JP2010053447A - Method and device for forming film - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、減圧雰囲気下で有機樹脂フィルムの両面に金属膜を成膜する成膜方法及び成膜装置に関する。 The present invention relates to a film forming method and a film forming apparatus for forming metal films on both surfaces of an organic resin film under a reduced pressure atmosphere.
有機樹脂フィルムはフレキシブル性を有し且つ加工が容易であるため、その表面に金属膜や酸化物膜を形成したものが、電子部品や光学部品、包装材料などとして産業界で広く用いられている。電子部品では、有機樹脂フィルムの表面に金属膜で配線を形成したフレキシブルプリント基板が多用されており、例えば液晶ディスプレイに接続される基板に採用されている。近年、液晶ディスプレイの画素の小型化が進むに伴って、かかるフレキシブルプリント基板にも高精度のパターンが必須となり、同時にパターンを狭ピッチにしても電気的な問題のない信頼性の高い基板が一層要望されている。 Since organic resin films are flexible and easy to process, those with a metal film or oxide film formed on the surface are widely used in the industry as electronic parts, optical parts, packaging materials, etc. . In an electronic component, a flexible printed circuit board in which wiring is formed with a metal film on the surface of an organic resin film is frequently used, and for example, it is adopted as a substrate connected to a liquid crystal display. In recent years, with the progress of miniaturization of liquid crystal display pixels, high-precision patterns have become essential for such flexible printed circuit boards, and at the same time, there are more highly reliable boards that do not have electrical problems even if the patterns are narrowed. It is requested.
このようなフレキシブルプリント基板の製造においては、有機樹脂フィルムに金属膜を積層して積層基板を作製し、該積層基板に対していわゆるサブトラクティブ法又はセミアディティブ法により配線パターンを形成することが従来から行われてきた。いずれの方法も金属膜の表面にフォトレジスト印刷・露光・現像を行うか、あるいはドライフィルムレジストラミネート・露光・現像を行って配線パターンが形成されるが、サブトラクティブ法は、レジストで覆われていない金属膜をエッチングにより除去して配線回路基板を製造する方法であり、一方、セミアディティブ法は、レジストに覆われていない箇所の金属膜の表面に更に金属膜を付着させて配線としての膜厚を確保した後に、不要な金属膜を除去して配線回路基板を製造する方法である。 In the production of such a flexible printed circuit board, a metal substrate is laminated on an organic resin film to produce a laminated substrate, and a wiring pattern is formed on the laminated substrate by a so-called subtractive method or semi-additive method. Has been done since. In either method, a photoresist pattern is printed, exposed, and developed on the surface of the metal film, or a dry film resist is laminated, exposed, and developed to form a wiring pattern. However, the subtractive method is covered with a resist. This is a method of manufacturing a printed circuit board by removing an unremoved metal film by etching. On the other hand, the semi-additive method is a film as a wiring by further attaching a metal film to the surface of a metal film at a location not covered with a resist. In this method, after securing the thickness, an unnecessary metal film is removed to manufacture a printed circuit board.
ところで、上記フレキシブルプリント基板の積層基板では、これまでは有機樹脂フィルムの片面にのみ金属膜を形成した片面積層基板が中心であったが、電子回路のより小型化、高速化の要求に伴って、有機樹脂フィルムの両面に金属膜を形成した両面積層基板が試みられている。かかる両面積層基板では、一方の面を回路として使用し、他方の面は放熱に利用したり、両面とも回路として利用したりすることが可能となる。更に、複数の金属膜を積層してなる多層回路を片面若しくは両面に備えた両面積層基板を有機樹脂フィルムにおいて実現する試みがなされている。 By the way, in the laminated substrate of the flexible printed circuit board, until now, the single area layer substrate in which the metal film is formed only on one side of the organic resin film has been the center, but with the demand for smaller and faster electronic circuits. An attempt has been made to use a double-sided laminated substrate in which metal films are formed on both sides of an organic resin film. In such a double-sided laminated substrate, one surface can be used as a circuit, and the other surface can be used for heat dissipation, or both surfaces can be used as a circuit. Furthermore, an attempt has been made to realize a double-sided laminated substrate provided with a multilayer circuit formed by laminating a plurality of metal films on one side or both sides in an organic resin film.
このような両面積層基板を効率良く作製する方法としては、例えば、特許文献1に示すように、有機樹脂フィルムをロール・ツー・ロールで搬送しながら連続的に両面積層基板を製造する方法が開示されている。しかし、この方法は、有機樹脂フィルムに対して金属箔を熱圧着で貼付するものであるため、前述したフレキシブルプリント基板の狭ピッチ化と高い信頼性とを両立させることは困難であった。
As a method for efficiently producing such a double-sided laminated substrate, for example, as shown in
そこで、金属箔の熱圧着に代えて、いわゆるメタライジング法を用いてロール・ツー・ロールで搬送される有機樹脂フィルム上に金属膜を成膜することにより、効率良く両面積層基板を作製することが考えられる。ここにおいては、非金属基材の表面に、物理的成膜法や化学的成膜法等の乾式めっき法により金属膜を成膜する方法をメタライジング法と称している。近年、メタライジング法は、装飾品からフレシキブルプリント基板などの電子機器部品まで幅広く利用されており、狭ピッチ化と高い信頼性とを両立させることが可能な技術として期待されている。 Therefore, instead of thermocompression bonding of metal foil, a double-sided laminated substrate can be efficiently produced by forming a metal film on an organic resin film conveyed by roll-to-roll using a so-called metalizing method. Can be considered. Here, a method of forming a metal film on the surface of a nonmetallic substrate by a dry plating method such as a physical film forming method or a chemical film forming method is referred to as a metalizing method. In recent years, the metallizing method has been widely used from decorative items to electronic device parts such as flexible printed boards, and is expected as a technology capable of achieving both a narrow pitch and high reliability.
このような、メタライジング法を用いて有機樹脂フィルムの片面に金属膜を成膜する技術は従来から知られており、例えば特許文献2には、真空蒸着法又はスパッタリング法を用いてフィルムの片面にコーティング材を成膜することによって、フィルム層とコーティング層との2層からなる2層積層基板を作製する技術が開示されている。
Such a technique for forming a metal film on one side of an organic resin film using a metalizing method has been conventionally known. For example,
また、高い信頼性を確保しつつ狭ピッチ化に対応するため、ポリイミドフィルムなどの有機樹脂フィルムの表面にスパッタリングや蒸着等の乾式めっき法によりニッケル、クロム等の下地金属層を設け、該下地金属層の上に乾式めっき法により銅薄膜層を設けて薄膜積層基板を製造し、更に、この銅薄膜層の表面に電解銅めっきを施すことによって、接着剤や熱圧着を用いずに高い接着力を有する2層積層基板を作製する方法が用いられるようになってきている。 In order to cope with narrow pitch while ensuring high reliability, a base metal layer such as nickel or chromium is provided on the surface of an organic resin film such as a polyimide film by a dry plating method such as sputtering or vapor deposition. A copper thin film layer is provided on the layer by a dry plating method to produce a thin film laminated substrate. Further, by applying electrolytic copper plating to the surface of the copper thin film layer, high adhesive strength is obtained without using an adhesive or thermocompression bonding. A method of manufacturing a two-layer laminated substrate having a material has been used.
しかしながら、ロール・ツー・ロールで搬送される有機樹脂フィルムに、メタライジング法で両面に成膜する場合は、物理的成膜法及び化学的成膜法のいずれの方法であっても、減圧雰囲気下で成膜された直後に巻取ロールで有機樹脂フィルムの巻き取りが行われるため、一方の面に第1の金属膜を形成した後、他方の面に第2の金属膜を形成して巻き取りを行う際、金属膜同士が接触することになる。このとき、巻き取り圧が高かったり、金属膜に小さな突起があったり、金属膜の表面温度が高かったりといった状況になると、新規に成膜した金属膜の表面と先に成膜された金属面の表面とがくっついてしまうという不具合が生じることがあった。 However, when the film is formed on both sides by the metalizing method on the organic resin film conveyed by roll-to-roll, the reduced pressure atmosphere can be used regardless of the physical film forming method or the chemical film forming method. Since the organic resin film is taken up by the take-up roll immediately after the film is formed below, after forming the first metal film on one surface, the second metal film is formed on the other surface. When the winding is performed, the metal films come into contact with each other. At this time, if the winding pressure is high, the metal film has small protrusions, or the surface temperature of the metal film is high, the surface of the newly formed metal film and the previously formed metal surface In some cases, the surface of the glass sticks to the surface.
また、第2の金属膜の成膜時は、冷却用キャンロールの金属製表面に第1の金属膜の表面が直に接触することになるため、第1の金属膜の成膜の際に比べて滑りが悪くなって、有機樹脂フィルムにしわが発生し易くなるという問題があった。すなわち、メタライジング法においては、有機樹脂フィルムの温度が上昇するため、これに応じて伸びる有機樹脂フィルムを冷却用キャンロールの表面上において適度に滑らせることができなければ、有機樹脂フィルムにしわが発生していた。 In addition, when the second metal film is formed, the surface of the first metal film is in direct contact with the metal surface of the cooling can roll. As compared with this, there was a problem that slipping was worse and wrinkles were likely to occur in the organic resin film. That is, in the metalizing method, since the temperature of the organic resin film rises, the organic resin film is wrinkled unless the organic resin film stretched accordingly can be appropriately slid on the surface of the cooling can roll. It has occurred.
これらの問題は、比較的融点が低く、結晶成長しやすく、柔らかい金属である、銅或いは銅合金の金属膜を成膜する場合に特に顕著であった。そのため、巻き取り時の張力を極めて低い範囲でコントロールしたり、成膜時の温度の上昇を抑制したり、有機樹脂フィルムを巻き取る際に合紙を第1の金属膜と第2の金属膜との間に挟み込んで、金属膜同士が接触することを防止したりするなどの対策が取られていた。 These problems are particularly remarkable when a metal film of copper or copper alloy, which is a soft metal having a relatively low melting point and is easy to grow crystals, is formed. Therefore, the tension at the time of winding is controlled in a very low range, the rise in temperature at the time of film formation is suppressed, or the interleaf is made up of the first metal film and the second metal film when winding the organic resin film. In order to prevent the metal films from coming into contact with each other, measures have been taken.
しかし、これらの対策では、ロール状に巻き取られる有機樹脂フィルムに巻ズレが発生したり、生産効率が低下したりといった問題や、合紙を用いるための新たな機構が必要となるので装置が複雑になるといった問題が新たに生じていた。また、合紙は何度か繰り返して使用することができるものの、コストアップ要因となるうえ、合紙の品質管理が必要となる、といった操業上の問題点もあった。 However, these measures require problems such as winding misalignment in the organic resin film wound up in a roll shape and a decrease in production efficiency, and a new mechanism for using slip sheets. There was a new problem of complication. In addition, although the slip sheet can be used several times, there are operational problems such as cost increase and quality control of the slip sheet.
本発明は、上記した従来の事情に鑑み、ロール・ツー・ロールで搬送される有機樹脂フィルムの両面にメタライジング法を用いて金属膜を成膜しても、両面積層基板の生産効率を低下させることなく、第1の金属膜の表面と第2の金属膜の表面とがくっつく不具合や、しわが生じる不具合等を防ぐことができる成膜方法を提案することを目的としている。 In view of the above-described conventional circumstances, the present invention reduces the production efficiency of a double-sided laminated substrate even if a metal film is formed on both sides of an organic resin film conveyed by roll-to-roll using a metalizing method. It is an object of the present invention to propose a film forming method that can prevent a problem that the surface of the first metal film and the surface of the second metal film stick together, a problem that wrinkles occur, and the like.
上記目的を達成するため、本発明が提供する成膜方法は、減圧雰囲気下においてロール・ツー・ロールで搬送される有機樹脂フィルムの両面に金属膜を成膜する両面積層基板の成膜方法であって、前記有機樹脂フィルムの一方の面に乾式めっき法により第1の金属膜を成膜し、前記第1の金属膜の表面に乾式表面処理により酸化膜を形成した後、前記有機樹脂フィルムの他方の面に乾式めっき法により第2の金属膜を成膜することを特徴としている。 In order to achieve the above object, the film forming method provided by the present invention is a method for forming a double-sided laminated substrate in which a metal film is formed on both sides of an organic resin film conveyed by a roll-to-roll under a reduced pressure atmosphere. Then, after forming a first metal film on one surface of the organic resin film by a dry plating method and forming an oxide film on the surface of the first metal film by a dry surface treatment, the organic resin film A second metal film is formed on the other surface by dry plating.
また、本発明が提供する成膜装置は、減圧雰囲気下においてロール・ツー・ロールで搬送される有機樹脂フィルムの片面に、乾式めっき法により金属膜を成膜する成膜手段を備えたロール・ツー・ロール成膜装置であって、前記有機樹脂フィルムの搬送経路に沿った位置であってかつ搬送方向に関して前記成膜手段より後方に、前記金属膜の表面に酸化膜を形成する乾式表面処理手段を備えていることを特徴としている。 Further, the film forming apparatus provided by the present invention is a roll equipped with a film forming means for forming a metal film by dry plating on one side of an organic resin film conveyed by a roll-to-roll under a reduced pressure atmosphere. A two-roll film forming apparatus, a dry surface treatment for forming an oxide film on the surface of the metal film at a position along the transport path of the organic resin film and behind the film forming means in the transport direction It is characterized by having means.
本発明によれば、金属膜同士のくっつきやしわの発生等の不具合のない両面積層基板を、生産効率を下げることなく製造することが可能となるので、高い信頼性を確保しつつ狭ピッチ化に対応したフレキシブルプリント基板を提供することが可能となる。 According to the present invention, it is possible to manufacture a double-sided laminated substrate that is free from defects such as sticking of metal films and generation of wrinkles without lowering the production efficiency, so a narrow pitch is ensured while ensuring high reliability. It is possible to provide a flexible printed circuit board corresponding to the above.
本発明の成膜方法は、減圧雰囲気下においてロール・ツー・ロールで搬送される有機樹脂フィルムの一方の面に乾式めっき法により第1の金属膜を成膜し、この第1の金属膜の表面に乾式表面処理により酸化膜を形成した後、有機樹脂フィルムの他方の面に乾式めっき法により第2の金属膜を成膜することを特徴としている。 In the film forming method of the present invention, a first metal film is formed on one surface of an organic resin film conveyed by a roll-to-roll under a reduced-pressure atmosphere by a dry plating method. An oxide film is formed on the surface by dry surface treatment, and then a second metal film is formed on the other surface of the organic resin film by a dry plating method.
第1の金属膜の表面に酸化膜を形成することによって、第1の金属膜の表面を不活性化することができるので、第2の金属膜を成膜する際に、巻き取り圧が高かったり、金属膜に小さな突起があったり、金属膜の表面温度が高かったりといった状況が生じていても、これらを一切考慮することなく、しわの発生や金属膜同士のくっつきといった問題を回避することができる。これにより、ロール・ツー・ロールで搬送される有機樹脂フィルムの両面に平滑な金属膜を成膜することできる。 Since the surface of the first metal film can be inactivated by forming an oxide film on the surface of the first metal film, the winding pressure is high when forming the second metal film. Even if there is a situation where the metal film has small protrusions or the surface temperature of the metal film is high, avoiding problems such as wrinkles and sticking of metal films without considering them at all Can do. Thereby, a smooth metal film can be formed on both surfaces of the organic resin film conveyed by roll-to-roll.
次に、本発明による成膜方法の一具体例を図1を参照しながら説明する。図1は、かかる成膜方法の一具体例を実現するためのロール・ツー・ロール成膜装置を正面からみたときの概要図である。 Next, a specific example of the film forming method according to the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 1 is a schematic view of a roll-to-roll film forming apparatus for realizing a specific example of such a film forming method as viewed from the front.
図1に示すロール・ツー・ロール成膜装置は、その構成部品のほとんどを収納した直方体状の真空容器1を備えている。この真空容器1は、10−4Pa〜1Paの範囲に減圧された状態を保持できるのであればその形状は問わず、円筒状であっても良い。真空容器1内は、巻出室2、成膜室3、及び巻取室4からなる3つのゾーンに分かれている。これら3つのゾーンは、冷却用キャンロール12及び隔壁5で互いに隔離されており、それぞれ独立の真空排気系(図示せず)により圧力制御可能となっている。
The roll-to-roll film forming apparatus shown in FIG. 1 includes a rectangular
巻出室2には、ロール状に巻回された有機樹脂フィルムFを巻き出す巻出ロール6、及び有機樹脂フィルムFの成膜前の表面を乾式処理する成膜前乾式表面処理手段10が設けられている。成膜室3には、成膜手段13a、13bが冷却用キャンロール12に対向する位置に設けられている。巻取室4には、巻取ロール9、及び金属膜の表面に酸化膜を形成する成膜後乾式表面処理手段11が設けられている。
In the unwinding
また、巻出ロール6から冷却用キャンロール12に至る搬送経路には、巻出側ガイドロール7a及び巻出側テンションロール8aが設けられており、冷却用キャンロール12から巻取ロール9に至る搬送経路には、巻取側テンションロール8b及び巻取側ガイドロール7bが設けられている。また、冷却用キャンロール12の内部には、真空容器1の外部から供給される冷媒が循環している。
In addition, an unwinding
上記構造のロール・ツー・ロール成膜装置により、有機樹脂フィルムFは、巻出ロール6より巻き出され、巻出側ガイドロール7aにより導かれて成膜前乾式表面処理手段10にて片側表面に改質を受け、巻出側テンションロール8aによりテンションをコントロールされて冷却キャンロール12の外周表面に沿って接触しながら搬送される。有機樹脂フィルムFは、冷却用キャンロール12の表面に接触している間に、その接触している領域の反対側の面に成膜手段13a、13bによって第1の金属膜が成膜される。このとき、有機樹脂フィルムFは冷却用キャンロール12で冷却されるので、スパッタリング等の成膜工程による温度ダメージを抑えることができる。第1の金属膜が成膜された有機樹脂フィルムFは、巻取側テンションロール8bを経た後、成膜後乾式表面処理手段11にて第1の金属膜の表面に酸化膜(銅酸化膜)が形成される。その後、巻取側ガイドロール7bを経て、巻取ロール9で巻き取られる。
The organic resin film F is unwound from the unwinding
以上の操作で、有機樹脂フィルムFの一方の面に第1の金属膜が形成された片面積層基板が得られる。次に、ロール状に巻回されている該片面積層基板をロール・ツー・ロール成膜装置の巻取ロール9から取り外し、第1の金属膜が成膜されていない他方の面に第2の金属膜を成膜できるようにロール・ツー・ロール成膜装置の巻出ロール6にセットする。以降は、上記と同様に操作して第2の金属膜を成膜し、ロール状に巻回された両面積層基板を得ることができる。尚、第2の金属膜の表面には酸化膜を成膜する必要がないので、第2の金属膜の成膜の際には成膜後乾式表面処理手段11の起動を停止する。
With the above operation, a single area layer substrate in which the first metal film is formed on one surface of the organic resin film F is obtained. Next, the single area layer substrate wound in a roll shape is removed from the winding
上記方法で形成された酸化膜は、次工程に入る前に除去される。例えば、次工程で有機樹脂フィルムFの両面に電解銅めっきを施す場合は、その電解銅めっき処理前に当該酸化膜を除去する。この酸化膜の除去は、1〜5%程度の希薄な希硫酸や過硫酸ナトリウムを用いて行うのが好ましい。尚、次工程で電解銅めっきを施す場合は、銅のめっき浴が硫酸酸性であることから、酸化膜除去後に水洗処理を行う必要はない。 The oxide film formed by the above method is removed before entering the next step. For example, when performing electrolytic copper plating on both surfaces of the organic resin film F in the next step, the oxide film is removed before the electrolytic copper plating treatment. The removal of the oxide film is preferably performed using dilute dilute sulfuric acid or sodium persulfate of about 1 to 5%. In addition, when performing electrolytic copper plating in the next process, since the copper plating bath is sulfuric acid acid, it is not necessary to perform the water washing process after oxide film removal.
次に、成膜手段13a、13b及び成膜後乾式表面処理手段11についてより詳細に説明する。成膜手段13a、13bは、乾式めっき法を用いたメタライジング法により有機樹脂フィルムFの片面に金属膜を成膜するものである。メタライジング法による成膜方法には、真空蒸着法、スパッタリング法等の物理的成膜法、化学的気相成長法(CVD)等の化学的成膜法がある。具体的に説明すると、真空蒸着法は、抵抗加熱や電子銃照射により蒸発源の成膜材料を加熱蒸発させ、基材上に薄膜を形成する方法である。蒸着の際に、薄膜の密着性、緻密化を目的として、蒸発源と基材の間にプラズマを形成するプラズマアシスト蒸着法も知られている。 Next, the film forming means 13a and 13b and the post-deposition dry surface treatment means 11 will be described in more detail. The film forming means 13a and 13b are for forming a metal film on one surface of the organic resin film F by a metalizing method using a dry plating method. As a film forming method by the metalizing method, there are a physical film forming method such as a vacuum deposition method and a sputtering method, and a chemical film forming method such as a chemical vapor deposition method (CVD). More specifically, the vacuum deposition method is a method of forming a thin film on a substrate by heating and evaporating a film forming material of an evaporation source by resistance heating or electron gun irradiation. A plasma-assisted vapor deposition method is also known in which plasma is formed between an evaporation source and a substrate for the purpose of adhesion and densification of a thin film during vapor deposition.
また、スパッタリング法は、成膜材料をプレート状に成形したターゲットを用い、このターゲットを放電用電極として上記プラズマ発生方法を用いて基材とターゲットの間にプラズマを発生させ、電位勾配を用いてターゲット表面にイオンを照射衝突させることによって、ターゲット物質を叩き出して基材上にターゲット物質の薄膜を形成する方法である。一方、化学的気相成長法(CVD)は、基材近傍に無機若しくは有機又はこれらの混合物を原料ガスとして気化導入し、加熱やプラズマを用いて化学反応させることによって、基材上に薄膜を形成する方法である。プラズマを用いた場合、スパッタリングと同様の装置構成を用いることも可能である。 In addition, the sputtering method uses a target obtained by forming a film forming material into a plate shape, generates plasma between the substrate and the target using the plasma generation method using the target as a discharge electrode, and uses a potential gradient. In this method, a target material is knocked out by irradiating and colliding ions with a target surface to form a thin film of the target material on a substrate. On the other hand, in chemical vapor deposition (CVD), a thin film is formed on a substrate by vaporizing and introducing inorganic or organic or a mixture thereof as a raw material gas in the vicinity of the substrate and causing a chemical reaction using heating or plasma. It is a method of forming. When plasma is used, an apparatus configuration similar to sputtering can be used.
上記の成膜手段のいずれにおいても、成膜の際にプラズマを用いることによって薄膜の密着性や緻密化に効果があることが確認されている。すなわち、薄膜形成の際にプラズマを用いることによって、ガスバリヤーフィルムでは気体遮断性が向上し、反射防止フィルムでは光学特性が改善し、また薄膜積層基板では下地金属層と有機樹脂フィルムとの密着性が向上する。 In any of the above film forming means, it has been confirmed that the use of plasma during film formation has an effect on adhesion and densification of the thin film. That is, by using plasma during thin film formation, the gas barrier film improves the gas barrier property, the antireflection film improves the optical characteristics, and the thin metal laminated substrate adheres between the underlying metal layer and the organic resin film. Will improve.
尚、プラズマの形成は、放電用の電極を成膜室3内に設置して、これに直流又は交流の電圧を印加したり、導波管を用いてマイクロ波を任意の場所に照射したりすることによって形成できる。
The plasma is formed by installing a discharge electrode in the
上記成膜手段13a、13bにより成膜する金属膜の材質や膜厚は、その用途に応じて適宜定めることができる。例えば、下地金属層と、この下地金属層の上に設ける銅薄膜層と、更に銅薄膜層の表面に電解銅めっきを行うことによって2層積層基板を作製する場合は、下地金属層に、ニッケル又はニッケル合金、クロム又はクロム合金など2層積層基板として公知の金属を用いることができる。図1は、成膜手段13aに下地金属層を形成するニッケルクロム合金のスパッタリングターゲットを備えたスパッタリングカソードを、成膜手段13bに銅薄膜層を形成する銅スパッタリングターゲットを備えたスパッタリングカソードを採用したときの例を示している。
The material and thickness of the metal film formed by the film forming means 13a and 13b can be appropriately determined according to the application. For example, in the case of producing a two-layer laminated substrate by performing electrolytic copper plating on the surface of the base metal layer, the copper thin film layer provided on the base metal layer, and the copper thin film layer, nickel Alternatively, a known metal can be used as the two-layer laminated substrate such as nickel alloy, chromium, or chromium alloy. In FIG. 1, a sputtering cathode having a nickel chromium alloy sputtering target for forming a base metal layer is formed on the
下地金属層の膜厚は7nm〜50nmが好ましく、銅薄膜層の膜厚は50nm〜500nmが好ましい。更に電解銅めっきを施して銅膜厚6μm以上の2層積層基板となる。尚、乾式めっき法により膜厚6μmの銅薄膜層を成膜することができるのであれば、電解銅めっきは不要となる。下地金属層と銅薄膜層の膜厚は、有機樹脂フィルムFの搬送速度やスパッタリングカソードへの投入電力を適宜調整して定めることができる。尚、本発明においては、乾式めっき法を用いた成膜手段13a、13bで成膜される下地金属層や銅薄膜層等の金属層をまとめて金属膜と称している。 The film thickness of the base metal layer is preferably 7 nm to 50 nm, and the film thickness of the copper thin film layer is preferably 50 nm to 500 nm. Further, electrolytic copper plating is performed to form a two-layer laminated substrate having a copper film thickness of 6 μm or more. If a copper thin film layer having a film thickness of 6 μm can be formed by a dry plating method, electrolytic copper plating is not necessary. The film thicknesses of the base metal layer and the copper thin film layer can be determined by appropriately adjusting the conveyance speed of the organic resin film F and the input power to the sputtering cathode. In the present invention, metal layers such as a base metal layer and a copper thin film layer formed by the film forming means 13a and 13b using a dry plating method are collectively referred to as a metal film.
成膜後乾式表面処理手段11は、成膜手段13a、13bにて成膜された金属膜の表面に乾式表面処理を施して酸化膜を形成するものである。この乾式表面処理により、成膜後のフレッシュな金属薄膜の活性を抑制することができる。 The post-deposition dry surface treatment means 11 performs dry surface treatment on the surface of the metal film formed by the film formation means 13a and 13b to form an oxide film. By this dry surface treatment, the activity of a fresh metal thin film after film formation can be suppressed.
すなわち、第1の金属膜を成膜した後、酸化膜を形成することなく有機樹脂フィルムFを巻き取った場合は、第2の金属膜を成膜する際に、冷却用キャンロール12の金属製表面に第1の金属膜が直に接することになるため、フレッシュな状態にある第1の金属膜の表面活性によって、有機樹脂フィルムFにしわ等の不具合が発生しやすくなる。更に、第2の金属膜が成膜されて、巻取ロール9にロール状に巻き取られる際、有機樹脂フィルムFの表裏面にそれぞれ形成されている第1及び第2の金属膜同士が接触することになる。このとき、巻き取り圧が高かったり、金属膜に小さな突起があったり、金属膜の表面温度が高かったりといった状況にあると、フレッシュな状態にある第1の金属膜の表面活性のため、上述の第1及び第2の金属膜同士のくっつきが発生する。
That is, when the organic resin film F is wound up without forming an oxide film after forming the first metal film, the metal of the cooling can roll 12 is formed when forming the second metal film. Since the first metal film is in direct contact with the surface to be manufactured, defects such as wrinkles are likely to occur in the organic resin film F due to the surface activity of the first metal film in a fresh state. Further, when the second metal film is formed and wound around the take-
このような、第1及び第2の金属膜同士のくっつきが発生した場合には、膜の破損に繋がる。目視では確認できないが、第1及び第2の金属膜同士のくっつきに起因するピンホールが発生した場合、次工程で銅薄膜層に電解銅めっきを施して得られる2層積層基板ではピンホール等の不具合を生じることがあり、結果的に歩留まりの低下や、品質面での問題発生に繋がりかねない。 When such sticking between the first and second metal films occurs, the film is damaged. Although it cannot be confirmed by visual observation, if a pinhole due to the adhesion between the first and second metal films occurs, a pinhole or the like in the two-layer laminated substrate obtained by subjecting the copper thin film layer to electrolytic copper plating in the next step May result in a decrease in yield and quality problems.
これに対して、第1の金属膜表面に成膜後乾式表面処理である酸化処理を施した場合は、酸化膜が形成されて、第1の金属膜表面を不活性な状態にすることができる。これにより、第1及び第2の金属膜同士のくっつきをなくすとともに、冷却用キャンロール12と有機樹脂フィルムFとが酸化膜を介して接触することになるため、有機樹脂フィルムFの伸びに対して、冷却用キャンロール12上で有機樹脂フィルムFが滑りやすくなって、有機樹脂フィルムFのしわの発生が回避される。 On the other hand, when the first metal film surface is subjected to an oxidation treatment, which is a dry surface treatment after film formation, an oxide film is formed and the first metal film surface may be in an inactive state. it can. This eliminates sticking between the first and second metal films, and the cooling can roll 12 and the organic resin film F come into contact with each other through the oxide film. Thus, the organic resin film F becomes slippery on the cooling can roll 12, and the generation of wrinkles of the organic resin film F is avoided.
第1の金属膜の表面酸化を施す成膜後乾式表面処理の具体的な方法としては、プラズマを用いるプラズマ処理法や、イオン源を用いて有機樹脂フィルムFにイオンビームを照射する方法があるが、イオン源を用いる方がより好ましい。プラズマ処理の場合は、処理雰囲気が酸素ガスを主としたガスであるうえ、プラズマの存在する空間領域が広くなることから、酸素を極力遮断する必要がある隣接した成膜室3への酸素等の流出を防止するために、差動排気設備などを設けて十二分な遮蔽を行う必要があり、装置が複雑になるからである。
Specific methods of post-deposition dry surface treatment for surface oxidation of the first metal film include a plasma treatment method using plasma and a method of irradiating the organic resin film F with an ion beam using an ion source. However, it is more preferable to use an ion source. In the case of plasma treatment, the treatment atmosphere is mainly oxygen gas, and the space area in which the plasma exists is widened. Therefore, oxygen to the adjacent
これに対して、イオン源を用いる場合は、強い磁場を印加した磁場ギャップでプラズマ放電を発生させて、プラズマ中の陽イオンを陽極による電解でイオンビームとして照射するものであるため、処理領域を限定することができ、プラズマ処理に比べると酸素等の空間的な広がりを少なくすることができる。よって、隣接する成膜室3への酸素の遮蔽を簡易にすることが可能となる。尚、図1は、成膜後乾式表面処理手段11としてイオン源を採用したときの例を示している。
On the other hand, when using an ion source, a plasma discharge is generated in a magnetic field gap to which a strong magnetic field is applied, and cations in the plasma are irradiated as an ion beam by electrolysis with an anode. It can be limited, and the spatial spread of oxygen or the like can be reduced as compared with the plasma treatment. Therefore, it is possible to simplify the shielding of oxygen to the adjacent
イオン源を用いる際の条件は、巻取室4の雰囲気圧力0.1Pa〜0.2Pa、酸素、水蒸気、二酸化炭素、又は一酸化炭素を50%〜100%含有(残りはアルゴンガス)し、イオン源には電圧0.5KVを投入すれば良い。このように、成膜後乾式表面処理の雰囲気は、酸素、水蒸気、二酸化炭素、又は一酸化炭素から選択されるいずれかを含有することが好ましい。なぜなら、酸素、水蒸気、二酸化炭素、又は一酸化炭素は酸素源となり、金属薄膜の表面に酸化物を形成できるからである。
The conditions for using the ion source are as follows: the atmospheric pressure of the winding
成膜後乾式表面処理をプラズマ処理で行う場合は、イオン源の代わりにプラズマ処理用の電極を設置し、当該電極に電位1KV〜3KVを印加し、雰囲気圧力0.1Pa〜0.2Paとし、雰囲気には酸素、水蒸気、二酸化炭素、又は一酸化炭素を50%〜100%含有(残りはアルゴンガス)すれば良い。このようなプラズマ処理を行う場合の例を図2に示している。尚、図2では、成膜前乾式表面処理手段及び成膜後乾式表面処理手段として、それぞれプラズマ処理装置110、111を使用していることに加えて、成膜室3が巻出室2と巻取室4の間に配置されており、これらが隔壁5及び巻出側及び巻取側補助ガイドロール14a、14bによって隔離されていることが、図1と異なっている。
When performing dry surface treatment by plasma treatment after film formation, an electrode for plasma treatment is installed instead of an ion source, a potential of 1 KV to 3 KV is applied to the electrode, and an atmospheric pressure is set to 0.1 Pa to 0.2 Pa. The atmosphere may contain 50% to 100% of oxygen, water vapor, carbon dioxide, or carbon monoxide (the remainder is argon gas). An example in which such plasma processing is performed is shown in FIG. In FIG. 2, in addition to using the
これら成膜後乾式表面処理手段11、111により形成する酸化膜の厚みとしては、2nm〜第1の金属膜の膜厚の1/2であることが好ましい。酸化膜の膜厚が、第1の金属膜の膜厚の1/2より厚くなった場合は、両面積層基板作製後に行われる次工程、例えば、前述したサブトラクティブ法又はセミアディティブ法による配線パターン形成工程或いは他の電解銅めっき処理工程の前処理において、除去されるべき酸化膜の膜厚が厚くなり、経済的に不利になる。一方、酸化膜の厚みが2nm未満となった場合には、酸化膜としては不完全であり、くっつきの発生するケースが見受けられる。経済性及びくっつき防止の効果を考えた場合、酸化膜の厚みは2nm〜10nmがより好ましい。 The thickness of the oxide film formed by these dry surface treatment means 11 and 111 after film formation is preferably 2 nm to 1/2 the film thickness of the first metal film. When the film thickness of the oxide film is larger than ½ of the film thickness of the first metal film, the next step performed after the double-sided laminated substrate is manufactured, for example, the wiring pattern by the subtractive method or the semi-additive method described above In the pretreatment of the forming process or other electrolytic copper plating process, the thickness of the oxide film to be removed becomes thick, which is economically disadvantageous. On the other hand, when the thickness of the oxide film is less than 2 nm, the oxide film is incomplete and sticking occurs. When considering the effect of economy and sticking prevention, the thickness of the oxide film is more preferably 2 nm to 10 nm.
上記乾式表面処理は、金属膜の成膜前の有機樹脂フィルムに対して行っても良い。すなわち、図1及び図2に示すように、成膜前乾式表面処理手段10、110において、プラズマ処理装置又はイオン源を用いて成膜前乾式表面処理を行っても良い。これらの処理を行うことにより、有機樹脂フィルムの表面が改質され、密着性が改善する。尚、具体的な成膜前乾式表面処理の処理条件は、目的に応じて適宜公知の条件に従えば良い。また、成膜前乾式表面処理と成膜後乾式表面処理は、互いに異なるタイプの乾式表面処理であっても良い。 The dry surface treatment may be performed on the organic resin film before forming the metal film. That is, as shown in FIGS. 1 and 2, the pre-deposition dry surface treatment means 10 and 110 may perform pre-deposition dry surface treatment using a plasma processing apparatus or an ion source. By performing these treatments, the surface of the organic resin film is modified and adhesion is improved. Specific processing conditions for the dry surface treatment before film formation may be appropriately determined according to the purpose. Further, the dry surface treatment before film formation and the dry surface treatment after film formation may be different types of dry surface treatment.
次に、本発明による成膜方法の他の具体例を図3を参照しながら説明する。図3は、かかる成膜方法の他の具体例を実現するためのロール・ツー・ロール成膜装置を正面からみたときの概要図である。 Next, another specific example of the film forming method according to the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 3 is a schematic view of a roll-to-roll film forming apparatus for realizing another specific example of the film forming method as viewed from the front.
図3に示すロール・ツー・ロール成膜装置も、図1や図2のロール・ツー・ロール成膜装置と同様に、ほとんどの構成部品が真空容器201に収納されているが、巻出室202、第1成膜室203a−1、第2成膜室203a−2、第3成膜室203b、前処理室203c、及び巻取室204からなる6つのゾーンに区分されていることを特徴としている。これら6つのゾーンも、図1や図2のロール・ツー・ロール成膜装置と同様に、冷却用キャンロール212及び隔壁205で隔離されており、それぞれ独立の真空排気系(図示せず)により圧力制御可能となっている。また、冷却用キャンロール212の内部には、真空容器201の外部から供給される冷媒が循環している。
In the roll-to-roll film forming apparatus shown in FIG. 3, most of the components are housed in the
第1成膜室203a−1及び第2成膜室203a−2には、それぞれ成膜手段213a及び成膜手段213bが、冷却用キャンロール212に対向する位置に設けられている。これら成膜手段213a、213bの構成や操作条件、これらにより成膜される金属膜の材質や膜厚については、図1や図2のロール・ツー・ロール成膜装置と同様に定めることができるので説明を省略する。
In the first
巻出室202には、ロール状に巻回された有機樹脂フィルムFを巻き出す巻出ロール206、巻出側ガイドロール207a及び巻出側テンションロール208aが設けられている。また、巻取室204には、巻取ロール209、巻取側テンションロール208b及び巻取側ガイドロール207bが設けられている。図1や図2のロール・ツー・ロール成膜装置では、これら巻出室202及び巻取室204に乾式表面処理手段が設けられていたが、図3に示すロール・ツー・ロール成膜装置は、巻出室202及び巻取室204に乾式表面処理手段が設けられていない。その代わり、以下に説明するように、第3成膜室203b及び前処理室203cに、それぞれ酸化膜成膜処理手段211及び成膜前乾式表面処理手段210が設けられている。
In the unwinding
具体的に説明すると、第3成膜室203bには、冷却用キャンロール212に対向する位置に酸化膜成膜処理手段211が設けられている。この酸化膜成膜処理手段211は、成膜手段213a、213bにて成膜された第1の金属膜の表面に酸化膜成膜処理を施して酸化膜を形成するものである。これにより、前述した図1や図2の乾式表面処理手段11、111と同様に、第1の金属膜の成膜後のフレッシュな金属薄膜の活性を抑制し、第1の金属膜の表面と第2の金属膜の表面とがくっつく不具合や、しわが生じる不具合等を防ぐことができる。
More specifically, in the third
この酸化膜成膜処理手段211には、スパッタ装置を用いることができる。その際、第3成膜室203b内を、酸素、水蒸気、二酸化炭素、又は一酸化炭素から選択されるいずれかを含有し、残りがアルゴンガスからなる雰囲気とすることが好ましい。例えば、アルゴンガスとその他のガスを混合する際の条件として、第3成膜室203bの雰囲気圧力を0.1Pa〜1Paとし、酸素、水蒸気、二酸化炭素、又は一酸化炭素を2%〜15%含有し、残りをアルゴンガスとする。
A sputtering apparatus can be used for the oxide film
このように、スパッタ成膜を行う場合の成膜後乾式表面処理の雰囲気は、酸素、水蒸気、二酸化炭素、又は一酸化炭素から選択されるいずれかを含有することが好ましい。なぜなら、酸素、水蒸気、二酸化炭素、又は一酸化炭素は酸素源となり、金属薄膜の表面に酸化物を形成できるからである。尚、酸化膜成膜処理手段211で成膜する酸化膜の材質や厚みは、前述した成膜後乾式表面処理手段11、111で成膜する場合と同様に定めることができるので説明は省略する。 As described above, the post-deposition dry surface treatment atmosphere in the case of performing the sputter deposition preferably contains any one selected from oxygen, water vapor, carbon dioxide, or carbon monoxide. This is because oxygen, water vapor, carbon dioxide, or carbon monoxide serves as an oxygen source and can form an oxide on the surface of the metal thin film. The material and thickness of the oxide film formed by the oxide film formation processing means 211 can be determined in the same manner as in the case of the film formation by the dry surface treatment means 11 and 111 after the film formation, and the description thereof is omitted. .
次に、前処理室203cに設けられている成膜前乾式表面処理手段210について説明する。成膜前乾式表面処理手段210は、前述した成膜前乾式表面処理手段10、110のように、金属膜の成膜前の有機樹脂フィルムに対して乾式表面処理を行うものである。成膜前乾式表面処理の具体的な方法は、目的に応じて適宜公知の方法を採用すれば良いが、例えば、前処理室203c内に放電電極を設置し、これに直流又は交流の電圧を印加したり、導波管を用いてマイクロ波を任意の場所に照射したりすることによってプラズマの形成を行う方法を挙げることができる。尚、この成膜前乾式表面処理手段210は、後段の第1成膜室203a−1及び第2成膜室203a−2の成膜手段213a及び成膜手段213bにおいて使用するプラズマを形成することもできる。
Next, the pre-deposition dry surface treatment means 210 provided in the
以上説明した構成により、巻出ロール206より巻き出された有機樹脂フィルムFは、巻出側ガイドロール207aに導かれると共に巻出側テンションロール208aによりテンションをコントロールされ、冷却キャンロール212の外周表面に沿って接触しながら搬送される。有機樹脂フィルムFは、冷却用キャンロール212の表面に接触している間に、その接触している領域の反対側の面に成膜手段213a、213bによって第1の金属膜が成膜され、次いで第1の金属膜上に酸化膜成膜処理手段211によって酸化膜が成膜される。
With the configuration described above, the organic resin film F unwound from the unwinding
金属膜が成膜される際、有機樹脂フィルムFは冷却用キャンロール212で冷却されるので、スパッタリング等の成膜工程による温度ダメージを抑えることができる。さらに、酸化膜の成膜も有機樹脂フィルムFが冷却用キャンロール212の表面に接触している間に行われるので、冷却用キャンロール212の表面に接触している有機樹脂フィルムFの面が酸化膜成膜処理手段211によって変質を受けることは無い。 When the metal film is formed, the organic resin film F is cooled by the cooling can roll 212, so that temperature damage due to a film forming process such as sputtering can be suppressed. Further, since the oxide film is formed while the organic resin film F is in contact with the surface of the cooling can roll 212, the surface of the organic resin film F in contact with the surface of the cooling can roll 212 is The oxide film deposition processing means 211 does not undergo alteration.
これら金属膜及び酸化膜が成膜された有機樹脂フィルムFは、巻取側テンションロール208b及び巻取側ガイドロール207bを経て、巻取ロール209で巻き取られる。以上の操作で、有機樹脂フィルムFの一方の面に第1の金属膜が形成された片面積層基板が得られる。以降の操作は、図1や図2のロール・ツー・ロール成膜装置と同様に行うことができるので説明を省略する。このようにして、ロール状に巻回された両面積層基板を得ることができる。
The organic resin film F on which the metal film and the oxide film are formed is taken up by the take-
本発明に使用される有機樹脂フィルムFは、特に限定されるものでなく、公知の樹脂フィルムを使用することができる。例えば、低密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ1−ブテン、ポリ4−メチル−1−ペンテンあるいはエチレン、プロピレン、1−ブテン、4−メチル−1−ペンテン等のα−オレフィン同士のランダムあるいはブロック共重合体等のポリオレフィン、環状オレフィン共重合体など、そしてエチレン・酢酸ビニル共重合体、エチレン・ビニルアルコール共重合体、エチレン・塩化ビニル共重合体等のエチレン・ビニル化合物共重合体、ポリスチレン、アクリロニトリル・スチレン共重合体、ABS、α−メチルスチレン・スチレン共重合体等のスチレン系樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、塩化ビニル・塩化ビニリデン共重合体、ポリアクリル酸メチル、ポリメタクリル酸メチル等のポリビニル化合物、ナイロン6、ナイロン6−6、ナイロン6−10、ナイロン11、ナイロン12等のポリアミド、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等の熱可塑性ポリエステル、ポリカーボネート、ポリフエニレンオキサイド等や、ポリ乳酸など生分解性樹脂、あるいはそれらの混合物のいずれかの樹脂であっても良い。また、ポリイミドやエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂からなるものであっても良い。
The organic resin film F used for this invention is not specifically limited, A well-known resin film can be used. For example, low density polyethylene, high density polyethylene, polypropylene, poly 1-butene, poly 4-methyl-1-pentene, or random α-olefins such as ethylene, propylene, 1-butene, 4-methyl-1-pentene or the like Polyolefins such as block copolymers, cyclic olefin copolymers, etc., ethylene / vinyl acetate copolymers, ethylene / vinyl alcohol copolymers, ethylene / vinyl chloride copolymers such as ethylene / vinyl chloride copolymers, polystyrene , Styrenic resins such as acrylonitrile / styrene copolymer, ABS, α-methylstyrene / styrene copolymer, polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride, vinyl chloride / vinylidene chloride copolymer, polymethyl acrylate, polymethacrylic acid Polyvinyl compounds such as methyl, na
有機樹脂フィルムFの寸法は、特に限定されるものでなく、その用途に応じて適宜定めることができるが、厚さ100μm以下、フィルム長が100m以上であれば好ましい。 The dimensions of the organic resin film F are not particularly limited and can be appropriately determined according to the use, but it is preferable if the thickness is 100 μm or less and the film length is 100 m or more.
以上説明したように、成膜された第1の金属膜表面に酸化膜を設けて不活性化することによって、第2の金属膜を成膜する際に、巻き取り圧が高かったり、金属膜に小さな突起があったり、金属膜の表面温度が高かったりといった状況であっても、これらを一切考慮することなく、しわの発生やくっつきといった問題を回避できる。これにより、有機樹脂フィルムの両面に平滑な金属薄膜をきれいに成膜することできる。更には、ロール状に巻き取られた薄膜積層基板は、表面の薄膜積層基板を除けば、大気中に直接曝されることがなくなるため、薄膜におけるピンホールの発生や密着性の低下等の品質の劣化を抑えることができる。 As described above, an oxide film is provided on the surface of the formed first metal film to inactivate it, so that when the second metal film is formed, the winding pressure is high or the metal film Even if there are small protrusions or the surface temperature of the metal film is high, problems such as wrinkles and sticking can be avoided without considering them at all. Thereby, a smooth metal thin film can be neatly formed on both surfaces of the organic resin film. Furthermore, since the thin film laminated substrate wound up in a roll shape is not directly exposed to the atmosphere except for the thin film laminated substrate on the surface, the quality such as the occurrence of pinholes in the thin film and the decrease in adhesion Can be prevented.
[実施例1]
図1に示すようなイオン源を有するロール・ツー・ロール成膜装置を用いて、両面積層基板を作製した。有機樹脂フィルムFには、厚み38μm、巾50cm、長さ2500mのポリイミドフィルム(東レ・デュポン社製カプトン(登録商標))を用いた。巻取ロール9の直径は8cm、巾は80cmであった。また、有機樹脂フィルムFの搬送速度は6m/分とした。
[Example 1]
A double-sided laminated substrate was produced using a roll-to-roll film forming apparatus having an ion source as shown in FIG. As the organic resin film F, a polyimide film having a thickness of 38 μm, a width of 50 cm, and a length of 2500 m (Kapton (registered trademark) manufactured by Toray DuPont) was used. The winding
成膜手段13aのスパッタリングカソードにはクロム20質量%のニッケルクロム合金ターゲットを備え、成膜手段13bのスパッタリングカソードには銅ターゲットを備えた。これら両スパッタリングカソードとも、マグネトロンスパッタリングカソードとした。
The sputtering cathode of the
ロール・ツー・ロール成膜装置の真空容器1の内部を到達圧力の10−4Paまで減圧した後、成膜室3にアルゴンを導入して0.1Paとなるようにした。巻出室2の雰囲気圧力を0.15Paにして成膜前乾式表面処理手段10としてのイオン源よりイオンビームを照射して有機樹脂フィルムFの表面改質を行った。スパッタリングカソードに電力を投入し、スパッタリングを実施して第1の金属膜を成膜し、更に巻取室4の雰囲気圧力を0.15Paにして成膜後乾式表面処理手段11としてのイオン源よりイオンビームを照射して、第1の金属膜の成膜直後の金属膜表面に酸化膜を形成して不活性化処理を施し、巻取ロール9に有機樹脂フィルムFを巻き取り、第1の金属膜の成膜を終了した。その後、真空容器1をアルゴンガス置換した後、ロール状の有機樹脂フィルムFを取り外した。
The inside of the
成膜前乾式表面処理手段10での表面改質条件は、有機樹脂フィルムFのロット毎に製品特性、特に金属膜の密着強度が変化するために、ロット変更毎に予備試験を行って、改質条件の最適化を行ったうえで処理を実施した。また、成膜後乾式表面処理手段11を用いた銅薄膜層の表面の酸化膜の膜厚は1nmであることを酸化膜の除去前後の膜厚の変化から測定した。 The surface modification conditions in the dry-type surface treatment means 10 before film formation are changed by performing a preliminary test for each lot change because the product characteristics, particularly the adhesion strength of the metal film, change for each lot of the organic resin film F. Processing was performed after quality conditions were optimized. Moreover, it measured from the change of the film thickness before and behind removal of an oxide film that the film thickness of the oxide film on the surface of a copper thin film layer using the dry surface treatment means 11 after film-forming was 1 nm.
一方の面に第1の金属膜が成膜されているロール状の有機樹脂フィルムFを、真空容器1の巻出ロール6にセットし、第1の金属膜の成膜時とは逆に巻き出すことにより、他方の面に第2の金属膜の成膜を開始した。有機樹脂フィルムFの搬送速度、スパッタリングカソードへの電力の投入は、第1の金属膜の成膜時と同じ条件で成膜を行った。成膜前乾式表面処理手段10での表面改質にあたっては、一方の面の表面改質時の80%〜100%の出力でも効果が得られることが経験的に分かっており、幾分処理出力を弱めて処理を施した。また、第2の金属膜の成膜時であることから、成膜後乾式表面処理手段11を用いた乾式表面処理は施さなかった。その結果、巻取ロール9に両面積層基板を巻き取る際、くっつきやしわは確認されなかった。
A roll-shaped organic resin film F having a first metal film formed on one surface is set on the unwinding
[比較例1]
上記実施例1と同じロール・ツー・ロール成膜装置を用い、成膜後乾式表面処理手段11での酸化膜の形成による不活性化処理を行わない以外は上記実施例1と同様にして、有機樹脂フィルムFの一方の面に第1の金属膜の成膜し、他方の面に第2の金属膜を成膜した。このとき、第2の金属膜の成膜の際の有機樹脂フィルムFの搬送速度を種々変化させて不具合の状況を調べた。
[Comparative Example 1]
Using the same roll-to-roll film forming apparatus as in Example 1 above, the same as in Example 1 above, except that after the film formation, the deactivation treatment by the formation of the oxide film in the dry surface treatment means 11 is not performed. A first metal film was formed on one surface of the organic resin film F, and a second metal film was formed on the other surface. At this time, the state of failure was investigated by variously changing the transport speed of the organic resin film F during the formation of the second metal film.
その結果、有機樹脂フィルムFの搬送速度を第1の金属膜の成膜時の1/2の搬送速度で成膜した際には問題なかったが、3/4の搬送速度で搬送した際、部分的にくっつきとしわが発生し、同じ搬送速度で成膜した際には、途中からくっつきが発生し、テンション異常で装置が止まってしまった。すなわち、成膜後乾式表面処理をしない場合の安全な成膜搬送速度は、第1の金属膜の成膜条件の1/2の搬送速度と判断した。 As a result, there was no problem when the organic resin film F was deposited at a transport speed that was 1/2 that of the first metal film, but when transported at a transport speed of 3/4, Partial sticking and wrinkling occurred, and when the film was formed at the same transport speed, sticking occurred halfway and the apparatus stopped due to abnormal tension. That is, it was determined that the safe film formation conveyance speed when the dry surface treatment was not performed after film formation was half the film formation condition of the first metal film.
[実施例2]
図3に示すような酸化膜成膜処理手段211を有するロール・ツー・ロール成膜装置を用いて、両面積層基板を作製した。巻取ロール209は外径17cmであり、巾は80cmであった。尚、使用した有機樹脂フィルムF及びその搬送速度は実施例1と同じとした。また、成膜手段213a及び成膜手段213bには実施例1と同じスパッタリングカソードを備え、酸化膜成膜処理手段211のスパッタカソードには銅ターゲットを備えた。これらスパッタリングカソードは、いずれもマグネトロンスパッタリングカソードとした。
[Example 2]
A double-sided laminated substrate was manufactured using a roll-to-roll film forming apparatus having an oxide film forming processing means 211 as shown in FIG. The winding
ロール・ツー・ロール成膜装置の真空容器201の内部を到達圧力の10−4Paまで減圧した後、第1及び第2成膜室203a−1、203a−2にアルゴンを導入して0.1Paとなるようにした。一方、第3成膜室203bでは酸素5%含むアルゴンを導入し、雰囲気圧力を0.15Paにした。この状態でスパッタリングカソードに電力を投入し、スパッタリングを実施して第1の金属膜を成膜すると共に、表面酸化膜成膜処理手段211により第1の金属膜の成膜直後の金属膜表面に酸化膜を形成して不活性化処理を施した。その後、巻取ロール209に有機樹脂フィルムFを巻き取り、第1の金属膜の成膜を終了した。その後、真空容器201をアルゴンガス置換した後、ロール状の有機樹脂フィルムFを取り外した。
After reducing the inside of the
成膜前乾式表面処理手段210での表面改質条件は、有機樹脂フィルムFのロット毎に製品特性、特に金属膜の密着強度が変化するために、ロット変更毎に予備試験を行って、改質条件の最適化を行ったうえで処理を実施した。また、酸化膜処理手段211を用いた銅薄膜層の表面の酸化膜の膜厚は2nmであることをTEM観察により確認した。 The surface modification conditions in the dry surface treatment means 210 before film formation are changed by performing a preliminary test for each lot change because the product characteristics, particularly the adhesion strength of the metal film, change for each lot of the organic resin film F. Processing was performed after quality conditions were optimized. Further, it was confirmed by TEM observation that the thickness of the oxide film on the surface of the copper thin film layer using the oxide film processing means 211 was 2 nm.
一方の面に第1の金属膜が成膜されているロール状の樹脂フィルムFを、真空容器201の巻出ロール206にセットし、第1の金属膜の成膜時とは逆に巻き出すことにより、他方の面に第2の金属膜の成膜を開始した。樹脂フィルムFの搬送速度、スパッタリングカソードへの電力の投入は、第1の金属膜の成膜時と同じ条件で成膜を行った。成膜前乾式表面処理手段210での表面改質にあたっては、一方の面の表面改質時の80%〜100%の出力でも効果が得られることが経験的に分かっており、幾分処理出力を弱めて処理を施した。また、第2の金属膜の成膜時であることから、酸化膜処理手段211は施さなかった。その結果、巻取ロール209に両面積層基板を巻き取る際、くっつきやしわは確認されなかった。
A roll-shaped resin film F on which the first metal film is formed on one surface is set on the unwinding
[比較例2]
上記実施例2と同じロール・ツー・ロール成膜装置を用い、酸化膜処理手段211での酸化膜の形成による不活性化処理を行わない以外は上記実施例2と同様にして、有機樹脂フィルムFの一方の面に第1の金属膜の成膜し、他方の面に第2の金属膜を成膜した。このとき、第2の金属膜の成膜の際の有機樹脂フィルムFの搬送速度を種々変化させて不具合の状況を調べた。
[Comparative Example 2]
Using the same roll-to-roll film forming apparatus as in Example 2 above, an organic resin film is obtained in the same manner as in Example 2 except that the inactivation process is not performed by forming an oxide film in the oxide
その結果、有機樹脂フィルムFの搬送速度を第1の金属膜の成膜時の1/2の搬送速度で成膜した際には問題なかったが、3/4の搬送速度で搬送した際、部分的にくっつきとしわが発生し、同じ搬送速度で成膜した際には、途中からくっつきが発生し、テンション異常で装置が止まってしまった。すなわち、酸化膜処理手段211をしない場合の安全な成膜搬送速度は、第1の金属膜の成膜条件の1/2の搬送速度と判断した。尚、本比較例2では、有機樹脂フィルムFが冷却用キャンロール212の表面に接触している間に酸化膜の成膜を行ったので、比較例1に比べて有機樹脂フィルムFに生じたしわは小さく、しわの発生頻度も少なかった。
As a result, there was no problem when the organic resin film F was deposited at a transport speed that was 1/2 that of the first metal film, but when transported at a transport speed of 3/4, Partial sticking and wrinkling occurred, and when the film was formed at the same transport speed, sticking occurred halfway and the apparatus stopped due to abnormal tension. That is, it was determined that the safe film forming conveyance speed when the oxide
1、201 真空容器
2、202 巻出室
3 成膜室
203a−1、2 第1、第2成膜室
203b 第3成膜室
203c 前処理室
4、204 巻取室
5、205 隔壁
6、206 巻出ロール
7a、207a 巻出側ガイドロール
7b、207b 巻取側ガイドロール
8a、208a 巻出側テンションロール
8b、208b 巻取側テンションロール
9、209 巻取ロール
10 成膜前乾式表面処理手段(イオン源)
11 成膜後乾式表面処理手段(イオン源)
110 成膜前乾式表面処理手段(プラズマ処理装置)
111 成膜後乾式表面処理手段(プラズマ処理装置)
210 成膜前乾式表面処理手段
211 酸化膜成膜処理手段
12、212 冷却用キャンロール
13a、13b 成膜手段
213a、213b 成膜手段
14a 巻出側補助ガイドロール
14b 巻取側補助ガイドロール
F 有機樹脂フィルム
1, 201
11 Dry surface treatment means (ion source) after film formation
110 Dry surface treatment means (plasma treatment equipment) before film formation
111 Dry surface treatment means (plasma treatment equipment) after film formation
210 Dry surface treatment means before
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