JP2010199166A - Lead frame for optical semiconductor apparatus, and method of manufacturing the same - Google Patents
Lead frame for optical semiconductor apparatus, and method of manufacturing the same Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010199166A JP2010199166A JP2009040065A JP2009040065A JP2010199166A JP 2010199166 A JP2010199166 A JP 2010199166A JP 2009040065 A JP2009040065 A JP 2009040065A JP 2009040065 A JP2009040065 A JP 2009040065A JP 2010199166 A JP2010199166 A JP 2010199166A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plating film
- silver plating
- lead frame
- optical semiconductor
- silver
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
【課題】発光効率を向上させながら、樹脂の密着性を向上させることを目的とする。
【解決手段】リードフレーム２上に表面平滑剤を含まない下地めっき被膜３と、その表面に低シアン銀めっき液を用いて形成した銀めっき被膜４を形成することにより、光沢を持たせながら銀が析出しやすくなり、発光効率を向上させながら、樹脂の密着性を向上させることができる。
【選択図】図１An object of the present invention is to improve the adhesion of a resin while improving the luminous efficiency.
By forming a base plating film 3 that does not contain a surface smoothing agent on a lead frame 2 and a silver plating film 4 formed using a low cyan silver plating solution on the surface thereof, silver is provided with gloss. Can be easily deposited, and the adhesiveness of the resin can be improved while improving the luminous efficiency.
[Selection] Figure 1
Description
本発明は、光半導体素子を搭載し、樹脂封止される光半導体装置用リードフレームおよびその製造方法に関するものである。 The present invention relates to an optical semiconductor device lead frame on which an optical semiconductor element is mounted and resin-sealed, and a method for manufacturing the same.
光半導体装置用リードフレームとしては、その上に充填される封止樹脂との密着性を向上させるために、表面を粗面化めっきしている。
以下、図３を用いて従来の光半導体装置用リードフレームについて説明する。
The surface of the lead frame for optical semiconductor devices is roughened in order to improve the adhesion with the sealing resin filled thereon.
Hereinafter, a conventional lead frame for an optical semiconductor device will be described with reference to FIG.
図３は、従来の光半導体装置用リードフレームの構成を示す断面図である。
図３において、光半導体装置１は、銅または銅合金若しくは銅または銅合金が最表面となる非銅系合金からなる金属材料を用いたリードフレーム２上に粗面ニッケルめっき９ａおよび９ｂが形成され、リードフレーム２の発光素子５と金属細線６がワイヤーボンディングされるワイヤーボンディング部２ｂに対し選択的に銀めっき皮膜４が形成され、発光素子５実装後、封止樹脂８が充填される（例えば、特許文献１参照）。
FIG. 3 is a cross-sectional view showing a configuration of a conventional lead frame for an optical semiconductor device.
In FIG. 3, the optical semiconductor device 1 has
また、光半導体素子１の発光効率を向上させるために、粗面ニッケルめっき９ｂに表面平滑剤を添加したり、リードフレーム２表面を表面平滑剤が添加された銀めっきしたりする場合がある。この場合も、リードフレーム２の金属材料が銀めっきに拡散することを防止するために、リードフレーム２上に表面に凹凸が形成された下地めっきを施し、その上に薄い銀めっきを施す構成であった。銀めっき皮膜は、シアン化銀カリウム、シアン化カリウムおよび表面平滑剤や光沢剤などの添加剤を含有しためっき液で形成される。めっき液中では、銀イオンとシアン化物イオンが錯形成して銀を析出しにくくし、表面平滑剤や光沢剤などの添加剤により銀が析出する箇所を制限することで表面凹凸が小さく光沢のある銀めっき皮膜を形成していた。
しかしながら、前記従来の構成では、粗面ニッケルめっき９ａおよび９ｂは表面粗さが大きくめっき皮膜の内部応力が大きいため、結晶格子の歪みや欠陥などが生じやすく、封止樹脂８成形時や実装時のリフロー等による熱履歴により表面粗さが低減し、樹脂密着性が低下する課題を有している。 However, in the conventional configuration, the rough surface nickel plating 9a and 9b has a large surface roughness and a large internal stress of the plating film, so that distortion and defects of the crystal lattice are likely to occur, and the sealing resin 8 is formed or mounted. The surface roughness is reduced by the heat history due to reflow or the like, and there is a problem that the resin adhesion is lowered.
一般的に、金属は結晶格子の歪みや欠陥などによる内部応力を解消するため再結晶温度で結晶粒子に変化が生じる特性を持つ。ニッケルは再結晶温度が高く再結晶が生じにくい金属であるが、内部応力が大きいため再結晶が生じやすい環境を生じさせている。また、リードフレーム２に使用される金属は再結晶温度が低く、封止樹脂８成形時や実装時のリフロー等による熱履歴によりリードフレーム２金属の結晶粒子が変動する。それに伴ってリードフレーム２上の粗面化めっきは変動し表面粗さが低下する。
In general, metals have the property that crystal grains change at the recrystallization temperature in order to eliminate internal stress due to distortion or defects in the crystal lattice. Nickel is a metal that has a high recrystallization temperature and is unlikely to recrystallize, but because of its large internal stress, it creates an environment in which recrystallization is likely to occur. Further, the metal used for the
また、銀めっきを施した場合には、銀はニッケルよりも再結晶温度が低く、再結晶が生じやすくなるため樹脂密着性を確保できない。
本発明の光半導体装置用リードフレームは、前記従来の課題を解決するもので、発光効率を向上させながら、樹脂の密着性を向上させることを目的とする。
In addition, when silver plating is performed, the recrystallization temperature of silver is lower than that of nickel, and recrystallization tends to occur, so that resin adhesion cannot be ensured.
The lead frame for optical semiconductor devices of the present invention solves the above-mentioned conventional problems, and aims to improve the adhesion of the resin while improving the light emission efficiency.
上記目的を達成するために、本発明の光半導体装置用リードフレームは、光半導体素子を搭載する光半導体装置用リードフレームであって、前記光半導体素子の搭載領域を備えるリードフレームと、前記リードフレームの表面に形成される金属元素拡散防止膜である下地めっき被膜と、前記下地めっき被膜上に形成されて表面に光沢を有する結晶凹凸が形成される銀めっき被膜と、前記銀めっき被膜上の前記搭載領域の周囲に形成されるリフレクターとを備えることを特徴とする。 In order to achieve the above object, an optical semiconductor device lead frame of the present invention is an optical semiconductor device lead frame on which an optical semiconductor element is mounted, the lead frame having a mounting region for the optical semiconductor element, and the lead A base plating film that is a metal element diffusion prevention film formed on the surface of the frame; a silver plating film that is formed on the base plating film to form crystal irregularities having gloss on the surface; and on the silver plating film And a reflector formed around the mounting area.
また、前記銀めっき被膜が少なくとも前記リフレクターの形成領域に形成されることを特徴とする。
また、前記銀めっき被膜がセレン系光沢剤を含有することを特徴とする。
Moreover, the said silver plating film is formed in the formation area of the said reflector at least.
In addition, the silver plating film contains a selenium brightener.
また、前記銀めっき被膜の膜厚が１．０μｍ以下であることを特徴とする。
また、前記銀めっき被膜が、結晶凹凸が形成される第一銀めっき被膜上に、表面に光沢を有する結晶凹凸が形成される第二銀めっき被膜が積層される積層膜であることを特徴とする。
Moreover, the film thickness of the said silver plating film is 1.0 micrometer or less, It is characterized by the above-mentioned.
Further, the silver plating film is a laminated film in which a second silver plating film having glossy crystal irregularities formed on a surface is laminated on a first silver plating film on which crystal irregularities are formed. To do.
また、前記第一銀めっき被膜および前記第二銀めっき被膜の膜厚が１．０μｍ以下であることを特徴とする。
また、前記下地めっき被膜が表面平滑剤非含有皮膜であることを特徴とする。
In addition, the first silver plating film and the second silver plating film have a thickness of 1.0 μm or less.
Further, the base plating film is a film containing no surface smoothing agent.
また、前記銀めっき被膜が低シアン銀めっき液を用いて形成されることを特徴とする。
また、前記第二銀めっき被膜がセレン系光沢剤を含有することを特徴とする。
また、前記第二銀めっき被膜が少なくとも前記搭載領域およびワイヤーボンディング領域に形成されることを特徴とする。
The silver plating film is formed using a low cyan silver plating solution.
The second silver plating film contains a selenium brightener.
The second silver plating film is formed at least in the mounting region and the wire bonding region.
さらに、本発明の光半導体装置用リードフレームの製造方法は、光半導体素子の搭載領域を備える光半導体装置用リードフレームを製造する際に、リードフレームの表面に表面平滑剤非含有の金属元素拡散防止膜である下地めっき被膜を形成する工程と、前記下地めっき被膜上に表面に光沢を有する結晶凹凸が形成される銀めっき被膜をセレン系光沢剤を含有する低シアン銀めっき液を用いて形成する工程と、前記銀めっき被膜上の前記搭載領域の周囲にリフレクターを形成する工程とを有することを特徴とする。 Furthermore, the method for manufacturing a lead frame for an optical semiconductor device according to the present invention provides a diffusion of a metal element that does not contain a surface smoothing agent on the surface of the lead frame when manufacturing a lead frame for an optical semiconductor device having an optical semiconductor element mounting region. A step of forming a base plating film that is a protective film, and a silver plating film on the surface of the base plating film, on which the surface of the surface is glossy, is formed using a low cyan silver plating solution containing a selenium brightener And a step of forming a reflector around the mounting region on the silver plating film.
また、前記銀めっき被膜が少なくとも前記リフレクターの形成領域に形成されることを特徴とする。
また、光半導体素子の搭載領域を備える光半導体装置用リードフレームを製造する際に、リードフレームの表面に表面平滑剤非含有の金属元素拡散防止膜である下地めっき被膜を形成する工程と、前記下地めっき被膜上に表面に結晶凹凸が形成される第一銀めっき被膜を低シアン銀めっき液を用いて形成する工程と、前記第一銀めっき被膜上に表面に光沢を有する結晶凹凸が形成される第二銀めっき被膜をセレン系光沢剤を含有する低シアン銀めっき液を用いて形成する工程と、前記第一銀めっき被膜上の前記搭載領域の周囲にリフレクターを形成する工程とを有することを特徴とする。
Moreover, the said silver plating film is formed in the formation area of the said reflector at least.
Further, when manufacturing an optical semiconductor device lead frame having an optical semiconductor element mounting region, a step of forming a base plating film which is a metal element diffusion prevention film containing no surface smoothing agent on the surface of the lead frame; A step of forming a first silver plating film having a crystal irregularity on the surface of the base plating film using a low cyan silver plating solution, and forming a crystal irregularity having a glossy surface on the first silver plating film. Forming a second silver plating film using a low cyan silver plating solution containing a selenium brightener, and forming a reflector around the mounting region on the first silver plating film. It is characterized by.
また、前記第二銀めっき被膜が少なくとも前記搭載領域およびワイヤーボンディング領域に形成されることを特徴とする。
以上により、発光効率を向上させながら、樹脂の密着性を向上させることができる。
The second silver plating film is formed at least in the mounting region and the wire bonding region.
As described above, the adhesiveness of the resin can be improved while improving the luminous efficiency.
以上のように、リードフレーム上に表面平滑剤を含まない下地めっき被膜と、その表面に低シアン銀めっき液を用いて形成した銀めっき被膜を形成することにより、光沢を持たせながら銀が析出しやすくなり、発光効率を向上させながら、樹脂の密着性を向上させることができる。 As described above, by depositing a base plating film that does not contain a surface smoothing agent on the lead frame and a silver plating film that is formed using a low cyan silver plating solution on the surface, silver is deposited while giving gloss. It becomes easy to do, and it can improve the adhesiveness of resin, improving luminous efficiency.
以下本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
（実施の形態１）
図１は、本発明の光半導体装置用リードフレームの構成を示す断面図である。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
(Embodiment 1)
FIG. 1 is a cross-sectional view showing a configuration of a lead frame for an optical semiconductor device according to the present invention.
図１（ａ）において、本発明の光半導体装置用リードフレームは、リードフレーム２上に下地めっき皮膜３が形成され、下地めっき皮膜３上に銀めっき皮膜４が形成され、銀めっき皮膜４の外郭を囲繞した樹脂成形体からなるリフレクター７が形成される。光半導体装置１は、光半導体装置用リードフレームに発光素子５実装後、封止樹脂８が充填される構成である。
1A, in the lead frame for an optical semiconductor device of the present invention, a base plating film 3 is formed on the
以下詳細に説明する。
光半導体装置１に用いるリードフレーム２は、銅または銅合金若しくは鉄または鉄合金からなる金属材料を従来から用いられているプレス法またはエッチング法により形成される。リードフレーム２上には下地めっき皮膜３として０．５μｍ〜２μｍの銅めっき皮膜や０．０１μｍ〜０．１μｍの銀ストライクめっき皮膜、もしくは０．０１μｍ〜０．５μｍの銅ストライクめっき皮膜や０．５μｍ〜２μｍの銅めっき皮膜や０．０１μｍ〜０．１μｍの銀ストライクめっき皮膜が形成される。
This will be described in detail below.
The
このような下地めっき皮膜３は、銅及び銅合金若しくは鉄及び鉄合金と下地めっき皮膜３との密着性を確保でき、特に鉄及び鉄合金は酸化されやすい卑な金属であるため、鉄及び鉄合金よりも酸化されにくい金属めっき皮膜を形成することによって腐食性を緩和することができる。加えて、その表面に形成される銀めっき被膜４中へリードフレーム２の銅または銅合金若しくは鉄または鉄合金に含まれる元素を熱拡散しにくい状態にして銀めっき皮膜４の層間剥離や銀めっき皮膜４上の変色を防止することができる。
Such a base plating film 3 can secure the adhesion between copper and copper alloy or iron and iron alloy and the base plating film 3, and particularly iron and iron alloy are base metals that are easily oxidized. Corrosion can be mitigated by forming a metal plating film that is less oxidized than the alloy. In addition, delamination or silver plating of the silver plating film 4 is performed by making elements contained in the copper, copper alloy, iron, or iron alloy of the
ちなみに、前記０．０１μｍ〜０．１μｍの銀ストライクめっき皮膜は銀めっき置換防止皮膜に置き換えることができる。これによれば、下地めっき前後の処理液の種類を問わず下地めっき処理を行うことができ前記効能を得ることができる。 Incidentally, the 0.01 μm to 0.1 μm silver strike plating film can be replaced with a silver plating replacement prevention film. According to this, the base plating treatment can be performed regardless of the kind of the treatment liquid before and after the base plating, and the above-mentioned effect can be obtained.
下地めっき皮膜３上に銀めっき皮膜４として、低シアン銀めっき液を用いて０．３μｍ〜３．０μｍの半光沢銀めっき皮膜が形成される。銀めっき皮膜４は少なくともリフレクター７を構成する熱可塑性樹脂と接触する領域に形成すれば良い。 A semi-glossy silver plating film of 0.3 μm to 3.0 μm is formed as a silver plating film 4 on the base plating film 3 using a low cyan silver plating solution. What is necessary is just to form the silver plating film 4 in the area | region which contacts the thermoplastic resin which comprises the reflector 7 at least.
低シアン銀めっき液を用いて銀めっき被膜４を形成することにより、下地めっき皮膜３の表面凹凸を引き継がせながら、かつ銀めっき皮膜４自体の結晶凹凸を持たせることができ、リフレクター７とのアンカー効果を狙える銀めっき皮膜４を形成することができる。また、下地めっき皮膜３として表面平滑剤を含有しないめっき液を使用することにより、表面の凹凸の形成が抑制されることなく、材料凹凸を引き継ぎながら、凹部に表面平滑剤が吸着せず、凹部、凸部ともに均等に結晶析出が生じ、凹部を残したまま凸部が結晶成長するため、結晶が大きくなり、表面凹凸が形成される。その下地めっき皮膜３上に低シアン銀めっき液で銀めっきを行うことにより、シアン化物イオンの発生が少なくなり、意図的に銀が析出しやすい環境を作り出すことで表面平滑剤や光沢剤などの添加剤の効果を低減させ、下地めっき皮膜３の表面凹凸を引き継いで表面凹凸の大きな銀めっき皮膜４を形成することができる。 By forming the silver plating film 4 using the low cyan silver plating solution, it is possible to give the crystal unevenness of the silver plating film 4 itself while taking over the surface unevenness of the base plating film 3. The silver plating film 4 aiming at the anchor effect can be formed. Further, by using a plating solution that does not contain a surface smoothing agent as the base plating film 3, the surface smoothing agent is not adsorbed in the recesses while taking over the material irregularities without suppressing the formation of surface irregularities. In addition, crystal precipitation occurs evenly in both the convex portions and the convex portions grow while leaving the concave portions, so that the crystal becomes large and surface irregularities are formed. By performing silver plating on the base plating film 3 with a low cyan silver plating solution, the generation of cyanide ions is reduced and an environment in which silver is intentionally deposited is intentionally created, so that a surface smoothing agent, a brightening agent, etc. The effect of the additive can be reduced, and the surface plating irregularities of the base plating film 3 can be inherited to form the silver plating film 4 having large surface irregularities.
また、銀が析出しやすい環境になることにより内部応力などの結晶歪が解消されるので安定な結晶構造を持ち、成形時や実装時の加熱によっても表面凹凸が維持される。その際セレン系光沢剤を添加しておくことにより、銀めっき皮膜４は半光沢銀めっきとなる。 Further, since the crystal distortion such as internal stress is eliminated by becoming an environment in which silver is likely to precipitate, it has a stable crystal structure, and the surface unevenness is maintained even by heating during molding or mounting. At this time, by adding a selenium brightener, the silver plating film 4 becomes semi-glossy silver plating.
従来銀めっき皮膜は、先に述べたようにシアン化物イオンにより銀イオンの移動を抑制し、表面平滑剤や光沢剤などの添加剤によって銀イオンが電子受給し銀が析出する箇所を制限しながら形成されることによって、銀めっき皮膜の結晶配列は金属銀やスパッタ法で形成される銀よりも歪を持つようになる。そこで、低シアン銀めっき液を使用することで銀イオンの移動抑制を低減させ、従来の銀めっき皮膜よりも結晶配列の歪を少なくすることができる。従って、成形時における金型や樹脂による加熱または実装時のリフロー等による熱履歴や銀の時間経過による再結晶を生じにくくするため、結晶は移動することはなく、結果として材料金属の再結晶に影響を受けにくくでき、銀めっき表面凹凸を維持することができる。その際セレン系光沢剤の作用で銀めっき皮膜は半光沢銀めっきとなる。 Conventional silver plating film suppresses the movement of silver ions by cyanide ions as described above, while limiting the places where silver ions are received and silver is deposited by additives such as surface smoothing agents and brighteners. By being formed, the crystal arrangement of the silver plating film is more distorted than metallic silver or silver formed by sputtering. Therefore, by using a low cyan silver plating solution, it is possible to reduce the suppression of silver ion movement and to reduce the distortion of the crystal arrangement as compared with the conventional silver plating film. Therefore, the crystal does not move in order to make it difficult to cause recrystallization due to heat history due to heating with a mold or resin at the time of molding or reflow at the time of mounting, or time passage of silver, and as a result, recrystallization of the material metal It is difficult to be affected, and the surface roughness of the silver plating can be maintained. At that time, the silver plating film becomes semi-glossy silver plating by the action of the selenium brightener.
銀めっき皮膜４に替えて、以下のような構成にすることもできる。
図１（ｂ）に示すように、まず、下地めっき皮膜３上には第一銀めっき皮膜４ａとして、低シアン銀めっき液を用いて０．３μｍ〜１．０μｍの無光沢または半光沢銀めっき皮膜が形成される。第一めっき皮膜４ａは少なくともリフレクター７を構成する熱可塑性樹脂と接触する領域に形成すれば良い。
It can replace with the silver plating film 4 and can also be set as the following structures.
As shown in FIG. 1 (b), first, a matte or semi-glossy silver plating of 0.3 μm to 1.0 μm using a low cyan silver plating solution as the first silver plating film 4a on the base plating film 3. A film is formed. What is necessary is just to form the 1st plating film 4a in the area | region which contacts the thermoplastic resin which comprises the reflector 7 at least.
さらに、第一銀めっき皮膜上の発光素子５の実装部２ａおよび金属細線６がワイヤーボンディングされるワイヤーボンディング部２ｂに、第二銀めっき皮膜４ｂとして、低シアン銀めっき液を用いて０．５μｍ〜２．０μｍの部分銀めっき皮膜が形成される。
Further, a low cyan silver plating solution is used as the second
第一銀めっき皮膜４ａによって、下地めっき皮膜３の表面凹凸を引き継がせながら、かつ第一銀めっき皮膜４ａ自体の結晶凹凸を持たせることができ、リフレクター７と最も接触する面に結晶凹凸の大きな銀めっきを接触することができるので更にリフレクター７とのアンカー効果を狙える銀めっき皮膜を形成することができる。また、めっき皮膜はめっきが形成されるに従いめっき金属の結晶構造に近づいていくが、１．０μｍ以下の銀めっき皮膜では下地めっき皮膜３の表面凹凸を引き継ぐため第一銀めっき皮膜の表面凹凸を持たせることができる。 With the first silver plating film 4a, the surface unevenness of the base plating film 3 can be inherited, and the crystal unevenness of the first silver plating film 4a itself can be provided, and the surface most in contact with the reflector 7 has large crystal unevenness. Since silver plating can be contacted, a silver plating film that can further aim for an anchor effect with the reflector 7 can be formed. Also, the plating film approaches the crystal structure of the plated metal as the plating is formed. However, in the case of a silver plating film of 1.0 μm or less, the surface unevenness of the first silver plating film is taken over by inheriting the surface unevenness of the base plating film 3. You can have it.
また、シアン化物イオンを減少させることにより意図的に銀が析出しやすい環境を作り出すことで表面平滑剤や光沢剤などの添加剤の効果を低減させ、表面凹凸が大きく半光沢のある第二銀めっき皮膜４ｂを形成することができる。第二銀めっき皮膜４ｂに光沢を持たせる理由は、ＬＥＤチップが発光する際に拡散する光を、めっき面で効率よく反射させて、リフレクターにより指向性を持たせ光の拡散や乱反射を防止して発光効率の低下を防止するためである。実装部２ａ・ワイヤーボンディング部２ｂともにめっきに凹凸をもたせる理由は、実装部はＡｇペースト等の有機物を含む物質でＬＥＤチップが搭載されるため、ペースト剤が流れる経路を長くしブリードアウトしにくくすることにより、ブリードアウト防止のためである。ワイヤーボンディング部２ｂは結晶凹凸によってワイヤーボンドとの摩擦抵抗を増加させることによってワイヤーボンディング性を良好にさせるためである。
In addition, by reducing the cyanide ions, the effect of additives such as surface smoothing agents and brightening agents is reduced by creating an environment where silver is intentionally easily deposited, and the second silver has a large surface roughness and a semi-gloss. The
また、銀が析出しやすい環境になることにより結晶構造自体は安定するため成形時や実装時の加熱によっても表面凹凸が維持される。その際、第二銀めっき皮膜４ｂにセレン系光沢剤を添加しておくことにより銀めっき皮膜は半光沢銀めっきとなる。
In addition, since the crystal structure itself is stabilized by becoming an environment in which silver is likely to precipitate, surface irregularities are maintained even by heating during molding or mounting. At that time, by adding a selenium brightener to the second
従来銀めっき皮膜は、先に述べたようにシアン化物イオンにより銀イオンの移動を抑制し、表面平滑剤や光沢剤などの添加剤によって銀イオンが電子受給して銀が析出する箇所を制限しながら形成されることによって、銀めっき皮膜の結晶配列は金属銀やスパッタ法で形成される銀よりも歪を持つようになる。そこで、低シアン銀めっき液を使用することで銀イオンの移動抑制を低減させ、従来の銀めっき皮膜よりも結晶配列の歪を少なくすることができる。従って、成形時における金型や樹脂による加熱または実装時のリフロー等による熱履歴や銀の時間経過による再結晶を生じにくくするため、結晶は移動することはなく、結果として材料金属の再結晶の影響を受けにくくなり、銀めっきの表面凹凸を維持することができる。その際セレン系光沢剤の作用で銀めっき皮膜は半光沢銀めっきとなる。 As described above, conventional silver plating films suppress the migration of silver ions by cyanide ions, and limit the places where silver ions are electron-received by additives such as surface smoothing agents and brighteners to deposit silver. As a result, the crystal arrangement of the silver plating film is more strained than metallic silver or silver formed by sputtering. Therefore, by using a low cyan silver plating solution, it is possible to reduce the suppression of silver ion movement and to reduce the distortion of the crystal arrangement as compared with the conventional silver plating film. Therefore, the crystal does not move in order to make it difficult for recrystallization due to heat history due to heating with a mold or resin at the time of molding or reflow at the time of mounting or silver time, and as a result, recrystallization of the material metal It becomes difficult to be affected, and the surface unevenness of the silver plating can be maintained. At that time, the silver plating film becomes semi-glossy silver plating by the action of the selenium brightener.
以上のように、表面凹凸のある半光沢銀めっきを形成させることによりリフレクターを構成する熱可塑性樹脂とリードフレームの密着性を向上させ、かつ高い発光効率を得ることができる。
（実施の形態２）
図２は、本発明の光半導体装置用リードフレームおよび光半導体装置の製造方法を説明する工程断面図である。
As described above, by forming a semi-glossy silver plating with surface irregularities, the adhesiveness between the thermoplastic resin constituting the reflector and the lead frame can be improved, and high luminous efficiency can be obtained.
(Embodiment 2)
FIG. 2 is a process cross-sectional view illustrating the optical semiconductor device lead frame and the method of manufacturing the optical semiconductor device of the present invention.
図２（ａ）〜図（ｅ）において、図１と同じ構成は説明を省略する。
図２に示すように、銅または銅合金若しくは鉄または鉄合金からなる金属材料をプレス法またはエッチング法によりリードフレーム２を形成し、リードフレーム２上に表面平滑剤を含まない下地めっき皮膜３を形成する。
2A to 2E, the description of the same configuration as that in FIG. 1 is omitted.
As shown in FIG. 2, a
下地めっき皮膜３を形成する前にリードフレーム２には、脱脂、洗浄、酸洗等の前処理が施す。なお、銅または銅合金若しくは鉄または鉄合金からなる金属材料の封止樹脂８成形時や実装時のリフロー等による熱履歴における金属材料の再結晶を抑制するために、プレス法であれば金属材料表面の加工変質層を取り去る工程、例えば化学研磨や電解研磨などを施すとなお良い。
Before the base plating film 3 is formed, the
次に、下地めっき皮膜３として０．５μｍ〜２μｍの銅めっき皮膜や０．０１μｍ〜０．１μｍの銀ストライクめっき皮膜、もしくは０．０１μｍ〜０．５μｍの銅ストライクめっき皮膜や０．５μｍ〜２μｍの銅めっき皮膜や０．０１μｍ〜０．１μｍの銀ストライクめっき皮膜が形成されている。 Next, as the base plating film 3, a copper plating film of 0.5 μm to 2 μm, a silver strike plating film of 0.01 μm to 0.1 μm, or a copper strike plating film of 0.01 μm to 0.5 μm or 0.5 μm to 2 μm. A copper plating film and a silver strike plating film of 0.01 μm to 0.1 μm are formed.
これによって、下地めっき皮膜３によれば、銅及び銅合金若しくは鉄及び鉄合金とめっき皮膜３の密着性を確保でき、特に鉄及び鉄合金は酸化されやすい卑な金属であるため、鉄及び鉄合金よりも酸化されにくい金属めっき皮膜を形成することによって腐食性を緩和することができる。加えて、その上に形成される銀めっき被膜４中へリードフレーム２の銅または銅合金若しくは鉄または鉄合金に含まれる元素を熱拡散しにくい状態にして銀めっき皮膜４の層間剥離や銀めっき皮膜上の変色を防止することができる。
As a result, according to the base plating film 3, the adhesion between copper and copper alloy or iron and iron alloy and the plating film 3 can be ensured. In particular, iron and iron alloy are base metals that are easily oxidized. Corrosion can be mitigated by forming a metal plating film that is less oxidized than the alloy. In addition, delamination or silver plating of the silver plating film 4 is performed by making elements contained in the copper, copper alloy, iron, or iron alloy of the
ちなみに、前記０．０１μｍ〜０．１μｍの銀ストライクめっき皮膜は銀めっき置換防止皮膜に置き換えることができる。これによれば、下地めっき前後の処理液の種類を問わず下地めっき処理を行うことができ前記効能を得ることができる（図２（ａ））。 Incidentally, the 0.01 μm to 0.1 μm silver strike plating film can be replaced with a silver plating replacement prevention film. According to this, the base plating process can be performed regardless of the kind of the processing solution before and after the base plating, and the above-mentioned effect can be obtained (FIG. 2A).
次に、下地めっき皮膜３上に銀めっき皮膜４として、低シアン銀めっき液を用いて０．３μｍ〜３．０μｍの半光沢銀めっき皮膜を形成する。この時、銀めっき被膜４に光沢を持たせるために、セレン系光沢剤を添加しておく。また、銀めっき皮膜４は少なくともリフレクター７を構成する熱可塑性樹脂と接触する領域に形成すれば良い。 Next, a semi-glossy silver plating film of 0.3 μm to 3.0 μm is formed as a silver plating film 4 on the base plating film 3 using a low cyan silver plating solution. At this time, a selenium brightener is added to give the silver plating film 4 gloss. Further, the silver plating film 4 may be formed at least in a region in contact with the thermoplastic resin constituting the reflector 7.
このとき、リードフレーム２全面又は少なくともリフレクター設置部にリール・トゥ・リール方式もしくはバレルめっき方式を採用して銀めっき被膜４を形成すると良い。なお、このときめっき不要部をシリコーンラバー等で形成されたメカニカルマスクで囲い、めっき部へめっき液を吹き上げるスパージャ方式を採用するとなお良い。また、めっき不要部にマスキングテープを施すテーピング方式、若しくはレジストを塗布する露光方式を採用しても良い。
At this time, the silver plating film 4 may be formed by employing a reel-to-reel method or a barrel plating method on the entire surface of the
これによって、下地めっき皮膜３の表面凹凸を引き継がせながら、かつ銀めっき皮膜４自体の結晶凹凸を持たせることができ、リフレクター７とのアンカー効果を狙える銀めっき皮膜４を形成することができる。下地めっき皮膜３は表面平滑剤を含有しないめっき液を使用しているため、材料凹凸を引き継ぎながら、大きな結晶が形成されて表面凹凸を持つ。その下地めっき皮膜３上に低シアン銀めっき液でめっきを行うことにより、シアン化物イオンを減少させ、意図的に銀が析出しやすい環境を作り出すことで、表面平滑剤や光沢剤などの添加剤の効果を低減させて表面凹凸が大きな半光沢のある銀めっき皮膜を形成することができる（図２（ｂ））。 As a result, the surface unevenness of the base plating film 3 can be inherited, and the crystal unevenness of the silver plating film 4 itself can be provided, and the silver plating film 4 aiming at the anchor effect with the reflector 7 can be formed. Since the base plating film 3 uses a plating solution that does not contain a surface smoothing agent, large crystals are formed and surface irregularities are formed while inheriting material irregularities. By plating the base plating film 3 with a low cyan silver plating solution to reduce the cyanide ions and create an environment where silver is likely to precipitate intentionally, additives such as surface smoothing agents and brighteners Thus, a semi-glossy silver plating film with large surface irregularities can be formed (FIG. 2B).
銀めっき皮膜４に替えて、以下のような構成にすることもできる。
下地めっき皮膜３上に第一銀めっき皮膜４ａとして、低シアン銀めっき液を用いて０．３μｍ〜１．０μｍの無光沢または半光沢銀めっき皮膜を形成する。第一めっき皮膜４ａは少なくともリフレクター７を構成する熱可塑性樹脂と接触する領域に形成すれば良い。
It can replace with the silver plating film 4 and can also be set as the following structures.
A matte or semi-glossy silver plating film of 0.3 μm to 1.0 μm is formed as a first silver plating film 4 a on the base plating film 3 using a low cyan silver plating solution. What is necessary is just to form the 1st plating film 4a in the area | region which contacts the thermoplastic resin which comprises the reflector 7 at least.
このとき、リードフレーム２全面又は少なくともリフレクター設置部にリール・トゥ・リール方式もしくはバレルめっき方式を採用して第一銀めっき皮膜４ａを形成すると良い。
At this time, the first silver plating film 4a may be formed by employing a reel-to-reel method or a barrel plating method on the entire surface of the
これによって、下地めっき皮膜３の表面凹凸を引き継がせながら、かつ第一銀めっき皮膜４ａ自体の結晶凹凸を持たせることができ、リフレクター７と最も接触する面に結晶凹凸の大きな銀めっきを接触させることができるので、更にリフレクター７とのアンカー効果を狙える第一銀めっき皮膜４ａを形成することができる。また、めっき皮膜はめっきが形成されるに従いめっき金属の結晶構造に近づいていくが、１．０μｍ以下の銀めっき皮膜では下地めっき皮膜３の表面凹凸を引き継ぐため第一銀めっき皮膜４ａの表面凹凸を持たせることができる。 As a result, the surface unevenness of the base plating film 3 can be inherited, and the crystal unevenness of the first silver plating film 4a itself can be provided, and the silver plating having the large crystal unevenness is brought into contact with the surface most in contact with the reflector 7. Therefore, the first silver plating film 4a that can aim at the anchor effect with the reflector 7 can be formed. Further, the plating film approaches the crystal structure of the plated metal as the plating is formed. However, in the case of a silver plating film having a thickness of 1.0 μm or less, the surface unevenness of the first silver plating film 4a is inherited. Can be given.
さらに、下地めっき皮膜３は表面平滑剤を含有しないめっき液を使用しているため材料凹凸を引き継ぎながら、かつ結晶が大きいため表面凹凸を持つ。その下地めっき皮膜３上に低シアン銀めっき液でめっきを行うことにより、シアン化物イオンを減少させ、意図的に銀が析出しやすい環境を作り出すことができ、表面凹凸が大きい第一銀めっき皮膜４ａを形成することができる。 Furthermore, since the base plating film 3 uses a plating solution that does not contain a surface smoothing agent, it has surface irregularities while taking over the material irregularities and having large crystals. By plating the base plating film 3 with a low cyan silver plating solution, it is possible to reduce cyanide ions, create an environment in which silver is intentionally easily deposited, and the first silver plating film with large surface irregularities. 4a can be formed.
次に、第一銀めっき皮膜４ａ上の発光素子５の実装部２ａおよび金属細線６がワイヤーボンディングされるワイヤーボンディング部２ｂに、低シアン銀めっき液で表面平滑剤を含む第二めっき皮膜４ｂを形成する。
Next, a
このとき、めっき不要部をシリコーンラバー等で形成されたメカニカルマスクで囲い、めっき部へめっき液を吹き上げるスパージャ方式を採用すると良い。また、めっき不要部にマスキングテープを施してめっきを行うテーピング方式、若しくはめっき不要部にレジストを塗布してめっきを行う露光方式を採用しても良い。 At this time, it is preferable to employ a sparger method in which the plating unnecessary portion is surrounded by a mechanical mask formed of silicone rubber or the like and the plating solution is blown to the plating portion. Further, a taping method in which plating is performed by applying a masking tape to the plating unnecessary portion or an exposure method in which plating is performed by applying a resist to the plating unnecessary portion may be employed.
このように、低シアン銀めっき液でめっきを行うことにより、シアン化物イオンを減少させ、意図的に銀が析出しやすい環境を作り出すことができ、表面平滑剤や光沢剤などの添加剤の効果を低減させて表面凹凸が大きく半光沢のある第二銀めっき皮膜４ｂを形成することができる（図２（ｅ）参照）。
In this way, by plating with a low cyan silver plating solution, it is possible to reduce the cyanide ion and create an environment where silver is intentionally easily deposited. Effects of additives such as surface smoothing agents and brighteners Thus, the second
なお、銀めっき皮膜形成後はめっきの洗浄を目的とした後処理、例えばクエン酸水溶液を用いた電解洗浄を行うとなおよい。
これによって、銀めっき皮膜４とリフレクター７接触界面の不純物を除去することができ、銀めっき皮膜４または第二銀めっき皮膜４ｂとリフレクター７樹脂とのアンカー効果がより強固になり樹脂密着性を得ることができる。
In addition, after the silver plating film is formed, it is more preferable to perform post-treatment for the purpose of washing the plating, for example, electrolytic washing using an aqueous citric acid solution.
As a result, impurities at the contact interface between the silver plating film 4 and the reflector 7 can be removed, and the anchor effect between the silver plating film 4 or the second
次に、銀めっき皮膜４が形成された領域に液晶ポリマー、ポリフタルアミドなどからなる熱可塑性樹脂で形成したリフレクター７を形成して本発明の光半導体装置用リードフレームが完成する（図２（ｃ））。 Next, a reflector 7 made of a thermoplastic resin made of a liquid crystal polymer, polyphthalamide, or the like is formed in the region where the silver plating film 4 is formed to complete the lead frame for an optical semiconductor device of the present invention (FIG. 2 ( c)).
最後に発光素子５を実装して金属細線６によりワイヤーボンディングをした後、封止樹脂４を充填して光半導体装置が完成する（図２（ｄ），図２（ｅ））。 Finally, the light emitting element 5 is mounted and wire bonding is performed with the fine metal wires 6, and then the sealing resin 4 is filled to complete the optical semiconductor device (FIGS. 2D and 2E).
半発明の光半導体装置用リードフレームおよび光半導体装置用リードフレームの製造方法は、発光効率を向上させながら、樹脂の密着性を向上させることができ、光半導体素子を搭載し、樹脂封止される光半導体装置用リードフレームおよびその製造方法等に有用である。 The semi-invented optical semiconductor device lead frame and optical semiconductor device lead frame manufacturing method can improve the adhesion of the resin while improving the light emission efficiency. This is useful for a lead frame for an optical semiconductor device and a method for manufacturing the same.
１ 光半導体装置
２ リードフレーム
２ａ 実装部
２ｂ ワイヤーボンディング部
３ 下地めっき皮膜
４ 銀めっき皮膜
４ａ 第一銀めっき皮膜
４ｂ 第二銀めっき皮膜
５ 発光素子
６ 金属細線
７ リフレクター
８ 封止樹脂
９ａ 粗面ニッケルめっき
９ｂ 粗面ニッケルめっき
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1
Claims (14)
前記光半導体素子の搭載領域を備えるリードフレームと、
前記リードフレームの表面に形成される金属元素拡散防止膜である下地めっき被膜と、
前記下地めっき被膜上に形成されて表面に光沢を有する結晶凹凸が形成される銀めっき被膜と、
前記銀めっき被膜上の前記搭載領域の周囲に形成されるリフレクターと
を備えることを特徴とする光半導体装置用リードフレーム。 An optical semiconductor device lead frame on which an optical semiconductor element is mounted,
A lead frame comprising a mounting region for the optical semiconductor element;
A base plating film which is a metal element diffusion prevention film formed on the surface of the lead frame;
A silver plating film that is formed on the base plating film to form a crystal irregularity having gloss on the surface;
A lead frame for an optical semiconductor device, comprising: a reflector formed around the mounting region on the silver plating film.
リードフレームの表面に表面平滑剤非含有の金属元素拡散防止膜である下地めっき被膜を形成する工程と、
前記下地めっき被膜上に表面に光沢を有する結晶凹凸が形成される銀めっき被膜をセレン系光沢剤を含有する低シアン銀めっき液を用いて形成する工程と、
前記銀めっき被膜上の前記搭載領域の周囲にリフレクターを形成する工程と
を有することを特徴とする光半導体装置用リードフレームの製造方法。 When manufacturing a lead frame for an optical semiconductor device having an optical semiconductor element mounting area,
Forming a base plating film which is a metal element diffusion prevention film containing no surface smoothing agent on the surface of the lead frame;
A step of forming a silver plating film on which the surface of the base plating film has glossy crystal irregularities is formed using a low cyan silver plating solution containing a selenium brightener,
And a step of forming a reflector around the mounting area on the silver plating film.
リードフレームの表面に表面平滑剤非含有の金属元素拡散防止膜である下地めっき被膜を形成する工程と、
前記下地めっき被膜上に表面に結晶凹凸が形成される第一銀めっき被膜を低シアン銀めっき液を用いて形成する工程と、
前記第一銀めっき被膜上に表面に光沢を有する結晶凹凸が形成される第二銀めっき被膜をセレン系光沢剤を含有する低シアン銀めっき液を用いて形成する工程と、
前記第一銀めっき被膜上の前記搭載領域の周囲にリフレクターを形成する工程と
を有することを特徴とする光半導体装置用リードフレームの製造方法。 When manufacturing a lead frame for an optical semiconductor device having an optical semiconductor element mounting area,
Forming a base plating film which is a metal element diffusion prevention film containing no surface smoothing agent on the surface of the lead frame;
Forming a first silver plating film having crystal irregularities on the surface of the base plating film using a low cyan silver plating solution;
Forming a second silver plating film on the surface of the first silver plating film having a glossy crystal irregularity using a low cyan silver plating solution containing a selenium brightener; and
And a step of forming a reflector around the mounting region on the first silver plating film.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2009040065A JP2010199166A (en) | 2009-02-24 | 2009-02-24 | Lead frame for optical semiconductor apparatus, and method of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2009040065A JP2010199166A (en) | 2009-02-24 | 2009-02-24 | Lead frame for optical semiconductor apparatus, and method of manufacturing the same |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2010199166A true JP2010199166A (en) | 2010-09-09 |
Family
ID=42823628
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2009040065A Pending JP2010199166A (en) | 2009-02-24 | 2009-02-24 | Lead frame for optical semiconductor apparatus, and method of manufacturing the same |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2010199166A (en) |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012138441A (en) * | 2010-12-27 | 2012-07-19 | Dainippon Printing Co Ltd | Led substrate, manufacturing method of the same, and semiconductor device |
| JP2012191233A (en) * | 2010-11-02 | 2012-10-04 | Dainippon Printing Co Ltd | Lead frame for mounting led element, lead frame with resin, method for manufacturing semiconductor device, and lead frame for mounting semiconductor element |
| WO2014017299A1 (en) * | 2012-07-25 | 2014-01-30 | Jx日鉱日石金属株式会社 | Metal material having surface for bonding to liquid crystal polymer, metal-liquid crystal polymer composite, method for producing same, and electronic component |
| WO2014017300A1 (en) * | 2012-07-25 | 2014-01-30 | Jx日鉱日石金属株式会社 | Method for producing metal-liquid crystal polymer complex and electronic component |
| US9064818B2 (en) | 2013-02-15 | 2015-06-23 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor device |
| JP2015195389A (en) * | 2015-06-17 | 2015-11-05 | 大日本印刷株式会社 | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| JP2015195412A (en) * | 2015-07-30 | 2015-11-05 | 大日本印刷株式会社 | Lead frame for semiconductor element, lead frame for semiconductor element with resin, semiconductor device, manufacturing method of lead frame for semiconductor element, manufacturing method of lead frame for semiconductor element with resin, and manufacturing method of semiconductor device |
| JP2017017256A (en) * | 2015-07-03 | 2017-01-19 | Ｓｈマテリアル株式会社 | Multi-row type LED lead frame, LED package, and manufacturing method thereof |
| JP2017118059A (en) * | 2015-12-25 | 2017-06-29 | 株式会社三井ハイテック | Lead frame for led and manufacturing method of the same |
| KR101806550B1 (en) * | 2011-06-14 | 2017-12-07 | 엘지이노텍 주식회사 | Light emitting device package |
| US10103302B2 (en) | 2014-12-25 | 2018-10-16 | Nichia Corporation | Light emitting device |
| KR20190024757A (en) | 2017-08-31 | 2019-03-08 | 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 | Lead frame, package for light emitting device, light emitting device, and method for manufacturing light emitting device |
| JP2020053601A (en) * | 2018-09-27 | 2020-04-02 | 日亜化学工業株式会社 | Metal material for optical semiconductor device, method of manufacturing the same, and optical semiconductor device using the same |
| JPWO2021153243A1 (en) * | 2020-01-31 | 2021-08-05 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57184244A (en) * | 1981-05-08 | 1982-11-12 | Shinko Electric Ind Co Ltd | Metallic member for electronic parts |
| JPS6048249U (en) * | 1983-09-09 | 1985-04-04 | 凸版印刷株式会社 | lead frame |
| JP2003031914A (en) * | 2001-07-18 | 2003-01-31 | Hitachi Aic Inc | Printed wiring board and manufacturing method therefor |
| JP2007234629A (en) * | 2006-02-27 | 2007-09-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Package component for semiconductor device and semiconductor device using the same |
| JP2007254855A (en) * | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Dowa Holdings Co Ltd | Silver plated metal member for electronic parts and method for producing the same |
| WO2007142018A1 (en) * | 2006-06-02 | 2007-12-13 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Package for mounting optical semiconductor element and optical semiconductor device employing the same |
-
2009
- 2009-02-24 JP JP2009040065A patent/JP2010199166A/en active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57184244A (en) * | 1981-05-08 | 1982-11-12 | Shinko Electric Ind Co Ltd | Metallic member for electronic parts |
| JPS6048249U (en) * | 1983-09-09 | 1985-04-04 | 凸版印刷株式会社 | lead frame |
| JP2003031914A (en) * | 2001-07-18 | 2003-01-31 | Hitachi Aic Inc | Printed wiring board and manufacturing method therefor |
| JP2007234629A (en) * | 2006-02-27 | 2007-09-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Package component for semiconductor device and semiconductor device using the same |
| JP2007254855A (en) * | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Dowa Holdings Co Ltd | Silver plated metal member for electronic parts and method for producing the same |
| WO2007142018A1 (en) * | 2006-06-02 | 2007-12-13 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Package for mounting optical semiconductor element and optical semiconductor device employing the same |
Cited By (31)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9412923B2 (en) | 2010-11-02 | 2016-08-09 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Lead frame for mounting LED elements, lead frame with resin, method for manufacturing semiconductor devices, and lead frame for mounting semiconductor elements |
| US9362473B2 (en) | 2010-11-02 | 2016-06-07 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Lead frame for mounting LED elements, lead frame with resin, method for manufacturing semiconductor devices, and lead frame for mounting semiconductor elements |
| JP2013165259A (en) * | 2010-11-02 | 2013-08-22 | Dainippon Printing Co Ltd | Lead frame for mounting led element, lead frame with resin, method for manufacturing semiconductor device, and lead frame for mounting semiconductor element |
| US9553247B2 (en) | 2010-11-02 | 2017-01-24 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Lead frame for mounting LED elements, lead frame with resin, method for manufacturing semiconductor devices, and lead frame for mounting semiconductor elements |
| US9773960B2 (en) | 2010-11-02 | 2017-09-26 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Lead frame for mounting LED elements, lead frame with resin, method for manufacturing semiconductor devices, and lead frame for mounting semiconductor elements |
| JP2012191233A (en) * | 2010-11-02 | 2012-10-04 | Dainippon Printing Co Ltd | Lead frame for mounting led element, lead frame with resin, method for manufacturing semiconductor device, and lead frame for mounting semiconductor element |
| US9214414B2 (en) | 2010-11-02 | 2015-12-15 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Lead frame for mounting LED elements, lead frame with resin, method for manufacturing semiconductor devices, and lead frame for mounting semiconductor elements |
| US8933548B2 (en) | 2010-11-02 | 2015-01-13 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Lead frame for mounting LED elements, lead frame with resin, method for manufacturing semiconductor devices, and lead frame for mounting semiconductor elements |
| US9899583B2 (en) | 2010-11-02 | 2018-02-20 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Lead frame for mounting LED elements, lead frame with resin, method for manufacturing semiconductor devices, and lead frame for mounting semiconductor elements |
| US9159655B2 (en) | 2010-11-02 | 2015-10-13 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Lead frame for mounting LED elements, lead frame with resin, method for manufacturing semiconductor devices, and lead frame for mounting semiconductor elements |
| JP2012138441A (en) * | 2010-12-27 | 2012-07-19 | Dainippon Printing Co Ltd | Led substrate, manufacturing method of the same, and semiconductor device |
| KR101806550B1 (en) * | 2011-06-14 | 2017-12-07 | 엘지이노텍 주식회사 | Light emitting device package |
| JP2014025095A (en) * | 2012-07-25 | 2014-02-06 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | Metallic material having surface for connection with liquid crystal polymer, metal-liquid crystal polymer complex and method of producing the same, and electronic component |
| TWI599477B (en) * | 2012-07-25 | 2017-09-21 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | Metal materials having a surface for bonding with a liquid crystal polymer, a metal-liquid crystal polymer composite, a method of manufacturing the same, and an electronic part |
| JP2014027053A (en) * | 2012-07-25 | 2014-02-06 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | Method for producing metal-liquid crystal polymer composite and electronic component |
| KR101792925B1 (en) * | 2012-07-25 | 2017-11-02 | 제이엑스금속주식회사 | Metal material having surface for bonding to liquid crystal polymer, metal-liquid crystal polymer composite, method for producing same, and electronic component |
| WO2014017300A1 (en) * | 2012-07-25 | 2014-01-30 | Jx日鉱日石金属株式会社 | Method for producing metal-liquid crystal polymer complex and electronic component |
| WO2014017299A1 (en) * | 2012-07-25 | 2014-01-30 | Jx日鉱日石金属株式会社 | Metal material having surface for bonding to liquid crystal polymer, metal-liquid crystal polymer composite, method for producing same, and electronic component |
| TWI552865B (en) * | 2012-07-25 | 2016-10-11 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | Metal-liquid crystal polymer composite manufacturing method and electronic parts |
| US9064818B2 (en) | 2013-02-15 | 2015-06-23 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US10103302B2 (en) | 2014-12-25 | 2018-10-16 | Nichia Corporation | Light emitting device |
| JP2015195389A (en) * | 2015-06-17 | 2015-11-05 | 大日本印刷株式会社 | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| JP2017017256A (en) * | 2015-07-03 | 2017-01-19 | Ｓｈマテリアル株式会社 | Multi-row type LED lead frame, LED package, and manufacturing method thereof |
| JP2015195412A (en) * | 2015-07-30 | 2015-11-05 | 大日本印刷株式会社 | Lead frame for semiconductor element, lead frame for semiconductor element with resin, semiconductor device, manufacturing method of lead frame for semiconductor element, manufacturing method of lead frame for semiconductor element with resin, and manufacturing method of semiconductor device |
| JP2017118059A (en) * | 2015-12-25 | 2017-06-29 | 株式会社三井ハイテック | Lead frame for led and manufacturing method of the same |
| KR20190024757A (en) | 2017-08-31 | 2019-03-08 | 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 | Lead frame, package for light emitting device, light emitting device, and method for manufacturing light emitting device |
| US10483445B2 (en) | 2017-08-31 | 2019-11-19 | Nichia Corporation | Lead frame, package for light emitting device, light emitting device, and method for manufacturing light emitting device |
| JP2020053601A (en) * | 2018-09-27 | 2020-04-02 | 日亜化学工業株式会社 | Metal material for optical semiconductor device, method of manufacturing the same, and optical semiconductor device using the same |
| JP7116308B2 (en) | 2018-09-27 | 2022-08-10 | 日亜化学工業株式会社 | METAL MATERIAL FOR OPTO-SEMICONDUCTOR DEVICE, MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND OPTO-SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME |
| JPWO2021153243A1 (en) * | 2020-01-31 | 2021-08-05 | ||
| JP7476241B2 (en) | 2020-01-31 | 2024-04-30 | パナソニックホールディングス株式会社 | Package for optical semiconductor device and optical semiconductor device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2010199166A (en) | Lead frame for optical semiconductor apparatus, and method of manufacturing the same | |
| JP6493952B2 (en) | Lead frame and manufacturing method thereof | |
| JP2012502462A (en) | Lead frame and manufacturing method thereof | |
| KR20100103015A (en) | Lead frame and method for manufacturing the same | |
| CN102804429A (en) | Lead frame for optical semiconductor device, process for manufacturing lead frame for optical semiconductor device, and optical semiconductor device | |
| JP6741356B1 (en) | Lead frame | |
| JPWO2011004711A1 (en) | Lead frame for optical semiconductor device, method for manufacturing lead frame for optical semiconductor device, and optical semiconductor device | |
| CN107134415A (en) | Semiconductor devices and its manufacture method | |
| JP2008192635A (en) | Optical semiconductor device, lead frame, and manufacturing method of optical semiconductor device | |
| TWI386523B (en) | Sn-b electro-plating solution and electro-plating method using it | |
| JP5578960B2 (en) | Lead frame for optical semiconductor device and manufacturing method thereof | |
| TWI651825B (en) | Lead frame, lead frame package, and the like | |
| JP6015231B2 (en) | LED element mounting substrate, method for manufacturing the same, and semiconductor device using the LED element mounting substrate | |
| KR102156811B1 (en) | Method for producing substrate for mounting semiconductor element | |
| KR101341159B1 (en) | Method for plating light emitting diode lead frame having high reflectivity | |
| JP2011210946A (en) | Optical semiconductor device, lead frame, and method of manufacturing the same | |
| TW202036824A (en) | Lead frame | |
| US9769933B2 (en) | Printed circuit board and method of manufacturing the same | |
| JP5766318B2 (en) | Lead frame | |
| JP2011222680A (en) | Lead frame for optical semiconductor device, and method of manufacturing lead frame for optical semiconductor device | |
| JP5767521B2 (en) | Lead frame for optical semiconductor device and manufacturing method thereof | |
| JP2014123760A5 (en) | ||
| JP2015079841A (en) | Lead frame base for optical semiconductor devices, lead frame for optical semiconductor devices and method for manufacturing lead frame for optical semiconductor devices | |
| JP2012151289A (en) | Optical semiconductor mounting board, manufacturing method of the same and optical semiconductor device | |
| JP2012138441A (en) | Led substrate, manufacturing method of the same, and semiconductor device |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110818 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20121017 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121023 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20130305 |