JP2010144093A - エキシマランプ装置 - Google Patents

Abstract

【課題】被処理物を高速で搬送しても装置内への空気の巻き込みが無く、移動する被処理物の表面を不活性ガスで置換して、効率良く真空紫外光を照射することのできるエキシマランプ装置を提供すること。
【解決手段】ランプハウス１０と、該ランプハウス１０内に収容されたエキシマランプ３０と、搬送機構４０とを備え、被処理物Ｗを搬送しながらエキシマ光を照射するエキシマランプ装置１００において、前記ランプハウス１０よりも搬送方向の上流側に、被処理物Ｗが搬入される前室２０が連結して設置され、該前室内２０には、該前室２０内を不活性ガスで置換するための不活性ガス導入口２２と、該被処理物Ｗに対して搬送方向に沿って不活性ガスを噴出するガス噴出手段２５が設置され、該被処理物Ｗは、ポリビニルアルコール、三酢酸セルロース、ポリエチレンフテレフタレート、またはポリエチレンのいずれかのフィルム状の樹脂材料であることを特徴とする。
【選択図】図２

Description

本発明は、エキシマランプ装置に関する。特に、液晶パネルおよび液晶表示装置の製造工程において用いられる樹脂材料の表面改質に利用されるエキシマランプ装置に関する。

液晶表示装置には、液晶パネルを構成するガラス基板の両側に偏光板が配置される。偏光板は、偏光子に偏光子保護フィルムが張り合わされて作製される。一般的には、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）系フィルムなどの樹脂材料からなる偏光子の両面に、三酢酸セルロース（ＴＡＣ）などを用いた透明保護フィルム（偏光子保護フィルム）をポリビニルアルコール（ＰＶＡ）系接着剤により貼り合せたものが用いられている。これらの樹脂材料を水系接着材により良好に張り合わせるためには、表面の親水性が高いことが好ましい。

最近、これらの樹脂材料の表面改質の方法として、真空紫外光を照射する方法が注目されている。特開２００８−１２２９２１号公報によれば、エキシマランプを利用して波長２００ｎｍ以下の真空紫外光を照射することにより、偏光子の表面部分の化学結合が切断され、同時に偏光子表面に親水性の官能基が形成されることが記載されている。
上記の方法によれば、ＴＡＣ、ＰＶＡなどの樹脂材料の表面改質処理を短時間で施すことができる。これにより、接着剤の塗布を良好に行うことができるので、偏光子と保護フィルムを貼着する際にも空気の混入がない。また、処理による汚れの発生が無いので処理後の洗浄工程も必要ない。
特開２００８−１２２９２１号

上記の方法を行うための手段については特許文献１に例示列挙されており、エキシマランプを光源として照射処理を行うエキシマランプ装置がある。
図８は、上記の方法を行うために構成された、エキシマランプ装置（参考例１）を示す。
ランプハウス５０の内部にはエキシマランプ７０が配置されている。ランプハウス５０の内部は、ガス導入口５１より導入された不活性ガスによって満たされている。被処理物Ｗはローラーコンベアなどの搬送機構４０によって搬送されるとともに、ランプハウス５０内に搬入される。この被処理物Ｗにエキシマランプ７０から真空紫外光が照射され、次の工程に送られる。

図８の装置を用いて、上記の特許文献１に記載された表面改質処理を行うと、短時間の照射であっても簡単に汚れの発生なく処理を行うことができる。したがって、この方法の利点を生かすためには被処理物をなるべく高速で搬送することで照射時間を短縮することが好ましい。
しかし、被処理物の搬送速度を高速化すると、ランプハウスの内部に被処理物とともに侵入する空気の量が増大し、この空気に含まれる酸素によって真空紫外光が減衰するために、照射光量が低下して所望の処理が行えないという問題が発生した。

このような装置内部への空気の混入を防ぐ手段として、被処理物の表面に不活性ガスを吹き付ける方法が考えうる。
図９は、図８のエキシマランプ装置に不活性ガス噴出手段を付加した構成のエキシマランプ装置（参考例２）である。不活性ガス噴出手段以外の構成については図８と同様であるから説明を省略する。
図９に示した装置は、ランプハウスの上流側にて、内部に搬入直前の被処理物に対して搬送方向に不活性ガスを吹き付けることによって、ランプハウス内部への空気の侵入を防止しようとするものである。
しかし、図９に示す装置によっても、不活性ガス噴出手段が噴出するガス流が、周囲の空気を巻き込んでしまい、空気を含んだガス流が被処理物に吹き付けられて、ランプハウス内への空気の侵入を防ぐことが出来なかった。
このように、被処理物の搬送速度を高速化するとランプハウス内へ侵入する空気の量が増大し所望の処理が行えない。つまり、樹脂材料の表面改質にエキシマランプを照射する方法を用いても、その利点を生かすことができないという課題があった。

以上から、本発明においては、被処理物を高速で搬送しても装置内への空気の巻き込みが無く、移動する被処理物の表面を不活性ガスで置換して、効率良く真空紫外光を照射することのできるエキシマランプ装置を提供することを目的とする。

上記課題を解決するため、本発明のエキシマランプ装置はランプハウスと、該ランプハウス内に収容されたエキシマランプと、搬送機構とを備え、被処理物を搬送しながらエキシマ光を照射するエキシマランプ装置において、前記ランプハウスよりも搬送方向の上流側に、被処理物が搬入される前室が連結して設置され、該前室内には、該前室内を不活性ガスで置換するための不活性ガス導入口と、該被処理物に対して搬送方向に沿って不活性ガスを噴出するガス噴出手段が設置され、該被処理物は、ポリビニルアルコール、三酢酸セルロース、ポリエチレンテレフタレート、またはポリエチレンのいずれかのフィルム状の樹脂材料であることを特徴とする。

また、本発明は、ガス噴出手段は、被処理物の上下に設置され、被処理物の上下から不活性ガスを噴出することを特徴とする。

本発明によれば、ランプハウスよりも搬送方向の上流側に、被処理物が搬入される前室が連結して設置され、前室内には、前室内を不活性ガスで置換するための不活性ガス導入口と、被処理物に対して搬送方向に沿って不活性ガスを噴出するガス噴出手段が設置され、被処理物は、ポリビニルアルコール、三酢酸セルロース、ポリエチレンテレフタレート、またはポリエチレンのいずれかのフィルム状の樹脂材料であることにより、被処理物を高速で搬入しても、ランプハウス内に空気を巻き込むことが無い。したがって、エキシマランプから照射される紫外線が酸素によって減衰することなく効率よく紫外線照射処理を施すことができる。

また、本発明は、ガス噴出手段は、被処理物の上下に設置され、被処理物の上下から不活性ガスを噴出することにより、被処理物の上下の表面を不活性ガスで満たすことができるので、ランプハウス内への空気の侵入をより確実に防ぐことができる。

図１には、本発明のエキシマランプ装置に用いられるエキシマランプの一例を示す。（ａ）は管軸に沿って切断した概略構成図であり、（ｂ）はＡ−Ａ’断面での概略構成図である。
エキシマランプ３０の放電容器は紫外線透過率の高い合成石英ガラスよりなり、大径円筒状の外側管３２と、その内側の小径円筒状の内側管３７との間に放電空間を形成する二重管構造をとっており、２つの管が長手方向の端部にて連結される。 外側管３２と内側管３７の外壁にはそれぞれ電極５５、５６が設けられ、外側管３７に設けられた電極３４が網状、格子状などの形態をとることによりランプ外方に光を出射できる光出射部３９を備えている。
このエキシマランプ３０の寸法の一例を示すと、外側管３２の外径は約４０ｍｍ、内側管３７の外径は２５ｍｍであり、管軸方向の全長は１６００ｍｍ、発光長が１４００ｍｍである。発光長は電極の配置によって決定される。
なお、エキシマランプの放電容器の形状はこれに限られるものではなく、例えば、断面が円形や矩形で両端が封止された単一の管状のものでもよい。

エキシマランプ３０の放電容器の内部には放電用ガスが、例えば、１０〜８０ｋＰａの圧力で封入されている。放電用ガスの種類によって放射されるエキシマ発光の中心波長は異なる。例えば、キセノン（Ｘｅ）が封入されたエキシマランプでは１７２ｎｍを中心波長とするエキシマ発光が生じ、アルゴン（Ａｒ）と塩素（Ｃｌ）の混合ガスが封入されたエキシマランプでは１７５ｎｍを中心波長とするエキシマ発光が生じ、クリプトン（Ｋｒ）と沃素（Ｉ）の混合ガスが封入されたエキシマランプでは１９１ｎｍを中心波長とするエキシマ発光が生じ、アルゴン（Ａｒ）とフッ素（Ｆ）の混合ガスが封入されたエキシマランプでは波長１９３ｎｍを中心波長とするエキシマ発光が生じる。

図２は本発明の第１の実施形態にかかるエキシマランプ装置を被処理物搬送方向に切断した概略構成図である。
エキシマランプ装置１００は、照射光源であるエキシマランプ３０と、例えばステンレスなどの金属により構成された筐体であるランプハウス１０と、前室２０と、被処理物を搬送するためのローラーコンベアなどの搬送機構４０を備えている。
ランプハウス内には、ガス導入口１１より不活性ガス、例えば窒素、アルゴン等が導入されて、ガス排出口１２より排出される。これにより、ランプハウス１０の内部雰囲気は不活性ガスに置換される。

エキシマランプ３０は、ランプハウス内部の空間中で、被処理物に対して、例えば距離１０ｍｍの位置に不図示のランプホルダーによって保持され、搬送方向に直交するように管軸方向（長手方向）が紙面手前側から奥側に向かって配置される。
エキシマランプ３０の下方には、被処理物Ｗが矢印の方向に向かって搬送機構４０によって搬送される。ランプハウス１０の矢印で示した搬送方向の上流側には、被処理物を搬入する搬入口１３が開口しており、下流側には搬出口１４が開口している。
ランプハウス１０の寸法の一例を示すと、内寸が、搬送方向の長さ４００ｍｍ、高さ２００ｍｍ、幅１８００ｍｍの箱状である。また、搬入口１３、搬出口１４の開口は例えば高さ方向に幅１０ｍｍである。
ランプハウス１０に導入される不活性ガスの量はランプハウス１１の内容積に応じて適宜設定される。例えば、１分間あたり内容積の２〜２０倍の不活性ガスがガス導入口１１を通じて導入され、ガス排出口１２から排気される。上記寸法の場合、内容積は１４４リットルであり、不活性ガス導入量は５００（リットル／分）、排気量も５００（リットル／分）である。このようにして、不活性ガスが絶えず導入、排気され、被処理物が連続的に搬送されていることにより、搬入口１３、搬出口１４などの開口があってもランプハウス１１内を不活性ガスで置換された状態に保持することが出来る。

ランプハウス１０に隣接して、搬送方向の上流側には前室２０が設けられる。前室２０の寸法の一例を示すと、搬送方向の長さ１００ｍｍ、高さ５０ｍｍ、幅１５００ｍｍの箱状である。この前室２０の搬出口２７と、ランプハウス１０の搬入口１３は連結され、隙間からの気体の漏洩や流入を防止している。
前室２０の上部には前室２０内へ不活性ガスを導入するためのガス導入口２２が設けられる。ガス導入口２２の下方には、前室２０の内部雰囲気を不活性ガスで均一に置換するための拡散板２１が設けられる。
この拡散版２１は、例えば厚さ１ｍｍのステンレス製の板に、板を貫通するφ２ｍｍの孔が、孔の中心同士が１０ｍｍピッチとなるよう、縦横２方向に形成されたものである。この構造により、ガス導入口２２より導入された不活性ガスが、一旦拡散板２１の上流側でせき止められ、多数の孔から均一で緩やかな流れとなって拡散板２１の下方に噴出される。ガス導入口２２より前室２０内に導入される不活性ガスは、１分間あたり内容積の２〜２０倍の量である。拡散板２１に形成された孔の１つ１つから噴出されるガスの流速は、孔の径と数によって適宜設定することができ、例えば０．２（ｍ／ｓｅｃ）程度である。このように、拡散板２１から噴出される不活性ガスの均一な下降流によって、前室２０内の雰囲気は置換されている。ただし、拡散板２１から噴出された不活性ガスは流速が遅いため、被処理物Ｗの表面の空気を除去、または希釈するには十分ではない。

拡散板２１の下方には、被処理物Ｗに不活性ガスを吹き付けるためのガス噴出手段２５が配置される。ガス噴出手段２５は、被処理物Ｗの表面近傍でのガス流速低下を防ぐために、被処理物Ｗと接触しない程度にできる限り接近して設けられる。
被処理物Ｗは、後述する樹脂材料の、連続したシート状のフィルムであり、工程の上流側にあるロールフィルム（不図示）から搬送機構４０により前室２０内に搬入され、ガス噴出手段２５の下方を通過し、前室２０の搬出口２７より搬出されるとともにランプハウス１０内に搬入される。ランプハウス１０内で照射処理がなされた後、搬出されて次の工程に送られる。

図３はこの前室２０の、搬送方向に垂直な断面での概略構成図である。
ガス導入口２３はガス噴出手段２５に不活性ガスを供給するための導入口であり、不図示のガス供給源に接続されている。ガス噴出手段２５は図に示すように例えば断面円形状の管状体であり、エキシマランプ３０と同じように、長手方向が紙面左右方向に配置される。ガス噴出手段２５には、半径方向にガスが噴出されるよう設けられた噴出口２５ａが、長手方向に沿って多数形成される。
ガス噴出手段２５の一例としては、断面円形で、外径２０ｍｍ、長さ１５００ｍｍの管状体に、その長手方向に沿ってφ０．５ｍｍの円形に開口した噴出口が５ｍｍピッチで２８０個形成された噴出管である。なお、形状はこれに限られるものではなく、噴出口は突出したノズルのような形態によるものでもよいし、エアナイフのようなものでもよい。
噴出口２５ａからは、被処理物Ｗの表面に向かって不活性ガスが噴出される。噴出口２５ａの向きは、水平またはそれよりもやや下方に傾斜されており、被処理物Ｗの斜め上方から不活性ガスを吹き付ける。図に示した被処理物Ｗの左右方向の長さが幅であり、ガス噴出手段２５は被処理物Ｗの全幅にわたって不活性ガスを吹き付けることができるように、噴出口２５ａを備えている。
このようなガス噴出手段によれば、被処理物Ｗの幅方向にわたって搬送方向に均一に不活性ガスを吹き付けることができる。

また、ガス噴出手段から噴出される不活性ガスの時間当たりの流量は不図示の制御装置によって調整できるようになっている。したがって、不活性ガスの噴出速度はガス噴出口の面積より算出することができる。例えば、上記した寸法のガス噴出手段２５の場合、供給するガス量が２０リットル／分のとき、ガス噴出速度は１２（ｍ／ｓｅｃ）である。

このエキシマランプ装置において紫外線照射処理される被処理物は、例えば、ＰＶＡ（ポリビニルアルコール）、ＴＡＣ（三酢酸セルロース）、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート（ポリエステル類））、またはＰＥ（ポリエチレン（ポリオレフィン類））などである。
これら、液晶パネルの偏光子や偏光子保護剤等に用いられるＴＡＣ等は、薄いフィルム状の樹脂材料で可撓性があり、帯状に連続した状態のものをローラーコンベアのような搬送機構で巻きとりながら高速で搬送することができる。
被処理物の搬送速度は、例えば搬送方向に沿って１０〜４０（ｍ／ｍｉｎ）であり、例えば２０（ｍ／ｍｉｎ）である。被処理物Ｗはこのように高速で搬送されるため、前室２０内に周囲の空気を巻き込みながら搬入される。

高速で搬送される被処理物Ｗの表面には、巻き込んだ空気が付着して空気層を形成している。この空気層に対して、ガス噴出手段２５は不活性ガスを噴出して被処理物Ｗの表面に吹き付け、空気を希釈し、酸素濃度を低下させる。
噴出口２５ａから被処理物Ｗに向けてガス流が噴出開始されると、ガス噴出口付近のガスも粘性によりガス流に引き込まれて、ガス流全体は次第に拡散し、流速も低下する。しかし、被処理物の搬送速度に対して十分に大きい初速で噴出されるために、被処理物Ｗの表面に到達することができ、被処理物Ｗとの相対速度が０となり、表面の空気と混ざり合うことが出来る。
また、周囲は前記したように、前室２０のガス導入口２２により導入された不活性ガスに置換されているので、ガス噴出手段２５が空気を巻き込んだ不活性ガスを被処理物Ｗに対して噴出することが無い。これにより表面に付着した空気は、前室２０内の空間中で、被処理物の表面より除去され、紫外線照射処理に適した状態で被処理物Ｗはランプハウス１０内に搬入される。
被処理物の表面より除去された空気は、前室２０内の不活性ガスにより希釈され、そのまま前室２０のガス排出口２９より排出される。

図４には、本発明のエキシマランプ装置の実験結果を示す。
本発明と２つの参考例のエキシマランプ装置を用いて、紫外線照射処理後の被処理物Ｗの濡れ性を評価した。不活性ガスには窒素を、被処理物ＷにはＴＡＣを用いた。
本発明としたのは図２に示したエキシマランプ装置であり、参考例１は図８に示したエキシマランプ、参考例２は図９に示したエキシマランプ装置である。
装置の構成としては、図８に示したエキシマランプ装置に不活性ガス手段を付加したものが図９に示したエキシマランプ装置であり、図９に示したエキシマランプ装置の不活性ガス手段の周囲を不活性ガスで置換する前室等を付加したものが本発明という関係になっている。
濡れ性の評価としては、水滴滴下試験による接触角測定を行った。
図４において、横軸は、被処理物Ｗの搬送速度（ｍ／ｍｉｎ）である。縦軸は処理後の接触角（°）であり、接触角が小さいほど濡れ性の向上の効果が高いことを示す。処理前の被処理物の接触角は約８０°程度である。
図４中のプロットについて、×は、図８で示した前室と不活性ガスのガス噴出手段の無いエキシマランプ装置を用いて処理したもの（参考例１）であり、△は、図９で示した前室の無いエキシマランプ装置を用いて処理したもの（参考例２）であり、○は、図２で示した本発明のエキシマランプ装置を用いて処理したものである。また、△（参考例２）および○（本発明）のガス噴出手段からの不活性ガスの噴出速度は１０（ｍ／ｓｅｃ）とした。

図４に示すように、搬送速度が５（ｍ／ｍｉｎ）以下のときは、いずれのエキシマランプ装置の処理においても接触角が小さく、濡れ性の向上の効果があることがわかる。
しかし、参考例１（×）の処理では、搬送速度が１０（ｍ／ｍｉｎ）に達すると、ランプハウス内への空気の巻き込み量が増加し、処理の効果が低下した。さらに、搬送速度が１５（ｍ／ｍｉｎ）に達すると、処理の効果はほとんどみられなくなった。
また、参考例２（△）の処理では、搬送速度が１５（ｍ／ｍｉｎ）に達すると、処理の効果が低下した。さらに、搬送速度が２０（ｍ／ｍｉｎ）に達すると、処理の効果はほとんどみられなくなった。すなわち、空気の巻き込みがあってもガス噴出手段から噴きつけられる不活性ガスにより多少の改善があるが、搬送速度が高くなると効果が十分でないと言える。
本発明（○）の処理では、搬送速度が２０（ｍ／ｍｉｎ）以上となっても、処理効果の低下はみられず、４０（ｍ／ｍｉｎ）となっても処理効果が高かった。すなわち、前室を設けて不活性ガスのガス噴出手段の周囲を不活性ガスで置換したことによって、空気の巻き込みがなくなり、紫外線照射処理を好適にすることができることがわかる。

図５は、図４に示した前述と同様の濡れ性評価試験において、本発明（○）と参考例２（△）について、被処理物の搬送速度を２０（ｍ／ｍｉｎ）として、ガス噴出手段からの不活性ガスの噴出速度を変化させた実験結果である。
図５において、横軸は噴出速度（ｍ／ｓｅｃ）であり、縦軸は処理後の接触角（°）である。
参考例２（△）の処理では、噴出速度を高めても処理効果に変化は無く、ほとんど処理効果が無かった。これに対し、本発明（○）の処理では、噴出速度が高くなるにつれて処理効果が向上し、噴出速度が１０（ｍ／ｓｅｃ）以上でほぼ一定となった。
すなわち、ガス噴出手段からのガス噴出速度を高くしても、その周囲を不活性ガスで置換しなければ、空気を巻き込んだガスを吹き付けることとなり、被処理物Ｗ表面の酸素濃度が低下しないので処理効果が望めないことがわかる。

また、前述したように、前室内に被処理物が搬入された直後は、その表面には空気が付着している。この空気は被処理物と同じ速度で流れ、そのまま追随する。この空気を不活性ガスで置換するには、不活性ガスが被処理物表面に到達したときに、搬送方向での被処理物との相対速度が０（ｍ／ｓｅｃ）以上である必要がある。ガス噴出手段から噴出されるガス流は、噴出された直後から次第に速度が低下するので、初期噴出速度は少なくとも被処理物の搬送速度以上である必要がある。すなわち、噴出速度が高くなるにつれて、置換の効果が高まっていると考えられる。

したがって、初期噴出速度が少なくとも搬送速度以上であって、不活性ガスが処理表面を置換できる噴出速度であれば、低い噴出速度であっても効果が得ることができるので、搬送速度が低い場合には初期噴出速度を低くしても良い。図５に示した実験結果によれば、初期噴出速度は高いほど処理効果が向上しているが、高すぎても処理効果は飽和する傾向にあり、また不活性ガスの浪費となるから搬送速度に応じて適宜設定することが出来る。

上記構成のエキシマランプ装置によれば、被処理物を高速で搬入しても、ランプハウス１０内に空気を巻き込むことが無い。したがって、エキシマランプ３０から照射される紫外線が酸素によって減衰することなく効率良く紫外線照射処理を施すことができる。

図６（ａ）は、本発明のエキシマランプ装置のガス噴出手段についての他の一例を示す概略断面図である。図６（ａ）については、図２に示したエキシマランプ装置とガス噴出手段２５の形状のみが相違し、他の構成は図２に示したものと同一であるから説明を省略する。図６（ｂ）には、図６（ａ）からガス噴出手段２５を抽出して拡大した拡大断面図を示す。
図６において、ガス噴出手段２５は、被処理物Ｗの幅方向（紙面手前側から奥側）に長尺な管であり、不活性ガスを噴出するためのスリット２５ｂが形成されている。このスリット２５ｂは幅方向にわたって、一体に連続して形成されていても良いし、断続的になるよう仕切りが設けられて形成されていても良い。このようなスリットにより、ガス噴出手段２５は層状の噴出流を供給することができる。また、このスリットの幅を非常に小さく形成することにより、総流量が同じであっても高速な噴出流を供給することが出来る。
ガス噴出手段２５を構成する管の、スリット２５ｂよりも搬送方向の下流側には、管の表面が下流に向かうにつれて搬送方向と同じになるように湾曲する曲面２５ｃが形成されている。スリット２５ｂより不活性ガスが噴出されると、コアンダ効果により、ガス流はこの曲面２５ｃの表面に沿って流れる。
上記のガス噴出手段２５によれば、少量のガスにより高速のガスを噴出することが出来るので不活性ガスの流量を節約することができる。

図７は、本発明の第２の実施形態にかかるエキシマランプ装置を搬送方向に沿って切断した概略断面図である。図７は、図２に示したエキシマランプ装置と前室２０の構成のみが相違し、他の構成については図２に示したエキシマランプ装置と同一の構成であるので、それについては説明を省略する。
前室２０は、被処理物の上下に位置するガス噴出手段２５、２８、およびガス導入口２５ａ、２８ａを備える。

エキシマランプ装置１００内に被処理物Ｗが搬入された状態では、前室２０内の空間は、被処理物Ｗによって上側と下側の２つに分断されることとなる。また、装置内部への巻き込みによる空気の侵入は、被処理物Ｗの上下において発生する。
ガス噴出手段２５のみを設置した場合には、被処理物Ｗの上側の表面については不活性ガスで置換することが出来るが、下側については表面に空気が付着したままランプハウス内に搬入されることになり、好ましくない。

したがって、空気がランプハウス１０内に侵入することがないように、被処理物Ｗの上側にのみガス噴出手段２５を設けるだけでなく、下側にもガス噴出手段２８を設けることが好ましい。
また、上側のガス噴出手段２５の周囲を不活性ガスに置換するガス導入口２２だけでなく、下側のガス噴出手段２８の周囲を不活性ガスに置換するガス導入口２４が設けられる。
これにより、前室２０内の、被処理物Ｗよりも下側の空間についても不活性ガスで満たすことができる。

上記構成によれば、被処理物の上下にガス噴出手段およびガス導入口を配置することにより、被処理物の上下の表面を不活性ガスで満たすことができるので、ランプハウス内への空気の侵入をより確実に防ぐことができる。

本発明にかかるエキシマランプを示す図であり、（ａ）は管軸に沿った断面図、（ｂ）はＡ−Ａ’断面図である。 本発明の第１の実施形態にかかるエキシマランプ装置の搬送方向に沿った断面における概略構成図である。 本発明のエキシマランプ装置の搬送方向に垂直な断面における概略構成図である。 本発明のエキシマランプ装置の実験結果である。 本発明のエキシマランプ装置の実験結果である。 （ａ）は本発明のエキシマランプ装置のガス噴出手段の一例を示す概略構成図であり、（ｂ）はガス噴出手段のみを抽出した拡大図である。 本発明の第２の実施形態にかかるエキシマランプ装置の搬送方向に沿った断面における概略構成図である。 参考例のエキシマランプ装置を示す概略構成図である。 参考例のエキシマランプ装置を示す概略構成図である。

符号の説明

１００ エキシマランプ装置
１０ ランプハウス
１１ ガス導入口
１２ ガス排出口
１３ 搬入口
１４ 搬出口
２０ 前室
２１ 拡散板
２２ ガス導入口
２３ ガス導入口
２４ ガス導入口
２５ ガス噴出手段
２５ａ 噴出口
２６ 搬入口
２７ 搬出口
２８ ガス噴出手段
２９ ガス排出口
３０ エキシマランプ
３２ 外側管
３３ 電極
３４ 電極
３７ 内側管
３８ 紫外線反射膜
３９ 光出射部
４０ 搬送機構
５０ ランプハウス
５１ ガス導入口
５２ ガス排出口
５３ 搬入口
５４ 搬出口
６５ ガス噴出手段
７０ エキシマランプ
Ｗ 被処理物

Claims (2)

1. ランプハウスと、該ランプハウス内に収容されたエキシマランプと、搬送機構とを備え、被処理物を搬送しながらエキシマ光を照射するエキシマランプ装置において、
   前記ランプハウスよりも搬送方向の上流側に、被処理物が搬入される前室が連結して設置され、
   該前室内には、該前室内を不活性ガスで置換するための不活性ガス導入口と、
   該被処理物に対して搬送方向に沿って不活性ガスを噴出するガス噴出手段が設置され、
   該被処理物は、ポリビニルアルコール、三酢酸セルロース、ポリエチレンテレフタレート、またはポリエチレンのいずれかのフィルム状の樹脂材料であることを特徴とするエキシマランプ装置。
2. 前記ガス噴出手段は、前記被処理物の上下に設置されていることを特徴とする請求項１に記載のエキシマランプ装置

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