A (en) * | 2017-12-28 | 2019-07-22 | 住友重機械工業株式会社 | Superconducting magnetic shield device and magnetoencephalographic device |
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2009
- 2009-06-22 JP JP2009147560A patent/JP2011000368A/en active Pending
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