JP2010243436A - Infrared sensor apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、赤外線センサ機器に関する。 The present invention relates to an infrared sensor device.
従来の赤外線センサ機器には、例えば樹脂からなるパネルベースの表面に、筐体を加飾するための転写材の転写層またはインサートフィルムが積層され、パネルベースの赤外線を透過させる部分の厚みを他の部分よりも薄くして、赤外線センサの動作を確実に行うことができる表示パネルを適用していた（例えば、特許文献１参照）。 In a conventional infrared sensor device, for example, a transfer layer or an insert film of a transfer material for decorating a housing is laminated on the surface of a panel base made of resin, and the thickness of a portion that transmits infrared rays on the panel base is different. A display panel that can be made thinner than this part and can reliably operate the infrared sensor has been applied (see, for example, Patent Document 1).
従来の赤外線センサ機器は、赤外線を送受信する素子が内蔵される部分（以降、赤外線センサ部分と記す）を隠蔽し保護するために、黒系着色剤で着色したアクリル樹脂や、表面に黒系インキを印刷したアクリル樹脂等でカバーを作製し、赤外線センサ部分を覆っていた。通常赤外線センサを覆うカバーは黒色系のものが使用されているが、これは隠蔽性の問題だけでなく、赤外帯域以外の光が入ってきた場合にノイズになってセンサの反応に支障をきたすため、特に可視光域の光を遮蔽している。しかし、多くの場合、このカバーは筐体を構成する他の部分と外観が異なり一体感がなく、また黒色系のために機器のデザイン性を損なう問題があった。 In conventional infrared sensor devices, acrylic resin colored with a black colorant or black ink on the surface is used to conceal and protect the part (hereinafter referred to as the infrared sensor part) where an element for transmitting and receiving infrared rays is embedded. The cover was made with acrylic resin or the like printed with and the infrared sensor part was covered. Normally, a black cover is used to cover the infrared sensor. This is not only a problem of concealment, but it also becomes a noise when light outside the infrared band enters and interferes with the sensor response. For this reason, light in the visible light range is shielded. However, in many cases, this cover has a different appearance from the other parts constituting the housing and has no sense of unity, and the black system has a problem of impairing the design of the device.
そこで機器のデザイン性を高めるために、例えば前記特許文献１に示された表示パネルが実施されている。これは、赤外線を透過させるベース樹脂の部分の厚みを他の部分より薄くし、その表面に転写材の転写層またはインサートフィルムを積層することでデザイン性を高めた表示パネルである。しかし、赤外線を透過させるベース樹脂の部分だけを薄くすることは、成形工程において局部的な偏肉による表面のヒケや反りなどを誘発させるだけでなく、場合によっては、薄くした部分は樹脂が充填しにくいため、ウエルドラインなどの外観上の問題が発生する。また、ベース樹脂の厚みを薄くしても、表面に積層する転写材の転写層またはインサートフィルムが赤外線を吸収するので、これらに適用できる材料および厚さには制約があり、デザインの自由度も狭く限定されていた。 Therefore, in order to improve the design of the device, for example, the display panel disclosed in Patent Document 1 is implemented. This is a display panel in which the thickness of the base resin portion that transmits infrared rays is made thinner than the other portions, and a transfer layer or an insert film of a transfer material is laminated on the surface of the display panel, thereby improving design. However, thinning only the part of the base resin that transmits infrared light not only induces surface sinking or warping due to local uneven thickness in the molding process, but in some cases, the thinned part is filled with resin. Therefore, problems such as weld line appearance occur. Even if the thickness of the base resin is reduced, the transfer layer or insert film of the transfer material laminated on the surface absorbs infrared rays, so there are restrictions on the materials and thickness that can be applied to these, and the degree of freedom in design is also limited. It was narrowly limited.
本発明は、上記のような問題を解決するためになされたものであり、赤外線センサを覆うカバー部材の、赤外線透過部分に金属調の加飾を施してデザイン性を高めつつ、赤外線の透過率と可視光の反射率を確保することを目的としている。 The present invention has been made in order to solve the above-described problems. The cover member that covers the infrared sensor is provided with a metallic decoration on the infrared transmitting portion to enhance the design, and the infrared transmittance is improved. It aims to ensure the reflectance of visible light.
この発明に係わる赤外線センサ機器は、赤外線センサ、上記赤外線センサを収納する筐体の少なくとも一部を構成し、電磁波透過性の基板上にＧｅ層が積層されてなる加飾基板を備え、上記Ｇｅ層は膜厚５ｎｍ以上に形成され、上記加飾基板は、波長８００ｎｍ〜１００μｍの赤外帯域の電磁波を透過率１０％以上で透過させることを特徴とするものである。 An infrared sensor device according to the present invention comprises an infrared sensor, a decorative substrate comprising at least a part of a housing for housing the infrared sensor, and a Ge layer laminated on an electromagnetic wave transmissive substrate. The layer is formed to have a thickness of 5 nm or more, and the decorative substrate transmits infrared electromagnetic waves having a wavelength of 800 nm to 100 μm with a transmittance of 10% or more.
この発明の赤外線センサ機器によれば、電磁波透過性の基板の表面に所定の厚さのＧｅ層を形成したため、金属調光沢が得られ、基板内を隠蔽でき、センサの反応に必要な赤外線透過率を得ることができる。 According to the infrared sensor device of the present invention, since the Ge layer having a predetermined thickness is formed on the surface of the electromagnetic wave transmitting substrate, the metallic gloss can be obtained, the inside of the substrate can be concealed, and the infrared transmission necessary for the reaction of the sensor is achieved. Rate can be obtained.
実施の形態１．
次に、この発明の実施の形態１について、図１〜図４を用いて説明する。
図１は、本発明に係る赤外線センサ機器を構成する加飾基板５の断面構成図である。この発明の加飾基板５は、赤外線センサを取り囲むためのカバー基材（あるいはベース樹脂。）１ａと、カバー基材１ａの表面を滑らかにするために設けられたプライマー層１ｂよりなる電磁波透過性の基板２、電磁波透過性の基板２上（カバー外側）に積層されたＧｅ（ゲルマニウム）層３、Ｇｅ層３上に積層された保護層４によって主に構成される。なお、図１においては略記しているが、カバー基材１ａの裏面側（カバー内側）には、赤外線センサが配置され、その赤外線センサを収納する筐体の少なくとも一部を構成するのが本発明の加飾基板５である。加飾基板５は、電磁波透過性の基板２上にＧｅ層３が積層されてなり、Ｇｅ層３は膜厚５ｎｍ以上に形成され、加飾基板５は、波長８００ｎｍ〜１００μｍの赤外帯域の電磁波を透過率１０％以上で透過させるという特徴を持っている。
Embodiment 1 FIG.
Next, Embodiment 1 of the present invention will be described with reference to FIGS.
FIG. 1 is a cross-sectional configuration diagram of a decorative substrate 5 constituting an infrared sensor device according to the present invention. The decorative substrate 5 of the present invention has an electromagnetic wave transmission property comprising a cover base (or base resin) 1a for surrounding an infrared sensor and a primer layer 1b provided to smooth the surface of the cover base 1a. The substrate 2, the Ge (germanium) layer 3 stacked on the electromagnetic wave transmissive substrate 2 (outside of the cover), and the protective layer 4 stacked on the Ge layer 3 are mainly configured. Although abbreviated in FIG. 1, an infrared sensor is disposed on the back surface side (inside the cover) of the cover base 1a, and at least a part of a housing for housing the infrared sensor constitutes the book. It is the decoration board | substrate 5 of invention. The decorative substrate 5 is formed by laminating a Ge layer 3 on an electromagnetic wave transmissive substrate 2, the Ge layer 3 is formed with a film thickness of 5 nm or more, and the decorative substrate 5 has an infrared band with a wavelength of 800 nm to 100 μm. It has the feature of transmitting electromagnetic waves with a transmittance of 10% or more.
Ｇｅは可視光域の光を遮蔽しながら金属光沢を呈す一方で、赤外帯域の光は透過しやすい性質を持っている。従って、赤外線センサのカバーにＧｅ層３を形成することで、赤外線センサの内部を隠蔽し、金属光沢が得られて意匠性が向上する。そして、この金属光沢については、Ｇｅ層３の膜厚が５ｎｍ程度から弱い金属光沢を呈し始め、３０ｎｍ程度以上ではっきりとした金属光沢を呈するようになる。金属光沢が高くなると、可視光の反射によって内部の隠蔽性がより高くなる。一方、Ｇｅは赤外帯域の光を透過しやすい特性を有しており、センサに使用する波長域の透過率が少なくとも１０％以上あれば、赤外線センサとしての機能を満足する。これによって、筐体の少なくとも一部を金属調の意匠に加飾しデザイン性に優れた赤外線センサ機器を得ることが可能となる。 While Ge exhibits a metallic luster while blocking light in the visible light range, it has the property of easily transmitting light in the infrared band. Therefore, by forming the Ge layer 3 on the cover of the infrared sensor, the interior of the infrared sensor is concealed, a metallic luster is obtained, and the design is improved. As for the metallic luster, the Ge layer 3 starts to exhibit a weak metallic luster when the film thickness is about 5 nm, and exhibits a clear metallic luster when the thickness is about 30 nm or more. When the metallic luster becomes high, the internal concealability becomes higher due to reflection of visible light. On the other hand, Ge has a characteristic of easily transmitting light in the infrared band, and satisfies the function as an infrared sensor if the transmittance in the wavelength region used for the sensor is at least 10% or more. As a result, it is possible to obtain an infrared sensor device excellent in design by decorating at least a part of the casing with a metallic design.
この加飾基板５は、リモートコントローラのような赤外線センサ機器に用いられるものであり、より具体的にはテレビなどに用いられるものである。このリモートコントローラの筐体の一部には赤外線送信センサが埋め込まれている。一方テレビの本体には、送信された赤外線を受け取るための赤外線受信センサが埋め込まれている。赤外線送信センサには８５０〜９００ｎｍの波長の赤外線を放出するＬＥＤ素子が内蔵されており、赤外線受信センサにはこの赤外線を受け取るフォトダイオードが内蔵されている。図１の加飾基板５は、これら赤外線送信センサまたは赤外線受信センサを保護し隠蔽するためのカバー部材であり、加飾基板５によって筐体全体を構成する場合と、リモートコントローラの筐体かテレビ本体の筐体の一部に嵌め込まれて用いられる場合がある。通常は、電磁波を透過させない筐体の一部にセンサ窓として加飾基板５を部分的に嵌め込んで用いられる。 This decorative substrate 5 is used for an infrared sensor device such as a remote controller, and more specifically is used for a television or the like. An infrared transmission sensor is embedded in a part of the casing of the remote controller. On the other hand, an infrared receiving sensor for receiving transmitted infrared rays is embedded in the main body of the television. The infrared transmission sensor includes an LED element that emits infrared light having a wavelength of 850 to 900 nm, and the infrared reception sensor includes a photodiode that receives the infrared light. The decorative board 5 in FIG. 1 is a cover member for protecting and concealing these infrared transmission sensors or infrared reception sensors. The decorative board 5 constitutes the entire casing, and the remote controller casing or television set. In some cases, it is used by being fitted into a part of the casing of the main body. Usually, the decorative substrate 5 is partially fitted as a sensor window in a part of a casing that does not transmit electromagnetic waves.
この加飾基板５は内部のＬＥＤ素子またはフォトダイオードを隠蔽し、筐体のデザイン性を高める目的で金属調に加飾するために、Ｇｅ層３が蒸着によって成膜される。よって断面構成としては、透明なポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ樹脂）によって成形された電磁波透過性のカバー基材１ａの表面に、Ｇｅとの密着性を高め、カバー基材１ａ表面の微小な傷や凹凸を埋めて平滑な面にするためのプライマー層１ｂ（電磁波透過性である。）が形成され、その上に膜厚が１００ｎｍ相当のＧｅ層３が形成され、さらにその上にＧｅの酸化を防止するための保護層４が設けられている。保護層４によって空気中の酸素が直接Ｇｅと触れないために、酸化によって起こるＧｅの変色や、金属光沢の喪失を防止することができる。また、この保護層４は、Ｇｅ層３の剥離や傷付きなどの損傷を防止する機能も果たしている。 This decorative substrate 5 conceals the internal LED elements or photodiodes, and a Ge layer 3 is formed by vapor deposition in order to decorate the metallic tone for the purpose of improving the design of the housing. Therefore, as a cross-sectional configuration, the surface of the electromagnetic wave-transmitting cover base material 1a molded with transparent polymethyl methacrylate (PMMA resin) is improved in adhesion with Ge, A primer layer 1b (which is electromagnetic wave transmissive) for filling the unevenness to form a smooth surface is formed, and a Ge layer 3 having a film thickness of 100 nm is formed on the primer layer 1b. A protective layer 4 is provided to prevent this. Since oxygen in the air does not directly contact Ge with the protective layer 4, Ge discoloration or loss of metallic luster caused by oxidation can be prevented. The protective layer 4 also functions to prevent damage such as peeling or scratching of the Ge layer 3.
本実施の形態１では、カバー基材１ａはポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ樹脂）で成形された例を示しているが、これに限定されるものではなく、他に適用される透明な樹脂としては、例えば、ポリカーボネート樹脂（ＰＣ樹脂）、ポリエチレンテレフタレート樹脂（ＰＥＴ）、ポリスチレン樹脂（ＰＳ樹脂）などを用いることができる。また、カバー基材１ａとしては透明なガラスを用いることもでき、透明なガラスとしては、例えば、硼珪酸ガラス、石英ガラスなどが挙げられる。また、これら材料は完全に透明でなくても、顔料などと混ぜ合わせた半透明状のものでも良く、半透明状とすることで透明の材料の場合より隠蔽性を確保することができる。 In the first embodiment, the cover base material 1a is an example formed of polymethyl methacrylate (PMMA resin). However, the present invention is not limited to this, and other transparent resins may be applied. For example, polycarbonate resin (PC resin), polyethylene terephthalate resin (PET), polystyrene resin (PS resin), or the like can be used. Moreover, transparent glass can also be used as the cover substrate 1a, and examples of the transparent glass include borosilicate glass and quartz glass. Further, these materials may not be completely transparent, but may be translucent mixed with pigments, etc. By making the material translucent, the concealability can be ensured more than in the case of a transparent material.
カバー基材１ａを構成するこれらの材料は、予め所望の形状に成形されるが、樹脂であれば射出成形、押出成形、プレス成形などの工法により成形される。ガラスであれば、プレス成形などの工法を用いて成形することができる。また材料を問わず、予めシート状もしくはブロック状に成形された材料から切削加工などにより所望の形状に切り出し形成しても良い。
なお、カバー基材１ａの厚さは、カバーとしての強度的な機能を満足し、上記に列記した材料で所望の形状に加工しやすい厚さに決定されるが、ＰＭＭＡ樹脂を射出成形によって成形する本実施の形態１では、厚さは１．２ｍｍとした。
These materials constituting the cover base material 1a are preliminarily molded into a desired shape, but in the case of a resin, they are molded by a method such as injection molding, extrusion molding or press molding. If it is glass, it can shape | mold using construction methods, such as press molding. Further, regardless of the material, it may be cut out from a material previously formed into a sheet shape or block shape into a desired shape by cutting or the like.
The thickness of the cover base 1a is determined to be a thickness that satisfies the strength function as a cover and can be easily processed into a desired shape with the materials listed above, but PMMA resin is molded by injection molding. In the first embodiment, the thickness is 1.2 mm.
カバー基材１ａの表面にはプライマー層１ｂを、主にアクリル系樹脂、ウレタン系樹脂などを主成分とする塗料を塗布することによって形成する。このプライマー層１ｂは、Ｇｅ層３を積層するための下地処理のために成膜される（カバー基材１ａとプライマー層１ｂとにより電磁波透過性の基板２が構成される。）。プライマー層１ｂの膜厚は、１μｍ〜５０μｍ程度であり、要求するＧｅ層３の密着強度に応じてプライマー層１ｂの膜厚は適宜調整されるが、本実施の形態１では９．０μｍである。プライマー層１ｂを成膜することで、その下地のカバー基材１ａの表面の凹凸を埋め、平滑性を向上させることができる。なお、プライマー層１ｂの成膜による下地処理をしないで、カバー基材１ａだけで電磁波透過性の基板２とした場合は、カバー基材１ａの表面上に直接Ｇｅ層３を積層する。なお、Ｇｅ層３の成膜方法や条件によって、下地形状の反映の度合い等に差が出るため、成膜方法の選択でＧｅ層３の表層形状を調整することもできる。 The primer layer 1b is formed on the surface of the cover substrate 1a by applying a paint mainly composed of an acrylic resin, a urethane resin or the like. The primer layer 1b is formed for a base treatment for laminating the Ge layer 3 (an electromagnetic wave transmitting substrate 2 is constituted by the cover base material 1a and the primer layer 1b). The film thickness of the primer layer 1b is about 1 μm to 50 μm, and the film thickness of the primer layer 1b is appropriately adjusted according to the required adhesion strength of the Ge layer 3, but in the first embodiment, it is 9.0 μm. . By forming the primer layer 1b, the unevenness on the surface of the underlying cover base material 1a can be filled and the smoothness can be improved. In addition, when the substrate 2 having only the cover base 1a is used as an electromagnetic wave transmissive substrate 2 without performing the base treatment by forming the primer layer 1b, the Ge layer 3 is directly laminated on the surface of the cover base 1a. Since the degree of reflection of the base shape varies depending on the film formation method and conditions of the Ge layer 3, the surface layer shape of the Ge layer 3 can be adjusted by selecting the film formation method.
Ｇｅ層３は、電磁波透過性の基板２の上に、例えば真空蒸着によって形成することができる。以下に手順を説明する。まず、はじめに、真空蒸着装置の所定位置に電磁波透過性の基板２を設置し、蒸着材料として粒状のＧｅをタングステンにて形成されたフィラメントに充填する。真空蒸着装置のチャンバー内部を真空排気し、所定の真空度に到達したらタングステンフィラメントに通電を行い、Ｇｅを加熱蒸発させ、電磁波透過性の基板２の表面（プライマー層１ｂの露出面。下地処理のためのプライマー層１ｂを形成していない場合は、カバー基材１ａの外側表面。）上に堆積させＧｅ層３を形成する。このような薄膜形成方法は、いわゆる、抵抗加熱法と呼ばれる方法で、基材に与える熱の影響を抑制することが可能である。この他、真空蒸着においては、材料を電子ビームにて溶融させる方法もある。また、上記抵抗加熱法による膜形成に際し、イオンガンやアンテナ式ボンバード装置を用いて、電磁波透過性の基板２の表面をＡｒイオンやＯ２イオン等にて照射すると、Ｇｅ層３の膜密着性が向上し、好ましい。ここで、アンテナ式ボンバード装置とは蒸着室に円形コイルを設け、これを電極としてチャンバー全体にプラズマを生成させる装置を言う。 The Ge layer 3 can be formed on the electromagnetic wave transmissive substrate 2 by, for example, vacuum deposition. The procedure is described below. First, an electromagnetic wave transmissive substrate 2 is placed at a predetermined position of a vacuum vapor deposition apparatus, and granular Ge as a vapor deposition material is filled into a filament formed of tungsten. The inside of the chamber of the vacuum evaporation apparatus is evacuated, and when a predetermined degree of vacuum is reached, the tungsten filament is energized to heat and evaporate Ge, and the surface of the electromagnetic wave transmitting substrate 2 (exposed surface of the primer layer 1b. When the primer layer 1b is not formed, the Ge layer 3 is formed by depositing on the outer surface of the cover base 1a. Such a thin film forming method is a so-called resistance heating method, and can suppress the influence of heat on the substrate. In addition, in vacuum deposition, there is a method of melting a material with an electron beam. When the film is formed by the resistance heating method, if the surface of the electromagnetic wave transmissive substrate 2 is irradiated with Ar ions, O 2 ions or the like using an ion gun or an antenna bombardment device, the film adhesion of the Ge layer 3 is improved. Improved and preferred. Here, the antenna-type bombard apparatus refers to an apparatus in which a circular coil is provided in a vapor deposition chamber and plasma is generated in the entire chamber using this as an electrode.
なお、Ｇｅ層３の膜厚については、５ｎｍ以上で弱い金属調光沢を呈し始め、３０ｎｍ以上ではっきりとした金属調光沢が得られるが、所望の外観に応じて適宜調整される。本実施の形態１においては、およそ１００ｎｍとした。ただし、Ｇｅ層３の膜厚を厚くし過ぎると、より強い金属調光沢が得られるものの、赤外線の透過率が低下するため、赤外線センサとしての機能が失われる。この場合、Ｇｅ層３だけでなく、カバー基材１ａやプライマー層１ｂ、保護層４が図１のように積層された状態での透過率が重要であり、赤外線センサとしての機能を得るには、少なくとも赤外帯域の波長において平均１０％以上の透過率が必要である。 In addition, about the film thickness of Ge layer 3, although it begins to exhibit weak metallic luster at 5 nm or more and clear metallic luster is obtained at 30 nm or more, it is suitably adjusted according to a desired external appearance. In the first embodiment, the thickness is about 100 nm. However, if the thickness of the Ge layer 3 is made too thick, a stronger metallic luster can be obtained, but the infrared transmittance is lowered, so the function as an infrared sensor is lost. In this case, not only the Ge layer 3 but also the transmittance in a state where the cover base material 1a, the primer layer 1b, and the protective layer 4 are laminated as shown in FIG. 1 is important, and in order to obtain a function as an infrared sensor. The transmittance of 10% or more on average is required at least at wavelengths in the infrared band.
保護層４は、Ｇｅ層３の上層に、主にアクリル系樹脂、ウレタン系樹脂などを主成分とする塗料を塗布することによって形成される。保護層４の膜厚は５μｍ〜１００μｍ程度であり、保護層４の強度や硬度によって膜厚は適宜調整されるが、本実施の形態１では１１．０μｍとした。また、保護層４として、Ｇｅ層３の表面にＰＣ樹脂やＰＥＴ樹脂などのシートもしくはフィルムなどを貼り合わせても良い。また、保護層４を１度に塗装せず何度か塗り重ねても良いし、または、成分の異なる複数の塗料をＧｅ層３の上に塗り重ねて、多層からなる保護層４を形成しても良い。また、この保護層４に顔料などを混ぜることで、カラフルなメタリック感に着色したり、ヘアラインやシボなどの模様や意匠パターンを施すことで、より意匠性を高めることができる。このような処理を経て、カバー基材１ａ上に保護層４まで形成した段階で、加飾基板５が得られる。 The protective layer 4 is formed by applying a paint mainly composed of an acrylic resin, a urethane resin or the like on the upper layer of the Ge layer 3. The film thickness of the protective layer 4 is about 5 μm to 100 μm, and the film thickness is appropriately adjusted depending on the strength and hardness of the protective layer 4, but in the first embodiment, it is 11.0 μm. Further, as the protective layer 4, a sheet or film such as a PC resin or a PET resin may be bonded to the surface of the Ge layer 3. Further, the protective layer 4 may be applied several times without being painted at once, or a plurality of coating materials having different components may be applied on the Ge layer 3 to form the protective layer 4 composed of multiple layers. May be. In addition, by adding a pigment or the like to the protective layer 4, it is possible to further enhance the design properties by coloring in a colorful metallic feeling or by applying a design such as a hairline or a wrinkle or a design pattern. The decorative board | substrate 5 is obtained in the step which formed even the protective layer 4 on the cover base material 1a through such a process.
図２は、Ｇｅ層３の光の透過率特性を理論的に求めたデータで、各種のＧｅ膜厚（図２中、波長８００ｎｍ以下の帯域において、データの透過率が高い順に（図表の上の方から）Ｇｅ膜厚１ｎｍ、３ｎｍ、５ｎｍ、１０ｎｍ、２０ｎｍ、４０ｎｍ、１００ｎｍ。）について波長２７０ｎｍ〜１０００ｎｍの光の透過率を示している。図２から分かるように、Ｇｅ膜厚１００ｎｍの場合、可視光域の波長４００〜８００ｎｍにおける透過率は０〜８％程度と低いのに対して、赤外線センサ機器の赤外線波長８５０〜９００ｎｍにおける透過率は１２〜２０％と高い。なお、Ｇｅ膜厚が１００ｎｍの透過率データは、Ｇｅ膜厚が４０ｎｍのものよりも波長が９００ｎｍ以上において上回る結果になっているが、これは光の干渉による影響だと考えられている。 FIG. 2 shows data obtained by theoretically determining the light transmittance characteristics of the Ge layer 3, and shows various Ge film thicknesses (in FIG. 2, in order of increasing data transmittance in the band of wavelengths of 800 nm or less (upper chart)). (From the above) The transmittance of light with a wavelength of 270 nm to 1000 nm is shown for Ge film thicknesses of 1 nm, 3 nm, 5 nm, 10 nm, 20 nm, 40 nm, and 100 nm. As can be seen from FIG. 2, when the Ge film thickness is 100 nm, the transmittance at a wavelength of 400 to 800 nm in the visible light region is as low as about 0 to 8%, whereas the transmittance at an infrared wavelength of 850 to 900 nm of the infrared sensor device. Is as high as 12 to 20%. Note that the transmittance data with a Ge film thickness of 100 nm is higher than that with a Ge film thickness of 40 nm when the wavelength is 900 nm or more, which is considered to be an influence of light interference.
上述にように、Ｇｅが、可視光域にて低い透過率であるために、赤外線センサ部分を視覚的に隠蔽でき、同時に、赤外帯域では可視光域よりも透過率が高いため、赤外線を透過してセンサとしての機能を満たすことができる。ここで、カバー基材１ａ、プライマー層１ｂ、および保護層４は、波長が８５０〜９００ｎｍの赤外線を透過しやすい材質が望ましいが、上述したように、赤外線センサ機器としての機能を満たすには、図１のように積層された状態での透過率が重要であり、これが１０％以上であれば良く、カバー基材１ａ、プライマー層１ｂ、および保護層４のそれぞれの透過率に制約があるものではない。 As described above, since Ge has a low transmittance in the visible light region, the infrared sensor portion can be visually concealed. At the same time, since the transmittance in the infrared band is higher than that in the visible light region, It can transmit and satisfy the function as a sensor. Here, the cover base material 1a, the primer layer 1b, and the protective layer 4 are desirably made of a material that easily transmits infrared light having a wavelength of 850 to 900 nm. As described above, in order to satisfy the function as an infrared sensor device, The transmittance in the stacked state as shown in FIG. 1 is important, and it should be 10% or more, and the transmittance of each of the cover base material 1a, the primer layer 1b, and the protective layer 4 is limited. is not.
なお、図２では波長が１０００ｎｍまでの光の透過率の理論的データであり、波長が長いほど透過率が高くなることを示したが、それ以上の高波長についても同様に透過すると言える。これは以下のように理解される。Ｇｅは半導体に分類され、約０．６７ｅＶのバンドギャップを有している。これは波長が約１８５０ｎｍの電磁波が持つ光子エネルギーに相当する。従って、約１８５０ｎｍよりも短い波長の光は、光子エネルギーがＧｅのバンドギャップより大きく、価電子帯の電子が励起される際にエネルギーが使われるため、Ｇｅ層３に吸収されやすく、それよりも長い波長の光は、光子エネルギーがＧｅのバンドギャップより小さく、価電子帯の電子が励起されることがないため、Ｇｅ層３に吸収されることなく透過することになる。例えば１００μｍの光であれば、光子エネルギーは約０．１ｅＶであり、Ｇｅのバンドギャップに対して十分に低いエネルギーであるため、透過することになる。 Note that FIG. 2 shows theoretical data on the transmittance of light up to a wavelength of 1000 nm. The longer the wavelength, the higher the transmittance. However, it can be said that higher wavelengths are transmitted in the same manner. This is understood as follows. Ge is classified as a semiconductor and has a band gap of about 0.67 eV. This corresponds to the photon energy of an electromagnetic wave having a wavelength of about 1850 nm. Therefore, light having a wavelength shorter than about 1850 nm has a photon energy larger than the band gap of Ge, and energy is used when electrons in the valence band are excited. Light with a long wavelength is transmitted without being absorbed by the Ge layer 3 because the photon energy is smaller than the band gap of Ge and the electrons in the valence band are not excited. For example, in the case of light of 100 μm, the photon energy is about 0.1 eV, which is sufficiently low with respect to the band gap of Ge, and thus is transmitted.
図３は、上記の構成で作製された、目標Ｇｅ膜厚１００ｎｍの加飾基板５（カバー）について、カバー基材１の裏側（加飾基板５の内側表面）から入射した波長２００〜１０００ｎｍの光が、保護層４の外側表面へ透過する割合を実測したデータである。ただし、図２の理論的に求めたＧｅ膜厚１００ｎｍの透過率データに比べて、若干透過率が高いが、Ｇｅを蒸着する際に目標の厚さとしていた１００ｎｍに未達であった可能性がある。しかし、４００〜８００ｎｍの可視光域の光については透過率が１６％以下であり、カバーとしての隠蔽性を確保しながら、赤外線センサの８５０〜９００ｎｍの波長の光に対しては２５〜２９％の透過率を得られるので、理論の場合と、透過率特性の傾向は同様であり、作製したカバーはセンサとしての機能を果たすことができる。 FIG. 3 shows a wavelength of 200 to 1000 nm incident from the back side of the cover base material 1 (inner surface of the decorative substrate 5) with respect to the decorative substrate 5 (cover) having a target Ge film thickness of 100 nm manufactured with the above configuration. This is data obtained by actually measuring the ratio of light transmitted to the outer surface of the protective layer 4. However, although the transmittance is slightly higher than the theoretically obtained transmittance data for the Ge film thickness of 100 nm in FIG. 2, there is a possibility that the target thickness of 100 nm was not reached when Ge was deposited. There is. However, the transmittance is 16% or less for light in the visible light region of 400 to 800 nm, and 25 to 29% for light with a wavelength of 850 to 900 nm of the infrared sensor while ensuring concealment as a cover. Therefore, the tendency of the transmittance characteristic is the same as in the case of the theory, and the manufactured cover can function as a sensor.
図４は、上記の構成で作製された加飾基板５について、保護層４の外側から入射する波長４００〜８００ｎｍにおける可視光の反射率特性を実測したデータを示している。このデータから、可視光域の全域に渡っておよそ２０％の反射率があり、金属光沢を呈している。また、この反射光によって、カバーの内部に収納されているセンサの形状や色などは、より見えにくくなる作用も併せ持っている。 FIG. 4 shows data obtained by actually measuring the reflectance characteristics of visible light at a wavelength of 400 to 800 nm incident from the outside of the protective layer 4 with respect to the decorative substrate 5 manufactured with the above configuration. From this data, there is a reflectance of approximately 20% over the entire visible light range, and it exhibits a metallic luster. The reflected light also has the effect of making the shape and color of the sensor housed inside the cover more difficult to see.
なお、上記のように、加飾基板５は、赤外線センサ機器を収納する筐体の一部の、センサ窓となる部分に嵌め込んで用いることができるが、それ以外に、赤外線センサ機器の筐体全体を図１の加飾基板５によって作製しても良い。これによって、筐体の本体部分とセンサ窓部分との境目がなくなり、継ぎ目のない一体化された、より意匠性に優れた筐体を得ることができる。 Note that, as described above, the decorative substrate 5 can be used by being fitted into a part of the housing for housing the infrared sensor device, which serves as the sensor window. You may produce the whole body with the decorating board | substrate 5 of FIG. As a result, the boundary between the main body portion of the housing and the sensor window portion is eliminated, and a seamless housing and a more excellent design can be obtained.
さらに、Ｇｅ層３の成膜方法として真空蒸着法を用いた方法につき説明したが、この製法に限ることはなく、スパッタ法、イオンプレーティング法、スピンコート法などの物理的成膜方法や、ＣＶＤ法、メッキ法などの化学的成膜方法を用いることも可能であることは言うまでもない。 Furthermore, although the method using the vacuum deposition method as the film formation method of the Ge layer 3 has been described, it is not limited to this manufacturing method, and a physical film formation method such as a sputtering method, an ion plating method, a spin coating method, Needless to say, a chemical film-forming method such as a CVD method or a plating method can also be used.
実施の形態２．
図５は本発明に係る赤外線センサ部分をカバーする部材である実施の形態２の加飾基板８の断面構成図を示す。この赤外線センサ機器は、例えば、人体検知センサであり、自動扉の開閉センサに使われているものである。ただしこれに限るものではなく、例えば、トイレに設置される便器の水洗センサ、電気照明の点灯・消灯センサなどにも使用される。このセンサには、人間の体温によって放出される波長１０μｍ程度の赤外線を検知する焦電型赤外線センサが埋め込まれており、図５に示すカバー部材となる加飾基板８は、内部のセンサを保護し隠蔽するためのもので、人体検知センサの筐体にこの加飾基板８が嵌め込まれている。または、人体検知センサの筐体全体が、図５の加飾基板８からなる構成になっていても良い。
Embodiment 2. FIG.
FIG. 5 shows a cross-sectional configuration diagram of the decorative substrate 8 of Embodiment 2 which is a member that covers the infrared sensor portion according to the present invention. This infrared sensor device is, for example, a human body detection sensor, and is used as an open / close sensor for an automatic door. However, the present invention is not limited to this, and for example, it is also used as a flush sensor for a toilet installed in a toilet, a lighting on / off sensor for electric lighting, and the like. In this sensor, a pyroelectric infrared sensor for detecting infrared rays having a wavelength of about 10 μm emitted by human body temperature is embedded, and the decorative substrate 8 serving as a cover member shown in FIG. 5 protects the internal sensor. The decorative substrate 8 is fitted in the housing of the human body detection sensor. Or the whole housing | casing of a human body detection sensor may be the structure which consists of the decorating board 8 of FIG.
そして、この加飾基板８はセンサ機器自体のデザイン性を高める目的で金属調に加飾されているが、センサとしての機能を果たすため、検知対象となる波長１０μｍ程度の赤外線は透過させる必要がある。そのため、加飾基板８の表面（カバー内側、センサ側。）にはＧｅ層７が蒸着される。加飾基板８の断面構成としては、透明な硼珪酸ガラスによって成形されたカバー基材６の裏面（カバー内側）に、膜厚が５０ｎｍ相当のＧｅ層７が形成される。このような断面構成であれば、実際に赤外線センサ機器を使用する状況においては、外部から直接Ｇｅ層７に触れることはないので、実施の形態１のような保護層が不要となり、安価に製造できる。 The decorative substrate 8 is decorated in a metallic style for the purpose of improving the design of the sensor device itself, but in order to fulfill the function as a sensor, it is necessary to transmit infrared rays having a wavelength of about 10 μm to be detected. is there. Therefore, the Ge layer 7 is vapor-deposited on the surface of the decorative substrate 8 (cover inside, sensor side). As a cross-sectional configuration of the decorative substrate 8, a Ge layer 7 having a film thickness of 50 nm is formed on the back surface (inside the cover) of the cover base 6 formed of transparent borosilicate glass. With such a cross-sectional configuration, in a situation where an infrared sensor device is actually used, the Ge layer 7 is not directly touched from the outside, so that the protective layer as in the first embodiment is not necessary and can be manufactured at low cost. it can.
また、カバー基材６の内側にＧｅ層７を配置することで、保護層やプライマー層を省略した加飾基板８を得ることができ、保護層やプライマー層が形成された場合と比較すると、それらの層で赤外線が吸収されることがないため、加飾基板８全体の透過率を高くすることができ、センサの感度をより良好なものとすることができる。ただし、Ｇｅの酸化を防止する目的でＧｅ層６の裏面に保護層を設けても良いし、カバー基材６とＧｅ層７との間にプライマー層を設けて、カバー基材６の裏面の平滑性を確保したり、Ｇｅ層７との密着性を向上させても良いことは言うまでもない。いずれにしても、カバー外側にカバー基材６が配置されるため、外部からの衝撃から、カバー内側の層（加飾層）を守ることができ、加飾基板８の長寿命化が可能である。 Moreover, by arranging the Ge layer 7 inside the cover base 6, it is possible to obtain a decorative substrate 8 in which the protective layer and the primer layer are omitted. Compared with the case where the protective layer and the primer layer are formed, Since infrared rays are not absorbed by these layers, the transmittance of the entire decorative substrate 8 can be increased, and the sensitivity of the sensor can be further improved. However, a protective layer may be provided on the back surface of the Ge layer 6 for the purpose of preventing oxidation of Ge, or a primer layer may be provided between the cover base material 6 and the Ge layer 7 so that the back surface of the cover base material 6 Needless to say, the smoothness may be ensured or the adhesion to the Ge layer 7 may be improved. In any case, since the cover base 6 is arranged outside the cover, the layer inside the cover (decorative layer) can be protected from external impact, and the life of the decorative substrate 8 can be extended. is there.
なお、カバー基材６、Ｇｅ層７、プライマー層、保護層の材料、厚さおよび製造方法は、実施の形態１において説明したとおりであり、この実施の形態２では、Ｇｅ層７をカバー基材６の内側表面に形成するように選択し、製造を進めることは言うまでもない。
上記のように形成された図５の赤外線センサ機器のカバー（加飾基板８）は、波長１０μｍの波長においては透過率が約２５％あり、人体検知センサとしての機能は満足している。
Note that the materials, thicknesses, and manufacturing methods of the cover substrate 6, the Ge layer 7, the primer layer, and the protective layer are as described in the first embodiment. In the second embodiment, the Ge layer 7 is covered with the cover base. It goes without saying that the material 6 is selected to be formed on the inner surface of the material 6 and the manufacturing proceeds.
The cover (decorative substrate 8) of the infrared sensor device of FIG. 5 formed as described above has a transmittance of about 25% at a wavelength of 10 μm and satisfies the function as a human body detection sensor.
そして、上述した実施の形態１においてはテレビ用のリモートコントローラを、本実施の形態２では人体検知センサへの適用例を示したが、本発明にかかる赤外線センサ機器の適用はかかる例に留まることはなく、例えば携帯電話、カーナビゲーションシステム、カメラ、携帯用音楽再生機、携帯用ゲーム機、携帯用の通信機、ラジオ、ビデオ再生機、ノート型パソコン、ノート型ワープロ、ビデオカメラ、電子手帳、各種の赤外線式リモートコントローラ、電卓、自動車用電子制御機器など、赤外線を送受信する電子機器に適用することが可能であることは言うまでもない。 In the above-described first embodiment, the TV remote controller is applied to the human body detection sensor in the second embodiment. However, the application of the infrared sensor device according to the present invention is not limited to this example. For example, mobile phones, car navigation systems, cameras, portable music players, portable game consoles, portable communication devices, radios, video players, notebook computers, notebook word processors, video cameras, electronic notebooks, It goes without saying that the present invention can be applied to electronic devices that transmit and receive infrared rays, such as various infrared remote controllers, calculators, and automotive electronic control devices.
また、赤外線センサ機器の使用波長域はテレビ用のリモートコントローラであれば８５０〜９００ｎｍ、人体検知センサであれば１０μｍであるとしたが、この波長域に限定する必要はなく、８００ｎｍ〜２．５μｍの近赤外線、２．５〜４．０μｍの中赤外線、４．０〜１００μｍの遠赤外線の波長域を使用したセンサであっても良い。
以上、本発明に係る構成とすることで、赤外線センサとしての機能を満足しながら、その筐体を、金属光沢のあるメタリック調に加飾するとともに内部の隠蔽性を確保し、デザイン性を高めた赤外線センサ機器を低コストかつ容易に実現することができる。
In addition, the wavelength range of the infrared sensor device is 850 to 900 nm for a television remote controller and 10 μm for a human body detection sensor. However, the wavelength range is not limited to 800 nm to 2.5 μm. A sensor using a near infrared ray, a mid-infrared ray of 2.5 to 4.0 μm, and a far infrared ray range of 4.0 to 100 μm may be used.
As described above, with the configuration according to the present invention, while satisfying the function as an infrared sensor, the casing is decorated in a metallic luster with metallic luster and the internal concealment property is secured, thereby improving the design. Infrared sensor equipment can be easily realized at low cost.
１ａ、６ カバー基材、
１ｂ プライマー層、
３、７ Ｇｅ層、
４ 保護層
５、８ 加飾基板。
1a, 6 cover base material,
1b primer layer,
3, 7 Ge layer,
4 Protective layer 5, 8 Decorated substrate.
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Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013058117A (en) * | 2011-09-09 | 2013-03-28 | Alps Electric Co Ltd | Input device |
| JP2014217949A (en) * | 2013-04-30 | 2014-11-20 | 株式会社吉野工業所 | Deposited molding made of single metal |
| CN104345987A (en) * | 2013-08-09 | 2015-02-11 | 联想(北京)有限公司 | Electronic device and signal processing method |
| JP2015529801A (en) * | 2012-07-11 | 2015-10-08 | エリコン・サーフェス・ソリューションズ・アクチェンゲゼルシャフト，トリュープバッハ | Coated components |
| JP2017083262A (en) * | 2015-10-27 | 2017-05-18 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | Electronic apparatus, human-detecting sensor, and manufacturing method of the same, infrared sensor for human-detecting sensor, and substrate for human-detecting sensor |
| EP3486685A1 (en) | 2017-11-14 | 2019-05-22 | Faltec Co., Ltd. | Lidar cover |
| EP3492949A1 (en) | 2017-11-30 | 2019-06-05 | Faltec Co., Ltd. | Lidar cover |
| WO2019161261A1 (en) * | 2018-02-19 | 2019-08-22 | Corning Incorporated | Lidar cover with laminate glasses |
| US10728374B2 (en) | 2014-04-17 | 2020-07-28 | Gurulogic Microsystems Oy | Additional information on a caller |
| WO2020170615A1 (en) * | 2019-02-18 | 2020-08-27 | Ｎｉｓｓｈａ株式会社 | Interior component for automobile |
| WO2021193769A1 (en) * | 2020-03-27 | 2021-09-30 | 豊田合成株式会社 | Cover for infrared sensor and method of manufacturing cover for infrared sensor |
| US12352991B2 (en) | 2016-01-21 | 2025-07-08 | 3M Innovative Properties Company | Optical systems and optical filters |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002116318A (en) * | 2000-10-05 | 2002-04-19 | Nissan Motor Co Ltd | Ir ray transmitting film and ir ray sensor cover using the same |
| JP2004198617A (en) * | 2002-12-17 | 2004-07-15 | Nissan Motor Co Ltd | Infrared-ray transmission film, infrared sensor cover and infrared sensor unit obtained by using the film |
| JP2004257885A (en) * | 2003-02-26 | 2004-09-16 | Horiba Ltd | Multi-element infrared detector |
-
2009
- 2009-04-09 JP JP2009094912A patent/JP2010243436A/en active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002116318A (en) * | 2000-10-05 | 2002-04-19 | Nissan Motor Co Ltd | Ir ray transmitting film and ir ray sensor cover using the same |
| JP2004198617A (en) * | 2002-12-17 | 2004-07-15 | Nissan Motor Co Ltd | Infrared-ray transmission film, infrared sensor cover and infrared sensor unit obtained by using the film |
| JP2004257885A (en) * | 2003-02-26 | 2004-09-16 | Horiba Ltd | Multi-element infrared detector |
Cited By (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013058117A (en) * | 2011-09-09 | 2013-03-28 | Alps Electric Co Ltd | Input device |
| JP2015529801A (en) * | 2012-07-11 | 2015-10-08 | エリコン・サーフェス・ソリューションズ・アクチェンゲゼルシャフト，トリュープバッハ | Coated components |
| JP2014217949A (en) * | 2013-04-30 | 2014-11-20 | 株式会社吉野工業所 | Deposited molding made of single metal |
| CN104345987A (en) * | 2013-08-09 | 2015-02-11 | 联想(北京)有限公司 | Electronic device and signal processing method |
| US12309307B2 (en) | 2014-04-17 | 2025-05-20 | Salmela-Invest Oy | Additional information on a caller |
| US10728374B2 (en) | 2014-04-17 | 2020-07-28 | Gurulogic Microsystems Oy | Additional information on a caller |
| JP2017083262A (en) * | 2015-10-27 | 2017-05-18 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | Electronic apparatus, human-detecting sensor, and manufacturing method of the same, infrared sensor for human-detecting sensor, and substrate for human-detecting sensor |
| US12352991B2 (en) | 2016-01-21 | 2025-07-08 | 3M Innovative Properties Company | Optical systems and optical filters |
| EP3486685A1 (en) | 2017-11-14 | 2019-05-22 | Faltec Co., Ltd. | Lidar cover |
| US10739440B2 (en) | 2017-11-14 | 2020-08-11 | Faltec Co., Ltd. | Lidar cover |
| EP3492949A1 (en) | 2017-11-30 | 2019-06-05 | Faltec Co., Ltd. | Lidar cover |
| WO2019161261A1 (en) * | 2018-02-19 | 2019-08-22 | Corning Incorporated | Lidar cover with laminate glasses |
| WO2020170615A1 (en) * | 2019-02-18 | 2020-08-27 | Ｎｉｓｓｈａ株式会社 | Interior component for automobile |
| US20230249633A1 (en) * | 2019-02-18 | 2023-08-10 | Nissha Co., Ltd. | Automotive Interior Component |
| US11878636B2 (en) | 2019-02-18 | 2024-01-23 | Nissha Co., Ltd. | Automotive interior component |
| CN113286729B (en) * | 2019-02-18 | 2024-03-29 | Ｎｉｓｓｈａ株式会社 | Automotive interior parts |
| CN113286729A (en) * | 2019-02-18 | 2021-08-20 | Ｎｉｓｓｈａ株式会社 | Interior part for automobile |
| JP2020131863A (en) * | 2019-02-18 | 2020-08-31 | Ｎｉｓｓｈａ株式会社 | Interior component for automobile |
| WO2021193769A1 (en) * | 2020-03-27 | 2021-09-30 | 豊田合成株式会社 | Cover for infrared sensor and method of manufacturing cover for infrared sensor |
| JP2021156753A (en) * | 2020-03-27 | 2021-10-07 | 豊田合成株式会社 | Cover for infrared sensor and method for manufacturing cover for infrared sensor |
| JP7447611B2 (en) | 2020-03-27 | 2024-03-12 | 豊田合成株式会社 | Infrared sensor cover and method for manufacturing infrared sensor cover |
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