JP2010266957A - Regulator circuit - Google Patents
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- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
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Abstract
Description
本発明は、出力電圧を所定値にするレギュレータ回路に関する。 The present invention relates to a regulator circuit for setting an output voltage to a predetermined value.
図6は従来のレギュレータ回路の一例の構成図を示す。電源端子1には電源電圧Vinが印加されている。端子2に入力されるオン/オフ指示信号はオン/オフ回路3に供給される。オン/オフ回路3はオン/オフ指示信号でオンを指示されると、制御信号をハイレベルからローレベルに変化させ、pチャネルMOSトランジスタM1のゲート及びnチャネルMOSトランジスタM2のゲートに供給する。 FIG. 6 is a block diagram showing an example of a conventional regulator circuit. A power supply voltage Vin is applied to the power supply terminal 1. The on / off instruction signal input to the terminal 2 is supplied to the on / off circuit 3. When turned on by the on / off instruction signal, the on / off circuit 3 changes the control signal from the high level to the low level and supplies the control signal to the gate of the p-channel MOS transistor M1 and the gate of the n-channel MOS transistor M2.
MOSトランジスタM1はソースを電源端子1に接続され、ドレインを定電流回路4の一端に接続されている。MOSトランジスタM2はドレインを定電流回路4の他端に接続され、ソースを接地されている。定電流回路4の他端は定電圧回路5を介して接地されると共に、差動増幅器6の反転入力端子に接続されている。定電流回路4と定電圧回路5は基準電圧Vrefを発生する基準電圧発生部を構成している。オン/オフ回路3はMOSトランジスタM1,M2を用いて基準電圧発生部の動作を開始又は終了させるスイッチ部である。
The MOS transistor M 1 has a source connected to the power supply terminal 1 and a drain connected to one end of the constant current circuit 4. The MOS transistor M2 has a drain connected to the other end of the constant current circuit 4, and a source grounded. The other end of the constant current circuit 4 is grounded via the
出力トランジスタであるpチャネルMOSトランジスタM3のソースは電源端子1に接続され、ドレインは出力端子7に接続されると共に直列接続された抵抗R1,R2を介して接地され、ゲートは差動増幅器6の出力端子に接続されている。抵抗R1,R2の接続点は差動増幅器6の非反転入力端子に接続されている。
The source of the p-channel MOS transistor M3, which is an output transistor, is connected to the power supply terminal 1, the drain is connected to the
ここで、制御信号がハイレベルからローレベルとなると、MOSトランジスタM1がオン、MOSトランジスタM2がオフとなって、定電流回路4の出力電流が定電圧回路5を流れるため、差動増幅を行う差動増幅器6の反転入力端子に基準電圧Vrefが印加される。
Here, when the control signal changes from the high level to the low level, the MOS transistor M1 is turned on, the MOS transistor M2 is turned off, and the output current of the constant current circuit 4 flows through the
制御信号がハイレベルのとき差動増幅器6の出力する誤差信号の電圧は高く(ハイレベル)、MOSトランジスタM3はオフしている。制御信号がローレベルとなると差動増幅器6の出力する誤差信号の電圧が低下してMOSトランジスタM3はオンし、差動増幅器6は抵抗R1,R2の分圧電圧が基準電圧Vrefと一致するようMOSトランジスタM3のゲートに印加する誤差信号を可変制御する。これにより、出力端子7の電圧は一定に保持される。
When the control signal is at a high level, the voltage of the error signal output from the differential amplifier 6 is high (high level), and the MOS transistor M3 is off. When the control signal becomes a low level, the voltage of the error signal output from the differential amplifier 6 decreases, the MOS transistor M3 is turned on, and the differential amplifier 6 is such that the divided voltage of the resistors R1 and R2 matches the reference voltage Vref. The error signal applied to the gate of the MOS transistor M3 is variably controlled. Thereby, the voltage of the
なお、レギュレータ回路については各種の提案がなされている(例えば特許文献1,2,3等参照)。 Various proposals have been made for regulator circuits (see, for example, Patent Documents 1, 2, and 3).
図6に示すレギュレータ回路では電源投入時などに、基準電圧Vrefが安定する前にMOSトランジスタM1が完全にオンしてしまい、出力端子7の出力電圧は急激に上昇してオーバーシュートが発生するおそれがある。
In the regulator circuit shown in FIG. 6, when the power is turned on, the MOS transistor M1 is completely turned on before the reference voltage Vref is stabilized, and the output voltage at the
図7(A)に電源投入時の電源電圧Vinの変化を示し、図7(B)に出力端子7の出力電圧Voutの変化を示す。図7(B)ではオーバーシュートOSが発生している。このオーバーシュートは出力電圧Voutを供給される後続回路を破壊するおそれがあるという問題があった。
FIG. 7A shows a change in the power supply voltage Vin when the power is turned on, and FIG. 7B shows a change in the output voltage Vout of the
本発明は上記の点に鑑みてなされたもので、出力電圧におけるオーバーシュートの発生を抑えることができるレギュレータ回路を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above points, and an object thereof is to provide a regulator circuit capable of suppressing the occurrence of overshoot in the output voltage.
本発明の一実施態様によるレギュレータ回路は、基準電圧を発生する基準電圧発生部(4,5)と、制御信号を発生して前記基準電圧発生部の動作を開始又は終了させるスイッチ部(3,M1,M2)と、出力電圧に応じた電圧を前記基準電圧と差動増幅して誤差信号を出力する差動増幅部(6)と、前記誤差信号に応じて出力電圧を可変する出力トランジスタ(M3)を有するレギュレータ回路において、
前記制御信号のレベル変化を遅延して遅延制御信号を出力する遅延部(10)と、
前記遅延制御信号を用いて前記出力トランジスタを、遅延を持って動作開始させる遅延動作スイッチ部(M4,M5)と、を有する。
The regulator circuit according to an embodiment of the present invention includes a reference voltage generation unit (4, 5) that generates a reference voltage, and a switch unit (3, 3) that generates a control signal to start or end the operation of the reference voltage generation unit. M1, M2), a differential amplifier (6) for differentially amplifying a voltage corresponding to the output voltage with the reference voltage and outputting an error signal, and an output transistor (variable for the output voltage according to the error signal) In a regulator circuit having M3),
A delay unit (10) for delaying a level change of the control signal and outputting a delay control signal;
A delay operation switch unit (M4, M5) for starting the operation of the output transistor with a delay using the delay control signal;
好ましくは、前記遅延動作スイッチ部は、
前記出力トランジスタ(M3)のゲートとソース間にドレインとソースを接続された第1のトランジスタ(M4)と、
前記出力トランジスタのソースと接地間にドレインとソースを接続された第2のトランジスタ(M5)と、を有する。
Preferably, the delay operation switch unit is
A first transistor (M4) having a drain and a source connected between the gate and source of the output transistor (M3);
And a second transistor (M5) having a drain and a source connected between the source of the output transistor and the ground.
好ましくは、前記遅延動作スイッチ部は、
前記差動増幅部(6)の出力端子と前記出力トランジスタ(M3)のゲート間に設けられたアナログスイッチ(11)と、
前記出力トランジスタのソースと接地間にドレインとソースを接続された第2のトランジスタ(M5)と、を有する。
Preferably, the delay operation switch unit is
An analog switch (11) provided between the output terminal of the differential amplifier (6) and the gate of the output transistor (M3);
And a second transistor (M5) having a drain and a source connected between the source of the output transistor and the ground.
なお、上記括弧内の参照符号は、理解を容易にするために付したものであり、一例にすぎず、図示の態様に限定されるものではない。 Note that the reference numerals in the parentheses are given for ease of understanding, are merely examples, and are not limited to the illustrated modes.
本発明によれば、出力電圧におけるオーバーシュートの発生を抑えることができる。 According to the present invention, the occurrence of overshoot in the output voltage can be suppressed.
以下、図面に基づいて本発明の実施形態について説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
<レギュレータ回路の構成>
図1は本発明のレギュレータ回路の第1実施形態の構成図を示す。図1において、図6と同一部分には同一符号を付す。
<Configuration of regulator circuit>
FIG. 1 shows a block diagram of a first embodiment of a regulator circuit of the present invention. In FIG. 1, the same parts as those in FIG.
図1において、電源端子1には電源電圧Vinが供給されている。端子2に入力されるオン/オフ指示信号はオン/オフ回路3に供給される。オン/オフ回路3はオン/オフ指示信号でオンを指示されると、制御信号をハイレベルからローレベルに変化させ、pチャネルMOSトランジスタM1のゲート及びnチャネルMOSトランジスタM2のゲート、及び遅延回路10それぞれに供給する。 In FIG. 1, a power supply voltage Vin is supplied to the power supply terminal 1. The on / off instruction signal input to the terminal 2 is supplied to the on / off circuit 3. When the on / off circuit 3 is instructed to be turned on by the on / off instruction signal, the control signal is changed from the high level to the low level, the gate of the p-channel MOS transistor M1, the gate of the n-channel MOS transistor M2, and the delay circuit. Supply to 10 each.
MOSトランジスタM1はソースを電源端子1に接続され、ドレインを定電流回路4の一端に接続されている。MOSトランジスタM2はドレインを定電流回路4の他端に接続され、ソースを接地されている。定電流回路4の他端は定電圧回路5を介して接地されると共に、差動増幅器6の反転入力端子に接続されている。定電流回路4と定電圧回路5は基準電圧Vrefを発生する基準電圧発生部を構成している。オン/オフ回路3はMOSトランジスタM1,M2を用いて基準電圧発生部の動作を開始又は終了させるスイッチ部である。
The MOS transistor M 1 has a source connected to the power supply terminal 1 and a drain connected to one end of the constant current circuit 4. The MOS transistor M2 has a drain connected to the other end of the constant current circuit 4, and a source grounded. The other end of the constant current circuit 4 is grounded via the
出力トランジスタであるpチャネルMOSトランジスタM3のソースは電源端子1に接続され、ドレインは出力端子7に接続されると共に直列接続された抵抗R1,R2を介して接地され、ゲートは差動増幅器6の出力端子に接続されている。抵抗R1,R2の接続点は差動増幅器6の非反転入力端子に接続されている。
The source of the p-channel MOS transistor M3, which is an output transistor, is connected to the power supply terminal 1, the drain is connected to the
遅延回路10は、制御信号のハイレベルからローレベルへの変化を遅延して、ハイレベルから遅延を持ってローレベルに変化するHL制御信号(遅延制御信号)と、ローレベルから遅延を持ってハイレベルに変化するLH制御信号(遅延制御信号)を生成する。遅延回路10はLH制御信号をpチャネルMOSトランジスタM4のゲートに供給し、HL制御信号をnチャネルMOSトランジスタM5のゲートに供給する。
The
MOSトランジスタM4はソースを電源端子1に接続され、ドレインをMOSトランジスタM3のゲートに接続されている。MOSトランジスタM5はドレインを出力端子7に接続され、ソースを接地されている。MOSトランジスタM4,M5は出力トランジスタであるMOSトランジスタM3を、電源投入又はオン/オフ回路3のオンから遅延を持って動作開始させる遅延動作スイッチ部を構成している。
The MOS transistor M4 has a source connected to the power supply terminal 1 and a drain connected to the gate of the MOS transistor M3. The MOS transistor M5 has a drain connected to the
<遅延回路の構成>
図2は遅延回路10の一実施形態の回路図を示す。図2において、端子20には電源電圧Vinが供給され、端子21は接地(GND)されている。端子22には制御信号が供給され、端子23にはバイアス電圧が供給される。
<Configuration of delay circuit>
FIG. 2 shows a circuit diagram of an embodiment of the
pチャネルMOSトランジスタM11,M12は縦型接続されており、MOSトランジスタM11のソースは端子20から電源電圧Vinを供給され、MOSトランジスタM12のドレインはMOSトランジスタM11,M12のゲート及びnチャネルMOSトランジスタM13のドレインに接続されている。MOSトランジスタM13はゲートに端子23からバイアス電圧を供給され、ソースを端子21に接続されて接地されている。MOSトランジスタM11〜M13はカレントミラー構成の電流源として動作する。 The p-channel MOS transistors M11 and M12 are vertically connected, the source of the MOS transistor M11 is supplied with the power supply voltage Vin from the terminal 20, the drain of the MOS transistor M12 is the gates of the MOS transistors M11 and M12, and the n-channel MOS transistor M13. Connected to the drain. In the MOS transistor M13, a gate is supplied with a bias voltage from a terminal 23, and a source is connected to the terminal 21 and grounded. MOS transistors M11 to M13 operate as a current source having a current mirror configuration.
nチャネルMOSトランジスタM14のゲートには端子22から制御信号が供給される。MOSトランジスタM14のソースは接地され、MOSトランジスタM14のドレインはコンデンサC1の一端及びpチャネルMOSトランジスタM16のドレインに接続されている。 A control signal is supplied from the terminal 22 to the gate of the n-channel MOS transistor M14. The source of the MOS transistor M14 is grounded, and the drain of the MOS transistor M14 is connected to one end of the capacitor C1 and the drain of the p-channel MOS transistor M16.
pチャネルMOSトランジスタM15,M16は縦型接続されており、MOSトランジスタM15のソースは端子20から電源電圧Vinを供給され、MOSトランジスタM16のドレインはMOSトランジスタM14のドレインに接続され、MOSトランジスタM15,M16のゲートはMOSトランジスタM11,M12のゲートに接続されている。MOSトランジスタM11,M12,M15,M16はカレントミラー構成である。 The p-channel MOS transistors M15 and M16 are vertically connected, the source of the MOS transistor M15 is supplied with the power supply voltage Vin from the terminal 20, the drain of the MOS transistor M16 is connected to the drain of the MOS transistor M14, The gate of M16 is connected to the gates of MOS transistors M11 and M12. MOS transistors M11, M12, M15, and M16 have a current mirror configuration.
更に、コンデンサC1の一端は第1段のインバータを構成するpチャネルMOSトランジスタM17及びnチャネルMOSトランジスタM18のゲートに接続され、コンデンサC1の他端は接地されている。MOSトランジスタM17のソースは端子20から電源電圧Vinを供給され、MOSトランジスタM17のドレインは過電流防止用の抵抗R11を介してMOSトランジスタM18のドレインに接続されている。MOSトランジスタM18のソースは接地されている。 Further, one end of the capacitor C1 is connected to the gates of the p-channel MOS transistor M17 and the n-channel MOS transistor M18 constituting the first stage inverter, and the other end of the capacitor C1 is grounded. The source of the MOS transistor M17 is supplied with the power supply voltage Vin from the terminal 20, and the drain of the MOS transistor M17 is connected to the drain of the MOS transistor M18 via the resistor R11 for preventing overcurrent. The source of the MOS transistor M18 is grounded.
更に、MOSトランジスタM17のドレインはHL制御信号を出力する端子24に接続されると共に、第2段のインバータを構成するpチャネルMOSトランジスタM19及びnチャネルMOSトランジスタM20のゲートに接続されている。MOSトランジスタM19のソースは端子20から電源電圧Vinを供給され、MOSトランジスタM19のドレインはHL制御信号を出力する端子25に接続されると共に過電流防止用の抵抗R12を介してMOSトランジスタM20のドレインに接続されている。MOSトランジスタM20のソースは接地されている。 Further, the drain of the MOS transistor M17 is connected to the terminal 24 for outputting the HL control signal, and is connected to the gates of the p-channel MOS transistor M19 and the n-channel MOS transistor M20 that constitute the second stage inverter. The source of the MOS transistor M19 is supplied with the power supply voltage Vin from the terminal 20, the drain of the MOS transistor M19 is connected to the terminal 25 that outputs the HL control signal, and the drain of the MOS transistor M20 is connected via the resistor R12 for preventing overcurrent. It is connected to the. The source of the MOS transistor M20 is grounded.
ここで、端子22に供給される制御信号がハイレベルのとき、MOSトランジスタM14はオンしコンデンサC1を放電する。 Here, when the control signal supplied to the terminal 22 is at a high level, the MOS transistor M14 is turned on to discharge the capacitor C1.
制御信号がハイレベルからローレベルとなると、MOSトランジスタM14がオフし、コンデンサC1はMOSトランジスタM16のドレイン電流(例えば数10nA〜数100nA)によって緩やかに充電される。このときのMOSトランジスタM16のドレインであるA点の電圧を図3(A)に示す。図3(A)において、制御信号は時刻t1にハイレベルからローレベルに変化してコンデンサC1の充電が開始され、時刻t2に充電が終了している。 When the control signal changes from the high level to the low level, the MOS transistor M14 is turned off, and the capacitor C1 is slowly charged by the drain current (for example, several tens of nA to several hundreds of nA) of the MOS transistor M16. The voltage at point A, which is the drain of the MOS transistor M16 at this time, is shown in FIG. In FIG. 3A, the control signal changes from a high level to a low level at time t1, charging of the capacitor C1 is started, and charging is completed at time t2.
そして、時刻t2の近傍において第1段のインバータを構成するMOSトランジスタM17,M18が導通を開始し、端子24から出力されるHL制御信号は図3(B)に示すように遅延を持って時刻t3にローレベルとなる。これと共に、第2段のインバータを構成するMOSトランジスタM19,M20が導通して、端子25から出力されるLH制御信号は図3(C)に示すように遅延を持って時刻t3にハイレベルとなる。 In the vicinity of time t2, the MOS transistors M17 and M18 constituting the first stage inverter start to conduct, and the HL control signal output from the terminal 24 has a delay as shown in FIG. It becomes a low level at t3. At the same time, the MOS transistors M19 and M20 constituting the second stage inverter are turned on, and the LH control signal output from the terminal 25 is set to the high level at time t3 with a delay as shown in FIG. Become.
<図1の回路の動作>
図1において、制御信号がハイレベルからローレベルとなると、MOSトランジスタM1がオン、MOSトランジスタM2がオフとなって、定電流回路4の出力電流が定電圧回路5を流れるため、差動増幅を行う差動増幅器6の反転入力端子に基準電圧Vrefが印加される。
<Operation of Circuit in FIG. 1>
In FIG. 1, when the control signal changes from the high level to the low level, the MOS transistor M1 is turned on and the MOS transistor M2 is turned off, and the output current of the constant current circuit 4 flows through the
制御信号がハイレベルのとき差動増幅器6の出力する誤差信号の電圧は高く(ハイレベル)、MOSトランジスタM3はオフしている。また、遅延回路10はLH制御信号をローレベルとしているためMOSトランジスタM4はオンしており、HL制御信号をハイレベルとしているためMOSトランジスタM5はオンしている。このため、出力端子7の出力電圧は接地レベルとなっている。
When the control signal is at a high level, the voltage of the error signal output from the differential amplifier 6 is high (high level), and the MOS transistor M3 is off. Further, since the
制御信号がハイレベルからローレベルとなると差動増幅器6の出力する誤差信号の電圧が低下してMOSトランジスタM3はオンする。これと共に、LH制御信号が遅延を持ってハイレベルとなるためMOSトランジスタM4は遅延を持ってハイインピーダンス状態となり、HL制御信号が遅延を持ってローレベルとなるためMOSトランジスタM5は遅延を持ってハイインピーダンス状態となる。このように、MOSトランジスタM4,M5が遅延を持ってハイインピーダンス状態となることにより、出力端子7の出力電圧は基準電圧Vrefが安定したのち上昇し、オーバーシュートが発生することはない。
When the control signal changes from the high level to the low level, the voltage of the error signal output from the differential amplifier 6 decreases and the MOS transistor M3 is turned on. At the same time, since the LH control signal goes to a high level with a delay, the MOS transistor M4 goes to a high impedance state with a delay, and since the HL control signal goes to a low level with a delay, the MOS transistor M5 has a delay. It becomes a high impedance state. As described above, the MOS transistors M4 and M5 enter the high impedance state with a delay, so that the output voltage of the
この後、差動増幅器6は抵抗R1,R2の分圧電圧が基準電圧Vrefと一致するようMOSトランジスタM3のゲートに印加する誤差信号を可変制御する。これにより、出力端子7の電圧は一定に保持される。
Thereafter, the differential amplifier 6 variably controls the error signal applied to the gate of the MOS transistor M3 so that the divided voltage of the resistors R1 and R2 matches the reference voltage Vref. Thereby, the voltage of the
図4(A)に電源投入時の電源電圧Vinの変化を示し、図4(B)に出力端子7の出力電圧Voutの変化を示す。図4(B)ではオーバーシュートOSの発生が抑制されている。
FIG. 4A shows a change in the power supply voltage Vin when the power is turned on, and FIG. 4B shows a change in the output voltage Vout of the
<レギュレータ回路の他の構成>
図5は本発明のレギュレータ回路の第2実施形態の構成図を示す。図5において、図6と同一部分には同一符号を付す。
<Other configurations of regulator circuit>
FIG. 5 shows a block diagram of a second embodiment of the regulator circuit of the present invention. In FIG. 5, the same parts as those in FIG.
図5において、電源端子1には電源電圧Vinが供給されている。端子2に入力されるオン/オフ指示信号はオン/オフ回路3に供給される。オン/オフ回路3はオン/オフ指示信号でオンを指示されると、制御信号をハイレベルからローレベルに変化させ、pチャネルMOSトランジスタM1のゲート及びnチャネルMOSトランジスタM2のゲート、及び遅延回路10それぞれに供給する。 In FIG. 5, a power supply voltage Vin is supplied to the power supply terminal 1. The on / off instruction signal input to the terminal 2 is supplied to the on / off circuit 3. When the on / off circuit 3 is instructed to be turned on by the on / off instruction signal, the control signal is changed from the high level to the low level, the gate of the p-channel MOS transistor M1, the gate of the n-channel MOS transistor M2, and the delay circuit. Supply to 10 each.
MOSトランジスタM1はソースを電源端子1に接続され、ドレインを定電流回路4の一端に接続されている。MOSトランジスタM2はドレインを定電流回路4の他端に接続され、ソースを接地されている。定電流回路4の他端は定電圧回路5を介して接地されると共に、差動増幅器6の反転入力端子に接続されている。定電流回路4と定電圧回路5は基準電圧Vrefを発生する基準電圧発生部を構成している。オン/オフ回路3はMOSトランジスタM1,M2を用いて基準電圧発生部の動作を開始又は終了させるスイッチ部である。
The MOS transistor M 1 has a source connected to the power supply terminal 1 and a drain connected to one end of the constant current circuit 4. The MOS transistor M2 has a drain connected to the other end of the constant current circuit 4, and a source grounded. The other end of the constant current circuit 4 is grounded via the
出力トランジスタであるpチャネルMOSトランジスタM3のソースは電源端子1に接続され、ドレインは出力端子7に接続されると共に直列接続された抵抗R1,R2を介して接地され、ゲートは差動増幅器6の出力端子に接続されている。抵抗R1,R2の接続点は差動増幅器6の非反転入力端子に接続されている。
The source of the p-channel MOS transistor M3, which is an output transistor, is connected to the power supply terminal 1, the drain is connected to the
遅延回路10は、制御信号のハイレベルからローレベルへの変化を遅延して、ハイレベルから遅延を持ってローレベルに変化するHL制御信号(遅延制御信号)と、ローレベルから遅延を持ってハイレベルに変化するLH制御信号(遅延制御信号)を生成する。遅延回路10はLH制御信号をアナログスイッチ11の制御端子に供給し、HL制御信号をnチャネルMOSトランジスタM5のゲートに供給する。
The
アナログスイッチ11は差動増幅器6の出力端子とMOSトランジスタM3のゲートの間に接続されており、制御端子に供給されるLH制御信号がローレベルのとき遮断し、LH制御信号レベルが上昇するにつれて徐々に導通し、LH制御信号がハイレベルとなると完全に導通する。MOSトランジスタM5はドレインを出力端子7に接続され、ソースを接地されている。アナログスイッチ11及びMOSトランジスタM5は出力トランジスタであるMOSトランジスタM3を、電源投入又はオン/オフ回路3のオンから遅延を持って動作開始させる遅延動作スイッチ部を構成している。
The
<図5の回路の動作>
図5において、制御信号がハイレベルからローレベルとなると、MOSトランジスタM1がオン、MOSトランジスタM2がオフとなって、定電流回路4の出力電流が定電圧回路5を流れるため、差動増幅を行う差動増幅器6の反転入力端子に基準電圧Vrefが印加される。
<Operation of Circuit in FIG. 5>
In FIG. 5, when the control signal changes from the high level to the low level, the MOS transistor M1 is turned on, the MOS transistor M2 is turned off, and the output current of the constant current circuit 4 flows through the
制御信号がハイレベルのとき差動増幅器6の出力する誤差信号の電圧は高く(ハイレベル)、MOSトランジスタM3はオフしている。また、遅延回路10はLH制御信号をローレベルとしているためアナログスイッチ11は遮断しており、HL制御信号をハイレベルとしているためMOSトランジスタM5はオンしている。このため、出力端子7の出力電圧は接地レベルとなっている。
When the control signal is at a high level, the voltage of the error signal output from the differential amplifier 6 is high (high level), and the MOS transistor M3 is off. Since the
制御信号がハイレベルからローレベルとなると差動増幅器6の出力する誤差信号の電圧が低下してMOSトランジスタM3はオンする。これと共に、LH制御信号が遅延を持ってハイレベルとなるためアナログスイッチ11は遅延を持って導通状態となり、HL制御信号が遅延を持ってローレベルとなるためMOSトランジスタM5は遅延を持ってハイインピーダンス状態となる。このように、アナログスイッチ11は遅延を持って導通し、MOSトランジスタM5が遅延を持ってハイインピーダンス状態となることにより、出力端子7の出力電圧は基準電圧Vrefが安定したのち上昇し、オーバーシュートが発生することはない。
When the control signal changes from the high level to the low level, the voltage of the error signal output from the differential amplifier 6 decreases and the MOS transistor M3 is turned on. At the same time, since the LH control signal becomes high level with a delay, the
この後、差動増幅器6は抵抗R1,R2の分圧電圧が基準電圧Vrefと一致するようMOSトランジスタM3のゲートに印加する誤差信号を可変制御する。これにより、出力端子7の電圧は一定に保持される。
Thereafter, the differential amplifier 6 variably controls the error signal applied to the gate of the MOS transistor M3 so that the divided voltage of the resistors R1 and R2 matches the reference voltage Vref. Thereby, the voltage of the
3 オン/オフ回路
4 定電流回路
5 定電圧回路
6 差動増幅器
10 遅延回路
11 アナログスイッチ
C1 コンデンサ
M1〜M20 MOSトランジスタ
R1〜R12 抵抗
3 ON / OFF circuit 4 constant
Claims (3)
前記制御信号のレベル変化を遅延して遅延制御信号を出力する遅延部と、
前記遅延制御信号を用いて前記出力トランジスタを、遅延を持って動作開始させる遅延動作スイッチ部と、
を有することを特徴とするレギュレータ回路。 A reference voltage generating unit that generates a reference voltage, a switch unit that generates a control signal to start or end the operation of the reference voltage generating unit, and differentially amplifies a voltage corresponding to an output voltage with the reference voltage to generate an error. In a regulator circuit having a differential amplifier that outputs a signal and an output transistor that varies an output voltage according to the error signal,
A delay unit that delays a level change of the control signal and outputs a delay control signal;
A delay operation switch unit for starting the operation of the output transistor with a delay using the delay control signal;
A regulator circuit comprising:
前記遅延動作スイッチ部は、
前記出力トランジスタのゲートとソース間にドレインとソースを接続された第1のトランジスタと、
前記出力トランジスタのソースと接地間にドレインとソースを接続された第2のトランジスタと、
を有することを特徴とするレギュレータ回路。 The regulator circuit according to claim 1,
The delay operation switch unit is
A first transistor having a drain and a source connected between the gate and source of the output transistor;
A second transistor having a drain and a source connected between the source of the output transistor and ground;
A regulator circuit comprising:
前記遅延動作スイッチ部は、
前記差動増幅部の出力端子と前記出力トランジスタのゲート間に設けられたアナログスイッチと、
前記出力トランジスタのソースと接地間にドレインとソースを接続された第2のトランジスタと、
を有することを特徴とするレギュレータ回路。 The regulator circuit according to claim 1,
The delay operation switch unit is
An analog switch provided between the output terminal of the differential amplifier and the gate of the output transistor;
A second transistor having a drain and a source connected between the source of the output transistor and ground;
A regulator circuit comprising:
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009115840A JP5434248B2 (en) | 2009-05-12 | 2009-05-12 | Regulator circuit |
CN201010177816.3A CN101887284B (en) | 2009-05-12 | 2010-05-11 | Regulating circuit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009115840A JP5434248B2 (en) | 2009-05-12 | 2009-05-12 | Regulator circuit |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010266957A true JP2010266957A (en) | 2010-11-25 |
JP5434248B2 JP5434248B2 (en) | 2014-03-05 |
Family
ID=43073234
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009115840A Active JP5434248B2 (en) | 2009-05-12 | 2009-05-12 | Regulator circuit |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5434248B2 (en) |
CN (1) | CN101887284B (en) |
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- 2009-05-12 JP JP2009115840A patent/JP5434248B2/en active Active
-
2010
- 2010-05-11 CN CN201010177816.3A patent/CN101887284B/en not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5434248B2 (en) | 2014-03-05 |
CN101887284B (en) | 2014-07-23 |
CN101887284A (en) | 2010-11-17 |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
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