JP2010245971A - High frequency interruption circuit - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、マイクロ波回路、ミリ波回路等の高周波回路に用いられ、この高周波回路を伝搬する高周波信号を遮断する性質を示す高周波遮断回路に関する。 The present invention relates to a high-frequency cutoff circuit that is used in a high-frequency circuit such as a microwave circuit or a millimeter-wave circuit, and that has a property of blocking a high-frequency signal propagating through the high-frequency circuit.
マイクロ波回路、ミリ波回路等の高周波回路において、例えばFET(Field Effect Transistor:電界効果トランジスタ)を用いた増幅器のドレインバイアス回路に高周波信号の基本波成分やその基本波の高調波成分が漏洩し、ゲートバイアス回路に結合すると、ドレインバイアス回路とゲートバイアス回路との間で帰還ループが形成され、ループ発振が発生して増幅器の不安定動作の要因となる虞がある。このため、ゲートバイアス回路やドレインバイアス回路などへの高周波信号の基本波成分や高調波成分の漏洩を防止する必要がある。 In a high frequency circuit such as a microwave circuit or a millimeter wave circuit, for example, a fundamental wave component of a high frequency signal or a harmonic component of the fundamental wave leaks to a drain bias circuit of an amplifier using an FET (Field Effect Transistor). When coupled to the gate bias circuit, a feedback loop is formed between the drain bias circuit and the gate bias circuit, and loop oscillation may occur, which may cause unstable operation of the amplifier. For this reason, it is necessary to prevent leakage of the fundamental wave component and the harmonic component of the high frequency signal to the gate bias circuit and the drain bias circuit.
なお、マイクロ波回路、ミリ波回路等の高周波回路において、マイクロストリップ線路導体で形成された平行結合の帯域阻止フィルタの中心周波数を調整する技術を開示した文献として、下記特許文献1などが存在する。 In addition, as a document disclosing a technique for adjusting a center frequency of a parallel-band band-stop filter formed of a microstrip line conductor in a high-frequency circuit such as a microwave circuit or a millimeter wave circuit, there is Patent Document 1 below. .
この特許文献1では、信号の1/2波長の長さをもつ共振線路を中心で折り曲げ、端から1/4波長の長さの部分を主伝送路に平行に接近させることで容量性スタブとし、残りの1/4波長の長さの部分をオープンスタブとする帯域阻止フィルタにおいて、中心で折り曲げた部分にスリットを設け、そのスリットを導体板や導電性ペーストで埋めることで、共振線路の共振周波数を調整し、帯域阻止フィルタの中心周波数を調整する技術が開示されている。 In this Patent Document 1, a capacitive stub is formed by bending a resonance line having a length of ½ wavelength of a signal at the center and bringing a portion having a length of ¼ wavelength from the end in parallel to the main transmission line. In the band rejection filter with the remaining 1/4 wavelength length as an open stub, a slit is provided in the bent portion at the center, and the slit is filled with a conductive plate or conductive paste, thereby resonating the resonance line. A technique for adjusting the frequency and adjusting the center frequency of the band rejection filter is disclosed.
しかしながら、上記特許文献1に示された技術では、中心周波数を高周波信号の基本波および複数の高調波に設定した複数の帯域阻止フィルタを構成する必要があり、回路規模が大きくなる、という問題があった。また、例えば増幅器のゲートバイアス回路およびドレインバイアス回路にそれぞれ適用した場合には、互いの帯域阻止フィルタの主伝送路を近接して配置すると、2つの主伝送路で結合線路が形成され、設定した周波数以外の帯域の高調波成分が結合し、ループ発振が発生する虞がある。このため、増幅器を安定して動作させるためには、互いの帯域阻止フィルタの主伝送路を離して配置しなければならず、回路面積が大きくなる、という問題があった。 However, in the technique disclosed in Patent Document 1, it is necessary to configure a plurality of band rejection filters whose center frequencies are set to a fundamental wave and a plurality of harmonics of a high-frequency signal, which increases the circuit scale. there were. Further, for example, when applied to a gate bias circuit and a drain bias circuit of an amplifier, when the main transmission lines of the band rejection filters are arranged close to each other, a coupling line is formed and set by the two main transmission lines. Harmonic components in bands other than the frequency may be combined and loop oscillation may occur. For this reason, in order to operate the amplifier stably, there is a problem in that the main transmission lines of the band rejection filters must be arranged apart from each other, resulting in a large circuit area.
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、高周波回路の高密度レイアウトを可能とする高周波遮断回路を得ることを目的とする。 The present invention has been made in view of the above, and an object thereof is to obtain a high-frequency cutoff circuit that enables a high-density layout of a high-frequency circuit.
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明は、誘電体基板と、誘電体基板の下面に設けられた地導体と、誘電体基板の上面に設けられたマイクロストリップ線路導体とから構成される高周波回路の高周波遮断回路であって、高周波回路を伝搬する高周波信号の基本波成分において1/2波長の長さを有し、両端部を入力端として平行に配設された一対の伝送線路で形成された結合線路と、基本波成分において1/4波長の長さを有し、前記各入力端の一方および他方のそれぞれに接続されて形成されたオープンスタブと、を備えたことを特徴とする。 In order to solve the above-described problems and achieve the object, the present invention provides a dielectric substrate, a ground conductor provided on the lower surface of the dielectric substrate, and a microstrip line conductor provided on the upper surface of the dielectric substrate. A high-frequency cutoff circuit of a high-frequency circuit comprising: a pair having a length of ½ wavelength in a fundamental wave component of a high-frequency signal propagating through the high-frequency circuit and arranged in parallel with both ends as input ends A coupled line formed of a transmission line of the above, and an open stub having a length of ¼ wavelength in the fundamental wave component and connected to one of the input ends and the other of the input ends. It is characterized by that.
この発明によれば、基本波成分において1/2波長の長さの2つの伝送線路を平行して配置して結合線路を形成し、2つの伝送線路の両端部に、それぞれ基本波成分において1/4波長の長さのオープンスタブを接続して構成することにより、伝送線路とオープンスタブとの接合部前後において基本波成分および奇高調波成分の伝搬を抑制し、方向性結合器として作用する結合線路において基本波成分、奇高調波成分、および偶高調波成分の結合を抑制するようにしたので、結合線路において対向する入力端間の基本波成分、偶高調波成分、および奇高調波成分の漏洩を防止することができ、高周波回路の高密度レイアウトが可能となる、という効果を奏する。 According to the present invention, two transmission lines having a wavelength of ½ wavelength in the fundamental wave component are arranged in parallel to form a coupled line, and 1% of the fundamental wave component is provided at each end of the two transmission lines. By connecting open stubs with a length of / 4 wavelength, propagation of the fundamental wave component and odd harmonic components is suppressed before and after the junction between the transmission line and the open stub, and it acts as a directional coupler. Since coupling of the fundamental wave component, odd harmonic component, and even harmonic component is suppressed in the coupled line, the fundamental wave component, even harmonic component, and odd harmonic component between the input terminals facing each other in the coupled line Leakage can be prevented and a high-density layout of the high-frequency circuit can be achieved.
以下に、本発明にかかる高周波遮断回路の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施の形態によりこの発明が限定されるものではない。 Embodiments of a high-frequency cutoff circuit according to the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. Note that the present invention is not limited to the embodiments.
実施の形態1.
マイクロ波回路、ミリ波回路等の高周波回路において、複数の高周波回路を近接して配置すると、高周波回路を伝搬する高周波信号の基本波成分(以下、単に「基本波成分」という)およびその高調波成分(以下、単に「高調波成分」という)の結合が発生して高周波回路の不安定動作の要因となる虞がある。例えば、FETを用いた増幅器のドレインバイアス回路に基本波成分および高調波成分が漏洩し、ゲートバイアス回路に結合すると、ドレインバイアス回路とゲートバイアス回路との間で帰還ループが形成され、ループ発振が発生する要因となる。したがって、実施の形態1では、例えばFETのドレインバイアス回路およびゲートバイアス回路に適用した場合でも、ゲートおよびドレイン間において互いの基本波成分および高調波成分の漏洩を防止する構成とする。
Embodiment 1 FIG.
In a high-frequency circuit such as a microwave circuit or a millimeter-wave circuit, when a plurality of high-frequency circuits are arranged close to each other, a fundamental wave component (hereinafter simply referred to as “fundamental wave component”) of a high-frequency signal propagating through the high-frequency circuit and its harmonics There is a risk that coupling of components (hereinafter simply referred to as “harmonic components”) may occur and cause unstable operation of the high-frequency circuit. For example, if the fundamental wave component and the harmonic component leak to the drain bias circuit of the amplifier using the FET and are coupled to the gate bias circuit, a feedback loop is formed between the drain bias circuit and the gate bias circuit, and loop oscillation occurs. It becomes a factor to occur. Therefore, in the first embodiment, even when applied to a drain bias circuit and a gate bias circuit of an FET, for example, the fundamental wave component and the harmonic component are prevented from leaking between the gate and the drain.
図1は、実施の形態1にかかる高周波遮断回路の一例を示す図である。まず、実施の形態1にかかる高周波遮断回路の構成について、図1を参照して説明する。図1において、高周波遮断回路100は、基本波成分において1/2波長の長さで特性インピーダンスZ0となる伝送線路3および伝送線路4が近接して平行配置され、結合線路30が形成される。各伝送線路3,4の各端部(両端部)には、基本波成分において1/4波長の長さのオープンスタブ5,6,7,8が接続される。なお、伝送線路3,4およびオープンスタブ5,6,7,8は、誘電体基板(図示せず)上において、マイクロストリップ線路導体で形成することができる。
FIG. 1 is a diagram illustrating an example of a high-frequency cutoff circuit according to the first embodiment. First, the configuration of the high-frequency cutoff circuit according to the first embodiment will be described with reference to FIG. In FIG. 1, a high-
このように構成された高周波遮断回路100において、伝送線路3とオープンスタブ5との接合部を入力端1、伝送線路4とオープンスタブ7との接合部を入力端2、伝送線路3とオープンスタブ6との接合部を入力端9、伝送線路4とオープンスタブ8との接合部を入力端10としている。また、結合線路30は、方向性結合器として作用する。
In the high-
つぎに、高周波遮断回路100の機能動作について、図1を参照して説明する。ここでは、入力端1に接続された高周波回路(図示せず)において、基本波成分、1/(2N)波長(Nは1以上の整数)の高調波成分(以下、「偶高調波成分」という)、および1/(2N+1)波長の高調波成分(以下、「奇高調波成分」という)を含む信号を扱っている場合の、入力端1から各入力端2,9,10への漏洩防止機能について説明する。
Next, the functional operation of the high-
まず、基本波成分および奇高調波成分の漏洩防止機能について説明する。基本波成分および奇高調波成分において、伝送線路3とオープンスタブ5との接合部が接地点と見做せるので、入力端1に接続された高周波回路(図示せず)に全反射される。しかしながら、伝送線路3とオープンスタブ5との接合部を理想的な接地とすることは困難であるので、実際には全反射されず、基本波成分および奇高調波成分の一部は伝送線路3に伝搬する。
First, the leakage prevention function of the fundamental wave component and the odd harmonic component will be described. In the fundamental wave component and the odd harmonic component, since the junction between the
伝送線路3に伝搬した基本波成分および奇高調波成分は、基本波成分は基本波の2倍の波長の信号の2倍波と見做せ、奇高調波成分は基本波の2倍の波長の信号の2(2N+1)倍波(Nは1以上の整数)と見做せるので、結合線路30が偶奇モードの電気長が一致する理想的な方向性結合器として作用する場合には、伝送線路3と伝送線路4との間において結合は発生しないが、伝送線路3,4を理想的な方向性結合器とすることは困難であるので、実際には基本波成分および奇高調波成分の一部は結合し、伝送線路4に伝搬する。
The fundamental wave component and the odd harmonic component propagated to the
伝送線路4に伝搬した基本波成分および奇高調波成分は、伝送線路4とオープンスタブ7との接合部が接地点と見做せるので、伝送線路4側に全反射される。しかしながら、伝送線路4とオープンスタブ7との接合部を理想的な接地とすることは困難であるので、実際には全反射されず、基本波成分および奇高調波成分の一部は入力端2に伝搬する。
The fundamental wave component and the odd harmonic component propagated to the transmission line 4 are totally reflected on the transmission line 4 side because the junction between the transmission line 4 and the open stub 7 can be regarded as a ground point. However, since it is difficult to make the junction between the transmission line 4 and the open stub 7 as an ideal ground, actually, total reflection is not caused, and part of the fundamental wave component and the odd harmonic component are input to the
すなわち、基本波成分および奇高調波成分が入力端1から入力端2へ伝搬する過程において、伝送線路3とオープンスタブ5との接合部、方向性結合器として作用する結合線路30、伝送線路4とオープンスタブ7との接合部を通過することによって、段階的に入力端1から入力端2へ伝搬する基本波成分および奇高調波成分を減衰させることができる。
That is, in the process in which the fundamental wave component and the odd harmonic component propagate from the input terminal 1 to the
また、伝送線路3に伝搬した基本波成分および奇高調波成分は、伝送線路3とオープンスタブ6との接合部が接地点と見做せるので、伝送線路3側に全反射される。しかしながら、伝送線路3とオープンスタブ6との接合部を理想的な接地とすることは困難であるので、実際には全反射されず、基本波成分および奇高調波成分の一部は入力端9に伝搬する。
Further, the fundamental wave component and the odd harmonic component propagated to the
すなわち、基本波成分および奇高調波成分が入力端1から入力端9へ伝搬する過程において、伝送線路3とオープンスタブ5との接合部、伝送線路3とオープンスタブ6との接合部を通過することによって、段階的に入力端1から入力端9へ伝搬する基本波成分および奇高調波成分を減衰させることができる。
That is, in the process in which the fundamental wave component and the odd harmonic component propagate from the input end 1 to the input end 9, they pass through the junction between the
さらにまた、伝送線路4に伝搬した基本波成分および奇高調波成分は、伝送線路4とオープンスタブ8との接合部が接地点と見做せるので、伝送線路4側に全反射される。しかしながら、伝送線路4とオープンスタブ8との接合部を理想的な接地とすることは困難であるので、実際には全反射されず、基本波成分および奇高調波成分の一部は入力端10に伝搬する。
Furthermore, the fundamental wave component and the odd harmonic component propagated to the transmission line 4 are totally reflected on the transmission line 4 side because the junction between the transmission line 4 and the
すなわち、基本波成分および奇高調波成分が入力端1から入力端10へ伝搬する過程において、伝送線路3とオープンスタブ5との接合部、方向性結合器として作用する結合線路30、伝送線路4とオープンスタブ8との接合部を通過することによって、段階的に入力端1から入力端10へ伝搬する基本波成分および奇高調波成分を減衰させることができる。
That is, in the process in which the fundamental wave component and the odd harmonic component propagate from the input end 1 to the
つぎに、偶高調波成分の漏洩防止機能について説明する。偶高調波成分は、基本波の2N倍波(Nは1以上の整数)と見做せるので、結合線路30が理想的な方向性結合器として作用する場合には、伝送線路3と伝送線路4との間において結合は発生しないが、結合線路30を理想的な方向性結合器とすることは困難であるので、実際には偶高調波成分の一部は結合し、伝送線路4に伝搬する。伝送線路4に伝搬した偶高調波成分は、伝送線路4とオープンスタブ7との接合部を通過して入力端2に伝搬する。
Next, a function for preventing leakage of even harmonic components will be described. Since the even harmonic component can be regarded as a 2N harmonic of the fundamental wave (N is an integer of 1 or more), when the coupled
すなわち、偶高調波成分が入力端1から入力端2へ伝搬する過程において、方向性結合器として作用する結合線路30を通過することによって、入力端1から入力端2へ伝搬する偶高調波成分を減衰させることができる。
That is, in the process in which the even harmonic component propagates from the input end 1 to the
また、伝送線路4に伝搬した偶高調波成分は、伝送線路4とオープンスタブ8との接合部を通過して入力端10に伝搬する。
The even harmonic component propagated to the transmission line 4 passes through the junction between the transmission line 4 and the
すなわち、偶高調波成分が入力端1から入力端10へ伝搬する過程において、方向性結合器として作用する結合線路30を通過することによって、入力端1から入力端10へ伝搬する偶高調波成分を減衰させることができる。
That is, in the process in which the even harmonic component propagates from the input end 1 to the
一方、偶高調波成分は、伝送線路3とオープンスタブ5との接合部、伝送線路3とオープンスタブ6との接合部を通過し、入力端9に伝搬する。すなわち、入力端1から入力端9に伝搬する偶高調波成分の漏洩防止機能はない。
On the other hand, the even harmonic component passes through the junction between the
なお、高周波遮断回路100は、何れの入力端1,2,9,10から見ても同一の構成であるため、入力端2から各入力端1,9,10、入力端9から入力端1,2,10、および入力端10から入力端1,2,9への漏洩防止機能についても、入力端1から入力端2,9,10への漏洩防止機能と同様の動作となる。
The high-
以上のように、実施の形態1の高周波遮断回路によれば、基本波成分において1/2波長の長さの2つの伝送線路を平行して配置して結合線路を形成し、結合線路の両端部に、基本波成分において1/4波長の長さのオープンスタブを接続して構成することにより、結合線路とオープンスタブとの接合部前後において基本波成分および奇高調波成分の伝搬を抑制し、方向性結合器として作用する結合線路において基本波成分、奇高調波成分、および偶高調波成分の結合を抑制するようにしたので、結合線路において対向する入力端間の基本波成分、偶高調波成分、および奇高調波成分の漏洩を防止することができる。 As described above, according to the high frequency cutoff circuit of the first embodiment, two transmission lines having a length of ½ wavelength in the fundamental wave component are arranged in parallel to form a coupled line, and both ends of the coupled line are formed. By connecting an open stub with a quarter wavelength in the fundamental wave component to the part, the propagation of the fundamental wave component and the odd harmonic component is suppressed before and after the junction between the coupled line and the open stub. In the coupled line that acts as a directional coupler, the coupling of the fundamental wave component, odd harmonic component, and even harmonic component is suppressed. Leakage of wave components and odd harmonic components can be prevented.
したがって、実施の形態1にかかる高周波遮断回路を、例えばFETを用いた増幅器のゲートバイアス回路、およびドレインバイアス回路に適用することにより、ドレインバイアス回路から基本波成分、偶高調波成分、および奇高調波成分がゲートバイアス回路に結合することによるループ発振を防止することができる。 Therefore, by applying the high frequency cutoff circuit according to the first embodiment to a gate bias circuit and a drain bias circuit of an amplifier using, for example, an FET, the fundamental wave component, the even harmonic component, and the odd harmonic from the drain bias circuit. Loop oscillation due to the wave component being coupled to the gate bias circuit can be prevented.
このように、結合線路において対向する入力端間の基本波成分、偶高調波成分、および奇高調波成分の漏洩を防止することができるので、高周波回路の高密度レイアウトが可能となる。また、高密度レイアウトによる誘電体基板の小型化が可能となる。 Thus, since leakage of the fundamental wave component, the even harmonic component, and the odd harmonic component between the input terminals facing each other in the coupled line can be prevented, a high-density layout of the high-frequency circuit is possible. In addition, the dielectric substrate can be miniaturized by a high-density layout.
実施の形態2.
実施の形態1の高周波遮断回路では、基本波成分において1/2波長の長さの2つの伝送線路を平行して配置して結合線路を形成し、2つの伝送線路の両端部に、それぞれ基本波成分において1/4波長の長さのオープンスタブを接続して構成することにより、伝送線路とオープンスタブとの接合部前後において基本波成分および奇高調波成分の伝搬を抑制し、方向性結合器として作用する結合線路において基本波成分、奇高調波成分、および偶高調波成分の結合を抑制することにより、結合線路において対向する入力端間の基本波成分、偶高調波成分、および奇高調波成分の漏洩を防止する構成としたが、実施の形態2の高周波遮断回路では、各伝送線路に漏れこんだ基本波成分および奇高調波成分を固定抵抗で減衰させることにより、結合線路において対向する入力端間の基本波成分および高調波成分の漏洩防止効果をさらに向上させる構成とする。
In the high-frequency cutoff circuit according to the first embodiment, two transmission lines having a length of ½ wavelength in the fundamental wave component are arranged in parallel to form a coupled line, and a basic line is formed at each end of the two transmission lines. By connecting open stubs with a quarter wavelength length in the wave component, the propagation of the fundamental wave component and odd harmonic component is suppressed before and after the junction between the transmission line and the open stub, and directional coupling is achieved. By suppressing the coupling of the fundamental component, odd harmonic component, and even harmonic component in the coupled line that acts as a coupler, the fundamental component, even harmonic component, and odd harmonic between the input terminals facing each other in the coupled line In the high-frequency cutoff circuit according to the second embodiment, the fundamental wave component and the odd harmonic component that have leaked into each transmission line are attenuated by a fixed resistor. Further configured to improve the leakage preventing effect of the fundamental wave component and harmonic components between an input end facing the line.
図2は、実施の形態2にかかる高周波遮断回路の一例を示す図である。まず、実施の形態2にかかる高周波遮断回路の構成について、図2を参照して説明する。図2において、高周波遮断回路200は、基本波成分において1/4波長の長さで特性インピーダンスZ0となる伝送線路11,12からなる結合線路40、基本波成分において1/4波長の長さで特性インピーダンスZ0となる伝送線路13,14からなる結合線路50、および基本波成分において1/4波長の長さで特性インピーダンスZ0となる伝送線路15,16からなる結合線路60が形成される。結合線路40、結合線路50、および結合線路60は、直列に接続されて3/4波長の長さの結合線路を形成する。
FIG. 2 is a diagram of an example of the high-frequency cutoff circuit according to the second embodiment. First, the configuration of the high-frequency cutoff circuit according to the second embodiment will be described with reference to FIG. 2, high-
伝送線路11と伝送線路13との接合部、伝送線路12と伝送線路14との接合部、伝送線路13と伝送線路15との接合部、および伝送線路14と伝送線路16との接合部には、それぞれインピーダンスZ0の固定抵抗17,19,21,23の一端がそれぞれ接続され、固定抵抗17,19,21,23の他端には、基本波成分において1/4波長の長さのオープンスタブ18,20,22,24がそれぞれ接続される。伝送線路11,12,15,16の他端には、基本波成分において1/4波長の長さのオープンスタブ5,6,7,8がそれぞれ接続される。なお、伝送線路11,12,13,14,15,16およびオープンスタブ5,6,7,8,18,20,22,24は、誘電体基板(図示せず)上において、マイクロストリップ線路導体で形成することができる。
There are a junction between the
このように構成された高周波遮断回路200において、伝送線路11とオープンスタブ5との接合部を入力端1、伝送線路12とオープンスタブ7との接合部を入力端2、伝送線路15とオープンスタブ6との接合部を入力端9、伝送線路16とオープンスタブ8との接合部を入力端10としている。また、結合線路40、結合線路50、および結合線路60は、それぞれ方向性結合器として作用する。
In the high-
つぎに、高周波遮断回路200の機能動作について、図2を参照して説明する。ここでは、入力端1に接続された高周波回路(図示せず)において、基本波成分、1/(2N)波長(Nは1以上の整数)の偶高調波成分、および1/(2N+1)波長の奇高調波成分を含む信号を扱っている場合の、入力端1から各入力端2,9,10への漏洩防止機能について説明する。
Next, the functional operation of the high-
まず、基本波成分および奇高調波成分の漏洩防止機能について説明する。基本波成分および奇高調波成分において、伝送線路11とオープンスタブ5との接合部が接地点と見做せるので、入力端1に接続された高周波回路(図示せず)に全反射される。しかしながら、伝送線路11とオープンスタブ5との接合部を理想的な接地とすることは困難であるので、実際には全反射されず、基本波成分および奇高調波成分の一部は伝送線路11に伝搬する。
First, the leakage prevention function of the fundamental wave component and the odd harmonic component will be described. In the fundamental wave component and the odd harmonic component, since the junction between the
伝送線路11に伝搬した基本波成分および奇高調波成分は、伝送線路12に結合して基本波成分および奇高調波成分の一部が伝送線路12に伝搬し、基本波成分および奇高調波成分の一部が伝送線路13に伝搬する。ここで、伝送線路11に伝搬した基本波成分および奇高調波成分に対して、固定抵抗17とオープンスタブ18との接合部が接地点と見做せるため、基本波成分および奇高調波成分のエネルギーの一部が固定抵抗17で終端される。したがって、伝送線路13に伝搬する基本波成分および奇高調波成分のエネルギーが減衰する。また、固定抵抗17とオープンスタブ18との接合部で反射される基本波成分および奇高調波成分のエネルギーも小さくなるため、伝送線路12に伝搬する基本波成分および奇高調波成分のエネルギーも減衰する。
The fundamental wave component and the odd harmonic component propagated to the
伝送線路12に伝搬した基本波成分および奇高調波成分は、伝送線路12とオープンスタブ7との接合部が接地点と見做せるので、伝送線路12側に全反射される。しかしながら、伝送線路12とオープンスタブ7との接合部を理想的な接地とすることは困難であるので、実際には全反射されず、基本波成分および奇高調波成分の一部は入力端2に伝搬する。
The fundamental wave component and the odd harmonic component propagated to the
一方、伝送線路13に伝搬した基本波成分および奇高調波成分は、伝送線路14に結合して基本波成分および奇高調波成分の一部が伝送線路14に伝搬する。ここで、伝送線路14に伝搬した基本波成分および奇高調波成分に対して、伝送線路14と固定抵抗19との接合部から見て伝送線路12とオープンスタブ7との接合部が接地点と見做せ、伝送線路12はショートスタブとして作用するため、伝送線路12が開放に見える。また、伝送線路14に伝搬した基本波成分および奇高調波成分に対して、固定抵抗19とオープンスタブ20との接合部が接地点と見做せる。したがって、伝送線路14に伝搬した基本波成分および奇高調波成分は、固定抵抗19で終端され、入力端2に伝搬する。
On the other hand, the fundamental wave component and the odd harmonic component propagated to the
すなわち、基本波成分および奇高調波成分が入力端1から入力端2に伝搬する過程において、入力端1に漏れこんだ基本波成分および奇高調波成分のエネルギーの大半が固定抵抗17,19によって終端されることによって、入力端1から入力端2に伝搬する基本波成分および奇高調波成分を減衰させることができる。
That is, in the process in which the fundamental wave component and the odd harmonic component propagate from the input terminal 1 to the
また、伝送線路13に伝搬した基本波成分および奇高調波成分に対して、伝送線路13と固定抵抗21との接合部から見て伝送線路15とオープンスタブ6との接合部が接地点と見做せ、伝送線路15はショートスタブとして作用するため、伝送線路15が開放に見える。また、伝送線路13に伝搬した基本波成分および奇高調波成分に対して、固定抵抗21とオープンスタブ22との接合部が接地点と見做せる。したがって、伝送線路13に伝搬した基本波成分および奇高調波成分は、固定抵抗21で終端され、入力端9に伝搬する。
Further, with respect to the fundamental wave component and the odd harmonic component propagated to the
すなわち、基本波成分および奇高調波成分が入力端1から入力端9に伝搬する過程において、入力端1に漏れこんだ基本波成分および奇高調波成分のエネルギーの大半が固定抵抗17,21によって終端されることによって、入力端1から入力端9に伝搬する基本波成分および奇高調波成分を減衰させることができる。
That is, in the process in which the fundamental wave component and the odd harmonic component propagate from the input terminal 1 to the input terminal 9, most of the energy of the fundamental wave component and the odd harmonic component leaked into the input terminal 1 is caused by the fixed
同様に、伝送線路14に伝搬した基本波成分および奇高調波成分に対して、伝送線路14と固定抵抗23との接合部から見て伝送線路16とオープンスタブ8との接合部が接地点と見做せ、伝送線路16はショートスタブとして作用するため、伝送線路16が開放に見える。また、伝送線路14に伝搬した基本波成分および奇高調波成分に対して、固定抵抗23とオープンスタブ24との接合部が接地点と見做せる。したがって、伝送線路14に伝搬した基本波成分および奇高調波成分は、固定抵抗23で終端され、入力端10に伝搬する。
Similarly, with respect to the fundamental wave component and the odd harmonic component propagated to the
すなわち、基本波成分および奇高調波成分が入力端1から入力端10に伝搬する過程において、入力端1に漏れこんだ基本波成分および奇高調波成分のエネルギーの大半が固定抵抗17,23によって終端されることによって、入力端1から入力端10に伝搬する基本波成分および奇高調波成分を減衰させることができる。
That is, in the process in which the fundamental wave component and the odd harmonic component propagate from the input terminal 1 to the
つぎに、偶高調波成分の漏洩防止機能について説明する。偶高調波成分は、伝送線路11とオープンスタブ5との接合部を通過して伝送線路11に伝搬し、伝送線路11と伝送線路13との接合部を通過して伝送線路13に伝搬し、伝送線路13と伝送線路15との接合部を通過して伝送線路15に伝搬する。
Next, a function for preventing leakage of even harmonic components will be described. The even harmonic component passes through the junction between the
偶高調波成分に対して、結合線路40、結合線路50、および結合線路60が理想的な方向性結合器として作用する場合には、伝送線路11と伝送線路12との間、伝送線路13と伝送線路14との間、伝送線路15と伝送線路16との間において結合は発生しないが、結合線路40、結合線路50、および結合線路60を理想的な方向性結合器とすることは困難であるので、実際には偶高調波成分の一部は伝送線路11から伝送線路12に結合して伝送線路12に伝搬し、伝送線路13から伝送線路14に結合して伝送線路14に伝搬し、伝送線路15から伝送線路16に結合して伝送線路16に伝搬する。伝送線路12、伝送線路14および伝送線路16に伝搬した偶高調波成分は、伝送線路16と伝送線路14との接合部、伝送線路14と伝送線路12との接合部、およびオープンスタブ7との接合部を通過して入力端2に伝搬する。
When the coupled
すなわち、偶高調波成分が入力端1から入力端2へ伝搬する過程において、方向性結合器として作用する結合線路40、結合線路50、結合線路60を通過することによって、入力端1から入力端2へ伝搬する偶高調波成分を減衰させることができる。
That is, in the process in which the even harmonic component propagates from the input end 1 to the
また、伝送線路12、伝送線路14および伝送線路16に伝搬した偶高調波成分は、伝送線路12と伝送線路14との接合部、伝送線路14と伝送線路16との接合部、およびオープンスタブ8との接合部を通過して入力端10に伝搬する。
Further, the even harmonic components propagated to the
すなわち、偶高調波成分が入力端1から入力端10へ伝搬する過程において、方向性結合器として作用する結合線路40、結合線路50、結合線路60を通過することによって、入力端1から入力端10へ伝搬する偶高調波成分を減衰させることができる。
That is, in the process in which the even harmonic component propagates from the input terminal 1 to the
一方、偶高調波成分は、伝送線路11とオープンスタブ5との接合部、伝送線路11と伝送線路13との接合部、伝送線路13と伝送線路15との接合部、および伝送線路15とオープンスタブ6との接合部を通過し、入力端9に伝搬する。すなわち、入力端1から入力端9に伝搬する偶高調波成分の漏洩防止機能はない。
On the other hand, the even harmonic components are the junction between the
なお、高周波遮断回路200は、何れの入力端1,2,9,10から見ても同一の構成であるため、入力端2から各入力端1,9,10、入力端9から入力端1,2,10、および入力端10から入力端1,2,9への漏洩防止機能についても、入力端1から入力端2,9,10への漏洩防止機能と同様の動作となる。
The high-
以上のように、実施の形態2の高周波遮断回路によれば、基本波成分において1/4波長の長さの2つの伝送線路からなる3つの結合線路を直列に接続して3/4波長の長さの結合線路を形成し、各伝送線路の接合部に固定抵抗を接続し、その固定抵抗の他端に基本波成分において1/4波長の長さのオープンスタブを接続し、3つの結合線路を直列に接続した3/4波長の長さの結合線路の両端部に基本波成分において1/4波長の長さのオープンスタブを接続して構成することにより、伝送線路とオープンスタブとの接合部前後において基本波成分および奇高調波成分の伝搬を抑制し、方向性結合器として作用する結合線路において偶高調波成分の結合を抑制し、さらに固定抵抗によって基本波成分および奇高調波成分を減衰させるようにしたので、実施の形態1に対して、結合線路において対向する入力端間の基本波成分および奇高調波成分の漏洩防止効果をさらに向上させることができる。 As described above, according to the high frequency cutoff circuit of the second embodiment, three coupled lines composed of two transmission lines each having a quarter wavelength in the fundamental wave component are connected in series to obtain a 3/4 wavelength. A coupling line having a length is formed, a fixed resistor is connected to the junction of each transmission line, and an open stub having a quarter wavelength in the fundamental component is connected to the other end of the fixed resistance, and three couplings are made. By connecting open stubs of 1/4 wavelength in the fundamental wave component to both ends of a 3/4 wavelength long coupled line in which the lines are connected in series, the transmission line and the open stub Suppresses the propagation of fundamental and odd harmonic components before and after the junction, suppresses coupling of even harmonic components in the coupling line that acts as a directional coupler, and further suppresses fundamental and odd harmonic components by a fixed resistor. To attenuate Since the relative first embodiment, it is possible to further improve the leakage prevention effect of the fundamental wave component and odd harmonic components between an input end facing the coupling line.
したがって、実施の形態2にかかる高周波遮断回路を、例えばFETを用いた増幅器のゲートバイアス回路、およびドレインバイアス回路に適用することにより、ドレインバイアス回路から基本波成分、偶高調波成分、および奇高調波成分がゲートバイアス回路に結合することによるループ発振を防止することができる。 Therefore, by applying the high-frequency cutoff circuit according to the second embodiment to a gate bias circuit and a drain bias circuit of an amplifier using, for example, an FET, the fundamental wave component, the even harmonic component, and the odd harmonic from the drain bias circuit. Loop oscillation due to the wave component being coupled to the gate bias circuit can be prevented.
このように、結合線路において対向する入力端間の基本波成分、偶高調波成分、および奇高調波成分の漏洩を防止することができるので、高周波回路の高密度レイアウトが可能となる。また、高密度レイアウトによる誘電体基板の小型化が可能となる。 Thus, since leakage of the fundamental wave component, the even harmonic component, and the odd harmonic component between the input terminals facing each other in the coupled line can be prevented, a high-density layout of the high-frequency circuit is possible. In addition, the dielectric substrate can be miniaturized by a high-density layout.
なお、以上の実施の形態に示した構成は、本発明の構成の一例であり、別の公知の技術と組み合わせることも可能であるし、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、一部を省略する等、変更して構成することも可能であることは言うまでもない。 Note that the configuration shown in the above embodiment is an example of the configuration of the present invention, and can be combined with another known technique, and a part thereof is omitted without departing from the gist of the present invention. Needless to say, it is possible to change the configuration.
また、実施の形態では、FETを用いた増幅器のゲートバイアス回路、およびドレインバイアス回路を対象として発明内容の説明をしているが、適用分野はこれに限られるものではなく、種々のマイクロ波回路、ミリ波回路等の高周波回路への応用が可能であることは言うまでもない。 Further, in the embodiment, the contents of the invention are described for the gate bias circuit and the drain bias circuit of the amplifier using the FET, but the application field is not limited to this, and various microwave circuits are used. Needless to say, it can be applied to high-frequency circuits such as millimeter wave circuits.
以上のように、本発明にかかる高周波遮断回路は、高周波回路の高密度レイアウトを可能とすることができる発明として有用であり、特に、伝送線路の入力端間において高周波回路を伝搬する基本波成分、および高調波成分の漏洩を防止する場合に適している。 As described above, the high-frequency cutoff circuit according to the present invention is useful as an invention capable of enabling a high-density layout of a high-frequency circuit, and in particular, a fundamental wave component that propagates through a high-frequency circuit between input ends of a transmission line. It is suitable for preventing leakage of harmonic components.
1 入力端
2 入力端
3 伝送線路
4 伝送線路
5 オープンスタブ
6 オープンスタブ
7 オープンスタブ
8 オープンスタブ
9 入力端
10 入力端
11 伝送線路
12 伝送線路
13 伝送線路
14 伝送線路
15 伝送線路
16 伝送線路
17 固定抵抗
18 オープンスタブ
19 固定抵抗
20 オープンスタブ
21 固定抵抗
22 オープンスタブ
23 固定抵抗
24 オープンスタブ
30 結合線路
40 結合線路
50 結合線路
60 結合線路
100 高周波遮断回路
200 高周波遮断回路
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1
Claims (2)
高周波回路を伝搬する高周波信号の基本波成分において1/2波長の長さを有し、両端部を入力端として平行に配設された一対の伝送線路で形成された結合線路と、
基本波成分において1/4波長の長さを有し、前記各入力端の一方および他方のそれぞれに接続されて形成されたオープンスタブと、
を備えたことを特徴とする高周波遮断回路。 A high-frequency cutoff circuit of a high-frequency circuit composed of a dielectric substrate, a ground conductor provided on the lower surface of the dielectric substrate, and a microstrip line conductor provided on the upper surface of the dielectric substrate,
A coupled line formed of a pair of transmission lines having a length of ½ wavelength in a fundamental wave component of a high-frequency signal propagating through a high-frequency circuit and arranged in parallel with both ends as input ends;
An open stub having a length of ¼ wavelength in the fundamental wave component and formed connected to one and the other of each of the input ends;
A high-frequency cutoff circuit comprising:
高周波回路を伝搬する高周波信号の基本波成分において3/4波長の長さを有し、両端部を入力端として平行に配設された一対の伝送線路で形成された結合線路と、
基本波成分において1/4波長の長さを有し、前記各入力端の一方および他方のそれぞれに接続されて形成された第1のオープンスタブと、
前記結合線路において前記各入力端から1/4波長の長さの位置の一方および他方のそれぞれに一端が接続され配設された固定抵抗と、
基本波成分において1/4波長の長さを有し、前記各固定抵抗の他端にそれぞれの一端が接続され配設された第2のオープンスタブと、
を備えたことを特徴とする高周波遮断回路。 A high-frequency cutoff circuit of a high-frequency circuit composed of a dielectric substrate, a ground conductor provided on the lower surface of the dielectric substrate, and a microstrip line conductor provided on the upper surface of the dielectric substrate,
A coupled line formed of a pair of transmission lines having a length of 3/4 wavelength in a fundamental wave component of a high-frequency signal propagating through a high-frequency circuit and having both ends as input ends;
A first open stub having a length of ¼ wavelength in the fundamental wave component and connected to one and the other of the respective input ends;
A fixed resistor having one end connected to and disposed at one and the other of the positions having a length of ¼ wavelength from each input end in the coupling line;
A second open stub having a length of ¼ wavelength in the fundamental wave component and having one end connected to the other end of each fixed resistor;
A high-frequency cutoff circuit comprising:
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