JP2010123823A - Cutting device - Google Patents
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Abstract
【課題】切削時にダイアタッチフィルムから生成されたひげ状の屑を効率良く除去可能な切削装置を提供する。
【解決手段】ウエーハWを保持するチャックテーブルTと、該チャックテーブルに保持されたウエーハを切削する切削ブレード28を含む切削手段と、該チャックテーブルと該切削手段を相対的に切削方向に切削送りする切削送り手段とを備えた切削装置であって、該切削手段には、該切削ブレードで切削された直後の切削溝56に糸状の洗浄水37を噴射する溝洗浄ノズル33が配設されている。溝洗浄ノズル33から噴射される洗浄水37でダイアタッチフィルム29の切削により生成されたひげ状の屑58を除去する。
【選択図】図6A cutting device capable of efficiently removing whisker-like debris generated from a die attach film during cutting is provided.
A chuck table T for holding a wafer W, a cutting means including a cutting blade 28 for cutting the wafer held by the chuck table, and the chuck table and the cutting means are relatively fed in a cutting direction. A cutting device provided with a cutting feed means that includes a groove cleaning nozzle 33 that injects a thread-like cleaning water 37 into the cutting groove 56 immediately after being cut by the cutting blade. Yes. The whisker-like debris 58 generated by cutting the die attach film 29 is removed by the cleaning water 37 sprayed from the groove cleaning nozzle 33.
[Selection] Figure 6
Description
本発明は、裏面にダイアタッチフィルムが貼着された半導体ウエーハを個々のデバイスに分割するのに適した切削装置に関する。 The present invention relates to a cutting apparatus suitable for dividing a semiconductor wafer having a die attach film attached to the back surface into individual devices.
IC、LSI等の数多くのデバイスが表面に形成され、且つ個々のデバイスが分割予定ライン(ストリート)によって区画された半導体ウエーハは、研削装置によって裏面が研削されて所定の厚みに加工された後、切削装置(ダイシング装置)によって分割予定ラインを切削して個々のデバイスに分割され、分割されたデバイスは携帯電話、パソコン等の電気機器に利用される。 A semiconductor wafer in which a number of devices such as IC and LSI are formed on the surface, and each device is partitioned by a line to be divided (street), the back surface is ground by a grinding machine and processed to a predetermined thickness. A dividing line is cut by a cutting device (dicing device) to be divided into individual devices, and the divided devices are used for electric devices such as mobile phones and personal computers.
半導体ウエーハから分割されたデバイスは、ダイアタッチフィルム(DAF)と称するダイボンディング用の接着フィルムによってリードフレームにボンディングされ、更にパッケージングされる。 The device divided from the semiconductor wafer is bonded to a lead frame by a die bonding adhesive film called a die attach film (DAF), and further packaged.
DAFは、半導体ウエーハの裏面に貼着されてウエーハを個々のデバイスに分割する際にウエーハと共に分割され、DAFと一体となったデバイスが形成される(例えば、特開2005−56968号公報参照)。 The DAF is affixed to the back surface of the semiconductor wafer, and when the wafer is divided into individual devices, the DAF is divided together with the wafer to form a device integrated with the DAF (see, for example, JP-A-2005-56968). .
しかし、DAFはエポキシ樹脂等で構成されており、切削ブレードでウエーハと共にDAFを切削するとひげ状の屑(ばり)が生成され、デバイスをダイシングテープからピックアップする際にひげ状の屑が飛散してボンディングパッドに付着し、リードフレームの電極とワイヤボンディングする際に断線を引き起こし、デバイスの品質を低下させるという問題がある。 However, DAF is composed of epoxy resin, etc. When cutting DAF together with the wafer with a cutting blade, whisker-like debris (flash) is generated, and whisker-like debris is scattered when the device is picked up from the dicing tape. There is a problem that it adheres to the bonding pad and causes wire breakage when wire bonding with the electrode of the lead frame, thereby degrading the quality of the device.
この問題を解決する方法として、特開2004−79597号公報では、ダイボンディング工程前にDAFに熱風を吹き付けるか、又はDAFを加熱手段に接触させて加熱処理することにより、ひげ状の屑を低減させ、ワイヤボンディング工程におけるひげ状の屑の悪影響を排除する技術が提案されている。
特許文献2に開示された半導体チップの加工方法は、切削されたDAFから伸びるひげ状の屑の低減には有効であるが、ダイボンディング工程前に加熱処理工程を新たに加える必要があり、生産効率の低下を招くという問題がある。
The semiconductor chip processing method disclosed in
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、生産効率の低下を招くことなくウエーハと共に切削されたDAFから伸びるひげ状の屑を除去可能な切削装置を提供することである。 The present invention has been made in view of the above points, and an object of the present invention is to provide a cutting apparatus capable of removing whisker-like debris extending from a DAF cut with a wafer without causing a reduction in production efficiency. Is to provide.
本発明によると、ウエーハを保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持されたウエーハを切削する切削ブレードを含む切削手段と、該チャックテーブルと該切削手段を相対的に切削方向に切削送りする切削送り手段とを備えた切削装置であって、該切削手段には、該切削ブレードで切削された直後の切削溝に糸状の洗浄水を噴射する溝洗浄ノズルが配設されていることを特徴とする切削装置が提供される。 According to the present invention, a chuck table for holding a wafer, a cutting means including a cutting blade for cutting the wafer held by the chuck table, and a cutting for relatively cutting and feeding the chuck table and the cutting means in a cutting direction. A cutting device comprising a feeding means, wherein the cutting means is provided with a groove cleaning nozzle for injecting thread-like cleaning water into a cutting groove immediately after being cut by the cutting blade. A cutting device is provided.
好ましくは、溝洗浄ノズルは流速50〜100m/秒の洗浄水を噴射する。 Preferably, the groove cleaning nozzle ejects cleaning water having a flow rate of 50 to 100 m / sec.
本発明の切削装置は、切削ブレードで切削した直後の切削溝に糸状の洗浄水を噴射してDAFから伸びるひげ状の屑を切削溝から排出する溝洗浄ノズルを有しているので、ひげ状の屑を効率良く除去することができ、ダイシングテープからデバイスをピックアップしてもひげ状の屑が飛散することがなく、デバイスの品質を低下させることがない。 The cutting device of the present invention has a groove cleaning nozzle that ejects thread-like cleaning water into a cutting groove immediately after cutting with a cutting blade and discharges beard-like debris extending from the DAF from the cutting groove. The scraps can be efficiently removed, and even when the device is picked up from the dicing tape, whiskers are not scattered and the quality of the device is not deteriorated.
以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図1は半導体ウエーハをダイシングして個々のチップ(デバイス)に分割することのできる切削装置2の外観斜視図を示している。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 shows an external perspective view of a
切削装置2の前面側には、オペレータが加工条件等の装置に対する指示を入力するための操作手段4が設けられている。装置上部には、オペレータに対する案内画面や後述する撮像手段によって撮像された画像が表示されるCRT等の表示手段6が設けられている。
On the front side of the
図2に示すように、ダイシング対象のウエーハWの表面においては、第1のストリートS1と第2ストリートS2とが直交して形成されており、第1のストリートS1と第2のストリートS2とによって区画されて多数のデバイスDがウエーハW上に形成されている。 As shown in FIG. 2, on the surface of the wafer W to be diced, the first street S1 and the second street S2 are formed orthogonally, and the first street S1 and the second street S2 A plurality of devices D are partitioned and formed on the wafer W.
ウエーハWの裏面にはエポキシ樹脂等から形成されたダイアタッチフィルム(DAF)29が貼着されており、ウエーハWのDAF29側が粘着テープであるダイシングテープTに貼着され、ダイシングテープTの外周部は環状フレームFに貼着される。
A die attach film (DAF) 29 formed of an epoxy resin or the like is attached to the back surface of the wafer W, and the
これにより、ウエーハWはダイシングテープTを介してフレームFに支持された状態となり、図1に示したウエーハカセット8中にウエーハが複数枚(例えば25枚)収容される。ウエーハカセット8は上下動可能なカセットエレベータ9上に載置される。
As a result, the wafer W is supported by the frame F via the dicing tape T, and a plurality of wafers (for example, 25 sheets) are accommodated in the
ウエーハカセット8の後方には、ウエーハカセット8から切削前のウエーハWを搬出するとともに、切削後のウエーハをウエーハカセット8に搬入する搬出入手段10が配設されている。ウエーハカセット8と搬出入手段10との間には、搬出入対象のウエーハが一時的に載置される領域である仮置き領域12が設けられており、仮置き領域12には、ウエーハWを一定の位置に位置合わせする位置合わせ手段14が配設されている。
Behind the
仮置き領域12の近傍には、ウエーハWと一体となったフレームFを吸着して搬送する旋回アームを有する搬送手段16が配設されており、仮置き領域12に搬出されたウエーハWは、搬送手段16により吸着されてチャックテーブル18上に搬送され、このチャックテーブル18に吸引されるとともに、複数の固定手段19によりフレームFが固定されることでチャックテーブル18上に保持される。
In the vicinity of the
チャックテーブル18は、回転可能且つX軸方向に往復動可能に構成されており、チャックテーブル18のX軸方向の移動経路の上方には、ウエーハWの切削すべきストリートを検出するアライメント手段20が配設されている。
The chuck table 18 is configured to be rotatable and reciprocally movable in the X-axis direction. Above the movement path of the chuck table 18 in the X-axis direction, an
アライメント手段20は、ウエーハWの表面を撮像する撮像手段22を備えており、撮像により取得した画像に基づき、パターンマッチング等の処理によって切削すべきストリートを検出することができる。撮像手段22によって取得された画像は、表示手段6に表示される。
The
アライメント手段20の左側には、チャックテーブル18に保持されたウエーハWに対して切削加工を施す切削手段24が配設されている。切削手段24はアライメント手段20と一体的に構成されており、両者が連動してY軸方向及びZ軸方向に移動する。
On the left side of the alignment means 20, a cutting means 24 for cutting the wafer W held on the chuck table 18 is disposed. The
切削手段24は、回転可能なスピンドル26の先端に切削ブレード28が装着されて構成され、Y軸方向及びZ軸方向に移動可能となっている。切削ブレード28は撮像手段22のX軸方向の延長線上に位置している。
The
図3を参照すると、切削手段24の分解斜視図が示されている。図4は切削手段24の斜視図である。25は切削手段24のスピンドルハウジングであり、スピンドルハウジング25中に図示しないサーボモータにより回転駆動されるスピンドル26が回転可能に収容されている。切削ブレード28は電鋳ブレードであり、ニッケル母材中にダイヤモンド砥粒が分散されてなる切刃28aをその外周部に有している。
Referring to FIG. 3, an exploded perspective view of the cutting means 24 is shown. FIG. 4 is a perspective view of the cutting means 24.
30は切削ブレード28をカバーするブレードカバーであり、切削ブレード28の側面に沿って延長する切削水ノズル32が取り付けられている。切削水が、パイプ34を介して切削水ノズル32に供給される。ブレードカバー30はねじ穴36,38を有している。
A
ブレードカバー30には更に、切削ブレード28で切削されたウエーハWの切削溝中に糸状の高速洗浄水を噴射する溝洗浄ノズル33が配設されている。洗浄水がパイプ35を介して溝洗浄ノズル33に供給される。
The
50は切削ブレード28の切刃28aの欠け又は磨耗を検出するブレードセンサを内蔵したブレード検出ブロックであり、ねじ54を丸穴52を挿通してブレードカバー30のねじ穴38に螺合することにより、ブレード検出ブロック50がブレードカバー30に取り付けられる。ブレード検出ブロック50は、ブレードセンサの位置を調整する調整ねじ55を有している。
40は着脱カバーであり、ブレードカバー30に取り付けられた際、切削ブレード28の側面に沿って伸長する切削水ノズル42を有している。切削水は、パイプ44を介して切削水ノズル42に供給される。
A
ねじ48を着脱カバー40の丸穴46に挿通してブレードカバー30のねじ穴36に螺合することにより、着脱カバー40がブレードカバー30に固定される。これにより、図4に示すように切削ブレード28の概略上半分がブレードカバー30及び着脱カバー40により覆われる。切削ブレード28を交換する際には、着脱カバー40をブレードカバー30から取り外し、この状態で切削ブレード28を交換する。
The
このように構成された切削装置2において、ウエーハカセット8に収容されたウエーハWは、搬出入手段10によってフレームFが挟持され、搬出入手段10が装置後方(Y軸方向)に移動し、仮置き領域12においてその挟持が解除されることにより、仮置き領域12に載置される。そして、位置合わせ手段14が互いに接近する方向に移動することにより、ウエーハWが一定の位置に位置づけられる。
In the
次いで、搬送手段16によってフレームFが吸着され、搬送手段16が旋回することによりフレームFと一体となったウエーハWがチャックテーブル18に搬送されてチャックテーブル18により保持される。そして、チャックテーブル18がX軸方向に移動してウエーハWはアライメント手段20の直下に位置づけられる。 Next, the frame F is adsorbed by the conveyance means 16, and the wafer W integrated with the frame F is conveyed to the chuck table 18 by the rotation of the conveyance means 16 and is held by the chuck table 18. Then, the chuck table 18 moves in the X-axis direction, and the wafer W is positioned directly below the alignment means 20.
アライメント手段20が切削すべきストリートを検出するアライメントの際のパターンマッチングに用いる画像は、切削前に予め取得しておく必要がある。そこで、ウエーハWがアライメント手段20の直下に位置づけられると、撮像手段22がウエーハWの表面を撮像し、撮像した画像を表示手段6に表示させる。
The image used for pattern matching at the time of alignment in which the
切削装置2のオペレータは、操作手段4を操作することにより、撮像手段22をゆっくりと移動させながら、必要に応じてチャックテーブル18も移動させて、パターンマッチングのターゲットとなるパターンを探索する。
The operator of the
オペレータがキーパターンを決定すると、そのキーパターンを含む画像が切削装置2のコントローラ20に備えたメモリに記憶される。また、そのキーパターンとストリートS1,S2の中心線との距離を座標値等によって求め、その値もメモリに記憶させておく。
When the operator determines a key pattern, an image including the key pattern is stored in a memory provided in the
更に、撮像手段22を移動させることにより、隣り合うストリートとストリートとの間隔(ストリートピッチ)を座標値等によって求め、ストリートピッチの値についてもコントローラのメモリに記憶させておく。 Further, by moving the image pickup means 22, an interval between the adjacent streets (street pitch) is obtained by a coordinate value or the like, and the street pitch value is also stored in the memory of the controller.
ウエーハWのストリートに沿った切断の際には、記憶させたキーパターンの画像と実際に撮像手段22により撮像されて取得した画像とのパターンマッチングをアライメント手段20にて行う。
At the time of cutting along the street of the wafer W, the
そして、パターンがマッチングしたときは、キーパターンとストリートの中心線との距離分だけ切削手段24をY軸方向に移動させることにより、切削しようとするストリートと切削ブレード28との位置合わせを行う。
When the patterns match, the cutting means 24 is moved in the Y-axis direction by the distance between the key pattern and the street center line, thereby aligning the street to be cut with the
切削しようとするストリートと切削ブレード28との位置合わせが行われた状態で、チャックテーブル18を図5で矢印Xで示すX軸方向に移動させるとともに、切削ブレード28を矢印28aの方向に高速回転させながら切削手段24を下降させると、位置合わせされたストリートが切削される。
While the street to be cut and the
メモリに記憶されたストリートピッチずつ切削手段24をY軸方向にインデックス送りにしながら切削を行うことにより、同方向のストリートS1が全て切削される。更に、チャックテーブル18を90°回転させてから、上記と同様の切削を行うと、ストリートS2も全て切削され、個々のデバイスDに分割される。 By performing cutting while feeding the cutting means 24 in the Y-axis direction by the street pitch stored in the memory, all the streets S1 in the same direction are cut. Furthermore, when the chuck table 18 is rotated by 90 ° and then the same cutting as described above is performed, the streets S2 are all cut and divided into individual devices D.
本実施形態の切削装置2では、切削手段24に溝洗浄ノズル33が配設されているため、図6に示すように切削ブレード28で切削した直後の切削溝56中に溝洗浄ノズル33からφ0.05mm〜φ1.0mmの糸状の高速洗浄水37を噴射して、DAF29の切削により生成されたひげ状の屑58を切削溝56から除去する。好ましくは、溝洗浄ノズル33から噴射される洗浄水37の流速は50〜100m/秒である。
In the
このように本実施形態の切削装置2では、切削ブレード28で切削直後の切削溝56中に溝洗浄ノズル33から高速洗浄水37を噴射して、DAF29から伸びるひげ状の屑58を切削溝56中から排出除去するので、ひげ状の屑58を効率良く除去することができ、後工程でダイシングテープTからデバイスDをピックアップしてもひげ状の屑が飛散することがなく、デバイスの品質を低下させることがない。
As described above, in the
2 切削装置
18 チャックテーブル
24 切削手段
26 スピンドル
28 切削ブレード
29 DAF
33 溝洗浄ノズル
56 切削溝
58 ひげ状の屑
2 Cutting
33
Claims (2)
該切削手段には、該切削ブレードで切削された直後の切削溝に糸状の洗浄水を噴射する溝洗浄ノズルが配設されていることを特徴とする切削装置。 A chuck table for holding a wafer, a cutting means including a cutting blade for cutting the wafer held by the chuck table, and a cutting feed means for cutting and feeding the chuck table and the cutting means in a cutting direction relatively. Cutting device,
A cutting apparatus characterized in that the cutting means is provided with a groove cleaning nozzle for injecting thread-like cleaning water into a cutting groove immediately after being cut by the cutting blade.
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