JP2009295690A - Laser oscillation device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、レーザ発振装置に関し、特に防護壁を備えたレーザ発振装置に関する。 The present invention relates to a laser oscillation device, and more particularly to a laser oscillation device provided with a protective wall.
レーザ加工の分野等においては、高出力のレーザ発振装置が使用され種々の加工、例えば、切断、熱処理、溶接等が行なわれている。このような分野で使用されるレーザ発振装置は高出力である必要があり、レーザ発振器側の光学系を保護する構成を備えたレーザ加工機の反射吸収装置がある(例えば、特許文献1)。 In the field of laser processing and the like, a high-power laser oscillation device is used and various types of processing such as cutting, heat treatment, and welding are performed. A laser oscillation device used in such a field needs to have a high output, and there is a reflection / absorption device of a laser processing machine having a configuration for protecting an optical system on the laser oscillator side (for example, Patent Document 1).
特許文献1によるレーザ発振装置は、レーザ光の反射光を吸収する反射光吸収筒と中空導波路と加工ヘッドの基本的な要素で構成し、それぞれの要素が光学的に連結されると共に各要素内に反射光の吸収手段が配設されている。この構成によれば、反射光吸収筒には冷却水による冷却通路を設け、反射光は、この反射光吸収筒と、経路中に配設される遮光板や遮光部と、中空導波路とによりその大部分を吸収され、レーザ発振器側の光学系を保護することができるとされている。
The laser oscillation device according to
しかし、特許文献1に示されたレーザ発振装置では、レーザ光のレーザ波長と反射光吸収部材の材質との吸収効率が考慮されていない。また、複数のレーザ発振器を組み合せて複数のレーザ光を合成することによりさらなる高出力のレーザ発振装置を構成する場合には、反射光と共に散乱光が発生し、これらからレーザ発振器を有効に保護する必要がある。
従って、本発明の目的は、レーザ光からの散乱光を効率よく吸収してレーザ発振器を有効に保護するレーザ発振装置を提供することにある。 Accordingly, an object of the present invention is to provide a laser oscillation device that effectively absorbs scattered light from laser light and effectively protects the laser oscillator.
[1]本発明は、上記目的を達成するために、レーザ発振器と、前記レーザ発振器から照射されるレーザ光を所定の光路に導光する導光部と、前記レーザ光からの散乱光を吸収する防護壁と、を有することを特徴とするレーザ発振装置を提供する。 [1] In order to achieve the above object, the present invention absorbs scattered light from a laser oscillator, a light guide that guides laser light emitted from the laser oscillator to a predetermined optical path, and the laser light. There is provided a laser oscillation device comprising a protective wall.
[2]前記防護壁は、表面が黒アルマイト処理されたアルミニウムまたはアルミニウム合金で形成されていることを特徴とする上記[1]に記載のレーザ発振装置であってもよい。 [2] The laser oscillation device according to [1], wherein the protective wall is formed of aluminum or aluminum alloy whose surface is black anodized.
[3]また、前記レーザ発振器は、冷却パスを設けたベース上に載置され、前記防護壁は、前記ベース上に載置されて前記冷却パスに排熱されることを特徴とする上記[1]に記載のレーザ発振装置であってもよい。 [3] The laser oscillator is mounted on a base provided with a cooling path, and the protective wall is mounted on the base and is exhausted by the cooling path. [1] ] May be used.
[4]また、前記レーザ発振器は複数配置され、前記導光部において光学素子により前記レーザ光が合成されることを特徴とする上記[1]に記載のレーザ発振装置であってもよい。 [4] The laser oscillation device according to [1], wherein a plurality of the laser oscillators are arranged, and the laser light is combined by an optical element in the light guide unit.
[5]また、前記レーザ発振器は、半導体レーザであることを特徴とする上記[1]に記載のレーザ発振装置であってもよい。 [5] The laser oscillation apparatus according to [1], wherein the laser oscillator is a semiconductor laser.
本発明によれば、レーザ光からの散乱光を効率よく吸収してレーザ発振器を有効に保護するレーザ発振装置を提供することができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the laser oscillation apparatus which absorbs the scattered light from a laser beam efficiently, and protects a laser oscillator effectively can be provided.
(レーザ発振装置の構成)
図1は、本発明の実施の形態に係るレーザ発振装置の平面図である。図2は、図1におけるD−D断面図である。図3は、発振波長とアルミニウムの吸収率との関係を示す図である。
(Laser oscillator configuration)
FIG. 1 is a plan view of a laser oscillation apparatus according to an embodiment of the present invention. 2 is a cross-sectional view taken along the line DD in FIG. FIG. 3 is a diagram showing the relationship between the oscillation wavelength and the absorptance of aluminum.
本発明の実施の形態に係るレーザ発振装置1は、ベース100を備え、このベース100上の所定の位置には、レーザ発振器A201、レーザ発振器B202、レーザ発振器C203、ダイクロイックミラーA301、ダイクロイックミラーB302、シリンドリカルレンズ401、コンデンサーレンズ402、ガイド光源403、シャッタ404、防護壁A601、防護壁B602、防護壁C603、等が載置されている。また、ベース100の内部には、冷却水を流すための冷却水水路501が設けられ、ベース100の側面部には、冷却水配管502,503が設けられていると共に、レーザ発振器電源701、および、ガイド光源用電源702が配設されている。
The
レーザ発振装置1で発振したレーザ光は、光ファイバ801でレーザヘッド802まで導光される。この光ファイバ801、レーザヘッド802はレーザ発振装置1と一体に構成されていてもよく、また、光コネクタ等により適宜必要に応じて光学的に接続される構成であってもよい。
Laser light oscillated by the
ベース100は、板状であって、内部に冷却水水路501が設けられている。冷却水水路501は、図1に破線で示すように側面部からドリル等により深孔が形成され、必要な領域に冷却パスが通過するよう配置される。図1に示した冷却水水路501の経路パターン(冷却パス)は一例であり、後述するレーザ発振器の下部や排熱効率を考慮して形成される。冷却水水路501の入出力部として、ベース100の側面部には、冷却水配管502(IN)、冷却水配管(OUT)503が設けられ、所定の流量で冷却水を冷却水水路501中に還流させる。 The base 100 is plate-shaped, and a cooling water channel 501 is provided inside. As shown by a broken line in FIG. 1, the cooling water channel 501 is arranged so that a deep hole is formed from a side surface portion by a drill or the like and a cooling path passes through a necessary region. The path pattern (cooling path) of the cooling water channel 501 shown in FIG. 1 is an example, and is formed in consideration of the lower part of a laser oscillator described later and exhaust heat efficiency. A cooling water pipe 502 (IN) and a cooling water pipe (OUT) 503 are provided on the side surface of the base 100 as input / output parts of the cooling water channel 501, and cooling water is supplied into the cooling water channel 501 at a predetermined flow rate. Reflux.
レーザ発振器A201、レーザ発振器B202、レーザ発振器C203は、高出力のスタック型半導体レーザ発振器である。レーザ発振器A201の発振波長は980nm、レーザ発振器B202の発振波長は940nm、レーザ発振器C203の発振波長は808nmである。本発明の実施の形態では、3つの発振波長の異なるレーザ発振器を使用しているが、この構成には限られず任意の個数のレーザ発振器を使用することができ、また、同一波長のレーザ発振器を使用してもビーム合成を工夫することで使用可能である。レーザ発振器A201、レーザ発振器B202、レーザ発振器C203は、いずれも定格出力960Wとしたが、目標出力に応じてそれぞれの発振器の出力を任意に選択可能である。尚、レーザ発振器A201等は半導体レーザであるが、炭酸ガスレーザやYAGレーザでも適用可能である。 The laser oscillator A201, the laser oscillator B202, and the laser oscillator C203 are high output stacked semiconductor laser oscillators. The oscillation wavelength of the laser oscillator A201 is 980 nm, the oscillation wavelength of the laser oscillator B202 is 940 nm, and the oscillation wavelength of the laser oscillator C203 is 808 nm. In the embodiment of the present invention, three laser oscillators having different oscillation wavelengths are used. However, the present invention is not limited to this configuration, and an arbitrary number of laser oscillators can be used. Even if it is used, it can be used by devising beam synthesis. Laser oscillator A201, laser oscillator B202, and laser oscillator C203 all have a rated output of 960 W, but the output of each oscillator can be arbitrarily selected according to the target output. The laser oscillator A201 is a semiconductor laser, but a carbon dioxide laser or a YAG laser can also be applied.
レーザ発振器A201、レーザ発振器B202、レーザ発振器C203から出射されるレーザ光は、ダイクロイックミラーA301、ダイクロイックミラーB302、シリンドリカルレンズ401、コンデンサーレンズ402等の光学素子により構成される導光部により後述する光ファイバ801に導光される。ダイクロイックミラーは特定の波長の光を反射し、その他の波長の光を透過するもので、ダイクロイックミラーA301は980nmのレーザ光を透過させ940nmのレーザ光を反射する。また、ダイクロイックミラーB302は940nm以上のレーザ光を透過させ808nmのレーザ光を反射する。 Laser light emitted from the laser oscillator A201, the laser oscillator B202, and the laser oscillator C203 is an optical fiber, which will be described later, by a light guide unit including optical elements such as a dichroic mirror A301, a dichroic mirror B302, a cylindrical lens 401, and a condenser lens 402. 801 is guided. The dichroic mirror reflects light of a specific wavelength and transmits light of other wavelengths, and the dichroic mirror A301 transmits 980 nm laser light and reflects 940 nm laser light. The dichroic mirror B302 transmits a laser beam of 940 nm or more and reflects the laser beam of 808 nm.
レーザ発振器A201から出射されたレーザ光は、ダイクロイックミラーA301およびダイクロイックミラーB302を透過する。また、レーザ発振器B202から出射されたレーザ光は、ダイクロイックミラーA301で反射され、この反射されたレーザ光はダイクロイックミラーB302を透過する。また、レーザ発振器C203から出射されたレーザ光は、ダイクロイックミラーB302で反射される。これら3本のレーザ光は、ダイクロイックミラーB302の後で1本に合成されている。合成されたレーザ光は、シリンドリカルレンズ401によりビーム整形されてコンデンサーレンズ402によりコリメートされて光ファイバ801に導光される。尚、図1においてはレーザ光の主光線のみを図示している。 The laser light emitted from the laser oscillator A201 passes through the dichroic mirror A301 and the dichroic mirror B302. The laser beam emitted from the laser oscillator B202 is reflected by the dichroic mirror A301, and the reflected laser beam passes through the dichroic mirror B302. The laser beam emitted from the laser oscillator C203 is reflected by the dichroic mirror B302. These three laser beams are combined into one after the dichroic mirror B302. The combined laser beam is shaped by the cylindrical lens 401, collimated by the condenser lens 402, and guided to the optical fiber 801. In FIG. 1, only the chief ray of the laser beam is shown.
光ファイバ801は、レーザ発振装置1から加工対象までレーザ光を導光できる長さに設定され、パワー伝送用のガラス製光ファイバを使用する。また、光ファイバ801からのレーザ光はレーザヘッド802により所定の集光スポット径に集光されて加工対象物に照射される。
The optical fiber 801 is set to a length capable of guiding laser light from the
シリンドリカルレンズ401とコンデンサーレンズ402の間には、ガイド光源403およびシャッタ404が設けられている。レーザ発振器A201等から出射されるレーザ光は可視光ではないので、ガイド光源403は640nmの可視光レーザを使用し、必要に応じて光路中に挿入して加工ポイントの確認等を行なうために使用される。また、光路中に挿入可能なシャッタ404が設けられて、必要に応じてレーザ光を遮光することができる構成とされている。 A guide light source 403 and a shutter 404 are provided between the cylindrical lens 401 and the condenser lens 402. Since the laser light emitted from the laser oscillator A201 or the like is not visible light, the guide light source 403 uses a visible light laser of 640 nm, and is used to check the processing point by inserting it into the optical path as necessary. Is done. In addition, a shutter 404 that can be inserted into the optical path is provided so that the laser beam can be shielded as necessary.
上記のような構成で、レーザ発振器A201、レーザ発振器B202、レーザ発振器C203を発振させると、所定の光路以外の領域に反射光の一部が散乱光として到達する。本発明の実施の形態で使用するレーザ発振器は高出力であるので、上記のような散乱光が光学部品やレーザ発振器に集光されて破損する原因となり、また、レーザ発振器全体の過熱により安全性が低下する。 When the laser oscillator A201, the laser oscillator B202, and the laser oscillator C203 are oscillated with the above configuration, part of the reflected light reaches the region other than the predetermined optical path as scattered light. Since the laser oscillator used in the embodiment of the present invention has a high output, the scattered light as described above is condensed on the optical component or the laser oscillator and is damaged. Decreases.
上記のような問題を抑制するため、散乱光が集光される部位に、防護壁が設けられている。本発明の実施の形態では、防護壁A601、防護壁B602、防護壁C603が3箇所に設けられているが、これに限られず、必要な箇所に必要な数だけ防護壁を設けることができる。 In order to suppress the above problems, a protective wall is provided at a site where scattered light is collected. In the embodiment of the present invention, the protective wall A601, the protective wall B602, and the protective wall C603 are provided at three locations. However, the present invention is not limited to this, and a required number of protective walls can be provided at necessary locations.
防護壁A601は、図2に示すように、例えばL字形状に形成されてベース100上の必要部位に載置されて固定される。材質は、熱伝導性に優れるアルミニウム(Al)またはアルミニウム合金が好ましい。ここで、図3は、発振波長とアルミニウムの光吸収率との関係を示すものである。アルミニウムは、近赤外の半導体レーザの波長付近で吸収率のピークを示し、YAGレーザやCO2レーザに比較して吸収効率に優れる。防護壁B602、防護壁C603も同様にアルミニウムまたはアルミニウム合金で形成されている。 As shown in FIG. 2, the protective wall A 601 is formed in an L shape, for example, and is placed and fixed on a necessary portion on the base 100. The material is preferably aluminum (Al) or an aluminum alloy having excellent thermal conductivity. Here, FIG. 3 shows the relationship between the oscillation wavelength and the light absorption rate of aluminum. Aluminum exhibits a peak of absorption near the wavelength of a near-infrared semiconductor laser, and is excellent in absorption efficiency compared to a YAG laser or a CO 2 laser. Similarly, the protective wall B602 and the protective wall C603 are formed of aluminum or an aluminum alloy.
また、防護壁(A601、B602、C603)は、レーザ光の吸収性を向上させるために表面をアルマイト処理して黒塗りし、黒アルマイト層601aが形成される。アルマイト処理は、硫酸・蓚酸等を電解液として電気分解し、アルミニウムの表面にAl2O3の皮膜を生成させ、この皮膜の表面に無機、有機の染料(黒色)を吸着させることにより行なわれる。 The protective walls (A601, B602, C603) are blackened by anodizing the surface in order to improve the absorption of laser light, and a black anodized layer 601a is formed. The alumite treatment is performed by electrolyzing sulfuric acid, oxalic acid or the like as an electrolytic solution, forming an Al 2 O 3 film on the surface of aluminum, and adsorbing an inorganic or organic dye (black) on the surface of the film. .
また、防護壁(A601、B602、C603)は、ベース100上に載置されるが、特に、冷却水水路501上に載置されるのが好ましい。図2に示したように、防護壁A601の黒アルマイト層601aで散乱光を吸収し、この散乱光による熱が防護壁A601内を伝熱して、ベース100に排熱される。さらに、ベース100中の冷却水水路501を流れる冷却水504に排熱されることにより排熱効率が向上する。
The protective walls (A601, B602, C603) are placed on the base 100, but are preferably placed on the cooling water channel 501 in particular. As shown in FIG. 2, the scattered light is absorbed by the black alumite layer 601 a of the
本発明の実施の形態によれば、以下の効果を有する。
(1)本発明の実施の形態に係るレーザ発振装置1は、レーザ発振器から出射されたレーザ光の一部が散乱光となって集光される部位に防護壁を設けている。このため、光学部品やレーザ発振器の破損、レーザ発振器全体の過熱等を抑制して、安全性を向上させることができる。
(2)防護壁は、アルミニウム(Al)またはその合金材で形成されているので熱伝導性に優れ、また、アルミニウムは本発明の実施の形態で使用する近赤外の半導体レーザの波長付近で吸収率のピークを示すので、光および熱の吸収効率に優れる。
(3)防護壁は、表面が黒アルマイト処理されているので、レーザ光の吸収性を向上させることができる。
(4)防護壁は、冷却水水路501上に載置されているので、ベース100中の冷却水水路501を流れる冷却水504に排熱されることにより排熱効率が向上する。
(5)本発明の実施の形態に係るレーザ発振装置は、特に高出力とするために光学素子によりレーザ光を合成する構成であり、光学素子での透過・反射時にレーザ光の一部が散乱光となりやすい。しかし、散乱光となって集光される部位に防護壁を設ける構成としているので、高出力のレーザ発振装置に特に有利である。
(6)防護壁をアルミニウム(Al)またはその合金材で形成し、表面を黒アルマイト処理しているので、熱の吸収効率および熱伝導性に優れ、防護壁自体を冷却水で冷却する必要がなく、ベース100上に冷却水を持ち込む必要がない。
(7)防護壁の熱吸収効率および熱伝導性が優れているので、防護壁を小さくでき、また、ベース100上に冷却配管を必要とせず、レーザ発振装置の小型化に繋がる。
The embodiment of the present invention has the following effects.
(1) In the
(2) Since the protective wall is made of aluminum (Al) or an alloy material thereof, it has excellent thermal conductivity, and aluminum is near the wavelength of the near-infrared semiconductor laser used in the embodiment of the present invention. Since the absorption peak is exhibited, the light and heat absorption efficiency is excellent.
(3) Since the surface of the protective wall is black anodized, it is possible to improve the absorption of laser light.
(4) Since the protective wall is placed on the cooling water channel 501, exhaust heat efficiency is improved by exhausting heat to the cooling water 504 flowing through the cooling water channel 501 in the base 100.
(5) The laser oscillation apparatus according to the embodiment of the present invention has a configuration in which laser light is synthesized by an optical element in order to achieve particularly high output, and a part of the laser light is scattered during transmission / reflection by the optical element. It tends to be light. However, since the protective wall is provided at the site where the scattered light is collected, it is particularly advantageous for a high-power laser oscillation device.
(6) Since the protective wall is made of aluminum (Al) or its alloy material and the surface is black anodized, it has excellent heat absorption efficiency and thermal conductivity, and it is necessary to cool the protective wall itself with cooling water. There is no need to bring cooling water onto the base 100.
(7) Since the heat absorption efficiency and thermal conductivity of the protective wall are excellent, the protective wall can be made small, and no cooling pipe is required on the base 100, leading to miniaturization of the laser oscillation device.
1…レーザ発振装置、100…ベース、201…レーザ発振器A、202…レーザ発振器B、203…レーザ発振器C、301…ダイクロイックミラーA、302…ダイクロイックミラーB、401…シリンドリカルレンズ、402…コンデンサーレンズ、403…ガイド光源、404…シャッタ、501…冷却水水路、502,503…冷却水配管、504…冷却水、601…防護壁A、601a…黒アルマイト層、602…防護壁B、701…レーザ発振器電源、702…ガイド光源用電源、801…光ファイバ、802…レーザヘッド
DESCRIPTION OF
Claims (5)
前記レーザ発振器から照射されるレーザ光を所定の光路に導光する導光部と、
前記レーザ光からの散乱光を吸収する防護壁と、
を有することを特徴とするレーザ発振装置。 A laser oscillator;
A light guide that guides laser light emitted from the laser oscillator to a predetermined optical path;
A protective wall for absorbing scattered light from the laser light;
A laser oscillation device comprising:
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Legal Events
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110221 |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A073 Effective date: 20120703 |