JP2010066629A - パターン検査装置及びパターン検査方法 - Google Patents
パターン検査装置及びパターン検査方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010066629A JP2010066629A JP2008234245A JP2008234245A JP2010066629A JP 2010066629 A JP2010066629 A JP 2010066629A JP 2008234245 A JP2008234245 A JP 2008234245A JP 2008234245 A JP2008234245 A JP 2008234245A JP 2010066629 A JP2010066629 A JP 2010066629A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- exposure mask
- pattern
- optical image
- complementary
- mask substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
【目的】二重パターニング用や二重露光用のマスクにおける単体では問題無いが両者が組み合わされた場合に問題となる欠陥を検査する検査装置を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様のパターン検査装置100は、相補関係にある露光用マスク基板52,54を並べて配置するXYθテーブル102と、露光用マスク基板52,54中の互いに相補される領域が1つの検査ストライプ内に含まれるように仮想分割された検査ストライプ毎に光学画像を取得する光学画像取得部150と、光学画像中における互いに相補される領域における露光用マスク基板52,54の画像同士を重ね合わせ、欠陥の有無を判定する判定回路108と、判定された結果を出力するパターンモニタ118と、を備えたことを特徴とする。本発明によれば、マスク単体では問題無いが両者が組み合わされた場合に問題となる欠陥を検出することができる。
【選択図】図1
【構成】本発明の一態様のパターン検査装置100は、相補関係にある露光用マスク基板52,54を並べて配置するXYθテーブル102と、露光用マスク基板52,54中の互いに相補される領域が1つの検査ストライプ内に含まれるように仮想分割された検査ストライプ毎に光学画像を取得する光学画像取得部150と、光学画像中における互いに相補される領域における露光用マスク基板52,54の画像同士を重ね合わせ、欠陥の有無を判定する判定回路108と、判定された結果を出力するパターンモニタ118と、を備えたことを特徴とする。本発明によれば、マスク単体では問題無いが両者が組み合わされた場合に問題となる欠陥を検出することができる。
【選択図】図1
Description
本発明は、パターン検査装置及びパターン検査方法に係り、特に、二重パターニング(ダブルパターニング:Double Patterning)或いは二重露光(ダブル露光:Double Exposure)に用いる相補パターンが形成された露光用マスク基板を検査する装置および方法に関する。
半導体デバイスの微細化の進展を担うリソグラフィ技術は半導体製造プロセスのなかでも唯一パターンを生成する極めて重要なプロセスである。近年、LSIの高集積化に伴い、半導体デバイスに要求される回路線幅は年々微細化されてきている。これらの半導体デバイスへ所望の回路パターンを形成するためには、高精度の原画パターン(レチクル或いはマスクともいう。)が必要となる。
ここで、回路線幅の微細化に伴って、より波長の短い露光光源が求められるが、露光光源となる例えばArFレーザの延命手法として、近年、二重露光技術と二重パターニング技術が注目されている。二重露光は、レジストが塗布されたウェハに2枚のマスクを取り替えながら同一領域に続けて露光する手法である。そして、その後に現像、及びエッチング工程等を経て所望するパターンをウェハ上に形成する。他方、二重パターニングは、レジストが塗布されたウェハに第1のマスクで露光し、現像、及びエッチング工程等を経てから再度レジストを塗布して第2のマスクでウェハの同一領域に露光する手法である。これらの技術は、現在の技術の延長で行なうことができる点でメリットがある。そして、これらの技術では、ウェハ上で所望するパターンを得るために2枚のマスクが必要になる。
図10は、従来の二重パターニング用マスクを説明するための概念図である。図10に示すように、所望するパターン302をウェハへ露光するためには、フォトマスク300では、解像度が得られないために、2つのマスクに分ける必要がある。すなわち、フォトマスク310にパターン302の一部となるパターン312を形成し、フォトマスク320にパターン302の残りの一部となるパターン314を形成する。そして、ステッパやスキャナ等の露光装置にこれら2つのフォトマスク310,320を順にセットして、それぞれ露光する。
ここで、従来、これらのフォトマスク上に形成されたパターンの欠陥は、マスク検査装置で検査される。マスク検査装置では、2つのフォトマスク310,320をそれぞれ別々に検査する。そのため、図9に示すようにフォトマスク310のパターン312の一部に検出感度以下の欠陥10が形成されていた場合、フォトマスク310単体では、特に、欠陥検出されないことになる。同様に、フォトマスク320のパターン314の一部に検出感度以下の欠陥12が形成されていた場合、フォトマスク320単体では、特に、欠陥検出されないことになる。しかしながら、これらのフォトマスク310,320を使って、製品となるシリコンウェハ等にパターン302を露光した場合、それぞれが検出感度以下の欠陥10,12であっても両者がつながることにより欠陥14となり、パターン間が短絡してしまうといった問題が起こり得る。しかし、上述したように、従来の検査装置および方法では、単体では問題無いが両者が組み合わされた場合に問題となる欠陥については検出することが困難であった。そのため、二重パターニング用マスクや二重露光用マスクでは、各フォトマスクが、単体で欠陥を持つ場合、それが検出感度以下であっても無視することができなくなっている。
ここで、二重露光技術や二重パターニングと異なりパターンを重ね合わさないマルチ露光用に、x方向のパターンとy方向のパターンを1つのマスク上に形成するといった技術が文献に開示されている(例えば、特許文献1参照)。
特開2007−72423号公報
上述したように、二重パターニング用マスクや二重露光用マスクでは、相補する各フォトマスクについて単体では問題無いが両者が組み合わされた場合に問題となる欠陥については検出することが困難であるといった問題があった。そのため、二重パターニング用マスクや二重露光用マスクでは、各フォトマスクが、単体で欠陥を持つ場合、それが検出感度以下であっても無視することができなくなっている。そして、この問題を解決するため、まず、一方のマスクの全面の画像を取り込み、保存しておいて、その後に、他方のマスクの全面の画像を取り込み、両者の画像を重ねて欠陥箇所が無いかどうかを最終的に確認するといった手法が考えられる。しかし、かかる手法では、一旦、一方のマスクの全面の画像を取り込み、それをすべて保存しておき、他方のマスクの画像を取り込んだ上で評価することになるので、保存するためのメモリの容量が肥大化してしまうといった別の問題が生じてしまう。
そこで、本発明は、かかる問題点を克服し、二重パターニング用マスクや二重露光用マスクにおける単体では問題無いが両者が組み合わされた場合に問題となる欠陥を検査する検査装置および方法を提供することを目的とする。
本発明の一態様のパターン検査装置は、
第1のパターンが形成された第1の露光用マスク基板と第1のパターンと相補する第2のパターンが形成された第2の露光用マスク基板とを並べて配置するステージと、
第1と第2の露光用マスク基板中の互いに相補される領域が1つの小領域内に含まれるように、第1と第2の露光用マスク基板を含む領域が短冊状の複数の小領域に仮想分割された小領域毎に光学画像を取得する光学画像取得部と、
光学画像中における互いに相補される領域における第1と第2の露光用マスク基板の画像同士を重ね合わせ、欠陥の有無を判定する判定部と、
判定された結果を出力する出力部と、
を備えたことを特徴とする。
第1のパターンが形成された第1の露光用マスク基板と第1のパターンと相補する第2のパターンが形成された第2の露光用マスク基板とを並べて配置するステージと、
第1と第2の露光用マスク基板中の互いに相補される領域が1つの小領域内に含まれるように、第1と第2の露光用マスク基板を含む領域が短冊状の複数の小領域に仮想分割された小領域毎に光学画像を取得する光学画像取得部と、
光学画像中における互いに相補される領域における第1と第2の露光用マスク基板の画像同士を重ね合わせ、欠陥の有無を判定する判定部と、
判定された結果を出力する出力部と、
を備えたことを特徴とする。
そして、パターン検査装置は、さらに、光学画像を一時的に格納するバッファメモリを備え、
判定部は、バッファメモリから前記光学画像を入力し、
光学画像は、判定部に出力された後に次の光学画像が格納される前にバッファメモリから削除されるように構成すると好適である。
判定部は、バッファメモリから前記光学画像を入力し、
光学画像は、判定部に出力された後に次の光学画像が格納される前にバッファメモリから削除されるように構成すると好適である。
また、本発明の他の態様のパターン検査装置は、
第1のパターンが形成された第1の露光用マスク基板と第1のパターンと相補する第2のパターンが形成された第2の露光用マスク基板とを並べて配置するステージと、
第1と第2の露光用マスク基板中の互いに相補される領域における第1の露光用マスク基板側の第1の光学画像を取得する第1の光学画像取得部と、
の光学画像が取得される際に並行して、前記第1と第2の露光用マスク基板中の互いに相補される領域における第2の露光用マスク基板側の第2の光学画像を取得する第2の光学画像取得部と、
第1と第2の光学画像同士を重ね合わせ、欠陥の有無を判定する判定部と、
比較された結果を出力する出力部と、
を備えたことを特徴とする。
第1のパターンが形成された第1の露光用マスク基板と第1のパターンと相補する第2のパターンが形成された第2の露光用マスク基板とを並べて配置するステージと、
第1と第2の露光用マスク基板中の互いに相補される領域における第1の露光用マスク基板側の第1の光学画像を取得する第1の光学画像取得部と、
の光学画像が取得される際に並行して、前記第1と第2の露光用マスク基板中の互いに相補される領域における第2の露光用マスク基板側の第2の光学画像を取得する第2の光学画像取得部と、
第1と第2の光学画像同士を重ね合わせ、欠陥の有無を判定する判定部と、
比較された結果を出力する出力部と、
を備えたことを特徴とする。
また、本発明の一態様のパターン検査方法は、
第1のパターンが形成された第1の露光用マスク基板と第1のパターンと相補する第2のパターンが形成された第2の露光用マスク基板とを並べてステージ上に配置する工程と、
第1と第2の露光用マスク基板中の互いに相補される領域が1つの小領域内に含まれるように、第1と第2の露光用マスク基板を含む領域が短冊状の複数の小領域に仮想分割された小領域毎に光学画像を取得する工程と、
光学画像中における互いに相補される領域における前記第1と第2の露光用マスク基板の画像同士を重ね合わせ、欠陥の有無を判定する工程と、
比較判定された結果を出力する工程と、
を備えたことを特徴とする。
第1のパターンが形成された第1の露光用マスク基板と第1のパターンと相補する第2のパターンが形成された第2の露光用マスク基板とを並べてステージ上に配置する工程と、
第1と第2の露光用マスク基板中の互いに相補される領域が1つの小領域内に含まれるように、第1と第2の露光用マスク基板を含む領域が短冊状の複数の小領域に仮想分割された小領域毎に光学画像を取得する工程と、
光学画像中における互いに相補される領域における前記第1と第2の露光用マスク基板の画像同士を重ね合わせ、欠陥の有無を判定する工程と、
比較判定された結果を出力する工程と、
を備えたことを特徴とする。
また、本発明の他の態様のパターン検査方法は、
第1のパターンが形成された第1の露光用マスク基板と第1のパターンと相補する第2のパターンが形成された第2の露光用マスク基板とを並べてステージ上に配置する工程と、
第1と第2の露光用マスク基板中の互いに相補される領域における第1の露光用マスク基板側の第1の光学画像を取得する工程と、
第1の光学画像が取得される際に並行して、第1と第2の露光用マスク基板中の互いに相補される領域における第2の露光用マスク基板側の第2の光学画像を取得する工程と、
第1と第2の光学画像同士を重ね合わせ、欠陥の有無を判定する工程と、
比較された結果を出力する工程と、
を備えたことを特徴とする。
第1のパターンが形成された第1の露光用マスク基板と第1のパターンと相補する第2のパターンが形成された第2の露光用マスク基板とを並べてステージ上に配置する工程と、
第1と第2の露光用マスク基板中の互いに相補される領域における第1の露光用マスク基板側の第1の光学画像を取得する工程と、
第1の光学画像が取得される際に並行して、第1と第2の露光用マスク基板中の互いに相補される領域における第2の露光用マスク基板側の第2の光学画像を取得する工程と、
第1と第2の光学画像同士を重ね合わせ、欠陥の有無を判定する工程と、
比較された結果を出力する工程と、
を備えたことを特徴とする。
本発明によれば、二重パターニング用マスクや二重露光用マスクにおける単体では問題無いが両者が組み合わされた場合に問題となる欠陥を検出することができる。
実施の形態1.
図1は、実施の形態1におけるパターン検査装置の構成を示す概念図である。図1において、マスクの欠陥を検査する検査装置100は、光学画像取得部150と制御系回路160を備えている。光学画像取得部150は、光源103、XYθテーブル102、照明光学系170、拡大光学系104、フォトダイオードアレイ105、センサ回路106、レーザ測長システム122、及びオートローダ130を備えている。制御系回路160では、コンピュータとなる制御計算機110が、バス120を介して、位置回路107、判定回路108、メモリ112、オートローダ制御回路113、テーブル制御回路114、磁気ディスク装置109、磁気テープ装置115、フレシキブルディスク装置(FD)116、CRT117、パターンモニタ118、及びプリンタ119に接続されている。また、センサ回路106は、バッファメモリとなるパターンメモリ101に接続され、パターンメモリ101は、判定回路108に接続されている。また、XYθテーブル102は、X軸モータ、Y軸モータ、θ軸モータにより駆動される。XYθテーブル102は、ステージの一例となる。ここで、図1では、実施の形態1を説明する上で必要な構成部分について記載している。検査装置100にとって、通常、必要なその他の構成が含まれても構わないことは言うまでもない。
図1は、実施の形態1におけるパターン検査装置の構成を示す概念図である。図1において、マスクの欠陥を検査する検査装置100は、光学画像取得部150と制御系回路160を備えている。光学画像取得部150は、光源103、XYθテーブル102、照明光学系170、拡大光学系104、フォトダイオードアレイ105、センサ回路106、レーザ測長システム122、及びオートローダ130を備えている。制御系回路160では、コンピュータとなる制御計算機110が、バス120を介して、位置回路107、判定回路108、メモリ112、オートローダ制御回路113、テーブル制御回路114、磁気ディスク装置109、磁気テープ装置115、フレシキブルディスク装置(FD)116、CRT117、パターンモニタ118、及びプリンタ119に接続されている。また、センサ回路106は、バッファメモリとなるパターンメモリ101に接続され、パターンメモリ101は、判定回路108に接続されている。また、XYθテーブル102は、X軸モータ、Y軸モータ、θ軸モータにより駆動される。XYθテーブル102は、ステージの一例となる。ここで、図1では、実施の形態1を説明する上で必要な構成部分について記載している。検査装置100にとって、通常、必要なその他の構成が含まれても構わないことは言うまでもない。
検査装置100では、光源103、XYθテーブル102、照明光学系170、拡大光学系104、フォトダイオードアレイ105、及びセンサ回路106により高倍率の検査光学系が構成されている。また、XYθテーブル102は、制御計算機110の制御の下にテーブル制御回路114により駆動される。X方向、Y方向、θ方向に駆動する3軸(X−Y−θ)モータの様な駆動系によって水平方向及び回転方向に移動可能となっている。これらの、Xモータ、Yモータ、θモータは、例えばステップモータを用いることができる。そして、XYθテーブル102の移動位置はレーザ測長システム122により測定され、位置回路107に供給される。また、XYθテーブル102上には、第1のパターンが形成された露光用マスク基板52(第1の露光用マスク基板)と第1のパターンと相補する第2のパターンが形成された露光用マスク基板54(第2の露光用マスク基板)とが並べて配置される。XYθテーブル102上の露光用マスク基板52,54はオートローダ制御回路113により駆動されるオートローダ130から自動的に搬送され、検査終了後に自動的に排出されるものとなっている。
そして、露光用マスク基板52,54に形成された各パターンには適切な光源103によって連続光が照明光学系170を介して照射される。露光用マスク基板52,54を透過した光は拡大光学系104を介して、フォトダイオードアレイ105に光学像として結像し、入射する。
図2は、実施の形態1における二重パターニング用或いは二重露光用の露光用マスク基板の一例を示す図である。図2に示すように、所望するパターン60をウェハへ露光するためには、露光用マスク基板50では、解像度が得られないために、2つのマスクに分ける必要がある。すなわち、露光用マスク基板52にパターン60の一部となるパターン62を形成し、露光用マスク基板54にパターン60の残りの一部となるパターン64を形成する。実施の形態1では、このように所望するパターンを2つの基板に分けた両基板を1つのステージ上に並べて配置し、各基板に形成された互いに対応する領域のパターンを同時期に検査する。
図3は、実施の形態1におけるパターン検査方法の要部工程を示すフローチャート図である。図3において、実施の形態1におけるパターン検査方法は、マスク配置工程(S102)と、画像取得工程(S104)と、画像切り出し工程(S108)と、重ね合わせ工程(S110)と、判定工程(S112)と、出力工程(S114)という一連の工程を実施する。
ステップ(S)102において、マスク配置工程として、露光用マスク基板52,54が、オートローダ制御回路113により駆動されるオートローダ130から自動的に搬送され、XYθテーブル102上に並べて配置される。
S104において、画像取得工程として、光学画像取得部150は、露光用マスク基板52,54中の互いに相補される領域が1つの検査単位領域(小領域)内に含まれるように、露光用マスク基板52,54を含む領域が短冊状の複数の検査単位領域に仮想分割された検査単位領域毎に光学画像を取得する。
図4は、実施の形態1における光学画像の取得手順を説明するための概念図である。露光用マスク基板52,54全体を含む被検査領域は、図4に示すように、例えばX方向に向かって、スキャン幅Wの短冊状の複数の検査ストライプ30(検査単位領域:小領域)に仮想的に分割される。そして、その分割された各検査ストライプ30上をフォトダイオードアレイ105が走査するようにXYθテーブル102の動作が制御される。XYθテーブル102の移動によってフォトダイオードアレイ105が相対的にx方向に連続移動しながら光学画像が取得される。フォトダイオードアレイ105では、図4に示されるようなスキャン幅の光学画像を連続的に撮像する。そして、実施の形態1では、露光用マスク基板52,54中の互いに相補される領域が1つの検査ストライプ30内に含まれるように被検査領域が仮想分割されている。そのため、1回の走査によって取得されるストライプ画像(光学画像)には、露光用マスク基板52,54中の互いに相補される各領域が含まれることになる。そして、1つの検査ストライプ30における光学画像を撮像した後、スキャン幅だけy方向にずれた位置で今度は逆方向に移動しながら同様にかかるスキャン幅の光学画像を連続的に撮像する。或いは、一度スキャン開始位置まで戻ってからスキャン幅だけy方向にずれた位置から同じ方向に移動しながら同様にかかるスキャン幅の光学画像を連続的に撮像しても構わない。
ここで、フォトダイオードアレイ105上に結像されたパターンの像は、フォトダイオードアレイ105の各受光素子によって光電変換され、更にセンサ回路106によってA/D(アナログデジタル)変換される。そして、検査ストライプ30毎にパターンメモリ101に測定データ(ストライプ画像)の各画素データが一時的に格納される。その後、測定データの各画素データは、位置回路107から出力されたXYθテーブル102上における露光用マスク基板52,54の位置を示すデータと共に判定回路108に送られる。測定データの各画素データは例えば8ビットの符号なしデータであり、各画素の明るさの階調(光量)を表現している。上述した例では、例えば0〜20の階調で示している。もちろん、階調値のレンジは、0〜20に限るものではなく、例えば、0〜255のようなその他のレンジでも構わないことは言うまでもない。ここで、フォトダイオードアレイ105としては、例えば、ラインセンサが用いられると好適である。特に、TDIセンサを用いるとより好適である。
図5は、実施の形態1における判定回路の内部構成を示す概念図である。図5において、判定回路108(判定部の一例)内には、画像切り出し部134、重ね合わせ部136、及び判定処理部138が配置されている。線形誤差補正部132、画像切り出し部134、重ね合わせ部136、及び判定処理部138といった機能は、ソフトウェアにより判定回路108内のCPU等の計算機或いは制御計算機110で実行させてもよい。或いは、電気的な回路によるハードウェアにより構成してもよい。或いは、電気的な回路によるハードウェアとソフトウェアとの組合せにより実施させても構わない。或いは、かかるハードウェアとファームウェアとの組合せでも構わない。また、ソフトウェアにより、或いはソフトウェアとの組合せにより実施させる場合には、処理を実行する判定回路108内の計算機或いは制御計算機110に入力される情報或いは演算処理中及び処理後の各情報はその都度、メモリ112等に記憶される。
S108において、画像切り出し工程として、画像切り出し部134は、パターンメモリ101から入力したストライプ画像中における互いに相補される露光用マスク基板52,54の各領域の画像を切り出す。その際、線形誤差が生じていれば、線形誤差を補正して切り出すと好適である。線形誤差は、ストライプ画像を撮像する前に、例えば、アライメントマークの位置を予め撮像により求めておけばよい。そして、実際の検査に使用するストライプ画像から相補パターンの各領域の画像を切り出す際に誤差分を線形補間すればよい。或いは、ストライプ画像を取得する際に、テーブル制御回路114が線形誤差分を補正した位置にXYθテーブル102が移動するように各モータを動作させても好適である。切り出される画像は、例えば、512画素×512画素のサイズで切り出されると好適である。
S110において、重ね合わせ工程として、重ね合わせ部136は、切り出された互いに相補される露光用マスク基板52,54の各領域の画像を重ね合わす。2つの画像は、位置回路106から得られた位置情報を用いて重ねればよい。
S112において、判定工程として、判定処理部138は、重ね合わされた露光用マスク基板52,54の画像同士から欠陥の有無を判定する。
図6は、実施の形態1における判定手法を説明するための概念図である。ある検査ストライプ30のストライプ画像を判定サイズに切り出し、両画像を重ね合わせた結果、両画像のパターンが接触している場合、判定処理部138は、欠陥有りと判定する。例えば、図6に示すように、露光用マスク基板52のパターン62に小欠陥20が、露光用マスク基板54のパターン64に小欠陥22が生じており、重ね合わせた結果、小欠陥20,22が接触し、パターン62,64を導通させる欠陥24となっていた場合である。或いは、パターン62或いはパターン64或いは両パターン62,64が斜めに傾いて形成されており、重ね合わせた結果、パターン62,64が接触している場合である。また、両画像を重ね合わせた結果、両画像のパターンが接触していない場合、判定処理部138は、欠陥なしと判定する。
以上の動作を露光用マスク基板52,54の相補パターンが形成されたすべての領域が検査されるまで行なう。また、ストライプ画像は、判定回路108に出力された後に次のストライプ画像が格納される前にパターンメモリ101から削除される。よって、パターンメモリ101は、ストライプ画像分のメモリ容量があれば足りる。そのため、1つの露光用マスク基板中のすべてのパターンの画像を蓄積するために必要なメモリ容量に比べて大幅に小さくすることができる。
S114において、出力工程として、判定された結果は、磁気ディスク装置109、磁気テープ装置115、フレシキブルディスク装置(FD)116、CRT117、パターンモニタ118、或いはプリンタ119に出力される。よって、磁気ディスク装置109、磁気テープ装置115、フレシキブルディスク装置(FD)116、CRT117、パターンモニタ118、或いはプリンタ119は、出力部の一例となる。
以上のように、実施の形態1によれば、二重パターニング用マスクや二重露光用マスクにおける単体では問題無いが両者が組み合わされた場合に問題となる欠陥を検出することができる。さらに、ストライプ毎に画像を取得し、判定の都度、画像を削除するため、保存するためのパターンメモリ101の容量の肥大化を防止することができる。
実施の形態2.
実施の形態1では、1つのステージ上に2つの露光用マスク基板52,54を並べて配置し、1組の光学装置で画像を取得する構成について説明した。実施の形態2では、1つのステージ上に2つの露光用マスク基板52,54を並べて配置し、2組の光学装置で同時期に並列に画像を取得する構成について説明する。
実施の形態1では、1つのステージ上に2つの露光用マスク基板52,54を並べて配置し、1組の光学装置で画像を取得する構成について説明した。実施の形態2では、1つのステージ上に2つの露光用マスク基板52,54を並べて配置し、2組の光学装置で同時期に並列に画像を取得する構成について説明する。
図7は、実施の形態2におけるパターン検査装置の構成を示す概念図である。図7において、検査装置100は、2つの光学画像取得部150,152と制御系回路160を備えている。光学画像取得部152は、光源203、照明光学系270、拡大光学系204、フォトダイオードアレイ205、及びセンサ回路206を備えている。光学画像取得部150,152は、XYθテーブル102、レーザ測長システム122、及びオートローダ130を共通に使用する。図7では、2つの光源103,203を用いているが、これに限るものではなく、1つの光源から放出された光線を2つに分岐して使用しても構わない。また、センサ回路206は、バッファメモリとなるパターンメモリ201に接続され、パターンメモリ201は、判定回路108に接続されている。以上のように、光源203、照明光学系270、拡大光学系204、フォトダイオードアレイ205、センサ回路206、及びパターンメモリ201を追加した点以外は、図1と同様である。ここで、図7では、実施の形態2を説明する上で必要な構成部分について記載している。検査装置100にとって、通常、必要なその他の構成が含まれても構わないことは言うまでもない。
図8は、実施の形態2におけるパターン検査方法の要部工程を示すフローチャート図である。図8において、画像取得工程(S105)と、画像切り出し工程(S109)とが追加された点以外は、図3と同様である。図8において、マスク配置工程(S102)については、実施の形態1と同様である。また、実施の形態2では、図8における画像取得工程(S104)と画像取得工程(S105)とは、同時期に並列に行なわれる。
S104において、画像取得工程として、光学画像取得部150は、露光用マスク基板52,54中の互いに相補される領域における露光用マスク基板52側の光学画像(第1の光学画像)を取得する。
S105において、画像取得工程として、光学画像取得部152は、露光用マスク基板52側の光学画像が取得される際に並行して、露光用マスク基板52,54中の互いに相補される領域における露光用マスク基板54側の光学画像(第2の光学画像)を取得する。
上述した画像取得工程(S104)と画像取得工程(S105)とにおいて、図4に示した検査ストライプ30の内、露光用マスク基板52側の半分を光学画像取得部150で露光用マスク基板54側の残り半分を光学画像取得部152で取得する。これにより、1つの検査ストライプ30の撮像時間を実施の形態1の半分に縮めることができる。
そして、1つの検査ストライプ30における光学画像を撮像した後、スキャン幅だけy方向にずれた位置で今度は逆方向に移動しながら同様にかかるスキャン幅の光学画像を連続的に撮像する。或いは、一度スキャン開始位置まで戻ってからスキャン幅だけy方向にずれた位置から同じ方向に移動しながら同様にかかるスキャン幅の光学画像を連続的に撮像しても構わない。
そして、1つの検査ストライプ30における光学画像を撮像した後、スキャン幅だけy方向にずれた位置で今度は逆方向に移動しながら同様にかかるスキャン幅の光学画像を連続的に撮像する。或いは、一度スキャン開始位置まで戻ってからスキャン幅だけy方向にずれた位置から同じ方向に移動しながら同様にかかるスキャン幅の光学画像を連続的に撮像しても構わない。
そして、フォトダイオードアレイ105上に結像されたパターンの像は、フォトダイオードアレイ105の各受光素子によって光電変換され、更にセンサ回路106によってA/D(アナログデジタル)変換される。そして、検査ストライプ30毎にパターンメモリ101に測定データ(ストライプ画像の半分)の各画素データが一時的に格納される。
一方、フォトダイオードアレイ205上に結像されたパターンの像は、フォトダイオードアレイ205の各受光素子によって光電変換され、更にセンサ回路206によってA/D(アナログデジタル)変換される。そして、検査ストライプ30毎にパターンメモリ201に測定データ(ストライプ画像の残り半分)の各画素データが一時的に格納される。
その後、パターンメモリ101に格納された測定データの各画素データは、位置回路107から出力されたXYθテーブル102上における露光用マスク基板52の位置を示すデータと共に判定回路108に送られる。同様に、パターンメモリ201に格納された測定データの各画素データは、位置回路107から出力されたXYθテーブル102上における露光用マスク基板54の位置を示すデータと共に判定回路108に送られる。これらの測定データの各画素データは例えば8ビットの符号なしデータであり、各画素の明るさの階調(光量)を表現している。上述した例では、例えば0〜20の階調で示している。もちろん、階調値のレンジは、0〜20に限るものではなく、例えば、0〜255のようなその他のレンジでも構わないことは言うまでもない。実施の形態2において、フォトダイオードアレイ205としては、フォトダイオードアレイ105と同様、例えば、ラインセンサが用いられると好適である。特に、TDIセンサを用いるとより好適である。
図9は、実施の形態2における判定回路108の内部構成を示す概念図である。図9において、判定回路108内には、画像切り出し部234が追加された点以外は、図5と同様である。図9において、画像切り出し部134,234、重ね合わせ部136、及び判定処理部138が配置されている。線形誤差補正部132、画像切り出し部134、重ね合わせ部136、及び判定処理部138といった機能は、ソフトウェアにより判定回路108内のCPU等の計算機或いは制御計算機110で実行させてもよい。或いは、電気的な回路によるハードウェアにより構成してもよい。或いは、電気的な回路によるハードウェアとソフトウェアとの組合せにより実施させても構わない。或いは、かかるハードウェアとファームウェアとの組合せでも構わない。また、ソフトウェアにより、或いはソフトウェアとの組合せにより実施させる場合には、処理を実行する判定回路108内の計算機或いは制御計算機110に入力される情報或いは演算処理中及び処理後の各情報はその都度、メモリ112等に記憶される。
S108において、画像切り出し工程として、画像切り出し部134は、パターンメモリ101から入力したストライプ画像から次の工程で重ね合わせるサイズの画像を切り出す。その際、露光用マスク基板52,54において互いに相補される各領域の露光用マスク基板52側の画像を切り出す。その際、線形誤差が生じていれば、線形誤差を補正して切り出すと好適である。線形誤差は、ストライプ画像を撮像する前に、例えば、アライメントマークの位置を予め撮像により求めておけばよい。そして、実際の検査に使用するストライプ画像から相補パターンの各領域の画像を切り出す際に誤差分を線形補間すればよい。或いは、ストライプ画像を取得する際に、テーブル制御回路114が線形誤差分を補正した位置にXYθテーブル102が移動するように各モータを動作させても好適である。切り出される画像は、例えば、512画素×512画素のサイズで切り出されると好適である。
S109において、画像切り出し工程として、画像切り出し部234は、パターンメモリ201から入力したストライプ画像から次の工程で重ね合わせるサイズの画像を切り出す。その際、露光用マスク基板52,54において互いに相補される各領域の露光用マスク基板54側の画像を切り出す。その際、線形誤差が生じていれば、線形誤差を補正して切り出すと好適である。線形誤差は、ストライプ画像を撮像する前に、例えば、アライメントマークの位置を予め撮像により求めておけばよい。そして、実際の検査に使用するストライプ画像から相補パターンの各領域の画像を切り出す際に誤差分を線形補間すればよい。或いは、ストライプ画像を取得する際に、テーブル制御回路114が線形誤差分を補正した位置にXYθテーブル102が移動するように各モータを動作させても好適である。切り出される画像は、例えば、512画素×512画素のサイズで切り出されると好適である。
そして、重ね合わせ工程(S110)において、重ね合わせ部136が切り出された互いに相補される露光用マスク基板52,54の各領域の画像を重ね合わす。2つの画像は、位置回路106から得られた位置情報を用いて重ねればよい。以降の工程は、実施の形態1と同様である。
パターンメモリ101に格納されるストライプ画像の半分のデータは、判定回路108に出力された後に次のストライプ画像が格納される前にパターンメモリ101から削除される。同様に、パターンメモリ201に格納されるストライプ画像の残り半分のデータは、判定回路108に出力された後に次のストライプ画像が格納される前にパターンメモリ201から削除される。よって、パターンメモリ101,201は、ストライプ画像の半分のメモリ容量があれば足りる。よって、実施の形態1よりもさらにメモリ容量を小さくすることができる。
以上のように、実施の形態2によれば、二重パターニング用マスクや二重露光用マスクにおける単体では問題無いが両者が組み合わされた場合に問題となる欠陥を検出することができる。さらに、ストライプ毎に画像を2つの光学装置で半分ずつ取得し、判定の都度、画像を削除するため、保存するためのパターンメモリ101,201の容量の肥大化を防止することができる。
以上の説明において、「〜回路」或いは「〜工程」と記載したものは、コンピュータで動作可能なプログラムにより構成することができる。或いは、ソフトウェアとなるプログラムだけではなく、ハードウェアとソフトウェアとの組合せにより実施させても構わない。或いは、ファームウェアとの組合せでも構わない。また、プログラムにより構成される場合、プログラムは、磁気ディスク装置、磁気テープ装置、FD、或いはROM(リードオンリメモリ)等の記録媒体に記録される。例えば、オートローダ制御回路、テーブル制御回路114、位置回路107、及び判定回路108等は、電気的回路で構成されていても良いし、制御計算機110によって処理することのできるソフトウェアとして実現してもよい。また電気的回路とソフトウェアの組み合わせで実現しても良い。
以上、具体例を参照しつつ実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。
また、装置構成や制御手法等、本発明の説明に直接必要しない部分等については記載を省略したが、必要とされる装置構成や制御手法を適宜選択して用いることができる。
その他、本発明の要素を具備し、当業者が適宜設計変更しうる全てのパターン検査装置及びパターン検査方法は、本発明の範囲に包含される。
10,12,14,20,22,24 欠陥
30 検査ストライプ
50,52,54 露光用マスク基板
60,62,64,302,312,314 パターン
100 検査装置
101,201 パターンメモリ
102 XYθテーブル
103,203 光源
104,204 拡大光学系
105,205 フォトダイオードアレイ
106,206 センサ回路
107 位置回路
108 判定回路
109 磁気ディスク装置
110 制御計算機
112 メモリ
113 オートローダ制御回路
114 テーブル制御回路
115 磁気テープ装置
116 FD
117 CRT
118 パターンモニタ
119 プリンタ
122 レーザ測長システム
130 オートローダ
132 線形誤差補正部
134,234 画像切り出し部
136 重ね合わせ部
138 判定処理部
120 バス
150,152 光学画像取得部
160 制御系回路
170,270 照明光学系
300,310,320 フォトマスク
30 検査ストライプ
50,52,54 露光用マスク基板
60,62,64,302,312,314 パターン
100 検査装置
101,201 パターンメモリ
102 XYθテーブル
103,203 光源
104,204 拡大光学系
105,205 フォトダイオードアレイ
106,206 センサ回路
107 位置回路
108 判定回路
109 磁気ディスク装置
110 制御計算機
112 メモリ
113 オートローダ制御回路
114 テーブル制御回路
115 磁気テープ装置
116 FD
117 CRT
118 パターンモニタ
119 プリンタ
122 レーザ測長システム
130 オートローダ
132 線形誤差補正部
134,234 画像切り出し部
136 重ね合わせ部
138 判定処理部
120 バス
150,152 光学画像取得部
160 制御系回路
170,270 照明光学系
300,310,320 フォトマスク
Claims (5)
- 第1のパターンが形成された第1の露光用マスク基板と前記第1のパターンと相補する第2のパターンが形成された第2の露光用マスク基板とを並べて配置するステージと、
前記第1と第2の露光用マスク基板中の互いに相補される領域が1つの小領域内に含まれるように、前記第1と第2の露光用マスク基板を含む領域が短冊状の複数の小領域に仮想分割された前記小領域毎に光学画像を取得する光学画像取得部と、
前記光学画像中における互いに相補される領域における前記第1と第2の露光用マスク基板の画像同士を重ね合わせ、欠陥の有無を判定する判定部と、
判定された結果を出力する出力部と、
を備えたことを特徴とするパターン検査装置。 - 前記パターン検査装置は、さらに、前記光学画像を一時的に格納するバッファメモリを備え、
前記判定部は、前記バッファメモリから前記光学画像を入力し、
前記光学画像は、前記判定部に出力された後に次の光学画像が格納される前に前記バッファメモリから削除されることを特徴とする請求項1記載のパターン検査装置。 - 第1のパターンが形成された第1の露光用マスク基板と前記第1のパターンと相補する第2のパターンが形成された第2の露光用マスク基板とを並べて配置するステージと、
前記第1と第2の露光用マスク基板中の互いに相補される領域における前記第1の露光用マスク基板側の第1の光学画像を取得する第1の光学画像取得部と、
前記第1の光学画像が取得される際に並行して、前記第1と第2の露光用マスク基板中の互いに相補される領域における前記第2の露光用マスク基板側の第2の光学画像を取得する第2の光学画像取得部と、
前記第1と第2の光学画像同士を重ね合わせ、欠陥の有無を判定する判定部と、
比較された結果を出力する出力部と、
を備えたことを特徴とするパターン検査装置。 - 第1のパターンが形成された第1の露光用マスク基板と前記第1のパターンと相補する第2のパターンが形成された第2の露光用マスク基板とを並べてステージ上に配置する工程と、
前記第1と第2の露光用マスク基板中の互いに相補される領域が1つの小領域内に含まれるように、前記第1と第2の露光用マスク基板を含む領域が短冊状の複数の小領域に仮想分割された前記小領域毎に光学画像を取得する工程と、
前記光学画像中における互いに相補される領域における前記第1と第2の露光用マスク基板の画像同士を重ね合わせ、欠陥の有無を判定する工程と、
比較判定された結果を出力する工程と、
を備えたことを特徴とするパターン検査方法。 - 第1のパターンが形成された第1の露光用マスク基板と前記第1のパターンと相補する第2のパターンが形成された第2の露光用マスク基板とを並べてステージ上に配置する工程と、
前記第1と第2の露光用マスク基板中の互いに相補される領域における前記第1の露光用マスク基板側の第1の光学画像を取得する工程と、
前記第1の光学画像が取得される際に並行して、前記第1と第2の露光用マスク基板中の互いに相補される領域における前記第2の露光用マスク基板側の第2の光学画像を取得する工程と、
前記第1と第2の光学画像同士を重ね合わせ、欠陥の有無を判定する工程と、
比較された結果を出力する工程と、
を備えたことを特徴とするパターン検査方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008234245A JP2010066629A (ja) | 2008-09-12 | 2008-09-12 | パターン検査装置及びパターン検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008234245A JP2010066629A (ja) | 2008-09-12 | 2008-09-12 | パターン検査装置及びパターン検査方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010066629A true JP2010066629A (ja) | 2010-03-25 |
Family
ID=42192256
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008234245A Pending JP2010066629A (ja) | 2008-09-12 | 2008-09-12 | パターン検査装置及びパターン検査方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2010066629A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2010098017A1 (ja) * | 2009-02-27 | 2010-09-02 | 株式会社 日立ハイテクノロジーズ | パターン測定装置 |
JP2011070047A (ja) * | 2009-09-28 | 2011-04-07 | Toppan Printing Co Ltd | フォトマスク群の検査方法及びフォトマスク群の検査装置 |
-
2008
- 2008-09-12 JP JP2008234245A patent/JP2010066629A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2010098017A1 (ja) * | 2009-02-27 | 2010-09-02 | 株式会社 日立ハイテクノロジーズ | パターン測定装置 |
JP2010199462A (ja) * | 2009-02-27 | 2010-09-09 | Hitachi High-Technologies Corp | パターン測定装置 |
US8788242B2 (en) | 2009-02-27 | 2014-07-22 | Hitachi High-Technologies Corporation | Pattern measurement apparatus |
JP2011070047A (ja) * | 2009-09-28 | 2011-04-07 | Toppan Printing Co Ltd | フォトマスク群の検査方法及びフォトマスク群の検査装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5753461B2 (ja) | パターン検査装置及びパターン検査方法 | |
JP4537467B2 (ja) | 試料検査装置及び試料検査方法 | |
JP6307367B2 (ja) | マスク検査装置、マスク評価方法及びマスク評価システム | |
US8260031B2 (en) | Pattern inspection apparatus, pattern inspection method, and computer-readable recording medium storing a program | |
JP5123630B2 (ja) | パターン検査装置及びパターン検査方法 | |
JP5305641B2 (ja) | パターン検査装置及びパターン検査方法 | |
JP4970569B2 (ja) | パターン検査装置およびパターン検査方法 | |
JP2014228375A (ja) | 検査感度評価方法 | |
JP2016145887A (ja) | 検査装置および検査方法 | |
JP5178781B2 (ja) | センサ出力データの補正装置及びセンサ出力データの補正方法 | |
JP4185516B2 (ja) | 試料検査装置、試料検査方法及びプログラム | |
JP4448181B2 (ja) | パターン検査方法、パターン検査装置及びプログラム | |
JP2012173072A (ja) | 検査装置および検査方法 | |
JP2007071629A (ja) | 試料検査装置の支援装置、試料検査方法及びプログラム | |
JP2006267250A (ja) | 試料検査装置、被検査試料の画像位置合わせ方法及びプログラム | |
JP2010066629A (ja) | パターン検査装置及びパターン検査方法 | |
JP4554661B2 (ja) | パターン検査装置、パターン検査方法及びプログラム | |
JP4772815B2 (ja) | 補正パターン画像生成装置、パターン検査装置および補正パターン画像生成方法 | |
JP7525251B2 (ja) | Tdi(時間遅延積分)センサの感度変動の判定方法、パターン検査方法、及びパターン検査装置 | |
JP2006275780A (ja) | パターン検査方法 | |
JP6018929B2 (ja) | 検査方法 | |
JP4922381B2 (ja) | パターン検査装置及びパターン検査方法 | |
JP4554635B2 (ja) | パターン検査装置、パターン検査方法及びプログラム | |
JP4131728B2 (ja) | 画像作成方法、画像作成装置及びパターン検査装置 | |
JP4554663B2 (ja) | パターン検査装置及びパターン検査方法 |