JP2009510800A - 横方向に成長したナノチューブとその形成方法 - Google Patents
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Abstract
半導体装置（１０）は、例えば、炭素などのナノチューブから形成される横方向導体又は配線を備える。犠牲層（１６）は、基板（１２）の上方に形成される。誘電体層（１８）は、犠牲層の上方に形成される。横方向開口（３４）は、二つの金属性触媒柱の間に位置する誘電体層の一部と犠牲層とを除去することによって形成される。横方向開口は、首部分と、ナノチューブを成長させる制約スペースとして用いられる空洞部分とを含む。プラズマ（３６）は、ナノチューブの形成方向を制御する電場を形成する電荷を加えるために用いられる。ナノチューブ（４２，４４）は、各金属性触媒柱から横方向に成長すると共に、隣接するか、或いは一つのナノチューブに合体する。ナノチューブは、首部分（２４）又は金属性触媒柱（２０，２２）と接触することができる。
Description
本発明は、集積回路に係り、より詳しくは、横方向に成長したナノチューブに関する。
銅配線の使用は、抵抗が低いため、アルミニウムよりも大きく進歩した。高密度の利点によって推進されるリソグラフィー及びプロセス処理の相次ぐ改良によりサイズが小さくなるほど、銅は相互接続規模の対応するスケーリングに不都合な特徴を示す。銅のこのような最終的な問題を解消するうえで有望な材料の一つとして、カーボン・ナノチューブが挙げられる。直径が約１０ｎｍであるカーボン・ナノチューブは成長可能であり、同寸法の銅よりもかなり低い抵抗を有している。より低い抵抗は、カーボン・ナノチューブを束にするか、又はそれらをより大きな直径にすることによって得ることができる。例えば、ニッケルやシリコンのナノチューブなどの幾つかの非カーボン・ナノチューブは金属性であり、また相互接続導体の候補でもある。１０ｎｍの銅線は困難であるが、近いうちに製造可能になるであろう。しかしながら、銅が幅１０ｎｍで断面積と抵抗との間に直線関係を示すのであれば、抵抗率はその寸法で予測されるよりもかなり増大する。
カーボン・ナノチューブの問題点の一つとして、それらを横方向に形成する上での困難性がある。横方向への形成は、半導体での相互接続層の製造に適している。多くのカーボン・ナノチューブは、無作為に、無計画な方法で成長させたものであった。最近、カーボン・ナノチューブを縦方向に成長させる方法が見出された。これらはいずれもビアに対するカーボン・ナノチューブの利点を示すうえで有用であったが、必要な銅相互接続層の代わりになるものではない。
従って、より実行可能なナノチューブを用いて半導体を製造する方法で、ナノチューブ、特にカーボン・ナノチューブを横方向に製造することが求められている。
一態様として、中間層は二つの別の層の間に挟まれ、中間層は別の二つの層に対して選択的にエッチングされる。一列に並んだ三つの穴は、別の二つの層のうちの上層と中間層とを通過して作製される。一つの穴は、端部穴である別の二つの穴の間の実質的に中間にある中心穴である。触媒ライナが端部穴に形成される間、中心穴は覆われている。その後、端部穴が覆われ、中心穴が暴露される。等方性エッチングを用いることによって、触媒を有する二つの端部穴の間の中間層の一部を除去する。エッチングは、中間層に隣接した側面に沿って触媒ライナが暴露されるまで継続される。暴露された触媒ライナの側面により前駆物質を中心穴から触媒ライナに到達させることによって、カーボン・ナノチューブの成長が得られる。その成長は、カーボン・ナノチューブが連結されるまで継続される。導電プラグは、二つのカーボン・ナノチューブを確実に電気接続するため、中心穴に形成することができる。これにより、二つの端部穴と接続する横方向カーボン・ナノチューブ線が完成する。ビアは、端部穴及び中心穴に作製可能である。これは、図と以下の説明を参照することにより明らかである。
本発明は、一例として示されており、これに限定するものではない。添付図面の各図において、類似の部材番号は類似の要素を指す。
図１に示す半導体装置１０は、能動回路１２、絶縁層１４、絶縁層１６、及び絶縁層１８を備える。能動回路１２は、半導体基板内及びその上方に形成されたトランジスタと他の回路要素との集合体である。能動回路１２は任意の機能であってもよく、上層の相互接続層に接続するためのビアを備えることが必要であろう。絶縁層１４は、本実施例において形成されるべき相互接続層と能動回路１２との間の層間絶縁膜として機能する。それとは別に、絶縁層１４は、上方にある別の相互接続層であってもよい。絶縁層１６は、絶縁層１４，１８に対して選択的にエッチングすることのできる材料からなる。この実施例において、絶縁層１４，１８は酸化ケイ素であり、絶縁層１６は窒化ケイ素である。
図２は、絶縁体層１８，１６を通過する開口２０，２２，２４を形成した後の半導体装置１０を示す。開口２４は、開口２０，２２の間の実質的に中心に設けられることが好ましい。
図３は、開口２０，２２を暴露させたままで開口２４の上方にマスキング層２６を形成した後の半導体装置１０を示す。マスキング層２６の形成後、触媒ライナ２８が開口２０，２２に形成される。また、触媒ライナ２８はマスキング層２６も覆う。触媒ライナ２８は、カーボン・ナノチューブを成長させるシード層として機能する能力により選択される。そのような材料の一つとしてコバルトがある。各触媒材料は、単独か或いは組み合わせることができる。他の選択として、鉄、モリブデン及びニッケルが挙げられる。他の材料は、同様に、この目的に有効である可能性がある。マスキング層２６はフォトレジストであることが好ましいが、別のマスキング材料であってもよい。フォトレジストは、特に、直接パターニングでき、かつリフトオフ工程でフォトレジスト上に蒸着した材料を除去するのに有用であるとの理由から有利である。
図４は、触媒ライナ２８上に金属ライナ３０を、更に金属ライナ３０上に金属プラグ層３２を形成した後の半導体装置１０を示す。金属ライナ３０はタンタルが好ましい。他の材料として、アルミニウム、窒化タンタル、カーボン・ナノチューブ及び窒化チタンなどが挙げられる。他の導体材料もまた有効である可能性がある。金属プラグ層３２は銅が好ましい。また、使用可能な別の材料としてタングステンがある。プラグとして有効な他の材料として、適切なライナ及び触媒によって開口２０，２２に選択的に蒸着される他の直立型導電ナノチューブがある。ニッケル・ナノチューブは、この方法で使用することが可能である。他の材料もまた、プラグとして有効である。
図５は、マスキング層２６を覆う触媒ライナ２８、金属ライナ３０及び金属プラグ層３２を除去するリフトオフ工程によってマスキング層２６を除去した後の半導体装置１０を示す。化学機械研磨（ＣＭＰ）プロセスが、開口２０，２２においてではなく、残りの触媒ライナ２８、金属ライナ３０、及び金属プラグ層３２を除去するために用いられる。
図６は、開口２０，２２の間の領域にある絶縁層１６を除去する等方性エッチングを適用した後の半導体装置１０を示す。これにより、開口２０，２２の間の領域にある開口２０，２２の触媒ライナ２８の外側壁が暴露される。この実施例において絶縁層１４，１８が酸化物であり、層１６が窒化物であることにより、湿式エッチング液が効果的である。例えば、熱リン酸は、この場合において、有効な湿式エッチング液である。例えば、キセノンとフッ素プラズマの乾式エッチングを使用することもできる。その結果、開口２４は、開口２０，２２の触媒ライナ２８の間の領域にある空洞３４に開口する首のようである。
図７は、図６に示す半導体装置１０の平面図である。これは、等方性エッチングによって得られた実質的に円形の空洞３４を示す。別の方法として、トレンチを最初に形成し、そのトレンチに層１６を形成する方法がある。トレンチの方法は、開口２０，２２，２４を形成する上でトレンチとの整列を必要とする。方法は、更に別の処理ステップも必要とする。
図８は、触媒ライナ２８からカーボン・ナノチューブを形成するため、前駆物質にプラズマ３６を適用した後の半導体装置１０を示す。この実施例において、前駆物質は、アセチレン及び水素であることが好ましい。他の実施例として、アセチレンに代えて他の炭化水素が挙げられる。他のプラズマもまた可能である。水素の可能な代替物として、ＮＨ３やアルゴンなどが挙げられる。プラズマは、開口２４に沿って電子から陰電荷を生成し、開口２４下にある空洞３４の底部上の正電荷イオンから正電荷を生成することができる。この種の帯電配置は、一般的に有害と考えられるプラズマの公知の作用である。しかし、この場合、電荷配置は、ナノチューブの成長方向を決める正電荷３８と触媒ライナ２８との間の電場４０を設定する上で有用である。更に、プラズマ蒸着の前に、電荷確立ステップを提供することが有利である。例えば、アルゴン単独のプラズマステップは、この目的のために有効である。
図９は、シーム４６で一体になるカーボン・ナノチューブ４２とカーボン・ナノチューブ４４とを形成すべく適用されるプラズマ３６が作用した後の半導体装置１０を示す。シーム４６での電気接触を確立するための方法の一つとして、プラズマによって二つのカーボン・ナノチューブを溶接することがある。
図１０は、図９に示す断面の平面図における半導体装置１０である。これは、カーボンチューブ４２が触媒ライナ２８から開口２４に向かって直線状に形成されることを示す。これは、カーボンチューブ４２，４４が絶縁層１８の下方にあるが、開口２０，２２及び２４と接触できることを示す。
図１１は、カーボン・ナノチューブ４２，４４を電気的に接続すると共に、触媒ライナ２８間に連続導電線を形成する導電プラグ４８を形成した後の半導体装置１０を示す。導電プラグ４８は、ナノチューブ４２，４４間に信頼性のある接触がなされるなら、不要かもしれない。また、導電プラグ４８は、導電線との接触のため、ビアに有用な位置を提供する。開口２０，２２内の金属プラグ層の残りの部分は、ビアの作製に有用な場所である。また、ビアは、能動回路１２や別の下層の相互接続層との接触のため、絶縁層１６を形成する前に、絶縁層１４を通過して形成することができる。
例示目的で選択された本明細書に記載の実施形態に対する様々な変更例や変形例は、当業者とって、容易に想到するものであろう。例えば、カーボン・ナノチューブ以外のナノチューブを使用することもできる。実際に、導電ナノチューブよりはむしろ、横方向絶縁ナノチューブを備えることが望ましい場合もある。そのような場合、窒化ホウ素ナノチューブを使用することができる。そのような場合、少なくとも前駆物質が異なるであろう。そのような前駆物質の一つとしてボラジンがある。また、最初にトレンチが絶縁層１６に形成されるなら、ナノチューブの成長にプラズマを使用する必要はないかもしれない。プラズマは、例えば、ナノチューブの低温形成に都合が良いなどの他の理由から、依然として有益であるかもしれない。更に、長い相互接続線は、上記のようなナノチューブ部分から製造することができる。抵抗を下げることは、膨大な長さに渡り抵抗が蓄積されることで著しい信号遅延の原因になるとの理由から、例えば地球規模の相互接続線などの長い相互接続線にとって、とりわけ重要である。そのような変更例や変形例は、本発明の趣旨から逸脱しない限り、以下の特許請求の範囲な厳正な解釈によってのみ評価される発明の範囲に含めることを意図している。
Claims (20)
- ナノチューブを横方向に成長させる方法であって、
二つの金属性触媒の間に延びる横方向開口を形成するステップであって、前記横方向開口は首部分と空洞部分とを備えるステップと、
二つの前記金属性触媒の間に連続性横方向電気導体を形成すべく、前記各金属性触媒から半径方向にナノチューブを成長させる制約スペースとして、前記横方向開口の前記空洞部分を用いるステップと
を備える方法。 - 請求項１記載の方法は、更に、
二つの前記金属性触媒の間の実質的に直線路内だけに前記ナノチューブの成長を限定するため、前記横方向開口の前記首部分の上方にプラズマを形成するステップを備える方法。 - 請求項２記載の方法は、更に、
前記ナノチューブの成長方向を制御する径方向電場を前記横方向開口の前記空洞部分内に誘発すべく、前記横方向開口の前記首部分に沿う部分と、前記首部分の下方の前記空洞部分の下面の上方とに、前記プラズマから電荷を堆積させるステップを備える方法。 - 請求項１記載の方法において、
前記横方向開口を形成するステップは、更に、
基板を提供するステップと、
前記基板の上方に犠牲層を形成するステップと、
前記犠牲層の上方に絶縁層を形成するステップと、
二つの前記金属性触媒の間の前記犠牲層を除去することによって、前記横方向開口を形成すべく前記絶縁層と前記犠牲層とをエッチングするステップと
を備える方法。 - 請求項１記載の方法は、更に、
基板を提供するステップと、
前記基板の上方に犠牲層を形成するステップと、
前記犠牲層の上方に絶縁層を形成するステップと、
二つの前記金属性触媒の位置を規定する第一開口と第二開口とを形成すべく、前記絶縁層と前記犠牲層をエッチングするステップと、
前記第一開口及び前記第二開口のそれぞれの一部内に金属性触媒材料層を形成するステップであって、前記金属性触媒材料層の一部が前記横方向開口に暴露されるステップと、
前記横方向開口内でのカーボン・ナノチューブの成長を促進すべく、前記横方向開口に暴露される前記金属性触媒材料層の一部を炭素含有材料に暴露するステップと
を備える方法。 - 請求項１記載の方法は、更に、
実質的に前記横方向開口の中心に、前記横方向開口の前記首部分を形成するステップを備える方法。 - 請求項１記載の方法は、更に、
前記連続性横方向電気導体と電気的に接触するビアを形成すべく、導電材料を前記首部分に充填するステップを備える方法。 - 基板と、
前記基板の上方に設けられ、第一金属性触媒材料柱と第二金属性触媒材料柱とを分離する絶縁材料層であって、前記絶縁材料層は、二つの前記金属性触媒の間に延びる横方向領域に開口を有し、前記横方向領域への前記開口は、首部分と空洞部分を備える絶縁材料層と、
前記第一金属性触媒材料柱と前記第二金属性触媒材料柱とを電気的に接続させるべく、前記横方向領域の前記空洞部分に少なくとも十分な量だけ充填されたナノチューブと
を備える半導体。 - 請求項８記載の半導体において、
前記ナノチューブはカーボン・ナノチューブを含み、
前記第一金属性触媒材料柱及び前記第二金属性触媒材料柱は、鉄、コバルト、モリブデン、ニッケル又は白金のうちの一つを含む半導体。 - 請求項８記載の半導体において、
前記絶縁材料層の前記開口は、前記第一金属性触媒材料柱と前記第二金属性触媒材料柱との間の実質的に中心に設けられている半導体。 - 請求項８記載の半導体は、更に、
前記ナノチューブ内に界面を備え、
前記界面は、前記第一金属性触媒材料柱から成長した第一ナノチューブと前記第二金属性触媒材料柱から成長した第二ナノチューブ部分とが物理的に接触する領域である半導体。 - 請求項１１記載の半導体において、
前記界面は、前記横方向領域の前記首部分の実質的に下方に位置する半導体。 - 請求項８記載の半導体において、
前記ナノチューブは、更に、窒化ホウ素ナノチューブを含む半導体。 - 請求項８に記載の半導体において、
前記半導体は、更に、前記ナノチューブに電気接触させるべく、前記横方向開口の前記首部分に充填される導電ビアを備える半導体。 - 請求項８記載の半導体は、更に、
各ビアの一部として前記第一金属性触媒材料柱と前記第二金属性触媒材料柱とを用いて形成された第一及び第二の導電ビアを備え、前記第一及び第二の導電ビアは、前記半導体の上方レベルでのナノチューブとの電気的な接触を提供する半導体。 - ナノチューブを横方向に成長させる方法であって、
基板を形成するステップと、
前記基板の上方に犠牲層を形成するステップと、
前記犠牲層の上方に誘電体層を形成するステップと、
二つの金属性触媒柱の間に位置する前記誘電体層の一部と前記犠牲層の全てとを除去して横方向開口を形成するステップであって、前記横方向開口は、除去される前記誘電体層から形成された首部分と、除去される前記犠牲層から形成された空洞部分とを備えるステップと、
二つの前記金属性触媒柱の間に連続性横方向電気導体を形成すべく、二つの前記金属性触媒柱の各々から半径方向にナノチューブを成長させる制約スペースとして、前記横方向開口の前記空洞部分を用いるステップと
を備える方法。 - 請求項１６記載の方法は、更に、
二つの前記金属性触媒の間の実質的に直線路内だけに前記ナノチューブの成長を限定するため、前記横方向開口の前記首部分の上方にプラズマを形成するステップを備え、
前記プラズマは、前記ナノチューブの成長方向を制御する径方向電場を前記横方向開口の前記空洞部分内に誘導すべく、前記横方向開口の前記首部分に沿う部分と、前記首部分の下方の前記空洞部分の下面の上方とに電荷を堆積させる方法。 - 請求項１６記載の方法は、更に、
前記連続性横方向電気導体と電気的に接触するビアを形成すべく、導電材料を前記首部分に充填するステップ備える方法。 - 請求項１６記載の方法は、更に、
前記横方向開口の実質的に中心に前記横方向開口の前記首部分を形成するステップを備える方法。 - 請求項１６記載の方法は、更に、
前記ナノチューブとしてカーボン・ナノチューブを形成するステップを備え、
二つの前記金属性触媒柱は、鉄、コバルト、白金、ニッケル又はモリブデンのうちの一つを含む方法。
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013144627A (ja) * | 2012-01-16 | 2013-07-25 | Industry-Academic Cooperation Foundation At Namseoul Univ | 炭素ナノチューブの水平成長方法、これを用いた水平配線及びこれを用いた電界効果トランジスタ |
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|---|---|---|---|---|
| US7459013B2 (en) * | 2004-11-19 | 2008-12-02 | International Business Machines Corporation | Chemical and particulate filters containing chemically modified carbon nanotube structures |
| FR2925764B1 (fr) * | 2007-12-20 | 2010-05-28 | Commissariat Energie Atomique | Procede de croissance horizontale de nanotubes/nanofibres. |
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| US10665799B2 (en) * | 2016-07-14 | 2020-05-26 | International Business Machines Corporation | N-type end-bonded metal contacts for carbon nanotube transistors |
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Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001177052A (ja) * | 1999-10-25 | 2001-06-29 | Lucent Technol Inc | 原位置微小相互接続回路装置およびその製造方法 |
| JP2002118248A (ja) * | 2000-07-18 | 2002-04-19 | Lg Electronics Inc | カーボンナノチューブの水平成長方法及びこれを利用した電界効果トランジスタ |
| JP2004018342A (ja) * | 2002-06-19 | 2004-01-22 | Fujitsu Ltd | カーボンナノチューブ及びその製造方法並びにカーボンナノチューブ製造用触媒 |
| JP2004533936A (ja) * | 2001-05-16 | 2004-11-11 | インフィネオン テクノロジーズ アクチエンゲゼルシャフト | ナノチューブ配列構造およびナノチューブ配列構造の生成方法 |
| JP2005239541A (ja) * | 2004-02-25 | 2005-09-08 | Samsung Electronics Co Ltd | カーボンナノチューブの水平成長方法およびカーボンナノチューブを含む素子 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5227013A (en) * | 1991-07-25 | 1993-07-13 | Microelectronics And Computer Technology Corporation | Forming via holes in a multilevel substrate in a single step |
| US6346189B1 (en) * | 1998-08-14 | 2002-02-12 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Carbon nanotube structures made using catalyst islands |
| US6420092B1 (en) * | 1999-07-14 | 2002-07-16 | Cheng-Jer Yang | Low dielectric constant nanotube |
| US6590322B2 (en) * | 2000-01-07 | 2003-07-08 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Low gate current field emitter cell and array with vertical thin-film-edge emitter |
| JP2002025638A (ja) * | 2000-07-11 | 2002-01-25 | Nec Corp | 電 池 |
| WO2002080360A1 (en) * | 2001-03-30 | 2002-10-10 | California Institute Of Technology | Pattern-aligned carbon nanotube growth and tunable resonator apparatus |
| GB0201600D0 (en) * | 2002-01-24 | 2002-03-13 | Univ Cambridge Tech | Large- scale plasma synthesis of hollow nanostructures |
| US6891227B2 (en) * | 2002-03-20 | 2005-05-10 | International Business Machines Corporation | Self-aligned nanotube field effect transistor and method of fabricating same |
| US6620724B1 (en) * | 2002-05-09 | 2003-09-16 | Infineon Technologies Ag | Low resistivity deep trench fill for DRAM and EDRAM applications |
| US6720267B1 (en) * | 2003-03-19 | 2004-04-13 | United Microelectronics Corp. | Method for forming a cantilever beam model micro-electromechanical system |
| US6680521B1 (en) * | 2003-04-09 | 2004-01-20 | Newport Fab, Llc | High density composite MIM capacitor with reduced voltage dependence in semiconductor dies |
| US7208094B2 (en) * | 2003-12-17 | 2007-04-24 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Methods of bridging lateral nanowires and device using same |
| KR100539268B1 (ko) * | 2004-06-24 | 2005-12-27 | 삼성전자주식회사 | 반도체 메모리 소자의 제조 방법 |
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Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001177052A (ja) * | 1999-10-25 | 2001-06-29 | Lucent Technol Inc | 原位置微小相互接続回路装置およびその製造方法 |
| JP2002118248A (ja) * | 2000-07-18 | 2002-04-19 | Lg Electronics Inc | カーボンナノチューブの水平成長方法及びこれを利用した電界効果トランジスタ |
| JP2004533936A (ja) * | 2001-05-16 | 2004-11-11 | インフィネオン テクノロジーズ アクチエンゲゼルシャフト | ナノチューブ配列構造およびナノチューブ配列構造の生成方法 |
| JP2004018342A (ja) * | 2002-06-19 | 2004-01-22 | Fujitsu Ltd | カーボンナノチューブ及びその製造方法並びにカーボンナノチューブ製造用触媒 |
| JP2005239541A (ja) * | 2004-02-25 | 2005-09-08 | Samsung Electronics Co Ltd | カーボンナノチューブの水平成長方法およびカーボンナノチューブを含む素子 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013144627A (ja) * | 2012-01-16 | 2013-07-25 | Industry-Academic Cooperation Foundation At Namseoul Univ | 炭素ナノチューブの水平成長方法、これを用いた水平配線及びこれを用いた電界効果トランジスタ |
| JP2014090146A (ja) * | 2012-10-31 | 2014-05-15 | Denso Corp | 半導体素子及びその製造方法 |
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