JP2010008842A - 液晶装置、液晶装置の製造方法、及び電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】低電圧で円滑なベンド配向への転移が可能なＯＣＢモードの液晶装置。
【解決手段】互いに対向して配置された第１の基板２１と第２の基板２２とからなる一対の基板と、一対の基板に挟持され、配向状態がスプレイ配向とベンド配向のいずれか一方から他方へと転移する液晶層と、第１の基板２１の液晶層側に形成された第１の電極４３と、第２の基板２２の液晶層側に形成された第２の電極４２と、第１の電極４３を覆う第１の配向膜３３と、第２の電極４２を覆う第２の配向膜３４と、一対の基板間に配置され、光学的異方性を有する高分子１４を含むスペーサ２０と、を備える液晶装置であって、双方の配向膜は同一方向に配向されており、スペーサ２０の表面の少なくとも一部が液晶層３７と接触しており、かつ、該一部近傍における光学的異方性を有する高分子１４が配向膜の配向方向とは異なる方向に配向している液晶装置。
【選択図】図７

Description

本発明は、液晶装置、液晶装置の製造方法、及び電子機器に関する。

液晶装置の一例として、ＯＣＢ（Optically Compensated Birefringence）モードの液晶装置が知られている。ＯＣＢモードの液晶装置は、一対の基板と、この一対の基板の間に封入された液晶層とを有して構成されており、液晶層は、スプレイ配向又はベンド配向のいずれの配向状態をもとり得るように構成される。そして、この液晶層は、初期状態ではスプレイ配向となっており、表示を行う際には、転移電圧を印加することによってベンド配向に転移させて使用する。

ベンド配向への転移を容易に行うための構成として、例えば特許文献１には、軟性高分子を含む高分子スペーサを上記一対の基板間に配置する態様が開示されている。この高分子スペーサの横軸方向の内周に位置する高分子鎖は縦軸方向に配列されるため、かかる態様によれば、該高分子スペーサの周辺にある液晶は該高分子鎖に沿って配向されるため転移核が形成され、該転移核を起点とすることでベンド転移が起こりやすくなる。

特開２００６−２０９０６２号公報

しかし、上記高分子鎖の配向は、もともとはアモルファス状態のものを応力により配向させているものであり、好適な配向状態にはなり得ない。したがって、円滑なベンド配向への転移を行うためには、依然として高電圧が必要になるという課題がある。

本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。

［適用例１］互いに対向して配置された第１の基板と第２の基板とからなる一対の基板と、上記一対の基板に挟持され、配向状態がスプレイ配向とベンド配向のいずれか一方から他方へと転移する液晶層と、上記第１の基板の上記液晶層側に形成された第１の電極と、上記第２の基板の上記液晶層側に形成された第２の電極と、上記第１の電極の上記液晶層側に形成された第１の配向膜と、上記第２の電極の上記液晶層側に形成された第２の配向膜と、上記一対の基板間に配置され、光学的異方性を有する高分子を含有したスペーサと、を備える液晶装置であって、上記第１の配向膜及び上記第２の配向膜は、互いに同一方向に配向処理が施されており、上記スペーサの表面の少なくとも一部が上記液晶層と接触しており、かつ、該一部近傍における上記光学的異方性を有する高分子が上記配向膜の配向方向とは異なる方向に配向していることを特徴とする液晶装置。

このような構成によれば、上述のスペーサの表面の少なくとも一部に接触している液晶層は、上記配向膜の配向方向とは異なる方向に配向される。したがって、該一部近傍の液晶層内に容易に転移核を形成できる。そして、かかる転移核により、上記液晶層を容易にベンド配向へ転移させることができる。

［適用例２］上述の液晶装置であって、上記スペーサは、上記液晶層の厚み方向で該液晶層と接触する露出した表面を有しており、該表面近傍における上記光学的異方性を有する高分子が上記配向膜の配向方向とは異なる方向に配向していることを特徴とする液晶装置。

このような構成によれば、上記露出した表面に接触している液晶層は、上記配向膜の配向方向とは異なる方向により強く配向される。したがって、該一部近傍の液晶層内に、より一層容易に転移核を形成できる。

［適用例３］上述の液晶装置であって、上記光学的異方性を有する高分子は、液晶性モノマーを含有する組成物を重合して得られたものであることを特徴とする液晶装置。

液晶性モノマーは配向処理が容易であり、また、紫外線照射等により確実に高分子化される。したがって、このような構成であれば、液晶装置の信頼性を向上できる。

［適用例４］上述の液晶装置であって、上記一対の基板は、該基板の平面内に、各々が光を射出する複数の画素領域と、隣り合う上記画素領域間を区画する非表示領域と、を含み、上記スペーサは、上記非表示領域内に形成されていることを特徴とする液晶装置。

このような構成によれば、表示品質を損なうことなく、上記転移核を形成できる。

［適用例５］上述の液晶装置であって、上記スペーサは、上記複数の画素領域の各々につき少なくとも１つ形成されていることを特徴とする液晶装置。

このような構成によれば、画素毎に上記転移核を形成できるため、より一層容易にベンド配向への転移を行うことができる。

［適用例６］上述の液晶装置であって、上記スペーサに含有される上記光学的異方性を有する高分子は、上記スペーサと上記第１の配向膜との界面と、上記スペーサと上記第２の配向膜との界面と、のどちらか一方の界面の近傍において上記配向膜の配向方向と略同一の方向に配向しており、かつ、上記第１の配向膜と上記第２の配向膜との間でツイスト配向していることを特徴とする液晶装置。

上述のスプレイ配向の方向は一定であるため、このような構成によれば、該スペーサに含まれる高分子の配向方向が該スプレイ配向の方向と異なる部分を確実に形成できる。したがって、上記転移核を確実に形成できる。
なお、ツイスト配向とは、一対の基板間に挟持された長軸を有する分子が、長軸方向を上記一対の基板に平行に保ちつつ、該一対の基板に垂直な線を中心軸として該一対の基板間でねじれる配向状態をいう。

［適用例７］上述の液晶装置であって、上記ツイスト配向のツイスト角は略１８０度であることを特徴とする液晶装置。

このような構成によれば、上記液晶層の層厚方向における略中間の位置に上記転移核が形成される。したがって、より一層短時間に、かつ、低い転移電圧でベンド配向への転移を行うことができる。

［適用例８］上述の液晶装置であって、上記スペーサに含有される上記光学的異方性を有する高分子は、上記スペーサと上記第１の配向膜との界面と、上記スペーサと上記第２の配向膜との界面と、のどちらか一方の界面の近傍において上記配向膜の配向方向と略同一の方向に配向しており、かつ、上記第１の配向膜と上記第２の配向膜との間でハイブリッド配向していることを特徴とする液晶装置。

上述のスプレイ配向の方向は一定であるため、このような構成によれば、該スペーサに含まれる高分子の配向方向が該スプレイ配向の方向と異なる部分を確実に形成できる。したがって、上記転移核を確実に形成できる。
なお、ハイブリッド配向とは、一対の基板間に挟持された長軸を有する分子が、該長軸の方向が、一方の基板側では該基板に対して平行になり、他方の基板側では該基板に対して垂直になるように配向されている状態をいう。

［適用例９］上述の液晶装置であって、上記第１の配向膜の上記液晶層側の面と上記第２の配向膜の上記液晶層側の面とのどちらか一方の面における上記スペーサが配置されていない領域に、第３の配向膜が更に配置されていることを特徴とする液晶装置。

このような構成であれば、上記配向膜のどちらか一方が、上記スペーサの形成時において機能を低下させた場合においても、新たに積層した上記第３の配向膜で上記液晶層を配向できる。したがってかかる液晶装置であれば、表示品質を損なうことがなくなる。したがってかかる液晶装置であれば、表示品質を損うことなく上記液晶層内に容易に上記転移核を形成でき、短時間、かつ低い転移電圧でベンド配向への転移を行うことができる。

［適用例１０］上述の液晶装置を表示部に備えることを特徴とする電子機器。

このような構成によれば、液晶装置を短時間、かつ低い転移電圧でベンド配向へ転移させることが可能な電子機器が得られる。

［適用例１１］互いに対向して配置された第１の基板と第２の基板とからなる一対の基板と、上記一対の基板に挟持され、配向状態がスプレイ配向とベンド配向のいずれか一方から他方へと転移する液晶層と、上記第１の基板の上記液晶層側に形成された第１の電極と、上記第２の基板の上記液晶層側に形成された第２の電極と、上記第１の電極の上記液晶層側に形成された第１の配向膜と、上記第２の電極の上記液晶層側に形成された第２の配向膜と、上記一対の基板間に配置され、光学的異方性を有する高分子を含有したスペーサと、を備える液晶装置の製造方法であって、上記第１の基板の一方の面に上記第１の配向膜を形成する第１の工程と、上記第１の配向膜に上記第１の基板に対して水平方向の配向処理を施す第２の工程と、上記第２の基板の一方の面に上記第２の配向膜を形成する第３の工程と、上記第２の配向膜に、上記第１の配向膜に付与された配向方向と同一方向の配向処理を施す第４の工程と、配向処理が施された上記第１の配向膜上に光重合性の官能基を有する液晶性モノマーを含む液状材料を塗布して、層厚方向の一部分における該液晶性モノマーが上記第１の配向膜に付与された配向方向と異なる方向に配向された塗布膜を形成する第５の工程と、上記塗布膜をフォトマスクを介して露光して、所定の領域における上記液晶性モノマーを高分子化する第６の工程と、上記第６の工程において露光されなかった領域の上記塗布膜を除去してスペーサを形成する第７の工程と、上記第１の基板と上記第２の基板とを、上記第１の配向膜と上記第２の配向膜とが対向するように上記スペーサを介して貼り合わせる第８の工程と、上記第１の基板と上記第２の基板との間に液晶を充填する第９の工程と、を含むことを特徴とする液晶装置の製造方法。

このような製造方法によれば、層厚方向における一部分に上記配向膜の配向方向とは異なる方向に配向された高分子を含み、かつ、該一部分の表面が上記液晶層に接するスペーサを形成できる。そして、かかる一部分の表面近傍の液晶層内に上記転移核を容易に形成できる。したがって、短時間、かつ低い転移電圧でベンド配向への転移が可能な液晶装置を製造することができる。

［適用例１２］上述の液晶装置の製造方法であって、上記第５の工程は、上記光重合性の官能基を持つ液晶性モノマーとカイラル剤とを含む液状材料を塗布する工程であることを特徴とする液晶装置の製造方法。

カイラル剤を混入することにより、上記塗布膜の配向はツイスト配向となる。そのため、該スペーサ内に上記配向膜の配向方向とは異なる方向に配向された高分子を確実に配置できる。したがって、このような製造方法によれば、上記転移核をより一層確実に形成できる。

［適用例１３］上述の液晶装置の製造方法であって、上記第５の工程は、形成後の上記塗布膜の表面近傍における上記液晶性モノマーの配列方向が上記第１の配向膜の配向方向に対して１８０度回転した方向となるように、上記液晶性モノマーと上記カイラル剤との混合比率を調整した液状材料を塗布する工程であることを特徴とする液晶装置の製造方法。

このような製造方法によれば、上記転移核を上記液晶層の層厚方向における中間に設けることができる。したがって、より一層短時間、かつ、低い転移電圧でベンド配向への転移が可能な液晶装置を製造することができる。

［適用例１４］上述の液晶装置の製造方法であって、上記第５の工程は、上記光重合性の官能基を持つ液晶性モノマーと界面活性剤とを含む液状材料を塗布する工程であることを特徴とする液晶装置の製造方法。

界面活性剤を混入することにより、上記塗布膜の配向（方向）は、上記一対の基板（の表面）に対して角度を有するものとなる。一方、上記塗布膜の、上記第１の配向膜との界面近傍における配向方向は、該第１の配向膜の配向方向に規制されるため、上記一対の基板（の表面）に対して水平方向になる。そのため、該スペーサ内に上記配向膜の配向方向とは異なる方向に配向された高分子を確実に配置できる。したがって、このような製造方法によれば、上記転移核をより一層確実に形成できる。

［適用例１５］上述の液晶装置の製造方法であって、上記第５の工程は、形成後の上記塗布膜内における上記液晶性モノマーの配列方向が、該塗布膜の表面近傍では上記一対の基板に対して略垂直方向となるように、上記液晶性モノマーと上記界面活性剤との混合比率を調整した液状材料を塗布する工程であることを特徴とする液晶装置の製造方法。

このような製造方法によれば、該スペーサ内に上記配向膜の配向方向と直交する方向に配向された高分子を確実に配置できる。したがって、このような製造方法によれば、上記転移核をより一層確実に形成できる。

［適用例１６］上述の液晶装置の製造方法であって、上記液晶装置は、複数の画素領域と隣り合う該画素領域間を区画する非表示領域とを有しており、上記第６の工程は、上記非表示領域内の一部領域を露光する工程であることを特徴とする液晶装置の製造方法。

このような製造方法であれば、該液晶装置の表示品質に影響を与えることなく上記転移核を形成できる。

［適用例１７］上述の液晶装置の製造方法であって、上記第６の工程は、上記スペーサが、上記複数の画素領域の各々につき少なくとも１つは形成されるように露光する工程であることを特徴とする液晶装置の製造方法。

このような製造方法であれば、上記複数の画素領域の各々について上記転移核を形成できる。したがって、より一層短時間、かつ、低い転移電圧でベンド配向への転移が可能な液晶装置を得ることができる。

［適用例１８］上述の液晶装置の製造方法であって、上記第７の工程と上記第８の工程との間に、上記第１の配向膜上の上記第７の工程により上記塗布膜が除去された領域に第３の配向膜を形成する第１０の工程と、該第３の配向膜に、上記第２の工程において上記第１の配向膜に施された配向処理と同一方向の配向処理を施す第１１の工程と、を更に実施することを特徴とする液晶装置の製造方法。

このような製造方法であれば、上記第７の工程の後に形成された上記第３の配向膜により、上記液晶層を配向できる。したがって、上記第７の工程により、下地となる上記第１の配向膜の配向機能等が損なわれた場合においても、表示品質の劣化を抑制できる。

［適用例１９］互いに対向して配置された第１の基板と第２の基板とからなる一対の基板と、上記一対の基板に挟持され、配向状態がスプレイ配向とベンド配向のいずれか一方から他方へと転移する液晶層と、上記第１の基板の上記液晶層側に形成された第１の電極と、上記第２の基板の上記液晶層側に形成された第２の電極と、上記第１の電極の上記液晶層側に形成された第３の配向膜と、上記第２の電極の上記液晶層側に形成された第２の配向膜と、上記一対の基板間に配置され、光学的異方性を有する高分子を含有したスペーサと、を備える液晶装置の製造方法であって、上記第１の基板上に第１の配向膜を形成する第１２の工程と、上記第１の配向膜に第１の方向の配向処理を施す第１３の工程と、上記第２の基板上に上記第２の配向膜を形成する第１４の工程と、上記第２の配向膜に、上記第２の基板に対して水平の方向かつ上記第１の配向膜に付与された配向方向とは異なる方向である第２の方向の配向処理を施す第１５の工程と、配向処理が施された上記第１の配向膜上に光重合性の官能基を有する液晶性モノマーを含む液状材料を塗布して、該液晶性モノマーを含む塗布膜を形成する第１６の工程と、上記塗布膜をフォトマスクを介して露光して、所定の領域における上記液晶性モノマーを高分子化する第１７の工程と、上記第１７の工程において露光されなかった領域の上記塗布膜を除去してスペーサを形成する第１８の工程と、上記スペーサが形成された上記第１の基板の上記一方の面に上記第３の配向膜を形成する第１９の工程と、上記第３の配向膜に、上記第２の方向の配向処理を施す第２０の工程と、上記第１の基板と上記第２の基板とを、上記第３の配向膜と上記第２の配向膜とが対向するように上記スペーサを介して貼り合わせる第２１の工程と、上記第１の基板と上記第２の基板との間に液晶を充填する第２２の工程と、を含むことを特徴とする液晶装置の製造方法。

このような製造方法であれば、全体が、上記第１の配向膜と上記第２の配向膜との一対の配向膜の配向方向とは異なる方向に配向された上記高分子を全体に含むスペーサを形成できる。一方、上記液晶層の配向方向は、上記一対の配向膜の配向方向によって規定されている。したがって、該スペーサの表面近傍の上記液晶層内に、該液晶層をスプレイ配向からベンド配向へと転移させる際の転移核を容易に形成できる。したがって、短時間、かつ低い転移電圧でベンド配向への転移が可能な液晶装置を得ることができる。

［適用例２０］上述の製造方法であって、上記第１５の工程は、上記第１の配向膜に付与された配向方向とは略９０度異なる方向に配向処理を施す工程であることを特徴とする液晶装置の製造方法。

このような製造方法であれば、上記スペーサに含まれる上記高分子の配向方向を、上記一対の配向膜の配向方向とは略９０度異なる方向にできる。したがって、上記転移核をより一層容易に形成できる。

［適用例２１］上述の液晶装置の製造方法であって、上記第１３の工程は、上記第１の基板に対して略垂直方向に配向処理を施す工程であることを特徴とする液晶装置の製造方法。

上記一対の配向膜は水平方向に配向されている。したがって、このような製造方法であれば、上記スペーサに含まれる上記高分子の配向方向を、より一層確実に上記一対の配向膜の配向方向とは略９０度異なる方向にできる。したがって、上記転移核をより一層容易に形成できる。

［適用例２２］上述の液晶装置の製造方法であって、上記第１３の工程は、上記第１の基板に対して略水平方向に配向処理を施す工程であることを特徴とする液晶装置の製造方法。

このような製造方法であれば、製造装置の追加、及び、上記配向膜の形成材料の変更等を伴わずにラビング方向を変えるだけで、上記一対の配向膜の配向方向とは略９０度異なる方向に配向された上記高分子を含む上記スペーサを形成できる。したがって、短時間、かつ低い転移電圧でベンド配向への転移が可能な液晶装置を、製造コストの増加を抑制しつつ得ることができる。

［適用例２３］上述の液晶装置の製造方法であって、上記液晶装置は、複数の画素領域と隣り合う該画素領域間を区画する非表示領域とを有しており、上記第１７の工程は、上記非表示領域内の一部領域を露光する工程であることを特徴とする液晶装置の製造方法。

このような製造方法であれば、表示品質に影響を与えることなく、上記転移核を形成できる。

［適用例２４］上述の液晶装置の製造方法であって、上記第１７の工程は、上記スペーサが、上記複数の画素領域の各々につき少なくとも１つは形成されるように露光する工程であることを特徴とする液晶装置の製造方法。

このような製造方法であれば、上記複数の画素領域の各々について上記転移核を形成できる。したがって、より一層短時間、かつ、低い転移電圧でベンド配向への転移が可能な液晶装置を得ることができる。

以下、図面を参照し、本発明を具体化した液晶装置の実施形態について述べる。なお、以下に示す各図においては、各構成要素を図面上で認識され得る程度の大きさとするため、該各構成要素の寸法や比率を実際のものとは適宜に異ならせてある。

（第１の実施形態）
図１は本実施形態にかかる液晶装置１の構成を模式的に示す図である。図１（ａ）は斜視図、図１（ｂ）は図１（ａ）中のＡ−Ａ’線における断面図である。なお、液晶装置１は、スイッチング素子としてＴＦＴ（薄膜トランジスタ）４０（図６参照）を用いた、ＯＣＢモードのアクティブマトリクス型の液晶装置である。

図示する様に、液晶装置１は、枠状のシール材２３を介して互いに対向するように貼り合わされた、第１の基板としての対向基板２１と第２の基板としての素子基板２２とからなる一対の基板を備えている。対向基板２１と素子基板２２とシール材２３とによって形成された空間には、スプレイ配向又はベンド配向のいずれの配向状態をもとり得る、ＯＣＢモードの液晶が封入され液晶層３７が形成されている。素子基板２２の液晶層３７とは反対側の面には第２の偏光板３２が配置されており、対向基板２１の液晶層３７とは反対側の面には、第１の偏光板３１が配置されている。素子基板２２は対向基板２１より大きく、一部が対向基板２１に対して張り出した状態で貼り合わされている。この張り出した部分には、液晶層３７を駆動するためのドライバーＩＣ２４が実装されている。液晶装置１は、液晶層３７が封入された表示領域１００において、該液晶層の透過率を変調することにより画像を表示する。

図２は、ＯＣＢモードにおける液晶分子の配列を示す図である。図２においては、後述する画素電極等は図示を省略し、液晶層３７と該液晶層を挟持する一対の基板、すなわち対向基板２１と素子基板２２のみを示している。液晶層３７に含まれる液晶分子３８は、初期的には図２（ａ）に示すようなスプレイ配向となっており、表示を行う際には、図２（ｂ）に示すようなベンド配向に転移させて使用する。スプレイ配向からベンド配向への転移は、液晶層３７に転移電圧を印加することによって行う。ベンド配向においては、液晶層３７に含まれる液晶分子３８が弓なりに並んでおり、その弓なり形状の曲がりの度合いを変えることで透過率を変調して表示を行う。

図３は、液晶装置１の表示領域１００における各種素子、配線等の等価回路図である。ここで、表示領域１００とは、画素４１が規則的に配置された領域であり、画像を形成して観察者に表示する領域である。表示領域１００においては、複数の走査線１０２と複数のデータ線１０４とが交差するように形成されている。画素４１は、走査線１０２とデータ線１０４との交差に対応して設けられており、画素４１毎に第２の電極としての画素電極４２が形成されている。また、走査線１０２に沿って、容量線１０６が形成されており、画素電極４２と容量線１０６との間に補助容量４４が形成されている。

走査線１０２とデータ線１０４との交差に対応する位置には、画素電極４２への通電を制御するＴＦＴ４０が、画素４１毎に形成されている。ＴＦＴ４０のソース電極５４（図６参照）には、データ線１０４が電気的に接続されている。ＴＦＴ４０のゲート電極（図示せず）には、走査線１０２が電気的に接続されている。ＴＦＴ４０のドレイン電極５２（図６参照）には、画素電極４２が電気的に接続されている。
なお、画素４１とは上述の各構成要素を含む機能的な概念である。一方、後述する画素領域４５（図５参照）は、明度、色度等が一定の光を射出するドットであり、平面的な概念である。以下、図４〜６を用いて、画素４１の構成、及び表示領域１００内における画素領域４５の配置等について述べる。

図４は、画素４１の構成を示す平面図である。ここで平面図とは、基板（素子基板２２等）に対して垂直方向から見た図である。図５は、画素電極４２及び遮光層４９の形状を示す平面図である。なお、図４及び図５は、図３に示す画素４１の配置を９０度回転させて示している。

図４に示すように、液晶装置１の画素４１は、走査線１０２とデータ線１０４と容量線１０６との囲まれる略方形の領域に形成された画素電極４２と、画素４１毎に形成されたＴＦＴ４０等からなる。そして、走査線１０２とデータ線１０４とが平面視で交差する領域の近傍にスペーサ２０が形成されている。なお、補助容量４４（図３参照）は画素電極４２と容量線１０６とが重なる領域に形成されている（図示せず）。三種類の画素４１（Ｒ，Ｇ，Ｂ）は、構成は同一であり、カラーフィルタ５０（図６参照）の色のみが異なっている。

図５に示すように、遮光層４９は、走査線１０２とデータ線１０４と容量線１０６の形成領域、及びＴＦＴ４０の形成領域に重なるように形成されており、平面視で画素電極４２を囲んでいる。表示領域１００（図１参照）は、規則的に形成された画素領域４５と該画素領域を区画する非表示領域としての遮光層４９の形成領域とを有している。すなわち、遮光層４９で囲まれた領域が観察者に光を射出する画素領域４５であり、遮光層４９が形成されている領域が非表示領域である。そして、スペーサ２０は遮光層４９と重なる領域、すなわち非表示領域に形成されている。上記の走査線１０２等は第２の基板としての素子基板２２に形成されており、遮光層４９は第１の基板としての対向基板２１に形成されている。かかる態様、及びＴＦＴ４０の構成等を図６に示す。なお、後述するカラーフィルタ５０（図６参照）は表示領域１００の全域に形成されており、各画素領域４５毎に夫々三原色（赤、緑、青）のいずれかに着色されている。上述の夫々の色の境界線は、平面視で遮光層４９と重なっている。

図６は、本実施形態にかかる液晶装置１の、図４に示すＢ−Ｂ’線における断面図である。図示するように液晶装置１は、ＴＦＴ４０等が形成された素子基板２２と、カラーフィルタ５０等が形成された対向基板２１と、上述の一対の基板と図示しないシール材２３（図１（ｂ）参照）とで形成された空間に充填された液晶層３７と、上述の一対の基板の間に挟持され該一対の基板の間隔を一定に保つスペーサ２０等、を備えている。上記一対の基板は透明性が必要であり、ガラスあるいは石英等で形成されている。液晶層３７は液晶分子３８を含む層である。本図では、該液晶分子がスプレイ配向となっている状態を示している。

本実施形態にかかる液晶装置１が備えるスペーサ２０は、後述するようにフォトリソグラフィー法により形成されている。したがって、該スペーサの形状は、Ｚ軸に垂直な断面の形状が上記一対の基板間で略一定となる柱状である。そして、該スペーサは、後述するように光学的異方性を有する高分子としての液晶性モノマー１４（図７参照）を重合して形成されている。したがって、該スペーサ自体が光学的異方性を有している。スペーサ２０は、各画素４１毎に、第１の配向膜３３上における遮光層４９と重なる領域の一部に形成されている。本実施形態にかかる液晶装置１は、該スペーサに含有される液晶性モノマー１４の配向を制御することで、スプレイ配向からベンド配向への転移に要する時間（転移時間）及び電圧（転移電圧）を減少させ、円滑なベンド転移を可能にしている。

対向基板２１の液晶層３７側には、カラーフィルタ５０と該カラーフィルタを区画する遮光層４９が形成されている。そして、該双方の要素の液晶層３７側には透明導電材料であるＩＴＯ（酸化インジウム・すず合金）からなる第１の電極としての共通電極４３が形成されている。ＩＴＯに替えてＩＺＯ（酸化インジウム・鉛合金）等の透明導電材料を用いてもよい。共通電極４３は、表示領域１００（図１参照）の略全域に形成されており、該表示領域において同電位を維持している。共通電極４３上には、ポリイミド等を含む第１の配向膜３３が形成されている。また、対向基板２１の液晶層３７の反対側の面には、第１の偏光板３１が貼付されている。

素子基板２２の液晶層３７側には、走査線１０２とデータ線１０４と容量線１０６とが形成されている。対向基板２１と、走査線１０２及び容量線１０６との間には、酸化シリコン（ＳｉＯ₂）等からなる下地層を形成してもよい。走査線１０２の上層（液晶層３７側）には、酸化シリコン（ＳｉＯ₂）等からなるゲート絶縁層５８を挟んで半導体層５６が形成されている。

半導体層５６は、例えばアモルファスシリコンやポリシリコン等から構成することができる。また、半導体層５６に一部が重なる状態でソース電極５４とドレイン電極５２とが形成されている。ソース電極５４は、データ線１０４の一部を突出するようにパターニングして形成されている。ドレイン電極５２は、データ線１０４と同層の材料層を島状にパターニングして形成されている。

半導体層５６、ソース電極５４、ドレイン電極５２、走査線１０２等からＴＦＴ４０が構成される。ここで、走査線１０２は、ＴＦＴ４０のゲート電極としても機能している。走査線（ゲート電極）１０２、ソース電極５４、ドレイン電極５２、データ線１０４、容量線１０６は、例えば、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）等の高融点金属、上記金属のうちの少なくとも１つを含む合金、上記金属を含む金属シリサイド、ポリシリサイド、導電性ポリシリコン等から構成することができる。また、上記各層の積層体で形成してもよい。

ＴＦＴ４０の上層（液晶層３７側）には、酸化シリコン（ＳｉＯ₂）等からなる層間絶縁層６０を介して画素電極４２が形成されている。画素電極４２は、共通電極４３と同様にＩＴＯからなる。画素電極４２は、層間絶縁層６０に設けられたコンタクトホール６２を介してドレイン電極５２に電気的に接続されている。上述したように画素電極４２は、一部が容量線１０６と対向しており、容量線１０６との間で補助容量４４（図３参照）を構成する。画素電極４２上層には、ポリイミド等を含む第２の配向膜３４が形成されている。また、素子基板２２の液晶層３７の反対側の面には、第２の偏光板３２が貼付されている。そして、第２の偏光板３２の外側には図示しない白色光源が配置されている。該白色光源から照射された光は、第１の偏光板３１、第１の配向膜３３、液晶層３７、第２の配向膜３４、第２の偏光板３２の順に透過して、画素領域４５から観察者に向けて射出される。

第１の配向膜３３と第２の配向膜３４の配向方向は同一であり、Ｙ方向すなわちデータ線１０４の延在方向に配向されている。第１の偏光板３１と第２の偏光板３２の透過軸は互いに略直交し、かつ、上記双方の配向膜の配向方向と略４５度の角度を有している。上述の液晶層３７のスプレイ配向は第１の配向膜３３及び第２の配向膜３４から配向規制力を受けるため、Ｙ方向を向いている。以下、スペーサ２０に含有される液晶性モノマー１４の配列と、該スペーサによるベンド転移の円滑化について説明する。

図７は、第１の実施形態の液晶装置１のスペーサ２０とその周囲の部分を、対向基板２１に垂直な面で切断した断面図である。図７（ａ）は液晶層３７中の液晶分子３８がスプレイ配向状態であるときを示す図であり、図７（ｂ）は液晶分子３８がベンド配向状態に転移した状態を示す図である。本図では、素子基板２２と層間絶縁層６０との間に形成されたＴＦＴ４０等、及び対向基板２１に貼付された第１の偏光板３１と素子基板２２に貼付された第２の偏光板３２は、図示を省略している。

また、本図において、対向基板２１と第１の配向膜３３との間に形成される遮光層４９、カラーフィルタ５０、及び共通電極４３を合わせてカラーフィルタ層１５として図示している。同様に、素子基板２２と第２の配向膜３４との間に形成される、層間絶縁層６０及び画素電極４２、及び上記双方の要素間に形成される図示しないＴＦＴ４０（図６参照）等の各要素を合わせて、素子層１６として図示している。

図７（ａ）に示すように、スペーサ２０は光学的異方性を有する高分子である液晶性モノマー１４を含有する材料で構成されている。かかる液晶性モノマー１４は、第１の配向膜３３と第２の配向膜３４との間で１８０度回転するツイスト配向となっている。ツイスト配向とは、一対の平面（図７においては第１の配向膜３３と第２の配向膜３４との一対の配向膜）間に充填されている光学的異方性を有する高分子の長軸方向が平面に平行であり、かつ、該一対の平面間で、該平面の法線方向を軸としてねじれている配向状態である。したがって、該液晶性モノマーの配向は、第１の配向膜３３の近傍ではＹ方向を向いている。そして、液晶層３７のＺ方向の中間点の近傍では略９０度回転してＸ方向を向いている。該中間点から第２の配向膜３４に近づくにつれて更に略９０度回転して、第２の配向膜３４の近傍では再びＹ方向を向いている。そのため、スペーサ２０に含まれる液晶性モノマー１４の配向方向と配向膜の配向方向との間に差異が生じている。

液晶層３７に含まれる液晶分子３８は、配向膜から配向規制力を受けており、スプレイ配向状態ではＹ方向に配列されている。しかし、スペーサ２０の表面近傍、すなわちスペーサ２０と液晶層３７との界面近傍では、液晶分子３８は該スペーサに含まれる液晶性モノマー１４からの配向規制力を受けてＸ方向に配列される。液晶性モノマー１４からの配向規制力は、スペーサ２０の表面近傍で最も強く働きスペーサ２０から離れるにつれて急速に弱まる。そして、液晶分子３８の配向方向は、該配向規制力に合わせて変化する。すなわち、液晶分子３８は、スペーサ２０の表面近傍ではＸ方向に配向され、該表面近傍から離れるにつれて急速にＹ方向に戻る。したがって、スペーサ２０の表面近傍は液晶分子３８の配向が不連続となる領域、すなわちディスクリネーション領域１８となる。

上述したようにスプレイ配向は安定した状態であり、スプレイ配向からベンド配向への転移には、通常の表示時に比べて高い電圧である転移電圧が必要である。しかし、かかるディスクリネーション領域１８が生じている場合、該領域が転移核となり、比較的低い転移電圧で上述のスプレイ配向から図７（ｂ）に示すベンド配向へと転移させることができる。

また、液晶装置１では、液晶層３７のＺ方向の中間の位置では、液晶性モノマー１４が略９０度回転してＸ方向を向いているため、上述の不連続が最大である。したがって、本実施形態にかかる液晶装置１は、液晶層３７の層厚方向の略中間の位置から上述の転移を進行させることができるという特徴がある。

液晶層３７は表示領域１００内に連続的に形成されているため、ディスクリネーション領域１８は該表示領域内に一箇所に形成されていれば、一応は上述の効果を得ることができる。しかし、大画面すなわち広い表示領域１００を持つ液晶装置の場合、一箇所のディスクリネーション領域１８を転移核とした場合には転移時間の増加等が発生し得る。本実施形態の液晶装置１は画素４１毎にスペーサ２０が形成されているため、表示領域１００の面積の大小にかかわらずに速やかにベンド転移を完了させることができる。また、転移核として機能しないスペーサ２０が生じた場合においても、隣り合う画素４１のスペーサ２０を転移核としてベンド転移を進行させることができる。したがって、低い転移電圧で確実にベンド転移を完了できる。

（第２の実施形態）
続いて、第２の実施形態について、図８を用いて説明する。図８は、上述の第１の実施形態にかかる液晶装置１の説明における図７に相当する図、すなわちスペーサ２０とその周囲の部分の断面図である。図８（ａ）は液晶層３７中の液晶分子３８がスプレイ配向状態であるときを示す図であり、図８（ｂ）は液晶分子３８がベンド配向状態に転移した状態を示す図である。

本実施形態にかかる液晶装置２は、第１の実施形態にかかる液晶装置１と同様に、対向基板２１側の第１の配向膜３３上に光学的異方性を有する高分子としての液晶性モノマー１４を含有する組成物を重合して形成されたスペーサ２０が配置されている。該スペーサが平面視で非表示領域に形成されている点も、第１の実施形態の液晶装置１と同一である。ただし、スペーサ２０内の液晶性モノマー１４の配向状態が、第１の実施形態にかかる液晶装置１と異なっている。そして、かかる配向状態を除いては、本実施形態にかかる液晶装置２は第１の実施形態にかかる液晶装置１と略同一の構成を有している。そこで、第１の実施形態の液晶装置１の説明における図１〜６に相当する図は記載せず、上述の図７に相当する図のみを示す。なお、図８においては、図７に示す構成要素と共通する構成要素には同一の符号を付与し、説明の記載は一部省略している。

図８（ａ）に示すように、スペーサ２０内の液晶性モノマー１４の配向は、第１の配向膜３３との界面近傍では、該第１の配向膜の配向方向すなわちＹ方向を向いている。そして、スペーサ２０内における液晶性モノマー１４の配向はハイブリッド配向となっている。ハイブリッド配向とは、一対の基板等の平面間に充填された光学的異方性を有する高分子の長軸方向が、一方の平面側では該平面に対し平行であり、他方の平面側では垂直となっている配向状態をいう。すなわち、液晶性モノマー１４の長軸は、スペーサ２０と第１の配向膜３３との界面近傍では対向基板２１と素子基板２２とからなる一対の基板に水平であり、第２の配向膜３４に近づくにつれて徐々に立ち上がり、スペーサ２０と第２の配向膜３４との界面近傍では略Ｚ方向を示している。そのため、スペーサ２０に含まれる液晶性モノマー１４の配向方向と配向膜の配向方向との間に差異が生じる。

一方、スペーサ２０の周囲の液晶層３７に含まれる液晶分子３８の配向は、上述に第１の実施形態にかかる液晶装置１と同様にＹ方向を向くスプレイ配向である。したがって、スペーサ２０と液晶層３７との境界部分、特に第２の配向膜３４に近い部分は、双方の（液晶分子３８等の）高分子の配向方向が不連続となる領域、すなわちディスクリネーション領域１８となる。

液晶層３７に含まれる液晶分子３８は、画素電極４２と共通電極４３との間に電圧が印加されていないときはスプレイ配向、すなわち上記一対の基板に対して略水平方向に配向している。しかし、スペーサ２０の表面近傍、すなわちスペーサ２０と液晶層３７との界面近傍では、液晶分子３８は該スペーサに含まれる液晶性モノマー１４からの配向規制力を受ける。その結果、上記界面近傍すなわちスペーサ２０の表面近傍では、液晶分子３８は上記一対の基板に対して略垂直方向に配向される。液晶性モノマー１４からの配向規制力は、スペーサ２０の表面近傍で最も強く働きスペーサ２０から離れるにつれて急速に弱まる。そして、液晶分子３８の配向方向は、該配向規制力に合わせて変化する。すなわち、液晶分子３８の配向方向は、スペーサ２０の表面近傍では上記一対の基板に対して略垂直方向となり、該表面近傍から離れるにつれて急速に上記一対の基板に対して略水平の方向に戻る。したがって、スペーサ２０の表面近傍は液晶分子３８の配向が不連続となる領域、すなわちディスクリネーション領域１８となる。

上述したようにスプレイ配向は安定した状態であり、スプレイ配向からベンド配向への転移には、通常の表示時に比べて高い電圧である転移電圧が必要である。しかし、かかるディスクリネーション領域１８が生じている場合、該領域が転移核となり、比較的低い転移電圧で上述のスプレイ配向から図８（ｂ）に示すベンド配向へと転移させることができる。したがって、本実施形態にかかる液晶装置２は、第１の実施形態にかかる液晶装置１と同様に、比較的低い転移電圧で上述のスプレイ配向からベンド配向へと転移させることができ、画像表示を開始する際等に安定した表示を可能にしている。

なお、本実施形態にかかる液晶装置２において、スペーサ２０は非表示領域である遮光層４９の形成領域に配置されているため、表示品質に影響を及ぼすことが回避される点は、上述の第１の実施形態の液晶装置１と同様である。また、スペーサ２０は画素４１毎に形成されているため、低い転移電圧で確実にベンド転移を完了できる点も、上述の第１の実施形態の液晶装置１と同様である。

（第３の実施形態）
続いて、第３の実施形態として、液晶装置の製造方法について図面を用いて説明する。図９及び図１０は、ツイスト配向の液晶性モノマー１４を含有するスペーサ２０を備える液晶装置の製造方法を示す工程断面図である。ＴＦＴ４０等の形成工程を省略し、スペーサ２０の形成工程と液晶層３７の形成工程（すなわち液晶の充填工程）を示している。また、上述の各実施形態の液晶装置の構成要素と共通する構成要素には同一の符号を付与し、説明の記載は一部省略している。また、図９（ａ）のみ、Ｚ方向を上向きに図示し、図９（ｂ）以降はＺ方向を下向きに図示している。更に、図９と図１０は連続した工程を説明しているので、図９で説明した要素については図１０での説明を一部省略している。以下、各工程について順に説明する。

まず、図９（ａ）に示すように、素子層１６が形成された素子基板２２上に、第３の工程として第２の配向膜３４を形成する。そして、第４の工程として該第２の配向膜にラビング用ローラ１９を用いてラビング処理を行う。ラビング方向はＹ方向である。

次に、図９（ｂ）に示すように、カラーフィルタ層１５が形成された対向基板２１上に、第１の工程として第１の配向膜３３を形成する。そして、第２の工程として該第１の配向膜にラビング用ローラ１９を用いてラビング処理を行う。ラビング方向はＹ方向である。なお、図９（ａ）に示す工程と図９（ｂ）に示す工程とはどちらを先にしてもよく、同時に、すなわち並行して行うこともできる。

次に、図９（ｃ）に示すように、第５の工程として第１の配向膜３３上に光重合性の官能基を有する液晶性モノマー１４とカイラル剤とを溶媒に溶解等させてなる液材（液体材料）を塗布して、塗布膜としての液晶性モノマー層１３を形成する。カイラル剤とは、光学的異方性を有する高分子にツイスト（ツイスト配向）を生じさせる機能を有する薬剤である。該カイラル剤も、カイラル構造を有する重合性モノマーであることが好ましい。かかるカイラル剤の含有（混入）比率については後述する。塗布方法はスピンコート法が好ましい。そして、該液晶性モノマー層を含む対向基板２１全体を所定の温度まで加熱して、液晶性モノマー１４に液晶相を発現させる。

ここで、液晶性モノマー層１３は、将来的にスペーサ２０（図６等参照）となる。したがって、該液晶性モノマー層の層厚は、加熱及びパターニングによる収縮等を考慮してスペーサ２０の高さ、すなわち対向基板２１と素子基板２２との間隔（正確には該間隔の値から素子層１６、カラーフィルタ層１５等の層厚を減じた値）と一致するように定める。なお、かかる間隔、すなわちスペーサ２０の高さは、シール材２３（図１（ｂ）参照）の高さと略同一である。

光重合性の官能基を有する液晶性モノマーとは、アクリレートあるいはメタクリレート等の光重合性の官能基が液晶骨格に結合された構造を有し、所定の温度範囲において液晶状態を示す材料である。該液晶性モノマーは数種類の材料の混合物が好ましい。数種類の単品化合物を混合することで、共晶効果により、液晶の温度範囲を広げることができるからである。

上述の加熱により、液晶性モノマー層１３に含まれる液晶性モノマー１４は、カイラル剤の影響、及び第１の配向膜３３の配向規制力の等の影響により所定の配向となる。上述したように、第１の配向膜３３はＹ方向に配向しており、該第１の配向膜上に配置された光学的異方性を有する高分子に対して該Ｙ方向の配向規制力を及ぼす。したがって、第１の配向膜３３との界面近傍における液晶性モノマー１４の配向は略Ｙ方向となる。

そして、液晶性モノマー１４は、上述のカイラル剤の作用により対向基板２１に垂直な線であるＺ方向を軸としてツイスト配向する。かかるツイスト（回転）の角度は、カイラル剤の含有比率等で調整可能である。本実施形態における含有比率は、上述のツイストが液晶性モノマー層１３の層厚内で１８０度ツイスト（回転）するように調整されている。したがって、液晶性モノマー層１３の表面（将来的にスペーサ２０と第２の配向膜３４との界面となる面）における液晶性モノマー１４の配向方向は略Ｙ方向となる。上述したように、第１の配向膜３３との界面近傍においても、液晶性モノマー１４の配向方向は略Ｙ方向である。したがって、上記界面と上記液晶性モノマー層の表面との中間では、液晶性モノマー１４はＹ方向に直交する方向、すなわちＸ方向を向くように配向される。

次に、図９（ｄ）に示すように、上述の加熱を維持しつつ、すなわち液晶性モノマー１４の１８０度のツイストを維持しつつ、第６の工程として透過部１２ａと遮光部１２ｂとを備えるフォトマスク１２を介して液晶性モノマー層１３に紫外線１１を照射する。透過部１２ａと対向する領域が、将来的にスペーサ２０が形成される領域である。紫外線１１は、液晶性モノマー１４を重合させて高分子化する機能を有している。したがって、透過部１２ａと対向する領域（一点鎖線で区画された領域）の液晶性モノマー１４は重合され高分子となり、遮光部１２ｂと対向する領域の液晶性モノマー１４は重合されずにそのままの状態を保つ。

次に、図１０（ａ）に示すように、第７の工程として遮光部１２ｂと対向する領域の液晶性モノマー層１３すなわち高分子化されていない液晶性モノマー層１３を剥離液により除去してパターニングする。剥離液としては有機系の溶剤、具体的にはＩＰＡ（イソプロピルアルコール）、アセトン、エタノール等を用いることができる。かかる工程により、１８０度のツイスト配向を有する光学的異方性を有する高分子としての液晶性モノマー１４を含有するスペーサ２０が形成される。

次に、対向基板２１と素子基板２２とのどちらか一方の外縁部に、図示しないシール材２３（図１（ｂ）参照）を形成する。そして図１０（ｂ）に示すように、第８の工程として対向基板２１と素子基板２２とを、配向膜（第１の配向膜３３と第２の配向膜３４）が形成されている面が対向するように貼り合わせる。上述したようにスペーサ２０とシール材２３の高さは略同一である。したがってシール材２３とスペーサ２０とにより、対向基板２１と素子基板２２との間隔は略一定に保たれる。

次に、図１０（ｃ）に示すように、第９の工程として上記一対の基板及びシール材２３で構成される空間内にＯＣＢモードの液晶を注入して液晶層３７を形成する。液晶層３７中の液晶分子３８は第１の配向膜３３及び第２の配向膜３４から配向規制力を受ける。したがって、一対の電極（共通電極４３と画素電極４２）間に電圧が印加されていない状態において液晶分子３８はＹ方向を向くスプレイ配向となる。以上の工程に、液晶を注入するためにシール材２３に設けられている注入口（不図示）の封止工程等を実施することで、液晶装置が形成される。

（本実施形態の効果）
上述したように、液晶分子３８の配向は、図示するようにＹ方向を向くスプレイ配向となる。一方、スペーサ２０に含有される液晶性モノマー１４の配向は１８０度回転するツイスト配向である。液晶分子３８は、スペーサ２０の表面のうち配向膜と接している領域を除く領域の近傍、すなわちスペーサ２０と液晶層３７との界面近傍では、上述のツイスト配向された液晶性モノマー１４から配向規制力を受けて、上述のＹ方向を向くスプレイ配向とは異なる方向に配向される。したがって、スペーサ２０と液晶層３７との界面近傍には、液晶分子３８の配向が不連続となる領域であるディスクリネーション領域１８が形成される。

上述したようにディスクリネーション領域１８は、液晶層３７の配向をスプレイ配向からベンド配向へと転移させる際の転移核となる。従って、本実施形態にかかる製造方法で得られた液晶装置は、比較的低い転移電圧で円滑にスプレイ配向からベンド配向へと転移させることが可能となる。

なお、本実施形態及び後述する第４〜第６の実施形態において、スペーサ２０を素子基板２２上に形成する態様も実施可能である。しかし、かかる態様では、液晶性モノマー層１３のパターニング時に剥離液によりＴＦＴ４０等が劣化する可能性がある。したがって、スペーサ２０は対向基板２１上に形成することが好ましい。

（第４の実施形態）
続いて、第４の実施形態として、ハイブリッド配向のスペーサ２０を有する液晶装置の製造方法について、図面を用いて説明する。図１１及び図１２は、第４の実施形態にかかる液晶装置の製造方法を示す工程断面図であり、上述の第３の実施形態と同様に、スペーサ２０の形成工程と液晶層３７の形成工程を示している。また、上述の各実施形態の液晶装置の構成要素と共通する構成要素には同一の符号を付与し、説明の記載は一部省略している。図１１（ａ）のみ、Ｚ方向を上向きに図示し、図１１（ｂ）以降はＺ方向を下向きに図示している点は、上述の第３の実施形態と同様である。また、図１１と図１２は連続した工程を説明しているので、図１１で説明した要素については図１２での説明を一部省略している点も、上述の第３の実施形態と同様である。以下、各工程について順に説明する。

まず、図１１（ａ）に示すように、素子層１６が形成された素子基板２２上に、第３の工程として第２の配向膜３４を形成する。そして、第４の工程として該第２の配向膜にラビング用ローラ１９を用いてラビング処理を行う。ラビング方向はＹ方向である。

次に、図１１（ｂ）に示すように、カラーフィルタ層１５が形成された対向基板２１上に、第１の工程として第１の配向膜３３を形成する。そして、第２の工程として該第１の配向膜にラビング用ローラ１９を用いてラビング処理を行う。ラビング方向はＹ方向である。上述の第３の実施形態と同様に、図１１（ａ）に示す工程と図１１（ｂ）に示す工程とはどちらを先にしてもよく、また、同時に行うこともできる。

次に、図１１（ｃ）に示すように、第５の工程として第１の配向膜３３上に光重合性の官能基を有する液晶性モノマー１４と界面活性剤とを溶媒に溶解等させてなる液材を塗布して、塗布膜としての液晶性モノマー層１３を形成する。上述の第３の実施形態と同じく、塗布方法はスピンコート法が好ましい。また、液晶性モノマー１４は数種類の材料の混合物が好ましい点も、上述の第３の実施形態と同様である。

そして次に、該液晶性モノマー層を含む対向基板２１全体を所定の温度まで加熱して、液晶性モノマー１４に液晶相を発現させる。液晶性モノマー層１３は、将来的にスペーサ２０（図６等参照）となる。したがって、該液晶性モノマー層の層厚は、加熱及びパターニングによる収縮等を考慮してスペーサ２０の高さ、すなわち対向基板２１と素子基板２２との間隔と一致するように定める。なお、かかる間隔すなわちスペーサ２０の高さは、シール材２３（図１（ｂ）参照）の高さと略同一である。

界面活性剤は、基板面に水平方向の配向規制力を有する基板上に形成された液晶性モノマー１４等の光学的異方性を有する高分子の配列を、該基板面に対して角度を付与する作用を発現する性質を有している。一方で、第１の配向膜３３の配向方向はＹ方向であるため、上述の配向規制力はＹ方向に働く。そして、該配向規制力は第１の配向膜３３に近いほど強く働く。したがって、対向基板２１上に液晶性モノマー１４と界面活性剤とを含む液材が塗布されて加熱により液晶相が発現すると、液晶性モノマー１４の配向方向は、該対向基板に近い部分、すなわち第１の配向膜３３と液晶性モノマー層１３との界面近傍では略Ｙ方向となり、該界面から遠ざかるにつれて対向基板２１に対して角度を有する方向となる。

上述の角度は、液晶性モノマー１４と界面活性剤との混合比率によって調整できる。本工程では、かかる混合比率を、上記角度が液晶性モノマー層１３の表面（将来的に第２の配向膜３４との界面となる面）近傍では対向基板２１の基板面に対して垂直となる様に調整している。したがって、本工程で形成された液晶性モノマー層１３の（液晶性モノマー１４の）配向は、第１の配向膜３３との界面近傍では対向基板２１の基板面に対して略水平となり、該液晶性モノマー層の表面近傍では上記基板面に対して垂直となるハイブリッド配向となる。

次に、図１１（ｄ）に示すように、上述の加熱を維持しつつ、すなわちハイブリッド配向を維持させつつ、第６の工程として透過部１２ａと遮光部１２ｂとを備えるフォトマスク１２を介して液晶性モノマー層１３に紫外線１１を照射する。透過部１２ａと対向する領域（一点鎖線で区画されている領域）が、将来的にスペーサ２０が形成される領域である。紫外線１１は、液晶性モノマー１４を重合させて高分子化する機能を有している。したがって、透過部１２ａと対向する領域の液晶性モノマー１４は重合されて高分子となり、遮光部１２ｂと対向する領域の液晶性モノマー１４は重合されずにそのままの状態を保つ。

次に、図１２（ａ）に示すように、第７の工程として遮光部１２ｂと対向する領域の液晶性モノマー層１３すなわち高分子化されていない液晶性モノマー層１３を剥離液により除去してパターニングする。剥離液は、上述の第３の実施形態で用いたものと同様の液を用いることができる。かかる工程により、ハイブリッド配向の異方性高分子（光学的異方性を有する高分子）を含有するスペーサ２０が形成される。

次に、対向基板２１と素子基板２２とのどちらか一方の外縁部に、図示しないシール材２３（図１（ｂ）参照）を形成する。そして図１２（ｂ）に示すように、第８の工程として対向基板２１と素子基板２２とを、配向膜（３３，３４）が形成されている面が対向するように、スペーサ２０を介して貼り合わせる。上述のシール材２３及びスペーサ２０により、対向基板２１と素子基板２２との間隔は略一定に保たれる。

次に、図１２（ｃ）に示すように、第９の工程として上記一対の基板及びシール材２３で構成される空間内にＯＣＢモードの液晶を注入して、液晶層３７を形成する。以上の工程に、液晶を注入するためにシール材２３に設けられている注入口の封止工程等を実施することで、液晶装置が形成される。

なお、液晶を対向基板２１と素子基板２２との間に注入する方法としては、該一対の基板のいずれか一方の基板にシール材２３を形成後、該一方の基板と該シール材で形成される凹部内に液晶を滴下し、その後もう一方の基板を貼り合わせる方法を用いることもできる。

（本実施形態の効果）
上述するように第１の配向膜３３及び第２の配向膜３４は、Ｙ方向の配向処理が施されている。したがって、上記一対の配向膜で挟持される液晶層３７に含まれる液晶分子３８の配向は、図示するようにＹ方向を向くスプレイ配向となる。一方、スペーサ２０に含有される液晶性モノマー１４の配向はハイブリッド配向であり、第２の配向膜３４との界面近傍では基板面に対して略垂直に配向されている。液晶分子３８は、スペーサ２０と液晶層３７との界面近傍では、上述のハイブリッド配向された液晶性モノマー１４から配向規制力を受けて、上述のスプレイ配向とは異なる方向に配向される。特に、第２の配向膜３４に近い領域では上記配向規制力が強く働く。したがって、上述の第３の実施形態にかかる液晶装置と同様に本実施形態により得られる液晶装置のスペーサ２０と液晶層３７との界面近傍、特に第２の配向膜３４に近い部分の該界面近傍には、液晶分子３８の配向が不連続となる領域であるディスクリネーション領域１８が形成される。

上述したようにディスクリネーション領域１８は、液晶層３７の配向をスプレイ配向からベンド配向へと転移させる際の転移核となる。従って、本実施形態にかかる製造方法で得られた液晶装置は、上述の第３の実施形態にかかる液晶装置と同様に、比較的低い転移電圧で円滑にスプレイ配向からベンド配向へと転移させることが可能となる。

（第５の実施形態）
続いて、第５の実施形態として、対向基板２１の液晶層３７側に２層の配向膜を備える液晶装置の製造方法について説明する。図１３は、第５の実施形態にかかる液晶装置の製造方法を示す工程断面図であり、上述の各実施形態と同様に、スペーサ２０の形成工程と液晶層３７の形成工程を示している。本実施形態の液晶装置の製造方法は、第３の実施形態の液晶装置の製造方法の図１０（ａ）までの工程と同一である。そこで、図１０（ａ）に示す、剥離液を用いて液晶性モノマー層１３をパターニングしてスペーサ２０を形成した後の工程を説明する。なお、上述の各実施形態の液晶装置の構成要素と共通する構成要素には同一の符号を付与し、説明の記載は一部省略している。

まず、上述の第１〜７の工程を実施する。図１３（ａ）に示すように、対向基板２１の将来的に液晶層３７側となる面に、第１の配向膜３３とスペーサ２０が形成される。スペーサ２０に含有される液晶性モノマー１４は、１８０度のツイスト配向となっている。

次に、図１３（ｂ）に示すように、第１０の工程として対向基板２１の将来的に液晶層３７側となる面に、スペーサ２０及び第１の配向膜３３を覆うように第３の配向膜３５を形成する。該第３の配向膜の形成材料及び形成方法等は、第１の配向膜３３と同一であることが好ましい。

次に、図１３（ｃ）に示すように、第１１の工程として、ラビング用ローラ１９を用いて第３の配向膜３５にＹ方向のラビング処理を実施する。かかる処理により、第３の配向膜３５に含有されるポリイミド等の分子が、第１の配向膜３３に含有されるポリイミド等の分子と同様に、Ｙ方向に配向される。また、かかるラビング処理により、スペーサ２０の表面の少なくとも一部では第３の配向膜３５が剥離して、スペーサ２０に含有される液晶性モノマー１４が露出する。なお、図１３（ｃ）では該表面の略全面が露出するように図示している。

次に、対向基板２１と素子基板２２とのどちらか一方の外縁部に、図示しないシール材２３（図１（ｂ）参照）を形成する。そして図１３（ｄ）に示すように、第８の工程として対向基板２１と素子基板２２とを、配向膜（第３の配向膜３５と第２の配向膜３４）が形成されている面が対向するように貼り合わせる。上述したようにスペーサ２０とシール材２３の高さは略同一である。したがってシール材２３とスペーサ２０とにより、対向基板２１と素子基板２２との間隔は略一定に保たれる。

以下、上記第３及び第４の実施形態と同様に、第９の工程として上記一対の基板及びシール材２３で構成される空間内にＯＣＢモードの液晶を注入して液晶層３７を形成する。そして、該液晶を注入するためにシール材２３に設けられている図示しない注入口を封止することで、液晶装置を形成する。

（本実施形態の効果）
本実施形態の製造方法で形成された液晶装置は、対向基板２１の液晶層３７側に第１の配向膜３３と第３の配向膜３５とが積層されている。そして、液晶層３７を第２の配向膜３４と第３の配向膜３５とで挟持している。

上述したように、第１の実施形態における第７の工程では、第１の配向膜３３の液晶層３７側に形成された液晶性モノマー層１３をパターニングする。かかるパターニングの際には、第１の配向膜３３が剥離液により劣化することもあり得る。本実施形態の製造方法で形成された液晶装置は、上述のパターニングの後に再度配向膜（第３の配向膜３５）が形成されているため、第７の工程による劣化の可能性のない配向膜で液晶層３７を挟持できる。したがって、比較的低い転移電圧で円滑にスプレイ配向からベンド配向へと転移させることが可能であると共に、立ち上げ（始動）後においても、品質の劣化が抑制された良好な画像を表示できる。また、上記第７の工程における剥離液の選定の自由度が向上するため、液晶性モノマー層１３のパターニングをより一層容易に実施できる。

なお、本実施形態では第１の実施形態の製造方法に第３の配向膜３５を形成する工程等を付加する態様を示したが、第２の実施形態の製造方法に第３の配向膜３５を形成する工程等を付加する態様も可能である。

（第６の実施形態）
続いて第６の実施形態として、対向基板２１の液晶層３７側に互いに異なる方向に配向された２層の配向膜を備える液晶装置の製造方法について、図面を用いて説明する。図１４〜１６は、第６の実施形態にかかる液晶装置の製造方法を示す工程断面図であり、上述の第３の実施形態と同様に、スペーサ２０の形成工程と液晶層３７の形成工程を示している。図１４（ａ）はＺ方向を上向きに、Ｙ方向を右向きに図示し、図１４（ｂ）はＺ方向を下向きに、Ｘ方向を右向きに図示し、図１４（ｃ）以降はＺ方向を下向きにＹ方向を左向きに図示している。上述の各実施形態の液晶装置の構成要素と共通する構成要素には同一の符号を付与し、説明の記載は一部省略している。また、図１４〜１６は連続した工程を説明しているので、図１４で説明した要素については図１５及び図１６での説明を一部省略している。以下、各工程を順に説明する。

まず、図１４（ａ）に示すように、素子層１６が形成された素子基板２２の将来的に液晶層３７側となる面に、第１４の工程として第２の配向膜３４を形成する。そして、第１５の工程として、ラビング用ローラ１９を用いて、該第２の配向膜に素子基板２２に水平な方向であるＹ方向のラビング処理を行う。

次に、図１４（ｂ）に示すように、カラーフィルタ層１５が形成された対向基板２１の将来的に液晶層３７側となる面に、第１２の工程として第１の配向膜３３を形成する。そして、第１３の工程として、ラビング用ローラ１９を用いて、該第１の配向膜に、対向基板２１に水平の方向でありかつＹ方向と９０度異なる方向であるＸ方向のラビング処理を行う。

次に、図１４（ｃ）に示すように、第１６の工程として第１の配向膜３３の将来的に液晶層３７側となる面に光重合性の官能基を有する液晶性モノマー１４を溶媒に溶解等させてなる液材を塗布して、塗布膜としての液晶性モノマー層１３を形成する。そして、該液晶性モノマー層を含む対向基板２１全体を所定の温度まで加熱して、液晶性モノマー１４に液晶相を発現させる。上述したように、図１４（ｃ）は、図１４（ｂ）を９０度回転させて図示している。上述の塗布方法はスピンコート法が好ましい。また、第３の実施形態と同様に、該液晶性モノマーは数種類の材料の混合物が好ましい。

ここで、液晶性モノマー１４に液晶相が発現する際、該液晶相の配列は第１の配向膜３３から配向規制力を受ける。また、本実施形態の液晶性モノマー層１３には、上述の第３〜５の実施形態の該液晶性モノマー層とは異なり、カイラル剤あるいは界面活性剤は含まれていない。したがって、液晶性モノマー層１３内の液晶性モノマー１４の配列方向は、該液晶性モノマー層の全体で共通のＸ方向となる。

次に、図１５（ａ）に示すように、上述の加熱を維持しつつ、第１７の工程として透過部１２ａと遮光部１２ｂとを備えるフォトマスク１２を介して液晶性モノマー層１３に紫外線１１を照射することにより、透過部１２ａと対向する領域（一点鎖線で区画された領域）の液晶性モノマー１４を重合して高分子化する。ここで、遮光部１２ｂと対向する領域の液晶性モノマー１４は、重合されずにそのままの状態を保つ。

次に、図１５（ｂ）に示すように、第１８の工程として遮光部１２ｂと対向する領域の液晶性モノマー層１３、すなわち重合されていない液晶性モノマー層１３を剥離液により除去してパターニングする。剥離液は、上述の第３〜５の実施形態と同様の液を用いることができる。かかる工程により、Ｘ方向の配向を有する異方性高分子としての液晶性モノマー１４を含有するスペーサ２０が形成される。

次に、図１５（ｃ）に示すように、第１９の工程としてスペーサ２０が形成された対向基板２１の将来的に液晶層３７側となる面に、スペーサ２０及び第１の配向膜３３を覆うように第３の配向膜３５を形成する。該第３の配向膜の材質及び形成方法は、第１の配向膜３３及び第２の配向膜３４の形成方法等と同一でよい。

次に、図１６（ａ）に示すように、第２０の工程として第３の配向膜３５にＹ方向のラビング処理を行い、第３の配向膜３５に含有されるポリイミド等の分子をＹ方向に配向する。また、かかるラビング処理により、スペーサ２０の表面の少なくとも一部では第３の配向膜３５が剥離して、スペーサ２０に含有される液晶性モノマー１４が露出する。なお、図１６（ａ）では該表面の略全面が露出するように図示している。

次に、対向基板２１と素子基板２２とのどちらか一方の外縁部に、図示しないシール材２３（図１（ｂ）参照）を形成する。そして図１６（ｂ）に示すように、第２１の工程として対向基板２１と素子基板２２とを、配向膜（第３の配向膜３５と第２の配向膜３４）が形成されている面が対向するように貼り合わせる。上述したようにスペーサ２０とシール材２３の高さは略同一である。したがってシール材２３とスペーサ２０とにより、対向基板２１と素子基板２２との間隔は略一定に保たれる。

次に、図１６（ｃ）に示すように、第２２の工程として上記一対の基板（対向基板２１及び素子基板２２）及びシール材２３で構成される空間内にＯＣＢモードの液晶を注入して、液晶層３７を形成する。以上の工程に、液晶を注入するためにシール材２３に設けられている注入口の封止工程等を更に実施することで、液晶装置を形成する。

（本実施形態の効果）
上述したように、液晶層３７を挟持する一対の配向膜（第３の配向膜３５と第２の配向膜３４）の配向方向は、共にＹ方向である。そしてかかる配向は、挟持される液晶層３７中の液晶分子３８に配向規制力を印加する。したがって、上記一対の配向膜で挟持される液晶層３７に含まれる液晶分子３８の配向は、図示するようにＹ方向を向くスプレイ配向となる。一方、スペーサ２０に含有される液晶性モノマー１４はＸ方向に配向されている。したがって、本実施形態の製造方法により得られる液晶装置は、第３の実施形態の製造方法により得られる液晶装置と同様に、スペーサ２０の配向膜との界面を除く表面の近傍、すなわちスペーサ２０と液晶層３７との界面近傍にディスクリネーション領域１８が形成される。そして、該ディスクリネーション領域を転移核とすることにより、比較的低い転移電圧で円滑にスプレイ配向からベンド配向へと転移させることできる。

また、本実施形態の製造方法は、上述の第３〜５の実施形態の製造方法とは異なり、スペーサ２０の形成にカイラル剤及び界面活性剤等を用いていない。したがって、上述の薬剤を混入する工程を省くことができる。また、該薬剤の添加量の微妙な調整によらず、常に液晶層３７を挟持する一対の配向膜（第３の配向膜３５と第２の配向膜３４）の配向と直交する配向を有するスペーサ２０を形成できる。

また、本実施形態の製造方法により得られる液晶装置は、スペーサ２０の形成工程（第１８の工程）により表面が劣化した可能性のある第１の配向膜３３に代わり、スペーサ２０の形成後に新たに形成された第３の配向膜３５と、第２の配向膜３４と、で液晶層３７を挟持できる。したがって、上述の表面の劣化が生じている場合においても、良好な画像を表示できる。また、上記第１８の工程における剥離液の選定の自由度が向上するため、液晶性モノマー層１３のパターニングをより一層容易に実施できる。なお、第１の配向膜３３に付与する配向の方向は、対向基板２１に垂直の方向すなわちＺ方向でもよい。かかる方向の配向は、レーザー光の照射等で形成できる。

（電子機器）
次に、上述の第１〜第６の実施形態にかかる液晶装置のいずれかを電子機器に適用した例について説明する。図１７は、電子機器としての携帯電話機８０の斜視図である。携帯電話機８０は、表示部８１及び操作ボタン８２を有している。表示部８１は、内部に組み込まれた上述の第１〜第６の実施形態にかかる液晶装置のいずれかの液晶装置によって、操作ボタン８２で入力した内容や着信情報を始めとする様々な情報について表示を行うことができる。携帯電話機８０は、表示部８１に搭載された液晶装置１（または液晶装置２）を容易に初期配向転移させて表示可能な状態に移行することができる。また、上述の液晶装置においてスプレイ配向への逆転移が生じにくいことに起因して、高品位な表示を行うことができる。

図１８は、電子機器としての投射型表示装置（プロジェクター）２００の概略構成を示す図である。投射型表示装置２００は、上述の第１〜第６の実施形態にかかる液晶装置のいずれかを光変調装置として用いている。図１８において、２１０は光源、２１３、２１４はダイクロイックミラー、２１５、２１６、２１７は反射ミラー、２１８は入射レンズ、２１９はリレーレンズ、２２０は出射レンズ、２２５はクロスダイクロイックプリズム、２２６は投写レンズである。そして、２２２、２２３、及び２２４は、上述の第１〜第６の実施形態にかかる液晶装置のいずれかを用いた液晶光変調装置である。具体的には、２２２が赤色光用液晶光変調装置、２２３が緑色光用液晶光変調装置、２２４が青色光用液晶光変調装置、である。

光源２１０は、メタルハライド等のランプ２１１とランプの光を反射するリフレクタ２１２とを備えている。青色光、緑色光反射のダイクロイックミラー２１３は、光源２１０からの光束のうちの赤色光を透過させると共に、青色光と緑色光とを反射する。透過した赤色光は反射ミラー２１７で反射されて、赤色光用液晶光変調装置２２２に入射される。

一方、ダイクロイックミラー２１３で反射された光のうち緑色光は緑色光反射のダイクロイックミラー２１４によって反射され、緑色光用液晶光変調装置２２３に入射される。なお、青色光はダイクロイックミラー２１４も透過する。青色光に対しては、光路長が緑色光、赤色光と異なるのを補償するために、入射レンズ２１８、リレーレンズ２１９、出射レンズ２２０を含むリレーレンズ系からなる導光手段２２１が設けられ、これを介して青色光が青色光用液晶光変調装置２２４に入射される。

各液晶光変調装置により変調された三原色光の夫々はクロスダイクロイックプリズム２２５に入射する。このプリズムは４つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって上述の三原色光が合成されて、カラー画像を表す光が形成される。合成された光は、投写光学系である投写レンズ２２６によってスクリーン２２７上に投写され、画像が拡大されて表示される。

本実施形態によれば、短時間で液晶層全体を確実にベンド転移させることができる上述の第１〜第６の実施形態にかかる液晶装置のいずれかを搭載したので、表示特性が高く、応答速度の高い表示が可能な投射型表示装置２００を得ることができる。

（変形例１）
上述の第１の実施形態において、スペーサ２０に含有される液晶性モノマー１４の配向は１８０度回転（ツイスト）するツイスト配向であった。しかし、ツイストの角度は１８０度に限定されるものではない。液晶性モノマー１４がスプレイ配向になっていない限り、ディスクリネーション領域１８が形成され、該領域を転移核として、短時間で液晶層３７全体を確実にベンド転移させることができる。

（変形例２）
上述の第５の実施形態においては、スペーサ２０に含有される液晶性モノマー１４の配向はツイスト配向であった。しかし、かかる配向はツイスト配向に限定されることはない。スペーサ２０に含有される液晶性モノマー１４の配向をハイブリッド配向としても、スペーサ２０の形成時に劣化した第１の配向膜３３に代わり、新たに形成した第３の配向膜３５により液晶分子を配向できるという効果を、第５の実施形態によって得られる液晶装置と同様に得ることができる。

（変形例３）
上述の各実施形態では、スペーサ２０として断面が円形の円柱状の物を示している。しかし、スペーサ２０の断面形状は円形に限定されるものではなく、四角形等の他の形状のものを用いることもできる。また、スペーサ２０の個数も、１つ画素４１につき１つに限定されるものではない。各画素４１毎に複数のスペーサ２０を形成して、画素領域４５の周囲に複数の転移核を形成することもできる。逆に、複数の画素４１に対して１つのスペーサ２０を形成することもできる。スプレイ配向からベンド配向への転移は画素領域４５を超えて伝播するため、かかる態様でも表示領域１００内の液晶層３７全体をベンド転移させることができる。

第１の実施形態にかかる液晶装置の構成を模式的に示す図。 ＯＣＢモードにおける液晶分子の配列を示す図。 液晶装置の表示領域における各種素子、配線等の等価回路図。 画素の構成を示す平面図。 画素電極及び遮光層の形状を示す平面図。 図４中のＢ−Ｂ’線における断面図。 第１の実施形態の液晶装置のスペーサを、対向基板に垂直な面で切断した断面図。 第２の実施形態の液晶装置のスペーサを、対向基板に垂直な面で切断した断面図。 第３の実施形態にかかる液晶装置の製造方法を示す工程断面図。 第３の実施形態にかかる液晶装置の製造方法を示す工程断面図。 第４の実施形態にかかる液晶装置の製造方法を示す工程断面図。 第４の実施形態にかかる液晶装置の製造方法を示す工程断面図。 第５の実施形態にかかる液晶装置の製造方法を示す工程断面図。 第６の実施形態にかかる液晶装置の製造方法を示す工程断面図。 第６の実施形態にかかる液晶装置の製造方法を示す工程断面図。 第６の実施形態にかかる液晶装置の製造方法を示す工程断面図。 電子機器としての携帯電話機の斜視図。 電子機器としての投射型表示装置の概略構成図。

符号の説明

１…液晶装置、２…液晶装置、１１…紫外線、１２…フォトマスク、１２ａ…透過部、１２ｂ…遮光部、１３…塗布膜としての液晶性モノマー層、１４…光学的異方性を有する高分子としての液晶性モノマー、１５…カラーフィルタ層、１６…素子層、１８…ディスクリネーション領域、１９…ラビング用ローラ、２０…スペーサ、２１…第１の基板としての対向基板、２２…第２の基板としての素子基板、２３…シール材、２４…ドライバーＩＣ、３１…第１の偏光板、３２…第２の偏光板、３３…第１の配向膜、３４…第２の配向膜、３５…第３の配向膜、３７…液晶層、３８…液晶分子、４０…ＴＦＴ、４１…画素、４２…第２の電極としての画素電極、４３…第１の電極としての共通電極、４４…補助容量、４５…画素領域、４９…遮光層、５０…カラーフィルタ、５２…ドレイン電極、５４…ソース電極、５６…半導体層、５８…ゲート絶縁層、６０…層間絶縁層、６２…コンタクトホール、８０…携帯電話機、８１…表示部、８２…操作ボタン、１００…表示領域、１０２…走査線、１０４…データ線、１０６…容量線、２００…投射型表示装置、２１０…光源、２１１…ランプ、２１２…リフレクタ、２１３…ダイクロイックミラー、２１４…ダイクロイックミラー、２１５…反射ミラー、２１６…反射ミラー、２１７…反射ミラー、２１８…入射レンズ、２１９…リレーレンズ、２２０…出射レンズ、２２２…赤色光用液晶光変調装置、２２３…緑色光用液晶光変調装置、２２４…青色光用液晶光変調装置、２２５…クロスダイクロイックプリズム、２２６…投写レンズ、２２７…スクリーン。

Claims (24)

1. 互いに対向して配置された第１の基板と第２の基板とからなる一対の基板と、
   前記一対の基板に挟持され、配向状態がスプレイ配向とベンド配向のいずれか一方から他方へと転移する液晶層と、
   前記第１の基板の前記液晶層側に形成された第１の電極と、
   前記第２の基板の前記液晶層側に形成された第２の電極と、
   前記第１の電極の前記液晶層側に形成された第１の配向膜と、
   前記第２の電極の前記液晶層側に形成された第２の配向膜と、
   前記一対の基板間に配置され、光学的異方性を有する高分子を含有したスペーサと、
   を備える液晶装置であって、
   前記第１の配向膜及び前記第２の配向膜は、互いに同一方向に配向処理が施されており、前記スペーサの表面の少なくとも一部が前記液晶層と接触しており、かつ、該一部近傍における前記光学的異方性を有する高分子が前記配向膜の配向方向とは異なる方向に配向していることを特徴とする液晶装置。
2. 請求項１に記載の液晶装置であって、
   前記スペーサは、前記液晶層の厚み方向で該液晶層と接触する露出した表面を有しており、該表面近傍における前記光学的異方性を有する高分子が前記配向膜の配向方向とは異なる方向に配向していることを特徴とする液晶装置。
3. 請求項１又は２に記載の液晶装置であって、
   前記光学的異方性を有する高分子は、液晶性モノマーを含有する組成物を重合して得られたものであることを特徴とする液晶装置。
4. 請求項１〜３のいずれか一項に記載の液晶装置であって、
   前記一対の基板は、該基板の平面内に、各々が光を射出する複数の画素領域と、隣り合う前記画素領域間を区画する非表示領域と、を含み、
   前記スペーサは、前記非表示領域内に形成されていることを特徴とする液晶装置。
5. 請求項１〜４のいずれか一項に記載の液晶装置であって、
   前記スペーサは、前記複数の画素領域の各々につき少なくとも１つ形成されていることを特徴とする液晶装置。
6. 請求項１〜５のいずれか一項に記載の液晶装置であって、
   前記スペーサに含有される前記光学的異方性を有する高分子は、前記スペーサと前記第１の配向膜との界面と、前記スペーサと前記第２の配向膜との界面と、のどちらか一方の界面の近傍において前記配向膜の配向方向と略同一の方向に配向しており、かつ、前記第１の配向膜と前記第２の配向膜との間でツイスト配向していることを特徴とする液晶装置。
7. 請求項６に記載の液晶装置であって、
   前記ツイスト配向のツイスト角は略１８０度であることを特徴とする液晶装置。
8. 請求項１〜５のいずれか一項に記載の液晶装置であって、
   前記スペーサに含有される前記光学的異方性を有する高分子は、前記スペーサと前記第１の配向膜との界面と、前記スペーサと前記第２の配向膜との界面と、のどちらか一方の界面の近傍において前記配向膜の配向方向と略同一の方向に配向しており、かつ、前記第１の配向膜と前記第２の配向膜との間でハイブリッド配向していることを特徴とする液晶装置。
9. 請求項１〜８のいずれか一項に記載の液晶装置であって、
   前記第１の配向膜の前記液晶層側の面と前記第２の配向膜の前記液晶層側の面とのどちらか一方の面における前記スペーサが配置されていない領域に、第３の配向膜が更に配置されていることを特徴とする液晶装置。
10. 請求項１〜９のいずれか一項に記載の液晶装置を表示部に備えることを特徴とする電子機器。
11. 互いに対向して配置された第１の基板と第２の基板とからなる一対の基板と、
    前記一対の基板に挟持され、配向状態がスプレイ配向とベンド配向のいずれか一方から他方へと転移する液晶層と、
    前記第１の基板の前記液晶層側に形成された第１の電極と、
    前記第２の基板の前記液晶層側に形成された第２の電極と、
    前記第１の電極の前記液晶層側に形成された第１の配向膜と、
    前記第２の電極の前記液晶層側に形成された第２の配向膜と、
    前記一対の基板間に配置され、光学的異方性を有する高分子を含有したスペーサと、
    を備える液晶装置の製造方法であって、
    前記第１の基板の一方の面に前記第１の配向膜を形成する第１の工程と、
    前記第１の配向膜に前記第１の基板に対して水平方向の配向処理を施す第２の工程と、
    前記第２の基板の一方の面に前記第２の配向膜を形成する第３の工程と、
    前記第２の配向膜に、前記第１の配向膜に付与された配向方向と同一方向の配向処理を施す第４の工程と、
    配向処理が施された前記第１の配向膜上に光重合性の官能基を有する液晶性モノマーを含む液状材料を塗布して、層厚方向の一部分における該液晶性モノマーが前記第１の配向膜に付与された配向方向と異なる方向に配向された塗布膜を形成する第５の工程と、
    前記塗布膜をフォトマスクを介して露光して、所定の領域における前記液晶性モノマーを高分子化する第６の工程と、
    前記第６の工程において露光されなかった領域の前記塗布膜を除去してスペーサを形成する第７の工程と、
    前記第１の基板と前記第２の基板とを、前記第１の配向膜と前記第２の配向膜とが対向するように前記スペーサを介して貼り合わせる第８の工程と、
    前記第１の基板と前記第２の基板との間に液晶を充填する第９の工程と、
    を含むことを特徴とする液晶装置の製造方法。
12. 請求項１１に記載の液晶装置の製造方法であって、
    前記第５の工程は、前記光重合性の官能基を持つ液晶性モノマーとカイラル剤とを含む液状材料を塗布する工程であることを特徴とする液晶装置の製造方法。
13. 請求項１２に記載の液晶装置の製造方法であって、
    前記第５の工程は、形成後の前記塗布膜の表面近傍における前記液晶性モノマーの配列方向が前記第１の配向膜の配向方向に対して１８０度回転した方向となるように、前記液晶性モノマーと前記カイラル剤との混合比率を調整した液状材料を塗布する工程であることを特徴とする液晶装置の製造方法。
14. 請求項１１に記載の液晶装置の製造方法であって、
    前記第５の工程は、前記光重合性の官能基を持つ液晶性モノマーと界面活性剤とを含む液状材料を塗布する工程であることを特徴とする液晶装置の製造方法。
15. 請求項１４に記載の液晶装置の製造方法であって、
    前記第５の工程は、形成後の前記塗布膜内における前記液晶性モノマーの配列方向が、該塗布膜の表面近傍では前記一対の基板に対して略垂直方向となるように、前記液晶性モノマーと前記界面活性剤との混合比率を調整した液状材料を塗布する工程であることを特徴とする液晶装置の製造方法。
16. 請求項１１〜１５のいずれか一項に記載の液晶装置の製造方法であって、
    前記液晶装置は、複数の画素領域と隣り合う該画素領域間を区画する非表示領域とを有しており、
    前記第６の工程は、前記非表示領域内の一部領域を露光する工程であることを特徴とする液晶装置の製造方法。
17. 請求項１６に記載の液晶装置の製造方法であって、
    前記第６の工程は、前記スペーサが、前記複数の画素領域の各々につき少なくとも１つは形成されるように露光する工程であることを特徴とする液晶装置の製造方法。
18. 請求項１１〜１７のいずれか一項に記載の液晶装置の製造方法であって、
    前記第７の工程と前記第８の工程との間に、
    前記第１の配向膜上の前記第７の工程により前記塗布膜が除去された領域に第３の配向膜を形成する第１０の工程と、
    該第３の配向膜に、前記第２の工程において前記第１の配向膜に施された配向処理と同一方向の配向処理を施す第１１の工程と、を更に実施することを特徴とする液晶装置の製造方法。
19. 互いに対向して配置された第１の基板と第２の基板とからなる一対の基板と、
    前記一対の基板に挟持され、配向状態がスプレイ配向とベンド配向のいずれか一方から他方へと転移する液晶層と、
    前記第１の基板の前記液晶層側に形成された第１の電極と、
    前記第２の基板の前記液晶層側に形成された第２の電極と、
    前記第１の電極の前記液晶層側に形成された第３の配向膜と、
    前記第２の電極の前記液晶層側に形成された第２の配向膜と、
    前記一対の基板間に配置され、光学的異方性を有する高分子を含有したスペーサと、
    を備える液晶装置の製造方法であって、
    前記第１の基板上に第１の配向膜を形成する第１２の工程と、
    前記第１の配向膜に第１の方向の配向処理を施す第１３の工程と、
    前記第２の基板上に前記第２の配向膜を形成する第１４の工程と、
    前記第２の配向膜に、前記第２の基板に対して水平の方向かつ前記第１の配向膜に付与された配向方向とは異なる方向である第２の方向の配向処理を施す第１５の工程と、
    配向処理が施された前記第１の配向膜上に光重合性の官能基を有する液晶性モノマーを含む液状材料を塗布して、該液晶性モノマーを含む塗布膜を形成する第１６の工程と、
    前記塗布膜をフォトマスクを介して露光して、所定の領域における前記液晶性モノマーを高分子化する第１７の工程と、
    前記第１７の工程において露光されなかった領域の前記塗布膜を除去してスペーサを形成する第１８の工程と、
    前記スペーサが形成された前記第１の基板の前記一方の面に前記第３の配向膜を形成する第１９の工程と、
    前記第３の配向膜に、前記第２の方向の配向処理を施す第２０の工程と、
    前記第１の基板と前記第２の基板とを、前記第３の配向膜と前記第２の配向膜とが対向するように前記スペーサを介して貼り合わせる第２１の工程と、
    前記第１の基板と前記第２の基板との間に液晶を充填する第２２の工程と、
    を含むことを特徴とする液晶装置の製造方法。
20. 請求項１９に記載の液晶装置の製造方法であって、
    前記第１５の工程は、前記第１の配向膜に付与された配向方向とは略９０度異なる方向に配向処理を施す工程であることを特徴とする液晶装置の製造方法。
21. 請求項２０に記載の液晶装置の製造方法であって、
    前記第１３の工程は、前記第１の基板に対して略垂直方向に配向処理を施す工程であることを特徴とする液晶装置の製造方法。
22. 請求項２０に記載の液晶装置の製造方法であって、
    前記第１３の工程は、前記第１の基板に対して略水平方向に配向処理を施す工程であることを特徴とする液晶装置の製造方法。
23. 請求項１９〜２２のいずれか一項に記載の液晶装置の製造方法であって、
    前記液晶装置は、複数の画素領域と隣り合う該画素領域間を区画する非表示領域とを有しており、
    前記第１７の工程は、前記非表示領域内の一部領域を露光する工程であることを特徴とする液晶装置の製造方法。
24. 請求項２３に記載の液晶装置の製造方法であって、
    前記第１７の工程は、前記スペーサが、前記複数の画素領域の各々につき少なくとも１つは形成されるように露光する工程であることを特徴とする液晶装置の製造方法。

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