JP2010074107A - 荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法 - Google Patents

Abstract

【課題】ステージ位置を精度よく測定して、高精度な描画を実現可能な荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法を提供する。
【解決手段】第１のレーザ干渉計４１と第２のレーザ干渉計４２は、それぞれ、光源と、ステージ１０５に取り付けられるミラー１０４と、光源から出射された後にミラー１０４で反射されて戻った光を受光する光学系とを備える。第１のレーザ干渉計４１および第２のレーザ干渉計４２の測定方向は、Ｘ方向およびＹ方向のいずれとも平行でなく、Ｘ方向およびＹ方向に対して４５度の角度をなすことが好ましい。
【選択図】図６

Description

本発明は、荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法に関する。

マスク基板や半導体ウェハなどの試料上に微細パターンを描画する目的で、電子ビーム描画装置が用いられている。電子ビーム描画装置では、電子ビームを偏向制御できる範囲が限られているために、試料を移動しながらの描画によって、試料の全面にパターンを形成する。この際、ステージを移動させるとパターンを描画する位置も移動するので、移動中のステージの位置を測定して、電子ビームによる描画位置をステージの移動分だけ元に戻すことが必要になる。

ステージ位置の測定には、レーザ干渉計が用いられる。レーザ干渉計では、光の干渉を利用して、光の波長を基準に長さを計測している。例えば、ヘテロダイン方式のレーザ干渉計の場合、レーザ光源から出射された波長λ_１とλ_２の光を干渉させて得られたビート信号の位相を検出し、これによって長さを自動測定している。

しかしながら、測定を高精度に行おうとすると、レーザ干渉計における光学的非線形誤差が問題になる。この点について、以下で詳しく説明する。

レーザ干渉計の光源から出射された光は、λ/４板によって互いに直交する直線偏光となった後、偏光ビームスプリッタで２つに分割される。しかし、実際には、直線偏光のみとはならず、非直交成分や部分的に偏光した成分、さらには、偏光子のアライメント誤差などの影響による成分などが混ざり合う。非線形誤差は、こうした直線偏光以外の成分に起因して生じる。

非線形誤差の問題は、電子ビームの描画位置に対する要求が厳しくなるにしたがって大きくなると予想される。しかし、レーザ干渉計の調整によって非線形誤差を小さくするのには限界がある。そこで、測定をしながらリアルタイムでフィードバック補正をすることが必要になる。例えば、非特許文献１には、描画中にレーザ干渉計の位相情報を読み取り、これを装置にフィードバックして、非線形誤差を補正する方法が開示されている。

Ｓ. Ｊ. Ａ. Ｇ. Ｃｏｓｉｊｎｓら、ヘテロダイン干渉計における非線形モデルと検証（Ｍｏｄｅｌｉｎｇ ａｎｄ ｖｅｒｉｆｙｉｎｇ ｎｏｎ−ｌｉｎｅａｒｉｔｉｅｓ ｉｎ ｈｅｔｅｒｏｄｙｎｅ ｄｉｓｐｌａｃｅｍｅｎｔ ｉｎｔｅｒｆｅｒｏｍｅｔｒｙ）、Ｐｒｅｐｒｉｎｔ ｓｕｂｍｉｔｔｅｄ ｔｏ Ｅｌｓｅｖｉｅｒ Ｓｃｉｅｎｃｅ、２００１年５月２９日、ｐ．１−１９

しかしながら、従来の電子ビーム描画装置では、補正のための情報が十分に得られないという問題があった。

図９は、従来の電子ビーム描画装置において、ステージの移動方向とレーザ干渉計の測定方向との関係を示す図である。この図において、ステージ４０１は、Ｘ方向とＹ方向に連続移動する。ステージ４０１には試料（図示せず）が載置され、この試料に電子ビームの焦点が合わせられる。ここで、試料上の描画領域は、複数のストライプ領域に仮想的に分割されており、ステージ４０１がＸ方向に連続移動することで、ストライプ領域の１つについて描画が行われる。そして、このストライプ領域の描画が終わるとステージ４０１がＹ方向に移動し、次いで、逆向きのＸ方向にステージ４０１が連続移動することで、次のストライプ領域の描画が行われる。

図９において、レーザ干渉計４０２、４０３は、それぞれミラー４０４に入射する光の入射方向が、Ｘ方向およびＹ方向に平行となるように配置されている。このため、ステージ４０１がＸ方向に移動してストライプ領域を描画している間、Ｙ方向の位置座標は一定であり、Ｙ方向については、補正に必要な情報を取得することができない。したがって、従来の電子ビーム描画装置では、補正は、レーザ干渉計の一方の軸（ｘ軸またはｙ軸）に作用するだけであり、両方の軸には作用しなかった。

本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものである。すなわち、本発明の目的は、Ｘ方向とＹ方向の両軸について補正に必要な情報を取得することにより、ステージ位置を精度よく測定して、高精度な描画を実現可能な荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法を提供することにある。

本願第１の発明にかかる荷電粒子ビーム描画装置は、試料を載置した状態でＸ方向およびＹ方向に移動するステージと、
レーザ干渉計を用いてステージの位置を測定する測定部と、
測定部で得られた測定値に基づいて、試料の所望の位置に荷電粒子ビームでパターンを描画する描画部とを備えており、
レーザ干渉計による測定方向が、荷電粒子ビームの描画方向と平行でないことを特徴とする。
描画方向は、荷電粒子ビームによる描画中にステージが移動する方向に一致する。

レーザ干渉計は、光源と、ステージに取り付けられるミラーと、光源から出射された後にミラーで反射されて戻った光を受光する光学系とを備えることができる。この場合、ミラーに入射する光の入射方向は、荷電粒子ビームの描画方向と平行でないとすることができる。

本願第１の発明においては、測定方向が、Ｘ方向およびＹ方向のいずれとも平行でないとすることができる。また、描画方向が、Ｘ方向およびＹ方向のいずれとも平行でないとすることもできる。

本願第１の発明においては、測定方向が、描画方向に対して４５度の角度をなすことが好ましい。例えば、測定方向が、Ｘ方向およびＹ方向に対して４５度の角度をなすことが好ましく、あるいは、描画方向が、Ｘ方向およびＹ方向に対して４５度の角度をなすことが好ましい。

本願第２の発明は、試料が載置されたステージをＸ方向とＹ方向に移動させながら試料に所定のパターンを描画する荷電粒子ビーム描画方法において、
レーザ干渉計を用いてステージのＸ方向とＹ方向の位置を測定する測定工程と、
測定工程で得られた測定値を位置データに変換する変換工程と、
少なくとも１周期分の非線形誤差に対応する位置データを取得する取得工程と、
取得工程で取得した位置データに対応させて、測定値に含まれる非線形誤差成分に関する補正係数を算出する算出工程と、
補正係数を用いて位置データを補正する補正工程と、
補正工程で得られた補正位置データを用いて、試料の所望の位置に荷電粒子ビームでパターンを描画する描画工程とを有し、
レーザ干渉計による測定方向が、荷電粒子ビームの描画方向と平行でないことを特徴とする。
測定工程は、ステージに取り付けたミラーにレーザ光を入射させて、ステージのＸ方向とＹ方向の位置を測定する工程とすることができる。この場合、ミラーに入射するレーザ光の入射方向は、荷電粒子ビームの描画方向と平行でないとすることができる。
描画方向は、荷電粒子ビームによる描画中にステージが移動する方向に一致する。
本願第２の発明においては、測定方向が、Ｘ方向およびＹ方向のいずれとも平行でないとすることができる。また、描画方向が、Ｘ方向およびＹ方向のいずれとも平行でないとすることもできる。
測定方向は、描画方向に対して４５度の角度をなすことが好ましい。例えば、測定方向が、Ｘ方向およびＹ方向に対して４５度の角度をなすことが好ましく、あるいは、描画方向が、Ｘ方向およびＹ方向に対して４５度の角度をなすことが好ましい。

本発明の荷電粒子ビーム描画装置によれば、Ｘ方向とＹ方向の両軸について補正に必要な情報を取得して、ステージ位置を精度よく測定することができる。したがって、荷電粒子ビームを用いた高精度な描画を実現できる。

本発明の荷電粒子ビーム描画方法によれば、Ｘ方向とＹ方向の両軸について非線形誤差の補正に必要な情報を取得してステージ位置を求めるので、荷電粒子ビームによる高精度な描画が可能となる。

実施の形態１．
図１は、本実施の形態における電子ビーム描画装置の構成を示す概念図である。

図１において、電子ビーム描画装置１００は、描画部の一例となる電子鏡筒１０２、描画演算部１１３、描画室１０３、ステージ１０５、駆動部１０６と、測定部の一例となるレーザ干渉計３００、位置演算部１０９、位置データ格納部１１０、補正位置データ作成部１１１とを備えている。電子鏡筒１０２内には、電子銃２０１、照明レンズ２０２、第１のアパーチャ２０３、投影レンズ２０４、偏向器２０５、第２のアパーチャ２０６、対物レンズ２０７および偏向器２０８が配置されている。また、レーザ干渉計３００は、レーザ光源となるレーザヘッド１０７、ミラー１０４、光学系１１２および受光部１０８を有している。

電子銃２０１から出た電子線２００は、照明レンズ２０２を介して、矩形の孔を持つ第１のアパーチャ２０３全体を照明する。これによって、電子線２００は、まず矩形状に成形される。次いで、第１のアパーチャ２０３を通過した電子線２００は、投影レンズ２０４によって第２のアパーチャ２０６上に投影される。第２のアパーチャ２０６上での電子線２００の位置は、偏向器２０５によって制御される。そして、そのビーム形状と寸法を変化させることができる。第２のアパーチャ２０６を通過した電子線２００は、対物レンズ２０７で焦点を合わせられた後、偏向器２０８により偏向されて、描画室１０３内に移動可能に配置されたステージ１０５上の試料１０１の所望する位置に照射される。

図２は、ステージ移動の様子を説明する図である。

図１で試料１０１への描画は、駆動部１０６でステージ１０５をＸ方向に連続移動させながら行われる。この際、試料１０１の描画（露光）面は、図２に示すように、電子線２００が偏向可能な領域、すなわち、複数の短冊状のストライプ領域に仮想的に分割されており、電子線２００は、このストライプ領域の１つに照射される。電子線２００のショット位置は、ステージ１０５の移動に追従しており、１つのストライプ領域の描画を終えると、ステージ１０５を駆動部１０６によりＹ方向にステップ送りする。そして、逆向きのＸ方向に連続移動しながら、次のストライプ領域の描画を行なう。

図１でステージ１０５の位置は、レーザ干渉計３００を用いて測定される。レーザ干渉計３００は、光源であるレーザヘッド１０７と、ステージ１０５の側面に取り付けられるミラー１０４と、光学系１１２と、光学系１１２からの光を受光して位置演算部１０９に送る受光部１０８とを有する。

図３は、ステージ近傍の構成を示す図である。但し、本発明におけるステージとレーザ干渉計との相対的位置を示すものではない。

図３に示すように、レーザ干渉計３００には、ステージ１０５のＹ方向の位置を測定する第１のレーザ干渉計３００ａと、ステージ１０５のＸ方向の位置を測定する第２のレーザ干渉計３００ｂとがある。

第１のレーザ干渉計３００ａにおいて、レーザヘッド１０７ａから出射したレーザ光は、ミラー２で曲げられてビームスプリッタ３に入射する。そして、レーザ光は、ビームスプリッタ３で参照光と測定光に分けられた後、それぞれインターフェロメータ４、６に入射する。インターフェロメータ４、６は、内部に半透鏡を有していて、この半透鏡によって入射した光を異なる２つの光路に分ける。ここでは、参照光の一方をリファレンスミラー５に入射させ、測定光の一方をステージ１０５に取り付けられたミラー１０４に入射させる。そして、これらのミラーによって反射された反射光を観測している。

第２のレーザ干渉計３００ｂも第１のレーザ干渉計３００ａと同様であり、レーザヘッド１０７ｂから出射したレーザ光は、ミラー８で曲げられてビームスプリッタ９に入射する。そして、レーザ光は、ビームスプリッタ９で参照光と測定光に分けられた後、それぞれインターフェロメータ１０、１２に入射する。インターフェロメータ１０は、リファレンスミラー１１に参照光を入射させ、インターフェロメータ１２は、ステージ１０５に取り付けられたミラー１０４に測定光を入射させる。そして、これらのミラーによって反射された反射光によって、半透鏡の表面に干渉縞が作られる。

レーザ干渉計３００は、例えば、ヘテロダイン干渉計とすることができる。図４を用いて、ヘテロダイン干渉計の構成を説明する。

光源３１には、ゼーマン効果を利用した２周波レーザを用いることができる。ビームスプリッタ３２、３３は、所定の偏光成分を通過させて、他の偏光成分を反射する光学素子である。ここでは、ビームスプリッタ３２を透過した光（ｆ_１、ｆ_２）を測定光とし、ビームスプリッタ３２で反射した光（ｆ_１−ｆ_２）を参照光として分離している。また、ビームスプリッタ３３で反射した光（ｆ_１）は、コーナーキューブ３４によって再びビームスプリッタ３３に戻される。同様に、ビームスプリッタ３３を透過した光（ｆ_２）も、コーナーキューブ３５によってビームスプリッタ３３に戻される。検出器３６では、これらの反射光のビート信号が検出される。

ここで、周波数がわずかに異なる光（ｆ_１、ｆ_２）の電場は、それぞれ次式で表される。但し、α_１とα_２は光の振幅を、φ_１とφ_２は光の位相を表す。

上記２つの光を重ね合わせると、検出される光の強度Ｉは次式のようになる。但し、ｆ（＝ｆ_１−ｆ_２）は光ビート周波数であり、Δ（＝φ_１−φ_２）は２つの光の位相差である。

このように、周波数がわずかに異なる二光波を干渉させて、周波数（ｆ_１−ｆ_２）の光のビート信号を観測する。ここで、ビート信号の位相は、それぞれの光の光路差に比例しており、λ/１０００程度の精度で測定できる。したがって、ヘテロダイン干渉を利用すれば、高精度での長さ測定が可能になる。

しかしながら、レーザ干渉計による長さ測定の結果には、上述したような非線形誤差が含まれる。すなわち、測定結果は、理想的には、レーザ干渉計から測定対象までの距離とその位置データとが完全にリニアリティ（線形）の関係になるはずであるが、非線形誤差が生じることによって、これらは図５に示すような関係となる。つまり、非線形誤差がない場合には点線の関係が成立するが、非線形誤差があることによって、両者の関係は実線のようになる。その結果、正確なステージ位置を特定することができなくなってしまう。

非線形誤差は、レーザ光の波長（λ）の１/ｍ（ｍは整数）の周期で現れる。例えば、ステージが１ｍｍ/秒の速度で移動し、非線形誤差がλ/４の周期で現れるとすると、Ｈｅ−Ｎｅレーザを用いたレーザ干渉計での周波数は、
１（ｍｍ/秒）/（６３３ｎｍ/４）＝６．３（ｋＨｚ）
となる。ここで、機械的な振動の周波数、すなわち、ステージの移動速度に対応する周波数は、通常は１ｋＨｚ未満であるので、非線形誤差と区別することが可能である。

図６は、本実施の形態におけるステージとレーザ干渉計との相対的な位置関係の一例である。この図から分かるように、第１のレーザ干渉計４１と第２のレーザ干渉計４２の測定方向は、それぞれステージ１０５の移動方向（Ｘ方向およびＹ方向）に対して平行でなく、所定の角度をなして配置されている。より詳しくは、第１のレーザ干渉計４１において、光源（図示せず）から出射されて、ステージ１０５に取り付けられたミラー１０４に入射する光の入射方向（実線の矢印）は、Ｘ方向およびＹ方向のいずれとも平行でない。同様に、第２のレーザ干渉計４２において、光源（図示せず）から出射されて、ステージ１０５に取り付けられたミラー１０４に入射する光の入射方向（実線の矢印）も、Ｘ方向およびＹ方向のいずれとも平行でない。尚、第１のレーザ干渉計４１および第２のレーザ干渉計４２の構成は、図３で説明した第１のレーザ干渉計３００ａおよび第２のレーザ干渉計３００ｂと同様である。また、ミラー１０４に入射する光の入射方向は、通常は、ミラー１０４で反射された光の反射方向に平行である（以下、同じ。）。

図６の配置によれば、Ｘ方向とＹ方向の両方について、補正に必要な位置情報を取得することができる。つまり、レーザ干渉計の測定方向がステージの移動方向と平行になるようにしたのでは、ステージがＸ方向に移動してストライプ領域を描画している間、Ｙ方向の位置座標は一定であり、Ｙ方向について補正に必要な情報を取得することができない。しかし、図６の配置にすれば、ステージ１０５がＸ方向に移動している間、第１のレーザ干渉計４１を用いて測定されるＹ方向の位置は一定ではなく、第２のレーザ干渉計４２により測定されるＸ方向の位置と同様に変化する。すなわち、Ｘ方向とＹ方向の両方について、補正に必要な情報を取得することができる。

図６の配置において、レーザ干渉計の測定方向は、電子ビームの描画方向に対して４５度の角度をなしていることが好ましい。すなわち、レーザ干渉計の測定方向は、Ｘ方向およびＹ方向に対して４５度の角度をなしていることが好ましい。例えば、ミラー１０４に入射する光の入射方向が、Ｘ方向およびＹ方向に対して４５度の角度をなしていることが好ましい。この場合、ステージ１０５の位置座標（ｘ’、ｙ’）と、レーザ干渉計３００の測定方向をステージ１０５の移動方向と平行にした場合の位置座標（ｘ、ｙ）との間には、次式の関係が成立する。

したがって、ステージの制御側の（ｘ’、ｙ’）を上記関係を用いて（ｘ、ｙ）に置き換えればよいので、新たなデータ処理をしなくて済む。

図７は、本実施の形態におけるステージとレーザ干渉計との相対的な位置関係の他の例である。この図から分かるように、描画方向（点線の矢印）は、ステージ１０５の移動方向（Ｘ方向およびＹ方向）に対して平行でない。すなわち、第１のレーザ干渉計４１と第２のレーザ干渉計４２の測定方向は、電子ビームの描画方向に対して平行でなく、所定の角度をなして配置されている。より詳しくは、第１の光学系４１において、光源から出射されて、ステージ１０５に取り付けられたミラー１０４に入射する光の入射方向（実線の矢印）は、電子ビームの描画方向と平行でない。同様に、第２の光学系４２において、光源から出射されて、ステージ１０５に取り付けられたミラー１０４に入射する光の入射方向（実線の矢印）も、電子ビームの描画方向と平行でない。尚、第１の光学系４１および第２の光学系４２の構成は、図３で説明した第１の光学系３００ａおよび第２の光学系３００ｂと同様である。

図７の配置によっても、Ｘ方向とＹ方向の両方について、補正に必要な位置情報を取得することができる。つまり、電子ビームの描画方向がＸ方向に平行であり、レーザ干渉計の測定方向が描画方向と平行になるようにしたのでは、ステージ１０５が移動してストライプ領域を描画している間、描画方向に垂直な方向（すなわち、Ｙ方向）の位置座標は一定であり、この方向について補正に必要な情報を取得することができない。しかし、図７の配置にすれば、電子ビームの描画方向がステージ１０５の移動方向と平行でないので、第１の光学系４１の測定方向をＸ方向と平行にし、第２の光学系４２の測定方向をＹ方向と平行にしても、Ｘ方向とＹ方向の両方について、補正に必要な情報を取得することができる。

図７の配置において、レーザ干渉計の測定方向は、電子ビームの描画方向に対して４５度の角度をなしていることが好ましい。すなわち、描画方向は、Ｘ方向およびＹ方向に対して４５度の角度をなしていることが好ましい。例えば、ミラー１０４に入射する光の入射方向が、電子ビームの描画方向に対して４５度の角度をなしていることが好ましい。この場合には、ステージに対するレーザ干渉計の測定方向が従来と同じであるので、ステージ制御の座標変換は必要なく、描画側のデータ処理を簡単に済ませることができる。

図８は、本実施の形態における電子ビーム描画方法を示す図である。

図８に示すように、まず、レーザ干渉計を用いて、ステージのＸ方向とＹ方向の位置測定が行われる。具体的には、ステージに取り付けたミラーにレーザ光を照射して、ステージのＸ方向とＹ方向の位置測定が行われる。レーザ干渉計による測定方向、すなわち、ステージの側面に照射されるレーザ光の照射方向は、電子ビームの描画方向と平行でない。例えば、測定方向は、Ｘ方向とＹ方向のいずれとも平行でないとすることができる。また、描画方向は、Ｘ方向およびＹ方向のいずれとも平行でないとすることもできる。測定方向は、描画方向に対して４５度の角度をなすことが好ましい。例えば、測定方向は、Ｘ方向およびＹ方向に対して４５度の角度をなすことが好ましく、あるいは、描画方向は、Ｘ方向およびＹ方向に対して４５度の角度をなすことが好ましい。得られた測定値は、位置データに変換される。この変換工程は、図１の位置演算部１０９で行われる。図５で説明したように、非線形誤差はレーザ光の波長（λ）の１/ｍ（ｍは整数）の周期で現れるので、少なくとも１周期分の非線形誤差に対応する位置データが取得されて、図１の位置データ格納部１１０に格納される。次に、位置データ格納部１１０に格納された位置データに対応させて、測定値に含まれる非線形誤差成分に関する補正係数が算出される。そして、この補正係数を用いて位置データの補正が行われて、補正後の位置データが作成される。これらの処理は、図１の補正位置データ作成部１１１で行われる。作成された補正位置データは、図１の描画演算部１１３に入力される。描画演算部１１３は、補正位置データに基づいて偏向器２０８を制御し、ステージ１０５上の試料１０１の所望する位置に電子ビームが照射されるようにする。これにより、試料１０１の所望の位置に電子ビームで所定のパターンを描画することができる。

尚、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内において、種々変形して実施することができる。例えば、上記実施の形態では電子ビームを用いたが、本発明はこれに限られるものではなく、イオンビームなどの他の荷電粒子ビームを用いた場合にも適用可能である。

本実施の形態における電子ビーム描画装置の構成を示す概念図である。 ステージ移動の様子を説明する図である。 ステージ近傍の構成を示す図である。 ヘテロダイン干渉計の構成を説明する図である。 非線形誤差を説明する図である。 本実施の形態におけるステージとレーザ干渉計との相対的な位置関係の一例である。 本実施の形態におけるステージとレーザ干渉計との相対的な位置関係の他の例である。 本実施の形態における電子ビーム描画方法を示す図である。 従来の電子ビーム描画装置において、ステージの移動方向とレーザ干渉計の測定方向との関係を示す図である。

符号の説明

１００ 電子ビーム描画装置
１０２ 電子鏡筒
１０３ 描画室
１０４、２、８ ミラー
１０５ ステージ
１０６ 駆動部
１０７、１０７ａ、１０７ｂ レーザヘッド
１０８ 受光部
１０９ 位置演算部
１１０ 位置データ格納部
１１１ 補正位置データ作成部
１１２ 光学系
１１３ 描画演算部
２００ 電子線
２０１ 電子銃
２０２ 照明レンズ
２０３ 第１のアパーチャ
２０４ 投影レンズ
２０５、２０８ 偏向器
２０６ 第２のアパーチャ
２０７ 対物レンズ
３００ レーザ干渉計
３００ａ、４１ 第１のレーザ干渉計
３００ｂ、４２ 第２のレーザ干渉計
３ ビームスプリッタ
４、６、１０、１２ インターフェロメータ
５ リファレンスミラー
３１ 光源
３２、３３ ビームスプリッタ
３４、３５ コーナーキューブ
３６ 検出器

Claims (5)

1. 試料を載置した状態でＸ方向およびＹ方向に移動するステージと、
   レーザ干渉計を用いて前記ステージの位置を測定する測定部と、
   前記測定部で得られた測定値に基づいて、前記試料の所望の位置に荷電粒子ビームでパターンを描画する描画部とを備えており、
   前記レーザ干渉計による測定方向が、前記荷電粒子ビームの描画方向と平行でないことを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。
2. 前記測定方向が、前記Ｘ方向および前記Ｙ方向のいずれとも平行でないことを特徴とする請求項１に記載の荷電粒子ビーム描画装置。
3. 前記描画方向が、前記Ｘ方向および前記Ｙ方向のいずれとも平行でないことを特徴とする請求項１に記載の荷電粒子ビーム描画装置。
4. 前記測定方向は、前記描画方向に対して４５度の角度をなすことを特徴とする請求項１に記載の荷電粒子ビーム描画装置。
5. 試料が載置されたステージをＸ方向とＹ方向に移動させながら前記試料に所定のパターンを描画する荷電粒子ビーム描画方法において、
   レーザ干渉計を用いて前記ステージのＸ方向とＹ方向の位置を測定する測定工程と、
   前記測定工程で得られた測定値を位置データに変換する変換工程と、
   少なくとも１周期分の非線形誤差に対応する前記位置データを取得する取得工程と、
   前記取得工程で取得した位置データに対応させて、前記測定値に含まれる非線形誤差成分に関する補正係数を算出する算出工程と、
   前記補正係数を用いて前記位置データを補正する補正工程と、
   前記補正工程で得られた補正位置データを用いて、前記試料の所望の位置に荷電粒子ビームで前記パターンを描画する描画工程とを有し、
   前記レーザ干渉計による測定方向は、前記荷電粒子ビームの描画方向と平行でないことを特徴とする荷電粒子ビーム描画方法。

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