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JP2010123823A - Cutting device - Google Patents

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JP2010123823A
JP2010123823A JP2008297485A JP2008297485A JP2010123823A JP 2010123823 A JP2010123823 A JP 2010123823A JP 2008297485 A JP2008297485 A JP 2008297485A JP 2008297485 A JP2008297485 A JP 2008297485A JP 2010123823 A JP2010123823 A JP 2010123823A
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JP
Japan
Prior art keywords
cutting
wafer
blade
chuck table
groove
Prior art date
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Pending
Application number
JP2008297485A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kazuma Sekiya
一馬 関家
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Disco Corp
Original Assignee
Disco Abrasive Systems Ltd
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Publication date
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Abstract

【課題】切削時にダイアタッチフィルムから生成されたひげ状の屑を効率良く除去可能な切削装置を提供する。
【解決手段】ウエーハWを保持するチャックテーブルTと、該チャックテーブルに保持されたウエーハを切削する切削ブレード28を含む切削手段と、該チャックテーブルと該切削手段を相対的に切削方向に切削送りする切削送り手段とを備えた切削装置であって、該切削手段には、該切削ブレードで切削された直後の切削溝56に糸状の洗浄水37を噴射する溝洗浄ノズル33が配設されている。溝洗浄ノズル33から噴射される洗浄水37でダイアタッチフィルム29の切削により生成されたひげ状の屑58を除去する。
【選択図】図6
A cutting device capable of efficiently removing whisker-like debris generated from a die attach film during cutting is provided.
A chuck table T for holding a wafer W, a cutting means including a cutting blade 28 for cutting the wafer held by the chuck table, and the chuck table and the cutting means are relatively fed in a cutting direction. A cutting device provided with a cutting feed means that includes a groove cleaning nozzle 33 that injects a thread-like cleaning water 37 into the cutting groove 56 immediately after being cut by the cutting blade. Yes. The whisker-like debris 58 generated by cutting the die attach film 29 is removed by the cleaning water 37 sprayed from the groove cleaning nozzle 33.
[Selection] Figure 6

Description

本発明は、裏面にダイアタッチフィルムが貼着された半導体ウエーハを個々のデバイスに分割するのに適した切削装置に関する。   The present invention relates to a cutting apparatus suitable for dividing a semiconductor wafer having a die attach film attached to the back surface into individual devices.

IC、LSI等の数多くのデバイスが表面に形成され、且つ個々のデバイスが分割予定ライン(ストリート)によって区画された半導体ウエーハは、研削装置によって裏面が研削されて所定の厚みに加工された後、切削装置(ダイシング装置)によって分割予定ラインを切削して個々のデバイスに分割され、分割されたデバイスは携帯電話、パソコン等の電気機器に利用される。   A semiconductor wafer in which a number of devices such as IC and LSI are formed on the surface, and each device is partitioned by a line to be divided (street), the back surface is ground by a grinding machine and processed to a predetermined thickness. A dividing line is cut by a cutting device (dicing device) to be divided into individual devices, and the divided devices are used for electric devices such as mobile phones and personal computers.

半導体ウエーハから分割されたデバイスは、ダイアタッチフィルム(DAF)と称するダイボンディング用の接着フィルムによってリードフレームにボンディングされ、更にパッケージングされる。   The device divided from the semiconductor wafer is bonded to a lead frame by a die bonding adhesive film called a die attach film (DAF), and further packaged.

DAFは、半導体ウエーハの裏面に貼着されてウエーハを個々のデバイスに分割する際にウエーハと共に分割され、DAFと一体となったデバイスが形成される(例えば、特開2005−56968号公報参照)。   The DAF is affixed to the back surface of the semiconductor wafer, and when the wafer is divided into individual devices, the DAF is divided together with the wafer to form a device integrated with the DAF (see, for example, JP-A-2005-56968). .

しかし、DAFはエポキシ樹脂等で構成されており、切削ブレードでウエーハと共にDAFを切削するとひげ状の屑(ばり)が生成され、デバイスをダイシングテープからピックアップする際にひげ状の屑が飛散してボンディングパッドに付着し、リードフレームの電極とワイヤボンディングする際に断線を引き起こし、デバイスの品質を低下させるという問題がある。   However, DAF is composed of epoxy resin, etc. When cutting DAF together with the wafer with a cutting blade, whisker-like debris (flash) is generated, and whisker-like debris is scattered when the device is picked up from the dicing tape. There is a problem that it adheres to the bonding pad and causes wire breakage when wire bonding with the electrode of the lead frame, thereby degrading the quality of the device.

この問題を解決する方法として、特開2004−79597号公報では、ダイボンディング工程前にDAFに熱風を吹き付けるか、又はDAFを加熱手段に接触させて加熱処理することにより、ひげ状の屑を低減させ、ワイヤボンディング工程におけるひげ状の屑の悪影響を排除する技術が提案されている。
特開2005−56968号公報 特開2004−79597号公報
As a method for solving this problem, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-79597 reduces whiskers by blowing hot air to the DAF before the die bonding process or by heating the DAF in contact with the heating means. Thus, there has been proposed a technique for eliminating the adverse effect of whiskers on the wire bonding process.
JP 2005-56968 A JP 2004-79597 A

特許文献2に開示された半導体チップの加工方法は、切削されたDAFから伸びるひげ状の屑の低減には有効であるが、ダイボンディング工程前に加熱処理工程を新たに加える必要があり、生産効率の低下を招くという問題がある。   The semiconductor chip processing method disclosed in Patent Document 2 is effective in reducing whisker-like debris extending from the cut DAF, but it is necessary to add a heat treatment process before the die bonding process, There is a problem that the efficiency is lowered.

本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、生産効率の低下を招くことなくウエーハと共に切削されたDAFから伸びるひげ状の屑を除去可能な切削装置を提供することである。   The present invention has been made in view of the above points, and an object of the present invention is to provide a cutting apparatus capable of removing whisker-like debris extending from a DAF cut with a wafer without causing a reduction in production efficiency. Is to provide.

本発明によると、ウエーハを保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持されたウエーハを切削する切削ブレードを含む切削手段と、該チャックテーブルと該切削手段を相対的に切削方向に切削送りする切削送り手段とを備えた切削装置であって、該切削手段には、該切削ブレードで切削された直後の切削溝に糸状の洗浄水を噴射する溝洗浄ノズルが配設されていることを特徴とする切削装置が提供される。   According to the present invention, a chuck table for holding a wafer, a cutting means including a cutting blade for cutting the wafer held by the chuck table, and a cutting for relatively cutting and feeding the chuck table and the cutting means in a cutting direction. A cutting device comprising a feeding means, wherein the cutting means is provided with a groove cleaning nozzle for injecting thread-like cleaning water into a cutting groove immediately after being cut by the cutting blade. A cutting device is provided.

好ましくは、溝洗浄ノズルは流速50〜100m/秒の洗浄水を噴射する。   Preferably, the groove cleaning nozzle ejects cleaning water having a flow rate of 50 to 100 m / sec.

本発明の切削装置は、切削ブレードで切削した直後の切削溝に糸状の洗浄水を噴射してDAFから伸びるひげ状の屑を切削溝から排出する溝洗浄ノズルを有しているので、ひげ状の屑を効率良く除去することができ、ダイシングテープからデバイスをピックアップしてもひげ状の屑が飛散することがなく、デバイスの品質を低下させることがない。   The cutting device of the present invention has a groove cleaning nozzle that ejects thread-like cleaning water into a cutting groove immediately after cutting with a cutting blade and discharges beard-like debris extending from the DAF from the cutting groove. The scraps can be efficiently removed, and even when the device is picked up from the dicing tape, whiskers are not scattered and the quality of the device is not deteriorated.

以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図1は半導体ウエーハをダイシングして個々のチップ(デバイス)に分割することのできる切削装置2の外観斜視図を示している。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 shows an external perspective view of a cutting apparatus 2 that can dicate a semiconductor wafer and divide it into individual chips (devices).

切削装置2の前面側には、オペレータが加工条件等の装置に対する指示を入力するための操作手段4が設けられている。装置上部には、オペレータに対する案内画面や後述する撮像手段によって撮像された画像が表示されるCRT等の表示手段6が設けられている。   On the front side of the cutting device 2, there is provided operating means 4 for an operator to input instructions to the device such as machining conditions. In the upper part of the apparatus, there is provided a display means 6 such as a CRT for displaying a guidance screen for an operator and an image taken by an imaging means described later.

図2に示すように、ダイシング対象のウエーハWの表面においては、第1のストリートS1と第2ストリートS2とが直交して形成されており、第1のストリートS1と第2のストリートS2とによって区画されて多数のデバイスDがウエーハW上に形成されている。   As shown in FIG. 2, on the surface of the wafer W to be diced, the first street S1 and the second street S2 are formed orthogonally, and the first street S1 and the second street S2 A plurality of devices D are partitioned and formed on the wafer W.

ウエーハWの裏面にはエポキシ樹脂等から形成されたダイアタッチフィルム(DAF)29が貼着されており、ウエーハWのDAF29側が粘着テープであるダイシングテープTに貼着され、ダイシングテープTの外周部は環状フレームFに貼着される。   A die attach film (DAF) 29 formed of an epoxy resin or the like is attached to the back surface of the wafer W, and the DAF 29 side of the wafer W is attached to a dicing tape T that is an adhesive tape. Is attached to the annular frame F.

これにより、ウエーハWはダイシングテープTを介してフレームFに支持された状態となり、図1に示したウエーハカセット8中にウエーハが複数枚(例えば25枚)収容される。ウエーハカセット8は上下動可能なカセットエレベータ9上に載置される。   As a result, the wafer W is supported by the frame F via the dicing tape T, and a plurality of wafers (for example, 25 sheets) are accommodated in the wafer cassette 8 shown in FIG. The wafer cassette 8 is placed on a cassette elevator 9 that can move up and down.

ウエーハカセット8の後方には、ウエーハカセット8から切削前のウエーハWを搬出するとともに、切削後のウエーハをウエーハカセット8に搬入する搬出入手段10が配設されている。ウエーハカセット8と搬出入手段10との間には、搬出入対象のウエーハが一時的に載置される領域である仮置き領域12が設けられており、仮置き領域12には、ウエーハWを一定の位置に位置合わせする位置合わせ手段14が配設されている。   Behind the wafer cassette 8, a loading / unloading means 10 for unloading the wafer W before cutting from the wafer cassette 8 and loading the wafer after cutting into the wafer cassette 8 is disposed. Between the wafer cassette 8 and the loading / unloading means 10, a temporary placement area 12, which is an area on which a wafer to be carried in / out, is temporarily placed, is provided. Positioning means 14 for positioning at a certain position is provided.

仮置き領域12の近傍には、ウエーハWと一体となったフレームFを吸着して搬送する旋回アームを有する搬送手段16が配設されており、仮置き領域12に搬出されたウエーハWは、搬送手段16により吸着されてチャックテーブル18上に搬送され、このチャックテーブル18に吸引されるとともに、複数の固定手段19によりフレームFが固定されることでチャックテーブル18上に保持される。   In the vicinity of the temporary placement area 12, transport means 16 having a turning arm that sucks and transports the frame F integrated with the wafer W is disposed, and the wafer W carried to the temporary placement area 12 is It is attracted by the transport means 16 and transported onto the chuck table 18 and is sucked by the chuck table 18, and is held on the chuck table 18 by fixing the frame F by a plurality of fixing means 19.

チャックテーブル18は、回転可能且つX軸方向に往復動可能に構成されており、チャックテーブル18のX軸方向の移動経路の上方には、ウエーハWの切削すべきストリートを検出するアライメント手段20が配設されている。   The chuck table 18 is configured to be rotatable and reciprocally movable in the X-axis direction. Above the movement path of the chuck table 18 in the X-axis direction, an alignment unit 20 that detects a street to be cut of the wafer W is provided. It is arranged.

アライメント手段20は、ウエーハWの表面を撮像する撮像手段22を備えており、撮像により取得した画像に基づき、パターンマッチング等の処理によって切削すべきストリートを検出することができる。撮像手段22によって取得された画像は、表示手段6に表示される。   The alignment unit 20 includes an imaging unit 22 that images the surface of the wafer W, and can detect a street to be cut by a process such as pattern matching based on an image acquired by imaging. The image acquired by the imaging unit 22 is displayed on the display unit 6.

アライメント手段20の左側には、チャックテーブル18に保持されたウエーハWに対して切削加工を施す切削手段24が配設されている。切削手段24はアライメント手段20と一体的に構成されており、両者が連動してY軸方向及びZ軸方向に移動する。   On the left side of the alignment means 20, a cutting means 24 for cutting the wafer W held on the chuck table 18 is disposed. The cutting means 24 is configured integrally with the alignment means 20, and both move together in the Y-axis direction and the Z-axis direction.

切削手段24は、回転可能なスピンドル26の先端に切削ブレード28が装着されて構成され、Y軸方向及びZ軸方向に移動可能となっている。切削ブレード28は撮像手段22のX軸方向の延長線上に位置している。   The cutting means 24 is configured by attaching a cutting blade 28 to the tip of a rotatable spindle 26 and is movable in the Y-axis direction and the Z-axis direction. The cutting blade 28 is located on the extended line of the imaging means 22 in the X-axis direction.

図3を参照すると、切削手段24の分解斜視図が示されている。図4は切削手段24の斜視図である。25は切削手段24のスピンドルハウジングであり、スピンドルハウジング25中に図示しないサーボモータにより回転駆動されるスピンドル26が回転可能に収容されている。切削ブレード28は電鋳ブレードであり、ニッケル母材中にダイヤモンド砥粒が分散されてなる切刃28aをその外周部に有している。   Referring to FIG. 3, an exploded perspective view of the cutting means 24 is shown. FIG. 4 is a perspective view of the cutting means 24. Reference numeral 25 denotes a spindle housing of the cutting means 24, in which a spindle 26 that is rotationally driven by a servo motor (not shown) is rotatably accommodated. The cutting blade 28 is an electroformed blade, and has a cutting edge 28a formed by dispersing diamond abrasive grains in a nickel base material on the outer peripheral portion thereof.

30は切削ブレード28をカバーするブレードカバーであり、切削ブレード28の側面に沿って延長する切削水ノズル32が取り付けられている。切削水が、パイプ34を介して切削水ノズル32に供給される。ブレードカバー30はねじ穴36,38を有している。   A blade cover 30 covers the cutting blade 28, and a cutting water nozzle 32 extending along the side surface of the cutting blade 28 is attached thereto. Cutting water is supplied to the cutting water nozzle 32 through the pipe 34. The blade cover 30 has screw holes 36 and 38.

ブレードカバー30には更に、切削ブレード28で切削されたウエーハWの切削溝中に糸状の高速洗浄水を噴射する溝洗浄ノズル33が配設されている。洗浄水がパイプ35を介して溝洗浄ノズル33に供給される。   The blade cover 30 is further provided with a groove cleaning nozzle 33 for injecting thread-like high-speed cleaning water into the cutting groove of the wafer W cut by the cutting blade 28. Washing water is supplied to the groove cleaning nozzle 33 through the pipe 35.

50は切削ブレード28の切刃28aの欠け又は磨耗を検出するブレードセンサを内蔵したブレード検出ブロックであり、ねじ54を丸穴52を挿通してブレードカバー30のねじ穴38に螺合することにより、ブレード検出ブロック50がブレードカバー30に取り付けられる。ブレード検出ブロック50は、ブレードセンサの位置を調整する調整ねじ55を有している。   Reference numeral 50 denotes a blade detection block incorporating a blade sensor for detecting chipping or wear of the cutting blade 28a of the cutting blade 28. By inserting a screw 54 through the round hole 52 and screwing it into the screw hole 38 of the blade cover 30. The blade detection block 50 is attached to the blade cover 30. The blade detection block 50 has an adjustment screw 55 for adjusting the position of the blade sensor.

40は着脱カバーであり、ブレードカバー30に取り付けられた際、切削ブレード28の側面に沿って伸長する切削水ノズル42を有している。切削水は、パイプ44を介して切削水ノズル42に供給される。   A detachable cover 40 has a cutting water nozzle 42 that extends along the side surface of the cutting blade 28 when attached to the blade cover 30. The cutting water is supplied to the cutting water nozzle 42 via the pipe 44.

ねじ48を着脱カバー40の丸穴46に挿通してブレードカバー30のねじ穴36に螺合することにより、着脱カバー40がブレードカバー30に固定される。これにより、図4に示すように切削ブレード28の概略上半分がブレードカバー30及び着脱カバー40により覆われる。切削ブレード28を交換する際には、着脱カバー40をブレードカバー30から取り外し、この状態で切削ブレード28を交換する。   The detachable cover 40 is fixed to the blade cover 30 by inserting the screw 48 into the round hole 46 of the detachable cover 40 and screwing it into the screw hole 36 of the blade cover 30. As a result, the upper half of the cutting blade 28 is covered with the blade cover 30 and the detachable cover 40 as shown in FIG. When replacing the cutting blade 28, the detachable cover 40 is removed from the blade cover 30, and the cutting blade 28 is replaced in this state.

このように構成された切削装置2において、ウエーハカセット8に収容されたウエーハWは、搬出入手段10によってフレームFが挟持され、搬出入手段10が装置後方(Y軸方向)に移動し、仮置き領域12においてその挟持が解除されることにより、仮置き領域12に載置される。そして、位置合わせ手段14が互いに接近する方向に移動することにより、ウエーハWが一定の位置に位置づけられる。   In the cutting apparatus 2 configured as described above, the wafer W accommodated in the wafer cassette 8 is sandwiched by the frame F by the loading / unloading means 10, and the loading / unloading means 10 moves to the rear of the apparatus (Y-axis direction). When the nipping is released in the placing area 12, the placing area 12 is placed in the temporary placing area 12. Then, the wafer W is positioned at a certain position by the positioning means 14 moving in a direction approaching each other.

次いで、搬送手段16によってフレームFが吸着され、搬送手段16が旋回することによりフレームFと一体となったウエーハWがチャックテーブル18に搬送されてチャックテーブル18により保持される。そして、チャックテーブル18がX軸方向に移動してウエーハWはアライメント手段20の直下に位置づけられる。   Next, the frame F is adsorbed by the conveyance means 16, and the wafer W integrated with the frame F is conveyed to the chuck table 18 by the rotation of the conveyance means 16 and is held by the chuck table 18. Then, the chuck table 18 moves in the X-axis direction, and the wafer W is positioned directly below the alignment means 20.

アライメント手段20が切削すべきストリートを検出するアライメントの際のパターンマッチングに用いる画像は、切削前に予め取得しておく必要がある。そこで、ウエーハWがアライメント手段20の直下に位置づけられると、撮像手段22がウエーハWの表面を撮像し、撮像した画像を表示手段6に表示させる。   The image used for pattern matching at the time of alignment in which the alignment unit 20 detects a street to be cut needs to be acquired in advance before cutting. Therefore, when the wafer W is positioned directly below the alignment unit 20, the imaging unit 22 captures the surface of the wafer W and causes the display unit 6 to display the captured image.

切削装置2のオペレータは、操作手段4を操作することにより、撮像手段22をゆっくりと移動させながら、必要に応じてチャックテーブル18も移動させて、パターンマッチングのターゲットとなるパターンを探索する。   The operator of the cutting apparatus 2 operates the operation unit 4 to move the image pickup unit 22 slowly and also move the chuck table 18 as necessary to search for a pattern that is a pattern matching target.

オペレータがキーパターンを決定すると、そのキーパターンを含む画像が切削装置2のコントローラ20に備えたメモリに記憶される。また、そのキーパターンとストリートS1,S2の中心線との距離を座標値等によって求め、その値もメモリに記憶させておく。   When the operator determines a key pattern, an image including the key pattern is stored in a memory provided in the controller 20 of the cutting apparatus 2. Further, the distance between the key pattern and the center line of the streets S1 and S2 is obtained by a coordinate value or the like, and the value is also stored in the memory.

更に、撮像手段22を移動させることにより、隣り合うストリートとストリートとの間隔(ストリートピッチ)を座標値等によって求め、ストリートピッチの値についてもコントローラのメモリに記憶させておく。   Further, by moving the image pickup means 22, an interval between the adjacent streets (street pitch) is obtained by a coordinate value or the like, and the street pitch value is also stored in the memory of the controller.

ウエーハWのストリートに沿った切断の際には、記憶させたキーパターンの画像と実際に撮像手段22により撮像されて取得した画像とのパターンマッチングをアライメント手段20にて行う。   At the time of cutting along the street of the wafer W, the alignment unit 20 performs pattern matching between the stored key pattern image and the image actually acquired by the imaging unit 22.

そして、パターンがマッチングしたときは、キーパターンとストリートの中心線との距離分だけ切削手段24をY軸方向に移動させることにより、切削しようとするストリートと切削ブレード28との位置合わせを行う。   When the patterns match, the cutting means 24 is moved in the Y-axis direction by the distance between the key pattern and the street center line, thereby aligning the street to be cut with the cutting blade 28.

切削しようとするストリートと切削ブレード28との位置合わせが行われた状態で、チャックテーブル18を図5で矢印Xで示すX軸方向に移動させるとともに、切削ブレード28を矢印28aの方向に高速回転させながら切削手段24を下降させると、位置合わせされたストリートが切削される。   While the street to be cut and the cutting blade 28 are aligned, the chuck table 18 is moved in the X-axis direction indicated by arrow X in FIG. 5 and the cutting blade 28 is rotated at high speed in the direction of arrow 28a. When the cutting means 24 is moved down while being moved, the aligned street is cut.

メモリに記憶されたストリートピッチずつ切削手段24をY軸方向にインデックス送りにしながら切削を行うことにより、同方向のストリートS1が全て切削される。更に、チャックテーブル18を90°回転させてから、上記と同様の切削を行うと、ストリートS2も全て切削され、個々のデバイスDに分割される。   By performing cutting while feeding the cutting means 24 in the Y-axis direction by the street pitch stored in the memory, all the streets S1 in the same direction are cut. Furthermore, when the chuck table 18 is rotated by 90 ° and then the same cutting as described above is performed, the streets S2 are all cut and divided into individual devices D.

本実施形態の切削装置2では、切削手段24に溝洗浄ノズル33が配設されているため、図6に示すように切削ブレード28で切削した直後の切削溝56中に溝洗浄ノズル33からφ0.05mm〜φ1.0mmの糸状の高速洗浄水37を噴射して、DAF29の切削により生成されたひげ状の屑58を切削溝56から除去する。好ましくは、溝洗浄ノズル33から噴射される洗浄水37の流速は50〜100m/秒である。   In the cutting apparatus 2 of the present embodiment, since the groove cleaning nozzle 33 is disposed in the cutting means 24, as shown in FIG. 6, φ0 from the groove cleaning nozzle 33 in the cutting groove 56 immediately after cutting with the cutting blade 28. A thread-like high-speed washing water 37 having a diameter of .05 mm to φ1.0 mm is sprayed to remove the whisker-like debris 58 generated by cutting the DAF 29 from the cutting groove 56. Preferably, the flow rate of the cleaning water 37 sprayed from the groove cleaning nozzle 33 is 50 to 100 m / sec.

このように本実施形態の切削装置2では、切削ブレード28で切削直後の切削溝56中に溝洗浄ノズル33から高速洗浄水37を噴射して、DAF29から伸びるひげ状の屑58を切削溝56中から排出除去するので、ひげ状の屑58を効率良く除去することができ、後工程でダイシングテープTからデバイスDをピックアップしてもひげ状の屑が飛散することがなく、デバイスの品質を低下させることがない。   As described above, in the cutting apparatus 2 of the present embodiment, the high-speed cleaning water 37 is sprayed from the groove cleaning nozzle 33 into the cutting groove 56 immediately after cutting by the cutting blade 28, and the whisker-like scraps 58 extending from the DAF 29 are cut into the cutting groove 56. Since it is discharged and removed from inside, the whisker-like debris 58 can be efficiently removed, and even if the device D is picked up from the dicing tape T in the subsequent process, the whisker-like debris does not scatter and the device quality is improved There is no reduction.

切削装置の外観斜視図である。It is an external appearance perspective view of a cutting device. フレームと一体化されたウエーハを示す斜視図である。It is a perspective view which shows the wafer integrated with the flame | frame. 切削手段の分解斜視図である。It is a disassembled perspective view of a cutting means. 切削手段の斜視図である。It is a perspective view of a cutting means. フレームに支持されたウエーハを切削している様子を示す斜視図である。It is a perspective view which shows a mode that the wafer supported by the flame | frame is cutting. 本発明の要部を説明する断面図である。It is sectional drawing explaining the principal part of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

2 切削装置
18 チャックテーブル
24 切削手段
26 スピンドル
28 切削ブレード
29 DAF
33 溝洗浄ノズル
56 切削溝
58 ひげ状の屑
2 Cutting device 18 Chuck table 24 Cutting means 26 Spindle 28 Cutting blade 29 DAF
33 groove cleaning nozzle 56 cutting groove 58 whiskers

Claims (2)

ウエーハを保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持されたウエーハを切削する切削ブレードを含む切削手段と、該チャックテーブルと該切削手段を相対的に切削方向に切削送りする切削送り手段とを備えた切削装置であって、
該切削手段には、該切削ブレードで切削された直後の切削溝に糸状の洗浄水を噴射する溝洗浄ノズルが配設されていることを特徴とする切削装置。
A chuck table for holding a wafer, a cutting means including a cutting blade for cutting the wafer held by the chuck table, and a cutting feed means for cutting and feeding the chuck table and the cutting means in a cutting direction relatively. Cutting device,
A cutting apparatus characterized in that the cutting means is provided with a groove cleaning nozzle for injecting thread-like cleaning water into a cutting groove immediately after being cut by the cutting blade.
該溝洗浄ノズルは、流速50〜100m/秒の洗浄水を噴射する請求項1記載の切削装置。   The cutting apparatus according to claim 1, wherein the groove cleaning nozzle sprays cleaning water having a flow rate of 50 to 100 m / sec.
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