JP2010145468A - 高さ検出装置、及びそれを用いたトナー高さ検出装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 被検面の高さ情報を狭い範囲であっても高精度に検出することができる高さ検出装置を得ること。
【解決手段】 光源手段と前記光源手段から放射された光束で被検面を照明する照明光学系と、前記被検面で反射された光束を結像面に線像として結像させる結像光学系と、前記結像面に配置され複数のセンサを1次元又は2次元に配列した光検出手段と、前記光検出手段で検出した光情報より前記照明光学系の光軸方向に対する前記被検面の高さ情報を検出する高さ検出装置であって前記光検出手段の光検出面は、前記結像光学系の光軸に対し垂直な面で前記結像光学系の光軸上に位置し、かつ前記光検出手段の光検出面は、前記結像光学系を構成する光学素子のうち前記光検出手段に対しもっとも近くに位置する光学素子の光軸に垂直であり、かつ前記光検出手段の光検出面は前記結像光学系によって形成される線像に対し垂直な軸を回転軸として回転した面に位置していること。
【選択図】 図1
【解決手段】 光源手段と前記光源手段から放射された光束で被検面を照明する照明光学系と、前記被検面で反射された光束を結像面に線像として結像させる結像光学系と、前記結像面に配置され複数のセンサを1次元又は2次元に配列した光検出手段と、前記光検出手段で検出した光情報より前記照明光学系の光軸方向に対する前記被検面の高さ情報を検出する高さ検出装置であって前記光検出手段の光検出面は、前記結像光学系の光軸に対し垂直な面で前記結像光学系の光軸上に位置し、かつ前記光検出手段の光検出面は、前記結像光学系を構成する光学素子のうち前記光検出手段に対しもっとも近くに位置する光学素子の光軸に垂直であり、かつ前記光検出手段の光検出面は前記結像光学系によって形成される線像に対し垂直な軸を回転軸として回転した面に位置していること。
【選択図】 図1
Description
本発明は光学手段を用いて被検物の基準面からの高さ情報(凹凸情報)(厚さ情報)等を検出する高さ検出装置に関する。
特に電子写真方式の画像形成装置において、像担持体上に塗布したトナーの高さ情報を共焦点顕微鏡の観察原理を応用して高精度に検出することのできる高さ検出装置に関するものである。
従来、光学手段を用いて、被検物の基準面からの高さ情報を検出する高さ検出装置が知られている。この高さ検出装置は光学顕微鏡(共焦点顕微鏡)や試料表面の傷検出装置等に広く用いられている。
高さ検出装置として、いわゆる共焦点光学系や、それに類似する光学系を用いて被検面の位置を検出すること、つまり試料表面の高さ情報の検出を行う装置が知られている(特許文献1)。
共焦点光学系を用いた高さ検出装置では、光源手段から射出した光を試料表面に集光させ、試料表面からの反射光を検出手段又はその近傍に再び結像させている。そしてそのときの結像状態の変化から試料表面の高さ位置情報を検出している。
図6は共焦点光学系を用いて被検物の高さ情報を検出する高さ検出装置の構成の要部概略図である。
図6において光源装置601から射出した光はコリメータレンズ602によって平行光とされた後、ハーフミラー603を通過し、集光レンズ604によって被検面608に集光される。
照射された被検面608からの反射光は再び集光レンズ604を通過し、集光されハーフミラー603によって反射された後、結像レンズ605によってピンホールスリット606又はその近傍に集光される。
ピンホールスリット606を通過した光束はその下流(通過方向)に配置された光検出器607によってその光強度が検出される。光検出器607で検出された光強度によって被検面608の高さ情報を検出している。
集光レンズ604と結像レンズ605は被検面608が集光レンズ604の焦点位置にあるときに被検面608からの反射光がピンホールスリット面606に結像し、光検出器607が最も高い光強度を検出するようにするように配置されている。
つまり被検面608が集光レンズ604の焦点位置から光軸方向にずれるに従い、光検出器607が検出する光強度は小さくなる。これによって、被検面608の光軸方向の高さ位置を検出している。
共焦点光学系を用いた高さ検出装置では、以上のような構成で被検面608の高さ情報を検出している。
特開2001−318302号公報
従来の共焦点光学系を用いた高さ検出装置では被検面の物性や粗さなどで反射光量が変化すると、光検出器で検出される反射光量が変化し、被検面の表面高さを正確に検知することができない場合がある。
また、ピンホールスリットを通過した光の強度の大小関係だけを検出する方法は、原理的に被検面が集光レンズの焦点の手前にあるのか、奥にあるのか検知することができない。
さらに、被検面の位置が集光レンズの焦点から大きくずれると、ピンホールスリットを通過する光の強度が被検面の高さずれに対し自乗に比例して低下する。このため、被検面の位置の検出精度が極端に低下してくる。
特許文献1の焦点検出装置では複数の点光線を一方向に配列した線状の光源(一次元光源)からの光束を被検面で線状に集光させ、同様に光検出器側の結像レンズによって被検面からの反射光を線状に結像させている。そして光軸と線像に対して直交した軸を中心に結像面に対し微小角傾けた1次元光センサを用いて、被検物からの反射光を検出している。
しかしこの方式は被検面の焦線上で高さ変化がある場合、光検出器上で複数の高さの被検面からの反射光が入射してくる。このため狭い範囲の被検面の高さ情報について精密に測定することが難しい。
本発明は、被検面の高さ情報を狭い範囲であっても高精度に検出することができる高さ検出装置の提供を目的とする。
請求項1の発明の高さ検出装置は、
光源手段と、
前記光源手段から放射された光束で被検面を照明する照明光学系と、
前記被検面で反射された光束を結像面に線像として結像させる結像光学系と、
前記結像面に配置され、複数のセンサを1次元又は2次元に配列した光検出手段と、
前記光検出手段で検出した光情報より前記照明光学系の光軸方向に対する前記被検面の高さ情報を検出する高さ検出装置であって、
前記光検出手段の光検出面は、前記結像光学系の光軸に対し垂直な面で前記結像光学系の光軸上に位置し、かつ、
前記光検出手段の光検出面は、前記結像光学系を構成する光学素子のうち前記光検出手段に対しもっとも近くに位置する光学素子の光軸に垂直であり、かつ、
前記光検出手段の光検出面は、前記結像光学系によって形成される線像に対し垂直な軸を回転軸として回転した面に位置していることを特徴としている。
光源手段と、
前記光源手段から放射された光束で被検面を照明する照明光学系と、
前記被検面で反射された光束を結像面に線像として結像させる結像光学系と、
前記結像面に配置され、複数のセンサを1次元又は2次元に配列した光検出手段と、
前記光検出手段で検出した光情報より前記照明光学系の光軸方向に対する前記被検面の高さ情報を検出する高さ検出装置であって、
前記光検出手段の光検出面は、前記結像光学系の光軸に対し垂直な面で前記結像光学系の光軸上に位置し、かつ、
前記光検出手段の光検出面は、前記結像光学系を構成する光学素子のうち前記光検出手段に対しもっとも近くに位置する光学素子の光軸に垂直であり、かつ、
前記光検出手段の光検出面は、前記結像光学系によって形成される線像に対し垂直な軸を回転軸として回転した面に位置していることを特徴としている。
本発明によれば、被検面の高さ情報を狭い範囲であっても高精度に検出することができる高さ検出装置が得られる。
以下に、本発明の好ましい実施の形態を、添付の図面に基づいて詳細に説明する。
本発明の高さ検出装置は、点光源から成る光源手段からの光束で照明光学系によって被検面を点状に照明する。
被検面からの反射光で、アナモフィックな屈折力(パワー)を有する結像光学系で被検面の一部を線像(焦線)として結像させる。
結像光学系の結像面には、複数のセンサを1次元又は2次元に配列した光検出手段が配列されている。
光検出手段の光検出面は、結像光学系の光軸に対し垂直な面より角度θだけ傾いている。
具体的には、結像光学系の光軸上に位置し、
結像光学系を構成する光学素子のうち光検出手段に対しもっとも近くに位置する光学素子の光軸に垂直で、かつ結像光学系によって形成される線像に対し垂直な軸を回転軸とし、回転した面に位置している。
結像光学系を構成する光学素子のうち光検出手段に対しもっとも近くに位置する光学素子の光軸に垂直で、かつ結像光学系によって形成される線像に対し垂直な軸を回転軸とし、回転した面に位置している。
そして、光検出手段で検出した光情報より、被検面の照明光学系の光軸方向に対する高さ情報を検出している。
[実施例1]
図1は本発明の実施例1の被検物として、例えばトナーの高さ情報を検出する高さ検出装置の概略構成図である。
図1は本発明の実施例1の被検物として、例えばトナーの高さ情報を検出する高さ検出装置の概略構成図である。
図2、図7は図1の一部分の説明図である。実施例1における高さ検出装置は、例えば電子写真プロセスを有するレーザービームプリンタ(LBP)や、デジタル複写機等の画像形成装置において、中間転写ベルト(像担持体上)上のトナーの高さを測定するためのものである。
図1において、201は半導体レーザを用いた点光源より成る光源装置である。202は光源装置201から放射された光束を平行光とする入射側が平面、出射側が凸面形状のコリメータレンズである。203はコリメータレンズ202からの光束を反射光と透過光に分割するハーフミラーである。
204はハーフミラー203で透過した光束を被検面207に集光する凸平形状より成る被検物側の結像レンズ(結像レンズ1)である。
205は被検面207からの反射光でハーフミラー203で反射した光束を集光し、2次元センサ206上に集光するアナモフィックなパワーを持つ凸平形状より成る検出器側の結像レンズ(結像レンズ)である。
コリメータレンズ202、結像レンズ204は照明光学系の一部を構成している。結像レンズ204、205は結像光学系の一部を構成している。
本実施例において、半導体レーザより成る光源装置201から射出した光束は、コリメータレンズ202により平行光束に変換され、ハーフミラー203を通過し、被検物側の結像レンズ204によって被検面207に点状に集光される。
照射された被検面207からの反射光は再び被検物側の結像レンズ204を通過し、ハーフミラー203によってコリメータレンズ202および被検物側の結像レンズ204の光軸La1に垂直な方向の光軸La2方向に反射し折り返される。
折り返された光束はアナモフィックなパワーを持つ検出器側の結像レンズ205によって被検面207と光学的に平行な面(XZ面上)に焦線(線像)207aを結ぶ。
2次元光センサ206はその中心206aが検出器側の結像レンズ205の光軸La2と検出器側の結像レンズ205の焦線207aとの交点に位置している。2次元センサ206の面は光軸La2上であって、焦線(線像)207aおよび被検物側の結像レンズ204の光軸La1に直交する軸209を中心に角度θ(=6゜)回転して配置されている。
なお、各結像レンズ207、205は波長790nmの光線に対して1.4971の屈折率を持つ樹脂を用い、射出成形によって形成されている。
2次元光センサ206は結像された焦線207aに対し傾斜して配置されているために、焦線207aはセンサ206上で図3(a)、(b)のようなリボン状に観測される。この像は焦線方向の端部にいくに従いセンサ206上でぼけた像となり、単位面積あたりに観測される強度も小さくなる。反対に焦線207aとセンサ面206が交差する場所では像のぼけは無くなり、したがって観測される強度も大きくなる。
本実施例では、2次元光センサ206上、もっとも大きな強度を観測した画素の位置、あるいはリボン状の像においてもっとも像の幅が狭まっている位置207bを検出する。そしてセンサ面の光軸La2に対する傾きθから検出器側の結像レンズ205の光軸La2上における焦線207aの位置を検出する。
そののち検出した焦線の位置と光学系の倍率から被検面207の結像レンズ204の光軸方向の高さを計算し、求めている。
本実施例の光学配置、及び各レンズの数値実施例を表1、表2に示す。
表1、表2において、rは曲率半径、kは非球面係数である。rz、ryはZ方向とY方向の曲率半径である(図7参照)。kz、kyはY方向の非球面係数である。
また、検出器側の結像レンズ205はコリメータレンズ202、および被検物側の結像レンズ204の光軸L1aと平行なY方向にのみパワーを持っている。そしてその非球面形状は、検出器側の結像レンズ205のレンズ面と光軸La2との交点を原点とする。そして検出器側の結像レンズ205の光軸La2方向をX軸、被検物側の結像レンズ204の光軸La1と検出器側の結像レンズ205の光軸La2を含む面内で検出器側の結像レンズ205の光軸La2と直交方向をZ軸とする。
このとき、
本実施例では光源手段201として波長λ=790nmの光束を発する赤外線レーザ素子を用い、各光学素子の面形状、配置を適切に設計することで被検面207、および焦線位置において球面収差を共に良好に補正している。
尚、本実施例ではコリメータレンズ202、被検物側の結像レンズ204、検出器側の結像レンズ205の面形状を上記数式にて定義したが、本実施例における非球面は、他の表現式でも定義可能である。
尚、本実施例ではコリメータレンズ202、被検物側の結像レンズ204、検出器側の結像レンズ205の面形状を上記数式にて定義したが、本実施例における非球面は、他の表現式でも定義可能である。
本実施例ではコリメータレンズ202、被検物側の結像レンズ204は実質的に同一のレンズであり、設置する向きを変えて使用している。
また、検出器側の結像レンズ205はコリメータレンズ202、および被検物側の結像レンズ204の光軸La1と平行な向きにのみ、コリメータレンズ202、および被検物側の結像レンズ204と同一のパワーを持つ。このため、これら3つのレンズ202、204、205の光軸を含む面内(XY面内)において、光源装置201、被検物側の結像レンズ204の像面、検出器側の結像レンズ205の像面はともにほぼ等倍結像の関係となっている。
ここでまず、被検面207が被検物側の結像レンズ204の焦点位置に位置する場合について考える。
このとき、光源装置201からの光束はコリメータレンズ202、被検物側の結像レンズ204によって被検面207上に点状スポットとして結像される。
そして被検面207から反射された光束は再び被検物側の結像レンズ204を通過し平行光束に変換され、ハーフミラー203によってコリメータレンズ202および被検物側の結像レンズ204の光軸に垂直な方向に折り返される。
折り返された光束はアナモフィックなパワーを持つ検出器側の結像レンズ205に入射する。そしてコリメータレンズ202および被検物側の結像レンズ204の光軸La1に垂直な平面上(XZ面上)で、かつ検出器側の結像レンズ205の焦点位置に焦線(線像)207aを結ぶ。
このときセンサ206上での像は図3(a)のように、センサ206の中心206aを最大強度として、検出器側の結像レンズ205の光軸La2に回転対称なリボン形の像となる。207bは焦線207aの中心である。
つぎに、被検面207が被検物側の結像レンズ204の焦点位置から光軸La1方向に距離dxずれた場合について説明する。このときは、2次光源となる被検面207が距離dx、検出器側の結像レンズ205に近づくために、等倍結像の関係から焦線位置も検出器側の結像レンズ205の光軸La2に沿って距離dx、ずれることになる。
このときセンサ206上での像は図3(b)のように、センサ206の中心206aから距離dx/sin6゜だけ焦線方向にずれた点207bを最大強度として、またその点207bを結び目とするようなリボン形の像となる。
被検面207の高さ変化は上記のようにセンサ206上での最大強度位置207b、またはリボン形の像のくびれ位置207bを検出すればセンサ206の傾き角度θから容易に計算することができる。
また、光源装置201からの光をすべて検出に用いることができることから、ピンホールスリットを用いる従来の構成よりもより高精度に被検面207の高さを検出することができる。
さらにピンホールと光学系の光軸のように高精度なアライメントも必要としないため、簡易に高さ検出装置を組み立てることができる。
結像光学系(204、205)の光軸La2と線像207aと垂直な軸を含む面内(XY面内)における結像光学系の縦倍率をαとする。光検出手段206の光検出面の結像光学系の光軸La2に対する垂直な面からの回転角をθとする。このとき、
0.1≦α/sinθ≦10 ・・・(1)
なる条件を満たしている。
0.1≦α/sinθ≦10 ・・・(1)
なる条件を満たしている。
こうすることで5μm前後の被検物、例えばトナー粒子の高さ情報を、適度な分解能で測定することができる。
像担持体上に塗布したトナーの高さを検出するトナー高さ検出装置として適当な性能を考えると、一般的な1次元、または2次元光センサの画素ピッチが10μm前後、センサの大きさが長辺で3mm前後である。これより被検面の高さ方向の分解能が約5μm、検出する高さの範囲が±0.5mm程度と考えられる。このため、より望ましくは条件式(1)は、
1≦α/sinθ≦5 ・・・(1a)
とするのが良い。
1≦α/sinθ≦5 ・・・(1a)
とするのが良い。
もしここで、α/sinθが0.1よりも小さいと、トナー粒子による被検面の高さの変化に対しリボン状の像のくびれ位置が十分に動かず、検出精度が低下する。
また、α/sinθが10よりも大きいと、像のくびれ位置207b、あるいは最大強度位置は大きく動くが、一般的なCCDセンサでは測定できる高さの範囲が非常に狭くなり、CCDセンサをはじめ、装置全体の大型化を図らねばならない。
[実施例2]
図4は本発明の実施例2の高さ検出装置の概略構成を説明する図である。
図4は本発明の実施例2の高さ検出装置の概略構成を説明する図である。
実施例1では光源手段201からの光束が被検面207に対し垂直に入射する系であるが、被検面207が滑らかで、反射光に含まれる正反射成分が散乱光に比べ多い場合は検出精度が低下する恐れがある。
これは照射された被検面が2次的な物点になる際、散乱光で高さを検知する場合は被検面の動きと2次物点の動きが等価であるが、正反射光で検知する場合は被検面の動きに対し、2次物点となる光源の像の動きが光軸方向に2倍の大きさで観測されるためである。
これによって光検出器には散乱成分と正反射成分による、擬似的に複数の高さの被検面からの反射光が入射しているように観測されるためである。
本実施例では、照明光学系と結像光学系は、照明光学系からの光束であって、被検面207に入射する光束の主光線が被検面207に有限の角度で入射している。被検面207で反射した光束であって、結像光学系を通過し、光検出手段に結像する光束が被検面からの正反射光以外の光束となるように配置されている。
本実施例は実施例1と同様の構成の照明光学系402、404と結像光学系404、405の光軸La1を被検面207の法線207cに対し角度φだけ傾けている。具体的には、その傾き角φを18゜としている。光源手段401からの入射光束を被検面207に対し斜めに入射させ、被検面207からの正反射成分が再び被検物側の結像レンズ404に入射しないように配置している。
これにより被検面207が滑らかな場合、反射光に含まれる正反射成分による検出精度への影響を低減することができる。
実施例2の高さ検出装置の各部材は実施例1と同様である。
半導体レーザより成る光源装置401から射出した光束は、コリメータレンズ402により平行光束に変換され、ハーフミラー403を通過し、被検物側の結像レンズ404によって被検面207に点状に集光される。
照射された被検面207からの反射光は再び被検物側の結像レンズ404を通過し、ハーフミラー403によってコリメータレンズ402および被検物側の結像レンズ404の光軸La1に垂直な方向の光軸La2方向に反射し折り返される。
折り返された光束はアナモフィックなパワーを持つ検出器側の結像レンズ405によって被検面207と平行な平面上に、被検面207aと平行な焦線を結ぶ。
2次元光センサ406はその中心406aが検出器側の結像レンズ405の光軸La2と検出器側の結像レンズ405の焦線との交点に位置している。2次元センサ206の面は焦線207aおよび被検物側の結像レンズ404の光軸La1に直交する軸を中心に6゜回転して配置されている。
なお、各結像レンズ405、406は波長790nmの光線に対して1.4971の屈折率を持つ樹脂を用い、射出成形によって形成されている。
なお、本実施例では被検面207に入射する光束、反射した光束を導光する光学素子を単一のレンズより成る被検物側の結像レンズ404で構成し、入射光束と反射光束について共軸となっている。この他、本発明はこれらの光学系が別個のレンズで構成され、非共軸の系であっても良い。
2次元光センサ406は結像された焦線207aに対し傾斜して配置されているために、焦線207aはセンサ406上で図5(a)、(b)のようなリボン状に観測される。この像は焦線の端部へ行くに従いセンサ406上でぼけた像となり、単位面積あたりに観測される強度も小さくなる。
反対に焦線207aとセンサ面が交差する場所では像のぼけは無くなり、したがって観測される強度も大きくなる。
本実施例では、光検出器406近傍に結像される焦線207aが、被検面207と平行な面内に形成されるよう、検出器側の結像レンズ405が配置されているために、被検面207の凹凸によって上記リボン状の像が焦線方向に移動することが無い。
本実施例では、光検出器406近傍に結像される焦線207aが、被検面207と平行な面内に形成されるよう、検出器側の結像レンズ405が配置されているために、被検面207の凹凸によって上記リボン状の像が焦線方向に移動することが無い。
これにより2次元光センサ406上、リボン状の像においてもっとも像の幅が狭まっている位置207bを検出している。そしてセンサ面の傾きから検出器側の結像レンズ405の光軸La2上における焦線207aの位置を検出し、さらに検出した焦線の位置と光学系の倍率から被検面207の高さを計算し、求めることができる。
なお、本実施例では光センサ406を2次元センサで構成したが、1次元センサを焦線位置、かつ焦線方向に設置し、観測される最大強度位置を求めることでも被検面の高さを計算することができる。
本実施例の光学配置、及びレンズの数値実施例を実施例1と同様に表3、表4に示す。
本実施例におけるコリメータレンズ402、被検物側の結像レンズ404は入射面、あるいは出射面の形状が、前出の式1、および式2で表せる非球面形状により構成している。
また、検出器側の結像レンズ405は前出の式2で表せる非球面形状により構成している。
本実施例では光源手段401として波長λ=790nmの光束を発する赤外線レーザ素子を用い、各光学素子の面形状、配置を適切に設計することで被検面207、および焦線位置207aにおいて球面収差を共に良好に補正している。
尚、本実施例ではコリメータレンズ402、被検物側の結像レンズ404、検出器側の結像レンズ405の面形状を上記数式にて定義したが、本実施例における非球面は、他の表現式でも定義可能である。
本実施例ではコリメータレンズ402、被検物側の結像レンズ404は実質的に同一のレンズであり、設置する向きを変えて使用している。
また、検出器側の結像レンズ405はコリメータレンズ402、および被検物側の結像レンズ404の光軸La1と平行な向きにのみ、コリメータレンズ402、および被検物側の結像レンズ404と同一のパワーを持つ。
このため、これら3つのレンズ402、404、405の光軸を含む面内(XY面内)において、光源装置401、被検物側の結像レンズ404の像面、検出器側の結像レンズ405の像面はともにほぼ等倍結像の関係となっている。
ここでまず、被検面207が被検物側の結像レンズ404の焦点位置に位置する場合について考える。
このとき、光源手段401からの光束はコリメータレンズ402、被検物側の結像レンズ404によって被検面207上に点状スポットとして結像される。
そして被検面207からの散乱光束は再び被検物側の結像レンズ404を通過し平行光束に変換され、ハーフミラー403によってコリメータレンズ402および被検物側の結像レンズ404の光軸に垂直な方向に折り返される。
折り返された光束はアナモフィックなパワーを持つ検出器側の結像レンズ405によってコリメータレンズ402および被検物側の結像レンズ404の光軸La1に垂直な平面上で、かつ検出器側の結像レンズ405の焦点位置に焦線207aを結ぶ。
このときセンサ406上での像は図5(a)に示すようにセンサの中心406aを最大強度として、検出器側の結像レンズ405の光軸La2に回転対称なリボン形の像となる。
つぎに、被検面207が被検物側の結像レンズ404の焦点位置から被検面207の面法線方向に距離dxずれた場合は、2次光源となる被検面がdx/cos18°、検出器側の結像レンズ405に近づく。このために、等倍結像の関係から焦線位置も検出器側の結像レンズ405の光軸に沿って距離dx/cos18゜だけずれることになる。
このときセンサ406上での像は図5(b)に示すようにセンサ406の中心(206a)から距離dx/cos18°×1/sin6゜だけ焦線方向にずれた点を結び目とするようなリボン形の像となる。
被検面207の高さ変化は上記のようにセンサ406上でのリボン形の像の結び目位置207bを検出すればセンサ406の傾き角度から容易に計算することができる。
また、光源手段401からの光をすべて検出に用いることができることから、ピンホールスリットを用いる従来の構成よりもより高精度に被検面207の高さを検出することができる。さらにピンホールと光学系の光軸のように高精度なアライメントも必要としないため、簡易に検出装置を組み立てることができる。
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されず、その要旨の範囲内で主の変形及び変更が可能である。
以上の各実施例の高さ検出装置を用いれば、像担持体上のトナーの高さを高精度に測定することができるトナー高さ検出装置が得られる。
101 光源手段
102 コリメータレンズ
103 ハーフミラー
104 被検面側の結像レンズ
105 検出器側の結像レンズ
106 ピンホールスリット
107 光検出器
201 光源手段
202 コリメータレンズ
203 ハーフミラー
204 被検面側の結像レンズ
205 検出器側の結像レンズ
206 2次元光検出器
401 光源手段
402 コリメータレンズ
403 ハーフミラー
404 被検面側の結像レンズ
405 検出器側の結像レンズ
406 2次元光検出器
102 コリメータレンズ
103 ハーフミラー
104 被検面側の結像レンズ
105 検出器側の結像レンズ
106 ピンホールスリット
107 光検出器
201 光源手段
202 コリメータレンズ
203 ハーフミラー
204 被検面側の結像レンズ
205 検出器側の結像レンズ
206 2次元光検出器
401 光源手段
402 コリメータレンズ
403 ハーフミラー
404 被検面側の結像レンズ
405 検出器側の結像レンズ
406 2次元光検出器
Claims (6)
- 光源手段と、
前記光源手段から放射された光束で被検面を照明する照明光学系と、
前記被検面で反射された光束を結像面に線像として結像させる結像光学系と、
前記結像面に配置され、複数のセンサを1次元又は2次元に配列した光検出手段と、
前記光検出手段で検出した光情報より前記照明光学系の光軸方向に対する前記被検面の高さ情報を検出する高さ検出装置であって、
前記光検出手段の光検出面は、前記結像光学系の光軸に対し垂直な面で前記結像光学系の光軸上に位置し、かつ、
前記光検出手段の光検出面は、前記結像光学系を構成する光学素子のうち前記光検出手段に対しもっとも近くに位置する光学素子の光軸に垂直であり、かつ、
前記光検出手段の光検出面は、前記結像光学系によって形成される線像に対し垂直な軸を回転軸として回転した面に位置していることを特徴とする高さ検出装置。 - 前記光源手段は点光源より成り、
前記照明光学系は、前記点光源から放射された光束を前記被検面に点状に集光させていることを特徴とする請求項1に記載の高さ検出装置。 - 前記結像光学系はアナモフィックな面を含み、前記結像光学系の光軸と前記線像と垂直な軸を含む面内における前記結像光学系の縦倍率をα、前記光検出手段の光検出面の前記結像光学系の光軸に対する垂直な面からの回転角をθとするとき、
0.1≦α/sinθ≦10
なる条件を満たすことを特徴とする請求項1又は2に記載の高さ検出装置。 - 前記照明光学系と前記結像光学系は、前記照明光学系から放射された光束であって、前記被検面に入射する光束の主光線が前記被検面に有限の角度で入射し、前記被検面で反射した光束であって、前記結像光学系を通過し、前記光検出手段に結像する光束が前記被検面からの正反射光以外の光束となるように配置されていることを特徴とする請求項1乃至3の何れか一項に記載の高さ検出装置。
- 前記結像光学系によって形成される線像は前記被検面と平行な面に形成されていることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項の高さ検出装置。
- 請求項1乃至5の何れか一項に記載の高さ検出装置を用いて像担持体上のトナーの高さを測定することを特徴とするトナー高さ検出装置。
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