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JP2010219876A - Piezoelectric device - Google Patents

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JP2010219876A
JP2010219876A JP2009064207A JP2009064207A JP2010219876A JP 2010219876 A JP2010219876 A JP 2010219876A JP 2009064207 A JP2009064207 A JP 2009064207A JP 2009064207 A JP2009064207 A JP 2009064207A JP 2010219876 A JP2010219876 A JP 2010219876A
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JP
Japan
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piezoelectric device
lid
chip
package base
package
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP2009064207A
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Japanese (ja)
Inventor
Seiichi Chiba
誠一 千葉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
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Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP2009064207A priority Critical patent/JP2010219876A/en
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Abstract

【課題】振動片とICチップとが搭載された圧電デバイスにおいて、パッケージの強度を高めることができる圧電デバイスを提供する。
【解決手段】本発明に係る圧電デバイス100は、パッケージベース12と、パッケージベース12の上方に配置され、パッケージベース12を封止するリッド18と、パッケージベース12およびリッド18によって形成されるキャビティー1内に収容された振動片30と、キャビティー1内に、能動面22を下方に向けて収容されたICチップ20と、を含み、ICチップ20の能動面22と反対側の非能動面24は、リッド18の下面に接合されている。
【選択図】図1
In a piezoelectric device on which a resonator element and an IC chip are mounted, a piezoelectric device capable of increasing the strength of a package is provided.
A piezoelectric device according to the present invention includes a package base, a lid disposed above the package base and sealing the package base, and a cavity formed by the package base and the lid. 1 and an IC chip 20 housed in the cavity 1 with the active surface 22 facing downward, and an inactive surface opposite to the active surface 22 of the IC chip 20. 24 is joined to the lower surface of the lid 18.
[Selection] Figure 1

Description

本発明は、圧電デバイスに関する。   The present invention relates to a piezoelectric device.

水晶振動子に代表される圧電振動子は、広範な分野の製品に採用されている。圧電振動子は、時計や情報通信機器などでは、例えば、基準周波数信号を得るための発振器として利用されている。また、デジタルカメラや自動車などでは、例えば、機器の姿勢の制御を行うための力学的センサーとして利用されている。このように圧電振動子は様々な分野で用いられ、その分野に応じては、特にパッケージの強度が高い圧電振動子が求められている。   Piezoelectric vibrators typified by quartz vibrators are used in products in a wide range of fields. The piezoelectric vibrator is used as an oscillator for obtaining a reference frequency signal, for example, in a timepiece or an information communication device. Also, in digital cameras and automobiles, for example, it is used as a mechanical sensor for controlling the posture of the device. Thus, the piezoelectric vibrator is used in various fields, and a piezoelectric vibrator having particularly high package strength is required depending on the field.

例えば特許文献1では、圧電振動子のパッケージには、水晶振動素子と、水晶振動素子を駆動させるためのICチップと、が搭載されている。   For example, in Patent Document 1, a crystal resonator element and an IC chip for driving the crystal resonator element are mounted on a piezoelectric vibrator package.

しかしながら、特許文献1に開示された構造では、水晶振動素子とICチップとが並列して搭載されているため、パッケージの面積が大きくなり、パッケージの強度が低下する場合がある。   However, in the structure disclosed in Patent Document 1, since the crystal resonator element and the IC chip are mounted in parallel, the area of the package increases, and the strength of the package may decrease.

特開2004−343398号公報JP 2004-343398 A

本発明の目的の1つは、振動片とICチップとが搭載された圧電デバイスにおいて、パッケージの強度を高めることができる圧電デバイスを提供することにある。   One of the objects of the present invention is to provide a piezoelectric device capable of increasing the strength of a package in a piezoelectric device on which a resonator element and an IC chip are mounted.

本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。   SUMMARY An advantage of some aspects of the invention is to solve at least a part of the problems described above, and the invention can be implemented as the following forms or application examples.

[適用例1]
パッケージベースと、
前記パッケージベースの上方に配置され、前記パッケージベースを封止するリッドと、
前記パッケージベースおよび前記リッドによって形成されるキャビティー内に収容された振動片と、
前記キャビティー内に、能動面を下方に向けて収容されたICチップと、
を含み、
前記ICチップの前記能動面と反対側の非能動面は、前記リッドの下面に接合されている、圧電デバイス。
[Application Example 1]
Package base,
A lid disposed above the package base and sealing the package base;
A vibrating piece housed in a cavity formed by the package base and the lid;
An IC chip accommodated in the cavity with the active surface facing downward;
Including
A piezoelectric device, wherein an inactive surface opposite to the active surface of the IC chip is bonded to a lower surface of the lid.

本発明に係る圧電デバイスによれば、前記非能動面に前記リッドの下面が接合されているため、パッケージの強度を高めることができる。   According to the piezoelectric device of the present invention, the lower surface of the lid is bonded to the non-active surface, so that the strength of the package can be increased.

なお、本発明に係る記載では、「上方」という文言を、例えば、「特定のもの(以下「A」という)の「上方」に他の特定のもの(以下「B」という)を形成する」などと用いている。本発明に係る記載では、この例のような場合に、A上に直接Bを形成するような場合と、A上に他のものを介してBを形成するような場合とが含まれるものとして、「上方」という文言を用いている。   In the description of the present invention, the word “upper” is, for example, “forms another specific thing (hereinafter referred to as“ B ”)“ above ”a specific thing (hereinafter referred to as“ A ”)”. Etc. In the description according to the present invention, in the case of this example, the case where B is directly formed on A and the case where B is formed on A via another are included. The word “upward” is used.

[適用例2]
適用例1において、
前記非能動面は、接着剤によって、前記リッドの下面に接合されている、圧電デバイス。
[Application Example 2]
In application example 1,
The piezoelectric device, wherein the inactive surface is bonded to the lower surface of the lid by an adhesive.

本発明に係る圧電デバイスによれば、例えばパッケージに外力が加わった場合でも、前記非能動面と前記リッドの下面とが離れることを防止することができ、パッケージの強度を、確実に高めることができる。   According to the piezoelectric device of the present invention, for example, even when an external force is applied to the package, the inactive surface and the lower surface of the lid can be prevented from separating, and the strength of the package can be reliably increased. it can.

[適用例3]
適用例2において、
前記接着剤は、金属フィラーを含有している、圧電デバイス。
[Application Example 3]
In application example 2,
The adhesive is a piezoelectric device containing a metal filler.

本発明に係る圧電デバイスによれば、熱伝導性の高い前記接着剤を用いることができるので、例えば前記ICチップの駆動により発生した熱を、前記接着剤を介して、前記リッドから外部に放出することができ、放熱性を高めることができる。   According to the piezoelectric device of the present invention, since the adhesive having high thermal conductivity can be used, for example, heat generated by driving the IC chip is released from the lid to the outside through the adhesive. This can increase heat dissipation.

[適用例4]
適用例3において、
前記パッケージベースの下面側に形成されたグランド端子を、さらに含み、
前記非能動面は、前記リッドを介して、前記グランド端子と電気的に接続されている、圧電デバイス。
[Application Example 4]
In application example 3,
A ground terminal formed on the lower surface side of the package base;
The piezoelectric device in which the non-active surface is electrically connected to the ground terminal via the lid.

本発明に係る圧電デバイスによれば、前記非能動面を前記グランド端子と電気的に接続することができるので、前記非能動面のグランドを強化することができ、前記ICチップの電気的特性を安定化させることができる。   According to the piezoelectric device of the present invention, since the inactive surface can be electrically connected to the ground terminal, the ground of the inactive surface can be strengthened, and the electrical characteristics of the IC chip can be improved. Can be stabilized.

なお、本発明に係る記載では、「電気的に接続」という文言を、例えば、「特定の部材(以下「C部材」という)に「電気的に接続」された他の特定の部材(以下「D部材」という)」などと用いている。本発明に係る記載では、この例のような場合に、C部材とD部材とが、直接接して電気的に接続されているような場合と、C部材とD部材とが、他の部材を介して電気的に接続されているような場合とが含まれるものとして、「電気的に接続」という文言を用いている。   In the description according to the present invention, the phrase “electrically connected” is used as, for example, another specific member (hereinafter “electrically connected” to “specific member (hereinafter referred to as“ C member ”)”. It is used as "D member"). In the description according to the present invention, in the case of this example, the case where the C member and the D member are directly connected and electrically connected, and the C member and the D member are the other members. The term “electrically connected” is used as a case where the case where the terminals are electrically connected to each other is included.

本実施形態に係る圧電デバイスを模式的に示す断面図。1 is a cross-sectional view schematically showing a piezoelectric device according to an embodiment. 本実施形態に係る圧電デバイスの製造工程を模式的に示す断面図。Sectional drawing which shows typically the manufacturing process of the piezoelectric device which concerns on this embodiment. 本実施形態の変形例に係る圧電デバイスを模式的に示す断面図。Sectional drawing which shows typically the piezoelectric device which concerns on the modification of this embodiment.

以下、本発明の好適な実施形態について、図面を参照しながら説明する。   Preferred embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

1. 圧電デバイス
まず、本実施形態に係る圧電デバイス100について、図面を参照しながら説明する。図1は、圧電デバイス100を模式的に示す断面図である。
1. Piezoelectric Device First, a piezoelectric device 100 according to the present embodiment will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing the piezoelectric device 100.

圧電デバイス100は、図1に示すように、パッケージベース12とリッド18とを有するパッケージ10と、ICチップ20と、振動片30と、を含む。さらに、圧電デバイス100は、第1端子80と、第2端子82と、を含むことができる。   As illustrated in FIG. 1, the piezoelectric device 100 includes a package 10 having a package base 12 and a lid 18, an IC chip 20, and a vibrating piece 30. Further, the piezoelectric device 100 can include a first terminal 80 and a second terminal 82.

パッケージベース12は、ICチップ20および振動片30を収容することができる容器状の形状を有する。パッケージベース12は、基板14とシールリング16とを有する。基板14の上面(ICチップ20および振動片30が搭載される側の面)は、平坦な面であることができる。基板14の材質は、例えば、セラミック、ガラス等の無機材料である。基板14の上面側には、配線60,62,64が形成されていることができる。配線60,62,64の材質は、例えば、タングステンやモリブテン、ニッケル、金などである。シールリング16は、基板14の上面側に形成されている。シールリング16は、リング状の平面形状を有する。シールリング16によって、パッケージベース12は、ICチップ20および振動片30を内部に収容する開口を有することができる。シールリング16の材質は、例えば、42アロイ(鉄にニッケルが42%含有された合金)やコバール(鉄、ニッケルおよびコバルトの合金)等の金属、セラミックスなどである。   The package base 12 has a container shape that can accommodate the IC chip 20 and the vibrating piece 30. The package base 12 has a substrate 14 and a seal ring 16. The upper surface of the substrate 14 (the surface on which the IC chip 20 and the resonator element 30 are mounted) can be a flat surface. The material of the substrate 14 is, for example, an inorganic material such as ceramic or glass. Wirings 60, 62, 64 can be formed on the upper surface side of the substrate 14. The material of the wirings 60, 62, 64 is, for example, tungsten, molybdenum, nickel, gold, or the like. The seal ring 16 is formed on the upper surface side of the substrate 14. The seal ring 16 has a ring-like planar shape. With the seal ring 16, the package base 12 can have an opening that accommodates the IC chip 20 and the vibrating piece 30 therein. The material of the seal ring 16 is, for example, a metal such as 42 alloy (an alloy containing 42% nickel in iron) or Kovar (an alloy of iron, nickel, and cobalt), ceramics, or the like.

リッド18は、パッケージベース12上に形成されている。より具体的には、リッド18は、シールリング16の上面に接着されている。リッド18は、パッケージベース12の開口を封止する平板形状を有する。リッド18の材質は、例えば、42アロイやコバール等の金属、セラミックスなどである。パッケージベース12およびリッド18によって、ICチップ20および振動片30を収容するキャビティー1が形成される。キャビティー1は、密閉されることができ、減圧空間や不活性ガス雰囲気に設置されることができる。   The lid 18 is formed on the package base 12. More specifically, the lid 18 is bonded to the upper surface of the seal ring 16. The lid 18 has a flat plate shape that seals the opening of the package base 12. The material of the lid 18 is, for example, a metal such as 42 alloy or Kovar, ceramics, or the like. The package base 12 and the lid 18 form a cavity 1 that accommodates the IC chip 20 and the vibrating piece 30. The cavity 1 can be sealed and installed in a reduced pressure space or an inert gas atmosphere.

ICチップ20は、キャビティー1内に収容されている。ICチップ20は、パッケージベース12に、フリップチップボンディングされている。すなわち、ICチップ20は電極26,28を有し、電極26,28が形成されている能動面22を下方に向けて(フェースダウン)、キャビティー1内に収容されている。電極26,28は、バンプ50によって、配線60,62に、それぞれ電気的に接続されていることができる。電極26,28は、例えば、アルミニウムや銅などの多層構造からなる。バンプ50は、例えば、金などからなる。ICチップ20の能動面22と反対側の非能動面24は、上方を向いている。非能動面24は、リッド18の下面に接合されている。図示の例では、非能動面24は、接着剤40によって、リッド18の下面に接合されている。接着剤40としては、例えば、シリカ系接着剤、エポキシ樹脂系接着剤などを用いることができる。ICチップ20は、例えば、振動片30を駆動振動させるための駆動回路と、角速度が加わったときに振動片30に生じる検出振動を検出する検出回路と、を有することができる。   The IC chip 20 is accommodated in the cavity 1. The IC chip 20 is flip-chip bonded to the package base 12. That is, the IC chip 20 has electrodes 26 and 28 and is accommodated in the cavity 1 with the active surface 22 on which the electrodes 26 and 28 are formed facing downward (face down). The electrodes 26 and 28 can be electrically connected to the wirings 60 and 62 by bumps 50, respectively. The electrodes 26 and 28 have, for example, a multilayer structure such as aluminum or copper. The bump 50 is made of, for example, gold. The inactive surface 24 opposite to the active surface 22 of the IC chip 20 faces upward. The inactive surface 24 is joined to the lower surface of the lid 18. In the illustrated example, the inactive surface 24 is bonded to the lower surface of the lid 18 by an adhesive 40. As the adhesive 40, for example, a silica-based adhesive, an epoxy resin-based adhesive, or the like can be used. The IC chip 20 can include, for example, a drive circuit for driving and vibrating the vibration piece 30 and a detection circuit for detecting a detection vibration generated in the vibration piece 30 when an angular velocity is applied.

振動片30は、キャビティー1内に収容されている。振動片30は、例えば、ICチップ20と並列して収容されている。振動片30の態様は、特に限定されず、AT振動片、音叉振動片、SAW振動片などを例示することができる。振動片30の材質は、例えば、水晶、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム等の圧電材料などである。振動片30は、電極32,34を有し、振動片30の一部は、電極32,34によって挟まれている。電極32,34は、例えば、振動片30を駆動させるための電極である。振動片30の電極32,34の材質は、例えば、ICチップ20の電極26,28の材質と同じである。電極32,34は、バンプ50によって、配線62,64に、それぞれ電気的に接続されていることができる。図示の例では、振動片30の電極32は、配線62を介して、ICチップ20の電極28と電気的に接続されている。   The vibrating piece 30 is accommodated in the cavity 1. The vibration piece 30 is accommodated in parallel with the IC chip 20, for example. The mode of the vibrating piece 30 is not particularly limited, and examples thereof include an AT vibrating piece, a tuning fork vibrating piece, and a SAW vibrating piece. The material of the resonator element 30 is, for example, a piezoelectric material such as crystal, lithium tantalate, or lithium niobate. The vibrating piece 30 includes electrodes 32 and 34, and a part of the vibrating piece 30 is sandwiched between the electrodes 32 and 34. The electrodes 32 and 34 are electrodes for driving the vibrating piece 30, for example. The material of the electrodes 32 and 34 of the vibrating piece 30 is the same as the material of the electrodes 26 and 28 of the IC chip 20, for example. The electrodes 32 and 34 can be electrically connected to the wirings 62 and 64 by bumps 50, respectively. In the illustrated example, the electrode 32 of the resonator element 30 is electrically connected to the electrode 28 of the IC chip 20 via the wiring 62.

第1端子80および第2端子82は、パッケージベース12の下面(基板14の下面)側に形成されている。第1端子80および第2端子82は、例えば、タングステンやモリブテン、ニッケル、金などの多層構造からなる。第1端子80は、例えば、グランド端子となることができる。第2端子82は、例えば、電源用端子となることができる。第1端子80は、基板14を貫通するコンタクト70によって、配線60と電気的に接続されていることができる。第2端子82は、基板14を貫通するコンタクト72によって、配線64と電気的に接続されていることができる。コンタクト70,72の材質は、例えば、金、銅、アルミニウムなどである。   The first terminal 80 and the second terminal 82 are formed on the lower surface of the package base 12 (the lower surface of the substrate 14). The 1st terminal 80 and the 2nd terminal 82 consist of multilayer structures, such as tungsten, molybdenum, nickel, and gold, for example. The first terminal 80 can be, for example, a ground terminal. The second terminal 82 can be, for example, a power supply terminal. The first terminal 80 can be electrically connected to the wiring 60 by a contact 70 that penetrates the substrate 14. The second terminal 82 can be electrically connected to the wiring 64 by a contact 72 that penetrates the substrate 14. The material of the contacts 70 and 72 is, for example, gold, copper, or aluminum.

本実施形態に係る圧電デバイス100は、例えば、以下の特徴を有する。   The piezoelectric device 100 according to the present embodiment has, for example, the following characteristics.

圧電デバイス100では、ICチップ20の非能動面24は、リッド18の下面と接合されていることができる。そのため、例えば外力によるリッド18の変形を防止することができる。すなわち、リッド18を有するパッケージ10は、高い強度を有することができる。これにより、例えばリッド18の変形によって、リッド18と振動片30とが接触することを防止することができる。   In the piezoelectric device 100, the inactive surface 24 of the IC chip 20 can be bonded to the lower surface of the lid 18. Therefore, for example, deformation of the lid 18 due to external force can be prevented. That is, the package 10 having the lid 18 can have high strength. Thereby, for example, the lid 18 and the vibrating piece 30 can be prevented from coming into contact with each other due to the deformation of the lid 18.

圧電デバイス100では、ICチップ20の非能動面24は、接着剤40によって、リッド18の下面と接合されていることができる。そのため、例えばパッケージ10に外力が加わった場合でも、非能動面24とリッド18の下面とが離れることを防止することができる。したがって、パッケージ10の強度を、確実に高めることができる。   In the piezoelectric device 100, the inactive surface 24 of the IC chip 20 can be bonded to the lower surface of the lid 18 with an adhesive 40. Therefore, for example, even when an external force is applied to the package 10, it is possible to prevent the non-active surface 24 and the lower surface of the lid 18 from separating. Therefore, the strength of the package 10 can be reliably increased.

2. 本実施形態に係る圧電デバイスの製造方法
次に、圧電デバイス100の製造方法について、図面を参照しながら説明する。図2は、圧電デバイス100の製造工程を模式的に示す断面図である。
2. Next, a method of manufacturing the piezoelectric device 100 will be described with reference to the drawings. FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing the manufacturing process of the piezoelectric device 100.

図2に示すように、ICチップ20および振動片30が搭載されたパッケージベース12を準備する。ICチップ20は、フリップチップボンディングによって搭載されている。振動片30は、例えば公知の方法によって搭載される。なお、パッケージベース12の基板14には、例えば公知の方法により、配線60,62,64、コンタクト70,72、および端子80,82が形成されている。   As shown in FIG. 2, the package base 12 on which the IC chip 20 and the vibrating piece 30 are mounted is prepared. The IC chip 20 is mounted by flip chip bonding. The vibrating piece 30 is mounted by a known method, for example. Note that wirings 60, 62, 64, contacts 70, 72, and terminals 80, 82 are formed on the substrate 14 of the package base 12 by, for example, a known method.

次に、ICチップ20の非能動面24に、接着剤40を塗布する。   Next, the adhesive 40 is applied to the non-active surface 24 of the IC chip 20.

図1に示すように、リッド18によって、パッケージベース12の開口を封止して、パッケージ10を形成する。より具体的には、プラズマ溶接、シーム溶接、超音波接合、または接着剤等により、シールリング16の上面にリッド18を接着させる。その際に、接着剤40によって、リッド18の下面と非能動面24とを接合させる。   As shown in FIG. 1, an opening of the package base 12 is sealed with a lid 18 to form a package 10. More specifically, the lid 18 is bonded to the upper surface of the seal ring 16 by plasma welding, seam welding, ultrasonic bonding, adhesive, or the like. At that time, the lower surface of the lid 18 and the non-active surface 24 are bonded by the adhesive 40.

以上の工程により、圧電デバイス100を製造することができる。   Through the above steps, the piezoelectric device 100 can be manufactured.

圧電デバイス100の製造方法によれば、上述のとおり、パッケージ10の強度を高めることができる圧電デバイス100を得ることができる。   According to the method for manufacturing the piezoelectric device 100, as described above, the piezoelectric device 100 capable of increasing the strength of the package 10 can be obtained.

3. 変形例
次に、本実施形態の変形例に係る圧電デバイス200について、図面を参照しながら説明する。図3は、圧電デバイス200を模式的に示す断面図である。以下、本実施形態の変形例に係る圧電デバイス200において、本実施形態に係る圧電デバイス100の構成部材と同様の機能を有する部材については同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。
3. Modified Example Next, a piezoelectric device 200 according to a modified example of the present embodiment will be described with reference to the drawings. FIG. 3 is a cross-sectional view schematically showing the piezoelectric device 200. Hereinafter, in the piezoelectric device 200 according to the modification of the present embodiment, members having the same functions as those of the constituent members of the piezoelectric device 100 according to the present embodiment are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.

圧電デバイス200では、図3に示すように、ICチップの非能動面24は、接着剤240によって、リッド18の下面に接合されている。接着剤240は、金属フィラーを含有している。金属フィラーの材質は、特に限定されない。接着剤240は、金属フィラーを含有していることにより、電気的に導電性であることができる。また、熱伝導性を高めることができる。   In the piezoelectric device 200, as shown in FIG. 3, the inactive surface 24 of the IC chip is bonded to the lower surface of the lid 18 with an adhesive 240. The adhesive 240 contains a metal filler. The material of the metal filler is not particularly limited. The adhesive 240 can be electrically conductive by containing a metal filler. Moreover, heat conductivity can be improved.

圧電デバイス200では、非能動面24は、接着剤240、リッド18、シールリング16、および基板14を貫通するコンタクト274を介して、第1端子80と電気的に接続されている。すなわち、圧電デバイス200では、リッド18の材質は、電気的に導電性を有する金属である。また、シールリング16の材質は、電気的に導電性を有する金属であることができる。シールリング16の材質は、例えばセラミックスであることもでき、その場合は、シールリング16を貫通するコンタクト(図示せず)によって、リッド18とコンタクト274とは電気的に接続されていることができる。なお、コンタクト274は、例えば、コンタクト70,72と同じ材質であり、公知の方法によって形成される。   In the piezoelectric device 200, the inactive surface 24 is electrically connected to the first terminal 80 through the adhesive 240, the lid 18, the seal ring 16, and the contact 274 that penetrates the substrate 14. That is, in the piezoelectric device 200, the material of the lid 18 is an electrically conductive metal. The material of the seal ring 16 can be an electrically conductive metal. The material of the seal ring 16 can also be ceramics, for example. In that case, the lid 18 and the contact 274 can be electrically connected by a contact (not shown) penetrating the seal ring 16. . The contact 274 is made of the same material as the contacts 70 and 72, for example, and is formed by a known method.

圧電デバイス200によれば、上述のとおり、ICチップ20の非能動面24と、第1端子80と、を電気的に接続することができる。第1端子80はグランド端子となることができるため、非能動面24をグランド端子に電気的に接続することができる。そのため、圧電デバイス200では、非能動面24のグランドを強化することができ、ICチップ20の電気的特性を安定化させることができる。   According to the piezoelectric device 200, as described above, the inactive surface 24 of the IC chip 20 and the first terminal 80 can be electrically connected. Since the first terminal 80 can be a ground terminal, the non-active surface 24 can be electrically connected to the ground terminal. Therefore, in the piezoelectric device 200, the ground of the non-active surface 24 can be strengthened, and the electrical characteristics of the IC chip 20 can be stabilized.

また、圧電デバイス200によれば、熱伝導性の高い接着剤240を用いることができる。そのため、例えばICチップ20の駆動により発生した熱を、接着剤240を介して、リッド18から外部に放出することができる。すなわち、圧電デバイス200では、放熱性を高めることができ、高い信頼性を有することができる。   Moreover, according to the piezoelectric device 200, the adhesive 240 with high thermal conductivity can be used. Therefore, for example, heat generated by driving the IC chip 20 can be released to the outside from the lid 18 via the adhesive 240. That is, the piezoelectric device 200 can improve heat dissipation and have high reliability.

上記のように、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明の新規事項および効果から実体的に逸脱しない多くの変形が可能であることは当業者には容易に理解できよう。従って、このような変形例はすべて本発明の範囲に含まれるものとする。   Although the embodiments of the present invention have been described in detail as described above, those skilled in the art will readily understand that many modifications are possible without substantially departing from the novel matters and effects of the present invention. Accordingly, all such modifications are intended to be included in the scope of the present invention.

1 キャビティー、10 パッケージ、12 パッケージベース、16 シールリング、18 リッド、20 ICチップ、22 能動面、24 非能動面、26 電極、28 電極、30 振動片、32 電極、34 電極、40 接着剤、50 バンプ、60 配線、62 配線、64 配線、70 コンタクト、72 コンタクト、80 第1端子、82 第2端子、100 圧電デバイス、200 圧電デバイス、240 接着剤、274 コンタクト 1 cavity, 10 package, 12 package base, 16 seal ring, 18 lid, 20 IC chip, 22 active surface, 24 inactive surface, 26 electrode, 28 electrode, 30 vibrator element, 32 electrode, 34 electrode, 40 adhesive 50 bump, 60 wiring, 62 wiring, 64 wiring, 70 contact, 72 contact, 80 first terminal, 82 second terminal, 100 piezoelectric device, 200 piezoelectric device, 240 adhesive, 274 contact

Claims (4)

パッケージベースと、
前記パッケージベースの上方に配置され、前記パッケージベースを封止するリッドと、
前記パッケージベースおよび前記リッドによって形成されるキャビティー内に収容された振動片と、
前記キャビティー内に、能動面を下方に向けて収容されたICチップと、
を含み、
前記ICチップの前記能動面と反対側の非能動面は、前記リッドの下面に接合されている、圧電デバイス。
Package base,
A lid disposed above the package base and sealing the package base;
A vibrating piece housed in a cavity formed by the package base and the lid;
An IC chip accommodated in the cavity with the active surface facing downward;
Including
A piezoelectric device, wherein an inactive surface opposite to the active surface of the IC chip is bonded to a lower surface of the lid.
請求項1において、
前記非能動面は、接着剤によって、前記リッドの下面に接合されている、圧電デバイス。
In claim 1,
The piezoelectric device, wherein the inactive surface is bonded to the lower surface of the lid by an adhesive.
請求項2において、
前記接着剤は、金属フィラーを含有している、圧電デバイス。
In claim 2,
The adhesive is a piezoelectric device containing a metal filler.
請求項3において、
前記パッケージベースの下面側に形成されたグランド端子を、さらに含み、
前記非能動面は、前記リッドを介して、前記グランド端子と電気的に接続されている、圧電デバイス。
In claim 3,
A ground terminal formed on the lower surface side of the package base;
The piezoelectric device in which the non-active surface is electrically connected to the ground terminal via the lid.
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