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JP2010113849A - 車両用灯具 - Google Patents

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JP2010113849A
JP2010113849A JP2008283488A JP2008283488A JP2010113849A JP 2010113849 A JP2010113849 A JP 2010113849A JP 2008283488 A JP2008283488 A JP 2008283488A JP 2008283488 A JP2008283488 A JP 2008283488A JP 2010113849 A JP2010113849 A JP 2010113849A
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semiconductor light
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JP2008283488A
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Masayasu Ito
昌康 伊藤
Hitoshi Takeda
仁志 武田
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Koito Manufacturing Co Ltd
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Koito Manufacturing Co Ltd
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Abstract

【課題】ノイズエミッションを抑制すること。
【解決手段】LEDチップ20と金属メッキ32がバンプ34を介して接続され、LEDチップ20と絶縁層30上の配線パターンがバンプ34を介して接続され、金属メッキ32と金属ベース24上の配線パターンがワイヤボンドで接続され、絶縁層30上の配線パターンと金属ベース24上の配線パターンがワイヤボンドで接続されている。LEDチップ20は、一方の電極が配線パターンを介して回路部品と電気的に接続され、他方の電極が金属メッキ32と突起26を介して金属ベース24に接続されている。LEDチップ20の他方の電極がGND電位となって、金属ベース24全体がGNDプレーンの役割を果たすので、ラジオノイズのエミッションを大幅に抑制できる。
【選択図】図3

Description

本発明は、半導体発光素子を光源に用いた車両用灯具に関する。
従来、車両用灯具として、LED(Light Emitting Diode)などの半導体発光素子を光源に用いたものが知られている。この種の車両用灯具には、LEDの点灯を制御するための点灯制御回路が実装されている。
点灯制御回路を車両用灯具に実装するに際して、点灯制御回路などの電気部品と凸レンズなどの光学部品を同一基板上に実装し、配線を少なくするとともに、実装部品の信頼性を高めるようにしたものが提案されている(特許文献1参照)。
特開2006−245336号公報(第4頁から第5頁、図1参照)
しかし、従来の車両用灯具では、ノイズエミッションを抑制したり、LEDの温度をより正確に検出したりすることに十分配慮されていない。
すなわち、LEDの特性の一つとして、「温度が上昇すると、同一のフォワード電流を流していても、発光光束が低下する」というものがある。また、LEDは、発光体であると同時に発熱体でもあり、チップの温度が最大許容ジャンクション温度を超えると急激に発光特性が劣化したり、破損したりすることがある。このため、点灯制御回路としては、できるだけ正確にLEDの温度を検出し、検出温度に基づきLEDへ流すフォワード電流を制御できることが必要である。
また、個々のLEDの近傍に専用のスイッチングレギュレータを含む点灯制御回路を取り付けた場合、ノイズの発生源が車両用灯具全体に点在することになる。このため、ノイズの発生対策若しくは発生したノイズの遮蔽対策をより強固に施すことが必要である。
本発明は、前記従来技術の課題に鑑みて為されたものであり、その目的は、ノイズエミッションを抑制することができる車両用灯具を提供することにある。
前記目的を達成するために、請求項1に係る車両用灯具においては、半導体光源と、前記半導体光源の一端と電流接続部を介して接続されて、前記半導体光源への電流供給を制御する電流制御回路と、接地電位である金属基板を備え、前記金属基板には、前記半導体光源と前記電流制御回路が搭載されていて、前記半導体光源の他端が接続されてなる構成とした。
(作用)半導体光源と電流制御回路を金属基板に搭載するに際して、半導体光源は、その一端が電流制御回路に接続され、他端が、接地電位の金属基板に接続される。この際、金属基板全体がGNDプレーンの役割を果たすので、ラジオノイズのエミッションを抑制することができる。
請求項2に係る車両用灯具においては、請求項1に記載の車両用灯具において、 前記金属基板は、前記半導体光源を搭載する半導体光源搭載部と、前記電流制御回路の少なくとも一部を搭載する回路搭載部とに分かれており、前記金属基板のうち前記半導体光源搭載部と前記回路搭載部との間には穴が形成されてなる構成とした。
(作用)金属基板のうち半導体光源搭載部と回路搭載部との間に穴が形成されると、半導体光源搭載部と回路搭載部とが熱的に遮断され、熱の移動が少なくなるので、半導体光源の発熱が電流制御回路を構成する回路部品へ影響を及ぼしたり、電流制御回路を構成する回路部品の発熱が半導体光源へ影響を及ぼしたりするのを抑制できる。
請求項3に係る車両用灯具においては、請求項2に記載の車両用灯具において、 前記半導体光源搭載部には、前記半導体光源の温度を検出する温度検出素子が搭載されてなる構成とした。
(作用)半導体光源搭載部に、温度検出素子を搭載することで、温度検出素子は、電流制御回路を構成する回路部品の発熱の影響が抑制された状態で、半導体光源の温度を検出することができる。このため、半導体光源の温度を高精度に検出することができる。
請求項4に係る車両用灯具においては、請求項3に記載の車両用灯具において、 前記温度検出素子の一端は、前記接地電位である金属基板に接続されてなる構成とした。
(作用)温度検出素子の一端を、接地電位である金属基板に接続するようにしたため、温度検出素子に対する熱伝導性が高まり、半導体光源の温度をより正確に検出することができる。
請求項5に係る車両用灯具においては、請求項1、2、3または4のうちいずれか1項に記載の車両用灯具において、前記電流制御回路は、電源からの電力が供給される入力部を有しており、前記入力部の低電圧部は、前記金属基板に接続されてなる構成とした。
(作用)電流制御回路のうち、電源からの電力が供給される入力部の低電圧部を、金属基板に接続するようにしたため、入力部の低電圧部が金属基板とともにGNDプレーンの役割を果たすことになり、ラジオノイズのエミッションを一層大幅に抑制することができる。
以上の説明から明らかなように、請求項1によれば、ラジオノイズのエミッションを抑制することができる。
請求項2によれば、半導体光源の発熱が電流制御回路を構成する回路部品へ影響を及ぼしたり、電流制御回路を構成する回路部品の発熱が半導体光源へ影響を及ぼしたりするのを抑制できる。
請求項3によれば、半導体光源の温度を高精度に検出することができる。
請求項4によれば、半導体光源の温度をより正確に検出することができる。
請求項5によれば、ラジオノイズのエミッションを一層大幅に抑制することができる。
以下、本発明の一実施形態を図面に基づいて説明する。図1は、車両用灯具の全体構成を示す分解斜視図、図2は、本発明の第1実施例を示す車両用灯具の要部斜視図、図3は、LEDチップの搭載構造を説明するための要部断面図、図4は、負極性出力を採用した電流制御回路のブロック構成図、図5は、正極性出力を採用した電流制御回路のブロック構成図、図6は、本発明の第2実施例を示す車両用灯具の要部斜視図、図7は、LEDチップの他の搭載構造を説明するための要部断面図、図8は、LEDチップの他の搭載構造を説明するための要部断面図、図9は、本発明の第3実施例を示す車両用灯具の要部斜視図、図10は、温度検出素子の搭載構造を説明するための要部断面図、図11は、温度検出素子を有する電流制御回路のブロック構成図、図12は、本発明の第4実施例を示す車両用灯具の要部斜視図、図13は、温度検出素子の他の搭載構造を説明するための要部断面図、図14は、本発明の第5実施例を示す車両用灯具の要部斜視図、図15は、逆接保護用MOSFETを有する電流制御回路の要部ブロック構成図である。
図1において、車両用灯具10は、レンズ12と、反射鏡14と、光源モジュール16と、台座18を備えている。台座18は、金属やセラミックなど、樹脂よりも高い熱伝導率を有する材料で形成されており、この台座18には、光源モジュール16が載置されているとともに、レンズ12と反射鏡14が固定されている。台座18は、後方にヒートシンクと一体形成されていても良い。
光源モジュール16は、図2に示すように、LEDチップ20と、電流制御回路22と、金属ベース24を備えている。金属ベース24は、平板状の金属基板として形成されており、金属ベース24上には、配線パターン(図示せず)が形成されているとともに、突起26が金属ベース24と一体に形成されている。また、金属ベース24上には、電流制御回路22を構成する各種回路部品や入力コネクタ28が実装されている。
突起26上には、図3に示すように、半導体光源としてのLEDチップ20が搭載されている。突起26上は、LEDチップ20の各電極に対応して、配線パターン30が形成された領域と金属メッキ32が形成された領域に分けられており、配線パターン30と金属ベース24との間には絶縁層(図示せず)が形成されている。
そして、LEDチップ20と金属メッキ32との間およびLEDチップ20と配線パターン30との間に複数のバンプ34が装着されている。配線パターン30と金属ベース24上の配線パターン(図示せず)はワイヤ31で接続され、金属メッキ32と金属ベース24上の配線パターン(図示せず)はワイヤ33で接続されている。
すなわち、LEDチップ20は、一方の電極が配線パターンを介して回路部品と電気的に接続され、他方の電極が金属メッキ32と突起26を介して金属ベース24に接続されている。この際、LEDチップ20は、他方の電極が、全て金属接合で金属ベース24に接続されているので、熱伝導率が高く、放熱性を高めることができる。
ここで、LEDチップ20の他方の電極を、例えば、車載バッテリのGND側と同電位とするに際して、電流制御回路22としては、図4または図5に示す回路構成を採用することができる。
図4に示す電流制御回路22は、負極性出力の回路例であり、レギュレータ部36と、制御部38と、電流検出部40と、入力端子44、46を備え、電流検出部40が、シャント抵抗R1と、抵抗R2、R3と、非反転増幅器42から構成されている。
スッチング素子を含むレギュレータ部36は、入力側の一方が入力端子44に接続され、他方が入力端子46に接続されている。入力端子44、46は、入力コネクタ28に接続されている。入力コネクタ28は、電源からの電力が供給される入力部として、入力端子44、46と一体化されて構成され、車載バッテリ(直流電源)のプラス端子またはマイナス端子に接続されている。
また、レギュレータ部36は、出力側の一方が、シャント抵抗R1を介してLED48のアノードに接続され、出力側の他方が、電流接続部としてのワイヤ31及び配線パターン30(図3参照)を介して、LED48のカソードに接続されている。LED48は、LEDチップ20を備え、LEDチップ20のアノードが接地されて、GND電位となっている。
このように、負極性出力の電流制御回路22の場合、LEDチップ20の電極のうちアノードがGND電位となって、金属ベース24全体がGNDプレーンの役割を果たすので、レギュレータ部36でスイッチング動作が実行されても、ラジオノイズのエミッションを大幅に抑制することができる。
図5に示す電流制御回路22は、正極性出力の回路例であり、入力端子44、46と、レギュレータ部50と、制御部52と、電流検出部54を備え、電流検出部54が、シャント抵抗R1と、抵抗R2、R3と、反転増幅器56から構成されている。
スッチング素子を含むレギュレータ部50は、入力側の一方が入力端子44に接続され、他方が入力端子46に接続されている。入力端子44、46は、入力コネクタ28を介して車載バッテリのプラス端子またはマイナス端子に接続されている。
また、レギュレータ部50は、出力側の一方が、電流接続部としての配線パターン30およびワイヤ31(図3参照)を介してLED58のアノードに接続され、出力側の他方が、シャント抵抗R1を介してLED58のカソードに接続されている。LED58は、LEDチップ20を備え、LEDチップ20のカソードが接地されて、GND電位となっている。
このように、正極性出力の電流制御回路22の場合、LEDチップ20の電極のうちカソードがGND電位となって、金属ベース24全体がGNDプレーンの役割を果たすので、レギュレータ部50でスイッチング動作が実行されても、ラジオノイズのエミッションを大幅に抑制することができる。
本実施例によれば、LEDチップ20の電極のうち一方をGND電位の金属ベース24に接続するようにしたため、ラジオノイズのエミッションを大幅に抑制することができる。
また、LEDチップ20は、金属ベース24の突起26上に搭載され、周辺に存在する回路部品よりも高い位置に配置されているので、金属ベース24にレンズ12や反射鏡14などの光学部品を取り付けた際に、LED48、58が発する光を阻害するのを防止できる。
また、光源モジュール16を一単位のユニットとして取り扱うことが可能であり、入力コネクタ28へバッテリ電圧を供給することで、LED48、58を点灯することができる。
また、LED48、58の発熱により更に放熱が必要な場合は、金属ベース24の下面を放熱板に取り付け、金属ベース24の熱抵抗を低下させることもできる。
なお、本実施例では、複数のバンプ34のうち金属メッキ32に接続される5個のバンプ34をLEDチップ20の他方の電極(GND電位)に接続し、絶縁層30上の配線パターンに接続される3個のバンプ34をLEDチップ20の一方の電極に接続する例を示したが、これに限ったものでなく、LEDチップ20の各電極に接続されるバンプ34の数を配線パターンで選択することができる。
次に、本発明の第2実施例を図6に基づいて説明する。本実施例は、金属ベース24上に、配線パターンを有する配線基板60を搭載し、配線基板60上に電流制御回路22を構成する各種回路部品や入力コネクタ28を実装し、配線基板60の切欠き61で囲まれた、金属ベース24の突起26上に、補助基板62を介してLEDチップ20を搭載したものであり、他の構成は第1実施例と同様である。
補助基板62は、絶縁層を形成するサブマウントとして、窒化アルミなどの高熱伝導性の絶縁材料を用いて構成されている。
補助基板62上にLEDチップ20を搭載するに際しては、例えば、図7に示すように、突起26上に金属メッキ64を形成し、補助基板62の下面側を金属メッキ64にロウ付けし、補助基板62の上面に配線パターン66を形成し、配線パターン66上に複数のバンプ34を介してLEDチップ20を搭載し、配線パターン66と金属ベース24上の配線パターン(図示せず)とをワイヤ31またはワイヤ33で接続する構成を採用することができる。
この際、LEDチップ20は、一方の電極が、補助基板62上の配線パターン66とワイヤ31を介して配線基板60上の配線パターン(図示せず)に接続され、他方の電極が、補助基板62上の配線パターン66とワイヤ33を介して金属ベース24に電気的に接続される。このため、LEDチップ20の他方の電極がGND電位となって、金属ベース24全体がGNDプレーンの役割を果たすので、ラジオノイズのエミッションを大幅に抑制することができる。
また、LEDチップ20は、他方の電極が、全て金属接合で金属ベース24に接続されているので、熱伝導率が高く、放熱性を高めることができる。
また、補助基板62上にLEDチップ20を搭載するに際しては、例えば、図8に示すように、突起26上に金属メッキ64を形成し、補助基板62の下面側を金属メッキ64にロウ付けし、補助基板62の上面に配線パターン66を形成し、補助基板62に、補助基板62を貫通するスルーホール70を形成し、配線パターン66上に複数のバンプ34を介してLEDチップ20を搭載し、配線パターン66と金属ベース24上の配線パターンとを各スルーホール70を介して接続する構成を採用することができる。
この際、LEDチップ20は、一方の電極が補助基板62上の配線パターン66に接続され、他方の電極がスルーホール70を介して金属ベース24に電気的に接続される。このため、LEDチップ20の他方の電極がGND電位となって、金属ベース24全体がGNDプレーンの役割を果たすので、ラジオノイズのエミッションを大幅に抑制することができる。
また、LEDチップ20は、他方の電極が、全て金属接合で金属ベース24に接続されているので、熱伝導率が高く、放熱性を高めることができる。
本実施例によれば、LEDチップ20の電極のうち一方をGND電位の金属ベース24に接続するようにしたため、ラジオノイズのエミッションを大幅に抑制することができる。
次に、本発明の第3実施例を図9に従って説明する。本実施例は、LEDチップ20の温度を検出する温度検出素子72を突起26近傍の金属ベース24上に搭載し、金属ベース24のうちLEDチップ20を搭載する半導体光源搭載部24aと電流制御回路22を構成する回路部品を搭載する回路搭載部24bとの間に、半導体光源搭載部24aと回路搭載部24bとを熱的に遮断するための処置部としての穴74を形成したものであり、他の構成は第1実施例と同様である。
なお、電流制御回路22を構成する回路部品やLEDチップの図示は省略してある。また、穴74は、貫通していても、溝でも良い。
金属ベース24の半導体光源搭載部24aと回路搭載部24bとの間に穴74を形成すると、半導体光源搭載部24aと回路搭載部24bとの間の熱抵抗が高くなる。このため、LEDチップ20の発熱が電流制御回路22を構成する回路部品へ影響を及ぼしたり、電流制御回路22を構成する回路部品の発熱がLEDチップ20へ影響を及ぼしたりするのを抑制できる。
すなわち、半導体光源搭載部24aと回路搭載部24bとの間に穴74が無い場合は、金属ベース24上の温度分布はほぼ均一になる。これに対して、半導体光源搭載部24aと回路搭載部24bとの間に穴74が有る場合は、半導体光源搭載部24aと回路搭載部24bとの間で熱の移動が少なくなり、両者の間に温度差が生じる。このため、半導体光源搭載部24aは、LEDチップ20の発熱に伴う温度となり、回路搭載部24bは、電流制御回路22を構成する回路部品の発熱に伴う温度となる。
また、温度検出素子72を穴74よりも突起26側に配置することで、より正確にLEDチップ20の温度を検出することが可能になる。
温度検出素子72を金属ベース24上に搭載するに際しては、図10に示すように、金属ベース24のうち温度検出素子72の一方の電極(端子)に対応した領域に金属下地(または金属メッキ)76を形成し、温度検出素子72の他方の電極(端子)に対応した領域に絶縁層78を形成し、絶縁層78上に配線パターン(図示せず)を形成し、金属ベース24上に温度検出素子72をクリーム半田で面実装して搭載する構成を採用することができる。
この際、温度検出素子72は、一方の電極がGND端子として、金属下地(または金属メッキ)76を介して金属ベース24と金属接合され、他方の電極が温度検出端子として絶縁層78上の配線パターンに電気的に接続される。
これにより、温度検出素子72の一方の電極電位がGND電位となり、金属ベース24と温度検出素子72の一方の電極とが金属接合されるので、温度検出素子72は、熱伝導性が高くなり、LEDチップ20の温度をより正確に検出することができる。
温度検出素子72としては、例えば、温度に対して抵抗値が正の特性となるPTC(Positive Temperature Coefficient)の温度検出素子である、サーミスタやリニア抵抗等を用いることができる。
温度検出素子72として、温度に対して抵抗値が正の特性となるPTCのサーミスタを用いた電流制御回路22の例を図11に示す。
図11において、電流制御回路22は、負極性出力の回路例であり、レギュレータ部36と、制御部38と、電流検出部40、入力端子44、46を備え、電流検出部40が、シャント抵抗R1と、抵抗R2、R3と、非反転増幅器42から構成され、制御部30が、抵抗R4〜R9と、温度に対して抵抗値が正の特性となるPTCのサーミスタTH1と、ダイオードD1と、吹出し専用バッファ80と、非反転差動増幅回路82と、誤差増幅器84から構成されている。
非反転差動増幅回路82は、基準電圧Vrefを抵抗R7と抵抗R8で分圧して得られた電圧と、基準電圧Vrefを抵抗R9とサーミスタTH1で分圧して得られた電圧との差を増幅し、環境温度に応じて出力電圧が変化する。例えば、LED48の温度が設定温度以下のときには、非反転差動増幅回路82の出力はほぼ0Vである。これに対して、LED48の温度が上昇して設定温度を超えると、サーミスタTH1の抵抗値の増大に伴って、非反転差動増幅回路82の出力電圧>0となり、この出力電圧が吹出し専用バッファ80を介して電流検出部40の検出電流に作用する。
具体的には、LED48の温度が設定温度を超えると、非反転増幅回路82の出力電圧が、電流検出部40の検出電流を実際の値よりも大きくするように作用する。電流検出部40の検出電流が実際の値よりも大きくなった信号として誤差増幅回路84に入力されると、誤差増幅回路84は、電流検出部40の検出電流を一定に保つように制御する。この結果、フィードバック制御されるフォワード電流は、高温になるほど小さくなる。従って、サーミスタTH1で検出された温度を基にLED48の電流(フォワード電流)をより正確に調整することができる。
本実施例によれば、半導体光源搭載部24aと回路搭載部24bとを熱的に遮断するための処置部としての穴74を形成したため、LEDチップ20の発熱が電流制御回路22を構成する回路部品へ影響を及ぼしたり、電流制御回路22を構成する回路部品の発熱がLEDチップ20へ影響を及ぼしたりするのを抑制できる。
また、本実施例によれば、半導体光源搭載部24aに、温度検出素子72を搭載するようにしたため、温度検出素子72は、電流制御回路22を構成する回路部品の発熱の影響が抑制された状態で、LEDチップ20の温度を検出することができ、結果として、LEDチップ20の温度を高精度に検出することができる。
さらに、本実施例によれば、LEDチップ20と温度検出素子72の電極のうち一方をそれぞれGND電位の金属ベース24に接続するようにしたため、温度検出素子72に対する熱伝導性が高まり、ラジオノイズのエミッションを大幅に抑制することができるとともに、LEDチップ20の温度をより正確に検出することができる。
次に、本発明の第4実施例を図12に基づいて説明する。本実施例は、金属ベース24上に、配線パターンを有する配線基板60を搭載し、配線基板60上に電流制御回路22を構成する各種回路部品や入力コネクタ28を実装し、配線基板60の切欠き61で囲まれた、金属ベース24の突起26上に、補助基板62を介してLEDチップ20を搭載し、半導体光源搭載部24aと回路搭載部24bとの間に、半導体光源搭載部24aと回路搭載部24bとを熱的に遮断するための処置部としての穴74を形成したものであり、他の構成は第2実施例と同様である。なお、電流制御回路22を構成する回路部品やLEDチップの図示は省略してある。
金属ベース24の半導体光源搭載部24aと回路搭載部24bとの間に穴74を形成すると、半導体光源搭載部24aと回路搭載部24bとの間の熱抵抗が高くなる。このため、LEDチップ20の発熱が電流制御回路22を構成する回路部品へ影響を及ぼしたり、電流制御回路22を構成する回路部品の発熱がLEDチップ20へ影響を及ぼしたりするのを抑制できる。
すなわち、半導体光源搭載部24aと回路搭載部24bとの間に穴74が無い場合は、金属ベース24上の温度分布はほぼ均一になる。これに対して、半導体光源搭載部24aと回路搭載部24bとの間に穴74が有る場合は、半導体光源搭載部24aと回路搭載部24bとの間で熱の移動が少なくなり、両者の間に温度差が生じる。半導体光源搭載部24aは、LEDチップ20の発熱に伴う温度となり、回路搭載部24bは、電流制御回路22を構成する回路部品の発熱に伴う温度となる。
また、温度検出素子72を穴74よりも突起26側に配置することで、より正確にLEDチップ20の温度を検出することが可能になる。
温度検出素子72を配線基板60上に搭載するに際しては、図13に示すように、配線基板60のうち温度検出素子72の一方の電極(端子)に対応した領域に配線パターン88を形成し、温度検出素子72の他方の電極(端子)に対応した領域に配線パターン90を形成し、配線パターン88上に複数のスルーホール92を形成し、配線基板60上に温度検出素子72を搭載する構成を採用することができる。
この際、温度検出素子72は、一方の電極がGND端子として、配線パターン88に半田で接続され、スルーホール92を介して金属ベース24と金属接合され、他方の電極が温度検出端子として、配線パターン90に半田で接続される。
これにより、温度検出素子72の一方の電極電位がGND電位となり、金属ベース24と温度検出素子72の一方の電極がスルーホール92を間にして金属接合されるので、温度検出素子72は、熱伝導性が高くなり、LEDチップ20の温度をより正確に検出することができる。
配線基板60としては、樹脂基板、セラミック基板あるいは金属基板を用いることができる。また、配線基板60は、接着剤を用いて金属ベース24上に固定することができる。この際、接着剤は、通常、スルーホールと絶縁を確保するために、ある厚みを必要とする。しかし、本実施例では、金属ベース24もスルーホール92もGND電位であるので、接着剤は、接着可能な薄い塗布で構わない。
このため、配線基板60と金属ベース24との間の熱抵抗を低く抑えることができ、より正確に、金属ベース24→スルーホール92→温度検出素子72へ熱が伝わる。
なお、配線基板60と金属ベース24間に熱伝導率の高いグリスなどを装着して両者を固定しても良い。
また、配線基板60のうち金属ベース24と接する面を、ベタのGND配線パターンとすることで、両者の間の熱抵抗をより低くすることができる。
さらに、配線基板60と金属ベース24間に絶縁材料を装着する代わりに、配線基板60と金属ベース24間に導電性材料を装着し、両者を直接電気的に接合することもできる。
本実施例によれば、LEDチップ20と温度検出素子72の電極のうち一方をそれぞれGND電位の金属ベース24に接続するようにしたため、ラジオノイズのエミッションを大幅に抑制することができるとともに、LEDチップ20の温度をより正確に検出することができる。
次に、本発明の第5実施例を図14に基づいて説明する。本実施例は、配線基板60のうち入力コネクタ28近傍に配線パターン94を形成するとともに、配線パターン94に隣接して、配線基板60の端部に切欠き96を形成し、入力コネクタ28のGND用入力端子(低電圧部)28aと配線パターン94とを接続し、配線パターン94と金属ベース24のうち切欠き96で露出した露出面24cとをワイヤ98で接続したものであり、他の構成は、第2実施例と同様である。
この際、金属ベース24の露出面24cは、電流制御回路22の出力側のGND電位になっている。このため、電流制御回路22の入力側(入力コネクタ28の入力端子28a側)と出力側(LEDチップ20側)のGNDが互いに金属ベース24を介して近接して接合されるので、ラジオノイズのエミッションを一層大幅に抑制することができる。
また、金属ベース24自体をフォワード電流の給電路とすることができるので、配線基板60上のGND配線が不要となり、回路部品の高密度実装化とともに、小型化が可能になる。
また、入力コネクタ28のGND用入力端子(低電圧部)28aを金属ベース24の露出面24cにワイヤ98で接続するに際しては、入力コネクタ28のGND用入力端子(低電圧部)28aとほぼ同等の電圧ノードを金属ベース24の露出面24cに接続することもできる。
例えば、図15に示すように、電流制御回路22のレギュレータ部36と入力端子44、46との間に、逆接保護用MOSFET100と、抵抗R10、R11が配置されている場合、入力コネクタ28のGND用入力端子(低電圧部)28aをワイヤ98を介して、逆接保護用MOSFET100のソースに接続することで、入力コネクタ28のGND用入力端子(低電圧部)28aとほぼ同等の電圧ノードを金属ベース24の露出面24cに接続することができる。
なお、逆接保護用MOSFET100は、逆接時にはオフとなり、バッテリからの電圧がレギュレータ部36に印加されるのを防止する。一方、通常時には、逆接保護用MOSFET100はオンとなり、ドレイン−ソースがほぼ同電位となる。すなわち、通常時には、逆接保護用MOSFET100ソースは、入力端子(低電圧部)28aとほぼ同等の電圧ノードとして、ほぼGND電位となる。
本実施例によれば、入力コネクタ28のGND用入力端子(低電圧部)28aが金属ベース24とともに、GNDプレーンとして機能するので、ラジオノイズのエミッションを一層大幅に抑制することができるとともに、小型化が可能になる。
車両用灯具の全体構成を示す分解斜視図である。 本発明の第1実施例を示す車両用灯具の要部斜視図である。 LEDチップの搭載構造を説明するための要部断面図である。 負極性出力を採用した電流制御回路のブロック構成図である。 正極性出力を採用した電流制御回路のブロック構成図である。 本発明の第2実施例を示す車両用灯具の要部斜視図である。 LEDチップの他の搭載構造を説明するための要部断面図である。 LEDチップの他の搭載構造を説明するための要部断面図である。 本発明の第3実施例を示す車両用灯具の要部斜視図である。 温度検出素子の搭載構造を説明するための要部断面図である。 温度検出素子を有する電流制御回路のブロック構成図である。 本発明の第4実施例を示す車両用灯具の要部斜視図である。 温度検出素子の他の搭載構造を説明するための要部断面図である。 本発明の第5実施例を示す車両用灯具の要部斜視図である。 逆接保護用MOSFETを有する電流制御回路の要部ブロック構成図である。
符号の説明
10 車両用灯具
12 レンズ
14 反射鏡
16 光源モジュール
20 LEDチップ
22 電流制御回路
24 金属ベース
26 突起
28 入力コネクタ
48、58 LED
60 配線基板
72 温度検出素子

Claims (5)

  1. 半導体光源と、
    前記半導体光源の一端と電流接続部を介して接続されて、前記半導体光源への電流供給を制御する電流制御回路と、
    接地電位である金属基板を備え、
    前記金属基板には、前記半導体光源と前記電流制御回路が搭載されていて、前記半導体光源の他端が接続されてなる、車両用灯具。
  2. 請求項1に記載の車両用灯具において、
    前記金属基板は、前記半導体光源を搭載する半導体光源搭載部と、前記電流制御回路の少なくとも一部を搭載する回路搭載部とに分かれており、前記金属基板のうち前記半導体光源搭載部と前記回路搭載部との間には穴が形成されてなることを特徴とする車両用灯具。
  3. 請求項2に記載の車両用灯具において、
    前記半導体光源搭載部には、前記半導体光源の温度を検出する温度検出素子が搭載されてなることを特徴とする車両用灯具。
  4. 請求項3に記載の車両用灯具において、
    前記温度検出素子の一端は、前記接地電位である金属基板に接続されてなることを特徴とする車両用灯具。
  5. 請求項1、2、3または4のうちいずれか1項に記載の車両用灯具において、
    前記電流制御回路は、電源からの電力が供給される入力部を有しており、前記入力部の低電圧部は、前記金属基板に接続されてなることを特徴とする車両用灯具。
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